TWI434131B - Reflective mask base for EUV microfilm - Google Patents

Reflective mask base for EUV microfilm Download PDF

Info

Publication number
TWI434131B
TWI434131B TW098136911A TW98136911A TWI434131B TW I434131 B TWI434131 B TW I434131B TW 098136911 A TW098136911 A TW 098136911A TW 98136911 A TW98136911 A TW 98136911A TW I434131 B TWI434131 B TW I434131B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
low
reflective
euv
reflection layer
Prior art date
Application number
TW098136911A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201022838A (en
Inventor
Kazuyuki Hayashi
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of TW201022838A publication Critical patent/TW201022838A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI434131B publication Critical patent/TWI434131B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

EUV微影術用反射型光罩基底 發明領域
本發明係關於半導體製造等所使用的EUV(Extreme Ultra Violet：超紫外光)微影術用反射型光罩基底(以下在本說明書中稱「EUV光罩基底」)。
 背景技術
以往，於半導體產業中，作為在Si基板等之上形成由細微圖案所構成之積體電路所必要的細微圖案轉印技術，係採取使用可見光或紫外光的光學微影術。但是，隨著半導體裝置的細微化不斷加速，而已接近習知光學微影術的極限。在光學微影術的情況下，圖案的解像極限係曝光波長的1/2左右，據稱即便使用液浸法亦僅為曝光波長的1/4左右，可預想的是，即便使用ArF雷射(193nm)的液浸法，45nm左右便屬極限。因而，就低於45nm的曝光技術，使用較ArF雷射更短波長之EUV光的曝光技術--EUV微影術被視為希望。本說明書中，所謂「EUV光」係指軟X射線區域或真空紫外線區域的波長光線，具體而言，係指波長10~20nm左右，特別係13.5nm±0.3nm左右的光線。
EUV光對各種物質均易被吸收，且在其波長下，物質的折射率接近1，因而並無法使用如習知使用可見光或紫外光的光學微影術的折射光學系統。因此，EUV光微影術便使用反射光學系統(即反射型光罩)與反射鏡。
光罩基底係用於光罩製造用的圖案化前之積層體。在EUV光罩基底的情況下，具有在玻璃等基板上依序形成有將EUV光反射的反射層、及將EUV光吸收的吸收體層之構造。反射層通常係使用藉由將高折射層與低折射層交錯積層，而使EUV光照射於層表面時的光線反射率提高之多層反射膜。吸收體層係使用對EUV光的吸收係數較高之材料，具體來說係使用例如以Ta或Cr為主成分的材料。
在EUV光罩基底的吸收體層上，通常設置有對光罩圖案檢測光呈低反射之低反射層。檢測光罩圖案形成後的圖案有無缺陷，係使用深紫外光波長域(190~260nm)的光線。於使用上述波長域光線的圖案檢測中，係利用已藉圖案化步驟而去除低反射層與吸收體層的區域、與殘留有低反射層與吸收體層的區域之間的反射率差(即，利用該等區域表面的反射光對比度)，檢測出有無圖案缺陷。為提升光罩圖案的檢測感度，必需提高對比度，因此，通常會要求低反射層對上述波長域具低反射特性，即，對上述波長域的反射率在15%以下。
專利文獻1中揭示：在由鉭硼合金的氮化物(TaBN)所構成之吸收體層上，形成由鉭硼合金的氧化物(TaBO)或鉭硼合金的氮氧化物(TaBNO)所構成之低反射層，由於對光罩圖案檢測光波長域(190nm~260nm)的反射率較低，而甚為理想。
再者，專利文獻2中揭示：為調整對光罩圖案檢測光波長域(190nm~260nm)的反射率，最好在吸收體層上設置由金屬、矽(Si)、氧(O)及氮(N)所構成的低反射層。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-6798號公報(美國專利第7390596號公報)
專利文獻2：日本特開2006-228767號公報
專利文獻1與專利文獻2中記載：當低反射層係由TaBO膜或TaBNO膜、金屬、矽(Si)、氧(O)及氮(N)構成的材料(例如：TaSiON、ZrSiON等)時，便可對目前所使用的光罩圖案檢測光波長257nm獲得足夠對比度。
然而，在光罩製作製程及圖案轉印製程中，不僅光罩圖案檢測波長(190~260nm)的反射率，對400~1200nm波長的反射率亦屬重要。具有400~1200nm波長的光，通常會當作光罩搬送時或處置時的「位置感測器」來使用，當不在所需反射率範圍內之時，便會有發生基板位置精度惡化(即圖案精度惡化)問題的可能性。作為位置感測器使用之光波長的反射率雖依各製程(諸如：檢測、圖案描繪、蝕刻、曝光)中所使用之裝置而有所差異，但，一般大多要求：「在405nm下小於40%」、「在600~650nm下30~50%」、「在800~900nm下超過50%」、「在1000~1200nm下小於90%」。
本發明為能解決上述習知技術之問題點，目的在於提供一種具有低反射層的EUV光罩基底，該低反射層作為EUV光罩基底的特性，即，對EUV光及光罩圖案檢測光波長域(190~260nm)的反射率較低，且在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要的波長域(400~1200nm)中，能滿足上述所需之反射率。
本案發明人為解決上述課題而深入鑽研，結果發現：藉由將低反射層設成至少含有鉭(Ta)、氧(O)及氫(H)的膜(以下稱「TaOH膜」)，或是設成至少含有Ta、N、O及H的膜(以下稱「TaONH膜」)，則不僅對EUV光及光罩圖案檢測光(波長190~260nm)具有低反射特性，更能在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要波長域(400~1200nm)中，滿足上述所需反射率。
本發明係根據上述見解而完成者，提供一種EUV微影術用反射型光罩基底(以下稱「本發明EUV光罩基底」)，係於基板上依序形成有反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩圖案之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層的EUV微影術用反射型光罩基底；其特徵在於：前述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)及氫(H)；且，於前述低反射層(TaOH膜)中，Ta及O之合計含有率為85~99.9at%(原子百分率，以下亦同)，H之含有率為0.1~15at%。
本發明的EUV基底於前述低反射層(TaOH膜)中，Ta與O之組成比為Ta：O=1：8~3：1。
另外，本發明中，所謂「組成比」係指原子比。
再者，本發明之EUV基底提供一種EUV微影術用反射型光罩基底，其係於基板上依序形成有反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩圖案之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層的EUV微影術用反射型光罩基底；其特徵在於：前述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)、氮(N)及氫(H)；且，於前述低反射層(TaONH膜)中，Ta、O及N之合計含有率為85~99.9at%，H之含有率為0.1~15at%。
本發明的EUV基底於前述低反射層(TaONH膜)中，Ta與(O+N)之組成比宜為Ta：(O+N)=1：8~3：1。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層(TaOH膜及TaONH膜)之表面粗度(rms)較佳為0.5nm以下。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層(TaOH膜及TaONH膜)的結晶構造較佳為非晶形。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層(TaOH膜及TaONH膜)的膜厚較佳為3~30nm。
本發明的EUV光罩基底中，前述吸收體層較佳係以鉭(Ta)為主成分的吸收體層。
本發明的EUV光罩基底中，前述吸收體層係以鉭(Ta)為主成分，亦可含有選自鉿(Hf)、矽(Si)、鋯(Zr)、鍺(Ge)、硼(B)、氮(N)及氫(H)中之至少1種元素。
本發明的EUV光罩基底中，前述吸收體層較佳係含氧(O)率小於25at%。
本發明的EUV光罩基底中，前述吸收體層及前述低反射層的膜厚較佳為30~200nm。
再者，本發明的EUV光罩基底中，較佳係於前述反射層與前述吸收體層之間形成有對前述吸收體層形成圖案時用以保護前述反射層之保護層；且，相對於前述光罩圖案之檢測光的波長(190~260nm)，前述保護層表面之反射光與前述低反射層(TaOH膜及TaONH膜)表面之反射光的對比度宜為60%以上。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層中之氫含量宜較前述吸收體層中之氫含量多1at%以上。
本發明的EUV光罩基底中，相對於前述光罩圖案之檢測光的波長(190~260nm)，前述低反射層(TaOH膜及TaONH膜)表面之反射率宜為15%以下。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層(TaOH膜)較佳係於含有惰性氣體、氧(O)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
本發明的EUV光罩基底中，前述低反射層(TaONH膜)較佳係於含有惰性氣體、氧(O)、氮(N)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
再者，本發明提供一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係藉由於基板上依序形成反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層，以製造EUV微影術用反射型光罩基底的方法；其特徵在於：前述低反射層係於含有惰性氣體、氧(O)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
再者，本發明提供一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係於基板上依序形成反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層，以製造EUV微影術用反射型光罩基底的方法；其特徵在於：其中前述低反射體層係於含有惰性氣體、氧(O)、氮(N)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
再者，本發明提供一種EUV微影術用反射型光罩，其特徵在於：已對本發明EUV微影術用反射型光罩基底的吸收體層及低反射層施予圖案化。
再者，本發明提供一種半導體積體電路之製造方法，其特徵在於：藉由使用本發明EUV微影術用反射型光罩，對被曝光物進行曝光以製造半導體積體電路。
本發明的EUV光罩基底，除對EUV光及光罩圖案檢測光波長域(190~260nm)之反射率較低之外，在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要的波長域(400~1200nm)中，亦能滿足所需反射率(405nm：＜40%、600~650nm：30~50%、800~900nm：＞50%、1000~1200nm：＜90%)，因而具有光罩製造製程及圖案轉印製程呈安定化的優點。
圖式簡單說明
第1圖係顯示本發明EUV光罩基底之一實施形態的概略剖視圖。
第2圖顯示第1圖所示之EUV光罩基底1的吸收體層14及低反射層15上已形成有圖案的狀態。
 用以實施發明之形態
以下，參照圖式，說明本發明的EUV光罩基底。
第1圖係顯示本發明EUV光罩基底之一實施形態的概略剖視圖。第1圖所示之光罩基底1係在基板11上依序形成有：反射EUV光之反射層12及吸收EUV光之吸收體層14。在反射層12與吸收體層14之間，形成有對吸收體層14施行圖案形成時用以保護反射層12的保護層13。吸收體層14上形成有對光罩圖案之檢測光呈低反射之低反射層15。但，於本發明的EUV光罩基底1中，第1圖所示構造中，僅基板11、反射層12、吸收體層14及低反射層15為必需，保護層13則屬任擇的構成要件。
以下，針對光罩基底1的各個構成要件進行說明。
基板11被要求需滿足作為EUV光罩基底用之基板的特性。
所以，基板11較佳係具有低熱膨脹係數(具體而言，20℃下的熱膨脹係數較佳為0±0.05×10-7 /℃，0±0.03×10-7 /℃更佳)，且具有優異之平滑性與平坦度，並對光罩基底或圖案形成後的光罩洗淨等所使用之洗淨液具優異耐性。具體來說，基板11可使用具有低熱膨脹係數的玻璃，例如SiO2 -TiO2 系玻璃等，惟並不僅侷限於此，尚可使用已析出β石英固溶體的結晶化玻璃、或石英玻璃、矽、金屬等之基板。
前述玻璃中，從碳污染的清洗效果及已氧化之膜之還原效果等觀點來看，氫分子濃度較佳係1×1016 分子/cm3 、5×1016 分子/cm3 、1×1017 分子/cm3 、5×1017 分子/cm3 以上。氫分子濃度達1×1018 分子/cm3 以上更佳，5×1018 分子/cm3 以上特佳，1×1019 分子/cm3 以上尤佳。為能使上述效果可長期持續，較佳為5×1019 分子/cm3 以上。
氫分子濃度的測定宜根據日本專利第3298974號說明書，使用電子科學公司製熱脫附質譜裝置(Thermal Desorption Spectrometer；TDS)，並如下述般實施。
將已導入氫分子的玻璃試料裝入於熱脫附質譜裝置內，將其測定室內部抽真空至5×10-7 Pa以下後，加熱玻璃試料，並利用分析裝置內部所設置的質量分析計測定所產生氣體的質量數。在氫分子的脫附分佈中，以420℃附近為最大，而於200~800℃附近觀察到尖峰。此外，在水分子的脫附分佈中，以150℃附近為最大，在100~200℃附近所觀察到的尖峰被認為是已物理吸附在玻璃表面上的水脫附而造成的結果。
接著，將未導入氫分子的玻璃試料，同樣地裝入熱脫附質譜裝置內，並將測定室內部抽真空至5×10-7 Pa以下後施行加熱，測定所產生氣體的質量數。於100~200℃附近將觀測到被認為是因物理吸附水的脫附所造成之尖峰。相對於此，並未觀測到以420℃附近為最大的尖峰。
因此，可將以420℃附近為最大且在200~800℃附近所觀測到的尖峰認為是已導入玻璃中之氫分子發生脫附所造成的。所以，可從測定樣品與已知氫濃度之標準樣品的上述氫分子脫附尖峰的積分強度比，計算出測定樣品之已脫附氫分子數。
例如，當標準樣品使用經植入氫離子的矽時，便成為下述測定方法。將已植入1×1016 個氫離子的矽(電子科學公司製)，同樣地裝入熱脫附質譜裝置內，並將測定室內部抽真空至5×10-7 Pa以下之後，施行加熱。以550℃附近為最大，在350~750℃附近觀察到脫附尖峰。該尖峰是在矽中有1×1016 個氫離子出現脫附時發生的。
基板11較佳係具有表面粗度(rms)0.15nm以下的平滑表面與100nm以下的平坦度，因為圖案形成後的光罩可獲得高反射率與轉印精度。
基板11的大小與厚度等係依光罩的設計值等而適當決定。在後示實施例中，採用外形為邊長6吋(152mm)之正方形且厚度為0.25吋(6.3mm)的SiO2 -TiO2 系玻璃。
基板11之形成反射層12之側的表面宜不存在缺點。但是，即使是存在的情況下，為使不致因凹狀缺點及/或凸狀缺點而發生相位缺點，凹狀缺點的深度及凸狀缺點的高度宜在2nm以下，且該等凹狀缺點及凸狀缺點的半值寬宜在60nm以下。
反射層12在具有作為EUV光罩基底的反射層所需之特性的前提下，並未特別受到限定。在此，反射層12所特別要求的特性為高EUV光線反射率。具體而言，使EUV光波長區域的光線以入射角6度照射於反射層12表面時，波長13.5nm附近的光線反射率最大值宜達60%以上，65%以上更佳。此外，即便是在反射層12上設置有保護層13或低反射層15的情況下，波長13.5nm附近的光線反射率最大值仍宜達60%以上，65%以上更佳。
反射層12從可達成高EUV光線反射率的觀點，通常係使用將高折射層與低折射率層交錯積層複數次的多層反射膜作為反射層12。構成反射層12的多層反射膜中，高折射率層係廣泛使用Mo，低折射率層則廣泛使用Si。即，Mo/Si多層反射膜係最為一般。但，多層反射膜並不僅侷限於此，亦可使用Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜。
構成將形成反射層12的多層反射膜之各層膜厚及層的重複單位數，可配合所使用之膜材料及反射層所要求的EUV光線反射率而適當選擇。若舉Mo/Si反射膜為例，欲製成EUV光線反射率最大值達60%以上的反射層12時，多層反射膜只要將膜厚2.3±0.1nm的Mo層、與膜厚4.5±0.1nm的Si層積層至重複單位數達30~60便可。
另外，構成將形成反射層12的多層反射膜各層，僅需使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等周知之成膜方法，成膜至所需厚度便可。例如，使用離子束濺鍍法形成Si/Mo多層反射膜時，較佳為：標靶使用Si標靶，且濺鍍氣體使用Ar氣體(氣體壓力1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)，並於離子加速電壓300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/sec下，使Si膜成膜至厚度4.5nm，接著，標靶使用Mo標靶，濺鍍氣體使用Ar氣體(氣體壓力1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)，於離子加速電壓300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/sec下，使Mo膜成膜至厚度2.3nm。以此為1週期，將Si膜與Mo膜積層40~50週期，便形成Si/Mo多層反射膜。
為防止反射層12表面遭受氧化，構成反射層12的多層反射膜之最上層宜為不易氧化材料的層。不易氧化材料的層會作為反射層12之覆蓋層發揮機能。作為覆蓋層發揮機能之不易氧化材料的層，具體例可例示如Si層。當構成反射層12的多層反射膜係Si/Mo膜時，藉由將最上層設為Si層，便可使該最上層作為覆蓋層發揮機能。此時，覆蓋層的膜厚較佳係11±2nm。
為能於利用蝕刻製程(通常係乾式蝕刻製程)在吸收體層14上形成圖案時，不致使反射層12因蝕刻製程而遭受損傷，而以保護反射層12為目的設置保護層13。所以，保護層13的材質選擇不易受吸收體層14的蝕刻製程影響(即選擇其蝕刻速度慢於吸收體層14，且不易因該蝕刻製程而遭受損傷)的物質。滿足此條件的物質可例示如：Cr、Al、Ta及該等的氮化物、Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)以及SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 或該等的混合物。即使於該等之中，仍以Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)、CrN及SiO2 中之至少1者為佳，且更佳為Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)。
保護層13的厚度較佳為1~60nm。
保護層13係使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等周知成膜方法進行成膜。當利用磁控濺鍍法使Ru膜成膜時，較佳為：標靶使用Ru標靶，濺鍍氣體使用Ar氣體(氣體壓力1.0×10-2 Pa~10×10-1 Pa)，於投入電力30~1500W、成膜速度0.02~1.0nm/sec下，成膜至厚度2~5nm。
吸收體層14所特別要求的特性為EUV光線反射率極低。具體而言，將EUV光波長區域的光線照射於吸收體層14表面時，波長13.5nm附近的最大光線反射率宜在0.5%以下，0.1%以下更佳。
本發明的EUV光罩基底1中，將EUV光波長區域的光線照射於低反射層15表面時，波長13.5nm附近的最大光線反射率亦是在0.5%以下較佳，0.1%以下更佳。
為能達成上述特性，吸收體層14係由EUV光吸收係數較高的材料構成。EUV光吸收係數較高的材料較佳係使用以鉭(Ta)為主成分的材料。本說明書中，稱「以鉭(Ta)為主成分的材料」時，便是指該材料中含有40at%以上(較佳為50at%以上，55at%以上更佳)之Ta的材料。
吸收體層14所使用之以Ta為主成分的材料，除Ta之外，尚可含有選自鉿(Hf)、矽(Si)、鋯(Zr)、鍺(Ge)、硼(B)、氮(N)及氫(H)中之至少1種元素。含有除Ta以外之上述元素的材料具體例，可舉例如：TaN、TaNH、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiH、TaBSiN、TaBSiNH、TaB、TaBH、TaBN、TaBNH、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN等。
但，吸收體層中，B含有量較佳為3at%以下，1at%以下更佳，且以不含B尤佳。
但，吸收體層14中最好不含氧(O)。具體而言，吸收體層14中的O含有率較佳係小於25at%。在吸收體層14上形成圖案時，通常使用乾式蝕刻製程，而蝕刻氣體通常使用氯系氣體(或含氯系氣體的混合氣體)或是氟氣體(或含氟系氣體的混合氣體)。以防止反射層因蝕刻製程而遭受損傷作為目的，而在反射層上形成含Ru或Ru化合物的膜來作為保護層時，因為保護層的損傷較少，蝕刻氣體主要使用氯系氣體。然而，使用氯系氣體實施乾式蝕刻製程時，一旦吸收體層14含有氧，蝕刻速度便會降低，且光阻損傷會變大，並不理想。吸收體層14中的含氧率較佳為15at%以下，10at%以下更佳，且5at%以下尤佳。
吸收體層14宜將膜厚設成：吸收體層14與低反射層15的合計膜厚為30~200nm，且35~200nm更佳，50~200nm尤佳。
上述構成的吸收體層14可藉由實施公知之成膜方法(例如：磁控濺鍍法或離子束濺鍍法)來形成。
例如，使用磁控濺鍍法形成TaNH膜以作為吸收體層14時，只要依以下條件實施便可。
濺鍍標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar、N2 及H2 的混合氣體(H2 氣體濃度1~50vol%、較佳1~30vol%，N2 氣體濃度1~80vol%、較佳5~75vol%，Ar氣體濃度5~95vol%、較佳10~94vol%，氣體壓力1.0×10-1 Pa~50×10-1 Pa、較佳1.0×10-1 Pa~40×10-1 Pa、更佳1.0×10-1 Pa~30×10-1 Pa。)
投入電力：30~1000W、較佳50~750W、更佳80~500W
成膜速度：0.5~60nm/min、較佳1.0~45nm/min、更佳1.5~30nm/min
低反射層15係由對光罩圖案檢查所使用的檢測光的波長顯示出低反射特性的膜所構成。在製作EUV光罩之際，於吸收體層上形成圖案之後，檢測該圖案是否按照設計形成。於該光罩圖案的檢查過程中，目前採用檢測光使用257nm左右之光的檢測機。即，利用對此種波長之檢測光的反射率差(具體而言，即吸收體層14因圖案形成而被除去並露出的面、與未因圖案形成被除去而仍殘留的吸收體層14之表面間的反射率差)，亦即，利用該等面的反射光對比度來進行檢測。其中，前者為反射層12表面。但，反射層12上形成有保護層13時，便為保護層13表面。因此，相對於檢測光波長，若反射層12表面或保護層13表面與吸收體層14表面間之反射率差較小，檢測時的對比度便會變差，將會無法正確地檢測。
上述構成的吸收體層14之EUV光線反射率極低，且具有作為EUV光罩基底1之吸收體層的優異特性，但，就檢測光之波長來看，無法定言其光線反射率足夠低。結果，相對於檢測光之波長，吸收體層14表面之反射率與保護層13表面之反射率間的差將變小，會有檢測時無法充分獲得對比度的可能性。若無法充分獲得檢測時之對比度，則在光罩檢測時便無法充分判斷圖案缺陷，導致無法施行正確的缺陷檢測。
本發明之EUV光罩基底1係藉由在吸收體層14上形成對光罩圖案之檢測光呈低反射的低反射層15，而使檢測時的對比度呈良好。另外，本發明之EUV光罩基底1的情況下，反射光的對比度係指，對於檢測光之波長，反射層12表面與低反射層15表面間之反射率差。但，反射層12上形成有保護層13時，便為保護層13表面與低反射層15表面間之反射率差。
本發明的EUV光罩基底1係藉由在吸收體層14上形成低反射層15，對光罩圖案檢測光之波長域(190~260nm)便呈極低的光線反射率。具體而言，將光罩圖案檢測光波長域(190~260nm)的光線照射於低反射層15表面時，低反射層15表面的光線反射率較佳為15%以下，10%以下更佳，且8%以下尤佳。
若低反射層15表面對光罩圖案檢測光之波長域(190~260nm)的最大光線反射率在15%以下，則檢測時的對比度便呈良好。具體而言，對於光罩圖案檢測光之波長域(190~260nm)，反射層12表面的反射光(反射層12上形成有保護層13時，便為保護層13表面的反射光)與低反射層15表面的反射光間之對比度宜達60%以上。
本說明書中，對比度可使用下式求取：
對比度(%)=((R2 -R1 )/(R2 +R1 ))×100
其中，R2 係反射層12表面對檢測光波長的反射率。但，當在反射層12上形成有保護層13時，便為保護層13表面的反射率。R1 係低反射層15表面對檢測光波長的反射率。另外，上述R1 與R2 係如第2圖所示，在第1圖所示EUV光罩基底1的吸收體層14及低反射層15已形成有圖案的狀態下進行測定。上述R2 為：第2圖中吸收體層14與低反射層15因圖案形成而被除去，在因此而露出於外部的反射層12表面或保護層13表面所測得的值；R1 則是：在未因圖案形成而被除去並殘留下來的低反射層15表面所測得的值。
本發明中，上式所表示的對比度較佳為65%以上，70%以上更佳。
低反射層15更必需能在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要之波長域(400~1200nm)中滿足所需反射率，且以滿足下述要求為宜：
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
為達成上述特性，本發明EUV光罩基底1的低反射層15宜以特定比率含有下述元素。
低反射層15的第1態樣係至少含有鉭(Ta)、氧(O)及氫(H)的TaOH膜。當低反射層15係TaOH膜時，Ta與O的合計含有率係85~99.9at%，且H含有率係0.1~15at%。
若H含有率小於0.1at%，則在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要之波長域(400~1200nm)中，將無法獲得所需反射率。且，因為H為EUV光吸收係數較低的材料，因此，若低反射層15的H含有率超過15at%，雖則亦視吸收體層14的H含有率與膜厚而異，但使EUV光線反射率為0.5%以下所必要的吸收體層14及低反射層15之膜厚的合計變大，並不理想。
另外，當低反射層15為TaOH膜時，Ta與O的組成(原子)比較佳為1：8~3：1。
當低反射層15為TaOH膜時，H含有率較佳係1~15at%，且3~15at%、5~15at%、5~12at%、5~10at%更佳。
再者，Ta與O的合計含有率較佳係85~99at%，85~95at%更佳，且90~95at%尤佳。
再者，Ta與O的組成比較佳係1：7~2：1，1：6~1：1更佳，且1：5~1：1尤佳。
低反射層15的第2態樣係至少含有鉭(Ta)、氧(O)、氮(N)及氫(H)的TaONH膜。當低反射層15為TaONH膜時，Ta、O及N的合計含有率係85~99.9at%，且H含有率係0.1~15at%。若H含有率小於0.1at%，則在光罩製造製程及圖案轉印製程所必要之波長域(400~1200nm)中，將無法滿足所需反射率。此外，因為H為EUV光吸收係數較低的材料，因此，若低反射層15的H含有率超過15at%，雖則亦視吸收體層14的H含有率與膜厚而異，但使EUV光線反射率為0.5%以下所必要的吸收體層14與低反射層15之膜厚的合計將會增加，並不理想。
另外，當低反射層15為TaONH膜時，Ta與(O+N)的組成(原子)比較佳係1：8~3：1。
當低反射層15為TaONH膜時，H含有率較佳係1~15at%，且3~15at%、5~15at%更佳，5~10at%尤佳。此外，Ta、O及N的合計含有率較佳係85~99at%，85~95at%更佳，且90~95at%尤佳。此外，Ta與(O+N)之組成比較佳係1：7~2：1，1：6~1：1更佳，且1：5~1：1、1：4~1：2尤佳。
另外，因為TaOH膜係至少含有Ta、O及H的膜，因而膜中尚可含有除該等元素以外的其他元素。此外，因為TaONH膜係至少含有Ta、O、N及H的膜，因而膜中尚可含有除該等元素以外的其他元素。但，為達成對光罩圖案檢測光波長域呈刻意的低反射特性，其他元素的含有率係在5at%以下，且較佳在2at%以下，1at%以下更佳。
就從低反射性能的觀點，低反射層中的Cr含有量宜為3at%以下、2at%以下，且1at%以下更佳。此外，低反射層中的Ti含有量宜為3at%以下、2at%以下，1at%以下更佳。低反射層中的B含有量宜為5at%以下、3at%以下，1at%以下更佳，且以不含有B尤佳。且，從低反射性能的觀點來看，低反射層中之氫含量宜較吸收體層中的氫含量較佳多出1at%以上、2.5at%以上，且4~8at%更佳。
低反射層15(TaOH膜、TaONH膜)較佳係利用上述構成而使結晶狀態呈非晶形。本說明書中，稱「結晶狀態為非晶形」時，除了完全未具有結晶構造的非晶形構造之外，尚涵蓋微晶構造。
最好藉由低反射層15(TaOH膜、TaONH膜)為非晶形構造的膜或微晶構造的膜，而使低反射層15表面的表面粗度(rms)在0.5nm以下。於此，吸收體層15表面的表面粗度可使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)進行測定。若低反射層15表面的表面粗度偏大，低反射層15上所形成之圖案的邊緣粗糙(edge roughness)便會變大，導致圖案的尺寸精度變差。隨圖案趨於細微，邊緣粗糙的影響亦將趨於明顯，因而要求低反射層15表面呈平滑。
若低反射層15表面的表面粗度(rms)在0.5nm以下，因為低反射層15表面充分平滑，不會有因邊緣粗糙的影響而導致圖案尺寸精度惡化之虞。低反射層15表面的表面粗度(rms)在0.4nm以下更佳，且0.3nm以下尤佳。
另外，可藉X射線繞射(XRD)法確認低反射層15(TaOH膜、TaONH膜)的結晶狀態呈非晶形(即呈非晶形構造或呈微晶構造)。若低反射層15的結晶狀態為非晶形構造或微晶構造，則由XRD測定所獲得之繞射尖峰中將不會見到尖銳尖峰。
再者，亦可利用氧電漿處理等使吸收體層表面氧化，而製成低反射層。
吸收體層14與低反射層15(TaOH膜、TaONH膜)的合計膜厚較佳為30~200nm，35~200nm更佳，50~200nm尤佳。
再者，若低反射層15的膜厚大於吸收體層14的膜厚，則吸收體層14的EUV光吸收特性會有降低之虞，故而低反射層15的膜厚宜小於吸收體層的膜厚。因此，低反射層15的厚度較佳為3~30nm，5~20nm更佳。
再者，就低反射性能的觀點，低反射層15宜直接與吸收體層相接。
上述構成的低反射層15(TaOH膜、TaONH膜)可藉實施使用Ta標靶的濺鍍法(例如：磁控濺鍍法或離子束濺鍍法)來形成。
當低反射層15為TaOH膜時，便在含有：含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中之至少一種的惰性氣體、與氮(N)及氫(H)的氣體環境中，使Ta標靶進行放電而形成。
另一方面，當低反射層15為TaONH膜時，便在含有：含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中之至少一種的惰性氣體、與氧(O)、氮(N)及氫(H)的氣體環境中，使Ta標靶進行放電而形成。
以上述方法在吸收體層14上形成低反射層15時，具體來說，依以下的成膜條件實施便可。
低反射層15(TaOH膜)的成膜條件
濺鍍氣體：Ar、O2 及H2 的混合氣體(H2 氣體濃度1~50vol%、較佳1~30vol%，O2 氣體濃度1~80vol%、較佳5~75vol%，Ar氣體濃度5~95vol%、較佳10~94vol%，氣體壓力1.0×10-1 Pa~50×10-1 Pa、較佳1.0×10-1 Pa~40×10-1 Pa、更佳1.0×10-1 Pa~30×10-1 Pa。)
投入電力：30~1000W、較佳50~750W、更佳80~500W
成膜速度：0.01~60nm/min、較佳0.05~45nm/min、更佳0.1~30nm/min
另外，使用除Ar以外的惰性氣體時，該惰性氣體濃度係設為與上述Ar氣體濃度相同的濃度範圍。
低反射層15(TaONH膜)的成膜條件
濺鍍氣體：Ar、O2 、N2 、及H2 的混合氣體(H2 氣體濃度1~50vol%、較佳1~30vol%，O2 氣體濃度1~80vol%、較佳5~75vol%，N2 氣體濃度1~80vol%、較佳5~75vol%，Ar氣體濃度5~95vol%、較佳10~89vol%，氣體壓力1.0×10-1 Pa~50×10-1 Pa、較佳1.0×10-1 Pa~40×10-1 Pa、更佳1.0×10-1 Pa~30×10-1 Pa。)
投入電力：30~1000W、較佳50~750W、更佳80~500W
成膜速度：0.01~60nm/min、較佳0.05~45nm/min、更佳0.1~30nm/min
另外，當使用除Ar以外的惰性氣體時，該惰性氣體濃度係設為與上述Ar氣體濃度相同的濃度範圍。
本發明的EUV光罩基底1除反射層12、保護層13、吸收體層14及低反射層15之外，尚可設有在EUV光罩基底的領域中屬公知的機能膜。作為此種機能膜的具體例，可列舉如日本特表2003-501823號公報所記載般，為促進基板的靜電吸附，而施加在基板背面之高介電性塗膜。此處所謂「基板背面」係指：於第1圖的基板11中，反射層12形成側之相反側的面。在此種目的下而施加在基板背面的高介電性塗膜，係選擇構成材料的導電率與厚度，以使片電阻成為100Ω/□以下。高介電性塗膜的構成材料可廣泛地從公知文獻所記載者中選出。例如，日本特表2003-501823號公報所記載的高介電率塗膜，具體來說，則可適用由矽、TiN、鉬、鉻或TaSi所構成的塗膜。高介電性塗膜的厚度可設定為例如10~1000nm。
高介電性塗佈係使用公知之成膜方法，例如：磁控濺鍍法、離子束濺鍍法之類的濺鍍法、CVD法、真空蒸鍍法、或電解電鍍法便可形成。
藉由至少將本發明之光罩基底的吸收層施行圖案化，便可製得EUV光罩。吸收體層的圖案化方法並無特別的限定，舉例來說，可採用：在吸收體層上塗佈光阻而形成光阻圖案，再以其作為光罩並蝕刻吸收體層的方法。光阻的材料、光阻圖案的描繪法僅需考慮吸收體層的材質等再適當選擇便可。吸收體層的蝕刻方法亦無特別的限定，可採用例如反應性離子蝕刻等乾式蝕刻或濕式蝕刻。使吸收體層圖案化之後，再利用剝離液將光阻剝離，便可獲得EUV光罩。
茲就使用本發明EUV光罩的半導體積體電路之製造方法進行說明。本發明可適用於將EUV光作為曝光用光源使用的光學微影術所施行之半導體積體電路之製造方法。具體而言，將已塗佈光阻劑的矽晶圓等基板配置於平台上，並在組合反射鏡而構成的反射型曝光裝置中設置上述EUV光罩。然後，使EUV光從光源經由反射鏡而照射於EUV光罩，使EUV光藉EUV光罩反射，而照射於已塗佈光阻的基板上。藉由該圖案轉印步驟，電路圖案將轉印於基板上。已轉印有電路圖案的基板係藉顯影而將感光部分或非感光部分蝕刻後，再將光阻剝離。重複施行此等步驟即可製得半導體積體電路。
實施例
以下，使用實施例針對本發明進行更進一步說明。本發明並不僅侷限於該等實施例。
實施例1
本實施例係製作第1圖所示之EUV光罩基底1。
成膜用基板11係使用SiO2 -TiO2 系玻璃基板(外形為邊長6吋(152mm)之正方形，厚度6.3mm)。該玻璃基板的熱膨脹率係0.2×10-7 /℃，楊氏係數係67GPa，波桑比(Poisson's ratio)係0.17，比剛性(specific rigidity)係3.07×107 m2 /s2 。藉由將該玻璃基板施行研磨，便形成表面粗度(rms)在0.15nm以下的平滑表面與100nm以下的平坦度。
在基板11的背面側，藉由使用磁控濺鍍法形成厚度100nm的Cr膜，而施加片電阻100Ω/□的高介電性塗膜。
在呈平板形狀的普通靜電吸盤上，使用已形成之Cr膜，將基板11(外形為邊長6吋(152mm)之正方形，厚度6.3mm)固定，並在該基板11的表面上使用離子束濺鍍法，交錯形成Si膜與Mo膜，並重複施行40週期，藉此便形成合計膜厚272nm((4.5nm+2.3nm)×40)的Si/Mo多層反射膜(反射層12)。
再者，在Si/Mo多層反射膜(反射層12)上，使用離子束濺鍍法形成Ru膜(膜厚2.5nm)，藉此便形成保護層13。
Si膜、Mo膜及Ru膜的成膜條件係如下：
Si膜之成膜條件
標靶：Si標靶(硼摻雜)
濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力0.02Pa)
電圧：700V
成膜速度：0.077nm/sec
膜厚：4.5nm
Mo膜之成膜條件
標靶：Mo標靶
濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力0.02Pa)
電圧：700V
成膜速度：0.064nm/sec
膜厚：2.3nm
Ru膜之成膜條件
標靶：Ru標靶
濺鍍氣體：Ar氣體(氣體壓力0.02Pa)
電圧：500V
成膜速度：0.023nm/sec
膜厚：2.5nm
其次，在保護層13上，使用磁控濺鍍法形成含有Ta、N及H的TaNH膜作為吸收體層14。
吸收體層14(TaNH膜)係以下述方法成膜。膜組成使用X射線光電子能譜裝置(X-ray Photoelectron Spectrometer)(PERKIN ELEMER-PHI公司製)、二次離子質譜裝置(Secondary Ion Mass Spectrometer)(PHI-ATOMIKA製)、拉塞福背向散射分析裝置(Rutherford Back Scattering Spectroscopy)(神戶製鋼公司製)進行測定。吸收體層之組成係Ta：N：H=55：42：3。吸收體層中的O含有率係0.05at%以下。
吸收體層14(TaNH膜)之成膜條件：
標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar、N2 及H2 的混合氣體(Ar：89vol%、N2 ：8.3vol%、H2 ：2.7vol%，氣體壓力：0.46Pa)
投入電力：300W
成膜速度：1.5nm/min
膜厚：70nm
其次，在吸收體層14上，使用磁控濺鍍法形成含有Ta、O、N及H的低反射層15(TaONH膜)，便獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14、及低反射層15的EUV光罩基底1。
低反射層15(TaONH膜)的成膜條件係如下：
低反射層15(TaONH膜)之成膜條件
標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar、O2 、N2 及H2 的混合氣體(Ar：48vol%、O2 ：36vol%、N2 ：14vol%、H2 ：2vol%，氣體壓力：0.3Pa)
投入電力：450W
成膜速度：1.5nm/min
膜厚：10nm
針對依上述順序所獲得之EUV光罩基底的低反射層15(TaONH膜)，實施下述評估(1)~(5)。
(1)膜組成
使用X射線光電子能譜裝置(X-ray Photoelectron Spectrometer)(PERKIN ELEMER-PHI公司製)、拉塞福背向散射分析裝置(Rutherford Back Scattering Spectroscopy)(神戶製鋼公司製)測定低反射層15(TaONH膜)的組成。低反射層的組成比(at%)係Ta：O：N：H=22：65：5：8。
(2)結晶狀態
利用X射線繞射裝置(X-Ray Diffractmeter)(RIGAKU公司製)確認吸收體層15(TaONH膜)的結晶狀態。因為所獲得繞射尖峰中並未見到尖銳的尖峰，因而確認低反射層15(TaONH膜)的結晶狀態為非晶形構造或微晶構造。
(3)表面粗度
使用原子力顯微鏡(SII公司製、SPI-3800)，於動態力模式(dynamic force mode)下測定低反射層15(TaONH膜)的表面粗度。表面粗度的測定區域係1μm×1μm，懸臂係使用SI-DF40(SII公司製)。低反射層的表面粗度(rms)係0.30nm。
(4)反射特性評估(對比度評估)
本實施例中，在已形成至保護層(Ru層)13的階段中，使用分光光度計(HITACH UV-4100)測定該保護層13表面的光罩圖案檢測光(波長257nm)之反射率。此外，在形成低反射層15(TaONH膜)後，測定該低反射層表面的光罩圖案檢測光反射率。結果，保護層13層表面對波長257nm的反射率係56.0%。另一方面，低反射層15(TaONH膜)表面對波長257nm的反射率係6.2%，在15%以下。使用該等結果與上式求取對比度，結果，波長257nm中的對比度係79.9%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，可獲得充分的對比度。就所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaONH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.4%。
(5)反射特性評估(波長400~1200nm)
使用分光光度計(HITACH UV-4100)測定低反射層15(TaONH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率係如下述：
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：27%
‧600~650nm：44~46%
‧800~900nm：51~55%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
實施例2
本實施例中，除將低反射層15設為TaOH之外，以如同實施例1的順序實施，獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14(TaNH)及低反射層15(TaOH)的EUV光罩基底1。低反射層15(TaOH)的組成比(at%)，係以如同實施例1的方法測定，結果為Ta：O：H=30：61：9。
低反射層15(TaOH)的成膜條件如下。
低反射層15(TaOH膜)之成膜條件
標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar、O2 及H2 的混合氣體(Ar：60vol%、O2 ：37.3vol%、H2 ：2.7vol%，氣體壓力：0.3Pa)
投入電力：450W
成膜速度：2.0nm/sec
膜厚：10nm
以如同實施例1的順序，調查依上述順序所獲得之低反射層15(TaOH膜)的結晶狀態，確認結晶狀態為非晶形構造或微晶構造。
再者，以如同實施例1之順序，調查低反射層15(TaOH膜)的表面粗度(rms)，結果為0.31nm。
接著，針對依上述順序所獲得之EUV基底，如同實施例1地評估反射特性。以與實施例1相同地評估低反射層15(TaOH膜)表面對波長257nm的反射率，結果為5.9%，在15%以下。由該等結果得知，在波長257nm中的對比度係80.9%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。針對所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaOH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.5%。
其次，如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：31%
‧600~650nm：42~45%
‧800~900nm：51~56%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
實施例3
本實施例中，除將吸收體層14設為TaN膜之外，其餘均如同實施例1的順序實施。以如同實施例1的方法測定吸收體層14(TaN)的組成比(at%)，結果為Ta：N=55：45。吸收體層中的O含有率係0.05at%以下。
吸收體層14(TaN)的成膜條件如下。
TaN層之成膜條件
標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar與N2 的混合氣體(Ar：86vol%、N2 ：14vol%，氣體壓力：0.37Pa)
投入電力：300W
成膜速度：1.1nm/min
膜厚：60nm
其次，在吸收體層14上，以如同實施例1的順序形成低反射層15(TaONH)，獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14(TaN)及低反射層15(TaONH)的EUV光罩基底1。
針對依上述順序所獲得之EUV基底，如同實施例1般評估反射特性。如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對波長257nm的反射率，，結果為6.0%，在15%以下。由該等結果得知，在波長257nm中的對比度係80.6%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。針對所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaOH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.5%。
其次，如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：30%
‧600~650nm：43~46%
‧800~900nm：51~56%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
實施例4
本實施例中，除將吸收體層14設為TaN膜之外，其餘均如同實施例2的順序實施。吸收體層14(TaN膜)係依照如同實施例3的順序進行製作，獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14(TaN)、及低反射層15(TaOH)的EUV光罩基底1。
針對依上述順序所獲得之EUV基底，如同實施例1般評估反射特性。如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對波長257nm的反射率，結果為6.1%，在15%以下。由該等結果得知，在波長257nm中的對比度係80.3%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。針對所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaOH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.4%。
其次，如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：30%
‧600~650nm：42~46%
‧800~900nm：51~57%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
實施例5
本實施例中，除將吸收體層14設為TaBN膜之外，如同實施例1的順序實施。以如同實施例1的方法測定吸收體層14(TaBN)的組成比(at%)，結果為Ta：B：N=50：10：40。吸收體層中的O含有率係0.05at%以下。
吸收體層14(TaBN)的成膜條件如下：
TaBN層之成膜條件
標靶：TaB化合物標靶(組成比：Ta80at%、B20at%)
濺鍍氣體：Ar與N2 的混合氣體(Ar：80vol%、N2 ：20vol%，氣體壓力：0.46Pa)
投入電力：300W
成膜速度：1.2nm/min
膜厚：60nm
其次，在吸收體層14上，以如同實施例1的順序形成低反射層15(TaONH)，獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14(TaBN)、低反射層15(TaONH)的EUV光罩基底1。
針對以上述順序獲得之EUV基底，如同實施例1般評估反射特性。如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對波長257nm的反射率，結果為6.3%，在15%以下。由該等結果得知，在波長257nm中的對比度係79.7%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。針對所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaONH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.5%。
其次，如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：29%
‧600~650nm：42~46%
‧800~900nm：51~56%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
實施例6
本實施例中，除將吸收體層14設為TaBNH膜之外，如同實施例1的順序實施。以如同實施例1的方法測定吸收體層14(TaBNH)的組成比(at%)，結果為Ta：B：N：H=60：3：33：4。吸收體層中的O含有率係0.05at%以下。
吸收體層14(TaBNH)的成膜條件如下。
TaBNH層之成膜條件
標靶：TaB化合物標靶(組成比：Ta80at%、B20at%)
濺鍍氣體：Ar、N2 及H2 的混合氣體(Ar：80vol%、N2 ：17.3vol%、H2 ：2.7vol%，氣體壓力：0.46Pa)
投入電力：300W
成膜速度：1.5nm/min
膜厚：60nm
其次，在吸收體層14上，以如同實施例1的順序形成低反射層15(TaONH)，獲得在基板11上依序形成有反射層12、保護層13、吸收體層14(TaBNH)及低反射層15(TaONH)的EUV光罩基底1。
針對依上述順序所獲得之EUV基底，如同實施例1般評估反射特性。如同實施例1般評估低反射層15(TaONH膜)表面對波長257nm的反射率，結果為6.2%，在15%以下。由該等結果得知，在波長257nm中的對比度係80.0%。
對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。針對所獲得之EUV光罩基底1，對低反射層15(TaONH膜)表面照射EUV光(波長13.5nm)，並測定EUV光反射率。結果，EUV光反射率係0.5%。
其次，如同實施例1般評估低反射層15(TaOH膜)表面對400~1200nm波長的反射率。對既定波長的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50%
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：31%
‧600~650nm：42~47%
‧800~900nm：51~55%
‧1000~1200nm：＜65%
對任一波長均是在目標值範圍內的反射率。
比較例1
本比較中，除將低反射層15設為不含氫(H)且含有鉭(Ta)、氧(O)及氮(N)的TaON膜之外，如同實施例1的順序實施。以如同實施例1的方法測定低反射層15的組成比(at%)，結果為Ta：O：N=24：70：6。
低反射層15(TaON膜)的成膜條件如下。
低反射層15(TaON膜)之成膜條件
標靶：Ta標靶
濺鍍氣體：Ar、O2 及N2 的混合氣體(Ar：36vol%、O2 ：50vol%、N2 ：14vol%，氣體壓力：0.3Pa)
投入電力：450W
成膜速度：1.1nm/min
膜厚：10nm
針對以上述順序獲得之EUV基底的低反射層15(TaON膜)，如同實施例1般評估反射特性。
低反射層15(TaON膜)表面對波長257nm的反射率係9.0%，在15%以下。使用該等結果與上式求取對比度，結果，波長257nm中的對比度係72.3%。對於光罩圖案檢測光之波長，保護層13表面與低反射層15表面的對比度係70%以上，獲得充分的對比度。
低反射層15(TaON膜)表面對波長400~1200nm的反射率如下。
[目標值]
‧405nm：＜40%
‧600~650nm：30~50
‧800~900nm：＞50%
‧1000~1200nm：＜90%
[測定結果]
‧405nm：31%
‧600~650nm：41~44%
‧800~900nm：49~53%
‧1000~1200nm：＜65%
對波長800~900nm並無法獲得充分的反射率。
 產業上之可利用性
本發明的光罩基底可利用於將EUV光用作曝光用光源的光學微影術所施行的半導體積體電路之製造上。
另外，於此援引2008年10月30日提申的日本專利申請案第2008-279859號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容，並納入作為本發明說明書之揭示內容。
1．．．EUV光罩基底
11．．．基板
12．．．反射層(多層反射膜)
13．．．保護層
14．．．吸收體層
15．．．低反射層
第1圖係顯示本發明EUV光罩基底之一實施形態的概略剖視圖。
第2圖顯示第1圖所示之EUV光罩基底1的吸收體層14及低反射層15上已形成有圖案的狀態。
1．．．EUV光罩基底
11．．．基板
12．．．反射層(多層反射膜)
13．．．保護層
14．．．吸收體層
15．．．低反射層

Claims (20)

  1. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係於基板上依序形成有反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩圖案之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層的EUV微影術用反射型光罩基底；其特徵在於：前述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)及氫(H)；且，於前述低反射層中，Ta及O之合計含有率為85~99.9at%，H之含有率為0.1~15at%。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層中，Ta與O之組成比為Ta：O=1：8~3：1。
  3. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係於基板上依序形成有反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩圖案之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層的EUV微影術用反射型光罩基底；其特徵在於：前述低反射層至少含有鉭(Ta)、氧(O)、氮(N)及氫(H)；且，於前述低反射層中，Ta、O及N之合計含有率為85~99.9at%，H之含有率為0.1~15at%。
  4. 如申請專利範圍第3項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層中，Ta與(O+N)之組成比為Ta：(O+N)=1：8~3：1。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層表面之表面粗度(rms) 為0.5nm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層表面之結晶構造為非晶形。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層之膜厚為3~30nm。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述吸收體層係以鉭(Ta)為主成分。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述吸收體層係以鉭(Ta)為主成分，且含有選自鉿(Hf)、矽(Si)、鋯(Zr)、鍺(Ge)、硼(B)、氮(N)及氫(H)中之至少1種元素。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述吸收體層之含氧(O)率小於25at%。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述吸收體層及前述低反射層之合計膜厚為30~200nm。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其係於前述反射層與前述吸收體層之間形成有對前述吸收體層形成圖案時用以保護前述反射層之保護層；且，相對於前述光罩圖案之檢測光的波長(190~260nm)，前述保護層表面之反射光與前述低反射 層表面之反射光的對比度為60%以上。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射層中之氫含量較前述吸收體層中之氫含量多1at%以上。
  14. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中相對於前述光罩圖案之檢測光的波長(190~260nm)，前述低反射層表面之反射率為15%以下。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射體層係於含有惰性氣體、氧(O)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
  16. 如申請專利範圍第3或4項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述低反射體層係於含有惰性氣體、氧(O)、氮(N)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
  17. 一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，係藉由於基板上依序形成反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層，以製造EUV微影術用反射型光罩基底的方法；其特徵在於：前述低反射層係於含有惰性氣體、氧(O)及氫(H)的 氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
  18. 一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，係於基板上依序形成反射EUV光之反射層、吸收EUV光之吸收體層及對光罩之檢測光(波長190~260nm)呈低反射之低反射層，以製造EUV微影術用反射型光罩基底的方法；其特徵在於：其中前述低反射體層係於含有惰性氣體、氧(O)、氮(N)及氫(H)的氣體環境中，以進行使用Ta標靶之濺鍍法而形成者，且該惰性氣體包含氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)及氙(Xe)中之至少一種。
  19. 一種EUV微影術用反射型光罩，其特徵在於：對如申請專利範圍第1至16項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底的吸收體層及低反射層施予圖案化。
  20. 一種半導體積體電路之製造方法，其特徵在於：藉由使用如申請專利範圍第19項之EUV微影術用反射型光罩，對被曝光物進行曝光以製造半導體積體電路。
TW098136911A 2008-10-30 2009-10-30 Reflective mask base for EUV microfilm TWI434131B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008279899 2008-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201022838A TW201022838A (en) 2010-06-16
TWI434131B true TWI434131B (zh) 2014-04-11

Family

ID=42128879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098136911A TWI434131B (zh) 2008-10-30 2009-10-30 Reflective mask base for EUV microfilm

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8227152B2 (zh)
JP (1) JP5348141B2 (zh)
KR (1) KR101669690B1 (zh)
CN (1) CN102203906B (zh)
TW (1) TWI434131B (zh)
WO (1) WO2010050520A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2351237T3 (es) * 2007-09-17 2011-02-01 The Tapemark Company Envase de distribucion con aplicador.
CN102203906B (zh) * 2008-10-30 2013-10-09 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模坯料
WO2010050518A1 (ja) * 2008-10-30 2010-05-06 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JPWO2011004850A1 (ja) 2009-07-08 2012-12-20 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
WO2012026463A1 (ja) 2010-08-24 2012-03-01 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP5971122B2 (ja) 2011-02-01 2016-08-17 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
WO2012114980A1 (ja) * 2011-02-24 2012-08-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR101172698B1 (ko) * 2011-10-17 2012-09-13 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
JP6060636B2 (ja) 2012-01-30 2017-01-18 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
WO2014080840A1 (ja) * 2012-11-20 2014-05-30 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
US9069253B2 (en) * 2013-03-13 2015-06-30 Nanya Technology Corportion Mask structure
JP6287099B2 (ja) 2013-05-31 2018-03-07 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR102109129B1 (ko) * 2013-07-02 2020-05-08 삼성전자주식회사 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크
KR20180057813A (ko) * 2016-11-22 2018-05-31 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크
CN113767332B (zh) * 2019-06-20 2024-09-10 Hoya株式会社 反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0198226A (ja) * 1987-10-12 1989-04-17 Fujitsu Ltd Ｘ線露光用マスク
JP2762104B2 (ja) * 1989-03-27 1998-06-04 日本電信電話株式会社 Ｘ線露光用マスクの製造方法
JP3866912B2 (ja) * 1999-10-13 2007-01-10 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用マスク基板およびその製造方法
US6673520B2 (en) * 2001-08-24 2004-01-06 Motorola, Inc. Method of making an integrated circuit using a reflective mask
JP3806702B2 (ja) 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
KR100960193B1 (ko) * 2003-02-03 2010-05-27 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한패턴 전사 방법
EP1791168A1 (en) 2004-09-17 2007-05-30 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for euv lithography and method for producing same
JP5256569B2 (ja) 2005-02-15 2013-08-07 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、露光方法及びマスクブランクの製造方法
WO2007069417A1 (ja) 2005-12-12 2007-06-21 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板
TWI444757B (zh) 2006-04-21 2014-07-11 Asahi Glass Co Ltd 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩
TWI417647B (zh) 2006-06-08 2013-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板
JP2008101246A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット
KR101585696B1 (ko) 2006-12-15 2016-01-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크 블랭크용의 기능막이 형성된 기판
WO2008084680A1 (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
EP2028681B1 (en) * 2007-01-31 2014-04-23 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for euv lithography
KR101409642B1 (ko) 2007-04-17 2014-06-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
DE102007028800B4 (de) * 2007-06-22 2016-11-03 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Maskensubstrat, Photomaske und Verfahren zur Herstellung einer Photomaske
CN101978468B (zh) * 2008-03-18 2013-03-20 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模基板及其制造方法
JP5067483B2 (ja) 2008-06-19 2012-11-07 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP5541159B2 (ja) 2008-07-14 2014-07-09 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
CN102203906B (zh) * 2008-10-30 2013-10-09 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模坯料

Also Published As

Publication number Publication date
CN102203906A (zh) 2011-09-28
JPWO2010050520A1 (ja) 2012-03-29
US8227152B2 (en) 2012-07-24
CN102203906B (zh) 2013-10-09
US20110200920A1 (en) 2011-08-18
KR20110079618A (ko) 2011-07-07
JP5348141B2 (ja) 2013-11-20
TW201022838A (en) 2010-06-16
KR101669690B1 (ko) 2016-10-27
WO2010050520A1 (ja) 2010-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI434131B (zh) Reflective mask base for EUV microfilm
TWI436158B (zh) Reflective mask base for EUV microfilm
TWI471902B (zh) A reflective mask base used in EUV microfilm
KR101353253B1 (ko) Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 이를 위한 기능막을 구비한 기판
KR101335077B1 (ko) Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
TWI430017B (zh) Reflective mask base for EUV microfilm
TWI467318B (zh) An optical member for EUV microfilm, and a method for manufacturing a substrate with a reflective layer for EUV microfilm
JP5971122B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
US8927181B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
WO2011004850A1 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
TW201331699A (zh) Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底及其製造方法
JP5533718B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板
TW200844650A (en) Reflective mask blank for EUV lithography
JP6186962B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP2022159362A (ja) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP5333016B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP7271760B2 (ja) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法
TW202430670A (zh) 附導電膜基板、反射型遮罩基底、反射型遮罩及半導體裝置之製造方法
JP2009252788A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
TW201243492A (en) Reflective mask blank for EUV lithography