JP2008205038A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置100は、基板ステージWSと、投影光学系POとを有し、投影光学系POの最終面と基板ステージWSに保持された基板Wとの間隙に満たされた液体を介して基板Wを露光する。露光装置100は、該間隙への液体の供給を行うための第1ノズル11と、該間隙からの液体の回収、及び投影光学系POの最終面と基板ステージWSとの間隙への液体の供給を選択的に行うための第2ノズル12と、少なくとも第2ノズル12を介して供給された液体を回収する第3ノズル13とを有する。
【選択図】図2
Description
R 原版
RS 原版ステージ
EB 露光ビーム
PO 投影光学系
FO 最終光学部材
ES 投影光学系の最終面
W 基板
WS 基板ステージ
SP ステージ定盤
S 空間
L 液体
11 第1ノズル
12 第2ノズル
13 第3ノズル
21、31、32、33、41 液体ライン
22、32、34、36 バルブ
23、35、37、44 ポンプ
43 異物検査ユニット
50 制御ユニット
100 露光装置
Claims (9)
- 基板を保持し且つ移動するステージと、原版からの光を前記ステージに保持された該基板に投影する投影光学系とを有し、前記投影光学系の最終面と前記ステージに保持された該基板との間隙に満たされた液体を介して基板を露光する露光装置であって、
該間隙への液体の供給を行うための第1ノズルと、
該間隙からの液体の回収、及び前記投影光学系の最終面と前記ステージとの間隙への液体の供給を選択的に行うための第2ノズルと、
少なくとも前記第2ノズルを介して供給された液体を回収する第3ノズルと、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記第3ノズルが前記ステージに配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1ノズル及び前記第2ノズルが前記投影光学系の最終光学素子の周囲に配されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記第3ノズルを介して回収された液体の中の異物を検出する検出器を有し、
前記検出器の出力に基づき、前記第2ノズルを介した液体の供給及び前記第3ノズルを介した液体の回収を行う、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記検出器によって検出される異物の量が規定値を下回るまで、前記第2ノズルを介した液体の供給及び前記第3ノズルを介した液体の回収を行う、ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記検出器は、液体に光を照射し、且つ該液体からの散乱光に基づいて異物を検出する、ことを特徴とする請求項4又は5に記載の露光装置。
- 前記第2ノズルを介した液体の供給に並行して前記第1ノズルを介した液体の供給を行う、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第2ノズルを介したクリーニング用の液体の供給を行う、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007036810A JP4366407B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US12/026,590 US20080198345A1 (en) | 2007-02-16 | 2008-02-06 | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
TW097105042A TW200900869A (en) | 2007-02-16 | 2008-02-13 | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
KR1020080013357A KR20080076791A (ko) | 2007-02-16 | 2008-02-14 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007036810A JP4366407B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008205038A true JP2008205038A (ja) | 2008-09-04 |
JP4366407B2 JP4366407B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=39706351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007036810A Expired - Fee Related JP4366407B2 (ja) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080198345A1 (ja) |
JP (1) | JP4366407B2 (ja) |
KR (1) | KR20080076791A (ja) |
TW (1) | TW200900869A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011001740A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | 株式会社 ニコン | 研磨装置、研磨方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2014104107A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
JP2017173858A (ja) * | 2017-07-05 | 2017-09-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2019070861A (ja) * | 2019-02-06 | 2019-05-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2005610A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
US20120019802A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
JP6420571B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-11-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
TWI616932B (zh) * | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
KR101343720B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
EP3376523A1 (en) * | 2004-01-05 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
KR101747662B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN101487981A (zh) * | 2004-10-13 | 2009-07-22 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
TW200628995A (en) * | 2004-10-13 | 2006-08-16 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7602471B2 (en) * | 2006-05-17 | 2009-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography |
-
2007
- 2007-02-16 JP JP2007036810A patent/JP4366407B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-06 US US12/026,590 patent/US20080198345A1/en not_active Abandoned
- 2008-02-13 TW TW097105042A patent/TW200900869A/zh unknown
- 2008-02-14 KR KR1020080013357A patent/KR20080076791A/ko not_active Application Discontinuation
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JP2019070861A (ja) * | 2019-02-06 | 2019-05-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4366407B2 (ja) | 2009-11-18 |
KR20080076791A (ko) | 2008-08-20 |
TW200900869A (en) | 2009-01-01 |
US20080198345A1 (en) | 2008-08-21 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090123 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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