JP5399730B2 - センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法 - Google Patents
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Description
C)シリコンウェーハ上にCVD法によりセンサを構成する金属薄膜を形成することにより、センサ付きシリコンウェーハを製造する方法(下記特許文献2等)
また、近年、基板上に配線パターンをナノ粒子分散インクを用いて描画する技術が開発されている。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とする。
基板は、シリコンウェーハまたはGaAsまたはGaPまたはAl、Cu、Fe、Ti、SUSのいずれかの金属またはカーボンであること
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とする。
基板は、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材であること
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされ、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とする。
直径300mmのシリコンウェーハ10の表面に下地膜11の材料を、スピンコート法(1000rpm×30sec)を用いて塗布し、150℃×1hrの熱処理により乾燥させた。つぎに、この下地膜11の上に、溶剤で50倍に薄めた撥液剤をスピンコート法(1000rpm×30sec)を用いて塗布し、150℃×1hrの熱処理により乾燥させた。つぎに、撥液剤を乾燥させたシリコンウェーハ10の表面に、Ag含有のナノ粒子分散インクを用いて、配線パターンを描画した。配線パターンの描画には、インクジェット装置を使用した。
実施例2では、上述の実施例1と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
実施例3では、上述の実施例1と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
実施例4では、上述の実施例1と同様な処理を経て、ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化させた。
実施例1と同様に、シリコンウェーハ10の表面に下地膜11を形成した。下地膜11は、シランカップリングとNiメッキとの組み合わせにより形成した。
ナノ粒子分散インクとして、AgにPdを拡散させたものを使用した。センサ付きシリコンウェーハ100の製造工程は、図1と同様に行った。
実施例4と同様に、オーバーコート処理を行った後に、配線パターンに電流を流しながら、センサ付きシリコンウェーハ100の使用温度以上でアニール処理を所定時間施した。
Claims (28)
- 高温プロセスにおけるシリコンウェーハの温度または/および歪みを計測するためのセンサが前記シリコンウェーハ上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、前記シリコンウェーハの温度または/および歪みを計測するものであり、
前記シリコンウェーハは、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
前記シリコンウェーハの表面に、当該シリコンウェーハ表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの前記シリコンウェーハに対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの前記シリコンウェーハ中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
当該下地膜の材料が、ポリイミドを含む有機材料またはNi、Cr、Ti、Al2O3、AlN、SiO2を含む無機材料またはこれらの有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料であり、
当該下地膜の処理方法が、スパッタまたはイオンプレーティングまたは蒸着またはスピンコートまたはディッピングまたはスクリーン印刷または熱融着またはシランカップリングとNiメッキの組み合わせ(スパッタまたはイオンプレーティングまたは蒸着は、有機材料または無機材料を用いて下地膜を処理する場合に適用され、スピンコートまたはディッピングまたはスクリーン印刷または熱融着は、有機材料またはハイブリッド材料を用いて下地膜を処理する場合に適用される)を含むものであって、
前記シリコンウェーハ表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とするセンサ付き基板であって、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項3において、基板は、シリコンウェーハまたはGaAsまたはGaPまたはAl、Cu、Fe、Ti、SUSのいずれかの金属またはカーボンであること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度に変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とするセンサ付き基板であって、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項5において、基板は、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材であること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項1において、センサの配線パターンが描画、金属化された前記シリコンウェーハの表面に、当該シリコンウェーハ表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、前記シリコンウェーハの反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項5または6において、センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項2において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項3において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項5において、センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板の表面に、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクが塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されており、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされ、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜が形成され、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とするセンサ付き基板であって、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされており、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項13において、基板は、シリコンウェーハまたはGaAsまたはGaPまたはAl、Cu、Fe、Ti、SUSのいずれかの金属またはカーボンであること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度に変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンが描画され、ナノ粒子分散インクが焼成され、金属化されていること
を特徴とするセンサ付き基板であって、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理がされており、
オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項15において、基板は、ガラスまたは石英ガラスまたはサファイヤまたはセラミックまたはポリイミドまたはテフロンまたはエポキシまたはこれらプラスチックの繊維強化材であること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項9において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項10において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 請求項11において、オーバーコート処理された基板が、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理されていること
を特徴とするセンサ付き基板。 - 高温プロセスにおけるシリコンウェーハの温度または/および歪みを計測するためのセンサが前記シリコンウェーハ上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、前記シリコンウェーハの温度または/および歪みを計測するものであり、
前記シリコンウェーハは、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
前記シリコンウェーハの表面に、当該シリコンウェーハ表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの前記シリコンウェーハに対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの前記シリコンウェーハ中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程であって、
当該下地膜の材料として、ポリイミドを含む有機材料またはNi、Cr、Ti、Al2O3、AlN、SiO2を含む無機材料またはこれらの有機材料と無機材料を混合したハイブリッド材料を用い、
当該下地膜の処理方法として、スパッタまたはイオンプレーティングまたは蒸着またはスピンコートまたはディッピングまたはスクリーン印刷または熱融着またはシランカップリングとNiメッキの組み合わせを含むもの(スパッタまたはイオンプレーティングまたは蒸着は、有機材料または無機材料を用いて下地膜を処理する場合に適用され、スピンコートまたはディッピングまたはスクリーン印刷または熱融着は、有機材料またはハイブリッド材料を用いて下地膜を処理する場合に適用される)を用いる工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散する基板であって、
基板の表面に、当該基板表面に下地膜が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜を形成する工程と、
基板表面の下地膜の表面に、ナノ粒子分散インクを用いて、センサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理をする工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。 - 高温プロセスにおける基板の温度または/および歪みを計測するためのセンサが基板上に設けられたセンサ付き基板の製造方法であって、
センサは抵抗体としての金属の抵抗値を計測し、温度または/および歪みに変換することにより、基板の温度または/および歪みを計測するものであり、
基板は、Au、Ag、Pt、Ni、Cuのいずれかの金属の微粒子かAgにPdまたはCuまたはSiを含む合金微粒子のナノ粒子分散インクまたはAg微粒子とPdまたはCuまたはSiの微粒子が混合されたナノ粒子分散インクに含まれる金属が拡散しない基板であって、
基板の表面に、ナノ粒子分散インクが直接塗布されてセンサの配線パターンを描画する工程と、
ナノ粒子分散インクを焼成し、金属化する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と、
センサの配線パターンが描画、金属化され、アニール処理された基板の表面に、当該基板表面にオーバーコート処理がされていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制し、基板の反りを低減することができ、空気の対流の影響を受けにくくなり、センサの配線パターンの裂傷を抑制することができるオーバーコート処理を行う工程と、
オーバーコート処理された基板を、高温プロセス時の温度以上の温度で、または、センサの配線パターンに電流を流しながら、アニール処理する工程と
を含むこと
を特徴とするセンサ付き基板の製造方法。
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