WO2008041625A1

WO2008041625A1 - Appareil de revêtement en film

Info

Publication number: WO2008041625A1
Application number: PCT/JP2007/068936
Authority: WO
Inventors: Tadahiro Ohmi; Ryoichi Ohkura; Osamu Nakamura; Takaaki Matsuoka
Original assignee: National University Corporation Tohoku University; Tokyo Electron Limited
Priority date: 2006-09-29
Filing date: 2007-09-28
Publication date: 2008-04-10
Also published as: JP2008085242A; TW200902167A; JP5013400B2; US20090277379A1; TWI408009B

Description

明細書

塗布膜コーティング装置

技術分野

[0001] 本発明は、半導体基板、液晶ガラス基板、あるいは磁気ディスクなどの精密基板に有機被膜などを塗布するための塗布膜コーティング装置に関する。

背景技術

[0002] 半導体デバイス、液晶ディスプレイ、磁気ディスクなどの製造にお!/、て、回路パターンを形成するために露光技術が用いられている。露光工程に必須であるレジスト材料の塗布を精密基板に均一に、かつ可能な限り薄くすることは、精密基板素子の微細化、半導体をはじめとしたデバイス製造の高品質化、高歩留化を実現するために不可欠で重要な因子である。したがって、従来から露光工程においてレジスト材料の塗布を精密基板に均一に、かつ可能な限り薄くするため、コーティング装置の改良が行われてきた。

[0003] また、半導体をはじめとした各デバイスの高集積化、高精度化にともない、問題となる汚染因子も一層厳しくなつてきており、重金属汚染はもとより、環境からのパーティクル汚染、製造装置からの汚染も問題となり、これらを改善することが必要となってい

[0004] そして、露光工程後のエッチング工程時に、レジスト中に含まれる水分や酸素などの不純物が、レジスト材料にダメージを与えてしまうため、上述のレジスト材料の塗布を精密基板に均一に、かつ可能な限り薄くするためには、レジスト塗布時に水分や酸素などの原子'分子レベルの汚染防止が求められている。

[0005] 従来の塗布膜コーティング装置は、図 5に示すように、被塗布基板 51を保持するためのテーブル 52、テーブル 52を回転駆動する回転機構 53、被塗布基板 51の被塗布面にレジスト液を供給するレジストノズル 54、被塗布基板 51を囲うように設けられた円筒形の第 1カップ 55、第 1力ップ 55の内側で被塗布基板 51の下方に位置するよう設けられた第 2カップ 56、 EBR装置 57、洗浄ノズル 58、及びこれらを収納するケ一シング（図示せず）を有している。 [0006] 図 5の装置を用いて被塗布基板 51表面にレジスト液を塗布するには、まず、被塗布基板 51をテーブル 52に保持させる。テーブル 52は、例えば真空チャックであって、被処理基板 51を吸着保持する。真空チャックの排気は、下向き矢印で示すように回転機構 53を通して行われる。

[0007] 次に、被塗布基板 51の表面中心にレジストノズル 54より下向き矢印で示すようにレジスト液を供給し、回転機構によりテーブル 52を回転させる。これにより被塗布基板 5 1が回転し、その表面に供給されたレジスト液は、遠心力により被塗布基板 51のエツジ (外周方向）へ向かって拡がり、被塗布基板 51の表面全体を覆うレジスト膜となる。

[0008] 以上のようにして形成されたレジスト膜は、エッジ周辺において膜厚が厚くなりやすい。エッジ周辺部の膜厚が厚くなつた場合には、 EBR装置 57より下向き矢印で示すようにエッジ洗浄液等を供給してレジスト膜を一部除去し、所定の厚みとなるようにする。また、被塗布基板 51の裏面に回りこんだレジストは、洗浄ノズル 58より斜め上向き矢印で示す方向へ溶剤を噴出させて除去する。

[0009] 以上のようにして、従来の塗布膜コーティング装置を用い、被塗布基板 51の表面にレジスト膜が形成される。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0010] 従来の塗布膜コーティング装置では、形成したレジスト膜の膜厚分布が均一でなく

(特に、エッジ部において厚くなりやすく）、 EBR装置等を用いて膜厚を均一にする処理を行わなければならな!/ヽとレ、う問題点がある。

[0011] また、従来の塗布膜コーティング装置では、被塗布基板裏面にまでレジスト液が回りこむため、裏面洗浄を行わなければならないという問題点がある。

[0012] さらに、従来の塗布コーティング装置では、ゥエーハを高速回転させるとゥエーハ外周部にバタツキが発生し、ゥエーハの大口径化に対応できないという問題点がある。

[0013] また、従来の塗布膜コーティング装置では、レジスト塗布時にレジストに脈動が生じるという問題点がある。

[0014] さらにまた、従来の塗布膜コーティング装置では、形成したレジスト膜が露光後のェツチングプロセスによってエッチングされてしまうことがあるという問題点がある。この問題は、膜厚を厚くすることによりある程度解決できるが、膜厚を厚くすると露光時の焦点深度に悪影響を与え、微細化を困難にするという別の問題を引き起こす。

[0015] そこで、本発明は、工程の簡略化とレジスト膜の膜厚分布の均一化とを両立することができ、ゥエーハの大口径化にも対応できる塗布膜コーティング装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0016] 本発明の第 1の構成に係る塗布膜コーティング装置は、被塗布基板の非塗布面に対向した部位力ガスを均一に供給する手段、被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転することを可能とする回転保持機構にガスを供給する手段、および被塗布基板の被塗布面に向けて塗布液を噴射する塗布液噴射機構の雰囲気を制御するためのガス供給手段のいずれか一つ以上の手段を具備することを特徴とする。

[0017] 本発明の第 2の構成に係る塗布膜コーディング装置は、被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転させる回転保持機構を有し、前記回転保持機構は前記被塗布基板を直接又は間接に保持するテーブルを有し、前記被塗布基板の裏面にガスを供給するためのガス吐出孔を有するガス供給手段を具備することを特徴とする。

[0018] 本発明の第 3の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 2の構成に係る塗布膜コ一ティング装置において、前記テーブルは、前記被塗布基板をその裏面の一部で直接接触保持するチャックを有することを特徴とする。

[0019] 本発明の第 4の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 3の構成に係る塗布膜コ一ティング装置にぉレ、て、前記チャックは真空チャックまたは静電チャックであることを特徴とする。

[0020] 本発明の第 5の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 2の構成に係る塗布膜コ一ティング装置において、前記テーブルは、前記被塗布基板をその裏面の少なくとも一部で非接触保持するべルヌーイチャックを有することを特徴とする。

[0021] 本発明の第 6の構成に係る塗布膜コーティング装置は、被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転させる回転保持機構を有し、前記回転保持機構は前記被塗布基板を間接に保持するテーブルを有し、前記被塗布基板と前記テーブルとの間にガスを供給するためのガス吐出孔を有し、前記ガス吐出孔から供給する前記ガスを前記被塗布基板の外周から、前記被塗布基板裏面の外周以外の部分における前記ガスの流速よりも早い流速で排出することを特徴とする。

[0022] 本発明の第 7の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 2乃至 6のいずれかの構成に係る塗布膜コーティング装置において、前記ガス吐出孔を、前記ガスが供給される上流側通路よりも噴出通路を小径としたことを特徴とする。

[0023] 本発明の第 8の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 5または 6のいずれかの構成に係る塗布膜コーティング装置において、前記テーブルは、前記被塗布基板を外周部でクランプするクランプピンを複数本備えたことを特徴とする。

[0024] 本発明の第 9の構成に係る塗布膜コーティング装置は、第 5または 6のいずれかの構成に係る塗布膜コーティング装置において、前記クランプピンは、前記テーブルが前記被塗布基板を回転させつつ保持するときに、その上面が前記被塗布基板の塗布面と同じかそれより上になるようにされていることを特徴とする。

発明の効果

[0025] 本発明によれば、ガス流を利用することで、裏面へのレジスト液の回り込みを防ぐとともに、膜厚分布を均一化することができる。これにより、裏面洗浄工程及び EBRによる膜厚均一化工程を不要にすることができる。

[0026] また、本発明によれば、高速回転に伴うゥエーハのばたつきを抑えることができ、大口径化に対応することができる。

[0027] さらに、本発明によれば、レジスト液の脈動を抑えることができる。

[0028] さらにまた、本発明によれば、レジスト膜への不純物の進入を防ぎ、露光後のエッチングプロセスによるレジストのエッチングを抑制することができる。これにより、より一層の薄膜化が可能で、微細化を可能にするとともに、連続プロセスが可能になる。図面の簡単な説明

[0029] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に係る塗布膜コーティング装置の主要部の概略構成図である。

[図 2]本発明の第 2の実施の形態に係る塗布膜コーティング装置の主要部の概略構成図である。

[図 3A]図 2の塗布膜コーティング装置のロード/アンロード時の状態を説明するための図である。

[図 3B]図 2の塗布膜コーティング装置のレジスト塗布時の状態を説明するための図である。

園 4]本発明の第 3の実施の形態に係る塗布膜コーティング装置の概略構成図であ園 5]従来の塗布膜コーティング装置の主要部の概略構成図である。

符号の説明

10 塗布膜コーティング装置

11 被塗布基板

12 テープノレ

13 回転機構

14 レジストノズノレ

15 第 1のカップ

16 第 2のカップ

17 音速ノズル

20 塗布膜コーティング装置

21 被塗布基板

22 テープノレ

221 主テープノレ

222 音速ノズル

223 リング状突起

224 クランプピン

23 回転機構

24 レジストノズノレ

25 カップ

31 , 32 ベルヌ一イチャック

40 塗布膜コーティング装置

41 被塗布基板 42 ケーシング

43 ホノフ

44 脱気膜

45 レジスト供給配管

46 ガス供給部

47 ガス排気部

51 被塗布基板

52 テープノレ

53 回転機構

54 レジストノズノレ

55 第 1のカップ

56 第 2のカップ

57 EBR装置

58 裏面洗浄ノズル

発明を実施するための最良の形態

[0031] 以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。

[0032] 図 1に、本発明の一実施の形態に係る塗布膜コーティング装置の概略構成図を示す。

[0033] 図 1の塗布膜コーティング装置 10は、被塗布基板 11を保持するテーブル 12、テーブル 12を回転駆動する回転機構 13、被塗布基板 11の表面にレジスト液を供給するレジストノズル 14、被塗布基板 11を囲うように設けられた円筒形の第 1カップ 15、第 1 カップ 15の内側で基板 11の下方に位置するよう設けられた第 2カップ 16、被塗布基板 11の裏面に向かってガスを噴出するガス供給ノズル、例えば音速ノズル 17、及びこれらを収納するケーシング（図示せず）を有している。

[0034] 被塗布基板 11は、例えば、半導体基板、液晶ガラス基板、あるいは磁気ディスクなどの精密基板である。

[0035] テーブル 12は、真空チャックゃ静電チャックなどであって、被塗布基板 11を直接接触保持する。真空チャックの場合、排気は、下向き矢印で示すように回転機構 13を通して行われる。

[0036] 回転機構 13は、テーブル 12とともに回転保持機構を構成する。回転機構 13は、被塗布基板 11をロード/アンロードするためにテーブル 12を上下に移動させ、また、テーブル 12に保持された被塗布基板 11をその中心軸を回転軸として回転させるためにテーブル 12を回転駆動する。

[0037] レジストノズル 14は、被塗布基板の表面 (被塗布面）中央に下向き矢印で示すようにレジスト液を供給する。

[0038] 第 1カップ 15は、被塗布基板 11の表面に供給されて、被塗布基板 11の回転に伴つて周囲へ飛散するレジスト液を回収する。

[0039] 第 2カップ 16は、被塗布基板の下方から供給されるガス（N等の不活性ガス）の流

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路を規定し、第 1カップ 15によるレジスト液の回収を促進する。

[0040] 音速ノズル 17は、ガスが供給される上流側通路よりも噴出通路を小径としたガス吐出孔を有し、上向き矢印で示すように被塗布基板 11の裏面（非塗布面）へ向かって、高い精度で一定の流量のガスを噴出させる。複数の音速ノズル 17を規則的に配列することで、被塗布基板 11の裏面に向かって均一にガスを供給する。

[0041] 次に、図 1の塗布膜コーティング装置の動作について説明する。

[0042] まず、回転機構 13によりテーブル 12を上昇させて、被塗布基板 11をテーブル 12 に保持させる。

[0043] 次に、回転機構 13によりテーブル 12を処理位置まで下降させ、レジストノズル 14より、テーブル 12に保持された被塗布基板 11の表面中央へレジスト液を供給する。

[0044] 続いて、回転機構 13によりテーブル 12を回転させるとともに、音速ノズル 17よりガスを噴出させる。テーブル 12の回転により、被塗布基板 11の表面に供給されたレジスト液は、被塗布基板 11のエッジ部へと拡がる。このとき、音速ノズル 17より噴出したガスは、被塗布基板 11の裏面に突き当たった後、被塗布基板 11の裏面に沿ってェッジ (外周側）へ向かう。被塗布基板 11のエッジ部裏面側には、第 2のカップ 16の上縁部が近接しており、ガスの流路が狭められている。この部分でガスの流速が速められるので、被塗布基板 11のエッジ部は、ベルヌーィの法則により（間接的に）ホールドされる。つまりエッジ部にベルヌ一イチャックが設けられている。その結果、被塗布基板 11のバタツキを抑えることができ、高速回転が可能となる。また、高速回転とガス流の相乗効果により、レジストの膜厚分布がよくなり、裏面へのレジストの回り込みも無くなる。これにより、従来必要であった EBR工程及び裏面洗浄工程が不要となり、 EBR装置及び裏面洗浄ノズルが不要になる。この実施の形態では、回転は慣性モ一メントの少ない中央部のチャックで与えられるので、低速から短時間（例えば、 1秒）で、 6000〜7000rpmもの高速に回転させることができ、高速回転に伴う外周部のバタツキをべルヌーイチャックで抑えることができる。

[0045] 次に、図 2を参照して、本発明の第 2の実施の形態について説明する。

[0046] 図 2の塗布膜コーティング装置 20は、被塗布基板 21を保持するテーブル 22、テーブル 22を回転駆動する回転機構 23、被塗布基板 21の表面にレジスト液を供給するレジストノズル 24、被塗布基板 21を囲うように設けられた円筒形のカップ 25、及びこれらを収納するケーシング（図示せず）を有している。

[0047] テーブル 22は、円板状の主テーブル 221と、その中心に設けられたガス供給ノズル、例えば音速ノズル 222と、主テーブル 221の上面周縁部に設けられたリング状突起 223と、リング状突起 223の外周側に設けられた複数のクランプピン 224とを有している。テーブル 22は、後述するように、被塗布基板 21を、その裏面に接触することなく保持する。音速ノズル 222には、上向き矢印で示すように回転機構 23を通してガスが供給される。

[0048] 回転機構 23は、テーブル 22とともに回転保持機構を構成する。回転機構 23は、被塗布基板 21をロード/アンロードするために音速ノズル 222を上下に移動させ、また、ピン 224に保持された被塗布基板 21をその中心軸を回転軸として回転させるためにテーブル 22を回転駆動する。

[0049] レジストノズル 24は、被塗布基板 21の表面中央に下向き矢印で示すようにレジスト液を供給する。

[0050] カップ 25は、被塗布基板 21の表面に供給されて、被塗布基板 21の回転に伴って周囲へ飛散するレジスト液を回収する。

[0051] 次に、図 2の塗布膜コーティング装置の動作について、図 3A及び 3Bをも参照して説明する。各図の右側には、ベルヌ一イチャック部 31 , 32の（部分)拡大図を示す。 [0052] まず、回転機構 23により、図 3Aに示すように、音速ノズル 222を上昇させ、被塗布基板 21をその上方に位置させる。音速ノズル 222のガス吐出孔は、上流側通路よりも噴出通路を小径としてある複数のガス吐出孔カ規則的に配列され形成されている。音速ノズル 222は、一定流量のガス（N )を拡大図に上向き矢印で示すように上

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方に向かって噴出する。音速ノズル 222から噴出したガスは、被塗布基板 21の裏面にぶつかり、拡大図に右向き矢印で示すようにその裏面に沿って被塗布基板 21のェッジへ向かって流れる。ここで、ガス吐出孔から噴出させるガスの流量を被塗布基板 21の重さに基づいて適切に設定しておけば、複数のガス吐出孔から噴出したガスが音速ノズル 222の周縁部で合流して流速が速められ（例えば、流速約 5m/sec)、ベルヌーィの法則により、非接触で被塗布基板 21を位置固定 (吸着保持)することができる。つまり、音速ノズノレ 222は、ベルヌ一イチャック 31として働く。

[0053] 次に、回転機構 23により音速ノズル 222を下降させ、図 3Bに示すように、音速ノズル 222の上面と主テーブル 221の上面とを一致させる。このとき、クランクピン 224が、被塗布基板 21の外周面に接触し、被塗布基板 21を案内する。

[0054] 図 3Bの状態において、音速ノズル 222から噴出したガスは、被塗布基板 21と主テ一ブル 221との間の空間を、拡大図に右向き矢印で示すように被塗布基板 21の外周へ向かって流れる。被塗布基板 21と主テーブル 221とによって形成されるガス流路は、主テーブル 221の上面に形成されたリング状突起 223によって狭められ、ここにおいてガスの流速が速められる（例えば、流速約 7m/sec)。その結果、ガスは、被塗布基板 21の外周部から、それ以外の部分の流速よりも速い流速で排出される。そして、被塗布基板 21は、ベルヌーィの法則により、少なくとも被塗布基板 21の裏面に非接触で主テーブル 221に対して位置固定 (吸着保持)される。つまり、リング状突起 223の存在によりテーブル 221の外周部は、ベルヌ一イチャック 32として働く。この結果、本実施の形態に係る塗布膜コーティング装置においても、第 1の実施の形態に係る装置と同様に、被塗布基板 21のバタツキを抑えることができ、高速回転が可能となる。

[0055] この後、レジストノズル 24より、被塗布基板 21の表面中央へレジスト液を供給し、回転機構 23によりテーブル 221を回転させて、被塗布基板 21を回転させる。これにより、被塗布基板 21の表面に供給されたレジスト液は、被塗布基板 21のエッジ部へと拡がり、レジスト膜が形成される。

[0056] 上述したように、本実施の形態に係る塗布膜コーティング装置においても、被塗布基板 21のバタツキを抑えることができるので、高速回転とガス流の相乗効果により、レジストの膜厚分布がよくなり、裏面へのレジストの回り込みも無くなる。これにより、従来必要であった EBR工程及び裏面洗浄工程が不要となり、 EBR銃及び裏面洗浄ノズノレが不要になる。

[0057] 次に、図 4を参照して、本発明の第 3の実施の形態に係る塗布膜コーティング装置について説明する。

[0058] 図 4の塗布膜コーティング装置 40は、被塗布基板 41を保持するテーブル（図示せず）と、レジスト液を供給するレジストノズル等を収容するケーシング 42と、レジストノズルにレジスト液を供給するポンプ 43と、レジスト液に含まれる酸素等を除去する脱気膜 44と、これらを接続するレジスト供給配管 45と、ケーシング 42内にガスを導入するためのガス供給部 46と、ケーシング 42内のガスを排気するガス排気部 47とを備えている。

[0059] 本実施の形態では、レジスト供給配管 45に低透過ガス係数を有する材料を用い、ポンプ 43の前段に脱気膜 44を設けることにより、レジスト液に含まれる酸素、水分を除去するようにしている。

[0060] これに加え、本実施の形態では、ケーシング 42内に酸素、水分を除去したガス、例えば Nを導入しつつ、排気を行うことで、ケーシング 42内の雰囲気を制御する。即ち

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、被塗布基板 41の表面にレジスト膜を形成する際の雰囲気を、酸素及び水分の極めて低い状態とする。即ち、ケーシング 42内に、ガスを導入するためのガス供給部 4 6は、塗布液の噴射雰囲気を制御する機能を備えている。この結果、被塗布基板 41 の表面にレジスト膜を形成する際、レジスト膜への不純物（酸素、水分）の混入を抑制すること力 Sでき、露光工程後の RIEの際、不純物によるレジスト膜のエッチングを抑制できる。その結果、レジスト膜の薄膜化が可能となり、微細化、連続プロセス化が可能になる。また、レジスト塗布時の脈動を抑制することができる。

[0061] 以上、本発明についていくつかの実施の形態に即して説明した力本願発明はこれら実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上記実施の形態にぉレ、ては塗布膜がレジスト膜の場合につ!/、て説明した 1S 塗布膜はポリイミド膜、あるいは SOGまたは SOD材料で形成される層間絶縁膜であってもよい。

Claims

請求の範囲

[1] 被塗布基板の非塗布面に対向した部位からガスを均一に供給する手段、被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転することを可能とする回転保持機構にガスを供給する手段、および被塗布基板の被塗布面に向けて塗布液を噴射する塗布液噴射機構の雰囲気を制御するためのガス供給手段のいずれか一つ以上の手段を具備することを特徴とする塗布膜コーティング装置。

[2] 被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転させる回転保持機構を有し、前記回転保持機構は前記被塗布基板を直接又は間接に保持するテーブルを有し、前記被塗布基板の裏面にガスを供給するためのガス吐出孔を有するガス供給手段を具備することを特徴とする塗布膜コーティング装置。

[3] 前記テーブルは、前記被塗布基板をその裏面の一部で直接接触保持するチャックを有することを特徴とする請求項 2に記載の塗布膜コーティング装置。

[4] 前記チャックは真空チャックまたは静電チャックであることを特徴とする請求項 3に記載の塗布膜コーティング装置。

[5] 前記テーブルは、前記被塗布基板をその裏面の少なくとも一部で非接触保持するベルヌ一イチャックを有することを特徴とする請求項 2に記載の塗布膜コーティング装置。

[6] 被塗布基板を水平状態で保持するとともに回転させる回転保持機構を有し、前記回転保持機構は前記被塗布基板を間接に保持するテーブルを有し、前記被塗布基板と前記テーブルとの間にガスを供給するためのガス吐出孔を有し、前記ガス吐出孔から供給する前記ガスを前記被塗布基板の外周から、前記被塗布基板裏面の外周以外の部分における前記ガスの流速よりも早い流速で排出することを特徴とする塗布膜コーティング装置。

[7] 前記ガス吐出孔を、前記ガスが供給される上流側通路よりも噴出通路を小径としたことを特徴とする請求項 2乃至 6のいずれか一つに記載の塗布膜コーティング装置。

[8] 前記テーブルは、前記被塗布基板を外周部でクランプするクランプピンを複数本備えたことを特徴とする請求項 5または 6に記載の塗布膜コーティング装置。

[9] 前記クランプピンは、前記テーブルが前記被塗布基板を回転させつつ保持するときに、その上面が前記被塗布基板の塗布面と同じかそれより上になるようにされていることを特徴とする請求項 8に記載の塗布膜コーティング装置。

[10] 前記テーブルは、前記基板をべルヌーィ効果により外周部で保持できるように基板外周部裏面との間隔が他の部分での間隔より狭くなるように構成されていることを特徴とする請求項 2乃至 9のいずれか一つに記載の塗布膜コーティング装置。

[11] 被塗布基板を裏面において直接保持するとともに前記被塗布基板を水平状態で回転させる回転保持機構と、前記非塗布基板をべルヌーィ効果により外周部で間接的に保持する間接保持機構とを有することを特徴とする塗布膜コーティング装置。

[12] 前記間接保持機構は、基板裏面に設けられ基板外周部裏面との間隔が前記基板裏面の他の部分での間隔より狭くなるように構成されたテーブルと、前記基板裏面と前記テーブルとの間にガスを供給するためのガス吐出孔とを含み、前記ガス吐出孔から供給する前記ガスを前記被塗布基板の外周から、前記基板裏面の外周以外の部分における前記ガスの流速よりも早い流速で排出することを特徴とする請求項 11 に記載の塗布膜コーティング装置。

[13] 塗布液を供給する配管部材に、酸素透過係数が 5 X 10⁶ [個 ·

以下である樹脂配管を用いることを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれか一つに記載の塗布膜コーティング装置。

[14] 塗布液を供給するポンプの前段に、塗布液中の気体を除去する脱気装置を備えた塗布液供給システムにより塗布液を供給することを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれか一つに記載の塗布膜コーティング装置。

[15] 被塗布基板を前記テーブルの上部に搬入し前記テーブル上部から搬出する搬送機構を更に備え、前記搬送機構は、前記搬送機構内雰囲気と前記テーブル上部を含む塗布膜コーティング部分とを遮断することが可能な遮断機構を介して配置されており、前記搬送機構内雰囲気を制御するためのガス供給手段及びガス排気手段が具備されていることを特徴とする請求項 1乃至 14のいずれか一つに記載の塗布膜コ一ティング装置。

[16] 被塗布基板の搬送または保管を行う専用ケースを任意に着脱可能な接続機構が前記搬送機構を介して接続されていることを特徴とする請求項 15に記載の塗布膜コ一ティング装置。

[17] 塗布膜のコーティング前または後に被塗布基板を乾燥させることのできる乾燥機構が前記搬送機構を介して接続されており、前期乾燥機構内部の雰囲気を制御するためのガスを供給し排気する手段が具備されていることを特徴とする請求項 15または 1 6に記載の塗布膜コーティング装置。

[18] 請求項 1乃至 17のいずれか一つに記載の塗布膜コーティング装置を用いて塗布膜コーティングを行うことを特徴とする塗布膜コーティング方法。

[19] 請求項 18に記載の塗布膜コーティング方法を用いて感光性樹脂膜を基板に塗布する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。

[20] 請求項 18に記載の塗布膜コーティング方法を用いて記録用膜または保護膜をディスク基板に塗布する工程を含むことを特徴とするデータ記録用ディスクの製造方法。