WO2010021086A1 - 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 - Google Patents

両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 Download PDF

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上野淳一
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces

Definitions

  • the present invention relates to a carrier for a double-side polishing apparatus that holds a wafer when polishing the wafer in a double-side polishing apparatus, and a double-side polishing method using the apparatus.
  • the wafer When simultaneously polishing both sides of the wafer by polishing or the like, the wafer is held by a carrier for a double-side polishing apparatus.
  • the carrier for a double-side polishing apparatus is formed with a thickness thinner than that of the wafer, and includes a holding hole for holding the wafer at a predetermined position between the upper and lower surface plates of the double-side polishing apparatus.
  • the wafer is inserted and held in this holding hole, and the upper and lower surfaces of the wafer are sandwiched by a polishing tool such as a polishing cloth provided on the opposing surfaces of the upper surface plate and the lower surface plate, and polishing is performed while supplying an abrasive to the polishing surface. Is done.
  • the carrier for the double-side polishing apparatus used for double-side polishing of such a wafer is mainly made of metal.
  • the resin ring is attached along the inner peripheral part of a holding hole. In this way, it is possible to prevent the peripheral edge of the wafer from being damaged by attaching and polishing the resin ring between the holding hole of the carrier and the wafer.
  • a method of performing a secondary double-side polishing step for correcting the peripheral sag generated in the primary double-side polishing step is disclosed (see Patent Document 1).
  • this method has a drawback in that the number of steps is increased by performing the second double-side polishing step for correcting the peripheral sag, and a double-side polishing method that more easily reduces the peripheral sag has been demanded.
  • a wafer manufacturing method is disclosed in which a support ring is formed on the outer peripheral portion of the wafer before polishing to form a wafer with a support ring, and polishing in the state of the wafer with the support ring reduces peripheral sagging. (See Patent Document 2).
  • One of the causes of peripheral sag that occurs during double-side polishing is the effect of creep deformation associated with the viscoelastic properties of the polishing cloth.
  • FIG. 7 when chamfering is performed on the peripheral portion of the wafer W to be polished, a gap is generated between the inner peripheral portion of the resin ring 102 and the chamfered portion 112 of the wafer. This is a problem that sagging occurs on the outermost periphery of the wafer W due to the creeping polishing cloth 105 entering.
  • Such sagging due to the creep deformation of the polishing cloth can be prevented by attaching a support ring to the outer peripheral portion of the wafer as described above, for example. Since the wafer is fixed inside, the effect of reducing the taper of the polished surface of the wafer due to the rotation of the wafer cannot be achieved, and the improvement in flatness cannot be said to be sufficient.
  • the present invention has been made in view of the problems described above, and reduces the occurrence of taper on the polishing surface by rotating the wafer during polishing while suppressing the occurrence of sagging of the outer periphery of the wafer due to creep deformation of the polishing cloth. Then, it aims at providing the carrier for double-side polish apparatuses which can improve flatness, a double-side polish apparatus using the same, and a double-side polish method.
  • a carrier for a double-side polishing apparatus in a double-side polishing apparatus for polishing both surfaces of a wafer having a chamfered portion at the periphery, at least an upper and lower surface plate to which a polishing cloth is attached.
  • a carrier base having a holding hole for holding the wafer sandwiched between the upper and lower surface plates during polishing, and an inner periphery of the holding hole of the carrier base
  • a ring-shaped resin ring that contacts the chamfered portion of the held wafer and protects the chamfered portion, and has a concave groove on the inner periphery of the resin ring, and is formed in the concave groove.
  • a carrier for a double-side polishing apparatus wherein upper and lower tapered surfaces and a chamfered portion of the wafer are in contact with each other by cross-sectional point contact to hold the wafer.
  • the carrier matrix is provided at least between the upper and lower surface plates to which the polishing cloth is attached, and has a holding hole for holding the wafer sandwiched between the upper and lower surface plates during polishing.
  • a ring-shaped resin ring that is disposed along the inner periphery of the holding hole of the carrier base and protects the chamfered portion in contact with the chamfered portion of the held wafer, and the inner periphery of the resin ring If the wafer is held by the upper and lower tapered surfaces formed in the groove and the chamfered portion of the wafer being in contact with each other by cross-sectional point contact, the chamfered portion of the wafer and the resin It is possible to suppress the occurrence of taper on the polishing surface by causing the wafer to rotate during polishing while reducing the gap between the inner periphery of the ring and suppressing the occurrence of outer periphery sag. Can improve flatness That.
  • the concave portion is satisfied by satisfying ⁇ ⁇ ⁇ 90 °. It is preferable that the upper and lower tapered surfaces of the groove and the chamfered portion of the wafer are in contact with each other by cross-sectional contact.
  • the angle of the taper surface with which the wafer in the concave groove contacts the upper and lower main surfaces of the resin ring is ⁇ and the chamfer angle of the wafer is ⁇ , satisfying ⁇ ⁇ ⁇ 90 °,
  • the upper and lower tapered surfaces of the concave groove and the chamfered portion of the wafer can be reliably in contact with each other by cross-sectional point contact.
  • the angle ⁇ of the taper surface with which the wafer in the concave groove contacts the upper and lower main surfaces of the resin ring satisfies ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ + 7 °.
  • the double-side polish apparatus provided with the carrier for double-side polish apparatuses which concerns on the said this invention at least is provided.
  • the double-side polishing apparatus provided with the carrier for the double-side polishing apparatus according to the present invention can improve the flatness by suppressing the occurrence of sag and taper of the wafer to be polished.
  • the carrier for a double-side polishing apparatus is disposed between upper and lower surface plates to which a polishing cloth is attached, and the carrier holding hole
  • the upper and lower taper surfaces of the concave grooves of the resin ring disposed on the inner periphery of the resin ring and the chamfered portion of the wafer are held in cross-sectional contact, and the wafer is sandwiched between the upper and lower surface plates and polished on both sides.
  • a double-side polishing method for a wafer is provided.
  • the carrier for a double-side polishing apparatus is disposed between the upper and lower surface plates to which the polishing cloth is attached, and the groove of the resin ring disposed on the inner periphery of the holding hole of the carrier is provided. If the upper and lower tapered surfaces and the chamfered portion of the wafer are held in contact with each other in cross-section, and the wafer is sandwiched between the upper and lower surface plates and polished on both sides, the occurrence of sag and taper of the wafer to be polished is suppressed. The flatness can be improved.
  • the resin ring in the carrier for the double-side polishing apparatus, has a concave groove on the inner periphery, and the upper and lower tapered surfaces formed in the concave groove and the chamfered portion of the wafer are in contact with each other by cross-sectional point contact. Since it is held, if polishing is performed using the double-side polishing apparatus equipped with the carrier for this double-side polishing apparatus, the gap between the chamfered portion of the wafer and the inner peripheral portion of the resin ring is reduced, and the outer peripheral sag occurs. It is possible to suppress the occurrence of taper on the polished surface by rotating the wafer during polishing while suppressing the flatness of the wafer to be polished.
  • the present invention is not limited to this.
  • the resin ring inner periphery and wafer chamfer When the polishing cloth creep-deformed enters the gap between the wafer and the wafer, the outer periphery of the wafer may sag, which causes the flatness of the wafer to deteriorate.
  • the shape of the inner peripheral portion of the resin ring in contact with the wafer is matched with the shape of the chamfered portion of the wafer, and bonded and polished.
  • the peripheral sag could be suppressed, the rotation of the wafer during polishing was also inhibited, so the effect of suppressing the taper on the polished surface of the wafer could not be achieved, and the flatness was sufficient could not be improved.
  • a concave groove is formed in the inner peripheral portion of the resin ring to reduce the gap between the chamfered portion of the wafer and the inner peripheral portion of the resin ring, while suppressing the creeping polishing cloth from entering the gap. If the wafer is held by bringing the upper and lower tapered surfaces formed in the concave groove of the resin ring into contact with the chamfered portion of the wafer by cross-sectional point contact, the rotation of the wafer can be prevented as much as possible.
  • the present invention has been completed by conceiving that both occurrences of taper can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a double-side polishing apparatus provided with the carrier for the double-side polishing apparatus of the present invention
  • FIG. 2 shows an internal structure diagram of the double-side polishing apparatus in plan view.
  • a double-side polishing apparatus 20 provided with the carrier 1 for a double-side polishing apparatus of the present invention includes an upper surface plate 6 and a lower surface plate 7 that are provided to face each other vertically.
  • a polishing cloth 5 is affixed to the opposing surface side of each of the surface plates 6 and 7.
  • a sun gear 13 is provided at the center between the upper surface plate 6 and the lower surface plate 7, and an internal gear 14 is provided at the peripheral portion.
  • the wafer W is held in the holding hole 4 of the carrier 1 for double-side polishing apparatus, and is sandwiched between the upper surface plate 6 and the lower surface plate 7.
  • the teeth of the sun gear 13 and the internal gear 14 are engaged with the outer peripheral teeth of the carrier 1 for a double-side polishing apparatus, and the upper surface plate 6 and the lower surface plate 7 are rotated by a drive source (not shown). Accordingly, the carrier 1 for double-side polishing apparatus revolves around the sun gear 13 while rotating. At this time, the wafer W is held in the holding holes 4 of the carrier 1 for double-side polishing apparatus, and both sides are simultaneously polished by the upper and lower polishing cloths 5.
  • a polishing liquid is supplied from a nozzle (not shown).
  • the carrier for a double-side polishing apparatus 1 has a metal carrier base 3 in which a holding hole 4 for holding a wafer W is formed.
  • a resin ring 2 is disposed along the inner peripheral surface of the holding hole 4 of the carrier base 3. The resin ring 2 can prevent damage to the peripheral portion of the wafer W due to the wafer W coming into contact with the metallic carrier base 3 during polishing.
  • the wafer W is inserted and held in the holding hole 4 of the carrier 1 for double-side polishing apparatus in which such a resin ring 2 is disposed on the inner peripheral surface.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view showing a state in which the wafer W is inserted into the holding hole 4 of the carrier 1 for double-side polishing apparatus, and the peripheral edge of the wafer W is in contact with the inner periphery of the resin ring 2.
  • the periphery of the wafer W to be polished is chamfered and has a chamfered portion 12.
  • a concave groove 8 is formed on the inner periphery of the resin ring 2. Further, a tapered surface 9 is formed in the concave groove 8 in the vertical direction.
  • the upper and lower tapered surfaces 9 of the concave groove 8 and the chamfered portion 12 of the wafer W come into contact with each other at the cross-sectional point contact, and the wafer W is held in such a state at the cross-sectional point contact.
  • the cross-sectional point contact refers to a state of point contact when the contact portion is viewed in a cross section. Therefore, in the present invention, the upper and lower tapered surfaces 9 and the chamfered portion 12 of the wafer W are in contact at two upper and lower points.
  • the wafer W rotates during polishing. It is possible to prevent as much as possible.
  • the concave groove 8 is formed on the inner periphery of the resin ring 2, and the upper and lower tapered surfaces 9 of the concave groove 8 and the chamfered portion 12 of the wafer W are in contact with each other by cross-sectional point contact to hold the wafer W.
  • the gap L between the chamfered portion 12 of the wafer W and the inner peripheral portion of the resin ring 2 is polished by using the double-side polishing apparatus according to the present invention equipped with the carrier for the double-side polishing apparatus. Can be reduced, and the creeping deformation of the polishing cloth 5 can be prevented from entering the gap, and the outer peripheral sag can be suppressed.
  • the wafer W can be rotated during polishing by holding the upper and lower tapered surfaces 9 of the concave groove 8 and the chamfered portion 12 of the wafer W in contact with each other by cross-sectional point contact. It is also possible to suppress the occurrence of taper on the polished surface. As a result, it is not necessary to increase the flatness by increasing the number of polishing steps, and the flatness of the wafer W to be polished can be improved by only one polishing step.
  • the chamfering angle ⁇ of the wafer is an angle ⁇ as shown in FIG. 4 and FIG. 5, and the definition thereof is a tangent line at the R end toward the wafer surface side of the chamfered portion 12 of the wafer W and a horizontal line from the wafer surface.
  • each double-side polishing apparatus carrier 1 holds one wafer W, but each double-side polishing apparatus carrier having a plurality of holding holes is used for each double-side polishing apparatus.
  • a plurality of wafers W may be held in the apparatus carrier.
  • the shape of the concave groove 8 of the resin ring 2 is only required to form the upper and lower tapered surfaces 9 that come into contact with the chamfered portion 12 of the wafer W by cross-sectional point contact.
  • the shape of the deepest portion of the concave groove 8, etc. Is not particularly limited to the V-groove.
  • a trapezoidal concave groove 8 as shown in FIG. 5 may be used.
  • the angle ⁇ of the tapered surface 9 with which the wafer W of the groove 8 contacts the upper and lower main surfaces 10 and 11 of the resin ring 2 satisfies ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ + 7 °.
  • the angle ⁇ of the tapered surface 9 with which the wafer W in the concave groove 8 contacts the upper and lower main surfaces 10 and 11 of the resin ring 2 can satisfy 18 ° ⁇ ⁇ 25 °.
  • the gap L between the chamfered portion 12 of the wafer W and the inner peripheral portion of the resin ring 2 can be made sufficiently small, and the creeping polishing cloth 5 can be more effectively suppressed from entering the gap. it can. Further, the holding power of the wafer can be increased.
  • the double-side polishing apparatus carrier 1 is disposed between the upper and lower surface plates 6 and 7 to which the polishing cloth 5 of the double-side polishing apparatus 20 is attached.
  • the wafer W is inserted into the holding hole 4 of the carrier for double-side polishing apparatus 1, and the upper and lower tapered surfaces 9 of the concave groove 8 of the resin ring 2 disposed on the inner periphery of the holding hole 4 of the carrier for double-side polishing apparatus 1. And the chamfered portion 12 of the wafer W are held in contact with each other in cross section. Then, the upper and lower polishing surfaces of the wafer W are sandwiched by the polishing cloth 5 attached to the upper and lower surface plates 6 and 7, and polishing is performed while supplying an abrasive to the polishing surface.
  • SFQR site front least squares range
  • SFQR site front least squares range
  • the wafer was chamfered before polishing, and the chamfer angle was set to 18 °.
  • the inner diameter of the resin ring was 300.5 mm, the width of the resin ring was 1700 ⁇ m, and ⁇ was 25 °.
  • the inner diameter of the resin ring is preferably set to a difference of 2 mm or less with respect to the wafer diameter to hold the wafer.
  • the width of the resin ring is preferably in the range of 1500 to 2000 ⁇ m in terms of strength.
  • the gap L between the chamfered portion of the wafer and the inner peripheral portion of the resin ring was 42 ⁇ m. The result is shown in FIG. As shown in FIG.
  • SFQR (max) is improved as compared with the result of the comparative example described later.
  • the average value of SFQR (max) is 26.65 nm, which is an improvement compared to 32.56 nm of the comparative example, and the improvement ratio is 22.18%.
  • the rotation of the wafer is rotated during polishing while suppressing creeping of the polishing cloth entering the gap and suppressing peripheral sag. It was confirmed that it was possible to suppress the occurrence of taper on the polished surface and to improve the flatness of the wafer to be polished.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

　本発明は、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアである。これにより、研磨布のクリープ変形によるウェーハの外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中においてウェーハを自転させることによって研磨面のテーパの発生を低減し、平坦度を向上することができる両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法が提供される。

Description

両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
　本発明は、両面研磨装置において、ウェーハを研磨する際にウェーハを保持する両面研磨装置用キャリア及びその装置を用いた両面研磨方法に関する。
　
　ウェーハの両面をポリッシング等で同時に研磨する際、両面研磨装置用キャリアによってウェーハを保持している。この両面研磨装置用キャリアは、ウェーハより薄い厚みに形成され、両面研磨装置の上定盤と下定盤の間の所定位置にウェーハを保持するための保持孔を備えている。この保持孔にウェーハが挿入されて保持され、上定盤と下定盤の対向面に設けられた研磨布等の研磨具でウェーハの上下面が挟み込まれ、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨が行われる。
　ここで、このようなウェーハの両面研磨に使用している両面研磨装置用キャリアは、金属製のものが主流である。
　このため、ウェーハの周縁部を金属製の両面研磨装置用キャリアによるダメージから保護するために樹脂リングが保持孔の内周部に沿って取り付けられている。
　このように、キャリアの保持孔とウェーハの間に樹脂リングを取り付けて研磨することでウェーハの周縁部が破損するのを防ぐことができる。
　しかし、上述のようにして両面研磨を行う場合、ウェーハの外周部分に圧力が集中すると、研磨スラリーや研磨布の粘弾性の影響等により、ウェーハの外周部のみが過剰に研磨されて外周ダレが生じてしまうという問題があった。そして、この外周ダレがウェーハの平坦度を悪化させる１つの原因となっていた。
　ところで、ウェーハの平坦度に関し、両面研磨時に両面研磨装置用キャリアの保持孔に保持されるウェーハを自転させることで、ウェーハの研磨面にテーパが発生するのを抑制し、平坦度を向上することができることが知られている。
　また、前記のような外周ダレを低減する方法として、第１次両面研磨工程で生じた外周ダレを修正する第２次両面研磨工程を行う方法が開示されている（特許文献１参照）。
　しかし、この方法では外周ダレを修正する第２次両面研磨工程を行うことで工程が増えるという欠点があり、より簡便に外周ダレを低減する両面研磨方法が求められていた。
　また、研磨前のウェーハの外周部にサポートリングを装着することによってサポートリング付ウェーハを形成し、該サポートリング付ウェーハの状態で研磨することで外周ダレを低減するウェーハの製造方法が開示されている（特許文献２参照）。
　
特開２００５－１５８７９８号公報 特開２００４－２４１７２３号公報
　両面研磨時に発生する外周ダレの原因の１つとして、研磨布の粘弾性特性に伴うクリープ変形による影響がある。これは、図７に示すように、研磨するウェーハＷの周縁部に面取りが施されている場合、樹脂リング１０２の内周部とウェーハの面取り部１１２との間に隙間が生じ、その隙間にクリープ変形した研磨布１０５が入り込むことによってウェーハＷの最外周にダレが生じてしまうという問題である。
　このような、研磨布のクリープ変形によるダレの発生は、例えば上述したような、ウェーハの外周部にサポートリングを装着して研磨することにより防ぐことはできるものの、このような従来方法では、研磨中にウェーハが固定されてしまうので、ウェーハが自転することによるウェーハの研磨面のテーパ発生の低減効果を奏することができず、平坦度の向上効果が十分であるとは言えない。
　本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、研磨布のクリープ変形によるウェーハの外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中においてウェーハを自転させることによって研磨面のテーパの発生を低減し、平坦度を向上することができる両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、周縁に面取り部を有するウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における両面研磨装置用キャリアであって、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアを提供する。
　このように、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであれば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくして外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができる。
　このとき、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ＜β＜９０°を満たすことによって前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接するものであることが好ましい。
　このように、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ＜β＜９０°を満たすことによって、前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを確実に断面点接触で接するものとすることができる。
　またこのとき、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ＜β≦θ＋７°を満たすものであることが好ましい。
　このように、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ＜β≦θ＋７°を満たすものであれば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を十分に小さくすることができ、外周ダレの発生をより効果的に抑制することができる。また、ウェーハの保持力を高めることができる。
　また、本発明によれば、少なくとも、前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を提供する。
　このように、前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置であれば、研磨するウェーハの外周ダレ及びテーパの発生を抑制して平坦度を向上することができる。
　また、本発明によれば、ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法を提供する。
　このように、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨すれば、研磨するウェーハの外周ダレ及びテーパの発生を抑制して平坦度を向上することができる。
　本発明では、両面研磨装置用キャリアにおいて、樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面とウェーハの面取り部とが断面点接触で接してウェーハが保持されるものであるので、この両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を用いて研磨を行えば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくして外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができる。
　
本発明に係る両面研磨装置の一例を示した概略断面図である。 平面視による本発明の両面研磨装置の内部構造図である。 本発明に係る両面研磨装置用キャリアの一例を示した概略図である。 ウェーハの周縁部（面取り部）が本発明の両面研磨装置用キャリアの樹脂リングの内周（凹溝の上下テーパ面）と断面点接触した様子と樹脂リングの凹溝の形状を表わした概略断面図である。 本発明に係る両面研磨装置用キャリアの樹脂リングの凹溝の別の形状を表わした概略断面図である。 実施例と比較例の結果を示す図である。 従来の両面研磨装置用キャリアにおける樹脂リングを用いて研磨したときの、クリープ変形した研磨布が樹脂リングの内周部とウェーハの面取り部との間の隙間に入り込んだ様子を示した説明図である。
　以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　従来のウェーハの両面研磨において、研磨中に研磨布の粘弾性特性に伴うクリープ変形が発生し、ウェーハの周縁部に面取りが施されている場合には、樹脂リングの内周部とウェーハの面取り部との間の隙間にクリープ変形した研磨布が入り込むことによってウェーハの外周にダレが生じてしまう場合があり、ウェーハの平坦度を悪化させる原因となっていた。
　従来、このような外周ダレを抑制するために、例えば、ウェーハと接する樹脂リングの内周部の形状をウェーハの面取り部の形状に合わせて形成し、接着して研磨することで、このような外周ダレを抑制することはできたが、研磨時のウェーハの自転をも阻害してしまうため、ウェーハの研磨面にテーパが発生するのを抑制する効果を奏することができず、平坦度を十分に向上させることができなかった。
　そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、樹脂リングの内周部に凹状の溝を形成してウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくしてクリープ変形した研磨布がその隙間に入り込むのを抑制しつつ、樹脂リングの凹溝に形成した上下のテーパ面とウェーハの面取り部とを断面点接触で接触させてウェーハを保持すれば、ウェーハの自転を極力阻害しないようにすることができ、外周ダレ及びテーパの発生の両方を抑制することができることに想到し、本発明を完成させた。
　ここで、図１に本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の概略断面図、図２に平面視による両面研磨装置の内部構造図を示す。
　図１、図２に示すように、本発明の両面研磨装置用キャリア１を具備した両面研磨装置２０は、上下に相対向して設けられた上定盤６と下定盤７を備えており、各定盤６、７の対向面側には、それぞれ研磨布５が貼付されている。そして上定盤６と下定盤７の間の中心部にはサンギヤ１３が、周縁部にはインターナルギヤ１４が設けられている。ウェーハＷは両面研磨装置用キャリア１の保持孔４に保持され、上定盤６と下定盤７の間に挟まれている。
　また、サンギヤ１３及びインターナルギヤ１４の各歯部には両面研磨装置用キャリア１の外周歯が噛合しており、上定盤６及び下定盤７が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、両面研磨装置用キャリア１は自転しつつサンギヤ１３の周りを公転する。このときウェーハＷは両面研磨装置用キャリア１の保持孔４で保持されており、上下の研磨布５により両面が同時に研磨される。また、研磨時には、不図示のノズルから研磨液が供給される。
　また、図３に示すように、両面研磨装置用キャリア１はウェーハＷを保持するための保持孔４が形成された金属製のキャリア母体３を有している。そして、そのキャリア母体３の保持孔４の内周面に沿って樹脂リング２が配置されている。この樹脂リング２により、研磨中にウェーハＷが金属性のキャリア母体３と接触することによってウェーハＷの周縁部にダメージが発生するのを防ぐことができる。
　そして、このような樹脂リング２が内周面に配置された両面研磨装置用キャリア１の保持孔４にウェーハＷが挿入されて保持されるようになっている。
　ここで、図４にウェーハＷが両面研磨装置用キャリア１の保持孔４に挿入され、ウェーハＷの周縁部が樹脂リング２の内周と接触した様子を表わした概略断面図を示す。
　図４に示すように、研磨するウェーハＷの周縁部には面取りが施されており、面取り部１２を有している。また、樹脂リング２の内周には凹状の溝８が形成されている。また、その凹溝８には上下にテーパ面９が形成されている。
　そして、この凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とが断面点接触で接するようになっており、ウェーハＷはこのような断面点接触の状態で保持されるようになっている。ここで、断面点接触とは、接触箇所を断面にして見たときに点接触している状態のことを言う。従って、本発明では、上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とが上下２点で接触していることになる。
　このように、樹脂リング２の凹溝８に形成した上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とを断面点接触で接触させてウェーハＷを保持すれば、研磨中にウェーハＷの自転を極力阻害しないようにすることができる。
　このように、樹脂リング２の内周に凹状の溝８を形成し、凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とが断面点接触で接してウェーハＷが保持される両面研磨装置用キャリアであれば、この両面研磨装置用キャリアを具備した本発明に係る両面研磨装置を用いて研磨することにより、ウェーハＷの面取り部１２と樹脂リング２の内周部との隙間Ｌを小さくすることができ、クリープ変形した研磨布５がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制することができる。
　さらに、これに加えて、凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とを断面点接触で接触させて保持することで研磨中にウェーハＷの自転を行わせることができ、研磨面にテーパが発生するのを抑制することもできる。これらの結果、特に研磨工程を増やして平坦度を向上するための工程を行う必要もなく、１つの研磨工程だけで研磨するウェーハＷの平坦度を向上することができる。
　このとき、樹脂リング２の上下主面１０、１１に対する凹溝８のウェーハＷが接触するテーパ面９の角度をβとし、ウェーハＷの面取り角をθとしたとき、θ＜β＜９０°を満たすことによって凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とが断面点接触で接するものであることが好ましい。
　このように、θ＜β＜９０°を満たすことによって、凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハの面取り部１２とが確実に断面点接触で接するようにすることができる。
　ここで、ウェーハの面取り角θは、図４、図５に示すような角度θであり、その定義はウェーハＷの面取り部１２のウェーハ表面側へ向うＲ端部の接線とウェーハ表面からの水平線との交点角である。
　なお、図２、図３では各両面研磨装置用キャリア１がそれぞれ１枚のウェーハＷを保持するようになっているが、複数の保持孔を有する両面研磨装置用キャリアを用いて、各両面研磨装置用キャリア内に複数枚のウェーハＷを保持してもよい。
　ここで、樹脂リング２の凹溝８の形状は、ウェーハＷの面取り部１２と断面点接触で接する上下のテーパ面９が形成されていれば良く、例えば、凹溝８の最深部の形状等は特にＶ溝に限定されない。例えば、図５に示すような台形状の凹溝８であっても良い。
　このとき、樹脂リング２の上下主面１０、１１に対する凹溝８のウェーハＷが接触するテーパ面９の角度βが、θ＜β≦θ＋７°を満たすものであることが好ましい。
　例えば、ウェーハＷの面取り角が１８°の場合、樹脂リング２の上下主面１０、１１に対する凹溝８のウェーハＷが接触するテーパ面９の角度βが、１８°＜β≦２５°を満たせば、ウェーハＷの面取り部１２と樹脂リング２の内周部との隙間Ｌを十分に小さくすることができ、クリープ変形した研磨布５がその隙間に入り込むのをより効果的に抑制することができる。また、ウェーハの保持力を高めることができる。
　また、本発明に係るウェーハの両面研磨方法では、例えば図４、５に示すような樹脂リング２を有した図３に示すような両面研磨装置用キャリア１、及びその両面研磨装置用キャリア１を具備した図１に示すような両面研磨装置２０を用い、まず、両面研磨装置２０の研磨布５が貼付された上下定盤６、７の間に両面研磨装置用キャリア１を配設する。
　次に、両面研磨装置用キャリア１の保持孔４にウェーハＷを挿入し、両面研磨装置用キャリア１の保持孔４の内周に配置された樹脂リング２の凹溝８の上下のテーパ面９とウェーハＷの面取り部１２とを断面点接触させて保持する。
　そして、上下定盤６、７に貼付された研磨布５でウェーハＷの上下研磨面を挟み込み、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨を行う。
　このようにして研磨すれば、ウェーハＷの面取り部１２と樹脂リング２の内周部との隙間Ｌを小さくしてクリープ変形した研磨布５がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制しつつ、研磨中にウェーハＷの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができる。この結果、特に研磨工程を増やすこともなく、１つの研磨工程だけで研磨するウェーハＷの平坦度を向上することができる。
　
　以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
　図３、図４に示すような両面研磨装置用キャリア、及びその両面研磨装置用キャリアを具備した図１のような両面研磨装置を用いて、直径３００ｍｍのシリコンウェーハ２５０枚を両面研磨し、研磨後のウェーハ表面の平坦度（ＳＦＱＲ（ｍａｘ））を平坦度測定器（ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ　Ｍ４９モード／Ｃｅｌｌ　Ｓｉｚｅ：２６×８ｍｍ／Ｏｆｆｓｅｔ：０×０ｍｍ／Ｅｄｇｅ　Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ：２ｍｍ）で測定した。
　なお、ＳＦＱＲ（ｓｉｔｅ　ｆｒｏｎｔ　ｌｅａｓｔ　ｓｑｕａｒｅｓ　ｒａｎｇｅ）とはウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、各サイト毎のこの平面からの最大、最小の位置変位の差を示す。（ｍａｘ）とは、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。
　ここで、ウェーハは研磨前に面取り加工を施し、その面取り角を１８°とした。また、樹脂リングの内径を３００．５ｍｍとし、樹脂リングの幅を１７００μｍ、βを２５°とした。樹脂リングの内径はウェーハ直径に対して差を２ｍｍ以下にしてウェーハを保持するのが好ましい。また、樹脂リングの幅は１５００～２０００μｍの範囲にするのが強度的に好ましい。このとき、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間Ｌは４２μｍであった。
　その結果を図６に示す。図６に示すように、後述する比較例の結果と比べＳＦＱＲ（ｍａｘ）が改善されていることが分かる。そして、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）の平均値は２６．６５ｎｍであり、比較例の３２．５６ｎｍと比べ改善されており、その改善比率は２２．１８％であった。
　このように、本発明の両面研磨装置用キャリアを用いて両面研磨することにより、クリープ変形した研磨布がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができることが確認できた。
　
（比較例）
　図７に示すような従来の凹溝のない樹脂リングを有した両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を用いた以外、実施例と同様な条件で２５０枚のウェーハを研磨し、実施例と同様な方法で平坦度を測定した。
　その結果を図６に示す。また、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）の平均値は３２．５６ｎｍであった。このように、実施例の結果と比べると平坦度が悪化していることが分かった。
　
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
 

Claims (5)

  1. 　周縁に面取り部を有するウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における両面研磨装置用キャリアであって、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。
    　
  2. 　前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ＜β＜９０°を満たすことによって前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接するものであることを特徴とする請求項１に記載の両面研磨装置用キャリア。
    　
  3. 　前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ＜β≦θ＋７°を満たすものであることを特徴とする請求項２に記載の両面研磨装置用キャリア。
    　
  4. 　少なくとも、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。
    　
  5. 　ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104602864A (zh) * 2012-09-06 2015-05-06 信越半导体株式会社 双面研磨方法
CN110091003A (zh) * 2019-05-14 2019-08-06 柳州欧维姆机械股份有限公司 一种圆形工件双面外圆倒角设备

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103029031A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 上海双明光学科技有限公司 一种晶圆基片加工方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
CN103707178A (zh) * 2013-02-26 2014-04-09 任靖日 加工表面高平坦化方法及其装置
US9427841B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Ii-Vi Incorporated Double-sided polishing of hard substrate materials
KR101993038B1 (ko) * 2014-01-23 2019-06-25 로커스, 엘피 투자 유가증권의 계층화된 혼합 포트폴리오
JP6269450B2 (ja) * 2014-11-18 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークの加工装置
JP6128198B1 (ja) * 2015-12-22 2017-05-17 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6754519B2 (ja) * 2016-02-15 2020-09-16 国立研究開発法人海洋研究開発機構 研磨方法
TWI599872B (zh) * 2016-07-22 2017-09-21 宇瞻科技股份有限公司 具均勻出光之擴充卡及其均光裝置
CN107127674B (zh) * 2017-07-08 2021-01-08 上海致领半导体科技发展有限公司 一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
JP7021632B2 (ja) * 2018-12-27 2022-02-17 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ
CN110900439A (zh) * 2019-12-05 2020-03-24 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 一种斜面研磨抛光用工装夹具和系统及斜面研磨抛光方法
CN113373446B (zh) * 2021-06-16 2023-06-23 蓝思科技股份有限公司 一种化学抛光用载具
JP2023061759A (ja) * 2021-10-20 2023-05-02 スピードファム株式会社 ワークキャリア

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157453U (ja) * 1981-03-31 1982-10-02
JP2000198065A (ja) * 1999-01-11 2000-07-18 Memc Kk 薄板円盤状ワ―クの研磨方法
JP2000288921A (ja) * 1999-03-31 2000-10-17 Hoya Corp 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
JP2006068895A (ja) * 2004-08-02 2006-03-16 Showa Denko Kk 研磨用キャリア及び磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法並びに磁気記録媒体用シリコン基板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157453A (en) 1981-03-24 1982-09-29 Mitsubishi Electric Corp High pressure electric-discharge lamp
JP3379097B2 (ja) 1995-11-27 2003-02-17 信越半導体株式会社 両面研磨装置及び方法
JP2000280167A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Kyocera Corp キャリアプレート及びこれを用いた両面研磨装置
JP2000301451A (ja) * 1999-04-21 2000-10-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk 研磨機用キャリア及びその製造方法
TW579319B (en) * 2000-05-12 2004-03-11 Multi Planar Technologies Inc System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control
JP2002160156A (ja) * 2000-11-27 2002-06-04 Fukushichi Fukuzaki 研磨用キャリア
JP2004241723A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法、サポートリング及びサポートリング付ウエーハ
JP2004303280A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP4352229B2 (ja) 2003-11-20 2009-10-28 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの両面研磨方法
US20080318493A1 (en) 2004-08-02 2008-12-25 Showa Denko K.K. Method of Manufacturing Polishing Carrier and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium, and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium
CN1993206A (zh) * 2004-08-02 2007-07-04 昭和电工株式会社 用于磁记录介质的抛光托架和硅基底的制造方法以及用于磁记录介质的硅基底
JP2008006526A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Konica Minolta Opto Inc 研磨キャリア

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157453U (ja) * 1981-03-31 1982-10-02
JP2000198065A (ja) * 1999-01-11 2000-07-18 Memc Kk 薄板円盤状ワ―クの研磨方法
JP2000288921A (ja) * 1999-03-31 2000-10-17 Hoya Corp 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
JP2006068895A (ja) * 2004-08-02 2006-03-16 Showa Denko Kk 研磨用キャリア及び磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法並びに磁気記録媒体用シリコン基板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104602864A (zh) * 2012-09-06 2015-05-06 信越半导体株式会社 双面研磨方法
CN104602864B (zh) * 2012-09-06 2016-11-09 信越半导体株式会社 双面研磨方法
US9987721B2 (en) 2012-09-06 2018-06-05 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Double-side polishing method
CN110091003A (zh) * 2019-05-14 2019-08-06 柳州欧维姆机械股份有限公司 一种圆形工件双面外圆倒角设备
CN110091003B (zh) * 2019-05-14 2024-04-05 柳州欧维姆机械股份有限公司 一种圆形工件双面外圆倒角设备

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