JP4411265B2 - 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(ニ)前記中間層(B)上に酸化物超電導層を形成する工程、
によって構成するようにしたものである。
図1は、本発明の希土類系テープ状酸化物超電導体のテープの軸方向に垂直な断面を示したもので、希土類系テープ状酸化物超電導体10は、冷間加工によりNi―W合金を所定の厚さに成形した後、900〜1300℃の温度で配向化熱処理を施して2軸配向させたテープを製造し、このテープに電解研磨を施して表面平滑性を5nm以下としたテープ状基板1の表面に、Ce―Zr―O膜からなる中間層2及びCe―Gd−O膜からなる中間層3を順次形成した後、その上に酸化物超電導層4を形成したものである。
実施例2
実施例1の電解研磨を施したNi―3at%W合金からなるテープ状基板を用いて、この基板上に所定量の金属含有量のCe、Zrのオクチル酸溶液をディップコート法により塗布し、仮焼した後その表面粗さを実施例1と同様の方法により測定した。この膜上にCeO2をパルス蒸着法で膜厚が200nmとなるように成膜した。次いで、このCeO2膜上に超電導膜をMOD法で成膜した。超電導生成の熱処理は、750℃×2時間で施し、超電導膜の厚さは0.5μmであった。
2 Ce―Zr―O膜からなる中間層
3 Ce―Gd−O膜からなる中間層
4 酸化物超電導層
10 希土類系テープ状酸化物超電導体
Claims (10)
- 基板上に、無機材料の中間層を形成し、この上に酸化物超電導層を設けた酸化物超電導体において、前記基板として、電解研磨により5nm以下の表面平滑性を有する2軸配向した基板を用いるとともに、前記中間層として、CeO 2 膜またはこれにGdを所定量添加したCe―Gd−O膜からなる中間層(B)を用いたことを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 基板上に、無機材料の中間層を形成し、この上に酸化物超電導層を設けた酸化物超電導体において、前記基板として、電解研磨により5nm以下の表面平滑性を有する2軸配向した基板を用いるとともに、前記中間層として、Ce、Gd又はSmから選択された1種類の元素とZrを含む中間層(A)及びこの中間層(A)上に積層したCeO 2 膜またはこれにGdを所定量添加したCe―Gd−O膜からなる中間層(B)を用いたことを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 中間層は、MOD法、パルスレーザー蒸着法、スパッタ法またはCVD法のいずれかの方法により成膜された層からなることを特徴とする請求項1または2記載の希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 基板上に、無機材料の中間層を形成し、この上に酸化物超電導層を設けた酸化物超電導体において、前記基板として、電解研磨により5nm以下の表面平滑性を有する2軸配向した基板を用いるとともに、前記基板上にCe、Gd又はSmから選択された1種類の元素とZrを含む膜厚30nm〜300nmのMOD法により形成された中間層(A)、CeO 2 膜またはこれにGdを所定量添加したCe―Gd−O膜からなる中間層(B)及び超電導層を順次形成したことを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 2軸配向した基板は、NiまたはNi基合金あるいはCuまたはCu基合金である請求項1乃至4記載の希土類系テープ状酸化物超電導体。
- Ni基合金あるいはCu基合金は、NiまたはCuにW、Sn、Zn、Mo、Cr、V、TaまたはTiの中から選択されたいずれか1種以上の元素を添加した合金からなることを特徴とする請求項5項記載の希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 2軸配向した基板は、900〜1300℃の温度範囲で熱処理が施されたものであることを特徴とする請求項5記載の希土類系テープ状酸化物超電導体。
- 添加元素量は、0.1〜15at%であることを特徴とする請求項6記載の希土類系テープ状酸化物超電導体。
- (イ)NiまたはNi基合金あるいはCuまたはCu基合金テープに900〜1300℃の温度範囲で熱処理を施して2軸配向したテープを製造する工程と、
(ロ)前記テープに連続的に電解研磨を施し、5nm以下の表面平滑性を有するテープ状の基板を製造する工程と、
(ハ)前記基板上に、Ce、Gd又はSmから選択された1種類の元素とZrを含む膜厚30nm〜300nmの中間層(A)及び/またはCeO2膜またはCe―Gd−O膜からなる中間層(B)を、それぞれの中間層を構成する元素を、金属元素量で0.08〜0.5mol/l含むオクチル酸塩、ナフテン酸塩またはネオデカン酸塩の混合溶液の塗布後、熱処理を施すことにより形成する工程と、
(ニ)前記中間層(B)上に酸化物超電導層を形成する工程、
とからなることを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体の製造方法。 - 金属元素量は、0.1〜0.3mol/lであることを特徴とする請求項9記載の希土類系テープ状酸化物超電導体の製造方法。
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