WO2007145379A1

WO2007145379A1 - 複合電磁波シールド材及びその製造方法

Info

Publication number: WO2007145379A1
Application number: PCT/JP2007/062552
Authority: WO
Inventors: Kazuhiko Ishihara; Kohei Izumi; Tomoyuki Tsuruda; Yoji Tamura; Hideyuki Minagi
Original assignee: Toyo Kohan Co., Ltd.
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2007-06-15
Publication date: 2007-12-21
Also published as: JP2008021977A

Abstract

本発明の複合電磁波シールド材は、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、Ａｌを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式Ｎｉ合金めっき層、乾式Ｃｕめっき層、金属めっき層から成り、伸びが５％以上であることにより、高周波領域において高いシールド効果を有し、機械特性が優れ、軽量かつフレキシブルで安価なシールド材料を提供することができる。

Description

明細書複合電磁波シーノレド材及びその製造方法技術分野

本発明は、複合電磁波シールド材及びその製造方法に関するものであり、より詳細には、機械的特性に優れ、軽量かつ電磁波シールド性に優れた複合電磁波シールド材及びその製造方法に関する。背景技術

携帯電話、パーソナルコンピューター、電子レンジ等の各種電子機器の普及や高性能化に伴い、電子機器のノイズ防止や電磁波の人体に対する影響防止等の見地から、電磁波シ一ルド材が使用されている。更に近年、著しい情報通信技術の発展が、大容量の情報通信を実現すると共に、使用周波数帯の高周波化をもたらし、その結果、高周波領域帯におけるシールド特性の向上ならびに軽量なシールド材料力《求められるようになった。公知の電磁波シールド材としては、金属箔ゃ金属メッシュなど、金属材料を種々の形で樹脂基板中に埋設したものなどが知られている（例えば、特開平 2— 3 0 2 0 9 8号公報参照）。また、熱可塑性或いは! ^化性樹脂に、繊維状金属フイラ一を配合して導電性を付与した導電性複合樹脂組成物などもある（例えば、特開昭 6 1 - 2 8 7 9 6 2号公報参照）。更に、 A I箔とフイルムを複合した熱収縮性シールド材ゃ、 A I箔の表面に炭素材料を含む導電性樹脂を設けたシールド材もある（例えば、特開昭 6 3— 1 0 4 8 3 2号公報、特開平 7 - 1 0 5 7 4 8号公報等参照）。金属箔ゃ銅編組などを巻いて、シールド性を高めているものもある。発明の開示

しかしながら、上記のシールド材は比較的高価であり、これが電線自体のコストを上昇させる大きな要因となっている。例えば、フイラ一を用いた複合シールド材は、マスターチップ化した複合材を再び樹脂と混練して作製するため、膜厚が安定した製品を製造すること力《困難であり、その結果、歩留まりが悪く、コストアップの要因となる。また、 A I 箔とフィルムを複合した材料では、そのシールド性は、 3 0〜3 0 0 M H z帯領域で効果があるが、現在必要とされている 1 G H _Z帯以上の高周波に対するシールド領域においては、その効果が乏しい。更にこの A I箔上に炭素材料を含む導電性樹脂複合材を設けたシーリレド材においては、炭素材料に黒鉛を用いているため、これ力《水分を吸収すると A I箔と炭素材料との間で局部電池が形成され、その結果 A I箔の腐食力《進行してしまう問題がある。

これらに対して、 C u箔をシールド材に用いた場合においては、 C _U箔の厚みを増やすことにより高いシールド効果は得られるが、シールド材自体が重くなる問題力《生じる。またこれを電線に組み込んだ場合、電線自体のフレキシブルな屈曲が困難となり、扱いにくいものとなる。

一方、 A I箔のみを用いた場合、軽量かつフレキシブルなシールド材となるが、 A I箔だけではシールド効果力《乏しいため、 A I箔の外側に銅からなる編組を巻き付けることで、軽量な電線用シールド材を構成している。し力、し、この銅編組が電線のコストを上昇させる要因の一つでもあり、更に銅編組を用いることで、電線のフレキシビリティーを束縛し、使い勝手も悪くなる。

従って本発明の目的は、高周波に対する電磁波シールド効果を向上した複合電磁波シールド材及びその製造方法を提供すると共に、軽量で機械的特性力《優れた複合電磁波シールド材及びその製造方法を提供することにある。

本発明によれば、有機樹脂フィルムの片面に、下から順に、 A I (アルミニウム）を主成分とする金属箔からなる導電性芯体、乾式 N i (ニッケル）合金めつき層、乾式 C u (銅) めっき層、金属めつき層から成り、伸びが 5 «¼以上であることを特徴とする複合電磁波シ —ルド材が提供される。

本発明の複合電磁波シールド材においては、

1 . 乾式 N i合金めつき層の厚みが 1 0〜2 0 0 A、乾式 C uめっき層の厚みが 5〜5 O O A、金属めつき層の厚みが 0. 3〜1 5〃mの範囲にあること、

2. 金属めつき層が、電解 C uめっき層又は電解 N iめっき層であること、

が好適である。

本発明によればまた、有機樹脂フィルムの片面に、 A Iを主成分とする金属箔から成る導電性芯体を積層し、該導電性芯体の表面に乾式 N i合金めつき、乾式 C uめっきを順次行い、更に電解めつきを行うことを特徴とする複合電磁波シールド材の製造方法力《提供される。本発明の複合電磁波シールド材の製造方法においては、導電性芯体表面に乾式 N i合金めっきを施す前に、導電性芯体表面にプラズマ処理を行うことが好適である。

本発明の複合電磁波シールド材は、 1 G H z帯以上の高周波に対する電磁波シールド効果が優れるだけでなく、軽量且つフレキシブルであると共に、シールド材の片面のみに金属層を有するので、機械的特性が優れている。

また乾式 N i合金めつき層が、 A Iを主成分とする金属箔と乾式 C uめっき層との間に介在することにより、導電性芯体と乾式 C uめっき層との密着性を向上することができる。また、 A Iを主成分とする金属箔をプラズマ処理することにより、乾式 C uめっき層の密着性を更に向上することが可能となる。

本発明で製造したシールド材は、特に極細の電線用シールド材に用いた場合、その特徴を生かすことができる。図面の簡単な説明

図 1は、クロストーク法によるシールド性測定装置を示す。発明を実施するための最良の形態

本発明を、以下詳細に説明する。

本発明の複合シールド材は、 A Iを主成分とする金属箔から成る導電性芯体の片面に絶縁体である有機樹脂フィルムを貼り合わせ、反対面にシールド効果に優れる成分から構成された金属層力《形成されている。

本発明の複合電磁波シールド材は、導電性芯体として比較的軽量な A Iを主成分とする金属箔を用い、この導電性芯体の一方の表面に絶縁体である有機樹脂フィルムを貼リ合わせ、反対側の面にシールド効果に優れる金属から成る層を形成させることにより、機械特性が優れ、軽量かつ高シールドな電磁波シールド材を提供することができる。

本発明の複合電磁波シールド材においては、導電性芯体の表面に有機樹脂フィルム層、裏面にシールド特性に優れる金属層を形成させているが、この有機樹脂フィルム層を形成させることにより、シールド材の機械特性が向上する。

シールド材を組み込んだ電線を作る場合においては、伸びが 5 <½未満の材料では電線を作製する時にシールド材カ《破断してしまうため適用することができず、一般に導電性芯体の両面にシールド層として金属を積層した場合はその伸びが極端に低下するため、電線用途のシールド材には不適応となるが、本発明の複合電磁波シールド材は、機械特性として 5 %以上の伸びを有しているため、電線用途にも使用することができる。

(導電性芯体）

本発明の複合電磁波シールド材においては、軽量化を図る観点から、導電性芯体として、 A Iを主成分とする金属箔を用いる。 A Iを主成分とする金属箔としては、 A I箔、或いは A Iを主成分とする合金箔（以下、単に A I合金箔という）を挙げることができ、圧延箔ゃ電解箔を使用することができる。

一般に、 F e箔ゃ N i箔を使用した場合、磁界シールド特性力《向上するが、 F e、 C u や N iの比重は A Iよりも 2 ~ 3倍程度以上大きくなるため、これらを採用した場合には、本発明のシールド材のように軽量化を図ることができない。

A Iを主成分とする金属箔からなる導電性芯体には、公知のもの又は市販品（例えば J I Sに規定の 1 0 0 0系、 3 0 0 0系など）の A I箔或いは A I合金箔を使用することが可能である。

A Iを主成分とする金属箔の厚みは、 4〜3 5 m、特に 5〜 2 0 mの範囲にあることが好適である。 A I箔または A I合金箔の厚みが 4 m未満では、 A Iを主成分とする金属箔自体の安定生産ならびに生産コストに問題があり、逆に 3 5 mを超えると電磁波シールド材自体の重量が大きくなつて軽量化を図ることができず、更に電磁波シールド材の伸びが減少する点で好ましくない。

(有機樹脂フィルム）

絶縁体である有機樹脂フィルムとしては、熱可塑性フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、ポリカーボネー卜、ポリアセタール、アクリル樹脂、ポリフエ二レンォキシド、飽和ポリエステル、酢酸セルロース、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢ビ共重合体、フッ素樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アイオノマー樹脂、ポリ一 4一メチル一 1一ペンテン、ポリスルホン、ポリフエ二レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、液晶ポリマー、熱可塑性エラストマ一等を使用することができ、また^ 化性フィルムとして、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアラミド等公知のものを用いることができる。

有機樹脂フィルムの厚みは、 1 . 2〜 5 0〃 mの範囲にあることが好まししゝ。有機樹月旨フィルムの厚みが 1 . 2 m未満では、フィルムの安定生産や製造コス卜の点で満足するものではなく、逆に 5 0 mを超えると電磁波シールドのフレキシブル性かつ軽量性を損なうおそれがある。

有機樹脂フィルム自体は延伸でも無延伸でもよい力均一なフィルム厚みの点からは延伸したフィルムを用いること力《好ましい。

導電性芯体への有機樹脂フィルムの貼リ合わせは、有機樹脂フィルムを溶融温度直前まで加熱したラミネート方式、接着界面に接着剤を用いた接着方式など、公知の方法で貼り合わせることが可能である。

(プラズマ処理）

本発明においては、 A Iを主成分とする金属箔の表面酸化皮膜を取り除く目的で、 A I を主成分とする金属箔の表面をプラズマに曝すことが望ましい。

すなわち、 A Iを主成分とする金属箔の表面には強固な酸化皮膜が形成されており、この酸化皮膜が、 A Iを主成分とする金属箔への C u成分の密着性を低下させる原因となる力本願発明においては、 A Iを主成分とする金属箔表面に、後述する乾式 N i合金めつき層が形成されているので A Iと C uとの密着性は改良されているが、プラズマ処理を施すことにより更に密着性を向上することが可能となる。

プラズマに用いるガスには、一般的に A rガス力《使用されるが、窒素ガス、酸素ガス、ヘリゥムガスでも適用できる。

また、このプラズマは R Fプラズマ装置を用いて形成させることが可能であり、その出力については、 1 0 ~ 3 0 0W、より好ましくは 5 0〜 2 0 OWで A Iを主成分とする金属箔の表面酸化被膜を除去することが可能である。 1 OW未満では、プラズマの形成が困難であり、たとえプラズマを形成させたとしても、 A Iを主成分とする金属箔上の酸化皮膜を除去するには不十分であり、逆に 3 0 OWを超えるとフイルム力《収縮するなどして、寸法変化が生じるなどの問題を生じるおそれがある。

(乾式 N i合金めつき層）

A Iを主成分とする金属箔の表面に、乾式 N i合金めつき層を形成することにより、 C uの酸化を抑制すると共に A Iと C uの密着力を向上させること力《可能となる。

乾式 N i合金めつき層としては、 N i— C r (クロム）合金層、 N i— C u合金層、 N i - T i (チタン）合金層、 N i - V (バナジウム）合金層、 N i — P (リン）合金層， N i - B (ホウ素）合金層或いは N i -M o (モリブデン）合金層などが適用でき、中でも、 N i— C r合金層、 N i 一 C u合金層を好適に使用することができ、 N i— C r合金層が下地の金属箔との密着性に特に優れているので好ましい。

N i合金めつき層は、真空蒸着法或いはスパッタリング法等の公知の乾式の方法で形成し、その厚みは 10〜200 Aの範囲にあることが望ましく、 1 OA未満では、 A Iを主成分とする金属箔との密着性が悪く、逆に 200 Aを超えると密着性の改善効果は飽和し、不経済である。尚、上記範囲内においては厚みが増加するほど経時後の密着力が向上する (実施例 8参照) 。

乾式 N i合金めつき層に含まれる C r， Cu, T i , V, B或いは Moなどの添加元素は 7〜35 o/oの量で合金中に含まれることが望ましく、 706未満では、乾式めつきが困難であり、逆に 35%を超えると、十分な密着性が得られない点で問題がある。尚、合金成分として C rを用いる場合は上記範囲内において C r量力《増加するほど経時後の密着性を向上できる（実施例 9参照）、また合金成分として Pが含まれる場合には 7 ~ 250 の量で含有すること力《望ましい。 Pの場合、上限 25<½を超えると十分な密着性を得ることが困難である。

(乾式 Cuめっき層）

A Iを主成分とする金属箔上に形成された乾式 N i合金めつき層上に Cu層を形成することにより、 A Iを主成分とする金属箔上の酸化皮膜の再形成を抑制することが可能である。

この乾式 C uめっき層は、真空蒸着法或いはスパッタリング法等の公知の乾式の方法で形成することができる力特にスパッタリングによる形成が密着性の点から好ましい。乾式 Cuめっき層の厚みは、 5A~500Aの範囲、特に 10Α〜100 Αの範囲にあることが好ましい。厚みが 5 A未満では、乾式 C _Uめつき層が不均一となり、次の工程での金属めつきが均一に形成されにくく、かつ A Iがー部露出しているため金属めつき層の密着不良が発生しやすい。

(金属めつき層）

乾式 Cuめっき層上に被覆する金属めつき層には、シールド特性の優れる Cu, N i， Co (コバルト）， S n (スズ） , Z n (亜鉛）， Fe， N i一 P合金， N i一 B合金， N i一 Mo合金， N i一 W (タングステン）合金， N i—Co合金， N i _Fe合金等を使用することができるが、特に Cu、 N i力《好ましい。

金属めつき層は、無電解めつき或いは電解めつきにより形成する。金属めつき層の厚みは、 0. 3〜15/im、特に 1 ~3 imの範囲にあることが望ましい。乾式 Cuめっき層上の金属めつき層の厚みが、 0. 3 m以下の場合にはシールド効果が乏しく、逆に 1 5 U m以上の場合はシールド材料が重くなリ、軽量かつフレキシブルな高シールド材料を提供すること力《難しくなるので好ましくない。

また本発明においては、金属めつき層の表面に、防鲭を目的として適当な化成処理などの保 ¾1 を形成することも可能である。実施例

(実施例 1 )

導電性芯体として、市販の A I箔（9 m厚）を用い、これに PET (ポリエチレンテレフタレート）フィルム（6 im厚）をラミネートして、 1 5 m厚の A I ZP ET材を作製した。

次に、 A I ZPET材の A I箔上にスパッタリングにより、 1 OA厚の N i — 70/oC r 合金層を形成した。次に、真空蒸着めつきにより ¹ 00 A厚の乾式 C uめっき層を形成した。

この Cuを真空蒸着めつきした A I ZP ET材を真空成膜装置から取り出し、乾式 Cu めっき層の上に 2 β m厚の C uめっき層を形成することによリ複合電磁波シールド材を作製した。

C uめっき層は、硫酸銅 5水和物が 200 gZL、硫酸： 50 gZL、塩化物イオン： 50 p pm、銅めつき光沢剤： 5m I ZL (奥野製薬製添加剤 S F— M) から成るめっき浴を用いて、浴温 25〜30°Cで、電流密度： 3〜5 AZdm²で C uめっきを行うことにより形成した。

作製した複合電磁波シールドについて、密着性、伸度、シールド性について下記方法によリ評価を行った。結果を表 1に示す。

(実施例 2)

実施例 1と同様にして A I P ET材の A I箔上に形成された N i _7<½C r合金層上に、スパッタリングして 1 00A厚の乾式めっき層を形成した。この乾式 C uめっき層を形成した A I ZP ET材を真空スパッタ装置から取出し、 2 /m厚の N iめっき層を形成することにより、複合電磁波シールド材を作製した。

N iめっき層は、硫酸ニッケル 5水和物が 240 _gZL、ホウ酸： 30 gZL、ピット防止剤； 2m I （日本化学産業：ピットレス）から成る N iめっき浴を用いて、浴温 5 5〜60°C、電流密度： 5mAZdrτl²でN iめっきを行うことにより形成した。

実施例 1と同様に、評価結果を表 1に示す。

(実施例 3)

実施例 1と同様にして A I PET材の A I箔上に形成された N i一 70/oC r合金層上に、スパッタリングして 5 A厚の乾式 Cuめっき層を形成した。この乾式 Cuめっき層を形成した A I ZPET材を真空スパッタ装置から取出し、実施例 1と同様の方法で 2 / m 厚の C uめっき層を形成し、複合電磁波シールド材を作製した。

実施例 1と同様に、評価結果を表 1に示す。

(実施例 4)

乾式 Cuめっき層の厚みを 100 Aとした以外は、実施例 3と同様にして複合電磁波シ一ルド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 5)

Cuめっき層の厚みを 0. 3 mとした以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 6)

Cuめっき層の厚みを 1 5 mとした以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シーリレド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 7)

乾式 C uめつき層の厚みを 500 Aとした以外は、実施例 3と同様にして複合電磁波シ一ルド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 8)

乾式 N i合金めつき層の厚みを 200 Aとした以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 9)

乾式 N i合金めつき層を N i一 30<½C _r合金層とした以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 10)

乾式 N i合金めつき層を N i一 30%Cu合金層とした以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。評価結果を表 1に示す。

(実施例 1 1 ) A I ZPET材を真空成膜装置内に装着し、真空引きを 30分間行った後に、 A rガスを導入して 0. 5 P aの気圧に調整したところで， T i ZSUS電極で構成されている R Fプラズマ電極内に 5 OWの電圧を加えて A rプラズマを形成させる。この A rプラズマ内に A I ZPET材を通過させながら， A I箔表面上の酸化皮膜を除去した以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。

(比較例 1 )

A I ZP E T材表面に N i -C r 7%合金層を形成せず、 A I箔表面に直接乾式 C uめつき層を形成した以外は、実施例 4と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。 (比較例 2)

A I ZP E T材表面に N i -C r 7 <¼合金層を形成せず、 A I箔表面に直接乾式 C uめつき層を形成した以外は、実施例 1と同様にして複合電磁波シールド材を作製した。 (比較例 3)

実施例 1で用いたと同様の A I ZPET材について、破断伸度及びシールド特性を評価した。

(評価方法)

<密着性評価 >

作製した複合電磁波シールド材の乾式 Cuめっき層と A I箔の密着性を調べる目的で、金属めつき直後にテープ剥離 liltを行い（表 1中「初期」で表示）、更に促進識として、タ /くィエスべック製の 11S恒湿器（ 75 °C— 950/0 R H ) 内にこの複合電磁波シールド材を 1力、月静置した後にテープ剥離 ^を行った（表 1中「経時後」で表示）。このテープ剥離試験には、ニチバン株式会社製セロハン粘着テープ 24mm幅を用いた。

評価の基準は下記の通リであリ、 C u残存部が 600 以上を合格とした。

◎：テープ剥離後の C u残存部が 90«½以上

O：テープ剥離後の C u残存部が 90%未満 70%以上

△：テープ剥離後の C u残存部が 70%未満 60<½以上

X ：テープ剥離後の C u残存部が 50 %未満

<伸びの側定方法 >

テンシロン（OR I EN TEC社製引っ張り試験器： RTC— 121 OA) を用いて、サンプル幅が 15 mmでチャック間隔が 10 Omm長となるようにサンプルを準備し、 1 mmZ分の速度でサンプルを引っ張り、破断するまでの伸びをチャック間隔距離に対する百分率で示した。破断伸度 50/0以上を合格とした。

<クロストーク法によるシールド性評価方法 >

1 ) 図 1に示すように、中央部に外部導体を剥いた部分（30 c m長を有す 1 m長のマイク口波ケーブル 1に 3 G H _Zの高周波を入力し、マイク口波ケーブル 1に近接して置かれた、前記ケーブルと同様のマイクロ波ケーブル 2に乗り移った高周波の出力（P 1) を測定する。

* マイクロ波ケーブル： 0. 91 2 mm 0の中心導体の周りを発泡テフロン（登録商標）で覆い 2. 98 mm 0とし、さらに銀メツキした C u線を編んでなる外部導体で覆い 3. 58mm 0としたケーブル

2) 次に上記 1 )と同様にして、マイクロ波ケーブル 2に 1 5 mm幅のサンプルを剥き出し部（但し、左右の外部導体はリード線で電気的に接合されている）を中心に、少なくとも C u層を内側に且つ表裏の約 1 / 3の面積が互いに重なるようにスパイラル状に剥き出し部の 1 5 cm手前から 60 cm長（40回巻き）巻いたケーブルに乗り移った高周波の出力（P2) を測定する。

3 ) 下記式によリシールド効果を算出し、マイク口波ケーブル 2に卷いたサンプルのシ一ルド性を評価し、シールド効果の価が大きいほど電磁波シールド性は良好であり、 40 dB以上を合格とした。

シールド効果（dB)=— 1 0 Lo g (P2ZP 1 )

10

訂正された用紙 (規則 913 表

表 1 (つづき)

(評価結果）

(1 ) 删旨フィルムを支持体にすることで、伸び性を確保することができる。

(2) 乾式 Ni— Crあるいは乾式 Ni— Cu合金めつきを行うことで、 A Iと Cuの密着力を向上させることができる（実施例"!〜 1 1) 。

(3)プラズマ処理をすることで、 A Iと C Liの密着力を更に向上させることができ、べストモードとなる（実施例 1 1) 。

(4)乾式 Ni— Cu合金めつきにより A Iと Cuの密着力は確保されるが、乾式 N i -C r合金めつきにより、密着力はより向上する（実施例 9， 10) 。

注） Cuは経時により酸化による劣化が生じやすいため、 C rよりも密着力が劣る。

(5) 乾式 N i— C r合金めつきにおいて C rの含有量が増えると経時後の密着力が向上する（実施例 4, 9) 。また、乾式 N i合金めつき層のトータル厚みが増しても経時後の密着力が向上する（実施例 8) 。

(6) 乾式 Cuめっきでは、蒸着により十分な密着力力《経時後も得られるが、スパッタにより N i合金めつきの表面が C uで十分に覆われるため密着力がよリ向上する (実施例 1 , 2) 。

(7) 金属めつきでは Cuにより十分なシールド性が得られるが、 N iによりより高いシ一ルド性が得られる（実施例 2) 。

(8) 蒸着よりもスパッタのほう力《密着力は良いが、乾式 N i合金めつきを行わないと十分な密着力が得られない（比較例 1, 2) 。

(9) A Iだけでは十分なシールド効果が得られない（比較例 3) 。

Claims

請求の範囲

1 . 有機樹脂フィルムの片画こ、下から順に、 A Iを主成分とする金属箔から成る導電性芯体、乾式 N i合金めつき層、乾式 C uめっき層、金属めつき層から成り、伸びが 5 <½ 以上であることを特徴とする複合電磁波シールド材。

2. 前記乾式 N i合金めつき層の厚みが 1 0〜2 0 0 A、乾式 C uめっき層の厚みが 5 〜 5 0 0 A、金属めつき層の厚みが 0. 3 - 1 5 / mの範囲にある請求項 1に記載の複合電磁波シールド材。

3. 前記金属めつき層が、電解 C uめっき層又は電解 N iめっき層である請求項 1記載の複合電磁波シールド材。

4. 有機樹脂フィルムの片面こ、 A Iを主成分とする金属箔からなる導電性芯体を積層し、該導電性芯体の表面に乾式 N i合金めつき、乾式 C uめっきを順次行い、更に電解めつきを行うことを特徴とする複合電磁波シールド材の製造方法。

5. 前記導電性芯体表面に乾式 N i合金めつきを施す前に、導電性芯体表面にプラズマ処理を行う請求項 4記載の複合電磁波シールド材の製造方法。