WO2008016073A1 - Procédé de polissage d'un substrat en ruban pour un supraconducteur à oxydes, supraconducteur à oxydes et matériau de base pour celui-ci - Google Patents

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WO2008016073A1
WO2008016073A1 PCT/JP2007/065053 JP2007065053W WO2008016073A1 WO 2008016073 A1 WO2008016073 A1 WO 2008016073A1 JP 2007065053 W JP2007065053 W JP 2007065053W WO 2008016073 A1 WO2008016073 A1 WO 2008016073A1
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polishing
tape
polished
substrate
oxide superconductor
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PCT/JP2007/065053
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Sanaki Horimoto
Takuya Nagamine
Takehiro Watanabe
Fumi Murokawa
Yuji Horie
Noriyuki Kumasaka
Masahiro Hosoi
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Nihon Microcoating Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a method for polishing a surface to be polished and a substrate for an oxide superconductor in order to form an oxide superconducting thin film on the surface of a tape-like substrate, and in particular comprises a metal.
  • the present invention relates to a substrate for an oxide superconductor in which the surface to be polished of a tape-shaped substrate is polished to the nanometer order and an intermediate layer is formed thereon.
  • An oxide superconductor is an excellent superconductor exhibiting a critical temperature exceeding the temperature of liquid nitrogen.
  • a typical example of such a superconducting tape-shaped wire is an YtZ stabilized zirconium oxide (YSZ) whose crystal orientation is controlled by the IBAD (Ion Beam Assisted D-mark osition) method on the surface of a Hastelloy alloy tape made of a Ni-based alloy.
  • YSZ YtZ stabilized zirconium oxide
  • IBAD Ion Beam Assisted D-mark osition
  • Patent Document 1 JP-A-9 120719
  • the critical current density of the oxide superconductor is low. This is largely due to the presence of electrical anisotropy in the oxide superconductor crystal itself.
  • an oxide superconductor can easily flow electricity in the a-axis direction and the b-axis direction of its crystal axis, but it can hardly flow electricity in the c-axis direction.
  • No. 03-36742 discloses a method in which an oxide superconductor is formed on a long tape-shaped metal substrate provided with an intermediate layer whose crystal orientation is controlled.
  • Patent Document 2 JP-A-6-145977
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-36742
  • the orientation of the intermediate layer film is improved, the orientation of the superconducting film formed thereon is improved.
  • obtaining a high biaxial orientation is essential for obtaining a superconducting film having a high critical current (Ic) and critical current density (Jc).
  • the crystallinity of the intermediate layer to be formed depends on the crystallinity of the surface of the tape-shaped base material as a base, the crystal orientation of the tape-shaped base material is used to obtain an intermediate layer with good orientation. In-plane orientation is important.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to polish the surface of a tape-shaped metal base material that improves the critical current of a superconducting film to the order of several nanometers. It is to provide a mechanical surface polishing method for enhancing the crystal orientation of the intermediate layer formed thereon.
  • a tape-shaped base material is formed on the tape-shaped base material.
  • the method of polishing the surface to be polished of the tape-like substrate is a continuous running of the tape-like substrate. And polishing the surface to be polished, the polishing step including initial polishing and finish polishing, and finally the surface average roughness of the surface to be polished Ra force 3 ⁇ 4 nanometer
  • the in-plane orientation ⁇ of the intermediate layer is characterized by being 5 ° or less.
  • the initial polishing includes at least one first polishing step for randomly polishing the surface to be polished
  • the final polishing includes at least one second polishing step for randomly polishing the surface to be polished. Consists of.
  • the tape-shaped substrate is manufactured by rolling a material selected from a group consisting of nickel, a nickel alloy, and stainless steel.
  • the polishing step includes a step of polishing while supplying slurry using a pad or tape body using a foam and fibers made of a synthetic resin.
  • the slurry is composed of abrasive grains, water and water and additives, and the abrasive grains are monocrystalline or polycrystalline diamond, fumed silica, colloidal silica, alumina. And at least one selected from the group consisting of cBN and SiC.
  • the abrasive grains having an average particle size of 0.101 to 3 m are selected in the first polishing step and the average particle size of 0.02 in the second polishing step. , 1 m to 0.5 m is selected.
  • a tape-like substrate polished by the method described in the above-mentioned one embodiment an intermediate layer formed on a surface to be polished of the tape-like substrate, and an intermediate layer A tape-like substrate having an average surface roughness Ra of 2 nanometers or less and an in-plane orientation ⁇ of the intermediate layer of 5 ° or less.
  • An oxide superconductor characterized by the above is given.
  • the average surface roughness Ra of the tape-like substrate is 2 nanometers or less, and the in-plane orientation ⁇ of the intermediate layer is 5 ° or less.
  • FIG. 1 schematically shows an example of a polishing system for executing a tape-shaped substrate polishing method according to the present invention.
  • FIGS. 2 (A), (B), and (C) are a front view and a plan view of a polishing head in random polishing used in a polishing system that executes the method for polishing a tape-shaped substrate according to the present invention.
  • FIG. 2 (D) shows an example of the polishing head
  • FIG. 2 (E) shows a modification using the polishing head.
  • FIGS. 3 (A) and 3 (B) are a front view and a side view of a pressing mechanism used in a polishing system for executing a tape-shaped substrate polishing method according to the present invention.
  • FIG. 4 is a computer image (AFM) of the surface of the tape-shaped substrate before polishing.
  • FIG. 5 is a computer image (AFM) of the polished surface of Comparative Example 1.
  • FIG. 6 is a computer image (AFM) of the polished surface of Comparative Example 2.
  • FIG. 7 is a computer image (AFM) of the surface after polishing in Example 1.
  • FIG. 8 is a computer image (AFM) of the surface after polishing in Example 2.
  • an oxide superconductor comprising a tape-shaped substrate, an intermediate layer formed on the tape-shaped substrate, and an oxide superconducting thin film layer formed on the intermediate layer.
  • the method of polishing the surface to be polished of the tape-shaped substrate is such that initial polishing and finish polishing are performed while the tape-shaped substrate is continuously run, and finally the surface average roughness of the surface to be polished is determined. It is characterized by comprising a step of polishing so that Ra is 2 nanometers or less, whereby the in-plane orientation ⁇ of the intermediate layer is 5 ° or less.
  • Initial polishing consists of at least one first polishing step that randomly polishes the surface to be polished of the tape-like substrate, and final polishing at least one second polishing that randomly polishes the surface to be polished of the tape-like substrate. It consists of a process.
  • a Ni-based alloy such as pure Ni, Ni-Cr, Ni-W, or a Cu-based alloy substrate such as pure Cu or Cu-Ni, which is excellent in high temperature resistance and corrosion resistance, or Fe-base alloys such as Fe-Si and stainless steel
  • Ni-based alloy substrate such as pure Cu or Cu-Ni, which is excellent in high temperature resistance and corrosion resistance
  • Fe-base alloys such as Fe-Si and stainless steel
  • hastero trademark of HaynesInternationa Unc.
  • Inconel trademark of The International Nikel Company, Inc.
  • Ni—5% W and other Ni alloys with excellent metaerobic and metathermic properties can be used. .
  • the substrates are processed to a thickness of 0.05 mm to 0.5 mm, a width of 2 mm to 100 mm and a length of several hundred meters by rolling technology.
  • the rolled metal material is made of polycrystal and has a crystal structure oriented in the rolling direction.
  • This tape-like substrate has linear scratches or crystal defects formed in the rolling direction.
  • scratches or crystal defects on the surface formed by rolling are first removed by a random rotary polishing method, and then the surface to be polished is smoothed by further random polishing.
  • a high critical current oxide superconductor can be formed.
  • the main purpose of the first polishing step is to remove scratches, defects, etc. on the surface of the tape-shaped metal substrate caused by the rolling process.
  • the average surface roughness (Ra) of the tape-shaped substrate that has been subjected to the polishing treatment in the first polishing step is preferably 1 Onm or less and 5 nm or less.
  • the second polishing step is a final finishing step, and its purpose is to form a tape-like substrate surface with good crystal orientation in order to form an intermediate layer film with good in-plane orientation on it. It is to be.
  • the average surface roughness (Ra) of the tape-shaped substrate that has undergone the polishing treatment in the second polishing step is finished to 5 nm or less, preferably 2 nm or less, more preferably 1 nm or less.
  • FIG. 1 schematically shows an example of a polishing system used in the method for polishing a tape-shaped substrate for oxide superconductor according to the present invention.
  • the polishing system 100 includes a delivery unit 101a, a back tension unit 102, a first polishing processing unit 103, a second polishing processing unit 104, a cleaning processing unit 105, an inspection unit 160, a work feeding drive unit 106, and a winding unit 101b.
  • the tape-shaped metal substrate 110 wound around the unwinding reel of the unloading section 101a passes through the back tension section 102 and enters the first polishing processing section 103.
  • the first polishing process described in detail below is performed on the tape-shaped substrate 110 by the first polishing processing unit 103.
  • the tape-shaped substrate 110 proceeds to the second polishing processing unit 104, where a second polishing process described in detail below is performed.
  • the tape-shaped substrate 110 proceeds to the cleaning processing unit 105, where a final cleaning step is executed.
  • the tape-like substrate 110 finished in this manner is observed for surface roughness Ra and polishing marks in an inspection unit 160 described in detail below.
  • the loop-shaped substrate 110 passes through the work feed driving unit 106 and is finally wound on the winding reel of the winding unit 101b.
  • the tape-shaped substrate 110 is washed with water (120a, 120b, 120c) after performing the polishing step. By doing so, residual abrasive grains, polishing scraps and slurry residues are removed.
  • the travel of the tape-shaped base material is controlled by the back tension unit 102 and the cake feed driving unit 106 while maintaining a predetermined tension.
  • a plurality of width regulation guides (140a, 140b, 140c) described in detail below are arranged at appropriate intervals.
  • a looseness detection sensor 150a, 150b is placed on the downstream side of the take-up reel and the upstream side of the take-up reel to detect the looseness of the tape-shaped substrate 110 and to rotate the take-up reel. Can be controlled.
  • the tape-shaped metal substrate 110 to which a certain tension is applied is subjected to the first polishing process in the first polishing processing unit 103.
  • the force S drawn to polish the lower side 111 of the tape-like metal substrate 110 is not limited to this. It is also possible to configure the system.
  • the first polishing processing unit 103 includes at least one polishing station (103a, 103b) including a polishing head 401 and a pressing mechanism 440, and at least one cleaning device (120a provided downstream of the polishing station). 120b).
  • FIGS. 2A, 2B, and 2C show a front view, a plan view, and a side view of an example of the polishing head 401, respectively.
  • the polishing head 401 includes a delivery mechanism for feeding the polishing tape 410 onto the polishing table 413, and a rotation mechanism for rotating the polishing table 413 about an axis X perpendicular to the polishing surface.
  • the delivery mechanism section includes a delivery reel 411 on which the polishing tape 410 is wound, at least one support roller, a take-up reel 412 for taking up the polished polishing tape, a delivery reel 411, and a winding reel. It consists of a drive motor (not shown) that is dynamically connected to the take-up reel 412. They are housed in a housing 414. As the polishing tape 410, foamed polyurethane, suede, woven fabric, nonwoven fabric, flocked fabric, etc. made of polyester or nylon can be used. In addition, the housing 414 prevents slurry from splashing outside during polishing. Covered with a cover 420 for.
  • the polishing tape 410 is delivered from the delivery reel 411, passes through the support table via the polishing table 413, and is finally taken up by the take-up reel 412.
  • An unused polishing tape 410 is always fed onto the polishing table 413 to polish the surface to be polished of the tape-shaped metal substrate 110.
  • the slurry comprises abrasive grains, water and water plus additives (eg, lubricants and abrasive dispersants).
  • the abrasive grains include, but are not limited to, diamond (single crystal, polycrystal), silica (colloidal silica, fumed silica), alumina, SiC, and cBN.
  • the average grain size of the abrasive grains of the slurry is 0 ⁇ l ⁇ mS ⁇ m in the first polishing step and 0 ⁇ 02 111 to 0.5 111 in the second polishing step.
  • a plurality of polishing apparatuses can be provided to change the particle size of the abrasive grains.
  • continuous polishing can be performed with abrasive grains having the same particle diameter. As a result, it is possible to meet the demand for the surface to be polished and the shortening of the polishing time.
  • the rotation mechanism section transmits a spindle 416 below the housing 414 and coaxially coupled with the rotation axis X of the polishing table 413, the motor 417, and the rotational power of the motor 417 to the spindle 416.
  • Belt 415 for carrying out.
  • a support base 419 for supporting the motor 417 and the housing 414 is provided.
  • Spindle 416 is within support 419 and is rotatably mounted relative to support 419.
  • the support base 419 is mounted on two rails 421, and a handle 420 for moving the polishing station on the rail is coupled to the support base 419.
  • the polishing efficiency can be increased by reversing the rotating direction of the housing (that is, the rotating direction of the polishing tape).
  • the motor 417 ′ may be housed inside the support base 419.
  • FIG. 2E shows another example of the polishing head.
  • Polishing head 430 polishes tape-like substrate 110 It comprises a platen 432 to which a polishing pad 431 to be attached is attached, a spindle 433 for supporting the platen 432, a belt 436 and a motor 434.
  • the spindle 433 is rotatably attached to the support base 435, and the motor 434 is accommodated in the support base 435.
  • rotational power is transmitted to the spindle 433 via the belt 436, and the polishing pad 431 rotates to polish the tape-like substrate 110.
  • the pressing mechanism 440 includes an air cylinder 441, a pressing plate 443, and a pressing plate 445 provided on the center line of the pressing plate 443 along the traveling direction of the tape-like substrate.
  • a guide groove 446 corresponding to the width of the tape-like base material 110 is provided on the lower surface of the presser plate 445, and the occurrence of displacement of the tape-like base material 110 during the polishing process is prevented.
  • the pressing plate 445 can be appropriately replaced according to the size (width, thickness) of the tape-shaped metal substrate 110.
  • a position adjustment handle 442 is coupled to the side surface of the pressing mechanism 440 and is adjusted so that the center of the width of the tape-shaped metal substrate 110 and the center of the pressing mechanism 440 are aligned. By doing so, the pressure from the air cylinder 441 is transmitted to the tape-shaped substrate 110 via the pressure plate 443 and the pressing plate 445. Further, an adjustment screw 444 is provided on the upper portion of the pressure plate 443. Prior to the polishing process, the parallelism between the pressure plate 443 and the polishing table 413 is adjusted by the adjusting screw 444.
  • the pressure mechanism is not limited to this, and other pressure mechanisms may be used.
  • the tape-shaped metal substrate 110 is applied to the second polishing step.
  • the second polishing step is performed by a two-step random polishing method.
  • a slurry composed of abrasive particles, water and water plus additives (eg, lubricant and abrasive dispersant).
  • Si02, A1203, diamond, cBN, SiC, colloidal silica, etc. can be used as the abrasive.
  • the average grain size of the abrasive grains used is 0 ⁇ 02 to 0 ⁇ 1 m, preferably 0.02 to 0.07 01.
  • an appropriate polishing program can be assembled by recombination of apparatuses according to polishing conditions. For example, if each polishing step is provided in multiple stages, It is also possible to adjust the polishing conditions (for example, the rotation speed of the polishing head, the abrasive grain size of the slurry, etc.) as appropriate.
  • the first polishing step according to the method for polishing a tape-shaped substrate for oxide superconductor according to the present invention is performed so that the average surface roughness Ra is not more than lOnm, preferably not more than 5 nm. It comprises a step of polishing the surface to be polished of a plate-like substrate.
  • the second polishing step according to the method for polishing a tape-shaped substrate for oxide superconductor according to the present invention has an average surface roughness Ra of 5 nm or less, preferably 2 nm or less, and more preferably. Consists of a process of polishing the surface to be polished of the tape-like substrate so that it is less than lnm
  • An intermediate layer is formed on the surface of the tape-shaped substrate thus obtained.
  • An oxide superconductor film is deposited on the intermediate layer.
  • the tape-shaped substrate and the intermediate layer become the substrate for the oxide superconductor film.
  • an intermediate layer having excellent crystal orientation can be formed. As a result, a superconducting thin film having a high critical current can be formed.
  • the continuous polishing system shown in FIG. 1 was used as the polishing apparatus.
  • the polishing process in each polishing step was single or multi-step polishing according to a polishing program.
  • the polishing process was carried out by appropriately changing the abrasive grains from coarse to fine.
  • Hastely C_276 (for example, 58% Ni—17% Mo—15% Cr—5% Fe—4% W) was used. These substrates were processed to a thickness of 0.1 mm, a width of 10 mm, and a length of several hundred meters by rolling technology.
  • Figure 4 is a computer image (AFM) of the tape-like substrate surface before polishing.
  • the average surface roughness Ra of the substrate before polishing was 15 to 30 nm.
  • the maximum surface roughness Rmax is 200 to 500 nm, and the steep protrusion is a rolling mark caused by rolling.
  • an MgO film in-plane biaxial orientation film
  • ⁇ ⁇ was formed by an IBAD (Ion Beam Assisted D Mark osition) apparatus.
  • the assist beam was incident at an angle of 55 ° from the normal direction of the substrate surface.
  • the film formation conditions were a substrate temperature of 500 to 600 ° C., an oxygen atmosphere, and a pressure of several hundred mTorr (x0.133 Pa).
  • In-plane orientation ( ⁇ ) and vertical orientation ( ⁇ ) were measured by evaluating the full width at half maximum (FWMH) obtained by X-ray polar figure measurement.
  • Polishing program One-step random polishing (103a only) for the first polishing step (103 in Fig. 1) was executed.
  • As the slurry polycrystalline diamond having an average particle diameter D50 of 1 m was used.
  • the additive was adjusted to pH 8 using a 30 wt% aqueous solution to which a glycol compound, glycerin and fatty acid were added. Rotate while feeding polyurethane foam tape to the polishing head, pass through the tape-shaped substrate between the pressure pad, and polish under the following conditions while supplying polishing slurry
  • Polishing program Only the first polishing step (103 in Fig. 1), and two polishing machines of the same method under the same conditions as in Comparative Example 1 are placed in IJ (103a + 103b in Fig. 1) and two stages of random polishing Was executed. other
  • the polishing conditions are the same as in Comparative Example 1.
  • Polishing program (1) In the first polishing step (103 in Fig. 1), while rotating the polyurethane foam tape to the polishing head, it is rotated and the polishing slurry is supplied through the tape-shaped substrate between the pressure pads. Two-stage random polishing (103a + 103b in Fig. 1) was performed under the following polishing conditions. Polycrystalline diamond having an average particle size D50 of 1 ⁇ m was used for the first slurry and an average particle size D50 of 0.5 111 was used for the second slurry. Additive is glycol compound , Adjusted to pH 8 using 30 wt% aqueous solution with glycerin and fatty acid added.
  • the nonwoven fabric tape made of polyester fiber is rotated while being fed to the polishing head, and the polishing slurry is supplied through the tape-like substrate between the pressing pads.
  • a random polishing apparatus of the same type as the first polishing step was used under the following polishing conditions.
  • colloidal silica having an average particle diameter D50 of 0.03 ⁇ m was used.
  • the additive was adjusted to pH 9 using an aqueous solution obtained by adding ammonium oxalate, potassium oxalate, and glycerin to DEMOL EP manufactured by Kao Corporation.
  • the first polishing step (103 in FIG. 1) was performed under the same polishing conditions as in Example 1.
  • FIG. 5 to FIG. 8 show computer image photographs (AFM) obtained by three-dimensionally imaging an arbitrary range of 10 m ⁇ 10 m on the surface of the tape-like substrate.
  • 5 and 6 show the surface states of the tape-shaped substrates after polishing in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, respectively.
  • 7 and 8 show the surface states of the tape-shaped substrate after polishing in Examples 1 and 2, respectively.
  • Table 1 shows the results of the comparative test.
  • the surface roughness Ra of the surface to be polished of the tape-shaped substrate is 2 nm or less (preferably lnm or less) and the RMS is 2. Onm or less (preferably 1.5 nm or less).
  • the in-plane orientation ( ⁇ ) of the intermediate layer film (MgO) is 5 ° or less and the vertical orientation ( ⁇ ) is 1.5 ° or less. Tsutsu.

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Description

明 細 書
酸化物超伝導体用テープ基材の研磨方法並びに酸化物超伝導体及び 酸化物超伝導体用基材
技術分野
[0001] 本発明は、テープ状の基材表面に酸化物超伝導薄膜を形成するために、被研磨 面を研磨するための方法及び酸化物超伝導体用基材に関し、特に、金属から成るテ 一プ状基材の被研磨面をナノメートルオーダーに研磨仕上げし、これに中間層を形 成した酸化物超伝導体用基材に関する。
背景技術
[0002] 酸化物超伝導体は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超伝導体であ
[0003] その超伝導テープ状線材の典型例は、 Ni系合金からなる、ハステロイ合金テープ の表面に、 IBAD (Ion Beam Assisted D印 osition)法などにより結晶配向制御したイツ トリウム安定化ジルコユア (YSZ)の多結晶配向膜を形成し、この多結晶配向膜上に YBCO (例えば、 YBa2Cu307-y)系酸化物超伝導膜を形成して得たテープ状線材 力 S挙げられる。 （例えば、特開平 9 120719号）
特許文献 1：特開平 9 120719号
[0004] 現在、この種の酸化物超伝導体を実用的に使用するためには、種々の解決すべき 問題が存在する。
[0005] その一つが、酸化物超伝導体の臨界電流密度が低いという点である。これは、酸化 物超伝導体の結晶自体に電気的な異方性が存在することが大きな原因である。特に 酸化物超伝導体はその結晶軸の a軸方向と b軸方向には電気を流し易いが、 c軸方 向には電気を流し難いことが知られている。したがって、酸化物超伝導体を基材上に 形成してこれを超伝導体として使用するためには、基材上に結晶配向性の良好な状 態の酸化物超伝導体を形成し、電気を流そうとする方向に酸化物超伝導体の結晶 の a軸あるいは b軸を配向させ、その他の方向に酸化物超伝導体の c軸を配向させる ことが必要となる。 [0006] この方法として、ここに参考文献として組み込む特開平 6— 145677号及び特開 20
03— 36742号には、長尺のテープ状金属基材の表面に結晶配向制御した中間層 を設け、その上に酸化物超伝導体を成膜する方法が開示されている。
特許文献 2：特開平 6— 145977号
特許文献 3：特開 2003— 36742号
[0007] 中間層膜の配向性を良くすれば、その上に形成される超伝導膜の配向性が向上 する。特に、高い 2軸配向性を得ることが高い臨界電流 (Ic)及び臨界電流密度 (Jc) をもつ超伝導膜を得るために必須である。
[0008] ここで、形成すべき中間層の結晶性は、下地となるテープ状の基材表面の結晶性 に依存するため、配向性のよい中間層を得るにはテープ状基材の結晶方位及び面 内配向性が重要となる。
[0009] そこで、中間層膜を配向性良く結晶化させるためには、テープ基材表面を数ナノレ ベルの平滑性と均一性を持つように仕上げる必要がある。
[0010] しかしながら、機械的研磨により、テープ状基材表面を、数ナノレベルのオーダー に研磨することは技術的に困難であり、これまでに例が無かった。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 上記のように、高い臨界電流を得るためには、テープ状金属基材の表面が十分平 坦で、結晶配向をしやすい面を形成する必要がある。したがって、薄膜を形成すべき テープ状金属基材の表面は、ナノメートルのオーダーで研磨仕上げし、かつ結晶配 向性が良くなるように形成する必要がある。
[0012] 本願発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記困難を克服することに成功した。本 発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、超伝導膜の臨界電流を 向上させるベぐテープ状金属基材の表面を数ナノメートルのオーダーで研磨仕上 げし、その上に形成される中間層の結晶配向性を高めるための、機械的な表面研磨 方法を提供することである。
課題を解決するための手段
[0013] 本発明のひとつの態様において、テープ状基材と、テープ状基材の上に形成され た中間層と、中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝 導体において、テープ状基材の被研磨面を研磨する方法は、テープ状基材を連続 走行させながら、被研磨面を研磨する工程であって、上記研磨工程は、初期研磨及 び仕上げ研磨を含むところの工程から成り、最終的に、被研磨面の表面平均粗さ Ra 力 ¾ナノメートル以下となり、中間層の面内配向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴と する。
[0014] ひとつの実施例において、初期研磨は、被研磨面をランダム研磨する少なくとも 1 段の第 1研磨工程から成り、仕上げ研磨は、被研磨面をランダム研磨する少なくとも 1 段の第 2研磨工程から成る。
[0015] 具体的には、テープ状基材は、ニッケル、ニッケル合金及びステンレスから成るグ ループから選択される材料を圧延加工して製造される。
[0016] 好適には、研磨工程は、合成樹脂から成る発泡体及び繊維を使用したパッドまた はテープ体を使って、スラリーを供給しながら研磨する工程から成る。
[0017] 具体的には、スラリーは、研磨砥粒、水及び水に添加剤を加えたものから成り、研 磨砥粒は、単結晶または多結晶ダイヤモンド、ヒュームドシリカ、コロイドシリカ、アルミ ナ、 cBN及び SiCから成るグループから選択される少なくともひとつから成る。
[0018] 好適には、研磨砥粒は、第 1研磨工程においてその平均粒径が 0.1 01〜3 mで あるものが選択され、第 2研磨工程にお!/、てその平均粒径が 0.02 ,1 m〜0.5 mであ るものが選択される。
[0019] 本発明の他の態様において、上記ひとつの態様に記載の方法により研磨されたテ ープ状基材と、テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、中間層の上に 形成された酸化物超伝導薄膜層と、から成り、テープ状基材の平均表面粗さ Raが 2 ナノメートル以下であり、中間層の面内配向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする 酸化物超伝導体が与えられる。
[0020] 本発明のさらに他の態様において、上記ひとつの態様に記載の方法により研磨さ れたテープ状基材と、テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、力 成り、 テープ状基材の平均表面粗さ Raが 2ナノメートル以下であり、中間層の面内配向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用基材が与えられる。 図面の簡単な説明
[0021] [図 1]図 1は、本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨システムの一 例を略示したものである。
[図 2]図 2(A)、（B)、（C)は、本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨シ ステムで使用されるランダム研磨における研磨ヘッドの正面図、平面図、側面図をそ れぞれ示し、図 2(D)は、研磨ヘッドの実施例を示し、図 2(E)は研磨ヘッドを使用した 変形例である。
[図 3]図 3(A)及び (B)は、本発明に係るテープ状基材の研磨方法を実行する研磨シス テムで使用される押し圧機構の正面図及び側面図を示す。
[図 4]図 4は、研磨前のテープ状基材表面のコンピュータ画像 (AFM)の図である。
[図 5]図 5は、比較例 1の研磨後の表面のコンピュータ画像 (AFM)の図である。
[図 6]図 6は比較例 2の研磨後の表面のコンピュータ画像 (AFM)の図である。
[図 7]図 7は実施例 1の研磨後の表面のコンピュータ画像 (AFM)の図である。
[図 8]図 8は実施例 2の研磨後の表面のコンピュータ画像 (AFM)の図である。
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下、図面を参照しながら、本願発明を詳細に説明する。ここで説明される実施例 は本発明を制限するものではない。
[0023] 本発明に係る、テープ状基材と、該テープ状基材の上に形成された中間層と、該 中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝導体において 、該テープ状基材の被研磨面を研磨する方法は、テープ状基材を連続走行させな がら、初期研磨及び仕上げ研磨を行い、最終的に、被研磨面の表面平均粗さ Raが 2 ナノメートル以下となるように研磨する工程から成り、それにより中間層の面内配向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする。初期研磨は、テープ状基材の被研磨面をラ ンダム研磨する少なくとも 1段の第 1研磨工程から成り、仕上げ研磨はテープ状基材 の被研磨面をランダム研磨する少なくとも 1段の第 2研磨工程から成る。
[0024] ここで、テープ状金属基材として、耐高温、耐食性に優れた、純 Ni、 Ni— Cr、 Ni— Wなどの Ni基合金、純 Cu、 Cu— Niなどの Cu基合金基板または Fe— Si、ステンレス などの Fe基合金が使用可能である。具体的には、酸化物超伝導膜を形成するため に、而ォ食性及び而ォ熱性の優れた、ハステロィ（HaynesInternationaUnc.の商標）、イン コネル（The International Nikel Company，Inc.の商標）、 Ni— 5%W等の Ni合金が使 用可能である。これらの基材は、圧延技術により、厚さ 0. 05mm〜0. 5mm、幅 2m m〜； 100mm、長さ数百メートルに加工される。金属圧延材料は、多結晶からなり、圧 延方向に配向した結晶構造を有する。
[0025] このテープ状基材は、圧延方向に線状のスクラッチまたは結晶欠陥が形成されて いる。本発明では、先ず、圧延によって形成された表面のスクラッチ又は結晶欠陥を 、ランダムな回転研磨方式で除去し、その後、さらにランダム研磨して被研磨面を平 滑に仕上げる。被研磨面の上に中間層膜及び超伝導膜を順に堆積させることにより 、臨界電流の高レ、酸化物超伝導体を形成することができる。
[0026] 第 1研磨工程の主たる目的は、圧延処理によって生じたテープ状金属基材表面の 傷、欠陥等を除去することである。第 1研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材 の平均表面粗さ (Ra)は 1 Onm以下で、 5nm以下であるが好ましい。
[0027] 第 2研磨工程は、最終仕上げの工程であり、その目的は、面内配向性の良い中間 層膜をその上に形成するために、結晶配向性の良いテープ状基材表面を形成する ことである。第 2研磨工程による研磨処理を経たテープ状基材の平均表面粗さ (Ra)は 5nm以下、好ましくは 2nm以下、さらに好ましくは lnm以下に仕上げる。
[0028] 図 1は、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材を研磨する方法に使用され る研磨システムの一例を略示したものである。研磨システム 100は、送り出し部 101a、 バックテンション部 102、第 1研磨処理部 103、第 2研磨処理部 104、洗浄処理部 105、 検査部 160、ワーク送り駆動部 106、及び巻き取り部 101bから成る。
[0029] 送り出し部 101aの巻き出しリールに巻かれたテープ状金属基材 110は、バックテン シヨン部 102を通過し、第 1研磨処理部 103に入る。まず、テープ状基材 110に対して、 第 1研磨処理部 103で、以下に詳細に説明する第 1研磨工程が実行される。続いて、 テープ状基材 110は第 2研磨処理部 104に進み、そこで以下に詳細に説明する第 2 研磨工程が実行される。その後、テープ状基材 110は洗浄処理部 105に進み、そこで 最終清浄工程が実行される。こうして仕上げられたテープ状基材 110は、以下で詳細 に説明する検査部 160において、表面粗さ Ra及び研磨痕が観測される。その後、テ ープ状基材 110はワーク送り駆動部 106を通過し、最終的に巻き取り部 101bの巻き取 りリールに巻き取られる。
[0030] 研磨工程を実行後に、テープ状基材 110を水洗浄（120a、 120b, 120c)するのが好 ましい。そうすることにより、残留砥粒、研磨屑及びスラリー残渣が除去される。
[0031] 以下で詳細に説明するように、テープ状基材の走行は、バックテンション部 102とヮ ーク送り駆動部 106とにより、所定のテンションを保持した状態で制御される。また、テ ープ状基材の位置ずれを防止するために、以下で詳細に説明する複数の幅規制ガ イド（140a、 140b, 140c)が適当な間隔で配置される。さらに、緩み検知センサー（150 a、 150b)を巻き出しリールの下流側及び巻き取りリールの上流側に配置することによ り、テープ状基材 110の緩みを検知し、巻き取りリールの回転速度を制御することがで きる。
[0032] 一定のテンションが与えられたテープ状金属基材 110は第 1研磨処理部 103におい て、第 1研磨工程にかけられる。図 1の研磨システムでは、テープ状金属基材 110の 下側面 111を研磨するように描かれている力 S、本願はこれに限定されるものではなぐ テープ状基材の上側面を研磨するようにシステムを構成することもできる。
[0033] 第 1研磨処理部 103は、研磨ヘッド 401及び押圧機構 440から成る少なくともひとつ の研磨ステーション (103a、 103b),並びに研磨ステーションの下流側に設けられた少 なくともひとつの洗浄装置 (120a、 120b)から成る。図 2(A)、（B)、（C)は、それぞれ、研磨 ヘッド 401の一例の正面図、平面図及び側面図を示したものである。研磨ヘッド 401は 、研磨テープ 410を研磨テーブル 413上に送り出すための送り出し機構部と、研磨テ 一ブル 413を研磨面に垂直な軸線 Xの回りに回転させるための回転機構部とから成る
〇
[0034] 送り出し機構部は、研磨テープ 410が巻かれた送り出しリール 411と、少なくともひと つの支持ローラと、研磨後の研磨テープを巻き取るための巻取りリール 412と、送り出 しリール 411と巻取りリール 412に動的に連結した駆動モータ（図示せず）から成る。こ れらはハウジング 414内に収容されている。研磨テープ 410として、発泡ポリウレタン、 スエード、又はポリエステルやナイロンからなる、織布、不織布、植毛布などが使用可 能である。付加的に、ハウジング 414は研磨中にスラリーが外部に飛散するのを防止 するためのカバー 420に覆われている。モータを駆動することにより、研磨テープ 410 が送り出しリール 411から送り出され、支持リールを介して、研磨テーブル 413上を通 過し、最後に巻取りリール 412に巻き取られる。研磨テーブル 413上には常に未使用 の研磨テープ 410が送られ、テープ状金属基材 110の被研磨面を研磨する。研磨の 際には、上記したスラリーを供給するのが好ましい。好適に、スラリーは、研磨砥粒、 水及び水に添加剤（例えば、潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成る。研磨 砥粒として、これに限定されないが、ダイヤモンド (単結晶、多結晶)、シリカ（コロイダ ルシリカ、ヒュームドシリカ）、アルミナ、 SiC及び cBN等を使用することができる。好適 には、スラリーの研磨砥粒の平均粒径は、第 1研磨工程において、 0· l ^ m-S ^ m であり、第 2研磨工程において 0· 02 111〜0. 5 111である。なお、各研磨工程にお いて、研磨装置を複数台設け、それぞれ砥粒の粒径を変えることもできる。あるいは、 同じ粒径の砥粒で連続研磨をすることもできる。これにより、被研磨面の要求及び研 磨時間の短縮に対応することができる。
[0035] 一方、回転機構部は、上記ハウジング 414の下方にあって研磨テーブル 413の上記 回転軸 Xと同軸に結合されたスピンドル 416と、モータ 417と、モータ 417の回転動力を スピンドル 416に伝達するためのベルト 415とから成る。さらに、モータ 417とハウジング 414を支持するための支持台 419が設けられる。スピンドル 416は支持台 419の内部に あって支持台 419に関して回転可能に取り付けられている。付加的に、支持台 419は 2本のレール 421に載置されており、研磨ステーションをレール上で移動させるための ハンドル 420が支持台 419に結合されている。モータ 417を駆動することにより、ベルト 4 15を介して回転動力がスピンドル 416に伝達され、ハウジング 414が軸線 Xの回りに回 転する。さらに、研磨ステーションを複数段設けることも可能である。この場合、ハウジ ングの回転方向（すなわち、研磨テープの回転方向）を反対にすることにより、研磨 効率を上げることができる。
[0036] 変形的に、図 2(D)に示されるように、モータ 417 'が支持台 419の内部に収容されて あよい。
[0037] 図 2(E)は、研磨ヘッドの他の例を示したものである。図 2(E)に示す例では、研磨テ ープの代わりに研磨パッドが使用される。研磨ヘッド 430は、テープ状基材 110を研磨 する研磨パッド 431が貼り付けられたプラテン 432、プラテン 432を支持するスピンドル 4 33、ベルト 436及びモータ 434から成る。スピンドル 433は支持台 435に回転可能に取り 付けられており、モータ 434は該支持台 435の内部に収容されている。モータ 435を駆 動することにより、ベルト 436を介して回転動力がスピンドル 433に伝達され、研磨パッ ド 431が回転してテープ状基材 110を研磨する。研磨の際には、上記したスラリーを研 磨パッド 431の略中心部に供給するのが好ましい。
[0038] 次に、押圧機構 440について説明する。図 3(A)及び (B)は、それぞれ本発明に係る 研磨システムで使用される押圧機構 440の正面図及び側面図を示す。押圧機構 440 は、ェアーシリンダ 441、加圧板 443、テープ状基材の走行方向に沿って加圧板 443 の中心線上に設けられた押さえ板 445から成る。押さえ板 445の下面にはテープ状基 材 110の幅に対応する案内溝 446が設けられ、研磨処理中におけるテープ状基材 11 0の位置ずれの発生が防止される。押さえ板 445は、テープ状金属基材 110のサイズ（ 幅、厚み）に応じて、適宜交換可能である。付加的に、押圧機構 440の側面には位置 調整ハンドル 442が結合されており、テープ状金属基材 110の幅の中心と押圧機構 44 0の中心が一致するように調整される。そうすることにより、ェアーシリンダ 441からの圧 力が加圧板 443及び押さえ板 445を介して、テープ状基材 110に伝達される。さらに、 加圧板 443の上部には調整ネジ 444が設けられている。研磨処理前に、該調整ネジ 4 44により、加圧板 443と研磨テーブル 413との平行度が調整される。加圧機構は、これ に限定されるものではなぐ他の加圧機構が使用されてもよい。
[0039] 上記した第 2研磨処理部 104において、テープ状金属基材 110は、第 2研磨工程に 力、けられる。図 1に示す研磨システムの例において、第 2研磨工程は、 2段階のランダ ム研磨方式で実行される。研磨に際して、研磨粒子、水及び水に添加剤（例えば、 潤滑剤及び砥粒分散剤）を加えたものから成るスラリーを使用するのが好ましレ、。砥 粒として、これに限定されないが、 Si02、 A1203、ダイヤモンド、 cBN、 SiC、コロイダル シリカなどが使用できる。使用する砥粒の平均粒径は 0·02〜0· 1 m、好ましくは 0. 02〜0.07 01である。
[0040] 上記研磨システムは、研磨条件に応じた装置の組み換えによって、適当な研磨プ ログラムを組むことができる。例えば、各研磨工程を複数段設ける場合には、各段の 研磨条件 (例えば、研磨ヘッドの回転速度、スラリーの砥粒粒径など）を適宜調節す ることも可倉である。
[0041] 上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法に従う 第 1研磨工程は、平均表面粗さ Raが lOnm以下、好ましくは 5nm以下になるようにテ 一プ状基材の被研磨面を研磨する工程から成る。
[0042] また、上記したように、本発明に係る酸化物超伝導体用テープ状基材の研磨方法 に従う第 2研磨工程は、平均表面粗さ Raが 5nm以下、好ましくは 2nm以下、さらに 好ましくは lnm以下になるように、テープ状基材の被研磨面を研磨する工程から成る
〇
[0043] こうして得られたテープ状基材の表面に中間層を形成する。 IBAD (Ion Beam Assis ted Deposition) あるいは ISDOnclinedSubstrate D印 osition)法により、 MgO、 Ce 02、 SrTi〇2及び Y203で安定化したジルコユア（YSZ)膜力 面内二軸配向性を有 する中間層として蒸着される。中間層の上に酸化物超伝導体膜が蒸着される。力べし て、テープ状基材及び中間層が酸化物超伝導体膜の基材と成る。本発明により、結 晶配向性に優れた中間層を形成することが可能となり、結果として、臨界電流の高い 超伝導薄膜を形成することができる。
実施例
[0044] 以下、本発明に従い、さまざまな研磨条件でテープ状基材を研磨し、その上に蒸 着した中間層の配向性を調べる実験を行ったので説明する。
[0045] 研磨装置は、図 1に示した連続研磨システムを使用した。各研磨工程で研磨処理 は、研磨プログラムに従い、単一または複数段研磨とした。複数段研磨の場合、スラ リーの砥粒が粗いものから細力、いものを適宜変更して研磨処理を行った。
[0046] テープ状金属基材しては、ハステロィ C_276 (例えば、 58%Ni— 17%Mo— 15% Cr—5%Fe— 4%W)を使用した。これらの基材は、圧延技術により、厚さ 0. lmm、 幅 10mm、長さ数百メートルに加工されたものである。図 4は、研磨前のテープ状基 材表面のコンピュータ画像写真 (AFM)である。研磨前の基材の平均表面粗さ Raは 15〜30nmであった。最大表面粗さ Rmaxは 200〜500nmで、急峻な突起部は圧 延により生じた圧延痕である。 [0047] 配向性中間層として、 IBAD (Ion Beam Assisted D印 osition)装置により約 0. ^ χη の MgO膜（面内二軸配向膜)を成膜した。アシストビームは基材表面の法線方向か ら 55° の角度で入射させた。成膜条件は、基板温度が 500〜600°C、酸素雰囲気 で、圧力が数百 mTorr(x0. 133Pa)であった。
[0048] 面内配向度（Δ φ )及び垂直配向度（Δ ω )の測定は、 X線極図形測定により求め た半値全幅（FWMH)を評価することにより行った。
[0049] 1 .比較例 1
研磨プログラム：第 1研磨工程（図 1の 103)のみの 1段ランダム研磨（103aのみ）を実 行した。スラリーは、平均粒径 D50が 1 mの多結晶ダイヤモンドを使用した。添加剤 は、グリコール化合物、グリセリン、脂肪酸を添加した 30wt%の水溶液を使用、 pH8 に調整した。研磨ヘッドに発泡ポリウレタンテープを送りながら回転させ、押し圧パッ ドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリーを供給しながら以下の条件で研磨した
〇
研磨ヘッドの回転数： 60rpm
加圧力： 300g/cm2
スラリー流量： 10ml/min
テープ基材送り速度： 20m/hr
[0050] 2.比較例 2
研磨プログラム：第 1研磨工程（図 1の 103)のみで、比較例 1と同一条件で同一方式 の研磨機を 2台直歹 IJ (図 1の 103a+ 103b)に配置し、 2段のランダム研磨を実行した。 他
の研磨条件は、比較例 1と同じである。
[0051] 3.実施例 1
研磨プログラム： （1 )第 1研磨工程（図 1の 103)は、研磨ヘッドに発泡ポリウレタン テープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリ 一を供給しながら、以下の研磨条件で 2段のランダム研磨（図 1の 103a+ 103b)を実行 した。 1段目のスラリーは平均粒径 D50が 1 μ m、 2段目のスラリーは平均粒径 D50が 0. 5 111の、それぞれ多結晶ダイヤモンドを使用した。添加剤は、グリコール化合物 、グリセリン、脂肪酸を添加した 30wt%の水溶液を使用、 pH8に調整した。
研磨ヘッドの回転数： 60rpm
加圧力： 300g/cm2
スラリー流量： 10ml/min
テープ基材送り速度： 20m/hr
(2)第 2研磨工程（図 1の 104)は、研磨ヘッドにポリエステル繊維からなる不織布テ ープを送りながら回転させ、押し圧パッドの間にテープ状基材を通して、研磨スラリー を供給しながら、以下の研磨条件で、第 1研磨工程と同一方式のランダム研磨装置 を使用した。スラリーは、平均粒径 D50が 0. 03〃mのコロイダルシリカを使用した。 添加剤は、花王株式会社製デモール EPに、シユウ酸アンモユウム、シユウ酸カリウム 、グリセリンを添加した水溶液を使用、 pH9に調整した。
研磨ヘッドの回転数： 60rpm
加圧力： 200g/cm2
スラリー流量： 10ml/min
テープ基材送り速度： 20m/hr
[0052] 4.実施例 2
研磨プログラム：
( 1 )第 1研磨工程（図 1の 103)は、実施例 1と同じ研磨条件で実行した。
[0053] (2)第 2研磨工程（図 1の 104)は、実施例 1と同一条件で同一方式の研磨機を 2台 直歹 I] (図 1の 104a+104b)に配置し、 2段のランダム研磨を行った。その他の研磨条件 は、実施例 1と同じである。
[0054] <評価〉
テープ状基材を研磨した後の、被研磨面平均表面粗さ（Ra)、 RMS (Root Mean S quare)「平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根」、及び研磨 面に中間層膜を形成した後の、中間層の面内配向性及び垂直配向性について評価 した。研磨後のテープ状基材の表面の平均表面粗さ（Ra)及び RMSは、走査型プロ ーブ顕微鏡（ナノスコープ Dimention3100シリーズ、デジタルインスツルメント社）を 使用して計測した。 [0055] 図 5から図 8は、テープ状基材表面の任意の 10 m X 10 mの範囲を走査したも のを三次元画像化したコンピュータ画像写真 (AFM)を示す。図 5及び 6は、それぞ れ比較例 1及び比較例 2の研磨後のテープ状基材の表面状態を示す。図 7及び 8は 、ぞれぞれ実施例 1及び実施例 2の研磨後のテープ状基材の表面状態を示す。
[0056] 表 1は、比較試験結果を示したものである。
[0057] [表 1]
Figure imgf000014_0001
表 1に示すように、テープ状基材の被研磨面の表面粗さ Raが 2nm以下 (好ましくは lnm以下）でかつ RMSが 2. Onm以下（好ましくは 1. 5nm以下）になるように研磨する と、中間層膜 (MgO)の面内配向性（Δ φ )が 5° 以下、及び垂直配向性（Δ ω )が 1 . 5° 以下となり、極めて優れた配向性を示すことがわ力、つた。
[0058] 本発明は、特定の実施例に関して説明されたが、これらの実施例は例示に過ぎず 、本願発明を限定するものではない。例えば、ランダム研磨装置の段数、研磨テープ またはパッドの材質、研磨ヘッドの回転数、加圧力の大きさ、スラリーの種類、粒径及 び流量、テープ基材の送り速度などは適宜変更可能である。これらの変更は、すべ て本願発明の思想及び態様の範囲に包含されるべきものである。

Claims

請求の範囲
[1] テープ状基材と、前記テープ状基材の上に形成された中間層と、前記中間層の上に 形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝導体において、前記テープ 状基材の被研磨面を研磨する方法であって、
前記テープ状基材を連続走行させながら、被研磨面を研磨する工程であって、前 記研磨工程は、初期研磨及び仕上げ研磨を含むところの工程から成り、最終的に、 前記被研磨面の表面平均粗さ Raが 2ナノメートル以下となり、前記中間層の面内配 向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする方法。
[2] 請求項 1に記載の方法であって、前記初期研磨は、前記被研磨面をランダム研磨す る少なくとも 1段の第 1研磨工程から成る、ところの方法。
[3] 請求項 2に記載の方法であって、前記仕上げ研磨は、前記被研磨面をランダム研磨 する少なくとも 1段の第 2研磨工程から成る、ところの方法。
[4] 請求項 1から 3のいずれかに記載の方法であって、前記テープ状基材は、ニッケル、 ニッケル合金及びステンレスから成るグループから選択される材料を圧延加工して製 造される、ところの方法。
[5] 請求項 1から 4の!/、ずれかに記載の方法であって、前記研磨工程は、合成樹脂から 成る発泡体及び繊維を使用したパッドまたはテープ体を使って、スラリーを供給しな がら研磨する工程から成る、ところの方法。
[6] 請求項 5に記載の方法であって、前記スラリーは、研磨砥粒、水及び水に添加剤を 加えたものから成り、前記研磨砥粒は、単結晶または多結晶ダイヤモンド、ヒュームド シリカ、コロイドシリカ、アルミナ、 cBN及び SiCから成るグループから選択される少なく ともひとつから成る、ところの方法。
[7] 請求項 6に記載の方法であって、前記研磨砥粒は、前記第 1研磨工程においてその 平均粒径が 0.1 01〜3 mであるもの力 S選択され、前記第 2研磨工程においてその 平均粒径が
0.02 H m〜0.5 mであるものが選択される、ところの方法。
[8] 酸化物超伝導体であって、
請求項 1に記載の方法により研磨されたテープ状基材と、 前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、
前記中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層と、
から成り、
前記テープ状基材の平均表面粗さ Raが 2ナノメートル以下であり、前記中間層の面 内配向性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする酸化物超伝導体。
[9] 請求項 8に記載の酸化物超伝導体であって、前記テープ状基材は、ニッケル、ニッケ ル合金及びステンレスから成るグループから選択される材料を圧延加工して製造さ れる、ところの酸化物超伝導体。
[10] 酸化物超伝導体用基材であって、
請求項 1に記載の方法により研磨されたテープ状基材と、
前記テープ状基材の被研磨面上に形成された中間層と、
から成り、
前記テープ状基材の平均表面粗さ Raが 2ナノメートル以下であり、前記中間層の面 内配向
性 Δ φが 5° 以下となることを特徴とする酸化物超伝導体用基材。
[11] 請求項 10に記載の酸化物超伝導体用基材であって、前記テープ状基材は、エッケ ル、ニッケル合金及びステンレスから成るグループから選択される材料を圧延加工し て製造される、ところの酸化物超伝導体用基材。
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