TW201331699A - Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底及其製造方法 - Google Patents

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Kazunobu Maeshige
Masaki Mikami
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明提供一種EUV光罩基底之製造方法，其可緩和因在Mo/Si多層反射膜之膜應力所致之基板變形且可緩和在Mo/Si多層反射膜之膜應力的歷時性變化。一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，係於基板成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，藉此製造EUVL用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜，且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜；於前述吸收體層形成後，在110~170℃之溫度下將該已形成吸收體層之基板加熱處理。

Description

EUV微影術用反射型光罩基底及其製造方法 發明領域
本發明係有關於一種使用於半導體製造等之EUV(Extreme Ultraviolet：極紫外線)微影術用反射型光罩基底(以下在本說明書中「EUV微影術用反射型光罩基底」亦僅稱為「EUV光罩基底」)及其製造方法。
發明背景
習知，在半導體產業中作為於矽基板等形成由微細圖案所構成之積體電路時所需的微細圖案之轉印技術，係利用使用可見光或紫外光之光微影術法。但，雖半導體組件之微細化持續加速下，另一方面卻亦逼近習知光微影術法的極限。在光微影術法的情況下，圖案的解析極限為曝光波長的1/2程度，即便使用液浸法亦被稱有曝光波長的1/4程度，則即使使用ArF雷射(193nm)之液浸法，亦預料45nm程度為極限。爰此，就使用比45nm更短的波長之曝光技術而言，使用比ArF雷射更短的波長之EUV光的曝光技術之EUV微影術(以下在本說明書中「EUV微影術」亦僅稱為「EUVL」)被視為眾望所歸。在本說明書中，EUV光意指軟X射線區域或真空紫外線區域下的波長光線，具體上係指波長10~20nm程度，尤其是13.5nm±0.3nm程度之光線。
由於EUV光對各種物質而言容易被吸收且該波長下的物質折射率近於1，因此無法使用如習知使用可見光 或紫外光之光微影術的折射光學系。因此，在EUV微影術中係使用反射光學系，即反射型光罩及鏡。
光罩基底係使用於光罩製造之圖案化前的積層物。在EUV光罩基底的情況下，係具有於玻璃製等基板上依序形成有反射EUV光之反射層、及吸收EUV光之吸收體層的構造。就反射層而言，通常係使用下述多層反射膜：將低折射率膜與高折射率膜交互積層，藉此提高將EUV光照射至層表面時之光線反射率者。就多層反射膜之低折射率膜而言通常係使用鉬(Mo)層，而就高折射率膜而言通常係使用矽(Si)層。
在吸收體層係使用對於EUV光具高吸收係數之材料，具體上例如以鉻(Cr)或鉭(Ta)為主成分之材料。
在使用多層反射膜作為EUV光罩基底之反射層的情況下，為了提高EUV光照射時之光線反射率，係必須提高多層反射膜各層的膜密度，故而多層反射膜勢必要具有高膜應力(即，高壓縮應力)。
因所述之高膜應力附加於基板，則基板恐有變形之虞。由於在EUV光罩基底用基板通常係使用低膨脹玻璃製基板，則因膜應力的施加而生成的基板變形輕微，故而在習知未被視為問題。
然而，因圖案微細化之要求，習知未被視為問題之基板的微小變形(即因膜應力的施加而生成的基板變形)則蔚為問題。例如，當EUV光罩基底之基板存有特定大小以上的變形時，具體上在EUV光罩基底製造時一般使用之 152mm見方之基板的情況下，基板的翹曲量一旦超過0.6μm，則將該EUV光罩基底圖案化時恐有圖案位置精度降低之虞。又，若產生上述程度的翹曲，則使用從該EUV光罩基底所製作之反射型光罩進行圖案轉印時，恐有會產生圖案位置偏移或圖案缺陷之虞。
又，專利文獻1中確認了在製造後的EUV光罩基底中，多層反射膜中之膜應力會因熱因素而進行歷時性地變化。此外，專利文獻1中亦確認了多層反射膜中之膜應力會因EUV光罩基底之洗淨步驟、或在從該EUV光罩基底製作反射型光罩之程序上實施之光阻膜成膜後的烘焙步驟等熱因素而變化。
專利文獻1中記載，此種膜應力的變化係起因於構成多層反射膜之各層界面的極少的混合。該變化雖為無法在以X射線反射率膜厚測定之周期長測定中可檢測出的水準，但藉此，多層反射膜的反射率之峰值波長(即多層反射膜的反射率之峰值最大的波長)會在0.01nm之水準下進行變化。由於EUV光為波長非常短之光，故多層反射膜的狀態變化對其波長特性及反射特性會非常敏感地造成影響。
又，由於在EUV微影術中係使用特定的窄波長帶區之光故此波長位移的影響大，且反射率之峰值波長的位移會引起於圖案轉印時所使用的曝光機與鏡的錯置，因此必須正確地控制峰值波長。此外，因峰值波長的位移，而多層反射膜之反射率會降低。如此一來，多層反射膜之應力的歷時性變化會在光罩的實際使用上形成各種問題，如基板 產生平坦度的變化等。
為了解決上述問題點，在專利文獻1中係於多層反射膜成膜時及/或多層反射膜成膜後對附該多層反射膜之基板實施加熱處理。其認為，藉此可抑制構成多層反射膜之各層界面混合的進行，進而可控制成膜後多層反射膜之應力的歷時性變化，且藉此可防止多層反射膜對曝光之光，即對EUV光之波長特性及反射特性的變化。
在專利文獻1中，由於會在加熱處理前後測定多層反射膜之峰值波長與反射率，檢查各峰值波長與反射率之差所致的峰值波長變化與反射率降低是否為因圖案轉印裝置與反射鏡之配置產生偏移而導致形成於半導體基板上之圖案尺寸實質上變動者，因此係以形成吸收體層之前實施加熱處理為佳。
又，在專利文獻1中，係藉由使形成於基板上之多層反射膜與經加熱保持的液體接觸來實施上述加熱處理。並且，在專利文獻1中，係可藉由使用洗淨液作為加熱處理使用之液體，來同時進行加熱處理與洗淨步驟。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-128490號公報
發明概要
在專利文獻1中，加熱處理之效果係僅注目在抑 制多層反射膜之應力的歷時性變化，但認藉由構成多層反射膜之各層的構造緩和與界面混合的進行，構成多層反射膜之各層可能會收縮。且其認為，藉由各層的收縮，多層反射膜中之膜應力本身可被緩和。因此，藉由加熱處理可能可緩和膜應力所致之基板變形。
因此，本發明人等就專利文獻1記載之加熱處理對多層反射膜之影響進行了精闢研討。其結果確認了：藉由構成多層反射膜之各層的構造緩和與界面混合的進行，構成多層反射膜之各層會收縮而緩和膜應力；及，藉由膜應力之緩和，可緩和基板變形。以下，在本說明書中有時會將藉由構成多層反射膜之各層的構造緩和與界面混合的進行而使構成多層反射膜之各層收縮進而緩和膜應力之現象稱為多層反射膜中的構造緩和與混合所致之膜應力緩和。
然而，雖藉由加熱處理而因多層反射膜中的構造緩和與混合而膜應力會被緩和，但有時會隨加熱處理之條件，而可能會在不滿足期望值的程度下一併引起EUV光照射時的反射特性變化。具體而言，多層反射膜中的混合一旦過度進行，多層反射膜之各層會在層的厚度方向大幅收縮而恐有EUV光照射時之反射特性、即反射光之峰值波長與反射率降低之虞。
又清楚可知，因加熱處理時多層反射膜的表面會被氧化，而阻礙上述加熱處理所帶來之效果，即多層反射膜中的構造緩和與混合所致之膜應力的緩和。
在此，使用Mo/Si多層反射膜作為多層反射膜 時，為了防止多層反射膜表面氧化，Mo/Si多層反射膜之最上層以Si膜為佳，但在對形成有Mo/Si之附有多層反射膜之基板實施加熱處理時，該多層反射膜最上層的Si膜會被氧化，而該Si膜之膜應力(即壓縮應力)會增加。以下，就多層反射膜最上層的Si膜被氧化之情況來闡釋該Si膜中之膜應力(壓縮應力)增加之理由。
加熱處理實施時，大氣之氧會朝面向大氣之Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜表面吸著、擴散，且因該氧會與該Si膜中之Si原子結合而使Si膜構造膨脹，故該Si膜中之膜應力(壓縮應力)會增加。
因其會阻礙上述加熱處理所帶來之效果，即多層反射膜中的構造緩和與混合所致之膜應力的緩和。
又，於Mo/Si多層反射膜上對吸收體層進行圖案形成時，有時會以保護該Mo/Si多層反射膜之目的下形成保護層。作為在上述目的下形成之保護層，可舉例如Ru膜或Ru化合物(例如RuB等)膜。而，在於Mo/Si多層反射膜上形成保護層的情況下，Mo/Si多層反射膜之最上層亦以Si膜為佳。
在對在Mo/Si多層反射膜上作為保護層而形成有Ru膜或Ru化合物(RuB等)膜之附多層反射膜的基板實施加熱處理的情況下，Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜亦會因從面向大氣之膜(即Ru膜或Ru化合物膜)表面擴散之氧而氧化，故該Si膜中之膜應力(壓縮應力)會增加。
又，一般而言，當Si膜以外之膜被氧化時，膜應力(壓 縮應力)亦會增加。因此，即便是作為保護層的Ru膜或Ru化合物膜被氧化，膜應力(壓縮應力)亦會增加。
又，加熱處理實施時Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜一旦被氧化，恐有其光學常數產生變化而使EUV光照射時之反射特性起變化之虞。具體而言，有反射光之反射率降低之虞。
於Mo/Si多層反射膜上作為保護層而形成有Ru膜或Ru化合物膜的情況下，亦有其等之光學常數因Ru膜或Ru化合物膜之氧化而產生變化，進而使EUV光照射時之反射特性起變化之虞。具體而言，亦有反射光之反射率降低之虞。
有鑑於上述諸點，本發明目的在於提供一種EUV光罩基底之製造方法及以其製造方法製成之EUV光罩基底，其可緩和因Mo/Si多層反射膜中之膜應力所致之基板變形且可緩和Mo/Si多層反射膜中之膜應力的歷時性變化。
為了達成上述目的，本發明提供一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，係於基板之成膜面(以下在本說明書中，形成反射EUV光線之反射層及吸收EUV光線之吸收體層之側的主表面亦稱為「成膜面」。又，前述成膜面之相反側的主表面亦稱為「背面」)上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，藉此製造EUV微影術(EUVL)用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜； 於前述吸收體層形成後，在110~170℃且理想為120~160℃之溫度下將已形成該吸收體層之基板加熱處理。
又，本發明提供一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，係於基板之成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，並於前述吸收體層上形成對用在檢查光罩圖案之檢查光為低反射之低反射層，藉此製造EUV微影術(EUVL)用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜；於前述低反射層形成後，在110~170℃且理想為120~160℃之溫度下將該已形成低反射層之基板加熱處理。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，於前述多層反射膜形成後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，並於該吸收體層形成後將已形成該吸收體層之基板施行前述加熱處理為佳。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，於前述多層反射膜形成後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，於該保護層上形成前述吸收體層，於該吸收體層上形成前述低反射層，並在該低反射層形成後，對該已形成低反射層之基板施行前述加熱處理為佳。
前述保護層以Ru層或Ru化合物層為佳。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，宜在大氣環境下實施前述加熱處理。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，前述吸收體層係含有以合計含有率計為60at%(原子%，以下皆同)以上的鉭(Ta)及氮(N)之層，且前述吸收體層之膜厚為5~100nm為佳。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，前述低反射層係含有以合計含有率計為60at%以上的鉭(Ta)、氧(O)及氮(N)之層，且前述低反射層之膜厚為1~30nm為佳。
在本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法中，以實施前述加熱處理而於前述吸收體層上形成表面氧化膜為佳。
於前述吸收體層上形成低反射層時，以實施前述加熱處理而於前述低反射層上形成表面氧化膜為佳。
又，本發明提供一種EUVL用反射型光罩基底，係藉由本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法製得者，且在前述吸收體層表面具有膜厚0.5~3nm之表面氧化膜。
又，本發明提供一種EUVL用反射型光罩基底，係藉由本發明EUVL用反射型光罩基底之製造方法製得者，且在前述低反射層表面具有膜厚0.5~3nm之表面氧化膜。
顯示上述數值範圍之符號「~」係在包含將其前後記載之數值作為下限值及上限值之意下作使用，在未特別限定之情況下，以下在本說明書中符號「~」皆以相同意義作使用。
在本發明中，由於在吸收體層形成後會實施已形成該吸收體層之基板的加熱處理，因此可抑制因加熱處理所致之Mo/Si多層反射膜最上層的Si膜氧化。其結果，可在最大限度下發揮加熱處理的作用，即藉由多層反射膜中的構造緩和與混合來緩和膜應力。因此，可提升加熱處理的效果，即Mo/Si多層反射膜中之膜應力的緩和及因其所致之基板變形的緩和，以及Mo/Si多層反射膜中之膜應力的歷時性變化的抑制等。
又，藉由該Si膜氧化的抑制，可抑制Mo/Si多層反射膜之反射特性的變化。具體而言，可抑制EUV光照射時反射光之反射率的降低。
於Mo/Si多層反射膜上作為保護層而形成有Ru膜或Ru化合物膜時，亦可抑制該等膜之氧化。藉由該等膜之氧化抑制，亦可發揮緩和多層反射膜之膜應力的效果，及抑制多層反射膜之反射特性變化的效果。
1、1′‧‧‧EUV光罩基底
11‧‧‧基板
12‧‧‧反射層
13‧‧‧保護層
14‧‧‧吸收體層
15‧‧‧低反射層
圖1係顯示藉由本發明方法製造之EUVL用反射型光罩基底的實施形態之概略剖面圖。
圖2係顯示藉由本發明方法製造之EUVL用反射型光罩基底的其他實施形態之概略剖面圖。
用以實施發明之形態
以下參照圖式說明本發明。
圖1係顯示藉由本發明方法製造之EUVL用反射型光罩 基底(即EUV光罩基底)之1實施形態的概略剖面圖。圖1顯示之EUV光罩基底1於基板11上依序形成有反射EUV光之反射層12及吸收EUV光之吸收體層14。反射層12與吸收體層14之間形成有在對吸收體層14進行圖案形成時用以保護反射層12之保護層13。
而，在本發明EUV光罩基底中，圖1顯示之構成中僅基板11、反射層12及吸收體層14為必須元素，保護層13為隨意的構成元素。
以下就光罩基底1的各構成元素加以說明。
基板11被要求須滿足作為EUV光罩基底用基板之特性。
所以，基板11以低熱膨脹係數為0±1.0×10-7/℃為佳，較理想為0±0.3×10-7/℃，更理想為0±0.2×10-7/℃，再理想為0±0.1×10-7/℃，尤其理想為0±0.05×10-7/℃，且以平滑性、平坦度及對光罩基底或圖案形成後之光罩洗淨等使用的洗淨液之耐性優異者為佳。作為基板11，具體上係使用具有低熱膨脹係數之玻璃例如SiO2-TiO2系玻璃等，但不限於此，亦可使用析出有β石英固溶體之結晶化玻璃、石英玻璃、矽或金屬等之基板。又，亦可於基板11上形成如應力修正膜之膜。
為了在圖案形成後之光罩中獲得高反射率及轉印精度，基板11具有表面粗度(rms)為0.15nm以下的平滑表面及100nm以下的平坦度為佳。
上述表面粗度(rms)係在原子力顯微鏡下以解析度 1.95nm測定1μm×1μm之區域所求出之值。
基板11的大小及厚度等可藉由光罩的設計值等而適當決定。在後述顯示之實施例中係使用外形6吋(152.4mm)見方且厚度0.25吋(6.3mm)的SiO2-TiO2系玻璃。
基板11中形成反射層12之側的表面以未存有缺陷為佳。但，即便存在，為了不因凹狀缺陷及/或凸狀缺陷而產生相位缺陷，以凹狀缺陷之深度及凸狀缺陷之高度在2nm以下且該等凹狀缺陷及凸狀缺陷之半值寬在60nm以下為佳。
對EUV光罩基底之反射層12特別要求的特性係高EUV光線反射率。具體而言，在入射角度6度下將EUV光之波長區域的光線照射至反射層12表面時，在波長13.5nm附近之光線反射率最大值在60%以上為佳，在63%以上較佳，且在65%以上更佳。又，於反射層12上設有保護層13時，在波長13.5nm附近之光線反射率最大值在60%以上為佳，在63%以上較佳，且在65%以上更佳。
就EUV光罩基底之反射層而言，從可在EUV波長區達成高反射率一點看來，係常廣泛利用已使低折射率膜與高折射率膜交互複數次積層的多層反射膜。在本發明EUV光罩基底中係使用已使作為低折射率膜之Mo膜與作為高折射率膜之Si膜交互複數次積層的Mo/Si多層反射膜。在此，Mo膜與Si膜相較下，從Si膜在大氣環境室溫下對氧化較穩定一點看來，為了防止多層反射膜表面之氧化，則令Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜。
在Mo/Si多層反射膜的情況下，為了製成EUV光線反射率之最大值為60%以上的反射層12，以重複單元數成為30~60的方式使膜厚2.3±0.1nm之Mo膜與膜厚4.5±0.1nm之Si膜積層即可。
在本發明方法中，於基板之成膜面上形成以Si膜為最上層之Mo/Si多層反射膜。為了於基板之成膜面上形成以Si膜為最上層之Mo/Si多層反射膜，使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾知的成膜方法，將構成該Mo/Si多層反射膜之各層以成為期望厚度的方式成膜於基板之成膜面上即可。例如在使用離子束濺鍍法形成Mo/Si多層反射膜的情況下，使用Mo靶材作為靶材且使用Ar氣(氣壓1.3×10-2Pa~2.7×10-2Pa)作為濺鍍氣體，在離子加速電壓300~1500V且成膜速度1.8~18.0nm/min下以厚度成為2.3nm的方式成膜Mo膜，接下來使用Si靶材作為靶材且使用Ar氣(氣壓1.3×10-2Pa~2.7×10-2Pa)作為濺鍍氣體，在離子加速電壓300~1500V且成膜速度1.8~18.0nm/min下以厚度成為4.5nm的方式成膜Si膜為佳。以此為1周期，使Mo膜及Si膜積層30~60周期，藉此形成以Si膜為最上層之Mo/Si多層反射膜。
保護層13係在藉由蝕刻過程-通常為乾式蝕刻過程-對吸收體層14進行圖案形成之際，為了不使反射層12受到蝕刻過程所致之損傷而在保護反射層12之目的下設置的隨意構成元素。惟，從反射層12保護之觀點看來，宜於反射層12上形成保護層13。
作為保護層13之材質，可選擇難以受到吸收體層 14的蝕刻過程之影響的物質，亦即該蝕刻速度比吸收體層14更緩慢且難以受到於該蝕刻過程中所受之損傷的物質。
又，保護層13為了在形成保護層13後亦不會損害反射層12中之EUV光線反射率，係以保護層13本身亦選擇EUV光線反射率高之物質為佳。
在本發明EUV光罩基底中，為了滿足上述條件，作為保護層13宜形成Ru層或Ru化合物(例如RuB等)層。當形成Ru層或Ru化合物作為保護層13時，保護層13中之Ru含有率以50at%以上為佳，70at%以上較佳，90at%以上更佳，尤以95at%以上為佳。
於反射層12上形成保護層13時，保護層13表面之表面粗度(rms)在0.5nm以下為佳。保護層13表面的表面粗度一大，形成於該保護層13上之吸收體層14的表面粗度便會增大，則形成於該吸收體層14之圖案的邊緣粗度會增大，且圖案之尺寸精度變差。由於隨著圖案變微細，邊緣粗度的影響即會顯著，因此要求吸收體層14表面平滑。
保護層13表面的表面粗度(rms)只要在0.5nm以下，則形成於該保護層13上之吸收體層14表面即充分平滑，因此無因邊緣粗度之影響使圖案的尺寸精度惡化之虞。保護層13表面的表面粗度(rms)在0.4nm以下較佳，且在0.3nm以下更佳。
於反射層12上形成保護層13時，從提高EUV光線反射率且可獲得耐蝕刻特性之理由，保護層13之厚度以1~10nm為佳。保護層13之厚度以1~5nm較佳，且以2~4nm 更佳。
於反射層12上形成保護層13時，保護層13可使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾知的成膜方法形成。
使用離子束濺鍍法形成Ru層作為保護層13時，使用Ru靶材作為靶材並使其在氬(Ar)氣體環境中放電即可。具體而言，在以下條件下實施離子束濺鍍即可。
濺鍍氣體：Ar(氣壓1.3×10-2Pa~2.7×10-2Pa)、離子加速電壓：300~1500V、成膜速度：1.8~18.0nm/min。
對吸收體層14特別要求的特性係EUV光線反射率必須極低。具體而言，將EUV光之波長區域的光線照射至吸收體層14表面時在波長13.5nm附近之最大光線反射率以在2.0%以下為佳，且在1.0%以下較佳。
為了達成上述特性，以使用EUV光之吸收係數高的材料之構成為佳，且以使用以鉭(Ta)為主成分之材料而形成為佳。
此外，在本發明EUV光罩基底中，對吸收體層14還要求其在吸收體層14形成後實施之加熱處理時，作為用以抑制構成Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜的氧化之隔離層的功能。
為了發揮上述作為隔離層的功能，吸收體層14係以為了防止氧擴散而不存在結晶粒界，即結晶狀態為非晶質為佳，而含有Ta及氮(N)之TaN層因易形成結晶狀態為非晶質之膜而相當理想。
作為吸收體層14而形成TaN層時，Ta及N的合計含有率在60at%以上係就上述發揮作為隔離層的功能而言為相當理想，且在80at%以上較佳，在95at%以上更佳。
作為吸收體層14，在以上述合計含有率含有Ta及N之TaN層中，Ta與N之含有率及組成比以滿足下述範圍為佳。
Ta含有率理想為10~95at%且較理想為60~90at%；N含有率理想為5~50at%且較理想為10~40at%；Ta與N之組成比(Ta：N)8：1~1：5。
如上述，吸收體層14表面其表面粗度一大，形成於吸收體層14之圖案的邊緣粗度即會增大，而圖案的尺寸精度變差。由於隨著圖案變微細，邊緣粗度之影響即會顯著，因此要求吸收體層14表面平滑。
作為吸收體層14而形成TaN層時，其結晶狀態為非晶質，且表面平滑性優異。具體而言，作為吸收體層14而形成TaN層時，吸收體層14表面的表面粗度(rms)會在0.5nm以下。
吸收體層14表面的表面粗度(rms)只要在0.5nm以下，吸收體層14表面即充分平滑，因此無受邊緣粗度影響而使圖案的尺寸精度惡化之虞。吸收體層14表面的表面粗度(rms)在0.4nm以下較佳，且在0.3nm以下更佳。
作為吸收體層14而形成TaN層時，使用氯系氣體作為蝕刻氣體來實施乾式蝕刻時的蝕刻速度快，且與保護層13(具體上為Ru層或Ru化合物層)之蝕刻選擇比係顯示在10以上。
在此，當反射層12上未形成有保護層13時，與反射層12(具體上為Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜)之蝕刻選擇比係顯示在10以上。
在本說明書中，蝕刻選擇比可使用下述算式計算。
蝕刻選擇比=(吸收體層14之蝕刻速度)/(保護層13(或反射層12)之蝕刻速度)
蝕刻選擇比在10以上為佳，在11以上更佳，且在12以上更佳。
為了發揮上述作為隔離層的功能，吸收體層14之膜厚在5nm以上為佳，在20nm以上較佳，在30nm以上更佳，且在50nm以上尤佳。
另一方面，吸收體層14之膜厚一旦過大，形成於該吸收體層14之圖案精度恐有降低之虞，因此以100nm以下為佳，以90nm以下較佳，且以80nm以下更佳。
吸收體層14可使用眾知的成膜方法形成，如磁控濺鍍法或離子束濺鍍法之濺鍍法等。
作為吸收體層14而形成TaN層時，在使用磁控濺鍍法的情況下可使用Ta靶材，在以Ar稀釋之氮(N2)氣體環境中使靶材放電，藉以形成TaN層。
就以上述例示之方法形成作為吸收體層14的TaN層，具體上係以下述成膜條件實施即可。
濺鍍氣體：Ar與N2之混合氣體(N2氣濃度為3~80vol%，理想為5~30vol%，較理想為8~15vol%。氣壓為0.5×10-1Pa~10×10-1Pa，理想為0.5×10-1Pa~5×10-1Pa，較理 想為0.5×10-1Pa~3×10-1Pa)； 投入電力(就各靶材)：30~1000W，理想為50~750W，較理想為80~500W； 成膜速度：2.0~60nm/min，理想為3.5~45nm/min，較理想為5~30nm/min。
在本發明方法中，係於以上述程序而成之吸收體層的形成後，在110~170℃且理想為120~160℃之溫度下將該已形成吸收體層之基板加熱處理。
藉由該加熱處理，可促進構成Mo/Si多層反射膜之各層的構造緩和與界面之混合。而且，藉由構造緩和與混合之促進，可藉由Mo/Si多層反射膜之收縮來緩和該Mo/Si多層反射膜之膜應力(即壓縮應力)。即，可發揮加熱處理的作用，亦即藉由Mo/Si多層反射膜中的構造緩和與混合來緩和膜應力。然後，藉由膜應力的緩和，可緩和基板的變形。
又，藉由構造緩和與混合之促進，可抑制Mo/Si多層反射膜之應力的歷時性變化。
如上述，由於吸收體層可作為隔離層起作用，因此可抑制構成因加熱處理而成之Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜的氧化。藉此，可抑制Si膜氧化所致之膜應力的增加。
該結果，可在最大限度下發揮加熱處理的作用，即藉由多層反射膜中的構造緩和與混合來緩和膜應力。
又，藉由Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜氧化的抑制，可抑制Mo/Si多層反射膜之反射特性的變化。具體而言，可抑制EUV光照射時反射光之反射率的降低。
而，在本發明EUV光罩基底中有時亦會在Mo/Si多層反射膜上形成保護層，如上述，該等保護層係選定如亦可滿足從蝕刻過程保護Mo/Si多層反射膜之功能的構成材料(例如Ru或Ru化合物)。又，為了提高EUV光照射時之光線反射率，保護層之膜厚以小為佳，具體上其膜厚以1~10nm為佳。
因此，即便在Mo/Si多層反射膜上形成有以Ru或Ru化合物構成之保護層的情況下，一旦於該保護層上形成吸收體層前施行加熱處理，便有因從保護層表面擴散之氧使Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜氧化之虞，因此需留意該Si膜中之膜應力(壓縮應力)的增加。
又，由該Si膜之氧化，需留意Mo/Si多層反射膜之反射特性的變化，具體上即需留意EUV光照射時反射光之反射率的降低。
再者，加熱處理時，由作為保護層之Ru膜或Ru化合物膜的氧化需留意該等膜中之膜應力(即壓縮應力)的增加。
又，由該等膜之氧化，恐有其光學常數變化而使EUV光照射時之反射特性起變化之虞。具體而言，恐有EUV光照射時反射光之反射率降低之虞。
在本發明中，藉由吸收體層可作為隔離層起作用一點，亦可抑制作為保護層之Ru膜或Ru化合物膜的氧化，或因從保護層表面擴散之氧所致之Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜的氧化。
藉由該等作用亦可發揮緩和多層反射膜之膜應力的效 果、及抑制多層反射膜之反射特性變化的效果。
在此，加熱處理的具體溫度為，在110~170℃且理想為120~160℃之範圍下以可成為期望之應力緩和量的方式，進行調整即可。加熱處理溫度一旦低於110℃，則藉由Mo/Si多層反射膜中的構造緩和與混合來緩和膜應力之加熱處理的作用即會變得不夠充分。
另一方面，加熱處理溫度一旦高於170℃，恐有Mo/Si多層反射膜中之混合過度進行，而使多層反射膜之各層大幅收縮，造成EUV光照射時反射特性起變化，具體上即EUV光照射時反射光之反射率降低之虞。加熱處理的溫度以130℃~150℃較佳，且以136℃~144℃更佳。
又，加熱時間以5~60分鐘之範圍為佳，且以10~30分鐘之範圍較佳。加熱處理時間一旦低於5分鐘，則藉由Mo/Si多層反射膜中的構造緩和與混合緩和膜應力之加熱處理的作用恐有變得不夠充分之虞。另一方面，加熱處理時間一旦長於60分鐘，恐有混合過度進行而使多層反射膜之各層大幅收縮，造成EUV光照射時反射特性起變化，具體上即EUV光照射時反射光之反射率降低之虞。
本發明中之加熱處理可在真空中或大氣氣體環境下實施。其中在大氣氣體環境下實施的情況下，可抑制因真空中之加熱處理而產生的熱歷程所致之從真空室壁的缺陷產生及對EUV光罩基底的附著，又在大氣壓下可無須就處理氮氣等大氣以外氣體時的窒息進行安全對策即可輕易地進行處理等理由看來，相當理想。又，於吸收體層形 成後若在大氣中實施加熱處理，則因可於吸收體層表面形成一定厚度以上的表面氧化膜，且可獲得保護吸收體層免於其氧化所致之光學特性的變化及壓縮應力的增加之效果，故為理想。例如，作為吸收體層而使用TaN時，藉由在大氣氣體環境下之加熱處理可於吸收體層表面形成TaON層，其可發揮作為保護位於表面氧化膜下層之TaN免於被進一步氧化之膜的作用。藉由本發明方法形成之表面氧化膜以0.5~3nm的厚度為佳，且以1.5~2.5nm的厚度較佳。厚度一旦比0.5nm薄，恐有無法充分保護吸收體層表面而使對洗淨之耐久性降低之虞。例如，吸收體層形成後若未進行加熱處理即在大氣中常溫放置，雖會形成極薄的表面氧化膜，但其膜厚至多0.2nm，無法提升吸收體層的耐久性。另一方面，厚度一旦比3nm後，恐有對EUV光之最大光線反射率增大，且在將13.5nm左右之EUV光作為光罩圖案之檢查光的情況下其對比有降低之虞。
而，如上述，作為於吸收體層表面形成一定厚度的表面氧化膜之方法，並不限於大氣環境下之加熱處理。例如，在已以含有氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中至少一種之惰性氣體下稀釋之氧(O2)及氮(N2)氣體環境中進行加熱處理，或在曝於氧電漿中之氣體環境中進行加熱處理亦可。又，在以該方法形成表面氧化膜的情況下，其膜厚亦以0.5~3nm為佳，且以1.5~2.5nm較佳。
而，本發明EUV光罩基底亦可具有圖1顯示之構成(即基板11、反射層12、保護層13及吸收體層14)以外的構 成元素。
圖2係顯示本發明EUV光罩基底的其他實施形態之概略剖面圖。
在圖2顯示之EUV光罩基底1′中，係於吸收體層14上形成有低反射層15，其對於用在檢查光罩圖案之檢查光為低反射。
從本發明EUV光罩基底製作EUV光罩時，於吸收體層形成圖案後會檢查該圖案是否有如設計而形成。在該光罩圖案之檢查中，作為檢查光通常會使用利用257nm下之光的檢查機。亦即，藉由在該257nm左右下之光的反射率差，具體上即藉由吸收體層14中因圖案形成除去而露出之面與未因圖案形成除去而殘餘之吸收體層14表面的反射率差進行檢查。在此，作為EUV光罩基底之態樣而在反射層12上形成有保護層13的情況下，前者之面(即吸收體層14中因圖案形成除去而露出之面)為保護層13表面；作為EUV光罩基底之態樣而未在反射層12上形成保護層13的情況下，前者之面為反射層12表面(具體上為Mo/Si多層反射膜最上層之Si膜表面)。
因此，當相對於波長在257nm左右下之檢查光，保護層13表面(或反射層12表面)與吸收體層14表面之反射率差過小時，檢查時之對比可能會變差而無法進行正確檢查。
以下，在本說明書中提及檢查光時，在未特別記載其波長的情況下皆指波長257nm之光。
上述構成之吸收體層14的EUV光線反射率極 低，且作為EUV光罩基底的吸收體層雖具有優異的特性，但就檢查光之波長下觀察，光線反射率稱不上夠低。該結果，在檢查光之波長下的吸收體層14表面之反射率與反射層12表面(或保護層13表面)之反射率的差會變小而恐有無法充分獲得檢查時之對比之虞。若無法充分獲得檢查時之對比，則在光罩檢查中即有無法充分辨別圖案之缺陷而無法進行正確的缺陷檢查之情況。
如圖2顯示之EUV光罩基底1′，藉由於吸收體層14上形成低反射層15，檢查時之對比可變良好。換言之，在檢查光之波長下的光線反射率會變得極低。在上述目的下形成之低反射層15在照射檢查光之波長區域(257nm附近)下的光線時，該檢查光之波長下的最大光線反射率在15%以下為佳，在10%以下較佳，且在5%以下更佳。
低反射層15在檢查光之波長下的光線反射率只要在15%以下，該檢查時之對比即佳。具體上即保護層13表面(或反射層12表面)在檢查光之波長下的反射光、與低反射層15表面在檢查光之波長下的反射光之對比會在40%以上。
在本說明書中，對比係以下述算式求算。
對比(%)=((R2-R1)/(R2+R1))×100
在此，在檢查光之波長下的R2係在保護層13表面(或反射層12表面)上之反射率，R1係在低反射層15表面上之反射率。而，上述R1及R2係在已於圖2顯示之EUV光罩基底1′之吸收體層14及低反射層15上形成圖案之狀態下進行測定。上述R2係在藉由圖案形成除去吸收體層14及低反射層15而 露出於外部之保護層13表面(或反射層12表面)進行測定之值，R1係在未藉由圖案形成除去而殘餘之低反射層15表面進行測定之值。
在本發明中，以上述式表示之對比在45%以上較佳，在60%以上更佳，且在70%以上尤佳。
為了達成上述特性，低反射層15以檢查光之波長折射率較吸收體層14更低的材料構成且其結晶狀態為非晶質為佳。
作為上述低反射層15之具體例，舉如有以下述比率含有Ta、氧(O)及氮(N)之TaON層。
作為低反射層15而形成TaON層的情況下，Ta、O及N之合計含有率在60at%以上為佳，在80at%以上較佳，且在95at%以上更佳。
作為低反射層15，在以上述合計含有率含有Ta、O及N之TaON層中，Ta、O與N之含有率及組成比以滿足下述範圍為佳。
Ta含有率：20~80at%，理想為20~70at%，較理想為20~60at%； O及N之合計含有率：20~80at%，理想為30~80at%，較理想為40~80at%； O與N之組成(O：N)：20：1~1：20，理想為18：1~1：18，較理想為15：1~1：15。
當低反射層15為如上述組成之TaON層時，因其構成，其結晶狀態為非晶質且其表面平滑性優異。具體而 言，作為低反射層15而形成TaON層時，低反射層15表面的表面粗度(rms)在0.5nm以下。
如上述，為了防止圖案的尺寸精度因邊緣粗度之影響而惡化，係要求吸收體層14表面需為平滑。由於低反射層15係形成於吸收體層14上，因此從相同理由亦要求其表面需為平滑。
低反射層15表面的表面粗度(rms)只要在0.5nm以下，低反射層15表面即充分平滑，因此不會有圖案的尺寸精度因邊緣粗度之影響而惡化之虞。低反射層15表面的表面粗度(rms)在0.4nm以下較佳，且在0.3nm以下更佳。
於吸收體層14上形成低反射層15時，吸收體層14與低反射層15之合計厚度以20~130nm為佳。又，低反射層15之厚度一旦大於吸收體層14之厚度，在吸收體層14上之EUV光吸收特性恐有降低之虞，故低反射層15之厚度小於吸收體層14之厚度為佳。因此，低反射層15之厚度在1~30nm為佳，在5~30nm較佳，且在10~20nm更佳。
上述構成之低反射層(TaON)可在已以含有氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中至少一種之惰性氣體稀釋之氧(O2)及氮(N2)氣體環境中，藉由使用Ta靶材的濺鍍法、例如磁控濺鍍法或離子束濺鍍法形成。或，亦可在已以含有氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)中至少一種之惰性氣體稀釋之氮(N2)氣體環境中，使Ta靶材放電而形成含有Ta及N之膜後，例如使曝其於氧電漿中或照射使用氧之離子束，以使所形成之膜氧化，藉此製作上述構成 之低反射層(TaON)。
就以上述方法形成低反射層(TaON)，具體上以下述成膜條件實施即可。
濺鍍氣體：Ar、O2與N2之混合氣體(O2氣濃度5~80vol%且N2氣濃度5~75vol%，理想為O2氣濃度6~70vol%且N2氣濃度6~35vol%，較理想為O2氣濃度10~30vol%且N2氣濃度10~30vol%。Ar氣濃度5~90vol%，理想為10~88vol%，較理想為20~80vol%；濺鍍氣體之氣壓：1.0×10-1Pa~50×10-1Pa，理想為1.0×10-1Pa~40×10-1Pa，較理想為1.0×10-1Pa~30×10-1Pa；投入電力：30~1000W，理想為50~750W，較理想為80~500W；成膜速度：0.1~50nm/min，理想為0.2~45nm/min，較理想為0.2~30nm/min。
此外，使用Ar以外之惰性氣體的情況下，其惰性氣體之濃度以設在與上述Ar氣濃度相同濃度範圍為佳。又，使用複數種類的惰性氣體時，將惰性氣體之合計濃度設在與上述Ar氣濃度相同濃度範圍為佳。
又，在圖2顯示之EUV光罩基底1′的情況下，係於低反射層15形成後實施上述加熱處理。如上述，在於吸收體層14上形成低反射層15後實施加熱處理的情況下，亦在與圖1顯示之光罩基底1中之吸收體層14形成後的加熱處理相同氣體環境下，即在大氣環境下或真空中，藉由所期望條件下之加熱處理方法於低反射層15表面上形成表面氧 化膜即可。形成有低反射層15之基板在低反射層15形成後的加熱處理溫度亦採用與吸收體層14形成後之加熱處理相同溫度，即110~170℃之範圍。較理想係加熱處理溫度為120~160℃，更理想為130~150℃，且又更理想為136~144℃。又，加熱時間亦同樣地以5~60分鐘之範圍為佳，且以10~30分鐘之範圍較佳。
然後在該情況下，形成於低反射層15表面上之表面氧化膜的膜厚亦以0.5~3nm為佳，且以1.5~2.5nm較佳。厚度一旦比0.5nm薄，恐有無法充分保護吸收體層表面而使對洗淨之耐久性降低之虞。另一方面，厚度一旦比3nm厚，恐有對光罩圖案之檢查光的最大光線反射率增大而使其對比降低之虞。例如，當低反射層15係由TaON構成時，低反射層形成後之藉由加熱處理形成的表面氧化膜相對於富氧的TaON，亦即作為低反射層所構成的TaON為氧(O)組成多的構成，則可將之視為與此情況下之低反射層TaON不同構成之層。具體上，就TaON上之表面氧化膜可以氧的組成作識別，故相對於成為低反射層的TaON層，係可將成為氧為5at%以上的組成比之層特定為表面氧化膜。
如圖2顯示之EUV光罩基底1′，以於吸收體層14上形成低反射層15之構成為佳乃因為圖案之檢查光的波長與EUV光之波長不同之緣故。因此推測，作為圖案之檢查光而使用EUV光(13.5nm附近)時，係無需於吸收體層14上形成低反射層15。檢查光之波長有伴隨圖案尺寸變小而位移至短波長側之傾向，未來考慮可能會位移至193nm，甚至位 移至13.5nm。又，當檢查光之波長為193nm時，有時無需於吸收體層14上形成低反射層15。則，當檢查光之波長為13.5nm時，係認為無需於吸收體層14上形成低反射層15。
本發明EUV光罩基底除反射層12、保護層13、吸收體層14及低反射層15以外，亦可具有在EUV光罩基底之領域下為公知的功能膜。就上述功能膜的具體例而言，可舉例如日本特表2003-501823號公報記載，為了促進基板之靜電夾持而於基板背面側施行的高介電質塗佈。在此，基板背面係表示為與在圖1之基板11中形成有反射層12之成膜面之側為相反側之面。在上述目的下於基板背面施行的高介電質塗佈係以薄片電阻成為100Ω/□以下的方式來選擇構成材料之導電率與厚度。作為高介電質塗佈之構成材料，可廣泛地從公知文獻中所記載者作選擇。例如，可適用日本特表2003-501823號公報記載之高介電率塗佈，具體上係由矽、TiN、鉬、鉻及TaSi所構成之塗佈。高介電質塗佈的厚度例如為10~1000nm。
高介電質塗佈可使用公知的成膜方法例如磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等濺鍍法、CVD法、真空蒸鍍法及電鍍法形成。
實施例
以下使用實施例進一步說明本發明。
(實施例1)
在本實施例中，製作出圖1顯示之EUV光罩基底1。
作為成膜用之基板11，使用了SiO2-TiO2系玻璃基板(外 形6吋(152.4mm)見方且厚度6.3mm)。該玻璃基板之熱膨脹率為0.2×10-7/℃，楊氏模數67GPa，帕松比0.17，且比剛性為3.07×107m2/s2。藉由研磨將該玻璃基板形成為表面粗度(rms)在0.15nm以下的平滑表面及100nm以下的平坦度。
於基板11背面側使用磁控濺鍍法成膜厚度為100nm的Cr膜，藉此施行薄片電阻為100Ω/□的高介電質塗佈(未圖示)。
使用以上述程序所形成的Cr膜，將基板11固定於呈平板形狀的一般靜電夾頭(外形6吋(152.4mm)見方、厚度6.3mm)，並於該基板11表面上使用離子束濺鍍法以反復50周期將Mo膜及Si膜交互成膜，藉此形成合計膜厚為340nm((2.3nm+4.5nm)×50)的Mo/Si多層反射膜(反射層12)。此外，Mo/Si多層反射膜的最上層為Si膜。
Mo膜及Si膜的成膜條件如以下所述。
[Mo膜成膜條件]
靶材：Mo靶材、濺鍍氣體：Ar氣(氣壓0.02Pa)、電壓：700V、成膜速度：3.84nm/min、膜厚：2.3nm。
[Si膜成膜條件]
靶材：Si靶材(摻雜硼的Si靶材)、濺鍍氣體：Ar氣(氣壓0.02Pa)、電壓：700V、 成膜速度：4.62nm/min、膜厚：4.5nm。
接下來，使用離子束濺鍍法形成為保護層13的Ru層。
保護層13的形成條件如以下所述。
靶材：Ru靶材、濺鍍氣體：Ar氣(氣壓0.02Pa)、電壓：700V、成膜速度：3.12nm/min、膜厚：2.5nm。
接下來，於保護層13上使用磁控濺鍍法形成作為吸收體層14的TaN層。
TaN層成膜條件如以下所述。
[TaN層成膜條件]
靶材：Ta靶材、濺鍍氣體：Ar與N2之混合氣體(Ar：86vol%、N2：14vol%、氣壓：0.3Pa)、投入電力：150W、成膜速度：7.2nm/min、膜厚：60nm。
在大氣氣體環境下，將吸收體層14形成後的EUV光罩基底控制在140±4℃之範圍內進行20分鐘加熱處理。而，加熱溫度係光罩基底表面之溫度，加熱時間係將光罩基底表面溫度保持在140±4℃之範圍內的時間。
又，於成為吸收體層14之TaN層表面，就上述吸收體層14之藉由加熱處理所形成的表面氧化膜、即TaON之表面氧化膜，使用Rigaku公司製的高機能薄膜X射線反射率膜厚測定裝置，藉由X射線反射率測定法計測其膜厚的結果為2nm。
然後，於加熱處理實施前後測定EUV光罩基底之表面及背面的平坦度。在此，EUV光罩基底表面係指吸收體層14表面。另一方面，EUV光罩基底背面係指形成於基板11背面側的Cr膜表面。平坦度的測定若使用菲左型雷射干涉式平坦度測定機(Fujinon公司製、商品名：G310S)，即可獲得與後述實施例2之平坦度的差分相同程度之值。
(實施例2)
在本實施例中，製作出圖2顯示之EUV光罩基底1′。
本實施例之EUV光罩基底1′中，基板11係使用與實施例1相同者，並且，在與實施例1相同條件下形成成為基板11背面側之高介電質電鍍的Cr層、Mo/Si多層反射膜(反射層12)、成為保護層13之Ru層及成為吸收體層14之TaN層。
接下來，於吸收體層14上使用磁控濺鍍法形成作為低反射層15的TaON層。
TaON層的成膜條件如以下所述。
[TaON層成膜條件]
靶材：Ta靶材、濺鍍氣體：Ar與O2及N2之混合氣體(Ar：49vol%、O2：37vol%、N2：14vol%。氣壓：0.3Pa)、 投入電力：250W、成膜速度：2.0nm/min、膜厚：8nm。
在大氣氣體環境下，將低反射層15形成後之EUV光罩基底控制在140±4℃之範圍內進行20分鐘加熱處理。而，加熱溫度係光罩基底表面的溫度，加熱時間係將光罩基底表面溫度保持在140±4℃之範圍內的時間。
而且，若於加熱處理的實施前後測定EUV光罩基底表面及背面之平坦度，則加熱前後之平坦度的差分即成為後述的計測值。
又，於成為低反射層15之TaON層表面，就上述低反射層15之藉由加熱處理所形成的表面氧化膜，使用Rigaku公司製的高機能薄膜X射線反射率膜厚測定裝置，藉由X線反射率測定法計測其膜厚結果為約2nm。
(比較例1)
在與實施例1相同程序下形成至保護層13之後，在大氣氣體環境下將該保護層13形成後之EUV光罩基底控制在140±4℃之範圍內進行20分鐘加熱處理，並於加熱處理後形成吸收體層14。亦即，在比較例1中係在吸收體層14形成前之狀態下實施加熱處理。關於加熱處理實施前後之平坦度的測定係於保護層13形成後進行加熱處理實施前之平坦度測定，並於吸收體層14形成後進行加熱處理實施後之平坦度測定。
就藉由實施例1、實施例2及比較例1製得之試 樣，於以下顯示在加熱處理實施前後之平坦度的差分。
[實施例1之試樣]
表面：0.217μm
背面：0.237μm
[實施例2之試樣]
表面：0.227μm
背面：0.247μm
[比較例1之試樣]
表面0.195μm
背面0.192μm
在加熱處理實施前後之平坦度的差分係顯示了因膜應力生成之基板11的翹曲經由加熱處理緩和了多少程度。如由兩者清楚可知，藉由於吸收體層形成後進行加熱處理係有提升緩和基板翹曲的效果。
產業上之可利用性
依據本發明，EUV光罩基底之Mo/Si多層反射膜中之膜應力的緩和及因其所致之基板變形的緩和，以及可抑制Mo/Si多層反射膜中之膜應力的歷時性變化，又可抑制Mo/Si多層反射膜的反射特性變化，且使用從該EUV光罩基底製作之反射型光罩進行圖案轉印時，可抑制圖案位置偏移及圖案缺陷的產生。因此，從本發明EUV光罩基底製作的反射型光罩在半導體產業中，可在於矽氧基板等形成由微細圖案所構成之積體電路上所需的微細圖案之微影術技術中有效地作使用。
而，在此引用已於2011年11月25日提出申請之日本專利申請案2011-257749號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之全部內容，並擷取作為本發明之揭示。

Claims (17)

  1. 一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，係於基板之成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，藉此製造EUV微影術用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜；於前述吸收體層形成後，在110~170℃之溫度下將已形成該吸收體層之基板加熱處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係於前述吸收體層形成後，在120~160℃之溫度下將已形成該吸收體層之基板加熱處理。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係於前述多層反射膜形成後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，並於該保護層上形成前述吸收體層，於該吸收體層形成後，對已形成該吸收體層之基板施行前述加熱處理。
  4. 如申請專利範圍第3項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述保護層為Ru層或Ru化合物層。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述加熱處理係在大氣環境下實施。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述吸收體層係含有以 合計含有率計為60at%以上的鉭(Ta)及氮(N)之層，且前述吸收體層之膜厚為5~100nm。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係實施前述加熱處理而於前述吸收體層上形成表面氧化膜。
  8. 一種EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，係於基板之成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，並於前述吸收體層上形成低反射層，其對於用在檢查光罩圖案之檢查光為低反射，藉此製造EUV微影術用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜，且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜；於前述低反射層形成後，在110~170℃之溫度下將該已形成低反射層之基板加熱處理。
  9. 如申請專利範圍第8項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係於前述低反射層形成後，在120~160℃之溫度下將該已形成低反射層之基板加熱處理。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係於前述多層反射膜形成後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，於該保護層上形成前述吸收體層，於該吸收體層上形成前述低反射層，並在該低反射層之形成後，對該已形成低反射層之基板施行前述加熱處理。
  11. 如申請專利範圍第10項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述保護層為Ru層或Ru化合物層。
  12. 如申請專利範圍第8至11項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述加熱處理係在大氣環境下實施。
  13. 如申請專利範圍第8至12項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述吸收體層係含有以合計含有率計為60at%以上的鉭(Ta)及氮(N)之層，且前述吸收體層之膜厚為5~100nm。
  14. 如申請專利範圍第8至13項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其中前述低反射層係含有以合計含有率計為60at%以上的鉭(Ta)、氧(O)及氮(N)之層，且前述低反射層之膜厚為1~30nm。
  15. 如申請專利範圍第8至14項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法，其係實施前述加熱處理而於前述低反射層上形成表面氧化膜。
  16. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係藉由如申請專利範圍第7項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法製得者，且在吸收體層表面具有膜厚0.5~3nm之表面氧化膜。
  17. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係藉由如申請專利範圍第15項之EUV微影術用反射型光罩基底之製造方法製得者，且在低反射層表面具有膜厚0.5~3nm之表面氧化膜。
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