WO2010010609A1

WO2010010609A1 - コンタクトホールの形成方法、及び回路基板

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Publication number: WO2010010609A1
Application number: PCT/JP2008/063138
Authority: WO
Inventors: 悟大田
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Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2008-07-22
Filing date: 2008-07-22
Publication date: 2010-01-28
Anticipated expiration: 2011-01-22

Abstract

【課題】コンタクトホール構造の配線を簡易なウエットプロセスによって形成する【解決手段】第１の導電性部材（３１，４１）が形成された下地面（２）に、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂を塗布して塗膜（７１）を形成し、フォトリソグラフィ法によって塗膜（７１）をパターニングして、コンタクトホールの導通部分（７２）を形成する。その後、コンタクトホールの導通部分（７２）及び第１の導電性部材（３１，４１）が形成された下地面に、絶縁性材料を塗布して絶縁膜（８）を形成し、最後に絶縁膜（８）上に第２の導電性部材（３２，３３，４２，４３）を形成する。

Description

コンタクトホールの形成方法、及び回路基板

　本発明は、コンタクトホールの形成方法、及び回路基板に関する。

　回路基板上に形成されるトランジスタやコンデンサなどの素子間を接続する配線の一つにコンタクトホールがある。従来の典型的なコンタクトホールの形成方法は、特許文献１に開示されているような方法である。すなわち、図４（ａ）に示すように、下部電極１０となる金属薄膜が形成された基板１に絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１上にレジスト膜１２を形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術によりコンタクトホール形成用の開口部をレジスト膜１２に形成し、このレジスト膜１２をマスクにして反応性ガスエッチングや反応性イオンエッチングなどのエッチング或いは酸素プラズマによるアッシングを行うことにより、絶縁膜１１を選択的に除去してホール１３を形成する。続いて、図４（ｃ）に示すように、スパッタなどの真空プロセスによりホール内に導通部分１４を形成し、レジスト膜１２を除去した後、絶縁膜１１上に上部電極１５となる金属薄膜を形成することによってコンタクトホールを形成する。

　また、エッチングやアッシングにより形成したホール１３への導電性材料の注入は、前述の真空プロセスに代えて、導電性ポリマーを形成した後にメッキをする方法や、導電性ポリマーをホール１３に流し込む方法など、ウエットプロセスにより形成することもできる（例えば、特許文献２参照）。

　しかしながら、従来の方法は、エッチングプロセスやアッシングプロセスを含むため、高価な装置を必要とし、また一度に大量の基板を処理することができないという問題があった。また、これらの装置は消費電力が大きく、さらに近年のＣＯ_２削減が叫ばれている中においては、望ましい工程であるとは言い難い。

　さらに、前述のエッチングやアッシングなどのドライプロセスを含む従来の方法では、近年注目されている有機トランジスタを用いて回路基板を形成する場合に、有機トランジスタの製作面における利点を相殺してしまう問題がある。すなわち、有機トランジスタは、絶縁膜（ゲート絶縁膜）及び半導体層の材料に有機物を使用するので、ウエットプロセスといった簡易な方法で回路を形成可能という利点があるが、従来方法のようにドライプロセスが含まれていると、ウエットプロセスだけで製作可能な有機トランジスタの利点が相殺されてしまう。

　なお、従来においても、エッチングやアッシングを行わずにホール１３を形成する方法が検討されている。具体的には、絶縁膜１１に感光性材料を用いて、フォトリソグラフィ技術によって絶縁膜１１にホール１３を形成する方法である。しかしながら、この場合、光開始剤など、トランジスタのゲート絶縁膜として好ましくない成分が含まれることとなり、そのため所望の絶縁特性が得られない場合がある。

特開平２－２６０２５号公報特開２００５－２０３６６７号公報

　本発明が解決しようとする課題には、上述した問題が一例として挙げられる。そこで、本発明の目的としては、コンタクトホール構造の配線を簡易なウエットプロセスによって形成することのできるコンタクトホールの形成方法、及びコンタクトホールを有する回路基板を提供することが一例として挙げられる。

　また本発明の他の目的は、絶縁膜にホールを形成して導電性材料を注入するという従来の常識を覆し、コンタクトホールの導通部分を先に形成するという新規なコンタクトホールの形成方法、及びコンタクトホールを有する回路基板を提供することが一例として挙げられる。

　さらに本発明の他の目的は、特に、有機トランジスタを素子として有する回路基板に好適なコンタクトホールの形成方法、及び有機トランジスタに接続されるコンタクトホールを有する回路基板を提供することが一例として挙げられる。

　本発明のコンタクトホールの形成方法は、請求項１に記載のように、絶縁膜を介して配置される第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接続するコンタクトホールの形成方法であって、前記第１の導電性部材が形成された下地面に、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂を塗布して塗膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ法によって前記塗膜をパターニングして、前記導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂からなるコンタクトホールの導通部分を形成する工程と、前記コンタクトホールの導通部分及び第１の導電性部材が形成された下地面に、絶縁性材料を塗布して絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第２の導電性部材を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

　本発明の回路基板は、請求項１２に記載のように、絶縁膜を介して配置される第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接続するコンタクトホールを含む回路基板であって、前記コンタクトホールの導通部分が、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂で形成されていることを特徴とする。

本発明の好ましい実施形態による回路基板として、有機ＥＬ表示装置用の回路基板を示す。上記回路基板の回路図である。本発明の好ましい実施形態に従いコンタクトホールを形成した工程図である。従来方法によるコンタクトホールの形成方法を示す図である。

符号の説明

　３　　有機トランジスタ（Ｔｒ１）
　３１　ゲート電極
　３２　ソース電極
　３３　ドレイン電極
　４　　有機トランジスタ（Ｔｒ２）
　４１　ゲート電極
　４２　ソース電極
　４３　ドレイン電極
　５　　有機ＥＬ素子
　６　　キャパシタ
　７　　コンタクトホール
　７２　導通部分
　８　　絶縁膜

　本発明のコンタクトホールの形成方法及び回路基板による好ましい実施形態について、添付図面を参照しながら詳しく説明する。但し、本発明の技術的範囲は、以下に説明する実施形態によって何ら限定解釈されることはない。

　本実施形態による回路基板の一例として、図１及び図２に有機ＥＬ表示装置用の回路基板２を示す。図１は、回路基板２の平面図及び側面図（有機トランジスタの部分）を示し、図２は、回路図を示す。

　図１に示すように、本実施形態による回路基板２には、二つの有機トランジスタ（Ｔｒ１）３及び（Ｔｒ２）４（例えば有機ＴＦＴ等）、発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子５（例えば、ＯＬＥＤ等）、及び電荷保持用のキャパシタ（Ｃａｐ）６（例えば、ストレージ・キャパシタ等）が形成されており、表示装置のドットを構成している。なお、実際の装置では多数のドットをマトリックス状に配列して表示領域を構成する。有機トランジスタ３は、スイッチング用のトランジスタであり、有機トランジスタ４は、ドライビング用のトランジスタである。回路基板２に形成されたこれらの素子は、図２に示すような回路を形成し、有機ＥＬ素子５をアクティブ駆動させるように構成されている。なお、図１に示す各素子の配列は一例として記載したものであり、この配列に限定されることはない。

　図２に示されるように、スイッチング用の有機トランジスタ３のゲート電極３１は、スキャンライン（Ｖscan）に接続され、ソース電極３２はデータライン（Ｖdata）に接続されている。さらにドレイン電極３３は、ドライビング用の有機トランジスタ４のゲート電極４１に接続されると共に、キャパシタンスライン（Ｖcap）のコンデンサ６の一方の端子に接続されている。

　ドライビング用の有機トランジスタ４のソース電極４２は、低電位側電源ライン（Ｖss）に接続されている。さらにドライビング用の有機トランジスタ４のドレイン電極４３には、有機ＥＬ素子５のアノード端子が接続されている。なお、図１の符号３４及び４４は、有機半導体層である。

　上記のように、２つの有機トランジスタ３及び４を用いて、有機ＥＬ素子５をアクティブ駆動させる回路を形成する場合、有機トランジスタ３及び４とキャパシタ６の導通を確保する必要がある。そのため、図１（ｂ）に示すようなコンタクトホール７が絶縁膜（ゲート絶縁膜）８に形成される。

　本実施形態では、コンタクトホール７の導通部分を形成する材料として、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物を用いる。そして、基板２上に前記感光樹脂を塗布して塗膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることによって所望の位置に所望の大きさの導通部分を形成する。このようにウエットプロセスによって導通部分を形成した後、同じくウエットプロセスによって絶縁膜８を形成することにより、従来とは逆の順序で、コンタクトホール構造の配線を形成することを実現しているのである。

　前記導電性材料としては、導電性ナノチューブ，金属微粒子，導電性高分子のいずれか一種、又は二種以上の混合物を用いることができる。

　導電性ナノチューブは、導電性を有していればよく、その大きさ及び種類は特に制限されない。導電性ナノチューブとしては、カーボンナノチューブが好ましい。但し、カーボンナノチューブに制限されることはなく、金ナノチューブや白金ナノチューブのような貴金属ナノチューブを使用することができる。さらに、その構造は単層構造又は多層構造のいずれであってもよく、先端が閉じた構造又は開いた構造のいずれであってもよい。さらに導体又は半導体のいずれであってもよい。但し、導通を確保するため、直径０．５～１００ｎｍで長さが０．０５～１μｍのものを用いるのが好ましい。なお、感光樹脂に対して導電性ナノチューブの量が少な過ぎると充分な導通が得られない場合がある。反対に導電性ナノチューブの量が多過ぎるとフォトリソグラフィ技術によりパターニングできない場合がある。従って、導電性ナノチューブの好ましい配合比として、１～５０質量％、好ましくは１～２５質量％を挙げることができる。ナノチューブは細長い形状であるため、感光樹脂内でのナノチューブ同士の接触率が高められ、導通を確保し易いという利点がある。

　また、金属微粒子としては、導電性を有する金属の微粒子であれば特に種類は制限されない。好ましい一例としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｐｔ，ＺｕＯ，ＳｎＯ，ＩＺＯ，ＩＴＯのいずれか一種の微粒子、又は二種以上の微粒子の混合物が挙げられる。金属微粒子の大きさについても特に制限されないが、導通を確保するためには微細であることが好ましく、ナノ粒子又はマイクロ粒子を用いることが好ましい。より好ましくは粒径が１～１００ｎｍの微粒子である。なお、導電性ナノチューブと同様の理由により、充分な導通が得られ、且つ、パターニング可能な好ましい金属微粒子の配合比として、５０～９０質量％を挙げることができる。

　また、導電性高分子としては、導電性を有する高分子であれば特に種類は制限されない。好ましい導電性高分子としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ，ポリアセチレン，ポリパラフェニレン，ポリアニリン，ポリチオフェン，ポリパラフェニレンビニレンなどの共役性高分子化合物を挙げることができる。さらに、導電性高分子の好ましい配合比としては、５０～９０質量％を挙げることができる。

　上記した導電性材料を含有（分散）する感光樹脂としては、フォトレジストを一例として挙げることができる。感光特性はポジ型又はネガ型のいずれであってもよく、さらに化学増幅型のレジストも使用可能である。樹脂は、光により感光してパターンを形成できるものであればよく、その種類は特に制限されない。好ましい一例として、アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂などを挙げることができる。さらに、詳しい理由については後述するが、本実施形態に用いる感光樹脂は、撥液特性を有しているのが好ましい。この場合、フッ素成分等の撥液性分子を感光樹脂の分子構造に有する撥液性感光樹脂、又はフッ素成分等の撥液性成分を混合した感光樹脂を用いることが好ましい。

　導電性材料及び感光樹脂並びに撥液性物質は、それぞれ市販のものを使用してもよく、公知の製造方法を利用して製造するようにしてもよい。本実施形態においては、撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂を溶解した溶媒に対して、導電性材料の多数を混合することにより、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物を調製するようにしてもよい。勿論、他の方法で調製してもよい。

　前記溶媒の種類は特に制限されないが、一例としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセート（ＰＧＭＥＡ）を挙げることができる。なお、本実施形態においては、導電性材料と感光樹脂、さらに添加する場合は撥液性成分を主成分として組成されていればよく、その他の成分を添加することが制限されることはない。その他の添加成分としては、特に金属微粒子を用いた場合に、微粒子同士が凝集するのを抑制するための分散剤などを添加することができる。その一例として、チオール化合物またはシランカップリング剤等により微粒子表面を修飾することが挙げられる。

　また、本実施形態に用いられる絶縁膜の材料は、塗布法などのウエットプロセスによって形成可能であればよく、この条件を満たせばいずれの絶縁性材料をも用いることができる。有機トランジスタのゲート絶縁膜を形成する場合、好ましい一例として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を含有する水溶液，ポリビニルフェノールのＰＧＭＥＡ溶液などが挙げられる。

　続いて、本実施形態に従いコンタクトホールを形成する工程を、図３を参照しながら説明する。図３には、主要な工程における基板の断面を模式的に示している。

　先ず、基板２上に第１の導電性部材として下部電極を形成する。図３（ａ）に示す例では、有機トランジスタ３及び４のゲート電極（３１，４１）を形成している。さらに、図示は省略するが、キャパシタ６の下部電極、スキャンライン及びキャパシタンスラインもこの工程で形成することができる。電極の形成方法としては、スパッタリング法及び無電解メッキ法などが一例として挙げられる。但し、これに限定されることなく、いずれの成膜方法であってもよい。また、電極材料も特に制限されることはないが、一例として、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の金属もしくはその化合物の組み合わせ、ＩＴＯ、ＩＺＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料を挙げることができる。また、基板２としては、ガラス基板やプラスチック基板が一例として挙げられる。

　続いて、図３（ｂ）に示すように、ゲート電極（３１，４１）が形成された基板２上（すなわち、導通部分を形成する下地面）に、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物を塗布し、乾燥させて塗膜７１を形成する。次いで、塗膜７１上に公知のレジストを塗布し、乾燥させてレジスト膜９を形成する。塗布方法としては、スピンコート法が一例として挙げられる。但し、これに限定されることなく、いずれの塗布方法であってもよい。さらに、図示しないフォトマスクを介して露光し、現像することにより、コンタクトホールの導通部分を形成しようとする位置に、レジスト膜９の開口部９１を形成する。フォトマスクを介した露光以外にも、例えば電子線描画など、公知のフォトリソグラフィ法を採用することができる。

　続いて、図３（ｃ）に示すように、開口部９１を形成したレジスト膜９をマスクにして下層の膜７１に光を照射し、現像することにより、開口部９１に対応する位置に導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物からなる導通部分７２が形成される。こうして導通部分７２が形成されると、例えば樹脂の種類に応じた温度で加熱するベーク処理を行って導通部分７２の樹脂を硬化させる。膜７１への光の照射は、一例として超高圧水銀などの光源を用いて行うことができる。

　続いて、図３（ｄ）に示すように、導通部分７１とゲート電極（３１，４１）が形成された基板２上（すなわち、導通部分と第１の導電性部材が形成された下地面）に、絶縁材料（例えば、ＰＶＡの１０％水溶液）を塗布し、乾燥させて絶縁膜８を形成する。この絶縁膜８は、トランジスタ３及び４のゲート絶縁膜のみならず、キャパシタ６の誘電体とすることもできる。なお、絶縁材料はＰＶＡに限定されることはなく、絶縁性を有する他のポリマーも使用可能である。本実施形態では撥液性を有する導通部分を形成しているので、水に溶解するポリマーだけでなく、殆どのポリマーを使用することが可能である。塗布方法としては、スピンコート法などが一例として挙げられる。但し、これに限定されることなく、いずれの塗布方法であってもよい。

　続いて、絶縁膜８上に、第２の導電性部材としての上部電極を形成する。図３（ｅ）に示す例では、有機トランジスタ３及び４のソース電極（３２，４２）とドレイン電極（４２，４３）、図示しないキャパシタ６の上部電極、データライン及び電源ライン、トランジスタとキャパシタを接続する配線等を一括で形成する。電極の形成方法としては、スパッタリング法及び無電解メッキ法などが一例として挙げられる。但し、これに限定されることなく、いずれの成膜方法であってもよい。また、電極材料も特に制限されることはなく、上述したゲート電極と同様の材料を用いることができる。なお、図３の例では、工程の簡略化を図るために電極や配線を一括で形成しているが、各電極又は配線を別々の工程で形成するようにしてもよい。

　最後に、ソース電極（３２，４２）とドレイン電極（３３，４３）のチャンネル部分に対して、一例としてポリ－３－ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ），ポリ［9，9－ジオクチルフルオレン－co－ビチオフェン］（Ｆ８Ｔ２）などの有機半導体材料を塗布し、乾燥させて有機半導体層（３４，４４）を形成する。有機半導体材料は、インクジェット法によって塗布することが一例として挙げられる。このとき、有機半導体材料を塗布する領域を囲むようにバンクを形成してもよい。また、詳しい説明は省略するが、有機ＥＬ素子５の下部電極、有機ＥＬ層、上部電極を所定の位置に順次形成し、無機材料で封止する。このような工程を通じて、有機トランジスタ３及び４を有する有機ＥＬ表示装置用の回路基板２が形成される。

　上述の実施形態によれば、コンタクトホール７の導通部分７２を形成する材料として、微細な導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は微細な導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物を用い、基板２上に塗膜７１を形成し、光を照射してパターニングすることにより、所望の位置に所望の大きさの導通部分７２を形成することが可能となる。さらに、前述のようにウエットプロセスで導通部分７２を形成した後、同じくウエットプロセスによって絶縁膜８を形成することにより、一連のウエットプロセスのみで、且つ、従来よりも工程を減らしてコンタクトホール構造の配線を形成することが可能となる。また、エッチングやアッシング工程がなくなった分だけ消費電力を低減することができ、ＣＯ_２排出量削減に貢献することができる。

　さらに上述の実施形態によれば、撥液特性を有する感光樹脂を用いたことにより、導通部分７２を形成した基板２にＰＶＡ水溶液等の絶縁材料を塗布しても、導通部分７２の上面及び周辺が絶縁材料で覆われるのを防ぐことができる。導通部分７２の上面が絶縁材料で覆われてしまうと、上部電極との間に絶縁材料が介在することとなり充分な導通が得られない場合がある。そこで、本実施形態においては、撥液特性を有する感光樹脂を用いることによって、導通部分７２の上面が絶縁材料で覆われてしまうことを防止している。その結果、より確実に導通を確保したコンタクトホールを形成することができる。このことは、絶縁材料で覆われていないことを確認する工程、さらに、覆われているときに除去する工程を省略することができ、簡易なプロセス工程を可能にする。

　さらに上述の実施形態によれば、コンタクトホール７の導通部分７２のみを先に形成し、次いで絶縁膜８を形成することによって、ウエットプロセスによって形成される導通部分７２の熱収縮による不具合を防止することが可能となる。すなわち、従来方法に従って絶縁膜にホールを形成し、このホールにウエットプロセスによって導電性材料を注入して導通部分７２を形成した場合、乾燥やベーク処理によって導通部分７２が熱収縮し、ホール内に空洞が生じたり、導通部分７２の上面が絶縁膜の表面よりも低くなったりする場合がある。しかしながら、本実施形態の場合、コンタクトホールの導通部分７２のみを先に形成し、乾燥及びベーク処理した後に絶縁膜８を形成しているので、導通部分７２が熱収縮することがないか、あっても収縮量は僅かである。その結果、より確実に上部電極との導通を確保することが可能となる。

　さらに上述の実施形態によれば、一連のウエットプロセスによってコンタクトホール構造の配線を形成できるので、この方法を、有機トランジスタを有する回路基板の形成に適用することにより、ウエットプロセスといった簡易な方法で製作可能であるという有機トランジスタの製作面における利点を活かすことが可能となる。すなわち、本実施形態に従うコンタクトホールの形成方法は、有機トランジスタを有する回路基板の形成に好適である。

　他の実施形態として、導電性材料として金属ナノ粒子を用いた場合、図３（ｃ）に示す工程によって導通部分７２を形成した後、さらに焼結処理を行って導通部分７２内の金属微粒子を焼結させるようにしてもよい。焼結させるための温度は、金属の種類によって異なるが、通常、その金属の溶解温度の８０％程度の温度とすることが一例として挙げられる。例えばＡｇの場合、２００～２５０℃である。焼結処理を行うことを除けば、その他の工程は上述の実施形態と同様に行うことができる。このように、焼結処理を行うことで、より確実に導通を確保することが可能となる。

　さらに他の実施形態として、図３（ｃ）に示す工程によって導通部分７２を形成した後、ＵＶ処理，又はＵＶ処理とオゾン処理の組合せなどを行って導通部分７２に含まれる有機物の全部又は一部を分解・除去するようにしてもよい。このように有機物の分解・除去処理を行うことによって導電性材料同士の接触率を高め、より確実に導通を確保することが可能となる。この有機物分解・除去処理は、上記した焼結処理と共に行うのがより効果的である。

　なお、上述の実施形態の説明では、図１に示すような有機ＥＬ表示装置用の回路基板２を一例に挙げているが、この回路基板２に限定されることはなく、液晶ディスプレイや電子ペーパなどの有機トランジスタを有する回路基板のみならず、図４に示したような一般的な回路基板などであってもよい。すなわち、本実施形態に従うコンタクトホールの形成方法は、コンタクトホールを有するすべての基板に対して適用することが可能である。

　さらに、上述の実施形態では、コンタクトホール構造の配線を形成した例を記載しているが、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂、又は導電性材料を含有する感光樹脂に撥液性成分を混合した混合物は、コンタクトホール以外の配線の材料としても適用可能である。この場合、必ずしも撥液特性を有していなくともよい。

　さらに、図１に示す例では、トップコンタクト型の有機トランジスタを記載してあるが、この構造に限定されることはなく、例えばボトムコンタクト型やトップゲート型の有機トランジスタであってもよい。さらに、必ずしも有機トランジスタでなくともよく、無機トランジスタであってもよい。

　以上、本発明の一実施形態について例示をしたが、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲で多くの修正および変形が可能であることは当業者にとって明らかであり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。

　トランジスタの電極とキャパシタ用の電極のパターンが形成されたガラス基板に、フッ素含有アクリル系のフォトレジストにＡｇ粒子を混合した混合物をスピンコートにより塗布した。次いで、ＵＶ露光した後、未露光部分を除去し、２２０℃でベークすることにより、導通部分を形成した。その後、絶縁膜材料として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）１０％水溶液をスピンコートによりガラス基板に塗布した。導通部分は撥水性のため、導通部分の上面にはＰＶＡが残らなかった。最後に電極をスパッタにより作製して、トランジスタ間の導通を確保し、回路を形成した。

Claims

　絶縁膜を介して配置される第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接続するコンタクトホールの形成方法であって、
　前記第１の導電性部材が形成された下地面に、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂を塗布して塗膜を形成する工程と、
　フォトリソグラフィ法によって前記塗膜をパターニングして、前記導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂からなるコンタクトホールの導通部分を形成する工程と、
　前記コンタクトホールの導通部分及び第１の導電性部材が形成された下地面に、絶縁性材料を塗布して絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜上に第２の導電性部材を形成する工程と、を含むことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
　前記導電性材料は、導電性ナノチューブを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記導電性材料は、金属微粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記導電性材料は、導電性高分子を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂に対する前記導電性ナノチューブの配合比は、１～５０質量％であることを特徴とする請求項２に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂に対する前記金属微粒子の配合比は、５０～９０質量％であることを特徴とする請求項３に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂に対する前記導電性高分子の配合比は、５０～９０質量％であることを特徴とする請求項４に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記第１の導電性部材及び／又は第２の導電性部材はトランジスタの下部電極及び／又は上部電極であり、前記絶縁膜はトランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記トランジスタは有機トランジスタであり、少なくとも前記ゲート絶縁膜及び有機半導体をウエット法で作成することを特徴とする請求項８に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記導電性材料は金属微粒子を含み、前記コンタクトホールの導通部分を加熱して金属微粒子を焼結させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
　前記焼結工程は、ＵＶ処理、又はＵＶ処理とオゾン処理の組み合わせにより前記導通部分に含まれる有機物の全部又は一部を分解・除去すると共に、加熱により金属微粒子を焼結させる工程であることを特徴とする請求項１０に記載のコンタクトホールの形成方法。
　絶縁膜を介して配置される第１の導電性部材と第２の導電性部材とを接続するコンタクトホールを含む回路基板であって、
　前記コンタクトホールの導通部分が、導電性材料を含有する撥液性感光樹脂又は撥液性成分を混合した感光樹脂で形成されていることを特徴とする回路基板。
　前記導電性材料は、導電性ナノチューブを含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
　前記導電性材料は、金属微粒子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
　前記導電性材料は、導電性高分子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
　前記回路基板は、少なくとも一つ以上のトランジスタが形成された回路基板であり、前記第１の導電性部材及び／又は第２の導電性部材はトランジスタの下部電極及び／又は上部電極であり、前記絶縁膜はトランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１２～１５のいずれか１項に記載の回路基板。