JP2003203847A - 露光装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ又はレチクルの外周近傍部での露光時の
パージ圧力低下及び置換不良の発生による酸素濃度の上
昇を防ぐ。 【解決手段】移動可能なステージ4と、ステージ上に配
置され基板15を保持するチャック装置14と、基板の
露光される位置に気体を供給するための気体供給装置
と、基板の外周部に隣接して、基板の表面と同一又は略
同一の高さの平面上に配置され、チャック装置と一体化
された平面状部材とを具備する。
パージ圧力低下及び置換不良の発生による酸素濃度の上
昇を防ぐ。 【解決手段】移動可能なステージ4と、ステージ上に配
置され基板15を保持するチャック装置14と、基板の
露光される位置に気体を供給するための気体供給装置
と、基板の外周部に隣接して、基板の表面と同一又は略
同一の高さの平面上に配置され、チャック装置と一体化
された平面状部材とを具備する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいて用いられる露光装置で、特にレチクルパターンを
シリコンウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関
するものであり、なかでもレチクルパターンをウエハ上
に投影露光する際、レチクル及びシリコンウエハを投影
露光系に対して順次移動させるレチクルステージ及びウ
エハステージを用いた露光装置に関する。
おいて用いられる露光装置で、特にレチクルパターンを
シリコンウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関
するものであり、なかでもレチクルパターンをウエハ上
に投影露光する際、レチクル及びシリコンウエハを投影
露光系に対して順次移動させるレチクルステージ及びウ
エハステージを用いた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体製造工程においては、
レチクルパターンをシリコンウエハ上に投影して転写す
る投影露光装置が用いられている。
レチクルパターンをシリコンウエハ上に投影して転写す
る投影露光装置が用いられている。
【0003】従来のこのような投影露光装置を図8乃至
図12に示す。
図12に示す。
【0004】図8乃至図12において、101は照明系
ユニットで、露光光源と露光光をレチクルに対して整形
照射する機能をもつ。102は露光パターン原版である
レチクルを搭載したレチクルステージで、所定の縮小露
光倍率比でウエハに対してレチクルスキャン動作させ
る。103は縮小投影レンズで、原版パターンをウエハ
(基板)に縮小投影する。104はウエハステージで基
板(ウエハ)を露光毎に順次連続移動させるステージで
ある。105は露光装置本体で、レチクルステージ10
2、縮小投影レンズ103、ウエハステージ104を支
持する。
ユニットで、露光光源と露光光をレチクルに対して整形
照射する機能をもつ。102は露光パターン原版である
レチクルを搭載したレチクルステージで、所定の縮小露
光倍率比でウエハに対してレチクルスキャン動作させ
る。103は縮小投影レンズで、原版パターンをウエハ
(基板)に縮小投影する。104はウエハステージで基
板(ウエハ)を露光毎に順次連続移動させるステージで
ある。105は露光装置本体で、レチクルステージ10
2、縮小投影レンズ103、ウエハステージ104を支
持する。
【0005】106はウエハステージパージ隔壁、10
7はレチクルステージ空間パージ隔壁で、ウエハステー
ジ及びレチクルステージ空間を、ヘリウムあるいは窒素
で置換するための隔壁である。目的は、一般の空気中の
場合、露光光であり真空紫外光(VUV)であるF2レーザ
ー(λ=157nm)が、空気中の酸素に吸収されオゾンの
発生を招いたり、空気中のシリコンに吸収され酸化シリ
コンが生成されたり、シロキサン及びシラザン等の有機
ガスと空気中水分による加水分解により、アンモニアや
シラノールが発生し、レンズ硝材に付着し露光光の透過
率を下げたりすることを防止することである。
7はレチクルステージ空間パージ隔壁で、ウエハステー
ジ及びレチクルステージ空間を、ヘリウムあるいは窒素
で置換するための隔壁である。目的は、一般の空気中の
場合、露光光であり真空紫外光(VUV)であるF2レーザ
ー(λ=157nm)が、空気中の酸素に吸収されオゾンの
発生を招いたり、空気中のシリコンに吸収され酸化シリ
コンが生成されたり、シロキサン及びシラザン等の有機
ガスと空気中水分による加水分解により、アンモニアや
シラノールが発生し、レンズ硝材に付着し露光光の透過
率を下げたりすることを防止することである。
【0006】言い換えれば、露光光の透過率を上げるた
めに供給される、ヘリウムあるいは窒素により効率良く
置換パージするために、ウエハステージ空間を閉じた空
間とし、内部の酸素及び水分濃度を100〜1000p
pmまで落とす。
めに供給される、ヘリウムあるいは窒素により効率良く
置換パージするために、ウエハステージ空間を閉じた空
間とし、内部の酸素及び水分濃度を100〜1000p
pmまで落とす。
【0007】108はウエハパージノズルで、ウエハ上
面の露光部を局所的に、高純度の窒素ガスで置換するた
めに配置されており、ウエハステージパージ隔壁106
及びレチクルステージパージ隔壁107内の酸素濃度
(100〜1000ppm)よりもさらに低い10ppm以下の酸素、
水分濃度にする。
面の露光部を局所的に、高純度の窒素ガスで置換するた
めに配置されており、ウエハステージパージ隔壁106
及びレチクルステージパージ隔壁107内の酸素濃度
(100〜1000ppm)よりもさらに低い10ppm以下の酸素、
水分濃度にする。
【0008】ウエハステージパージ配管109、レチク
ルステージパージ配管110、ウエハパージ配管111
は、パージ気体供給ユニット112から、前記それぞれ
の隔壁内部及びパージノズルにパージ気体(ヘリウムあ
るいは窒素等)を供給する配管である。
ルステージパージ配管110、ウエハパージ配管111
は、パージ気体供給ユニット112から、前記それぞれ
の隔壁内部及びパージノズルにパージ気体(ヘリウムあ
るいは窒素等)を供給する配管である。
【0009】図9において、115はレチクル基板に描
かれたレチクルパターンを縮小露光系を通して投影転写
するために、単結晶シリコン基板表面にレジストが塗ら
れたウエハ、113はウエハ115を縮小露光系の光軸
方向及びチルト方向及び光軸を中心とした回転方向に微
動調整する微動ステージ、114はウエハ115を微動
ステージ113に支持固定するウエハチャック、116
はXバーミラーで、微動ステージ113のX方向の位置
をレーザー干渉計により計測するターゲット、117は
Yバーミラーで同じくY方向の位置を計測するターゲッ
ト、118は微動ステージ113上面に設けられた照度
センサーで、露光光の照度を露光前にキャリブレーショ
ン計測し、露光量補正に用いる。
かれたレチクルパターンを縮小露光系を通して投影転写
するために、単結晶シリコン基板表面にレジストが塗ら
れたウエハ、113はウエハ115を縮小露光系の光軸
方向及びチルト方向及び光軸を中心とした回転方向に微
動調整する微動ステージ、114はウエハ115を微動
ステージ113に支持固定するウエハチャック、116
はXバーミラーで、微動ステージ113のX方向の位置
をレーザー干渉計により計測するターゲット、117は
Yバーミラーで同じくY方向の位置を計測するターゲッ
ト、118は微動ステージ113上面に設けられた照度
センサーで、露光光の照度を露光前にキャリブレーショ
ン計測し、露光量補正に用いる。
【0010】119は微動ステージ113上面に設けら
れ、ステージアライメント計測用のターゲットが設けら
れたステージ基準マーク、120は微動ステージ113
をX方向に移動駆動するXリニアモーター、121は微
動ステージ113のX軸方向の移動を案内するXガイ
ド、122はXガイド121及び微動ステージ113を
Y方向に移動案内するYガイド、123,124は微動
ステージ113をY方向に移動駆動するYリニアモータ
ー、125は微動ステージ113を平面ガイドするステ
ージ定盤である。
れ、ステージアライメント計測用のターゲットが設けら
れたステージ基準マーク、120は微動ステージ113
をX方向に移動駆動するXリニアモーター、121は微
動ステージ113のX軸方向の移動を案内するXガイ
ド、122はXガイド121及び微動ステージ113を
Y方向に移動案内するYガイド、123,124は微動
ステージ113をY方向に移動駆動するYリニアモータ
ー、125は微動ステージ113を平面ガイドするステ
ージ定盤である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図10
(a)、(b)に示すように、露光光軸中心にスリット
露光光126が照射され、その上部にウエハパージノズ
ル108が設けられ、そこから噴出されたパージ気体
(窒素等)にて、ウエハ115の上面が置換されること
により、ウエハ115の中心付近では、酸素濃度が10pp
mとなることを達成している。しかし、図11(a)、
(b)、及び図12(a)、(b)に示すように、ウエ
ハ115の外周部近傍のショットをスリット露光光12
6で露光する場合、ウエハパージノズル108とウエハ
115の間には高さ方向で、〜1mm程度の隙間が設けら
れ、またウエハチャック114の間には高さ方向で、〜
2mm程度の隙間が設けられている。さらに、従来ウエハ
チャック114の外周部は、ウエハパージノズル108
からのパージ気体の流れを近傍で遮る部材は無かったの
で、結果としてウエハの外周部近傍の露光時にウエハパ
ージノズル108からのパージ気体が、ウエハチャック
114の外周部から大きく漏れ出て、パージ空間の圧力
が低下し、パージ気体以外の気体が外部から乱流し、酸
素濃度が100〜1000ppm程度まで上がってしまい、規定値
以下(10ppm以下)の低酸素濃度を維持できなくなる。
(a)、(b)に示すように、露光光軸中心にスリット
露光光126が照射され、その上部にウエハパージノズ
ル108が設けられ、そこから噴出されたパージ気体
(窒素等)にて、ウエハ115の上面が置換されること
により、ウエハ115の中心付近では、酸素濃度が10pp
mとなることを達成している。しかし、図11(a)、
(b)、及び図12(a)、(b)に示すように、ウエ
ハ115の外周部近傍のショットをスリット露光光12
6で露光する場合、ウエハパージノズル108とウエハ
115の間には高さ方向で、〜1mm程度の隙間が設けら
れ、またウエハチャック114の間には高さ方向で、〜
2mm程度の隙間が設けられている。さらに、従来ウエハ
チャック114の外周部は、ウエハパージノズル108
からのパージ気体の流れを近傍で遮る部材は無かったの
で、結果としてウエハの外周部近傍の露光時にウエハパ
ージノズル108からのパージ気体が、ウエハチャック
114の外周部から大きく漏れ出て、パージ空間の圧力
が低下し、パージ気体以外の気体が外部から乱流し、酸
素濃度が100〜1000ppm程度まで上がってしまい、規定値
以下(10ppm以下)の低酸素濃度を維持できなくなる。
【0012】従って、本発明は上述した課題に鑑みてな
されたものであり、その目的は、ウエハ又はレチクルの
外周近傍部での露光時のパージ圧力低下及び置換不良の
発生による酸素濃度の上昇を防ぐことである。
されたものであり、その目的は、ウエハ又はレチクルの
外周近傍部での露光時のパージ圧力低下及び置換不良の
発生による酸素濃度の上昇を防ぐことである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明に係わる露光装置は、移
動可能なステージと、該ステージ上に配置され基板を保
持するチャック装置と、前記基板の露光される位置に気
体を供給するための気体供給装置と、前記基板の外周部
に隣接して、該基板の表面と同一又は略同一の高さの平
面上に配置され、前記チャック装置と一体化された平面
状部材と、を具備することを特徴としている。
目的を達成するために、本発明に係わる露光装置は、移
動可能なステージと、該ステージ上に配置され基板を保
持するチャック装置と、前記基板の露光される位置に気
体を供給するための気体供給装置と、前記基板の外周部
に隣接して、該基板の表面と同一又は略同一の高さの平
面上に配置され、前記チャック装置と一体化された平面
状部材と、を具備することを特徴としている。
【0014】また、この発明に係わる露光装置におい
て、前記基板は、ウエハ又はレチクルであることを特徴
としている。
て、前記基板は、ウエハ又はレチクルであることを特徴
としている。
【0015】また、この発明に係わる露光装置におい
て、前記平面状部材は、前記チャック装置と同一部品で
構成されることにより前記チャック装置と一体化されて
いることを特徴としている。
て、前記平面状部材は、前記チャック装置と同一部品で
構成されることにより前記チャック装置と一体化されて
いることを特徴としている。
【0016】また、この発明に係わる露光装置におい
て、前記平面状部材は、前記チャック装置とは別部品で
構成され、前記チャック装置と結合され一体化されてい
ることを特徴としている。
て、前記平面状部材は、前記チャック装置とは別部品で
構成され、前記チャック装置と結合され一体化されてい
ることを特徴としている。
【0017】また、この発明に係わる露光装置におい
て、前記気体供給装置は、クリーンドライエアー又は不
活性ガスを供給することを特徴としている。
て、前記気体供給装置は、クリーンドライエアー又は不
活性ガスを供給することを特徴としている。
【0018】また、本発明に係わるデバイスの製造方法
は、デバイスの製造方法であって、基板に感光材を塗布
する工程と、感光材が塗布された基板の該感光材に請求
項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置によりパタ
ーンを転写する工程と、パターンが転写された基板を現
像する工程と、を含むことを特徴としている。
は、デバイスの製造方法であって、基板に感光材を塗布
する工程と、感光材が塗布された基板の該感光材に請求
項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置によりパタ
ーンを転写する工程と、パターンが転写された基板を現
像する工程と、を含むことを特徴としている。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
ついて、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0020】(第1の実施形態)図1乃至図9は、本発
明の第1の実施形態に係わる露光装置の構成を示す図で
ある。
明の第1の実施形態に係わる露光装置の構成を示す図で
ある。
【0021】なお、以下の説明では、「基板」という言
葉を使用するが、この「基板」とはウエハ又はレチクル
を指すものである。
葉を使用するが、この「基板」とはウエハ又はレチクル
を指すものである。
【0022】図1乃至図9において、1は照明系ユニッ
トで、露光光源と露光光をレチクル(基板)に対して、
整形照射する機能をもつ。2は露光パターン原版である
レチクルを搭載したレチクルステージで、ウエハに対し
てレチクルをスキャン動作させる。3は縮小投影レンズ
で、原版パターンをウエハ(基板)に縮小投影する。4
はウエハステージで基板(ウエハ)を露光毎に順次連続
移動させるステージである。5は露光装置本体でレチク
ルステージ2及び投影レンズ3、ウエハステージ4を支
持する。
トで、露光光源と露光光をレチクル(基板)に対して、
整形照射する機能をもつ。2は露光パターン原版である
レチクルを搭載したレチクルステージで、ウエハに対し
てレチクルをスキャン動作させる。3は縮小投影レンズ
で、原版パターンをウエハ(基板)に縮小投影する。4
はウエハステージで基板(ウエハ)を露光毎に順次連続
移動させるステージである。5は露光装置本体でレチク
ルステージ2及び投影レンズ3、ウエハステージ4を支
持する。
【0023】6はウエハステージパージ隔壁、7はレチ
クルステージ空間パージ隔壁であり、ウエハステージ4
及びレチクルステージ2の周囲の空間を、ヘリウムある
いは窒素で置換するための隔壁である。
クルステージ空間パージ隔壁であり、ウエハステージ4
及びレチクルステージ2の周囲の空間を、ヘリウムある
いは窒素で置換するための隔壁である。
【0024】目的は、一般の空気中の場合、露光光であ
り真空紫外光(VUV)であるF2レーザー(波長λ=157n
m)が、空気中の酸素に吸収されオゾンの発生を招いた
り、空気中のシリコン系不純物に吸収され酸化シリコン
が生成されたり、各種酸,溶剤等から揮発するシロキサ
ン、シラザン等の有機ガスと空気中水分による加水分解
により、アンモニアやシラノールが発生し、それらがレ
ンズ硝材に付着し露光光の透過率を下げたりすることを
防止することである。
り真空紫外光(VUV)であるF2レーザー(波長λ=157n
m)が、空気中の酸素に吸収されオゾンの発生を招いた
り、空気中のシリコン系不純物に吸収され酸化シリコン
が生成されたり、各種酸,溶剤等から揮発するシロキサ
ン、シラザン等の有機ガスと空気中水分による加水分解
により、アンモニアやシラノールが発生し、それらがレ
ンズ硝材に付着し露光光の透過率を下げたりすることを
防止することである。
【0025】言い換えれば、ウエハステージパージ隔壁
6及びレチクルステージ空間パージ隔壁7を設け、露光
光の透過率を上げるために供給されるパージ気体である
ヘリウムあるいは窒素を効率良く置換パージできるよう
に、ウエハステージ空間を閉じた空間とし、内部の酸素
及び水分濃度を100〜1000ppmまで落とす。
6及びレチクルステージ空間パージ隔壁7を設け、露光
光の透過率を上げるために供給されるパージ気体である
ヘリウムあるいは窒素を効率良く置換パージできるよう
に、ウエハステージ空間を閉じた空間とし、内部の酸素
及び水分濃度を100〜1000ppmまで落とす。
【0026】8はウエハパージノズルで、ウエハ上面の
露光部を局所的に高純度の窒素ガスで置換するために配
置され、ウエハステージパージ隔壁6及びレチクルステ
ージパージ隔壁7内の酸素濃度(100〜1000ppm)よりも
さらに低い10ppm以下の酸素、水分濃度にする。
露光部を局所的に高純度の窒素ガスで置換するために配
置され、ウエハステージパージ隔壁6及びレチクルステ
ージパージ隔壁7内の酸素濃度(100〜1000ppm)よりも
さらに低い10ppm以下の酸素、水分濃度にする。
【0027】ウエハステージパージ配管9、レチクルス
テージパージ配管10、ウエハパージ配管11は、パー
ジ気体供給ユニット12から、前記それぞれの隔壁内部
及びパージノズルにパージ気体(ヘリウムあるいは窒素
等)を供給する配管である。
テージパージ配管10、ウエハパージ配管11は、パー
ジ気体供給ユニット12から、前記それぞれの隔壁内部
及びパージノズルにパージ気体(ヘリウムあるいは窒素
等)を供給する配管である。
【0028】図2において、15はレチクル基板に描か
れたレチクルパターンを縮小露光系を通して投影転写す
るために、単結晶シリコン基板表面にレジストが塗られ
たウエハ、13はウエハ15を縮小露光系の光軸方向及
びチルト方向及び光軸を中心とする回転方向に微動調整
する微動ステージ、14はウエハ15を微動ステージ1
3に支持固定するパージ板一体型ウエハチャックであ
る。パージ板一体型ウエハチャック14は、図3に示す
ように、通常の円盤状ウエハチャックの外周部に、ウエ
ハ15と略同一平面を持つパージ板を一体的にセラミッ
ク等で形成して構成されている。16はXバーミラー
で、微動ステージのX方向の位置を、不図示のレーザー
干渉計により計測するターゲットミラーである。17は
Yバーミラーで同じくY方向の位置を計測するターゲッ
トミラーである。
れたレチクルパターンを縮小露光系を通して投影転写す
るために、単結晶シリコン基板表面にレジストが塗られ
たウエハ、13はウエハ15を縮小露光系の光軸方向及
びチルト方向及び光軸を中心とする回転方向に微動調整
する微動ステージ、14はウエハ15を微動ステージ1
3に支持固定するパージ板一体型ウエハチャックであ
る。パージ板一体型ウエハチャック14は、図3に示す
ように、通常の円盤状ウエハチャックの外周部に、ウエ
ハ15と略同一平面を持つパージ板を一体的にセラミッ
ク等で形成して構成されている。16はXバーミラー
で、微動ステージのX方向の位置を、不図示のレーザー
干渉計により計測するターゲットミラーである。17は
Yバーミラーで同じくY方向の位置を計測するターゲッ
トミラーである。
【0029】18は微動ステージ13の上面に設けられ
た照度センサーで、露光光の照度を露光前にキャリブレ
ーション計測し、露光量補正に用いる。
た照度センサーで、露光光の照度を露光前にキャリブレ
ーション計測し、露光量補正に用いる。
【0030】19は微動ステージ13の上面に設けら
れ、ステージアライメント計測用のターゲットが設けら
れたステージ基準マークで、不図示のアライメント計測
装置により原版とウエハステージとのアライメント等が
行われる。
れ、ステージアライメント計測用のターゲットが設けら
れたステージ基準マークで、不図示のアライメント計測
装置により原版とウエハステージとのアライメント等が
行われる。
【0031】20は微動ステージ13をX方向に移動駆
動するXリニアモーターで、21は微動ステージ13の
X軸方向の移動を案内するXガイドである。22はXガ
イド21及び微動ステージ13をY方向に移動案内する
Yガイド、23,24は微動ステージ13をY方向に移
動駆動するYリニアモーター、26は微動ステージ13
を平面ガイドするステージ定盤である。
動するXリニアモーターで、21は微動ステージ13の
X軸方向の移動を案内するXガイドである。22はXガ
イド21及び微動ステージ13をY方向に移動案内する
Yガイド、23,24は微動ステージ13をY方向に移
動駆動するYリニアモーター、26は微動ステージ13
を平面ガイドするステージ定盤である。
【0032】また、照度センサー18の外周部にも同じ
く、照度センサーパージ板18aが設けられ、ウエハ1
5の表面と略同一平面上にあり、ウエハチャック14の
外周部にパージ空間を形成している。
く、照度センサーパージ板18aが設けられ、ウエハ1
5の表面と略同一平面上にあり、ウエハチャック14の
外周部にパージ空間を形成している。
【0033】また、ステージ基準マーク19の外周部に
も同じく、ステージ基準マークパージ板19aが設けら
れ、ウエハ15の表面と略同一平面上にあり、ウエハチ
ャック14の外周部にパージ空間を形成している。
も同じく、ステージ基準マークパージ板19aが設けら
れ、ウエハ15の表面と略同一平面上にあり、ウエハチ
ャック14の外周部にパージ空間を形成している。
【0034】ここで、図4(a)、(b)に示すよう
に、露光光軸中心にスキャン露光方式のスリット露光光
27が照射され、その上部にウエハパージノズル8が設
けられ、そこから噴出されたパージ気体(窒素等)に
て、ウエハ15の上面が窒素に置換されることにより、
ウエハ15の中心付近では、酸素濃度が10ppm以下を達
成している。
に、露光光軸中心にスキャン露光方式のスリット露光光
27が照射され、その上部にウエハパージノズル8が設
けられ、そこから噴出されたパージ気体(窒素等)に
て、ウエハ15の上面が窒素に置換されることにより、
ウエハ15の中心付近では、酸素濃度が10ppm以下を達
成している。
【0035】また、パージ板一体ウエハチャック14で
は、パージ板がウエハ15の外周部に設けられているた
め、ウエハ15の外周周辺部位での露光時においても、
図5(a)、(b)及び図6(a)、(b)に示すよう
に、パージ気体がパージ板一体型ウエハチャック14の
外周部から漏れ出て、パージ空間の圧力が低下すること
なく、パージ気体以外の気体が外部から乱流せず、ウエ
ハパージノズル8からのパージ気体である窒素による置
換を安定して行うことが出来る。
は、パージ板がウエハ15の外周部に設けられているた
め、ウエハ15の外周周辺部位での露光時においても、
図5(a)、(b)及び図6(a)、(b)に示すよう
に、パージ気体がパージ板一体型ウエハチャック14の
外周部から漏れ出て、パージ空間の圧力が低下すること
なく、パージ気体以外の気体が外部から乱流せず、ウエ
ハパージノズル8からのパージ気体である窒素による置
換を安定して行うことが出来る。
【0036】よって、スリット露光光27が照射される
領域の全域において、酸素濃度を10ppm以下に維持する
ことが出来る。
領域の全域において、酸素濃度を10ppm以下に維持する
ことが出来る。
【0037】また、図7に示すように、パージ板一体型
ウエハチャック14を設けることにより、ウエハチャッ
クを交換あるいはクリーニングする際に、ウエハチャッ
クをパージ板と一体で脱着することが可能になる。
ウエハチャック14を設けることにより、ウエハチャッ
クを交換あるいはクリーニングする際に、ウエハチャッ
クをパージ板と一体で脱着することが可能になる。
【0038】脱着は、図7に示す、チャック交換ユニッ
ト29により行われ、2本のフォークを持つロボットに
より、図示のようにパージ板一体ウエハチャック14が
脱着交換される。つまり、ウエハチャックの周囲のパー
ジ板が、ウエハチャックごと上部に退避して脱着される
構造にしたことにより、ウエハチャック周辺のパージ板
をいちいち外すことなく、自動でウエハチャックの交換
が可能になる。
ト29により行われ、2本のフォークを持つロボットに
より、図示のようにパージ板一体ウエハチャック14が
脱着交換される。つまり、ウエハチャックの周囲のパー
ジ板が、ウエハチャックごと上部に退避して脱着される
構造にしたことにより、ウエハチャック周辺のパージ板
をいちいち外すことなく、自動でウエハチャックの交換
が可能になる。
【0039】(第2の実施形態)上記の第1の実施形態
では、ウエハチャックとパージ板を同一部品で一体化す
る方法を示したが、図13に第2の実施形態を示す。
では、ウエハチャックとパージ板を同一部品で一体化す
る方法を示したが、図13に第2の実施形態を示す。
【0040】この第2の実施形態では、従来のウエハチ
ャックの外周部に密着する別部品の形でパージ板14a
を設け、ウエハチャックとの密着面全周を結合部14b
として接着等で結合することにより、第1の実施形態と
同じくウエハチャックとパージ板を隙間なく一体化する
ことが出来る。
ャックの外周部に密着する別部品の形でパージ板14a
を設け、ウエハチャックとの密着面全周を結合部14b
として接着等で結合することにより、第1の実施形態と
同じくウエハチャックとパージ板を隙間なく一体化する
ことが出来る。
【0041】次に上記第1及び第2の実施形態の露光装
置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明す
る。
置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明す
る。
【0042】図14は半導体デバイスの全体的な製造プ
ロセスのフローを示す。ステップ1(回路設計)では半
導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク
作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作
製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン
等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエ
ハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の組立て工程を含む。ステップ6(検
査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした
工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステ
ップ7)する。
ロセスのフローを示す。ステップ1(回路設計)では半
導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク
作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作
製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン
等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエ
ハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程
と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の組立て工程を含む。ステップ6(検
査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作
確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした
工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステ
ップ7)する。
【0043】図15は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜
を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電
極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込
み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジ
スト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16
(露光)では上記の露光装置によって回路パターンをウ
エハに転写する。ステップ17(現像)では露光したウエ
ハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜
を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電
極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込
み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジ
スト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16
(露光)では上記の露光装置によって回路パターンをウ
エハに転写する。ステップ17(現像)では露光したウエ
ハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【0044】以上説明したように、上記の第1及び第2
の実施形態によれば、ウエハ外周部にウエハの表面と略
同平面に位置する平面板部材を隣接して設けることによ
り、ウエハ外周部での露光時のパージ不良の発生による
酸素濃度の上昇を防ぎ、ウエハ空間の全域で安定して窒
素パージを行うことが可能となる。これにより、真空紫
外光(F2レーザー等)を使用した露光装置の露光効率を
向上させ、硝材の汚染を防ぎ、露光安定性の高い露光装
置を実現することができる。
の実施形態によれば、ウエハ外周部にウエハの表面と略
同平面に位置する平面板部材を隣接して設けることによ
り、ウエハ外周部での露光時のパージ不良の発生による
酸素濃度の上昇を防ぎ、ウエハ空間の全域で安定して窒
素パージを行うことが可能となる。これにより、真空紫
外光(F2レーザー等)を使用した露光装置の露光効率を
向上させ、硝材の汚染を防ぎ、露光安定性の高い露光装
置を実現することができる。
【0045】また、パージ板をウエハチャックと一体構
造にすることにより、ウエハ周囲のパージ板との隙間を
無くし、精度の良いパージ気体による置換を可能にする
ことができる。
造にすることにより、ウエハ周囲のパージ板との隙間を
無くし、精度の良いパージ気体による置換を可能にする
ことができる。
【0046】また、パージ板をウエハチャックと一体構
造にすることにより、ウエハチャックの交換を容易にす
ることができる。
造にすることにより、ウエハチャックの交換を容易にす
ることができる。
【0047】また、ウエハチャックとパージ板を一体化
することにより、パージ板の剛性を上げることができ、
ステージ制御精度を向上させることができる。
することにより、パージ板の剛性を上げることができ、
ステージ制御精度を向上させることができる。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの外周近傍部での露光時のパージ圧力低下及び置
換不良の発生による酸素濃度の上昇を防ぐことが可能と
なる。
ウエハの外周近傍部での露光時のパージ圧力低下及び置
換不良の発生による酸素濃度の上昇を防ぐことが可能と
なる。
【図1】本発明の第1の実施形態に係わる露光装置の全
体図である。
体図である。
【図2】図1におけるステージ装置の斜視図である。
【図3】微動ステージ及びパージ板の拡大斜視図であ
る。
る。
【図4】パージ板の平面図及び側面図である。
【図5】パージ装置の平面図及び側面図である。
【図6】パージ装置の平面図である。
【図7】チャック交換方法の説明図である。
【図8】従来の露光装置の全体図である。
【図9】従来のステージ装置の全体斜視図である。
【図10】従来のパージ板の平面図及び側面図である。
【図11】従来のパージ装置の平面図及び側面図であ
る。
る。
【図12】従来のパージ板の平面図である。
【図13】本発明の第2の実施形態を示す図である。
【図14】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図15】図14のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
1 照明系ユニット
2 レチクルステージ
3 縮小投影レンズ
4 ウエハステージ
5 露光装置本体
6 ウエハステージパージ隔壁
7 レチクルステージパージ隔壁
8 ウエハパージノズル
9 ウエハステージパージ配管
10 レチクルステージパージ配管
11 ウエハパージ配管
12 パージ(高純度窒素)供給ユニット
13 微動ステージ
14 パージ板一体型ウエハチャック
15 ウエハ
16 Xバーミラー
16a Xバーミラーパージ板
17 Yバーミラー
17a Yバーミラーパージ板
18 照度センサー
18a 照度センサーパージ板
18b 照度センサーパージノズル
19 ステージ基準マーク
19a ステージ基準マークパージ板
19b ステージ基準マークパージノズル
20 Xリニアモーター
21 Xガイド
22 Yガイド
23 Yリニアモーター
24 Yリニアモーター
26 ステージ定盤
27 スリット露光光
28 パージ板一体ウエハチャック
29 チャック交換ユニット
30 パージ板一体ウエハチャック
101 照明系ユニット
102 レチクルステージ
103 縮小投影レンズ
104 ウエハステージ
105 露光装置本体
106 ウエハステージパージ隔壁
107 レチクルステージパージ隔壁
108 ウエハパージノズル
109 ウエハステージパージ配管
110 レチクルステージパージ配管
111 ウエハパージ配管
112 パージ(高純度窒素)供給ユニット
113 微動ステージ
114 ウエハチャック
115 ウエハ
116 Xバーミラー
117 Yバーミラー
118 照度センサー
119 ステージ基準マーク
120 Xリニアモーター
121 Xガイド
122 Yガイド
123 Yリニアモーター
124 Yリニアモーター
125 ステージ定盤
126 スリット露光光
フロントページの続き
Fターム(参考) 2H095 BA01 BA07 BC30
2H097 CA13 GB01 LA10
5F031 CA02 CA07 HA01 HA53 JA06
JA21 JA28 JA38 KA06 KA07
KA08 LA08 MA26 MA27 NA02
NA04 PA30
5F046 BA04 CA03 CC08 CC09 DA27
Claims (6)
- 【請求項1】 移動可能なステージと、 該ステージ上に配置され基板を保持するチャック装置
と、 前記基板の露光される位置に気体を供給するための気体
供給装置と、 前記基板の外周部に隣接して、該基板の表面と同一又は
略同一の高さの平面上に配置され、前記チャック装置と
一体化された平面状部材と、 を具備することを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記基板は、ウエハ又はレチクルである
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記平面状部材は、前記チャック装置と
同一部品で構成されることにより前記チャック装置と一
体化されていることを特徴とする請求項1に記載の露光
装置。 - 【請求項4】 前記平面状部材は、前記チャック装置と
は別部品で構成され、前記チャック装置と結合され一体
化されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装
置。 - 【請求項5】 前記気体供給装置は、クリーンドライエ
アー又は不活性ガスを供給することを特徴とする請求項
1に記載の露光装置。 - 【請求項6】 デバイスの製造方法であって、 基板に感光材を塗布する工程と、 感光材が塗布された基板の該感光材に請求項1乃至5の
いずれか1項に記載の露光装置によりパターンを転写す
る工程と、 パターンが転写された基板を現像する工程と、 を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002001600A JP2003203847A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 露光装置 |
US10/265,108 US6801301B2 (en) | 2001-10-12 | 2002-10-07 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002001600A JP2003203847A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003203847A true JP2003203847A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27641683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002001600A Withdrawn JP2003203847A (ja) | 2001-10-12 | 2002-01-08 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003203847A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748445B1 (ko) | 2003-07-22 | 2007-08-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 패터닝 디바이스용 안전 메커니즘 |
-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001600A patent/JP2003203847A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748445B1 (ko) | 2003-07-22 | 2007-08-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 패터닝 디바이스용 안전 메커니즘 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041201 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061023 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061220 |