JPH10229210A - 太陽電池セル - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換効率が向上された構造を有する太陽
電池セルを提供する。 【解決手段】 ｎ型の結晶シリコン基板１０の表面側
に、テクスチャー構造２０が設けられた受光面が形成さ
れ、裏面側にｐ+ 型Ｓｉ層１２及びｎ+ 型Ｓｉ層１４が
交互に形成されている。ｎ+ 型Ｓｉ層１４は断面三角形
のＶ溝状に形成されている。また、ｐ+ 型Ｓｉ層１２に
対応して正電極１６が、ｎ+ 型Ｓｉ層１４に対応して負
電極１８がそれぞれ形成されている。裏面側にＶ溝を形
成したことにより、ｎ型の結晶シリコン基板１０の少数
キャリアである電子の平均移動距離が低下するととも
に、電極面積も大きくすることができ、この抵抗が低減
するのでこれらの効果により光電変換効率の高い太陽電
池セルを得ることができる。
電池セルを提供する。 【解決手段】 ｎ型の結晶シリコン基板１０の表面側
に、テクスチャー構造２０が設けられた受光面が形成さ
れ、裏面側にｐ+ 型Ｓｉ層１２及びｎ+ 型Ｓｉ層１４が
交互に形成されている。ｎ+ 型Ｓｉ層１４は断面三角形
のＶ溝状に形成されている。また、ｐ+ 型Ｓｉ層１２に
対応して正電極１６が、ｎ+ 型Ｓｉ層１４に対応して負
電極１８がそれぞれ形成されている。裏面側にＶ溝を形
成したことにより、ｎ型の結晶シリコン基板１０の少数
キャリアである電子の平均移動距離が低下するととも
に、電極面積も大きくすることができ、この抵抗が低減
するのでこれらの効果により光電変換効率の高い太陽電
池セルを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池セル、特に
太陽電池セルの光電変換効率を向上させるための構造に
関する。
太陽電池セルの光電変換効率を向上させるための構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、受光面の面積をなるべく多く
確保するために、電極を受光面と反対側の裏面側に形成
した太陽電池が開発されている。特開平３−１６５５７
８号公報にもｐ+ 型シリコン（Ｓｉ）層とｎ+ 型Ｓｉ層
とが正極及び負極として交互に配設された太陽電池セル
が開示されている。図１０には、本従来例に係る太陽電
池セルの部分断面図が示される。図１０において、ｐ型
の結晶シリコン基板１０の裏面側に、ｐ+ 型Ｓｉ層１２
からなる溝と、ｎ+ 型Ｓｉ層１４からなる溝とが形成さ
れている。ｐ+ 型Ｓｉ層１２からなる溝の中には、アル
ミニウム−シリコン合金層により構成された正電極１６
が埋め込まれ、ｎ+ 型Ｓｉ層１４からなる溝の中には銀
により構成された負電極１８が埋め込まれている。
確保するために、電極を受光面と反対側の裏面側に形成
した太陽電池が開発されている。特開平３−１６５５７
８号公報にもｐ+ 型シリコン（Ｓｉ）層とｎ+ 型Ｓｉ層
とが正極及び負極として交互に配設された太陽電池セル
が開示されている。図１０には、本従来例に係る太陽電
池セルの部分断面図が示される。図１０において、ｐ型
の結晶シリコン基板１０の裏面側に、ｐ+ 型Ｓｉ層１２
からなる溝と、ｎ+ 型Ｓｉ層１４からなる溝とが形成さ
れている。ｐ+ 型Ｓｉ層１２からなる溝の中には、アル
ミニウム−シリコン合金層により構成された正電極１６
が埋め込まれ、ｎ+ 型Ｓｉ層１４からなる溝の中には銀
により構成された負電極１８が埋め込まれている。
【０００３】本従来例によれば、ｐ+ 型Ｓｉ層１２、ｎ
+ 型Ｓｉ層１４とこれらに埋め込まれた正電極１６及び
負電極１８との接触面積を増大させ、これらの間の接触
抵抗を低減できる。また、正電極１６と負電極１８の厚
みを増加させることができるので、金属固有抵抗も低減
することができる。このため、太陽電池セルの内部抵抗
を低減することができる。また、ｐ+ 型Ｓｉ層１２、ｎ
+ 型Ｓｉ層１４は、上述したように溝形状となっている
ので、この凹部と結晶シリコン基板１０の受光面との距
離が短縮され、キャリア再結合が減少することにより光
電変換効率を向上できる。
+ 型Ｓｉ層１４とこれらに埋め込まれた正電極１６及び
負電極１８との接触面積を増大させ、これらの間の接触
抵抗を低減できる。また、正電極１６と負電極１８の厚
みを増加させることができるので、金属固有抵抗も低減
することができる。このため、太陽電池セルの内部抵抗
を低減することができる。また、ｐ+ 型Ｓｉ層１２、ｎ
+ 型Ｓｉ層１４は、上述したように溝形状となっている
ので、この凹部と結晶シリコン基板１０の受光面との距
離が短縮され、キャリア再結合が減少することにより光
電変換効率を向上できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
においては、受光面の裏面側に形成された溝がＵ字形状
をしており、形成しにくいという問題があった。また、
単に裏面側に溝を形成することのみが開示されている
が、溝の大きさや配置についても最適値があると考えら
れ、この点を解明する必要がある。
においては、受光面の裏面側に形成された溝がＵ字形状
をしており、形成しにくいという問題があった。また、
単に裏面側に溝を形成することのみが開示されている
が、溝の大きさや配置についても最適値があると考えら
れ、この点を解明する必要がある。
【０００５】さらに、負電極１８として銀を使用してい
るが、ｎ+ 型Ｓｉ層との密着性、接触抵抗等を考えた場
合、チタン（Ｔｉ）を使用することが望ましい。
るが、ｎ+ 型Ｓｉ層との密着性、接触抵抗等を考えた場
合、チタン（Ｔｉ）を使用することが望ましい。
【０００６】さらに、上記従来例では正電極１６として
アルミニウム−シリコン合金が使用されているので、正
極側のバス電極にもアルミニウムが使用される。しか
し、アルミニウムははんだ付けができないので、一般に
アルミニウム上にニッケルメッキをしたうえ金メッキが
行われる。ところが、パターン形成途中でアルミニウム
の表面が酸化されるので、アルミニウム上にメッキされ
たニッケルとの密着性が十分でなく、はがれやすいとい
う問題もあった。
アルミニウム−シリコン合金が使用されているので、正
極側のバス電極にもアルミニウムが使用される。しか
し、アルミニウムははんだ付けができないので、一般に
アルミニウム上にニッケルメッキをしたうえ金メッキが
行われる。ところが、パターン形成途中でアルミニウム
の表面が酸化されるので、アルミニウム上にメッキされ
たニッケルとの密着性が十分でなく、はがれやすいとい
う問題もあった。
【０００７】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、光電変換効率が向上された構造
を有する太陽電池セルを提供することにある。
のであり、その目的は、光電変換効率が向上された構造
を有する太陽電池セルを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願の第１の発明は、結晶シリコン基板の表面側に
受光面が形成され、裏面側にｐ+ 型シリコン（Ｓｉ）層
とｎ+ 型Ｓｉ層とが交互に配設された太陽電池セルであ
って、結晶シリコン基板にｐ型Ｓｉを使用した場合に
は、ｎ+ 型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板にｎ型Ｓｉを使
用した場合には、ｐ+ 型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板の
裏面に設けられた断面三角形のＶ溝に形成されているこ
とを特徴とする。
に、本願の第１の発明は、結晶シリコン基板の表面側に
受光面が形成され、裏面側にｐ+ 型シリコン（Ｓｉ）層
とｎ+ 型Ｓｉ層とが交互に配設された太陽電池セルであ
って、結晶シリコン基板にｐ型Ｓｉを使用した場合に
は、ｎ+ 型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板にｎ型Ｓｉを使
用した場合には、ｐ+ 型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板の
裏面に設けられた断面三角形のＶ溝に形成されているこ
とを特徴とする。
【０００９】また、第２の発明は、第１の発明の太陽電
池セルにおいて、上記溝の深さが結晶シリコン基板の厚
さの５０〜９０％であり、溝のピッチが結晶シリコン基
板の厚さの５０〜１５０％であることを特徴とする。
池セルにおいて、上記溝の深さが結晶シリコン基板の厚
さの５０〜９０％であり、溝のピッチが結晶シリコン基
板の厚さの５０〜１５０％であることを特徴とする。
【００１０】また、第３の発明は、結晶シリコン基板の
表面側に受光面が形成され、裏面側にｐ+ 型Ｓｉ層とｎ
+ 型Ｓｉ層とが交互に配設された太陽電池セルであっ
て、ｎ+ 型Ｓｉ層の上部には結晶シリコン基板の受光面
側からｎ+ 型Ｓｉ層に向かって溝が形成されていること
を特徴とする。
表面側に受光面が形成され、裏面側にｐ+ 型Ｓｉ層とｎ
+ 型Ｓｉ層とが交互に配設された太陽電池セルであっ
て、ｎ+ 型Ｓｉ層の上部には結晶シリコン基板の受光面
側からｎ+ 型Ｓｉ層に向かって溝が形成されていること
を特徴とする。
【００１１】また、第４の発明は、第１の発明から第３
の発明のいずれかの太陽電池セルにおいて、正極側バス
電極としてアルミニウムをパターニングした上にチタ
ン、パラジウム、銀の各層をこの順に積層したことを特
徴とする。
の発明のいずれかの太陽電池セルにおいて、正極側バス
電極としてアルミニウムをパターニングした上にチタ
ン、パラジウム、銀の各層をこの順に積層したことを特
徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１３】実施形態１．図１には本発明に係る太陽電
池セルの実施形態１の断面図が示される。図１におい
て、結晶シリコン基板１０の受光面側には光の封じ込め
を改善し、光電変換効率を向上させるためのテクスチャ
ー構造２０が形成されている。また、このテクスチャー
構造２０が形成された受光面と反対側の裏面側には、ｐ
+ 型Ｓｉ層１２及びｎ+ 型Ｓｉ層１４が交互に設けられ
ている。
池セルの実施形態１の断面図が示される。図１におい
て、結晶シリコン基板１０の受光面側には光の封じ込め
を改善し、光電変換効率を向上させるためのテクスチャ
ー構造２０が形成されている。また、このテクスチャー
構造２０が形成された受光面と反対側の裏面側には、ｐ
+ 型Ｓｉ層１２及びｎ+ 型Ｓｉ層１４が交互に設けられ
ている。
【００１４】図１に示されるように、ｐ+ 型Ｓｉ層１２
に対応して、正電極１６としてのアルミニウム層が形成
されている。また、ｎ+ 型Ｓｉ層１４に対応して、負電
極１８としての金属層が形成されている。本実施形態の
場合、ｎ+ 型Ｓｉ層１４は断面が三角形のＶ溝に形成さ
れており、このＶ溝の内面に上記負電極１８が形成され
ている。この負電極１８としての金属層は、例えばチタ
ン、パラジウム、銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの
順に積層したものが用いられる。
に対応して、正電極１６としてのアルミニウム層が形成
されている。また、ｎ+ 型Ｓｉ層１４に対応して、負電
極１８としての金属層が形成されている。本実施形態の
場合、ｎ+ 型Ｓｉ層１４は断面が三角形のＶ溝に形成さ
れており、このＶ溝の内面に上記負電極１８が形成され
ている。この負電極１８としての金属層は、例えばチタ
ン、パラジウム、銀（Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ）の各層をこの
順に積層したものが用いられる。
【００１５】チタンは、ｎ+ 型Ｓｉ層との密着性が高
く、また接触抵抗が低いうえ金属元素がｎ+ 型Ｓｉ層を
突き抜けるいわゆるスパイク現象が生じない金属として
知られている。また、銀ははんだ付け特性が良好な金属
として知られている。パラジウムはこのチタン及び銀の
双方との密着性が良好であり、一種の接着剤として機能
している。チタン、パラジウム、銀の組み合わせと同様
の機能を有し、負電極１８として使用可能な金属の組み
合わせとしては、他にチタン、ニッケル、パラジウム
（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）あるいはチタン、ニッケル、金
（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）等が考えられる。
く、また接触抵抗が低いうえ金属元素がｎ+ 型Ｓｉ層を
突き抜けるいわゆるスパイク現象が生じない金属として
知られている。また、銀ははんだ付け特性が良好な金属
として知られている。パラジウムはこのチタン及び銀の
双方との密着性が良好であり、一種の接着剤として機能
している。チタン、パラジウム、銀の組み合わせと同様
の機能を有し、負電極１８として使用可能な金属の組み
合わせとしては、他にチタン、ニッケル、パラジウム
（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）あるいはチタン、ニッケル、金
（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ）等が考えられる。
【００１６】上述したように、本実施形態においては、
負電極１８が断面三角形のＶ溝に形成されている。この
点で前述した従来例のように正電極１６、負電極１８の
両方が溝に形成されているものと異なる。本実施形態で
は、溝の中に形成される電極は負電極１８のみとなり、
溝の数が減る分だけ形成が容易となる。また、溝が少な
い分だけ結晶シリコン基板１０の強度の低下も防ぐこと
ができる。さらに、形成される溝の形状もＶ型なので、
従来例に示されたＵ字状の溝よりも更に形成が容易とな
っている。
負電極１８が断面三角形のＶ溝に形成されている。この
点で前述した従来例のように正電極１６、負電極１８の
両方が溝に形成されているものと異なる。本実施形態で
は、溝の中に形成される電極は負電極１８のみとなり、
溝の数が減る分だけ形成が容易となる。また、溝が少な
い分だけ結晶シリコン基板１０の強度の低下も防ぐこと
ができる。さらに、形成される溝の形状もＶ型なので、
従来例に示されたＵ字状の溝よりも更に形成が容易とな
っている。
【００１７】本実施形態では、結晶シリコン基板１０と
してｐ型Ｓｉが使用されており、かかる基板の少数キャ
リアを受ける電極である負電極１８がＶ溝形状とされて
いる。これにより、受光面と負電極１８との距離が短く
なって、少数キャリアである電子の平均移動距離を大幅
に低減することができる。電子の平均移動距離が低減し
た場合、結晶シリコン基板１０中でのオージェ再結合に
よるキャリアの損失を低減させることができ、太陽電池
セルの光電変換効率を向上させることができる。
してｐ型Ｓｉが使用されており、かかる基板の少数キャ
リアを受ける電極である負電極１８がＶ溝形状とされて
いる。これにより、受光面と負電極１８との距離が短く
なって、少数キャリアである電子の平均移動距離を大幅
に低減することができる。電子の平均移動距離が低減し
た場合、結晶シリコン基板１０中でのオージェ再結合に
よるキャリアの損失を低減させることができ、太陽電池
セルの光電変換効率を向上させることができる。
【００１８】また、負電極１８をＶ溝形状とすることに
より、負電極１８の面積自体も増加させることができ、
その分だけ正電極１６を形成する面積にも余裕がでるの
で、正電極１６及び負電極１８とも面積の増加を図るこ
とができる。これにより、電極における抵抗を低減させ
ることができる。
より、負電極１８の面積自体も増加させることができ、
その分だけ正電極１６を形成する面積にも余裕がでるの
で、正電極１６及び負電極１８とも面積の増加を図るこ
とができる。これにより、電極における抵抗を低減させ
ることができる。
【００１９】このように、少数キャリアである電子の平
均移動距離を低減させ、合わせて電極面積を増加させる
ためには、Ｖ溝の深さが深い方がよいが、深くなりすぎ
ると結晶シリコン基板１０の強度が低下し、割れの発生
につながるので、所定の上限が存在する。
均移動距離を低減させ、合わせて電極面積を増加させる
ためには、Ｖ溝の深さが深い方がよいが、深くなりすぎ
ると結晶シリコン基板１０の強度が低下し、割れの発生
につながるので、所定の上限が存在する。
【００２０】また、少数キャリアである電子の移動距離
を減少させるためには、Ｖ溝間のピッチを減らすことも
有効である。しかし、ピッチを減らしていくと、正電極
１６の面積が低下し、取り出せる電力が減少するので、
ピッチについても最適値が存在する。
を減少させるためには、Ｖ溝間のピッチを減らすことも
有効である。しかし、ピッチを減らしていくと、正電極
１６の面積が低下し、取り出せる電力が減少するので、
ピッチについても最適値が存在する。
【００２１】以上のように、Ｖ溝の深さとピッチとには
それぞれ最適値が存在するが、これらを適宜に制御する
ことにより、太陽電池セルの光電変換効率を向上させる
ことができると考えられる。そこで、深さとピッチとを
変えた結晶シリコン基板１０を複数製作し、それぞれに
ついての短絡電流密度を測定した。図２には、Ｖ溝の深
さと短絡電流密度との関係が示され、図３には、Ｖ溝の
ピッチと短絡電流密度及びフィルファクター（ｆｆ）と
の関係が示される。ここでフィルファクター（ｆｆ）と
は、太陽電池セルの実際の最大出力を理論上の最大出力
である短絡電流と開放電圧との積で割ったものである。
これにより太陽電池セルの発電能力を評価することがで
きる。なお、図２及び図３に示された太陽電池セルの能
力の評価は、短絡電流密度が非集光状態、フィルファク
ターが５０倍集光状態でそれぞれ行った。
それぞれ最適値が存在するが、これらを適宜に制御する
ことにより、太陽電池セルの光電変換効率を向上させる
ことができると考えられる。そこで、深さとピッチとを
変えた結晶シリコン基板１０を複数製作し、それぞれに
ついての短絡電流密度を測定した。図２には、Ｖ溝の深
さと短絡電流密度との関係が示され、図３には、Ｖ溝の
ピッチと短絡電流密度及びフィルファクター（ｆｆ）と
の関係が示される。ここでフィルファクター（ｆｆ）と
は、太陽電池セルの実際の最大出力を理論上の最大出力
である短絡電流と開放電圧との積で割ったものである。
これにより太陽電池セルの発電能力を評価することがで
きる。なお、図２及び図３に示された太陽電池セルの能
力の評価は、短絡電流密度が非集光状態、フィルファク
ターが５０倍集光状態でそれぞれ行った。
【００２２】図２において、横軸には、Ｖ溝の深さと結
晶シリコン基板１０の厚さとの割合が示されている。こ
れは図３においても同様である。図２に示されるよう
に、Ｖ溝の深さが結晶シリコン基板１０の厚さの５０〜
９０％の間で縦軸に示された短絡電流密度が向上してい
る。すなわち、横軸で５０％未満の場合には、短絡電流
密度が３５ｍＡ／ｃｍ2 程度であったのに対し、５０％
を超えると約３ｍＡ／ｃｍ2 増加して３７．５〜３８．
３ｍＡ／ｃｍ2 となっている。ただし、横軸で６０％を
超えた場合には、ほぼ短絡電流密度の増加効果は飽和し
ている。また、９０％を超えると、結晶シリコン基板１
０に割れが生じ、太陽電池セルを形成できない基板が増
加し、歩留まりの低下が見られた。以上の結果から、Ｖ
溝の深さとしては、結晶シリコン基板１０の厚さの５０
〜９０％の範囲が望ましいと考えられる。なお、Ｖ溝の
ピッチとしては、結晶シリコン基板１０の厚さの１００
％のものを使用した。
晶シリコン基板１０の厚さとの割合が示されている。こ
れは図３においても同様である。図２に示されるよう
に、Ｖ溝の深さが結晶シリコン基板１０の厚さの５０〜
９０％の間で縦軸に示された短絡電流密度が向上してい
る。すなわち、横軸で５０％未満の場合には、短絡電流
密度が３５ｍＡ／ｃｍ2 程度であったのに対し、５０％
を超えると約３ｍＡ／ｃｍ2 増加して３７．５〜３８．
３ｍＡ／ｃｍ2 となっている。ただし、横軸で６０％を
超えた場合には、ほぼ短絡電流密度の増加効果は飽和し
ている。また、９０％を超えると、結晶シリコン基板１
０に割れが生じ、太陽電池セルを形成できない基板が増
加し、歩留まりの低下が見られた。以上の結果から、Ｖ
溝の深さとしては、結晶シリコン基板１０の厚さの５０
〜９０％の範囲が望ましいと考えられる。なお、Ｖ溝の
ピッチとしては、結晶シリコン基板１０の厚さの１００
％のものを使用した。
【００２３】次に、図３に示されるように、Ｖ溝のピッ
チが結晶シリコン基板１０の厚さに対して大きくなるほ
ど図の○印で示された短絡電流密度が低下していく。特
に、１５０％を超えたところで急激に低下している。な
お、この場合のＶ溝の深さとしては結晶シリコン基板１
０の厚さの６０％のものを使用した。
チが結晶シリコン基板１０の厚さに対して大きくなるほ
ど図の○印で示された短絡電流密度が低下していく。特
に、１５０％を超えたところで急激に低下している。な
お、この場合のＶ溝の深さとしては結晶シリコン基板１
０の厚さの６０％のものを使用した。
【００２４】他方、図の△印で示されたフィルファクタ
ーは、Ｖ溝のピッチが増加すると共に増加しており、特
に結晶シリコン基板１０の厚さに対して５０％を超えた
ところで大きくなっている。これは、上述したように、
ピッチを小さくすると正電極１６の面積が小さくなるの
で、その分フィルファクターが低下すると考えられる。
正電極１６の面積が小さくなることにより、抵抗が増大
するからである。また、ピッチが１５０％より大きくな
った場合には、結晶シリコン基板１０の中の少数キャリ
アである電子の平均移動距離が増大し、短絡電流密度の
低下となってあらわれている。以上の結果より、Ｖ溝の
ピッチとしては、５０〜１５０％の範囲が適当であると
考えられる。
ーは、Ｖ溝のピッチが増加すると共に増加しており、特
に結晶シリコン基板１０の厚さに対して５０％を超えた
ところで大きくなっている。これは、上述したように、
ピッチを小さくすると正電極１６の面積が小さくなるの
で、その分フィルファクターが低下すると考えられる。
正電極１６の面積が小さくなることにより、抵抗が増大
するからである。また、ピッチが１５０％より大きくな
った場合には、結晶シリコン基板１０の中の少数キャリ
アである電子の平均移動距離が増大し、短絡電流密度の
低下となってあらわれている。以上の結果より、Ｖ溝の
ピッチとしては、５０〜１５０％の範囲が適当であると
考えられる。
【００２５】なお、以上に述べた実施形態１において
は、結晶シリコン基板１０としてｐ型Ｓｉを使用した場
合を説明しているが、ｎ型Ｓｉも当然使用可能である。
この場合には、正電極１６が形成されるｐ+ 型Ｓｉ層１
２がＶ溝に形成されることになる。すなわち、使用した
結晶シリコン基板１０の中で少数キャリアを受け取る電
極をＶ溝形状に形成することになる。
は、結晶シリコン基板１０としてｐ型Ｓｉを使用した場
合を説明しているが、ｎ型Ｓｉも当然使用可能である。
この場合には、正電極１６が形成されるｐ+ 型Ｓｉ層１
２がＶ溝に形成されることになる。すなわち、使用した
結晶シリコン基板１０の中で少数キャリアを受け取る電
極をＶ溝形状に形成することになる。
【００２６】次に、本実施形態に係る太陽電池セルの電
極形成方法について説明する。
極形成方法について説明する。
【００２７】上述したように、本実施形態の負電極１８
には、例えばチタン、パラジウム、銀が使用される。こ
れは、チタンとｎ+ 型Ｓｉ層１４との密着性が高い等の
理由によるが、チタンは適当なエッチング液が知られて
いない。このため、結晶シリコン基板１０の所定位置に
チタン層を形成するためには、一般にリフトオフ法が使
用される。リフトオフ法は図４に部分断面図として示さ
れるように、チタン層が形成されない部分、例えば正電
極１６の上にレジスト２２を塗布し、レジスト２２が塗
布されている部分及び塗布されていない部分のすべてに
わたってチタンパラジウム銀層２４を蒸着する。次に、
エッチング液によりレジスト２２と共に不要部分のチタ
ンパラジウム銀層２４を除去し、所定部分にチタンパラ
ジウム銀層２４を残し、例えば負電極１８を形成する。
には、例えばチタン、パラジウム、銀が使用される。こ
れは、チタンとｎ+ 型Ｓｉ層１４との密着性が高い等の
理由によるが、チタンは適当なエッチング液が知られて
いない。このため、結晶シリコン基板１０の所定位置に
チタン層を形成するためには、一般にリフトオフ法が使
用される。リフトオフ法は図４に部分断面図として示さ
れるように、チタン層が形成されない部分、例えば正電
極１６の上にレジスト２２を塗布し、レジスト２２が塗
布されている部分及び塗布されていない部分のすべてに
わたってチタンパラジウム銀層２４を蒸着する。次に、
エッチング液によりレジスト２２と共に不要部分のチタ
ンパラジウム銀層２４を除去し、所定部分にチタンパラ
ジウム銀層２４を残し、例えば負電極１８を形成する。
【００２８】しかし、このような従来のリフトオフ法
は、結晶シリコン基板１０のフラットな面において行わ
れるので、レジスト２２の剥離液が、レジスト２２中へ
充分に浸透せず、一部でチタンパラジウム銀層２４が不
要な部分に残ってしまうという問題がある。このため、
正電極１６及び負電極１８の短絡が生じるおそれもあ
る。
は、結晶シリコン基板１０のフラットな面において行わ
れるので、レジスト２２の剥離液が、レジスト２２中へ
充分に浸透せず、一部でチタンパラジウム銀層２４が不
要な部分に残ってしまうという問題がある。このため、
正電極１６及び負電極１８の短絡が生じるおそれもあ
る。
【００２９】一方、図５に部分断面図として示される本
実施形態の方法においては、ｎ+ 型Ｓｉ層１４がＶ溝に
形成されているので、レジスト２２へ剥離液が充分浸透
し、正電極１６上のチタンパラジウム銀層２４を完全に
剥離することができる。これにより、正電極１６と負電
極１８との短絡を完全に防止することができる。
実施形態の方法においては、ｎ+ 型Ｓｉ層１４がＶ溝に
形成されているので、レジスト２２へ剥離液が充分浸透
し、正電極１６上のチタンパラジウム銀層２４を完全に
剥離することができる。これにより、正電極１６と負電
極１８との短絡を完全に防止することができる。
【００３０】実施形態２．図６には、本発明に係る太陽
電池セルの実施形態２の部分断面図が示される。図６に
おいて特徴的な点は、テクスチャー構造２０が形成され
た受光面側からｎ+ 型Ｓｉ層１４に向かって断面三角形
のＶ溝が形成されている点にある。これにより、短絡電
流密度の向上を図っている。
電池セルの実施形態２の部分断面図が示される。図６に
おいて特徴的な点は、テクスチャー構造２０が形成され
た受光面側からｎ+ 型Ｓｉ層１４に向かって断面三角形
のＶ溝が形成されている点にある。これにより、短絡電
流密度の向上を図っている。
【００３１】本実施形態においても、実施形態１と同様
にＶ溝の深さには最適範囲があり、基板の厚みに対して
５０〜９０％程度が好適である。これは、前述したよう
に、短絡電流密度の向上と基板の強度維持の両方を満足
させるためである。Ｖ溝を形成すると、結晶シリコン基
板１０の少数キャリアの平均移動距離が短くなるため、
少数キャリアの再結合による消滅が減少する。従って、
短絡電流密度の向上にはＶ溝の形成が効果的である。し
かし、Ｖ溝の溝幅を大きく取ると、これに対応してｎ+
型Ｓｉ層１４の幅も大きくする必要があるので、ｐ+ 型
Ｓｉ層１２の幅が減少し、正電極１６の面積が小さくな
ってここでの電気抵抗が増大するという問題がある。こ
のため、フィルファクター（ｆｆ）がＶ溝の溝幅の増加
とともに低下していく。
にＶ溝の深さには最適範囲があり、基板の厚みに対して
５０〜９０％程度が好適である。これは、前述したよう
に、短絡電流密度の向上と基板の強度維持の両方を満足
させるためである。Ｖ溝を形成すると、結晶シリコン基
板１０の少数キャリアの平均移動距離が短くなるため、
少数キャリアの再結合による消滅が減少する。従って、
短絡電流密度の向上にはＶ溝の形成が効果的である。し
かし、Ｖ溝の溝幅を大きく取ると、これに対応してｎ+
型Ｓｉ層１４の幅も大きくする必要があるので、ｐ+ 型
Ｓｉ層１２の幅が減少し、正電極１６の面積が小さくな
ってここでの電気抵抗が増大するという問題がある。こ
のため、フィルファクター（ｆｆ）がＶ溝の溝幅の増加
とともに低下していく。
【００３２】例えば、Ｖ溝をまったく形成しない場合の
短絡電流密度は、非集光時で３５．０ｍＡ／ｃｍ2 であ
ったのに対し、Ｖ溝の溝幅Ｌｖを３０μｍとし、２つの
Ｖ溝の間のフラット面の幅Ｌｆも３０μｍとした場合に
は、短絡電流密度が３６．８ｍＡ／ｃｍ2 まで増加し
た。他方、５０倍集光時におけるフィルファクターは、
フラット面の幅Ｌｆが３０μｍ以上では０．７６であっ
たのに対し２０μｍでは０．７１、１０μｍでは０．７
０、０では０．６８であった。以上より、太陽電池セル
の受光面におけるフラット面の幅Ｌｆとしては、３０〜
５０μｍ程度とするのが好適であると考えられる。
短絡電流密度は、非集光時で３５．０ｍＡ／ｃｍ2 であ
ったのに対し、Ｖ溝の溝幅Ｌｖを３０μｍとし、２つの
Ｖ溝の間のフラット面の幅Ｌｆも３０μｍとした場合に
は、短絡電流密度が３６．８ｍＡ／ｃｍ2 まで増加し
た。他方、５０倍集光時におけるフィルファクターは、
フラット面の幅Ｌｆが３０μｍ以上では０．７６であっ
たのに対し２０μｍでは０．７１、１０μｍでは０．７
０、０では０．６８であった。以上より、太陽電池セル
の受光面におけるフラット面の幅Ｌｆとしては、３０〜
５０μｍ程度とするのが好適であると考えられる。
【００３３】なお、本実施形態においては、図６に示さ
れるように、正電極１６及び負電極１８がいずれも受光
面の反対側の裏面側にフラットな形状で形成されてい
る。従って、リフトオフ法による電極形成が困難である
ので、各電極にはアルミニウムが使用される。この場
合、負極側であるｎ+ 型Ｓｉ層においてスパイク現象が
発生することを防止するため、焼成温度を４５０℃以下
に抑える必要がある。このため、負電極１８にチタン、
パラジウム、銀を使用した場合に比べて引っ張り強度と
して評価した密着性が３０〜７０％程度に低下する。従
って本実施形態に係る太陽電池セルは、使用中の温度変
化が５０℃以内の比較的均一な温度で使用される場合に
特に好適である。
れるように、正電極１６及び負電極１８がいずれも受光
面の反対側の裏面側にフラットな形状で形成されてい
る。従って、リフトオフ法による電極形成が困難である
ので、各電極にはアルミニウムが使用される。この場
合、負極側であるｎ+ 型Ｓｉ層においてスパイク現象が
発生することを防止するため、焼成温度を４５０℃以下
に抑える必要がある。このため、負電極１８にチタン、
パラジウム、銀を使用した場合に比べて引っ張り強度と
して評価した密着性が３０〜７０％程度に低下する。従
って本実施形態に係る太陽電池セルは、使用中の温度変
化が５０℃以内の比較的均一な温度で使用される場合に
特に好適である。
【００３４】また、上記説明では、溝形状をＶ字状とし
ているが、必ずしもこの形状に限定されるものではな
い。例えば、Ｕ字状であってもよい。
ているが、必ずしもこの形状に限定されるものではな
い。例えば、Ｕ字状であってもよい。
【００３５】実施形態３．図７には、本発明に係る太陽
電池セルの裏面側の部分的な平面図が示される。実施形
態１でも述べたように、正電極１６としてはアルミニウ
ムが使用されているので、正極側バス電極２６もこのア
ルミニウムを延長して形成されている。アルミニウム
は、はんだ付けができないので、はんだ付けを可能とす
るためにアルミニウム上にＮｉメッキした後さらにＡｕ
メッキされるのが一般的である。しかし、アルミニウム
を成膜した後にパターン形成工程においてアルミニウム
の表面が酸化され、Ｎｉメッキが充分な密着性を確保で
きないという問題がある。太陽電池セルは、使用中は冷
却水で冷却しながら発電を行い、夜間には発電を行わな
いので冷却水を停止しているが、一日の温度差は最大で
６０〜７０℃程度に達する。このような温度変化に耐え
るための密着力としては、１００〜２００Ｎ／ｃｍ2 程
度の引っ張り強度が必要であるが、上述したＮｉメッキ
の場合には５０Ｎ／ｃｍ2 程度の密着力しか得ることが
できない。
電池セルの裏面側の部分的な平面図が示される。実施形
態１でも述べたように、正電極１６としてはアルミニウ
ムが使用されているので、正極側バス電極２６もこのア
ルミニウムを延長して形成されている。アルミニウム
は、はんだ付けができないので、はんだ付けを可能とす
るためにアルミニウム上にＮｉメッキした後さらにＡｕ
メッキされるのが一般的である。しかし、アルミニウム
を成膜した後にパターン形成工程においてアルミニウム
の表面が酸化され、Ｎｉメッキが充分な密着性を確保で
きないという問題がある。太陽電池セルは、使用中は冷
却水で冷却しながら発電を行い、夜間には発電を行わな
いので冷却水を停止しているが、一日の温度差は最大で
６０〜７０℃程度に達する。このような温度変化に耐え
るための密着力としては、１００〜２００Ｎ／ｃｍ2 程
度の引っ張り強度が必要であるが、上述したＮｉメッキ
の場合には５０Ｎ／ｃｍ2 程度の密着力しか得ることが
できない。
【００３６】そこで、本実施形態においては、バス電極
２６においてアルミニウムの上にチタン、パラジウム、
銀の各層をこの順に積層し、結晶シリコン基板１０との
密着性を確保するとともに、バス電極としてのアルミニ
ウムとの接触抵抗も低下させることを実現している。す
なわち、図７に示されるように、正極側バス電極２６の
アルミニウムに矩形状の角穴２８をあける。この角穴２
８は、正極側バス電極２６が幅Ｗ＝５ｍｍ、長さｌ＝
０．５〜１ｍｍ程度とした場合に、一辺が５０μｍ程度
の正方形とされる。この角穴２８は、結晶シリコン基板
１０に達するまで、すなわちアルミニウムを貫通してあ
けられている。
２６においてアルミニウムの上にチタン、パラジウム、
銀の各層をこの順に積層し、結晶シリコン基板１０との
密着性を確保するとともに、バス電極としてのアルミニ
ウムとの接触抵抗も低下させることを実現している。す
なわち、図７に示されるように、正極側バス電極２６の
アルミニウムに矩形状の角穴２８をあける。この角穴２
８は、正極側バス電極２６が幅Ｗ＝５ｍｍ、長さｌ＝
０．５〜１ｍｍ程度とした場合に、一辺が５０μｍ程度
の正方形とされる。この角穴２８は、結晶シリコン基板
１０に達するまで、すなわちアルミニウムを貫通してあ
けられている。
【００３７】このように角穴２８が形成されたアルミニ
ウムの上に、上述したチタンパラジウム銀層２４を形成
する。これにより、チタンパラジウム銀層２４のチタン
が角穴２８を介して結晶シリコン基板１０まで達する。
シリコンとチタンとは密着性が高いので、引っ張り強度
として１８０〜２２０Ｎ／ｃｍ2 程度の密着力を得るこ
とができている。さらに、正極側バス電極２６にチタン
パラジウム銀層２４を形成するのは、負電極１８として
チタンパラジウム銀層２４を形成する際に同時に形成す
る。本実施形態では、負電極１８にアルミニウムを使用
していないので、パターン形成後の焼成温度を高くして
もいわゆるスパイク現象が生じることがない。このた
め、焼成温度を６００〜７００℃まで上げ、アルミニウ
ムとチタンとの密着性を高め、その接触抵抗を０．０３
〜０．２０Ωｃｍ2 まで低減することができる。
ウムの上に、上述したチタンパラジウム銀層２４を形成
する。これにより、チタンパラジウム銀層２４のチタン
が角穴２８を介して結晶シリコン基板１０まで達する。
シリコンとチタンとは密着性が高いので、引っ張り強度
として１８０〜２２０Ｎ／ｃｍ2 程度の密着力を得るこ
とができている。さらに、正極側バス電極２６にチタン
パラジウム銀層２４を形成するのは、負電極１８として
チタンパラジウム銀層２４を形成する際に同時に形成す
る。本実施形態では、負電極１８にアルミニウムを使用
していないので、パターン形成後の焼成温度を高くして
もいわゆるスパイク現象が生じることがない。このた
め、焼成温度を６００〜７００℃まで上げ、アルミニウ
ムとチタンとの密着性を高め、その接触抵抗を０．０３
〜０．２０Ωｃｍ2 まで低減することができる。
【００３８】図８には、図７のVIII−VIII断面によって
本実施形態に係る太陽電池セルを作成する手順が示され
る。図８（ａ）において、結晶シリコン基板１０の受光
面にテクスチャー構造２０が形成され、裏面側にＶ溝形
状のｎ+ 型Ｓｉ層１４及びフラット形状のｐ+ 型Ｓｉ層
１２がそれぞれ形成されている。この場合、ｎ+ 型Ｓｉ
層１４はリンの拡散によって形成される。またｐ+ 型Ｓ
ｉ層１２は、ボロンの拡散によって形成される。しか
し、後の工程でアルミニウムの拡散が行われるので、こ
の時点では必ずしもｐ+ 型Ｓｉ層１２を形成しておく必
要はない。
本実施形態に係る太陽電池セルを作成する手順が示され
る。図８（ａ）において、結晶シリコン基板１０の受光
面にテクスチャー構造２０が形成され、裏面側にＶ溝形
状のｎ+ 型Ｓｉ層１４及びフラット形状のｐ+ 型Ｓｉ層
１２がそれぞれ形成されている。この場合、ｎ+ 型Ｓｉ
層１４はリンの拡散によって形成される。またｐ+ 型Ｓ
ｉ層１２は、ボロンの拡散によって形成される。しか
し、後の工程でアルミニウムの拡散が行われるので、こ
の時点では必ずしもｐ+ 型Ｓｉ層１２を形成しておく必
要はない。
【００３９】図８（ｂ）において、結晶シリコン基板１
０の裏面側全面にアルミニウム膜３０が蒸着される。次
にフォトリソグラフィー法によりネガタイプのレジスト
を使用しパターン形成が行われる。この段階で図８
（ｃ）に示されるように、所定部分以外のアルミニウム
がリン酸によってエッチングされ、正電極１６及び正極
側バス電極２６が形成される。正極側バス電極２６に
は、角穴２８があけられている。この角穴は結晶シリコ
ン基板１０に達するまであけられている。
０の裏面側全面にアルミニウム膜３０が蒸着される。次
にフォトリソグラフィー法によりネガタイプのレジスト
を使用しパターン形成が行われる。この段階で図８
（ｃ）に示されるように、所定部分以外のアルミニウム
がリン酸によってエッチングされ、正電極１６及び正極
側バス電極２６が形成される。正極側バス電極２６に
は、角穴２８があけられている。この角穴は結晶シリコ
ン基板１０に達するまであけられている。
【００４０】次にレジストを剥離した後、ｐ+ 型Ｓｉ層
を形成するために６００〜７００℃でＦＧＡアニールが
行われる。このＦＧＡアニールは、Ｎ2 ９０％、Ｈ2 １
０％の混合ガスによって行われる。さらに、図８（ｄ）
に示されるように、リフトオフ法によりＶ溝中にチタ
ン、パラジウム、銀からなる負電極１８が形成される。
また、正極側バス電極２６のアルミニウムの上にもチタ
ンパラジウム銀層２４が形成される。このリフトオフ法
は実施形態１で述べたとおりに行われる。この場合、チ
タン層の厚さが２０００オングストローム、パラジウム
層が１０００オングストローム、銀層が２μｍ〜３μｍ
となっている。
を形成するために６００〜７００℃でＦＧＡアニールが
行われる。このＦＧＡアニールは、Ｎ2 ９０％、Ｈ2 １
０％の混合ガスによって行われる。さらに、図８（ｄ）
に示されるように、リフトオフ法によりＶ溝中にチタ
ン、パラジウム、銀からなる負電極１８が形成される。
また、正極側バス電極２６のアルミニウムの上にもチタ
ンパラジウム銀層２４が形成される。このリフトオフ法
は実施形態１で述べたとおりに行われる。この場合、チ
タン層の厚さが２０００オングストローム、パラジウム
層が１０００オングストローム、銀層が２μｍ〜３μｍ
となっている。
【００４１】以上により本実施形態に係る太陽電池セル
が完成する。なお、本実施形態に係る太陽電池セルに
は、セル強度を向上させるための土手状の補強部３２を
セル周囲に形成することも好適である。
が完成する。なお、本実施形態に係る太陽電池セルに
は、セル強度を向上させるための土手状の補強部３２を
セル周囲に形成することも好適である。
【００４２】図９には、本実施形態に係る太陽電池セル
の変形例の部分的な平面図が示されている。この場合も
結晶シリコン基板１０の裏面側が示されている。図９に
おいて、正電極１６を構成するアルミニウム層が負電極
１８が形成されていない領域まで延長されており、この
延長部分の上にチタンパラジウム銀層２４が形成されて
いる。この場合、図７に示されるように角穴２８をあけ
なくても、チタンパラジウム銀層２４がアルミニウム層
よりも広い領域に形成されているので、アルミニウム層
が形成されず直接結晶シリコン基板１０が露出している
領域では、チタンパラジウム銀層２４が結晶シリコン基
板１０と直接密着することになる。上述したようにチタ
ンは結晶シリコン基板１０との密着性が高いため、本変
形例のような構成としても充分高い密着力を確保するこ
とができる。
の変形例の部分的な平面図が示されている。この場合も
結晶シリコン基板１０の裏面側が示されている。図９に
おいて、正電極１６を構成するアルミニウム層が負電極
１８が形成されていない領域まで延長されており、この
延長部分の上にチタンパラジウム銀層２４が形成されて
いる。この場合、図７に示されるように角穴２８をあけ
なくても、チタンパラジウム銀層２４がアルミニウム層
よりも広い領域に形成されているので、アルミニウム層
が形成されず直接結晶シリコン基板１０が露出している
領域では、チタンパラジウム銀層２４が結晶シリコン基
板１０と直接密着することになる。上述したようにチタ
ンは結晶シリコン基板１０との密着性が高いため、本変
形例のような構成としても充分高い密着力を確保するこ
とができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶シリコン基板上に形成されたＶ溝により、少数キャ
リアの平均移動距離が短くでき、更に各Ｖ溝に遮られて
少数キャリアの拡散が防止されるので、キャリア再結合
が大幅に低減され、このため光電変換効率を向上させる
ことができる。
結晶シリコン基板上に形成されたＶ溝により、少数キャ
リアの平均移動距離が短くでき、更に各Ｖ溝に遮られて
少数キャリアの拡散が防止されるので、キャリア再結合
が大幅に低減され、このため光電変換効率を向上させる
ことができる。
【００４４】またＶ溝は断面矩形状あるいはＵ字状の溝
よりも作成が容易であり、太陽電池セルの作成コストを
低減することができる。さらに、Ｖ溝を形成することに
より、ここに形成される電極の面積が増加するので、電
極における抵抗を低減することもできる。
よりも作成が容易であり、太陽電池セルの作成コストを
低減することができる。さらに、Ｖ溝を形成することに
より、ここに形成される電極の面積が増加するので、電
極における抵抗を低減することもできる。
【図１】 本発明に係る太陽電池セルの実施形態１の断
面図である。
面図である。
【図２】 Ｖ溝の深さと短絡電流密度との関係を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図３】 Ｖ溝のピッチと短絡電流密度及びフィルファ
クターとの関係を示すグラフ図である。
クターとの関係を示すグラフ図である。
【図４】 従来におけるリフトオフ法の説明図である。
【図５】 図１に示される実施形態１の太陽電池セルを
作成するためのリフトオフ法の説明図である。
作成するためのリフトオフ法の説明図である。
【図６】 本発明に係る太陽電池セルの実施形態２の部
分断面図である。
分断面図である。
【図７】 本発明に係る太陽電池セルの実施形態３の部
分平面図である。
分平面図である。
【図８】 図７に示された実施形態３の太陽電池セルの
作成方法を示す説明図である。
作成方法を示す説明図である。
【図９】 本発明に係る太陽電池セルの実施形態３の変
形例を示す部分平面図である。
形例を示す部分平面図である。
【図１０】 従来における裏面側に溝の形成された太陽
電池セルの部分断面図である。
電池セルの部分断面図である。
１０ 結晶シリコン基板、１２ ｐ+ 型Ｓｉ層、１４
ｎ+ 型Ｓｉ層、１６正電極、１８ 負電極、２０ テク
スチャー構造、２２ レジスト、２４ チタンパラジウ
ム銀層、２６ 正極側バス電極、２８ 角穴、３０ ア
ルミニウム膜、３２ 補強部。
ｎ+ 型Ｓｉ層、１６正電極、１８ 負電極、２０ テク
スチャー構造、２２ レジスト、２４ チタンパラジウ
ム銀層、２６ 正極側バス電極、２８ 角穴、３０ ア
ルミニウム膜、３２ 補強部。
フロントページの続き (72)発明者 長島 知理 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 結晶シリコン基板の表面側に受光面が形
成され、裏面側にｐ+ 型シリコン（Ｓｉ）層とｎ+ 型Ｓ
ｉ層とが交互に配設された太陽電池セルであって、結晶
シリコン基板にｐ型Ｓｉを使用した場合には、前記ｎ+
型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板にｎ型Ｓｉを使用した場
合には、前記ｐ+ 型Ｓｉ層が、結晶シリコン基板の裏面
に設けられた断面三角形のＶ溝に形成されていることを
特徴とする太陽電池セル。 - 【請求項２】 請求項１記載の太陽電池セルにおいて、
前記溝の深さが結晶シリコン基板の厚さの５０〜９０％
であり、前記溝のピッチが結晶シリコン基板の厚さの５
０〜１５０％であることを特徴とする太陽電池セル。 - 【請求項３】 結晶シリコン基板の表面側に受光面が形
成され、裏面側にｐ+ 型Ｓｉ層とｎ+ 型Ｓｉ層とが交互
に配設された太陽電池セルであって、前記ｎ+ 型Ｓｉ層
の上部には結晶シリコン基板の受光面側から前記ｎ+ 型
Ｓｉ層に向かって溝が形成されていることを特徴とする
太陽電池セル。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれか一項記
載の太陽電池セルにおいて、正極側バス電極としてアル
ミニウムをパターニングした上にチタン、パラジウム、
銀の各層をこの順に積層したことを特徴とする太陽電池
セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03006897A JP3209130B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 太陽電池セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03006897A JP3209130B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 太陽電池セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229210A true JPH10229210A (ja) | 1998-08-25 |
| JP3209130B2 JP3209130B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=12293505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03006897A Expired - Fee Related JP3209130B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 太陽電池セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209130B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330517A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Hitachi Cable Ltd | 太陽電池，及び太陽電池モジュール |
| JP2001267602A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Citizen Watch Co Ltd | 太陽電池付き電子機器及び太陽電池モジュール |
| JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
| JP2006523025A (ja) * | 2003-04-10 | 2006-10-05 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法 |
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| US8633375B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solar cell and method for Manufacturing the same |
| WO2014042109A1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| JP2015095653A (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-18 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
-
1997
- 1997-02-14 JP JP03006897A patent/JP3209130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
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