WO2010092984A1 - センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法 - Google Patents

センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法 Download PDF

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WO2010092984A1
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sensor
temperature
nanoparticle
wiring pattern
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正和 大場
小田　正明
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株式会社Kelk
株式会社アルバック
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    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
    • G01L5/0047—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes measuring forces due to residual stresses
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    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • G—PHYSICS
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    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a substrate such as a silicon wafer provided with a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate such as a silicon wafer in a high temperature process, and a method for manufacturing the same.
  • a silicon wafer with a sensor with a strain sensor provided on the wafer in addition to the temperature sensor is prepared, and the strain (thermal strain) of the silicon wafer with the sensor is measured in addition to the temperature at the time of high temperature process temperature load. From the measurement result, it is desirable to finely adjust the temperature control device in consideration of the actual warpage of the silicon wafer.
  • thermocouples Sensors that measure the temperature and strain of silicon wafers are sensors called thermocouples, resistance temperature detectors, and strain gauges, which measure the temperature of silicon wafers by measuring thermoelectromotive force and metal resistance and converting the temperature. Measure the distortion.
  • a method for producing a silicon wafer with a sensor by attaching a sensor formed on a thin film on a silicon wafer using an adhesive.
  • Patent Document 1 A method for producing a silicon wafer with a sensor by forming a metal thin film constituting the sensor on the silicon wafer by vapor deposition, sputtering, or the like (Patent Document 1 below).
  • Patent Document 2 A method of manufacturing a silicon wafer with a sensor by forming a metal thin film constituting the sensor on the silicon wafer by a CVD method (Patent Document 2 below)
  • Patent Document 2 a technique for drawing a wiring pattern on a substrate using a nanoparticle-dispersed ink has been developed.
  • Patent Documents 3 4, and 5
  • a glass layer as an insulating layer is formed on a stainless steel substrate, and a wiring pattern is drawn thereon using a nanoparticle-dispersed ink mainly composed of silver.
  • the invention of manufacturing a strain sensor is described.
  • the senor since the sensor is attached to the silicon wafer using an adhesive, the sensor itself is likely to be warped, creeped or drifted depending on the state of adhesion, and the measured values of temperature and strain vary, resulting in errors. In addition, temperature measurement and strain measurement may not be performed accurately. Further, although the methods (B) and (C) do not cause the problem that occurs in the method (A), the equipment for forming the sensor on the silicon wafer becomes large and the cost is increased. . In particular, in recent years, it is necessary to form a sensor on a silicon wafer having a diameter of 300 mm or more than 300 mm, and it is difficult to manufacture a wafer with a sensor at a low cost while satisfying the required specifications.
  • meander wiring It is necessary to make the area larger or to make the meander wiring thickness much thinner. If the area is large, the influence of the warpage of the substrate itself becomes large, and it is difficult to use it as a temperature sensor for uniformly controlling the in-plane temperature.
  • ultrathin meander wiring the effects of Joule heat during conduction, concerns about the continuity of the thin film, and restrictions on the method for joining the input / output terminals and conductors for electrical signals are problematic.
  • the method (D) is to form an insulating layer for insulation between metals when drawing a nanoparticle dispersed ink mainly composed of silver on a stainless steel substrate. There is no clear disclosure regarding solving problems other than insulation between metals when drawing on top.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to manufacture a wafer with a sensor for measuring temperature and strain at a low cost, and to measure temperature and strain with high accuracy.
  • An object of the present invention is to solve various problems that occur when drawing dispersed ink.
  • the first invention is A sensor-equipped substrate on which a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process is provided,
  • the sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • a base film that can suppress the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink is formed, The wiring pattern of the sensor is drawn on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink, and the nanoparticle dispersed ink is baked and metallized.
  • the second invention is the first invention,
  • the substrate is characterized by being a silicon wafer, GaAs, GaP, Al, Cu, Fe, Ti, SUS metal or carbon.
  • the third invention is A sensor-equipped substrate on which a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process is provided,
  • the sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink does not diffuse The nanoparticle-dispersed ink is directly applied to the surface of the substrate to draw a wiring pattern of the sensor, and the nanoparticle-dispersed ink is baked and metallized.
  • the fourth invention is the third invention,
  • the substrate is characterized by glass or quartz glass or sapphire or ceramic or polyimide or Teflon or epoxy or a fiber reinforcement of these plastics.
  • the fifth invention A sensor-equipped substrate on which a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process is provided,
  • the sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • On the surface of the substrate there are fine particles of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or a nanoparticle dispersed ink of Ag fine particles containing Pd, Cu, or Si or Ag fine particles and fine particles of Pd, Cu, or Si.
  • the mixed nanoparticle dispersion ink is applied and the wiring pattern of the sensor is drawn, and the nanoparticle dispersion ink is baked and metallized, A substrate on which a sensor wiring pattern is drawn and metallized is annealed at a temperature equal to or higher than a temperature during a high-temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • a sixth invention is the first invention or the second invention, A substrate on which a sensor wiring pattern is drawn and metallized is annealed at a temperature equal to or higher than a temperature during a high-temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the seventh invention is the third invention or the fourth invention, A substrate on which a sensor wiring pattern is drawn and metallized is annealed at a temperature equal to or higher than a temperature during a high-temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the eighth invention A sensor-equipped substrate on which a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process is provided,
  • the sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • On the surface of the substrate there are fine particles of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or a nanoparticle dispersed ink of Ag fine particles containing Pd, Cu, or Si or Ag fine particles and fine particles of Pd, Cu, or Si.
  • the mixed nanoparticle dispersion ink is applied and the wiring pattern of the sensor is drawn, and the nanoparticle dispersion ink is baked and metallized, Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed. It is characterized in that an overcoat treatment is performed which can reduce the warpage of the sensor, is less susceptible to the influence of air convection, and can suppress the tearing of the wiring pattern of the sensor.
  • a ninth invention is the first invention or the second invention, Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed. It is characterized in that an overcoat treatment is performed which can reduce the warpage of the sensor, is less susceptible to the influence of air convection, and can suppress the tearing of the wiring pattern of the sensor.
  • the tenth invention is the third invention or the fourth invention. Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed. It is characterized in that an overcoat treatment is performed which can reduce the warpage of the sensor, is less susceptible to the influence of air convection, and can suppress the tearing of the wiring pattern of the sensor.
  • the surface of the substrate is not overcoated. It is characterized by being overcoated so that it can be suppressed, the warpage of the substrate can be reduced, it is difficult to be affected by air convection, and tearing of the wiring pattern of the sensor can be suppressed.
  • the twelfth invention is the sixth invention, Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated. It is characterized by being overcoated so that it can be suppressed, the warpage of the substrate can be reduced, it is difficult to be affected by air convection, and tearing of the wiring pattern of the sensor can be suppressed.
  • the thirteenth invention is the seventh invention, Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated. It is characterized by being overcoated so that it can be suppressed, the warpage of the substrate can be reduced, it is difficult to be affected by air convection, and tearing of the wiring pattern of the sensor can be suppressed.
  • the fourteenth invention is A sensor-equipped substrate on which a sensor for measuring the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process is provided,
  • the sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • On the surface of the substrate there are fine particles of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or a nanoparticle dispersed ink of Ag fine particles containing Pd, Cu, or Si or Ag fine particles and fine particles of Pd, Cu, or Si.
  • the mixed nanoparticle dispersion ink is applied and the wiring pattern of the sensor is drawn, and the nanoparticle dispersion ink is baked and metallized, Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed.
  • the overcoating process that can reduce the warpage of the sensor, makes it less susceptible to the effects of air convection, and suppresses the tearing of the sensor wiring pattern,
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the fifteenth invention is the ninth invention,
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the overcoated substrate is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the twentieth invention is A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • Forming a base film capable of suppressing the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink A step of drawing a sensor wiring pattern on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink; And a step of baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink.
  • the twenty-first invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink does not diffuse A process of drawing a sensor wiring pattern by directly applying nanoparticle-dispersed ink on the surface of the substrate; And a step of baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink.
  • the twenty-second invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • Forming a base film capable of suppressing the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink A step of drawing a sensor wiring pattern on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and And a step of annealing the substrate on which the wiring pattern of the sensor is drawn and metallized at a temperature equal to or higher than the temperature during the high-temperature process or while passing a current through the wiring pattern of the sensor.
  • the 23rd invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink does not diffuse A process of drawing a sensor wiring pattern by directly applying nanoparticle-dispersed ink on the surface of the substrate; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and And a step of annealing the substrate on which the wiring pattern of the sensor is drawn and metallized at a temperature equal to or higher than the temperature during the high-temperature process or while passing a current through the wiring pattern of the sensor.
  • the twenty-fourth invention is A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • Forming a base film capable of suppressing the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink A step of drawing a sensor wiring pattern on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Annealing the sensor wiring pattern drawn and metallized substrate at a temperature equal to or higher than the temperature of the high temperature process or while passing a current through the sensor wiring pattern; Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated. And a step of performing an overcoat process that can reduce the warpage of the substrate, is less susceptible to the influence of air convection, and can suppress the tearing of the wiring pattern of the sensor.
  • the 25th invention is A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink does not diffuse A process of drawing a sensor wiring pattern by directly applying nanoparticle-dispersed ink on the surface of the substrate; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Annealing the sensor wiring pattern drawn and metallized substrate at a temperature equal to or higher than the temperature of the high temperature process or while passing a current through the sensor wiring pattern; Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated. And a step of performing an overcoat process that can reduce the warpage of the substrate, is less susceptible to the influence of air convection, and can suppress the tearing of the wiring pattern of the sensor.
  • the twenty-sixth invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • Forming a base film capable of suppressing the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink A step of drawing a sensor wiring pattern on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed.
  • a process of overcoating that can reduce the warpage of the sensor, is less susceptible to air convection, and can suppress laceration of the sensor wiring pattern; And a step of annealing the overcoated substrate at a temperature equal to or higher than the temperature during the high temperature process or while passing a current through the wiring pattern of the sensor.
  • the twenty-seventh invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses A process of drawing a sensor wiring pattern by directly applying nanoparticle-dispersed ink on the surface of the substrate; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn and metalized on the surface of the substrate, and the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed.
  • a process of overcoating that can reduce the warpage of the sensor, is less susceptible to air convection, and can suppress laceration of the sensor wiring pattern; And a step of annealing the overcoated substrate at a temperature equal to or higher than the temperature during the high temperature process or while passing a current through the wiring pattern of the sensor.
  • the 28th invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink diffuses Compared to the case where the base film is not formed on the surface of the substrate, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is increased, and the diffusion of the nanoparticle-dispersed ink into the substrate is suppressed.
  • Forming a base film capable of suppressing the growth of metal crystal grains contained in the dispersed ink A step of drawing a sensor wiring pattern on the surface of the base film on the substrate surface using the nanoparticle dispersed ink; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Annealing the sensor wiring pattern drawn and metallized substrate at a temperature equal to or higher than the temperature of the high temperature process or while passing a current through the sensor wiring pattern; Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated.
  • the 29th invention A method for manufacturing a substrate with a sensor, wherein a sensor for measuring a temperature or / and strain of the substrate in a high temperature process is provided on the substrate, The sensor measures the temperature or / and strain of the substrate by measuring the resistance value of the metal as a resistor and converting it to temperature or / and strain.
  • the substrate is made of a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu, or an alloy fine particle dispersed ink containing Pd, Cu, or Si in Ag or Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles are mixed.
  • a substrate in which the metal contained in the dispersed nanoparticle ink does not diffuse A process of drawing a sensor wiring pattern by directly applying nanoparticle-dispersed ink on the surface of the substrate; Baking and metallizing the nanoparticle-dispersed ink; and Annealing the sensor wiring pattern drawn and metallized substrate at a temperature equal to or higher than the temperature of the high temperature process or while passing a current through the sensor wiring pattern; Compared to the case where the sensor wiring pattern is drawn, metallized, and annealed, the surface of the substrate is not overcoated.
  • the substrate with a sensor according to the present invention comprises a fine particle of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu or an alloy fine particle of Ag fine particles containing Pd, Cu, or Si or Ag fine particles and Pd on the substrate.
  • a sensor wiring pattern is drawn using a nano-particle dispersed ink in which Cu or Si fine particles are mixed, and the nano-particle dispersed ink is baked and metallized.
  • the nanoparticle-dispersed ink has particles of several hundred nm or less dispersed in a solvent, and is baked after drawing the wiring pattern of the sensor using the nanoparticle-dispersed ink.
  • the organic dispersant and solvent contained in the nanoparticle-dispersed ink are evaporated, and the nanoparticles are melted and fused together to become conductive and metallize into a stable shape. .
  • the wiring pattern of the sensor is produced in this way, since there are a large number of metal crystal grain boundaries, the apparent electrical resistivity and the like increase even when the same metal is used. As a result, noise becomes relatively small, and minute changes in temperature and strain can be accurately measured.
  • sensors that measure the temperature or / and strain of a substrate by measuring the resistance value of a metal such as a resistance temperature detector or strain gauge, and converting it to temperature or / and strain are less susceptible to noise and the like. Measurement accuracy is improved. Further, since the resistance value is increased, the meander wiring portion can be reduced, and the temperature or / and strain of the minute region can be measured.
  • a substrate such as a silicon wafer has a problem that when a nanoparticle-dispersed ink is directly applied and drawn and metallized, the metal contained in the nanoparticle-dispersed ink diffuses into the substrate. It was also found that the adhesion of the nanoparticle dispersed ink to the substrate was low. Moreover, when it comprised as a board
  • the wiring pattern of the sensor is drawn and metallized using nano-particle dispersed ink.
  • the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the substrate is enhanced.
  • diffusion into the substrate is suppressed.
  • the grain growth of the metal crystal is suppressed, and the resistance value is stabilized when configured as a sensor-equipped substrate (first invention, second invention, ninth invention, twelfth invention, fifteenth invention, eighteenth invention).
  • the nanoparticle-dispersed ink may be directly applied to the surface of the substrate to draw and metallize the sensor wiring pattern (third invention, fourth invention, seventh invention, (10th invention, 13th invention, 16th invention, 19th invention, 21st invention, 23rd invention, 25th invention, 27th invention, 29th invention).
  • the substrate on which the sensor wiring pattern is drawn and metallized is annealed at a temperature higher than the temperature of the high temperature process or while a current is passed through the sensor wiring pattern.
  • the grain growth of the metal crystal is promoted by the annealing treatment, the unstable atoms present at the crystal interface are stabilized, and the grain growth reaches an equilibrium state.
  • the interface energy is stabilized, and the electric resistance value at the operating temperature is stabilized when the sensor-equipped substrate is configured. Therefore, it is possible to manufacture a stable sensor-equipped substrate in which the resistance value hardly changes with time when the sensor-equipped substrate is used.
  • an overcoat process is performed on the surface of the substrate on which the wiring pattern of the sensor is drawn and metallized.
  • the substrate surface is not overcoated, the growth of metal crystal grains is suppressed, and the electrical resistance value is stabilized when the sensor-equipped substrate is configured.
  • the warpage of the substrate can be reduced.
  • the overcoated substrate is heated at a high temperature.
  • Annealing is performed at a temperature equal to or higher than the temperature during the process or while a current is passed through the wiring pattern of the sensor.
  • the annealing treatment is performed after the overcoat treatment, so the overcoat material can be stabilized and the sensor is attached.
  • the resistance value is stabilized.
  • the annealing treatment is performed before the overcoat treatment, and the annealing treatment is further performed after the overcoat treatment.
  • the annealing process performed before the overcoat process tends to make the line width of the wiring pattern non-uniform due to the movement of crystal grains, and the electric resistance value varies. Therefore, by performing the annealing process after the overcoat process, the movement of crystal grains is suppressed, the line width of the wiring pattern becomes uniform, and the electric resistance value is stabilized without variation.
  • the time required for the annealing process performed before the overcoat process can be shortened.
  • a substrate with a sensor and a method for manufacturing a substrate with a sensor according to the present invention will be described with reference to the drawings.
  • a silicon wafer is assumed as the substrate.
  • the present invention can be applied to a substrate that needs to measure the temperature or / and strain of the substrate in a high-temperature process when manufacturing the substrate, such as a glass substrate in addition to the silicon wafer.
  • the high-temperature process is a process that can reach a temperature of approximately 250 ° C. or higher.
  • substrate with which the metal contained in nanoparticle dispersion ink does not diffuse may be sufficient.
  • the substrate in which the metal contained in the nanoparticle-dispersed ink diffuses is a silicon wafer, GaAs, GaP, Al, Cu, Fe, Ti, SUS, or carbon.
  • the substrate in which the metal contained in the nanoparticle-dispersed ink does not diffuse is glass, quartz glass, sapphire, ceramic, polyimide, Teflon, epoxy, or a fiber reinforcement of these plastics.
  • the nanoparticle-dispersed ink is a fine particle of any metal of Au, Ag, Pt, Ni, or Cu having a particle size of several hundred nm or less or an alloy fine particle containing Pd, Cu, or Si in Ag.
  • it is used to mean an ink in which a nanoparticle dispersed ink in which Ag fine particles and Pd, Cu or Si fine particles are mixed is uniformly dispersed in a solvent.
  • a silicon wafer 10 that is the same as an actual silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device is prepared, and on this silicon wafer 10, the adhesion of the nanoparticle-dispersed ink to the silicon wafer 10 is increased. Therefore, a base film treatment (primer coating) is performed.
  • the adhesion force of the nanoparticle dispersed ink to the substrate is increased, and the nanoparticle dispersed ink enters the silicon wafer 10.
  • a base film 11 that can suppress diffusion and suppress the growth of metal crystal grains contained in the nanoparticle-dispersed ink is formed.
  • the material for the base film that can solve such problems include organic materials such as polyimide, inorganic materials such as Ni, Cr, Ti, Al2O3, AlN, and SiO2, and hybrid materials obtained by mixing these organic materials and inorganic materials. .
  • Examples of the method for treating the base film 11 include sputtering, ion plating, vapor deposition, spin coating, dipping, screen printing, thermal fusion, silane coupling, and Ni plating.
  • Sputtering, ion plating, and vapor deposition are applied when the base film 11 is processed using an organic material or an inorganic material.
  • a material in which an organic material and an inorganic material are mixed is used as a spin coat material (raw material solution), and the spin coat material is placed on the silicon wafer 10 and rotated, and the raw material is uniformly dispersed by a spin coat method.
  • a base film 11 is generated.
  • the base film 11 is fixed on the silicon wafer 10 by performing a drying process at 150 ° C. to 200 ° C. for about 1 hour.
  • a material that can increase the adhesion after the nanoparticle-dispersed ink film is baked is used as the organic material.
  • inorganic materials such as Ni, Cr, Ti, Al 2 O 3, AlN, and SiO 2 that can improve heat resistance in high-temperature processes are used (see FIG. 1 (a)).
  • the above is a case where a substrate such as the silicon wafer 10 in which the metal contained in the nanoparticle-dispersed ink diffuses into the substrate is assumed.
  • the substrate such as glass is drawn by directly applying the nanoparticle dispersed ink, the metal contained in the nanoparticle dispersed ink does not diffuse into the substrate. Therefore, for such a substrate, the wiring pattern of the sensor may be drawn and metallized by directly applying the nanoparticle dispersed ink on the surface of the substrate without applying the base film 11.
  • a liquid repellent 12 is applied on the base film 11 in order to improve the water repellency of the nanoparticle dispersed ink to the silicon wafer 10 for the purpose of reducing the wiring pitch.
  • the liquid repellent 12 can be applied by spin coating.
  • a fluorine polymer liquid or the like can be used (FIG. 1B).
  • the wafer 10 is heated at a predetermined temperature, and the liquid repellent 12 is dried.
  • the liquid repellent 12 on the base film 11 remains about one molecular layer, and the ink that lands on the ink jet printing is prevented from spreading and fine lines can be printed. Since this liquid repellent layer evaporates during the baking process of the nanoparticle dispersed ink film, it does not affect the adhesion of the nanoparticle dispersed ink film onto the surface of the silicon wafer 10.
  • a nanoparticle-dispersed ink containing Ag as fine particles is drawn on the shape pattern of the temperature sensor or the strain sensor 1 to be produced on the base film 11 of the silicon wafer 10 and then baked.
  • the organic dispersant and solvent contained in the nanoparticle-dispersed ink evaporate, the nanoparticles melt and fuse with each other, become conductive, and metallize into a stable shape Is done.
  • the sensor 1 in this embodiment is a sensor that measures the temperature or / and strain of the silicon wafer 1 by measuring the resistance value of Ag.
  • nanoparticle-dispersed ink is drawn in the shape of a sensor part and a wiring part electrically connected to the sensor part by an inkjet method. Any method other than the inkjet method may be used, and for example, a gravure printing method can be used.
  • the metal fine particles contained in the nanoparticle-dispersed ink fine particles of any metal of Au, Pt, Ni, and Cu may be used instead of Ag.
  • alloy fine particles containing Pd, Cu or Si in Ag may be used.
  • Ag fine particles and Pd, Cu, or Si fine particles may be mixed (FIG. 1C).
  • the silicon wafer 10 on which the wiring pattern of the sensor 1 is drawn and metallized is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the wiring pattern of the sensor 1. For example, annealing is performed at a temperature higher than the maximum temperature actually used.
  • Annealing promotes grain growth of the metal crystal, stabilizes unstable atoms present at the crystal interface, and reaches an equilibrium state. Thereby, the interface energy is stabilized, and when the silicon wafer 100 with a sensor is configured, the electric resistance value at the use temperature of the silicon wafer 100 with a sensor is stabilized.
  • the metal crystal grains contained in the nanoparticle-dispersed ink are compared. Growth is suppressed, the warpage of the silicon wafer 10 is reduced, the influence of air convection is reduced, and an overcoat process that can suppress tearing of the wiring pattern 1 of the sensor is performed.
  • the overcoat material 13 that satisfies such required specifications include organic materials such as polyimide, inorganic materials such as Al2O3, AlN, and SiO2, and hybrid materials obtained by mixing these organic materials and inorganic materials.
  • overcoat treatment method examples include sputtering, ion plating, vapor deposition, spin coating, dipping, screen printing, heat fusion, and alumite treatment after Al plating.
  • Sputtering, ion plating, and vapor deposition are applied when an overcoat process is performed using an organic material or an inorganic material.
  • the electric resistance value of the sensor 1 is stabilized. Further, by performing the overcoat treatment, it is possible to suppress the generation of impurities due to, for example, sulfuration of Ag. Further, by applying the overcoat process, the internal stress is reduced and the warpage of the wiring pattern of the sensor 1 can be reduced (FIG. 1D).
  • the overcoated silicon wafer 100 with the sensor is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature at the time of the high temperature process or while a current is passed through the wiring pattern 1 of the sensor.
  • the overcoat material 13 is stabilized because the anneal treatment is performed after the overcoat treatment, as compared with the case where the annealed silicon wafer 100 with the sensor is not annealed.
  • the resistance value is stabilized.
  • the annealing process performed before the overcoat treatment is a state in which the line width of the wiring pattern is likely to be non-uniform due to the movement of the crystal grains and the electric resistance value varies as compared with the annealing process performed after the overcoat treatment. It becomes.
  • the annealing process after the overcoat process the movement of crystal grains is suppressed, the line width of the wiring pattern becomes uniform, and the electric resistance value is stabilized without variation.
  • the time required for the annealing process performed before the overcoat process can be shortened.
  • the sensor-equipped wafer 100 is manufactured.
  • a ribbon cable that is bonded to the wiring pattern on the board to input and output electrical output is bonded to the electrical input / output terminal on the board and the ribbon cable side with an anisotropic conductive adhesive sheet.
  • the anisotropic conductive adhesive sheet is a via filling type anisotropic conductive sheet in which a metal is embedded in a hole formed in the film.
  • the base film 11 Since the base film 11 is formed on the surface of the silicon wafer 10 and then the wiring pattern of the sensor 1 is drawn and metallized using the nanoparticle dispersed ink, the base film is formed on the surface of the silicon wafer 10. Compared with the case where 11 is not formed, the adhesion strength of the nanoparticle-dispersed ink to the silicon wafer 10 is enhanced. Further, the diffusion of the nanoparticle dispersed ink into the silicon wafer 10 is suppressed. Further, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed, and the resistance value is stabilized when the silicon wafer 100 with sensor is configured.
  • the silicon wafer with a sensor 100 in which the wiring pattern of the sensor 1 is drawn and metallized is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature during the high-temperature process or while a current is passed through the wiring pattern of the sensor 1.
  • Annealing promotes grain growth of the metal crystal, stabilizes unstable atoms present at the crystal interface, and reaches an equilibrium state. This stabilizes the interface energy and stabilizes the electrical resistance value at the operating temperature when the sensor-equipped silicon wafer 100 is configured. Therefore, a stable silicon wafer with a sensor 100 in which the resistance value hardly changes with time when the silicon wafer with sensor 100 is used can be produced.
  • An overcoat process is performed on the surface of the silicon wafer 100 with the sensor in which the wiring pattern of the sensor 1 is drawn and metallized.
  • the surface of the silicon wafer 100 with sensor is not overcoated, the growth of metal crystals contained in the nanoparticle-dispersed ink is suppressed, and the electric resistance when the silicon wafer 100 with sensor is configured. The value is stable. Further, similarly, the warpage of the silicon wafer 100 with a sensor can be reduced. Further, similarly, it becomes difficult to be affected by the convection of air, and the laceration of the wiring pattern of the sensor 1 can be suppressed.
  • the overcoated silicon wafer 100 with the sensor is annealed at a temperature equal to or higher than the temperature during the high temperature process or while a current is passed through the wiring pattern of the sensor 1.
  • the overcoat material 13 is stabilized because the anneal treatment is performed after the overcoat treatment, as compared with the case where the annealed silicon wafer 100 with the sensor is not annealed.
  • the resistance value is stabilized.
  • the annealing process performed before the overcoat process is more likely to cause the line width of the wiring pattern to be non-uniform due to the movement of crystal grains and the electric resistance value to vary as compared with the annealing process performed after the overcoat process. Become.
  • the annealing process after the overcoat process By performing the annealing process after the overcoat process, the movement of crystal grains is suppressed, the line width of the wiring pattern becomes uniform, and the electric resistance value is stabilized without variation. Further, by performing the annealing process after the overcoat process, the time required for the annealing process performed before the overcoat process can be shortened.
  • Example 1 The material of the base film 11 was applied to the surface of the silicon wafer 10 having a diameter of 300 mm by using a spin coating method (1000 rpm ⁇ 30 sec) and dried by heat treatment at 150 ° C. ⁇ 1 hr. Next, a liquid repellent diluted 50 times with a solvent was applied onto the base film 11 by using a spin coat method (1000 rpm ⁇ 30 sec), and dried by heat treatment at 150 ° C. ⁇ 1 hr. Next, a wiring pattern was drawn on the surface of the silicon wafer 10 on which the liquid repellent was dried, using Ag-containing nanoparticle dispersed ink. An ink jet apparatus was used for drawing the wiring pattern.
  • the silicon wafer 10 on which the wiring pattern was drawn was placed in a blow type oven heated to 230 ° C., and the nanoparticle dispersed ink was baked to metallize the nanoparticle dispersed ink.
  • FIG. 2A shows the surface of the silicon wafer 100 with a sensor
  • FIG. 2B shows an enlarged view of the individual sensors 1 on the surface of the silicon wafer 100 with a sensor shown in FIG.
  • FIG. 2 (c) shows an enlarged view of the meander wiring portion of the sensor 1 shown in FIG. 2 (b).
  • the produced silicon wafer 100 with a sensor is reciprocated over a predetermined time between a cooling plate temperature-controlled at 23 ° C. and a heat plate temperature-controlled at 100 ° C., and the resistance value of the sensor 1 is determined. Repeatedly measured.
  • the measurement results are shown in FIG.
  • the horizontal axis in FIG. 3 is time (sec), and the vertical axis is the resistance value ( ⁇ ) of the sensor 1.
  • the peak value of the electric resistance value is within a range of 0.2 ⁇ between 777.6 ⁇ and 777.8 ⁇ (corresponding to about 0.1 ° C. in temperature), and 100 ° C. It can be seen that there is a slight error of about 0.1 ° C. or less for measuring.
  • Example 2 the nanoparticle-dispersed ink was baked and metallized through the same treatment as in Example 1 described above.
  • An annealing treatment was performed for a predetermined time at a temperature higher than the use temperature (for example, 250 ° C.) of the silicon wafer with sensor 100 while flowing a current through the wiring pattern after firing.
  • the resistance value of the sensor 1 is reciprocated between a cooling plate temperature-controlled at 23 ° C. and a heat plate temperature-controlled at 100 ° C., as in Example 1. Was measured.
  • the peak value of the electric resistance value is within a range of 0.2 ⁇ between 1191.3 ⁇ and 1191.5 ⁇ (corresponding to about 0.1 ° C. in temperature), and 100 ° C. It can be seen that there is a slight error of about 0.1 ° C. or less for measuring. However, when compared with Example 1, it can be seen that the electrical resistance value increases when measuring the same 100 ° C., and the stability of the electrical resistance value is improved.
  • Example 3 the nanoparticle-dispersed ink was baked and metallized through the same treatment as in Example 1 described above.
  • resin ink was applied as an overcoat material 13 on the wiring pattern by spin coating, and dried by heat treatment at 150 ° C. ⁇ 1 hr.
  • Example 4 the nanoparticle-dispersed ink was baked and metallized through the same treatment as in Example 1 described above.
  • Al2O3 was coated as an overcoat material 13 on the wiring pattern by ion plating.
  • the sensor-equipped silicon wafer 100 thus produced is left on a hot plate with a lid adjusted to 250 ° C. corresponding to a typical temperature in a high-temperature process, and two sensors 1 drawn on the same wafer 10 are drawn.
  • the change over time of each resistance value of 2 was repeatedly measured.
  • the measurement results are shown in FIG.
  • the horizontal axis in FIG. 5 is time (hr), and the vertical axis is the resistance values Ag1 and Ag2 (k ⁇ ) of the two sensors 1 and 2 drawn on the same wafer 10.
  • Example 5 Similar to Example 1, a base film 11 was formed on the surface of the silicon wafer 10.
  • the base film 11 was formed by a combination of silane coupling and Ni plating.
  • the portion of the Ni plating film not in close contact with the wiring pattern was removed by plasma etching.
  • Example 6 As the nanoparticle-dispersed ink, Ag diffused Pd was used. The manufacturing process of the sensor-equipped silicon wafer 100 was performed in the same manner as in FIG.
  • Example 7 In the same manner as in Example 4, after performing the overcoat process, an annealing process was performed for a predetermined time at a temperature equal to or higher than the operating temperature of the silicon wafer with sensor 100 while passing a current through the wiring pattern.
  • FIG. 1A, 1B, 1C, and 1D are views showing cross sections in each manufacturing process of a silicon wafer with a sensor according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a sensor-equipped silicon wafer having 29 meander wiring portions
  • FIG. 2A is a diagram showing the surface of the sensor-equipped silicon wafer
  • FIG. 2C is an enlarged view showing individual sensors on the surface of the silicon wafer with a sensor shown in FIG. 2A
  • FIG. 2C is an enlarged view showing a meander wiring portion of the sensor shown in FIG. It is.
  • FIG. 3 shows a sensor 1 in which a silicon wafer with a sensor after firing is reciprocated over a predetermined time between a cooling plate temperature-controlled at 23 ° C.
  • FIG. 4 shows that the sensor-treated silicon wafer after the annealing treatment is reciprocated over a predetermined time between a cooling plate temperature-controlled at 23 ° C. and a heat plate temperature-controlled at 100 ° C. It is a graph which shows the result of having repeatedly measured the change of resistance value.
  • FIG. 5 shows that the sensor-coated silicon wafer after the overcoat treatment is drawn on the same wafer by leaving it on a hot plate with a lid temperature-controlled at 250 ° C. corresponding to a typical temperature in a high-temperature process. It is a graph which shows the result of having repeatedly measured the time-dependent change of each sensor resistance value of a location.

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Abstract

温度や歪みを計測するためのセンサ付ウェーハを安価に製造でき、しかも精度よく温度や歪みの計測を行えるようにするためのセンサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法である。基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成される。基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化される。　

Description

センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法
　本発明は、高温プロセスにおけるシリコンウェーハなどの基板の温度または／および歪みを計測するセンサが設けられたシリコンウェーハなどの基板およびその製造方法に関する。
シリコンウェーハに処理を施して半導体デバイスを製造する工程には、シリコンウェーハを高温に温調する高温プロセスがある。高温プロセスでは、歩留まり向上などのためにシリコンウェーハの各部を均一に加熱するときなどに、精度よく温度を管理する必要がある。このため、温度センサがウェーハ上に設けられたセンサ付きシリコンウェーハを用意し、製造ラインの始業時あるいは製造ラインの立ち上げ時など、実際のシリコンウェーハに処理を施す前に、実際のシリコンウェーハと同じ熱環境にて、温度センサ付きシリコンウェーハ上の各部の温度を温度センサにより計測して、実際のシリコンウェーハの各部が均一に加熱されるように温調装置を微調整することが行われる。
この他に、温度センサに加えて歪みセンサがウェーハ上に設けられたセンサ付きシリコンウェーハを用意し、高温プロセスの温度負荷時において温度に加えてセンサ付きシリコンウェーハの歪み（熱歪み）を計測し、その計測結果から、実際のシリコンウェーハの反り等を考慮して温調装置を微調整するのが望ましい。
シリコンウェーハの温度や歪みを計測するセンサは、熱電対、測温抵抗体、歪みゲージと呼ばれるセンサであり、熱起電力や金属の抵抗値を計測し温度変換することにより、シリコンウェーハの温度や歪みを計測する。
従来のセンサ付きシリコンウェーハを製造する方法としては、つぎに掲げるものがある。
Ａ）シリコンウェーハ上に、薄いフィルムに形成したセンサを接着剤を用いて貼り付けることにより、センサ付きシリコンウェーハを製造する方法。
Ｂ）シリコンウェーハ上に、センサを構成する金属薄膜を蒸着、スパッタリングなどで形成することにより、センサ付きシリコンウェーハを製造する方法（下記特許文献１等）
Ｃ）シリコンウェーハ上にＣＶＤ法によりセンサを構成する金属薄膜を形成することにより、センサ付きシリコンウェーハを製造する方法（下記特許文献２等）
また、近年、基板上に配線パターンをナノ粒子分散インクを用いて描画する技術が開発されている。
Ｄ）特許文献３、４、５には、ステンレス基板上に絶縁層としてのガラス層を形成し、その上に、銀を主成分とするナノ粒子分散インクを用いて配線パターンを描画して、歪みセンサを製造するという発明が記載されている。
特開昭６２-１３９３３９号公報 特開平８-３０６６６５号公報 特開２００６-２２６７５１号公報 特開２００６-２４２７９７号公報 特開２００７-８５９９３号公報
　上記（Ａ）の方法は、接着剤を用いてセンサをシリコンウェーハに貼り付けているため、接着状態によってはセンサ自体の反り、クリープ、ドリフトが生じやすく、温度や歪みの計測値がばらつき、誤差が生じるうえに温度計測や歪み計測を正確に行えない場合がある。　また、上記（Ｂ）、（Ｃ）の方法は、上記（Ａ）の方法で発生するような問題は生じないものの、シリコンウェーハにセンサを形成するための設備が大掛かりなものとなり高コストを招く。とりわけ、近年、直径３００ｍｍや３００ｍｍを超えるシリコンウェーハにセンサを形成する必要があり、要求スペックを満たしつつ安価にセンサ付きウェーハを製造することは困難となっている。さらに補足すると、安価に作製するためのＰｔ以外の材料と従来の作製方法を用いてミアンダ配線を面上に展開した測温抵抗体で、計測値がスペックを満たすようにするには、ミアンダ配線部をより大面積とするか、ミアンダ配線厚さをより極薄膜にする必要がある。大面積となれば基板自体の反りの影響が大きくなる上、面内温度を均一に制御するための温度センサとして使用し難い。極薄膜のミアンダ配線とした場合、導通時のジュール熱の影響、薄膜の連続性の懸念、電気信号の入・出力用端子と導線との接合方法の制約が問題となる。
　上記（Ｄ）の方法は、あくまでもステンレス基板上に銀を主成分とするナノ粒子分散インクを描画するに際して金属間の絶縁のために絶縁層を形成するというものであり、ナノ粒子分散インクを基板上に描画するに際して金属間の絶縁以外の問題を解決することに関しては、明確な開示がない。
本発明はこうした実情に鑑みてなされたものであり、温度や歪みを計測するためのセンサ付ウェーハを安価に製造でき、しかも精度よく温度や歪みの計測を行えるようにし、さらに基板上にナノ粒子分散インクを描画するに際して発生する諸問題を解決することを課題とするものである。
第１発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とする。
第２発明は、第１発明において、
基板は、シリコンウェーハまたはＧaＡsまたはＧaＰまたはＡl、Ｃu、Ｆe、Ｔi、ＳＵＳのいずれかの金属またはカーボンであること
　を特徴とする。
第３発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とする。
第４発明は、第３発明において、
基板は、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材であること
　を特徴とする。
第５発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第６発明は、第１発明または第２発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第７発明は、第３発明または第４発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第８発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第９発明は、第１発明または第２発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第１０発明は、第３発明または第４発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第１１発明は、第５発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第１２発明は、第６発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第１３発明は、第７発明において、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
第１４発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされ、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第１５発明は、第９発明において、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第１６発明は、第１０発明において、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第１７発明は、第１１発明において、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第１８発明は、第１２発明において、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第１９発明は、第１３発明において、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
第２０発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２１発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２２発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２３発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２４発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２５発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２６発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２７発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２８発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
第２９発明は、
高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
（発明の効果）
本発明のセンサ付き基板は、基板上に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子の混合したナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され金属化されることにより作製されている。
ここで、ナノ粒子分散インクは、数百ｎｍ以下の粒子が溶媒中に分散しているものであり、ナノ粒子分散インクを用いてセンサの配線パターンを描画した後、焼成される。焼成が行われることによりナノ粒子分散インク中に含まれている有機系分散剤および溶剤が蒸発し、ナノ粒子同士が溶け合い互いに融着し導電性を持つようになり、安定した形状に金属化する。こうしてセンサの配線パターンを作製すると、金属結晶の粒界が非常に多く存在しているため、同じ金属を使用してもみかけの電気抵抗率等が大きくなる。これによって、ノイズが相対的に小さくなるので温度及び歪みの微小変化を精度よく計測できるようになる。よって、測温抵抗体や歪みゲージなど、金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより基板の温度または／および歪みを計測するセンサは、ノイズ等の影響を受けにくくなり計測の精度が向上する。また、抵抗値が大きくなったことで、ミアンダ配線部を小さくすることができるようになり、より微小領域の温度または／および歪みの計測ができるようになる。
本発明者により、シリコンウェーハなどの基板は、ナノ粒子分散インクを直接塗布して描画、金属化すると、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が基板中に拡散するという問題があることがわかった。またナノ粒子分散インクの基板に対する密着力が低いことがわかった。また、センサ付き基板として構成した場合に、抵抗値が安定しないことがわかった。また、基板の反りが発生することがわかった。
そこで、基板表面に下地膜を形成してから、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画、金属化する。これにより基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力が高められる。また、同様に基板中への拡散が抑制される。また、同様に金属結晶の粒成長が抑制され、センサ付き基板として構成した場合に、抵抗値が安定する（第１発明、第２発明、第９発明、第１２発明、第１５発明、第１８発明、第２０発明、第２２発明、第２４発明、第２６発明、第２８発明）。
これに対して、ガラスなどの基板は、ナノ粒子分散インクを直接塗布して描画、金属化したとしても、金属が基板中に拡散することはない。そこで、このような基板に対しては、基板の表面に、ナノ粒子分散インクを直接塗布してセンサの配線パターンを描画、金属化してもよい（第３発明、第４発明、第７発明、第１０発明、第１３発明、第１６発明、第１９発明、第２１発明、第２３発明、第２５発明、第２７発明、第２９発明）。
第５発明、第６発明、第７発明、第１１発明、第１２発明、第１３発明、第１７発明、第１８発明、第１９発明、第２２発明、第２３発明、第２４発明、第２５発明、第２８発明、第２９発明では、センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理される。
すなわち、アニール処理によって金属結晶の粒成長が促進され、また結晶界面に存在する不安定な原子が安定化され、粒成長が平衡状態に達する。これにより界面エネルギーが安定し、センサ付き基板を構成した場合に使用温度における電気抵抗値が安定する。よってセンサ付き基板の使用時に抵抗値の経時変化が起き難い安定したセンサ付き基板を作製することができる。
第８発明、第９発明、第１０発明、第１１発明、第１２発明、第１３発明、第１４発明、第１５発明、第１６発明、第１７発明、第１８発明、第１９発明、第２４発明、第２５発明、第２６発明、第２７発明、第２８発明、第２９発明では、センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、オーバーコート処理がされる。これにより基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、金属結晶の粒成長が抑制され、センサ付き基板を構成した場合に電気抵抗値が安定する。さらに同様に基板の反りを低減することができる。また、同様に空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができる。
第１４発明、第１５発明、第１６発明、第１７発明、第１８発明、第１９発明、第２６発明、第２７発明、第２８発明、第２９発明では、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理される。これによりオーバーコート処理された基板に対してアニール処理がされていない場合と比較して、オーバーコート処理後にアニール処理を行うようにしているため、オーバーコート材を安定化させることができ、センサ付き基板として構成した場合に、抵抗値が安定する。
特に、第１７発明、第１８発明、第１９発明、第２８発明、第２９発明では、オーバーコート処理前にアニール処理が行われ、更にオーバーコート処理後にアニール処理を行うようにしている。オーバーコート処理前に行われるアニール処理は、オーバーコート処理後に行うアニール処理と比較して、結晶粒の移動により配線パターンの線巾が不均一になり易く、電気抵抗値がばらついた状態となる。そこで、オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、結晶粒の移動が抑制され、配線パターンの線巾が均一になり、電気抵抗値がばらつくことなく安定化する。
また、オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、オーバーコート処理前に行われるアニール処理に要する時間を短縮することができる。
　以下、図面を参照して本発明に係るセンサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法の実施の形態について説明する。なお、以下では、基板としてシリコンウェーハを想定して説明する。しかし、本発明は、シリコンウェーハ以外にガラス基板など、基板を製造するに際して高温プロセスにおいて基板の温度または／および歪みを計測することが必要な基板に適用することができる。ここで、本明細書において、高温プロセスとは、概ね２５０℃以上の温度になることがあるプロセスのことである。
基板の種類としては、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板のいずれであってもよい。
ナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板としては、具体的には、シリコンウェーハまたはＧaＡsまたはＧaＰまたはＡl、Ｃu、Ｆe、Ｔi、ＳＵＳのいずれかの金属またはカーボンである。
ナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板としては、具体的には、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材である。
　また、ナノ粒子分散インクとは、本明細書において、粒径が数百ｎｍ以下のＡu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子またはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子の混合したナノ粒子分散インクが溶媒中に均一に分散されたインクの意味で使用する。
　図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、実施例のセンサ付きシリコンウェーハ１００の各製造工程における断面を示している。以下、図面を併せ参照して説明する。
まず、半導体デバイスの製造に使用される実際のシリコンウェーハと同一のシリコンウェーハ１０が用意され、このシリコンウェーハ１０の上に、ナノ粒子分散インクのシリコンウェーハ１０への密着度を高める等の目的のために下地膜処理（プライマーコート）が施される。
シリコンウェーハ１０は、ナノ粒子分散インクを直接塗布して描画、金属化すると、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が基板中に拡散するという問題があることがわかった。またナノ粒子分散インクの基板に対する密着力が低いことがわかった。また、センサ付きシリコンウェーハ１００として構成した場合に、抵抗値が安定しないことがわかった。また、シリコンウェーハ１０の反りが発生することがわかった。そこで、シリコンウェーハ１０の表面に、当該シリコンウェーハ表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクのシリコンウェーハ１０中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制することができる下地膜１１が形成される。このような問題を解決できる下地膜の材料としては、ポリイミドなどの有機材料、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などの無機材料、これら有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料が挙げられる。
また、下地膜１１の処理方法としては、スパッタ、イオンプレーティング、蒸着、スピンコート、ディッピング、スクリーン印刷、熱融着、シランカップリングとＮiメッキの組み合わせが挙げられる。
スパッタ、イオンプレーティング、蒸着は、有機材料、無機材料を用いて下地膜１１を処理する場合に適用される。
スピンコート、ディッピング、スクリーン印刷、熱融着は、有機材料、ハイブリッド材料を用いて下地膜１１を処理する場合に適用される。
たとえば、有機材料と無機材料とを混合した材料をスピンコート材料（原料溶液）として、このスピンコート材料をシリコンウェーハ１０上に載せて回転させて、スピンコート法により原材料が均一に分散された下地膜１１が生成される。下地膜１１は、１５０℃～２００℃で約１時間乾燥処理を行うことによりシリコンウェーハ１０上に固着する。ここで、有機材料と無機材料とを混合した材料のうち、有機材料には、ナノ粒子分散インク膜が焼成後に密着度を高めることができる材料が使用される。また、有機材料と無機材料とを混合した材料のうち、無機材料には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２など、高温プロセスにおける耐熱性を高めることができる材料が使用される（図１（ａ））。
以上は、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が基板中に拡散するシリコンウェーハ１０などの基板を想定した場合である。これに対して、ガラスなどの基板は、ナノ粒子分散インクを直接塗布して描画したとしても、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が基板中に拡散することはない。そこで、このような基板に対しては、下地膜１１を施すことなく基板の表面に、ナノ粒子分散インクを直接塗布してセンサの配線パターンを描画、金属化してもよい。
つぎに、配線ピッチの微細化を目的として、ナノ粒子分散インクのシリコンウェーハ１０への撥水性を向上させるために、撥液剤１２が下地膜１１の上に塗布される。撥液剤１２の塗布は、スピンコート法により行うことができる。撥液剤１２としては、フッ素系高分子液等を使用することができる（図１（ｂ））。
つぎに、ウェーハ１０が所定温度で加熱され、撥液剤１２が乾燥処理される。これにより下地膜１１の上の撥液剤１２が１分子層程度残留し、インクジェット印刷時に着弾するインクが広がることが防止され、細線の印刷が可能となる。この撥液層は、ナノ粒子分散インク膜の焼成過程で蒸散するので、ナノ粒子分散インク膜がシリコンウェーハ１０表面上に密着することには影響を与えない。
つぎに、シリコンウェーハ１０の下地膜１１上に、Ａｇが微粒子として含有されたナノ粒子分散インクが、作製しようとする温度センサあるいは歪みセンサ１の形状パターンに描画された後、焼成される。焼成が行われることにより、ナノ粒子分散インク中に含まれている有機系分散剤および溶剤が蒸発し、ナノ粒子同士が溶け合い互いに融着し導電性を持つようになり、安定した形状に金属化される。
本実施例におけるセンサ１は、Ａｇの抵抗値を計測することにより、シリコンウェーハ１の温度または／および歪みを計測するセンサである。たとえばインクジェット方式によってナノ粒子分散インクが、センサ部とセンサ部に電気的に接続される配線部の形状に描画される。インクジェット方式以外の任意の方法であってもよく、たとえばグラビア印刷法を用いることができる。またナノ粒子分散インクに含有される金属微粒子としては、Ａｇの代わりに、Ａu、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子を用いてもよい。またＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子であってもよい。またＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたものであってもよい（図１（ｃ））。
つぎに、センサ１の配線パターンが描画、金属化されたシリコンウェーハ１０が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサ１の配線パターンに電流を流しながら、アニール処理される。たとえば実際に使用する最大温度よりも高温でアニールが行われる。
アニール処理によって金属結晶の粒成長が促進され、結晶界面に存在する不安定な原子が安定化され、粒成長が平衡状態に達する。これにより界面エネルギーが安定し、センサ付きシリコンウェーハ１００を構成した場合にセンサ付きシリコンウェーハ１００の使用温度における電気抵抗値が安定する。
つぎに、センサ１の配線パターンが描画、金属化されたシリコンウェーハ１０の表面に、シリコンウェーハ表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長が抑制され、シリコンウェーハ１０の反りが低減し、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターン１の裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされる。このような要求スペックを満たすオーバーコート材１３としては、ポリイミドなどの有機材料、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などの無機材料、これら有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料が挙げられる。
また、オーバーコートの処理方法としては、スパッタ、イオンプレーティング、蒸着、スピンコート、ディッピング、スクリーン印刷、熱融着、Ａｌメッキ後アルマイト処理が挙げられる。
スパッタ、イオンプレーティング、蒸着は、有機材料、無機材料を用いてオーバーコート処理をする場合に適用される。
スピンコート、ディッピング、スクリーン印刷、熱融着は、有機材料、ハイブリッド材料を用いてオーバーコート処理をする場合に適用される。
ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長が抑制されることで、センサ１の電気抵抗値が安定する。また、オーバーコート処理を施すことにより、Ａｇが硫化するなどして不純物が生成されることが抑制される。また、オーバーコート処理を施すことにより、内部応力が軽減されセンサ１の配線パターンの反りを低減することができる（図１（ｄ））。
つぎに、オーバーコート処理されたセンサ付きシリコンウェーハ１００が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターン１に電流を流しながら、アニール処理される。
これによりオーバーコート処理されたセンサ付きシリコンウェーハ１００に対してアニール処理がされていない場合と比較して、オーバーコート処理後にアニール処理を行うようにしているため、オーバーコート材１３を安定化させることができ、センサ付きシリコンウェーハ１００として構成した場合に、抵抗値が安定する。
ここで、オーバーコート処理前に行われるアニール処理は、オーバーコート処理後に行うアニール処理と比較して、結晶粒の移動により配線パターンの線巾が不均一になり易く、電気抵抗値がばらついた状態となる。オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、結晶粒の移動が抑制され、配線パターンの線巾が均一になり、電気抵抗値がばらつくことなく安定化する。
また、オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、オーバーコート処理前に行われるアニール処理に要する時間を短縮することができる。

以上により、センサ付きウェーハ１００が作製される。
ただし、製品の必要に応じて、つぎの工程が適宜付加される。
たとえば、基板上の配線パターンに電気出力の入出力をするために接着したリボンケーブルが異方導電性接着シートで基板上の電気入出力用端子とリボンケーブル側の電気入出力用端子が接着される。この場合、異方導電性接着シートは、フィルムに空いた穴に金属が埋め込まれているビアフィリング型の異方導電性シートが使用される。
　本実施形態によれば、つぎのような作用効果が得られる。
Ａ）ナノ粒子分散インクを用いてセンサ１の配線パターンを作製すると、金属結晶の粒界が非常に多く存在しているため、同じ金属を使用してもみかけの電気抵抗率が大きくなる。これによって、ノイズが相対的に小さくなるので温度及び歪みの微小変化を精度よく計測できるようになる。よって、測温抵抗体や歪みゲージなど、金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより基板の温度または／および歪みを計測するセンサは、ノイズ等の影響を受けにくくなり計測の精度が向上する。また、抵抗値が大きくなったことで、ミアンダ配線部を小さくすることができるようになり、より微小領域の温度または／および歪みの計測ができるようになる。
Ｂ）シリコンウェーハ１０の表面に下地膜１１を形成してから、ナノ粒子分散インクを用いて、センサ１の配線パターンを描画、金属化するようにしているため、シリコンウェーハ１０の表面に下地膜１１が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクのシリコンウェーハ１０に対する密着力が高められる。また、ナノ粒子分散インクのシリコンウェーハ１０中への拡散が抑制される。また、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長が抑制され、センサ付きシリコンウェーハ１００として構成した場合に、抵抗値が安定する。
Ｃ）ガラスなどの基板は、ナノ粒子分散インクを用いて描画、金属化したとしても、ナノ粒子分散インクに含まれる金属が基板中に拡散することはない。そこで、このような基板に対しては、基板の表面に、センサの配線パターンを直接描画、金属化することができる。
Ｄ）センサ１の配線パターンが描画、金属化されたセンサ付きシリコンウェーハ１００が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサ１の配線パターンに電流を流しながら、アニール処理される。アニール処理によって金属結晶の粒成長が促進され、結晶界面に存在する不安定な原子が安定化され、粒成長が平衡状態に達する。これにより界面エネルギーが安定し、センサ付きシリコンウェーハ１００を構成した場合に使用温度における電気抵抗値が安定する。よってセンサ付きシリコンウェーハ１００の使用時に抵抗値の経時変化が起き難い安定したセンサ付きシリコンウェーハ１００を作製することができる。
Ｅ）センサ１の配線パターンが描画、金属化されたセンサ付きシリコンウェーハ１００の表面に、オーバーコート処理がされる。これによりセンサ付きシリコンウェーハ１００表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長が抑制され、センサ付きシリコンウェーハ１００を構成した場合に電気抵抗値が安定する。さらに同様にセンサ付きシリコンウェーハ１００の反りを低減することができる。また、同様に空気の対流の影響を受けにくくなり、センサ１の配線パターンの裂傷を抑制することができる。
Ｆ）オーバーコート処理されたセンサ付きシリコンウェーハ１００が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサ１の配線パターンに電流を流しながら、アニール処理される。これによりオーバーコート処理されたセンサ付きシリコンウェーハ１００に対してアニール処理がされていない場合と比較して、オーバーコート処理後にアニール処理を行うようにしているため、オーバーコート材１３を安定化させることができ、センサ付きシリコンウェーハ１００として構成した場合に抵抗値が安定する。また、オーバーコート処理前に行われるアニール処理は、オーバーコート処理後に行うアニール処理と比較して、結晶粒の移動により配線パターンの線巾が不均一になり易く、電気抵抗値がばらついた状態となる。オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、結晶粒の移動が抑制され、配線パターンの線巾が均一になり、電気抵抗値がばらつくことなく安定化する。また、オーバーコート処理後にアニール処理を行うことで、オーバーコート処理前に行われるアニール処理に要する時間を短縮することができる。
　以下、各実施例について説明する。
（実施例１）
　直径３００ｍｍのシリコンウェーハ１０の表面に下地膜１１の材料を、スピンコート法（１０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃ）を用いて塗布し、１５０℃×１ｈｒの熱処理により乾燥させた。つぎに、この下地膜１１の上に、溶剤で５０倍に薄めた撥液剤をスピンコート法（１０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃ）を用いて塗布し、１５０℃×１ｈｒの熱処理により乾燥させた。つぎに、撥液剤を乾燥させたシリコンウェーハ１０の表面に、Ａｇ含有のナノ粒子分散インクを用いて、配線パターンを描画した。配線パターンの描画には、インクジェット装置を使用した。
つぎに、配線パターンが描画されたシリコンウェーハ１０を、２３０℃に加熱された送風式のオーブンに入れてナノ粒子分散インクの焼成処理を施し、ナノ粒子分散インクを金属化させた。
このような工程を経て、図２に示すような、ミアンダ配線部を２９箇所持つセンサ付きシリコンウェーハ１００が作製された。図２（ａ）は、センサ付きシリコンウェーハ１００の表面を示しており、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すセンサ付きシリコンウェーハ１００の表面上の個々のセンサ１を拡大して示しており、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示すセンサ１のミアンダ配線部を拡大して示している。
作製されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を、２３℃に温調された冷却板と、１００℃に温調された熱板との間で所定の時間をかけて往復させて、センサ１の抵抗値を繰り返し計測した。計測結果を図３に示す。図３の横軸は、時間（ｓｅｃ）であり、縦軸は、センサ１の抵抗値（Ω）である。図３に示すように、電気抵抗値のピーク値は、７７７．６Ωから７７７．８Ωまでの間の０．２Ωの範囲（温度で約０．１℃に相当する）に収まっており、１００℃を計測するのに約０．１℃以下の僅かな誤差であることがわかる。
（実施例２）
　実施例２では、上述の実施例１と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
焼成後に配線パターンに電流を流しながら、センサ付きシリコンウェーハ１００の使用温度（たとえば２５０℃）以上でアニール処理を所定時間施した。
作製されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を用いて、実施例１と同様に、２３℃に温調された冷却板と、１００℃に温調された熱板とを往復させて、センサ１の抵抗値を計測した。
図４に示すように、電気抵抗値のピーク値は、１１９１．３Ωから１１９１．５Ωまでの間の０．２Ωの範囲（温度で約０．１℃に相当する）に収まっており、１００℃を計測するのに約０．１℃以下の僅かな誤差であることがわかる。ただし、実施例１と比較すると、同じ１００℃を計測するのに電気抵抗値が上昇しており、電気抵抗値の安定性が向上していることがわかる。
（実施例３）
　実施例３では、上述の実施例１と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
　焼成後に、配線パターンの上にオーバーコート材１３として樹脂インクをスピンコート法により塗布し、１５０℃×１ｈｒの熱処理により乾燥させた。
作製されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を用いて、その特性を実施例１と同様に計測したところ、図３と同様の結果が得られた。
（実施例４）
実施例４では、上述の実施例１と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
　焼成後に、配線パターンの上にオーバーコート材１３としてＡｌ２Ｏ３をイオンプレーティングでコーティングした。
製作されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を、高温プロセス時の代表的な温度に相当する２５０℃に温調された蓋付熱板上に放置して同一ウエーハ１０上に描画された２箇所のセンサ１、２の各抵抗値の経時変化を繰り返し計測した。計測結果を図５に示す。図５の横軸は、時間（ｈｒ）であり、縦軸は、同一ウエーハ１０上に描画された２箇所のセンサ１、２の各抵抗値Ａｇ１、Ａｇ２（ｋΩ）である。なお、計測データは１時間毎にまとめられ、ＪＩＳＺ８４０４に基づきＡタイプの不確かさを計算して、Ｋ＝２でエラーバーを表示してある。各抵抗値Ａｇ１、Ａｇ２の両方とも、少なくとも１００時間誤差範囲内で抵抗値が推移しており、ナノ粒子分散インクが熱により経時変化することなく安定していることがわかる。なお、オーバーコート材１３に、ＡｌＮ、ＳｉＯ２を用いた場合でも同様の特性が得られた。
（実施例５）
実施例１と同様に、シリコンウェーハ１０の表面に下地膜１１を形成した。下地膜１１は、シランカップリングとＮｉメッキとの組み合わせにより形成した。
下地膜１１を形成した後は、実施例１と同様の工程を経て、Ａｇ含有のナノ粒子分散インクを用いて、配線パターンを描画し、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化した。
つぎに、配線パターンと密着していないＮｉメッキ膜の部分をプラズマエッチングにより除去した。
作製されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を用いて、その特性を実施例１と同様に計測したところ、図３と同様の結果が得られた。
（実施例６）
　ナノ粒子分散インクとして、ＡｇにＰｄを拡散させたものを使用した。センサ付きシリコンウェーハ１００の製造工程は、図１と同様に行った。
製作されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を用いて、その特性を実施例１と同様に計測したところ、図３と同様の結果が得られた。
（実施例７）
実施例４と同様に、オーバーコート処理を行った後に、配線パターンに電流を流しながら、センサ付きシリコンウェーハ１００の使用温度以上でアニール処理を所定時間施した。
製作されたセンサ付きシリコンウェーハ１００を用いて、その特性を実施例４と同様に計測したところ、図５と同様の結果が得られた。
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、実施例のセンサ付きシリコンウェーハの各製造工程における断面を示した図である。 図２は、ミアンダ配線部を２９箇所持つセンサ付きシリコンウェーハを示した図で、図２（ａ）は、センサ付きシリコンウェーハの表面を示した図で、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すセンサ付きシリコンウェーハの表面上の個々のセンサを拡大して示した図で、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示すセンサのミアンダ配線部を拡大して示した図である。 図３は、焼成処理後のセンサ付きシリコンウェーハを、２３℃に温調された冷却板と、１００℃に温調された熱板との間で所定の時間をかけて往復させて、センサ１の抵抗値の変化を繰り返し計測した結果を示すグラフである。 図４は、アニール処理後のセンサ付きシリコンウェーハを、２３℃に温調された冷却板と、１００℃に温調された熱板との間で所定の時間をかけて往復させて、センサ１の抵抗値の変化を繰り返し計測した結果を示すグラフである。 図５は、オーバーコート処理後のセンサ付きシリコンウェーハを、高温プロセス時の代表的な温度に相当する２５０℃に温調された蓋付熱板上に放置して同一ウエーハ上に描画された２箇所のセンサ各抵抗値の経時変化を繰り返し計測した結果を示すグラフである。

Claims (29)

  1. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  2. 請求項１において、基板は、シリコンウェーハまたはＧaＡsまたはＧaＰまたはＡl、Ｃu、Ｆe、Ｔi、ＳＵＳのいずれかの金属またはカーボンであること
    　を特徴とするセンサ付き基板。
  3. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度に変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  4. 請求項３において、基板は、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材であること
    　を特徴とするセンサ付き基板。
  5. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  6. 請求項１または２において、センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  7. 請求項３または４において、センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  8. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  9. 請求項１または２において、センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  10. 請求項３または４において、センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  11. 請求項５において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  12. 請求項６において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  13. 請求項７において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  14. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板の表面に、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされ、
    オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  15. 請求項９において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  16. 請求項１０において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  17. 請求項１１において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  18. 請求項１２において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  19. 請求項１３において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
    を特徴とするセンサ付き基板。
  20. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  21. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  22. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  23. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  24. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  25. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  26. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
    オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  27. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
    オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  28. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
    基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
    基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
    オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
  29. 高温プロセスにおける基板の温度または／および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
    センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または／および歪みに変換することにより、基板の温度または／および歪みを計測するものであり、
    基板は、Ａu、Ａg、Ｐt、Ｎi、Ｃuのいずれかの金属の微粒子かＡgにＰdまたはＣuまたはＳiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはＡg微粒子とＰdまたはＣuまたはＳiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
    基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
    ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
    センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と、
    オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
    を含むこと
    を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
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