WO2011001740A1 - 研磨装置、研磨方法、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

露光装置は、露光光(ＥＬ)の光路に配置される像面側光学部材(２７)及び該像面側光学部材(２７)を支持する鏡筒(１７)を有する投影光学系(１４)と、鏡筒(１７)に支持されている状態の像面側光学部材(２７)を研磨し、該像面側光学部材(２７)の形状を変化させる液体供給装置(３７)とを備えている。

Description

研磨装置、研磨方法、露光装置及びデバイスの製造方法

　本発明は、レンズなどの光学部材を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。また、本発明は、レンズなどの光学部材を研磨する研磨装置及び研磨方法に関するものである。

　一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターン（回路パターンなど）を感光性材料が塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成するための露光装置が用いられる。こうした露光装置に搭載される投影光学系は、鏡筒と、該鏡筒内に収容される複数の光学部材（レンズなど）とを備えている。これらの光学部材は、鏡筒に対して光学部材を変位させることが可能な光学部材保持装置を介して鏡筒にそれぞれ支持されている。

　そして、上記露光装置では、各光学部材保持装置を駆動させて各光学部材の位置を調整することにより、投影光学系の収差（波面収差ともいう。）が調整される。こうして投影光学系の収差が適切に調整された状態で露光処理を実行することにより、投影光学系の像面側に配置される基板には、適切な大きさ及び形状のパターンが形成される。

　また、基板に塗布される感光性材料の一部が気化し、該気体状の感光性材料が光学部材の表面に付着することがある。そこで、特許文献１，２には、光学部材に付着した汚れなどの異物を除去する技術が開示されている。

米国特許第６４９６２５７号明細書 米国特許出願公開第２００５／０２７４８９８号明細書 特開２００６－２４５０８５号公報

　ところで、露光装置を長期に亘って使用すると、投影光学系の収差が経時変化することがある。そのため、露光装置では、一般的に、投影光学系の収差が定期的又は不定期で調整される。しかしながら、従来の露光装置において投影光学系の収差を調整する方法は、各光学部材を変位させる方法しかなかった。そのため、投影光学系の収差の調整にも限度があった。

　こうした問題点を解決する方法として、投影光学系に、一部の光学部材を鏡筒外に取り出すための構成を設け、鏡筒外に取り出された光学部材を研磨し、研磨後の光学部材を再び鏡筒内に再設置する方法が考えられる（特許文献３参照）。しかしながら、この方法では、光学部材を鏡筒内外で出し入れする必要があり、非常に作業が煩雑になる問題があった。

　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学系の収差を容易に調整できる研磨装置、研磨方法、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。

　上記の課題を解決するため、本発明の１つの態様では、実施形態に示す図１～図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
　本発明の１つの態様にかかる露光装置は、所定のパターンを光（ＥＬ）で照明し、該所定のパターンを介した光（ＥＬ）で感光性材料が塗布された基板（Ｗ）を照射する露光装置（１１）であって、前記光（ＥＬ）の光路に配置される光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）及び該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を支持する支持部材（１７）を有する光学系（１２，１４）と、前記支持部材（１７）に支持されている状態の前記光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を研磨し、該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）の形状を変化させる研磨装置（３７，３７Ａ，６５，６７，７６，８０）と、を備えることを要旨とする。

　上記構成によれば、支持部材（１７）に支持されている状態の光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）の形状を、研磨装置（３７，３７Ａ，６５）によって変化させることにより、光学系（１２，１４）の収差が調整される。したがって、光学系（１２，１４）から光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を取り出し、該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）の形状を変更させる従来の場合に比して、光学系（１２，１４）から光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を取り出す手間が省ける分、光学系（１２，１４）の調整の修正が容易なものとなる。

　また、本発明の別の態様にかかる研磨装置は、所定のパターンを光（ＥＬ）で照明し、該所定のパターンを介した光（ＥＬ）で感光性材料が塗布された基板（Ｗ）を照射する露光装置（１１）であって、前記光（ＥＬ）の光路に配置される光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）及び該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を支持する支持部材（１７）を有する光学系（１２，１４）を備える露光装置（１１）に取付けられる研磨装置（３７，３７Ａ，６５，６７，７６，８０）であって、前記支持部材（１７）に支持されている状態の前記光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を研磨し、該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）の形状を変化させることを要旨とする。

　また、本発明のさらに別の態様にかかる研磨方法は、所定のパターンを光（ＥＬ）で照明し、該所定のパターンを介した光（ＥＬ）で感光性材料が塗布された基板（Ｗ）を照射する露光装置であって、前記光（ＥＬ）の光路に配置される光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）及び該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を支持する支持部材（１７）を有する光学系（１２，１４）を備える露光装置（１１）の前記光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を研磨する研磨方法であって、前記支持部材（１７）に支持されている状態の前記光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）を研磨し、該光学部材（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２７）の形状を変化させることを要旨とする。

　なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。

　本発明によれば、光学系の収差を容易に調整できる。

本実施形態における露光装置を示す概略構成図。 露光装置の要部を模式的に示す断面図。 （ａ）（ｂ）は像面側光学部材の射出側面の周縁部が研磨される様子を示す模式図。 （ａ）（ｂ）は別の実施形態の液体供給装置を示す模式図。 別の実施形態のウエハステージを示す模式図。 別の実施形態の研磨装置を示す模式図。 別の実施形態の研磨装置をウエハステージに取り付けた状態を示す模式図。 計測ステージに設けた別の実施形態の研磨装置を示す模式図。 デバイスの製造例のフローチャート。 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。

　以下に、一実施形態について図１～図３に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。

　図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、図示しない光源装置から射出された露光光ＥＬを用い、所定の回路パターンが形成されたマスクとしてのレチクルＲを照明し、該照明によって形成される回路パターンの像をレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷ上に投影するための装置である。こうした露光装置１１は、上記光源装置からの露光光ＥＬでレチクルＲを照明する照明光学系１２と、レチクルＲを保持するレチクルステージ１３と、該レチクルＲを介した露光光ＥＬでウエハＷを照射する投影光学系１４と、ウエハＷを保持するウエハステージ１５とを備えている。なお、本実施形態の光源装置としては、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を露光光ＥＬとして出力する光源が用いられている。

　照明光学系１２は、図示しないフライアイレンズやロッドレンズなどのオプティカルインテグレータ、リレーレンズ及びコンデンサレンズなどの各種レンズ系、及び図示しない開口絞りなどを含んで構成されている。そして、図示しない光源装置から射出された露光光ＥＬが照明光学系１２を通過することにより、レチクルＲ上には、均一な光強度分布（光輝度分布ともいう。）を有し、且つＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）に延びる略矩形状の照明領域が形成される。

　レチクルステージ１３は、照明光学系１２と投影光学系１４との間で、そのレチクルＲの載置面１６が光路と略直交するように配置されている。すなわち、レチクルステージ１３は、投影光学系１４の物体面側（＋Ｚ方向側であって、図１では上側）に配置されている。また、レチクルステージ１３には、レチクルＲを保持するための図示しない保持部（例えば、レチクルＲを真空吸着するための図示しない真空チャック）が設けられている。こうしたレチクルステージ１３は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部は、保持部に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部は、レチクルＲをＸ軸方向及びθｚ方向にも移動させることが可能である。

　投影光学系１４は、露光光ＥＬでレチクルＲを照明することにより形成された回路パターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、略円筒形状をなす鏡筒１７を備えている。この鏡筒１７内は、窒素ガスなどのパージガスで充填されている。こうした鏡筒１７内には、複数（図１では６枚のみ図示）の光学部材（本実施形態ではレンズ）１８，１９，２０，２１，２２，２３がＺ軸方向（図１では上下方向）に沿って配置されている。これらの光学部材１８～２３は、保持装置２４を介して鏡筒１７にそれぞれ支持されている。各保持装置２４は、自らが個別に保持する光学部材１８～２３を複数方向に変位させることが可能に構成されている。なお、保持装置２４の構成については、例えば米国特許第６９３０８４２号公報や米国特許公開第２００７／０１８３０６４号公報に開示されている。

　また、鏡筒１７の－Ｚ方向側の端部（図１では下端部）には、図１及び図２に示すように、光学部材２３の射出部２３ａを包囲するように形成された円環状の固定部材２５が複数本（図２では２本のみ図示）の第１ボルト２６によって固定されている。すなわち、固定部材２５は、光学部材２３から射出される露光光ＥＬの光路を包囲するように形成されている。また、固定部材２５の－Ｚ方向側には、鏡筒１７内に配置される各光学部材１８～２３よりも像面側（－Ｚ方向側であって、図１では下側）に配置される像面側光学部材２７（「先玉レンズ」ともいう。）が設けられており、該像面側光学部材２７は、円環状をなすレンズホルダ２８及び固定部材２５を介して鏡筒１７に支持されている。

　具体的には、像面側光学部材２７は、図２に示すように、Ｚ軸方向から見た場合、略円形状をなしており、その中央部分に形成され且つ露光光ＥＬが通過する露光光通過部２９を有している。この露光光通過部２９は、その射出側面（－Ｚ方向側の面）３０が入射側面（＋Ｚ方向側の面）３１と平行となるように形成されている。また、像面側光学部材２７は、露光光通過部２９の外周側に形成される円環状のフランジ部３２を有しており、該フランジ部３２の周縁には、投影光学系１４の光軸（図示略）を中心とした径方向における外側に向けて突出する複数（図２では２つのみ図示）の被係止部３３が形成されている。これらの被係止部３３は、周方向において等間隔に配置されている。なお、該像面側光学部材２７と後述する第１液体との屈折率差が小さい場合には、像面側光学部材２７の射出側面３０に反射防止コートを施さなくてもよい。

　また、レンズホルダ２８は、その径方向における内側が像面側光学部材２７の各被係止部３３と径方向において同一位置に位置するように形成されている。こうしたレンズホルダ２８において各被係止部３３と対応する各位置には、被係止部３３を収容可能な係止用凹部３４が形成されている。そして、各係止用凹部３４内に該各係止用凹部３４に個別対応する各被係止部３３を収容した状態で、レンズホルダ２８を複数本（図２では２本のみ図示）の第２ボルト３５によって固定部材２５に固定させることにより、像面側光学部材２７は、鏡筒１７に移動不能な状態で支持される。このとき、各被係止部３３の＋Ｚ方向側の面は、固定部材２５に当接すると共に、各被係止部３３の周方向における両側面は、各係止用凹部３４の側壁に当接している。

　本実施形態において、像面側光学部材２７とウエハＷとの間の所定空間３６は、液体供給装置３７の作動によって、ウエハＷへの露光処理時に純水などの第１液体で満たされている。すなわち、本実施形態の露光装置１１は、いわゆる液浸型の露光装置である。なお、液体供給装置３７の具体的構成などについては、後述するものとする。

　ウエハステージ１５は、図１に示すように、投影光学系１４の像面側において、ウエハＷが載置される載置面が露光光ＥＬの光路と交差するように配置されている。また、ウエハステージ１５には、ウエハＷを保持するための保持部３８（例えば、レチクルＲを真空吸着するための図示しない真空チャック）と、該保持部３８を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。こうしたウエハステージ１５は、図示しないウエハステージ駆動部によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部は、保持部３８に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部は、保持部３８に保持されるウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向にも移動可能に構成されている。

　そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲの回路パターンを形成する場合、照明光学系１２によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から－Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１４の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、－Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域への回路パターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対する回路パターンの形成が連続して行われる。

　次に、本実施形態の液体供給装置３７について説明する。
　図１に示すように、液体供給装置３７は、露光処理時などに用いられる第１液体（例えば純水）を所定空間３６内に供給すべく駆動する第１液体供給部４１と、像面側光学部材２７の研磨時などに用いられる第２液体（例えば、研磨剤を含有する液体）を供給すべく駆動する第２液体供給部４２とを備えている。また、液体供給装置３７には、所定空間３６内の液体を回収すべく駆動する液体回収部４３と、液体供給部４１，４２から延びる供給管４４，４５がそれぞれ接続される切替部４６とが設けられている。この切替部４６は、２つの入力ポートと１つの出力ポートとを有する図示しない切替弁を備えており、該切替弁の駆動によって後述する液体供給回収部材４７への供給を許容する液体の種類が選択される。

　さらに、液体供給装置３７には、円環状をなす液体供給回収部材４７が設けられており、該液体供給回収部材４７は、図示しない支持機構によって、像面側光学部材２７、レンズホルダ２８及びウエハＷなどに接触しないように支持されている。また、液体供給回収部材４７は、像面側光学部材２７のフランジ部３２よりも－Ｚ方向側であって、且つ像面側光学部材２７の露光光通過部２９を包囲するように配置されている。すなわち、液体供給回収部材４７は、その内側面４７ａが像面側光学部材２７の露光光通過部２９の側面２９ａと対向すると共に、その＋Ｚ方向側の面（図２では上面）４７ｂが像面側光学部材２７におけるフランジ部３２の－Ｚ方向側の面３２ａと対向するように配置されている。また、液体供給回収部材４７の－Ｚ方向側の部位は、像面側光学部材２７の射出側面３０よりも－Ｚ方向側に位置している。なお、本実施形態において、液体供給回収部材４７の内側面４７ａ及び＋Ｚ方向側の面４７ｂと、露光光通過部２９の側面２９ａ及びフランジ部３２の－Ｚ方向側の面３２ａには、フッ素樹脂コーティングなどの撥水処理が施されている。

　また、液体供給回収部材４７は、連結管４８を介して切替部４６に連結されると共に、回収管４９を介して液体回収部４３に連結されている。こうした液体供給回収部材４７内には、連結管４８と連通する液体供給通路５０が形成されると共に、回収管４９と連通する液体回収通路５１が形成されている。また、液体供給回収部材４７の内側面４７ａにおいて像面側光学部材２７の射出側面３０及び露光光ＥＬの光路を包囲すると共に周方向に沿って等間隔に配置された複数の供給ノズル５２が形成されている。また、液体供給回収部材４７内には、各供給ノズル５２と液体供給通路５０とを連通させるための図示しない連通路が形成されている。そして、各供給ノズル５２からは、液体供給通路５０を介して供給された液体（第１液体又は第２液体）が像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａに向けて噴射される（図３（ａ）参照）。また、液体供給回収部材４７の－Ｚ方向側の面側には、露光光ＥＬの光路を包囲するように形成された環状の回収ノズル５３が形成されており、該回収ノズル５３は、液体回収通路５１と連通している。なお、回収ノズル５３には、多数の孔が形成されてなる多孔部材５４が設けられている。

　また、本実施形態の液体供給装置３７には、制御装置５５が設けられている。この制御装置５５は、ＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどから構築される図示しないデジタルコンピュータ、及び各液体供給部４１，４２、液体回収部４３及び切替部４６を駆動させるための図示しないドライバ回路などを備えている。そして、制御装置５５は、露光処理時には、液体供給回収部材４７の各供給ノズル５２から第１液体が噴射されるように、第１液体供給部４１及び切替部４６を制御する。このとき、制御装置５５は、第１液体が各供給ノズル５２から第１の流速で噴射されるように、第１液体供給部４１を制御する。また、制御装置５５は、露光処理を行なうウエハＷの交換時には、液体供給回収部材４７の回収ノズル５３を介して所定空間３６内の液体（即ち、第１液体）が回収されるように液体回収部４３を制御する。

　ここで、露光装置１１を長期に亘って使用すると、各種光学部材の特性の経年変化などに起因して投影光学系１４の収差が変化することがある。この投影光学系１４の収差が大きくなると、ウエハＷに形成される回路パターンに歪みなどが発生するおそれがある。一般的な露光装置１１では、定期的に投影光学系１４を構成する各光学部材１８～２３のＺ軸方向における位置を変位させることなどにより、投影光学系１４の収差が調整される。しかしながら、各光学部材１８～２３の変位だけでは投影光学系１４の収差を小さくしきれないことがある。そこで、本実施形態では、像面側光学部材２７の像面側の光学面である射出側面３０を研磨することにより、像面側光学部材２７を意図的に変形させ、投影光学系１４の収差の調整が図られる。

　本実施形態においては、投影光学系１４の収差が、当該投影光学系１４を構成する複数の光学部材１８～２３の位置・姿勢の変更で補正できるか否かを判定してもよい。このとき、例えば米国特許公開第２００７／０２０１０１０号、第２００７／０２６３１９１号、第２００８／０１２３０６７号公報に開示される計測ステージ中の収差測定装置や米国特許第６９１４６６５号に開示される波面収差計測装置を用いて投影光学系１４の収差を計測し、その計測された収差のうち、投影光学系１４を構成する複数の光学部材１８～２３の位置・姿勢の変更で補正できない残渣成分が許容範囲であるかを判定することができる。そして、許容範囲でない場合には、像面側光学部材２７の像面側の光学面である射出側面３０を研磨することにより、像面側光学部材２７の射出側面３０を意図的に変化させて投影光学系１４の収差の調整を図る。

　こうした像面側光学部材２７の研磨時には、制御装置５５は、液体供給回収部材４７の各供給ノズル５２から第２液体が噴射されるように第２液体供給部４２及び切替部４６を制御すると共に、所定空間３６内の液体及び研磨時に発生するかす（以下、「研磨かす」という。）が回収されるように液体回収部４３を制御する。このとき、制御装置５５は、第２液体が各供給ノズル５２から第１の流速よりも高速に設定された第２の流速で噴射されるように第２液体供給部４２を制御する。また、研磨終了時には、制御装置５５は、液体供給回収部材４７の供給ノズル５２から第１液体が第１の流速で噴射されるように第１液体供給部４１及び切替部４６を制御すると共に、所定空間３６内の液体などが回収されるように液体回収部４３を制御する。したがって、本実施形態では、液体供給装置３７が、像面側光学部材２７の形状を変化させる研磨装置としても機能する。

　なお、第１の流速とは、第１液体によって像面側光学部材２７を研磨できない程度の流速であり、第２の流速とは、第２液体によって像面側光学部材２７を研磨可能となる非常に速い流速のことである。

　次に、本実施形態の露光装置１１の作用のうち投影光学系１４の収差を調整する際の作用を中心に図３に基づき説明する。なお、図３（ｂ）では、明細書の説明理解の便宜上、像面側光学部材２７の研磨量（即ち、削られる量）が誇張して描かれている。

　さて、投影光学系１４の収差を調整する際には、まず始めに鏡筒１７内に配置される各光学部材１８～２３のうち少なくとも一つの光学部材を変位させるべく、該少なくとも一つの光学部材を保持する保持装置２４が駆動する。例えば、ウエハＷ（像面）と光学的に共役な位置近傍に配置される光学部材を変位させるべく、該光学部材を保持する保持装置２４が駆動する。ところが、こうした各光学部材１８～２３の位置・姿勢の調整だけでは、投影光学系１４の収差を許容範囲内に抑えることができないことがある。

　そこで、本実施形態では、像面側光学部材２７を研磨し、その形状を変更させることにより、投影光学系１４の収差が調整される。具体的には、切替部４６は、第２液体を液体供給回収部材４７に供給できるように駆動すると共に、第２液体供給部４２は、液体供給回収部材４７の各供給ノズル５２から第２液体が噴射されるように駆動する。すると、液体供給回収部材４７の各供給ノズル５２からは、図３（ａ）に示すように、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａに向けて第２液体が第２の流速で噴射される。なお、周縁部３０ａは像面側光学部材２７の射出側面３０と露光光通過部２９の側面２９ａとの間の角部を含む。図３（ａ）、（ｂ）の例では、複数の供給ノズル５２は、周縁部３０ａの側方に配置され、射出側面３０と側面２９ａの間の角部と対面するように高さ調整された状態で、周縁部３０ａに向けて第２液体を、好ましくはほぼ同時にほぼ同じ噴射圧で、径方向内向きにほぼ水平に噴射することができる。複数の供給ノズル５２は、制御された噴射継続時間にわたって連続的に第２液体を噴射してもよく、同じパルス周期で周期的に第２液体を噴射してもよい。

　このとき、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａには、複数の供給ノズル５２から噴射される第２液体による噴射圧が付与される。その結果、図３（ｂ）に示すように、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａは第２液体によって研磨され、像面側光学部材２７の射出側面３０が変形する。しかも、周方向に沿って等間隔に配置される複数の供給ノズル５２から第２液体がそれぞれ噴射されるため、像面側光学部材２７の研磨時に、該像面側光学部材２７が投影光学系１４の光軸と直交する方向に変位することが規制される。なお、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａは、数十ｎｍ程度研磨される。

　また、像面側光学部材２７の研磨に用いられた第２液体は、液体回収部４３の駆動によって、回収ノズル５３を介して回収される。このとき、像面側光学部材２７の研磨によって発生した研磨かすもまた、第２液体と共に回収ノズル５３を介して回収される。

　像面側光学部材２７の研磨が完了した時点では、像面側光学部材２７やウエハステージ１５には、研磨かすや第２液体に含まれる研磨剤などが付着している。そこで、像面側光学部材２７の研磨が完了すると、第２液体供給部４２の駆動が停止すると共に、切替部４６は、第１液体を液体供給回収部材４７に供給できるように駆動する。さらに、第１液体供給部４１は、液体供給回収部材４７の各供給ノズル５２から第１液体が噴射されるように駆動する。すると、像面側光学部材２７やウエハステージ１５は、第１液体によって洗浄される。そして、像面側光学部材２７やウエハステージ１５を洗浄した第１液体は、該像面側光学部材２７やウエハステージ１５に付着していた研磨剤及び研磨かすなどと共に回収ノズル５３を介して回収される。こうした第１液体を用いた洗浄工程が所定時間継続された後、第１液体供給部４１及び液体回収部４３の駆動が停止される。

　その後、投影光学系１４の収差が再び検査され、該収差が許容範囲内である場合には、ウエハＷへの露光処理を再開させる。一方、投影光学系１４の収差がまだ許容範囲外である場合には、第２液体を用いる像面側光学部材２７の研磨が再び行なわれる。なお、像面側光学部材２７の研磨時には、ウエハステージ１５の保持部３８上にダミーウエハを配置することが望ましい。

　なお、本実施形態において、研磨用液体（第２液体）を噴射可能な噴射可能な１以上の噴射ノズルとして、例えば特開２００５－２４６５９０号公報の教示を参照することができる。また、特開２００５－２４６５８８号公報に開示されているように、研磨用の気体を噴射ノズルから噴射させて光学部材の研磨を行うこともできる。

　また、本実施形態において、研磨される像面側光学部材２７の射出側面３０の面形状を計測してもよい。このような面形状計測装置は、例えば特開２００２－３７２４０６号公報に開示されている。研磨される像面側光学部材２７の射出側面３０の面形状を計測する場合には、まず、像面側光学部材２７の射出側面３０の研磨前に、この射出側面３０の面形状を計測し、投影光学系１４の収差調整を達成するために必要な研磨量に関する情報に基づいて、射出側面３０を研磨する。そして、再び射出側面３０の面形状を計測し、所要の面形状であるか否かを判定する。所要の面形状でない場合には、再び射出側面３０の研磨を行う。

　したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
　（１）鏡筒１７に支持されている状態の像面側光学部材２７を液体供給装置３７によって変形させることにより、投影光学系１４の収差が調整される。したがって、投影光学系１４から光学部材を取り出し、該光学部材の形状を変更させる従来の場合に比して、投影光学系１４から光学部材を取り出す手間が省ける分、短時間で投影光学系１４の収差を容易に調整でき、ひいては露光装置１１の稼動停止時間を短縮して生産性の向上を図ることができる。

　（２）本実施形態では、鏡筒１７に支持される光学部材１８～２３，２７のうち最も像面側に位置する像面側光学部材２７の射出側面３０が研磨される。そのため、像面側光学部材２７以外の他の光学部材の研磨を行なう場合とは異なり、研磨時に発生する研磨かすが鏡筒１７内に流入することを抑制できる。鏡筒１７内に研磨かすが入り込むと、その除去が非常に困難となる。しかし、本実施形態では、研磨かすが鏡筒１７内に入り込むことがほとんどないため、像面側光学部材２７の研磨時に発生する研磨かすを容易に回収できる。また、露光光ＥＬの光路内に研磨かすが残留することを回避可能なため、その後の露光処理時に研磨かすの残留に起因したウエハＷに形成される回路パターンの歪みの発生を抑制できる。

　（３）また、露光処理時に所定空間３６内に第１液体を供給する液体供給装置３７が、像面側光学部材２７を研磨する研磨装置としても機能する。そのため、研磨装置を液体供給装置３７とは別に設ける場合に比して、部品点数の増加を規制できる。

　（４）しかも、本実施形態の液体供給装置３７は、供給する液体を第１液体から研磨用の第２液体に切り替え可能である。そのため、第１液体を用いて像面側光学部材２７の研磨を行なう場合に比して、効率的に像面側光学部材２７を研磨することができる。

　（５）また、像面側光学部材２７の研磨によって発生した研磨かすは、洗浄液として供給された第１液体と共に回収ノズル５３を介して液体回収部４３に回収される。したがって、研磨かすが露光光ＥＬの光路内に残留することに起因した露光不良の発生を抑制できる。

　（６）また、本実施形態では、像面側光学部材２７の研磨時に供給される際の第２液体の流速は、露光処理時に第１液体が供給される際の第１の流速よりも高速の第２の流速に設定されている。そのため、第１液体が供給される際に、該第１液体が像面側光学部材２７に付与する噴射圧によって、該像面側光学部材２７が研磨されることを抑制できる。

　（７）さらに、本実施形態では、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａには、周方向に沿って等間隔に配置される供給ノズル５２から噴射される第２液体によって噴射圧が付与されることにより、研磨される。このとき、射出側面３０の周方向における等間隔位置には、径方向における中央側への噴射圧がそれぞれ付与される。そのため、像面側光学部材２７の研磨時に該像面側光学部材２７に付与される噴射圧によって、像面側光学部材２７が変位することを抑制できる。

　（８）投影光学系１４の収差の調整時には、各光学部材１８～２３の位置・姿勢の調整だけではなく、像面側光学部材２７の形状が変形される。そのため、従来の場合とは異なり、投影光学系１４の収差をより精密に調整できる。したがって、ウエハＷに適切な形状の回路パターンを形成させることができる。

　（９）本実施形態のような液浸投影光学系における像面側光学部材２７の射出側面３０においては、像面側光学部材２７と第１液体との屈折率差が小さいため反射防止コートを施さなくてもよい。したがって、研磨装置によって射出側面を研磨した後に反射防止コートを再度施す手間を省くことができる。

　なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
　・実施形態において、液体供給装置は、露光処理時と研磨時とで液体の噴射方向を変更可能な構成であってもよい。例えば、図４（ａ）（ｂ）に示すように、液体供給装置３７Ａは、像面側光学部材２７の露光光通過部２９を包囲するように配置される複数（図４（ａ）では２つのみ図示）の供給ノズル６０と、該各供給ノズル６０に第１液体又は第２液体を供給する液体供給通路６１とを備えている。また、液体供給装置３７Ａには、各供給ノズル（噴射ノズル）６０を、ウエハステージ１５に向けて液体を供給する第１位置（図３（ａ）に示す位置）と、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａに向けて液体を供給する第２位置（図３（ｂ）に示す位置）との間で変位させるための変位部６２が設けられている。そして、露光処理時には、変位部６２の駆動によって各供給ノズル６０が第１位置に配置され、その後、各供給ノズル６０からは、第１液体が噴射される。その結果、所定空間３６内に第１液体が充填される。

　一方、研磨時には、変位部６２の駆動によって各供給ノズル６０が第２位置に配置され、その後、各供給ノズル６０からは、第２液体（研磨用液体）が噴射される。その結果、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａが第２液体の噴射圧によって研磨される。なお、図４（ａ）（ｂ）では、液体を回収するための回収部の記載が省略されている。また、図４（ｂ）では、明細書の説明理解の便宜上、像面側光学部材２７の研磨量（即ち、削られる量）が誇張して描かれている。

　・実施形態において、光学部材を研磨する研磨装置を、液体供給装置３７とは別に設けてもよい。例えば、図５に示すように、研磨装置６５を、ウエハステージ１５ＡにおいてウエハＷの設置位置の側方（図５では左方）に設けてもよい。すなわち、ウエハステージ１５ＡにおいてウエハＷの設置位置の側方には、＋Ｚ方向側に向けて研磨用液体を噴射可能な噴射ノズル６６が複数（図５では５つのみ図示）設けられている。そして、像面側光学部材２７の研磨時には、該像面側光学部材２７の直下位置に各噴射ノズル６６が位置するようにウエハステージ１５Ａを移動させ、この状態で各噴射ノズル６６から研磨用液体が噴射される。その結果、像面側光学部材２７の射出側面３０が研磨され、投影光学系１４の収差が調整される。なお、図５では、液体供給回収部材４７Ａにおいて供給ノズル５２及び回収ノズル５３の記載を省略している。また、液体供給回収部材４７Ａでは、供給ノズル５２をウエハステージ１５Ａ側に液体を噴射可能に配置してもよい。また、研磨用液体を噴射可能な複数の噴射ノズル６６において液体の噴射方向をそれぞれ変更可能な構成としてもよい。なお、複数の噴射ノズル６６は、ほぼ同時にほぼ同じ噴射圧で研磨用液体を噴射してもよく、測定された投影光学系１４の収差に応じて選択された位置にある少なくとも一つの噴射ノズル６６のみが、測定された投影光学系１４の収差に応じて制御された噴射圧で研磨用液体を噴射してもよい。

　・実施形態において、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａの研磨時にも、第１液体を用いてもよい。このように構成しても、第１液体が第２の流速で各供給ノズル５２から噴射されることにより、像面側光学部材２７の射出側面３０の周縁部３０ａが良好に研磨される。第２液体を研磨に用いない場合には、切替部４６及び第２液体供給部４２を省略してもよい。

　また、研磨時において、像面側光学部材２７の研磨量（即ち、射出側面３０の周縁部３０ａを削る量）が多い場合には第２液体を用いて研磨を行ない、少ない場合には第１液体を用いて研磨を行なうようにしてもよい。

　・実施形態において、液体供給装置３７を、各供給ノズル５２からの液体の単位時間あたりの噴射量を調整不能な構成にしてもよい。この場合、各供給ノズル５２から噴射される液体の流速を、第１液体では像面側光学部材２７を研磨できない程度の流速に設定することが望ましい。

　・実施形態において、研磨装置は、光学部材に直接接触して該光学部材を研磨させる研磨部材を備えた構成でもよい。例えば図６に示すように、研磨装置６７は、像面側光学部材２７の射出側面３０に接触可能な研磨パッド６８を備える構成であってもよい。すなわち、研磨装置６７において、研磨パッド６８は、保持部６９を介して回転軸７０の一端に取り付けられており、Ｚ軸方向に延びる軸を中心に回転可能である。この回転軸７０の他端には、モータ７１が取り付けられている。このモータ７１を支持する支持部７２は、Ｚ軸方向に延びたレール７３に対してＺ軸方向に移動可能に設けられている。こうしたレール７３は、研磨装置６７の筐体７４に固定されている。筐体７４の上面部７４ａには、研磨パッド６８及び保持部６８を通すための開口部７４ｂが形成されている。この筐体７４の上面部７４ａは、像面側光学部材２７の射出側面３０よりも大きなサイズである。ここで、筐体７４の上面部７４ａのサイズは、液浸領域（所定空間３６内の第１液体がウエハＷ上に占める領域）よりも大きく設定されてもよい。

　この研磨装置６７の動作を簡単に説明すると、像面側光学部材２７の研磨時には、研磨パッド６８を回転させつつＺ軸方向に移動させて、像面側光学部材２７の射出側面３０に接触させる。このとき、研磨装置６７を、図示しない駆動装置の駆動によってＸＹ方向に沿って移動させる。すなわち、研磨パッド６８が像面側光学部材２７の射出側面３０をＸＹ方向に沿ってなぞるように移動する。このとき、像面側光学部材２７の射出側面３０における研磨量は、該射出側面３０と研磨パッド６８との接触圧及び研磨パッド６８の滞留時間で決定される。

　・実施形態において、露光装置１１は、投影光学系１４を構成する各光学部材１８～２３，２７のうち像面側光学部材２７以外の他の光学部材を研磨する研磨装置を備えた構成でもよい。この場合、他の光学部材の研磨時に発生した研磨かすを回収するための回収機構を設けてもよい。

　・実施形態において、光学部材を研磨する研磨装置を、ウエハステージ１５に取り付け可能に設けてもよい。例えば図７に示すように、研磨装置７６をウエハステージ１５の側方に取り付け可能に設けてもよい。研磨装置７６は、その上面（＋Ｚ方向側の面）７６ａに設けられた研磨部７７を備えている。この研磨部７７は、研磨用媒体（液体、気体）を噴射可能な１以上の噴射ノズルを備える構成であってもよいし、光学部材に直接接触して該光学部材を研磨させる研磨部材を備える構成であってもよい。この構成において、研磨部７７の上面７６ａは、ウエハＷの表面の高さとほぼ一致するように配置されている。そして、この上面７６ａのサイズは、液浸領域を包含するサイズに設定されている。ここで、研磨装置７６による像面側光学部材２７の射出側面３０の研磨箇所は、ウエハステージ１５のＸＹ面内の位置を計測する干渉計によって特定することができる。すなわち、研磨装置７６による研磨箇所は、定盤７５上でＸＹ方向に移動可能なウエハステージ１５と同じ座標で管理される。なお、研磨装置７６のウエハステージ１５への着脱は、着脱装置を用いて自動的に行ってもよいし、作業者が行ってもよい。

　・実施形態において、光学部材を研磨する研磨装置を、ウエハＷを保持するウエハステージ１５とは独立して設けられて投影光学系１４の結像特性を計測する計測装置を備えた計測ステージ７８に設けてもよい。例えば図８に示すように、研磨装置８０は、計測装置７９を備えた計測ステージ７８の一部に設けてもよい。ここで、研磨装置８０は、研磨用媒体（液体、気体）を噴射可能な１以上の噴射ノズルを備える構成であってもよいし、光学部材に直接接触して該光学部材を研磨させる研磨部材を備える構成であってもよい。なお、ウエハステージ１５及び計測ステージ７８は、定盤７５上でＸＹ方向に移動可能であって図示しない干渉計によってＸＹ座標が管理されている。計測ステージ７８としては、例えば米国特許公開第２００８／０１２３０６７号公報に開示されているものを用いることができる。

　・実施形態において、照明光学系１２を構成する光学部材を研磨する研磨装置を備えた露光装置に具体化してもよい。
　・実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。

　・実施形態において、光源装置は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。

　・実施形態において、所定空間３６内に供給される第１液体は、１．１よりも大きな屈折率を有する液体であれば純水以外の任意の他の液体であってもよい。所定空間３６内を第１液体で満たす手法としては、国際公開番号ＷＯ９９／４９５０４号公報に開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平６－１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平１０－３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。

　・実施形態において、米国特許公開第２００６／０２０３２１４号公報、米国特許公開第２００６／０１７０９０１号公報、及び米国特許公開第２００７／０１４６６７６号公報に開示される偏光照明方法を適用してもよい。

　・実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
　・実施形態において、可変パターン生成器（例えば、ＤＭＤ（Digital Mirror Device又はDigital Micro-mirror Device））を用いたマスクレス露光装置に具体化してもよい。このようなマスクレス露光装置は、例えば特開２００４－３０４１３５号公報、国際特許公開第２００６／０８０２８５号パンフレット及びこれに対応する米国特許公開第２００７／０２９６９３６号公報に開示されている。

　次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

　まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。

　次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１～ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

　図１０は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
　ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１～ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

　基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。

　１１…露光装置、１２…照明光学系、１４…投影光学系、１５，１５Ａ…保持装置としてのウエハステージ、１７…支持部材としての鏡筒、１８～２３…他の光学部材、可動光学部材としての光学部材、２４…光学部材保持装置としての保持装置、２７…像面側光学部材、３０…像面側の光学面としての射出側面、３６…所定空間、３７，３７Ａ…研磨装置としての液体供給装置、３８…保持部、４３…回収部を構成する液体回収部、４６…切替部、５２，６０…供給ノズル、５３…回収部を構成する回収ノズル、６２…変位部、６５，６７，７６，８０…研磨装置、６６…噴射ノズル、６８…研磨パッド、７７…研磨部、ＥＬ…露光光、Ｗ…基板としてのウエハ。

Claims (40)

1. 　所定のパターンを光で照明し、該所定のパターンを介した光で感光性材料が塗布された基板を照射する露光装置であって、
   　前記光の光路に配置される光学部材及び該光学部材を支持する支持部材を有する光学系と、
   　前記支持部材に支持されている状態の前記光学部材を研磨し、該光学部材の形状を変化させる研磨装置と、を備えることを特徴とする露光装置。
2. 　前記光学系は、前記光学部材を複数有しており、
   　前記研磨装置は、前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材の像面側の光学面を研磨することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であると共に、
   　前記基板を保持する保持部を有する保持装置と、
   　前記像面側光学部材と前記保持部との間に設けられる空間内を液密状態にする液体供給装置と、をさらに備え、
   　該液体供給装置は、前記光が透過可能な液体を前記光学部材に向けて噴射可能な供給ノズルを有し、前記液体供給装置が、前記研磨装置として機能することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 　前記液体供給装置は、前記供給ノズルから噴射された液体を回収する回収部をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 　前記液体供給装置は、前記供給ノズルから噴射される液体の単位時間あたりの噴射量を調整可能であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の露光装置。
6. 　前記液体供給装置は、液体の噴射方向が変更されるように前記供給ノズルを変位させる変位部をさらに有することを特徴とする請求項３～請求項５のうち何れか一項に記載の露光装置。
7. 　前記液体供給装置は、前記供給ノズルから噴射する液体を、前記光が透過可能な第１の液体と、前記第１の液体とは異なる第２の液体とで切り替えるための切替部をさらに有することを特徴とする請求項３～請求項６のうち何れか一項に記載の露光装置。
8. 　前記研磨装置は、研磨用液体を前記光学部材に向けて噴射する噴射ノズルを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
9. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であると共に、
   　前記基板を保持する保持部を有する保持装置をさらに備え、
   　前記噴射ノズルは、前記保持装置側から前記光学部材に向けて研磨用液体を噴射することを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
10. 　前記研磨装置は、前記光学部材の光学面の周縁部の側方に配置され、前記周縁部に向けて研磨用液体をほぼ同時にほぼ同じ噴射圧で噴射する複数の供給ノズルを有する請求項１又は２に記載の露光装置。
11. 　前記研磨装置は、前記光学部材の光学面に対面し、前記光学面に向けて研磨用液体を制御されたタイミングで制御された噴射圧で噴射する複数の供給ノズルを有する請求項１又は２に記載の露光装置。
12. 　前記研磨装置は、前記複数の供給ノズルからの前記研磨用液体の噴射を制御する制御装置を含む請求項１０又は１１に記載の露光装置。
13. 　前記光学系は、前記像面側光学部材とは異なる他の光学部材を保持すると共に、該他の光学部材を前記支持部材に対して変位させることが可能な光学部材保持装置をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
14. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であると共に、
    　前記基板を保持する保持部を有する保持装置と、
    　前記像面側光学部材と前記保持部との間に設けられる空間内を液密状態にする液体供給装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項２～請求項１３のうち何れか一項に記載の露光装置。
15. 　前記像面側光学部材の像面側の光学面は、無コートであることを特徴とする請求項２～請求項１４のうち何れか一項に記載の露光装置。
16. 　請求項１～請求項１５のうち何れか一項に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンに基づくパターン像を前記基板の表面に露光し、
    　露光された前記基板を現像して前記パターン像に対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成し、
    　前記基板の前記表面に形成された前記マスク層を介して前記基板の表面を加工することを特徴とするデバイスの製造方法。
17. 　所定のパターンを光で照明し、該所定のパターンを介した光で感光性材料が塗布された基板を照射する露光装置であって、前記光の光路に配置される光学部材及び該光学部材を支持する支持部材を有する光学系を備える露光装置に取付けられる研磨装置であって、
    　前記支持部材に支持されている状態の前記光学部材を研磨し、該光学部材の形状を変化させることを特徴とする研磨装置。
18. 　前記光学系は、前記光学部材を複数有しており、
    　前記研磨装置は、前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材の像面側の光学面を研磨することを特徴とする請求項１７に記載の研磨装置。
19. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であって、且つ前記光学部材を複数有しており、
    　前記露光装置は、前記基板を保持する保持部を有する保持装置と、前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材と前記保持部との間に設けられる空間内を液密状態にする液体供給装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の研磨装置。
20. 　前記像面側光学部材の像面側の光学面に向けて媒質を噴射可能な供給ノズルを有することを特徴とする請求項１９に記載の研磨装置。
21. 　前記供給ノズルから噴射された媒質を回収する回収部をさらに有することを特徴とする請求項２０に記載の研磨装置。
22. 　前記供給ノズルから噴射される媒質の単位時間あたりの噴射量を調整可能であることを特徴とする請求項２０又は請求項２１に記載の研磨装置。
23. 　媒質の噴射方向が変更されるように前記供給ノズルを変位させる変位部をさらに有することを特徴とする請求項２０～請求項２２のうち何れか一項に記載の研磨装置。
24. 　前記像面側光学部材の像面側の光学面に接触可能な研磨パッドを有することを特徴とする請求項１９に記載の研磨装置。
25. 　前記像面側光学部材の前記像面側の前記光学面は、無コートであることを特徴とする請求項１８～請求項２４のうち何れか一項に記載の研磨装置。
26. 　請求項１７～請求項２５のうち何れか一項に記載の研磨装置を備えることを特徴とする露光装置。
27. 　請求項２６に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンに基づくパターン像を前記基板の表面に露光し、
    　露光された前記基板を現像して前記パターン像に対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成し、
    　前記基板の前記表面に形成された前記マスク層を介して前記基板の表面を加工することを特徴とするデバイスの製造方法。
28. 　所定のパターンを光で照明し、該所定のパターンを介した光で感光性材料が塗布された基板を照射する露光装置であって、前記光の光路に配置される光学部材及び該光学部材を支持する支持部材を有する光学系を備える露光装置の前記光学部材を研磨する研磨方法であって、
    　前記支持部材に支持されている状態の前記光学部材を研磨し、該光学部材の形状を変化させることを特徴とする研磨方法。
29. 　前記光学系は、前記光学部材を複数有しており、
    　前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材の像面側の光学面を研磨することを特徴とする請求項２８に記載の研磨方法。
30. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であって、且つ前記光学部材を複数有しており、
    　前記露光装置は、前記基板を保持する保持部を有する保持装置と、前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材と前記保持部との間に設けられる空間内を液密状態にする液体供給装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項２８又は請求項２９に記載の研磨方法。
31. 　前記像面側光学部材の像面側の光学面に向けて媒質を噴射することを特徴とする請求項２９又は請求項３０に記載の研磨方法。
32. 　前記噴射された媒質を回収することを特徴とする請求項３１に記載の研磨装置。
33. 　前記噴射される媒質の単位時間あたりの噴射量を調整することを特徴とする請求項３１又は請求項３２に記載の研磨方法。
34. 　媒質の噴射方向を変更することを特徴とする請求項３１～請求項３３のうち何れか一項に記載の研磨方法。
35. 　前記光学系は、前記光学部材を複数有しており、
    　前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材の像面側の光学面を研磨パッドで研磨することを特徴とする請求項２８又は請求項２９に記載の研磨方法。
36. 　前記光学系は、前記光学部材を複数有しており、
    　前記光学部材のうち最も像面側に位置する像面側光学部材の像面側の光学面は、無コートであることを特徴とする請求項２８～請求項３５のうち何れか一項に記載の研磨方法。
37. 　前記光学部材の面形状を計測し、該計測結果に基づいて前記光学部材の形状を変化させることを特徴とする請求項２８～請求項３５のうち何れか一項に記載の研磨方法。
38. 　前記光学系は、前記所定のパターンを介した光を前記基板に導く投影光学系であり、該投影光学系の収差を調整するために前記光の光路に位置調整可能に配置される可動光学部材をさらに備え、
    　該可動光学部材によって調整可能な前記投影光学系の収差の範囲が所定範囲を超えるか否かを判定することを特徴とする請求項２８～請求項３７のうち何れか一項に記載の研磨方法。
39. 　前記判定結果が前記所定範囲を超える場合に、前記支持部材に支持されている状態の前記光学部材を研磨して前記光学部材の形状を変化させることを特徴とする請求項３８に記載の研磨方法。
40. 　所定のパターンを光で照明し、該所定のパターンを介した光で感光性材料が塗布された基板を照射する露光装置であって、前記光の光路に配置される光学部材及び該光学部材を支持する支持部材を有する光学系を備える露光装置を用いて、所定のパターンに基づくパターン像を前記基板の表面に露光し、露光された前記基板を現像して前記パターン像に対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成し、前記基板の前記表面に形成された前記マスク層を介して前記基板の表面を加工することを特徴とするデバイスの製造方法であって、
    　前記基板の表面に露光する時間とは別の時間に、請求項２８～請求項３９の何れか一項に記載の研磨方法を用いて、前記支持部材に支持されている状態の前記光学部材を研磨し、該光学部材の形状を変化させることを特徴とするデバイスの製造方法。

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