JP2013149345A - 超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 - Google Patents
超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013149345A JP2013149345A JP2010111831A JP2010111831A JP2013149345A JP 2013149345 A JP2013149345 A JP 2013149345A JP 2010111831 A JP2010111831 A JP 2010111831A JP 2010111831 A JP2010111831 A JP 2010111831A JP 2013149345 A JP2013149345 A JP 2013149345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface roughness
- superconducting wire
- tape substrate
- rolling
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 173
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 166
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 71
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 8
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 7
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDHWWBZFRZWVHO-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(phosphonooxy)phosphoryl] phosphono hydrogen phosphate Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O YDHWWBZFRZWVHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HNMRAWQLAHDNCF-UHFFFAOYSA-N chromium hydrogen peroxide Chemical compound [Cr].OO HNMRAWQLAHDNCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
【課題】安価で高性能な超電導線材用テープ基板、安価で高性能な超電導線材用テープ基板の製造方法及び安価で高性能な超電導線材用テープ基板を用いた超電導線材、を提供する。
【解決手段】超電導線材用テープ基板１の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下であることを特徴とする超電導線材用テープ基板１。
【選択図】図１
【解決手段】超電導線材用テープ基板１の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下であることを特徴とする超電導線材用テープ基板１。
【選択図】図１
Description
本発明は、超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材に関する。
従来、ハステロイからなる金属基板上にＩＢＡＤ（イオンビームアシスト蒸着）法により中間層が形成され、中間層上にＹＢＣＯ等の酸化物超電導層が配向形成されて構成される超電導線材が知られている（例えば、特許文献１参照）。
なお、超電導線材として用いられる金属基板をここでは「超電導線材用テープ基板」と呼ぶ。また、超電導線材用テープ基板上にＩＢＡＤ法による中間層が形成された基板は、一般に「ＩＢＡＤ基板」と呼ばれる。
なお、超電導線材として用いられる金属基板をここでは「超電導線材用テープ基板」と呼ぶ。また、超電導線材用テープ基板上にＩＢＡＤ法による中間層が形成された基板は、一般に「ＩＢＡＤ基板」と呼ばれる。
超電導線材用テープ基板の表面は、冷間圧延工程や高精密研磨工程等の各工程を経て、数ｎｍ級の表面粗度Ｒａに仕上げられる（例えば、特許文献２〜６参照）。
「表面粗度Ｒａ」とは、ＪＩＳＢ−０６０１−２００１にて規定される算術平均粗さである。
「表面粗度Ｒａ」とは、ＪＩＳＢ−０６０１−２００１にて規定される算術平均粗さである。
冷間圧延工程では、一般に表面粗度Ｒａが同一の上下圧延ロールが用いられ、圧延ロールの光沢なロール面が超電導線材用テープ基板の両面に転写される。圧延工程後の超電導線材用テープ基板は、両面に同等の光沢性が確保されることになる。なお、表面粗度Ｒａが１５ｎｍよりも大きい圧延ロールを用いる場合、圧延ロールと超電導線材用テープ基板との間における滑りの影響は少ない。
しかし、表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって８ｎｍ程度の圧延ロールを用いる場合、かつ、これを用いて表面粗度Ｒａが５ｎｍ以下の超電導線材用テープ基板を圧延する場合、圧延ロールと超電導線材用テープ基板との間における滑りの影響が大きくなるため形状制御が困難となる。形状制御が困難になると、超電導線材用テープ基板に中延びや端延び等の形状変動が生じやすく、直線性も変動し、形状フラットな一定条件での長尺圧延が困難になる。
また、表面粗度Ｒａが３ｎｍ以下の高平坦性で高平滑性（以下、「高性能」と記載する）の超電導線材用テープ基板を製造するためには高価な高精密研磨機械が必要となり、製造コストがかかる。一方、安価な研磨機械により表面粗度Ｒａが１５ｎｍより大きい超電導線材用テープ基板を製造すると地肌の被りや圧延傷等が残る。
Ｙ系などの酸化物超電導線で超電導特性の高い超電導線を製造するには、ＩＢＡＤ基板の結晶配向度が高く、ＩＢＡＤ基板の中間層としてＣｅＯ２等の酸化物層のエピタキシャル成長が要求される。このとき、超電導線材用テープ基板表層に点在する欠陥、表面粗度の分布変動等が点在すると超電導層までの結晶成長が阻害され局部的な欠陥点が存在し、臨界電流値特性が低下する問題が生じる。高い超電導特性を得るためには、機械研磨及び化学研磨等により、圧延肌を表面粗度Ｒａで数ｎｍ〜１ｎｍ以下の高性能に改めて改質する必要がある。圧延仕上がりの表面粗度Ｒａと精密研磨後の表面粗度Ｒａとが大きく乖離している場合、Ｒｍａｘ（Ｒｚ）が大きく、深さ方向の地肌傷の被りや圧延傷を低減することが困難となる。以上より、圧延仕上がりの表面粗度Ｒａが数ｎｍであることが望まれる。
Ｙ系などの酸化物超電導線で超電導特性の高い超電導線を製造するには、ＩＢＡＤ基板の結晶配向度が高く、ＩＢＡＤ基板の中間層としてＣｅＯ２等の酸化物層のエピタキシャル成長が要求される。このとき、超電導線材用テープ基板表層に点在する欠陥、表面粗度の分布変動等が点在すると超電導層までの結晶成長が阻害され局部的な欠陥点が存在し、臨界電流値特性が低下する問題が生じる。高い超電導特性を得るためには、機械研磨及び化学研磨等により、圧延肌を表面粗度Ｒａで数ｎｍ〜１ｎｍ以下の高性能に改めて改質する必要がある。圧延仕上がりの表面粗度Ｒａと精密研磨後の表面粗度Ｒａとが大きく乖離している場合、Ｒｍａｘ（Ｒｚ）が大きく、深さ方向の地肌傷の被りや圧延傷を低減することが困難となる。以上より、圧延仕上がりの表面粗度Ｒａが数ｎｍであることが望まれる。
また、従来工程では超電導線材用テープ基板自体のコスト及びこれを高精密に研磨するコスト等により、低コストで超電導線材用テープ基板を得ることが難しい。超電導線材用テープ基板が高精密に研磨されないと、超電導線材の電流特性の変動が大きく製造歩留まりが低下する問題が生じる。
本発明の課題は、安価で高性能な超電導線材用テープ基板、安価で高性能な超電導線材用テープ基板の製造方法及び安価で高性能な超電導線材用テープ基板を用いた超電導線材を提供することである。
本発明によれば、超電導線材用テープ基板の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下であることを特徴とする超電導線材用テープ基板が提供される。
このとき、一方の表面粗度が１５ｎｍを超えると、テープ基板表面に形成する中間層の配向性が低下してしまうため、好ましくない。また、一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が１５ｎｍを超えた場合には、他方の表面が粗いために、一方の表層に擦り合わせ傷が生じ、中間層を積層する面に、表面欠陥を残すことになるため、好ましくない。更に、一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ未満の場合には、長尺のテープ基材を、加工する際に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となる。
このとき、一方の表面粗度が１５ｎｍを超えると、テープ基板表面に形成する中間層の配向性が低下してしまうため、好ましくない。また、一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が１５ｎｍを超えた場合には、他方の表面が粗いために、一方の表層に擦り合わせ傷が生じ、中間層を積層する面に、表面欠陥を残すことになるため、好ましくない。更に、一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ未満の場合には、長尺のテープ基材を、加工する際に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となる。
また、本発明によれば、Ｎｉ基合金又はＦｅ基合金を研磨する工程と、
前記研磨されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金を複数回冷間圧延する工程と、
前記冷間圧延されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金をＴＡ熱処理する工程と、
を含む超電導線材用テープ基板の製造方法であって、
前記冷間圧延する工程では、表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールを用いることを特徴とし、前記上下一対の圧延ロールのうち表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールは、表面粗度Ｒａが２ｎｍより大きく、７０ｎｍより小さいことを特徴とする超電導線材用テープ基板の製造方法が提供される。
このとき、表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールのＲａが７０ｎｍ以上となった場合には、出来上がりのテープ基材が１５ｎｍを超えてしまい、好ましくない。また、２ｎｍ以下の場合には、テープ基板の圧延時に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となり、好ましくない。また、表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールのＲａが２ｎｍ以下となった場合には、長尺のテープ基材を、加工する際に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となるため、好ましくない。
前記研磨されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金を複数回冷間圧延する工程と、
前記冷間圧延されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金をＴＡ熱処理する工程と、
を含む超電導線材用テープ基板の製造方法であって、
前記冷間圧延する工程では、表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールを用いることを特徴とし、前記上下一対の圧延ロールのうち表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールは、表面粗度Ｒａが２ｎｍより大きく、７０ｎｍより小さいことを特徴とする超電導線材用テープ基板の製造方法が提供される。
このとき、表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールのＲａが７０ｎｍ以上となった場合には、出来上がりのテープ基材が１５ｎｍを超えてしまい、好ましくない。また、２ｎｍ以下の場合には、テープ基板の圧延時に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となり、好ましくない。また、表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールのＲａが２ｎｍ以下となった場合には、長尺のテープ基材を、加工する際に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となるため、好ましくない。
また、本発明によれば、超電導線材用テープ基板の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下である超電導線材用テープ基板の前記一方の面上に中間層が形成され、該中間層上に超電導層が形成されて構成されることを特徴とする超電導線材が提供される。
本発明によれば、安価で高性能な超電導線材用テープ基板、安価で高性能な超電導線材用テープ基板の製造方法及び安価で高性能な超電導線材用テープ基板を用いた超電導線材を提供することができる。
本実施形態における超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
図１に、超電導線材１０の概略断面図を示す。
超電導線材１０は、超電導線材用テープ基板１、中間層２、超電導層３を備えて構成される。また、超電導線材１０は、超電導線材用テープ基板１上に中間層２、超電導層３が順次積層される。
超電導線材用テープ基板１の素材として、ハステロイ、インコネル（登録商標）等のＮｉ基合金又は、ステンレス鋼等のＦｅ基合金を用いることができ、光輝焼鈍処理されたＢＡ（ブライトアニール）材が好ましい。
超電導線材１０は、超電導線材用テープ基板１、中間層２、超電導層３を備えて構成される。また、超電導線材１０は、超電導線材用テープ基板１上に中間層２、超電導層３が順次積層される。
超電導線材用テープ基板１の素材として、ハステロイ、インコネル（登録商標）等のＮｉ基合金又は、ステンレス鋼等のＦｅ基合金を用いることができ、光輝焼鈍処理されたＢＡ（ブライトアニール）材が好ましい。
図２を参照して、超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
まず、超電導線材用テープ基板１を研磨する（ステップＳ１）。
研磨方法としては、機械研磨、化学研磨若しくは電解研磨又はこれらの組み合わせによる研磨を採用する。なお、必ずしも各種研磨を行う必要はなく、各種研磨を行わずにステップＳ２に移行してもよい。
まず、超電導線材用テープ基板１を研磨する（ステップＳ１）。
研磨方法としては、機械研磨、化学研磨若しくは電解研磨又はこれらの組み合わせによる研磨を採用する。なお、必ずしも各種研磨を行う必要はなく、各種研磨を行わずにステップＳ２に移行してもよい。
機械研磨では、研磨粒としてダイヤモンド粒、酸化物粒等を用いる。また、研磨液として水、界面活性剤、油類、有機溶剤、これらの混合物、水と蟻酸、酢酸、硝酸等の酸を混合した溶液、水と水酸化ナトリウム等のアルカリを混合した溶液、の何れかを用いる。なお、研磨粒としては特に酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化鉄等が望ましく、研磨液としては特に石鹸水が望ましい。
化学研磨では、研磨液として超電導線材用テープ基板１表面と化学反応する化学溶液 を用いる。化学溶液には、例えば硝酸、硫酸、蟻酸、酢酸、塩素、フッ素、クロム過酸化水素、シュウ酸、テトラリン酸、氷酢酸等の液体、又はこれらの混合液がある。研磨液としては特にこれらの混合液に飽和アルコールやスルホン酸類などの促進剤を混合した溶液が望ましい。
化学機械研磨では、研磨粒として上記機械研磨で用いられる研磨粒と同様の研磨粒を用いる。また、研磨液として上記化学研磨で用いられる研磨液を用いる。
電解研磨では、超電導線材用テープ基板１を電解液に浸し、超電導線材用テープ基板１を陽極として通電して電解反応により基板表面を研磨する。電解液は、酸やアルカリで良く、特に硝酸、リン酸、クロム酸、過酸化水素、水酸化カリウム、シアン化カリウム等が望ましい。
次に、超電導線材用テープ基板１を冷間圧延する（ステップＳ２〜４）。
圧延工程では、素圧延工程（ステップＳ２）、中間圧延（ステップＳ３）、仕上げ圧延（ステップＳ４）の各圧延工程を行う。圧延工程では、圧延加工率４０％〜８０％の範囲で冷間圧延する。また、表面粗度Ｒａが同一の圧延ローラによる圧延及び表面粗度Ｒａが異なる圧延ローラによる圧延をそれぞれ少なくとも１回以上行う。各圧延工程の詳細については後述する（実施例１〜４参照）。
圧延工程では、素圧延工程（ステップＳ２）、中間圧延（ステップＳ３）、仕上げ圧延（ステップＳ４）の各圧延工程を行う。圧延工程では、圧延加工率４０％〜８０％の範囲で冷間圧延する。また、表面粗度Ｒａが同一の圧延ローラによる圧延及び表面粗度Ｒａが異なる圧延ローラによる圧延をそれぞれ少なくとも１回以上行う。各圧延工程の詳細については後述する（実施例１〜４参照）。
次に、超電導線材用テープ基板１をＴＡ（テンションアニール）熱処理する（ステップＳ５）。
平坦性回復のためのＴＡ熱処理は、超電導線材用テープ基板をアルゴンガスと０．５〜５Ｖｏｌ．％の水素との混合ガス雰囲気で７５０℃〜８５０℃で１０秒以上保持し、張力印加状態で行う。
平坦性回復のためのＴＡ熱処理は、超電導線材用テープ基板をアルゴンガスと０．５〜５Ｖｏｌ．％の水素との混合ガス雰囲気で７５０℃〜８５０℃で１０秒以上保持し、張力印加状態で行う。
次に、超電導線材用テープ基板１を仕上げ加工する（ステップＳ６）。
仕上げ加工では、所望のサイズにスリット加工する。
仕上げ加工では、所望のサイズにスリット加工する。
最後に、超電導線材用テープ基板１を仕上げ研磨する（ステップＳ７）。
仕上げ研磨では、ステップＳ１で述べた機械研磨、化学研磨若しくは電解研磨又はこれらを組合せた研磨方法により研磨する。
仕上げ研磨では、ステップＳ１で述べた機械研磨、化学研磨若しくは電解研磨又はこれらを組合せた研磨方法により研磨する。
〔実施例１〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例１では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例１では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板１を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。なお、材質については、ハステロイに限らず、インコネル、ステンレス鋼を用いてもよい。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程及び中間圧延工程において（ステップＳ２及びＳ３参照）、表面粗度Ｒａが上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１５ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行６９０ｍの中間圧延材を製造した。素圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは６６ｎｍであり、中間圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは４０ｎｍであった。
更に、厚さ０．１５ｍｍの中間圧延材を上下の表面粗度Ｒａが７ｎｍの圧延ローラを用いて、厚さを０．１０７ｍｍまで圧延した。このときの中間圧延材の表面粗度Ｒａは７ｎｍ〜９ｎｍであった。
更に、厚さ０．１５ｍｍの中間圧延材を上下の表面粗度Ｒａが７ｎｍの圧延ローラを用いて、厚さを０．１０７ｍｍまで圧延した。このときの中間圧延材の表面粗度Ｒａは７ｎｍ〜９ｎｍであった。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いて、表面粗度Ｒａが７ｎｍ〜９ｎｍの中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いた。
なお、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａは最大１０ｎｍ程度が望ましい。表面粗度Ｒａが１０ｎｍより大きいと、長尺圧延材の長手方向の表面粗度Ｒａが１５ｎｍを超える場合がある。また、コイル状に巻き込まれた長尺圧延材の表裏の擦り合わせ傷が高光沢側（表面）の表層に生じ、表面欠陥を残すことになる。
また、上側の圧延ロールの表面粗度Ｒａが３ｎｍで、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａとの差が３ｎｍ未満の場合、圧延時材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となる。
また、上側の圧延ロールは、全幅にわたって表面粗度Ｒａが３ｎｍであっても、中間圧延材の幅よりもわずかに狭い幅範囲に限定して表面粗度Ｒａが３ｎｍであってもよい。後者の場合、上側及び下側の圧延ロール端部の表面粗度Ｒａは１０ｎｍ程度であってもよい。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力を長尺圧延材に印加し、長尺圧延材をアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ０．１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０３０ｍの超電導線材用テープ基板１を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。
超電導線材用テープ基板１の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは３．２ｎｍ及び３．８ｎｍであり、全ての測定点の表面粗度ＲａはＲａ＜４ｎｍであった。また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは１０．２ｎｍ及び１０．６ｎｍであった。
仕上げ研磨工程において（ステップＳ７参照）、超電導線材用テープ基板１の表側面を機械研磨し、表面粗度Ｒａが０．９ｎｍに研磨仕上げした。なお、研磨方法は機械研磨、化学研磨又は電解研磨のいずれであってもよい。また、仕上げ研磨工程直前の超電導線材用テープ基板１の表層は一様のため、研磨コストを低減することができる。
仕上げ研磨工程後の超電導線材用テープ基板１について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．６ＧＰａであった。
以上より、実施例１による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
以上より、実施例１による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
〔超電導線材の製造工程〕
実施例１にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４５０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
実施例１にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４５０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層２上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層３を形成した。超電導層３は、中間層２上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
製造された超電導線材１０について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材１０の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で３０７Ａ以上を確認し、最小−最大差が８Ａとなった。
〔実施例２〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例２では、中間圧延工程及び仕上げ圧延工程（ステップＳ３及びＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例２では、中間圧延工程及び仕上げ圧延工程（ステップＳ３及びＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板１を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。なお、ハステロイに限らず、インコネル、ステンレス鋼を用いてもよい。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程において（ステップＳ２参照）、表面粗度Ｒａ（４５ｎｍ）が上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１５ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行６９０ｍの素圧延材を製造した。このときの素圧延材の表面粗度Ｒａを１５ｎｍ〜２５ｎｍ程度にした。
中間圧延工程において（ステップＳ３参照）、表面粗度Ｒａが６ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いて、素圧延材を圧延し、厚さ０．１０７ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行９６０ｍの中間圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが６ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いた。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが９ｎｍの圧延ロールを用いて、中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが９ｎｍの圧延ロールを用いた。
なお、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａは最大１０ｎｍ程度が望ましい。表面粗度Ｒａが１０ｎｍより大きいと、長尺圧延材の長手方向の表面粗度Ｒａが１５ｎｍを超える場合がある。また、長尺圧延材の裏面（Ｒａが大きい面）のＲａが３０ｎｍを超えた場合には、コイル状に巻き込まれた長尺圧延材の表裏の擦り合わせ傷が高光沢側（表面）の表層に生じ、表面欠陥を残すことになる。
また、上側の圧延ロールの表面粗度Ｒａが３ｎｍで、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａとの差が３ｎｍ未満の場合、圧延時材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となる。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力を長尺圧延材に印加し、長尺圧延材をアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ０．１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０２０ｍの超電導線材用テープ基板１を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。
超電導線材用テープ基板１の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは３．０ｎｍ及び３．５ｎｍであり、全ての測定点の表面粗度ＲａはＲａ＜４ｎｍであった。また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは８．８ｎｍ及び９．５ｎｍであった。
仕上げ研磨工程において（ステップＳ７参照）、超電導線材用テープ基板１の表側面を機械研磨し、表面粗度Ｒａが０．８ｎｍに研磨仕上げした。なお、研磨方法は機械研磨、化学研磨又は電解研磨のいずれであってもよい。また、仕上げ研磨工程直前の超電導線材用テープ基板１の表層は一様のため、研磨コストを低減することができる。
仕上げ研磨工程後の超電導線材用テープ基板１について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．５ＧＰａであった。
以上より、実施例２による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
以上より、実施例２による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
〔超電導線材の製造工程〕
実施例２にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約５００ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
実施例２にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約５００ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層２上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層３を形成した。超電導層３は、中間層２上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
製造された超電導線材１０について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材１０の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で３２６Ａ以上を確認し、最小−最大差が９Ａとなった。
〔実施例３〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例３では、中間圧延工程及び仕上げ圧延工程（ステップＳ３及びＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例３では、中間圧延工程及び仕上げ圧延工程（ステップＳ３及びＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板１を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。なお、ハステロイに限らず、インコネル、ステンレス鋼を用いてもよい。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程において（ステップＳ２参照）、表面粗度Ｒａ（４５ｎｍ）が上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１５ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行６９０ｍの素圧延材を製造した。このときの素圧延材の表面粗度Ｒａを１５ｎｍ〜２５ｎｍ程度にした。
中間圧延工程において（ステップＳ３参照）、表面粗度Ｒａが６ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが１２ｎｍの圧延ロールを用いて、素圧延材を圧延し、厚さ０．１０７ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行９６０ｍの中間圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが６ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが１２ｎｍの圧延ロールを用いた。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが４ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが９ｎｍの圧延ロールを用いて、中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが４ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが９ｎｍの圧延ロールを用いた。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力を長尺圧延材に印加し、長尺圧延材をアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ０．１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０２０ｍの超電導線材用テープ基板１を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。
超電導線材用テープ基板１の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは４．１ｎｍ及び４．３ｎｍであり、全ての測定点の表面粗度ＲａはＲａ＜５ｎｍであった。また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは９．７ｎｍ及び８．９ｎｍであった。
仕上げ研磨工程において（ステップＳ７参照）、超電導線材用テープ基板１の表側面を機械研磨し、表面粗度Ｒａが１．２ｎｍに研磨仕上げした。なお、研磨方法は機械研磨、化学研磨又は電解研磨のいずれであってもよい。また、仕上げ研磨工程直前の超電導線材用テープ基板１の表層は一様のため、研磨コストを低減することができる。
仕上げ研磨工程後の超電導線材用テープ基板１について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．６ＧＰａであった。
以上より、実施例３による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
以上より、実施例３による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
〔超電導線材の製造工程〕
実施例３にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約５００ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
実施例３にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約５００ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層２上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層３を形成した。超電導層３は、中間層２上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
製造された超電導線材１０について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材１０の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で２９５Ａ以上を確認し、最小−最大差が８Ａとなった。
〔実施例４〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例４では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とし、仕上げ研磨工程を行わないことを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
実施例４では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いることを特徴とし、仕上げ研磨工程を行わないことを特徴とする超電導線材用テープ基板１の製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板１を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのハステロイＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。なお、ハステロイに限らず、インコネル、ステンレス鋼を用いてもよい。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程及び中間圧延工程において（ステップＳ２及びＳ３参照）、表面粗度Ｒａが上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１５ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行６９０ｍの中間圧延材を製造した。素圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは６６ｎｍであり、中間圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは４０ｎｍであった。
更に、厚さ０．１５ｍｍの中間圧延材を上下の表面粗度Ｒａが７ｎｍの圧延ローラを用いて、厚さを０．１０７ｍｍまで圧延した。このときの中間圧延材の表面粗度Ｒａは７ｎｍ〜９ｎｍであった。
更に、厚さ０．１５ｍｍの中間圧延材を上下の表面粗度Ｒａが７ｎｍの圧延ローラを用いて、厚さを０．１０７ｍｍまで圧延した。このときの中間圧延材の表面粗度Ｒａは７ｎｍ〜９ｎｍであった。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いて、表面粗度Ｒａが７ｎｍ〜９ｎｍの中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが１０ｎｍの圧延ロールを用いた。
なお、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａは最大１０ｎｍ程度が望ましい。表面粗度Ｒａが１０ｎｍより大きいと、長尺圧延材の長手方向の表面粗度Ｒａが１５ｎｍを超える場合がある。また、コイル状に巻き込まれた長尺圧延材表裏の擦り合わせ傷が高光沢側（表面）の表層に生じ、表面欠陥を残すことになる。
また、上側の圧延ロールの表面粗度Ｒａが３ｎｍで、下側の圧延ロールの表面粗度Ｒａとの差が３ｎｍ未満の場合、圧延時材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となる。
また、上側の圧延ロールは、全幅にわたって表面粗度Ｒａが３ｎｍであっても、中間圧延材の幅よりもわずかに狭い幅範囲に限定して表面粗度Ｒａが３ｎｍであってもよい。後者の場合、上側及び下側の圧延ロール端部の表面粗度Ｒａは１０ｎｍ程度であってもよい。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力を長尺圧延材に印加し、長尺圧延材をアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ０．１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０３０ｍの超電導線材用テープ基板１を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。
超電導線材用テープ基板１の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは３．２ｎｍ及び３．８ｎｍであり、全ての測定点の表面粗度ＲａはＲａ＜４ｎｍであった。また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは９．８ｎｍ及び１０．８ｎｍであった。
仕上げ研磨工程（ステップＳ７参照）は省略した。仕上げ研磨工程を省略することにより、コストを大幅に低減することができる。
仕上げ加工工程後の超電導線材用テープ基板１について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．５ＧＰａであった。
以上より、実施例４による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
以上より、実施例４による製造方法によれば、高強度、非磁性、高性能な超電導線材用テープ基板１を製造することができる。
〔超電導線材の製造工程〕
実施例４にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
実施例４にて製造した超電導線材用テープ基板１上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層２を形成した。中間層２は、超電導線材用テープ基板１上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層２上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層３を形成した。超電導層３は、中間層２上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
更に、超電導層３上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材１０を製造した。
製造された超電導線材１０について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材１０の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で２６５Ａ以上を確認し、最小−最大差が１２Ａとなった。
〔比較例１〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
比較例１では、圧延工程（ステップＳ２〜４参照）の全てで表面粗度Ｒａが上下同一の圧延ローラを用いる超電導線材用テープ基板の製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
比較例１では、圧延工程（ステップＳ２〜４参照）の全てで表面粗度Ｒａが上下同一の圧延ローラを用いる超電導線材用テープ基板の製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程及び中間圧延工程において（ステップＳ２及びＳ３参照）、表面粗度Ｒａが上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１０７ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行９７０ｍの中間圧延材を製造した。素圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは４０ｎｍであり、中間圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは１３ｎｍであった。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが７ｎｍの上下同一の圧延ロールを用いて中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。
このとき、圧延時材料滑りの影響が大きくなり、長尺圧延材は平坦性に劣る端延び形状となった。
このとき、圧延時材料滑りの影響が大きくなり、長尺圧延材は平坦性に劣る端延び形状となった。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力をハステロイに印加し、ハステロイをアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ１００μｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０３０ｍの超電導線材用テープ基板を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。なお、製造された６つの超電導線材用テープ基板のうち、２つは平坦性の変動が不連続的にあり、中間層の成膜に適さない形状品質であった。
超電導線材用テープ基板の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは７．２ｎｍ及び７．８ｎｍであり、また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは７．９ｎｍ及び８．２ｎｍであった。
仕上げ研磨工程において（ステップＳ７参照）、超電導線材用テープ基板の表側面を機械研磨し、表面粗度Ｒａが２．８ｎｍに研磨仕上げした。なお、研磨方法は機械研磨、化学研磨又は電解研磨のいずれであってもよい。
仕上げ研磨工程後の超電導線材用テープ基板について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．６ＧＰａであった。
〔超電導線材の製造工程〕
比較例１にて製造した超電導線材用テープ基板上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層を形成した。中間層は、超電導線材用テープ基板上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
比較例１にて製造した超電導線材用テープ基板上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層を形成した。中間層は、超電導線材用テープ基板上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層を形成した。超電導層は、中間層上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材を製造した。
更に、超電導層上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材を製造した。
製造された超電導線材について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で２０５Ａ以上を確認し、最小−最大差が２８Ａとなった。
〔比較例２〕
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
比較例２では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いる超電導線材用テープ基板において、仕上げ加工工程（ステップＳ６参照）で超電導線材用テープ基板の表面粗度の差が１５ｎｍを超える製造工程について説明する。
〔超電導線材用テープ基板の製造工程〕
比較例２では、仕上げ圧延工程（ステップＳ４参照）で表面粗度Ｒａの異なる圧延ローラを用いる超電導線材用テープ基板において、仕上げ加工工程（ステップＳ６参照）で超電導線材用テープ基板の表面粗度の差が１５ｎｍを超える製造工程について説明する。
超電導線材用テープ基板を製造するために、表面粗度Ｒａ５０ｎｍ、厚さ０．３ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行３５０ｍのＢＡ材（ハステロイＣ−２７６）を用いた。
研磨工程において（ステップＳ１参照）、ＢＡ材を研磨し、表面粗度Ｒａを５０ｎｍから３０ｎｍ程度にした。
素圧延工程及び中間圧延工程において（ステップＳ２及びＳ３参照）、表面粗度Ｒａが上下同一であって、ロール径Φ２０ｍｍの１２段圧延ローラを用いて、ＢＡ材を圧延し、厚さ０．１０７ｍｍ、幅７５ｍｍ、奥行９７０ｍの中間圧延材を製造した。素圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは４０ｎｍであり、中間圧延時に用いた圧延ローラの表面粗度Ｒａは１３ｎｍであった。
仕上げ圧延工程において（ステップＳ４参照）、表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロール及び表面粗度Ｒａが１５ｎｍの圧延ロールを用いて、中間圧延材を圧延し、長尺圧延材を製造した。上側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが３ｎｍの圧延ロールを用い、下側の圧延ロールには表面粗度Ｒａが１５ｎｍの圧延ロールを用いた。
ＴＡ熱処理工程において（ステップＳ５参照）、長尺圧延材の平坦性改善のため、７９０℃×２０秒保持条件下で５ｋｇｆ／ｍｍ２の張力をハステロイに印加し、ハステロイをアルゴンガスと水素との混合気体の雰囲気で熱処理した。
仕上げ加工工程において（ステップＳ６参照）、長尺圧延材を所望の仕上がりサイズにてスリット加工し、厚さ０．１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、奥行１０３０ｍの超電導線材用テープ基板を６つ製造した。圧延工程の加工率は６０％以上を確保した。なお、製造された超電導線材用テープ基板の表面を確認したところ、Ｒａが小さい上側の表層に擦り合わせ傷と思われる表面欠陥が形成されていた。
超電導線材用テープ基板の両端部からサンプルを採取し、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により１０μｍ角の表面粗度Ｒａを測定した。測定した結果、表面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは３．２ｎｍ及び３．９ｎｍであり、また、裏面の両端部それぞれ１０箇所平均の表面粗度Ｒａは１９．５ｎｍ及び１９．８ｎｍであった。
仕上げ研磨工程において（ステップＳ７参照）、超電導線材用テープ基板の表側面を機械研磨し、表面粗度Ｒａが１．６ｎｍに研磨仕上げした。なお、研磨方法は機械研磨、化学研磨又は電解研磨のいずれであってもよい。
仕上げ研磨工程後の超電導線材用テープ基板について、室温にて引っ張り試験を行ったところ、０．２%耐力は１．６ＧＰａであった。
〔超電導線材の製造工程〕
比較例１にて製造した超電導線材用テープ基板上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層を形成した。中間層は、超電導線材用テープ基板上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
比較例１にて製造した超電導線材用テープ基板上に、ＩＢＡＤ法を用いて中間層を形成した。中間層は、超電導線材用テープ基板上にＧｄ-Ｚｒ酸化中間層（ＧＺＯ）が約１μｍ成膜され、更にその上にＰＬＤにて厚さ約４８０ｎｍのＣｅＯ２酸化物中間層が形成されて構成される。
中間層上に、パルスレーザーデポジション法を用いて超電導層を形成した。超電導層は、中間層上にＹＢＣＯ超電導体が約１μｍ堆積して構成される。
更に、超電導層上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材を製造した。
更に、超電導層上に高周波スパッター装置を用いて厚さ約１０μｍの銀を蒸着して電極部を形成した。更に、酸素流気中、５５０℃で酸素アニールを行い、超電導線材を製造した。
製造された超電導線材について、２００ｍ分を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて臨界電流を測定した。測定は１ｍピッチとし、電圧端子は１．２ｍとした。超電導線材の通電特性は１μＶ／ｃｍ定義で、臨界電流値の全測定位置で１９０Ａ以上を確認し、最小−最大差が６７Ａとなった。これは、基板表層に、仕上げ研磨工程後にも、表面欠陥が残ったために、大きく通電特性が落ちてしまったためだと考えられる。
表１に、上記述べてきた実施例１〜４及び比較例１、２の超電導線材用テープ基板の特性をまとめたものを示す。
比較例１のように、基板の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ未満の場合には、長尺のテープ基材を、加工する際に材料滑りの影響が大きくなり、形状制御が困難となり、形状不良が起こってしまう。
また、比較例２のように、基板表面粗度Ｒａの差が１５ｎｍを超えた場合には、下側の表面が粗いために、上側の表層に擦り合わせ傷が生じ、仕上げ研磨を行ったとしても、表面欠陥を残すことになるため、超電導特性が著しく低下してしまう。なお、表１には記載していないが、基板の上側の表面粗度が１５ｎｍを超えた場合には、比較例２と同様に、基板表層に擦り合わせ傷が生じ、仕上げ研磨を行ったとしても、表面欠陥を残すことになるため、超電導特性が著しく低下してしまった。
また、比較例２のように、基板表面粗度Ｒａの差が１５ｎｍを超えた場合には、下側の表面が粗いために、上側の表層に擦り合わせ傷が生じ、仕上げ研磨を行ったとしても、表面欠陥を残すことになるため、超電導特性が著しく低下してしまう。なお、表１には記載していないが、基板の上側の表面粗度が１５ｎｍを超えた場合には、比較例２と同様に、基板表層に擦り合わせ傷が生じ、仕上げ研磨を行ったとしても、表面欠陥を残すことになるため、超電導特性が著しく低下してしまった。
実施例１〜４では、仕上げ圧延工程における上側の圧延ロールのＲａは１０ｎｍ以下を用いたが、基板の上側のＲａを１５ｎｍ以下とする場合には、７０ｎｍより小さくすることが求められる。しかし、基板の上側のＲａは出来るだけ小さいことが望ましいため、実施例１〜４のように、仕上げ圧延工程における上側の圧延ロールのＲａは、１０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
以上のように、本実施形態によれば、非磁性、高強度、高配向で超電導特性に優れた量産的に安価なハステロイを用いた超電導線材用テープ基板を製造することができる。また、この超電導線材用テープ基板を用いた超電導線材を製造することができる。
１ 超電導線材用テープ基板
２ 中間層
３ 超電導体層
１０ 超電層線材
２ 中間層
３ 超電導体層
１０ 超電層線材
Claims (8)
- 超電導線材用テープ基板の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下であることを特徴とする超電導線材用テープ基板。
- 前記超電導線材用テープ基板は、Ｎｉ基合金又はＦｅ基合金を素材とした基板であることを特徴とする請求項１に記載の超電導線材用テープ基板。
- Ｎｉ基合金又はＦｅ基合金を研磨する工程と、
前記研磨されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金を複数回冷間圧延する工程と、
前記冷間圧延されたＮｉ基合金又はＦｅ基合金をＴＡ熱処理する工程と、
を含む超電導線材用テープ基板の製造方法であって、
前記冷間圧延する工程では、表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールを用いることを特徴とし、前記上下一対の圧延ロールのうち表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールは、表面粗度Ｒａが２ｎｍより大きく、７０ｎｍより小さいことを特徴とする超電導線材用テープ基板の製造方法。 - 前記表面粗度Ｒａが小さい方の圧延ロールにおける表面粗度Ｒａが３ｎｍ以上であり、７０ｎｍより小さい部分が、材料幅の０．８倍以上の幅範囲であることを特徴とする請求項３に記載の超電導線材用テープ基板の製造方法。
- 前記冷間圧延する工程では、前記表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールとして、表面粗度Ｒａの差が２ｎｍよりも大きく、１０ｎｍよりも小さい条件を満たす上下一対の圧延ロールを用いることを特徴とする請求項３又は４に記載の超電導線材用テープ基板の製造方法。
- 前記冷間圧延する工程では、前記表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールを用いて圧延する工程及び表面粗度Ｒａが同一の上下一対の圧延ロールを用いて圧延する工程が少なくとも１回以上含まれることを特徴とする請求項３〜５の何れか一項に記載の超電導線材用テープ基板の製造方法。
- 前記冷間圧延する工程では、前記表面粗度Ｒａが異なる上下一対の圧延ロールとして、圧延ロールの外径差が１．５μｍ以内である上下一対の圧延ロールを用いることを特徴とする請求項３〜６の何れか一項に記載の超電導線材用テープ基板の製造方法。
- 超電導線材用テープ基板の両面のうち、一方の表面粗度Ｒａが１５ｎｍ以下であって、他方の表面粗度Ｒａが前記一方の表面粗度Ｒａよりも大きく、前記一方及び他方の表面粗度Ｒａの差が３ｎｍ以上であり、１５ｎｍ以下である超電導線材用テープ基板の前記一方の面上に中間層が形成され、該中間層上に超電導層が形成されて構成されることを特徴とする超電導線材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010111831A JP2013149345A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 |
| PCT/JP2011/061032 WO2011142449A1 (ja) | 2010-05-14 | 2011-05-13 | 超電導線材用基板、超電導線材用基板の製造方法及び超電導線材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010111831A JP2013149345A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013149345A true JP2013149345A (ja) | 2013-08-01 |
Family
ID=44914500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010111831A Pending JP2013149345A (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013149345A (ja) |
| WO (1) | WO2011142449A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019125436A (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-25 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | 酸化物超電導線材 |
| WO2019235017A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材及び超電導線材の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4741326B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-08-03 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導導体およびその製造方法 |
| JP5049530B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-10-17 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 酸化物超伝導体用テープ基材の研磨方法並びに酸化物超伝導体及び酸化物超伝導体用基材 |
| JP5252792B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-07-31 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 酸化物超伝導体用テープ基材の研磨方法並びに酸化物超伝導体及び酸化物超伝導体用基材 |
| JP5049611B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-10-17 | 日本ミクロコーティング株式会社 | 超電導体用テープ基材の製造方法及びテープ基材 |
| JP2009190934A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化セリウム薄膜および超電導線材 |
-
2010
- 2010-05-14 JP JP2010111831A patent/JP2013149345A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-13 WO PCT/JP2011/061032 patent/WO2011142449A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019125436A (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-25 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | 酸化物超電導線材 |
| WO2019235017A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材及び超電導線材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011142449A1 (ja) | 2011-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5950900B2 (ja) | 超電導線材用基板、超電導線材用基板の製造方法及び超電導線材 | |
| US7927715B2 (en) | Clad textured metal substrate for forming epitaxial thin film thereon and method for manufacturing the same | |
| US9034124B2 (en) | Method for producing metal laminated substrate for oxide superconducting wire, and oxide superconducting wire using the substrate | |
| KR102159059B1 (ko) | 초전도층 기판의 제조 방법 | |
| JP4411265B2 (ja) | 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| US20150038334A1 (en) | Superconducting film-forming substrate, superconducting wire, and superconducting wire manufacturing method | |
| JP5026778B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔とその製造方法、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材およびアルミニウム電解コンデンサ | |
| EP3214627B1 (en) | Superconducting wire material substrate and method for manufacturing same, and superconducting wire material | |
| JP5435448B2 (ja) | 超電導線材用テープ状基材、その製造方法、及び超電導線材 | |
| JP2013149345A (ja) | 超電導線材用テープ基板、超電導線材用テープ基板の製造方法及び超電導線材 | |
| JP2010192349A (ja) | 超電導線材 | |
| JP2009097060A (ja) | チタン材ならびにチタン材製造方法 | |
| JP2007200870A (ja) | 超伝導ケーブル用基板の製造方法 | |
| JP5076165B2 (ja) | 強固に付着した銅めっき安定化材を有するＮｂ−Ａｌ系超伝導線材とその製造方法 | |
| JP5323444B2 (ja) | 酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材 | |
| US9487882B2 (en) | Titanium material and method for producing titanium material | |
| JP5624802B2 (ja) | 酸化物超電導線材用基板の製造方法 | |
| JP2001286927A (ja) | 熱延鋼板の製造法 | |
| JP5921951B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP5578939B2 (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| Schastlivtsev et al. | Textured Tape Substrates of Ternary Copper–Nickel Alloys with Tantalum and Tungsten Additives for the Epitaxial Deposition of Multilayer Compositions | |
| CN111515619A (zh) | 小规格Nb47Ti棒材加工方法 | |
| JPH10147900A (ja) | オーステナイト系ステンレス光輝焼鈍鋼帯の表面性状調整方法 | |
| Kreiskott et al. | High current density electropolishing in the preparation of highly smooth substrate tapes for coated conductors | |
| Soulen et al. | High critical current density BSCCO-2212 tapes formed by a modified powder-in-tube method |