JP2014141679A - 回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 - Google Patents

回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2014141679A
JP2014141679A JP2014045370A JP2014045370A JP2014141679A JP 2014141679 A JP2014141679 A JP 2014141679A JP 2014045370 A JP2014045370 A JP 2014045370A JP 2014045370 A JP2014045370 A JP 2014045370A JP 2014141679 A JP2014141679 A JP 2014141679A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
connection terminal
bisphenol
adhesive film
layer containing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014045370A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6230935B2 (ja
Inventor
Katsuhiko Tomisaka
克彦 富坂
Jun Taketazu
潤 竹田津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2014045370A priority Critical patent/JP6230935B2/ja
Publication of JP2014141679A publication Critical patent/JP2014141679A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6230935B2 publication Critical patent/JP6230935B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J171/00—Adhesives based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1189—Pressing leads, bumps or a die through an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

【課題】
本発明は、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反りが十分に防止される回路部材の接続方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の接続端子を有する第１の回路部材と、第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、第１の接続端子と前記第２の接続端子とを対向して配置し、対向配置した第１の接続端子と第２の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、対向配置した第１の接続端子と第２の接続端子とを電気的に接続させる回路部材の接続方法であって、接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されてなる接着フィルムであり、絶縁性接着層及び導電性接着層は所定の要件を満たす、回路部材の接続方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法に関する。
液晶表示用ガラスパネルへは、ＣＯＧ(Chip-On-Glass)実装やＣＯＦ(Chip-On-Flex)実装等によって液晶駆動用ＩＣが実装される。ＣＯＧ実装では、導電粒子を含む接着フィルムを用いて液晶駆動用ＩＣを直接ガラスパネル上に接合する。ＣＯＦ実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用ＩＣを接合し、導電粒子を含む接着フィルムを用いてそれらをガラスパネルに接合する。
これに対して、近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用ＩＣの電極である金バンプは狭ピッチ化、狭面積化している。このため、従来の接着フィルムでは、回路接続部材中の導電粒子が隣接電極（接続端子）間に流出し、ショートを発生させる等といった問題があった。また、ショートを避けるために接着フィルム中の導電粒子の数を減らした場合には、バンプ／パネル間に捕捉される接着フィルム中の導電粒子の数が減少し、その結果、回路間の接続抵抗が上昇し接続不良を起こすといった問題があった。
そこで、これらの問題を解決する方法として、接着フィルムの少なくとも片面に絶縁性接着層を形成することで、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装における接合品質の低下を防ぐ方法（例えば、特許文献１参照）や、接着フィルムの加熱加圧時の流動性を制御することでバンプ／パネル間に捕捉される導電粒子の数を確保する方法（例えば、特許文献２参照）が開発されている。
特開平８−２７９３７１号公報 特開２００２−２０１４５０号公報
しかしながら、接着フィルムの片面に絶縁性接着層を形成する方法では、バンプ面積が小さい、例えば３０００μｍ２未満であるときに、安定した接続抵抗を得るために導電粒子の数を増やす場合には、隣り合う回路電極間の絶縁性について未だ改良の余地がある。また、接着フィルムの加熱加圧時の流動性を制御する方法では、液晶表示用ガラスパネルへの液晶駆動用ＩＣの実装時に、加熱加圧後の接着フィルムの硬化物の貯蔵弾性率が高くなることにより生じ得るパネル反りを防止する点で、未だ改良の余地が残されていた。
そこで、本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反りが十分に防止される接着フィルム、並びにそれを用いた、回路部材の接続方法及び接続構造を提供することを目的とする。
本発明は、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層とが積層されており、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の面積Ｃを、硬化した導電性接着層の主面の面積Ｄで除した値Ｃ／Ｄが１．２〜３．０である接着フィルムを提供する。
本発明の接着フィルムによれば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。
本発明の接着フィルムにより上記の目的を達成できる理由は必ずしも明らかでないが、上記Ｃ／Ｄの値が上記の範囲であることに少なくとも起因するものと考えられる。なお、Ｃ／Ｄの値は、絶縁性接着層の流動性と導電性接着層の流動性との差異を示す指標である。
Ｃ／Ｄの値が上記数値範囲内にあることで、この値が１．２未満である場合と比較して、導電性接着層の流動性に対する絶縁性接着層の流動性が高くなる。
このような本発明の接着フィルムにおいては、加熱加圧をする際に導電性接着層よりも絶縁性接着層のほうが優先的に流動する。このため、回路接続の際には、回路基板上の回路電極同士の間の空隙に絶縁性接着層が充填されやすくなり、導電性接着剤層中の導電粒子がこの空隙中へ流入することを防ぐことができやすくなり、隣接電極間でのショート発生が十分に防止されると考えられる。
さらに、導電性接着剤層中の導電粒子が上記空隙中へ流入することが防止されれば、接続しようとする回路電極間に捕捉される導電粒子の数が多くなり、低抵抗の電気接続が得られやすくなると考えられる。
また、Ｃ／Ｄの値が上記数値範囲内にあることで、この値が３．０を超える場合と比較して、導電性接着層の流動性に対する絶縁性接着層の流動性が高くなりすぎない。これにより、回路電極同士の良好な導通特性と接着性を両立することができ、接着フィルムの高い信頼性を維持できると考えられる。
なお、上記の所定の条件とは、本発明の接着フィルムを２枚のガラス板で挟んだ状態で、１６０℃、２ＭＰａで１０秒間加熱加圧する条件をいう。
絶縁性接着層は、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有することが好ましく、導電性接着層は、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂及びビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂を含有することが好ましい。これによれば、より高度に絶縁性接着層の流動性と導電性接着層の流動性とが制御される。
本発明の接着フィルムは、相対峙する接続端子間を電気的に接続するために用いられる、上述の接着フィルムであって、４０℃、周波数１０Ｈｚにおける前記接着フィルムの硬化物の貯蔵弾性率Ｅ’が０．５〜２．５ＧＰａであることが好ましい。
これによれば、接続端子を接続した後の接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力が向上し、且つ内部応力が低減する。そのため、実装品の表示品質、接着力及び導通特性の向上といった有利な効果が得られる。貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ未満である場合には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力が低く、回路部材を接続するときの接続部分の電気抵抗が上昇する傾向にある。また、貯蔵弾性率が２．５ＧＰａを超える場合には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物の硬度が上昇し、実装品のパネル反り防止効果が低下する傾向にある。
絶縁性接着層及び／又は導電性接着層は、フィルム形成材、エポキシ樹脂及び潜在性硬化剤を含むことが好ましい。これによれば、本発明による上述の効果をより確実に奏することができる。
本発明はまた、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されており、絶縁性接着層が、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有する接着フィルムを提供する。このような接着フィルムによれば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。
また、本発明は、第１の接続端子を有する第１の回路部材と、第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、第１の接続端子と第２の接続端子とを対向して配置し、対向配置した第１の接続端子と第２の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、第１の接続端子と第２の接続端子とを電気的に接続させてなる回路部材の接続構造であって、接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性接着層とを有し、加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の面積Ｃを硬化した導電性接着層の主面の面積Ｄで除した値Ｃ／Ｄが１．２〜３．０である、接続構造を提供する。このような回路部材の接続構造によれば、本発明の接着フィルムを用いているため、十分に接続信頼性が高い。
上述の接続構造において、第１及び第２の回路部材のうち少なくとも一方がＩＣチップであってもよい。
上述の接続構造においては、第１及び第２の接続端子のうち少なくとも一方の表面が金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
上述の接続構造においては、第１及び第２の回路部材のうち少なくとも一方の表面が、窒化シリコン、シリコーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種でコーティング又は付着処理されていてもよい。
本発明はまた、第１の接続端子を有する第１の回路部材と、第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、第１の接続端子と第２の接続端子とを対向して配置し、対向配置した第１の接続端子と第２の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、第１の接続端子と第２の接続端子とを電気的に接続させる回路部材の接続方法であって、接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と絶縁性接着層とを有し、加熱加圧した後の、硬化した前記絶縁性接着層の主面の面積Ｃを硬化した前記導電性接着層の主面の面積Ｄで除した値Ｃ／Ｄが１．２〜３．０である、接続方法を提供する。このような接続方法によれば、本発明の接着フィルムを用いているため、十分に信頼性の高い接続構造が得られる。
本発明によれば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される接着フィルム、並びにそれを用いた、回路部材の接続方法及び接続構造を提供することができる。
本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す概略断面図である。 加熱加圧後の硬化した接着フィルムをスキャナーで撮像した像を示す図である。
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
（接着フィルム）
本発明は、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層とが積層されており、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後の、硬化した絶縁性接着層の主面の面積Ｃを、硬化した導電性接着層の主面の面積Ｄで除した値Ｃ／Ｄが１．２〜３．０である接着フィルムを提供する。
かかる本発明の接着フィルムによれば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、且つ液晶表示用ガラスパネルへ液晶駆動用ＩＣを実装した後のパネル反り、及び隣接電極間でのショート発生が十分に防止される。さらに、回路接続の際に、導電性接着層が流動せず、電極間に留まる樹脂を排除できないことにより生じる導通不良、あるいは、絶縁性接着層が過度に流動し、接続する回路間における樹脂の充填が不足することによる接着強度の低下等といった不具合を防止することができる。同様の観点からＣ／Ｄの値は１．５〜２．５であるとより好ましい。
絶縁性接着層及び導電性接着層は、上記所定の条件で加熱加圧する前の主面の面積が実質的に同一である。この主面の面積をＡとする。また、上記所定の条件で加熱加圧した後の絶縁性接着層及び導電性接着層の主面の面積は、上述のとおりそれぞれＣ、Ｄとなる。絶縁性接着層及び導電性接着層の上記加熱加圧に伴う流動性の指標として、Ｃ／Ａ、Ｄ／Ａを定義する。これらの流動性の指標はその数値が高くなる程、上記加熱加圧に伴い流動しやすくなることを示している。本発明に係る上記値Ｃ／Ｄは、絶縁性接着層の流動性の指標Ｃ／Ａを、絶縁性接着層の流動性の指標Ｄ／Ａで除した値と同一になる。
導電粒子としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、はんだ等の金属粒子；カーボン粒子；ガラス、セラミック、プラスチック等の非導電性物質の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性物質を被覆したもの；及び、Ｎｉ等の遷移金属の表面にＡｕ等の貴金属類を被覆したものが挙げられる。十分なポットライフを得る観点から、導電粒子の表層はＡｕ、Ａｇ、白金属の貴金属類であることが好ましく、Ａｕであることがより好ましい。また、導電粒子として、非導電性物質に貴金属類を被覆したもの又は熱溶融金属粒子を用いた場合は、加熱加圧により変形性を有し、接続時に電極との接触面積が増加し信頼性が向上するので好ましい。
非導電性物質の表面に貴金属類を被覆したものにおける被覆層の厚みは、良好な抵抗を得るために、１００オングストローム以上であることが好ましい。また、Ｎｉ等の遷移金属の表面に貴金属類を被覆したものの場合には、貴金属類からなる被覆層の欠損や導電粒子の混合分散時に生じる被覆層の欠損等により生じる酸化還元作用で遊離ラジカルが発生し保存性低下を引き起こすおそれがある。そのため、被覆層の厚みが３００オングストローム以上であることが好ましい。なお、被覆層の厚みが１μｍ以上となると上述の効果が飽和してくることから、被覆層の厚みは１μｍ未満であることが望ましいが、これは被覆層の厚みを制限するものではない。上記導電粒子は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
このような導電粒子は、接着フィルム中の樹脂成分１００体積部に対して、０．１〜３０体積部含有させることが好ましく、０．１〜１０体積部含有させることがより好ましい。これによれば、過剰な導電粒子による隣接回路の短絡をより高度に防止することができる。なお、上記「樹脂成分」とは、接着フィルム中、導電粒子以外の成分のことをいい、具体的には後述するフィルム形成材、エポキシ樹脂、潜在性硬化剤等のことをいう。
絶縁性接着層及び導電性接着層は、フィルム形成材、エポキシ樹脂及び潜在性硬化剤を含むことが好ましい。これによれば、本発明による上述の効果をより確実に奏することができる。
フィルム形成材とは、液状物を固形化し、構成組成物をフィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いが容易となり、且つ容易に裂けたり、割れたり、べたついたりしない機械特性等を付与するものであり、通常の状態でフィルムとしての取扱いができるものである。その具体例としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂及びポリウレタン樹脂が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。この中で、接着性、相溶性、耐熱性及び機械強度に優れることからフェノキシ樹脂が、特に好ましい。
フェノキシ樹脂は、例えば、二官能性フェノール類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、二官能性エポキシ樹脂と二官能性フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂である。具体的には、フェノキシ樹脂は、二官能性フェノール類１モルとエピハロヒドリン０．９８５〜１．０１５とを、アルカリ金属水酸化物の存在下において非反応性溶媒中で４０〜１２０℃の温度で反応させることにより得ることができる。
このようなフェノキシ樹脂としては、機械的特性や熱的特性を向上させる点から、特に二官能性エポキシ樹脂と二官能性フェノール類との配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基で１／０．９〜１／１．１とし、アルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒の存在下、沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が５０質量％以下の状態で５０〜２００℃に加熱して重付加反応させることにより得られるものが好ましい。
二官能性エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂が挙げられる。二官能性フェノール類は２個のフェノール性水酸基を有するものであり、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類が挙げられる。フェノキシ樹脂はラジカル重合性の官能基によって変性されていてもよい。
上述のフェノキシ樹脂は、１種を単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。また、絶縁性接着層及び導電性接着層に、互いに異なる種類のフェノキシ樹脂を含有させてもよい。例えば、絶縁性接着層にビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有させ、導電性接着層にビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂及びビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂を含有させることが好ましい。これによれば、絶縁性接着層の耐熱性及び流動性が向上し、導電性接着層の弾性率及び流動性が低下する。よって、導電性接着層の絶縁性接着層に対する流動性が抑制される。
エポキシ樹脂としては、例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤとから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂；エピクロルヒドリンとフェノールノボラック又はクレゾールノボラックとから誘導されるエポキシノボラック樹脂；ナフタレン環を含む骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂；グリシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル及び脂環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物を用いることができる。これらのエポキシ樹脂は、単独で、又は２種以上を混合して用いることできる。これらのエポキシ樹脂は、不純物イオン（Ｎａ＋、Ｃｌ−等）や、加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロンマイグレーション防止のために好ましい。
本発明で使用する潜在性硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、ヒドラジド系硬化剤、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミドが挙げられる。これらの潜在性硬化剤は、１種を単独で、又は２種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されることから好ましい。
本発明の接着フィルムは、絶縁性接着層及び／又は導電性接着層に、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアクリロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とした重合体又は共重合体を含有していてもよい。グリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを併用した場合は、応力緩和に優れることから好ましい。このようなアクリルゴムの分子量（サイズ排除クロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量）は接着フィルムの凝集力を高める点から２０万以上であることが好ましい。
接着フィルムは、絶縁性接着層及び／又は導電性接着層に、さらに、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、色素、チキソトロピック剤、カップリング剤、メラミン樹脂及びイソシアネート類を含有していてもよい。
充填剤を含有した場合、接続信頼性等の向上が得られるので好ましい。充填剤は、その最大径が導電粒子の粒径未満であれば使用できる。充填剤の含有割合は、接着フィルム中の樹脂成分１００体積部に対して、５〜６０体積部の範囲が好ましい。この含有割合が６０体積部を超えると信頼性向上の効果が飽和しやすくなり、５体積部未満では充填剤の添加による効果が小さい。
カップリング剤としてはケチミン、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基含有物が、接着性の向上の点から好ましい。その具体例としては、アミノ基を有するシランカップリング剤として、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられる。また、ケチミンを有するシランカップリング剤として、上述のアミノ基を有するシランカップリング剤に、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物を反応させて得られたものが挙げられる。
上述の接着フィルムの硬化物は、４０℃、周波数１０Ｈｚにおける貯蔵弾性率Ｅ’が０．５〜２．５ＧＰａであることが好ましく、１．０〜２．０ＧＰａであることがより好ましい。
これによれば、貯蔵弾性率が上記範囲外である場合と比較して、接続端子を接続した後の接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力が向上し、且つ内部応力が低減する。そのため、この接着フィルムを用いた実装品の表示品質、接着力及び導通特性の向上等といった有利な効果が得られる。貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ未満である場合には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物中の成分の凝集力が低く、回路部材を接続するときの接続部分の電気抵抗が上昇する傾向にある。また、貯蔵弾性率が２．５ＧＰａを超える場合には、上述の範囲にある場合と比較して、接着フィルムの硬化物の硬度が上昇し、実装品のパネル反り防止効果が低下する傾向にある。
本発明の接着フィルムは、絶縁性接着層と導電性接着層とからなる２層から構成されるものであってもよく、３層以上の層から構成されるものであってもよい。３層以上の層から構成される場合、絶縁性接着層及び導電性接着層は交互に積層されることが好ましい。例えば、３層から構成される接着フィルムとしては、導電性接着層、絶縁性接着層及び導電性接着層がこの順で積層されたもの、あるいは絶縁性接着層、導電性接着層及び絶縁性接着層がこの順で積層されたものが挙げられる。これらの場合、導電性接着層同士又は絶縁性接着層同士は材料、組成及び／又は膜厚が異なっていてもよく、同一であってもよい。
３層以上の層から構成される接着フィルムにおいては、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後に、互いに接する導電性接着層及び絶縁性接着層のうち少なくとも１組についてのＣ／Ｄの値が１．２〜３．０となる。さらに、３層以上の層から構成される接着フィルムにおいては、積層方向に所定の条件で加熱加圧した後に、互いに接する導電性接着層及び絶縁性接着層のそれぞれについてのＣ／Ｄの値が全て１．２〜３．０となることが好ましい。
上述のＣ／Ｄの数値範囲を満足する本発明の接着フィルムは、例えば、下記（１）、（２）のうちいずれか１層の絶縁性接着層と、下記（３）〜（５）のうちいずれか１層の導電性接着層とを組み合わせることにより得ることができる。
（１）ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有する絶縁性接着層。
（２）重量平均分子量１０００〜１００００のビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、重量平均分子量１０００〜１００００のＡ・Ｆ型固形エポキシ樹脂、及び、重量平均分子量１０００〜１００００のＦ型固形エポキシ樹脂のうち少なくともいずれかを含有する絶縁性接着層。
（３）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、又は、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
（４）分子内にフルオレン環を含むフェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
（５）樹脂成分１００体積部に対して粒径０．１〜１．０μｍの非導電性微粒子を５〜３０体積部含有する導電性接着層。
上述の接着フィルムは、例えば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装において、ＩＣチップとフレキシブルテープやガラス基板とを電気的に接続するために用いることができる。
（回路部材の接続構造）
本発明は、第１の接続端子を有する第１の回路部材と、第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、第１の接続端子と第２の接続端子とを対向して配置し、対向配置した第１の接続端子と第２の接続端子との間に上述の接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、第１の接続端子と第２の接続端子とを電気的に接続させてなる回路部材の接続構造を提供する。
図１は、本発明に係る回路部材の接続構造の好適な一実施形態を示す概略断面図である。図１に示す接続構造１００は、相互に対向する第１の回路部材１０及び第２の回路部材２０を備えており、第１の回路部材１０と第２の回路部材２０との間には、これらを接続する回路接続部材３０が設けられている。
第１及び第２の回路部材１０，２０の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ若しくはコンデンサチップ等のチップ部品又はプリント基板等の基板が挙げられる。接続構造１００の接続形態としては、ＩＣチップとチップ搭載基板との接続、電気回路相互の接続、ＣＯＧ実装又はＣＯＦ実装におけるＩＣチップとガラス基板又はフレキシブルテープとの接続等もある。
特に、回路部材１０，２０のうち少なくとも一方がＩＣチップであると好ましい。
また、回路部材１０，２０のうち少なくとも一方の表面が窒化シリコン、シリコーン化合物及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種でコーティング又は付着処理されていることが好ましい。上述の接着フィルムによれば、このような回路部材に対する接着強度が特に良好となる。
第１の回路部材１０は、第１の回路基板１１と、第１の回路基板１１の主面１１ａ上に形成された第１の電極(接続端子)１２とを有する。第２の回路部材２０は、第２の回路基板２１と、第２の回路基板２１の主面２１ａ上に形成された第２の電極(接続端子)２２とを有する。接続構造１００においては、第１の電極１２と第２の電極２２とが対向配置され、かつ電気的に接続されている。なお、第１の回路基板１１の主面１１ａ上、及び第２の回路基板２１の主面２１ａ上には、場合により絶縁層（図示せず）が形成されていてもよい。
第１及び第２の電極１１，１２のうち少なくとも一方の表面が、金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
回路接続部材３０は、上述の接着フィルムの硬化物である。接着フィルムの硬化物中の導電粒子（図示せず）により第１の電極１２と第２の電極２２とが電気的に接続される。
本実施形態の接続構造１００の製造方法、すなわち回路部材１０，２０の接続方法は、例えば以下のとおりである。まず、第１及び第２の回路部材１０、２０の間に、上述の接着フィルムを介在させる。このとき、第１の電極１２及び第２の電極２２が相互に対向するように、第１及び第２の回路部材１０、２０を配置する。なお、接着フィルムはその絶縁性接着層側が第１の電極１２に接するように介在させてもよく、第２の電極２２と接するように介在させてもよい。次に、第１及び第２の回路部材１０、２０を介して接着フィルムを加熱しながら、それらの積層方向に加圧して、接着フィルムの硬化処理を施し接続構造１００を形成する。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、その方法は接着フィルムにより適宜選択される。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、下記の実施例において、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂は東都化成株式会社製、商品名「ＦＸ−３１６」、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂はインケムコーポレーション社製、商品名「ＰＫＨＣ」、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂は東都化成株式会社製、商品名「ＺＸ−１３５６−２」、芳香族スルホニウム塩は三新化学工業株式会社製、商品名「サンエイドＳＩ−６０」をそれぞれ用いた。また、液状エポキシとして、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ（旭化成ケミカルズ社製、商品名「ノバキュアＨＸ−３９４１」、エポキシ当量１８５）を用いた。
（実施例１）
ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂１００ｇを、質量比５０：５０のトルエン（沸点１１０．６℃、ＳＰ値８．９０）と酢酸エチル（沸点７７．１℃、ＳＰ値９．１０）との混合溶剤に溶解させ、固形分６０質量％の溶液を得た。その溶液に、液状エポキシを配合し、更に潜在性硬化剤として芳香族スルホニウム塩２．４ｇを添加して混合液を得た。なお、上記液状エポキシは、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で６０：４０となる量を配合した。得られた混合液を、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μｍの絶縁性接着層を形成した。
また、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４０質量％の第１の溶液を得た。一方、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４５質量％の第２の溶液を得た。
上述の第１及び第２の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で３０：３０：４０となる量で配合した。得られた配合液に更に導電粒子を樹脂成分に対して１０体積％配合して分散し、更に潜在性硬化剤として芳香族スルホニウム塩２．４ｇを添加して分散液を得た。得られた分散液を、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μｍの導電性接着層を形成した。形成した絶縁性接着層と導電性接着層とをラミネーターを用いて貼り合わせ、ＰＥＴフィルムで挟まれた接着フィルムを得た。
（実施例２）
絶縁性接着層の形成を下記のように代えた以外は、実施例１と同様にしてＰＥＴフィルム付接着フィルムを得た。ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂１００ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分６０質量％の第１の溶液を得た。一方、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４５質量％の第２の溶液を得た。上述の第１及び第２の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で３０：３０：４０となる量で配合した。得られた配合液に更に潜在性硬化剤として芳香族スルホニウム塩２．４ｇを添加して混合液を得た。得られた混合液を、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μｍの絶縁性接着層を形成した。
（比較例１）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４０質量％の第１の溶液を得た。一方、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４５質量％の第２の溶液を得た。上述の第１及び第２の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で３０：３０：４０となる量で配合した。得られた配合液に更に潜在性硬化剤として芳香族スルホニウム塩２．４ｇを添加して混合液を得た。得られた混合液を、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μｍの絶縁性接着層を形成した。
ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂１００ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分６０質量％の第１の溶液を得た。一方、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂５０ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分４５質量％の第２の溶液を得た。上述の第１及び第２の溶液を混合し、その混合液に更に液状エポキシを配合した。これらはビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で３０：３０：４０となる量で配合した。得られた配合液に更に導電粒子を樹脂成分に対して１０体積％配合して分散し、更に潜在性硬化剤として芳香族スルホニウム塩２．４ｇを添加して分散液を得た。得られた分散液を、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μｍの導電性接着層を形成した。形成した絶縁性接着層と導電性接着層とをラミネーターを用いて貼り合わせ、ＰＥＴフィルムで挟まれた接着フィルムを得た。
（比較例２）
絶縁性接着層を下記のように形成したこと以外は、実施例１と同様にしてＰＥＴフィルム付接着フィルムを得た。ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂１００ｇを、質量比５０：５０のトルエンと酢酸エチルとの混合溶剤に溶解させ、固形分６０質量％の溶液を得た。その溶液に、液状エポキシを配合して混合液を得た。なお、上記液状エポキシは、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂：液状エポキシが固形質量比で６０：４０となる量を配合した。得られた混合液を、潜在性硬化剤である芳香族スルホニウム塩を添加せずに、厚み５０μｍの片面がシリコーンで表面処理されたＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布した後、７０℃、５分間の熱風乾燥により、厚みが１０μmの絶縁性接着層を形成した。
（回路部材の接続構造の形成）
実施例１、２及び比較例１、２の接着フィルムをそれぞれ用いて、回路部材の接続構造を作製した。詳細には、まず、接着フィルムの導電性接着層側のＰＥＴフィルムを剥離除去して、導電性接着層の表面を露出した。次に、厚み０．５ｍｍのガラス上にＩＴＯ膜を蒸着により形成してＩＴＯ基板（表面抵抗＜２０Ω／□）を得た。次いで、ＩＴＯ膜の表面に上記接着フィルムの導電性接着層の表面を向かい合わせて接触させながら、７０℃、０．５ＭＰａ、３秒間の条件でそれらの積層方向に加熱加圧して、ＩＴＯ基板に接着フィルムを仮固定した。その後、接着フィルムからもう一方のＰＥＴフィルムを剥離除去した。次に、バンプ面積３０μｍ×５０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ１５μｍの２列（千鳥配列）の金バンプを設けたＩＣチップを上記接着フィルム上に載置した。ＩＣチップを載置した接着フィルムを石英ガラス及び加圧ヘッドで挟み、１６０℃、１００ＭＰａ、１０秒間の条件で加熱加圧することにより、ＩＴＯ基板とＩＣチップとを接続して回路部材の接続構造を作製した。
（バンプ−ガラス基板配線間捕捉粒子数の測定）
上述の接続構造について、ＩＴＯ基板のガラス側から金属顕微鏡（倍率５００倍）で３０μｍ×５０μｍの領域を２００ヶ所観察して、ＩＴＯ基板と金バンプに挟まれた導電粒子の数をカウントした。そして、一領域当たりの導電粒子の数を相加平均により求めた。その結果を表１に示す。
（接続抵抗の測定）
実施例１、２及び比較例１、２の接着フィルムを用いて得られた回路部材の接続構造について、その接続部の電気抵抗値を、初期と、高温高湿槽（８５℃８５％ＲＨ環境下）中に５００時間保持した後とにおいて、４端子測定法を用いマルチメータで測定した。その結果を表１に示す。
（Ｃ／Ｄの値の測定）
実施例１，２及び比較例１、２の接着フィルムをφ５．５ｍｍの円板状に切り出した。次いで切り出した接着フィルムを、厚み０．７ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍの２枚のガラス板に挟み、１６０℃、２ＭＰａ、１０秒間の条件で加熱加圧を行った。加熱加圧前の接着フィルムの主面の面積Ａと、加熱加圧後の硬化した絶縁性接着層の主面の面積ＣとからＣ／Ａの値を求めた。さらに加熱加圧前の接着フィルムの主面の面積Ａと加熱加圧後の硬化した導電性接着層の主面の面積Ｄとから、導電性接着層のＤ／Ａの値を求め、Ｃ／Ａの値をＤ／Ａの値で除することにより、Ｃ／Ｄの値を算出した。その結果を表１に示す。
なお、上記主面の面積Ｃ及びＤは、ガラス板の加熱加圧後の硬化した接着フィルムの広がりを、スキャナー等を用いて撮像し、画像処理装置を用いて求めた。面積Ｃは、接着フィルムの最外周によって囲まれた部分の面積であり、面積Ｄは、最外周の内側の周によって囲まれた部分の面積である。これらは、最外周と最外周の内側の周との間の部分が、肉眼では白色透明に、スキャナーで撮像したときには薄青色に見え、また、最外周の内側の周の内側の部分が、肉眼では黒っぽく、スキャナーで撮像したときには白色に見えるので区別できる。加熱加圧後の硬化した接着フィルムをスキャナーで撮像した像を、図２に示す。なお、図２に示す硬化した接着フィルムの最外周の直径は約９ｍｍである。
１０…第１の回路部材、１１…第１の回路基板、１２…第１の電極、２０…第２の回路部材、２１…第２の回路基板、２２…第２の電極、３０…回路接続部材、１００…接続構造。

Claims (7)

  1. 第１の接続端子を有する第１の回路部材と、
    第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、
    前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを対向して配置し、
    対向配置した前記第１の接続端子と前記第２の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、対向配置した前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続させる回路部材の接続方法であって、
    前記接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されてなる接着フィルムであり、
    前記絶縁性接着層は、下記（１）、（２）のうちいずれか１層であり、
    前記導電性接着層は、下記（３）〜（５）のうちいずれか１層である、回路部材の接続方法。
    （１）ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有する絶縁性接着層。
    （２）重量平均分子量１０００〜１００００のビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、重量平均分子量１０００〜１００００のＡ・Ｆ型固形エポキシ樹脂、及び、重量平均分子量１０００〜１００００のＦ型固形エポキシ樹脂のうち少なくともいずれかを含有する絶縁性接着層。
    （３）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、又は、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （４）分子内にフルオレン環を含むフェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （５）樹脂成分１００体積部に対して粒径０．１〜１．０μｍの非導電性微粒子を５〜３０体積部含有する導電性接着層。
  2. 第１の接続端子を有する第１の回路部材と、
    第２の接続端子を有する第２の回路部材とを、
    前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを対向して配置し、
    対向配置した前記第１の接続端子と前記第２の接続端子との間に接着フィルムを介在させ、加熱加圧して、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子とを電気的に接続させてなる回路部材の接続構造であって、
    前記接着フィルムは、導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されてなる接着フィルムであり、
    前記絶縁性接着層は、下記（１）、（２）のうちいずれか１層であり、
    前記導電性接着層は、下記（３）〜（５）のうちいずれか１層である、回路部材の接続構造。
    （１）ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有する絶縁性接着層。
    （２）重量平均分子量１０００〜１００００のビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、重量平均分子量１０００〜１００００のＡ・Ｆ型固形エポキシ樹脂、及び、重量平均分子量１０００〜１００００のＦ型固形エポキシ樹脂のうち少なくともいずれかを含有する絶縁性接着層。
    （３）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、又は、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （４）分子内にフルオレン環を含むフェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （５）樹脂成分１００体積部に対して粒径０．１〜１．０μｍの非導電性微粒子を５〜３０体積部含有する導電性接着層。
  3. 導電粒子を含有する導電性接着層と、絶縁性接着層と、が積層されており、
    前記絶縁性接着層は、下記（１）、（２）のうちいずれか１層であり、
    前記導電性接着層は、下記（３）〜（５）のうちいずれか１層である接着フィルム。
    （１）ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂を含有する絶縁性接着層。
    （２）重量平均分子量１０００〜１００００のビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、重量平均分子量１０００〜１００００のＡ・Ｆ型固形エポキシ樹脂、及び、重量平均分子量１０００〜１００００のＦ型固形エポキシ樹脂のうち少なくともいずれかを含有する絶縁性接着層。
    （３）ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、又は、ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （４）分子内にフルオレン環を含むフェノキシ樹脂を含有する導電性接着層。
    （５）樹脂成分１００体積部に対して粒径０．１〜１．０μｍの非導電性微粒子を５〜３０体積部含有する導電性接着層。
  4. 相対峙する接続端子間を電気的に接続するために用いられる、請求項３記載の接着フィルム。
  5. 前記絶縁性接着層及び／又は前記導電性接着層が、フィルム形成材、エポキシ樹脂及び潜在性硬化剤を含む、請求項３又は４記載の接着フィルム。
  6. 前記絶縁性接着層及び／又は前記導電性接着層が、エポキシ樹脂及び潜在性硬化剤を含む、請求項３又は４記載の接着フィルム。
  7. ＣＯＧ(Chip-On-Glass)実装又はＣＯＦ(Chip-On-Flex)実装に用いられる、請求項３又は４記載の接着フィルム。
JP2014045370A 2006-11-10 2014-03-07 回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造 Active JP6230935B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014045370A JP6230935B2 (ja) 2006-11-10 2014-03-07 回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006305206 2006-11-10
JP2006305206 2006-11-10
JP2014045370A JP6230935B2 (ja) 2006-11-10 2014-03-07 回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012242096A Division JP2013065563A (ja) 2006-11-10 2012-11-01 回路部材の接続方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016203631A Division JP6237855B2 (ja) 2006-11-10 2016-10-17 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014141679A true JP2014141679A (ja) 2014-08-07
JP6230935B2 JP6230935B2 (ja) 2017-11-15

Family

ID=39364583

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008543139A Withdrawn JPWO2008056773A1 (ja) 2006-11-10 2007-11-09 接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法
JP2012242096A Withdrawn JP2013065563A (ja) 2006-11-10 2012-11-01 回路部材の接続方法
JP2014045370A Active JP6230935B2 (ja) 2006-11-10 2014-03-07 回路部材の接続方法及び回路部材の接続構造
JP2016203631A Active JP6237855B2 (ja) 2006-11-10 2016-10-17 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008543139A Withdrawn JPWO2008056773A1 (ja) 2006-11-10 2007-11-09 接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法
JP2012242096A Withdrawn JP2013065563A (ja) 2006-11-10 2012-11-01 回路部材の接続方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016203631A Active JP6237855B2 (ja) 2006-11-10 2016-10-17 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法

Country Status (5)

Country Link
JP (4) JPWO2008056773A1 (ja)
KR (3) KR101100569B1 (ja)
CN (4) CN102153957B (ja)
TW (2) TW201217482A (ja)
WO (1) WO2008056773A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5676046B1 (ja) * 2014-09-16 2015-02-25 オリジン電気株式会社 部材貼り合わせ装置及び方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110056555A (ko) * 2008-10-22 2011-05-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 필름
CN103525351A (zh) * 2013-11-05 2014-01-22 武汉爱劳高科技有限责任公司 用于接地极焦炭粘接的室温固化型导电胶粘剂
JP2023076211A (ja) * 2021-11-22 2023-06-01 福田金属箔粉工業株式会社 導電性接着剤
CN115044311B (zh) * 2022-08-17 2022-11-29 江苏凯伦建材股份有限公司 一种耐高温热熔胶膜及其制备方法和覆膜板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08315884A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JPH09143445A (ja) * 1995-11-21 1997-06-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JPH09143252A (ja) * 1995-11-21 1997-06-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JP2000178511A (ja) * 1997-07-24 2000-06-27 Sony Chem Corp 多層異方導電性接着剤およびその製造方法
JP2002201450A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656768B2 (ja) * 1995-02-07 2005-06-08 日立化成工業株式会社 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
EP0914027B1 (en) * 1996-07-15 2002-10-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board
TW383435B (en) * 1996-11-01 2000-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd Electronic device
WO1998038261A1 (en) * 1997-02-27 1998-09-03 Seiko Epson Corporation Adhesive, liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
CN100513507C (zh) * 2001-11-16 2009-07-15 日立化成工业株式会社 电路连接用粘结剂
JP4411876B2 (ja) * 2003-06-23 2010-02-10 東レ株式会社 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート及びカバーレイフィルム並びに銅張りポリイミドフィルム
EP1628363B1 (en) * 2003-06-25 2009-12-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit member connecting structure and method of producing the same
US20100025089A1 (en) * 2004-01-07 2010-02-04 Jun Taketatsu Circuit connection material, film-shaped circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
JP2005194413A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
KR100671138B1 (ko) * 2005-03-07 2007-01-17 제일모직주식회사 다층구조 이방 전도성 필름 및 이를 이용한 디스플레이 소자
JP2007217503A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08315884A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JPH09143445A (ja) * 1995-11-21 1997-06-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JPH09143252A (ja) * 1995-11-21 1997-06-03 Hitachi Chem Co Ltd 回路用接続部材
JP2000178511A (ja) * 1997-07-24 2000-06-27 Sony Chem Corp 多層異方導電性接着剤およびその製造方法
JP2002201450A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5676046B1 (ja) * 2014-09-16 2015-02-25 オリジン電気株式会社 部材貼り合わせ装置及び方法
WO2016042935A1 (ja) * 2014-09-16 2016-03-24 オリジン電気株式会社 部材貼り合わせ装置及び方法
US9809017B2 (en) 2014-09-16 2017-11-07 Origin Electric Company, Limited Member bonding apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP6230935B2 (ja) 2017-11-15
CN102153957B (zh) 2013-12-04
KR20110107878A (ko) 2011-10-04
CN102153957A (zh) 2011-08-17
JP2013065563A (ja) 2013-04-11
JP2017020047A (ja) 2017-01-26
JPWO2008056773A1 (ja) 2010-02-25
CN102408840A (zh) 2012-04-11
KR101100575B1 (ko) 2011-12-29
KR101100569B1 (ko) 2011-12-29
JP6237855B2 (ja) 2017-11-29
TW201217482A (en) 2012-05-01
KR20110056341A (ko) 2011-05-26
WO2008056773A1 (en) 2008-05-15
KR101100442B1 (ko) 2011-12-29
KR20090080119A (ko) 2009-07-23
TWI391460B (zh) 2013-04-01
CN101536260B (zh) 2012-01-11
CN101536260A (zh) 2009-09-16
TW200842173A (en) 2008-11-01
CN102447168A (zh) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5316410B2 (ja) 回路部材の接続構造
JP6237855B2 (ja) 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
JP5441954B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
JP2008111092A (ja) 回路接続材料及びそれを用いた接続構造体
JP2002201450A (ja) 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2012021140A (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
KR20100020029A (ko) 회로 접속용 필름상 접착제
JP4265140B2 (ja) 異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び接続構造体
JP5485222B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
JP4888482B2 (ja) 異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び接続構造体
JP4687576B2 (ja) 回路接続用フィルム状接着剤
JP5206840B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
JP4055583B2 (ja) 回路接続用接着剤組成物、これを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2009161684A (ja) 回路接続用接着剤組成物、この接着剤組成物用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
JP5223946B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
JP2002203871A (ja) 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
KR20110136732A (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151208

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160719

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170615

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6230935

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350