JPH11330517A - 太陽電池，及び太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池，及び太陽電池モジュールInfo
- Publication number
- JPH11330517A JPH11330517A JP10129092A JP12909298A JPH11330517A JP H11330517 A JPH11330517 A JP H11330517A JP 10129092 A JP10129092 A JP 10129092A JP 12909298 A JP12909298 A JP 12909298A JP H11330517 A JPH11330517 A JP H11330517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- conductivity type
- crystal substrate
- type semiconductor
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留りの低下を防ぎながら変換効率の向上を
図ることができると共に、製造の容易化，及びコストダ
ウンを図ることができる太陽電池，及び太陽電池モジュ
ールを提供する。 【解決手段】第１の伝導型の半導体の結晶基板の光入射
側の面と反対側の面に所定の深さの溝を形成し、この溝
の壁面に沿って第２の伝導型の半導体を形成した。
図ることができると共に、製造の容易化，及びコストダ
ウンを図ることができる太陽電池，及び太陽電池モジュ
ールを提供する。 【解決手段】第１の伝導型の半導体の結晶基板の光入射
側の面と反対側の面に所定の深さの溝を形成し、この溝
の壁面に沿って第２の伝導型の半導体を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池，及び太陽
電池モジュールに関し、特に、歩留りの低下を防ぎなが
ら変換効率の向上が図れ、且つ、製造の容易化，及びコ
ストダウンを図れるようにした太陽電池，及び太陽電池
モジュールに関する。
電池モジュールに関し、特に、歩留りの低下を防ぎなが
ら変換効率の向上が図れ、且つ、製造の容易化，及びコ
ストダウンを図れるようにした太陽電池，及び太陽電池
モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、地球温暖化等の地球環境破壊が問
題化され、化石燃料に替わる新しいエネルギーの開発へ
の期待がますます高まっている。
題化され、化石燃料に替わる新しいエネルギーの開発へ
の期待がますます高まっている。
【０００３】一方、太陽光発電がクリーンで無尽蔵な太
陽エネルギーの利用技術として注目されている。太陽光
発電の普及を図るためには、低コストで変換効率が高い
太陽電池の開発が不可欠である。この太陽電池に関し
て、構造や構成材料の面から数多くの研究が進められて
いる。現在のところ、電力用途では、資源面での制約が
少なく、比較的高い変換効率が得られる単結晶Ｓｉ太陽
電池，或いは多結晶Ｓｉ太陽電池が主流となっている。
陽エネルギーの利用技術として注目されている。太陽光
発電の普及を図るためには、低コストで変換効率が高い
太陽電池の開発が不可欠である。この太陽電池に関し
て、構造や構成材料の面から数多くの研究が進められて
いる。現在のところ、電力用途では、資源面での制約が
少なく、比較的高い変換効率が得られる単結晶Ｓｉ太陽
電池，或いは多結晶Ｓｉ太陽電池が主流となっている。
【０００４】図３は従来の一般的な結晶Ｓｉ太陽電池の
構造を示す。この太陽電池は、光入射側の面の所定の厚
さ領域に不純物の拡散によりｎ型Ｓｉ２が形成されたｐ
型Ｓｉ結晶基板１と、ｎ型Ｓｉ２の表面に形成され、入
射光の反射損失を低減する反射防止膜３と、反射防止膜
３の表面に形成されたグリッド状のカソード電極４と、
ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側と反対側の面に形成され
たアノード電極５より構成されている。
構造を示す。この太陽電池は、光入射側の面の所定の厚
さ領域に不純物の拡散によりｎ型Ｓｉ２が形成されたｐ
型Ｓｉ結晶基板１と、ｎ型Ｓｉ２の表面に形成され、入
射光の反射損失を低減する反射防止膜３と、反射防止膜
３の表面に形成されたグリッド状のカソード電極４と、
ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側と反対側の面に形成され
たアノード電極５より構成されている。
【０００５】ｐ型Ｓｉ結晶基板１の厚さｔは、製造工程
時に加わる機械的なストレスに対する耐性を考慮して、
３００μｍ程度に設定されている。
時に加わる機械的なストレスに対する耐性を考慮して、
３００μｍ程度に設定されている。
【０００６】このような構成の太陽電池によると、１４
〜１７％の変換効率が得られる。また、機械的なストレ
スに対する耐性が大なため、製造時の歩留りが高い。
〜１７％の変換効率が得られる。また、機械的なストレ
スに対する耐性が大なため、製造時の歩留りが高い。
【０００７】しかし、従来の一般的な太陽電池による
と、グリッド状のカソード電極４が光入射側の面（反射
防止膜３）上に設けられているため、入射光が遮断さ
れ、変換効率の向上が妨げられるという問題があった。
また、変換効率を向上させるためにカソード電極４の面
積を小さくすると電気抵抗が大になり、太陽電池の性能
を著しく低下させる。このため、カソード電極４は、通
常、太陽電池の光入射側の面の１０〜１５％の面積に設
計されていた。
と、グリッド状のカソード電極４が光入射側の面（反射
防止膜３）上に設けられているため、入射光が遮断さ
れ、変換効率の向上が妨げられるという問題があった。
また、変換効率を向上させるためにカソード電極４の面
積を小さくすると電気抵抗が大になり、太陽電池の性能
を著しく低下させる。このため、カソード電極４は、通
常、太陽電池の光入射側の面の１０〜１５％の面積に設
計されていた。
【０００８】一方、このような問題を解決する、従来の
他の太陽電池として、例えば、カソード電極を光入射側
と反対側の面に設けたものがある。
他の太陽電池として、例えば、カソード電極を光入射側
と反対側の面に設けたものがある。
【０００９】図４はこの種の結晶Ｓｉ太陽電池を示す。
この太陽電池は、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側と反対
側の面の一部の領域にｎ型Ｓｉ２を形成することにより
光入射面と反対側の面上にカソード電極４とアノード電
極５を形成し、光入射面と反対側の面上のカソード電極
４とアノード電極５以外の部分に光反射膜６を形成して
構成されている。
この太陽電池は、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側と反対
側の面の一部の領域にｎ型Ｓｉ２を形成することにより
光入射面と反対側の面上にカソード電極４とアノード電
極５を形成し、光入射面と反対側の面上のカソード電極
４とアノード電極５以外の部分に光反射膜６を形成して
構成されている。
【００１０】ｐ型Ｓｉ結晶基板１の厚さｔは、ｐ型Ｓｉ
結晶基板１内で光励起された電子、特に光入射面の表面
付近で励起された高密度の電子がｎ型Ｓｉ２まで拡散す
るように１５０μｍ程度に設定されている。
結晶基板１内で光励起された電子、特に光入射面の表面
付近で励起された高密度の電子がｎ型Ｓｉ２まで拡散す
るように１５０μｍ程度に設定されている。
【００１１】光反射膜６は、厚さが１５０μｍ程度と薄
くなったｐ型Ｓｉ結晶基板１を光が透過するのを防ぐよ
うになっている。
くなったｐ型Ｓｉ結晶基板１を光が透過するのを防ぐよ
うになっている。
【００１２】このような構成の太陽電池によると、前述
したカソード電極による入射光の遮断がなくなるため、
図３に示す一般的な太陽電池よりも１０％から１５％高
い変換効率を得ることができる。
したカソード電極による入射光の遮断がなくなるため、
図３に示す一般的な太陽電池よりも１０％から１５％高
い変換効率を得ることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、カソード電極
を光入射側と反対側の面に設けた、従来の太陽電池によ
ると、厚さを一般的な太陽電池の厚さの半分程度まで薄
くする必要があるため、製造工程時に加わる機械的なス
トレスにより割れが生じ、その結果、歩留りが低下する
という問題がある。また、光入射側と反対側の面に反射
膜を形成する必要があるため、製造の複雑化，及びコス
トアップを招くという問題がある。
を光入射側と反対側の面に設けた、従来の太陽電池によ
ると、厚さを一般的な太陽電池の厚さの半分程度まで薄
くする必要があるため、製造工程時に加わる機械的なス
トレスにより割れが生じ、その結果、歩留りが低下する
という問題がある。また、光入射側と反対側の面に反射
膜を形成する必要があるため、製造の複雑化，及びコス
トアップを招くという問題がある。
【００１４】従って、本発明の目的は歩留りの低下を防
ぎながら変換効率の向上を図ることができる太陽電池，
及び太陽電池モジュールを提供することである。
ぎながら変換効率の向上を図ることができる太陽電池，
及び太陽電池モジュールを提供することである。
【００１５】本発明の他の目的は製造の容易化，及びコ
ストダウンを図ることができる太陽電池，及び太陽電池
モジュールを提供することである。
ストダウンを図ることができる太陽電池，及び太陽電池
モジュールを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の
領域に第２の伝導型の半導体を形成してなる太陽電池に
おいて、前記第１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入
射側の面と反対側の面に所定の深さの溝を有し、前記第
２の伝導型の半導体は、前記溝の壁面に沿って形成され
た太陽電池を提供するものである。
成するため、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の
領域に第２の伝導型の半導体を形成してなる太陽電池に
おいて、前記第１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入
射側の面と反対側の面に所定の深さの溝を有し、前記第
２の伝導型の半導体は、前記溝の壁面に沿って形成され
た太陽電池を提供するものである。
【００１７】また、本発明は上記の目的を達成するた
め、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の領域に第
２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝導型の半導
体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝導型の半導
体に第２の電極を設けてなる太陽電池において、前記第
１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面と反対
側の面に所定の深さの溝を有し、前記第２の伝導型の半
導体は、前記溝の壁面に沿って形成され、前記第１の電
極及び第２の電極は、前記光入射側の面と反対側の面に
位置した太陽電池を提供するものである。
め、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の領域に第
２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝導型の半導
体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝導型の半導
体に第２の電極を設けてなる太陽電池において、前記第
１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面と反対
側の面に所定の深さの溝を有し、前記第２の伝導型の半
導体は、前記溝の壁面に沿って形成され、前記第１の電
極及び第２の電極は、前記光入射側の面と反対側の面に
位置した太陽電池を提供するものである。
【００１８】更に、本発明は上記の目的を達成するた
め、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の領域に第
２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝導型の半導
体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝導型の半導
体に第２の電極を設けてなる太陽電池を、複数直列に接
続して構成される太陽電池モジュールにおいて、前記第
１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面と反対
側の面に所定の深さの溝を有し、前記第２の伝導型の半
導体は、前記溝の壁面に沿って形成され、前記第１の電
極及び第２の電極は、前記光入射側の面と反対側の面に
位置した太陽電池モジュールを提供するものである。
め、第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部の領域に第
２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝導型の半導
体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝導型の半導
体に第２の電極を設けてなる太陽電池を、複数直列に接
続して構成される太陽電池モジュールにおいて、前記第
１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面と反対
側の面に所定の深さの溝を有し、前記第２の伝導型の半
導体は、前記溝の壁面に沿って形成され、前記第１の電
極及び第２の電極は、前記光入射側の面と反対側の面に
位置した太陽電池モジュールを提供するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の太陽電池，及び太
陽電池モジュールを添付図面を参照しながら詳細に説明
する。
陽電池モジュールを添付図面を参照しながら詳細に説明
する。
【００２０】図１は本発明の第１の実施の形態に係る太
陽電池の断面構造を示す。この太陽電池は、光入射側と
反対側の面にストライプ状の複数の溝１Ａが互いに平行
に形成された所定の厚さｔのｐ型Ｓｉ結晶基板１と、ｐ
型Ｓｉ結晶基板１の溝１Ａの壁面に沿った所定の厚さ領
域に形成されたｎ型Ｓｉ２と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光
入射側の面上に形成され、入射光の反射損失を低減する
反射防止膜３と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の複数の溝１Ａ内
に形成された複数のカソード電極４（凹部４Ｂが形成さ
れた突出部４Ａを有する）と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光
入射側と反対側の面上に形成された複数のアノード電極
５より構成されている。
陽電池の断面構造を示す。この太陽電池は、光入射側と
反対側の面にストライプ状の複数の溝１Ａが互いに平行
に形成された所定の厚さｔのｐ型Ｓｉ結晶基板１と、ｐ
型Ｓｉ結晶基板１の溝１Ａの壁面に沿った所定の厚さ領
域に形成されたｎ型Ｓｉ２と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光
入射側の面上に形成され、入射光の反射損失を低減する
反射防止膜３と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の複数の溝１Ａ内
に形成された複数のカソード電極４（凹部４Ｂが形成さ
れた突出部４Ａを有する）と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光
入射側と反対側の面上に形成された複数のアノード電極
５より構成されている。
【００２１】ｐ型Ｓｉ結晶基板１は、辺の長さ１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ，厚さ約３００μｍの寸法を有するｐ型
Ｓｉの一面に溝１Ａを形成した後、この面を所定の厚さ
（例えば、約５０μｍ）エッチングして形成され、所定
の厚さｔとして製造工程中に加わる機械的ストレスに対
する耐性を確保可能な約２５０μｍが設定された構成を
有している。
ｍ×１００ｍｍ，厚さ約３００μｍの寸法を有するｐ型
Ｓｉの一面に溝１Ａを形成した後、この面を所定の厚さ
（例えば、約５０μｍ）エッチングして形成され、所定
の厚さｔとして製造工程中に加わる機械的ストレスに対
する耐性を確保可能な約２５０μｍが設定された構成を
有している。
【００２２】複数の溝１Ａは、各々の溝底から反射防止
膜３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになるように形
成され、相互間のピッチＰとして約２．５ｍｍが設定さ
れている。
膜３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになるように形
成され、相互間のピッチＰとして約２．５ｍｍが設定さ
れている。
【００２３】以上の構成において、辺の長さが１００ｍ
ｍ×１００ｍｍ，厚さ約３００μｍの寸法を有するｐ型
Ｓｉの一面に、製造終了後における溝底から反射防止膜
３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになる溝１Ａを回
転砥石による研削によって約２．５ｍｍのピッチＰで複
数形成した後、この面を所定の厚さ（例えば、約５０μ
ｍ）エッチングして、所定の厚さｔが約２５０μｍのｐ
型Ｓｉ結晶基板１を形成する。次に、不純物の拡散によ
ってｐ型Ｓｉ結晶基板１の溝１Ａの壁面に沿った所定の
厚さ領域にｎ型Ｓｉ２を形成し、更に、ｐ型Ｓｉ結晶基
板１の他面に反射防止膜３を形成する。この後、ｐ型Ｓ
ｉ結晶基板１の複数の溝１Ａ内に複数のカソード電極４
をそれぞれ形成した後、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の一面の溝
１Ａ以外の領域に複数のアノード電極５を形成して太陽
電池とする。
ｍ×１００ｍｍ，厚さ約３００μｍの寸法を有するｐ型
Ｓｉの一面に、製造終了後における溝底から反射防止膜
３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになる溝１Ａを回
転砥石による研削によって約２．５ｍｍのピッチＰで複
数形成した後、この面を所定の厚さ（例えば、約５０μ
ｍ）エッチングして、所定の厚さｔが約２５０μｍのｐ
型Ｓｉ結晶基板１を形成する。次に、不純物の拡散によ
ってｐ型Ｓｉ結晶基板１の溝１Ａの壁面に沿った所定の
厚さ領域にｎ型Ｓｉ２を形成し、更に、ｐ型Ｓｉ結晶基
板１の他面に反射防止膜３を形成する。この後、ｐ型Ｓ
ｉ結晶基板１の複数の溝１Ａ内に複数のカソード電極４
をそれぞれ形成した後、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の一面の溝
１Ａ以外の領域に複数のアノード電極５を形成して太陽
電池とする。
【００２４】このような構成を有する太陽電池による
と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の厚さｔが製造工程中に加わる
機械的ストレスに対する耐性、つまり割れが生じない強
度を確保可能な約２５０μｍに設定され、このｐ型Ｓｉ
結晶基板１の光入射側と反対側の面に、溝底から反射防
止膜３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになる溝１Ａ
を形成すると共に、溝１Ａの壁面に沿ってｎ型Ｓｉ２を
形成することにより光入射側の面からｎ型Ｓｉ２までの
距離を小さくしたため、歩留りの低下を防ぎながら変換
効率を向上させることができる。
と、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の厚さｔが製造工程中に加わる
機械的ストレスに対する耐性、つまり割れが生じない強
度を確保可能な約２５０μｍに設定され、このｐ型Ｓｉ
結晶基板１の光入射側と反対側の面に、溝底から反射防
止膜３の表面までの距離Ｌが約２００μｍになる溝１Ａ
を形成すると共に、溝１Ａの壁面に沿ってｎ型Ｓｉ２を
形成することにより光入射側の面からｎ型Ｓｉ２までの
距離を小さくしたため、歩留りの低下を防ぎながら変換
効率を向上させることができる。
【００２５】この効果を確認するため、上記の構成を有
する太陽電池に対し、ソーラーシミュレーターを用い、
ＡＭ１．５Ｇ、１００ｍＷ／ｃｍ2 の照射条件で変換効
率を測定した。その結果、同一の仕様のｐ型Ｓｉ結晶基
板を用いて作成した一般的な太陽電池（図３の構成）と
比べて変換効率が１０％から１５％向上していた。
する太陽電池に対し、ソーラーシミュレーターを用い、
ＡＭ１．５Ｇ、１００ｍＷ／ｃｍ2 の照射条件で変換効
率を測定した。その結果、同一の仕様のｐ型Ｓｉ結晶基
板を用いて作成した一般的な太陽電池（図３の構成）と
比べて変換効率が１０％から１５％向上していた。
【００２６】また、光入射側と反対側の面に反射膜を設
ける必要がないため、製造の容易化，及びコストダウン
を図ることができる。
ける必要がないため、製造の容易化，及びコストダウン
を図ることができる。
【００２７】なお、上記の実施の形態において、ｐ型Ｓ
ｉの厚さは概ね２５０μｍ以上必要である。この数値は
エッチング工程などによる厚さの減少分として約５０μ
ｍを見込んだ値であり、製造後のｐ型Ｓｉ結晶基板１の
厚さｔとしては２００μｍ程度になる。ｐ型Ｓｉの厚さ
が２５０μｍよりも小になると、製造工程中で割れる確
率が急激に高くなり、歩留りが著しく減少する。逆に、
ｐ型Ｓｉの厚さを２５０μｍ以上にすると、２００ｍｍ
×２００ｍｍ程度のサイズまで高歩留りで製造可能とな
る。
ｉの厚さは概ね２５０μｍ以上必要である。この数値は
エッチング工程などによる厚さの減少分として約５０μ
ｍを見込んだ値であり、製造後のｐ型Ｓｉ結晶基板１の
厚さｔとしては２００μｍ程度になる。ｐ型Ｓｉの厚さ
が２５０μｍよりも小になると、製造工程中で割れる確
率が急激に高くなり、歩留りが著しく減少する。逆に、
ｐ型Ｓｉの厚さを２５０μｍ以上にすると、２００ｍｍ
×２００ｍｍ程度のサイズまで高歩留りで製造可能とな
る。
【００２８】また、溝１Ａは、溝底から反射防止膜３の
表面までの距離Ｌが約１００〜２００μｍになるように
形成されることが好ましい。すなわち、溝底から反射防
止膜３の表面までの距離Ｌが２００μｍよりも大きい時
は、この距離が小さくなるほど変換効率が向上する。ま
た、２００μｍよりも小さくなると変換効率は飽和す
る。１００μｍよりも小さくなると工程途中で割れが生
じる。溝１ＡのピッチＰについては、３ｍｍより大きい
場合は、ピッチｐが小さくなるほど変換効率が向上し、
３ｍｍよりも小さくなると、変換効率は飽和する。
表面までの距離Ｌが約１００〜２００μｍになるように
形成されることが好ましい。すなわち、溝底から反射防
止膜３の表面までの距離Ｌが２００μｍよりも大きい時
は、この距離が小さくなるほど変換効率が向上する。ま
た、２００μｍよりも小さくなると変換効率は飽和す
る。１００μｍよりも小さくなると工程途中で割れが生
じる。溝１ＡのピッチＰについては、３ｍｍより大きい
場合は、ピッチｐが小さくなるほど変換効率が向上し、
３ｍｍよりも小さくなると、変換効率は飽和する。
【００２９】また、本発明の第１の実施の形態に係る太
陽電池モジュールは、上記の構成を有する太陽電池を配
線で複数個直列に接続して構成されている。
陽電池モジュールは、上記の構成を有する太陽電池を配
線で複数個直列に接続して構成されている。
【００３０】この太陽電池モジュールによると、コスト
ダウンされた太陽電池を使用することから、モジュール
全体のコストダウンを図ることができる。また、図３に
示す従来の太陽電池を使用して太陽電池モジュールを構
成する場合、反対側の面に電極があるため、曲げ加工し
た平角状のリード線を用い、隣り合う太陽電池の表と裏
の電極間を半田等により接続する必要があったが、本実
施の形態の場合、片側の面にカソード電極とアノード電
極が集約されているため、例えば、予め配線パターンを
形成したプリント基板の上に表面実装法により高速で実
装することが可能である。また、従来はほとんど手作業
で取り付けていた出力端子部品も表面実装法により取り
付けることが可能である。
ダウンされた太陽電池を使用することから、モジュール
全体のコストダウンを図ることができる。また、図３に
示す従来の太陽電池を使用して太陽電池モジュールを構
成する場合、反対側の面に電極があるため、曲げ加工し
た平角状のリード線を用い、隣り合う太陽電池の表と裏
の電極間を半田等により接続する必要があったが、本実
施の形態の場合、片側の面にカソード電極とアノード電
極が集約されているため、例えば、予め配線パターンを
形成したプリント基板の上に表面実装法により高速で実
装することが可能である。また、従来はほとんど手作業
で取り付けていた出力端子部品も表面実装法により取り
付けることが可能である。
【００３１】図２は本発明の第２の実施の形態に係る太
陽電池の断面構造を示す。この太陽電池は、第１の実施
の形態の構成において、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側
の面に複数の溝を形成した後、反射防止膜３の表面に所
定の深さｄの複数の溝７を形成して構成されている。
陽電池の断面構造を示す。この太陽電池は、第１の実施
の形態の構成において、ｐ型Ｓｉ結晶基板１の光入射側
の面に複数の溝を形成した後、反射防止膜３の表面に所
定の深さｄの複数の溝７を形成して構成されている。
【００３２】複数の溝７は、所定の深さｄとして５０μ
ｍ以上に設定された構成を有している。
ｍ以上に設定された構成を有している。
【００３３】このような構成では、光入射側の面におけ
る光反射率が低減され、変換効率を更に高めることがで
きる。この光反射率の低減は、溝７の深さｄが５０μｍ
以上で顕著になる。
る光反射率が低減され、変換効率を更に高めることがで
きる。この光反射率の低減は、溝７の深さｄが５０μｍ
以上で顕著になる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の太陽電池，
及び太陽電池モジュールによると、第１の伝導型の半導
体の結晶基板の光入射側の面と反対側の面に所定の深さ
の溝を形成し、この溝の壁面に沿って第２の伝導型の半
導体を形成したため、歩留りの低下を防ぎながら変換効
率の向上を図ることができると共に、製造の容易化，及
びコストダウンを図ることができる。
及び太陽電池モジュールによると、第１の伝導型の半導
体の結晶基板の光入射側の面と反対側の面に所定の深さ
の溝を形成し、この溝の壁面に沿って第２の伝導型の半
導体を形成したため、歩留りの低下を防ぎながら変換効
率の向上を図ることができると共に、製造の容易化，及
びコストダウンを図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池を示
す断面図。
す断面図。
【図３】従来の一般的な太陽電池を示す断面図。
【図４】従来の他の太陽電池を示す断面図。
１ ｐ型Ｓｉ結晶基板 １Ａ 溝 ２ ｎ型Ｓｉ ３ 反射防止膜 ４ カソード電極 ５ アノード電極 ６ 反射膜 ７ 溝
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部
の領域に第２の伝導型の半導体を形成してなる太陽電池
において、 前記第１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面
と反対側の面に所定の深さの溝を有し、 前記第２の伝導型の半導体は、前記溝の壁面に沿って形
成されていることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記第１の伝導型の半導体の結晶基板
は、Ｓｉが主成分である構成の請求項１記載の太陽電
池。 - 【請求項３】 前記溝は、溝底から前記光入射側の面ま
での距離が２００μｍ以下になっている構成の請求項１
記載の太陽電池。 - 【請求項４】 前記溝は、互いに平行な複数の溝によっ
て構成され、 前記複数の溝は、ピッチが３ｍｍ以下になっている構成
の請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項５】 前記光入射側の面は、深さ５０μｍ以上
の複数の溝を有する構成の請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項６】 第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部
の領域に第２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝
導型の半導体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝
導型の半導体に第２の電極を設けてなる太陽電池におい
て、 前記第１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面
と反対側の面に所定の深さの溝を有し、 前記第２の伝導型の半導体は、前記溝の壁面に沿って形
成され、 前記第１の電極及び第２の電極は、前記光入射側の面と
反対側の面に位置していることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項７】 第１の伝導型の半導体の結晶基板の一部
の領域に第２の伝導型の半導体を形成し、前記第１の伝
導型の半導体の結晶基板に第１の電極を、前記第２の伝
導型の半導体に第２の電極を設けてなる太陽電池を、複
数直列に接続して構成される太陽電池モジュールにおい
て、 前記第１の伝導型の半導体の結晶基板は、光入射側の面
と反対側の面に所定の深さの溝を有し、 前記第２の伝導型の半導体は、前記溝の壁面に沿って形
成され、 前記第１の電極及び第２の電極は、前記光入射側の面と
反対側の面に位置していることを特徴とする太陽電池モ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129092A JPH11330517A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池，及び太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129092A JPH11330517A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池，及び太陽電池モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330517A true JPH11330517A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15000886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10129092A Pending JPH11330517A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池，及び太陽電池モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330517A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
| JP2007242678A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sekisui Jushi Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2007281447A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池 |
| WO2010110083A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2010283201A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sharp Corp | 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| CN102362363A (zh) * | 2009-03-23 | 2012-02-22 | 夏普株式会社 | 附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池组件及附配线基板的太阳能电池单元的制造方法 |
| JP2012509584A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 基板内に配置されたエミッタを有する光電池およびそのような電池を作成する方法 |
| WO2012090650A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JP2014049510A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Hitachi Zosen Corp | Ｃｎｔ太陽電池 |
| JP2014143436A (ja) * | 2006-10-09 | 2014-08-07 | Solexel Inc | 角錐形状三次元薄膜太陽電池セル |
| JP2016143868A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 裏面接合型太陽電池 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415962A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPH10229210A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Toyota Motor Corp | 太陽電池セル |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP10129092A patent/JPH11330517A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415962A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPH10229210A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Toyota Motor Corp | 太陽電池セル |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
| JP2007242678A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sekisui Jushi Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2007281447A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池 |
| US8558104B2 (en) | 2006-04-06 | 2013-10-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell |
| JP2014143436A (ja) * | 2006-10-09 | 2014-08-07 | Solexel Inc | 角錐形状三次元薄膜太陽電池セル |
| JP2012509584A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 基板内に配置されたエミッタを有する光電池およびそのような電池を作成する方法 |
| CN102362363A (zh) * | 2009-03-23 | 2012-02-22 | 夏普株式会社 | 附配线基板的太阳能电池单元、太阳能电池组件及附配线基板的太阳能电池单元的制造方法 |
| US9263603B2 (en) | 2009-03-23 | 2016-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell with connecting sheet, solar cell module, and fabrication method of solar cell with connecting sheet |
| JPWO2010110083A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2012-09-27 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2010110083A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2010283201A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Sharp Corp | 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| WO2012090650A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JP2014049510A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Hitachi Zosen Corp | Ｃｎｔ太陽電池 |
| JP2016143868A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 裏面接合型太陽電池 |
| WO2016125430A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 信越化学工業株式会社 | 裏面接合型太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8035028B2 (en) | Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells | |
| JP5174903B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| US8035027B2 (en) | Solar module structures and assembly methods for pyramidal three-dimensional thin-film solar cells | |
| KR101719949B1 (ko) | 태양전지 셀 및 그 제조 방법, 태양전지 모듈 | |
| EP1887633B2 (en) | Solar cell and solar cell manufacturing method | |
| US20100304521A1 (en) | Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells | |
| EP2212920B1 (en) | Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module | |
| KR100953618B1 (ko) | 태양 전지 | |
| JP2009158575A (ja) | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 | |
| JP2016122749A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
| JPH11330517A (ja) | 太陽電池，及び太陽電池モジュール | |
| JP2001044470A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール | |
| JPWO2012104997A1 (ja) | 太陽電池セルとその製造方法、および太陽電池モジュール | |
| JP2024039048A (ja) | 半導体基板、太陽電池及び太陽光発電モジュール | |
| JP2024010044A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN217881531U (zh) | 一种p型太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| JP5501225B2 (ja) | 薄層型光電池の背面コンタクト形成方法 | |
| US20110056548A1 (en) | Wafer-Based Solar Cell with Deeply Etched Structure | |
| CN115528136A (zh) | 一种背接触电池及其制作方法、电池组件、光伏系统 | |
| TWI415272B (zh) | 太陽能電池背面點接觸的製造方法 | |
| JP4467337B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2005260157A (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
| JP2010080885A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN115084299A (zh) | 一种p型太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统 | |
| CN101350373A (zh) | 具有多重蚀刻结构的太阳能电池晶片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050816 |