WO2010050520A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク - Google Patents

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    • H10P76/2041—Photolithographic processes
    • H10P76/2042—Photolithographic processes using lasers

Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask blank for EUV (Extreme Ultra Violet) lithography (hereinafter referred to as “EUV mask blank” in the present specification) used in semiconductor manufacturing and the like.
  • EUV mask blank Extreme Ultra Violet
  • a photolithography method using visible light or ultraviolet light has been used as a technique for transferring a fine pattern necessary for forming an integrated circuit having a fine pattern on a Si substrate or the like.
  • the limits of conventional photolithography methods have been approached.
  • the resolution limit of the pattern is about 1 ⁇ 2 of the exposure wavelength, and it is said that the immersion wavelength is about 1 ⁇ 4 of the exposure wavelength, and the immersion of ArF laser (193 nm) is used. Even if the method is used, the limit of about 45 nm is expected.
  • EUV lithography which is an exposure technique using EUV light having a wavelength shorter than that of an ArF laser, is promising as an exposure technique for 45 nm and beyond.
  • EUV light refers to light having a wavelength in the soft X-ray region or the vacuum ultraviolet region, and specifically refers to light having a wavelength of about 10 to 20 nm, particularly about 13.5 nm ⁇ 0.3 nm.
  • a conventional refractive optical system such as photolithography using visible light or ultraviolet light may be used. Can not. For this reason, in the EUV light lithography, a reflective optical system, that is, a reflective photomask and a mirror are used.
  • the mask blank is a layered product before patterning used for manufacturing a photomask.
  • a reflective layer that reflects EUV light and an absorber layer that absorbs EUV light are formed in this order on a substrate such as glass.
  • a multilayer reflective film is generally used in which a high refractive layer and a low refractive layer are alternately laminated to increase the light reflectivity when EUV light is irradiated onto the layer surface.
  • the absorber layer a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, for example, a material mainly composed of Ta or Cr is used.
  • a low reflection layer for mask pattern inspection light is usually provided on the absorber layer of the EUV mask blank.
  • light in the wavelength region of deep ultraviolet light 190 to 260 nm
  • the reflectance difference between the region where the low reflection layer and the absorber layer are removed by the patterning process and the region where the low reflection layer and the absorber layer remain, that is, The presence or absence of pattern defects is inspected by the contrast of reflected light on the surfaces of these regions.
  • the low reflection layer has low reflection characteristics with respect to the above wavelength range, that is, with respect to the above wavelength range. It is usually required that the reflectivity be 15% or less.
  • Patent Document 1 a low reflective layer made of a tantalum boron alloy oxide (TaBO) or a tantalum boron alloy oxynitride (TaBNO) is formed on an absorber layer made of a tantalum boron alloy nitride (TaBN).
  • TaBO tantalum boron alloy oxide
  • TaBNO tantalum boron alloy oxynitride
  • Patent Document 2 discloses that metal, silicon (Si), oxygen (O) and nitrogen (N) are formed on the absorber layer in order to adjust the reflectance of the mask pattern with respect to the wavelength range (190 nm to 260 nm) of the inspection light. It is preferable to provide a low reflection layer made of
  • JP 2004-6798 A (US Pat. No. 7,390,596) JP 2006-228767 A
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 when the low reflection layer is a TaBO film or TaBNO film, a material made of metal, silicon (Si), oxygen (O), and nitrogen (N) (for example, TaSiON, ZrSiON, etc.) It is described that sufficient contrast is obtained for the wavelength 257 nm of the inspection light of the mask pattern currently used. However, in the mask manufacturing process and the pattern transfer process, not only the reflectance at the mask pattern inspection wavelength (190 to 260 nm) but also the reflectance to the wavelength of 400 to 1200 nm is important.
  • Light having a wavelength of 400 to 1200 nm is usually used as a “position sensor” during mask transportation and handling, and if it is not in the desired reflectance range, the substrate position accuracy deteriorates, that is, the pattern accuracy deteriorates. May occur.
  • the reflectance with respect to the wavelength of the light used as the position sensor varies depending on the apparatus used in each process (inspection, pattern drawing, etching, exposure), but in general, “less than 40% at 405 nm”, “600 ⁇ “30 to 50% at 650 nm”, “greater than 50% at 800 to 900 nm”, and “less than 90% at 1000 to 1200 nm” are often required.
  • the present invention has excellent characteristics as an EUV mask blank, that is, has a low reflectance with respect to the wavelength region (190 to 260 nm) of the EUV light and the inspection light of the mask pattern, and
  • An object of the present invention is to provide an EUV mask blank having a low reflection layer capable of satisfying the above desired reflectance in a wavelength range (400 to 1200 nm) required in a mask manufacturing process and a pattern transfer process.
  • the low reflection layer is a film containing at least tantalum (Ta), oxygen (O), and hydrogen (H) (hereinafter referred to as “TaOH film”).
  • a film containing at least Ta, N, O, and H (hereinafter referred to as a “TaONH film”) has low reflection characteristics with respect to EUV light and mask pattern inspection light (wavelength 190 to 260 nm).
  • the present inventors have found that the desired reflectance can be satisfied in a wavelength region (400 to 1200 nm) required for a mask manufacturing process and a pattern transfer process.
  • a reflective layer that reflects EUV light On the substrate, a reflective layer that reflects EUV light, an absorber layer that absorbs EUV light, and mask pattern inspection light (wavelength 190 to 260 nm).
  • the total content of Ta and O is 85 to 99.9 at% (atomic percentage, the same applies hereinafter), and the content of H is 0.1 to 15 at%
  • the EUV mask blank of the present invention is provided.
  • the composition ratio means an atomic ratio.
  • the EUV blank of the present invention includes a reflective layer for reflecting EUV light, an absorber layer for absorbing EUV light, and a low reflective layer for mask pattern inspection light (wavelength 190 to 260 nm) on a substrate.
  • a reflective mask blank for EUV lithography formed in order, The low reflection layer contains at least tantalum (Ta), oxygen (O), nitrogen (N) and hydrogen (H);
  • the low reflection layer (TaONH film) has a total content of Ta, O and N of 85 to 99.9 at% and a content of H of 0.1 to 15 at%
  • a reflective mask blank is provided.
  • the low reflection layer (TaOH film and TaONH film) preferably has a surface roughness (rms) of 0.5 nm or less.
  • the crystal structure of the low reflective layer (TaOH film and TaONH film) is preferably amorphous.
  • the film thickness of the low reflective layer is preferably 3 to 30 nm.
  • the absorber layer is preferably an absorber layer containing tantalum (Ta) as a main component.
  • the absorber layer contains tantalum (Ta) as a main component, hafnium (Hf), silicon (Si), zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), nitrogen ( N) and at least one element selected from hydrogen (H) may be included.
  • the absorber layer preferably has an oxygen (O) content of less than 25 at%.
  • the absorber layer and the low reflection layer preferably have a thickness of 30 to 200 nm.
  • a protective layer for protecting the reflective layer is formed between the reflective layer and the absorber layer when forming a pattern on the absorber layer
  • the contrast between the reflected light on the surface of the protective layer and the reflected light on the surface of the low reflective layer (TaOH film and TaONH film) with respect to the wavelength (190 to 260 nm) of the inspection light of the mask pattern is 60% or more.
  • the hydrogen content in the low reflection layer is preferably 1 at% or more higher than the hydrogen content in the absorber layer.
  • the reflectance of the surface of the low reflection layer (TaOH film and TaONH film) with respect to the wavelength (190 to 260 nm) of the inspection light of the mask pattern is preferably 15% or less.
  • the low reflective layer contains at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe). It is preferably formed by performing a sputtering method using a Ta target in an atmosphere containing gas, oxygen (O), and hydrogen (H).
  • the low reflective layer is an inert material containing at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe). It is preferably formed by performing a sputtering method using a Ta target in an atmosphere containing a gas and oxygen (O), nitrogen (N), and hydrogen (H).
  • a reflective layer that reflects EUV light, an absorber layer that absorbs EUV light, and a low reflective layer for mask pattern inspection light are formed in this order on the substrate.
  • a method of manufacturing a reflective mask blank for EUV lithography The low reflective layer includes an inert gas containing at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe), oxygen (O), and hydrogen (H).
  • a reflective mask blank for EUV lithography characterized by being formed by performing a sputtering method using a Ta target in an atmosphere containing benzene.
  • a reflective layer that reflects EUV light, an absorber layer that absorbs EUV light, and a low reflective layer for mask pattern inspection light are formed in this order on the substrate.
  • a method of manufacturing a reflective mask blank for EUV lithography The low reflective layer includes an inert gas containing at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe), oxygen (O), and nitrogen (N).
  • a reflective mask blank for EUV lithography which is formed by performing a sputtering method using a Ta target in an atmosphere containing hydrogen (H).
  • the present invention also provides a reflective mask for EUV lithography, wherein the absorber layer and the low reflective layer of the reflective mask blank for EUV lithography of the present invention are patterned.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, characterized in that a semiconductor integrated circuit is manufactured by exposing an object to be exposed using the reflective mask for EUV lithography of the present invention.
  • the EUV mask blank of the present invention has a low reflectance in the wavelength range (190 to 260 nm) of the EUV light and the inspection light of the mask pattern, and also has a wavelength range (400 ⁇ 1200 nm) to satisfy a desired reflectance (405 nm: ⁇ 40%, 600-650 nm: 30-50%, 800-900 nm:> 50%, 1000-1200 nm: ⁇ 90%).
  • the manufacturing process and the pattern transfer process have the advantage of being stabilized.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the EUV mask blank of the present invention.
  • FIG. 2 shows a state where the absorber layer 14 and the low reflection layer 15 of the EUV mask blank 1 shown in FIG. 1 are patterned.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the EUV mask blank of the present invention.
  • a reflective layer 12 that reflects EUV light and an absorber layer 14 that absorbs EUV light are formed on a substrate 11 in this order.
  • a protective layer 13 is formed between the reflective layer 12 and the absorber layer 14 to protect the reflective layer 12 when forming a pattern on the absorber layer 14.
  • On the absorber layer 14, a low reflection layer 15 for the inspection light of the mask pattern is formed.
  • the protective layer 13 is an optional component. .
  • individual components of the mask blank 1 will be described.
  • the substrate 11 is required to satisfy the characteristics as a substrate for an EUV mask blank. Therefore, the substrate 11, the low thermal expansion coefficient (specifically, it is preferable that the thermal expansion coefficient at 20 ° C. is 0 ⁇ 0.05 ⁇ 10 -7 / °C , particularly preferably 0 ⁇ 0.03 ⁇ 10 - 7 / ° C.) and excellent in smoothness, flatness, and resistance to a cleaning liquid used for cleaning a mask blank or a photomask after pattern formation.
  • the substrate 11 is made of glass having a low thermal expansion coefficient, such as SiO 2 —TiO 2 glass, but is not limited to this. Crystallized glass, quartz glass, silicon or the like on which ⁇ quartz solid solution is precipitated is used. A substrate made of metal or the like can also be used.
  • the hydrogen molecule concentration is 1 ⁇ 10 16 molecules / cm 3 , 5 ⁇ 10 16 molecules / cm 3 , 1 ⁇ 10 17 molecules / in terms of the cleaning effect of carbon contamination and the reduction effect of the oxidized film.
  • it is cm 3 , 5 ⁇ 10 17 molecules / cm 3 or more.
  • the hydrogen molecule concentration is 1 ⁇ 10 18 molecules / cm 3 or more, more preferably 5 ⁇ 10 18 molecules / cm 3 or more, and particularly preferably 1 ⁇ 10 19 molecules / cm 3 or more.
  • it is preferably 5 ⁇ 10 19 molecules / cm 3 or more.
  • the measurement of the hydrogen molecule concentration is preferably performed as follows using a thermal desorption spectrometer (TDS) manufactured by Electronic Science Co., Ltd. based on Japanese Patent No. 3298974.
  • TDS thermal desorption spectrometer
  • a glass sample into which hydrogen molecules have been introduced is placed in a thermal desorption analyzer, the inside of the measurement chamber is evacuated to 5 ⁇ 10 ⁇ 7 Pa or less, the glass sample is heated, and the mass number of the generated gas is analyzed Measure with an internal mass spectrometer.
  • TDS thermal desorption spectrometer
  • a peak is observed around 200 to 800 ° C. with a maximum around 420 ° C. as the maximum.
  • the peak observed around 100 to 200 ° C. with a maximum at around 150 ° C. in the desorption profile of water molecules is thought to be due to desorption of water physically adsorbed on the glass surface.
  • a glass sample into which no hydrogen molecule has been introduced is similarly placed in a temperature-programmed desorption analyzer, the inside of the measurement chamber is evacuated to 5 ⁇ 10 ⁇ 7 Pa or less and heated, and the mass number of the generated gas Measure.
  • a peak considered to be due to desorption of physically adsorbed water is observed in the vicinity of 100 to 200 ° C.
  • no peak with a maximum around 420 ° C. was observed. Therefore, it can be considered that the peak observed around 200 ° C. to 800 ° C. with the maximum around 420 ° C. is due to the desorption of hydrogen molecules introduced into the glass.
  • the number of desorbed hydrogen molecules of the measurement sample can be calculated from the integrated intensity ratio of the desorption peak of the hydrogen molecule between the measurement sample and a standard sample with a known hydrogen concentration.
  • silicon ion-implanted silicon used as the standard sample
  • the measurement method is as follows.
  • 1 ⁇ 10 16 hydrogen ion-implanted silicon manufactured by Electronic Science Co., Ltd.
  • 1 ⁇ 10 16 hydrogen ion-implanted silicon manufactured by Electronic Science Co., Ltd.
  • was placed in a temperature programmed desorption analyzer was placed in a temperature programmed desorption analyzer and the inside of the measurement chamber was evacuated to 5 ⁇ 10 ⁇ 7 Pa or less and then heated.
  • a desorption peak was observed around 350 to 750 ° C. with the maximum around 550 ° C. This peak is generated when 1 ⁇ 10 16 hydrogen ions in silicon are desorbed.
  • the substrate 11 preferably has a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less in order to obtain high reflectivity and transfer accuracy in a photomask after pattern formation. .
  • the size, thickness, etc. of the substrate 11 are appropriately determined by the design value of the mask. In the examples described later, SiO 2 —TiO 2 glass having an outer shape of 6 inches (152 mm) square and a thickness of 0.25 inches (6.3 mm) was used. It is preferable that the surface of the substrate 11 on the side where the reflective layer 12 is formed has no defects.
  • the depth of the concave defect and the height of the convex defect are not more than 2 nm so that the phase defect does not occur due to the concave defect and / or the convex defect. It is preferable that the half width of the defect and the convex defect is 60 nm or less.
  • the reflective layer 12 is not particularly limited as long as it has desired characteristics as a reflective layer of an EUV mask blank.
  • the characteristic particularly required for the reflective layer 12 is a high EUV light reflectance.
  • the maximum value of light reflectance near a wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, More preferably, it is 65% or more.
  • the maximum value of the light reflectance near the wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, and 65% or more. It is more preferable that
  • the reflective layer 12 can achieve high EUV light reflectance, a multilayer reflective film in which a high refractive layer and a low refractive index layer are alternately laminated a plurality of times is usually used as the reflective layer 12.
  • a multilayer reflective film in which a high refractive layer and a low refractive index layer are alternately laminated a plurality of times is usually used as the reflective layer 12.
  • Mo is widely used for the high refractive index layer
  • Si is widely used for the low refractive index layer. That is, the Mo / Si multilayer reflective film is the most common.
  • the multilayer reflective film is not limited to this, and Ru / Si multilayer reflective film, Mo / Be multilayer reflective film, Mo compound / Si compound multilayer reflective film, Si / Mo / Ru multilayer reflective film, Si / Mo / Ru / A Mo multilayer reflective film and a Si / Ru / Mo / Ru multilayer reflective film can also be used.
  • each layer constituting the multilayer reflective film constituting the reflective layer 12 and the number of repeating units of the layers can be appropriately selected according to the film material used and the EUV light reflectance required for the reflective layer.
  • the multilayer reflective film is composed of a Mo layer having a film thickness of 2.3 ⁇ 0.1 nm, A Si layer having a thickness of 4.5 ⁇ 0.1 nm may be stacked so that the number of repeating units is 30 to 60.
  • each layer which comprises the multilayer reflective film which comprises the reflective layer 12 so that it may become desired thickness using well-known film-forming methods, such as a magnetron sputtering method and an ion beam sputtering method.
  • film-forming methods such as a magnetron sputtering method and an ion beam sputtering method.
  • an Si / Mo multilayer reflective film is formed by ion beam sputtering
  • an Si target is used as a target and Ar gas (gas pressure 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 2.7 ⁇ 10 ⁇ as a sputtering gas). 2 Pa)
  • an Si film is formed to have a thickness of 4.5 nm at an ion acceleration voltage of 300 to 1500 V and a film formation rate of 0.03 to 0.30 nm / sec.
  • the Si / Mo multilayer reflective film is formed by laminating the Si film and the Mo film for 40 to 50 periods.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film forming the reflective layer 12 is preferably a layer made of a material that is not easily oxidized.
  • the layer of material that is not easily oxidized functions as a cap layer of the reflective layer 12.
  • a Si layer can be exemplified.
  • the uppermost layer can be made to function as a cap layer by making the uppermost layer an Si layer. In that case, the thickness of the cap layer is preferably 11 ⁇ 2 nm.
  • the protective layer 13 is provided for the purpose of protecting the reflective layer 12 so that the reflective layer 12 is not damaged by the etching process when the absorber layer 14 is patterned by an etching process, usually a dry etching process. . Therefore, as the material of the protective layer 13, a material that is not easily affected by the etching process of the absorber layer 14, that is, the etching rate is slower than that of the absorber layer 14 and is not easily damaged by the etching process is selected. Examples of the material satisfying this condition include Cr, Al, Ta and nitrides thereof, Ru and Ru compounds (RuB, RuSi, etc.), and SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 and mixtures thereof. Is done.
  • the thickness of the protective layer 13 is preferably 1 to 60 nm.
  • the protective layer 13 is formed using a known film formation method such as magnetron sputtering or ion beam sputtering.
  • a Ru film is formed by magnetron sputtering
  • a Ru target is used as a target
  • Ar gas gas pressure: 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa
  • the characteristic particularly required for the absorber layer 14 is that the EUV light reflectance is extremely low. Specifically, when the surface of the absorber layer 14 is irradiated with light in the wavelength region of EUV light, the maximum light reflectance near a wavelength of 13.5 nm is preferably 0.5% or less, 0.1% The following is more preferable. In the EUV mask blank 1 of the present invention, even when the surface of the low reflection layer 15 is irradiated with light in the wavelength region of EUV light, the maximum light reflectance near a wavelength of 13.5 nm may be 0.5% or less. Preferably, it is 0.1% or less.
  • the absorber layer 14 is made of a material having a high EUV light absorption coefficient.
  • a material having a high EUV light absorption coefficient a material mainly composed of tantalum (Ta) is preferably used.
  • a material containing tantalum (Ta) as a main component means a material containing Ta in the material at 40 at% or more, preferably 50 at% or more, more preferably 55 at% or more.
  • the material mainly composed of Ta used for the absorber layer 14 is not only Ta but also hafnium (Hf), silicon (Si), zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), nitrogen (N) and hydrogen ( It may contain at least one element selected from H).
  • the material containing the above elements other than Ta include, for example, TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiH, TaBSiN, TaBSiNH, TaB, TaBH, TaBN, TaBNH, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, etc. are mentioned.
  • the content of B is preferably 3 at% or less, more preferably 1 at% or less, and particularly preferably B is not included.
  • the absorber layer 14 does not contain oxygen (O). Specifically, the O content in the absorber layer 14 is preferably less than 25 at%.
  • O content in the absorber layer 14 is preferably less than 25 at%.
  • a dry etching process is usually used.
  • an etching gas a chlorine-based gas (or a mixed gas including a chlorine-based gas) or a fluorine gas (or a mixed gas including a fluorine-based gas) is used. Gas) is usually used.
  • a film containing Ru or a Ru compound is formed as a protective layer on the reflective layer for the purpose of preventing the reflective layer from being damaged by the etching process, the protective layer is less damaged, so that it is mainly used as an etching gas.
  • Chlorine-based gas is used. However, when the dry etching process is performed using a chlorine-based gas, if the absorber layer 14 contains oxygen, the etching rate is lowered, and resist damage is increased, which is not preferable.
  • the oxygen content in the absorber layer 14 is preferably 15 at% or less, more preferably 10 at% or less, and even more preferably 5 at% or less.
  • the thickness of the absorber layer 14 is preferably set so that the total thickness of the absorber layer 14 and the low reflective layer 15 is 30 to 200 nm, more preferably 35 to 200 nm, and even more preferably 50 to 200 nm. .
  • the absorber layer 14 having the above-described configuration can be formed by performing a known film forming method, for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a known film forming method for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a TaNH film is formed as the absorber layer 14 using a magnetron sputtering method, it may be performed under the following conditions.
  • Sputtering target Ta target Sputtering gas: Mixed gas of Ar, N 2 and H 2 (H 2 gas concentration 1 to 50 vol%, preferably 1 to 30 vol%, N 2 gas concentration 1 to 80 vol%, preferably 5 to 75 vol% , Ar gas concentration 5 to 95 vol%, preferably 10 to 94 vol%, gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 50 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 40 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 30 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.)
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W
  • Deposition rate 0.5 to 60 nm / min, preferably 1.0 to 45 nm / min, more preferably 1.5 to 30 nm / min
  • the low reflection layer 15 is composed of a film exhibiting low reflection characteristics with respect to the wavelength of inspection light used for inspection of the mask pattern.
  • an inspection machine using light of about 257 nm is currently used as inspection light. That is, the difference in reflectance with respect to the inspection light having such a wavelength, specifically, the surface where the absorber layer 14 is removed by pattern formation and the surface of the absorber layer 14 that remains without being removed by pattern formation. And the difference in reflectivity, that is, the contrast of reflected light on these surfaces.
  • the former is the surface of the reflective layer 12.
  • the protective layer 13 is formed on the reflective layer 12, it is the surface of the protective layer 13. Therefore, if the difference in reflectance between the surface of the reflective layer 12 or the protective layer 13 and the surface of the absorber layer 14 with respect to the wavelength of the inspection light is small, the contrast at the time of inspection deteriorates and accurate inspection cannot be performed. .
  • the absorber layer 14 having the above-described configuration has extremely low EUV light reflectance, and has excellent characteristics as the absorber layer of the EUV mask blank 1, but when viewed with respect to the wavelength of inspection light, the light reflectance is low. It is not necessarily low enough. As a result, the difference between the reflectance on the surface of the absorber layer 14 and the reflectance on the surface of the protective layer 13 with respect to the wavelength of the inspection light becomes small, and there is a possibility that sufficient contrast at the time of inspection cannot be obtained. If sufficient contrast at the time of inspection is not obtained, pattern defects cannot be sufficiently determined in the inspection of the mask pattern, and accurate defect inspection cannot be performed.
  • the low reflection layer 15 with respect to the inspection light of the mask pattern is formed on the absorber layer 14, whereby the contrast at the time of inspection becomes good.
  • the contrast of the reflected light is the difference in reflectance between the surface of the reflective layer 12 and the surface of the low reflective layer 15 with respect to the wavelength of the inspection light.
  • the protective layer 13 is formed on the reflective layer 12, this is the difference in reflectance between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflective layer 15.
  • the light reflectance is extremely low with respect to the wavelength range (190 to 260 nm) of the inspection light of the mask pattern.
  • the light reflectance of the surface of the low reflection layer 15 is preferably 15% or less. It is more preferably 10% or less, and further preferably 8% or less. If the maximum light reflectance on the surface of the low reflective layer 15 is 15% or less with respect to the wavelength range (190 to 260 nm) of the inspection light of the mask pattern, the contrast at the time of inspection is good.
  • the contrast between the reflected light) and the reflected light on the surface of the low reflection layer 15 is 60% or more.
  • Contrast (%) ((R 2 ⁇ R 1 ) / (R 2 + R 1 )) ⁇ 100
  • R 2 is the reflectance at the surface of the reflective layer 12 with respect to the wavelength of the inspection light.
  • R 1 is the reflectance at the surface of the low reflection layer 15 with respect to the wavelength of the inspection light.
  • the above R 1 and R 2 are, as shown in FIG. 2, is measured in a state of forming a pattern on the absorber layer 14 and the low reflective layer 15 of the EUV mask blank 1 shown in Figure 1.
  • the R 2 is a value measured on the surface of the reflective layer 12 or the protective layer 13 exposed to the outside after the absorber layer 14 and the low reflective layer 15 are removed by pattern formation in FIG. 2, and R 1 is the pattern formation. This is a value measured on the surface of the low reflective layer 15 remaining without being removed by.
  • the contrast represented by the above formula is more preferably 65% or more, and further preferably 70% or more.
  • the low reflective layer 15 needs to satisfy a desired reflectance in a wavelength range (400 to 1200 nm) required in a mask manufacturing process and a pattern transfer process, and preferably satisfies the following requirements.
  • the low reflective layer 15 of the EUV mask blank 1 of the present invention preferably contains the elements described below in a specific ratio.
  • the first aspect of the low reflection layer 15 is a TaOH film containing at least tantalum (Ta), oxygen (O), and hydrogen (H).
  • Ta tantalum
  • O oxygen
  • H hydrogen
  • the composition (atomic) ratio of Ta and O is preferably 1: 8 to 3: 1.
  • the H content is preferably 1 to 15 at%, more preferably 3 to 15 at%, 5 to 15 at%, 5 to 12 at%, and 5 to 10 at%.
  • the total content of Ta and O is more preferably 85 to 99 at%, further preferably 85 to 95 at%, and particularly preferably 90 to 95 at%.
  • the composition ratio of Ta and O is preferably 1: 7 to 2: 1, more preferably 1: 6 to 1: 1, and particularly preferably 1: 5 to 1: 1.
  • the second aspect of the low reflective layer 15 is a TaONH film containing at least tantalum (Ta), oxygen (O), nitrogen (N), and hydrogen (H).
  • Ta tantalum
  • O oxygen
  • N nitrogen
  • H hydrogen
  • the total content of Ta, O and N is 85 to 99.9 at%
  • the content of H is 0.1 to 15 at%.
  • H is a material having a low EUV light absorption coefficient, if the H content of the low reflective layer 15 exceeds 15 at%, it depends on the H content and film thickness of the absorber layer 14.
  • the composition (atomic) ratio of Ta to (O + N) is preferably 1: 8 to 3: 1.
  • the H content is more preferably 1 to 15 at%, further preferably 3 to 15 at%, and further preferably 5 to 15 at%. It is particularly preferred. Further, the total content of Ta, O and N is more preferably 85 to 99 at%, further preferably 85 to 95 at%, and particularly preferably 90 to 95 at%.
  • the composition ratio of Ta and (O + N) is preferably 1: 7 to 2: 1, more preferably 1: 6 to 1: 1, 1: 5 to 1: 1, 1: 4 to Particularly preferred is 1: 2.
  • the film may contain elements other than these elements.
  • the TaONH film is a film containing at least Ta, O, N and H, the film may contain other elements other than these elements.
  • the content of other elements is preferably 5 at% or less, preferably 2 at% or less, and preferably 1 at% or less. Is particularly preferred.
  • the Cr content in the low reflection layer is preferably 3 at% or less, preferably 2 at% or less, and particularly preferably 1 at% or less.
  • the content of Ti in the low reflection layer is preferably 3 at% or less, preferably 2 at% or less, and particularly preferably 1 at% or less.
  • the content of B in the low reflection layer is preferably 5 at% or less, preferably 3 at% or less, particularly preferably 1 at% or less, and particularly preferably B is not contained.
  • the hydrogen content in the low reflection layer is 1 at% or more, 2.5 at% or more, and 4 to 8 at% more than the hydrogen content in the absorber layer in terms of low reflection performance. preferable.
  • the low reflective layer 15 (TaOH film, TaONH film) is preferably amorphous because of the above structure.
  • the phrase “crystalline state is amorphous” includes a microcrystalline structure other than an amorphous structure having no crystal structure.
  • the surface roughness (rms) of the surface of the low reflection layer 15 is preferably 0.5 nm or less.
  • the surface roughness of the surface of the absorber layer 15 can be measured using an atomic force microscope (Atomic Force Microscope).
  • the surface of the low reflection layer 15 is required to be smooth. If the surface roughness (rms) of the surface of the low reflection layer 15 is 0.5 nm or less, the surface of the low reflection layer 15 is sufficiently smooth, and there is no possibility that the dimensional accuracy of the pattern is deteriorated due to the influence of edge roughness.
  • the surface roughness (rms) of the surface of the low reflective layer 15 is more preferably 0.4 nm or less, and further preferably 0.3 nm or less.
  • the crystal state of the low reflective layer 15 (TaOH film, TaONH film) is amorphous, that is, an amorphous structure or a microcrystalline structure. Can do. If the crystal state of the low reflective layer 15 is an amorphous structure or a microcrystalline structure, a sharp peak is not observed in a diffraction peak obtained by XRD measurement.
  • the low reflection layer may be formed by oxidizing the surface of the absorber layer by oxygen plasma treatment or the like.
  • the total film thickness of the absorber layer 14 and the low reflection layer 15 is preferably 30 to 200 nm, more preferably 35 to 200 nm, and even more preferably 50 to 200 nm. .
  • the thickness of the low reflective layer 15 is larger than the thickness of the absorber layer 14, the EUV light absorption characteristics in the absorber layer 14 may be deteriorated. It is preferably smaller than the film thickness of the layer. Therefore, the thickness of the low reflection layer 15 is preferably 3 to 30 nm, and more preferably 5 to 20 nm. Moreover, it is preferable that the low reflection layer 15 is in direct contact with the absorber layer in terms of low reflection performance.
  • the low reflection layer 15 (TaOH film, TaONH film) having the above-described configuration can be formed by performing a sputtering method using a Ta target, for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a sputtering method using a Ta target, for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a Ta target for example, a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • an inert gas containing at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe), and oxygen (O)
  • a Ta target is discharged in an atmosphere containing hydrogen (H).
  • an inert gas containing at least one of helium (He), argon (Ar), neon (Ne), krypton (Kr), and xenon (Xe), oxygen ( O), nitrogen (N), and hydrogen (H) are formed by discharging a Ta target in an atmosphere.
  • the following film formation conditions may be used.
  • Deposition conditions of low reflective layer 15 (TaOH film) Sputtering gas Ar, O 2 and H 2 mixed gas (H 2 gas concentration 1 to 50 vol%, preferably 1 to 30 vol%, O 2 gas concentration 1 to 80 vol%, Preferably 5 to 75 vol%, Ar gas concentration 5 to 95 vol%, preferably 10 to 94 vol%, gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 50 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa To 40 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 30 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.)
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W
  • Deposition rate 0.01 to 60 nm / min, preferably 0.05 to 45 nm / min, more preferably 0.1 to 30 nm / min
  • Deposition conditions of the low reflection layer 15 (TaONH film) Sputtering gas Ar, O 2 , N 2 and H 2 mixed gas (H 2 gas concentration 1 to 50 vol%, preferably 1 to 30 vol%, O 2 gas concentration 1 ⁇ 80 vol%, preferably 5 ⁇ 75vol%, N 2 gas concentration 1 ⁇ 80 vol%, preferably 5 ⁇ 75vol%, Ar gas concentration 5 ⁇ 95 vol%, preferably 10 ⁇ 89vol%, gas pressure 1.0 ⁇ 10 - 1 Pa to 50 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 40 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 30 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.)
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W
  • Deposition rate 0.01 to 60 nm / min, preferably 0.05 to 45 nm / min, more preferably 0.1 to 30 nm / min
  • an inert gas other than Ar
  • the EUV mask blank 1 of the present invention may have a functional film known in the field of EUV mask blanks in addition to the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14, and the low reflective layer 15.
  • a functional film for example, as described in Japanese Patent Application Publication No. 2003-501823, a high dielectric material applied to the back side of the substrate in order to promote electrostatic chucking of the substrate.
  • a functional coating here, the back surface of the substrate refers to the surface of the substrate 11 in FIG. 1 opposite to the side on which the reflective layer 12 is formed.
  • the electrical conductivity and thickness of the constituent material are selected so that the sheet resistance is 100 ⁇ / ⁇ or less.
  • the constituent material of the high dielectric coating can be widely selected from those described in known literature.
  • a high dielectric constant coating described in JP-A-2003-501823 specifically, a coating made of silicon, TiN, molybdenum, chromium, or TaSi can be applied.
  • the thickness of the high dielectric coating can be, for example, 10 to 1000 nm.
  • the high dielectric coating can be formed using a known film formation method, for example, a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method, a CVD method, a vacuum evaporation method, or an electrolytic plating method.
  • the patterning method of the absorber layer is not particularly limited, and for example, a method of applying a resist on the absorber layer to form a resist pattern and etching the absorber layer using this as a mask can be employed.
  • the resist material and the resist pattern drawing method may be appropriately selected in consideration of the material of the absorber layer and the like.
  • the method for etching the absorber layer is not particularly limited, and dry etching such as reactive ion etching or wet etching can be employed.
  • the EUV mask is obtained by stripping the resist with a stripping solution.
  • the present invention can be applied to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit by a photolithography method using EUV light as an exposure light source.
  • a substrate such as a silicon wafer coated with a resist is placed on a stage, and the EUV mask is installed in a reflective exposure apparatus configured by combining a reflecting mirror.
  • the EUV light is irradiated from the light source to the EUV mask through the reflecting mirror, and the EUV light is reflected by the EUV mask and irradiated to the substrate coated with the resist.
  • the circuit pattern is transferred onto the substrate.
  • the substrate on which the circuit pattern has been transferred is subjected to development to etch the photosensitive portion or the non-photosensitive portion, and then the resist is removed.
  • a semiconductor integrated circuit is manufactured by repeating such steps.
  • Example 1 the EUV mask blank 1 shown in FIG. 1 was produced.
  • a SiO 2 —TiO 2 glass substrate (outer diameter 6 inches (152 mm) square, thickness 6.3 mm) was used.
  • This glass substrate has a thermal expansion coefficient of 0.2 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., a Young's modulus of 67 GPa, a Poisson's ratio of 0.17, and a specific rigidity of 3.07 ⁇ 10 7 m 2 / s 2 .
  • This glass substrate was polished to form a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less.
  • a high dielectric coating having a sheet resistance of 100 ⁇ / ⁇ was applied to the back side of the substrate 11 by depositing a Cr film having a thickness of 100 nm using a magnetron sputtering method.
  • a substrate 11 (outer diameter 6 inches (152 mm) square, thickness 6.3 mm) is fixed to a flat electrostatic chuck having a flat plate shape by using the formed Cr film, and ion beam sputtering is performed on the surface of the substrate 11.
  • the Si / Mo multilayer reflective film (reflective layer 12) having a total film thickness of 272 nm ((4.5 nm + 2.3 nm) ⁇ 40) is obtained by repeating 40 cycles of alternately forming the Si film and the Mo film using the method. Formed.
  • a protective layer 13 was formed by forming a Ru film (film thickness: 2.5 nm) on the Si / Mo multilayer reflective film (reflective layer 12) using an ion beam sputtering method.
  • the deposition conditions for the Si film, the Mo film, and the Ru film are as follows. Conditions for forming the Si film Target: Si target (boron doped) Sputtering gas: Ar gas (gas pressure 0.02 Pa) Voltage: 700V Deposition rate: 0.077 nm / sec Film thickness: 4.5nm Conditions for forming the Mo film Target: Mo target Sputtering gas: Ar gas (gas pressure 0.02 Pa) Voltage: 700V Deposition rate: 0.064 nm / sec Film thickness: 2.3 nm Ru film formation conditions Target: Ru target sputtering gas: Ar gas (gas pressure 0.02 Pa) Voltage: 500V Deposition rate: 0.023 nm / sec Film thickness: 2.5nm
  • the absorber layer 14 (TaNH film) was formed by the following method.
  • the film composition includes an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by PERKIN ELEMER-PHI), a secondary ion mass spectrometer (secondary ion mass spectrometer) (manufactured by PHI-ATOMIKA), and Rutherford backscattering spectrometer (manufactured by Rutherford). Measurement is performed using Ruferford Back Scattering Spectroscopy (manufactured by Kobe Steel).
  • the O content in the absorber layer is 0.05 at% or less.
  • Film formation conditions for absorber layer 14 (TaNH film)
  • Target Ta target Sputter gas: Mixed gas of Ar, N 2 and H 2 (Ar: 89 vol%, N 2 : 8.3 vol%, H 2 : (2.7 vol%, gas pressure: 0.46 Pa)
  • Input power 300W Deposition rate: 1.5 nm / min Film thickness: 70nm
  • a low reflection layer 15 (TaONH film) containing Ta, O, N, and H is formed on the absorber layer 14 by using a magnetron sputtering method, whereby the reflection layer 12 and the protective layer are formed on the substrate 11.
  • the film forming conditions of the low reflective layer 15 (TaONH film) are as follows.
  • Ta target Sputtering gas mixed gas of Ar and O 2 N 2 and H 2 (Ar: 48vol%, O 2: 36vol%, N 2 : 14 vol%, H 2 : 2 vol%, gas pressure: 0.3 Pa)
  • Input power 450W Deposition rate: 1.5 nm / min Film thickness: 10nm
  • the following evaluations (1) to (5) were performed on the low reflective layer 15 (TaONH film) of the EUV mask blank obtained by the above procedure.
  • (1) Film composition The composition of the low-reflection layer 15 (TaONH film) is determined using an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by PERKIN ELEMER-PHI), Rutherford backscattering spectrometer (Rutherford Back Scattering Spectroscopy). Measured using Kobe Steel).
  • the surface roughness of the low reflective layer 15 is measured by a dynamic force mode using an atomic force microscope (SII, SPI-3800).
  • the surface roughness measurement area is 1 ⁇ m ⁇ 1 ⁇ m, and SI-DF40 (manufactured by SII) is used as the cantilever.
  • the surface roughness (rms) of the low reflection layer is 0.30 nm.
  • the contrast at a wavelength of 257 nm was 79.9%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 was 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast was obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaONH film
  • Example 2 In this example, the same procedure as in Example 1 was performed except that the low reflective layer 15 was TaOH, and the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14 (TaNH), and the low reflective layer were formed on the substrate 11.
  • An EUV mask blank 1 in which 15 (TaOH) is formed in this order is obtained.
  • the film forming conditions for the low reflective layer 15 (TaOH) are as follows.
  • the surface roughness (rms) of the low reflective layer 15 (TaOH film) was examined by the same procedure as in Example 1, it was 0.31 nm.
  • the reflection characteristics of the EUV blanks obtained by the above procedure are evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 257 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaOH film) was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 5.9% and was 15% or less. From these results, the contrast at a wavelength of 257 nm is 80.9%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 is 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast can be obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaOH film), and the reflectance of EUV light is measured. As a result, the reflectance of EUV light is 0.5%.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaOH film) is evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance for a predetermined wavelength is as follows.
  • Example 3 In this example, the same procedure as in Example 1 is performed except that the absorber layer 14 is a TaN film.
  • the O content in the absorber layer is 0.05 at% or less.
  • the film forming conditions of the absorber layer 14 (TaN) are as follows.
  • Ta target Sputtering gas mixed gas of Ar and N 2 (Ar: 86vol%, N 2: 14vol%, gas pressure: 0.37 Pa)
  • Input power 300W
  • Deposition rate 1.1 nm / min
  • Film thickness 60nm
  • a low reflective layer 15 is formed on the absorber layer 14 in the same procedure as in Example 1, and the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14 (TaN), low on the substrate 11 is formed.
  • the EUV mask blank 1 in which the reflective layer 15 (TaONH) is formed in this order is obtained.
  • the reflection characteristics of the EUV blanks obtained by the above procedure are evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 257 nm on the surface of the low reflective layer 15 was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 6.0% and 15% or less. From these results, the contrast at a wavelength of 257 nm is 80.6%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 is 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast can be obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaONH film
  • the reflectance with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 is evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance for a predetermined wavelength is as follows. [Target value] ⁇ 405 nm: ⁇ 40% ⁇ 600 to 650 nm: 30 to 50% ⁇ 800-900nm:> 50% ⁇ 1000-1200nm: ⁇ 90% [Measurement result] ⁇ 405 nm: 30% ⁇ 600 to 650 nm: 43 to 46% ⁇ 800-900nm: 51-56% ⁇ 1000-1200nm: ⁇ 65%
  • the reflectance is within the range of the target value for any wavelength.
  • Example 4 In this example, the same procedure as in Example 2 is performed except that the absorber layer 14 is a TaN film.
  • the absorber layer 14 (TaN film) is manufactured in the same procedure as in Example 3, and the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14 (TaN), and the low reflective layer 15 (TaOH) are formed on the substrate 11 in this manner.
  • the EUV mask blank 1 formed in this order is obtained.
  • the reflection characteristics of the EUV blanks obtained by the above procedure are evaluated in the same manner as in Example 1. When the reflectance with respect to the wavelength of 257 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaOH film) was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 6.1% and 15% or less.
  • the contrast at a wavelength of 257 nm is 80.3%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 is 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast can be obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaOH film), and the reflectance of EUV light is measured. As a result, the reflectance of EUV light is 0.4%.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaOH film) is evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance for a predetermined wavelength is as follows.
  • Example 5 In this example, the same procedure as in Example 1 is performed except that the absorber layer 14 is a TaBN film.
  • the O content in the absorber layer is 0.05 at% or less.
  • the film forming conditions of the absorber layer 14 (TaBN) are as follows.
  • TaBN layer target TaB compound target (composition ratio: Ta 80 at%, B 20 at%)
  • Sputtering gas Ar and N 2 mixed gas (Ar: 80 vol%, N 2 : 20 vol%, gas pressure: 0.46 Pa)
  • Input power 300W
  • Deposition rate 1.2 nm / min
  • Film thickness 60nm
  • a low reflective layer 15 is formed on the absorber layer 14 in the same procedure as in Example 1, and the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14 (TaBN), low on the substrate 11 is formed.
  • the EUV mask blank 1 in which the reflective layer 15 (TaONH) is formed in this order is obtained.
  • the reflection characteristics of the EUV blanks obtained by the above procedure are evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 is 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast can be obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaONH film
  • the reflectance with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaONH film) is evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance for a predetermined wavelength is as follows.
  • Example 6 In this example, the same procedure as in Example 1 is performed except that the absorber layer 14 is a TaBNH film.
  • the O content in the absorber layer is 0.05 at% or less.
  • the film formation conditions of the absorber layer 14 (TaBNH) are as follows.
  • TaB compound target Composition ratio: Ta 80 at%, B 20 at%)
  • Sputtering gas Mixed gas of Ar, N 2 and H 2 (Ar: 80 vol%, N 2 : 17.3 vol%, H 2 : 2.7 vol%, gas pressure: 0.46 Pa)
  • Input power 300W
  • Deposition rate 1.5 nm / min
  • Film thickness 60nm
  • a low reflective layer 15 is formed on the absorber layer 14 in the same procedure as in Example 1, and the reflective layer 12, the protective layer 13, the absorber layer 14 (TaBNH), low on the substrate 11 is formed.
  • the EUV mask blank 1 in which the reflective layer 15 (TaONH) is formed in this order is obtained.
  • the reflection characteristics of the EUV blanks obtained by the above procedure are evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 257 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaONH film) was evaluated in the same manner as in Example 1, it was 6.2% and was 15% or less. From these results, the contrast at a wavelength of 257 nm is 80.0%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 is 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast can be obtained.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 15 (TaONH film
  • the reflectance with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaONH film) is evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance for a predetermined wavelength is as follows.
  • Comparative Example 1 In this comparison, the same procedure as in Example 1 was performed except that the low reflective layer 15 was not a hydrogen (H) but a TaON film containing tantalum (Ta), oxygen (O), and nitrogen (N). .
  • the film forming conditions of the low reflective layer 15 (TaON film) are as follows.
  • the reflection characteristics of the low reflective layer 15 (TaON film) of the EUV mask blank obtained by the above procedure were evaluated in the same manner as in Example 1.
  • the reflectance with respect to the wavelength of 257 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaON film) was 9.0%, which was 15% or less.
  • the contrast at a wavelength of 257 nm was 72.3%.
  • the contrast between the surface of the protective layer 13 and the surface of the low reflection layer 15 was 70% or more with respect to the wavelength of the inspection light of the mask pattern, and a sufficient contrast was obtained.
  • the reflectivity with respect to the wavelength of 400 to 1200 nm on the surface of the low reflective layer 15 (TaON film) was as follows.
  • the mask blank of the present invention can be used for manufacturing a semiconductor integrated circuit by a photolithography method using EUV light as an exposure light source. It should be noted that the entire contents of the specification, claims, drawings and abstract of Japanese Patent Application No. 2008-279899 filed on Oct. 30, 2008 are cited here as disclosure of the specification of the present invention. Incorporated.
  • EUV mask blank 11 Substrate 12: Reflective layer (multilayer reflective film) 13: Protective layer 14: Absorber layer 15: Low reflective layer

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Abstract

　ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、さらにマスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で所望の反射率（４０５ｎｍ：＜４０％、６００～６５０ｎｍ：３０～５０％、８００～９００ｎｍ：＞５０％、１０００～１２００ｎｍ：＜９０％）を満たす低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有し、前記低反射層において、ＴａおよびＯの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。

Description

ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク
　本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）に関する。
　従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線をさし、具体的には波長１０～２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
　ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
　マスクブランクは、フォトマスク製造用に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＴａやＣｒを主成分とする材料が用いられる。
　ＥＵＶマスクブランクの吸収体層上には、マスクパターン検査光に対する低反射層が通常設けられている。マスクパターン形成後におけるパターン欠陥の有無には、深紫外光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）の光線が用いられる。上記の波長域の光線を用いたパターン検査では、パターニング工程により低反射層および吸収体層が除去された領域と、低反射層および吸収体層が残っている領域と、の反射率差、すなわち、これらの領域の表面での反射光のコントラストによってパターン欠陥の有無が検査される。マスクパターンの検査感度を向上するためには、コントラストを大きくする必要があり、このためには、低反射層が上記の波長域に対して低反射特性であること、すなわち、上記の波長域に対する反射率が１５％以下であることが通常要求される。
　特許文献１には、タンタルホウ素合金の窒化物（ＴａＢＮ）からなる吸収体層上に、タンタルホウ素合金の酸化物（ＴａＢＯ）またはタンタルホウ素合金の酸窒化物（ＴａＢＮＯ）からなる低反射層を形成することが、マスクパターンの検査光の波長域（１９０ｎｍ～２６０ｎｍ）に対する反射率が低いことから好ましいとされている。
　また、特許文献２には、マスクパターンの検査光の波長域（１９０ｎｍ～２６０ｎｍ）に対する反射率を調整するために、吸収体層上に金属、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる低反射層を設けることが好ましいとされている。
特開２００４－６７９８号公報（米国特許７３９０５９６号公報） 特開２００６－２２８７６７号公報
　特許文献１および特許文献２では、低反射層をＴａＢＯ膜またはＴａＢＮＯ膜、金属、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる材料（例えば、ＴａＳｉＯＮ、ＺｒＳｉＯＮなど）とした場合、現在用いられているマスクパターンの検査光の波長２５７ｎｍに対しては十分なコントラストが得られていると記載されている。
　しかしながら、マスク作製プロセスおよびパターン転写プロセスにおいて、マスクパターン検査波長（１９０～２６０ｎｍ）の反射率だけでなく、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率も重要である。４００～１２００ｎｍの波長を有する光は、マスクの搬送時やハンドリング時の「位置センサー」として通常用いられており、所望の反射率範囲にない場合、基板位置精度の悪化すなわちパターン精度の悪化という問題が生じる可能性がある。位置センサーとして使用される光の波長に対する反射率は、各プロセス（検査、パターン描画、エッチング、露光）で用いられる装置によって異なるが、一般的には、「４０５ｎｍで４０％未満」、「６００～６５０ｎｍで３０～５０％」、「８００～９００ｎｍで５０％超」、「１０００～１２００ｎｍで９０％未満」が求められることが多い。
　本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、ＥＵＶマスクブランクとしての特性に優れ、すなわち、ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）に対する反射率が低く、かつ、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で上記所望の反射率を満たすことが可能な低反射層を有するＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、低反射層をタンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有する膜（以下、「ＴａＯＨ膜」とする）、あるいはＴａ、Ｎ、ＯおよびＨを少なくとも含有する膜（以下、「ＴａＯＮＨ膜」とする。）とすることにより、ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対して低反射特性を有するだけでなく、さらにマスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で上記所望の反射率を満たすことが可能であることを見出した。
　本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有し、
　前記低反射層（ＴａＯＨ膜）において、ＴａおよびＯの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％（原子百分率、以下同じ）であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、「本発明のＥＵＶマスクブランク」という。）を提供する。
　本発明のＥＵＶブランクは、前記低反射層（ＴａＯＨ膜）において、ＴａとＯの組成比がＴａ：Ｏ＝１：８～３：１であることが好ましい。
　なお、本発明において、組成比とは、原子比を意味する。
　また、本発明のＥＵＶブランクは、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有し、
　前記低反射層（ＴａＯＮＨ膜）において、Ｔａ、ＯおよびＮの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを提供する。
　本発明のＥＵＶブランクは、前記低反射層（ＴａＯＮＨ膜）において、Ｔａと（Ｏ＋Ｎ）の組成比がＴａ：（Ｏ＋Ｎ）＝１：８～３：１であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層（ＴａＯＨ膜およびＴａＯＮＨ膜）の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層（ＴａＯＨ膜およびＴａＯＮＨ膜）の結晶構造が、アモルファスであることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層（ＴａＯＨ膜およびＴａＯＮＨ膜）の膜厚が、３～３０ｎｍであることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とする吸収体層であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とし、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）から選ばれる少なくとも１種類の元素を含んでも良い。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層は、酸素（Ｏ）の含有率が２５ａｔ％未満であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層および前記低反射層の膜厚が、３０～２００ｎｍであることが好ましい。
　また、本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
　前記マスクパターンの検査光の波長（１９０～２６０ｎｍ）に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層（ＴａＯＨ膜およびＴａＯＮＨ膜）表面での反射光と、のコントラストが、６０％以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層中の水素の含有量は、前記吸収体層中の水素の含有量よりも、１ａｔ％以上多いことが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記マスクパターンの検査光の波長（１９０～２６０ｎｍ）に対する前記低反射層（ＴａＯＨ膜およびＴａＯＮＨ膜）表面の反射率が１５％以下であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層（ＴａＯＨ膜）が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記低反射層（ＴａＯＮＨ膜）が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。
　また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する方法であって、
　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
　また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する方法であって、
　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
　また、本発明は、本発明のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの吸収体層および低反射層にパターニングを施したことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを提供する。
　また、本発明は、本発明のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法を提供する。
　本発明のＥＵＶマスクブランクは、ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）に対する反射率が低いことに加えて、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で所望の反射率（４０５ｎｍ：＜４０％、６００～６５０ｎｍ：３０～５０％、８００～９００ｎｍ：＞５０％、１０００～１２００ｎｍ：＜９０％）を満たすことが可能であるため、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスが安定化するという利点を有する。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。 図２は、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４および低反射層１５にパターン形成した状態を示している。
　以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクを説明する。
　図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４とがこの順に形成されている。反射層１２と吸収体層１４との間には、吸収体層１４へのパターン形成時に反射層１２を保護するための保護層１３が形成されている。吸収体層１４上には、マスクパターンの検査光に対する低反射層１５が形成されている。但し、本発明のＥＵＶマスクブランク１において、図１に示す構成中、基板１１、反射層１２、吸収体層１４および低反射層１５のみが必須であり、保護層１３は任意の構成要素である。
　以下、マスクブランク１の個々の構成要素について説明する。
　基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
　そのため、基板１１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。
　前記ガラスにおいて、カーボンコンタミネーションのクリーニング効果や、酸化した膜の還元効果の点で、水素分子濃度が１×１０１６分子／ｃｍ３、５×１０１６分子／ｃｍ３、１×１０１７分子／ｃｍ３、５×１０１７分子／ｃｍ３以上であることが好ましい。より好ましくは水素分子濃度は１×１０１８分子／ｃｍ３以上、さらに好ましくは５×１０１８分子／ｃｍ３以上、特に好ましくは１×１０１９分子／ｃｍ３以上である。より長期にわたって上記の効果を持続させるには、５×１０１９分子／ｃｍ３以上であることが好ましい。
　水素分子濃度の測定は、特許第３２９８９７４号明細書に基づく電子科学社製の昇温脱離分析装置（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ；ＴＤＳ）を用いて以下のように行うことが好ましい。
　水素分子を導入したガラス試料を昇温脱離分析装置内に入れ、その測定室内部を５×１０－７Ｐａ以下まで真空引きした後ガラス試料を加熱し、発生したガスの質量数を分析装置内部に設置された質量分析計にて測定する。水素分子の脱離プロファイルにおいて、４２０℃付近を最大とし２００～８００℃付近にピークが観測される。また水分子の脱離プロファイルにおいて１５０℃付近を最大とし１００～２００℃付近に観測されたピークは、ガラス表面に物理吸着した水が脱離したものによると考えられる。
　次に水素分子を導入していないガラス試料を、同様に、昇温脱離分析装置内に入れ測定室内部を５×１０－７Ｐａ以下まで真空引きした後加熱し、発生したガスの質量数を測定する。１００～２００℃付近に物理吸着水の脱離によると考えられるピークが観測される。これに対し４２０℃付近を最大としたピークは観測されなかった。
　よって、４２０℃付近を最大とし２００～８００℃付近に観測されたピークは、ガラス中に導入した水素分子が脱離したことによるものと考えることができる。したがって、測定サンプルと水素濃度が既知の標準サンプルとの上記水素分子の脱離ピークの積分強度比より、測定サンプルの脱離した水素分子数を算出することができる。
　例えば、標準サンプルとして水素イオン注入したシリコンを用いた場合、以下のような測定方法となる。１×１０１６個の水素イオン注入したシリコン(電子科学社製)を、同様に、昇温脱離分析装置内に入れ測定室内部を５×１０－７Ｐａ以下まで真空引きした後加熱した。５５０℃付近を最大とし３５０～７５０℃付近に脱離ピークが観測された。このピークはシリコン中の１×１０１６個の水素イオンが脱離した際に発生したものである。
　基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
　基板１１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
　基板１１の反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
　反射層１２は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を入射角６度で反射層１２表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層１２の上に保護層１３や低反射層１５を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
　反射層１２は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が反射層１２として用いられる。反射層１２をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
　反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
　なお、反射層１２をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ～２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ～２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０～５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
　反射層１２表面が酸化されるのを防止するため、反射層１２をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層１２のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層１２をなす多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍであることが好ましい。
　保護層１３は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層１４にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層１２を保護することを目的として設けられる。したがって保護層１３の材質としては、吸収体層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ及びこれらの窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ＣｒＮおよびＳｉＯ2の少なくとも１つであることが好ましく、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が特に好ましい。
　保護層１３の厚さは１～６０ｎｍであることが好ましい。
　保護層１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ～１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電力３０～１５００Ｖ、成膜速度０．０２～１．０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２～５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
　吸収体層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層１４表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランク１においては、ＥＵＶ光の波長領域の光線を低反射層１５表面に照射した際にも、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
　上記の特性を達成するため、吸収体層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料を意味する。
　吸収体層１４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）から選ばれる少なくとも１種類の元素を含んでも良い。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＨ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮＨ、ＴａＢ、ＴａＢＨ、ＴａＢＮ、ＴａＢＮＨ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮなどが挙げられる。
　ただし、吸収体層において、Ｂの含有量は３ａｔ％以下が好ましく、１ａｔ％以下がより好ましく、特にＢを含まないことが好ましい。
　ただし、吸収体層１４中には、酸素（Ｏ）を含まないことが好ましい。具体的には、吸収体層１４中のＯの含有率が２５ａｔ％未満であることが好ましい。吸収体層１４にパターン形成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素系ガス（あるいは塩素系ガスを含む混合ガス）あるいはフッ素ガス（あるいはフッ素系ガスを含む混合ガス）が通常に用いられる。エッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止する目的で、反射層上に保護層としてＲｕまたはＲｕ化合物を含む膜が形成されている場合、保護層のダメージが少ないことから、エッチングガスとして主に塩素系ガスが使われる。しかしながら、塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収体層１４が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。吸収体層１４中の酸素の含有率は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、特に１０ａｔ％以下であることがより好ましく、５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
　吸収体層１４は、吸収体層１４と低反射層１５との合計膜厚が３０～２００ｎｍ、より好ましくは３５～２００ｎｍ、さらに好ましくは５０～２００ｎｍとなるように膜厚を設定することが好ましい。
　上記した構成の吸収体層１４は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
　例えば、吸収体層１４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ膜を形成する場合、以下の条件で実施すればよい。
スパッタリングターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１～５０ｖｏｌ％、好ましくは１～３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５～９５ｖｏｌ％、好ましくは１０～９４ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ～５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：０．５～６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは１．０～４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは１．５～３０ｎｍ／ｍｉｎ
　低反射層１５はマスクパターンの検査に使用する検査光の波長に対して、低反射特性を示す膜で構成される。ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として現在は２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用されている。つまり、このような波長の検査光に対する反射率の差、具体的には、吸収体層１４がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層１４表面と、の反射率の差、すなわち、これらの面での反射光のコントラストによって検査される。ここで、前者は反射層１２表面である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合、保護層１３表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層１２表面または保護層１３表面と、吸収体層１４表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
　上記した構成の吸収体層１４は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランク１の吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長に対する吸収体層１４表面の反射率と保護層１３表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスクパターンの検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
　本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４上にマスクパターンの検査光に対する低反射層１５を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。なお、本発明のＥＵＶマスクブランク１の場合、反射光のコントラストは検査光の波長に対する、反射層１２表面と、低反射層１５表面と、の反射率の差である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合、保護層１３表面と、低反射層１５表面と、の反射率の差である。
　本発明のＥＵＶマスクブランク１では、吸収体層１４上に低反射層１５を形成することにより、マスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）に対して光線反射率が極めて低くなる。具体的には、マスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）の光線を低反射層１５表面に照射した際に、低反射層１５表面の光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、８％以下であることがさらに好ましい。
　マスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）に対して低反射層１５表面の最大光線反射率が１５％以下であれば、検査時のコントラストが良好である。具体的には、マスクパターンの検査光の波長域（１９０～２６０ｎｍ）に対して、反射層１２表面における反射光（反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は保護層１３表面における反射光）と、低反射層１５表面における反射光と、のコントラストが６０％以上となる。
　本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2－Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
　ここで、Ｒ2は検査光の波長に対する反射層１２表面での反射率である。但し、反射層１２上に保護層１３が形成されている場合は保護層１３表面での反射率である。Ｒ1は検査光の波長に対する低反射層１５表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すように、図１に示すＥＵＶマスクブランク１の吸収体層１４および低反射層１５にパターンを形成した状態で測定する。上記Ｒ2は、図２中、パターン形成によって吸収体層１４および低反射層１５が除去され、外部に露出した反射層１２表面または保護層１３表面で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１５表面で測定した値である。
　本発明において、上記式で表されるコントラストが６５％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。
　低反射層１５は、さらに、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で所望の反射率を満たす必要があり、下記の要求を満たすことが好ましい。
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　上記の特性を達成するため、本発明のＥＵＶマスクブランク１の低反射層１５では、以下に述べる元素を特定の比率で含有することが好ましい。
　低反射層１５の第１の態様は、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有するＴａＯＨ膜である。低反射層１５がＴａＯＨ膜である場合、ＴａおよびＯの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％である。
　Ｈの含有率が、０．１ａｔ％未満であると、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で所望の反射率を満たすことができない。また、ＨはＥＵＶ光の吸収係数が低い材料であるため、低反射層１５のＨの含有率が１５ａｔ％超であると、吸収体層１４のＨの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層１４および低反射層１５の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。
　なお、低反射層１５がＴａＯＨ膜である場合、ＴａとＯの組成（原子）比が１：８～３：１であることが好ましい。
　低反射層１５がＴａＯＨ膜である場合、Ｈの含有率は、１～１５ａｔ％、さらには３～１５ａｔ％、５～１５ａｔ％、５～１２ａｔ％、５～１０ａｔ％であることが好ましい。
　また、ＴａとＯの合計含有率は、８５～９９ａｔ％であることがより好ましく、８５～９５ａｔ％であることがさらに好ましく、９０～９５ａｔ％であることが特に好ましい。
　またＴａとＯの組成比は、１：７～２：１であることが好ましく、１：６～１：１であることがさらに好ましく、１：５～１：１であることが特に好ましい。
　低反射層１５の第２の態様は、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有するＴａＯＮＨ膜である。低反射層１５がＴａＯＮＨ膜である場合、Ｔａ、ＯおよびＮの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％である。Ｈの含有率が、０．１ａｔ％未満であると、マスク製造プロセスおよびパターン転写プロセスで必要とされる波長域（４００～１２００ｎｍ）で所望の反射率を満たすことができない。また、ＨはＥＵＶ光の吸収係数が低い材料であるため、低反射層１５のＨの含有率が１５ａｔ％超であると、吸収体層１４のＨの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層１４および低反射層１５の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。
　なお、低反射層１５がＴａＯＮＨ膜である場合、Ｔａと（Ｏ＋Ｎ）の組成（原子）比が１：８～３：１であることが好ましい。
　低反射層１５がＴａＯＮＨ膜である場合、Ｈの含有率は、１～１５ａｔ％であることがより好ましく、３～１５ａｔ％、５～１５ａｔ％であることがさらに好ましく、５～１０ａｔ％であることが特に好ましい。また、Ｔａ、ＯおよびＮの合計含有率は、８５～９９ａｔ％であることがより好ましく、８５～９５ａｔ％であることがさらに好ましく、９０～９５ａｔ％であることが特に好ましい。またＴａと（Ｏ＋Ｎ）の組成比は、１：７～２：１であることが好ましく、１：６～１：１であることがさらに好ましく、１：５～１：１、１：４～１：２であることが特に好ましい。
　なお、ＴａＯＨ膜はＴａ、ＯおよびＨを少なくとも含有する膜であることから、膜中にこれらの元素以外の他の元素を含有してもよい。また、ＴａＯＮＨ膜はＴａ、Ｏ、ＮおよびＨを少なくとも含有する膜であることから、膜中にこれらの元素以外の他の元素を含有してもよい。但し、マスクパターンの検査光の波長域に対して意図した低反射特性を奏するためには、他の元素の含有率が５ａｔ％以下、２ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることが特に好ましい。
　低反射性能の点で、低反射層中のＣｒの含有量は３ａｔ％以下、２ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることが特に好ましい。また、低反射層中のＴｉの含有量は３ａｔ％以下、２ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることが特に好ましい。低反射層中のＢの含有量は、５ａｔ％以下、３ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下、さらにＢを含まないことが特に好ましい。また、低反射層中の水素の含有量は、吸収体層中の水素の含有量よりも、１ａｔ％以上、２．５ａｔ％以上、さらには４～８ａｔ％多いことが低反射性能の点で好ましい。
　低反射層１５（ＴａＯＨ膜、ＴａＯＮＨ膜）は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。なお、本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。
　低反射層１５（ＴａＯＨ膜、ＴａＯＮＨ膜）がアモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であることにより、低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、吸収体層１５表面の表面粗さは原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定することができる。低反射層１５表面の表面粗さが大きいと、低反射層１５に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、低反射層１５表面は平滑であることが要求される。
　低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、低反射層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１５表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　なお、低反射層１５（ＴａＯＨ膜、ＴａＯＮＨ膜）の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。低反射層１５の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
　また、低反射層は、吸収体層の表面を、酸素プラズマ処理などにより酸化して作成してもよい。
　吸収体層１４と低反射層１５（ＴａＯＨ膜、ＴａＯＮＨ膜）との合計膜厚が３０～２００ｎｍであることが好ましく、３５～２００ｎｍであることがより好ましく、５０～２００ｎｍであることがさらに好ましい。
　また、低反射層１５の膜厚が吸収体層１４の膜厚よりも大きいと、吸収体層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは３～３０ｎｍであることが好ましく、５～２０ｎｍであることがより好ましい。
　また、低反射層１５は、吸収体層と直接接していることが低反射性能の点で好ましい。
　上記した構成の低反射層１５（ＴａＯＨ膜、ＴａＯＮＨ膜）は、Ｔａターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
　低反射層１５がＴａＯＨ膜である場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを放電させることによって形成する。
　一方、低反射層１５がＴａＯＮＨ膜である場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを放電させることによって形成する。
　上記した方法で吸収体層１４上に低反射層１５を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
低反射層１５（ＴａＯＨ膜）の成膜条件
　スパッタガス：ＡｒとＯ2とＨ2混合ガス（Ｈ2ガス濃度１～５０ｖｏｌ％、好ましくは１～３０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度１～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５～９５ｖｏｌ％、好ましくは１０～９４ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ～５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：０．０１～６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５～４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１～３０ｎｍ／ｍｉｎ
　なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の成膜条件
　スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2とＨ2の混合ガス（Ｈ2ガス濃度１～５０ｖｏｌ％、好ましくは１～３０ｖｏｌ％、Ｏ2ガス濃度１～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～７５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度５～９５ｖｏｌ％、好ましくは１０～８９ｖｏｌ％、ガス圧１．０×１０-1Ｐａ～５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ～３０×１０-1Ｐａ。）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：０．０１～６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５～４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１～３０ｎｍ／ｍｉｎ
　なお、Ａｒ以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。
　本発明のＥＵＶマスクブランク１は、反射層１２、保護層１３、吸収体層１４および低反射層１５以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３－５０１８２３号公報に記載されているもののように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３－５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、又はＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０～１０００ｎｍとすることができる。
　高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、又は電解メッキ法を用いて形成することができる。
　本発明のマスクブランクの吸収層を少なくともパターニングすることで、ＥＵＶマスクを製造することが可能となる。吸収体層のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収体層上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収体層をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収体層の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収体層のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収体層をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、ＥＵＶマスクが得られる。
　本発明に係るＥＵＶマスクを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に上記ＥＵＶマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
　以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
　本実施例では、図１に示すＥＵＶマスクブランク１を作製した。
　成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
　基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の高誘電性コーティングを施した。
　平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＳｉ／Ｍｏ多層反射膜（反射層１２）を形成した。
　さらに、Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜（反射層１２）上に、イオンビームスパッタリング法を用いてＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）と成膜することにより、保護層１３を形成した。
　Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｕ膜の成膜条件は以下の通りである。
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｒｕ膜の成膜条件
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：５００Ｖ
成膜速度：０．０２３ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．５ｎｍ
　次に、保護層１３上に、吸収体層１４としてＴａとＮとＨを含むＴａＮＨ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。
　吸収体層１４（ＴａＮＨ膜）は以下の方法で成膜した。膜組成は、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ　ＥＬＥＭＥＲ－ＰＨＩ社製）、二次イオン質量分析装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＨＩ－ＡＴＯＭＩＫＡ製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ　Ｂａｃｋ　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。吸収体層の組成は、Ｔａ：Ｎ：Ｈ＝５５：４２：３である。吸収体層におけるＯ含有率は０．０５ａｔ％以下である。
吸収体層１４（ＴａＮＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：８９ｖｏｌ％、Ｎ2：８．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．４６Ｐａ）
投入電力：３００Ｗ
成膜速度：１．５ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：７０ｎｍ
　次に、吸収体層１４上に、Ｔａ、Ｏ、ＮおよびＨを含有する低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４、低反射層１５がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得た。
　低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：４８ｖｏｌ％、Ｏ2：３６ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、Ｈ2：２ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：４５０Ｗ
成膜速度：１．５ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
　上記の手順で得られたＥＵＶマスクブランクの低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）に対し下記の評価（１）～（５）を実施した。
（１）膜組成
　低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（ＰＥＲＫＩＮ　ＥＬＥＭＥＲ－ＰＨＩ社製）、ラザフォード後方散乱分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ　Ｂａｃｋ　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（神戸製鋼社製）を用いて測定する。低反射層の組成比（ａｔ％）は、Ｔａ：Ｏ：Ｎ：Ｈ＝２２：６５：５：８である。
（２）結晶状態
　吸収体層１５（ＴａＯＮＨ膜）の結晶状態を、Ｘ線回折装置（Ｘ－Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｍｅｔｅｒ）（ＲＩＧＡＫＵ社製）で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
（３）表面粗さ
　低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）の表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＳＩＩ社製、ＳＰＩ－３８００）を用いて、ｄｙｎａｍｉｃ　ｆｏｒｃｅ　ｍｏｄｅで測定する。表面粗さの測定領域は１μｍ×１μｍであり、カンチレバーには、ＳＩ－ＤＦ４０（ＳＩＩ社製）を用いる。低反射層の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．３０ｎｍである。
（４）反射特性評価（コントラスト評価）
　本実施例では、保護層１３（Ｒｕ膜）まで形成した段階で、該保護層１３表面におけるマスクパターンの検査光（波長２５７ｎｍ）の反射率を分光光度計（ＨＩＴＡＣＨ　ＵＶ－４１００）を用いて測定した。また、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）を形成した後、該低反射層表面におけるマスクパターンの検査光の反射率を測定した。その結果、保護層１３層表面での波長２５７ｎｍに対する反射率は、５６．０％であった。一方、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率は、６．２％であり、１５％以下であった。これらの結果と上記した式を用いてコントラストを求めたところ、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは７９．９％であった。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られた。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．４％である。
（５）反射特性評価（波長４００～１２００ｎｍ）
　低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を分光光度計（ＨＩＴＡＣＨ　ＵＶ－４１００）を用いて測定した。所定の波長に対する反射率は下記の通りであった。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：２７％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４４～４６％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５５％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率であった。
実施例２
　本実施例では、低反射層１５をＴａＯＨとした以外は、実施例１と同様の手順で実施し、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４（ＴａＮＨ）、低反射層１５（ＴａＯＨ）がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得る。低反射層１５（ＴａＯＨ）の組成比（ａｔ％）は、実施例１と同様の方法で測定した結果、Ｔａ：Ｏ：Ｈ＝３０：６１：９である。
　低反射層１５（ＴａＯＨ）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＴａＯＨ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＨ2混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｏ2：３７．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：４５０Ｗ
成膜速度：２．０ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：１０ｎｍ
　上記の手順で得られた低反射層１５（ＴａＯＨ膜）の結晶状態を、実施例１と同様の手順で調べたところ、結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認する。
　また、低反射層１５（ＴａＯＨ膜）の表面粗さ（ｒｍｓ）を、実施例１と同様の手順で調べたところ、０．３１ｎｍである。
　次に、上記の手順で得られるＥＵＶブランクスに対して、実施例１と同様に反射特性を評価する。低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率を実施例１と同様に評価したところ、５．９％であり、１５％以下である。これらの結果から、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは８０．９％である。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．５％である。
　次に、低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を実施例１と同様に評価する。所定の波長に対する反射率は下記の通りである。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：３１％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４２～４５％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５６％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率である。
実施例３
　本実施例では、吸収体層１４をＴａＮ膜とする以外は、実施例１と同様の手順で実施する。吸収体層１４（ＴａＮ）の組成比（ａｔ％）は、実施例１と同様の方法で測定した結果、Ｔａ：Ｎ＝５５：４５である。吸収体層におけるＯ含有率は０．０５ａｔ％以下である。
　吸収体層１４（ＴａＮ）の成膜条件は以下の通りである。
ＴａＮ層の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８６ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３７Ｐａ）
投入電力：３００Ｗ
成膜速度：１．１ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
　次に、吸収体層１４上に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）を実施例１と同様の手順で形成し、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４（ＴａＮ）、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得る。
　上記の手順で得られるＥＵＶブランクスに対して、実施例１と同様に反射特性を評価する。低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率を実施例１と同様に評価したところ、６．０％であり、１５％以下である。これらの結果から、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは８０．６％である。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．５％である。
　次に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を実施例１と同様に評価する。所定の波長に対する反射率は下記の通りである。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：３０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４３～４６％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５６％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率である。
実施例４
　本実施例では、吸収体層１４をＴａＮ膜とする以外は、実施例２と同様の手順で実施する。吸収体層１４（ＴａＮ膜）は、実施例３と同様の手順で作製し、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４（ＴａＮ）、低反射層１５（ＴａＯＨ）がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得る。
　上記の手順で得られるＥＵＶブランクスに対して、実施例１と同様に反射特性を評価する。低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率を実施例１と同様に評価したところ、６．１％であり、１５％以下である。これらの結果から、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは８０．３％である。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．４％である。
　次に、低反射層１５（ＴａＯＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を実施例１と同様に評価する。所定の波長に対する反射率は下記の通りである。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：３０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４２～４６％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５７％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率である。
実施例５
　本実施例では、吸収体層１４をＴａＢＮ膜とする以外は、実施例１と同様の手順で実施する。吸収体層１４（ＴａＢＮ）の組成比（ａｔ％）は、実施例１と同様の方法で測定した結果、Ｔａ：Ｂ：Ｎ＝５０：１０：４０である。吸収体層におけるＯ含有率は０．０５ａｔ％以下である。
　吸収体層１４（ＴａＢＮ）の成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＮ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ２０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：２０ｖｏｌ％、ガス圧：０．４６Ｐａ）
投入電力：３００Ｗ
成膜速度：１．２ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
　次に、吸収体層１４上に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）を実施例１と同様の手順で形成し、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４（ＴａＢＮ）、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得る。
　上記の手順で得られるＥＵＶブランクスに対して、実施例１と同様に反射特性を評価する。低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率を実施例１と同様に評価したところ、６．３％であり、１５％以下である。これらの結果から、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは７９．７％である。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．５％である。
　次に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を実施例１と同様に評価する。所定の波長に対する反射率は下記の通りである。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：２９％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４２～４６％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５６％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率である。
実施例６
　本実施例では、吸収体層１４をＴａＢＮＨ膜とする以外は、実施例１と同様の手順で実施する。吸収体層１４（ＴａＢＮＨ）の組成比（ａｔ％）は、実施例１と同様の方法で測定した結果、Ｔａ：Ｂ：Ｎ：Ｈ＝６０：３：３３：４である。吸収体層におけるＯ含有率は０．０５ａｔ％以下である。
　吸収体層１４（ＴａＢＮＨ）の成膜条件は以下の通りである。
ＴａＢＮＨ層の成膜条件
ターゲット：ＴａＢ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ２０ａｔ％）
スパッタガス：ＡｒとＮ2とＨ2の混合ガス（Ａｒ：８０ｖｏｌ％、Ｎ2：１７．３ｖｏｌ％、Ｈ2：２．７ｖｏｌ％、ガス圧：０．４６Ｐａ）
投入電力：３００Ｗ
成膜速度：１．５ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
　次に、吸収体層１４上に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）を実施例１と同様の手順で形成し、基板１１上に反射層１２、保護層１３、吸収体層１４（ＴａＢＮＨ）、低反射層１５（ＴａＯＮＨ）がこの順で形成されたＥＵＶマスクブランク１を得る。
　上記の手順で得られるＥＵＶブランクスに対して、実施例１と同様に反射特性を評価する。低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面での波長２５７ｎｍに対する反射率を実施例１と同様に評価したところ、６．２％であり、１５％以下である。これらの結果から、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは８０．０％である。
　マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたＥＵＶマスクブランク１について、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．５％である。
　次に、低反射層１５（ＴａＯＮＨ膜）表面の、４００～１２００ｎｍの波長に対する反射率を実施例１と同様に評価する。所定の波長に対する反射率は下記の通りである。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０％
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：３１％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４２～４７％
　・８００～９００ｎｍ　　　：５１～５５％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　いずれの波長に対しても、目標値の範囲内の反射率である。
比較例１
　本比較では、低反射層１５を水素（Ｈ）を含まず、タンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）を含むＴａＯＮ膜とした以外は、実施例１と同様の手順で実施した。低反射層１５の組成比（ａｔ％）は、実施例１と同様の方法で測定した結果、Ｔａ：Ｏ：Ｎ＝２４：７０：６であった。
　低反射層１５（ＴａＯＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
低反射層１５（ＴａＯＮ膜）の成膜条件
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ａｒ：３６ｖｏｌ％、Ｏ2：５０ｖｏｌ％、Ｎ2：１４ｖｏｌ％、ガス圧：０．３Ｐａ）
投入電力：４５０Ｗ
成膜速度：１．１ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：１０ｎｍ
　上記の手順で得られるＥＵＶマスクブランクの低反射層１５（ＴａＯＮ膜）に対して、実施例１と同様に反射特性の評価を実施した。
　低反射層１５（ＴａＯＮ膜）表面での、波長２５７ｎｍに対する反射率は、９．０％であり、１５％以下であった。これらの結果と上記した式を用いてコントラストを求めたところ、波長２５７ｎｍにおけるコントラストは７２．３％であった。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層１３表面と低反射層１５表面のコントラストは７０％以上であり、十分なコントラストが得られた。
　低反射層１５（ＴａＯＮ膜）表面での、波長４００～１２００ｎｍに対する反射率は、下記の通りであった。
　［目標値］
　・４０５ｎｍ　　：＜４０％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：３０～５０
　・８００～９００ｎｍ　　　：＞５０％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜９０％
　［測定結果］
　・４０５ｎｍ　　：３１％
　・６００～６５０ｎｍ　　　：４１～４４％
　・８００～９００ｎｍ　　　：４９～５３％
　・１０００～１２００ｎｍ　：＜６５％
　波長８００～９００ｎｍに対して、十分な反射率が得られなかった。
　本発明のマスクブランクは、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造に利用できる。

　なお、２００８年１０月３０日に出願された日本特許出願２００８－２７９８９９号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
　　１：ＥＵＶマスクブランク
　１１：基板
　１２：反射層（多層反射膜）
　１３：保護層
　１４：吸収体層
　１５：低反射層

Claims (20)

  1. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
    　前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有し、
    　前記低反射層において、ＴａおよびＯの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  2. 　前記低反射層において、ＴａとＯの組成比がＴａ：Ｏ＝１：８～３：１である請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  3. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
    　前記低反射層が、タンタル（Ｔａ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を少なくとも含有し、
    　前記低反射層において、Ｔａ、ＯおよびＮの合計含有率が８５～９９．９ａｔ％であり、Ｈの含有率が０．１～１５ａｔ％であることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  4. 　前記低反射層において、Ｔａと（Ｏ＋Ｎ）の組成比がＴａ：（Ｏ＋Ｎ）＝１：８～３：１である請求項３に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  5. 　前記低反射層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．５ｎｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  6. 　前記低反射層表面の結晶構造が、アモルファスである請求項１ないし５のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  7. 　前記低反射層の膜厚が、３～３０ｎｍである請求項１ないし６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  8. 　前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  9. 　前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）を主成分とし、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硼素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）から選ばれる少なくとも１種類の元素を含む請求項１ないし８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  10. 　前記吸収体層は、酸素（Ｏ）の含有率が２５ａｔ％未満である請求項１ないし９のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  11. 　前記吸収体層および前記低反射層の合計膜厚が、３０～２００ｎｍである請求項１ないし１０のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  12. 　前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、
    　前記マスクパターンの検査光の波長（１９０～２６０ｎｍ）に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、６０％以上である請求項１ないし１１のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  13. 　前記低反射層中の水素の含有量は、前記吸収体層中の水素の含有量よりも、１ａｔ％以上多い請求項１ないし１２のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  14. 　前記マスクパターンの検査光の波長（１９０～２６０ｎｍ）に対する、前記低反射層表面の反射率が１５％以下である請求項１ないし１３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  15. 　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成される請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  16. 　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成される請求項３または４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  17. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する方法であって、
    　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  18. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、および、マスクパターンの検査光（波長１９０～２６０ｎｍ）に対する低反射層をこの順に形成することによりＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する方法であって、
    　前記低反射層が、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）および水素（Ｈ）を含む雰囲気中でＴａターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  19. 　請求項１～１６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの吸収体層および低反射層にパターニングを施したことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
  20. 　請求項１９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
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