WO2010150310A1 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

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谷元昭
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    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a wiring board having an insulating resin layer and a wiring layer on a conductive film.
  • an insulating resin layer is formed between a plurality of wiring layers, and fine holes called via holes are formed in the insulating film in order to establish conduction between the plurality of wiring layers.
  • a method using a laser is used as an easy and inexpensive method for forming a via hole.
  • a resin residue called smear remains at the bottom of the via hole, and therefore desmear treatment is performed to remove smear using a chemical such as potassium permanganate or plasma.
  • an opening is formed in the insulating resin layer and desmear treatment is performed.
  • electroless plating is performed on the insulating resin layer and the opening, a reversal pattern of the wiring pattern is formed with a dry film resist, further, electroplating is performed on the electroless plating, the reversal pattern is removed, and the wiring pattern Wiring is formed by removing the lower electroless plating.
  • L / S Line / Space
  • a metal layer is formed on the insulating resin layer, and after that, a via forming method in which the opening formation by the laser and the desmear treatment are performed has been studied. Since the laser power required for processing the metal layer during formation of the metal is large, the energy applied to the insulating resin layer also increases, and it is difficult to reduce the diameter of the via hole.
  • An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board having a via hole with a small diameter and fine wiring.
  • Forming an insulating resin layer on the conductive film Forming a metal chloride and / or metal sulfate on the insulating resin layer; Forming a protective layer on the metal chloride and / or the metal sulfate; Forming an exposed portion in the insulating resin layer, the metal chloride and / or the metal sulfate, and the protective layer so that a part of the conductive film is exposed; Removing the residue in the exposed portion; Removing the protective layer; Forming a wiring on the insulating resin layer from which the exposed portion is formed, the residue is removed, and the protective layer is removed, and a method of manufacturing a wiring board is provided.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views of the multilayer wiring board in a series of steps of the manufacturing method of the multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention.
  • the first wiring 2 is formed on the substrate 1.
  • substrate 1 with which the 1st wiring 2 was provided is a glass fiber reinforced resin board provided with the circuit which consists of electroconductive wiring, for example.
  • a general formation method since a general formation method can be used, description is abbreviate
  • the pattern of the first wiring 2 is not shown because it is not a feature of the invention.
  • copper or an alloy containing copper is used as the conductive wiring.
  • a first insulating layer 3 is formed on the first wiring 2.
  • the first insulating layer 3 functions as an insulating film between wiring layers in the obtained multilayer wiring board.
  • the first insulating layer 3 is made of, for example, an insulating organic resin. Examples of the material used for the first insulating layer 3 include an insulating epoxy resin.
  • the first insulating layer 3 may be formed by, for example, laminating a film-like epoxy resin on a substrate using a laminator, or applying a liquid resin on the substrate and curing it with heat, light, or the like. May be formed.
  • a separation layer 5 made of a metal chloride and / or a metal sulfate is formed on the first insulating layer 3.
  • the protective layer 6 is provided on the separation layer 5, and the protective layer 6 is further removed.
  • the separation layer 5 is a layer provided for selectively removing the protective layer 6 from the first insulating layer 3.
  • the protective layer 6 may be dissolved and the protective layer 6 may be removed by immersing the substrate in a solvent that does not dissolve the separation layer 5 and the first insulating layer 3, or the substrate may be used as an etching solution for etching only the separation layer 5.
  • the protective layer 6 may be separated from the first insulating layer 3 together with the separation layer 5 by immersion.
  • metal chlorides and / or metal sulfates examples include chlorides or sulfates containing tin (Sn), palladium (Pd), silver (Ag), among others, SnCl 2 , PdCl 2 , PdSO 4, etc. Since a chloride or sulfate containing tin or palladium is a material used as a catalyst when performing electroless plating in a subsequent step, it is preferably used from the viewpoint of excellent conductivity between the layers of the obtained multilayer wiring board.
  • the means for forming the separation layer 5 is not particularly limited.
  • the substrate 1 on which the first insulating layer 3 is formed is immersed in a colloidal solution containing the above metal chloride and / or metal sulfate, and washed with water. Then, the separation layer 5 can be formed on the first insulating layer 3 by drying.
  • the thickness of the separation layer 5 is, for example, about 5 nm to 50 nm.
  • a protective layer 6 is formed on the separation layer 5 made of metal chloride and / or metal sulfate.
  • the protective layer 6 is provided in order to prevent the upper surface of the first insulating layer 3 from being etched when a desmear process is performed in a subsequent process.
  • a material of the protective layer 6 an organic resin is used. Since the material of the protective layer 6 is the same organic resin as that of the first insulating layer 3, a narrow opening can be formed when forming an opening (exposed portion) in a later process. If the protective layer 6 is formed of, for example, metal, it is necessary to irradiate a laser beam having a relatively high power in order to remove the protective layer 6 when forming an opening in a later process.
  • the protective layer 6 is removed from the first insulating layer 3 by dissolving the protective layer 6 and immersing the first insulating layer 3 and the separation layer 5 in a release solution that does not dissolve the protective layer 6, It is preferable that the solubility in the stripping solution is higher than that of the one insulating layer 3.
  • the material used for the first insulating layer 3 is an epoxy resin
  • the material used for the protective layer 6 is, for example, an acrylic resin.
  • the formation method of the protective layer 6 made of an organic resin is not particularly limited.
  • a dry film resist containing a film-like acrylic resin and a photosensitive agent is bonded onto a substrate using a laminator, and the bonded resist is exposed.
  • a liquid resin may be applied on the substrate and cured by heat, light, or the like.
  • the protective layer 6, the separation layer 5, and the first insulating layer 3 are irradiated with a laser at predetermined via hole formation locations, whereby the protection layer 6, the separation layer 5, Then, the first insulating layer 3 is removed, and an opening (exposed portion) 7 is formed. At this time, the carbonized or dissolved resin that has not been evaporated or scattered remains as a smear (residue) 8 on the bottom 7 a of the opening 7.
  • the laser used for forming the opening 7 include a carbon dioxide laser, a UV-YAG laser, and an excimer laser. It is preferable to use a carbon dioxide laser from the viewpoint of production efficiency.
  • the thickness of the first insulating layer is about 40 ⁇ m
  • an opening with a diameter of about 30 ⁇ m to 100 ⁇ m can be formed.
  • the diameter of the opening can be formed only up to about ⁇ 50 ⁇ m at present.
  • the smear 8 remaining on the bottom 7a of the opening 7 is removed (desmearing is performed).
  • dry etching such as plasma etching or reactive ion etching, or wet etching using a solution containing permanganate can be used.
  • Plasma etching is a technique for etching an object (smear 8 in this embodiment) using excited species such as excited molecules, radicals or ions generated as a result of molecular dissociation by plasma discharge. Etching proceeds by evaporation of volatile compounds generated by the reaction between the generated excited species and smear 8.
  • the plasma etching is preferably performed in an atmosphere composed of oxygen, nitrogen, or a mixed gas of oxygen and nitrogen, but is not limited thereto.
  • a high-frequency power for example, a frequency of 13.56 MHz
  • a reactive gas such as CF 4 or SF 6 to form a plasma state
  • the generated positive ions are accelerated to collide with the smear 8. It is a method of removing by this.
  • the protective layer 6 is removed.
  • the protective layer 6 can be removed by using a stripping solution that dissolves the protective layer 6 and does not dissolve the first insulating layer 3.
  • a stripping solution include organic amine-based stripping solutions and aqueous sodium hydroxide solutions.
  • organic amine-based stripping solutions include Atotech, trade name “RS-2000”, Mitsubishi Gas Chemical, trade name “R-100”, Nichigo Morton, trade name “HTO”, and the like. It is done.
  • the separation layer 5 remains on the first insulating layer 3.
  • the 10-point average surface roughness Rz of the first insulating layer 3 is equivalent to that after the first insulating layer 3 is formed, for example, about 0.2 ⁇ m.
  • the protective layer 6 may be removed from the first insulating layer 3 together with the separation layer 5 by using an etching solution for etching the separation layer 5.
  • an etchant can dissolve Sn and Pd, and examples thereof include cyan, iodine, and nitric acid stripping solutions. Examples of the cyan stripping solution include “Hakurex” manufactured by Nippon Electroplating Engineers Co., Ltd.
  • iodine type stripping solution for example, trade name “PD-280” manufactured by Daiwa Chemical Research Laboratory can be mentioned.
  • nitric acid-based stripping solution for example, trade name “FINELISE PJ-10” manufactured by Sugawara Eugleite Co., Ltd. may be mentioned.
  • a seed layer 9 is formed on the first insulating layer 3 and the opening 7.
  • the seed layer 9 can be formed by, for example, an electroless plating method.
  • the metal constituting the seed layer 9 include a single metal such as copper and nickel, or an alloy containing at least one of copper and nickel.
  • the thickness of the seed layer 9 is, for example, 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • a resist pattern 10 is formed on the first insulating layer 3.
  • the resist pattern 10 can be formed by applying a photoresist on the seed layer 9, exposing the photoresist through a photomask having an opening pattern corresponding to the resist pattern 10, and then performing a development process. Since the surface roughness of the first insulating layer 3 after the desmear process is small, irregular reflection hardly occurs when the photoresist is exposed. For this reason, Line / Space (L / S) of the resist pattern 10 can be reduced.
  • the surface of the seed layer 9 where the resist pattern 10 is not provided is plated with copper to form a conductive layer to be the second wiring 11.
  • the second wiring 11 and the opening 12 can be formed by removing the resist pattern 10 with a resist stripping solution and further removing the seed layer 9 by etching. it can.
  • the second insulating layer 13 is formed on the second wiring 11 and inside the opening 12 as shown in FIG. Furthermore, by repeating the process from the formation of the separation layer 5 to the process of forming the second wiring 11, a multilayer wiring board having three or more layers can be formed.
  • the multilayer wiring board manufacturing method of the first embodiment since the surface roughness of the first insulating layer 3 after desmear processing is small, when the resist pattern 10 is formed, irregular reflection of exposure light applied to the resist occurs. It is difficult to reduce the L / S of the second wiring 11 provided on the first insulating layer 3 in a later step. Furthermore, when the via hole is formed, excessive energy is not applied to the first insulating layer 3, so that the diameter of the formed via hole can be reduced.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board, showing a series of steps of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the second embodiment of the present invention. A description of portions common to the first embodiment is omitted.
  • the process of forming the first wiring 2 and the first insulating layer 3 on the substrate 1 is the same as in the first embodiment.
  • the adhesion layer 4 is formed on the first insulating layer 3.
  • the adhesion layer 4 improves the adhesion between the second wiring 11 provided on the first insulating layer 3 and the first insulating layer 3 in a later step, and improves the reliability of the wiring of the resulting multilayer wiring board.
  • the adhesion layer 4 is made of, for example, at least one metal selected from zinc, nickel, cobalt, and chromium, and at least one compound selected from triazine thiol, silane coupling agent, nitrobenzoic acid, and mercaptosulfonic acid.
  • the triazine thiol desirably has two or more mercapto groups in the triazine ring, and examples thereof include triazine trithiol.
  • the silane coupling agent preferably contains at least one of an amino group, a mercapto group, an epoxy group, an imidazole group, a vinyl group, an amino group, a dialkylamino group, and a pyridine group in the molecule.
  • the nitrobenzoic acid is preferably nitrobenzoic acid, nitrophthalic acid, nitrosalicylic acid or an alkali metal salt thereof.
  • the mercaptosulfonic acid is preferably mercaptoethanesulfonic acid, mercaptopropanesulfonic acid or an alkali metal salt thereof.
  • the adhesion layer 4 made of the above metal can be formed on the first insulating layer 3 as follows, for example. First, the surface of a metal foil such as copper is chromated. A layer containing at least one metal selected from zinc, nickel, cobalt, and chromium is formed on the surface of the chromated metal. By transferring the layer formed by the chromate treatment from the metal onto the first insulating layer 3, the adhesion layer 4 made of the metal can be formed. The adhesion layer made of the above compound is formed on the first insulating layer 3 by immersing the substrate 1 on which the first insulating layer 3 is formed in an aqueous solution containing the above compound, for example. The thickness of the adhesion layer 4 is, for example, about 1 nm to 10 nm.
  • the adhesion layer 4 may be composed of a plurality of layers, and may be composed of, for example, a layer composed of the above compound and a layer composed of the metal provided thereon.
  • a separation layer 5 made of metal chloride and / or metal sulfate is formed on the adhesion layer 4. Since the separation layer 5 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • the protective layer 6 is formed. Since the protective layer 6 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • an opening 7 is formed by irradiating a predetermined via formation position in the protective layer 6, the separation layer 5, the adhesion layer 4, and the first insulating layer 3 with a laser. To do. At this time, the carbonized or dissolved resin that has not been evaporated or scattered remains as a smear (residue) 8 on the bottom 7 a of the opening 7.
  • the smear 8 remaining on the bottom 7a of the opening 7 is removed (desmear treatment is performed).
  • the protective layer 6 is removed. Since the desmear process and the removal of the protective layer 6 are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • a multilayer wiring board can be formed by the same method as in the first embodiment described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e).
  • the multilayer wiring board that can reduce the L / S of the second wiring 11 provided on the first insulating layer 3 and can reduce the diameter of the via hole is formed.
  • the presence of the adhesion layer 4 that improves the adhesion between the first insulating layer 3 and the separation layer 5 improves the adhesion between the second wiring 11 and the first insulating layer 3, and the reliability of the wiring of the multilayer wiring board.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.
  • thermosetting epoxy resin was laminated as a first insulating layer on a substrate provided with a first wiring made of copper, and heated at about 180 ° C. for about 1 hour to cure the first insulating layer.
  • the thickness of the first insulating layer was about 40 ⁇ m.
  • the substrate provided with the first insulating layer was immersed in an Sn / Pd colloidal solution (trade name “Cataposit 44” manufactured by Rohm and Haas) at about 40 ° C. for about 5 minutes, washed with water, By drying at 120 ° C., a separation layer composed of tin chloride and palladium chloride was formed.
  • a dry film resist made of acrylic resin (product name “RY3325”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness of about 25 ⁇ m) is laminated as a protective layer on the layer made of tin chloride and palladium chloride, and the wavelength is about 365 nm and about 200 mJ. / Cm 2 of light was irradiated.
  • a carbon dioxide laser was used to irradiate a predetermined via hole forming portion in the protective layer, the layer made of tin chloride and palladium chloride, and the first insulating layer, thereby forming an opening of about ⁇ 70 ⁇ m.
  • the substrate was immersed in an amine-based dry film remover (manufactured by Atotech, trade name “RS-2000”) to remove the protective layer.
  • the 10-point average surface roughness Rz on the upper surface of the substrate was about 0.2 ⁇ m.
  • a separation layer is provided on the upper surface of the substrate. Since the thickness of the separation layer is about 5 nm to about 50 nm, the measured 10-point average surface roughness of the upper surface of the substrate is below the separation layer. This suggests the value of the first insulating layer.
  • electroless plating was performed using an electroless plating solution manufactured by Rohm and Haas, and a seed layer made of about 0.3 ⁇ m copper was formed on the opening and the layer made of tin chloride and palladium chloride.
  • a dry film resist (Hitachi Kasei Co., Ltd., trade name “RY3215”, thickness of about 15 ⁇ m)
  • a line / space (L / S) about 10 ⁇ m / about 10 ⁇ m resist pattern is formed on the seed layer by photolithography. Formed.
  • a conductive layer made of copper having a thickness of about 15 ⁇ m serving as the second wiring is formed on the seed layer by electroplating, and the resist pattern is removed, and the seed layer under the removed resist pattern is removed.
  • thermosetting epoxy resin was laminated as a first insulating layer on a substrate provided with a first wiring made of copper, and then heated at about 180 ° C. for 1 hour to cure the first insulating layer.
  • the thickness of the first insulating layer was about 40 ⁇ m.
  • a carbon dioxide laser was used to irradiate a predetermined via formation portion in the first insulating layer with a laser to form an opening of about ⁇ 70 ⁇ m.
  • smear removal (desmear treatment) at the bottom of the laser via was performed using plasma treatment using a gas having a mixing ratio of oxygen and CF 4 of about 95: 5.
  • the 10-point average surface roughness Rz of the first insulating layer was about 2 ⁇ m.
  • electroless plating was performed using an electroless plating solution manufactured by Rohm and Haas to form a seed layer made of about 0.3 ⁇ m copper on the opening and the first insulating layer.
  • a dry film resist product name “RY3215”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness of about 15 ⁇ m
  • a resist residue was observed in a portion where the second wiring was formed on the seed layer.
  • thermosetting epoxy resin was laminated as a first insulating layer on a substrate provided with a first wiring made of copper.
  • the thickness of the first insulating layer was about 40 ⁇ m.
  • a rolled copper foil subjected to chromate treatment made by Nikko Metals, trade name “BHY”, thickness of about 18 ⁇ m is laminated on the first insulating layer, followed by heating at about 180 ° C. for about 1 hour, (1) Of the rolled copper foil that has been hardened and then chromated, the copper foil is removed by etching with a sulfuric acid / hydrogen peroxide etchant (trade name “SE-07”, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical) and chromated.
  • the metal layer (adhesion layer) formed on the surface of the copper foil by the treatment was transferred onto the first insulating layer.
  • the substrate provided with the first insulating layer was immersed in an Sn / Pd colloidal solution (trade name “Cataposit 44” manufactured by Rohm and Haas) at about 40 ° C. for about 5 minutes, washed with water, and then washed with about 120. By drying at 0 ° C., a separation layer composed of tin chloride and palladium chloride was formed.
  • a dry film resist made of acrylic resin (product name “RY3325”, thickness of about 25 ⁇ m) is laminated as a protective layer, and the wavelength is about 365 nm, about 200 mJ. / Cm ⁇ 2 > light irradiation was performed with respect to the protective layer.
  • a laser via having a diameter of about 40 ⁇ m was formed by irradiating a predetermined via formation portion in the protective layer, the layer made of tin chloride and palladium chloride, the adhesion layer, and the first insulating layer with a carbon dioxide laser.
  • the 10-point average surface roughness Rz of the first insulating layer after removing the protective layer was about 0.2 ⁇ m.
  • a separation layer is provided on the upper surface of the substrate. Since the thickness of the separation layer is about 5 nm to about 50 nm, the measured 10-point average surface roughness Rz of the upper surface of the substrate is the separation layer. The value of the first insulating layer below is suggested.
  • Example 2 of the second embodiment The process from the step of laminating the first insulating layer on the substrate provided with the first wiring made of copper to the step of transferring the adhesion layer onto the first insulating layer is performed in the same manner as in Example 1 of the second embodiment. It was. Next, the substrate provided with the first insulating layer is immersed in an alkaline Pd colloidal solution (manufactured by Atotech, trade name “Activator 834”) at about 30 ° C. for about 5 minutes, washed with water, and dried at about 120 ° C. By doing so, a layer made of palladium sulfate was formed.
  • an alkaline Pd colloidal solution manufactured by Atotech, trade name “Activator 834”
  • a protective layer was formed on the separation layer, a laser via of about ⁇ 40 ⁇ m was formed, desmear treatment was performed, and the protective layer was removed.
  • electroless plating was performed using an electroless plating solution manufactured by Atotech, and a seed layer made of about 0.5 ⁇ m copper was formed on the opening and the layer made of palladium sulfate by an electroless plating method.
  • a resist pattern of L / S about 10 ⁇ m / about 10 ⁇ m was formed on the seed layer by photolithography using a dry film resist (trade name “RY3215”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness: about 15 ⁇ m).
  • a conductive layer made of copper having a thickness of about 15 ⁇ m serving as the second wiring is formed on the seed layer by electroplating, and the resist pattern is removed, and the seed layer under the removed resist pattern is removed.
  • Chromate-treated rolled copper foil (manufactured by Nikko Metals, trade name “BHY”, thickness: about 18 ⁇ m, surface roughness Rz: about 0.7 ⁇ m) is about 1 wt% of 2,4,6-trimercapto-1
  • the triazine thiol treatment was performed by immersion treatment with an aqueous solution of 3,5-triazine monosodium salt (trade name “Santhiol N-1” manufactured by Sankyo Kasei Co., Ltd.) and drying at about 100 ° C. for about 30 minutes.
  • thermosetting epoxy resin is laminated as a first insulating layer on the substrate provided with the first wiring, and further, the triazine thiol-treated rolled copper foil is laminated on the first insulating layer.
  • the copper foil is treated with a sulfuric acid / hydrogen peroxide etching solution (Mitsubishi Gas).
  • a laser via having a diameter of about ⁇ 40 ⁇ m was formed by irradiating a predetermined via formation position in the protective layer, the layer made of palladium sulfate, the adhesion layer, and the first insulating layer.
  • desmear treatment was performed, and the protective layer was peeled off.
  • electroless plating was performed using an electroless plating solution manufactured by Atotech, and a seed layer made of copper of about 0.5 ⁇ m was formed on the opening and the layer made of palladium sulfate.
  • a resist pattern of L / S about 10 ⁇ m / about 10 ⁇ m was formed on the seed layer by photolithography using a dry film resist (trade name “RY3215”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., thickness: about 15 ⁇ m).
  • a conductive layer made of copper having a thickness of about 15 ⁇ m serving as the second wiring is formed on the seed layer by electroplating, and the resist pattern is removed, and the seed layer under the removed resist pattern is removed.

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Abstract

【課題】ビア径が小さく且つ微細な配線を備える配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】導電膜（２）上に絶縁樹脂層（３）を形成する工程と、前記絶縁樹脂層上に金属塩化物及び／又は金属硫酸塩（５）を形成する工程と、前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩の上に保護層（６）を形成する工程と、前記導電膜の一部が露出するように、前記絶縁樹脂層、前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩、及び前記保護層に露出部（７）を形成する工程と、前記露出部内の残渣（８）を除去する工程と、前記保護層を除去する工程と、前記露出部が形成され前記残渣が除去され前記保護層が除去された前記絶縁樹脂層の上に配線（１１）を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。

Description

配線基板の製造方法
　本発明は、導電膜上に絶縁樹脂層と配線層を持つ配線基板の製造方法に関するものである。
　近年、プリント配線板の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、ビルドアップ工法を用いた多層配線構造のプリント配線板（ビルドアップ基板）の検討が活発に行われている。ビルドアップ基板において、複数の配線層間に絶縁樹脂層が形成されており、複数の配線層間の導通をとるためにビアホールと称される微細な穴が絶縁膜に形成される。ビアホールの容易で安価な形成方法として、例えば、レーザを用いて形成する方法が挙げられる。レーザを用いてビアホールを形成する場合、ビアホールの底にスミアと呼ばれる樹脂残渣が残存するため、過マンガン酸カリウムなどの薬液やプラズマを用いてスミアを除去するデスミア処理が行われている。
　微細配線に適するセミアディティブ法による配線形成方法では、絶縁樹脂層に開口部を形成し、デスミア処理を行う。デスミア処理後、絶縁樹脂層及び開口部に無電解めっきを行い、ドライフィルムレジストで配線パターンの反転パターンを形成し、更に無電解めっき上で電界めっきを行い、反転パターンを除去し、配線パターンの下の無電解めっきを除去することにより配線を形成する。例えばＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ（Ｌ／Ｓ）＝１０μｍ／１０μｍ以下の配線層を形成するために上記方法を採用すると、絶縁樹脂層の表面がデスミア処理により荒れているため、配線を形成する工程において、ドライフィルムレジストを露光するときにレーザ光の乱反射が起き、意図するレジストパタン及び配線形状を得ることが難しい。
　絶縁樹脂層の表面をデスミア処理から保護するため、絶縁樹脂層の上に金属層を形成し、その後レーザによる開口部の形成とデスミア処理とを行うビアの形成方法が検討されているが、ビアホールの形成時に金属層の加工に必要なレーザーパワーが大きいため、絶縁樹脂層に加わるエネルギーも大きくなり、ビアホールの径の微細化が困難である。
特開２００４－２３５２０２号公報
　ビアホールの径が小さく且つ微細な配線を備える配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一側面によると、
　導電膜上に絶縁樹脂層を形成する工程と、
　前記絶縁樹脂層上に金属塩化物及び／又は金属硫酸塩を形成する工程と、
　前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩の上に保護層を形成する工程と、
　前記導電膜の一部が露出するように、前記絶縁樹脂層、前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩、及び前記保護層に露出部を形成する工程と、
　前記露出部内の残渣を除去する工程と、
　前記保護層を除去する工程と、
　前記露出部が形成され前記残渣が除去され前記保護層が除去された前記絶縁樹脂層の上に配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
　本発明の配線基板の製造方法によれば、ビアホールの径が小さく且つ微細な配線を備える配線基板を得ることができる。
本発明の第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一連の工程における多層配線基板の断面図である。 本発明の第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一連の工程における多層配線基板の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一連の工程における多層配線基板の断面図である。
　図１及び図２は、本発明の第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一連の工程における多層配線基板の断面図である。
　図１（ａ）に示されるように、まず、基板１の上に第１配線２を形成する。第１配線２が設けられた基板１は、例えば、導電性の配線からなる回路を備えるガラス繊維強化樹脂基板である。ガラス繊維強化樹脂基板上に回路を形成する方法については、一般的な形成方法を用いることができるため、説明を省略する。図１及び図２において、第１配線２のパターン化された様子は発明の特徴でないので示していていない。導電性の配線としては、例えば銅又は銅を含む合金が用いられる。
　次に、図１（ｂ）に示されるように、第１配線２の上に、第１絶縁層３を形成する。第１絶縁層３は、得られる多層配線基板における配線層間の絶縁膜として機能する。第１絶縁層３は、例えば絶縁性の有機樹脂で形成される。第１絶縁層３に使用される材料として、例えば、絶縁性のエポキシ樹脂が挙げられる。第１絶縁層３の形成手段は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を、ラミネータを用いて基板上に貼合わせてもよいし、液状の樹脂を基板上に塗布し、熱、光などにより硬化させて形成してもよい。
　次に、図１（ｃ）に示されるように、第１絶縁層３上に金属塩化物及び／又は金属硫酸塩からなる分離層５を形成する。後工程において、分離層５の上に保護層６が設けられ、さらに保護層６は除去される。分離層５は、第１絶縁層３から保護層６を選択的に除去するために設けられる層である。保護層６を溶解し、分離層５及び第１絶縁層３を溶解しない溶媒に基板を浸漬することにより保護層６を除去してもよいし、分離層５のみをエッチングするエッチング液に基板を浸漬することにより、分離層５とともに保護層６を第１絶縁層３から分離させてもよい。金属塩化物及び／又は金属硫酸塩としては、例えば、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）を含む塩化物又は硫酸塩が挙げられ、中でもＳｎＣｌ２、ＰｄＣｌ２、ＰｄＳＯ４など、錫、パラジウムを含む塩化物又は硫酸塩は、後工程で無電解めっきを行う際、触媒として使用される材料であるため、得られる多層配線基板の層間の導電性に優れる点から好ましく用いられる。分離層５の形成手段は、特に限定されるものではないが、例えば、上記金属塩化物及び／又は金属硫酸塩を含むコロイド溶液に、第１絶縁層３を形成した基板１を浸漬し、水洗し、乾燥させることにより、第１絶縁層３上に分離層５を形成することができる。分離層５の厚さは、例えば５ｎｍ～５０ｎｍ程度である。
　次に、図１（ｄ）に示されるように、金属塩化物及び／又は金属硫酸塩からなる分離層５の上に保護層６を形成する。保護層６は、後工程においてデスミア処理を行う際に、第１絶縁層３の上面がエッチングされるのを防止するために設けられる。保護層６の材料としては、有機樹脂を用いる。保護層６の材料が第１絶縁層３と同様有機樹脂であることにより、後工程の開口部（露出部）形成時に狭い開口部を形成することができる。もし、保護層６が例えば金属などにより形成されると、後工程の開口部形成時に、保護層６を除去するために比較的パワーの大きいレーザ光を照射する必要がある。この照射の際、下層の第１絶縁層３に過剰のエネルギーが加わるため径が小さい開口部の形成は難しく、生産性が高い炭酸ガスレーザを用いて行う開口部の形成は特に難しい。後工程において、保護層６を溶解し、第１絶縁層３及び分離層５を溶解しない剥離液に浸漬することで、第１絶縁層３から保護層６を除去する場合、保護層６は第１絶縁層３よりも剥離液に対する溶解性が高いことが好ましい。第１絶縁層３に用いられる材料がエポキシ樹脂のとき、保護層６に用いられる材料は、例えばアクリル樹脂である。有機樹脂からなる保護層６の形成手段は特に限定されないが、例えば、フィルム状のアクリル樹脂と感光剤とを含むドライフィルムレジストを、ラミネータを用いて基板上に貼合わせ、貼り合わせたレジストを露光してもよいし、液状の樹脂を基板上に塗布し、熱、光などにより硬化させて形成してもよい。
　次に、図１（ｅ）に示されるように、保護層６、分離層５、及び第１絶縁層３における所定のビアホール形成箇所にレーザを照射することにより、保護層６、分離層５、及び第１絶縁層３を除去し、開口部（露出部）７を形成する。このとき、蒸発、飛散するに至らなかった炭化又は溶解した樹脂がスミア（残渣）８として開口部７の底部７ａに残留する。開口部７の形成に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。生産効率の点から炭酸ガスレーザを使用することが好ましい。例えば、第１絶縁層の厚さが約４０μｍのとき、Φ３０μｍ～１００μｍ程度の開口部を形成することができる。なお、第１絶縁層の厚さが約４０μｍであり、保護層及び分離層を形成しない場合、現状、開口部の径は最小で約Φ５０μｍまでしか形成できない。
　次に、図１（ｆ）に示されるように、開口部７の底部７ａに残存するスミア８を除去する（デスミア処理を行う）。デスミア処理の手段としては、プラズマエッチングや反応性イオンエッチングなどのドライエッチングや、過マンガン酸塩を含む溶液を用いるウエットエッチングを用いることができる。プラズマエッチングは、プラズマ放電による分子解離の結果発生する励起分子、ラジカルあるいはイオンなどの励起種を利用して対象物（本実施形態においてはスミア８）のエッチングを行う技術である。エッチングは、生成した励起種とスミア８との反応によって生成される揮発性化合物の蒸発により進行する。なお、プラズマエッチングは酸素、窒素あるいは酸素および窒素の混合ガスからなる雰囲気中で行われることが好ましいが、これらに限られるものではない。反応性イオンエッチングは、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応性ガスに高周波電力（例えば、周波数１３．５６ＭＨｚ）を印加してプラズマ状態とし、そこで生じた陽イオンを加速して、スミア８に衝突させることにより除去する方法である。
　次に、図１（ｇ）に示されるように、保護層６が除去される。例えば、保護層６を溶解し第１絶縁層３を溶解しない剥離液を用いることにより、保護層６を除去することができる。このような剥離液として、有機アミン系の剥離液や、水酸化ナトリウム水溶液が挙げられる。有機アミン系の剥離液として、例えば、アトテック社製、商品名「ＲＳ－２０００」、三菱ガス化学社製、商品名「Ｒ－１００」、ニチゴー・モートン社製、商品名「ＨＴＯ」などが挙げられる。保護層６の除去後、分離層５は第１絶縁層３の上に残る。第１絶縁層３の１０点平均表面粗さＲｚは、第１絶縁層３を形成した後のそれと同等であり、例えば、約０．２μｍである。
　なお、保護層６を除去する工程の後の分離層５の表面粗さが、第１絶縁層３を形成した後の表面粗さと同等の表面粗さと同程度である限りにおいて、保護層６の一部が分離層５の表面に残っていてもよい。また、保護層６を溶解して除去する代わりに、分離層５をエッチングするエッチング液を用いることにより、分離層５とともに保護層６を第１絶縁層３から除去してもよい。このようなエッチング液は、Ｓｎ及びＰｄを溶解させることが可能であり、例えば、シアン系、ヨウ素系、硝酸系の剥離液が挙げられる。シアン系剥離液としては、例えば、日本エレクトロプレーティング・エンジニヤーズ社製、商品名「ハクレックス」が挙げられる。ヨウ素系剥離液としては、例えば大和化成研究所製、商品名「ＰＤ－２８０」が挙げられる。硝酸系剥離液としては、例えば荏原ユージライト社製、商品名「ＦＩＮＥＬＩＳＥ　ＰＪ－１０」が挙げられる。
　次に、図２（ａ）に示されるように、第１絶縁層３と開口部７上にシード層９が形成される。シード層９は、例えば無電解めっき法により形成できる。シード層９を構成する金属としては、銅やニッケルといった金属単体、あるいは、銅およびニッケルのいずれか一方を少なくとも含む合金などが挙げられる。シード層９の厚みは、例えば０．１μｍ～５μｍである。
　次に、図２（ｂ）に示されるように第１絶縁層３の上にレジストパタン１０を形成する。例えば、シード層９の上にフォトレジストを塗布し、レジストパタン１０に対応する開口パターンを備えるフォトマスクを通してフォトレジストに露光を行い、その後、現像処理を行うことによりレジストパタン１０を形成できる。デスミア処理後の第１絶縁層３の表面粗さが小さいため、フォトレジストに露光を行うときに乱反射を生じにくい。このため、レジストパタン１０のＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ（Ｌ／Ｓ）を小さくできる。
　次に、図２（ｃ）に示されるように、レジストパタン１０が設けられていないシード層９の表面に銅めっきを行い、第２配線１１となる導電層を形成する。次に、図２（ｄ）に示されるように、レジスト剥離液によりレジストパタン１０を除去し、更にエッチングによりシード層９を除去することにより、第２配線１１及び開口部１２を形成することができる。
　第２配線１１を形成した後、図２（ｅ）に示されるように、第２絶縁層１３を第２配線１１上及び開口部１２の内部に形成する。更に、上記分離層５を形成する工程から上記第２配線１１を形成する工程までを繰り返すことにより３層以上の多層配線基板を形成することができる。
　第１実施形態の多層配線基板の製造方法によれば、デスミア処理後の第１絶縁層３の表面粗さが小さいため、レジストパタン１０を形成するとき、レジストに照射する露光光の乱反射を生じにくく、後工程で第１絶縁層３の上に設ける第２配線１１のＬ／Ｓを小さくできる。さらに、ビアホールを形成するときに、第１絶縁層３に過剰のエネルギーが加わらないため、形成されるビアホールの径を小さくできる。
　図３は、本発明の第２実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一連の工程を多層配線基板の断面図で表したものである。第１実施形態と共通する部分については説明を省略する。
　基板１の上に第１配線２、第１絶縁層３を形成する工程は第１実施形態と同様である。次に、図３（ａ）に示されるように、第１絶縁層３の上に密着層４を形成する。密着層４は、後工程において第１絶縁層３の上に設けられる第２配線１１と第１絶縁層３との密着性を向上させ、得られる多層配線基板の配線の信頼性を向上させる。
　密着層４は、例えば、亜鉛、ニッケル、コバルト、クロムから選ばれる少なくとも1つの金属や、トリアジンチオール、シランカップリング剤、ニトロ安息香酸、メルカプトスルホン酸の中から選ばれる少なくとも1つの化合物から構成される。トリアジンチオールとしては、メルカプト基がトリアジン環に二つ以上存在することが望ましく、例えばトリアジントリチオールが挙げられる。シランカップリング剤としては、分子中に、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基、イミダゾール基、ビニル基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ピリジン基の少なくとも一つを含むことが好ましい。ニトロ安息香酸としては、ニトロ安息香酸、ニトロフタル酸、ニトロサリチル酸又はそのアルカリ金属塩であることが好ましい。メルカプトスルホン酸としては、メルカプトエタンスルホン酸、メルカプトプロパンスルホン酸又はそのアルカリ金属塩であることが好ましい。
　上記金属からなる密着層４は、例えば以下のように第１絶縁層３の上に形成できる。まず、銅などの金属箔の表面をクロメート処理する。クロメート処理した金属の表面には、亜鉛、ニッケル、コバルト、クロムから選択される少なくとも１種類の金属を含む層が形成される。クロメート処理により形成された層を金属から第１絶縁層３の上に転写することで、上記金属からなる密着層４を形成できる。また上記化合物からなる密着層は、例えば上記化合物を含有する水溶液に第１絶縁層３が形成された基板１を浸漬することにより、第１絶縁層３の上に形成される。密着層４の厚さは、例えば１ｎｍ～１０ｎｍ程度である。
　密着層４は、複数の層で構成されていても良く、例えば上記化合物からなる層と、その上に設けた上記金属からなる層とから構成されうる。
　次に、図３（ｂ）に示されるように、密着層４の上に金属塩化物及び／又は金属硫酸塩からなる分離層５を形成する。分離層５は第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
　次に、図３（ｃ）に示されるように、保護層６を形成する。保護層６は第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
　次に、図３（ｄ）に示されるように、保護層６、分離層５、密着層４、及び第１絶縁層３における所定のビア形成箇所にレーザを照射することにより開口部７を形成する。このとき、蒸発、飛散するに至らなかった炭化又は溶解した樹脂がスミア（残渣）８として開口部７の底部７ａに残留する。
　次に、図３（ｅ）に示されるように、開口部７の底部７ａに残存するスミア８を除去する（デスミア処理を行う）。次に、図３（ｆ）に示されるように、保護層６が除去される。このデスミア処理及び保護層６の除去は、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
　以下、図２（ａ）～（ｅ）を用いて説明した第１実施形態と同様の方法で多層配線基板を形成することができる。
　第２実施形態の多層配線基板の製造方法によれば、第１絶縁層３の上に設けられる第２配線１１のＬ／Ｓも小さくでき、ビアホールの径を小さくできる多層配線基板が形成される。また、第１絶縁層３と分離層５との密着性を向上させる密着層４の存在により、第２配線１１と第１絶縁層３との密着性は向上し、多層配線基板の配線の信頼性が向上する。
　本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
　　　（第１実施形態の実施例１）
　銅からなる第１配線が設けられた基板に、第１絶縁層として熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、約１８０℃で約１時間加熱を行い、第１絶縁層を硬化させた。第１絶縁層の厚さは約４０μｍだった。次に、第１絶縁層を設けた基板をＳｎ／Ｐｄコロイド液（ロームアンドハース製、商品名「キャタポジット４４」）に約４０℃、約５分の条件で浸漬し、水洗した後、約１２０℃で乾燥させることにより、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる分離層を形成した。次に、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層の上に保護層としてアクリル樹脂製のドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３３２５」、厚さ約２５μｍ）をラミネートし、波長約３６５ｎｍ、約２００ｍＪ／ｃｍ２の光を照射した。次に、炭酸ガスレーザを用い、保護層、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層、及び第１絶縁層における所定のビアホール形成箇所にレーザを照射することにより約Φ７０μｍの開口部を形成した。次に、酸素とＣＦ４の混合比が約９５：５のガスを用いたプラズマ処理を行い、開口部の底に残存するスミアを除去した（デスミア処理を行った）。さらに、基板をアミン系のドライフィルム剥離液（アトテック製、商品名「ＲＳ－２０００」）に浸漬し、保護層を除去した。保護層を除去した後、基板上面の１０点平均表面粗さＲｚは約０．２μｍだった。ここで、基板の上面には分離層が設けられているが、分離層の厚さは約５ｎｍ～約５０ｎｍ程度であるため、測定された基板上面の１０点平均表面粗さは分離層の下にある第１絶縁層の値を示唆している。次に、ロームアンドハース製無電解めっき液を用いて無電解めっきを行い、開口部、並びに塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層の上に約０．３μｍの銅からなるシード層を形成した。続いて、ドライフィルムレジスト（日立化成、商品名「ＲＹ３２１５」、厚さ約１５μｍ）を用い、フォトリソグラフィ法によりＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ（Ｌ／Ｓ）＝約１０μｍ／約１０μｍのレジストパタンをシード層上に形成した。次に、シード層上に電気めっきで、第２配線となる厚さ約１５μｍの銅からなる導電層を形成し、さらにレジストパタンを除去し、除去されたレジストパタンの下のシード層を除去することによってＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍ、厚さ約１５μｍの第２配線を形成できた。
　（第１実施形態の比較例１）
　銅からなる第１配線が設けられた基板上に、第１絶縁層として熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、次いで約１８０℃で１時間加熱を行い、第１絶縁層を硬化させた。第１絶縁層の厚さは約４０μｍだった。次に、炭酸ガスレーザを用い、第１絶縁層における所定のビア形成箇所にレーザを照射することにより約Φ７０μｍの開口部を形成した。次に、酸素とＣＦ４の混合比が約９５：５のガスを用いたプラズマ処理を用いてレーザビア底のスミア除去（デスミア処理）を行った。デスミア処理後、第１絶縁層の１０点平均表面粗さＲｚは約２μｍだった。次に、ロームアンドハース製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行い、開口部、及び第１絶縁層の上に約０．３μｍの銅からなるシード層を形成した。続いて、ドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３２１５」、厚さ約１５μｍ）を用い、フォトリソグラフィ法によりＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍのレジストパタンをシード層上に形成することを試みたが、シード層上の第２配線を形成する部分にレジストの残渣が観測された。その後、第２配線となる銅からなる導電層の形成を電気めっきにより試みたが、Ｌ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍの、配線形成には至らなかった。
　　　（第２実施形態の実施例１）
　銅からなる第１配線が設けられた基板上に、第１絶縁層として熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートした。第１絶縁層の厚さは約４０μｍだった。次に、クロメート処理された圧延銅箔（日鉱金属製、商品名「ＢＨＹ」、厚さ約１８μｍ）を第１絶縁層上にラミネートし、続いて約１８０℃で約１時間加熱を行い、第１絶縁層を硬化させ、続いてクロメート処理された圧延銅箔のうち、銅箔を硫酸／過酸化水素系エッチング液（三菱ガス化学製、商品名「ＳＥ－０７」）でエッチング除去し、クロメート処理により銅箔の表面に形成された金属層（密着層）を第１絶縁層上に転写した。次に第１絶縁層を設けた基板をＳｎ／Ｐｄコロイド液（ロームアンドハース製、商品名「キャタポジット４４」）に約４０℃、約５分の条件で浸漬し、水洗した後、約１２０℃で乾燥させることにより、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる分離層を形成した。さらに、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層の上に、保護層としてアクリル樹脂製のドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３３２５」、厚さ約２５μｍ）をラミネートし、波長約３６５ｎｍ、約２００ｍＪ／ｃｍ２の光照射を保護層に対して行った。次に、炭酸ガスレーザを用い、保護層、塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層、密着層、及び第１絶縁層における所定のビア形成箇所にレーザを照射することにより約Φ４０μｍのレーザビアを形成した。次に、酸素とＣＦ４の混合比が約９５：５のガスを用いたプラズマ処理を行い、開口部の底に残存するスミアを除去した。さらに、基板をアミン系のドライフィルム剥離液（アトテック製、商品名「ＲＳ－２０００」）に浸漬し、保護層を除去した。保護層を除去した後の第１絶縁層の１０点平均表面粗さＲｚは約０．２μｍだった。ここで、基板の上面には分離層が設けられているが、分離層の厚さは約５ｎｍ～約５０ｎｍ程度であるため、測定された基板上面の１０点平均表面粗さＲｚは分離層の下にある第１絶縁層の値を示唆している。次に、ロームアンドハース製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行い、開口部、並びに塩化スズ及び塩化パラジウムからなる層の上に約０．３μｍの銅からなるシード層を形成した。続いて、ドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３２１５」、厚さ約１５μｍ）を用い、フォトリソグラフィ法によりＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍのレジストパタンをシード層上に形成した。次に、シード層上に電気めっきで、第２配線となる厚さ約１５μｍの銅からなる導電層を形成し、さらにレジストパタンを除去し、除去されたレジストパタンの下のシード層を除去することによってＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍ、厚さ約１５μｍの第２配線を形成できた。
　（第２実施形態の実施例２）
　銅からなる第１配線が設けられた基板上に第１絶縁層をラミネートする工程から、密着層を第１絶縁層上に転写する工程までは、第２実施形態の実施例１と同様に行った。次に、第１絶縁層を設けた基板をアルカリＰｄコロイド液（アトテック製、商品名「アクチベータ８３４」）に約３０℃、約５分の条件で浸漬し、水洗した後、約１２０℃で乾燥させることにより、硫酸パラジウムからなる層を形成した。さらに、第２実施形態の実施例１と同様に、分離層の上に保護層を形成し、約Φ４０μｍのレーザビアを形成し、デスミア処理を行い、保護層の除去を行った。次に、アトテック製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行い、開口部、及び硫酸パラジウムからなる層の上に約０．５μｍの銅からなるシード層を無電解めっき法により形成した。続いて、ドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３２１５」、厚さ約１５μｍ）を用い、フォトリソグラフィ法によりＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍのレジストパタンをシード層上に形成した。次に、シード層上に電気めっきで、第２配線となる厚さ約１５μｍの銅からなる導電層を形成し、さらにレジストパタンを除去し、除去されたレジストパタンの下のシード層を除去することによってＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍ、厚さ約１５μｍの第２配線を形成できた。
　（第２実施形態の実施例３）
　クロメート処理された圧延銅箔（日鉱金属製、商品名「ＢＨＹ」、厚さ：約１８μｍ、表面粗さＲｚ：約０．７μｍ）を約１ｗｔ％の２，４，６－トリメルカプト－１，３，５－トリアジン１ナトリウム塩（三協化成製、商品名「サンチオールＮ－１」）水溶液で浸漬処理し、約１００℃で約３０分のベークで乾燥させ、トリアジンチオール処理を行った。次に、第１配線が設けられた基板上に、第１絶縁層として熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートし、さらに、上記トリアジンチオール処理された圧延銅箔を第１絶縁層上にラミネートし、続いて約１８０℃で約１時間加熱を行い、第１絶縁層を硬化させ、続いてクロメート処理及びトリアジンチオール処理された圧延銅箔のうち、銅箔を硫酸／過酸化水素系エッチング液（三菱ガス化学製、商品名「ＳＥ－０７」）でエッチング除去し、第１絶縁層上にトリアジンチオールからなる化合物層と、クロメート処理により銅箔の表面に形成された金属層とからなる密着層を第１絶縁層上に転写した。次に、第１絶縁層を設けた基板をアルカリＰｄコロイド液（アトテック製、商品名「アクチベータ８３４」）に約３０℃、約５分の条件で浸漬し、水洗した後、約１２０℃で乾燥させることにより、硫酸パラジウムからなる分離層を形成した。さらに、第２実施形態の実施例１と同様に、分離層の上に保護層を形成した。次に、炭酸ガスレーザを用い、保護層、硫酸パラジウムからなる層、密着層、及び第１絶縁層における所定のビア形成箇所にレーザを照射することにより約Φ４０μｍのレーザビアを形成した。次に、第２実施形態の実施例１と同様に、デスミア処理を行い、保護層の剥離を行った。次に、アトテック製の無電解めっき液を用いて無電解めっきを行い、開口部、及び硫酸パラジウムからなる層の上に約０．５μｍの銅からなるシード層を形成した。続いて、ドライフィルムレジスト（日立化成製、商品名「ＲＹ３２１５」、厚さ約１５μｍ）を用い、フォトリソグラフィ法によりＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍのレジストパタンをシード層上に形成した。次に、シード層上に電気めっきで、第２配線となる厚さ約１５μｍの銅からなる導電層を形成し、さらにレジストパタンを除去し、除去されたレジストパタンの下のシード層を除去することによってＬ／Ｓ＝約１０μｍ／約１０μｍ、厚さ約１５μｍの第２配線を形成できた。
　１　　基板
　２　　第１配線
　３　　第１絶縁層
　４　　密着層
　５　　分離層
　６　　保護層
　７　　開口部（露出部）
　８　　スミア
　９　　シード層
　１０　　レジストパタン
　１１　　第２配線
　１２　　開口部
　１３　　第２絶縁層

Claims (10)

  1. 　導電膜上に絶縁樹脂層を形成する工程と、
    　前記絶縁樹脂層上に金属塩化物及び／又は金属硫酸塩を形成する工程と、
    　前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩の上に保護層を形成する工程と、
    　前記導電膜の一部が露出するように、前記絶縁樹脂層、前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩、及び前記保護層に露出部を形成する工程と、
    　前記露出部内の残渣を除去する工程と、
    　前記保護層を除去する工程と、
    　前記露出部が形成され前記残渣が除去され前記保護層が除去された前記前記絶縁樹脂層の上に配線を形成する工程と
    を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 　前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩がスズ及び／又はパラジウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
  3. 　更に、前記絶縁樹脂層と前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩との間に密着層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 　前記密着層は、亜鉛、ニッケル、コバルト、及びクロムから選ばれる少なくとも１つの金属層、又はトリアジンチオール、シランカップリング剤、ニトロ安息香酸、及びメルカプトスルホン酸の中から選ばれる少なくとも１つの化合物層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  5. 　前記保護層がアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  6. 　前記絶縁樹脂層がエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  7. 　前記露出部内の残渣の除去は、ＣＦ４又はＳＦ６を雰囲気中に含有して行うドライエッチング、又は過マンガン酸塩を含有する液体によるウエットエッチングにより行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  8. 　前記導電膜は銅を含んでなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  9. 　前記保護層を除去する工程は、前記絶縁樹脂層と前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩とを溶解せず前記保護層を溶解する剥離液に前記保護層を浸漬する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
  10. 　前記保護層を除去する工程は、前記絶縁樹脂層を溶解せず前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩を溶解する剥離液に、前記金属塩化物及び／又は前記金属硫酸塩を浸漬する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
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