WO2008056773A1 - Adhesive film, and connection structure and connecting method for circuit member - Google Patents

Adhesive film, and connection structure and connecting method for circuit member Download PDF

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adhesive film
connection terminal
conductive
connection
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Katsuhiko Tomisaka
Jun Taketatsu
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Hitachi Chemical Company, Ltd.
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    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film, a circuit member connection structure, and a connection method.
  • a liquid crystal driving IC is mounted on a liquid crystal display glass panel by COG (Chip-On-Glass) mounting, COF (Chip-On-Flex) mounting, or the like.
  • COG mounting an LCD driving IC is directly bonded onto a glass panel using an adhesive film containing conductive particles.
  • COF mounting a liquid crystal drive IC is bonded to a flexible tape with metal wiring, and these are bonded to a glass panel using an adhesive film containing conductive particles.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 8-279371
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-201450
  • the bump surface When the number of conductive particles is increased to obtain a stable connection resistance when the product is small, for example, less than 3000 m 2 , there is still room for improvement in insulation between adjacent circuit electrodes.
  • the storage elastic modulus of the cured product of the adhesive film after heating and pressing is increased when mounting the liquid crystal driving IC on the liquid crystal display glass panel.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an electrical connection with low resistance is obtained for COG mounting and COF mounting, and a liquid crystal driving IC is mounted on a liquid crystal display glass panel. It is an object of the present invention to provide an adhesive film in which subsequent panel warpage is sufficiently prevented, and a circuit member connection method and connection structure using the same.
  • the present invention includes a conductive insulating layer containing conductive particles and an insulating adhesive layer, and the cured insulating adhesive layer after being heated and pressed under predetermined conditions in the stacking direction.
  • An adhesive film having a value C / D of 1.2 to 3.0 obtained by dividing area C of the main surface by area D of the main surface of the cured conductive adhesive layer is provided.
  • the adhesive film of the present invention low-resistance electrical connection can be obtained with respect to COG mounting and COF mounting, and panel warpage after mounting a liquid crystal driving IC on a liquid crystal display glass panel, and Short circuit occurrence between adjacent electrodes is sufficiently prevented.
  • the C / D value is an index indicating the difference between the fluidity of the insulating adhesive layer and the fluidity of the conductive adhesive layer.
  • the insulating adhesive layer preferentially flows over the conductive adhesive layer when heating and pressurizing. For this reason, when connecting the circuit, the gap between the circuit electrodes on the circuit board is easily filled with the insulating adhesive layer, and the conductive particles in the conductive adhesive layer flow into the gap. Next to it will be easier to prevent It is considered that the occurrence of a short circuit between the contact electrodes is sufficiently prevented.
  • the conductive particles in the conductive adhesive layer are prevented from flowing into the gap, the number of conductive particles trapped between the circuit electrodes to be connected increases, resulting in a low-resistance electrical connection. Is likely to be obtained.
  • the fluidity of the insulating adhesive layer relative to the fluidity of the conductive adhesive layer is higher than when this value exceeds 3.0.
  • the above predetermined condition refers to a condition in which the adhesive film of the present invention is sandwiched between two glass plates and heated and pressurized at 160 ° C and 2 MPa for 10 seconds.
  • the insulating adhesive layer preferably contains a bisphenol F-type phenoxy resin.
  • the conductive adhesive layer comprises a bisphenol A-type phenoxy resin and a bisphenol A'F copolymer type phenoxy resin. It is preferable to contain at least one kind of resin more selected. According to this, the fluidity of the insulating adhesive layer and the fluidity of the conductive adhesive layer are more highly controlled.
  • An adhesive film of the present invention is the above-mentioned adhesive film used for electrically connecting connecting terminals facing each other, and is a cured product of the adhesive film at 40 ° C and a frequency of 10Hz.
  • the storage elastic modulus E ′ is preferably 0.5 to 2.5 GPa.
  • the cohesive force of the components in the cured product of the adhesive film after connecting the connection terminals is improved, and the internal stress is reduced. For this reason, advantageous effects such as improved display quality, adhesive strength and conduction characteristics of the mounted product can be obtained.
  • the storage elastic modulus is less than 0.5 GPa, compared with the case where it is in the above-mentioned range, the connection portion when connecting the circuit member in which the cohesive force of the component in the cured product of the adhesive film is low is connected. Electric resistance tends to increase.
  • the storage elastic modulus exceeds 2.5 GPa, compared to the above range, the hardness of the cured adhesive film increases and the panel warpage prevention effect of the mounted product decreases. is there.
  • the insulating adhesive layer and / or the conductive adhesive layer preferably contains a film forming material, an epoxy resin, and a latent curing agent. According to this, the above-mentioned effect of the present invention can be more reliably confirmed. I really want to play it.
  • a conductive adhesive layer containing conductive particles and an insulating adhesive layer are laminated, and the insulating adhesive layer contains a bisphenol F-type phenoxy resin.
  • the insulating adhesive layer contains a bisphenol F-type phenoxy resin.
  • the present invention provides a first circuit member having a first connection terminal, a second circuit member having a second connection terminal, a first connection terminal, and a second connection terminal.
  • an adhesive film is interposed between the first connection terminal and the second connection terminal that are arranged opposite to each other, heated and pressurized, and the first connection terminal and the second connection terminal
  • connection structure in which a value C / D obtained by dividing the area C of the main surface of the conductive adhesive layer by the area D of the main surface of the cured conductive adhesive layer is 1.2 to 3.0. According to such a circuit member connection structure, since the adhesive film of the present invention is used, the connection reliability is sufficiently high.
  • At least one of the first and second circuit members may be an IC chip.
  • At least one surface of the first and second connection terminals is selected from the group consisting of gold, silver, tin, a platinum group metal, and indium tin oxide (ITO). It contains at least one kind.
  • connection structure at least one surface of the first and second circuit members.
  • the present invention also provides a first circuit member having a first connection terminal, a second circuit member having a second connection terminal, a first connection terminal, and a second connection terminal.
  • an adhesive film is interposed between the first and second connection terminals arranged opposite to each other, and heated and pressurized to connect the first connection terminal and the second connection terminal.
  • a method for connecting circuit members to be electrically connected, wherein the adhesive film comprises a conductive adhesive layer containing conductive particles and an insulating adhesive layer.
  • the area C of the main surface of the cured insulating adhesive layer after heating and pressing is divided by the area D of the main surface of the cured conductive adhesive layer C / D is 1.2 3.0 It provides a connection method. According to such a connection method, since the adhesive film of the present invention is used, a sufficiently reliable connection structure can be obtained.
  • low resistance electrical connection can be obtained with respect to COG mounting or COF mounting, and panel warping after mounting a liquid crystal driving IC on a liquid crystal display glass panel, and between adjacent electrodes It is possible to provide an adhesive film in which the occurrence of a short circuit is sufficiently prevented, and a circuit member connection method and connection structure using the adhesive film.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a circuit member connection structure according to the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an image obtained by imaging a cured adhesive film after heating and pressing with a scanner.
  • the present invention includes a conductive adhesive layer containing conductive particles and an insulating adhesive layer, and the main surface of the cured insulating adhesive layer after being heated and pressed under predetermined conditions in the stacking direction.
  • the value obtained by dividing the area C by the area D of the main surface of the cured conductive adhesive layer is C / D of 1.2 3.0
  • An adhesive film is provided.
  • the adhesive film of the present invention a low resistance electrical connection can be obtained with respect to COG mounting and COF mounting, and the panel warpage after mounting the liquid crystal driving IC on the liquid crystal display glass panel. And short-circuit between adjacent electrodes are sufficiently prevented.
  • the conductive adhesive layer does not flow and the resin staying between the electrodes cannot be removed, or the insulating adhesive layer excessively flows and connects between the connected circuits. It is possible to prevent problems such as a decrease in adhesive strength due to insufficient resin filling.
  • the value of C / D is more preferably 1.5 to 2.5.
  • the insulating adhesive layer and the conductive adhesive layer have substantially the same area of the main surface before being heated and pressed under the predetermined conditions.
  • A be the area of this principal surface.
  • the areas of the main surfaces of the insulating adhesive layer and the conductive adhesive layer after heating and pressing under the predetermined conditions are C and D, respectively, as described above.
  • C / A and D / A are defined as indicators of the fluidity of the insulating adhesive layer and conductive adhesive layer accompanying the above heating and pressing. These fluidity indicators indicate that the higher the numerical value, the easier it is to flow with the heating and pressurization.
  • the value C / D according to the present invention is the same as the value obtained by dividing the fluidity index C / A of the insulating adhesive layer by the fluidity index D / A of the insulating adhesive layer.
  • Examples of conductive particles include metal particles such as gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), copper (Cu), and solder; carbon particles; non-conductive substances such as glass, ceramics, and plastics.
  • the surface is coated with a conductive material such as Au, Ag or Cu; and the surface of a transition metal such as Ni is coated with a noble metal such as Au.
  • the surface layer of the conductive particles is preferably Au, Ag, or a noble metal such as a white metal.
  • conductive particles with non-conductive substances coated with noble metals or hot-melt metal particles are used, they are deformable by heating and pressurization, increasing the contact area with the electrode during connection and increasing reliability. This is preferable because of improved properties.
  • the thickness of the coating layer in the surface of the non-conductive substance coated with a noble metal is preferably 100 angstroms or more in order to obtain good resistance. Also, in the case where the surface of a transition metal such as Ni is coated with a noble metal, the redox action caused by the loss of the coating layer made of noble metal or the loss of the coating layer that occurs when the conductive particles are mixed and dispersed In this case, free radicals are generated, which may cause deterioration in storage stability. Therefore, the thickness of the coating layer is preferably 300 angstroms or more. In addition, when the thickness of the coating layer is 1 ⁇ m or more, the above-mentioned effect is saturated. Therefore, the thickness of the coating layer is preferably less than 1 am, but this does not limit the thickness of the coating layer. Absent.
  • the conductive particles may be used alone or in combination of two or more.
  • Such conductive particles are preferably contained in an amount of 0.;! To 30 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the resin component in the adhesive film. More preferred. According to this, the short circuit of the adjacent circuit due to the excessive conductive particles can be prevented to a higher degree.
  • the “resin component” refers to a component other than the conductive particles in the adhesive film, and specifically refers to a film-forming material, an epoxy resin, a latent curing agent, etc., which will be described later.
  • the insulating adhesive layer and the conductive adhesive layer preferably contain a film forming material, an epoxy resin, and a latent curing agent. According to this, it is possible to obtain the above-mentioned effect of the present invention more reliably with the force S.
  • a film-forming material is a machine that, when a liquid is solidified and the constituent composition is made into a film shape, makes it easy to handle the film and does not easily tear, crack, or stick. It imparts properties and the like, and can be handled as a film in a normal state.
  • Specific examples thereof include phenoxy resin, polybulal formal resin, polystyrene resin, polybulutyl resin, polyester resin, polyamide resin, xylene resin, and polyurethane resin. These may be used alone or in combinations of two or more. Of these, phenoxy resin strength is particularly preferred because of its excellent adhesiveness, compatibility, heat resistance and mechanical strength.
  • the phenoxy resin is, for example, a resin obtained by polyaddition of a bifunctional epoxy resin and a bifunctional phenol with a force for reacting a bifunctional phenol with an epihalohydrin up to a high molecular weight.
  • the phenoxy resin comprises a bifunctional phenol 1 monole and epinohydrohydrin 0.985-1.015 in the presence of an anolelic metal hydroxide in a non-reactive solvent. It can be obtained by reacting at a temperature of 120 ° C.
  • Such a phenoxy resin has a special feature from the viewpoint of improving mechanical characteristics and thermal characteristics.
  • the blending equivalent ratio of the bifunctional epoxy resin and the bifunctional phenol is 1 / 0.9 to 9/1 in the epoxy group / phenolic hydroxyl group; 1 / 1.1, alkali metal compound, organophosphorus compound, cyclic amine
  • a catalyst such as a base compound in an organic solvent such as an amide, ether, ketone, ratatone, or alcohol having a boiling point of 120 ° C or higher
  • the reaction solid content is 50% by mass or less. Those obtained by heating to ⁇ 200 ° C. to cause a polyaddition reaction are preferred.
  • bifunctional epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin.
  • Bifunctional phenols have two phenolic hydroxyl groups, and examples thereof include bisphenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, and bisphenol S.
  • the phenoxy resin is modified with radically polymerizable functional groups!
  • the above phenoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the insulating adhesive layer and the conductive adhesive layer may contain different types of phenoxy resins.
  • the insulating adhesive layer contains bisphenol F type phenoxy resin
  • the conductive adhesive layer contains at least one selected from the group consisting of bisphenol A type phenoxy resin and bisphenol A′F copolymer type phenoxy resin. It is preferable to contain the resin. According to this, the heat resistance and fluidity of the insulating adhesive layer are improved, and the elastic modulus and fluidity of the conductive adhesive layer are lowered. Therefore, the fluidity of the conductive adhesive layer with respect to the insulating adhesive layer is suppressed.
  • epoxy resins include bisphenol type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD; derived from epichlorohydrin and phenol nopolac or cresol nopolac.
  • Epoxy nopolac resin Naphthalene epoxy resin having a skeleton containing naphthalene ring; Glycidylamine, glycidyl ether, biphenyl, alicyclic, and other various epoxy compounds having two or more darisidyl groups in one molecule be able to.
  • These epoxy resins can be used alone or in admixture of two or more.
  • These epoxy resins are highly pure with impurities ions (Na + , C ⁇ , etc.) and hydrolyzable chlorine reduced to 300 ppm or less. It is preferable to use a regular product in order to prevent electron migration.
  • latent curing agent used in the present invention examples include imidazole curing agents, hydrazide curing agents, boron trifluoride-amine complexes, sulfonium salts, amine amines, polyamine salts, and dicyandiamide. These latent curing agents can be used singly or in combination of two or more, and may be used by mixing a decomposition accelerator, an inhibitor and the like. In addition, these encapsulants coated with a polyurethane or polyester polymer material and encapsulated in microcapsules are preferred because of their extended pot life! /.
  • the adhesive film of the present invention is a polymer or copolymer containing at least one of acrylic acid, acrylic ester, methacrylic ester or acrylonitrile as a monomer component in the insulating adhesive layer and / or the conductive adhesive layer. Contains coalescence! / When a glycidyl acrylate rubber containing a glycidyl ether group containing a glycidyl ether group containing a glycidyl ether group is used, it is preferable because of excellent stress relaxation.
  • the molecular weight (weight-average molecular weight in terms of polystyrene by size exclusion chromatography) of such attalinole rubber is preferably 200,000 or more in order to increase the cohesive strength of the adhesive film!
  • the adhesive film further comprises an insulating adhesive layer and / or a conductive adhesive layer, a filler, a softener, an accelerator, an anti-aging agent, a flame retardant, a dye, a thixotropic agent, and a coupling agent. , Containing a melamine resin and isocyanates!
  • the inclusion of a filler is preferable because improvement in connection reliability and the like can be obtained.
  • the filler can be used if its maximum diameter is less than the particle diameter of the conductive particles.
  • the content of the filler is preferably in the range of 5 to 60 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the resin component in the adhesive film. If this content exceeds 60 parts by volume, the effect of improving reliability tends to be saturated, and if it is less than 5 parts by volume, the effect of adding a filler is small.
  • a ketimine, bur group, acrylic group, amino group, epoxy group and isocyanate group-containing material is preferable from the viewpoint of improving the adhesiveness.
  • Specific examples include N- ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ - ⁇ (aminoethyl) ⁇ -aminopropylmethyldimethoxysilane, ⁇ - ⁇ Mino propyltriethoxysilane, Nyu- phenyl one I - like ⁇ amino propyl trimethoxy silane force S.
  • silane coupling agent having ketimine examples thereof include those obtained by reacting a silane coupling agent having a ketone compound such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone.
  • the cured product of the above adhesive film preferably has a storage elastic modulus E 'of 0.5 to 2.5 GPa at 40 ° C and a frequency of 10 Hz. More preferred.
  • the storage elastic modulus is less than 0.5 GPa, compared with the case where it is in the above-mentioned range, the electrical properties of the connection part when connecting circuit members in which the cohesive force of the components in the cured adhesive film is low are connected. Resistance tends to increase.
  • the storage elastic modulus exceeds 2.5 GPa, the hardness of the cured product of the adhesive film increases and the effect of preventing the panel warpage of the mounted product decreases compared to the case where it is within the above range. It is in.
  • the adhesive film of the present invention may be composed of two layers composed of an insulating adhesive layer and a conductive adhesive layer, or may be composed of three or more layers. .
  • the insulating adhesive layer and the conductive adhesive layer are preferably laminated alternately.
  • an adhesive film composed of three layers includes a conductive adhesive layer, an insulating adhesive layer, and a conductive adhesive layer laminated in this order, or an insulating adhesive layer, a conductive adhesive layer, and an insulating adhesive. The layer is laminated in this order.
  • the conductive adhesive layers or the insulating adhesive layers may be different in material, composition and / or film thickness, or may be the same.
  • the adhesive film of the present invention that satisfies the numerical range of C / D described above is, for example, the following (1), (2) can be obtained by combining! /, Displacement force, one insulating adhesive layer and one of the following (3) to (5) conductive adhesive layers .
  • An insulating adhesive layer containing bisphenol F-type phenoxy resin (1) An insulating adhesive layer containing bisphenol F-type phenoxy resin.
  • a conductive adhesive layer containing a bisphenol A type phenoxy resin or a bisphenol A'F copolymer type phenoxy resin is a conductive adhesive layer containing a bisphenol A type phenoxy resin or a bisphenol A'F copolymer type phenoxy resin.
  • a conductive adhesive layer containing a phenoxy resin containing a fluorene ring in the molecule (4) A conductive adhesive layer containing a phenoxy resin containing a fluorene ring in the molecule.
  • the adhesive film described above can be used to electrically connect an IC chip to a flexible tape or a glass substrate, for example, in COG mounting or COF mounting.
  • the present invention provides a first circuit member having a first connection terminal and a second circuit member having a second connection terminal, the first connection terminal and the second connection terminal being opposed to each other. Then, the above-mentioned adhesive film is interposed between the first connection terminal and the second connection terminal arranged opposite to each other, and the first connection terminal and the second connection terminal are electrically connected by applying heat and pressure.
  • a circuit member connection structure is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a circuit member connection structure according to the present invention.
  • a connection structure 100 shown in FIG. 1 includes a first circuit member 10 and a second circuit member 20 that face each other, and between the first circuit member 10 and the second circuit member 20, A circuit connecting member 30 for connecting them is provided.
  • first and second circuit members 10 and 20 include a chip component such as a semiconductor chip, a resistor chip or a capacitor chip, or a substrate such as a printed circuit board.
  • Connection structure 100 can be connected to the IC chip and the chip mounting substrate, to the electrical circuit, from the IC chip to the glass substrate or to the flexible substrate in COG mounting or COF mounting. There are also connections with tape.
  • At least one of the circuit members 10 and 20 is an IC chip.
  • circuit members 10 and 20 are coated or adhered with at least one selected from the group consisting of silicon nitride, silicone compounds, and polyimide resins.
  • the adhesive strength to such a circuit member is particularly good.
  • the first circuit member 10 includes a first circuit board 11 and a first electrode (connection terminal) 12 formed on the main surface 11a of the first circuit board 11.
  • the second circuit member 20 includes a second circuit board 21 and a second electrode (connection terminal) 22 formed on the main surface 21 a of the second circuit board 21.
  • the first electrode 12 and the second electrode 22 are arranged to face each other and are electrically connected.
  • an insulating layer (not shown) may be formed on the main surface 11a of the first circuit board 11 and the main surface 21a of the second circuit board 21.
  • the surface force of at least one of the first and second electrodes 11 and 12 includes at least one selected from the group consisting of gold, silver, tin, platinum group metals, and indium tin oxide (ITO). And are preferred.
  • the circuit connection member 30 is a cured product of the above-described adhesive film.
  • the first electrode 12 and the second electrode 22 are electrically connected by conductive particles (not shown) in the cured adhesive film.
  • a method for manufacturing the connection structure 100 of the present embodiment is, for example, as follows. First, the above-mentioned adhesive film is interposed between the first and second circuit members 10 and 20. At this time, the first and second circuit members 10 and 20 are arranged so that the first electrode 12 and the second electrode 22 face each other. Note that the adhesive film may be interposed such that its insulating adhesive layer side is in contact with the first electrode 12 or may be interposed in contact with the second electrode 22. Next, while heating the adhesive film through the first and second circuit members 10 and 20, the adhesive film is pressurized in the laminating direction to cure the adhesive film, thereby forming the connection structure 100.
  • the curing treatment can be performed by a general method, and the method is appropriately selected depending on the adhesive film.
  • the preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.
  • bisphenol F type phenoxy resin is manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name “FX-316”, bisphenol A type phenoxy resin is manufactured by Inchemco Corporation, trade name “PKHC”, bis Phenolic A'F copolymerization type phenoxy resin is manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name “ZX-1356-2”, and aromatic sulfone salt is Sanshin Chemical Industry Co., Ltd., trade name “Sun-Aid SI-60” Were used respectively.
  • liquid epoxy a liquid epoxy containing a microcapsule type latent curing agent (manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd., trade name “Novaquia HX-3941”, epoxy equivalent 185) was used.
  • bisphenol A-type phenoxy resin bis-phenolate A'F copolymer type phenoxy resin: liquid epoxy had a solid mass ratio of 30:30:40.
  • the resulting formulation Further, 10% by volume of conductive particles was added to the liquid and dispersed in the liquid, and 2.4 g of aromatic sulfone salt was added as a latent curing agent to obtain a dispersion.
  • the resulting dispersion was applied to a PET film with a 50 m thickness on one side treated with silicone using a coating device, and then dried with hot air at 70 ° C for 5 minutes to obtain a conductive layer with a thickness of 10 ⁇ .
  • An adhesive layer was formed. The formed insulating adhesive layer and conductive adhesive layer were bonded using a laminator to obtain an adhesive film sandwiched between PET films.
  • An adhesive film with a PET film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the formation of the insulating adhesive layer was changed as follows. 100 g of bisphenol F-type phenoxy resin was dissolved in a mixed solvent of toluene and ethyl acetate having a mass ratio of 50:50 to obtain a first solution having a solid content of 60% by mass. On the other hand, 50 g of bisphenol A′F copolymerization type phenoxy resin was dissolved in a mixed solvent of toluene and ethyl acetate having a mass ratio of 50:50 to obtain a second solution having a solid content of 45 mass%. The first and second solutions described above were mixed, and liquid epoxy was further added to the mixed solution.
  • the bisphenol F-type phenoxy resin bisphenol A′F copolymer type phenoxy resin: liquid epoxy had a solid mass ratio of 30:30:40.
  • 2.4 g of aromatic sulfoyuum salt was added as a latent curing agent to obtain a mixed solution.
  • the resulting mixture was applied to a PET film with a 50 m thickness on one side treated with silicone using a coating device, and then dried with hot air at 70 ° C for 5 minutes to insulate 10 m in thickness. An adhesive layer was formed.
  • the bisphenol F type phenoxy resin bisphenol A′F copolymerization type phenoxy resin: liquid epoxy had a solid mass ratio of 30:30:40.
  • 10% by volume of conductive particles were blended with the resin component in the obtained blended liquid and dispersed, and 2.4 g of aromatic sulfonium salt was added as a latent curing agent to obtain a dispersion.
  • the obtained dispersion was applied to a PET film having a thickness of 50 111 on one surface treated with silicone using a coating apparatus, and then dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to have a thickness of 10 ⁇ .
  • a conductive adhesive layer was formed. The formed insulating adhesive layer and conductive adhesive layer were bonded using a laminator to obtain an adhesive film sandwiched between PET films.
  • An adhesive film with a PET film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the insulating adhesive layer was formed as follows. 100 g of bisphenol F-type phenoxy resin was dissolved in a mixed solvent of toluene and ethyl acetate having a mass ratio of 50:50 to obtain a solution having a solid content of 60% by mass. Liquid epoxy was blended with the solution to obtain a mixed solution. The liquid epoxy was blended in an amount such that bisphenol F-type phenoxy resin: liquid epoxy had a solid mass ratio of 60:40. The obtained mixed liquid was applied to a PET film having a surface of 50 Hm treated with silicone without using an aromatic sulfone salt as a latent curing agent, using a coating apparatus. Thereafter, an insulating adhesive layer having a thickness of 10 was formed by hot air drying at 70 ° C. for 5 minutes.
  • circuit member connection structures Made.
  • the PET film on the conductive adhesive layer side of the adhesive film was peeled and removed to expose the surface of the conductive adhesive layer.
  • an ITO film was formed on the glass having a thickness of 0.5 mm by vapor deposition to obtain an ITO substrate (surface resistance: 20 ⁇ / port).
  • an adhesive film was temporarily fixed on the ITO substrate. Thereafter, the other PET film was peeled off from the adhesive film.
  • an IC chip provided with 2 mm IJ (staggered array) gold bumps having a knock area of 30 111 X 50 ⁇ 111, a pitch of 40 m, and a height of 15 m was placed on the adhesive film.
  • Circuit board connection structure by connecting the ITO substrate and the IC chip by sandwiching the adhesive film on which the IC chip is placed between quartz glass and a pressure head, and applying heat and pressure at 160 ° C, 100 MPa for 10 seconds. was made.
  • connection structure Using the above-mentioned connection structure, observe the 300 m ⁇ 50 m area from the glass side of the ITO substrate with a metal microscope (500 times magnification) at 200 locations, and the conductive particles sandwiched between the ITO substrate and the gold bumps. Counted the number of children. Then, the number of conductive particles per region was obtained by arithmetic mean. The results are shown in Table 1.
  • connection structure of the circuit members obtained using the adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 the electrical resistance value of the connection part was set to the initial value and the high temperature and high humidity tank (85 ° C 85% RH). (Under environment) and after holding for 500 hours, it was measured with a multimeter using the 4-terminal measurement method. The results are shown in Table 1.
  • the adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were cut into a disk shape of ⁇ 5.5 mm. Next, the cut adhesive film was sandwiched between two glass plates having a thickness of 0.7 mm and 15 mm XI 5 mm, and heated and pressed under the conditions of 160 ° C., 2 MPa, and 10 seconds.
  • the value of C / A was calculated from the area A of the main surface of the adhesive film before heating and pressing and the area C of the main surface of the cured insulating adhesive layer after heating and pressing.
  • the D / A value of the conductive adhesive layer is obtained from the area A of the main surface of the adhesive film before heating and pressing and the area D of the main surface of the cured conductive adhesive layer after heating and pressing. Therefore, the C / A value was calculated by dividing the C / A value by the D / A value. The results are shown in Table 1.
  • the areas C and D of the main surface were obtained by imaging the spread of the cured adhesive film after heating and pressing the glass plate using a scanner or the like and using an image processing apparatus.
  • Area C is the area of the portion surrounded by the outermost periphery of the adhesive film
  • area D is the area of the portion surrounded by the inner periphery of the outermost periphery.
  • the portion between the outermost periphery and the inner periphery of the outermost periphery appears white transparent to the naked eye, and appears light blue when imaged with a scanner, and the inner portion of the inner periphery of the outermost periphery is visible to the naked eye. Then, it can be distinguished because it looks white when taken with a blackish scanner.
  • Figure 2 shows an image of the cured adhesive film after heating and pressing, taken with a scanner.
  • the diameter of the outermost circumference of the cured adhesive film shown in Fig. 2 is about 9 mm.
  • Fluidity ratio (C / D) 2. 2 1 .8 1. 1 3 .1 Number of particles between wire and substrate 1 8 1 7 9 20

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Description

明 細 書
接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法
技術分野
[0001] 本発明は、接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法に関する。
背景技術
[0002] 液晶表示用ガラスパネルへは、 COG(Chip-On-Glass)実装や COF(Chip-On-Flex )実装等によって液晶駆動用 ICが実装される。 COG実装では、導電粒子を含む接着 フィルムを用いて液晶駆動用 ICを直接ガラスパネル上に接合する。 COF実装では、 金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用 ICを接合し、導電粒子を含む 接着フィルムを用いてそれらをガラスパネルに接合する。
[0003] これに対して、近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用 ICの電極である金 バンプは狭ピッチ化、狭面積化している。このため、従来の接着フィルムでは、回路 接続部材中の導電粒子が隣接電極 (接続端子）間に流出し、ショートを発生させる等 といった問題があった。また、ショートを避けるために接着フィルム中の導電粒子の数 を減らした場合には、バンプ/パネル間に捕捉される接着フィルム中の導電粒子の 数が減少し、その結果、回路間の接続抵抗が上昇し接続不良を起こすといった問題 があった。
[0004] そこで、これらの問題を解決する方法として、接着フィルムの少なくとも片面に絶縁 性接着層を形成することで、 COG実装又は COF実装における接合品質の低下を防 ぐ方法 (例えば、特許文献 1参照）や、接着フィルムの加熱加圧時の流動性を制御す ることでバンプ/パネル間に捕捉される導電粒子の数を確保する方法 (例えば、特 許文献 2参照）が開発されている。
特許文献 1 :特開平 8— 279371号公報
特許文献 2：特開 2002— 201450号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] しかしながら、接着フィルムの片面に絶縁性接着層を形成する方法では、バンプ面 積が小さい、例えば 3000 m2未満であるときに、安定した接続抵抗を得るために導 電粒子の数を増やす場合には、隣り合う回路電極間の絶縁性について未だ改良の 余地がある。また、接着フィルムの加熱加圧時の流動性を制御する方法では、液晶 表示用ガラスパネルへの液晶駆動用 ICの実装時に、加熱加圧後の接着フィルムの 硬化物の貯蔵弾性率が高くなることにより生じ得るパネル反りを防止する点で、未だ 改良の余地が残されてレ、た。
[0006] そこで、本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、 COG実装や COF実装に 対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用 IC を実装した後のパネル反りが十分に防止される接着フィルム、並びにそれを用いた、 回路部材の接続方法及び接続構造を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明は、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層とが積層されてお り、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の 面積 Cを、硬化した導電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1. 2〜3. 0で ある接着フィルムを提供する。
[0008] 本発明の接着フィルムによれば、 COG実装や COF実装に対して低抵抗の電気接 続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用 ICを実装した後のパネル 反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。
[0009] 本発明の接着フィルムにより上記の目的を達成できる理由は必ずしも明らかでない
1S 上記 C/Dの値が上記の範囲であることに少なくとも起因するものと考えられる。 なお、 C/Dの値は、絶縁性接着層の流動性と導電性接着層の流動性との差異を示 す指標である。
[0010] C/Dの値が上記数値範囲内にあることで、この値が 1. 2未満である場合と比較し て、導電性接着層の流動性に対する絶縁性接着層の流動性が高くなる。
このような本発明の接着フィルムにおいては、加熱加圧をする際に導電性接着層よ りも絶縁性接着層のほうが優先的に流動する。このため、回路接続の際には、回路 基板上の回路電極同士の間の空隙に絶縁性接着層が充填されやすくなり、導電性 接着剤層中の導電粒子がこの空隙中へ流入することを防ぐことができやすくなり、隣 接電極間でのショート発生が十分に防止されると考えられる。
さらに、導電性接着剤層中の導電粒子が上記空隙中へ流入することが防止されれ ば、接続しょうとする回路電極間に捕捉される導電粒子の数が多くなり、低抵抗の電 気接続が得られやすくなると考えられる。
また、 C/Dの値が上記数値範囲内にあることで、この値が 3. 0を超える場合と比 較して、導電性接着層の流動性に対する絶縁性接着層の流動性が高くなりすぎない
。これにより、回路電極同士の良好な導通特性と接着性を両立することができ、接着 フィルムの高い信頼性を維持できると考えられる。
[0011] なお、上記の所定の条件とは、本発明の接着フィルムを 2枚のガラス板で挟んだ状 態で、 160°C、 2MPaで 10秒間加熱加圧する条件をいう。
[0012] 絶縁性接着層は、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含有することが好ましぐ導 電性接着層は、ビスフエノール A型フエノキシ樹脂及びビスフエノール A 'F共重合型 フエノキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも 1種の樹脂を含有することが好まし い。これによれば、より高度に絶縁性接着層の流動性と導電性接着層の流動性とが 制御される。
[0013] 本発明の接着フィルムは、相対峙する接続端子間を電気的に接続するために用い られる、上述の接着フィルムであって、 40°C、周波数 10Hzにおける前記接着フィル ムの硬化物の貯蔵弾性率 E'が 0. 5〜2. 5GPaであることが好ましい。
[0014] これによれば、接続端子を接続した後の接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力 が向上し、且つ内部応力が低減する。そのため、実装品の表示品質、接着力及び導 通特性の向上といった有利な効果が得られる。貯蔵弾性率が 0. 5GPa未満である場 合には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物中の成分の凝集 力が低ぐ回路部材を接続するときの接続部分の電気抵抗が上昇する傾向にある。 また、貯蔵弾性率が 2. 5GPaを超える場合には、上述の範囲にある場合と比較して 、接着フィルムの硬化物の硬度が上昇し、実装品のパネル反り防止効果が低下する 頃向にある。
[0015] 絶縁性接着層及び/又は導電性接着層は、フィルム形成材、エポキシ樹脂及び潜 在性硬化剤を含むことが好ましい。これによれば、本発明による上述の効果をより確 実に奏することカでさる。
[0016] 本発明はまた、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層さ れており、絶縁性接着層が、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含有する接着フィル ムを提供する。このような接着フィルムによれば、 COG実装や COF実装に対して低 抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用 ICを実装し た後のパネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。
[0017] また、本発明は、第 1の接続端子を有する第 1の回路部材と、第 2の接続端子を有 する第 2の回路部材とを、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを対向して配置し、対 向配置した第 1の接続端子と第 2の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱 加圧して、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを電気的に接続させてなる回路部材 の接続構造であって、接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性 接着層とを有し、加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の面積 Cを硬化 した導電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1. 2〜3. 0である、接続構造 を提供する。このような回路部材の接続構造によれば、本発明の接着フィルムを用い ているため、十分に接続信頼性が高い。
[0018] 上述の接続構造において、第 1及び第 2の回路部材のうち少なくとも一方が ICチッ プであってもよい。
[0019] 上述の接続構造においては、第 1及び第 2の接続端子のうち少なくとも一方の表面 が金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム 錫酸化物（ITO)からなる群より選ばれ る少なくとも 1種を含んでレ、てもよレ、。
[0020] 上述の接続構造においては、第 1及び第 2の回路部材のうち少なくとも一方の表面
1S 窒化シリコン、シリコーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なく とも 1種でコーティング又は付着処理されてレ、てもよレ、。
[0021] 本発明はまた、第 1の接続端子を有する第 1の回路部材と、第 2の接続端子を有す る第 2の回路部材とを、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを対向して配置し、対向 配置した第 1の接続端子と第 2の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加 圧して、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを電気的に接続させる回路部材の接続 方法であって、接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性接着層 とを有し、加熱加圧した後の、硬化した前記絶縁性接着層の主面の面積 Cを硬化し た前記導電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1.2 3.0である、接続方 法を提供する。このような接続方法によれば、本発明の接着フィルムを用いているた め、十分に信頼性の高い接続構造が得られる。
発明の効果
[0022] 本発明によれば、 COG実装や COF実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且 つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用 ICを実装した後のパネル反り、及び隣接 電極間でのショート発生が十分に防止される接着フィルム、並びにそれを用いた、回 路部材の接続方法及び接続構造を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0023] [図 1]本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す概略断面図である。
[図 2]加熱加圧後の硬化した接着フィルムをスキャナーで撮像した像を示す図である 符号の説明
[0024] 10···第 1の回路部材、 11···第 1の回路基板、 12···第 1の電極、 20···第 2の回路部 材、 21···第 2の回路基板、 22···第 2の電極、 30···回路接続部材、 100···接続構造 発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下 の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付 すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らな い限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の 比率に限られるものではなレ、。
[0026] (接着フィルム）
本発明は、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層とが積層されてお り、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の 面積 Cを、硬化した導電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1.2 3.0で ある接着フィルムを提供する。
[0027] 力、かる本発明の接着フィルムによれば、 COG実装や COF実装に対して低抵抗の 電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用 ICを実装した後の パネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。さらに、回路接 続の際に、導電性接着層が流動せず、電極間に留まる樹脂を排除できないことによ り生じる導通不良、あるいは、絶縁性接着層が過度に流動し、接続する回路間にお ける樹脂の充填が不足することによる接着強度の低下等といった不具合を防止する こと力 Sできる。同様の観点から C/Dの値は 1. 5〜2. 5であるとより好ましい。
[0028] 絶縁性接着層及び導電性接着層は、上記所定の条件で加熱加圧する前の主面の 面積が実質的に同一である。この主面の面積を Aとする。また、上記所定の条件で加 熱加圧した後の絶縁性接着層及び導電性接着層の主面の面積は、上述のとおりそ れぞれ C、 Dとなる。絶縁性接着層及び導電性接着層の上記加熱加圧に伴う流動性 の指標として、 C/A、 D/Aを定義する。これらの流動性の指標はその数値が高くな る程、上記加熱加圧に伴い流動しやすくなることを示している。本発明に係る上記値 C/Dは、絶縁性接着層の流動性の指標 C/Aを、絶縁性接着層の流動性の指標 D /Aで除した値と同一になる。
[0029] 導電粒子としては、例えば、金 (Au)、銀 (Ag)、ニッケル (Ni)、銅（Cu)、はんだ等 の金属粒子；カーボン粒子；ガラス、セラミック、プラスチック等の非導電性物質の表 面に Au、 Ag、 Cu等の導電性物質を被覆したもの；及び、 Ni等の遷移金属の表面に Au等の貴金属類を被覆したものが挙げられる。十分なポットライフを得る観点から、 導電粒子の表層は Au、 Ag、白金属の貴金属類であることが好ましぐ Auであること 力はり好ましい。また、導電粒子として、非導電性物質に貴金属類を被覆したもの又 は熱溶融金属粒子を用いた場合は、加熱加圧により変形性を有し、接続時に電極と の接触面積が増加し信頼性が向上するので好ましい。
[0030] 非導電性物質の表面に貴金属類を被覆したものにおける被覆層の厚みは、良好な 抵抗を得るために、 100オングストローム以上であることが好ましい。また、 Ni等の遷 移金属の表面に貴金属類を被覆したものの場合には、貴金属類からなる被覆層の 欠損や導電粒子の混合分散時に生じる被覆層の欠損等により生じる酸化還元作用 で遊離ラジカルが発生し保存性低下を引き起こすおそれがある。そのため、被覆層 の厚みが 300オングストローム以上であることが好ましい。なお、被覆層の厚みが 1 μ m以上となると上述の効果が飽和してくることから、被覆層の厚みは 1 a m未満である ことが望ましいが、これは被覆層の厚みを制限するものではない。上記導電粒子は 1 種を単独で又は 2種以上を組み合わせて用いられる。
[0031] このような導電粒子は、接着フィルム中の樹脂成分 100体積部に対して、 0. ；!〜 30 体積部含有させることが好ましぐ 0. ；!〜 10体積部含有させることがより好ましい。こ れによれば、過剰な導電粒子による隣接回路の短絡をより高度に防止することができ る。なお、上記「樹脂成分」とは、接着フィルム中、導電粒子以外の成分のことをいい 、具体的には後述するフィルム形成材、エポキシ樹脂、潜在性硬化剤等のことをいう
〇
[0032] 絶縁性接着層及び導電性接着層は、フィルム形成材、エポキシ樹脂及び潜在性 硬化剤を含むことが好ましい。これによれば、本発明による上述の効果をより確実に 奏すること力 Sでさる。
[0033] フィルム形成材とは、液状物を固形化し、構成組成物をフィルム形状とした場合に、 そのフィルムの取扱いが容易となり、且つ容易に裂けたり、割れたり、ベたついたりし ない機械特性等を付与するものであり、通常の状態でフィルムとしての取扱いができ るものである。その具体例としては、フエノキシ樹脂、ポリビュルホルマール樹脂、ポリ スチレン樹脂、ポリビュルプチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレ ン樹脂及びポリウレタン樹脂が挙げられる。これらは 1種を単独で又は 2種以上を組 み合わせて用いられる。この中で、接着性、相溶性、耐熱性及び機械強度に優れる ことからフエノキシ樹脂力 特に好ましい。
[0034] フエノキシ樹脂は、例えば、二官能性フエノール類とェピハロヒドリンを高分子量ま で反応させる力、、二官能性エポキシ樹脂と二官能性フエノール類を重付加させること により得られる樹脂である。具体的には、フエノキシ樹脂は、二官能性フエノール類 1 モノレとェピノヽロヒドリン 0. 985—1. 015とを、ァノレカリ金属水酸ィ匕物の存在下におい て非反応性溶媒中で 40〜120°Cの温度で反応させることにより得ることができる。
[0035] このようなフエノキシ樹脂としては、機械的特性や熱的特性を向上させる点から、特 に二官能性エポキシ樹脂と二官能性フエノール類との配合当量比をエポキシ基/フ ェノール水酸基で 1/0. 9〜； 1/1. 1とし、アルカリ金属化合物、有機リン系化合物、 環状アミン系化合物等の触媒の存在下、沸点が 120°C以上のアミド系、エーテル系 、ケトン系、ラタトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が 50質量％以 下の状態で 50〜200°Cに加熱して重付加反応させることにより得られるものが好まし い。
[0036] 二官能性エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフ ェノール F型エポキシ樹脂、ビスフエノール AD型エポキシ樹脂、ビスフエノール S型 エポキシ樹脂が挙げられる。二官能性フエノール類は 2個のフエノール性水酸基を有 するものであり、例えば、ビスフエノール A、ビスフエノール F、ビスフエノール AD、ビス フエノール S等のビスフエノール類が挙げられる。フエノキシ樹脂はラジカル重合性の 官能基によって変性されて!/、てもよ!/、。
[0037] 上述のフエノキシ樹脂は、 1種を単独で用いても、 2種以上を混合して用いてもよい 。また、絶縁性接着層及び導電性接着層に、互いに異なる種類のフエノキシ樹脂を 含有させてもよい。例えば、絶縁性接着層にビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含 有させ、導電性接着層にビスフエノール A型フエノキシ樹脂及びビスフエノール A 'F 共重合型フエノキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも 1種の樹脂を含有させる ことが好ましい。これによれば、絶縁性接着層の耐熱性及び流動性が向上し、導電 性接着層の弾性率及び流動性が低下する。よって、導電性接着層の絶縁性接着層 に対する流動性が抑制される。
[0038] エポキシ樹脂としては、例えば、ェピクロルヒドリンとビスフエノーノレ A、ビスフエノー ル F又はビスフエノール ADとから誘導されるビスフエノール型エポキシ樹脂；ェピクロ ルヒドリンとフエノールノポラック又はクレゾールノポラックとから誘導されるエポキシノ ポラック樹脂；ナフタレン環を含む骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂；グリシジ ルァミン、グリシジルエーテル、ビフエニル及び脂環式等の 1分子内に 2個以上のダリ シジル基を有する各種のエポキシ化合物を用いることができる。これらのエポキシ樹 脂は、単独で、又は 2種以上を混合して用いることできる。これらのエポキシ樹脂は、 不純物イオン (Na+、 C厂等）や、加水分解性塩素等を 300ppm以下に低減した高純 度品を用いることがエレクトロンマイグレーション防止のために好ましい。
[0039] 本発明で使用する潜在性硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、ヒドラジ ド系硬化剤、三フッ化ホウ素—アミン錯体、スルホニゥム塩、ァミンイミド、ポリアミンの 塩、ジシアンジアミドが挙げられる。これらの潜在性硬化剤は、 1種を単独で、又は 2 種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよ い。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆し てマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されることから好まし!/、。
[0040] 本発明の接着フィルムは、絶縁性接着層及び/又は導電性接着層に、アクリル酸 、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアクリロニトリルのうち少なくとも一つ をモノマー成分とした重合体又は共重合体を含有して!/、てもよ!/、。グリシジルエーテ ル基を含有するグリシジルアタリレートゃグリシジルメタタリレートを含む共重合体系ァ クリルゴムを併用した場合は、応力緩和に優れることから好ましい。このようなアタリノレ ゴムの分子量 (サイズ排除クロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量 )は接着フィルムの凝集力を高める点から 20万以上であることが好まし!/、。
[0041] 接着フィルムは、絶縁性接着層及び/又は導電性接着層に、さらに、充填剤、軟 化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、色素、チキソトロピック剤、カップリング剤、メ ラミン樹脂及びイソシァネート類を含有して!/、てもよレ、。
[0042] 充填剤を含有した場合、接続信頼性等の向上が得られるので好ましい。充填剤は 、その最大径が導電粒子の粒径未満であれば使用できる。充填剤の含有割合は、 接着フィルム中の樹脂成分 100体積部に対して、 5〜60体積部の範囲が好ましい。 この含有割合が 60体積部を超えると信頼性向上の効果が飽和しやすくなり、 5体積 部未満では充填剤の添加による効果が小さい。
[0043] カップリング剤としてはケチミン、ビュル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びィ ソシァネート基含有物が、接着性の向上の点から好ましい。その具体例としては、アミ ノ基を有するシランカップリング剤として、 N— β (アミノエチル） γ—ァミノプロピルトリ メトキシシラン、 Ν- β (アミノエチル） γ—ァミノプロピルメチルジメトキシシラン、 γ— ァミノプロピルトリエトキシシラン、 Ν—フエニル一 Ί—ァミノプロピルトリメトキシシラン 力 S挙げられる。また、ケチミンを有するシランカップリング剤として、上述のアミノ基を 有するシランカップリング剤に、アセトン、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン 等のケトン化合物を反応させて得られたものが挙げられる。
[0044] 上述の接着フィルムの硬化物は、 40°C、周波数 10Hzにおける貯蔵弾性率 E'が 0 . 5〜2. 5GPaであることが好ましぐ 1. 0〜2. OGPaであることがより好ましい。
[0045] これによれば、貯蔵弾性率が上記範囲外である場合と比較して、接続端子を接続 した後の接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力が向上し、且つ内部応力が低減 する。そのため、この接着フィルムを用いた実装品の表示品質、接着力及び導通特 性の向上等といった有利な効果が得られる。貯蔵弾性率が 0. 5GPa未満である場合 には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力 が低ぐ回路部材を接続するときの接続部分の電気抵抗が上昇する傾向にある。ま た、貯蔵弾性率が 2. 5GPaを超える場合には、上述の範囲にある場合と比較して、 接着フィルムの硬化物の硬度が上昇し、実装品のパネル反り防止効果が低下する傾 向にある。
[0046] 本発明の接着フィルムは、絶縁性接着層と導電性接着層とからなる 2層から構成さ れるものであってもよく、 3層以上の層から構成されるものであってもよい。 3層以上の 層から構成される場合、絶縁性接着層及び導電性接着層は交互に積層されることが 好ましい。例えば、 3層から構成される接着フィルムとしては、導電性接着層、絶縁性 接着層及び導電性接着層がこの順で積層されたもの、あるいは絶縁性接着層、導電 性接着層及び絶縁性接着層がこの順で積層されたものが挙げられる。これらの場合 、導電性接着層同士又は絶縁性接着層同士は材料、組成及び/又は膜厚が異なつ ていてもよく、同一であってもよい。
[0047] 3層以上の層から構成される接着フィルムにおいては、積層方向に所定の条件で 加熱加圧した後に、互いに接する導電性接着層及び絶縁性接着層のうち少なくとも 1組についての C/Dの値が 1. 2〜3. 0となる。さらに、 3層以上の層から構成される 接着フィルムにおいては、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後に、互いに接す る導電性接着層及び絶縁性接着層のそれぞれについての C/Dの値が全て 1. 2〜 3. 0となることが好ましい。
[0048] 上述の C/Dの数値範囲を満足する本発明の接着フィルムは、例えば、下記（1)、 (2)のうち!/、ずれ力、 1層の絶縁性接着層と、下記（3)〜（5)のうち 、ずれか 1層の導 電性接着層とを組み合わせることにより得ることができる。
(1)ビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含有する絶縁性接着層。
(2)重量平均分子量 1000〜10000のビスフエノール A型固形エポキシ樹脂、重量 平均分子量 1000〜； 10000の A'F型固形エポキシ樹脂、及び、重量平均分子量 10 00〜； 10000の F型固形エポキシ樹脂のうち少なくともいずれかを含有する絶縁性接 着層。
(3)ビスフエノーノレ A型フエノキシ樹脂、又は、ビスフエノーノレ A'F共重合型フエノキ シ樹脂を含有する導電性接着層。
(4)分子内にフルオレン環を含むフエノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
(5)樹脂成分 100体積部に対して粒径 0. ；!〜 1. 0 111の非導電性微粒子を5〜30 体積部含有する導電性接着層。
[0049] 上述の接着フィルムは、例えば、 COG実装や COF実装において、 ICチップとフレ キシブルテープやガラス基板とを電気的に接続するために用いることができる。
[0050] (回路部材の接続構造）
本発明は、第 1の接続端子を有する第 1の回路部材と、第 2の接続端子を有する第 2の回路部材とを、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを対向して配置し、対向配置 した第 1の接続端子と第 2の接続端子との間に上述の接着フィルムを介在させ、加熱 加圧して、第 1の接続端子と第 2の接続端子とを電気的に接続させてなる回路部材 の接続構造を提供する。
[0051] 図 1は、本発明に係る回路部材の接続構造の好適な一実施形態を示す概略断面 図である。図 1に示す接続構造 100は、相互に対向する第 1の回路部材 10及び第 2 の回路部材 20を備えており、第 1の回路部材 10と第 2の回路部材 20との間には、こ れらを接続する回路接続部材 30が設けられている。
[0052] 第 1及び第 2の回路部材 10, 20の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ若 しくはコンデンサチップ等のチップ部品又はプリント基板等の基板が挙げられる。接 続構造 100の接続形態としては、 ICチップとチップ搭載基板との接続、電気回路相 互の接続、 COG実装又は COF実装における ICチップとガラス基板又はフレキシブ ルテープとの接続等もある。
[0053] 特に、回路部材 10, 20のうち少なくとも一方が ICチップであると好ましい。
[0054] また、回路部材 10, 20のうち少なくとも一方の表面が窒化シリコン、シリコーン化合 物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも 1種でコーティング又は付着処 理されていることが好ましい。上述の接着フィルムによれば、このような回路部材に対 する接着強度が特に良好となる。
[0055] 第 1の回路部材 10は、第 1の回路基板 11と、第 1の回路基板 11の主面 11a上に形 成された第 1の電極 (接続端子) 12とを有する。第 2の回路部材 20は、第 2の回路基 板 21と、第 2の回路基板 21の主面 21a上に形成された第 2の電極 (接続端子) 22とを 有する。接続構造 100においては、第 1の電極 12と第 2の電極 22とが対向配置され 、かつ電気的に接続されている。なお、第 1の回路基板 11の主面 11a上、及び第 2の 回路基板 21の主面 21a上には、場合により絶縁層（図示せず）が形成されていてもよ い。
[0056] 第 1及び第 2の電極 11 , 12のうち少なくとも一方の表面力 金、銀、錫、白金族の 金属及びインジウム 錫酸化物（ITO)からなる群より選ばれる少なくとも 1種を含むこ とが好ましい。
[0057] 回路接続部材 30は、上述の接着フィルムの硬化物である。接着フィルムの硬化物 中の導電粒子（図示せず）により第 1の電極 12と第 2の電極 22とが電気的に接続さ れる。
[0058] 本実施形態の接続構造 100の製造方法、すなわち回路部材 10, 20の接続方法は 、例えば以下のとおりである。まず、第 1及び第 2の回路部材 10、 20の間に、上述の 接着フィルムを介在させる。このとき、第 1の電極 12及び第 2の電極 22が相互に対向 するように、第 1及び第 2の回路部材 10、 20を配置する。なお、接着フィルムはその 絶縁性接着層側が第 1の電極 12に接するように介在させてもよぐ第 2の電極 22と接 するように介在させてもよい。次に、第 1及び第 2の回路部材 10、 20を介して接着フィ ルムを加熱しながら、それらの積層方向に加圧して、接着フィルムの硬化処理を施し 接続構造 100を形成する。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、 その方法は接着フィルムにより適宜選択される。 [0059] 以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に 限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可 能である。
実施例
[0060] 以下、実施例により本発明を詳細に説明する力 本発明はこれに限定されるもので はない。なお、下記の実施例において、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂は東都化 成株式会社製、商品名「FX— 316」、ビスフエノール A型フエノキシ樹脂はインケムコ 一ポレーシヨン社製、商品名「PKHC」、ビスフエノール A'F共重合型フエノキシ樹脂 は東都化成株式会社製、商品名「ZX— 1356— 2」、芳香族スルホ二ゥム塩は三新 化学工業株式会社製、商品名「サンエイド SI— 60」をそれぞれ用いた。また、液状ェ ポキシとして、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ (旭化成ケ ミカルズ社製、商品名「ノバキユア HX— 3941」、エポキシ当量 185)を用いた。
[0061] (実施例 1)
ビスフエノール F型フエノキシ樹脂 100gを、質量比 50 : 50のトルエン（沸点 110. 6 °C、 SP値 8. 90)と酢酸ェチル (沸点 77· 1°C、 SP値 9. 10)との混合溶剤に溶解さ せ、固形分 60質量％の溶液を得た。その溶液に、液状エポキシを配合し、更に潜在 性硬化剤として芳香族スルホ二ゥム塩 2. 4gを添加して混合液を得た。なお、上記液 状エポキシは、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で 60： 40となる量を配合した。得られた混合液を、厚み 50 mの片面がシリコーンで表面 処理された PETフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、 70°C、 5分間の熱風乾燥 により、厚みが 10 mの絶縁性接着層を形成した。
[0062] また、ビスフエノール A型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50： 50のトルエンと酢酸ェ チルとの混合溶剤に溶解させ、固形分 40質量％の第 1の溶液を得た。一方、ビスフ ェノール A'F共重合型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50 : 50のトルエンと酢酸ェチル との混合溶剤に溶解させ、固形分 45質量％の第 2の溶液を得た。
[0063] 上述の第 1及び第 2の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。
これらはビスフエノーノレ A型フエノキシ樹脂：ビスフエノーノレ A'F共重合型フエノキシ 樹脂：液状エポキシが固形質量比で 30： 30： 40となる量で配合した。得られた配合 液に更に導電粒子を樹脂成分に対して 10体積％配合して分散し、更に潜在性硬化 剤として芳香族スルホ二ゥム塩 2. 4gを添加して分散液を得た。得られた分散液を、 厚み 50 mの片面がシリコーンで表面処理された PETフィルムに塗工装置を用いて 塗布した後、 70°C、 5分間の熱風乾燥により、厚みが 10 πιの導電性接着層を形成 した。形成した絶縁性接着層と導電性接着層とをラミネーターを用いて貼り合わせ、 PETフィルムで挟まれた接着フィルムを得た。
[0064] (実施例 2)
絶縁性接着層の形成を下記のように代えた以外は、実施例 1と同様にして PETフィ ルム付接着フィルムを得た。ビスフエノール F型フエノキシ樹脂 100gを、質量比 50 : 5 0のトルエンと酢酸ェチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分 60質量％の第 1の溶液 を得た。一方、ビスフエノール A'F共重合型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50 : 50の トルエンと酢酸ェチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分 45質量％の第 2の溶液を得 た。上述の第 1及び第 2の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合し た。これらはビスフエノール F型フエノキシ樹脂：ビスフエノール A 'F共重合型フエノキ シ樹脂：液状エポキシが固形質量比で 30： 30： 40となる量で配合した。得られた配 合液に更に潜在性硬化剤として芳香族スルホユウム塩 2. 4gを添加して混合液を得 た。得られた混合液を、厚み 50 mの片面がシリコーンで表面処理された PETフィ ルムに塗工装置を用いて塗布した後、 70°C、 5分間の熱風乾燥により、厚みが 10 mの絶縁性接着層を形成した。
[0065] (比較例 1)
ビスフエノール A型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50 : 50のトルエンと酢酸ェチルと の混合溶剤に溶解させ、固形分 40質量％の第 1の溶液を得た。一方、ビスフエノー ル A'F共重合型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50 : 50のトルエンと酢酸ェチルとの 混合溶剤に溶解させ、固形分 45質量％の第 2の溶液を得た。上述の第 1及び第 2の 溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフエノール A型フエノキシ樹脂：ビスフエノール A 'F共重合型フエノキシ樹脂：液状エポキシが固 形質量比で 30： 30： 40となる量で配合した。得られた配合液に更に潜在性硬化剤と して芳香族スルホ二ゥム塩 2. 4gを添加して混合液を得た。得られた混合液を、厚み 50 mの片面がシリコーンで表面処理された PETフィルムに塗工装置を用いて塗布 した後、 70°C、 5分間の熱風乾燥により、厚みが 10 πιの絶縁性接着層を形成した
[0066] ビスフエノール F型フエノキシ樹脂 100gを、質量比 50： 50のトルエンと酢酸ェチル との混合溶剤に溶解させ、固形分 60質量％の第 1の溶液を得た。一方、ビスフエノー ル A'F共重合型フエノキシ樹脂 50gを、質量比 50 : 50のトルエンと酢酸ェチルとの 混合溶剤に溶解させ、固形分 45質量％の第 2の溶液を得た。上述の第 1及び第 2の 溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフエノール F型フエノキシ樹脂：ビスフエノール A 'F共重合型フエノキシ樹脂：液状エポキシが固 形質量比で 30： 30： 40となる量で配合した。得られた配合液に更に導電粒子を樹脂 成分に対して 10体積％配合して分散し、更に潜在性硬化剤として芳香族スルホユウ ム塩 2. 4gを添加して分散液を得た。得られた分散液を、厚み 50 111の片面がシリコ ーンで表面処理された PETフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、 70°C、 5分間 の熱風乾燥により、厚みが 10 πιの導電性接着層を形成した。形成した絶縁性接着 層と導電性接着層とをラミネーターを用いて貼り合わせ、 PETフィルムで挟まれた接 着フィルムを得た。
[0067] (比較例 2)
絶縁性接着層を下記のように形成したこと以外は、実施例 1と同様にして PETフィ ルム付接着フィルムを得た。ビスフエノール F型フエノキシ樹脂 100gを、質量比 50 : 5 0のトルエンと酢酸ェチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分 60質量％の溶液を得た 。その溶液に、液状エポキシを配合して混合液を得た。なお、上記液状エポキシは、 ビスフエノール F型フエノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で 60： 40となる量を 配合した。得られた混合液を、潜在性硬化剤である芳香族スルホ二ゥム塩を添加せ ずに、厚み 50 H mの片面がシリコーンで表面処理された PETフィルムに塗工装置を 用いて塗布した後、 70°C、 5分間の熱風乾燥により、厚みが 10 の絶縁性接着層 を形成した。
[0068] (回路部材の接続構造の形成）
実施例 1、 2及び比較例 1、 2の接着フィルムをそれぞれ用いて、回路部材の接続構 造を作製した。詳細には、まず、接着フィルムの導電性接着層側の PETフィルムを剥 離除去して、導電性接着層の表面を露出した。次に、厚み 0. 5mmのガラス上に IT O膜を蒸着により形成して ITO基板 (表面抵抗く 20 Ω /口）を得た。次いで、 ITO膜 の表面に上記接着フィルムの導電性接着層の表面を向かい合わせて接触させなが ら、 70°C、 0. 5MPa、 3秒間の条件でそれらの積層方向に加熱加圧して、 ITO基板 に接着フィルムを仮固定した。その後、接着フィルムからもう一方の PETフィルムを剥 離除去した。次に、ノ ンプ面積 30 111 X 50 ^ 111、ピッチ 40 m、高さ 15 mの 2歹 IJ ( 千鳥配列）の金バンプを設けた ICチップを上記接着フィルム上に載置した。 ICチップ を載置した接着フィルムを石英ガラス及び加圧ヘッドで挟み、 160°C、 100MPa、 10 秒間の条件で加熱加圧することにより、 ITO基板と ICチップとを接続して回路部材の 接続構造を作製した。
[0069] (バンプ ガラス基板配線間捕捉粒子数の測定）
上述の接続構造にっレ、て、 ITO基板のガラス側から金属顕微鏡 (倍率 500倍）で 3 0 m X 50 mの領域を 200ケ所観察して、 ITO基板と金バンプに挟まれた導電粒 子の数をカウントした。そして、一領域当たりの導電粒子の数を相加平均により求め た。その結果を表 1に示す。
[0070] (接続抵抗の測定）
実施例 1、 2及び比較例 1、 2の接着フィルムを用いて得られた回路部材の接続構 造について、その接続部の電気抵抗値を、初期と、高温高湿槽（85°C85%RH環境 下）中に 500時間保持した後とにおいて、 4端子測定法を用いマルチメータで測定し た。その結果を表 1に示す。
[0071] (C/Dの値の測定）
実施例 1 , 2及び比較例 1、 2の接着フィルムを φ 5. 5mmの円板状に切り出した。 次いで切り出した接着フィルムを、厚み 0. 7mm、 15mm X I 5mmの 2枚のガラス板 に挟み、 160°C、 2MPa、 10秒間の条件で加熱加圧を行った。加熱加圧前の接着フ イルムの主面の面積 Aと、加熱加圧後の硬化した絶縁性接着層の主面の面積 Cとか ら C/Aの値を求めた。さらに加熱加圧前の接着フィルムの主面の面積 Aと加熱加圧 後の硬化した導電性接着層の主面の面積 Dとから、導電性接着層の D/Aの値を求 め、 C/Aの値を D/Aの値で除することにより、 C/Dの値を算出した。その結果を 表 1に示す。
なお、上記主面の面積 C及び Dは、ガラス板の加熱加圧後の硬化した接着フィルム の広がりを、スキャナ一等を用いて撮像し、画像処理装置を用いて求めた。面積 Cは 、接着フィルムの最外周によって囲まれた部分の面積であり、面積 Dは、最外周の内 側の周によって囲まれた部分の面積である。これらは、最外周と最外周の内側の周と の間の部分が、肉眼では白色透明に、スキャナーで撮像したときには薄青色に見え 、また、最外周の内側の周の内側の部分が、肉眼では黒っぽぐスキャナーで撮像し たときには白色に見えるので区別できる。加熱加圧後の硬化した接着フィルムをスキ ャナ一で撮像した像を、図 2に示す。なお、図 2に示す硬化した接着フィルムの最外 周の直径は約 9mmである。
[表 1] 項目 実施例 1 実施例 2 比較例 1 比較例 2 絶縁性接着層の主面面積 c 72. 4 4寸7. 1 1 02. 0 導電性接着層の主面面積 D
流動性比 (C/D) 2. 2 1 . 8 1 . 1 3. 1 ノ ンプ一ガラス基板配線間粒子数 1 8 1 7 9 20
初期値 < 1 < 1 < 1 >3 接続抵抗
高温高湿処理後 ぐ 5 <5 >20 >20

Claims

請求の範囲
[1] 導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されており、
積層方向に所定の条件で加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の面 積 Cを、硬化した導電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1. 2〜3. 0であ る接着フィルム。
[2] 前記絶縁性接着層が、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含有する、請求項 1記 載の接着フィルム。
[3] 前記導電性接着層が、ビスフエノール A型フエノキシ樹脂及びビスフエノール A 'F 共重合型フエノキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも 1種の樹脂を含有する、 請求項 1又は 2記載の接着フィルム。
[4] 相対峙する接続端子間を電気的に接続するために用いられる、請求項;!〜 3のい ずれか一項に記載の接着フィルムであって、
40°C、周波数 10Hzにおける前記接着フィルムの硬化物の貯蔵弾性率 E'が 0. 5 〜2. 5GPaである、接着フィルム。
[5] 前記絶縁性接着層及び/又は前記導電性接着層が、フィルム形成材、エポキシ樹 脂及び潜在性硬化剤を含む、請求項;!〜 4のいずれか一項に記載の接着フィルム。
[6] 導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されており、
前記絶縁性接着層が、ビスフエノール F型フエノキシ樹脂を含有する接着フィルム。
[7] 第 1の接続端子を有する第 1の回路部材と、
第 2の接続端子を有する第 2の回路部材とを、
前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子とを対向して配置し、
対向配置した前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子との間に接着フィルムを 介在させ、加熱加圧して、前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子とを電気的に 接続させてなる回路部材の接続構造であって、
前記接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性接着層とを有し 加熱加圧した後の、硬化した前記絶縁性接着層の主面の面積 Cを硬化した前記導 電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1. 2〜3. 0である、接続構造。
[8] 前記第 1及び第 2の回路部材のうち少なくとも一方が ICチップである、請求項 7記載 の回路接続構造。
[9] 前記第 1及び第 2の接続端子のうち少なくとも一方の表面力 S、金、銀、錫、白金族の 金属及びインジウム 錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも 1種を含む、請求項 7又は 8記載の接続構造。
[10] 前記第 1及び第 2の回路部材のうち少なくとも一方の表面が、窒化シリコン、シリコ ーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも 1種でコーティング又 は付着処理されている、請求項 7〜9のいずれか一項に記載の接続構造。
[11] 第 1の接続端子を有する第 1の回路部材と、
第 2の接続端子を有する第 2の回路部材とを、
前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子とを対向して配置し、
対向配置した前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子との間に接着フィルムを 介在させ、加熱加圧して、対向配置した前記第 1の接続端子と前記第 2の接続端子 とを電気的に接続させる回路部材の接続方法であって、
前記接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性接着層とを有し 加熱加圧した後の、硬化した前記絶縁性接着層の主面の面積 Cを硬化した前記導 電性接着層の主面の面積 Dで除した値 C/Dが 1. 2〜3. 0である、接続方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102177212A (zh) * 2008-10-22 2011-09-07 日立化成工业株式会社 粘接剂膜
CN103525351A (zh) * 2013-11-05 2014-01-22 武汉爱劳高科技有限责任公司 用于接地极焦炭粘接的室温固化型导电胶粘剂

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5676046B1 (ja) * 2014-09-16 2015-02-25 オリジン電気株式会社 部材貼り合わせ装置及び方法
JP2023076211A (ja) * 2021-11-22 2023-06-01 福田金属箔粉工業株式会社 導電性接着剤
CN115044311B (zh) * 2022-08-17 2022-11-29 江苏凯伦建材股份有限公司 一种耐高温热熔胶膜及其制备方法和覆膜板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279371A (ja) * 1995-02-07 1996-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
JP2002201450A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2005194413A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2007217503A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4339414B2 (ja) * 1995-05-16 2009-10-07 日立化成工業株式会社 回路用接続部材
JP3651624B2 (ja) * 1995-11-21 2005-05-25 日立化成工業株式会社 回路用接続部材
JP3603426B2 (ja) * 1995-11-21 2004-12-22 日立化成工業株式会社 回路用接続部材
WO1998003047A1 (en) * 1996-07-15 1998-01-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board
TW383435B (en) * 1996-11-01 2000-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd Electronic device
JP3530980B2 (ja) * 1997-02-27 2004-05-24 セイコーエプソン株式会社 接着構造、液晶装置、及び電子機器
JP3678547B2 (ja) * 1997-07-24 2005-08-03 ソニーケミカル株式会社 多層異方導電性接着剤およびその製造方法
CN1246411C (zh) * 2001-11-16 2006-03-22 日立化成工业株式会社 电路连接用粘结剂
JP4411876B2 (ja) * 2003-06-23 2010-02-10 東レ株式会社 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート及びカバーレイフィルム並びに銅張りポリイミドフィルム
KR100732017B1 (ko) * 2003-06-25 2007-06-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 회로접속재료, 이것을 이용한 필름상 회로접속재료,회로부재의 접속구조 및 그 제조방법
US20100025089A1 (en) * 2004-01-07 2010-02-04 Jun Taketatsu Circuit connection material, film-shaped circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
KR100671138B1 (ko) * 2005-03-07 2007-01-17 제일모직주식회사 다층구조 이방 전도성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279371A (ja) * 1995-02-07 1996-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
JP2002201450A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2005194413A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2007217503A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102177212A (zh) * 2008-10-22 2011-09-07 日立化成工业株式会社 粘接剂膜
CN103525351A (zh) * 2013-11-05 2014-01-22 武汉爱劳高科技有限责任公司 用于接地极焦炭粘接的室温固化型导电胶粘剂

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