WO2009153876A1 - 反射型光変調装置 - Google Patents

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WO2009153876A1
WO2009153876A1 PCT/JP2008/061252 JP2008061252W WO2009153876A1 WO 2009153876 A1 WO2009153876 A1 WO 2009153876A1 JP 2008061252 W JP2008061252 W JP 2008061252W WO 2009153876 A1 WO2009153876 A1 WO 2009153876A1
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light
refractive index
dielectric multilayer
multilayer film
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PCT/JP2008/061252
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Inventor
寧 大林
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浜松ホトニクス株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements

Definitions

  • the present invention relates to a reflection type light modulation device.
  • a reflection type liquid crystal (LCoS (registered trademark): Liquid crystal on silicon) device As a reflection type light modulation device, a reflection type liquid crystal (LCoS (registered trademark): Liquid crystal on silicon) device is known.
  • the reflective liquid crystal device includes a plurality of pixel electrodes arranged two-dimensionally, a conductive light transmission layer, and a liquid crystal layer (light modulation layer) disposed between the plurality of pixel electrodes and the conductive light transmission layer.
  • an electric field is formed between any pixel electrode and the conductive light transmitting layer to cause a modulation effect on the liquid crystal layer.
  • a dielectric multilayer film is provided between the liquid crystal layer and the plurality of pixel electrodes in order to increase the light reflectance and obtain a light image with higher brightness.
  • Non-Patent Documents 1 and 2 disclose a liquid crystal light valve (LCLV) having a reflective liquid crystal structure.
  • the dielectric multilayer film described in Non-Patent Document 1 is formed by alternately laminating a plurality of Si layers and SiO 2 layers having an optical film thickness of ⁇ / 4 ( ⁇ : wavelength of incident light).
  • the dielectric multilayer film described in Non-Patent Document 2 is formed by alternately laminating a plurality of TiO 2 layers and SiO 2 layers having an optical film thickness of ⁇ / 4.
  • U. Efron et al. “Silicon liquid crystal light valves: status and issues”, Optical Engineering, November, December 1983, Vol.22, No.6, pp.682-686 (1983)
  • A. Jacobson et al. “A real-time optical data processing device”, Information Display, Vol. 12, September 1975, PP.17-22 (1975)
  • a dielectric multilayer film laminated on the surface of a glass substrate or the like is used in a conventional reflective liquid crystal device. And by increasing the number of layers, a high reflectance of over 99% is obtained. For example, in order to obtain 99% or more reflectivity at the dielectric multilayer film on the glass substrate, 13 layers with TiO 2 / SiO 2, and requires 19 layers with HfO 2 / SiO 2, reflectivity 99.8% or more to obtain the 17 layers with TiO 2 / SiO 2, it requires a 25-layer with HfO 2 / SiO 2.
  • the dielectric multilayer film is disposed between the liquid crystal layer and the pixel electrode, the electric field formed between the pixel electrode and the conductive light transmission layer is applied not only to the liquid crystal layer but also to the dielectric multilayer film. Is done. If the number of dielectric multilayer films increases, the thickness (physical film thickness) of the dielectric multilayer films increases and the ratio of the electric field applied to the dielectric multilayer films increases, so the electric field applied to the liquid crystal layer Efficiency will decrease.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a reflection type light modulation device including a dielectric multilayer film capable of realizing a high reflectance while suppressing a decrease in electric field application efficiency to the light modulation layer. For the purpose.
  • a reflection type light modulation device modulates light for each of a plurality of pixels arranged two-dimensionally and outputs a light image forward while reflecting light incident from the front.
  • a reflective light modulation device comprising: a conductive light transmission layer including a conductive material that transmits light; a plurality of metal pixel electrodes that are two-dimensionally arranged along the conductive light transmission layer; A light modulation layer that is disposed between the pixel electrode and the conductive light transmission layer and modulates light according to an electric field formed by each pixel electrode and the conductive light transmission layer, and is formed on the plurality of pixel electrodes.
  • a dielectric multilayer film formed on a glass substrate is used.
  • the dielectric multilayer film is formed on the plurality of metal pixel electrodes.
  • the high reflectance of a metal surface can be utilized.
  • the present inventors first formed a low refractive index layer (first layer) on the metal surface, and then formed a high refractive index layer (second layer).
  • the reflection type light modulation device described above the physical film thickness of the dielectric multilayer film can be made thinner than before, and the reduction in the electric field application efficiency to the light modulation layer can be suppressed, and a sufficiently high reflectance can be obtained. This can be realized to increase the light extraction efficiency.
  • the reflection-type light modulation device is a reflection-type light modulation device that modulates light for each of a plurality of two-dimensionally arranged pixels and outputs a light image forward while reflecting light incident from the front.
  • a conductive light-transmitting layer including a conductive material that transmits light, a plurality of metal pixel electrodes that are two-dimensionally arranged along the conductive light-transmitting layer, and the plurality of pixel electrodes and the conductive light transmitting layer.
  • a light modulation layer that is disposed between the pixel electrodes and modulates light according to an electric field formed by each pixel electrode and the conductive light transmission layer, and a dielectric multilayer film formed on the plurality of pixel electrodes.
  • the dielectric multilayer film includes a third layer in contact with the pixel electrode, a first layer having a refractive index lower than that of the third layer and in contact with the third layer, and a refractive index higher than that of the first layer.
  • the optical thickness of the third layer is ( ⁇ / 2) ⁇ n (n is odd), where ⁇ is the wavelength of light. ) And wherein the substantially equal.
  • the optical film thickness of the third layer is substantially ⁇ / 2 ⁇ n (n is an odd number). By making them equal, the influence on the reflectance can be made extremely small. Therefore, by forming a dielectric multilayer film starting from the low refractive index layer (first layer) on the third layer, it is possible to realize substantially the same reflection characteristics as those of the reflection type light modulation device described above. it can.
  • the reflection type light modulation device of the present invention it is possible to increase the light extraction efficiency while suppressing a decrease in the electric field application efficiency to the light modulation layer.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a reflective liquid crystal device as an embodiment of a reflective light modulation device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a side cross-sectional view taken along the line II-II of the reflective liquid crystal device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged side sectional view showing the configuration of the dielectric multilayer film.
  • FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a modification of the dielectric multilayer film.
  • 5A shows a mode in which (a) the first layer in contact with the aluminum substrate is a low refractive index film (SiO 2 ), and (b) the first layer in contact with the aluminum substrate is a high refractive index film (TiO 2 ). It is a figure which shows the form to do.
  • FIG. 6 is a graph showing the spectral reflectance when the dielectric multilayer film is not provided on the surface of the aluminum substrate.
  • FIG. 7 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of laminated multilayer dielectric films is 2, 4, 6, and 10 in the embodiment shown in FIG.
  • FIG. 8 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of layers is 4, 6, 10, and 14 in the embodiment shown in FIG.
  • FIG. 9 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of laminated multilayer dielectric films is 3, 5, 7, and 9 in the form shown in FIG. 5B.
  • FIG. 10 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of layers is 5, 9, 15 and 21 in the form shown in FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a graph showing spectral reflectance characteristics when a SiO 2 film is provided on the surface of an aluminum substrate with various optical film thicknesses nd (50 [nm], 150 [nm], and 250 [nm]). is there.
  • 12A and 12B are diagrams showing a form in which (a) a layer in contact with the protective film is a low refractive index film (SiO 2 ), and (b) a form in which a layer in contact with the protective film is a high refractive index film (TiO 2 ). is there.
  • FIG. 13 is a graph showing the spectral reflectance when the optical film thickness of the protective film is 150 [nm] and the six-layer dielectric multilayer film is provided in the form shown in FIG. FIG.
  • FIG. 14 is a graph showing the spectral reflectance when the protective film has an optical film thickness of 150 [nm] and a five-layer dielectric multilayer film is provided in the form shown in FIG.
  • FIG. 15 shows a case where the optical film thickness of the protective film is 50 [nm] and the optical film thickness of the upper layer is 150 [nm] in the configuration shown in FIG. It is a graph which shows the spectral reflectance of the case where the optical film thickness of a certain low refractive index layer is 200 [nm].
  • FIG. 16 shows a case where the optical film thickness of the protective film is 50 [nm] in the form shown in FIG. 12B (that is, the optical film thickness of the low refractive index layer as the first layer is 50 [nm].
  • FIG. 17 shows a case where the optical film thickness of the protective film is 250 [nm] and the optical film thickness of the upper layer is 150 [nm] in the embodiment shown in FIG. It is a graph which shows the spectral reflectance of the case where the optical film thickness of a certain low refractive index layer is 400 [nm].
  • FIG. 18 shows a case where the optical film thickness of the protective film is 250 [nm] in the form shown in FIG. 12B (that is, the optical film thickness of the low refractive index layer which is the first layer is 250 [nm].
  • FIG. 17 shows a case where the optical film thickness of the protective film is 250 [nm] and the optical film thickness of the upper layer is 150 [nm] in the embodiment shown in FIG. It is a graph which shows the spectral reflectance of the case where the optical film thickness of a certain low refractive index layer is 400 [nm].
  • FIG. 18 shows a case where the optical film thickness of the
  • FIG. 19 shows (a) a form in which the layer in contact with the protective film (MgF 2 ) is a low refractive index film (SiO 2 ), and (b) a form in which the layer in contact with the protective film is a high refractive index film (TiO 2 ).
  • FIG. FIG. 20 is a diagram illustrating a state in which light L is incident on the dielectric multilayer film from an oblique direction.
  • FIG. 21 is a graph showing an example of the reflectance of the dielectric multilayer film with respect to the P-polarized component and the S-polarized component, and shows a case where a low refractive index layer (SiO 2 ) is disposed as the first layer on the aluminum substrate. ing.
  • FIG. 22 is a graph showing an example of the reflectance of the dielectric multilayer film with respect to the P-polarized component and the S-polarized component, and shows a case where a high refractive index layer (TiO 2 ) is disposed as the first layer on the aluminum substrate.
  • FIG. 23 is a graph showing the spectral reflection characteristics of the Nb 2 O 5 / SiO 2 dielectric multilayer film, and a low refractive index layer (SiO 2 , optical film thickness 150 [nm]) as the first layer on the aluminum substrate. It shows the case where is arranged.
  • FIG. 24 is a graph showing the spectral reflection characteristics in the Nb 2 O 5 / SiO 2 dielectric multilayer film, and a high refractive index layer (Nb 2 O 5 , optical film thickness 150 [nm] as the first layer on the aluminum substrate. ]) Is arranged.
  • FIG. 25 is a graph showing the measurement results of the spectral reflectance of the aluminum mirror.
  • FIG. 26 shows the result of measuring the reflectivity of the dielectric multilayer film formed on the aluminum mirror (solid line) in the case where the low refractive index layer (SiO 2 ) is disposed as the first layer in contact with the aluminum mirror, and this It is a graph which shows the calculation result (broken line) of the reflectance of a dielectric multilayer.
  • SYMBOLS 1 Reflective type liquid crystal device, 4 ... Pixel, 12 ... Silicon substrate, 14 ... Drive circuit layer, 16 ... Pixel electrode, 18, 28, 52 ... Dielectric multilayer film, 18a-18d, 28a-28d ... Low refractive index layer , 18e to 18h, 28e to 28h: high refractive index layer, 20 ... liquid crystal layer, 22 ... transparent conductive film, 24 ... transparent substrate, 30 ... aluminum substrate, 36, 46 ... protective film, 281 ... lower layer, 282 ... upper layer.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a reflective liquid crystal device as an embodiment of a reflective light modulation device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a side cross-sectional view taken along line II-II of the reflective liquid crystal device shown in FIG. In FIGS. 1 and 2, an XYZ orthogonal coordinate system is shown for ease of explanation.
  • the reflective liquid crystal device 1 according to the present embodiment includes a plurality of pixels 4 that are two-dimensionally arranged along two axes (X axis and Y axis) orthogonal to each other as shown in FIG.
  • the reflective liquid crystal device 1 is a device that outputs an arbitrary light image forward by modulating incident light for each pixel 4 while reflecting light incident from the front (Z-axis positive direction).
  • the reflective liquid crystal device 1 includes a silicon substrate 12, a drive circuit layer 14, a plurality of pixel electrodes 16, a dielectric multilayer film 18, a liquid crystal layer 20, a transparent conductive film 22, and a transparent substrate 24. Yes.
  • the transparent substrate 24 has a surface 24 a along the XY plane, and the surface 24 a constitutes the surface 10 a of the reflective liquid crystal device 1.
  • the transparent substrate 24 mainly includes a light transmissive material such as glass, and transmits light L having a predetermined wavelength incident from the surface 10 a of the reflective liquid crystal device 1 into the reflective liquid crystal device 1.
  • the transparent conductive film 22 is a conductive light transmission layer in the present embodiment.
  • the transparent conductive film 22 is formed on the back surface 24b of the transparent substrate 24, and mainly includes a conductive material (for example, ITO) that transmits the light L.
  • the plurality of pixel electrodes 16 are two-dimensionally arranged according to the arrangement of the plurality of pixels 4 shown in FIG. 1, and are arranged on the silicon substrate 12 along the transparent conductive film 22.
  • Each pixel electrode 16 is made of a metal material such as aluminum, and the surface 16a thereof is processed flat and smoothly.
  • the plurality of pixel electrodes 16 are driven by an active matrix circuit provided in the drive circuit layer 14.
  • the active matrix circuit is provided between the plurality of pixel electrodes 16 and the silicon substrate 12, and controls the voltage applied to each pixel electrode 16 according to the optical image to be output from the reflective liquid crystal device 1.
  • Such an active matrix circuit includes, for example, a first driver circuit that controls the applied voltage of each pixel column arranged in the X-axis direction and a second driver circuit that controls the applied voltage of each pixel column arranged in the Y-axis direction.
  • the driver circuit is configured such that a predetermined voltage is applied to the pixel electrode 16 of the pixel 4 designated by both driver circuits.
  • the liquid crystal layer 20 is a light modulation layer in the present embodiment.
  • the liquid crystal layer 20 is disposed between the plurality of pixel electrodes 16 and the transparent conductive film 22, and modulates the light L according to the electric field formed by each pixel electrode 16 and the transparent conductive film 22. That is, when a voltage is applied to a certain pixel electrode 16 by the active matrix circuit, an electric field is formed between the transparent conductive film 22 and the pixel electrode 16. This electric field is applied to each of the dielectric multilayer film 18 and the liquid crystal layer 20 at a ratio corresponding to the thickness of each. Then, the alignment direction of the liquid crystal molecules 20 a changes according to the magnitude of the electric field applied to the liquid crystal layer 20.
  • the light L passes through the transparent substrate 24 and the transparent conductive film 22 and enters the liquid crystal layer 20, the light L is modulated by the liquid crystal molecules 20 a while passing through the liquid crystal layer 20 and reflected by the dielectric multilayer film 18. Then, the light is again modulated by the liquid crystal layer 20 and taken out.
  • the dielectric multilayer film 18 is disposed between the plurality of pixel electrodes 16 and the liquid crystal layer 20.
  • the dielectric multilayer film 18 of the present embodiment is directly formed on the surfaces 16 a of the plurality of pixel electrodes 16.
  • the dielectric multilayer film 18 reflects the light L with a high reflectance of, for example, more than 99%, in cooperation with the light reflecting action of the surface 16a of the pixel electrode 16.
  • FIG. 3 is an enlarged side sectional view showing the configuration of the dielectric multilayer film 18.
  • the dielectric multilayer film 18 has a plurality of low refractive index layers 18a to 18d including a layer 18a (first layer) in contact with the pixel electrode 16, and a refractive index higher than that of the low refractive index layer 18a.
  • a plurality of high refractive index layers 18e to 18h including a layer 18e (second layer) in contact with the low refractive index layer 18a.
  • the low refractive index layers 18 a to 18 d and the high refractive index layers 18 e to 18 h are alternately stacked on the pixel electrode 16.
  • Examples of the constituent material of the low refractive index layers 18a to 18d include SiO 2 and MgF 2 , and it is particularly preferable that SiO 2 is mainly contained. Further, examples of the constituent material of the high refractive index layers 18e to 18h include TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , ZrO 2, and the like, and at least one of these materials should be included. Is preferred.
  • the number of stacked dielectric multilayer films 18 is eight (the low refractive index layers 18a to 18d and the high refractive index layers 18e to 18h are each four layers).
  • the number of layers 18 is 2 or more (that is, each of the low refractive index layer and the high refractive index layer is 1 layer or more) and 10 layers or less (that is, the low refractive index layer and the high refractive index layer are each 5 layers or less).
  • the number of stacked dielectric multilayer films is not limited to an even number, and may be an odd number. In this case, the dielectric film located closest to the liquid crystal layer 20 in the dielectric multilayer film 18 is a low refractive index layer. Also in the following embodiments, the number of stacked dielectric multilayer films 18 may be an even number or an odd number, but the dielectric film located closest to the liquid crystal layer 20 is preferably a high refractive index layer.
  • the optical film thickness of the low refractive index layer 18a may be set to be substantially equal to ( ⁇ / 4) ⁇ n (n is an odd number).
  • the optical film thickness of the low refractive index layer 18a is the incident angle of the light L inside the low refractive index layer 18a (that is, low
  • the relative angle between the direction in which the light L travels in the refractive index layer 18a and the layer thickness direction) is preferably set within a range of ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ 30%, where ⁇ is ⁇ .
  • the optical film thickness of the low refractive index layer 18a may be set to be substantially equal to ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ n (n is an odd number).
  • the preferable value of the optical film thickness of the low refractive index layer 18a will be described in detail in Examples described later.
  • the reflective liquid crystal device 1 has the following effects.
  • the dielectric multilayer film 18 is formed on the plurality of metal pixel electrodes 16, the reflectance with respect to the light L can be increased using the high reflectance of the metal surface.
  • the low refractive index layer (first layer) 18a is first formed on the metal surface, and then the high refractive index layer (first layer).
  • the second layer 18e By laminating the second layer) 18e thereon, a sufficient reflectivity can be obtained with a significantly smaller number of layers as compared with the case where lamination is started from the high refractive index layer.
  • the physical film thickness of the dielectric multilayer film 18 can be made thinner than before, and the reduction in the electric field application efficiency to the liquid crystal layer 20 can be suppressed, and is sufficiently high. Reflectivity can be realized and light extraction efficiency can be increased.
  • FIG. 4 is a side cross-sectional view showing the configuration of the dielectric multilayer film 28 as a modification of the embodiment.
  • the reflective liquid crystal device 1 according to the above embodiment may include a dielectric multilayer film 28 shown in FIG. 4 instead of the dielectric multilayer film 18 shown in FIG.
  • the dielectric multilayer film 28 has a plurality of low refractive index layers 28a to 28d including a layer 28a (first layer) in contact with the pixel electrode 16, and a refractive index higher than that of the low refractive index layer 28a.
  • a plurality of high refractive index layers 28e to 28h including layers 28e (second layers) in contact with the refractive index layer 28a are alternately stacked.
  • the constituent materials of the low refractive index layers 28b to 28d and the high refractive index layers 28e to 28h excluding the low refractive index layer 28a are the low refractive index layers 18a to 18d and the high refractive index layers 18e to 18h shown in FIG. Same as 18h.
  • the low refractive index layer 28a of the present modification includes a lower layer 281 that is in contact with the pixel electrode 16, and an upper layer 282 that is sandwiched between the lower layer 281 and the high refractive index layer 28e.
  • the lower layer 281 and the upper layer 282 may be made of the same material, or may be made of different materials.
  • the constituent material of the lower layer 281 are illustrated for example SiO 2, MgF 2 may include the at least one kind of material.
  • the constituent material of the upper layer 282 is the same as that of the low refractive index layers 18a to 18d shown in FIG. 3, and it is particularly preferable that SiO 2 is mainly contained.
  • the configuration of the dielectric multilayer film 28 of the present modification is preferably applied when an insulating protective film is formed on the surface 16a of the pixel electrode 16, for example. That is, a protective film may be provided on the surface of a component made of a metal such as aluminum (pixel electrode 16 in this embodiment). Such a protective film is made of SiO 2 or MgF 2 which is a low refractive index material in most cases. Therefore, when the dielectric multilayer film 28 is manufactured, such a protective film is left on the surface 16a of the pixel electrode 16 as the lower layer 281 and a low refractive index material such as SiO 2 is formed thereon to form the upper layer 282. By doing so, the low refractive index layer 28a according to the present modification can be suitably obtained.
  • the protective film formed on the surface 16a of the pixel electrode 16 may be used as a part (the lower layer 281) of the low refractive index layer 28a. Even with such a configuration, an effect equivalent to that of the reflective liquid crystal device 1 of the above embodiment can be suitably obtained.
  • the number of laminated multilayer dielectric films 28 is preferably 2 or more and 10 or less, including the low refractive index layer 28a.
  • the optical film thickness of the low refractive index layer 28a (that is, the sum of the optical film thickness of the lower layer 281 and the optical film thickness of the upper layer 282) is within the range of ( ⁇ / 4) ⁇ 30%, where ⁇ is the wavelength of the light L.
  • it may be set to be substantially equal to ( ⁇ / 4) ⁇ n (n is an odd number).
  • the optical film thickness of the low refractive index layer 28a is ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ 30, where ⁇ is the incident angle of the light L in the low refractive index layer 28a.
  • % Is preferably set, and may be set to be substantially equal to ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ n (n is an odd number).
  • the laminated form of the dielectric multilayer film as shown in FIG. 5A, the form A in which the first layer 32 in contact with the aluminum substrate 30 is a low refractive index film (SiO 2 ) and FIG. As shown, there is a form B in which the first layer 42 in contact with the aluminum substrate 30 is a high refractive index film (TiO 2 ).
  • FIG. 6 is a graph showing the spectral reflectance when the dielectric multilayer film is not provided on the surface of the aluminum substrate.
  • FIG. 7 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of laminated multilayer dielectric films is 2, 4, 6, and 10 in the form A shown in FIG.
  • FIG. 8 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of stacks is 4, 6, 10, and 14 in the form A.
  • FIG. 9 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of dielectric multilayer films is 3, 5, 7 and 9 in the form B shown in FIG. 5B.
  • FIG. 10 is a graph showing the spectral reflectance in each case where the number of layers is 5, 9, 15, and 21 layers in Form B.
  • the number of stacked layers is two (that is, one SiO 2 low refractive index layer and one TiO 2 high refractive index layer). It can be seen that the reflectance at a wavelength of 600 [nm] exceeds 95% and is larger than the reflectance of the aluminum substrate (see FIG. 6). As shown in FIGS. 7 and 8, reflection at a wavelength of 600 [nm] when the number of stacked layers is six (three each of a SiO 2 low refractive index layer and a TiO 2 high refractive index layer). The ratio exceeded 99%, and when the number of layers was 10 (5 layers each of a low refractive index layer of SiO 2 and a high refractive index layer of TiO 2 ), it was 99.8%.
  • Table 1 below is a table summarizing the number of laminated dielectric multilayer films, the reflectance, and the thickness (physical film thickness) in each of modes A and B. It should be noted that bold characters in Table 1 indicate preferable numerical values in the reflective liquid crystal device. As shown in Table 1, in Form B, if the number of stacked layers is 11 or more, the reflectivity is 99% or more, and if it is 15 or more, the reflectivity is 99.8% or more. Thus, it can be seen that even in the form B, if the number of stacked layers is increased, a sufficient reflectance can be obtained in the reflective liquid crystal device.
  • the thickness exceeds 0.9 [ ⁇ m]
  • the thickness exceeds 1.2 [ ⁇ m].
  • the electric field application efficiency to the liquid crystal layer (light modulation layer) decreases as described above, which is not preferable.
  • the reflectance is 99% or more even when the number of laminated layers is only 6 layers, and the reflectance becomes 99.8% or more when 10 layers are formed.
  • the thickness is about 0.5 [ ⁇ m] when the number of stacked layers is 6, and the thickness is about 0.8 [ ⁇ m] when the number of layers is 10, and the dielectric multilayer film can be configured to be extremely thin as compared with Form B. I understand.
  • a dielectric multilayer film is formed on an aluminum substrate, a high reflectance can be realized with a small number of layers, such as 10 layers or less.
  • a low refractive index layer is first formed on the surface of the aluminum substrate 30 as the first layer 32 as in the form A, and then the second layer.
  • a high refractive index layer 34 may be laminated thereon.
  • FIG. 11 is a graph showing spectral reflectance characteristics when a SiO 2 film is provided on the surface of an aluminum substrate with various optical film thicknesses nd (50 [nm], 150 [nm], and 250 [nm]). is there. Referring to FIG. 11, at a wavelength that is four times the optical film thickness nd, the reflectance when the SiO 2 film is provided on the aluminum substrate is compared with the reflectance of the aluminum surface due to the reflection reducing effect of the SiO 2 film. It is decreasing.
  • the SiO 2 film has little influence on the reflectance, and the reflectance when the SiO 2 film is provided on the aluminum substrate is equal to the reflectance of the aluminum surface.
  • the optical film thickness of the protective film is generally set to 1 ⁇ 2 of the wavelength used in order to prevent the reflectance from decreasing.
  • the protective film may be considered as part of the configuration of the dielectric multilayer film.
  • FIG. 12A a form C in which the layer 38 in contact with the protective film 36 is a low refractive index film (SiO 2 )
  • FIG. D there is a form D in which the layer 44 in contact with the protective film 36 is a high refractive index film (TiO 2 ).
  • the protective film 36 and the layer 38 constitute a low refractive index layer (first layer) in contact with the aluminum substrate.
  • the protective film 36 alone forms the low refractive index layer (first layer) in contact with the aluminum substrate. Layer).
  • FIG. 13 is a graph showing the spectral reflectance when the optical film thickness of the protective film 36 is 150 [nm] and a six-layer dielectric multilayer film is provided in Form C.
  • FIG. 14 is a graph showing the spectral reflectance when the protective film 36 has an optical film thickness of 150 [nm] and a five-layer dielectric multilayer film is provided in Form D. 13 and 14, the wavelength of incident light is assumed to be 600 [nm], and the optical film thickness of each layer constituting the dielectric multilayer film is set to 150 [nm].
  • the lamination starts from the high refractive index film (TiO 2 ).
  • Form D (see FIG. 12 (b)) has better spectral reflection characteristics than Form C (see FIG. 12 (a)), which has started to be laminated from a low refractive index film (SiO 2 ), and the wavelength of incident light.
  • the reflectance at ⁇ 600 [nm] increased.
  • the protective film 36 and the layer 38 constitute a low refractive index layer (first layer).
  • the optical film thicknesses of the protective film 36 and the layer 38 are ⁇ / 4, respectively.
  • the optical film thickness of this layer becomes ⁇ / 2 (300 [nm]), and the protective film 36 and the layer 38 hardly affect the reflectance. Therefore, the spectral reflection characteristics of Form C are substantially the same as those of Form B (see FIG. 5B) in which the first layer in contact with the aluminum substrate is a high refractive index film, and the characteristics are as shown in FIG. It is thought that.
  • FIG. 15 shows the case where the optical film thickness of the protective film 36 is set to 50 [nm] and the optical film thickness of the layer 38 is set to 150 [nm] in the embodiment C of the present embodiment (that is, the low thickness of the first layer). It is a graph which shows the spectral reflectance of the case where the optical film thickness of a refractive index layer is 200 [nm].
  • FIG. 16 shows the case where the optical film thickness of the protective film 36 is 50 [nm] in Embodiment D of the present embodiment (that is, the optical film thickness of the low refractive index layer as the first layer is 50 [nm]. ] Is a graph showing the spectral reflectance.
  • FIG. 16 shows the case where the optical film thickness of the protective film 36 is 50 [nm] in Embodiment D of the present embodiment (that is, the optical film thickness of the low refractive index layer as the first layer is 50 [nm]. ] Is a graph showing the spectral reflectance.
  • FIG. 17 shows a case where the optical film thickness of the protective film 36 is 250 [nm] and the optical film thickness of the layer 38 is 150 [nm] in the form C (that is, the low refractive index which is the first layer). It is a graph which shows the spectral reflectance of the case where the optical film thickness of a layer is 400 [nm].
  • FIG. 18 shows a case where the optical film thickness of the protective film 36 is 250 [nm] in the form D (that is, the optical film thickness of the low refractive index layer which is the first layer is 250 [nm]). ) Is a graph showing the spectral reflectance.
  • Table 3 to Table 5 show that the incident light wavelength ⁇ is 1550 [nm], 1200 [nm], 1000 [nm], 800 [nm], 600 [nm], and 400 [nm]. It is a table
  • the bold letters in Tables 3 to 5 indicate preferable numerical values in the reflective liquid crystal device.
  • the reflectance values are different for each wavelength. However, at any wavelength, if the optical film thickness of the low refractive index layer (first layer) is within a range of ⁇ 30% with respect to ⁇ / 4, sufficient reflectance can be obtained in the reflective liquid crystal device. I understand that
  • FIG. 19A a form E in which the layer 48 in contact with the protective film 46 (MgF 2 ) is a low refractive index film (SiO 2 ), and as shown in FIG. 19B, the protective film 46 is formed.
  • a form F in which the layer 50 in contact with the film is a high refractive index film (TiO 2 ).
  • the protective film 46 and the layer 48 constitute a low refractive index layer (first layer) in contact with the aluminum substrate, and in form F, only the protective film 46 is in contact with the aluminum substrate (low refractive index layer (first layer)).
  • Layer
  • a protective film is included in the low refractive index layer (first layer) in contact with the aluminum substrate, and the optical film thickness of the first layer is ⁇ / 4 ⁇ n (n is an odd number). It is shown that sufficient reflectivity can be obtained for the reflection type light modulation device. Further, it was shown that sufficient reflectance for the reflection type light modulation device can be obtained even when the optical film thickness of the first layer is within a range of ⁇ 30% with respect to ⁇ / 4.
  • Si 3 N 4 can also be considered as a constituent material of the protective film.
  • Si 3 N 4 has a refractive index of 2.0 to 2.1, and is classified as a high refractive index material in the dielectric multilayer film. As described above, it is preferable to arrange a low refractive index layer directly on the aluminum substrate.
  • a high refractive index protective film such as Si 3 N 4 is already provided, the protective film First, a high refractive index layer is formed thereon, and the optical film thickness of the high refractive index layer and the layer made of the protective film (third layer) is made substantially equal to ⁇ / 2 ⁇ n (n is an odd number).
  • the influence on the reflectance can be extremely reduced. Therefore, by forming a dielectric multilayer film starting from the low refractive index layer (first layer) on the third layer having a high refractive index, substantially the same as in the form A (see FIG. 5A). The reflection characteristics can be realized.
  • the refractive index of the medium in contact with the surface of the dielectric multilayer film 52 is n 0
  • the incident angle of the light L to the surface 52a of the dielectric multilayer film 52 is ⁇ 0
  • the refractive index of the substrate is n sub.
  • the optical film thickness of the low refractive index layer (first layer) in contact with the aluminum substrate is substantially ( ⁇ / 4 cos ⁇ i ) ⁇ n (n is an odd number). It is preferable that they are equal or within the range of ( ⁇ / 4 cos ⁇ i ) ⁇ 30%. And this (theta) i is calculated
  • ⁇ TiO2 has the value shown in the following mathematical formula (4).
  • the refractive index n TiO2 of TiO 2 is 2.27.
  • the incident angle (refractive angle) ⁇ SiO2 in the SiO 2 low refractive index layer has a value represented by the following mathematical formula (5).
  • the refractive index n SiO2 of SiO 2 is 1.46.
  • the dielectric multilayer for oblique incidence is used.
  • membrane can be implement
  • n S and n P for the S-polarized component and the P-polarized component of light are expressed as follows: n is the refractive index in the layer, and ⁇ is the incident angle (refractive angle) in the layer. It becomes.
  • ⁇ is the incident angle (refractive angle) in the layer. It becomes.
  • 21 and 22 are graphs showing examples of the reflectance of the dielectric multilayer film with respect to the P-polarized component and the S-polarized component.
  • FIG. 21 shows a case where a low refractive index layer (SiO 2 ) is disposed as a first layer on an aluminum substrate (see FIG. 5A), and FIG. 22 shows the first layer on the aluminum substrate.
  • a high refractive index layer (TiO 2 ) is disposed (see FIG. 5B).
  • Example 4 When various materials are used for the high refractive index layer> Suitable constituent materials for the high refractive index layer include Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , and ZrO 2 in addition to TiO 2 . Since the refractive index values are different from each other, the reflectance values of the dielectric multilayer film are also different. However, any of the materials has the same tendency as in the case of using TiO 2 .
  • 23 and 24 are graphs showing the spectral reflection characteristics in the Nb 2 O 5 / SiO 2 dielectric multilayer film.
  • FIG. 23 shows a case where a low refractive index layer (SiO 2 , optical film thickness 150 [nm]) is arranged as a first layer on an aluminum substrate, and FIG.
  • refractive index layer 24 shows a high layer as the first layer on the aluminum substrate.
  • refractive index layer shows the case of arranging the (Nb 2 O 5, the optical film thickness 150 [nm]).
  • the constituent material of the high refractive index layer is Nb 2 O 5
  • the low refractive index layer (first layer) is first formed on the metal surface, and then the high refractive index layer (first layer). It can be seen that a sufficient reflectivity can be obtained with a significantly smaller number of layers compared to the case where the second layer is laminated on the high refractive index layer.
  • Example 5 A TiO 2 / SiO 2 alternating multilayer film was formed on a commercially available metal aluminum mirror by a vacuum deposition method.
  • an MgF 2 film having an optical film thickness of 280 [nm] is formed as a protective film.
  • FIG. 25 is a graph showing the measurement results of the spectral reflectance of this aluminum mirror. In FIG. 25, the calculated value of the reflectance of the aluminum surface without the protective film is also shown by a broken line for comparison.
  • a dielectric multilayer film was formed on the surface of the aluminum mirror.
  • a low refractive index layer SiO 2 , optical film thickness 150 [nm]
  • a high refractive index layer TiO 2 , optical film thickness 150
  • [Nm]) and low refractive index layers were alternately stacked, and the number of stacked layers was four.
  • the solid line shown in FIG. 26 is a graph showing the results of measuring the reflectance of this dielectric multilayer film.
  • the broken line shown in FIG. 26 is a graph which shows the calculation result of the reflectance of this dielectric multilayer film. As shown in FIG. 26, the measured values of the reflectivity and the calculated values almost coincided.
  • a high refractive index layer (TiO 2 , optical film thickness 150 [nm]) is formed as a first layer in contact with the aluminum mirror, and a low refractive index layer (SiO 2 , optical film thickness 150 is formed thereon. [Nm]) and high refractive index layers (TiO 2 , optical film thickness 150 [nm]) were alternately stacked, and the number of stacked layers was five.
  • the solid line shown in FIG. 27 is a graph showing the result of measuring the reflectance of the dielectric multilayer film.
  • the broken line shown in FIG. 27 is a graph which shows the calculation result of the reflectance of this dielectric multilayer film. As shown in FIG. 27, even in this embodiment, the actually measured value and the calculated value of the reflectance almost coincided.
  • the reflective light modulation device is not limited to the above-described embodiment, and various other modifications are possible.
  • SiO 2 and MgF 2 are exemplified as the constituent material of the low refractive index layer of the dielectric multilayer film, but the constituent material of the low refractive index layer has a refractive index of 1.35 to 1.75.
  • Other materials may be used as long as the dielectric is preferably 1.35 to 1.50.
  • TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , and HfO 2 are exemplified as the constituent material of the high refractive index layer of the dielectric multilayer film, but the constituent material of the high refractive index layer is refracted.
  • Other materials may be used as long as the dielectric has a rate of 1.75 to 2.50, more preferably 1.90 to 2.50.
  • reflection-type light modulation that modulates light for each of a plurality of two-dimensionally arranged pixels and outputs a light image forward while reflecting light incident from the front.
  • a device comprising a conductive light-transmitting layer including a light-transmitting conductive material, a plurality of metal pixel electrodes arranged two-dimensionally along the conductive light-transmitting layer, a plurality of pixel electrodes, and a conductive property
  • a light modulation layer disposed between the light transmission layer and modulating light according to an electric field formed by each pixel electrode and the conductive light transmission layer; and a dielectric multilayer film formed on the plurality of pixel electrodes;
  • the dielectric multilayer film has a configuration including a first layer in contact with the pixel electrode and a second layer having a higher refractive index than the first layer and in contact with the first layer.
  • the reflection type light modulation device may be characterized in that the optical film thickness of the first layer is within a range of ( ⁇ / 4) ⁇ 30%, where ⁇ is the wavelength of light.
  • the reflective light modulation device may be characterized in that the optical film thickness of the first layer is substantially equal to ( ⁇ / 4) ⁇ n (n is an odd number) where ⁇ is the wavelength of light.
  • the optical film thickness of the first layer is within the range of ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ 30%, where ⁇ is the incident angle of light inside the first layer, and ⁇ is the wavelength of the light. It is good also as a feature.
  • the optical film thickness of the first layer is such that the incident angle of light inside the first layer is ⁇ and the wavelength of light is ⁇ ( ⁇ / 4 cos ⁇ ) ⁇ n (n is an odd number) ) And substantially the same. With any one of these configurations, a high reflectance can be suitably realized even for light incident on the dielectric multilayer film from an oblique direction.
  • the dielectric multilayer film includes a plurality of low refractive index layers including a first layer, and a plurality of high refractive indexes including a second layer and having a higher refractive index than the plurality of low refractive index layers.
  • the refractive index layers may be alternately stacked, and the sum of the number of the low refractive index layers and the number of the high refractive index layers may be 10 or less.
  • the number of laminated dielectric multilayer films in a general reflection type light modulation device requires 13 layers or more.
  • a sufficiently high reflectance can be realized even with a small number of layers, such as 10 layers or less, so that it is possible to effectively suppress a decrease in the efficiency of electric field application to the light modulation layer. it can.
  • the first layer includes SiO 2
  • the second layer includes at least one material of TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , and HfO 2. May be a feature.
  • the dielectric multilayer film including the first layer and the second layer having a higher refractive index than the first layer can be suitably configured.
  • the first layer has a lower layer in contact with the pixel electrode, and an upper layer sandwiched between the lower layer and the second layer, the upper layer includes SiO 2 , and the lower layer includes SiO 2.
  • MgF 2 may include at least one material.
  • An SiO 2 film or an MgF 2 film may be formed as a protective film on the surface of the pixel electrode, and this protective film may be used as a part (lower layer) of the first layer. Even with such a configuration, it is possible to suitably obtain the effects of the above-described reflection type light modulation device.
  • the reflection-type light modulation device is a reflection-type light modulation device that modulates light for each of a plurality of two-dimensionally arranged pixels and outputs a light image forward while reflecting light incident from the front,
  • a conductive light-transmitting layer including a conductive material that transmits light; a plurality of metal pixel electrodes that are two-dimensionally arranged along the conductive light-transmitting layer; and a plurality of pixel electrodes and the conductive light-transmitting layer.
  • a light modulation layer that is disposed between each of the pixel electrodes and the conductive light transmission layer and modulates light according to an electric field, and a dielectric multilayer film formed on the plurality of pixel electrodes.
  • the multilayer film has a third layer in contact with the pixel electrode, a first layer having a refractive index lower than that of the third layer and in contact with the third layer, and a refractive index higher than that of the first layer and in contact with the first layer.
  • the optical thickness of the third layer is substantially ( ⁇ / 2) ⁇ n (n is an odd number) where ⁇ is the wavelength of light. It may be used equal configuration.
  • the present invention can be used as a reflection-type light modulation device capable of increasing the light extraction efficiency while suppressing a decrease in the electric field application efficiency to the light modulation layer.

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Abstract

　反射型液晶装置（反射型光変調装置）１は、光Ｌを透過する導電性材料を含む透明導電膜２２と、透明導電膜２２に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極１６と、複数の画素電極１６と透明導電膜２２との間に配置され、各画素電極１６及び透明導電膜２２により形成される電界に応じて光Ｌを変調する液晶層２０と、複数の画素電極１６上に形成された誘電体多層膜１８とを備える。誘電体多層膜１８は、画素電極１６に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含む。これにより、光変調層への電界印加効率の低下を抑えつつ高い反射率を実現できる誘電体多層膜を備える反射型光変調装置が実現される。

Description

反射型光変調装置
　本発明は、反射型光変調装置に関するものである。
　反射型光変調装置として、反射型液晶（ＬＣｏＳ（登録商標）：Liquid crystal on silicon）装置が知られている。反射型液晶装置は、二次元配列された複数の画素電極と、導電性光透過層と、複数の画素電極及び導電性光透過層の間に配置された液晶層（光変調層）とを備えており、導電性光透過層を介して入射した光を反射しつつ、任意の画素電極と導電性光透過層との間に電界を形成して液晶層に変調作用を生じさせ、所望の光像を得るものである。そして、光の反射率を高めて更に高輝度の光像を得るために、液晶層と複数の画素電極との間には誘電体多層膜が設けられる。
　例えば非特許文献１，２には、反射型液晶構造を備える液晶ライトバルブ（ＬＣＬＶ：Liquid Crystal Light Valve）が開示されている。非特許文献１に記載された誘電体多層膜は、λ／４（λ：入射光の波長）の光学膜厚を有する複数のＳｉ層及びＳｉＯ２層が交互に積層されて成る。また、非特許文献２に記載された誘電体多層膜は、λ／４の光学膜厚を有する複数のＴｉＯ２層及びＳｉＯ２層が交互に積層されて成る。
U.Efron et al., "Silicon liquid crystal light valves: status and issues", Optical Engineering, November, December 1983, Vol.22, No.6, pp.682-686 (1983) A.Jacobson et al., "A real-time optical data processing device", Information Display, Vol.12, September 1975, PP.17-22 (1975)
　本発明者らの知見によれば、従来の反射型液晶装置において誘電体多層膜はガラス基板等の表面に積層されたものが用いられている。そして、その積層数を多くすることにより、９９％超といった高い反射率を得ている。例えば、ガラス基板上の誘電体多層膜において反射率９９％以上を得るためには、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２で１３層、ＨｆＯ２／ＳｉＯ２で１９層を必要とし、反射率９９．８％以上を得るためには、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２で１７層、ＨｆＯ２／ＳｉＯ２で２５層を必要とする。
　しかしながら、誘電体多層膜は液晶層と画素電極との間に配置されるので、画素電極と導電性光透過層との間に形成された電界は液晶層だけでなく誘電体多層膜にも印加される。誘電体多層膜の積層数が多くなると、誘電体多層膜の厚さ（物理膜厚）が増し、誘電体多層膜に印加される電界の割合が大きくなってしまうので、液晶層への電界印加効率が低下してしまう。
　本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、光変調層への電界印加効率の低下を抑えつつ高い反射率を実現できる誘電体多層膜を備える反射型光変調装置を提供することを目的とする。
　上記した課題を解決するために、本発明による反射型光変調装置は、前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、複数の画素電極と導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて光を変調する光変調層と、複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜とを備え、誘電体多層膜は、画素電極に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含むことを特徴とする。
　先に述べたように、従来の一般的な反射型光変調装置においては、ガラス基板上に形成された誘電体多層膜を利用している。これに対し、本発明による反射型光変調装置においては、誘電体多層膜が金属製の複数の画素電極上に形成されている。これにより、金属表面の高い反射率を利用することができる。また、本発明者らは、金属表面に誘電体多層膜を形成する場合、低屈折率層（第１の層）をまず金属表面に形成し、次いで高屈折率層（第２の層）をその上に積層することにより、高屈折率層から積層し始める場合と比較して格段に少ない積層数で十分な反射率が得られることを見出した。従って、上記した反射型光変調装置によれば、誘電体多層膜の物理膜厚を従来より薄くして光変調層への電界印加効率の低下を抑えることができるとともに、十分に高い反射率を実現して光の取り出し効率を高めることができる。
　あるいは、本発明による反射型光変調装置は、前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、複数の画素電極と導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて光を変調する光変調層と、複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜とを備え、誘電体多層膜は、画素電極に接する第３の層と、第３の層より屈折率が低く第３の層に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含み、第３の層の光学膜厚が、光の波長をλとして（λ／２）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴とする。
　このように、高屈折率層（第３の層）が金属表面に形成されている場合であっても、この第３の層の光学膜厚をλ／２×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくすることで、反射率への影響を極めて小さくすることができる。従って、第３の層上に低屈折率層（第１の層）から始まる誘電体多層膜を形成することにより、実質的に前述した反射型光変調装置と同様の反射特性を実現することができる。
　本発明による反射型光変調装置によれば、光変調層への電界印加効率の低下を抑えつつ光取り出し効率を高めることができる。
図１は、本発明に係る反射型光変調装置の一実施形態として、反射型液晶装置の構成を示す平面図である。 図２は、図１に示した反射型液晶装置のII－II線に沿った側面断面図である。 図３は、誘電体多層膜の構成を拡大して示す側面断面図である。 図４は、誘電体多層膜の変形例の構成を示す側面断面図である。 図５は、（ａ）アルミニウム基板に接する第１の層を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態、及び（ｂ）アルミニウム基板に接する第１の層を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態を示す図である。 図６は、アルミニウム基板の表面に誘電体多層膜を設けない場合の分光反射率を示すグラフである。 図７は、図５（ａ）に示した形態において、誘電体多層膜の積層数を２層、４層、６層、及び１０層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。 図８は、図５（ａ）に示した形態において、積層数を４層、６層、１０層、及び１４層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。 図９は、図５（ｂ）に示した形態において、誘電体多層膜の積層数を３層、５層、７層、及び９層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。 図１０は、図５（ｂ）に示した形態において、積層数を５層、９層、１５層、及び２１層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。 図１１は、アルミニウム基板の表面にＳｉＯ２膜が様々な光学膜厚ｎｄ（５０［ｎｍ］、１５０［ｎｍ］、及び２５０［ｎｍ］）で設けられた場合の分光反射率特性を示すグラフである。 図１２は、（ａ）保護膜に接する層を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態、及び（ｂ）保護膜に接する層を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態を示す図である。 図１３は、保護膜の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とし、図１２（ａ）で示した形態で６層の誘電体多層膜を設けた場合における分光反射率を示すグラフである。 図１４は、保護膜の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とし、図１２（ｂ）で示した形態で５層の誘電体多層膜を設けた場合における分光反射率を示すグラフである。 図１５は、図１２（ａ）で示した形態において、保護膜の光学膜厚を５０［ｎｍ］とし、その上層の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が２００［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。 図１６は、図１２（ｂ）で示した形態において、保護膜の光学膜厚を５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が５０［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。 図１７は、図１２（ａ）で示した形態において、保護膜の光学膜厚を２５０［ｎｍ］とし、その上層の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が４００［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。 図１８は、図１２（ｂ）で示した形態において、保護膜の光学膜厚を２５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が２５０［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。 図１９は、（ａ）保護膜（ＭｇＦ２）に接する層を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態、及び（ｂ）保護膜に接する層を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態を示す図である。 図２０は、誘電体多層膜に対して斜め方向から光Ｌが入射する様子を示す図である。 図２１は、Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分に対する誘電体多層膜の反射率の例を示すグラフであり、アルミニウム基板上に第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２）を配置した場合を示している。 図２２は、Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分に対する誘電体多層膜の反射率の例を示すグラフであり、アルミニウム基板上に第１の層として高屈折率層（ＴｉＯ２）を配置した場合を示している。 図２３は、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２誘電体多層膜における分光反射特性を示すグラフであり、アルミニウム基板上に第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を配置した場合を示している。 図２４は、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２誘電体多層膜における分光反射特性を示すグラフであり、アルミニウム基板上に第１の層として高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を配置した場合を示している。 図２５は、アルミニウムミラーの分光反射率の測定結果を示すグラフである。 図２６は、アルミニウムミラーと接する第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２）を配置した場合について、アルミニウムミラー上に形成した誘電体多層膜の反射率を測定した結果（実線）、及びこの誘電体多層膜の反射率の計算結果（破線）を示すグラフである。 図２７は、アルミニウムミラーと接する第１の層として高屈折率層（ＴｉＯ２）を配置した場合について、アルミニウムミラー上に形成した誘電体多層膜の反射率を測定した結果（実線）、及びこの誘電体多層膜の反射率の計算結果（破線）を示すグラフである。
符号の説明
　１…反射型液晶装置、４…画素、１２…シリコン基板、１４…駆動回路層、１６…画素電極、１８，２８，５２…誘電体多層膜、１８ａ～１８ｄ，２８ａ～２８ｄ…低屈折率層、１８ｅ～１８ｈ，２８ｅ～２８ｈ…高屈折率層、２０…液晶層、２２…透明導電膜、２４…透明基板、３０…アルミニウム基板、３６，４６…保護膜、２８１…下層、２８２…上層。
　以下、添付図面を参照しながら本発明による反射型光変調装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
　（実施の形態）
　図１は、本発明に係る反射型光変調装置の一実施形態として、反射型液晶装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示した反射型液晶装置のII－II線に沿った側面断面図である。なお、図１及び図２には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系が示されている。本実施形態の反射型液晶装置１は、図１に示すように互いに直交する２軸（Ｘ軸およびＹ軸）に沿って二次元配列された複数の画素４を備えている。反射型液晶装置１は、前方（Ｚ軸正方向）より入射した光を反射しつつ、各画素４毎に入射光を変調して任意の光像を前方へ出力する装置である。
　図２を参照すると、反射型液晶装置１は、シリコン基板１２、駆動回路層１４、複数の画素電極１６、誘電体多層膜１８、液晶層２０、透明導電膜２２、及び透明基板２４を備えている。
　透明基板２４は、ＸＹ平面に沿った表面２４ａを有しており、該表面２４ａは反射型液晶装置１の表面１０ａを構成している。透明基板２４は、例えばガラスなどの光透過性材料を主に含んでおり、反射型液晶装置１の表面１０ａから入射した所定波長の光Ｌを、反射型液晶装置１の内部へ透過する。また、透明導電膜２２は、本実施形態における導電性光透過層である。透明導電膜２２は、透明基板２４の裏面２４ｂ上に形成されており、光Ｌを透過する導電性材料（例えばＩＴＯ）を主に含んで構成されている。
　複数の画素電極１６は、図１に示した複数の画素４の配列に従って二次元状に配列されており、透明導電膜２２に沿ってシリコン基板１２上に配列されている。各画素電極１６は、例えばアルミニウムといった金属材料からなり、それらの表面１６ａは平坦且つ滑らかに加工されている。複数の画素電極１６は、駆動回路層１４に設けられたアクティブ・マトリクス回路によって駆動される。アクティブ・マトリクス回路は、複数の画素電極１６とシリコン基板１２との間に設けられ、反射型液晶装置１から出力しようとする光像に応じて各画素電極１６への印加電圧を制御する。このようなアクティブ・マトリクス回路は、例えばＸ軸方向に並んだ各画素列の印加電圧を制御する第１のドライバ回路と、Ｙ軸方向に並んだ各画素列の印加電圧を制御する第２のドライバ回路とを有しており、双方のドライバ回路によって指定された画素４の画素電極１６に所定電圧が印加されるしくみになっている。
　液晶層２０は、本実施形態における光変調層である。液晶層２０は、複数の画素電極１６と透明導電膜２２との間に配置されており、各画素電極１６と透明導電膜２２とにより形成される電界に応じて光Ｌを変調する。すなわち、アクティブ・マトリクス回路によって或る画素電極１６に電圧が印加されると、透明導電膜２２と該画素電極１６との間に電界が形成される。この電界は、誘電体多層膜１８及び液晶層２０のそれぞれに対し、各々の厚さに応じた割合で印加される。そして、液晶層２０に印加された電界の大きさに応じて液晶分子２０ａの配列方向が変化する。光Ｌが透明基板２４及び透明導電膜２２を透過して液晶層２０に入射すると、この光Ｌは液晶層２０を通過する間に液晶分子２０ａによって変調され、誘電体多層膜１８において反射した後、再び液晶層２０により変調されてから取り出される。
　誘電体多層膜１８は、複数の画素電極１６と液晶層２０との間に配置されている。特に、本実施形態の誘電体多層膜１８は、複数の画素電極１６の表面１６ａ上に直接形成されている。誘電体多層膜１８は、画素電極１６の表面１６ａが有する光反射作用と協働して、光Ｌを例えば９９％超といった高い反射率で反射する。
　ここで、図３は、誘電体多層膜１８の構成を拡大して示す側面断面図である。図３に示すように、誘電体多層膜１８は、画素電極１６に接する層１８ａ（第１の層）を含む複数の低屈折率層１８ａ～１８ｄと、低屈折率層１８ａより屈折率が高く低屈折率層１８ａに接する層１８ｅ（第２の層）を含む複数の高屈折率層１８ｅ～１８ｈとを含んで構成されている。低屈折率層１８ａ～１８ｄ及び高屈折率層１８ｅ～１８ｈは、画素電極１６上において交互に積層されている。低屈折率層１８ａ～１８ｄの構成材料としては例えばＳｉＯ２、ＭｇＦ２が例示され、特にＳｉＯ２が主に含まれることが好ましい。また、高屈折率層１８ｅ～１８ｈの構成材料としては例えばＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２などが例示され、これらのうち少なくとも一種類の材料が含まれることが好ましい。
　なお、本実施形態では誘電体多層膜１８の積層数が８層（低屈折率層１８ａ～１８ｄ及び高屈折率層１８ｅ～１８ｈが各４層）の場合を示しているが、誘電体多層膜１８の積層数は２層以上（すなわち低屈折率層及び高屈折率層が各１層以上）、１０層以下（すなわち低屈折率層及び高屈折率層が各５層以下）であることが好ましい。また、誘電体多層膜の積層数は偶数に限定されることなく、奇数であってもよい。この場合、誘電体多層膜１８のうち最も液晶層２０側に位置する誘電体膜は、低屈折率層となる。以下の実施形態においても、誘電体多層膜１８の積層数は偶数又は奇数であるを問わないが、最も液晶層２０側に位置する誘電体膜は、高屈折率層とするのが好ましい。
　また、低屈折率層１８ａの光学膜厚（＝ｎ×ｄ、ｎは低屈折率層１８ａの屈折率、ｄは低屈折率層１８ａの物理膜厚）は、光Ｌの波長をλとして（λ／４）±３０％の範囲内に設定されることが好ましい。或いは、低屈折率層１８ａの光学膜厚は、（λ／４）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくなるように設定されてもよい。また、誘電体多層膜１８に対して光Ｌが斜め方向から入射する場合には、低屈折率層１８ａの光学膜厚は、低屈折率層１８ａの内部における光Ｌの入射角（すなわち、低屈折率層１８ａ中を光Ｌが進む方向と層厚方向との相対角度）をθとして（λ／４ｃｏｓθ）±３０％の範囲内に設定されることが好ましい。或いは、低屈折率層１８ａの光学膜厚は（λ／４ｃｏｓθ）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくなるように設定されてもよい。なお、低屈折率層１８ａの光学膜厚の好ましい値については、後述する実施例において詳細に述べる。
　以上に説明した本実施形態による反射型液晶装置１は、次の効果を有する。反射型液晶装置１においては、誘電体多層膜１８が金属製の複数の画素電極１６上に形成されているので、金属表面の高い反射率を利用して光Ｌに対する反射率を高めることができる。また、後述する実施例において示すように、金属表面に誘電体多層膜１８を形成する場合、低屈折率層（第１の層）１８ａをまず金属表面に形成し、次いで高屈折率層（第２の層）１８ｅをその上に積層することにより、高屈折率層から積層し始める場合と比較して格段に少ない積層数で十分な反射率が得られる。従って、本実施形態の反射型液晶装置１によれば、誘電体多層膜１８の物理膜厚を従来より薄くして液晶層２０への電界印加効率の低下を抑えることができるとともに、十分に高い反射率を実現して光の取り出し効率を高めることができる。
　（変形例）
　図４は、上記実施形態の変形例として、誘電体多層膜２８の構成を示す側面断面図である。上記実施形態に係る反射型液晶装置１は、図３に示した誘電体多層膜１８に代えて、図４に示す誘電体多層膜２８を備えても良い。
　図４を参照すると、誘電体多層膜２８は、画素電極１６に接する層２８ａ（第１の層）を含む複数の低屈折率層２８ａ～２８ｄと、低屈折率層２８ａより屈折率が高く低屈折率層２８ａに接する層２８ｅ（第２の層）を含む複数の高屈折率層２８ｅ～２８ｈとが交互に積層されて成る。なお、低屈折率層２８ａを除く低屈折率層２８ｂ～２８ｄ、及び高屈折率層２８ｅ～２８ｈの各構成材料は、図３に示した低屈折率層１８ａ～１８ｄ及び高屈折率層１８ｅ～１８ｈと同様である。
　本変形例の低屈折率層２８ａは、画素電極１６に接する下層２８１と、下層２８１と高屈折率層２８ｅとに挟まれた上層２８２とを有している。下層２８１及び上層２８２は同一の材料により構成されていてもよく、異なる材料により構成されていてもよい。下層２８１の構成材料としては例えばＳｉＯ２、ＭｇＦ２が例示され、これらのうち少なくとも一種類の材料が含まれる。上層２８２の構成材料は図３に示した低屈折率層１８ａ～１８ｄと同様であり、特にＳｉＯ２が主に含まれることが好ましい。
　本変形例の誘電体多層膜２８のような構成は、例えば画素電極１６の表面１６ａ上に絶縁性の保護膜が形成されている場合に適用されるとよい。すなわち、アルミニウムなどの金属からなる部品（本実施例では画素電極１６）の表面には、保護膜が施されている場合がある。このような保護膜は、殆どの場合において、低屈折率物質であるＳｉＯ２またはＭｇＦ２からなる。従って、誘電体多層膜２８を製造する際にこのような保護膜を画素電極１６の表面１６ａに残して下層２８１とし、その上にＳｉＯ２等の低屈折率物質を成膜して上層２８２とすることにより、本変形例に係る低屈折率層２８ａを好適に得ることができる。このように、画素電極１６の表面１６ａに形成された保護膜を低屈折率層２８ａの一部（下層２８１）として利用してもよい。このような構成であっても、上記実施形態の反射型液晶装置１と同等の効果を好適に得ることができる。
　なお、本変形例においても、誘電体多層膜２８の積層数は、低屈折率層２８ａを一層と数えて２層以上１０層以下であることが好ましい。また、低屈折率層２８ａの光学膜厚（すなわち下層２８１の光学膜厚と上層２８２の光学膜厚との和）は、光Ｌの波長をλとして（λ／４）±３０％の範囲内に設定されることが好ましく、（λ／４）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくなるように設定されてもよい。誘電体多層膜２８に対して光Ｌが斜め方向から入射する場合、低屈折率層２８ａの光学膜厚は、低屈折率層２８ａにおける光Ｌの入射角をθとして（λ／４ｃｏｓθ）±３０％の範囲内に設定されることが好ましく、（λ／４ｃｏｓθ）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくなるように設定されてもよい。
　（実施例１）
　＜アルミニウム上の誘電体多層膜の反射率＞
　アルミニウム基板上に誘電体多層膜を形成した場合の分光反射率を調べた。誘電体多層膜の構成材料は、低屈折率層をＳｉＯ２とし、高屈折率層をＴｉＯ２とした。そして、入射光の波長をλ＝６００［ｎｍ］と想定し、各層の光学膜厚を１５０［ｎｍ］（すなわちλ／４）とした。誘電体多層膜の積層形態としては、図５（ａ）に示すようにアルミニウム基板３０に接する第１の層３２を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態Ａ、及び図５（ｂ）に示すようにアルミニウム基板３０に接する第１の層４２を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態Ｂがある。
　図６は、アルミニウム基板の表面に誘電体多層膜を設けない場合の分光反射率を示すグラフである。図７は、図５（ａ）に示した形態Ａにおいて、誘電体多層膜の積層数を２層、４層、６層、及び１０層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。図８は、形態Ａにおいて、積層数を４層、６層、１０層、及び１４層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。図９は、図５（ｂ）に示した形態Ｂにおいて、誘電体多層膜の積層数を３層、５層、７層、及び９層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。図１０は、形態Ｂにおいて、積層数を５層、９層、１５層、及び２１層とした各場合における分光反射率を示すグラフである。
　図５（ａ）に示した形態Ａにおいては、図７に示すように、積層数を２層（すなわちＳｉＯ２低屈折率層とＴｉＯ２高屈折率層とを各１層ずつ）とした場合における波長６００［ｎｍ］での反射率が９５％を超えており、アルミニウム基板（図６参照）の反射率より大きいことがわかる。そして、図７及び図８に示すように、積層数を６層（ＳｉＯ２低屈折率層とＴｉＯ２高屈折率層とを各３層ずつ）とした場合に波長６００［ｎｍ］での反射率は９９％を超え、積層数を１０層（ＳｉＯ２低屈折率層とＴｉＯ２高屈折率層とを各５層ずつ）とした場合に９９．８％となった。
　これに対し、図５（ｂ）に示した形態Ｂにおいては、図９及び図１０に示すように、入射光の波長６００［ｎｍ］の近傍の波長において反射率が低下する現象が現れた。この反射率の低下度合いは、積層数が２１層以上の場合には軽減されるが、１０層未満といった少ない積層数の場合には、所望の波長での反射率が十分に得られないこととなる。
　また、下の表１は、形態Ａ，Ｂそれぞれにおける、誘電体多層膜の積層数、反射率、及び厚さ（物理膜厚）を纏めた表である。なお、表１中における太字は、反射型液晶装置において好ましい数値であることを示している。表１に示されるように、形態Ｂにおいて積層数を１１層以上とすれば反射率が９９％以上となり、１５層以上とすれば反射率が９９．８％以上となる。このように、形態Ｂであっても積層数を多くすれば反射型液晶装置において十分な反射率が得られることがわかる。しかし、積層数を１１層以上とすると厚さが０．９［μｍ］を超え、１５層以上とすると厚さが１．２［μｍ］を超えてしまう。このように誘電体多層膜が厚くなると、前述したように液晶層（光変調層）への電界印加効率が低下し、好ましくない。これに対し、形態Ａにおいては積層数が僅か６層の場合でも反射率が９９％以上となり、１０層とした時点で反射率が９９．８％以上となる。これらの場合、積層数６層では厚さが約０．５［μｍ］、１０層では厚さが約０．８［μｍ］となり、形態Ｂと比較して誘電体多層膜を極めて薄く構成できることがわかる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上のことから、アルミニウム基板上に誘電体多層膜を形成すれば、１０層以下といった少ない積層数で高い反射率を実現できることが示された。但し、好ましい反射特性により所定波長の光に対する反射率を高めるためには、形態Ａのように先ず第１の層３２として低屈折率層をアルミニウム基板３０の表面に形成し、次いで第２の層３４として高屈折率層をその上に積層するとよい。これにより、形態Ｂのように高屈折率層から積層し始める場合と比較して、格段に少ない積層数で十分な反射率が得られるので、光変調層への電界印加効率の低下を効果的に抑えることができる。
　（実施例２）
　＜アルミニウムの表面に保護膜が施されている場合＞
　アルミニウム表面に保護膜が施されている場合について述べる。保護膜の構成材料の多くは低屈折率物質であるＳｉＯ２やＭｇＦ２である。図１１は、アルミニウム基板の表面にＳｉＯ２膜が様々な光学膜厚ｎｄ（５０［ｎｍ］、１５０［ｎｍ］、及び２５０［ｎｍ］）で設けられた場合の分光反射率特性を示すグラフである。図１１を参照すると、光学膜厚ｎｄの４倍となる波長では、アルミニウム基板上にＳｉＯ２膜を設けた場合の反射率は、ＳｉＯ２膜による反射低減作用により、アルミニウム表面の反射率と比較して減少している。一方、光学膜厚ｎｄの２倍となる波長ではＳｉＯ２膜は反射率には殆ど影響しておらず、アルミニウム基板上にＳｉＯ２膜を設けた場合の反射率はアルミニウム表面の反射率と等しくなる。例えば、図１１において、光学膜厚ｎｄが２５０［ｎｍ］であるときの波長５００［ｎｍ］における反射率は、アルミニウム表面の反射率と等しくなっている。従って、保護膜の光学膜厚は、反射率の低下を防ぐため使用波長の１／２とされることが一般的である。
　ここで、アルミニウム基板の保護膜の上に誘電体多層膜を形成する場合を考える。この場合、保護膜を誘電体多層膜の構成の一部として考慮するとよい。この場合における誘電体多層膜の積層形態としては、図１２（ａ）に示すように保護膜３６に接する層３８を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態Ｃ、及び図１２（ｂ）に示すように保護膜３６に接する層４４を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態Ｄがある。形態Ｃにおいては保護膜３６及び層３８によってアルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）が構成され、形態Ｄにおいては保護膜３６のみによってアルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）が構成される。
　図１３は、保護膜３６の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とし、形態Ｃで６層の誘電体多層膜を設けた場合における分光反射率を示すグラフである。また、図１４は、保護膜３６の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とし、形態Ｄで５層の誘電体多層膜を設けた場合における分光反射率を示すグラフである。なお、図１３及び図１４においては、入射光の波長を６００［ｎｍ］と想定し、誘電体多層膜を構成する各層の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とした。
　本実施例のようにアルミニウム基板３０上に光学膜厚λ／４の保護膜３６が設けられている場合、図１３，図１４に示すように、高屈折率膜（ＴｉＯ２）から積層し始めた形態Ｄ（図１２（ｂ）参照）のほうが、低屈折率膜（ＳｉＯ２）から積層し始めた形態Ｃ（図１２（ａ）参照）よりも分光反射特性が良好となり、入射光の波長λ＝６００［ｎｍ］における反射率が高くなった。
　形態Ｃの場合、保護膜３６及び層３８によって低屈折率層（第１の層）が構成されるが、保護膜３６及び層３８の光学膜厚がそれぞれλ／４であることから、第１の層の光学膜厚がλ／２（３００［ｎｍ］）となってしまい、保護膜３６及び層３８は反射率には殆ど影響しない。従って、形態Ｃの分光反射特性は、アルミニウム基板に接する第１の層が高屈折率膜である形態Ｂ（図５（ｂ）参照）と実質的に同様となり、図１３のような特性となったものと考えられる。
　図１５は、本実施例の形態Ｃにおいて、保護膜３６の光学膜厚を５０［ｎｍ］とし、層３８の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が２００［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。また、図１６は、本実施例の形態Ｄにおいて、保護膜３６の光学膜厚を５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が５０［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。また、図１７は、形態Ｃにおいて、保護膜３６の光学膜厚を２５０［ｎｍ］とし、層３８の光学膜厚を１５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が４００［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。また、図１８は、形態Ｄにおいて、保護膜３６の光学膜厚を２５０［ｎｍ］とした場合（すなわち、第１の層である低屈折率層の光学膜厚が２５０［ｎｍ］である場合）の分光反射率を示すグラフである。
　また、次の表２は、第１の層である低屈折率層の光学膜厚、λ／４または３λ／４（λ＝６００［ｎｍ］）に対する光学膜厚のずれ、波長λでの反射率、及び反射型光変調装置に採用する際の反射率の適否を示す表である。なお、この表２においては、反射率９９％以上を好適（○）と判定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図１３～図１８及び表２に示されるように、第１の層である低屈折率層の光学膜厚がλ／４のとき（本実施例では１５０［ｎｍ］）、または３λ／４のとき(本実施例では４５０［ｎｍ］)に、最も大きな反射率が得られることがわかる。また、低屈折率層の光学膜厚がλ／４から僅かにずれていても、反射型光変調装置において十分な反射率が得られることがわかる。
　ここで表３～表５は、入射光の波長λが１５５０［ｎｍ］、１２００［ｎｍ］、１０００［ｎｍ］、８００［ｎｍ］、６００［ｎｍ］、及び４００［ｎｍ］の各場合における、第１の層である低屈折率層の光学膜厚、λ／４に対する光学膜厚のずれ、及び波長λでの反射率を示す表である。なお、表３～表５中における太字は、反射型液晶装置において好ましい数値であることを示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　低屈折率層及びアルミニウム基板表面の屈折率には波長分散が存在するので、表３～表５に示したように、反射率の値は各波長毎に異なる値を示す。しかし、何れの波長においても、低屈折率層（第１の層）の光学膜厚がλ／４に対して±３０％の範囲内であれば、反射型液晶装置において十分な反射率が得られることがわかる。
　次に、保護膜がＭｇＦ２からなる場合について調べた結果を示す。この場合、図１９（ａ）に示すように保護膜４６（ＭｇＦ２）に接する層４８を低屈折率膜（ＳｉＯ２）とする形態Ｅ、及び図１９（ｂ）に示すように保護膜４６に接する層５０を高屈折率膜（ＴｉＯ２）とする形態Ｆがある。形態Ｅにおいては保護膜４６及び層４８によってアルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）が構成され、形態Ｆにおいては保護膜４６のみによってアルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）が構成される。表６は、保護膜４６及び層４８の光学膜厚を様々に設定した場合における、第１の層である低屈折率層の光学膜厚、λ／４または３λ／４（λ＝６００［ｎｍ］）に対する光学膜厚のずれ、波長λでの反射率、及び反射型光変調装置に採用する際の反射率の適否を示している。なお、この表６においても、反射率９９％以上を好適（○）と判定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表６に示すように、保護膜４６（ＭｇＦ２）と層４８（ＳｉＯ２）とを一つの低屈折率層（第１の層）として評価すると、前述した表２とほぼ同様の結果が得られた。また、６００［ｎｍ］以外の波長をλとして設計した場合でも、保護膜４６（ＭｇＦ２）及び層４８（ＳｉＯ２）の光学膜厚の和がλ／４に対して±３０％の範囲内であれば、反射型液晶装置にとって十分な反射率が得られた。
　すなわち、本実施例の結果によれば、アルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）に保護膜を含め、この第１の層の光学膜厚がλ／４×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しければ、反射型光変調装置にとって十分な反射率が得られることが示された。また、第１の層の光学膜厚がλ／４に対して±３０％の範囲内であっても、反射型光変調装置にとって十分な反射率が得られることが示された。
　なお、保護膜の構成材料としてはＳｉ３Ｎ４も考えられる。Ｓｉ３Ｎ４は、その屈折率が２．０～２．１であり、誘電体多層膜においては高屈折率物質に分類される。これまで述べてきたようにアルミニウム基板の直上には低屈折率層が配置されることが好ましいが、Ｓｉ３Ｎ４といった高屈折率の保護膜が既に設けられている場合には、保護膜の上に先ず高屈折率層を形成し、この高屈折率層および保護膜からなる層（第３の層）の光学膜厚をλ／２×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しくすることで、反射率への影響を極めて小さくすることができる。従って、この高屈折率の第３の層上に低屈折率層（第１の層）から始まる誘電体多層膜を形成することにより、実質的に形態Ａ（図５（ａ）参照）と同様の反射特性を実現することができる。
　（実施例３）
　＜誘電体多層膜に対して光が斜め方向から入射する場合＞
　次に、誘電体多層膜への光の入射角による反射率への影響について説明する。或る層へ入射角θで入射する光が当該層を進む光学的距離は、当該層の厚さ方向の光学膜厚をｃｏｓθで乗ずることにより求められる。また、屈折率が異なる媒質同士の界面における各媒質の屈折率ｎ１及びｎ２と光の入射角θ１及び屈折角θ２との間には、次の数式（１）（スネルの法則）が成立する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
　図２０に示すように、誘電体多層膜５２の表面に接する媒質の屈折率をｎ０、誘電体多層膜５２の表面５２ａへの光Ｌの入射角をθ０、基板の屈折率をｎｓｕｂ、基板への光Ｌの入射角をθｓｕｂとすると、誘電体多層膜５２内の表面からｉ番目の層の屈折率ｎｉとその入射角（屈折角）θｉとの関係は、上述したスネルの法則を適用して、次の数式（２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 と表すことができる。従って、式（２）により、誘電体多層膜５２内の各層内における光の進行方向の傾きを求めることができる。
　以上のことから、斜入射用の誘電体多層膜を設計する場合には、入射角ゼロの場合の光学膜厚をｃｏｓθｉで除した値を新たに光学膜厚とするとよい。従って、前述した実施例２の結果に適用すると、アルミニウム基板に接する低屈折率層（第１の層）の光学膜厚は、（λ／４ｃｏｓθｉ）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことが好ましく、または（λ／４ｃｏｓθｉ）±３０％の範囲内であることが好ましい。そして、このθｉは、次の数式（３）によって求められる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
　具体的な数値例を示す。例えば、ＴｉＯ２高屈折率層とＳｉＯ２低屈折率層とが交互に積層された誘電体多層膜に入射角４５°で光が入射すると、ＴｉＯ２高屈折率層内の入射角（屈折角）θＴｉＯ２は、次の数式（４）に示す値となる。なお、数式（４）においては、ＴｉＯ２の屈折率ｎＴｉＯ２を２．２７としている。また、誘電体多層膜の表面に接する媒質を大気（ｎ０＝１）としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
　同様に、ＳｉＯ２低屈折率層内の入射角（屈折角）θＳｉＯ２は、次の数式（５）に示す値となる。数式（５）においては、ＳｉＯ２の屈折率ｎＳｉＯ２を１．４６としている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
　従って、ＴｉＯ２高屈折率層及びＳｉＯ２低屈折率層の各光学膜厚にそれぞれｃｏｓ（１８．１°）、ｃｏｓ（２９．０°）を乗じた結果が１５０［ｎｍ］となるようにすれば、波長λ＝６００［ｎｍ］における４５°入射用の誘電体多層膜を好適に実現できる。すなわち、ＴｉＯ２高屈折率層の光学膜厚ｎｄを、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 ＳｉＯ２低屈折率層の光学膜厚ｎｄを、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
 とするとよい。このように、斜め方向からの入射に対応させる場合についても、光学膜厚ｎｄ＝λ／４を基準として、入射角に応じて各層の光学膜厚を補正すれば、斜入射用の誘電体多層膜を好適に実現できる。
　なお、斜入射の場合、光のＳ偏光成分およびＰ偏光成分に対する屈折率ｎＳ及びｎＰは、層内の屈折率をｎ、層内の入射角（屈折角）をθとして、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
 となる。このように、各偏光成分によって層内における屈折率が異なるので、誘電体多層膜による反射率も異なる。図２１及び２２は、Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分に対する誘電体多層膜の反射率の例を示すグラフである。なお、図２１はアルミニウム基板上に第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２）を配置した場合（図５（ａ）参照）を示しており、図２２はアルミニウム基板上に第１の層として高屈折率層（ＴｉＯ２）を配置した場合（図５（ｂ）参照）を示している。
　（実施例４）
　＜高屈折率層に様々な材料を用いた場合＞
　高屈折率層の好適な構成材料としては、ＴｉＯ２の他に、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２などがある。屈折率の値がそれぞれ異なるため誘電体多層膜の反射率の値も異なってくるが、いずれの材料を用いてもＴｉＯ２を用いた場合と同様の傾向がある。図２３及び図２４は、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２誘電体多層膜における分光反射特性を示すグラフである。図２３はアルミニウム基板上に第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を配置した場合を示しており、図２４はアルミニウム基板上に第１の層として高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を配置した場合を示している。これらの図に示すように、高屈折率層の構成材料をＮｂ２Ｏ５とした場合でも、低屈折率層（第１の層）をまず金属表面に形成し、次いで高屈折率層（第２の層）をその上に積層することにより、高屈折率層から積層し始める場合と比較して格段に少ない積層数で十分な反射率が得られることがわかる。
　（実施例５）
　＜実験による実証＞
　市販の金属アルミニウムミラー上に、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２交互多層膜を真空蒸着法により成膜した。市販のアルミニウムミラーには、保護膜として光学膜厚２８０［ｎｍ］のＭｇＦ２膜が形成されている。図２５は、このアルミニウムミラーの分光反射率の測定結果を示すグラフである。なお、図２５には、比較のため、保護膜のないアルミニウム表面の反射率の計算値も破線で示されている。
　そして、このアルミニウムミラーの表面に誘電体多層膜を形成した。積層の形態としては、アルミニウムミラーに接する第１の層として低屈折率層（ＳｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を形成し、その上に高屈折率層（ＴｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）及び低屈折率層（ＳｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を交互に積層し、積層数を４層とした。図２６に示す実線は、この誘電体多層膜の反射率を測定した結果を示すグラフである。また、図２６に示す破線は、この誘電体多層膜の反射率の計算結果を示すグラフである。図２６に示すように、反射率の実測値と計算値とがほぼ一致する結果となった。
　また、比較例として、アルミニウムミラーに接する第１の層として高屈折率層（ＴｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を形成し、その上に低屈折率層（ＳｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）及び高屈折率層（ＴｉＯ２、光学膜厚１５０［ｎｍ］）を交互に積層し、積層数を５層とした。図２７に示す実線は、この誘電体多層膜の反射率を測定した結果を示すグラフである。また、図２７に示す破線は、この誘電体多層膜の反射率の計算結果を示すグラフである。図２７に示すように、こちらの形態においても反射率の実測値と計算値とがほぼ一致する結果となった。
　本発明による反射型光変調装置は、上記した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では誘電体多層膜の低屈折率層の構成材料としてＳｉＯ２およびＭｇＦ２を例示したが、低屈折率層の構成材料は、屈折率が１．３５～１．７５、より好ましくは１．３５～１．５０の誘電体であれば他の材料であってもよい。また、上記実施形態では誘電体多層膜の高屈折率層の構成材料としてＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、及びＨｆＯ２を例示したが、高屈折率層の構成材料は、屈折率が１．７５～２．５０、より好ましくは１．９０～２．５０の誘電体であれば他の材料であってもよい。
　ここで、上記実施形態による反射型光変調装置では、前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、複数の画素電極と導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて光を変調する光変調層と、複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜とを備え、誘電体多層膜は、画素電極に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含む構成を用いている。
　また、反射型光変調装置は、第１の層の光学膜厚が、光の波長をλとして（λ／４）±３０％の範囲内であることを特徴としてもよい。或いは、反射型光変調装置は、第１の層の光学膜厚が、光の波長をλとして（λ／４）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴としてもよい。これらのうち何れかの構成により、所定波長の光に対して高い反射率を好適に実現できる。
　また、反射型光変調装置は、第１の層の光学膜厚が、第１の層の内部における光の入射角をθ、光の波長をλとして（λ／４ｃｏｓθ）±３０％の範囲内であることを特徴としてもよい。或いは、反射型光変調装置は、第１の層の光学膜厚が、第１の層の内部における光の入射角をθ、光の波長をλとして（λ／４ｃｏｓθ）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴としてもよい。これらのうち何れかの構成により、斜め方向から誘電体多層膜に入射した光に対しても高い反射率を好適に実現できる。
　また、反射型光変調装置は、誘電体多層膜が、第１の層を含む複数の低屈折率層と、第２の層を含み複数の低屈折率層より屈折率が高い複数の高屈折率層とが交互に積層されて成り、複数の低屈折率層の層数と複数の高屈折率層の層数との和が１０層以下であることを特徴としてもよい。先に述べたように、一般的な反射型光変調装置における誘電体多層膜の積層数は１３層以上を必要とする。これに対し、上記した反射型光変調装置によれば、１０層以下といった少ない積層数でも十分に高い反射率を実現できるので、光変調層への電界印加効率の低下を効果的に抑えることができる。
　また、反射型光変調装置は、第１の層がＳｉＯ２を含み、第２の層がＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、及びＨｆＯ２のうち少なくとも一種類の材料を含むことを特徴としてもよい。これにより、第１の層、及び第１の層より屈折率が高い第２の層を含む誘電体多層膜を好適に構成できる。
　また、反射型光変調装置は、第１の層が、画素電極に接する下層と、下層と第２の層とに挟まれた上層とを有し、上層がＳｉＯ２を含み、下層がＳｉＯ２及びＭｇＦ２のうち少なくとも一種類の材料を含むことを特徴としてもよい。画素電極の表面には保護膜としてＳｉＯ２膜或いはＭｇＦ２膜が形成されている場合があり、この保護膜を第１の層の一部（下層）として利用してもよい。このような構成であっても、上記した反射型光変調装置による効果を好適に得ることができる。
　あるいは、反射型光変調装置では、前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、複数の画素電極と導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて光を変調する光変調層と、複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜とを備え、誘電体多層膜は、画素電極に接する第３の層と、第３の層より屈折率が低く第３の層に接する第１の層と、第１の層より屈折率が高く第１の層に接する第２の層とを含み、第３の層の光学膜厚が、光の波長をλとして（λ／２）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しい構成を用いても良い。
　本発明は、光変調層への電界印加効率の低下を抑えつつ光取り出し効率を高めることが可能な反射型光変調装置として利用可能である。

Claims (9)

  1. 　前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に前記光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、
    　前記光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、
    　前記導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、
    　前記複数の画素電極と前記導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて前記光を変調する光変調層と、
    　前記複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜と
    　を備え、
    　前記誘電体多層膜は、
    　前記画素電極に接する第１の層と、
    　前記第１の層より屈折率が高く前記第１の層に接する第２の層と
    　を含むことを特徴とする、反射型光変調装置。
  2. 　前記第１の層の光学膜厚が、前記光の波長をλとして（λ／４）±３０％の範囲内であることを特徴とする、請求項１に記載の反射型光変調装置。
  3. 　前記第１の層の光学膜厚が、前記光の波長をλとして（λ／４）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴とする、請求項１に記載の反射型光変調装置。
  4. 　前記第１の層の光学膜厚が、前記第１の層の内部における前記光の入射角をθ、前記光の波長をλとして（λ／４ｃｏｓθ）±３０％の範囲内であることを特徴とする、請求項１に記載の反射型光変調装置。
  5. 　前記第１の層の光学膜厚が、前記第１の層の内部における前記光の入射角をθ、前記光の波長をλとして（λ／４ｃｏｓθ）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴とする、請求項１に記載の反射型光変調装置。
  6. 　前記誘電体多層膜は、前記第１の層を含む複数の低屈折率層と、前記第２の層を含み前記複数の低屈折率層より屈折率が高い複数の高屈折率層とが交互に積層されて成り、
    　前記複数の低屈折率層の層数と前記複数の高屈折率層の層数との和が１０層以下であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の反射型光変調装置。
  7. 　前記第１の層がＳｉＯ２を含み、前記第２の層がＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、及びＨｆＯ２のうち少なくとも一種類の材料を含むことを特徴とする、請求項１～６のいずれか一項に記載の反射型光変調装置。
  8. 　前記第１の層が、
    　前記画素電極に接する下層と、
    　前記下層と前記第２の層とに挟まれた上層と
    　を有し、
    　前記上層がＳｉＯ２を含み、
    　前記下層がＳｉＯ２及びＭｇＦ２のうち少なくとも一種類の材料を含むことを特徴とする、請求項１～７のいずれか一項に記載の反射型光変調装置。
  9. 　前方より入射した光を反射しつつ、二次元配列された複数の画素毎に前記光を変調して光像を前方へ出力する反射型光変調装置であって、
    　前記光を透過する導電性材料を含む導電性光透過層と、
    　前記導電性光透過層に沿って二次元配列された金属製の複数の画素電極と、
    　前記複数の画素電極と前記導電性光透過層との間に配置され、各画素電極及び導電性光透過層により形成される電界に応じて前記光を変調する光変調層と、
    　前記複数の画素電極上に形成された誘電体多層膜と
    　を備え、
    　前記誘電体多層膜は、
    　前記画素電極に接する第３の層と、
    　前記第３の層より屈折率が低く前記第３の層に接する第１の層と、
    　前記第１の層より屈折率が高く前記第１の層に接する第２の層と
    　を含み、
    　前記第３の層の光学膜厚が、前記光の波長をλとして（λ／２）×ｎ（ｎは奇数）と実質的に等しいことを特徴とする、反射型光変調装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014092192A1 (ja) * 2012-12-14 2014-06-19 富士フイルム株式会社 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077195A1 (ja) * 2011-11-22 2013-05-30 シャープ株式会社 アクティブマトリックス基板
CN105849628A (zh) * 2016-03-23 2016-08-10 香港应用科技研究院有限公司 用于全息透视显示器的相位调制器
KR102063202B1 (ko) * 2017-06-01 2020-02-11 삼성에스디아이 주식회사 편광판 및 이를 포함하는 액정표시장치
US11604308B2 (en) 2017-06-01 2023-03-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Polarizing plate and liquid crystal display device including same
CN108153092A (zh) * 2018-01-03 2018-06-12 京东方科技集团股份有限公司 反射型光调制装置、投影仪及ar/vr显示器
CN108319064A (zh) * 2018-02-06 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
JP7144188B2 (ja) * 2018-05-15 2022-09-29 浜松ホトニクス株式会社 反射型動的メタサーフェス
JP7226993B2 (ja) 2018-12-28 2023-02-21 浜松ホトニクス株式会社 光変調器及びその製造方法
CN110596929A (zh) * 2019-08-29 2019-12-20 深圳市科创数字显示技术有限公司 硅基液晶器件及其制作方法与波长选择开关
CN112925140A (zh) * 2021-01-27 2021-06-08 豪威半导体（上海）有限责任公司 Lcos显示器及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0264602A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Hoya Corp 多層膜裏面反射鏡
JPH1010569A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Pioneer Electron Corp 反射型液晶表示装置
JPH112707A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Sharp Corp 銀の増反射膜及びそれを用いた反射型液晶表示装置
JPH11344726A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0264602A (ja) * 1988-08-31 1990-03-05 Hoya Corp 多層膜裏面反射鏡
JPH1010569A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Pioneer Electron Corp 反射型液晶表示装置
JPH112707A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Sharp Corp 銀の増反射膜及びそれを用いた反射型液晶表示装置
JPH11344726A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び電子機器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014092192A1 (ja) * 2012-12-14 2014-06-19 富士フイルム株式会社 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ
JP2014135484A (ja) * 2012-12-14 2014-07-24 Fujifilm Corp 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ

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