WO2010061662A1

WO2010061662A1 - 表示装置

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Publication number: WO2010061662A1
Application number: PCT/JP2009/062061
Authority: WO
Inventors: 森脇弘幸
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2008-11-26
Filing date: 2009-07-01
Publication date: 2010-06-03
Also published as: BRPI0920935A2; RU2464647C1; JP5192052B2; JPWO2010061662A1; EP2352138A1; US8780310B2; CN102203841B; CN102203841A; EP2352138A4; US20110234964A1

Abstract

本発明は、接続不良を防止しつつ狭額縁化が可能である表示装置を提供する。本発明は、外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、外部接続部品と、前記表示装置用基板及び前記外部接続部品を電気的に導通する導電部材とを備える表示装置であって、前記外部接続部品は、前記導電部材を介して前記外部接続端子に接続された接続部を有し、前記表示装置用基板は、前記外部接続端子の下層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下層に形成されるとともに前記層間絶縁膜の第一接続孔を通して前記外部接続端子に接続された配線接続部とを更に有し、前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置される表示装置である。

Description

表示装置

本発明は、表示装置に関する。より詳しくは、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の接続等を行うための外部接続端子が設けられた表示装置用基板を備える液晶表示装置や有機エレクトロルミネセンス表示装置（有機ＥＬディスプレイ）に好適な表示装置に関するものである。

近年、液晶表示装置、有機ＥＬディスプレイ等が実装される携帯電話、ＰＤＡ等の携帯型の電子機器において、より一層の小型化及び軽量化が要求されている。それに伴い、表示領域周辺の小型化、すなわち、狭額縁化を図っていく傾向があり、盛んに開発が行われている。

このような表示装置としては、例えば、走査線を駆動する走査線駆動回路に給電する共通配線及び信号線を駆動する信号線駆動回路に給電する共通配線と、上記共通配線の各々を絶縁する層間絶縁膜と、上記各々の共通配線の一部を露出するよう上記層間絶縁膜に設けられた複数のコンタクトホール上にそれぞれ位置する複数の外部接続端子と、を具備した表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開平１０－２８２５２２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術において狭額縁化しようとすると、表示装置用基板と、通常、熱圧着によって表示装置用基板に実装される外部接続部品との間で接続不良が発生することがあった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、接続不良を防止しつつ狭額縁化が可能である表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、接続不良を防止しつつ狭額縁化が可能である表示装置について種々検討したところ、表示装置用基板の外部接続端子に外部接続部品を熱圧着する際に、外部接続端子と外部接続部品の接続部とを電気的に接続させるために利用される導電部材によって、外部接続端子が圧壊されて接続不良を引き起こしやすいことに着目した。更に、本発明者らは、外部接続端子の圧壊を引き起こす要因が、（１）表示装置用基板において、外部接続端子の領域内に、上記外部接続端子よりも下層に形成された配線との電気的接続に利用される接続孔が、外部接続端子下の層間絶縁膜を貫通するように設けられていること、（２）外部接続端子を構成する導電層が、層間絶縁膜の上面上よりも接続孔の内壁面で薄く形成されやすいこと、（３）導電部材として、導電性ビーズ（導電性微粒子）を含有する異方性導電膜や半田が利用されていることであることを見出し、接続孔が配置された領域近傍で外部接続部品を熱圧着すると、接続不良が生じやすいことが分かった。

そこで、本発明者らは、更に検討したところ、外部接続部品の接続部及び導電部材が重なる領域以外に接続孔を配置することにより、導電部材を介して外部接続部品を表示装置用基板の外部接続端子に熱圧着したときに、接続孔が配置された領域に導電部材からの圧力がかかることを抑制することができ、外部接続端子の圧壊を効果的に抑制できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、外部接続部品と、前記表示装置用基板及び前記外部接続部品を電気的に導通する導電部材とを備える表示装置であって、前記外部接続部品は、前記導電部材を介して前記外部接続端子に接続された接続部を有し、前記表示装置用基板は、前記外部接続端子の下層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下層に形成されるとともに前記層間絶縁膜の第一接続孔を通して前記外部接続端子に接続された配線接続部とを更に有し、前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置される表示装置（以下、本発明の第一の表示装置とも言う。）である。

本発明の第一の表示装置では、外部接続端子の下に下層配線が設けられることから、狭額縁化が可能である。

また、本発明の第一の表示装置では、外部接続部品を表示装置用基板に熱圧着したとしても、接続部及び導電部材が重なって熱圧着時に圧力が加わる領域に第一接続孔がないことから、導電部材によって外部接続端子の導電層が圧壊されるのを抑制できる。以上より、本発明の第一の表示装置によれば、接続不良を防止しつつ狭額縁化が可能である。

なお、本明細書において、上とは、表示装置用基板に含まれる絶縁基板（例えば、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板）からより遠い方を意味し、一方、下とは、表示装置用基板に含まれる絶縁基板により近い方を意味する。すなわち、上層とは、表示装置用基板に含まれる絶縁基板からより遠い層を意味し、一方、下層とは、表示装置用基板に含まれる絶縁基板により近い層を意味する。

また、本明細書において、接続孔は、コンタクトホール、スルーホール、ビアホールと呼ばれるものであってもよい。

更に、上記接続部は、表示装置用基板に接続し得る配線やバンプ等の接続端子である。

そして、上記配線接続部は、配線の一部であり、より詳細には、他の配線や端子等の導電部材に接続（接触）している部分であり、上記下層配線の一部であってもよいし、前記層間絶縁膜の下層に形成された上記下層配線以外の配線（例えば、引き回し配線）の一部であってもよい。

本発明の第一の表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

本発明の第一の表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各形態は適宜組み合わされてもよい。

前記表示装置用基板は、前記配線接続部を介して前記外部接続端子に電気的に導通されるとともに前記表示装置用基板を平面視したときに前記外部接続部品に重なり、かつ前記外部接続端子を構成する導電層と同一の導電層を含む上層配線を更に有し、前記上層配線は、前記層間絶縁膜の第二接続孔を通して前記下層配線に接続され、前記第二接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置されてもよい。これにより、狭額縁化を実現しつつ、表示装置用基板の高機能化が可能である。

なお、本明細書で、ある部材Ａがある部材Ｂに重なる形態は、部材Ａの全部が部材Ｂに重なっていてもよいし、部材Ａの一部が部材Ｂに重なっていてもよい。また、上層配線が、外部接続端子を構成する導電層と同一の導電層を含むとは、外部接続端子に含まれる導電層とそれに対応する上層配線に含まれる導電層とが実質的に同一の組成を有しており、外部接続端子に含まれる導電層を形成する工程において、上層配線に含まれる導電層を一括して形成することができる関係にあることをいう。すなわち、外部接続端子に含まれる導電層と上層配線に含まれる導電層とは、同一工程で形成された場合に生じ得る程度の差異であれば組成が異なっていてもよい。

前記表示装置用基板は、前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路に接続された静電放電保護回路を更に有してもよい。これにより、外部接続部品からのノイズや静電放電による半導体素子の劣化や破壊を抑制することができる。

前記表示装置用基板は、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された薄膜トランジスタを更に有し、前記下層配線は、前記ゲート電極に電気的に導通されてもよい。これにより、外部接続部品からのノイズや静電放電による半導体素子の劣化や破壊をより効果的に抑制することができる。

前記表示装置用基板は、前記下層配線を含む複数の共通配線を有してもよい。

前記上層配線は、前記複数の共通配線と交差してもよい。これにより、外部接続端子と、外部接続端子の下の任意の共通配線とを接続することができる。

前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路には、前記複数の共通配線の内の少なくとも２つの配線が接続されてもよい。これにより、同電位の信号を複数の共通配線に伝達することができる。

前記外部接続端子及び前記上層配線は、２層以上の配線層を介して接続されてもよい。これにより、外部接続端子及び上層配線を繋ぐ配線の配置層を、交差する他の配線や素子の配置層に応じて変更することができ、更なる狭額縁化や信頼性の向上が可能になる。

前記表示装置は、表示素子を封止する封止材を更に有してもよい。

前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域と前記封止材との間に配置されてもよい。これにより、封止材及び導電部材の間のマージン領域に接続孔を配置することができ、接続不良を抑制しつつ、額縁部の増加を最小限に抑制することができる。

前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材よりも前記表示装置用基板の内側に配置されてもよい。これにより、外部接続端子の接触部分の信頼性を向上することができる。

前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材に重なってもよい。これにより、より狭額縁化が可能である。

前記表示装置用基板は、前記封止材内に形成されたフォトスペーサを更に有してもよい。これにより、接続不良等の不良を抑制しつつ、更なる狭額縁化や信頼性の向上が可能になる。

前記表示装置用基板は、前記封止材の下に形成された絶縁膜を更に有してもよい。これにより、接続不良等の不良を抑制しつつ、更なる狭額縁化や信頼性の向上が可能になる。

前記絶縁膜は、前記封止材の略全ての領域の下に配置されてもよい。これにより、液晶表示装置において、絶縁膜の段差に起因してセル厚ムラが発生し、表示品位が低下するのを抑制することができる。

前記導電部材は、導電性微粒子を含んでもよい。特に異方性導電膜を用いた場合に、異方性導電膜中の導電性微粒子によって外部接続端子の導電層が環状に切断され、接続不良が発生しやすかった。本発明の第一の表示装置によれば、導電性微粒子が含まれる場合に、特に効果的に接続不良等の不良が発生するのを抑制することができる。

前記表示装置用基板は、前記第一接続孔、前記外部接続端子、前記配線接続部及び前記下層配線を複数有し、前記複数の下層配線は、前記表示装置用基板を平面視したとき、前記複数の外部接続端子を横切って並走するとともに外側の下層配線から順に延伸方向（複数の外部接続端子を横切る方向）に対して同一方向側に屈曲し、前記複数の配線接続部の各々は、前記複数の下層配線のいずれかの屈曲したその先の部分であってもよい。この形態では、下層配線が複数の外部接続端子を横切る部分に第一接続孔を配置しないので、下層配線の配線間隔を小さくできる。そのため、外部接続端子の下に配置できる下層配線の数が増し、更なる狭額縁化が可能になる。

なお、複数の下層配線が並走するとは、複数の下層配線が厳密に平行になるように並置される必要はない。また、複数の下層配線が同一方向側に屈曲するとは、複数の下層配線が厳密に同じ方向に屈曲する必要はなく、例えば、複数の下層配線が表示装置用基板の内側及び外周側のいずれか一方に揃って屈曲している形態が挙げられる。更に、外側の下層配線は、表示装置用基板の外周側に位置する下層配線であってもよいし、表示装置用基板の内側に位置する下層配線であってもよい。

前記複数の第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに同一直線上に設けられてもよい。これにより、より狭額縁化することができる。

本発明はまた、外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、第一外部接続部品及び第二外部接続部品とを備える表示装置であって、前記第一外部接続部品及び前記第二外部接続部品は、前記下層配線を介して接続されるとともに、前記表示装置用基板の外周に沿って並置される表示装置（以下、本発明の第二の表示装置とも言う。）でもある。

本発明の第二の表示装置では、外部接続端子の下に下層配線が設けられるとともに、第一外部接続部品及び第二外部接続部品が表示装置用基板の外周に沿って並置されることから狭額縁化が可能である。

本発明の第二の表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

なお、本発明の第二の表示装置と、本発明の第一の表示装置及びその各種形態とは、適宜組み合わされてもよく、これにより、接続不良を防止しつつ更なる狭額縁化が可能である。

本発明の第一の表示装置によれば、接続不良を防止しつつ狭額縁化が可能である。本発明の第二の表示装置によれば、狭額縁化が可能である。

実施形態１の液晶表示装置の額縁部の構成を示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示装置の額縁部の構成部を示す断面模式図であり、（ａ）は、図１中のＡ－Ｂ線に沿った断面図であり、（ｂ）は、図１中のＣ－Ｄ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部の構成を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、図３－１中のＥ－Ｆ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図５－１中のＧ－Ｈ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図６－１中のＩ－Ｊ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図７－１中のＫ－Ｌ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図８－１中のＭ－Ｎ線に沿った断面図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態３の液晶表示装置の額縁部の構成を示す平面模式図である。実施形態３の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、（ａ）は、図１２中のＰ－Ｑ線に沿った断面図であり、（ｂ）は、図１２中のＲ－Ｓ線に沿った断面図である。比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図である。比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図であり、図１４－１中のＴ－Ｕ線に沿った断面図である。比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。実施形態１の液晶表示装置の額縁部の構成を示す別の平面模式図である。比較形態の液晶表示装置の額縁部の構成を示す平面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の液晶表示装置の額縁部（表示領域外の外周部）の構成を示す平面模式図である。図２は、実施形態１の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、（ａ）は、図１中のＡ－Ｂ線に沿った断面図であり、（ｂ）は、図１中のＣ－Ｄ線に沿った断面図である。

本実施形態の液晶表示装置１００は、図１、図２に示すように、表示装置用基板である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１１１と、外部接続部品であるＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）１７０及びＩＣチップ１７５とが、液晶表示装置の額縁部においてＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）１８０により接続された構造を有する。ＦＰＣ１７０及びＩＣチップ１７５は、平面視矩形状のＴＦＴ基板１１１の一辺に沿って並んで配置されている。本実施形態及び後述する他の実施形態において、ＦＰＣ１７０は、柔軟性がある基材のみから構成されてもよいし、柔軟性がある基材に硬質の部材（リジッド）が付与されたリジッドＦＰＣであってもよいが、以下では、リジッドＦＰＣとした例を説明する。ポリイミド等からなる柔軟性がある基材部分はＦＰＣと呼ばれ、液晶コントローラ等を構成する各種チップや、抵抗、コンデンサ等の電子部品の搭載部分はリジッドと呼ばれ、基材部分とリジッドとを合わせてリジッドＦＰＣと呼ばれる。

液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板１１１の他に、ＴＦＴ基板１１１に対向配置されたＣＦ基板を有する。ＣＦ基板は、絶縁基板上に、（１）遮光部材からなるブラックマトリクス、赤、緑及び青のカラーフィルタと、（２）オーバーコート層と、（３）透明導電膜からなる共通電極と、（４）配向膜とを絶縁基板側からこの順に備える。ＴＦＴ基板１１１及びＣＦ基板の外周部は、枠状に設けられた封止材により封止され、更に、ＴＦＴ基板１１１及びＣＦ基板の間には液晶材料が充填されている。リジッドＦＰＣ１７０及びＩＣチップ１７５は、ＴＦＴ基板１１１及びＣＦ基板が対向する領域よりも外側のＴＦＴ基板１１１上に配置されている。

リジッドＦＰＣ１７０は、基材１７２上に、互いに平行に並設された複数の配線１７１が形成され、この配線１７１がリジッドＦＰＣ１７０の接続端子（接続部）として機能する。リジッドＦＰＣ１７０には、液晶コントローラ等を構成する各種チップや、抵抗、コンデンサ等の電子部品が搭載されている。

ＩＣチップ１７５は、信号入力用バンプ１７６及び信号出力用バンプ１７７を有し、このバンプ１７６、１７７がＩＣチップ１７５の接続端子（接続部）として機能している。ＩＣチップ１７５は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によってＴＦＴ基板１１１にベアチップ実装されている。なお、ＩＣチップ１７５には、通常、ソースドライバ、ゲートドライバ、電源回路、センサ回路等が作り込まれるが、ＩＣチップ１７５に作り込まれる回路は、ＴＦＴ基板１１１上に作り込まれるＴＦＴの性能によって決定される。すなわち、ＴＦＴ基板１１１上に作り込まれるＴＦＴの性能は、その材質、例えば、ＬＰＳ（低温ポリシリコン）、ＣＧＳ（連続粒界結晶シリコン）、アモルファスシリコンのいずれであるかによって異なるので、ＴＦＴ基板１１１上に作り込まれるＴＦＴにより回路が動作可能であるか、回路規模が大きくならないか、歩留まりが低下しないか等を考慮して、ＩＣチップ１７５及びＴＦＴ基板１１１上に作り込まれる回路が決定される。信号入力用バンプ１７６は、並設され、信号出力用バンプ１７７は、千鳥状に、すなわち互い違いに二列に設けられている。なお、ＩＣチップ１７５は、もちろん、ＬＳＩチップであってもよい。

ＴＦＴ基板１１１上には、リジッドＦＰＣ１７０の配線１７１に対応し、互いに平行に一列に並設された複数の外部接続端子１４１と、信号入力用バンプ１７６に対応し、互いに平行に一列に並設された複数の外部接続端子１４２と、信号出力用バンプ１７７に対応し、短冊状に設けられた外部接続端子１４３とが形成されている。

ＡＣＦ１８０は、外部接続端子１４１、１４２、１４３を覆うように設けられている。外部接続端子１４１は、ＡＣＦ１８０中の導電部材である導電性ビーズ（導電性微粒子）１８１を介してリジッドＦＰＣ１７０の配線１７１に接続され、外部接続端子１４２は、導電性ビーズ１８１を介して信号入力用バンプ１７６に接続され、外部接続端子１４３は、導電性ビーズ１８１を介して信号出力用バンプ１７７に接続されている。

外部接続端子１４１は、その下層に形成された層間絶縁膜１５２に設けられたコンタクトホール１３１を通して、層間絶縁膜１５２の下層に形成された下層配線である配線１１２の一方の端部に位置する配線接続部に接続される。なお、配線接続部とは、配線の一部であり、より詳細には、他の配線や端子等の導電部材に接続（接触）している部分である。配線１１２は、外部接続端子１４１の下から外部接続端子１４２の下まで延伸され、配線１１２の他方の端部に位置する配線接続部が、層間絶縁膜１５２に設けられたコンタクトホール１３２を通して外部接続端子１４２に接続されている。これにより、リジッドＦＰＣ１７０からＩＣチップ１７５に信号や電源が供給される。

コンタクトホール１３１は、ＴＦＴ基板１１１の外周側に位置する外部接続端子１４１の端部に対応して同一軸上（配線１１２の延伸方向と平行な軸上）に設けられている。コンタクトホール１３１は、リジッドＦＰＣ１７０の配線１７１と重なるが、ＡＣＦ１８０とは重ならない位置にあり、配線１７１及びＡＣＦ１８０が互いに重なり合う領域以外に配置されたものである。したがって、外部接続端子１４１はそれぞれ、配線１７１及びＡＣＦ１８０が互いに重なり合う領域以外で配線１１２のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子１４１は、リジッドＦＰＣ１７０の配線１７１に接続されている部分（導電性ビーズ１８１に接触している部分）と、配線１１２に接続されている部分（配線１１２の配線接続部に接触している部分）とが別々に設けられている。そして、配線１１２に接続されている部分は、リジッドＦＰＣ１７０の配線１７１及びＡＣＦ１８０の両方と重ならないように配置されている。

コンタクトホール１３２は、ＴＦＴ基板１１１の外周側に位置する外部接続端子１４２の端部に対応して同一軸上（配線１１２の延伸方向と平行な軸上）に設けられている。コンタクトホール１３２は、信号入力用バンプ１７６及びＡＣＦ１８０のいずれとも重ならない位置にある。したがって、外部接続端子１４２はそれぞれ、信号入力用バンプ１７６及びＡＣＦ１８０が互いに重なり合う領域以外で配線１１２のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子１４２は、信号入力用バンプ１７６に接続されている部分（導電性ビーズ１８１に接触している部分）と、配線１１２に接続されている部分（配線１１２の配線接続部に接触している部分）とが別々に設けられている。そして、配線１１２に接続されている部分は、信号入力用バンプ１７６及びＡＣＦ１８０の両方と重ならないように配置されている。

外部接続端子１４１及び外部接続端子１４２は、ＡＣＦ１８０の配置領域に沿って配列され、配線１１２は、外部接続端子１４１、１４２の下では、主に外部接続端子１４１、１４２の配列方向に沿って並設されている。配線１１２は、一方の端部近傍で、ＴＦＴ基板１１１の外周側に位置する配線から順番に、同一方向側（ＴＦＴ基板１１１の外周側で、かつ配線１１２の延伸方向に直交する方向）に屈曲している。そして、屈曲した先に外部接続端子１４１と接触する配線接続部が設けられている。また、配線１１２は、他方の端部近傍でも、ＴＦＴ基板１１１の外周側に位置する配線から順番に、同一方向側（ＴＦＴ基板１１１の外周側で、かつ配線１１２の延伸方向に直交する方向）に屈曲している。そして、屈曲した先に外部接続端子１４２と接触する配線接続部が設けられている。このように、配線１１２は、平面視コの字形状を有する。

他方、外部接続端子１４３は、層間絶縁膜１５２に設けられたコンタクトホール１３３を通して、層間絶縁膜１５２の下層に形成された下層配線である共通配線１１５の一方の端部に位置する配線接続部に接続される。共通配線１１５は、外部接続端子１４３の下から外部接続端子１４１の下を通るように延伸され、ＴＦＴ基板１１１に作り込まれた素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続される。上記半導体素子は、通常、トランジスタ、より詳細には、ＴＦＴである。共通配線１１５の一本一本は、２以上の素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続され、共通の信号や電源を供給する。これにより、ＩＣチップ１７５で生成された出力信号や出力電源がＴＦＴ基板１１１に作り込まれた各素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に供給される。

コンタクトホール１３３は、ＴＦＴ基板１１１の内側に位置する外部接続端子１４３の端部に対応して千鳥状に設けられている。コンタクトホール１３３は、信号出力用バンプ１７７及びＡＣＦ１８０のいずれとも重ならない位置にある。したがって、外部接続端子１４３はそれぞれ、信号出力用バンプ１７７及びＡＣＦ１８０が互いに重なり合う領域以外で共通配線１１５のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子１４３は、信号出力用バンプ１７７に接続されている部分（導電性ビーズ１８１に接触している部分）と、共通配線１１５に接続されている部分（共通配線１１５の配線接続部に接触している部分）とが別々に設けられている。そして、共通配線１１５に接続されている部分は、信号出力用バンプ１７７及びＡＣＦ１８０の両方と重ならないように配置されている。

外部接続端子１４１及び外部接続端子１４３は、ＡＣＦ１８０の配置領域に沿って配列され、共通配線１１５は、外部接続端子１４１、１４３の下では、主に外部接続端子１４１、１４３の配列方向に沿って並設されている。共通配線１１５は、一方の端部近傍で、ＴＦＴ基板１１１の内側に位置する配線から順番に、同一方向側（ＴＦＴ基板１１１の内側で、かつ共通配線１１５の延伸方向に直交する方向）に屈曲している。そして、屈曲した先に外部接続端子１４３と接触する配線接続部が設けられている。このように、共通配線１１５は、平面視Ｌ字形状を有する。

また、ＴＦＴ基板１１１のリジッドＦＰＣ１７０に重なる領域及びＩＣチップ１７５に重なる領域には、ＴＦＴ１２９や引き回し配線１３０を含む回路ブロック１４６が直接作り込まれている。回路ブロック１４６内には、ソースドライバ、ゲートドライバ、電源回路等のＩＣチップ１７５と重複しない回路が形成されている。

以下、液晶表示装置１００の断面構造についてより詳細に説明する。
ＴＦＴ基板１１１は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、額縁部において、絶縁基板１２１上に、ベースコート膜１２２と、半導体層１２３と、ゲート絶縁膜１２４と、第一配線層１６１と、層間絶縁膜１５１と、第二配線層１６２と、層間絶縁膜１５２と、第三配線層１６３と、透明導電層１６４とが絶縁基板１２１側からこの順に積層された構造を有する。ＴＦＴ１２９は、半導体層１２３と、ゲート絶縁膜１２４と、第一配線層１６１からなるゲート電極１２５とを含み、半導体層１２３のソース・ドレイン領域には、層間絶縁膜１５１及びゲート絶縁膜１２４を貫通するコンタクトホールを通して、第二配線層１６２からなるソース・ドレイン配線１２８が接続されている。

また、第一配線層１６１により引き回し配線１３０が形成されている。配線１１２及び共通配線１１５は、第二配線層１６２により形成され、外部接続端子１４１、１４２、１４３は、第三配線層１６３及び透明導電層１６４の積層体を用いて形成されている。ＴＦＴ基板１１１及びリジッドＦＰＣ１７０と、ＴＦＴ基板１１１及びＩＣチップ１７５とはそれぞれ、ＡＣＦ１８０を介して熱圧着されることによって、ＡＣＦ１８０に含まれる導電性ビーズ１８１により接続されるとともに、ＡＣＦ１８０に含まれる熱硬化性樹脂等からなる接着成分１８２により固着される。

また、外部接続端子１４１、１４２、１４３と、それらに対応するリジッドＦＰＣ１７０の配線１７１、ＩＣチップ１７５の信号入力用バンプ１７６及び信号出力用バンプ１７７とには、熱圧着時に導電性ビーズ１８１を介して圧力が加わることになる。したがって、この圧力が加わる領域（配線１７１、信号入力用バンプ１７６及び信号出力用バンプ１７７と導電性ビーズ１８１とが重なる領域）に、仮にコンタクトホール１３１、１３２、１３３を設けた場合、コンタクトホール内では第三配線層１６３及び透明導電層１６４の積層体の膜厚が他の部分よりも薄くなってしまうこともあり、熱圧着時にこの領域において外部接続端子１４１、１４２、１４３が圧壊され、接続不良が生じるおそれがある。特に導電部材としてＡＣＦ１８０に含まれる導電性ビーズ１８１を用いた場合、外部接続端子１４１、１４２、１４３が環状に切断され、頻繁に接続不良が発生することが懸念される。

それに対して、液晶表示装置１００においては、コンタクトホール１３１、１３２、１３３は、ＴＦＴ基板１１１を平面視したときにリジッドＦＰＣ１７０の配線１７１、ＩＣチップ１７５の信号入力用バンプ１７６及び信号出力用バンプ１７７と導電性ビーズ１８１とがそれぞれ重なる領域以外に配置されている。したがって、熱圧着時に外部接続端子１４１、１４２、１４３の上面の比較的厚い部分のみに導電性ビーズ１８１を接触させ、熱圧着時においてコンタクトホール１３１、１３２、１３３内の膜厚が薄い部分の外部接続端子１４１、１４２、１４３に導電性ビーズ１８１を介して圧力が加わるのを防止することができる。その結果、外部接続端子１４１、１４２、１４３の圧壊に起因して、ＴＦＴ基板１１１、リジッドＦＰＣ１７０、ＴＦＴ基板１１１及びＩＣチップ１７５の間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

また、現状の量産化技術の水準では、配線１１２、共通配線１１５等の配線群の配線幅及び配線間隔（ライン　アンド　スペース）の微細化は、ドライエッチングを用いた微細加工技術において、２μｍ程度まで可能となっている。一方で、配線群の上層に設けられる層間絶縁膜１５２として感光性有機絶縁膜を用い、フォトリソグラフィを行う場合、４μｍ程度の微細加工が限界となる。したがって、この配線群上に、外部接続端子１４１、１４２、１４３に接続するためのコンタクトホール１３１、１３２、１３３を形成するためには、コンタクトホール１３１、１３２、１３３の位置制御精度、コンタクトホール１３１、１３２、１３３の微細加工精度の点から、実際には、配線群の幅よりもコンタクトホール１３１、１３２、１３３を大きく形成する必要が生じる。そのため仮に、単に配線群の延伸部分の上にコンタクトホール１３１、１３２、１３３を配置してしまうと、各配線間の距離も大きくなってしまい、外部接続端子１４１、１４２、１４３の下に配置できる配線数が減少してしまうことが懸念される。

それに対して、液晶表示装置１００においては、配線１１２は、ＴＦＴ基板１１１を平面視したとき、外部接続端子１４１、１４２を横切って並走するとともに外側のものから順に延伸方向に対して同一方向側に屈曲し、屈曲した先（配線接続部）にコンタクトホール１３１やコンタクトホール１３２が接続されている。また、共通配線１１５は、ＴＦＴ基板１１１を平面視したとき、外部接続端子１４１、１４３を横切って並走するとともに延伸方向に対して同じ方向に屈曲し、屈曲した先（配線接続部）にコンタクトホール１３３が接続されている。このように、配線１１２及び共通配線１１５の延伸部分の上にコンタクトホール１３１、１３２、１３３を配置しないことにより、層間絶縁膜１５２として感光性有機絶縁膜を用いたとしても、配線１１２や共通配線１１５等の配線群のライン　アンド　スペースをできるだけ小さく保つことができる。また、配線群の本数に関わらずライン　アンド　スペースをできるだけ小さく保つことができる。したがって、外部接続端子１４１、１４２、１４３の下に配置できる配線数を減少させる必要がないので、狭額縁化が可能になる。

また、コンタクトホール１３１、１３２は、ＴＦＴ基板１１１を平面視したときに同一直線上（より好適には、配線１１２の延伸方向と平行な軸上）に設けられることから、コンタクトホール１３１、１３２をばらばらに、例えばジグザグに配置した場合に比べて、コンタクトホール１３１、１３２の個々の大きさを確保しつつ、コンタクトホール１３１、１３２が配置される領域全体の面積を抑制することができる。すなわち、より狭額縁化することができる。

なお、コンタクトホール１３１、１３２、１３３の平面形状は特に限定されず、また、コンタクトホール１３１、１３２、１３３は、複数の孔に分割されていてもよい。

また、液晶表示装置１００において、リジッドＦＰＣ１７０及びＩＣチップ１７５は、下層配線である配線１１２を介して接続されるとともに、図１６に示すように、ＴＦＴ基板１１１の外周に沿って並置される。これにより、図１７に示す比較形態のように、リジッドＦＰＣ１７０及びＩＣチップ１７５をＴＦＴ基板１１１の外周側からこの順に配置した場合に比べて狭額縁化が可能である。液晶表示装置１００においては、外部接続端子の下層に配線を形成することで外部接続端子からパネル内側に向かう引き出し配線が不要となり、端子下で引き出し配線を引き回せるため、狭額縁化が可能となった。従来の場合は、並置してもパネル内側に向かう引き出し配線が必要なため、狭額縁化の効果がなかった。

以下に、実施形態１の液晶表示装置の製造方法の例を説明する。
まず、絶縁基板１２１に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板１２１としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板等が好適である。次に、以下（１）～（１５）の工程を行う。

（１）ベースコート膜の形成工程
絶縁基板１２１上に、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法により膜厚５０ｎｍのＳｉＯＮ膜と、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ_ｘ膜とをこの順に成膜し、ベースコート膜１２２を形成する。ＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ_４）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等が挙げられる。なお、ＳｉＯ_ｘ膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル（Ｔｅｔｒａ　Ｅｔｈｙｌ　Ｏｒｔｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜１２２は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等を用いて形成された窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を含んでもよい。

（２）半導体層の形成工程
ＰＥＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）膜を形成する。ａ－Ｓｉ膜形成のための原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法により形成したａ－Ｓｉ膜には水素が含まれているため、約５００℃でａ－Ｓｉ膜中の水素濃度を低減する処理（脱水素処理）を行う。続いて、レーザアニールを行い、ａ－Ｓｉ膜を溶融、冷却及び結晶化させることにより、多結晶シリコン（ポリシリコン、ｐ－Ｓｉ）膜を形成する。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。ｐ－Ｓｉ膜の形成には、レーザアニールの前処理として、（連続粒界結晶シリコン（ＣＧ－シリコン）化するため）、脱水素処理せずニッケル等の金属触媒を塗布して、熱処理による固相成長を行ってもよい。また、ａ－Ｓｉ膜の結晶化としては、熱処理による固相成長のみを行ってもよい。次に、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスによるドライエッチングを行い、ｐ－Ｓｉ膜をパターニングし、半導体層１２３を形成する。

（３）ゲート絶縁膜の形成工程
次に、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いて、膜厚４５ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１２４を形成する。ゲート絶縁膜１２４の材質としては特に限定されず、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。ＳｉＮ_ｘ膜及びＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、ゲート絶縁膜１２４は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。

（４）イオンドーピング工程
ＴＦＴ１２９の閾値を制御するために、イオンドーピング法、イオン注入法等により、半導体層１２３に対してボロン等の不純物をドーピングする。より具体的には、Ｎチャネル型ＴＦＴ及びＰチャネル型ＴＦＴとなる半導体層に対してボロン等の不純物をドーピングした後（第一のドーピング工程）、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる半導体層をレジストによりマスクした状態で、Ｎチャネル型となる半導体層に対して更にボロン等の不純物をドーピングする（第二のドーピング工程）。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの閾値制御が必要でない場合は、第一のドーピング工程は行わなくてもよい。

（５）第一配線層の形成工程
次に、スパッタリング法を用いて、膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（ＴａＮ）膜と膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）膜とをこの順に成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、アルゴン（Ａｒ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、酸素（Ｏ_２）、塩素（Ｃｌ_２）等の分量を調整して作製された混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングを行い第一配線層１６１を形成する。第一配線層１６１の材料としては、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の表面が平坦で特性の安定した高融点金属や、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属が挙げられる。また、第一配線層１６１は、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。

（６）ソース・ドレイン領域の形成工程
次に、ＴＦＴ１２９のソース・ドレイン領域を形成するため、ゲート電極１２５をマスクとして、半導体層１２３に対して、Ｎチャネル型ＴＦＴではリン等の不純物を、Ｐチャネル型ＴＦＴではボロン等の不純物をイオンドーピング法、イオン注入法等により高濃度にドーピングする。このとき、必要に応じて、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）領域を形成してもよい。続いて、半導体層１２３中に存在している不純物イオンを活性化させるために、約７００℃、６時間の熱活性化処理を行う。これにより、ソース・ドレイン領域の電気伝導性を向上させることができる。なお、活性化の方法としては、エキシマレーザを照射する方法等も挙げられる。

（７）層間絶縁膜及びコンタクトホールの形成工程
次に、絶縁基板１２１全面にＰＥＣＶＤ法により、膜厚１００～４００ｎｍ（好適には、２００～３００ｎｍ）のＳｉＮ_ｘ膜と、膜厚５００～１０００ｎｍ（好適には、６００～８００ｎｍ）のＴＥＯＳ膜とを成膜することによって、層間絶縁膜１５１を形成する。層間絶縁膜１５１としては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等によりＴＦＴ特性が低下するのを抑制するとともに、ＴＦＴ１２９の電気特性を安定化するため、層間絶縁膜１５１の下層には５０ｎｍ程度の薄いキャップ膜（例えば、ＴＥＯＳ膜等）を形成してもよい。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いてゲート絶縁膜１２４及び層間絶縁膜１５１のウェットエッチングを行い、ゲート絶縁膜１２４及び層間絶縁膜１５１にコンタクトホールを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。

（８）水素化工程
次に、層間絶縁膜１５１のＳｉＮ_ｘ膜から供給される水素によって半導体層１２３のＳｉ結晶の欠陥補正を行うため、約４００℃で１時間、熱処理を行う。

（９）第二配線層の形成工程
次に、スパッタ法等で、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第二配線層１６２を形成する。なお、第二配線層１６２を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ－Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第二配線層１６２を構成する金属として、上述した第一配線層１６１の材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（１０）層間絶縁膜及びコンタクトホールの形成工程
次に、絶縁基板１２１全面にスピンコート法等の塗布法により、膜厚１～５μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂膜を成膜することによって、層間絶縁膜１５２を形成する。層間絶縁膜１５２の材料としては、非感光性アクリル樹脂等の非感光性樹脂や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系、ポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、層間絶縁膜１５２の材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。層間絶縁膜１５２の材料として、感光性樹脂を用いた場合には、まず、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して感光性樹脂膜を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール１３１、１３２、１３３となる領域の感光性樹脂膜を除去する。続いて、感光性樹脂膜のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、層間絶縁膜１５２の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール１３１、１３２、１３３のアスペクト比を低減することができる。また、層間絶縁膜１５２のコンタクト部（コンタクトホール１３１、１３２、１３３となる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。なお、層間絶縁膜１５２は、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。

（１１）第三配線層の形成工程
次に、スパッタ法等により、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第三配線層１６３を形成する。なお、第三配線層１６３を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ－Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第三配線層１６３を構成する金属として、上述した第一配線層１６１の材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（１２）有機絶縁膜の形成工程
次に、スピンコート法等により、膜厚１～３μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜を成膜することによって、ＴＦＴ基板１１１の表示領域に有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、非感光性アクリル樹脂膜等の非感光性樹脂膜や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系、ポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜の材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。ここでは、基板１２１全面にスピンコート法等により、膜厚１～５μｍ（好適には、２～３μｍ）の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、有機絶縁膜を形成する。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して有機絶縁膜を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホールとなる領域の有機絶縁膜を除去する。続いて、有機絶縁膜のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホールのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜のコンタクト部（コンタクトホールとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。

（１３）透明導電層の形成工程
次に、スパッタリング法等によって、膜厚５０～２００ｎｍ（好適には、１００～１５０ｎｍ）のＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、透明導電層１６４を形成する。このとき、ＴＦＴ基板１１１の表示領域には、各画素に対応してマトリクス状に画素電極が形成される。その後、表示領域に配向膜を塗布するとともに、配向膜の配向処理を行うことにより、ＴＦＴ基板１１１が完成する。

なお、外部接続端子１４１、１４２、１４３は、透明導電層１６４の単層から形成されてもよいが、外部接続端子１４１、１４２、１４３の電気抵抗を低減する観点からは、最上層導電層である透明導電層１６４と、最上層導電層の一層下の導電層である第三配線層１６３との積層体であることが好ましい。外部接続端子１４１、１４２、１４３を最上層導電層のみから形成した場合、最上層導電層は、通常、ＩＴＯ膜等の透明導電膜であり、シート抵抗値が高くなるが、下層のより低抵抗な導電層との積層構造にすることで、外部接続端子１４１、１４２、１４３のシート抵抗値を低減することが期待できる。なお、一層下の導電層を除去して最上層導電層と二層下の導電層（本実施形態では第二配線層１６２）との積層構造にする場合には、二層下の導電層の表面がドライエッチング等によりダメージを受けるため、二層下の導電層と最上層配線層とのコンタクト抵抗が増大し、結果的に端子抵抗が増加するおそれがある。したがって、外部接続端子１４１、１４２、１４３の端子抵抗を低減する観点から、透明導電層１６４（最上層導電層）の下に、第三配線層１６３（一層下の導電層）を残している。

（１４）パネル組み立て工程
次に、ＴＦＴ基板１１１及びＣＦ基板の貼り合わせ工程と、液晶材料の注入工程と、偏光板の貼り付け工程とを行うことによって液晶表示パネルを作製する。液晶材料を注入する方法としては、滴下注入法、真空注入法等が挙げられる。真空注入法では、ＴＦＴ基板１１１及びＣＦ基板の貼り合わせに用いられる封止材の一部に液晶注入口を設けておき、そこから液晶材料を注入し、その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止する。

また、液晶表示パネルの液晶モードとしては特に限定されず、例えば、ツイステッドネマチック（ＴＮ：Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、垂直配向モード（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＶＡＴＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等が挙げられる。また、液晶表示パネルは、配向分割され、画素内に複数のドメインが形成されたものであってもよい。更に、液晶表示パネルは、透過型であってもよしい、反射型であってもよしい、半透過型（反射透過両用型）であってもよい。そして、液晶表示パネルの駆動方式は、単純マトリクス型に変更することも可能である。

（１５）リジッドＦＰＣ及びＩＣチップの貼り付け工程
次に、接着成分１８２（例えば、熱硬化性エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂）中に導電性ビーズ１８１が分散されたＡＣＦ（異方性導電膜）１８０を介して、ＴＦＴ基板１１１及びリジッドＦＰＣ１７０を熱圧着するとともに、ＴＦＴ基板１１１及びＩＣチップ１７５を熱圧着する。

その後、液晶表示パネルとバックライトユニットとを組み合わせることによって、本実施形態の液晶表示装置１００を完成することができる。

（実施形態２）
図３－１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部（表示領域外の外周部）の構成を示す平面模式図である。図３－２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、図３－１中のＥ－Ｆ線に沿った断面図である。

本実施形態の液晶表示装置２００は、図３－１、図３－２に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板２１１と、外部接続部品であるリジッドＦＰＣ２７０とが額縁部においてＡＣＦ２８０により接続された構造を有する。

液晶表示装置２００は、ＴＦＴ基板２１１の他に、ＴＦＴ基板２１１に対向配置されたＣＦ基板を有する。ＣＦ基板は、絶縁基板上に、（１）遮光部材からなるブラックマトリクス、赤、緑及び青のカラーフィルタと、（２）オーバーコート層と、（３）透明導電膜からなる共通電極と、（４）配向膜とを絶縁基板側からこの順に備える。ＴＦＴ基板２１１及びＣＦ基板の外周部は、枠状に設けられた封止材２５５により封止され、更に、ＴＦＴ基板２１１及びＣＦ基板の間には液晶材料が充填されている。リジッドＦＰＣ２７０は、ＴＦＴ基板２１１及びＣＦ基板が対向する領域よりも外側のＴＦＴ基板２１１上に配置されている。

リジッドＦＰＣ２７０は、基材２７２上に、互いに平行に並設された複数の配線２７１が形成され、この配線２７１がリジッドＦＰＣ２７０の接続端子（接続部）として機能する。リジッドＦＰＣ２７０には、液晶コントローラ、電源ＩＣ等を構成する各種チップや、抵抗、コンデンサ等の電子部品が搭載されている。

ＴＦＴ基板２１１上には、リジッドＦＰＣ２７０の配線２７１に対応し、互いに平行に一列に並設された外部接続端子２４１が形成されている。

ＡＣＦ２８０は、外部接続端子２４１を覆うように設けられている。外部接続端子２４１は、ＡＣＦ２８０中の導電部材である導電性ビーズ（導電性微粒子）２８１を介してリジッドＦＰＣ２７０の配線２７１に接続されている。

外部接続端子２４１は、その下層に形成された層間絶縁膜２５２に設けられたコンタクトホール２３１を通して、層間絶縁膜２５２の下層に形成された下層配線である共通配線２１５の一方の端部に位置する配線接続部に接続される。共通配線２１５は、ＴＦＴ基板２１１の外周に沿って外部接続端子２４１の下から外部接続端子２４１がないＴＦＴ基板２１１の他の額縁部に延伸され、ＴＦＴ基板２１１に作り込まれた素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続される。上記半導体素子は、通常、トランジスタ、より詳細には、ＴＦＴである。共通配線２１５の一本一本は、２以上の素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続され、共通の信号や電源を供給する。これにより、リジッドＦＰＣ２７０からＴＦＴ基板２１１上に作り込まれた各素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に信号や電源が供給される。

コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１の内側に位置する外部接続端子２４１の端部に対応して同一軸上（共通配線２１５の延伸方向と平行な軸上）に設けられている。コンタクトホール２３１は、ＡＣＦ２８０及びリジッドＦＰＣの配線２７１のいずれとも重ならない位置にあり、配線２７１及びＡＣＦ２８０が互いに重なり合う領域以外に配置されたものである。したがって、外部接続端子２４１はそれぞれ、配線２７１及びＡＣＦ２８０が互いに重なり合う領域以外で共通配線２１５のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子２４１は、リジッドＦＰＣ２７０の配線２７１に接続されている部分（導電性ビーズ２８１に接触している部分）と、共通配線２１５に接続されている部分（共通配線２１５の配線接続部に接触している部分）とが別々に設けられている。そして、共通配線２１５に接続されている部分は、リジッドＦＰＣ２７０の配線２７１及びＡＣＦ２８０の両方と重ならないように配置されている。

また、コンタクトホール２３１は、ＡＣＦ２８０と封止材２５５との間、より詳細には、リジッドＦＰＣ２７０の配線２７１及びＡＣＦ２８０が互いに重なり合う領域と封止材２５５との間に設けられる。

外部接続端子２４１は、ＡＣＦ１８０の配置領域に沿って配列され、共通配線２１５は、外部接続端子２４１の下では、主に外部接続端子２４１の配列方向に沿って並設されている。共通配線２１５は、一方の端部近傍で、ＴＦＴ基板２１１の内側に位置する配線から順番に、同一方向側（ＴＦＴ基板２１１の内側で、かつ共通配線２１５の延伸方向に直交する方向、図３－１中の右方向）に屈曲している。そして、屈曲した先に外部接続端子２４１と接触する配線接続部が設けられている。このように、共通配線２１５は、一方の端部近傍で、平面視Ｌ字形状を有する。

以下、液晶表示装置２００の断面構造についてより詳細に説明する。
ＴＦＴ基板２１１は、図３－２に示すように、額縁部において、絶縁基板２２１上に、第二配線層２６２と、層間絶縁膜２５２と、第三配線層２６３と、透明導電層２６４とが絶縁基板２２１側からこの順に積層された構造を有する。なお、第二配線層２６２よりも下層側には、実施形態１と同様に、ベースコート膜、半導体層、ゲート絶縁膜、第一配線層及び層間絶縁膜がこの順に積層されている。

共通配線２１５は、第二配線層２６２により形成され、外部接続端子２４１は、第三配線層２６３及び透明導電層２６４の積層体により形成されている。ＴＦＴ基板２１１及びリジッドＦＰＣ２７０は、ＡＣＦ２８０を介して熱圧着されることによって、ＡＣＦ２８０に含まれる導電性ビーズ２８１により接続されるとともに、ＡＣＦ２８０に含まれる熱硬化性樹脂等からなる接着成分２８２により固着される。

外部接続端子２４１と、それに対応するリジッドＦＰＣ２７０２７０の配線２７１とには、熱圧着時に導電性ビーズ２８１を介して圧力が加わることになる。したがって、この圧力が加わる領域（配線２７１と導電性ビーズ２８１とが重なる領域）に、仮にコンタクトホール２３１を設けた場合、コンタクトホール２３１内に位置し、かつ通常、膜厚が薄くなってしまう部分の外部接続端子２４１にも圧力が加わってしまう。その結果、熱圧着時にこの部分の外部接続端子２４１が圧壊され、接続不良が生じるおそれがある。特に導電部材としてＡＣＦ２８０に含まれる導電性ビーズ２８１を用いた場合、外部接続端子２４１が環状に切断され、頻繁に接続不良が発生することが懸念される。

それに対して、液晶表示装置２００においては、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときにリジッドＦＰＣ２７０の配線２７１と導電性ビーズ２８１とが重なる領域以外に配置されている。したがって、熱圧着時に外部接続端子２４１の上面の比較的厚い部分のみに導電性ビーズ２８１を接触させ、熱圧着時においてコンタクトホール２３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子２４１に導電性ビーズ２８１を介して圧力が加わるのを防止することができる。その結果、外部接続端子２４１の圧壊に起因して、ＴＦＴ基板２１１及びリジッドＦＰＣ２７０の間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

また、現状の量産化技術の水準では、共通配線２１５等の配線群の配線幅及び配線間隔（ライン　アンド　スペース）の微細化は、ドライエッチングを用いた微細加工技術において、２μｍ程度まで可能となっている。一方で、配線群の上層に設けられる層間絶縁膜２５２として感光性有機絶縁膜を用い、フォトリソグラフィを行う場合、４μｍ程度の微細加工が限界となる。したがって、この配線群上に、外部接続端子２４１に接続するためのコンタクトホール２３１を形成するためには、コンタクトホール２３１の位置制御精度、コンタクトホール２３１の微細加工精度の点から、実際には、配線群の幅よりもコンタクトホール２３１を大きく形成する必要が生じる。そのため仮に、単に配線群の延伸部分の上にコンタクトホール２３１を配置してしまうと、各配線間の距離も大きくなってしまい、外部接続端子２３１の下に配置できる配線数が減少してしまうことが懸念される。

それに対して、液晶表示装置２００においては、共通配線２１５は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したとき、外部接続端子２４１を横切って並走するとともに外側のものから順に延伸方向に対して同じ方向に屈曲し、屈曲した先（配線接続部）にコンタクトホール２３１が接続されている。このように、共通配線２１５の延伸延伸部分の上にコンタクトホール２３１を配置しないことにより、層間絶縁膜２５２として感光性有機絶縁膜を用いたとしても、共通配線２１５のライン　アンド　スペースをできるだけ小さく保つことができる。また、共通配線２１５の本数に関わらずライン　アンド　スペースをできるだけ小さく保つことができる。したがって、外部接続端子２４１の下に配置できる配線数を減少させる必要がないので、狭額縁化が可能になる。

また、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときに同一直線上（より好適には、共通配線２１５の延伸方向と平行な軸上）に設けられることから、コンタクトホール２３１をばらばらに、例えばジグザグに配置した場合に比べて、コンタクトホール２３１の個々の大きさを確保しつつ、コンタクトホール２３１が配置される領域全体の面積を抑制することができる。すなわち、より狭額縁化することができる。

更に、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときにリジッドＦＰＣ２７０の配線２７１及びＡＣＦ２８０が互いに重なり合う領域と封止材２５５との間に設けられる。ＡＣＦ２８０及び封止材２５５の間は、ＡＣＦ貼り付けの位置合わせ精度及びシール描画位置精度から必要とされるマージン領域として設計されており、通常は熱圧着時に圧力が加わらない領域である。したがって、このマージン領域にコンタクトホール２３１を配置することによって、接続不良を抑制しつつ、額縁部の増加を最小限に抑制することができる。

なお、コンタクトホール２３１の平面形状は特に限定されず、また、コンタクトホール２３１は、複数の孔に分割されていてもよい。

また、実施形態２の液晶表示装置は、実施形態１の液晶表示装置と同様の製造方法を用いて作製することができるので、その製造方法についての説明は省略する。

以下に、本実施形態の変形例について説明する。
図４は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図４に示すように、コンタクトホール２３１は、外部接続端子２４１の外側（ＴＦＴ基板２１１の外周側）に配置されてもよい。

図５－１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図５－２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図５－１中のＧ－Ｈ線に沿った断面図である。なお、図５－１中、圧力の加わる導電性ビーズ２８１は破線で囲まれている。図５－１、図５－２に示すように、コンタクトホール２３１は、リジッドＦＰＣ２７０の隣接する配線２７１間に配置されてもよい。この場合も、熱圧着時においてコンタクトホール２３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子２４１に導電性ビーズ２８１を介して圧力が加わるのを防止することができる。

図６－１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図６－２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図６－１中のＩ－Ｊ線に沿った断面図である。図６－１、図６－２に示すように、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときに封止材２５５よりもＴＦＴ基板２１１の内側（ＴＦＴ基板２１１の中心側）に配置されてもよい。すなわち、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときに液晶層内に位置する。これにより、外部接続端子２４１及び共通配線２１５の接触部分の信頼性を向上することができる。

図７－１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図７－２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図７－１中のＫ－Ｌ線に沿った断面図である。図７－１、図７－２に示すように、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときに封止材２５５に重なり、ＴＦＴ基板２１１は、封止材２５５内に形成されたフォトスペーサ２５６を有してもよい。封止材２５５にはスペーサとしてガラス繊維が含有されることがあるが、狭額縁化や信頼性の向上をねらってコンタクトホール２３１を封止材２５５と重なるように配置した場合、コンタクトホール２３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子２４１がガラス繊維によって損傷し、接続不良等の不良が発生するおそれがある。一方、フォトスペーサ２５６は、フォトリソグラフィ法を用いて感光性樹脂又は非感光性樹脂をパターニングすることによって形成するものであるため、精密な位置制御が容易である。したがって、コンタクトホール２３１に重なるように封止材２５５を設けたとしても、スペーサとしてフォトスペーサ２５６を用いることによって、コンタクトホール２３１とフォトスペーサ２５６とが重ならないようにすることができる。以上のことから、本変形例によって、接続不良等の不良を抑制しつつ、狭額縁化や信頼性の向上が可能になる。

なお、本変形例において、コンタクトホール２３１は、全部が封止材２５５と重なってもよいし、一部が封止材２５５と重なってもよい。また、フォトスペーサ２５６は、ＣＦ基板側に形成してもよい。

また、本変形例は、半透過型の液晶表示装置であり、外部接続端子２４１と同じ構成で、反射透過両用型の画素電極２６５が形成されている。画素電極２６５は、反射部を構成する反射性導電膜を兼ねる下層導電膜２６６と透過部を構成する透明導電膜を兼ねる上層導電膜２６７が積層されたものである。下層導電膜２６６は、スパッタ法等で膜厚３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことによって形成する。また、上層導電膜２６７は、スパッタ法等で膜厚１００ｎｍのＩＺＯ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことによって形成する。

図８－１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図である。図８－２は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す断面模式図であり、図８－１中のＭ－Ｎ線に沿った断面図である。図８－１、図８－２に示すように、コンタクトホール２３１は、ＴＦＴ基板２１１を平面視したときに封止材２５５に重なり、ＴＦＴ基板２１１は、封止材２５５の下に、より詳細には、少なくともにコンタクトホール２３１及び封止材２５５が重なる領域に絶縁膜２５７を有してもよい。また、封止材２５５にはスペーサとしてガラス繊維２５８が含有されている。これにより、コンタクトホール２３１に重なるように封止材２５５を設けたとしても、コンタクトホール２３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子２４１がガラス繊維２５８によって損傷し、接続不良等の不良が発生するのを抑制することができる。すなわち、この形態によっても、接続不良等の不良を抑制しつつ、狭額縁化や信頼性の向上が可能になる。

層間絶縁膜２５２を有機絶縁膜から形成した場合、絶縁膜２５７をＣＶＤ法により形成すると、有機絶縁膜がダメージを受けてしまう。そこで、絶縁膜２５７は、スパッタ法等の層間絶縁膜にダメージを与えない方法により形成されることが好ましい。絶縁膜２５７の材質としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２等）が挙げられ、絶縁膜２５７は、例えば、スパッタ法を用いてＳｉＯ_２膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によりパターンニングすることによって形成することができる。

また、絶縁膜２５７は、対向基板とのコンタクト部分を除く、封止材２５５の略全ての領域の下に配置されている。これにより、絶縁膜２５７の段差に起因してセル厚ムラが発生し、表示品位が低下するのを抑制することができる。

なお、本変形例において、コンタクトホール２３１は、全部が封止材２５５と重なってもよいし、一部が封止材２５５と重なってもよい。

図９～１１は、実施形態２の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。図９に示すように、ＴＦＴ基板２１１にはＩＣチップ２７５が接続されてもよい。ＩＣチップ２７５は、信号入力用バンプ２７６及び信号出力用バンプ２７７を有し、このバンプ２７６、２７７がＩＣチップ２７５の接続端子（接続部）として機能している。ＩＣチップ２７５は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によってＴＦＴ基板２１１にベアチップ実装されている。

外部接続端子２４１は、信号入力用バンプ２７６及び信号出力用バンプ２７７に接続されるとともに、ＡＣＦ２８０の外側まで引き出されている。そして、ＡＣＦ２８０と重ならない領域で、コンタクトホール２３１を通して共通配線２１５に接続されている。これによっても、熱圧着時においてコンタクトホール２３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子２４１に導電性ビーズ２８１を介して圧力が加わるのを防止することができる。

コンタクトホール２３１は、信号入力用バンプ２７６及び信号出力用バンプ２７７とＡＣＦ２８０との両方に重ならければよいので、図１０に示すように、外部接続端子２４１は、ＡＣＦ２８０とのみ重なるコンタクトホール２３１を通して共通配線２１５に接続されてもよい。

更に、図１１に示すように、ＩＣチップ２７５に重なる領域のうち、信号入力用バンプ２７６及び信号出力用バンプ２７７とＡＣＦ２８０との両方が重なる領域を除く領域にコンタクトホール２３１を設け、この領域で、外部接続端子２４１と共通配線２１５とを接続してもよい。これにより、ＩＣチップ２７５と重なる領域内に外部接続端子２４１を配置することができるので、より狭額縁化できる。

（実施形態３）
図１２は、実施形態３の液晶表示装置の額縁部（表示領域外の外周部）の構成を示す平面模式図である。図１３は、実施形態３の液晶表示装置の額縁部の構成を示す断面模式図であり、図１３（ａ）は、図１２中のＰ－Ｑ線に沿った断面図であり、図１３（ｂ）は、図１２中のＲ－Ｓ線に沿った断面図である。

本実施形態の液晶表示装置３００は、図１２、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板３１１と、外部接続部品であるリジッドＦＰＣ３７０とが額縁部においてＡＣＦ３８０により接続された構造を有する。

ＴＦＴ基板３１１は、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、額縁部において、絶縁基板３２１上に、ベースコート膜３２２と、半導体層３２３と、ゲート絶縁膜３２４と、第一配線層３６１と、層間絶縁膜３５１と、第二配線層３６２と、層間絶縁膜３５２と、第三配線層３６３と、透明導電層３６４とが絶縁基板３２１側からこの順に積層された構造を有する。

液晶表示装置３００は、ＴＦＴ基板３１１の他に、ＴＦＴ基板３１１に対向配置されたＣＦ基板を有する。ＣＦ基板は、絶縁基板上に、（１）遮光部材からなるブラックマトリクス、赤、緑及び青のカラーフィルタと、（２）オーバーコート層と、（３）透明導電膜からなる共通電極と、（４）配向膜とを絶縁基板側からこの順に備える。ＴＦＴ基板３１１及びＣＦ基板の外周部は、枠状に設けられた封止材により封止され、更に、ＴＦＴ基板３１１及びＣＦ基板の間には液晶材料が充填されている。リジッドＦＰＣ３７０は、ＴＦＴ基板３１１及びＣＦ基板が対向する領域よりも外側のＴＦＴ基板３１１上に配置されている。

リジッドＦＰＣ３７０は、基材３７２上に、互いに平行に並設された配線３７１が形成され、この配線３７１がリジッドＦＰＣ３７０の接続端子（接続部）として機能する。リジッドＦＰＣ３７０には、液晶コントローラ、電源ＩＣ等を構成する各種チップや、抵抗、コンデンサ等の電子部品が搭載されている。

ＴＦＴ基板３１１上には、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１に対応し、互いに平行に一列に並設された外部接続端子３４１が形成されている。また、隣接する外部接続端子３４１間には、外部接続端子３４１と同じ層から形成された上層配線３１３が設けられている。上層配線３１３は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１に重ならない領域に設けられている。

ＡＣＦ３８０は、外部接続端子３４１を覆うように設けられ（図１２中の太い点線よりも上側の領域）、外部接続端子３４１は、ＡＣＦ３８０中の導電部材である導電性ビーズ（導電性微粒子）３８１を介してリジッドＦＰＣ３７０の配線３７１に接続されている。

外部接続端子３４１及び上層配線３１３は、第三配線層３６３及び透明導電層３６４の積層体を用いて形成され、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０の重なる領域外に設けられた引き回し配線３３０を介して接続されている。引き回し配線３３０は、第一配線層３６１及び第二配線層３６２により形成されている。より詳細には、引き回し配線３３０の両端部は、第二配線層３６２により形成され、引き回し配線３３０の一方の端部は、層間絶縁膜３５２に設けられたコンタクトホール３３１を通して、層間絶縁膜３５２の上層に形成された外部接続端子３４１に接続され、引き回し配線３３０の他方の端部は、層間絶縁膜３５２に設けられたコンタクトホール３３２を通して、層間絶縁膜３５２の上層に形成された上層配線３１３に接続される。このように、引き回し配線３３０の両端部が配線接続部として機能する。

コンタクトホール３３１は、ＴＦＴ基板３１１の内側に位置する外部接続端子３４１の端部に対応して同一軸上に設けられるとともに、ＡＣＦ３８０と重ならない領域に設けられている。また、コンタクトホール３３１は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０が互いに重なり合う領域以外に配置され、外部接続端子３４１はそれぞれ、配線３７１及びＡＣＦ３８０が互いに重なり合う領域以外で引き回し配線３３０のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子３４１は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１に接続されている部分（導電性ビーズ３８１に接触している部分）と、引き回し配線３３０に接続されている部分（引き回し配線３３０の配線接続部に接触している部分）とが別々に設けられている。そして、引き回し配線３３０に接続されている部分は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０の両方と重ならないように配置されている。

コンタクトホール３３２は、ＴＦＴ基板３１１の内側に位置する上層配線３１３の端部に対応して同一軸上に設けられるとともに、ＡＣＦ３８０と重ならない領域に設けられている。また、コンタクトホール３３２は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０が重なる領域以外に配置され、上層配線３１３はそれぞれ、配線３７１及びＡＣＦ３８０が重なる領域以外で引き回し配線３３０のいずれかに接続されている。すなわち、上層配線３１３の引き回し配線３３０に接続されている部分は、配線３７１及びＡＣＦ３８０の両方と重ならないように配置されている。

また、上層配線３１３は、層間絶縁膜３５２に設けられたコンタクトホール３３３を通して、層間絶縁膜３５２の下層に形成された下層配線である共通配線３１５のいずれかの配線接続部に接続される。共通配線３１５は、ＴＦＴ基板３１１の外周、すなわち外部接続端子３４１の配列方向（図１２中の左右方向）に沿って外部接続端子３４１の下を横切って並設され、ＴＦＴ基板３１１に作り込まれた素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続される。上記半導体素子は、通常、トランジスタ、より詳細には、ＴＦＴである。上層配線３１３は、ＴＦＴ基板３１１を平面視したときに、共通配線３１５と略直交する。また、共通配線３１５は、信号を伝達する信号配線であり、共通配線３１５の一本一本は、２以上の素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に接続され、共通の信号を供給する。これにより、リジッドＦＰＣ３７０から供給された各種信号は、外部接続端子３４１、引き回し配線３３０、上層配線３１３及び共通配線３１５を介して、ＴＦＴ基板３１１上の各素子、例えば半導体素子、容量、抵抗に伝達される。なお、共通配線３１５は、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層されたＴＦＴのゲート電極に接続されてもよい。

コンタクトホール３３３は、ＡＣＦ３８０と重なる領域に設けられている。しかしながら、コンタクトホール３３３は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０の両方が重なる領域以外に配置され、上層配線３１３はそれぞれ、配線３７１及びＡＣＦ３８０が重なる領域以外で共通配線３１５のいずれかに接続されている。すなわち、上層配線３１３の共通配線３１５に接続されている部分は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１及びＡＣＦ３８０の両方と重ならないように配置されている。

引き回し配線３３０には、外部接続端子３４１よりもＴＦＴ基板３１１の内側に設けられたＥＳＤ（静電放電）保護回路３４５が接続されている。更に、引き回し配線３３０は、層間絶縁膜３５２に設けられたコンタクトホール３３４を通して、第二配線層３６２により形成された共通配線３１６のいずれかに接続される。なお、ＥＳＤ保護回路３４５は、第一配線層３６１により形成された各々のＥＳＤ回路を繋ぐ共通配線３２７に接続されている。また、ＥＳＤ保護回路３４５は、共通配線３１５や共通配線３１６等の共通配線と平行な同一軸上に設けられる。引き回し配線３３０のＥＳＤ保護回路３４５に接続されるまでの部分は、第一配線層３６１から形成され、高抵抗領域３３９として機能する。

また、ＴＦＴ基板３１１のリジッドＦＰＣ３７０に重なる領域には、ＴＦＴ３２９や引き回し配線を含む回路ブロック３４６、３４７が直接作り込まれるとともに、ＴＦＴ基板３１１の外部接続端子３４１よりも内側にも回路ブロック３４８が直接作り込まれている。回路ブロック３４６、３４７、３４８内には、ソースドライバやゲートドライバや電源回路が形成されている。ＴＦＴ３２９は、図１３（ａ）に示すように、半導体層３２３と、ゲート絶縁膜３２４と、第一配線層３６１からなるゲート電極３２５とを含み、半導体層３２３のソース・ドレイン領域には、層間絶縁膜３５１及びゲート絶縁膜３２４を貫通するコンタクトホールを介して、第二配線層３６２からなるソース・ドレイン配線３２８が接続されている。

また、回路ブロック３４８からは、第二配線層３６２から形成され、各画素に画像信号を伝送するソースライン３２６が延伸されている。その他、ＴＦＴ基板３１１には、第二配線層３６２から形成され、電源配線として機能する共通配線３１７、３１８や、第三配線層３６３から形成され、電源配線として機能する共通配線３１９等が設けられている。

ＴＦＴ基板３１１及びリジッドＦＰＣ３７０は、ＡＣＦ３８０を介して熱圧着されることによって、ＡＣＦ３８０に含まれる導電性ビーズ３８１により接続されるとともに、ＡＣＦ３８０に含まれる熱硬化性樹脂等からなる接着成分３８２により固着される。

また、外部接続端子３４１と、それに対応するリジッドＦＰＣ３７０の配線３７１とには、熱圧着時に導電性ビーズ３８１を介して圧力が加わることになる。したがって、この圧力が加わる領域（配線３７１と導電性ビーズ３８１とが重なる領域）に、仮にコンタクトホール３３１を設けた場合、コンタクトホール３３１内に位置し、かつ通常、膜厚が薄くなってしまう部分の外部接続端子３４１にも圧力が加わってしまう。その結果、熱圧着時にこの部分の外部接続端子３４１が圧壊され、接続不良が生じるおそれがある。特に導電部材としてＡＣＦ３８０に含まれる導電性ビーズ３８１を用いた場合、外部接続端子３４１が環状に切断され、頻繁に接続不良が発生することが懸念される。

それに対して、液晶表示装置３００においては、コンタクトホール３３１は、ＴＦＴ基板３１１を平面視したときにリジッドＦＰＣ３７０の配線３７１と導電性ビーズ３８１とが重なる領域以外に配置されている。したがって、熱圧着時に外部接続端子３４１の上面の比較的厚い部分のみに導電性ビーズ３８１を接触させ、熱圧着時においてコンタクトホール３３１内の膜厚が薄い部分の外部接続端子３４１に導電性ビーズ３８１を介して圧力が加わるのを防止することができる。その結果、外部接続端子３４１の圧壊に起因して、ＴＦＴ基板３１１及びリジッドＦＰＣ３７０の間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

なお、上層配線３１３は、リジッドＦＰＣ３７０の配線３７１に重ならない領域に設けられ、配線３７１に直接接続されないように配置されている。したがって、例え上層配線３１３上に導電性ビーズ３８１（ＡＣＦ３８０）が重なっていたとしても、熱圧着時においてコンタクトホール３３３内の膜厚が薄い部分の上層配線３１３に導電性ビーズ３８１を介して圧力が加わることはない。

また、上層配線３１３は、引き回し配線３３０の配線接続部を介して外部接続端子３４１に電気的に導通されるとともにＴＦＴ基板３１１を平面視したときにリジッドＦＰＣ３７０に重なり、かつ外部接続端子３４１を構成する導電層と同一の導電層を含む。更に、上層配線３１３は、層間絶縁膜３５２のコンタクトホール３３３を通して下層配線である共通配線３１５に接続される。これにより、外部接続端子３４１及び共通配線３１５の間の電気経路（本実施形態では引き回し配線３３０）に、ＥＳＤ保護回路３４５等の種々の回路を接続することができる。すなわち、狭額縁化しつつ、ＴＦＴ基板３１１の高機能化が可能である。例えば、外部接続端子３４１及び上層配線３１３の間の電気経路に接続されたＥＳＤ保護回路３４５を設けることにより、リジッドＦＰＣ３７０からのノイズや静電放電による半導体素子の劣化や破壊を抑制しつつ、リジッドＦＰＣ３７０からＴＦＴ基板３１１上の半導体素子に信号を供給することができる。

また、下層配線である共通配線３１５がＴＦＴのゲート電極に接続された場合、通常、膜厚が薄いゲート絶縁膜はノイズや静電放電の影響を受けやすいため、半導体素子の劣化や破壊がより起こりやすい。したがって、外部接続端子３４１及び上層配線３１３に接続された共通配線３１５がＴＦＴのゲート電極に電気的に導通される形態において、ＥＳＤ保護回路３４５は、特に効果的に半導体素子の劣化や破壊を抑制することができる。共通配線３１５のそれぞれは、２以上の半導体素子に接続されることが好ましい。上記半導体素子は、通常、トランジスタ、より詳細には、ＴＦＴである。なお、共通配線３１５に接続されるＴＦＴは、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極が絶縁基板側からこの順に積層されたトップゲート型であってもよいし、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層が絶縁基板側からこの順に積層されたバック（ボトム）ゲート型であってもよい。

なお、電源配線として機能する共通配線３１７や共通配線３１８、共通配線３１９には、通常、ＥＳＤ保護回路を接続する必要はない。

また、液晶表示装置３００においては、上層配線３１３は、共通配線３１５と交差する。これにより、外部接続端子３４１と、外部接続端子３４１下の任意の共通配線３１５とを接続することができる。

更に、液晶表示装置３００においては、上層配線３１３は、共通配線３１５に接続されるとともに、引き回し配線３３０は、共通配線３１６に接続される。すなわち、外部接続端子３４１及び上層配線３１３の間の電気経路には、共通配線３１５、３１６の内の少なくとも２つの配線が接続されている。これにより、同電位の信号を複数の共通配線３１５、３１６に伝達することができる。

また、共通配線３１６と交差する部分の引き回し配線３３０は、共通配線３１６より下層の第一配線層３６１により形成されている。すなわち、引き回し配線３３０は、２層以上の配線層にわたって形成され、外部接続端子３４１及び上層配線３１３は、２層以上の配線層を介して接続されている。これにより、引き回し配線３３０の上層に設けられた配線３１６を共通配線として利用することができる。

なお、コンタクトホール３３１、３３２、３３３、３３４の平面形状は特に限定されず、また、コンタクトホール３３１、３３２は、一つの孔のみから形成されてもよいし、コンタクトホール３３３、３３４は、複数の孔に分割されていてもよい。

また、ＥＳＤ保護回路３４５は、外部接続端子３４１よりもＴＦＴ基板３１１の外周側に設けられてもよい。

また、実施形態３の液晶表示装置は、実施形態１の液晶表示装置と同様の製造方法を用いて作製することができるので、その製造方法についての説明は省略する。

以上、実施形態１～３を用いて本発明について説明したが、各実施形態は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜組み合わされてもよい。

また、実施形態１～３では液晶表示装置を例にして本発明について説明したが、本発明は、例えば有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ等に対しても適用可能であり、複数の画素が配列された表示領域を有する表示装置で特に好適に用いられる。

また、額縁部に形成される回路ブロック（周辺回路）としては特に限定されず、トランスミッションゲート、ラッチ回路、タイミングジェネレータ、電源回路等によるインバータ等の回路を含むドライバ回路の他、バッファ回路、デジタル－アナログ変換回路（ＤＡＣ回路）、シフトレジスタ、サンプリングメモリ等の回路等であってもよい。

更に、外部接続部品としては、能動素子、受動素子、受動素子が集積実装された組品、配線基板（回路基板）等の表示装置に組み合わされる部材であれば特に限定されない。能動素子としては、半導体集積回路（ＩＣチップ）、大規模集積回路（ＬＳＩチップ）等の半導体素子が挙げられる。受動素子としては、抵抗、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、コンデンサ、センサ等が挙げられる。配線基板は、絶縁基板（基材）上及び／又は内に配線が設けられた電子部品であり、例えば、ＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｗｉｒｉｎｇ　Ｂｏａｒｄ）、ＦＰＣ基板等のプリント基板やＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。なお、ＰＷＢは、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄ）と呼ばれるものであってもよい。

そして、導電部材としては、ＴＦＴ基板等の表示装置用基板と外部接続部品とを接続し得るものであれば特に限定されず、異方性導電膜や異方性導電ペースト等の異方性導電材料に含まれる導電性微粒子（導電性ビーズ）の他、半田を用いることもできる。

（比較形態１）
図１４－１は、比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図である。図１４－２は、比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成を示す断面模式図であり、図１４－１中のＴ－Ｕ線に沿った断面図である。
本比較形態の液晶表示装置１１００は、図１４－１、図１４－２に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１１１１と、外部接続部品であるＦＰＣ基板１１７０とが額縁部においてＡＣＦ１１８０により接続された構造を有する。

ＦＰＣ基板１１７０は、基材１１７２上に、互いに平行に並設された配線１１７１が形成され、この配線１１７１がＦＰＣ基板１１７０の接続端子（接続部）として機能する。

ＴＦＴ基板１１１１上には、ＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１に対応し、互いに平行に一列に並設された外部接続端子１１４１が形成されている。

ＡＣＦ１１８０は、外部接続端子１１４１を覆うように設けられ、外部接続端子１１４１は、ＡＣＦ１１８０中の導電部材である導電性ビーズ（導電性微粒子）１１８１を介してＦＰＣ基板１７０の配線１１７１に接続されている。

外部接続端子１１４１は、層間絶縁膜１１５２に設けられたコンタクトホール１１３１を通して、層間絶縁膜１１５２の下層に形成された下層配線である共通配線１１１５の一方の端部に位置する配線接続部に接続される。共通配線１１１５は、ＴＦＴ基板１１１１の外周に沿って外部接続端子１１４１の下から外部接続端子１１４１がないＴＦＴ基板１１１１の他の額縁部に延伸され、ＴＦＴ基板１１１１に作り込まれた半導体素子に接続される。上記半導体素子は、通常、トランジスタ、より詳細には、ＴＦＴである。

共通配線１１１５は、外部接続端子１１４１の下では、外部接続端子１１４１の配列方向に沿って並設されている。そして、コンタクトホール１１３１は、共通配線１１１５の延伸方向の共通配線１１１５の先端に対応して設けられるとともに、ＡＣＦ１１８０と重なる領域に設けられている。また、コンタクトホール１１３１は、ＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１及びＡＣＦ１１８０が重なる領域に配置され、外部接続端子１１４１はそれぞれ、ＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１及びＡＣＦ１１８０が重なる領域で共通配線１１１５のいずれかに接続されている。すなわち、外部接続端子１１４１は、ＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１に接続されている部分（導電性ビーズ１１８１に接触している部分）と、共通配線１１１５に接続されている部分（共通配線１１１５の配線接続部に接触している部分）とが重なっている。そして、共通配線１１１５に接続されている部分は、ＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１及びＡＣＦ１１８０の両方と重なるように配置されている。

ＴＦＴ基板１１１１及びＦＰＣ基板１１７０は、ＡＣＦ１１８０を介して熱圧着されることによって、ＡＣＦ１１８０に含まれる導電性ビーズ１１８１により接続されるとともに、ＡＣＦ１１８０に含まれる熱硬化性樹脂等からなる接着成分１１８２により固着される。

また、外部接続端子１１４１と、それに対応するＦＰＣ基板１１７０の配線１１７１とには、熱圧着時に導電性ビーズ１１８１を介して圧力が加わることになる。また、この圧力が加わる領域（配線１１７１と導電性ビーズ１１８１とが重なる領域）にコンタクトホール１１３１があるため、コンタクトホール１１３１内に位置し、かつ通常、膜厚が薄くなってしまう部分の外部接続端子１１４１にも圧力が加わってしまう。その結果、本比較形態の液晶表示装置においては、熱圧着時にこの部分の外部接続端子１１４１が圧壊され、接続不良が生じるおそれがある。特に導電部材としてＡＣＦ１１８０に含まれる導電性ビーズ１１８１を用いた場合、外部接続端子１１４１が環状に切断され、頻繁に接続不良が発生することが懸念される。

図１５は、比較形態１の液晶表示装置の額縁部における構成の変形例を示す平面模式図である。本変形例において、共通配線１１１５の配線接続部（共通配線１１１５の先端）は、共通配線１１１５の幅よりも大きく設定されている。また、コンタクトホール１１３１も上記比較形態の場合に比べて大きい。

現状の量産化技術の水準では、共通配線１１１５等の配線群の配線幅及び配線間隔（ライン　アンド　スペース）の微細化は、ドライエッチングを用いた微細加工技術において、２μｍ程度まで可能となっている。しかしながら、配線群の上層に設けられる層間絶縁膜１１５２として感光性有機絶縁膜を用い、フォトリソグラフィを行う場合、４μｍ程度の微細加工が限界となる。したがって、この配線群上に、外部接続端子１１４１に接続するためのコンタクトホール１１３１を形成するためには、コンタクトホール１１３１の位置制御精度、コンタクトホール１１３１の微細加工精度の点から、図１５に示すように、配線群の配線幅よりもコンタクトホール１１３１を大きく形成する必要が生じる。また、配線群の延伸部分の上にコンタクトホール１１３１が配置されることから、各共通配線１１１５間の距離Ｂは、図１４－１で示した場合の距離Ａよりも大きくなってしまい、外部接続端子１１４１の下に配置できる配線数が減少してしまう。

なお、本願は、２００８年１１月２６日に出願された日本国特許出願２００８－３０１１５９号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

１００、２００、３００：液晶表示装置
１１１、２１１、３１１：ＴＦＴ基板
１１２：配線（下層配線）
１１５、２１５、３１５、３１６、３１７、３１８、３１９、３２７：共通配線
１２１、２２１、３２１：絶縁基板
１２２、３２２：ベースコート膜
１２３、３２３：半導体層
１２４、３２４：ゲート絶縁膜
１２５、３２５：ゲート電極
１２８、３２８：ソース・ドレイン電極
１２９、３２９：ＴＦＴ
１３０、３３０：引き回し配線
１３１、１３２、１３３、２３１、３３１、３３２、３３３、３３４：コンタクトホール
１４１、１４２、１４３、２４１、３４１：外部接続端子
１４６、３４６、３４７、３４８：回路ブロック
１５１、１５２、２５２、３５１、３５２：層間絶縁膜
１６１、３６１：第一配線層
１６２、２６２、３６２：第二配線層
１６３、２６３、３６３：第三配線層
１６４、２６４、３６４：透明導電層
１７０、２７０、３７０：（リジッド）ＦＰＣ１７０
１７１、２７１、３７１：配線（ＦＰＣの配線）
１７２、２７２、３７２：基材
１７５、２７５：ＩＣチップ
１７６、２７６：信号入力用バンプ
１７７、２７７：信号出力用バンプ
１８０、２８０、３８０：ＡＣＦ
１８１、２８１、３８１：導電性ビーズ（導電性微粒子）
１８２、２８２、３８２：接着成分
２５５：封止材
２５６：フォトスペーサ
２５７：絶縁膜
２５８：ガラス繊維
２６５：画素電極
２６６：下層導電膜
２６７：上層導電膜
３１３：上層配線
３２６：ソースライン
３３９：高抵抗領域
３４５：ＥＳＤ（静電放電）保護回路

Claims

外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、外部接続部品と、前記表示装置用基板及び前記外部接続部品を電気的に導通する導電部材とを備える表示装置であって、
前記外部接続部品は、前記導電部材を介して前記外部接続端子に接続された接続部を有し、
前記表示装置用基板は、前記外部接続端子の下層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下層に形成されるとともに前記層間絶縁膜の第一接続孔を通して前記外部接続端子に接続された配線接続部とを更に有し、
前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置される
ことを特徴とする表示装置。
前記表示装置用基板は、前記配線接続部を介して前記外部接続端子に電気的に導通されるとともに前記表示装置用基板を平面視したときに前記外部接続部品に重なり、かつ前記外部接続端子を構成する導電層と同一の導電層を含む上層配線を更に有し、
前記上層配線は、前記層間絶縁膜の第二接続孔を通して前記下層配線に接続され、
前記第二接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域以外に配置されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路に接続された静電放電保護回路を更に有することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された薄膜トランジスタを更に有し、
前記下層配線は、前記ゲート電極に電気的に導通されることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、前記下層配線を含む複数の共通配線を有することを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の表示装置。
前記上層配線は、前記複数の共通配線と交差することを特徴とする請求項５記載の表示装置。
前記外部接続端子及び前記上層配線の間の電気経路には、前記複数の共通配線の内の少なくとも２つの配線が接続されることを特徴とする請求項５又は６記載の表示装置。
前記外部接続端子及び前記上層配線は、２層以上の配線層を介して接続されることを特徴とする請求項２～７のいずれかに記載の表示装置。
前記表示装置は、表示素子を封止する封止材を更に有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の表示装置。
前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記接続部及び前記導電部材が重なる領域と前記封止材との間に配置されることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材よりも前記表示装置用基板の内側に配置されることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
前記第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに前記封止材に重なることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、前記封止材内に形成されたフォトスペーサを更に有することを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、前記封止材の下に形成された絶縁膜を更に有することを特徴とする請求項１２記載の表示装置。
前記絶縁膜は、前記封止材の略全ての領域の下に配置されることを特徴とする請求項１４記載の表示装置。
前記導電部材は、導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項１～１５のいずれかに記載の表示装置。
前記表示装置用基板は、前記第一接続孔、前記外部接続端子、前記配線接続部及び前記下層配線を複数有し、
前記複数の下層配線は、前記表示装置用基板を平面視したとき、前記複数の外部接続端子を横切って並走するとともに外側の下層配線から順に延伸方向に対して同一方向側に屈曲し、
前記複数の配線接続部の各々は、前記複数の下層配線のいずれかの屈曲したその先の部分であることを特徴とする請求項１～１６のいずれかに記載の表示装置。
前記複数の第一接続孔は、前記表示装置用基板を平面視したときに同一直線上に設けられることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
外部接続端子及び前記外部接続端子の下を通る下層配線を有する表示装置用基板と、第一外部接続部品及び第二外部接続部品とを備える表示装置であって、
前記第一外部接続部品及び前記第二外部接続部品は、前記下層配線を介して接続されるとともに、前記表示装置用基板の外周に沿って並置されることを特徴とする表示装置。