JPH07294956A - 光導電型液晶ライトバルブ - Google Patents
光導電型液晶ライトバルブInfo
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- JPH07294956A JPH07294956A JP8870794A JP8870794A JPH07294956A JP H07294956 A JPH07294956 A JP H07294956A JP 8870794 A JP8870794 A JP 8870794A JP 8870794 A JP8870794 A JP 8870794A JP H07294956 A JPH07294956 A JP H07294956A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対の電極層間における誘電体ミラーでの電
界の広がりを低減し、解像度を向上する。 【構成】 本発明の光導電型液晶ライトバルブによれ
ば、ＺｎＳ膜とＭｇＦ 2 膜との交互積層構造の誘電体ミ
ラー１６が、低い比誘電率（インピーダンス）にて光反
射層としての所望の光反射特性を示す。屈折率が１．５
以下の低屈折率膜と２．３以上の高屈折率膜との交互積
層構造の誘電体ミラーの、各膜が有する１０以下の比誘
電率によって、光反射層において低インピーダンスを保
持する。 【効果】 所期の目的を達成し、また当該積層の各層の
屈折率差が比較的大きいので、誘電体ミラーの膜厚を薄
くできる。これに伴い、さらに解像度が向上する。当該
ミラーの光反射帯域も広くなり、光導電層への漏れ込み
も減りＬＣＬＶとしての光書き込み効率が向上する。
界の広がりを低減し、解像度を向上する。 【構成】 本発明の光導電型液晶ライトバルブによれ
ば、ＺｎＳ膜とＭｇＦ 2 膜との交互積層構造の誘電体ミ
ラー１６が、低い比誘電率（インピーダンス）にて光反
射層としての所望の光反射特性を示す。屈折率が１．５
以下の低屈折率膜と２．３以上の高屈折率膜との交互積
層構造の誘電体ミラーの、各膜が有する１０以下の比誘
電率によって、光反射層において低インピーダンスを保
持する。 【効果】 所期の目的を達成し、また当該積層の各層の
屈折率差が比較的大きいので、誘電体ミラーの膜厚を薄
くできる。これに伴い、さらに解像度が向上する。当該
ミラーの光反射帯域も広くなり、光導電層への漏れ込み
も減りＬＣＬＶとしての光書き込み効率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投射型液晶表示装置等
に用いられ、光反射層として誘電体ミラーを有する光導
電型液晶ライトバルブに関する。
に用いられ、光反射層として誘電体ミラーを有する光導
電型液晶ライトバルブに関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる光導電型液晶ライトバルブを用い
て構成された投射型液晶表示装置の一例を図１に示す。
図１において、光導電型液晶ライトバルブ１には後述す
る一方及び他方の電極間に駆動電圧源１０１の出力駆動
電圧信号が供給されている。光導電型液晶ライトバルブ
１に像を書き込む手段としては、例えば、ビデオアンプ
２を通じてビデオ信号Ｖvが供給されるＣＲＴ（Cathode
Ray Tube；陰極線管）３及びこれに表示された像を液晶
ライトバルブ１に導く光ファイバー４が結合されてなる
光ファイバー管が用いられており、ＣＲＴ３の出力像が
液晶ライトバルブ１の光導電膜に書き込まれる。ビデオ
アンプ２は、出力ビデオ信号のレベルを制御信号Ｖc に
応じて変化させ、ＣＲＴ３の出力像、すなわち液晶ライ
トバルブ１への書込光レベルを変化せしめることができ
る。
て構成された投射型液晶表示装置の一例を図１に示す。
図１において、光導電型液晶ライトバルブ１には後述す
る一方及び他方の電極間に駆動電圧源１０１の出力駆動
電圧信号が供給されている。光導電型液晶ライトバルブ
１に像を書き込む手段としては、例えば、ビデオアンプ
２を通じてビデオ信号Ｖvが供給されるＣＲＴ（Cathode
Ray Tube；陰極線管）３及びこれに表示された像を液晶
ライトバルブ１に導く光ファイバー４が結合されてなる
光ファイバー管が用いられており、ＣＲＴ３の出力像が
液晶ライトバルブ１の光導電膜に書き込まれる。ビデオ
アンプ２は、出力ビデオ信号のレベルを制御信号Ｖc に
応じて変化させ、ＣＲＴ３の出力像、すなわち液晶ライ
トバルブ１への書込光レベルを変化せしめることができ
る。
【０００３】一方、光源５から発せられた読出光は、ミ
ラー６及びコンデンサレンズ７を経て偏光ビームスプリ
ッタ８に入射する。この入射光のうちＰ偏光成分はその
まま偏光ビームスプリッタ８を通過し、Ｓ偏光成分は進
行方向が直角に曲げられて液晶ライトバルブ１に入射す
る。ここで、液晶ライトバルブ１の液晶層に像が描かれ
ていると、液晶ライトバルブ１で反射された反射光中に
は液晶層の像の濃淡に応じて局部的にＰ偏光成分が含ま
れることになる。そして、この反射光中のＰ偏光成分の
みが偏光ビームスプリッタ８をそのまま通過し、投影レ
ンズ９を経てそのＰ偏光成分に対応した像がスクリーン
１０上に投影されるのである。
ラー６及びコンデンサレンズ７を経て偏光ビームスプリ
ッタ８に入射する。この入射光のうちＰ偏光成分はその
まま偏光ビームスプリッタ８を通過し、Ｓ偏光成分は進
行方向が直角に曲げられて液晶ライトバルブ１に入射す
る。ここで、液晶ライトバルブ１の液晶層に像が描かれ
ていると、液晶ライトバルブ１で反射された反射光中に
は液晶層の像の濃淡に応じて局部的にＰ偏光成分が含ま
れることになる。そして、この反射光中のＰ偏光成分の
みが偏光ビームスプリッタ８をそのまま通過し、投影レ
ンズ９を経てそのＰ偏光成分に対応した像がスクリーン
１０上に投影されるのである。
【０００４】図２はこの投射型液晶表示装置に用いられ
る光導電型液晶ライトバルブ１の構成を示している。図
２において、液晶層１１の周りにはスペーサ１２が配さ
れ、液晶層１１の両面には配向膜１３，１４が設けられ
ている。この液晶層１１と例えばアモルファスシリコン
により形成される光導電膜１５とが光反射層としての誘
電体ミラー１６及び光吸収層としての遮光膜１７を挟ん
で積層されている。誘電体ミラー１６は読出側から入射
される投射光を反射するためのもの、遮光膜１７は誘電
体ミラー１６からの漏れ光を吸収し、光導電膜１５への
光を遮断するためのものである。液晶層１１及び光導電
膜１５の外側には液晶層を挟む一方及び他方の電極とし
ての透明導電膜１８，１９が配され、これらの全てはガ
ラス基板２０，２１によって封止されている。
る光導電型液晶ライトバルブ１の構成を示している。図
２において、液晶層１１の周りにはスペーサ１２が配さ
れ、液晶層１１の両面には配向膜１３，１４が設けられ
ている。この液晶層１１と例えばアモルファスシリコン
により形成される光導電膜１５とが光反射層としての誘
電体ミラー１６及び光吸収層としての遮光膜１７を挟ん
で積層されている。誘電体ミラー１６は読出側から入射
される投射光を反射するためのもの、遮光膜１７は誘電
体ミラー１６からの漏れ光を吸収し、光導電膜１５への
光を遮断するためのものである。液晶層１１及び光導電
膜１５の外側には液晶層を挟む一方及び他方の電極とし
ての透明導電膜１８，１９が配され、これらの全てはガ
ラス基板２０，２１によって封止されている。
【０００５】かかる構成の光導電型液晶ライトバルブ１
において、図の右側（書込側）から入射した書込光によ
って光導電膜１５上に像を描いたとき、光導電膜１５の
内部抵抗が像の濃淡に従って局部的に変化するために、
これらの部分に対応するところに隣接する液晶層１１に
は、透明電極１８，１９間の駆動電圧が像の濃淡に従っ
て空間変調されて印加される。
において、図の右側（書込側）から入射した書込光によ
って光導電膜１５上に像を描いたとき、光導電膜１５の
内部抵抗が像の濃淡に従って局部的に変化するために、
これらの部分に対応するところに隣接する液晶層１１に
は、透明電極１８，１９間の駆動電圧が像の濃淡に従っ
て空間変調されて印加される。
【０００６】このようなライトバルブ（以下、ＬＣＬＶ
と称する）の誘電体ミラー１６は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2
との交互の積層（蒸着）により形成されることが多い。
しかしながら、図３に示すように、ＴｉＯ2 の比誘電率
が極めて高いため、かかる積層の各層のうちＴｉＯ2 層
のインピーダンスが低くなってしまう。従って、ＬＣＬ
Ｖに画像の書き込みを行ったとき、透明電極間における
当該ミラーでの電界の広がりによって、図４の曲線Ａの
如く解像度が低下してしまうこととなる。図４は、空間
周波数［ｌｐ／ｍｍ］に対するＭＴＦ（Modulation Tra
nsfer Function）［％］の特性を示しており、曲線Ａ
は、概ね、２０ｌｐ／ｍｍを越えると当該ＭＴＦレベル
５０％を割ってしまう。
と称する）の誘電体ミラー１６は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2
との交互の積層（蒸着）により形成されることが多い。
しかしながら、図３に示すように、ＴｉＯ2 の比誘電率
が極めて高いため、かかる積層の各層のうちＴｉＯ2 層
のインピーダンスが低くなってしまう。従って、ＬＣＬ
Ｖに画像の書き込みを行ったとき、透明電極間における
当該ミラーでの電界の広がりによって、図４の曲線Ａの
如く解像度が低下してしまうこととなる。図４は、空間
周波数［ｌｐ／ｍｍ］に対するＭＴＦ（Modulation Tra
nsfer Function）［％］の特性を示しており、曲線Ａ
は、概ね、２０ｌｐ／ｍｍを越えると当該ＭＴＦレベル
５０％を割ってしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、一対の電極層間における
誘電体ミラーでの電界の広がりを低減し、解像度を向上
することのできる光導電型液晶ライトバルブを提供する
ことを目的とする。
に鑑みてなされたものであり、一対の電極層間における
誘電体ミラーでの電界の広がりを低減し、解像度を向上
することのできる光導電型液晶ライトバルブを提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による光導電型液
晶ライトバルブは、対向する一対の電極層と、前記電極
層の間に配される液晶層及び光導電層と、前記液晶層と
前記光導電層との間に配される前記液晶層側の光反射層
及び前記光導電層側の光吸収層とを有する光導電型液晶
ライトバルブであって、前記光反射層は、ＺｎＳ膜とＭ
ｇＦ2 膜とを交互に積層して形成された誘電体ミラーで
あることを特徴としている。
晶ライトバルブは、対向する一対の電極層と、前記電極
層の間に配される液晶層及び光導電層と、前記液晶層と
前記光導電層との間に配される前記液晶層側の光反射層
及び前記光導電層側の光吸収層とを有する光導電型液晶
ライトバルブであって、前記光反射層は、ＺｎＳ膜とＭ
ｇＦ2 膜とを交互に積層して形成された誘電体ミラーで
あることを特徴としている。
【０００９】本発明による光導電型液晶ライトバルブ
は、対向する一対の電極層と、前記電極層の間に配され
る液晶層及び光導電層と、前記液晶層と前記光導電層と
の間に配される前記液晶層側の光反射層及び前記光導電
層側の光吸収層とを有する光導電型液晶ライトバルブで
あって、前記光反射層は、屈折率が１．５以下の低屈折
率膜と、屈折率が２．３以上の高屈折率膜とを交互に積
層して形成された誘電体ミラーであり、前記低屈折率膜
及び前記高屈折率膜は、比誘電率が１０以下であること
を特徴としている。
は、対向する一対の電極層と、前記電極層の間に配され
る液晶層及び光導電層と、前記液晶層と前記光導電層と
の間に配される前記液晶層側の光反射層及び前記光導電
層側の光吸収層とを有する光導電型液晶ライトバルブで
あって、前記光反射層は、屈折率が１．５以下の低屈折
率膜と、屈折率が２．３以上の高屈折率膜とを交互に積
層して形成された誘電体ミラーであり、前記低屈折率膜
及び前記高屈折率膜は、比誘電率が１０以下であること
を特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の光導電型液晶ライトバルブによれば、
ＺｎＳ膜とＭｇＦ2 膜とを交互に積層して形成された誘
電体ミラーが、低い比誘電率（インピーダンス）にて光
反射層としての所望の光反射特性を示す。本発明の光導
電型液晶ライトバルブによれば、屈折率が１．５以下の
低屈折率膜と、屈折率が２．３以上の高屈折率膜とを交
互に積層して形成された誘電体ミラーの、それぞれの膜
が有する１０以下の比誘電率によって、光反射層におい
て低インピーダンスを保持する。
ＺｎＳ膜とＭｇＦ2 膜とを交互に積層して形成された誘
電体ミラーが、低い比誘電率（インピーダンス）にて光
反射層としての所望の光反射特性を示す。本発明の光導
電型液晶ライトバルブによれば、屈折率が１．５以下の
低屈折率膜と、屈折率が２．３以上の高屈折率膜とを交
互に積層して形成された誘電体ミラーの、それぞれの膜
が有する１０以下の比誘電率によって、光反射層におい
て低インピーダンスを保持する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。本
発明によるＬＣＬＶは、基本的構成を先の図２と同等と
し、誘電体ミラー１６を、ＺｎＳとＭｇＦ2 とを交互に
積層して形成する。図３を見て分かるように、ＺｎＳも
ＭｇＦ2 も比誘電率が低いので、上述したような電界の
広がりがなく、解像度を殆ど低下させない。図４におい
て従来のＴｉＯ2 及びＳｉＯ2 による誘電体ミラーの場
合と比較すると、ＺｎＳとＭｇＦ2との交互積層構造の
誘電体ミラーにて構成されたＬＣＬＶは、同図中曲線Ｂ
の如きＭＴＦ特性を示す。これによれば、２０ｌｐ／ｍ
ｍを越えてもＭＴＦレベル１００％に近い値を持続し、
従来のものに比し格段に解像度が向上することが分か
る。
発明によるＬＣＬＶは、基本的構成を先の図２と同等と
し、誘電体ミラー１６を、ＺｎＳとＭｇＦ2 とを交互に
積層して形成する。図３を見て分かるように、ＺｎＳも
ＭｇＦ2 も比誘電率が低いので、上述したような電界の
広がりがなく、解像度を殆ど低下させない。図４におい
て従来のＴｉＯ2 及びＳｉＯ2 による誘電体ミラーの場
合と比較すると、ＺｎＳとＭｇＦ2との交互積層構造の
誘電体ミラーにて構成されたＬＣＬＶは、同図中曲線Ｂ
の如きＭＴＦ特性を示す。これによれば、２０ｌｐ／ｍ
ｍを越えてもＭＴＦレベル１００％に近い値を持続し、
従来のものに比し格段に解像度が向上することが分か
る。
【００１２】また、図３において示されるように、Ｚｎ
ＳとＭｇＦ2 との屈折率の差は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 と
のそれよりも大きいので、当該誘電体ミラーの膜厚を薄
くでき、解像度の向上にさらに寄与することとなる。こ
の点につき詳しく説明すると、誘電体ミラーの基本的設
計は、図５に示すように、光学長がｎ1ｄ1，ｎ2ｄ2（ｎ
1，ｎ2は屈折率，ｄ1，ｄ2は膜厚）の物質をペアとしこ
れらの繰り返し積層による。一例としては、
ＳとＭｇＦ2 との屈折率の差は、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 と
のそれよりも大きいので、当該誘電体ミラーの膜厚を薄
くでき、解像度の向上にさらに寄与することとなる。こ
の点につき詳しく説明すると、誘電体ミラーの基本的設
計は、図５に示すように、光学長がｎ1ｄ1，ｎ2ｄ2（ｎ
1，ｎ2は屈折率，ｄ1，ｄ2は膜厚）の物質をペアとしこ
れらの繰り返し積層による。一例としては、
【００１３】
【数１】ｎ1ｄ1＝λ／４，ｎ2ｄ2＝λ／４ （λは入射光の波長） が挙げられる。反射域を広げたい場合は、λを数点に設
定し、これを積層していけば良い。
定し、これを積層していけば良い。
【００１４】反射率は、各層の界面での反射を考える
と、概ね、
と、概ね、
【００１５】
【数２】
【００１６】となるとみなせるので（但し、多層の場合
は、もっと複雑になる）、低屈折率材料と高屈折率材料
の屈折率差が大きいほど、反射率を高くすることがで
き、所望の反射率を得るために必要な膜のペアの数を減
少させることができる。従って、屈折率の差が大きいＺ
ｎＳとＭｇＦ2 とによる誘電体ミラーは、その全膜厚を
薄くして形成され得る。
は、もっと複雑になる）、低屈折率材料と高屈折率材料
の屈折率差が大きいほど、反射率を高くすることがで
き、所望の反射率を得るために必要な膜のペアの数を減
少させることができる。従って、屈折率の差が大きいＺ
ｎＳとＭｇＦ2 とによる誘電体ミラーは、その全膜厚を
薄くして形成され得る。
【００１７】一般の光学系において使用される誘電体ミ
ラーは、厚さ，層数ともに制限がなく、要求される反射
特性を得るためだけならばその設計の自由度は高いが、
既述したことからも分かるように、ＬＣＬＶに用いられ
る誘電体ミラーは、インピーダンスが高くなりすぎると
液晶への電圧変化の妨げとなるため、膜厚及び層数を制
限しなければならない。
ラーは、厚さ，層数ともに制限がなく、要求される反射
特性を得るためだけならばその設計の自由度は高いが、
既述したことからも分かるように、ＬＣＬＶに用いられ
る誘電体ミラーは、インピーダンスが高くなりすぎると
液晶への電圧変化の妨げとなるため、膜厚及び層数を制
限しなければならない。
【００１８】かかる制限の下、要求される所定の反射特
性を満たすべく従来の如くＴｉＯ2とＳｉＯ2 とによっ
て誘電体ミラーを形成すると、例えば、ＴｉＯ2 を５０
０〜７００Åとし、ＳｉＯ2 を８００〜１０００Åとし
たとき、膜厚が１．１〜３．３μｍで層数が１４〜４２
となる。またこの場合の誘電体ミラーは、インピーダン
ス値の抑制など種々の事項に鑑みれば、膜厚が２．２μ
ｍで２８層の構造が採用される。
性を満たすべく従来の如くＴｉＯ2とＳｉＯ2 とによっ
て誘電体ミラーを形成すると、例えば、ＴｉＯ2 を５０
０〜７００Åとし、ＳｉＯ2 を８００〜１０００Åとし
たとき、膜厚が１．１〜３．３μｍで層数が１４〜４２
となる。またこの場合の誘電体ミラーは、インピーダン
ス値の抑制など種々の事項に鑑みれば、膜厚が２．２μ
ｍで２８層の構造が採用される。
【００１９】これに対し、同じく所定の反射特性を満た
すべく本実施例の如くＺｎＳとＭｇＦ2 とによって誘電
体ミラーを形成すると、例えば、ＺｎＳを５００〜７０
０Åとし、ＭｇＦ2 を９００〜１１００Åとしたとき、
膜厚が０．９〜２．７μｍで層数が１１〜３３となる。
またこの場合の誘電体ミラーは、上記同様種々の事項に
鑑みれば、膜厚が１．８μｍで２２層の構造が好まし
い。
すべく本実施例の如くＺｎＳとＭｇＦ2 とによって誘電
体ミラーを形成すると、例えば、ＺｎＳを５００〜７０
０Åとし、ＭｇＦ2 を９００〜１１００Åとしたとき、
膜厚が０．９〜２．７μｍで層数が１１〜３３となる。
またこの場合の誘電体ミラーは、上記同様種々の事項に
鑑みれば、膜厚が１．８μｍで２２層の構造が好まし
い。
【００２０】各積層材料の実際の屈折率に関し、低屈折
率材料として屈折率ｎがｎ≦１．５のもの、高屈折率材
料としてｎ≧２．３のものによって良好な結果が得られ
ており、高屈折率材料のＺｎＳと低屈折率材料のＭｇＦ
2 とはこれを充足している。なおかつ既述のようなイン
ピーダンスの影響を考慮すれば、誘電率が１０以下であ
ることが望ましく、これもＺｎＳ及びＭｇＦ2 が共に充
足している。
率材料として屈折率ｎがｎ≦１．５のもの、高屈折率材
料としてｎ≧２．３のものによって良好な結果が得られ
ており、高屈折率材料のＺｎＳと低屈折率材料のＭｇＦ
2 とはこれを充足している。なおかつ既述のようなイン
ピーダンスの影響を考慮すれば、誘電率が１０以下であ
ることが望ましく、これもＺｎＳ及びＭｇＦ2 が共に充
足している。
【００２１】また、信頼性ある密着性を持つ誘電体ミラ
ーを得るためには、膜作製時に発生する当該膜の圧縮応
力と引っ張り応力とを組み合わせることにより補償する
ことが肝要である。圧縮応力が発生する材料は、ＳｉＯ
2 及びＺｎＳであり、引っ張り応力が発生する材料は、
ＴｉＯ2 及びＭｇＦ2 である。従って、図３に示される
ように、ＳｉＯ2 が低屈折率材料で、ＺｎＳが高屈折率
材料で、かつこれら双方が比誘電率の低いものであると
しても、かかる応力による密着性の補償といった面でＳ
ｉＯ2 及びＺｎＳによる誘電体ミラーの形成は、不都合
であり、ＺｎＳとＭｇＦ2 との組み合わせは良好であ
る。
ーを得るためには、膜作製時に発生する当該膜の圧縮応
力と引っ張り応力とを組み合わせることにより補償する
ことが肝要である。圧縮応力が発生する材料は、ＳｉＯ
2 及びＺｎＳであり、引っ張り応力が発生する材料は、
ＴｉＯ2 及びＭｇＦ2 である。従って、図３に示される
ように、ＳｉＯ2 が低屈折率材料で、ＺｎＳが高屈折率
材料で、かつこれら双方が比誘電率の低いものであると
しても、かかる応力による密着性の補償といった面でＳ
ｉＯ2 及びＺｎＳによる誘電体ミラーの形成は、不都合
であり、ＺｎＳとＭｇＦ2 との組み合わせは良好であ
る。
【００２２】さらに本実施例における誘電体ミラーは、
分光反射特性においても、図６の曲線Ｒ1 に示されるよ
うに、従来例（曲線Ｒ2 ）よりも反射帯域幅が広くな
り、光導電層への漏れ込みを激減させる、という利点も
ある。なお、図６において、入射角は１２度であり、曲
線Ｒ1 は膜厚を１．７８μｍ、曲線Ｒ2 は膜厚を２．２
μｍとしたものである。
分光反射特性においても、図６の曲線Ｒ1 に示されるよ
うに、従来例（曲線Ｒ2 ）よりも反射帯域幅が広くな
り、光導電層への漏れ込みを激減させる、という利点も
ある。なお、図６において、入射角は１２度であり、曲
線Ｒ1 は膜厚を１．７８μｍ、曲線Ｒ2 は膜厚を２．２
μｍとしたものである。
【００２３】かくして本実施例ＬＣＬＶは、解像度の向
上，コントラストの向上，光書込効率の向上、という効
果を奏することとなる。
上，コントラストの向上，光書込効率の向上、という効
果を奏することとなる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光導電型
液晶ライトバルブによれば、ＺｎＳ膜とＭｇＦ2 膜とを
交互に積層して形成された誘電体ミラーが、低い比誘電
率（インピーダンス）にて光反射層としての所望の光反
射特性を示す。また、本発明の光導電型液晶ライトバル
ブによれば、屈折率が１．５以下の低屈折率膜と、屈折
率が２．３以上の高屈折率膜とを交互に積層して形成さ
れた誘電体ミラーの、それぞれの膜が有する１０以下の
比誘電率によって、光反射層において低インピーダンス
を保持する。
液晶ライトバルブによれば、ＺｎＳ膜とＭｇＦ2 膜とを
交互に積層して形成された誘電体ミラーが、低い比誘電
率（インピーダンス）にて光反射層としての所望の光反
射特性を示す。また、本発明の光導電型液晶ライトバル
ブによれば、屈折率が１．５以下の低屈折率膜と、屈折
率が２．３以上の高屈折率膜とを交互に積層して形成さ
れた誘電体ミラーの、それぞれの膜が有する１０以下の
比誘電率によって、光反射層において低インピーダンス
を保持する。
【００２５】これにより、一対の電極層間における誘電
体ミラーでの電界の広がりを低減し、解像度を向上する
ことができる。また、当該積層の各層の屈折率差が比較
的大きいので、誘電体ミラーの膜厚を薄くすることがで
きる。これに伴い、さらなる解像度の向上に寄与するこ
ととなる。そして分光反射特性における光反射帯域も広
くなり、光導電層への漏れ込みも少なくなってＬＣＬＶ
としての光書き込み効率が向上するので好都合である。
体ミラーでの電界の広がりを低減し、解像度を向上する
ことができる。また、当該積層の各層の屈折率差が比較
的大きいので、誘電体ミラーの膜厚を薄くすることがで
きる。これに伴い、さらなる解像度の向上に寄与するこ
ととなる。そして分光反射特性における光反射帯域も広
くなり、光導電層への漏れ込みも少なくなってＬＣＬＶ
としての光書き込み効率が向上するので好都合である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の投射型液晶表示装置の構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【図２】 従来の光導電型液晶ライトバルブの構造を示
す断面図。
す断面図。
【図３】 従来例及び本発明による実施例におけるＬＣ
ＬＶの、誘電体ミラーを構成する各材料の比誘電率及び
屈折率を示す表。
ＬＶの、誘電体ミラーを構成する各材料の比誘電率及び
屈折率を示す表。
【図４】 従来例及び本発明による実施例におけるＬＣ
ＬＶの、空間周波数に対するＭＴＦを示す特性図。
ＬＶの、空間周波数に対するＭＴＦを示す特性図。
【図５】 本発明による実施例ＬＣＬＶの誘電体ミラー
の構造を示す断面図。
の構造を示す断面図。
【図６】 従来例及び本発明による実施例ＬＣＬＶの誘
電体ミラーの分光反射特性を示す図。
電体ミラーの分光反射特性を示す図。
１ 光導電型液晶ライトバルブ １０１ 交流電源 ２ ビデオアンプ ３ ＣＲＴ ４ 光ファイバー ５ 光源 ６ ミラー ７ コンデンサレンズ ８ ビームスプリッタ ９ 投影レンズ １０ スクリーン １１ 液晶層 １２ スペーサ １３，１４ 配向層 １５ 光導電層 １６ 光反射層（誘電体ミラー） １７ 光吸収層 １８，１９ 透明電極層 ２０，２１ ガラス基板
Claims (2)
- 【請求項１】 対向する一対の電極層と、前記電極層の
間に配される液晶層及び光導電層と、前記液晶層と前記
光導電層との間に配される前記液晶層側の光反射層及び
前記光導電層側の光吸収層とを有する光導電型液晶ライ
トバルブであって、 前記光反射層は、ＺｎＳ膜とＭｇＦ2 膜とを交互に積層
して形成された誘電体ミラーであることを特徴とする光
導電型液晶ライトバルブ。 - 【請求項２】 対向する一対の電極層と、前記電極層の
間に配される液晶層及び光導電層と、前記液晶層と前記
光導電層との間に配される前記液晶層側の光反射層及び
前記光導電層側の光吸収層とを有する光導電型液晶ライ
トバルブであって、 前記光反射層は、屈折率が１．５以下の低屈折率膜と、
屈折率が２．３以上の高屈折率膜とを交互に積層して形
成された誘電体ミラーであり、前記低屈折率膜及び前記
高屈折率膜は、比誘電率が１０以下であることを特徴と
する光導電型液晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8870794A JPH07294956A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8870794A JPH07294956A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294956A true JPH07294956A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13950371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8870794A Pending JPH07294956A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 光導電型液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294956A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731046B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사율이 높은 액정표시장치 |
| JP2008134673A (ja) * | 2008-03-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| JP2011053715A (ja) * | 2010-12-01 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| US20140312354A1 (en) * | 2011-11-22 | 2014-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP8870794A patent/JPH07294956A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731046B1 (ko) * | 2003-01-28 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사율이 높은 액정표시장치 |
| JP2008134673A (ja) * | 2008-03-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| JP2011053715A (ja) * | 2010-12-01 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| US20140312354A1 (en) * | 2011-11-22 | 2014-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
| US9252162B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
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