WO2013077195A1 - アクティブマトリックス基板 - Google Patents

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WO2013077195A1
WO2013077195A1 PCT/JP2012/079010 JP2012079010W WO2013077195A1 WO 2013077195 A1 WO2013077195 A1 WO 2013077195A1 JP 2012079010 W JP2012079010 W JP 2012079010W WO 2013077195 A1 WO2013077195 A1 WO 2013077195A1
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insulating
film
insulating layer
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隆裕 中原
寿史 渡辺
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シャープ株式会社
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Definitions

  • the present invention relates to a lateral electric field type active matrix substrate used for a liquid crystal display device or the like.
  • FFS method horizontal electric field type liquid crystal using a fringe electric field switching method
  • Patent Document 1 discloses a reflective lateral electric field type liquid crystal display device using the FFS method.
  • FIG. 15 is a diagram showing a schematic configuration of a reflective lateral electric field type liquid crystal display device using the FFS method described in Patent Document 1.
  • FIG. 15 is a diagram showing a schematic configuration of a reflective lateral electric field type liquid crystal display device using the FFS method described in Patent Document 1.
  • the horizontal electric field type liquid crystal display device includes a first substrate 101, a second substrate 102, and a liquid crystal layer 103 sandwiched between the first substrate 101 and the second substrate 102. It becomes the composition.
  • An alignment film 104 is provided on the surface of the first substrate 101 that is in contact with the liquid crystal layer 103, while the surface of the second substrate 102 that is in contact with the liquid crystal layer 103 is entirely covered with the first film 101.
  • the two electrodes 107 and the insulating film 108 are sequentially stacked.
  • On the insulating film 108 a plurality of linear first electrodes 106 having a predetermined width W1 are provided at intervals L1, and the first electrode 106 and the insulating film 108 are provided.
  • An alignment film 105 is provided so as to cover the surface.
  • the incident light 109 is reflected by the second electrode 107 in the interval L1 between the first electrodes 106 as shown in the figure. It has become.
  • the incident light 109 is reflected by the first electrode 106 in the region where the first electrode 106 is formed, and the first electrode 106 is a transparent electrode.
  • the incident light 109 is reflected by the second electrode 107 which is a lower layer and a reflective electrode.
  • Patent Document 1 describes that a high-quality display image can be realized by a reflective lateral electric field type liquid crystal display device using the FFS method.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2001-330844 (published on November 30, 2001)”
  • a single layer silicon oxide film for example, SiO 2
  • a single layer silicon is used as the insulating film 108.
  • a nitride film for example, SiN x
  • sufficient reflectivity cannot be obtained with such an insulating film 108.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an active matrix substrate that can reflect incident light with a higher reflectance than that of a reflective electrode. .
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • An active matrix substrate to which a lateral electric field is applied is provided between the first electrode and the second electrode, and the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity.
  • the second electrode is formed of a conductive material, and the first insulating layer has a refractive index different from each other and is formed of two layers provided so as to be in contact with each other. One or more layers, and the insulating layer in the first reflective reflection layer. On the plate, the refractive index of the first layer that transmits visible light is lower layer, and being smaller than the refractive index of the second layer that transmits visible light is the upper layer.
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • a second insulating layer is formed at least on the formation region of the second electrode, and the second insulating layer has a refractive index different from each other and is in contact with each other.
  • One or more second enhanced reflection layers comprising two layers provided
  • the refractive index of the third layer that transmits visible light as the lower layer is the refractive index of the fourth layer that transmits visible light as the upper layer on the insulating substrate in the second reflective layer. It is characterized by being smaller.
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • An active matrix substrate to which a lateral electric field is applied is provided between the first electrode and the second electrode, and the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity.
  • the second electrode has conductivity and is formed of a material that transmits visible light, and a third insulating layer that transmits visible light is provided above or below the second electrode.
  • the third insulating layer includes a layer in contact with the second electrode; Forming the second electrode on the insulating substrate, comprising a laminated film of one or more third reflective layers composed of two layers having different refractive indexes and in contact with each other.
  • a material in which the refractive index of the second electrode forming layer is larger than the refractive index of the layer in contact with the second electrode of the third insulating layer and when the third insulating layer is formed on the second electrode forming layer on the insulating substrate, the refractive index of the layer in contact with the second electrode of the third insulating layer Is formed of a material having a refractive index higher than that of the second electrode forming layer.
  • the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity
  • the second electrode is formed of a material having conductivity.
  • the insulating layer 1 includes at least one first increasing reflection layer having two refractive indexes different from each other and provided so as to be in contact with each other.
  • the refractive index of the first layer that transmits visible light as the lower layer is smaller than the refractive index of the second layer that transmits visible light as the upper layer.
  • the first electrode and the second electrode are formed of a material having conductivity and reflectivity, and at least on the formation region of the second electrode.
  • the second insulating layer is formed, and the second insulating layer has a second reflection-enhancing layer made of two layers having different refractive indexes and in contact with each other.
  • the refractive index of the third layer that transmits visible light, which is the lower layer, of the second increased reflection layer on the insulating substrate is that of the fourth layer that transmits visible light that is the upper layer.
  • the structure is smaller than the refractive index.
  • the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity
  • the second electrode is conductive and transmits visible light.
  • a third insulating layer that transmits visible light is provided in an upper layer or a lower layer of the second electrode, and the third insulating layer is in contact with the second electrode.
  • a laminated film of a layer and one or more third reflective layers made of two layers having different refractive indexes and in contact with each other.
  • the second layer When the electrode forming layer is formed on the third insulating layer, the refractive index of the second electrode forming layer is higher than the refractive index of the layer of the third insulating layer in contact with the second electrode.
  • the refractive index of the layer in contact with the second electrode of the third insulating layer is such that the second electrode forming layer has a refractive index. It is the structure formed with the material which becomes larger than the refractive index of this.
  • FIG. 1 shows schematic structure of the reflection type horizontal electric field type
  • FIG. 3 It is a figure which shows schematic structure of the horizontal electric field type liquid crystal display device of other one Embodiment of this invention. It is sectional drawing of the 2nd insulating layer provided with the some 2nd reflection reflection film layer which can be used for the horizontal electric field type liquid crystal display device of other one Embodiment of this invention.
  • the present invention includes a first insulating layer including the first first reflective reflection film layer illustrated in FIG. 3 and a second insulating layer including the first second reflective reflection film layer. It is a figure which shows schematic structure of the horizontal electric field type liquid crystal display device of other one Embodiment.
  • Is a diagram illustrating an example of a horizontal electric field type liquid crystal display device to another exemplary embodiment of the present invention that the insulating layer made of SiO 2 film is a single layer is provided. It is a figure which shows schematic structure of the horizontal electric field type liquid crystal display device of another one Embodiment of this invention. It is a figure which shows the structure of the layer provided with the 3rd increased reflection film layer which can be used for the horizontal electric field type liquid crystal display device shown in FIG.
  • a lateral electric field type according to still another embodiment of the present invention, comprising a third enhanced reflection film layer comprising an insulating layer formed of an SiO 2 film and a second electrode formed of an ITO film It is a figure which shows an example of a liquid crystal display device.
  • FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of a first reflective reflection film layer and a third reflective reflection film layer formed on a first electrode made of Al in the horizontal electric field type liquid crystal display device shown in FIG. 11. .
  • an insulating layer made of SiO 2 film is a single layer, and a second electrode formed in ITO
  • an example of a conventional IPS type liquid crystal display device provided with a fourth reflection enhancing layer consisting of a is there.
  • FIG. 1 shows schematic structure of the horizontal electric field type liquid crystal display device of further another embodiment of this invention provided with the scattering layer.
  • FIG. 1 a first embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 4 and Tables 1 to 4.
  • FIG. 1 is a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a reflective lateral electric field type liquid crystal display device 1 using the FFS method.
  • the liquid crystal display device 1 includes an insulating substrate 2, a counter substrate 3, and a liquid crystal layer 15 sandwiched between the insulating substrate 2 and the counter substrate 3. .
  • the first electrode 4 On the insulating substrate 2, the first electrode 4, the first insulating layer 5 formed so as to cover the first electrode 4, and a plurality of second electrodes formed on the first insulating layer 5 2 electrodes 6 are provided.
  • Each of the second electrodes 6 is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at predetermined intervals. Between the first electrode 4 and the second electrode 6, An electric field is applied.
  • TFT element thin film transistor element
  • the insulating substrate 2 provided with such layers and TFT elements is an active matrix substrate.
  • the surface of the counter substrate 3 on the side in contact with the liquid crystal layer 15 is provided with a black matrix layer, a color filter layer, an alignment film, and the like (not shown).
  • the insulating substrate 2 and the counter substrate 3 are not particularly limited as long as they are made of a highly transparent material, but in the present embodiment, a glass substrate is used.
  • the first electrode 4 is a reflective electrode, and can be formed of a reflective material such as Ag, Al, or Au. In the present embodiment, the first electrode 4 is formed of Al. did.
  • the second electrode 6 is formed of a material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) even if it is a reflective electrode formed of a reflective material such as Ag, Al, or Au.
  • the second electrode 6 is made of Al.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first insulating layer 5 including a plurality of first reflection-enhancing film layers that can be used in the horizontal electric field type liquid crystal display device 1.
  • the first insulating layer 5 has one or more first reflection-enhancing film layers composed of two layers having different refractive indexes and provided in contact with each other.
  • n i (a, b) the refractive index of each layer constituting the first insulating layer 5
  • n i (a, b) are denoted by, n i (a, b) i of the insulating film (Insulator)
  • a the number of the insulating film.
  • a 1.
  • the value of b becomes 1, 2,..., 2n-1, 2n as the value proceeds from the upper layer to the lower layer in the first insulating layer 5.
  • n is the number of the first increased reflection film layer and is a natural number.
  • the refractive index n i of the first layer that transmits visible light which is the lower layer, on the insulating substrate 2.
  • (1,2) ⁇ n i (1,4)... N i (1,2n) is the refractive index n i (1,1) ⁇ n i of the second layer that transmits visible light as the upper layer.
  • the relationship between the refractive index of the second layer and the refractive index of the first layer is n i (1,2n ⁇ 1)> n i (1, 2n).
  • the refractive index of the first layer and the second refractive index will be described.
  • the relationship with the refractive index of the layer is n i (1, 1)> n i (1, 2).
  • the first layer and the second layer constituting each of the first increased reflection film layers 1... N of the first insulating layer 5 satisfy the above-described refractive index relationship and transmit visible light.
  • the material is not particularly limited as long as it is made of a material to be formed, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film, or an organic insulating film having a low refractive index (for example, a refractive JSR Optomer TU2276 having a refractive index of 1.33), a high refractive index organic insulating film (for example, JSR Optomer KZ6661 having a refractive index of 1.65), and an acrylic high refractive index organic insulating film. It can be formed using an organic insulating film.
  • the first layer and the second layer constituting each of the first reflective reflection film layers 1... N of the first insulating layer 5 do not have birefringence. This is because, when it has birefringence, a decrease in transmittance occurs, resulting in a decrease in reflectance.
  • Each of the first increased reflection film layers in the first insulating layer 5 illustrated in FIG. 2 includes light reflected on the interface of the second layer, which is the upper layer, on the insulating substrate 2, the second layer, The light reflected at the boundary with the lower first layer acts as an increased reflection film layer, but the first insulating layer 5 is composed of 2n layers, and the first increased reflection of the n layer. Since the film layers 1, 2... N are provided, it is possible to further increase the reflection enhancement effect.
  • each of the first layers is formed of the same material, and each of the second layers is made of the same material. Are preferably made of different identical materials.
  • all the second layers in the first insulating layer 5 are each formed of a SiNx film having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1,2n ⁇ 1) of 2.03. All the first layers in the insulating layer 5 can be formed of SiO 2 films having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1, 2n) of 1.47.
  • the first insulating layer 5 can be formed by repeating the SiNx film forming step and the SiO 2 film forming step. Therefore, it is possible to form the first insulating layer 5 including the first increased reflection film layers 1, 2... N stacked in a plurality of layers relatively easily and inexpensively.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a first insulating layer including a first first reflective reflection film layer that can be used in the horizontal electric field type liquid crystal display device 1.
  • the first insulating layer 7 is composed of a second layer 7a which is an upper layer and a first layer 7b which is a lower layer, and the second layer 7a and the first layer 7b Constitutes the first increased reflective film layer 1.
  • the first layer 7b is formed of an SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1,2) of 1.47, and the second layer 7a has a refractive index (refractive index at 550 nm).
  • the ratio is formed of a SiNx film having a ratio n i (1, 1) of 2.03.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a reflective lateral electric field type liquid crystal display device 1 a using the FFS method including the first insulating layer 7.
  • the width L of the second electrode 6 is 3 ⁇ m
  • the space S between the second electrodes 6 is 3 ⁇ m
  • the width of the entire pixel is 12 ⁇ m.
  • both the first electrode 4 and the second electrode 6 are made of Al.
  • ⁇ / 4 is an optical film thickness and is represented by a product nd of the refractive index n and the film thickness d.
  • the first layer 7b is formed of a SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 1.47
  • the second layer 7a is a SiNx film having a refractive index (refractive index of 550 nm) of 2.03.
  • Table 1, Table 2, and Table 3 below show the results of obtaining the optimum film thickness conditions of the respective films that give the best reflectance and chromaticity when formed.
  • the values of a and b represent the magnification of ⁇ / 4 wavelength.
  • Table 1 shows reflectance (%) values
  • Table 2 shows xy chromaticity coordinate values
  • the first layer 7b formed of the SiO 2 film has a film thickness of 280 to 1100 mm
  • the second layer 7a formed of the SiNx film has a film thickness of 200 to It is preferable to form with 810 or less.
  • the reflectance of the formation area (L) of the second electrode 6 is 88.51% because the reflectance in the case of Al alone is 88.51%.
  • the L reflectance indicating the reflectance of the area where the second electrode 6 is formed is 88.51%.
  • the S reflectance indicating the reflectance of the space portion between the second electrodes 6 is the presence or absence of the first reflective reflection film layer or the first reflective reflection film layer.
  • the reflectance varies depending on how many layers are provided.
  • the reflectance of the entire pixel is obtained from the S reflectance value thus obtained, it is 88.71% when the first reflective film layer is not provided, and the first reflective film layer is 1 When the layer is provided, it is 91.03%, and by providing the first first reflective reflection film layer, the reflectance of the entire pixel is improved by about 2.6%.
  • the reflectance of the entire pixel was further improved to 92.18% and 92.54%.
  • the second electrode 6 is formed of a reflective electrode, and is provided at least on the formation region of the second electrode 6 so as to have different refractive indexes and in contact with each other.
  • a second reflection-enhancing film layer composed of two layers (on the insulating substrate 2, the refractive index of the third layer that transmits visible light as the lower layer is the refractive index of the fourth layer that transmits visible light as the upper layer) This is different from the first embodiment in that the second insulating layer 8 having one or more layers smaller than the ratio is formed.
  • Other configurations are as described in the first embodiment.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of the first embodiment are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 5 shows a second enhanced reflective film layer (two layers formed of a reflective electrode and formed of two layers having different refractive indexes and in contact with each other on the formation region of the second electrode 6.
  • a second insulating layer including one or more layers having a refractive index of a third layer that transmits visible light as a lower layer is lower than a refractive index of a fourth layer that transmits visible light as an upper layer.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the second insulating layer 8 including a plurality of second reflection-enhancing film layers that can be used in the horizontal electric field type liquid crystal display device 1b.
  • the second insulating layer 8 formed of a reflective electrode and formed on the formation region of the second electrode 6 has a refractive index different from each other and is provided so as to be in contact with each other.
  • One or more second increased reflection film layers comprising two layers are provided.
  • the refractive index n i of the third layer that transmits visible light which is the lower layer, on the insulating substrate 2.
  • (2,2) ⁇ n i (2,4 ) ⁇ n i (2,2n) is the refractive index of the fourth layer that transmits visible light is upper n i (2,1) ⁇ n i (2, 3)... Smaller than n i (2, 2n ⁇ 1).
  • the relationship between the refractive index of the fourth layer and the refractive index of the third layer is n i (2, 2n ⁇ 1)> n. i (2, 2n).
  • the refractive index of the third layer and the fourth The relationship with the refractive index of the layer is n i (2, 1)> n i (2, 2).
  • the third layer and the fourth layer constituting each of the second increased reflection film layers 1... N of the second insulating layer 8 are the first insulating layers already described in the first embodiment. 5 can be formed using the same material as the first layer and the second layer constituting each of the first increased reflection layers 1... N.
  • Each of the second increased reflection film layers in the second insulating layer 8 illustrated in FIG. 6 includes light reflected from the interface of the upper fourth layer on the insulating substrate 2, the fourth layer, The light reflected at the boundary with the third layer, which is the lower layer, acts as an increased reflection layer by strengthening, but the second insulating layer 8 is composed of 2n layers, and the second increased reflection film of n layers Since the structure includes the layers 1, 2,... N, the reflection enhancement effect can be further increased.
  • each third layer is made of the same material
  • each fourth layer is made of the same material.
  • all the fourth layers in the second insulating layer 8 are each formed of a SiNx film having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1, 2n ⁇ 1) of 2.03. All the third layers in the insulating layer 8 can be formed of SiO 2 films having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1, 2n) of 1.47.
  • the second insulating layer 8 can be formed by repeating the SiNx film forming step and the SiO 2 film forming step. Therefore, it is possible to form the second insulating layer 8 including the second reflection-increasing film layers 1, 2... N stacked in a plurality of layers relatively easily and inexpensively.
  • the horizontal electric field type liquid crystal display device 1b shown in FIG. 5 includes both the first insulating layer 5 and the second insulating layer 8 that have already been described in the first embodiment. ... N and the second increased reflection film layers 1, 2... N, thereby realizing a lateral electric field type liquid crystal display device 1 b with higher reflectivity. Can do.
  • FIG. 7 shows a first insulating layer 7 having the first first reflective reflection film layer shown in FIG. 3, and a second insulating layer 9 having the first second reflective reflection film layer.
  • 1 is a diagram showing a schematic configuration of a horizontal electric field type liquid crystal display device 1c including
  • the second insulating layer 9 is composed of a fourth layer 9a which is an upper layer and a third layer 9b which is a lower layer.
  • the fourth layer 9a and the third layer 9b are Constitutes the second reflective reflection layer 1.
  • the third layer 9b is formed of a SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 1.47, and the fourth layer 9a has a refractive index (refractive index at 550 nm) of 2.03. It is formed of a certain SiNx film.
  • the second insulating layer 8 and the second insulating layer 9 are formed only on the formation region of the second electrode 6 formed of a reflective electrode has been described.
  • the second insulating layer 8 and the second insulating layer 9 may be formed on the entire surface, and in this way, the reflectance in the region where the second electrode 6 is not formed can be increased.
  • Table 5 the result of calculating the reflectance of the entire pixel of the horizontal electric field type liquid crystal display device 1c having the configuration as shown in FIG. 7 and the first and second reflection enhancement film layers 1 and 2 shown in FIG. The result of having calculated the reflectance of the whole pixel when a plurality of reflective film layers 1 are provided is shown.
  • the reflectance of the formation area (S) of the first insulating layer 7 is as already obtained in the first embodiment, and the reflectance of the formation area (L) of the second electrode 6 is Since the second increased reflection film layer is provided on the second electrode 6, the second embodiment is different from the first embodiment.
  • the L reflectance indicating the reflectance of the formation area (L) of the second electrode 6 depends on the presence or absence of the second reflective film layer or the number of the second reflective film layer. Different.
  • the first reflective reflection film layer and the second reflective reflection film layer are not provided, that is, on the first electrode 4 and the second electrode 6 respectively.
  • the L reflectance and the S reflectance are both 88.91%
  • the L reflectance and the S reflectance are both 93.56%.
  • the reflectance of the entire pixel is obtained from the L reflectance value and the S reflectance value obtained in this way, it is 88 when the first and second reflective film layers are not provided. .91%, and 93.56% in the case where one each of the first and second reflection-increasing film layers is provided, the first and second reflection-increasing film layers and 93.56%.
  • the reflectance of the entire pixel is improved by about 5.5%.
  • the reflectance of the entire pixel was further improved to 95.86% and 96.57%.
  • the reflectance (L reflectance) when only the SiO 2 film is formed on the second electrode 6 (Al electrode) is 88.91%
  • the reflectance is higher than 88.51%, which is the reflectance of only the second electrode 6 (Al electrode).
  • the reflectance (L reflectance) is the SiO 2 film (refractive index 1.47) and the liquid crystal layer 15 (refractive index 1). 5), the reflectance of the second electrode 6 (Al electrode) is higher than that of the second electrode 6 (Al electrode).
  • the reflectance (L reflectance) when only the SiNx film (refractive index 2.31) is formed on the second electrode 6 (Al electrode) instead of the SiO 2 film is related to the refractive index. 15 ⁇ SiNx film, and since the SiNx film and the liquid crystal layer 15 do not become an increased reflection film layer, the film thickness is reduced to 81.06%.
  • an alignment film having a refractive index smaller than the refractive index of the liquid crystal layer 15 in a portion in contact with the liquid crystal layer 15 in addition to the above-described first and second reflective film layers.
  • An additional reflection film layer composed of the alignment film and the liquid crystal layer 15 can be further provided.
  • an insulating layer 10 made of a single layer SiO 2 film is provided on the first electrode 4 instead of the first insulating layer 5.
  • FIG. 3 a third embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 9 to 13 and Tables 6 to 12.
  • FIG. The present embodiment is different from the first and second embodiments in that a third increased reflection film layer including the second electrode 12 formed of a transparent electrode such as ITO is provided.
  • Other configurations are as described in the first and second embodiments.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of Embodiments 1 and 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the horizontal electric field type liquid crystal display device 1e shown in FIG. 9 has already been described in the second embodiment except that the third reflective reflection layer including the second electrode 12 formed of a transparent electrode is provided.
  • the configuration is the same as that of FIG.
  • the layer 13 including the third reflection-enhancing film layer includes an insulating layer 11 that transmits visible light and a second electrode 12 that is formed of a transparent electrode.
  • the refractive index of the layer in contact with the second electrode 12 and the second electrode 12 are different from each other, and the refractive index of the second electrode 12 is the refractive index of the layer in contact with the second electrode 12 in the insulating layer 11. Greater than rate.
  • the lower layer has a refractive index smaller than that of the upper layer, and forms an increased reflection film layer.
  • FIG. 9 illustrates the case where the insulating layer 11 is below the second electrode 12, the insulating layer 11 may be formed above the second electrode 12.
  • the refractive index of the layer in contact with the second electrode 12 in the insulating layer 11 is higher than the refractive index of the second electrode 12.
  • FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the layer 13 including the third reflection-enhancing film layer that can be used in the horizontal electric field type liquid crystal display device 1e shown in FIG.
  • the structure of the layer 13 having the third reflective reflection film layer illustrated in FIG. 9 will be described with reference to FIG. 10.
  • the layer 13 having the third reflective reflection film layer illustrated in FIG. The uppermost layer is replaced with the second electrode 12, and the layer other than the uppermost layer of the layer 13 having the third reflection-increasing film layer shown in FIG. 10 becomes the insulating layer 11.
  • the refractive index n e of the second electrode 12 is larger than the refractive index n i (2, 2) of the layer in contact with the second electrode 12 in the insulating layer 11.
  • the refractive index n i (2, 4)... N i (2, 2n) of the lower layer is the refractive index n i (2, 3) of the upper layer. ... Smaller than n i (2, 2n ⁇ 1), and each forms an increased reflection film layer.
  • the layer that can be replaced by the second electrode 12 is not limited to the uppermost layer of the layer 13 including the third reflection-increasing film layer shown in FIG. Can be replaced with any one of the layers 13 including the third reflective reflection film layer shown in FIG. 10. it can.
  • the position where the second electrode 12 enters is determined by the value of the refractive index ne of the second electrode 12.
  • n e >
  • n i (2,2n) by replacing in the insulating film having a refractive index n i (2,2n-1), any one layer in the second electrode 12 having a refractive index n e
  • the third reflective film layer can be formed.
  • any one layer in the second electrode 12 having a refractive index n e 3 additional reflective film layers can be formed.
  • the third reflective reflection film layers 1, 2,..., N are described. This is to explain that a reflective film layer can be formed, and does not mean that a plurality of third enhanced reflective film layers can be formed.
  • the third reflective film layer including the second electrode 12 can be formed in only one layer, and the other reflective film layer can be the first reflective film layer or the first reflective film layer. 2 of the increased reflection film layer.
  • the horizontal electric field type liquid crystal display device 1f shown in FIG. 11 has an insulating layer 11 formed of a SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 1.47 instead of the second electrode 6 formed of Al. And a third reflection-enhancing film layer 1 comprising a second electrode 12 formed of an ITO film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 2.01. This is the same as the horizontal electric field type liquid crystal display device 1a shown in FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the lateral electric field type liquid crystal display device 1f shown in FIG. 11, in which a first reflective reflection film layer 1 and a third reflective reflection film layer 1 formed on the first electrode 4 made of Al. It is a figure which shows schematic structure of these.
  • the first insulating layer 7 is composed of a second layer 7a which is an upper layer and a first layer 7b which is a lower layer, and the second layer 7a and the first layer 7b Constitutes the first increased reflective film layer 1.
  • the first layer 7b is formed of an SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) n i (1,2) of 1.47, and the second layer 7a has a refractive index (refractive index at 550 nm).
  • the ratio is formed of a SiNx film having a ratio n i (1, 1) of 2.03.
  • a third increased reflection film layer 1 is formed on the first increased reflection film layer 1, and the third increased reflection film layer 1 has a refractive index (refractive index at 550 nm) 1 as a lower layer.
  • the refractive index of the SiO 2 film is formed at 1.47, the refractive index of the SiNx film is formed at 2.03, and the refractive index of the ITO film is formed at 2.01.
  • the refractive index of the SiO 2 film is in the range of 1.3 to 1.7, the refractive index of the SiNx film is in the range of 1.8 to 2.2, and the refractive index of the ITO film is not limited thereto. It may be formed in the range of 1.8 to 2.2.
  • the formation area (S) of the first insulating layer 7 As shown in FIG. 11, in the formation area (S) of the first insulating layer 7, only the first insulating layer 7 functions as an increased reflection film, but the formation of the second electrode 12 is performed. In the area (L), not only the first insulating layer 7 but also the combination of the second electrode 12 and the insulating layer 11 functions as an increased reflection film.
  • Tables 6, 7 and 8 below show the results of the optimum conditions for the film thicknesses of the insulating layer 11 and the second electrode 12 that give the best reflectivity and chromaticity of the formation area (L) of the second electrode 12. Indicates.
  • ⁇ / 4 is an optical film thickness and is represented by a product nd of the refractive index n and the film thickness d.
  • the first layer 7a of the first insulating layer 7 in the formation area (L) of the second electrode 12 is formed of a SiO 2 film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 1.47.
  • the second layer 7a is assumed to be formed of a SiNx film having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 2.03.
  • the second electrode 12 is made of ITO having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 2.01
  • the insulating layer 11 is made of SiO 2 having a refractive index (refractive index at 550 nm) of 1.47.
  • the optimum conditions for the reflectance when formed with a film can be obtained from Tables 6 to 8 above.
  • the values of a and b represent the magnification of ⁇ / 4 wavelength.
  • Table 6 shows reflectance (%) values
  • Table 7 shows xy chromaticity coordinate values
  • an insulating layer 10 made of a single layer SiO 2 film shown in FIG. 13 and a fourth electrode layer 1 made of ITO and a second electrode 12 made of ITO are provided.
  • the optimum film thicknesses of the calculated insulating layer 10 and the second electrode 12 will be described using the schematic configuration of a reflective lateral electric field type liquid crystal display device 1g using the conventional FFS method.
  • Table 9 show the best reflectance and chromaticity of the formation area (L) of the second electrode 12 provided with the insulating layer 10 made of a single layer SiO 2 film in the lower layer. The result of the optimal conditions of the film thickness of the insulating layer 10 and the 2nd electrode 12 is shown.
  • Tables 6 to 8 show that the first insulating layer 7 is the first reflective film layer 1 as shown in FIG.
  • the best reflectivity and chromaticity of the formation area (L) of the second electrode 12 in some cases were obtained, the above Tables 9 to 11 show the lower layer as shown in FIG. The best reflectance and chromaticity of the formation area (L) of the second electrode 12 when only the insulating layer 10 made of a single layer of SiO 2 film is provided.
  • the color shift from Al alone is about the same, but in the case of the configuration shown in FIG. 11, since the first reflective reflection film layer 1 is provided, the reflectance is increased by about 2.31%. .
  • the reflectance of the formation area (S) of the first insulating layer 7 in the case of the configuration shown in FIG. 11 is the same as the result of Table 1 obtained in Embodiment 1, but in the case of the configuration shown in FIG.
  • the reflectance of area (S) was 88.82%.
  • the top is provided with only the insulating layer 10 made of a single layer of SiO 2 film, and includes the insulating layer 10 and the second electrode.
  • 12 shows a case where a fourth increased reflection film layer is formed, and below that, as shown in FIG. 11, the third increased reflection film layer and the first increase reflection film layer are shown.
  • the case where the reflective film layer is provided one by one is shown, and below that, the case where the first increased reflective film layer becomes two layers and three layers is shown.
  • the reflectance of the whole pixel in the case of the configuration shown in FIG. 11 is 4.8% larger than the reflectance of the whole pixel in the case of the configuration shown in FIG. Then, as the number of the first increased reflection film layer increases to 2 and 3, the reflectance of the entire pixel also increases, but the cost increases, so that the first increased reflection film layer is further provided. preferable.
  • Embodiment 4 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described based on FIG. This embodiment is different from Embodiments 1 to 3 in that a scattering layer 14 is provided under the first electrode 4 so that scattering of reflected light can be enhanced.
  • Other configurations are the same as those described in the first to third embodiments.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of Embodiments 1 to 3 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 14 shows a configuration in which a scattering layer 14 is added to the horizontal electric field type liquid crystal display device 1 shown in FIG. 1 already described in the first embodiment.
  • the scattering of the reflected light can be increased by adding the scattering layer 14 below the first electrode 4, and the incident light is originally reflected with a higher reflectance than that of the reflective electrode.
  • a horizontal electric field type liquid crystal display device 1h capable of uniform reflection can be realized.
  • an adhesion layer 15 may be provided between the first electrode 4 and the scattering layer 14, and the adhesion between the first electrode 4 and the scattering layer 14 is provided by providing the adhesion layer 15. You can raise the degree.
  • the material of the scattering layer 14 is not particularly limited, and for example, an acrylic resin or the like can be formed in an uneven shape.
  • the material of the adhesion layer 15 is not particularly limited as long as the adhesion between the scattering layer 14 and the first electrode 4 is good.
  • Mo or IZO can be used.
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • An active matrix substrate to which a lateral electric field is applied is provided between the first electrode and the second electrode, and the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity.
  • the second electrode is formed of a conductive material
  • the first insulating layer has a refractive index different from each other and is formed of two layers provided so as to be in contact with each other.
  • the refractive index of the first layer that transmits visible light is lower layer, and being smaller than the refractive index of the second layer that transmits visible light is the upper layer.
  • the first insulating layer includes one or more first reflective reflection layers including two layers provided so as to be in contact with each other.
  • the light reflected at the interface between the upper second layer and the boundary between the second layer and the lower first layer is reflected on the insulating substrate. It acts as an increased reflection layer by strengthening the light.
  • the first electrode formed of a material having conductivity and reflectivity can reflect incident light with a higher reflectance than the inherent reflectance by the action of the first increased reflection layer.
  • An active matrix substrate can be realized.
  • the first insulating layer of the active matrix substrate of the present invention is provided with a plurality of layers of the first increasing reflection layer.
  • the first insulating layer is provided with a plurality of layers of the first increasing reflection layer, so that the increasing reflection effect can be further increased.
  • An active matrix substrate in which the first electrode formed of a material having a property can reflect incident light with a higher reflectance than the intrinsic reflectance can be realized.
  • the first insulating layer of the active matrix substrate of the present invention is provided with one layer of the first increased reflection layer.
  • the first insulating layer is provided with the first increased reflection layer. Accordingly, the first electrode formed of a material having conductivity and reflectivity has a higher reflectivity than the intrinsic reflectivity without greatly increasing the number of manufacturing steps of the active matrix substrate. An active matrix substrate that can reflect light can be realized.
  • each first layer is made of the same material
  • each second layer is made of the same material different from the same material It is preferable that it is formed by.
  • each of the first layers is formed of the same material, and each of the second layers forms the first layer. It is made of the same material that is different from the material to be made.
  • the first reflective layer that is laminated in a plurality of layers can be manufactured by repeating the first layer forming step and the second layer forming step. it can.
  • the active matrix in which the first electrode formed of a material having conductivity and reflectivity can reflect incident light with a higher reflectance than the inherent reflectance relatively easily and inexpensively.
  • a substrate can be realized.
  • the first layer is preferably formed of a silicon oxide film
  • the second layer is preferably formed of a silicon nitride film.
  • the first reflective reflection layer is formed of a relatively dense silicon oxide film and silicon nitride film, an active matrix substrate with high reliability can be realized.
  • the first layer is formed of a silicon oxide film
  • the second layer is formed of a silicon nitride film.
  • the thickness of the layer is preferably 280 mm or more and 1100 mm or less, and the thickness of the second layer is preferably 200 mm or more and 810 mm or less.
  • the thicknesses of the silicon oxide film and the silicon nitride film that form the first increased reflection layer to a predetermined thickness, the reflectance is higher and the color of the reflected light is reduced.
  • An active matrix substrate that can suppress deviation can be realized.
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • a second insulating layer is formed at least on the formation region of the second electrode, and the second insulating layer has a refractive index different from each other and is in contact with each other.
  • One or more second enhanced reflection layers comprising two layers provided
  • the refractive index of the third layer that transmits visible light as the lower layer is the refractive index of the fourth layer that transmits visible light as the upper layer on the insulating substrate in the second reflective layer. It is characterized by being smaller.
  • the second insulating layer is formed at least on the formation region of the second electrode that is a reflective electrode, and the second insulating layer has a refractive index different from each other, and One or more second enhanced reflection layers composed of two layers provided so as to be in contact with each other are provided.
  • the light reflected at the interface between the upper fourth layer and the boundary between the fourth layer and the lower third layer is reflected on the insulating substrate. It acts as an increased reflection layer by strengthening the light.
  • the first electrode and the second electrode formed of a material having conductivity and reflectivity have a higher reflectance than the intrinsic reflectance, and incident light has a higher reflectance.
  • An active matrix substrate that can reflect light can be realized.
  • the second electrode of the active matrix substrate of the present invention is formed of a reflective material, and a second insulating layer is formed at least on the formation region of the second electrode.
  • the insulating layer includes at least one second reflective reflection layer having two refractive indexes different from each other and provided so as to be in contact with each other, and the insulating substrate is included in the second reflective reflective layer.
  • the refractive index of the third layer that transmits visible light as the lower layer is smaller than the refractive index of the fourth layer that transmits visible light as the upper layer.
  • the first electrode and the second electrode formed of a material having conductivity and reflectivity by the action of both the first increased reflection layer and the second increased reflection layer. It is possible to realize an active matrix substrate in which the electrode can reflect incident light with a reflectance higher than the intrinsic reflectance.
  • the second insulating layer of the active matrix substrate of the present invention is provided with a plurality of the second reflective reflection layers stacked.
  • the second insulating layer is provided with a plurality of layers of the second increasing reflection layer, the increasing reflection effect can be further increased.
  • An active matrix substrate in which the first electrode and the second electrode formed of a material having a property can reflect incident light with a higher reflectance than the intrinsic reflectance can be realized.
  • the second insulating layer of the active matrix substrate of the present invention is provided with one layer of the second increased reflection layer.
  • the second insulating layer is further provided with the second increased reflection layer. Therefore, the first electrode and the second electrode formed of a material having conductivity and reflectivity do not greatly increase the number of steps of manufacturing the active matrix substrate. An active matrix substrate that can reflect incident light with high reflectivity can be realized.
  • each third layer is made of the same material
  • each fourth layer is made of the same material different from the same material It is preferable that it is formed by.
  • each third layer is formed of the same material, and each fourth layer forms the third layer. It is made of the same material that is different from the material to be made.
  • the second reflective layer that is laminated in a plurality of layers can be manufactured by repeating the formation process of the third layer and the formation process of the fourth layer. it can.
  • An active matrix substrate can be realized.
  • the third layer is preferably formed of a silicon oxide film
  • the fourth layer is preferably formed of a silicon nitride film.
  • the second reflection-increasing layer is formed of a relatively dense silicon oxide film and silicon nitride film, an active matrix substrate with high reliability can be realized.
  • the third reflection layer is formed of a silicon oxide film
  • the fourth layer is formed of a silicon nitride film
  • the third layer film The thickness is preferably 280 to 1100 mm, and the fourth layer preferably has a thickness of 200 to 810 mm.
  • the silicon oxide film and the silicon nitride film that form the second reflective reflection layer are formed to have predetermined thicknesses, so that the reflectance is higher and the color of reflected light is higher.
  • An active matrix substrate that can suppress deviation can be realized.
  • an active matrix substrate of the present invention includes a first electrode formed on an insulating substrate, a first insulating layer formed to cover the first electrode, A plurality of second electrodes formed on the first insulating layer, and the second electrode is formed by electrically connecting a plurality of linear electrodes formed at a predetermined interval.
  • An active matrix substrate to which a lateral electric field is applied is provided between the first electrode and the second electrode, and the first electrode is formed of a material having conductivity and reflectivity.
  • the second electrode has conductivity and is formed of a material that transmits visible light, and a third insulating layer that transmits visible light is provided above or below the second electrode.
  • the third insulating layer includes a layer in contact with the second electrode; Forming the second electrode on the insulating substrate, comprising a laminated film of one or more third reflective layers composed of two layers having different refractive indexes and in contact with each other.
  • a material in which the refractive index of the second electrode forming layer is larger than the refractive index of the layer in contact with the second electrode of the third insulating layer and when the third insulating layer is formed on the second electrode forming layer on the insulating substrate, the refractive index of the layer in contact with the second electrode of the third insulating layer Is formed of a material having a refractive index higher than that of the second electrode forming layer.
  • both of the reflection enhancements are provided.
  • the layer it is possible to realize an active matrix substrate in which the first electrode formed of a material having conductivity and reflectivity can reflect incident light with a higher reflectance than the inherent reflectance. it can.
  • an uneven scattering layer is provided in the lower layer of the first electrode.
  • the layer formed on the upper layer of the scattering layer is also formed uneven to reflect incident light. Can be scattered.
  • the present invention can be suitably used in the field of liquid crystal display devices and the like.

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Abstract

　横電界型液晶表示装置（１）には、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射膜層を一層以上備えている第１の絶縁層（５）が備えられている。したがって、本来、反射電極が有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができる横電界型液晶表示装置（１）を実現できる。

Description

アクティブマトリックス基板
　本発明は、液晶表示装置などに用いられる横電界型アクティブマトリックス基板に関するものである。
　液晶表示装置の分野においては、さらなる高画質化を実現するため、より明るく、より広い視野角特性を確保することが要求されている。
　近年、いくつかの技術によって、液晶表示装置の高画質化が実現されているが、その中でも、フリンジ電場スイッチング方式（Ｆｒｉｎｇｅ－Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ方式、以下、ＦＦＳ方式と称する）を用いた横電界型液晶表示装置は、より明るい表示と、広視野角特性と、を同時に確保することができることが知られている。
　特許文献１には、ＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置について開示されている。
　図１５は、特許文献１に記載されているＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。
　図示されているように、横電界型液晶表示装置は、第１基板１０１と、第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層１０３と、を備えた構成となっている。
　そして、第１基板１０１の上記液晶層１０３と接する側の面には、配向膜１０４が設けられており、一方、第２基板１０２の上記液晶層１０３と接する側の面には、全面に第２電極１０７および絶縁膜１０８が順に積層されており、絶縁膜１０８上には、所定幅Ｗ１を有する線状の複数の第１電極１０６が間隔Ｌ１で設けられ、第１電極１０６および絶縁膜１０８を覆うように、配向膜１０５が設けられている。
　それから、少なくとも、第２電極１０７は反射性材料で形成されているため、図示されているように、第１電極１０６間の間隔Ｌ１においては、入射光１０９が第２電極１０７によって反射されるようになっている。
　そして、第１電極１０６も反射性材料で形成されている場合には、第１電極１０６の形成領域においては、第１電極１０６によって入射光１０９が反射され、第１電極１０６が透明電極である場合には、下層であり反射電極である第２電極１０７によって入射光１０９が反射されるようになっている。
　したがって、特許文献１には、ＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置によって、表示画質の高画質化を実現することができると記載されている。
日本国公開特許公報「特開２００１－３３０８４４号（２００１年１１月３０日公開）」
　しかしながら、上記特許文献１に開示されているＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置においては、絶縁膜１０８として、単一層のシリコン酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）や単一層のシリコン窒化膜（例えば、ＳｉＮｘ）が用いられており、このような絶縁膜１０８によっては十分な反射率が得られなかった。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、本来、反射電極が有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を提供することを目的とする。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有する材料で形成されており、上記第１の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射層を一層以上備えており、上記第１の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第１の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第２の層の屈折率より小さいことを特徴としている。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極および上記第２の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さいことを特徴としている。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有するとともに、可視光を透過させる材料で形成されており、上記第２の電極の上層または下層には、可視光を透過させる第３の絶縁層が備えられており、上記第３の絶縁層は、上記第２の電極と接する層と、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる一層以上の第３の増反射層と、の積層膜からなり、上記絶縁基板上において、上記第２の電極の形成層が上記第３の絶縁層上に形成される場合は、上記第２の電極の形成層の屈折率が、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率より大きくなる材料で形成され、上記絶縁基板上において、上記第３の絶縁層が上記第２の電極の形成層上に形成される場合は、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率が、上記第２の電極の形成層の屈折率より大きくなる材料で形成されていることを特徴としている。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、以上のように、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有する材料で形成されており、上記第１の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射層を一層以上備えており、上記第１の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第１の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第２の層の屈折率より小さい構成である。
　また、本発明のアクティブマトリックス基板は、以上のように、上記第１の電極および上記第２の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さい構成である。
　また、本発明のアクティブマトリックス基板は、以上のように、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有するとともに、可視光を透過させる材料で形成されており、上記第２の電極の上層または下層には、可視光を透過させる第３の絶縁層が備えられており、上記第３の絶縁層は、上記第２の電極と接する層と、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる一層以上の第３の増反射層と、の積層膜からなり、上記絶縁基板上において、上記第２の電極の形成層が上記第３の絶縁層上に形成される場合は、上記第２の電極の形成層の屈折率が、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率より大きくなる材料で形成され、上記絶縁基板上において、上記第３の絶縁層が上記第２の電極の形成層上に形成される場合は、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率が、上記第２の電極の形成層の屈折率より大きくなる材料で形成されている構成である。
　それゆえ、本来、反射電極が有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
本発明の一実施の形態のＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態の横電界型液晶表示装置に用いることができる複数の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層の断面図である。 本発明の一実施の形態の横電界型液晶表示装置に用いることができる１層の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層の一例を示す図である。 本発明の一実施の形態の第１の絶縁層を備えた他の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置に用いることができる複数の第２の増反射膜層を備えた第２の絶縁層の断面図である。 図３に図示した１層の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層と、１層の第２の増反射膜層を備えた第２の絶縁層と、を備えた本発明の他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層が備えられている本発明の他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の一例を示す図である。 本発明のさらに他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 図９に示す横電界型液晶表示装置に用いることができる第３の増反射膜層を備えた層の構成を示す図である。 ＳｉＯ２膜で形成された絶縁層と、ＩＴＯ膜で形成された第２の電極と、からなる第３の増反射膜層を備えている本発明のさらに他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の一例を示す図である。 図１１に示す横電界型液晶表示装置において、Ａｌで形成された第１の電極上に形成された第１の増反射膜層と第３の増反射膜層との概略構成を示す図である。 単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層と、ＩＴＯで形成された第２の電極と、からなる第４の増反射膜層を備えた従来の横電界型液晶表示装置の一例を示す図である。 散乱層を備えた本発明のさらに他の一実施の形態の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。 特許文献１に記載されているＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置の概略構成を示す図である。
　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
　〔実施の形態１〕
　以下、図１から図４および表１から表４に基づいて、本発明の第１の実施形態について説明する。
　図１は、ＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置１の概略構成を示す図である。
　図示されているように、液晶表示装置１は、絶縁基板２と、対向基板３と、絶縁基板２と対向基板３との間に挟持された液晶層１５と、を備えた構成となっている。
　そして、絶縁基板２上には、第１の電極４と、第１の電極４を覆うように形成された第１の絶縁層５と、第１の絶縁層５上に形成された複数の第２の電極６と、が備えられている。
　各々の第２の電極６は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、第１の電極４と第２の電極６との間には、横電界が印加されるようになっている。
　また、図示を省略しているが、絶縁基板２上には、さらに、各々の第２の電極６を制御するための薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）と、配向膜と、が備えられている。
　このような各層やＴＦＴ素子が備えられた絶縁基板２をアクティブマトリックス基板とする。
　一方、対向基板３の液晶層１５と接する側の面には、図示してないが、ブラックマトリクス層、カラーフィルター層および配向膜などが備えられている。
　絶縁基板２および対向基板３は、透明度が高い材質からなる基板であれば特に限定されないが、本実施の形態においては、ガラス基板を用いた。
　また、第１の電極４は反射電極であり、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕなどの反射性を有する材料で形成することができ、本実施の形態においては、第１の電極４はＡｌで形成した。
　また、第２の電極６は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕなどの反射性を有する材料で形成された反射電極であっても、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）などの材料で形成された透明電極であってもよく、本実施の形態においては、第２の電極６はＡｌで形成した。
　以下、図２に基づいて、第１の絶縁層５について説明する。
　図２は、横電界型液晶表示装置１に用いることができる複数の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層５の断面図である。
　図示されているように、第１の絶縁層５は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射膜層を一層以上備えている。
　なお、図中において、第１の絶縁層５を構成する各層の屈折率は、ｎi（ａ，ｂ）で表記されており、ｎi（ａ，ｂ）のｉは絶縁膜（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を意味し、ａは絶縁膜の番号を示す。例えば、第１の絶縁層５であれば、ａ＝１である。
　また、ｂは絶縁膜の層の位置を示しており、２層目であったらｂ＝２となる。
　したがって、上記ｂの値は、第１の絶縁層５において上層から下層に進むにつれて１、２・・・２ｎ－１、２ｎとなる。
　また、上記ｎは第１の増反射膜層の数であり自然数である。
　そして、第１の絶縁層５中の各々の第１の増反射膜層１・・・ｎにおいては、絶縁基板２上において、下層である可視光を透過させる第１の層の屈折率ｎi（１、２）・ｎi（１、４）・・・ｎi（１、２ｎ）が、上層である可視光を透過させる第２の層の屈折率ｎi（１、１）・ｎi（１、３）・・・ｎi（１、２ｎ－１）より小さい。
　すなわち、各々の第１の増反射膜層１・・・ｎにおいては、上記第２の層の屈折率と上記第１の層の屈折率との関係がｎi（１、２ｎ－１）＞ｎi（１、２ｎ）となる。
　さらに例を挙げて説明すると、例えば、第１の絶縁層５において、一番上に配置される第１の増反射膜層１に着目して見れば、第１の層の屈折率と第２の層の屈折率との関係はｎi（１、１）＞ｎi（１、２）となる。
　したがって、例えば、第２の層の屈折率がｎi（１、２ｎ－１）＝２であれば、第１の層の屈折率ｎi（１、２ｎ）＝１．５であればよい。
　第１の絶縁層５の各々の第１の増反射膜層１・・・ｎを構成する第１の層および第２の層は、上述した屈折率の関係を満たし、かつ、可視光を透過させる材質で形成されていれば、特にその材質は限定されず、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜などの無機系絶縁膜や低屈折率の有機系絶縁膜（例えば、屈折率が１．３３であるＪＳＲ社製オプトマーＴＵ２２７６）、高屈折率の有機系絶縁膜（例えば、屈折率が１．６５であるＪＳＲ社製オプトマーＫＺ６６６１）およびアクリル系高屈折率の有機系絶縁膜などの有機系絶縁膜を用いて形成することができる。
　なお、第１の絶縁層５の各々の第１の増反射膜層１・・・ｎを構成する第１の層および第２の層は、複屈折性をもたないことが好ましい。複屈折性を有する場合、透過率低下が生じてしまい、結果として反射率低下の原因となるためである。
　図２に図示した第１の絶縁層５における各々の第１の増反射膜層は、絶縁基板２上において、上層である第２の層の界面で反射した光と、上記第２の層と下層である第１の層との境界で反射した光が強めあうことで増反射膜層として作用するが、第１の絶縁層５は、２ｎ層で構成され、ｎ層の第１の増反射膜層１・２・・・ｎを備えた構成であるため、増反射効果をさらに増加させることができる。
　また、図２に図示した第１の絶縁層５における各々の第１の増反射膜層において、各々の第１の層は同一材料によって形成され、各々の第２の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていることが好ましい。
　例えば、第１の絶縁層５における全ての各々の第２の層を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２ｎ－１）が２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成し、第１の絶縁層５における全ての各々の第１の層を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２ｎ）が１．４７であるＳｉＯ２膜で形成することができる。
　このようにすることにより、第１の絶縁層５は、ＳｉＮｘ膜の形成工程とＳｉＯ２膜の形成工程とを繰返して形成することができる。したがって、比較的容易、かつ、安価に、複数層積層された第１の増反射膜層１・２・・・ｎを備えた第１の絶縁層５を形成することができる。
　図３は、横電界型液晶表示装置１に用いることができる１層の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層の一例を示す図である。
　図示されているように、第１の絶縁層７は上層である第２の層７ａと、下層である第１の層７ｂと、で構成され、第２の層７ａと第１の層７ｂとは第１の増反射膜層１を構成する。
　そして、第１の層７ｂはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２）が１．４７であるＳｉＯ２膜で形成され、第２の層７ａはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、１）が２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成されている。
　図４は、第１の絶縁層７を備えたＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置１ａの概略構成を示す図である。
　図示されているように、横電界型液晶表示装置１ａにおいては、第２の電極６の幅Ｌを３μｍに、第２の電極６間のスペースＳを３μｍに、画素全体の幅は１２μｍとなるようにそれぞれ設定した。
　そして、横電界型液晶表示装置１ａにおいては、第１の電極４および第２の電極６は、ともにＡｌで形成されている。
　以下では、図４に示すような構成を有する横電界型液晶表示装置１ａを用いて計算された第１の絶縁層７における第１の層７ｂおよび第２の層７ａの最適膜厚について説明する。
　図４において、第２の電極６の形成エリア（Ｌ）の反射率と第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）の反射率は異なるので、それぞれについて計算を行う必要がある。
　先ず、第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）の最も良い反射率・色度となる、第１の絶縁層７における第１の層７ｂおよび第２の層７ａの厚みの最適条件を計算した。
　なお、λ／４は光学的膜厚であり屈折率ｎと膜厚ｄの積ｎｄで表される。そして、λは設定波長であり、ここではλ＝５５０ｎｍとして計算している。この光学的膜厚の条件をａとｂの値で変えることで、最適な反射率や色度を計算した。
　第１の層７ｂが、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）１．４７であるＳｉＯ２膜で形成され、第２の層７ａが、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成されている際において、最も良い反射率・色度となるそれぞれの膜の膜厚最適条件を求めた結果を以下の表１、表２および表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　上記表中におけるａの値およびｂの値は、λ／４波長の倍率を表す。
　そして、上記表１は反射率（％）の値を、上記表２はｘｙ色度座標の値を、上記表３はＡｌ単体のｘｙ座標（ｘ＝０．３１１１，ｙ＝０．３２８４）からのΔｘｙ色度差を表す。
　上記表１、上記表２および上記表３の左上の値（ａ＝０，ｂ＝０）は、ＳｉＯ２膜およびＳｉＮｘ膜が形成されてない場合（第１の絶縁層７が備えられてない場合）を示しており、Ａｌ単体の場合の値を示している。上記表１からＡｌ単体の場合の反射率が８８．５１％であることがわかる。
　これに対して、ａ＝０．９（８４０Å），ｂ＝０．９（６１０Å）の時、すなわち、ＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚で形成された場合の反射率は９３．５６％と約６％向上する。
　そして、上記表３から、ａ＝０．９（８４０Å），ｂ＝０．９（６１０Å）の時、すなわち、ＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚で形成された場合のΔｘｙは０．００２１５であり、同程度の反射率を得られる他の膜厚構成の場合（例えば、反射率が９３．２６％の場合）と比べると、Δｘｙが比較的小さいことがわかる。
　したがって、ａ＝０．９（８４０Å）、ｂ＝０．９（６１０Å）の条件が最も反射率が高く、Ａｌ単体からの色のずれが少ない、最適な膜厚条件となる。
　上記表１から表３に基づいて、ａの値およびｂの値の最適な範囲を求めると、０．３（２８０Å）＜ａ＜１．２（１１００Å）、０．３（２００Å）＜ｂ＜１．２（８１０Å）であればよく、好ましくは０．６（５６０Å）＜ａ＜１．２（１１００Å）、０．６（４１０Å）＜ｂ＜１．２（８１０Å）であればよい。さらに好ましくは、ａ＝０．９（８４０Å），ｂ＝０．９（６１０Å）であればよい。
　以上から、ＳｉＯ２膜で形成された第１の層７ｂは、その膜厚を２８０Å以上、１１００Å以下で形成し、ＳｉＮｘ膜で形成された第２の層７ａは、その膜厚を２００Å以上、８１０Å以下で形成することが好ましい。
　つぎに、第２の電極６の形成エリア（Ｌ）の反射率は、Ａｌ単体の場合の反射率が８８．５１％であることから８８．５１％となる。
　上記結果から、図４に示す画素全体の反射率を計算した結果および図４に示す第１の増反射膜層１が複数層備えられた場合における画素全体の反射率を計算した結果を以下の表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記表４に示された何れの場合においても、第２の電極６はＡｌ単体なので、第２の電極６の形成エリアの反射率を示すＬ反射率は８８．５１％となる。
　一方、第２の電極６間のスペース部分の反射率を示すＳ反射率は、上記表４に示されているように、第１の増反射膜層の有無または、第１の増反射膜層が何層備えられているかによって、反射率が異なる。
　上記表４を上から見ていくと、第１の増反射膜層が備えられてない場合、すなわち、ＳｉＯ２膜のみが８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成されている場合のＳ反射率は８８．９１％であり、第１の増反射膜層が１層備えられている場合、すなわち、ＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚（ｂ＝０．９）で形成されている場合のＳ反射率は９３．５６％である。
　このように求めたＳ反射率の値から、画素全体の反射率を求めると、第１の増反射膜層が備えられてない場合は８８．７１％で、第１の増反射膜層が１層備えられている場合は９１．０３％であり、第１の増反射膜層が１層備えられることによって、画素全体の反射率が約２．６％向上した。
　そして、上記表４に示されているように、ＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚（ｂ＝０．９）で形成された第１の増反射膜層の数を２層、３層と増やしていくと、画素全体の反射率は９２．１８％、９２．５４％とさらに向上した。
　同時にＡｌからの色ずれも大きくなるがわずかな違いなので問題はない程度である。
　〔実施の形態２〕
　次に、図５から図８および表５に基づいて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施の形態においては、第２の電極６が反射電極で形成されており、少なくとも、第２の電極６の形成領域上には、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射膜層（絶縁基板２上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さい）を一層以上備えた第２の絶縁層８が形成されている点において実施の形態１とは異なる。その他の構成については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図５は、少なくとも、反射電極で形成され第２の電極６の形成領域上に、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射膜層（絶縁基板２上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さい）を一層以上備えた第２の絶縁層８が形成されたＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置１ｂの概略構成を示す図である。
　図６は、横電界型液晶表示装置１ｂに用いることができる複数の第２の増反射膜層を備えた第２の絶縁層８の断面図である。
　図示されているように、少なくとも、反射電極で形成され第２の電極６の形成領域上に形成される第２の絶縁層８は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射膜層を一層以上備えている。
　そして、第２の絶縁層８中の各々の第２の増反射膜層１・・・ｎにおいては、絶縁基板２上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率ｎi（２、２）・ｎi（２、４）・・・ｎi（２、２ｎ）が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率ｎi（２、１）・ｎi（２、３）・・・ｎi（２、２ｎ－１）より小さい。
　すなわち、各々の第２の増反射層１・・・ｎにおいては、上記第４の層の屈折率と上記第３の層の屈折率との関係がｎi（２、２ｎ－１）＞ｎi（２、２ｎ）となる。
　さらに例を挙げて説明すると、例えば、第１の絶縁層８において、一番上に配置される第２の増反射膜層１に着目して見れば、第３の層の屈折率と第４の層の屈折率との関係はｎi（２、１）＞ｎi（２、２）となる。
　したがって、例えば、第４の層の屈折率がｎi（１、２ｎ－１）＝２であれば、第３の層の屈折率ｎi（１、２ｎ）＝１．５であればよい。
　そして、第２の絶縁層８の各々の第２の増反射膜層１・・・ｎを構成する第３の層および第４の層は、実施の形態１で既に説明した第１の絶縁層５の各々の第１の増反射層１・・・ｎを構成する第１の層および第２の層と同様の材料を用いて形成することができる。
　図６に図示した第２の絶縁層８における各々の第２の増反射膜層は、絶縁基板２上において、上層である第４の層の界面で反射した光と、上記第４の層と下層である第３の層との境界で反射した光が強めあうことで増反射層として作用するが、第２の絶縁層８は、２ｎ層で構成され、ｎ層の第２の増反射膜層１・２・・・ｎを備えた構成であるため、増反射効果をさらに増加させることができる。
　また、図６に図示した第２の絶縁層８における各々の第２の増反射膜層において、各々の第３の層は同一材料によって形成され、各々の第４の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていることが好ましい。
　例えば、第２の絶縁層８における全ての各々の第４の層を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２ｎ－１）が２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成し、第２の絶縁層８における全ての各々の第３の層を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２ｎ）が１．４７であるＳｉＯ２膜で形成することができる。
　このようにすることにより、第２の絶縁層８は、ＳｉＮｘ膜の形成工程とＳｉＯ２膜の形成工程とを繰返して形成することができる。したがって、比較的容易、かつ、安価に、複数層積層された第２の増反射膜層１・２・・・ｎを備えた第２の絶縁層８を形成することができる。
　なお、図５に図示されている横電界型液晶表示装置１ｂにおいては、実施の形態１で既に説明した第１の絶縁層５と第２の絶縁層８とを共に備えているので、第１の増反射膜層１・２・・・ｎと第２の増反射膜層１・２・・・ｎとの両方の作用により、より反射率の高い横電界型液晶表示装置１ｂを実現することができる。
　図７は、図３に図示した１層の第１の増反射膜層を備えた第１の絶縁層７と、１層の第２の増反射膜層を備えた第２の絶縁層９と、を備えた横電界型液晶表示装置１ｃの概略構成を示す図である。
　第１の絶縁層７については、既に実施の形態１で説明したので、その説明を省略し、第２の絶縁層９についてのみ説明する。
　図示されているように、第２の絶縁層９は上層である第４の層９ａと、下層である第３の層９ｂと、で構成され、第４の層９ａと第３の層９ｂとは第２の増反射膜層１を構成する。
　そして、第３の層９ｂはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）が１．４７であるＳｉＯ２膜で形成され、第４の層９ａはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）が２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成されている。
　なお、図５および図７においては、第２の絶縁層８や第２の絶縁層９を反射電極で形成された第２の電極６の形成領域上にのみ形成する場合について説明したが、第２の絶縁層８や第２の絶縁層９を全面に形成してもよく、このようにすることにより、第２の電極６が形成されてない領域においての反射率を増加させることができる。
　以下の表５では、図７に示すような構成を有する横電界型液晶表示装置１ｃの画素全体の反射率を計算した結果および図７に示す第１の増反射膜層１および第２の増反射膜層１がそれぞれ複数層備えられた場合における画素全体の反射率を計算した結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　なお、第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）の反射率は、既に上述した実施の形態１で求めた通りであり、第２の電極６の形成エリア（Ｌ）の反射率は、第２の電極６上に第２の増反射膜層が備えられているため、実施の形態１の場合とは異なる。
　すなわち、第２の電極６の形成エリア（Ｌ）の反射率を示すＬ反射率は、第２の増反射膜層の有無または、第２の増反射膜層が何層備えられているかによって、異なる。
　上記表５を上から見ていくと、第１の増反射膜層および第２の増反射膜層が備えられてない場合、すなわち、第１の電極４上および第２の電極６上のそれぞれにＳｉＯ２膜のみが８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成されている場合のＬ反射率およびＳ反射率は、何れも８８．９１％であり、第１の増反射膜層および第２の増反射膜層がそれぞれ１層備えられている場合、すなわち、第１の電極４上および第２の電極６上のそれぞれにＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚（ｂ＝０．９）で形成されている場合のＬ反射率およびＳ反射率は、何れも９３．５６％である。
　このように求めたＬ反射率の値およびＳ反射率の値から、画素全体の反射率を求めると、第１の増反射膜層および第２の増反射膜層が備えられてない場合は８８．９１％で、第１の増反射膜層および第２の増反射膜層がそれぞれ１層備えられている場合は９３．５６％であり、第１の増反射膜層および第２の増反射膜層が１層備えられることによって、画素全体の反射率が約５．５％向上した。
　そして、上記表５に示されているように、ＳｉＯ２膜が８４０Åの膜厚（ａ＝０．９）で形成され、ＳｉＮｘ膜が６１０Åの膜厚（ｂ＝０．９）で形成された第１の増反射膜層および第２の増反射膜層の数をそれぞれ２層、３層と増やしていくと、画素全体の反射率は９５．８６％、９６．５７％とさらに向上した。
　同時にＡｌからの色ずれも大きくなるがわずかな違いなので問題はない程度である。
　なお、上記表４および５に記載されているように、第２の電極６（Ａｌ電極）上にＳｉＯ２膜のみが形成された場合の反射率（Ｌ反射率）は８８．９１％で、第２の電極６（Ａｌ電極）のみの反射率である８８．５１％より高くなっている。
　これは、液晶層１５の屈折率を１．５として計算したためである。
　すなわち、第２の電極６（Ａｌ電極）上にＳｉＯ２膜のみが形成された場合の反射率（Ｌ反射率）は、ＳｉＯ２膜（屈折率１．４７）と液晶層１５（屈折率１．５）とで増反射膜層を形成するため、第２の電極６（Ａｌ電極）のみの反射率より高くなる。
　一方、第２の電極６（Ａｌ電極）上にＳｉＯ２膜の代わりにＳｉＮｘ膜（屈折率２．３１）のみを形成した場合の反射率（Ｌ反射率）は、屈折率の関係が液晶層１５＜ＳｉＮｘ膜となり、ＳｉＮｘ膜と液晶層１５とは増反射膜層とはならないので、８１．０６％と小さくなる。
　以上から、上述した第１の増反射膜層および第２の増反射膜層以外に、液晶層１５と接する部分に液晶層１５の屈折率より小さい屈折率を有する配向膜を設けることにより、この配向膜と液晶層１５とからなる増反射膜層をさらに備えることができる。
　なお、図８に示す横電界型液晶表示装置１ｄにおいては、第１の電極４上に第１の絶縁層５の代わりに単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層１０が備えられている点が、図７に示す横電界型液晶表示装置１ｃとは異なる。
　図８に示すような横電界型液晶表示装置１ｄにおいても、第２の電極６上に形成された第２の絶縁層９によって、増反射効果を得ることができる。
　〔実施の形態３〕
　次に、図９から図１３および表６から表１２に基づいて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施の形態においては、ＩＴＯなどの透明電極で形成された第２の電極１２を含む第３の増反射膜層が備えられている点において実施の形態１および２とは異なる。その他の構成については実施の形態１および２において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１および２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図９に示す横電界型液晶表示装置１ｅは、透明電極で形成された第２の電極１２を含む第３の増反射膜層が備えられている点以外は、実施の形態２において既に説明した図５の構成と同じである。
　図示されているように、第３の増反射膜層を備えた層１３は、可視光を透過させる絶縁層１１と透明電極で形成された第２の電極１２とを備えており、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層と第２の電極１２とは、互いに屈折率が異なり、かつ、第２の電極１２の屈折率は、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層の屈折率より大きい。
　なお、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層以外は、下層が上層より屈折率が小さくなっており、増反射膜層を形成している。
　図９においては、絶縁層１１が第２の電極１２より下層である場合を図示したが、絶縁層１１は第２の電極１２より上層に形成されていてもよい。
　なお、この場合においては、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層の屈折率は第２の電極１２の屈折率より高くなる。
　図１０は、図９に示す横電界型液晶表示装置１ｅに用いることができる第３の増反射膜層を備えた層１３の構成を示す図である。
　図９に図示されている第３の増反射膜層を備えた層１３の構成を図１０を用いて説明すると、図１０に図示されている第３の増反射膜層を備えた層１３の最上層が第２の電極１２で置き換えられた構成であり、図１０に図示されている第３の増反射膜層を備えた層１３の最上層以外の層が、絶縁層１１となる。
　そして、第２の電極１２の屈折率ｎｅは、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層の屈折率ｎi（２、２）より大きい。
　なお、絶縁層１１において第２の電極１２と接する層以外は、下層の屈折率ｎi（２、４）・・・ｎi（２、２ｎ）が上層の屈折率ｎi（２、３）・・・ｎi（２、２ｎ－１）より小さくなっており、それぞれが増反射膜層を形成している。
　なお、第２の電極１２で置き換えることができる層は、図１０に図示されている第３の増反射膜層を備えた層１３の最上層に限定されることはなく、上述した上層と下層との屈折率の関係を満たし、第３の増反射膜層を形成できるのであれば、図１０に図示されている第３の増反射膜層を備えた層１３の何れの層とも置き換えることができる。
　すなわち、第２の電極１２の屈折率ｎｅの値によって第２の電極１２が入る位置が決まる。例えば、ｎｅ＞ｎi（２，２ｎ）の場合、屈折率ｎi（２，２ｎ－１）の絶縁膜中、何れか一つの層を屈折率ｎｅの第２の電極１２で置き換えることで第３の増反射膜層を形成することができる。
　一方、ｎｅ＜ｎi（２，２ｎ）の場合、屈折率ｎi（２，２ｎ）の絶縁膜中、何れか一つの層を屈折率ｎｅの第２の電極１２で置き換えることで第３の増反射膜層を形成することができる。
　図１０においては、第３の増反射膜層１・２・・・ｎと記載しているが、これは、特定位置の層を第２の電極１２で置き換え、どの位置にも第３の増反射膜層を形成することができることを説明するものであり、第３の増反射膜層を複数層形成できることを意味するものではない。
　第２の電極１２は１層のみであるため、第２の電極１２を含む第３の増反射膜層は一層のみ形成でき、その他の増反射膜層は第１の増反射膜層または、第２の増反射膜層となる。
　図１１に示す横電界型液晶表示装置１ｆは、Ａｌで形成された第２の電極６の代わりに、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）１．４７であるＳｉＯ２膜で形成された絶縁層１１と、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）２．０１であるＩＴＯ膜で形成された第２の電極１２と、からなる第３の増反射膜層１を備えている点以外は、実施の形態１における図４に示す横電界型液晶表示装置１ａと同様である。
　図１２は、図１１に示す横電界型液晶表示装置１ｆにおいて、Ａｌで形成された第１の電極４上に形成された第１の増反射膜層１と第３の増反射膜層１との概略構成を示す図である。
　図示されているように、第１の絶縁層７は上層である第２の層７ａと、下層である第１の層７ｂと、で構成され、第２の層７ａと第１の層７ｂとは第１の増反射膜層１を構成する。
　そして、第１の層７ｂはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、２）が１．４７であるＳｉＯ２膜で形成され、第２の層７ａはその屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）ｎi（１、１）が２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成されている。
　それから、第１の増反射膜層１上には、第３の増反射膜層１が形成されており、第３の増反射膜層１は、下層である屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）１．４７であるＳｉＯ２膜で形成された絶縁層１１と、上層である屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）２．０１であるＩＴＯ膜で形成された第２の電極１２と、で構成されている。
　なお、本実施の形態においては、ＳｉＯ２膜の屈折率を１．４７で形成し、ＳｉＮｘ膜の屈折率を２．０３で形成し、ＩＴＯ膜の屈折率を２．０１で形成したが、これに限定されることはなく、ＳｉＯ２膜の屈折率を１．３～１．７の範囲で、ＳｉＮｘ膜の屈折率を１．８～２．２の範囲で、ＩＴＯ膜の屈折率を１．８～２．２の範囲で形成すればよい。
　以下では、図１１に示すような構成を有する横電界型液晶表示装置１ｆを用いて計算されたＳｉＯ２膜で形成された絶縁層１１と、ＩＴＯ膜で形成された第２の電極１２と、の最適膜厚について説明する。
　図１１に図示されているように、第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）においては、第１の絶縁層７のみが増反射膜として機能しているが、第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）においては、第１の絶縁層７だけでなく、第２の電極１２と絶縁層１１との組み合わせも増反射膜として機能している。
　したがって、第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の反射率と第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）の反射率は異なるのでそれぞれ計算を行う必要がある。
　下記表６、表７および表８は、第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の最も良い反射率・色度となる、絶縁層１１および第２の電極１２の膜厚の最適条件の結果を示す。
　なお、λ／４は光学的膜厚であり屈折率ｎと膜厚ｄの積ｎｄで表される。そして、λは設定波長であり、ここではλ＝５５０ｎｍとして計算している。この光学的膜厚の条件をａとｂの値で変えることで、最適な反射率や色度を計算した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　前提条件として、第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の第１の絶縁層７の第１の層７ａは、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）１．４７であるＳｉＯ２膜で形成され、第２の層７ａは、屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）２．０３であるＳｉＮｘ膜で形成されているものとする。
　そして、このときのＳｉＯ２膜およびＳｉＮｘ膜の膜厚は、既に上述した実施の形態１で求めた最適値ａ＝０．９（８４０Å）、ｂ＝０．９（６１０Å）に固定している。
　この条件のもとで、第２の電極１２を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）２．０１であるＩＴＯで形成し、絶縁層１１を屈折率（５５０ｎｍにおける屈折率）１．４７であるＳｉＯ２膜で形成したときの反射率の最適条件を上記表６～８から求めることができる。
　上記表中におけるａの値およびｂの値は、λ／４波長の倍率を表す。
　そして、上記表６は反射率（％）の値を、上記表７はｘｙ色度座標の値を、上記表８はＡｌ単体のｘｙ座標（ｘ＝０．３１１１，ｙ＝０．３２８４）からのΔｘｙ色度差を表す。
　上記表６の結果からａ＝１．８（１７００Å）、ｂ＝０．３（２００Å）のときの反射率が９３．３７％と最も大きくなることがわかる。
　しかしながら、ＩＴＯの膜厚は電極として用いる場合は、５００Å以下は現実的ではなく、ｂ＝０．３（２００Å）の条件では電極としては不都合が生じる場合があるので、ＩＴＯの膜厚は５００Å以上で形成されることが好ましい。
　上記表６～表８の結果から、ＩＴＯの膜厚が５００Å以上であり、反射率が最も良く色度差が小さい条件は、ａ＝１．２（１１００Å）、ｂ＝０．９（６１０Å）である。この時の反射率は９２．３３％、Ａｌとの色度差は０．０１４０７となる。
　上記表６から表８に基づいて、ａの値およびｂの値の最適な範囲を求めると、０．９（８４０Å）＜ａ＜１．８（１７００Å）、０．３（２００Å）＜ｂ＜１．２（８２０Å）であればよく、好ましくは１．２（１１００Å）＜ａ＜１．８（１７００Å）、０．６（４１０Å）＜ｂ＜１．２（８２０Å）であればよい。さらに好ましくは、ａ＝１．２（１１００Å）、ｂ＝０．９（６１０Å）であればよい。
　以下では、比較のため、図１３に示す単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層１０と、ＩＴＯで形成された第２の電極１２と、からなる第４の増反射膜層１を備えた従来のＦＦＳ方式を用いた反射型の横電界型液晶表示装置１ｇの概略構成を用いて、計算された絶縁層１０と、第２の電極１２と、の最適膜厚について説明する。
　下記表９、表１０および表１１は、単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層１０を下層に備えた第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の最も良い反射率・色度となる、絶縁層１０および第２の電極１２の膜厚の最適条件の結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
　上記表９の結果から、ａ＝１．２（１１００Å）、ｂ＝０．６（６１０Å）のときの反射率が９０．２８％と最も大きくなることがわかる。
　しかしながら、ＩＴＯの膜厚は電極として５００Å以下は現実的ではなく、ｂ＝０．３（２００Å）の条件では電極として不都合が生じる場合がある。
　したがって、上記表９から表１１の結果から、ＩＴＯの膜厚が５００Å以上の条件で反射率が最も良く色度差が小さい条件は、ａ＝１．２（１１００Å）、ｂ＝０．９（６１０Å）である。この時の反射率は９０．０２％、Ａｌとの色度差は０．０１４０１となる。
　ここで上記表６から表８の結果と比較してみると、上記表６から表８は図１１に図示されているように、第１の絶縁層７が第１の増反射膜層１である場合の第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の最も良い反射率と色度とを求めたのに対し、上記表９から表１１は、図１３に図示されているように、下層に単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層１０のみを備えた場合の第２の電極１２の形成エリア（Ｌ）の最も良い反射率と色度とを求めている。
　両方の結果を比較してみると、どちらもａ＝１．２（１１００Å），ｂ＝０．９（６１０Å）の場合に反射率が良く色度差が小さいことがわかる。色度差はほぼ等しいが、反射率は図１１に示す構成の場合は９２．３３％であるのに対し、図１３に示す構成の場合は９０．０２％と小さい。
　つまり、Ａｌ単体からの色ズレは同程度であるが、図１１に示す構成の場合は第１の増反射膜層１を備えているので、その反射率が２．３１％程度大きくなっている。
　つぎに、図１１に示す構成の場合の第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）と図１３に示す構成の場合の絶縁膜１０の形成エリア（Ｓ）との反射率を求めた。
　図１１に示す構成の場合の第１の絶縁層７の形成エリア（Ｓ）の反射率は、実施の形態１で求めた表１の結果と同じであるが、図１３に示す構成の場合の絶縁膜１０の形成エリア（Ｓ）の反射率は、絶縁膜１０がＳｉＯ２膜のみ一層なので上記表９のＳｉＯ２の最適値と同じａ＝１．２で計算したところ、絶縁膜１０の形成エリア（Ｓ）の反射率は８８．８２％であった。
　これらの結果に基づいて、画素全体の反射率を計算した結果を下記表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　上記表１２を上から見ていくと、一番上は、図１３に図示されているように、単一層であるＳｉＯ２膜からなる絶縁層１０のみを備え、絶縁層１０と第２の電極１２とで、第４の増反射膜層形成している場合を示しており、そして、その下は、図１１に図示されているように、第３の増反射膜層と、第１の増反射膜層と、をそれぞれ一層ずつ備えている場合を示しており、そして、その下は、第１の増反射膜層が２層と３層とになる場合を示している。
　上記表１２から、図１１に示す構成の場合の画素全体の反射率は、図１３に示す構成の場合の画素全体の反射率より４．８％大きい。そして、第１の増反射膜層が２層と３層と増加するに伴い、画素全体の反射率も増加するが、コストが増えるので第１の増反射膜層は一層備えられていることが好ましい。
　〔実施の形態４〕
　次に、図１４に基づいて、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施の形態においては、反射光の散乱を強めることができるように、第１の電極４の下に散乱層１４を設けている点において実施の形態１から３とは異なる。その他の構成については実施の形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態１から３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
　図１４に示す横電界型液晶表示装置１ｈは、実施の形態１で既に説明した図１に示す横電界型液晶表示装置１に散乱層１４を追加した構成を示す。
　図示されているように、第１の電極４の下に散乱層１４を追加したことで反射光の散乱を強めることができ、本来、反射電極が有する反射率よりも高い反射率で入射光を均一に反射させることができる横電界型液晶表示装置１ｈを実現することができる。
　また、必要に応じて、第１の電極４と散乱層１４との間に、密着層１５を設けてもよく、密着層１５を設けることにより、第１の電極４と散乱層１４との密着度を上げることができる。
　なお、散乱層１４の材料は、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂などを凹凸形状に形成して用いることができる。
　また、密着層１５としては、散乱層１４と第１の電極４との密着性が良好であれば特にその材料は限定されることはないが、例えば、ＭｏやＩＺＯなどを用いることができる。
　また、図示はしてないが、反射光の散乱を強めることができるように、第１の電極４の下に散乱層１４を設ける構成は、上述した実施の形態１から３に記載された何れの構成にも用いることができる。
（まとめ）
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有する材料で形成されており、上記第１の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射層を一層以上備えており、上記第１の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第１の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第２の層の屈折率より小さいことを特徴としている。
　上記構成によれば、上記第１の絶縁層は、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射層を一層以上備えている。
　上記第１の増反射層においては、上記絶縁基板上において、上層である第２の層の界面で反射した光と、上記第２の層と下層である第１の層との境界で反射した光が強めあうことで増反射層として作用する。
　したがって、上記第１の増反射層の作用により、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が複数層積層されて備えられていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が複数層積層されて備えられているので、増反射効果をさらに増加させることができるので、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が一層備えられていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が一層備えられている。したがって、上記アクティブマトリックス基板の製造工程の工程数を大きく増加させることなく、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の複数層積層された上記第１の増反射層において、各々の第１の層は同一材料によって形成され、各々の第２の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、複数層積層された上記第１の増反射層において、各々の第１の層は同一材料で形成されており、各々の第２の層は、上記第１の層を形成する材料とは異なる同一材料によって形成されている。
　したがって、上記アクティブマトリックス基板の製造工程において、複数層積層された上記第１の増反射層は、上記第１の層の形成工程と上記第２の層の形成工程とを繰返して作製することができる。
　よって、比較的容易、かつ、安価に、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第１の増反射層中、上記第１の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第２の層は、シリコン窒化膜で形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の増反射層は、比較的緻密であるシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜で形成されているため、信頼性の高いアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第１の増反射層中、上記第１の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第２の層は、シリコン窒化膜で形成されており、上記第１の層の膜厚は、２８０Å以上、１１００Å以下で形成され、上記第２の層の膜厚は、２００Å以上、８１０Å以下で形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の増反射層を形成するシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のそれぞれの膜厚を所定の厚さに形成することにより、より反射率が高く、反射光における色のずれを抑制できるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極および上記第２の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さいことを特徴としている。
　上記構成によれば、少なくとも、反射電極である上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えている。
　上記第２の増反射層においては、上記絶縁基板上において、上層である第４の層の界面で反射した光と、上記第４の層と下層である第３の層との境界で反射した光が強めあうことで増反射層として作用する。
　したがって、上記第２の増反射層の作用により、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極および上記第２の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第２の電極は反射性を有する材料で形成され、少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さいことが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の増反射層と上記第２の増反射層との両方の作用により、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極および上記第２の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が複数層積層されて備えられていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が複数層積層されて備えられているので、増反射効果をさらに増加させることができるので、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極および上記第２の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が一層備えられていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が一層備えられている。したがって、上記アクティブマトリックス基板の製造工程の工程数を大きく増加させることなく、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極および上記第２の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の複数層積層された上記第２の増反射層において、各々の第３の層は同一材料によって形成され、各々の第４の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、複数層積層された上記第２の増反射層において、各々の第３の層は同一材料で形成されており、各々の第４の層は、上記第３の層を形成する材料とは異なる同一材料によって形成されている。
　したがって、上記アクティブマトリックス基板の製造工程において、複数層積層された上記第２の増反射層は、上記第３の層の形成工程と上記第４の層の形成工程とを繰返して作製することができる。
　よって、比較的容易、かつ、安価に、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極および上記第２の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記第２の増反射層中、上記第３の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第４の層は、シリコン窒化膜で形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第２の増反射層は、比較的緻密であるシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜で形成されているため、信頼性の高いアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記増反射層中、上記第３の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第４の層は、シリコン窒化膜で形成されており、上記第３の層の膜厚は、２８０Å以上、１１００Å以下で形成され、上記第４の層の膜厚は、２００Å以上、８１０Å以下で形成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第２の増反射層を形成するシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のそれぞれの膜厚を所定の厚さに形成することにより、より反射率が高く、反射光における色のずれを抑制できるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板は、上記の課題を解決するために、絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有するとともに、可視光を透過させる材料で形成されており、上記第２の電極の上層または下層には、可視光を透過させる第３の絶縁層が備えられており、上記第３の絶縁層は、上記第２の電極と接する層と、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる一層以上の第３の増反射層と、の積層膜からなり、上記絶縁基板上において、上記第２の電極の形成層が上記第３の絶縁層上に形成される場合は、上記第２の電極の形成層の屈折率が、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率より大きくなる材料で形成され、上記絶縁基板上において、上記第３の絶縁層が上記第２の電極の形成層上に形成される場合は、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率が、上記第２の電極の形成層の屈折率より大きくなる材料で形成されていることを特徴としている。
　上記構成によれば、上記第２の電極と上記第２の電極と接する層とで構成される増反射層と、上記第３の増反射層と、を備えているので、この両方の増反射層の作用により、導電性および反射性を有する材料で形成された上記第１の電極が、本来有する反射率よりも高い反射率で入射光を反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明のアクティブマトリックス基板の上記絶縁基板上において、上記第１の電極の下層には、凹凸状の散乱層が備えられていることが好ましい。
　上記構成によれば、上記第１の電極の下層には、凹凸状の散乱層が備えられているので、上記散乱層の上層に形成される層も凹凸状に形成され、入射光を反射させる際に散乱させることができる。
　したがって、本来、反射電極が有する反射率よりも高い反射率で入射光を均一に反射させることができるアクティブマトリックス基板を実現することができる。
　本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明は、液晶表示装置などの分野に好適に用いることができる。
　１　　　　　　　　　　　横電界型液晶表示装置
　１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ　横電界型液晶表示装置
　１ｅ、１ｆ、１ｈ　　　　横電界型液晶表示装置
　２　　　　　　　　　　　絶縁基板
　３　　　　　　　　　　　対向基板
　４　　　　　　　　　　　第１の電極
　５　　　　　　　　　　　第１の絶縁層
　６　　　　　　　　　　　第２の電極
　７　　　　　　　　　　　第１の絶縁層
　７ａ　　　　　　　　　　第２の層
　７ｂ　　　　　　　　　　第１の層
　８　　　　　　　　　　　第２の絶縁層
　９　　　　　　　　　　　第２の絶縁層
　１０　　　　　　　　　　絶縁層
　１１　　　　　　　　　　絶縁層
　１２　　　　　　　　　　第２の電極１２
　１３　　　　　　　　　　第３の増反射膜層を備えた層
　１４　　　　　　　　　　散乱層
　１５　　　　　　　　　　密着層

Claims (15)

  1. 　絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、
    　上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、
    　上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有する材料で形成されており、
    　上記第１の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第１の増反射層を一層以上備えており、
    　上記第１の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第１の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第２の層の屈折率より小さいことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
  2. 　上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が複数層積層されて備えられていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックス基板。
  3. 　上記第１の絶縁層には、上記第１の増反射層が一層備えられていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックス基板。
  4. 　複数層積層された上記第１の増反射層において、各々の第１の層は同一材料によって形成され、各々の第２の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていること特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリックス基板。
  5. 　上記第１の増反射層中、上記第１の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第２の層は、シリコン窒化膜で形成されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のアクティブマトリックス基板。
  6. 　上記第１の増反射層中、上記第１の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第２の層は、シリコン窒化膜で形成されており、
    　上記第１の層の膜厚は、２８０Å以上、１１００Å以下で形成され、
    　上記第２の層の膜厚は、２００Å以上、８１０Å以下で形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載のアクティブマトリックス基板。
  7. 　絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、
    　上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、
    　上記第１の電極および上記第２の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、
    　少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、
    　上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、
    　上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さいことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
  8. 　上記第２の電極は反射性を有する材料で形成され、
    　少なくとも、上記第２の電極の形成領域上には、第２の絶縁層が形成されており、
    　上記第２の絶縁層は、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる第２の増反射層を一層以上備えており、
    　上記第２の増反射層中、上記絶縁基板上において、下層である可視光を透過させる第３の層の屈折率が、上層である可視光を透過させる第４の層の屈折率より小さいことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載のアクティブマトリックス基板。
  9. 　上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が複数層積層されて備えられていることを特徴とする請求項７または８に記載のアクティブマトリックス基板。
  10. 　上記第２の絶縁層には、上記第２の増反射層が一層備えられていることを特徴とする請求項７または８に記載のアクティブマトリックス基板。
  11. 　複数層積層された上記第２の増反射層において、各々の第３の層は同一材料によって形成され、各々の第４の層は、上記同一材料とは異なる同一材料によって形成されていること特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリックス基板。
  12. 　上記第２の増反射層中、上記第３の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第４の層は、シリコン窒化膜で形成されていることを特徴とする請求項７から１１の何れか１項に記載のアクティブマトリックス基板。
  13. 　上記増反射層中、上記第３の層は、シリコン酸化膜で形成され、上記第４の層は、シリコン窒化膜で形成されており、
    　上記第３の層の膜厚は、２８０Å以上、１１００Å以下で形成され、
    　上記第４の層の膜厚は、２００Å以上、８１０Å以下で形成されていることを特徴とする請求項９または１０に記載のアクティブマトリックス基板。
  14. 　絶縁基板上に形成された第１の電極と、上記第１の電極を覆うように形成された第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層上に形成された複数の第２の電極と、を備え、
    　上記第２の電極は、所定間隔で形成された複数の線状電極が電気的に接続されて形成されており、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との間には、横電界が印加されるアクティブマトリックス基板であって、
    　上記第１の電極は導電性および反射性を有する材料で形成され、上記第２の電極は導電性を有するとともに、可視光を透過させる材料で形成されており、
    　上記第２の電極の上層または下層には、可視光を透過させる第３の絶縁層が備えられており、
    　上記第３の絶縁層は、上記第２の電極と接する層と、互いに屈折率が異なり、かつ、互いに接するように設けられた２つの層からなる一層以上の第３の増反射層と、の積層膜からなり、
    　上記絶縁基板上において、上記第２の電極の形成層が上記第３の絶縁層上に形成される場合は、上記第２の電極の形成層の屈折率が、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層
    の屈折率より大きくなる材料で形成され、
    　上記絶縁基板上において、上記第３の絶縁層が上記第２の電極の形成層上に形成される場合は、上記第３の絶縁層の第２の電極と接する層の屈折率が、上記第２の電極の形成層の屈折率より大きくなる材料で形成されていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
  15. 　上記絶縁基板上において、上記第１の電極の下層には、凹凸状の散乱層が備えられていることを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載のアクティブマトリックス基板。
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