WO2007129548A1 - 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ - Google Patents

弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ Download PDF

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WO2007129548A1
WO2007129548A1 PCT/JP2007/058606 JP2007058606W WO2007129548A1 WO 2007129548 A1 WO2007129548 A1 WO 2007129548A1 JP 2007058606 W JP2007058606 W JP 2007058606W WO 2007129548 A1 WO2007129548 A1 WO 2007129548A1
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idt
elastic wave
wave filter
idts
terminal
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PCT/JP2007/058606
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Yuichi Takamine
Masaru Yata
Yasuhisa Fujii
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave filter device using an elastic wave such as a surface acoustic wave or a boundary acoustic wave, and more specifically, has a balanced-unbalanced conversion function and has a magnitude of output impedance with respect to input impedance.
  • the present invention relates to a balanced elastic wave filter device and a duplexer using the elastic wave filter device.
  • a mixer IC having a balanced input or an operation input / output (hereinafter abbreviated as a balanced mixer IC) is connected to the output side of the surface acoustic wave filter having the balance-unbalance conversion function. It is.
  • the input impedance of the balanced mixer IC is normally 150 to 200 ⁇ .
  • the input / output impedance of the surface acoustic wave filter used in the RF stage is usually 50 ⁇ .
  • the output impedance is desired to be about 150-200 ⁇ , which is larger than 50 ⁇ .
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave filter device having a balance-unbalance conversion function and having a ratio of input impedance to output impedance of about 1: 4.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device described in Patent Document 1. As shown in FIG.
  • the surface acoustic wave filter device 501 includes an unbalanced terminal 502 and first and second balanced terminals 503 and 5004. In parallel with unbalanced terminal 502, first and second 3IDT type longitudinally coupled resonator type Elastic wave filter sections 505 and 506 are connected.
  • the longitudinally coupled resonator-type acoustic wave filter unit 505 has first to third IDTs 505a to 505c arranged in order in the surface acoustic wave propagation direction. Reflectors 505d and 505e are arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction in the region where IDTs 505a to 505c are provided.
  • the longitudinally coupled resonator-type acoustic wave filter unit 506 includes first to third IDs 506a to 506c and reflectors 506d and 506e.
  • One ends of the central IDTs 505b and 506b are commonly connected and connected to the unbalanced terminal 502. Also, one end of the first and third IDTs 505a and 505c are connected in common and connected to the first balanced terminal 503, one end of the first and third IDTs 506a and 506c are connected in common, and the second balanced end Connected to child 504.
  • the first to third IDTs 505a to 505c and the first to third IDTs 506a to 506c are respectively a phase of a signal flowing from the unbalanced terminal 502 to the first balanced signal terminal 503, and an unbalanced terminal.
  • the phase of the signal flowing from 502 to the second balanced terminal 504 is configured to be 180 degrees different.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-290203
  • the impedance on the unbalanced terminal 502 side as the input terminal and the impedance on the first and second balanced terminals 50 3 and 504 side as the output impedance can be about 1: 3 to 1: 4.
  • the impedance ratio which is the ratio of output impedance to input impedance, can be set to about 4.
  • the input impedance of the balanced mixer IC connected to the subsequent stage of the surface acoustic wave filter having a balanced-unbalanced conversion function has been higher than 200 ⁇ . That is, the input impedance may be as large as about 600 ⁇ , for example. Therefore, it is desired that the impedance ratio is larger than 4, for example, about 12 or so.
  • the conventional surface acoustic wave filter device as described in Patent Document 1 cannot satisfy such a demand.
  • boundary acoustic wave filters using boundary acoustic waves have been developed in order to simplify the cage structure in place of the surface acoustic wave filter.
  • Such a boundary acoustic wave filter similarly has a balance-unbalance conversion function, and A filter having a large impedance ratio is strongly desired.
  • An object of the present invention is to eliminate the above-described drawbacks of the prior art and to set an impedance ratio, which is a ratio of the impedance on the balanced terminal side to the impedance on the unbalanced terminal side, which has only a balanced-unbalanced conversion function. It is an object of the present invention to provide a balanced elastic wave filter device that can be made larger than 4, and thereby connectable to a wider range of circuits, and a duplexer using the elastic wave filter device.
  • a balanced elastic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals, which are arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • a first elastic wave filter section having first to third divided IDT sections provided by dividing the second IDT into three along the elastic wave propagation direction.
  • the fourth to sixth IDTs are arranged in order along the elastic wave propagation direction, and the fifth IDT is provided by dividing the third IDT into three along the elastic wave propagation direction.
  • a second elastic wave filter unit having a three-divided IDT unit, one end of the first and third IDTs of the first elastic wave filter unit, and the second elastic wave filter at the unbalanced terminal.
  • the first and third IDTs and the fourth to sixth IDTs are connected to the first balanced end from the unbalanced terminal.
  • phase of the signal to be transmitted to, and from said unbalanced terminal of the signal to be transmitted to the second balanced terminal phase are set to be different. 180 degrees
  • the second IDT has a first common bus bar that commonly connects one ends of the first to third divided IDT sections, and the other end of the second divided IDT section is connected to the first balanced terminal.
  • the other end of each of the first and third divided IDT sections is connected to a ground terminal, and the fifth IDT is connected to each end of the first to third divided IDT sections in common.
  • It has a second common bus bar, the other end of the second split I DT section is connected to the second balanced terminal, and the other ends of the first and third split IDT sections are connected to the ground terminal
  • An elastic wave filter device is provided.
  • a balanced elastic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals, which are arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • a first elastic wave filter section having first to third divided IDT sections provided by dividing the second IDT into three along the elastic wave propagation direction.
  • a second elastic wave filter section having first to third divided IDT sections provided by dividing into three, and the first and second elastic wave filter sections of the first elastic wave filter section are connected to the unbalanced terminal.
  • the IDT has a first common bus bar that commonly connects the first to third divided ID T sections, and is connected to the first common bus bar of the first and third divided IDT sections of the second IDT.
  • the end opposite to the connected side is connected to the first balanced terminal, and the end opposite to the side connected to the first common bus bar of the second split IDT section
  • the fifth IDT has a second common bus bar that commonly connects one end of each of the first to third divided IDT sections, and the fifth IDT has a second common bus bar.
  • the IDT's first and third split IDT sections are connected to the second balanced terminal at the end opposite to the side connected to the second common bus bar, and the second split IDT section's first end
  • An elastic wave filter device is provided in which the end opposite to the side connected to the common bus bar is connected to the ground terminal.
  • a balanced elastic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals, the first to second arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • the first elastic wave filter having the first and second divided IDT sections each having two IDTs and the first and third IDTs being divided into two along the elastic wave propagation direction.
  • fourth to sixth IDTs arranged in order along the elastic wave propagation direction, and each of the fourth and sixth IDTs is divided into two along the elastic wave propagation direction.
  • a second elastic wave filter section having first and second divided IDT sections provided by the first IDW section, the unbalanced terminal, one end of the second IDT of the first elastic wave filter section, and the first One end of the fifth IDT of the second elastic wave filter unit is connected, and the first, third, fourth, and sixth IDTs share one end of the first and second divided IDT units.
  • First to fourth common bus bars connected to each other, and the other ends of the first divided IDT portion of the first IDT and the second divided IDT portion of the third IDT are connected in common
  • the other end of the first IDT section of the fourth IDT and the second IDDT section of the sixth IDT are connected in common and connected to the second balance terminal.
  • the phase of the signal transmitted from the unbalanced terminal to the first balanced terminal and the phase of the signal transmitted from the unbalanced terminal to the second balanced terminal are 180 degrees different from each other.
  • An elastic wave filter device in which the first to sixth IDTs are configured is provided.
  • a balanced elastic wave filter device having an unbalanced terminal and first and second balanced terminals, which are arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • 1st to 3rd IDTs, and the 1st and 3rd IDTs have 1st and 2nd divided IDT sections provided by dividing into 2 along the elastic wave propagation direction, respectively.
  • It has an elastic wave filter section and fourth to sixth IDTs arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • the fourth and sixth IDTs are arranged along the elastic wave propagation direction, respectively.
  • a second elastic wave filter section having first and second divided IDT sections provided by dividing, and one end of the second IDT of the first elastic wave filter section is connected to the unbalanced terminal.
  • One end of the fifth IDT of the second elastic wave filter unit is connected, and the first, third, fourth, and sixth IDTs are respectively connected to the first and second divided IDT units.
  • one end The first to fourth common bus bars are connected in common, and the other ends of the second divided IDT part of the first IDT and the first divided IDT part of the third IDT are connected in common.
  • the other end of the second IDT section of the fourth IDT and the first IDDT section of the sixth IDT are connected in common and connected to the second balanced terminal.
  • each section is connected to a ground terminal, the phase of the signal transmitted from the unbalanced terminal to the first balanced terminal, and the signal transmitted from the unbalanced terminal to the second balanced terminal.
  • an acoustic wave filter device in which the first to sixth IDTs are configured to be 180 degrees different from each other.
  • the seventh and eighth IDTs provided on both sides in the elastic wave propagation direction of the region where the first to third IDTs are provided; Ninth and tenth IDTs provided on both sides in the elastic wave propagation direction of the region where the fourth to sixth IDTs are provided are further provided, and the seventh, eighth, and ninth IDTs are provided.
  • One end of each IDT is connected to the unbalanced signal terminal. That is, the third and fourth inventions are related to a 5IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave. It may have a filter part.
  • a duplexer characterized in that an acoustic wave filter device configured according to the present invention is used as a reception-side filter, and a filter having a ladder circuit configuration is used as a transmission-side filter. Provided.
  • the first and second acoustic wave filter sections configured as described above are connected between the unbalanced terminal and the first and second balanced terminals. Therefore, the balance-unbalance conversion function is realized.
  • the second IDT force of the first elastic wave filter part and the fifth IDT force of the second elastic wave filter part respectively have first to third divided IDT parts, and the second IDT second part. Since the split IDT section is connected to the first balanced terminal and the second split IDT section of the fifth IDT is connected to the second balanced terminal, the first and second impedances are compared to the impedance on the unbalanced terminal side. The impedance on the balanced terminal side of 2 can be made very large.
  • the impedance ratio which is the ratio of the impedance on the balanced terminal side to the impedance on the unbalanced terminal side, can be made larger than 4 and about 12. Therefore, even when a balanced mixer IC having a higher input impedance than before is connected to the first and second balanced terminals, impedance matching can be easily achieved.
  • the first and second acoustic wave filter sections configured as described above are connected between the unbalanced terminal and the first and second balanced terminals. Therefore, the balance-unbalance conversion function is realized.
  • each of the second IDT of the first elastic wave filter unit and the fifth IDT force of the second elastic wave filter unit has first to third divided IDT units, and the first IDT of the second IDT.
  • the third split IDT section is connected to the first balanced terminal, and the first and third split IDT sections of the fifth IDT are connected to the second balanced terminal.
  • the impedance ratio which is the ratio of the impedance on the balanced terminal side to the impedance on the unbalanced terminal side, can be set to about 12 larger than 4. Therefore, even when a balanced mixer IC having a higher input impedance than the conventional one is connected to the first and second balanced terminals, impedance matching can be easily achieved.
  • the first and second acoustic wave filter sections are configured as described above. Therefore, the balance-unbalance conversion function is realized.
  • Force P one end of the second IDT of the first elastic wave filter unit and one end of the fifth IDT of the second elastic wave filter unit are connected to the unbalanced terminal, and
  • the third IDT has first and second divided IDT sections, respectively, and one end of the first divided IDT section of the first IDT and the second divided IDT section of the third IDT are commonly connected.
  • the impedance ratio which is the ratio of the impedance on the balanced terminal side to the impedance on the unbalanced terminal side, can be made larger than 4. In other words, the impedance ratio can be increased to about 12. Therefore, even when a balanced mixer IC having a larger input impedance than before is connected, impedance matching can be easily achieved.
  • the fourth invention since the first and second elastic wave filter sections are configured as described above, a balanced-unbalanced conversion function is realized.
  • Force P one end of the second IDT of the first elastic wave filter unit and one end of the fifth IDT of the second elastic wave filter unit are connected to the unbalanced terminal, and
  • the third IDT has first and second divided IDT sections, respectively, and one end of the second divided IDT section of the first IDT and the first divided IDT section of the third IDT are connected in common.
  • the second split IDT part of the fourth IDT and the first split IDT part of the sixth IDT are connected in common and connected to the second balance terminal.
  • the impedance ratio which is the ratio of the impedance on the balanced terminal side to the impedance on the balanced terminal side, can be made larger than 4. That is, the impedance ratio can be increased to about 12. Therefore, even when a balanced mixer IC having a larger input impedance than before is connected, it is possible to easily perform impedance matching.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the elastic wave filter device of the present embodiment.
  • FIGS. 3 (a) and 3 (b) are diagrams showing an impedance Smith chart on the unbalanced terminal side and an impedance Smith chart on the balanced terminal side of the acoustic wave filter device of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view schematically showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a modification of the third embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to a modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of a duplexer as another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing an electrode structure of a conventional acoustic wave filter device.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing an electrode structure of an elastic wave filter device of a comparative example.
  • FIG. 12 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of an elastic wave filter device of a comparative example.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device as a surface acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave filter device 1 of the present embodiment has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is not particularly limited, but in this embodiment, a 40 ⁇ 5 ° Y-cut X-propagation LiTaO substrate is used.
  • a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device is configured by forming the electrode structure shown in FIG. 1 on the piezoelectric substrate 2.
  • a surface acoustic wave filter device used as a DCS reception bandpass filter will be described.
  • the input terminal is an unbalanced terminal and its impedance is 50 ⁇ .
  • a balanced mixer IC with an input impedance of 600 ⁇ is connected to the output terminal of this DCS reception bandpass filter. Therefore, the impedance of the first and second balanced terminals as output terminals should be 600 ⁇ .
  • the ratio of the impedance on the output terminal side that is, the balanced signal terminal side to the impedance on the unbalanced terminal side is required to be 12.
  • the acoustic wave filter device 1 includes an unbalanced terminal 3 and first and second balanced terminals.
  • First and second elastic wave filter units 7 and 8 are connected to the unbalanced terminal 3 via a 1-port type acoustic wave resonator 6.
  • the first elastic wave filter unit 7 includes first to third IDTs 11 to 13 arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • the second elastic wave filter unit 8 includes fourth to sixth IDTs 14 to 16 arranged in order along the elastic wave propagation direction.
  • the first and second elastic wave filter units are 3IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units each having three IDTs.
  • reflectors 17a, 17b, 18a, and 18b are disposed at both ends of the acoustic wave propagation direction.
  • the 1-port elastic wave resonator 6 is not necessarily essential in the present embodiment, but one end of the 1-port elastic wave resonator 6 is connected to the unbalanced terminal 3.
  • the acoustic wave resonator 6 includes an IDT 6a and reflectors 6b and 6c disposed on both sides of the IDT 6a.
  • the reflectors 6b and 6c are not necessarily provided.
  • the 1-port type acoustic wave resonator 6 is connected in series between the unbalanced terminal 3 and the first and second acoustic wave filter units 7 and 8, so that the passband is The attenuation in the vicinity is increased and the steepness of the filter characteristics is enhanced. In the passband It is possible to adjust the impedance dance.
  • the other end of the 1-port acoustic wave resonator 6 is connected to the first and second acoustic wave filter sections 7 and 8. More specifically, one ends of the first and third IDTs 11 and 13 of the first elastic wave filter unit 7 are connected in common and connected to the unbalanced terminal 3 via the 1-port elastic wave resonator 6. Yes. Further, one ends of the fourth and sixth IDTs 14 and 16 of the second elastic wave filter unit 8 are connected in common, and similarly connected to the unbalanced terminal 3 via the first elastic wave resonator 6. ing.
  • first and third IDTs 11 and 13 are connected to the ground potential.
  • the other ends of the fourth and sixth IDs T14 and 16 are also connected to the ground potential. Therefore, the first and second elastic wave filter sections 7 and 8 are connected in parallel to the unbalanced terminal 3.
  • the second IDT 12 has first to third divided IDT portions 12a to 12c provided by being divided into three along the elastic wave propagation direction.
  • the IDT 12 has a first common bus bar 12d.
  • Each end of the first to third divided IDT sections 12a to 12c is connected by a common bus bar 12d.
  • the second divided IDT portion 12b at the center is connected to the first balanced terminal 4 at the end opposite to the end connected to the common bus bar 12d.
  • the end of the first and third divided IDT sections 12a and 12c opposite to the end connected to the common bus bar 12d is connected to the ground potential.
  • serial weighting is applied to the end portions of the first and third IDTs 11 and 13 on the second IDT 12 side. That is, series weighting is performed by providing floating electrode fingers 11a and 13a schematically shown.
  • This serial weighting is not essential, but by applying serial weighting, the state between the IDTs in the first elastic wave filter unit can be brought closer to the state between the IDTs on the second elastic wave filter unit 8 side. The phase balance and the amplitude balance are increased.
  • a fifth IDT 15 which is an IDT located in the center, and first to third divisions provided by dividing into three along the elastic wave propagation direction IDT portions 15a to 15c are provided.
  • the fifth IDT 15 includes a second common bus bar 15d that commonly connects one ends of the first to third harm ijIDT sections 15a to 15c.
  • the second split IDT portion 15b has a second balanced end at the end opposite to the end connected to the common bus bar 15d. Connected to child 5.
  • the first and third divided IDT sections 15a and 15c are connected to the common bus bar 15d on one end side and are connected to the ground potential on the other end side.
  • the fourth and sixth IDTs 14 and 16 are inverted with respect to the first and third IDTs 11 and 13, and accordingly, the unbalanced terminal 3 to the first balanced terminal 4 are reversed. And the phase of the signal flowing from the unbalanced terminal 3 to the second balanced terminal 5 are 180 degrees different from each other. Therefore, the elastic wave filter device 1 has a balanced-unbalanced conversion function.
  • the second IDT 12 and the fifth IDT 15 have the first to third divided IDT sections 12a to 12c and 15a to 15c, respectively. Since the first to third divided IDT sections are connected in series, the impedance on the balanced terminals 4 and 5 side can be increased to 12 times the impedance on the unbalanced terminal 3 side. RU
  • the impedance ratio which is the ratio of the impedance of the first and second balanced terminals 4 and 5 as the output terminal to the impedance of the unbalanced terminal 3 as the input terminal, can be set to 12. . Therefore, impedance matching can be easily achieved when connected to a balanced mixer IC whose input impedance is about 600 ⁇ with respect to the balanced terminals 4 and 5.
  • the structures on both sides of the first elastic wave filter unit 7 and the second elastic wave filter unit 8 are symmetrical with respect to the center of the direction of propagation of the elastic waves, ripples in the passband hardly occur. This will be described based on a specific embodiment.
  • the first and second elastic wave filter portions 7 and 8 and the 1-port elastic wave resonator 6 are formed on the piezoelectric substrate with the following specifications, and the elastic wave filter device 1 is manufactured.
  • Electrode finger crossing width 24.8 ⁇ ⁇
  • Electrode film thickness 0.089 ⁇ ⁇
  • FIG. 2 shows the filter characteristics of the acoustic wave filter device 1 of the present embodiment manufactured as described above, and FIGS. 3 (a) and 3 (b) show the impedance characteristics.
  • the elastic wave filter device of the present embodiment has no spicule or the like in the pass band, and can obtain good band pass filter characteristics.
  • Fig. 3 (a) shows the impedance characteristics on the unbalanced terminal side in the impedance Smith chart, and the impedance characteristics on the balanced terminals 4 and 5 as output terminals are shown in the impedance Smith chart.
  • (b) shows the impedance characteristics on the unbalanced terminal side in the impedance Smith chart, and the impedance characteristics on the balanced terminals 4 and 5 as output terminals are shown in the impedance Smith chart.
  • the ratio of the impedance at the unbalanced terminal 3 and the impedance at the balanced terminals 4 and 5 is as large as 1:12, the impedance is almost matched. That is, it can be seen that resonance characteristics in the passband are gathered at the center of the impedance Smith chart.
  • the second and fifth IDTs 12 and 15 are divided into three parts, and the first divided IDT part to the third divided IDT part 12a to 12c and 15a to 15c are configured.
  • ripples in the passband are not easily generated even when the impedance ratio is very high, and impedance matching can be easily achieved.
  • an elastic wave filter device having an impedance of about 400 to 1200 ⁇ can be manufactured by adjusting a parameter such as a power logarithm in which the impedance of the balanced terminal is 600 ⁇ .
  • the elastic wave filter device 521 of the comparative example shown in FIG. 11 can also be considered.
  • an unbalanced signal terminal 523, first and second balanced terminals 524 and 525, and first and second elastic wave filter units 527 and 528 are provided in the elastic wave filter device 521 of this comparative example.
  • the first and second elastic wave filter units 527 and 528 are 3IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units, respectively.
  • the first elastic wave filter unit 527 includes first to third IDTs 531 to 533 arranged in order along the elastic wave propagation direction, and the second elastic wave filter unit includes the fourth to sixth IDTs 53. 4 to 536.
  • the second IDT 532 and the fifth IDT 535 force S are respectively configured to have the first and second detrimental IJIDT sounds B532a, 532b, 535a, and 535b.
  • a comparative example configured in the same manner as in the above embodiment except that IDTs 532 and 535 provided with first and second divided IDT sections are used by dividing such an IDT into two.
  • IDTs 532 and 535 provided with first and second divided IDT sections are used by dividing such an IDT into two.
  • the elastic wave filter device attenuation vs. frequency characteristics were measured.
  • the acoustic wave resonator 6 and the reflector are configured in the same manner as in the above embodiment, but it should be pointed out that the illustration is omitted in FIG.
  • FIG. 12 shows the attenuation frequency characteristics of the elastic wave filter device 521 of the comparative example measured as described above. As is clear from FIG. 12, spike-like ripples indicated by arrows A and A appear in the passband, and the force S is increased.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an electrode configuration of the acoustic wave filter device according to the second embodiment.
  • the elastic wave filter device 21 of the second embodiment corresponds to a modification of the first elastic wave filter device 1. Therefore, by explaining only the different points, the explanation of the elastic wave filter device 1 of the first embodiment is used, and the elastic wave filter of the second embodiment is used. The description of the data device 21 will be simplified.
  • first and second elastic wave filter units 27 and 28 are connected to the elastic wave resonator 6.
  • the first and second elastic wave filter units 27 and 28 have first to third IDTs 31 to 33 and fourth to sixth IDTs 3 to 36, which are sequentially arranged along the elastic wave propagation direction, respectively. .
  • the second IDT 32 disposed in the center of the first elastic wave filter unit 27 has the first to third divided IDT units 32a to 32c and is shared by the first common bus bar 32d. It is connected to the.
  • first balanced terminal 4 is connected to the end opposite to the side connected to the common bus bar 32d of the first and third divided IDT portions 32a and 32c located on both sides. It is connected to the.
  • the end of the second divided IDT section 32b in the center connected to the common bus bar 32d is connected to the ground potential at the opposite end.
  • the fifth IDT 35 located in the center is replaced by the first to third divided IDT units. 35a to 35c and a second common bus bar 35d.
  • the first and third divided IDT sections 35a and 35c are connected to the second balanced terminal 5 at the end opposite to the side connected to the common bus bar 35d, and the second divided terminal is located in the center.
  • the end of the IDT section 35b opposite to the side connected to the common bus bar 35d is connected to the ground potential.
  • the 1st to 6th phases are such that the phase of the signal flowing from the unbalanced terminal 3 to the first balanced terminal 4 is different from the phase of the signal flowing from the unbalanced terminal 3 to the second balanced terminal 5 by 180 degrees.
  • IDT31 to 36 are configured.
  • the impedance on the unbalanced terminal 3 side is 50 ⁇
  • the impedance on the balanced terminals 4 and 5 side is 40 0 to: about 1200 ⁇ .
  • the symmetry is enhanced in each of the first elastic wave filter unit 27 and the second elastic wave filter unit 28, so that it is difficult to obtain a desired level in the passband. Spike-like lip nore is difficult to occur.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter device according to the third embodiment of the present invention.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type first and second electrode structures are formed on the piezoelectric substrate in the same manner as in the first embodiment.
  • a surface acoustic wave filter device having an acoustic wave filter is configured.
  • the elastic wave filter device 41 of the present embodiment has an unbalanced terminal 3 and first and second balanced terminals 4 and 5, and the unbalanced terminal 3 is similar to the first embodiment.
  • a 1-port elastic wave resonator 6 is connected.
  • a 3IDT type longitudinally coupled resonator type first and second acoustic wave filter units 47 and 48 are connected to the unbalanced terminal 3 through the 1-port type acoustic wave resonator 6.
  • the first elastic wave filter unit 47 includes first to third IDs T5:! To 53 arranged in order in the elastic wave propagation direction.
  • the IDTs 51 and 53 have first and second divided IDT portions 51a, 51b, 53a and 53b, respectively, which are provided by being divided into two along the elastic wave propagation direction.
  • the first IDT 51 includes a common bus bar 51c that commonly connects one ends of the divided IDT portions 51a and 51b.
  • the third IDT 53 has a common bus bar 53c.
  • One end of the second IDT 52 is connected to the unbalanced terminal 3 via a 1-port elastic wave resonator 6.
  • the other end of IDT52 is connected to ground potential.
  • the first and second ijIDT sections 51a and 51b are connected in series by a common bus bar 51c.
  • the first and second divided IDT portions 53a and 53b are connected in series by the common bus bar 53c.
  • the other end of the first divided IDT portion 51a and the other end of the second divided IDT portion 53b located on both sides of the elastic wave propagation direction are connected in common and connected to the first balanced terminal 4.
  • the other end of the second divided IDT portion 51b located relatively inside and the other end of the first divided IDT portion 53a are connected to the ground potential.
  • one end of the fifth IDT 55 located in the center is connected to the unbalanced terminal 3 via the 1-port elastic wave resonator 6, and the other end Is connected to ground potential.
  • the first and second divided IDT portions 54a and 54b are connected in series by the common bus bar 54c.
  • the end of the split IDT section 54a opposite to the side connected to the common bus bar 54c, and the end of the IDT 56 opposite to the side connected to the common bus bar 56c of the second split IDT section 56b Are connected in common and connected to the second balanced terminal 5.
  • the second elastic wave filter 48 is relatively centrally located.
  • the other end of the second divided IDT section 54b, which is the divided IDT section that is positioned is connected to the ground potential, and the other end of the first divided IDT section 56a is also connected to the ground potential.
  • reflectors 57a and 57b are arranged on both sides in the elastic wave propagation direction of the portion where the first to third IDTs 51 to 53 are provided.
  • reflectors 58a and 58b are provided in the second elastic wave filter unit 48.
  • the phase of the signal from the unbalanced terminal 3 to the first balanced terminal 4 is different from the phase of the signal flowing from the unbalanced terminal 3 to the second balanced terminal 5 by 180 degrees.
  • First to sixth IDTs 51 to 56 are provided. More specifically, the phase of the fifth IDT 55 is inverted with respect to the second IDT 52, thereby realizing a balanced-unbalanced conversion function.
  • the first and second elastic wave filter units 47 and 48 are connected in parallel to the unbalanced terminal 3, and the elastic wave filter units 47 and 48 force both sides of the elastic wave propagation direction.
  • 1st, 3rd IDTs 51, 53 and 4th and 6th IDTs 54, 56 are directly connected to 1st, 2nd IDT parts 51a, 51b, 53a, 53b, 54a, 54b, 56a, 56b. ⁇ It is formed to have a structure connected to lj, and the other ends of the first harm IJIDT part 51a of the first IDT 51 and the second harm IJIDT part 53b of the third IDT 53 are connected in common The other end of the first split IDT section 54a of the fourth IDT 54 and the second split IDT section 56b of the sixth IDT 56 are commonly connected to the first balanced terminal 4 and connected to the second balanced terminal 5. . Therefore, when the impedance on the unbalanced terminal 3 side is 50 ⁇ , the impedance at the balanced terminals 4
  • the symmetry is enhanced in each of the first elastic wave filter unit 47 and the second elastic wave filter unit 48, and therefore, an undesirable level in the passband. , Lip nore is difficult to occur.
  • the 1-port elastic wave resonator 6 is not necessarily provided. Further, the reflectors 6b and 6c in the 1-port elastic wave resonator 6 may not be provided.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of the acoustic wave filter device according to the fourth embodiment.
  • the elastic wave filter device 61 of the fourth embodiment corresponds to a modification of the elastic wave filter device 41 of the third embodiment. Therefore, only different parts will be described, and the description of the third embodiment will be used for the other parts.
  • the first and second elastic wave filter units 67 and 68 are provided instead of the first and second elastic wave filter units 47 and 48. ing.
  • the first and second acoustic wave filter units 67 and 68 are 3IDT type longitudinally coupled resonator type inertial wave filter units, respectively.
  • the first elastic wave filter section 67 has first to third IDTs 7:! To 73 arranged along the elastic wave propagation direction.
  • IDT7: Reflectors 77a and 77b are arranged on both sides of the elastic wave propagation direction of the part where!
  • the first IDT 71 and the third IDT 73 are provided by dividing the IDT 71 and the third IDT 73 into two along the elastic wave propagation direction, respectively. 71b, 73a, 73b.
  • the portion connected to the first balanced terminal 4 is a divided IDT portion on the side close to the second IDT 72 located in the center. That is, the second divided IDT section 71b of the first ID T71 and the first divided IDT section 73a of the third IDT 73 are connected in common and connected to the first balanced terminal 4.
  • the other end of the divided IDT portion located outside the elastic wave propagation direction that is, the first divided IDT portion 71a of the first IDT portion 71 is connected to the ground potential, and one end is connected to the common bus bar 71c.
  • the other end of the second divided IDT portion 73b located outside the elastic wave propagation direction is connected to the ground potential and one end is connected to the common bus bar 73c.
  • the first to third IDTs 74 to 76, the reflectors 78a and 78b, and the force S are provided, and the fourth and sixth IDTs 74 and 76 are provided.
  • the force has first and second divided IDT portions 74a, 74b, 76a, and 76b, respectively.
  • the other ends of the second divided IDT portion 74b of the fourth IDT 74 and the first divided IDT portion 76a of the sixth IDT 72 are connected in common and connected to the second balanced terminal 5. Each end is connected to a common bus bar 74c, 76c.
  • the other ends of the first divided IDT portion 74d and the second divided IDT portion 76b located outside the elastic wave propagation direction are connected to the ground potential, and one end of each is connected to the common bus nodes 74c and 76c. It has been done.
  • each of the first and second elastic wave filter sections 67 and 68 is symmetric in the left and right directions. No spikes or spike-like rips are likely to occur.
  • the impedance of the unbalanced terminal is 50 ⁇
  • the impedance of the balanced terminals 4 and 5 can be 400 to 1200 ⁇ . ing.
  • the elastic wave filter device 81 of FIG. 7 corresponds to a modification of the elastic wave filter device 41 of the third embodiment.
  • the eighth and ninth IDTs 82 and 83 are further provided on both sides of the first to third IDTs 51 to 53 in the elastic wave propagation direction, and the second elastic wave filter unit.
  • the elastic wave filter device of the third embodiment except that the ninth and tenth IDTs 84 and 85 are provided on both sides of the fourth to sixth IDTs 54 to 56 in the elastic wave propagation direction. Similar to 41.
  • one end of each of the seventh and eighth IDTs 82 and 83 is connected in common with one end of the second IDT 52 and connected to the unbalanced terminal 3.
  • the other ends of the seventh and eighth IDTs 82 and 83 are connected to the ground potential.
  • one end of each of the ninth and tenth IDTs 84 and 85 is connected in common with one end of the fifth IDT55, and is connected to the unbalanced terminal 3.
  • the other ends of IDT84 and 85 are connected to the ground potential.
  • the first and second acoustic wave filter units may be provided by 5IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an elastic wave filter device corresponding to a modification of the elastic wave filter device 61 of the fourth embodiment.
  • the seventh elastic wave filter unit is provided with seventh and eighth IDTs 92 and 93.
  • the second acoustic wave filter section ninth and tenth IDTs 94 and 95 are provided.
  • One ends of the seventh and eighth IDTs 92 and 93 are connected in common with one end of the second IDT 72 and connected to the unbalanced terminal 3, and the ninth and tenth IDTs are also connected to the second acoustic wave filter unit side.
  • One end of each of the IDTs 94 and 95 is commonly connected to one end of the fifth IDT 75 and connected to the unbalanced terminal 3.
  • the first and second elastic wave filter units may be configured by 5IDT type longitudinally coupled resonator type elastic wave filter units. .
  • the piezoelectric substrate used in the surface acoustic wave filter device is not limited to the 40 ⁇ 5 ° Y-force X-propagating LiTaO substrate, but may be a LiTaO substrate having another crystal orientation. 64 ° to 72 ° Y-cut X-propagation LiNbO substrate and 41 ° Y-cut X-propagation LiNbO substrate
  • LiNbO substrates with various crystal orientations such as 3 3.
  • the surface acoustic wave filter device in which the illustrated electrode structure is formed on the piezoelectric substrate has been described.
  • a boundary acoustic wave filter device in which the electrode structure described above is formed at the interface between the body and the dielectric may be used. That is, the surface acoustic wave filter device of the present invention can also be applied to a boundary acoustic wave filter device that includes only a surface acoustic wave filter device. Other elastic waves are also included.
  • the acoustic wave filter device according to the present invention is used as various band-pass filters, but is preferably used as, for example, a duplexer of an RF stage of a mobile phone.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of a duplexer as another embodiment of the present invention.
  • the duplexer 101 has an antenna terminal 102.
  • the elastic wave filter device 1 according to the first embodiment is connected to the antenna terminal 102. That is, the unbalanced terminal of the acoustic wave filter device 1 is connected to the antenna terminal 102.
  • This elastic wave filter device 1 is used as a reception side band filter in the duplexer 101.
  • the first and second balanced terminals 4 and 5 of the acoustic wave filter device 1 are connected to a balanced mixer IC or the like connected to the next stage.
  • a transmission side band filter 103 is also connected to the antenna terminal 102.
  • the transmission-side bandpass filter 103 is an elastic wave filter device having a ladder type circuit configuration, and includes a plurality of series arm resonators S1 to S3 and parallel arm resonators Pl and P2. One end of the transmission-side bandpass filter 103 is connected to the antenna terminal 102 as described above, and the other end is used as the transmission terminal 104.

Landscapes

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Abstract

　平衡－不平衡変換機能を有し、不平衡端子側のインピーダンスに比べて、平衡端子側のインピーダンスを４倍よりも大きくすることが可能とされている弾性波フィルタ装置を提供する。 　不平衡端子３に第１，第２の弾性波フィルタ部７，８が接続されており、第１，第２の弾性波フィルタ部７，８が、それぞれ、第１～第３のＩＤＴ１１～１３及び第４～第６のＩＤＴ１４～１６を有し、第１，第２のＩＤＴ１１，１３及び第４，第６のＩＤＴ１４，１６の各一端が共通接続されて不平衡端子３に接続されており、第２のＩＤＴ１２及び第５のＩＤＴ１５が、弾性波伝搬方向に沿って分割された第１～第３分割ＩＤＴ部１２ａ～１２ｃ、１５ａ～１５ｃを有し、第２分割ＩＤＴ部１２ｂ及び第５分割ＩＤＴ部１５ｂが、それぞれ、第１，第２の平衡端子４，５に接続されている、弾性波フィルタ装置１。

Description

明 細 書
弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
技術分野
[0001] 本発明は、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波フィルタ装置 に関し、より詳細には、平衡—不平衡変換機能を有し、入力インピーダンスに対する 出力インピーダンスの大きさを大きくすることが可能とされている、バランス型弾性波 フィルタ装置及び該弾性波フィルタ装置を用いたデュプレクサに関する。
背景技術
[0002] 近年、携帯電話機の RF段に使用される弾性表面波フィルタでは、平衡ー不平衡 変換機能、いわゆるバランの機能を有することが求められている。そのため、平衡一 不平衡変換機能を容易にもたせることができ、し力も高周波化に容易に対応し得るの で、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタが RF段のバンドパスフィルタとして広く用 レ、られている。
[0003] 上記平衡ー不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタの出力側には、平衡入 力あるいは作動入出力を有するミキサー IC (以下、平衡型ミキサー ICと略す）が接続 されるのが普通である。
[0004] 平衡型ミキサー ICの入力インピーダンスは、通常、 150〜200 Ωである。これに対 して、上記 RF段に用いられている弾性表面波フィルタの入出力インピーダンスは通 常 50 Ωである。
[0005] よって、上記平衡型ミキサー ICに接続される弾性表面波フィルタでは、出力インピ 一ダンスが 50 Ωよりも大きぐ 150-200 Ω程度とされることが望まれてレ、る。
[0006] そこで、特許文献 1には、平衡—不平衡変換機能を有し、入力インピーダンスと出 力インピーダンスとの比が 1： 4程度とされている弾性表面波フィルタ装置が開示され ている。図 10は、特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタ装置の電極構造を模式的 に示す平面図である。
[0007] 弾性表面波フィルタ装置 501は、不平衡端子 502と、第 1 ,第 2の平衡端子 503, 5 04とを有する。不平衡端子 502に並列に、第 1 ,第 2の 3IDT型の縦結合共振子型 弾性波フィルタ部 505, 506が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部 5 05は、弾性表面波伝搬方向に順に配置された第 1〜第 3の IDT505a〜505cを有 する。 IDT505a〜505cが設けられている領域の弾性表面波伝搬方向両側に、反射 器 505d， 505eが配置されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部 506も、同様 に、第 1〜第 3の ID506a〜506cと、反射器 506d, 506eとを有する。
[0008] 中央の IDT505b, 506bの各一端が共通接続され、不平衡端子 502に接続されて いる。また、第 1 ,第 3の IDT505a, 505cの一端が共通接続され、第 1の平衡端子 5 03に接続され、第 1，第 3の IDT506a， 506cの一端が共通接続され、第 2の平衡端 子 504に接続されている。
[0009] 第 1〜第 3の IDT505a〜505cと、第 1〜第 3の IDT506a〜506cとは、不平渙 ϊ端 子 502から第 1の平衡信号端子 503に流れる信号の位相と、不平衡端子 502から第 2の平衡端子 504に流れる信号の位相とが 180度異なるように構成されている。 特許文献 1 :特開 2002— 290203号公報
発明の開示
[0010] 特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタ装置 501では、入力端子としての不平衡 端子 502側のインピーダンスと、出力インピーダンスとしての第 1 ,第 2の平衡端子 50 3, 504側のインピーダンスとの比を 1 : 3〜 1 : 4程度とすることが可能とされている。す なわち、出力インピーダンスの入力インピーダンスに対する比であるインピーダンス比 を 4程度とすることが可能とされてレ、る。
[0011] し力、しながら、近年、平衡—不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタの後段に 接続される平衡型ミキサー ICの入力インピーダンスは、 200 Ωよりも高くなつてきてい る。すなわち、上記入力インピーダンスが例えば 600 Ω程度と大きいこともある。従つ て、上記インピーダンス比は 4よりも大きぐ例えば 12程度の大きな値とされることが望 まれている。特許文献 1に記載のような従来の弾性表面波フィルタ装置では、このよう な要望を満たすことはできなかった。
[0012] また、近年、弾性表面波フィルタに代えて、ノ^ケージ構造の簡略化を果たし得る ため、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタが開発されてきている。このような 弾性境界波フィルタにおいても、同様に、平衡ー不平衡変換機能を有し、かつ上記 インピーダンス比が大きいフィルタが強く望まれている。
[0013] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、平衡ー不平衡変換機能を 有するだけでなぐ平衡端子側のインピーダンスの不平衡端子側のインピーダンスに 対する割合であるインピーダンス比を 4よりも大きくすることができ、それによつて、より 広範な回路に接続することが可能とされているバランス型弾性波フィルタ装置及び該 弾性波フィルタ装置を用いたデュプレクサを提供することにある。
[0014] 第 1の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子とを有するバランス型弾 性波フィルタ装置であって、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の I DTを有し、第 2の IDTが、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた 第 1〜第 3分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、前記弾性波伝搬方向に沿 つて順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 5の IDTが、弾性波伝搬方向に沿つ て 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部を有する第 2の弾性波フィル タ部とを備え、前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 1，第 3の IDT の一端と、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 4，第 6の IDTの一端とが接続されており 、前記第 1〜第 3の IDT及び第 4〜第 6の IDTは、前記不平衡端子から第 1の平衡端 子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から第 2の平衡端子に伝送する信号 の位相とが 180度異なるように構成されており、
前記第 2の IDTは、第 1〜第 3分割 IDT部の各一端を共通接続している第 1の共通 バスバーを有し、第 2分割 IDT部の他端は第 1の平衡端子に接続されており、第 1， 第 3分割 IDT部の各他端はアース端子に接続されており、前記第 5の IDTは、第 1〜 第 3分割 IDT部の各一端を共通接続してレ、る第 2の共通バスバーを有し、第 2分割 I DT部の他端は第 2の平衡端子に接続されており、第 1，第 3分割 IDT部の各他端は アース端子に接続されている、弾性波フィルタ装置が提供される。
[0015] 第 2の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子とを有するバランス型弾 性波フィルタ装置であって、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の I DTを有し、第 2の IDTが、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた 第 1〜第 3分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、前記弾性波伝搬方向に沿 つて順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 5の IDTが、弾性波伝搬方向に沿つ て 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部を有する第 2の弾性波フィル タ部とを備え、前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 1，第 3の IDT の一端と、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 4，第 6の IDTの一端とが接続されており 、前記第 1〜第 3の IDT及び第 4〜第 6の IDTは、前記不平衡端子から第 1の平衡端 子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から第 2の平衡端子に伝送する信号 の位相とが 180度異なるように構成されており、前記第 2の IDTは、第 1〜第 3分割 ID T部を共通接続している第 1の共通バスバーを有し、前記第 2の IDTの前記第 1 ,第 3 分割 IDT部の第 1の共通バスバーに接続されている側と反対側の端部が第 1の平衡 端子に接続されており、第 2分割 IDT部の第 1の共通バスバーに接続されている側と 反対側の端部がアース端子に接続されており、前記第 5の IDTは、第 1〜第 3分割 I DT部の各一端を共通接続してレ、る第 2の共通バスバーを有し、前記第 5の IDTの第 1 ,第 3分割 IDT部の第 2の共通バスバーに接続されている側と反対側の端部が第 2 の平衡端子に接続されており、第 2分割 IDT部の第 1の共通バスバーに接続されて レ、る側と反対側の端部がアース端子に接続されている、弾性波フィルタ装置が提供 される。
第 3の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子とを有するバランス型弾 性波フィルタ装置であって、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の I DTを有し、第 1 ,第 3の IDTが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割すること により設けられた第 1 ,第 2分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、弾性波伝 搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 4，第 6の IDTが、それぞ れ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2分割 IDT部を 有する第 2の弾性波フィルタ部を備え、前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィル タ部の第 2の IDTの一端と、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが接 続されており、前記第 1 ,第 3，第 4，第 6の IDTは、第 1，第 2分割 IDT部の各一端を 共通接続している第 1〜第 4の共通バスバーを有し、前記第 1の IDTの第 1分割 IDT 部及び前記第 3の IDTの第 2分割 IDT部の各他端が共通接続されて第 1の平衡端 子に接続されており、前記第 4の IDTの第 1分割 IDT部及び第 6の IDTの第 2分割 I DT部の各他端が共通接続されて第 2の平衡端子に接続されており、第 1の IDTの第 2分害 ijIDT部、第 3の IDTの第 1分害 ijIDT部、第 4の IDTの第 2分害 ijIDT部、第 6の I DTの第 1分割 IDT部の各他端がアース端子に接続されており、前記不平衡端子か ら前記第 1の平衡端子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から前記第 2の平 衡端子に伝送する信号の位相とが 180度異なるように前記第 1〜第 6の IDTが構成 されている、弾性波フィルタ装置が提供される。
[0017] 第 4の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子とを有するバランス型弾 性波フィルタ装置であって、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の I DTを有し、第 1 ,第 3の IDTが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割すること により設けられた第 1 ,第 2分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、弾性波伝 搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 4，第 6の IDTが、それぞ れ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2分割 IDT部を 有する第 2の弾性波フィルタ部を備え、前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィル タ部の第 2の IDTの一端と、前記第 2の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが接 続されており、前記第 1 ,第 3，第 4，第 6の IDTは、第 1，第 2分割 IDT部の各一端を 共通接続している第 1〜第 4の共通バスバーを有し、前記第 1の IDTの第 2分割 IDT 部及び前記第 3の IDTの第 1分割 IDT部の各他端が共通接続されて第 1の平衡端 子に接続されており、前記第 4の IDTの第 2分割 IDT部及び第 6の IDTの第 1分割 I DT部の各他端が共通接続されて第 2の平衡端子に接続されており、第 1の IDTの第 1分害 IjIDT部、第 3の IDTの第 2分害 IjIDT部、第 4の IDTの第 1分害 IjIDT部、第 6の I DTの第 2分割 IDT部の各他端がアース端子に接続されており、前記不平衡端子か ら前記第 1の平衡端子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から前記第 2の平 衡端子に伝送する信号の位相とが 180度異なるように前記第 1〜第 6の IDTが構成 されている、弾性波フィルタ装置が提供される。
[0018] 第 3,第 4の発明のある特定の局面では、前記第 1〜第 3の IDTが設けられている 領域の弾性波伝搬方向両側に設けられた第 7,第 8の IDTと、前記第 4〜第 6の IDT が設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に設けられた第 9,第 10の IDTがさら に備えられ、第 7,第 8の IDT及び第 9,第 10の IDTの各一端が、前記不平衡信号端 子に接続される。すなわち、第 3,第 4の発明は、 5IDT型の縦結合共振子型弾性波 フィルタ部を有するものであってもよレ、。
[0019] 本発明の他の特定の局面では、本発明に従って構成された弾性波フィルタ装置を 受信側フィルタとして用い、ラダー型回路構成のフィルタを送信側フィルタとして用い たことを特徴とするデュプレクサが提供される。
(発明の効果）
[0020] 第 1の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子との間に、上記のように 構成された第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部が接続されているので、平衡ー不平衡変換 機能が実現される。しかも、第 1の弾性波フィルタ部の第 2の IDT及び第 2の弾性波フ ィルタ部の第 5の IDT力 それぞれ、第 1〜第 3分割 IDT部を有し、第 2の IDTの第 2 分割 IDT部が、第 1の平衡端子に、第 5の IDTの第 2分割 IDT部が、第 2の平衡端子 に接続されているので、不平衡端子側のインピーダンスに比べて、第 1 ,第 2の平衡 端子側のインピーダンスを非常に大きくすることできる。すなわち、平衡端子側のイン ピーダンスの不平衡端子側のインピーダンスに対する比であるインピーダンス比を 4 よりも大きく、 12程度とすることが可能となる。従って、第 1 ,第 2の平衡端子に、従来 よりも高い入力インピーダンスを有する平衡型ミキサー ICなどを接続した場合であつ ても、インピーダンスマッチングを容易に図ることができる。
[0021] 第 2の発明によれば、不平衡端子と、第 1 ,第 2の平衡端子との間に、上記のように 構成された第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部が接続されているので、平衡ー不平衡変換 機能が実現される。しかも、第 1の弾性波フィルタ部の第 2の IDT及び第 2の弾性波フ ィルタ部の第 5の IDT力 それぞれ、第 1〜第 3分割 IDT部を有し、第 2の IDTの第 1 ,第 3分割 IDT部が、第 1の平衡端子に、第 5の IDTの第 1 ,第 3分割 IDT部が、第 2 の平衡端子に接続されているので、不平衡端子側のインピーダンスに比べて、第 1， 第 2の平衡端子側のインピーダンスを非常に大きくすることできる。すなわち、平衡端 子側のインピーダンスの不平衡端子側のインピーダンスに対する比であるインピーダ ンス比を 4よりも大きぐ 12程度とすることが可能となる。従って、第 1 ,第 2の平衡端子 に、従来よりも高レ、入力インピーダンスを有する平衡型ミキサー ICなどを接続した場 合であっても、インピーダンスマッチングを容易に図ることができる。
[0022] 第 3の発明によれば、第 1，第 2の弾性波フィルタ部が上記のように構成されている ので、平衡ー不平衡変換機能が実現されている。力 Pえて、第 1の弾性波フィルタ部の 第 2の IDTの一端と、第 2の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが不平衡端子に 接続されていること、並びに第 1，第 3の IDTが、それぞれ第 1 ,第 2の分割 IDT部を 有し、第 1の IDTの第 1分割 IDT部及び第 3の IDTの第 2の分割 IDT部の一端が共 通接続されて第 1の平衡端子に接続されており、第 4の IDTの第 1分割 IDT部及び 第 6の IDTの第 2分割 IDT部が共通接続されて第 2の平衡端子に接続されていること により、不平衡端子側のインピーダンスに対する平衡端子側のインピーダンスの比で あるインピーダンス比を 4より大きくすることができる。すなわち、上記インピーダンス 比を 12程度と高くすることができる。よって、従来より大きな入力インピーダンスを有 する平衡型ミキサー ICを接続した場合であっても、インピーダンスマッチングを容易 に図ることができる。
[0023] 第 4の発明によれば、第 1，第 2の弾性波フィルタ部が上記のように構成されている ので、平衡ー不平衡変換機能が実現されている。力 Pえて、第 1の弾性波フィルタ部の 第 2の IDTの一端と、第 2の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが不平衡端子に 接続されていること、並びに第 1，第 3の IDTが、それぞれ第 1 ,第 2の分割 IDT部を 有し、第 1の IDTの第 2分割 IDT部及び第 3の IDTの第 1分割 IDT部の一端が共通 接続されて第 1の平衡端子に接続されており、第 4の IDTの第 2分割 IDT部及び第 6 の IDTの第 1分割 IDT部が共通接続されて第 2の平衡端子に接続されていることに より、不平衡端子側のインピーダンスに対する平衡端子側のインピーダンスの比であ るインピーダンス比を 4より大きくすることができる。すなわち、上記インピーダンス比を 12程度と高くすることができる。よって、従来より大きな入力インピーダンスを有する 平衡型ミキサー ICを接続した場合であっても、インピーダンスマッチングを容易に図 ること力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を模式 的に示す平面図である。
[図 2]図 2は、本実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量 周波数特性を示す図で ある。 [図 3]図 3 (a)及び (b)は、第 1の実施形態の弾性波フィルタ装置の不平衡端子側の インピーダンススミスチャート及び平衡端子側におけるインピーダンススミスチャートを 示す図である。
[図 4]図 4は、本発明の第 2の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を模式 的に示す平面図である。
[図 5]図 5は、本発明の第 3の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を模式 的に示す平面図である。
[図 6]図 6は、本発明の第 4の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を模式 的に示す平面図である。
[図 7]図 7は、第 3の実施形態の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す 模式的平面図である。
[図 8]図 8は、第 4の実施形態の変形例に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す 模式的平面図である。
[図 9]図 9は、本発明の他の実施形態としてのデュプレクサの電極構造を示す模式的 平面図である。
[図 10]図 10は、従来の弾性波フィルタ装置の電極構造を模式的に示す平面図であ る。
[図 11]図 11は、比較例の弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図であ る。
[図 12]図 12は、比較例の弾性波フィルタ装置の減衰量 周波数特性を示す図であ る。
符号の説明
1…弾性波フィルタ装置
2…圧電基板
3…不平衡端子
4, 5…第 1，第 2の平衡端子
6· · · 1ポート型弾性波共振子
6a- - -IDT b, 6c…反射器
…第 1の弾性波フィルタ部 …第 2の弾性波フィルタ部 ：!〜 13…第 1〜第 3の IDT
2&〜12 -分割10丁部
2d…共通バスバー
4〜16…第 4〜第 6の IDT
5&〜15 -分割10丁部
5d…共通バスバー
7a, 17b…反射器
8a, 18b…反射器
1…弾性波フィルタ装置
7, 28…弾性波フイノレタ部
1〜33···第 1〜第 3の IDT
2&〜32 '分割1。丁部
2d…共通バスバー
〜36…第 4〜第 6の IDT a〜35c'-UlDT¾
d…共通バスバー
1…弾性波フィルタ装置
, 48…第 1,第 2の弾性波フィルタ部!〜 53…第 1〜第 3の IDT a, 51 '-分害1扛13丁部
c…共通バスバー
a, 53b…分害 iJIDT部
〜56…第 4〜第 6の IDT a, 54b…分害 iJIDT部
c…共通バスバー 56a, 56b分割 IDT部
56c…共通バスバー
57a, 57b…反射器
58a, 58b…反射器
61…弾性波フィルタ装置
67, 68…第 1，第 2の弾性波フィルタ部
71〜73…第 1〜第 3の IDT
71a, 71 分害!扛13丁部
71c…共通バスバー
73a, 73 - -分害'扛13丁部
73c…共通バスバー
74〜76…第 4〜第 6の IDT
74a, 74b…分害 IJIDT部
74c…共通バスバー
76a, 76b…分割 IDT部
77a, 77b…反射器
78a, 78b…反射器
81…弾性波フィルタ装置
82, 83· · ·第 7,第 8の IDT
84, 85· · ·第 9，第 10の IDT
91…弾性波フィルタ装置
92, 93…第 7，第 8の IDT
94, 95…第 9，第 10の IDT
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。
[0027] 図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性波フィルタ装置としての弾性表面波フ ィルタ装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 [0028] 本実施形態の弾性波フィルタ装置 1は、圧電基板 2を有する。圧電基板 2としは、特 に限定されないが、本実施形態では、 40 ± 5° Yカット X伝搬の LiTaO基板が用い
3 られている。
[0029] 圧電基板 2上に、図 1に示されている電極構造を形成することにより、縦結合共振 子型の弾性表面波フィルタ装置が構成されている。なお、本実施形態及び以下の実 施形態では、 DCS受信用帯域フィルタとして用いられる弾性表面波フィルタ装置を 説明することとする。この DCS受信用帯域フィルタでは、入力端子が不平衡端子で あり、そのインピーダンスは 50 Ωとされている。この DCS受信用帯域フィルタの出力 端子には、入力インピーダンスが 600 Ωの平衡型ミキサー ICが接続される。従って、 出力端子としての第 1，第 2の平衡端子側のインピーダンスは 600 Ωとすることが望ま れる。すなわち、不平衡端子側のインピーダンスに対する出力端子側すなわち平衡 信号端子側のインピーダンスの比は 12とされることが求められる。
[0030] 図 1に示すように、弾性波フィルタ装置 1は、不平衡端子 3と、第 1 ,第 2の平衡端子
4, 5とを有する。不平衡端子 3に、 1ポート型弾性波共振子 6を介して、第 1 ,第 2の弾 性波フィルタ部 7, 8が接続されている。第 1の弾性波フィルタ部 7は、弾性波伝搬方 向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDT11〜13を有する。また、第 2の弾性波 フィルタ部 8は、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDT14〜16 を有する。
[0031] 第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部は、それぞれ、 3個の IDTを有する 3IDT型の縦結合 共振子型弾性波フィルタ部である。なお、各弾性波フィルタ部 7， 8では、弾性波伝搬 方向両端に、反射器 17a, 17b, 18a, 18bが配置されている。
[0032] 1ポート型弾性波共振子 6は、本実施形態では必ずしも必須ではないが、不平衡端 子 3に 1ポート型弾性波共振子 6の一端が接続されている。なお、本実施形態では、 弾性波共振子 6は、 IDT6aと、 IDT6aの両側に配置された反射器 6b， 6cとを有する 。もっとも、反射器 6b， 6cは必ずしも設けられずともよい。
[0033] 本実施形態では、 1ポート型弾性波共振子 6を、不平衡端子 3と、第 1，第 2の弾性 波フィルタ部 7， 8との間に直列に接続することにより、通過帯域近傍における減衰量 が大きくされ、フィルタ特性の急峻性が高められている。また、通過帯域内におけるィ ンピーダンスを調整することが可能とされてレ、る。
[0034] 1ポート型弾性波共振子 6の他端が第 1，第 2の弾性波フィルタ部 7, 8に接続されて いる。より具体的は、第 1の弾性波フィルタ部 7の第 1 ,第 3の IDT11 , 13の一端が共 通接続され、 1ポート型弾性波共振子 6を介して不平衡端子 3に接続されている。ま た、第 2の弾性波フィルタ部 8の第 4,第 6の IDT14, 16の一端が共通接続され、同 様に、第 1の弾性波共振子 6を介して不平衡端子 3に接続されている。
[0035] 第 1 ,第 3の IDT11, 13の他端はグラウンド電位に接続されている。第 4,第 6の ID T14, 16の他端もグラウンド電位に接続されている。従って、第 1 ,第 2の弾性波フィ ルタ部 7, 8は、不平衡端子 3に並列に接続されている。
[0036] 他方、第 2の IDT12は、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた 第 1〜第 3分割 IDT部 12a〜12cを有する。 IDT12は、第 1の共通バスバー 12dを有 する。共通バスバー 12dにより、第 1〜第 3分割 IDT部 12a〜12cの各一端が接続さ れている。
[0037] 中央の第 2分割 IDT部 12bは、共通バスバー 12dに接続されている側の端部とは 反対側の端部において、第 1の平衡端子 4に接続されている。第 1 ,第 3分割 IDT部 12a, 12cの共通バスバー 12dと接続されている側の端部とは反対側の端部はグラウ ンド電位に接続されている。
[0038] なお、第 1の弾性波フィルタ部 7では、第 1,第 3の IDT11, 13の第 2の IDT12側の 端部には、直列重み付けが施されている。すなわち、略図的に示す浮き電極指 11a , 13aを設けることにより、直列重み付けが施されている。この直列重み付けは、必須 ではないが、直列重み付けを施すことにより、第 1の弾性波フィルタ部における IDT 間の状態を、第 2の弾性波フィルタ部 8側における IDT間の状態に近づけることがで き、位相平衡度や振幅平衡度が高められている。
[0039] 第 2の弾性波フィルタ部 8においても、中央に位置している IDTである第 5の IDT15 、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた第 1〜第 3の分割 IDT 部 15a〜15cを有する。第 5の IDT15は、第 1〜第 3分害 ijIDT部 15a〜15cの各一端 を共通接続している第 2の共通バスバー 15dを有する。第 2分割 IDT部 15bは、共通 バスバー 15dに接続されている側の端部とは反対側の端部において、第 2の平衡端 子 5に接続されている。第 1 ,第 3分割 IDT部 15a, 15cは、一端側において、共通バ スバー 15dに接続されており、他端側はそれぞれグラウンド電位に接続されている。
[0040] 本実施形態では、第 1 ,第 3の IDT11 , 13に対し、第 4,第 6の IDT14, 16が反転 されており、それによつて、不平衡端子 3から第 1の平衡端子 4に流れる信号の位相と 、不平衡端子 3から第 2の平衡端子 5に流れる信号の位相とが 180度異ならされてい る。従って、弾性波フィルタ装置 1は、平衡—不平衡変換機能を有する。
[0041] しかも、本実施形態によれば、上記のように、第 2の IDT12及び第 5の IDT15が、 それぞれ、第 1〜第 3分割 IDT部 12a〜： 12c， 15a〜： 15cを有し、第 1〜第 3分割 IDT 部を直列に接続した構造を有するため、不平衡端子 3側のインピーダンスに対し、平 衡端子 4, 5側のインピーダンスを 12倍とすることが可能とされてレ、る。
[0042] すなわち、出力端子である第 1 ,第 2の平衡端子 4， 5側のインピーダンスの入力端 子としての不平衡端子 3側のインピーダンスに対する割合であるインピーダンス比を 1 2とすることができる。従って、平衡端子 4, 5に対して入力インピーダンスが 600 Ω程 度の平衡型ミキサー ICに接続した場合、インピーダンスマッチングを容易に図ること ができる。また、第 1の弾性波フィルタ部 7及び第 2の弾性波フィルタ部 8のそれぞれ 力 弾性波伝搬方向中央に対して両側の構造が左右対称であるため、通過帯域内 におけるリップルも生じ難い。これを、具体的な実施例に基づき説明する。
[0043] いま、上記圧電基板上に下記の仕様で、第 1，第 2の弾性波フィルタ部 7， 8及び 1 ポート型弾性波共振子 6を形成し、弾性波フィルタ装置 1を作製した。
[0044] (第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部7， 8の仕様）
a)交差幅： 29. 3 λ I、なお、 IDTの電極指ピッチで定まる波長を λ Iとした。
[0045] b) IDTl l， 13， 14, 16の電極指の本数： 28本、但し、 IDTと隣り合う側の端部力 5本の電極指間の電極指ピッチは残りの部分の電極指ピッチよりも相対的に狭い狭 ピッチ電極指部とした。
[0046] c) IDT12, 15の電極指の本数： 27本、但し、 IDTに隣り合う側の端部力、ら 4本の電 極指が設けられている部分は狭ピッチ電極指部とした。
[0047] d)反射器 17a， 17b, 18a, 18bの電極指の本数： 85本
メタライゼーシヨンレシオ： 0. 67、狭ピッチ電極指部のメタライゼーシヨンレシオ： 0. 65とした。
[0048] e)電極膜厚： 0. 086 λ I
なお、第 2の IDT12及び第 5の IDT15における第 1〜第 3分割 IDT部の電極指本 数は、第 1分割 IDT部：第 2分割 IDT部：第 3分割 IDT部 = 7本： 13本： 7本とした。
[0049] (1ポート型弾性波共振子 6の仕様）
電極指交差幅： 24. 8 λ Ι
IDTの電極指の本数： 221本
反射器の電極指の本数： 15本
メタライゼーシヨンレシオ： 0. 70
電極膜厚： 0. 089 λ ΐ
上記のようにして作製された本実施形態の弾性波フィルタ装置 1のフィルタ特性を 図 2に、インピーダンス特性を図 3 (a)及び (b)に示す。
[0050] 図 2から明らかなように、本実施形態の弾性波フィルタ装置では通過帯域内にスパ イクリップルなどが生じておらず、良好なバンドパスフィルタ特性の得られてレ、ることが わ力る。
[0051] また、図 3 (a)に不平衡端子側のインピーダンス特性をインピーダンススミスチャート 図で示すように、また出力端子としての平衡端子 4， 5側のインピーダンス特性をイン ピーダンススミスチャートで図 3 (b)に示すように、不平衡端子 3におけるインピーダン スと平衡端子 4, 5におけるインピーダンスとの比が 1 : 12と大きいにもかかわらず、ィ ンピーダンスがほぼ整合状態になることがわかる。すなわち、インピーダンススミスチ ヤートの中心に、通過帯域内における共振特性が集まっていることがわかる。
[0052] よって、本実施形態では、第 2,第 5の IDT12, 15を 3分割して、第 1分割 IDT部〜 第 3分割 IDT部 12a〜： 12c， 15a〜15cを有するように構成したことにより、インピーダ ンス比が非常に高いだけでなぐ通過帯域内におけるリップルが生じ難ぐかつインピ 一ダンスマッチングを容易に図ることが可能とされていることがわかる。
[0053] 実施例 1では、平衡端子のインピーダンスが 600 Ωの例を示した力 対数などのパ ラメータを調整することで 400〜： 1200 Ω程度のインピーダンスの弾性波フィルタ装置 も作製可能である。 [0054] なお、不平衡端子と平衡端子との上記インピーダンス比を高める構成としては、図 1 1に示す比較例の弾性波フィルタ装置 521も考えることができる。この比較例の弾性 波フィルタ装置 521では、不平衡信号端子 523と、第 1 ,第 2の平衡端子 524， 525と 第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部 527， 528とが設けられている。そして、第 1，第 2の弾 性波フィルタ部 527, 528は、それぞれ、 3IDT型の縦結合共振子型弾性波フィルタ 部である。第 1の弾性波フィルタ部 527は、弾性波伝搬方向に沿って順に配置された 第 1〜第 3の IDT531〜533を有し、第 2の弾性波フィルタ部は、第 4〜第 6の IDT53 4〜536を有する。ここでは、第 2の IDT532及び第 5の IDT535力 S、それぞれ、第 1 , 第 2分害 IJIDT音 B532a, 532b, 535a, 535bを有するよう (こ構成されてレヽる。
[0055] このような IDTを 2分割することにより、第 1 ,第 2分割 IDT部が設けられた IDT532 , 535を用いたことを除いては、上記実施形態と同様にして構成された比較例の弾 性波フィルタ装置について、減衰量一周波数特性を測定した。なお、弾性波共振子 6及び反射器等については上記実施形態と同様にして構成したが、図 11では図示 を省略してレ、ることを指摘しておく。
[0056] 上記のようにして測定された比較例の弾性波フィルタ装置 521の減衰量 周波数 特性を図 12に示す。図 12から明らかなように、矢印 A, Aで示すスパイク状のリップ ルが通過帯域内に現れてレ、ること力 Sわ力る。
[0057] これは、比較例の弾性波フィルタ装置 521では、第 1の弾性波フィルタ部 527及び 第 2の弾性波フィルタ部 528がそれぞれの中心に対して左右非対称とされているた め、スパイク状リップノレが大きく現れていることによると考えられる。
[0058] これに対して、上記実施形態の弾性波フィルタ装置 1では、図 2からも明らかなよう に、通過帯域内にスパイク状リップルが現れていないことが分かる。これは、第 2の ID T12及び第 5の IDT15が、それぞれ、第 1〜第 3分割 IDT部を有するように構成され ており、対称性が高められていることによると考えられる。
[0059] 図 4は、第 2の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構成を示す模式的平面 図である。第 2の実施形態の弾性波フィルタ装置 21は、第 1の弾性波フィルタ装置 1 の変形例に相当する。従って、異なる点のみを説明することにより、第 1の実施形態 の弾性波フィルタ装置 1の説明を援用することにより、第 2の実施形態の弾性波フィル タ装置 21の説明を簡略化することとする。
[0060] 弾性波フィルタ装置 21では、弾性波共振子 6に、第 1，第 2の弾性波フィルタ部 27 , 28が接続されている。第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部 27， 28は、それぞれ、弾性波 伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDT31〜33及び第 4〜第 6の IDT3 4〜36を有する。
[0061] ここでは、第 1の弾性波フィルタ部 27の中央に配置されている第 2の IDT32が第 1 〜第 3分割 IDT部 32a〜32cを有し、かつ第 1の共通バスバー 32dにより共通に接続 されている。
[0062] また、両側に位置している第 1，第 3分割 IDT部 32a, 32cの共通バスバー 32dに接 続されている側と反対側の端部が共通接続されて第 1の平衡端子 4に接続されてい る。中央の第 2分割 IDT部 32bの共通バスバー 32dに接続されてレ、る側とは反対側 の端部が、グラウンド電位に接続されている。
[0063] 同様に、第 2の弾性波フィルタ部 28においても、第 4〜第 6の IDT34〜36の内、中 央に位置している第 5の IDT35が、第 1〜第 3分割 IDT部 35a〜35cと、第 2の共通 バスバー 35dとを有する。第 1 ,第 3分割 IDT部 35a, 35cの共通バスバー 35dに接 続されている側と反対側の端部が第 2の平衡端子 5に接続されており、中央に位置し ている第 2分割 IDT部 35bの共通バスバー 35dに接続されている側とは反対側の端 部がグラウンド電位に接続されてレ、る。
[0064] 不平衡端子 3から第 1の平衡端子 4に流れる信号の位相と、不平衡端子 3から第 2 の平衡端子 5に流れる信号の位相とが 180度異なるように第 1〜第 6の IDT31〜36 が構成されている。
[0065] よって、平衡-不平衡変換機能を有し、かつ第 1の実施形態の場合と同様に、不平 衡端子 3側のインピーダンスが 50 Ωの場合、平衡端子 4， 5側のインピーダンスを 40 0〜： 1200 Ω程度にすることができる。しかも、本実施形態においても、第 1の弾性波 フィルタ部 27及び第 2の弾性波フィルタ部 28の各々において対称性が高められてい るため、通過帯域内にぉレ、て所望でなレ、スパイク状リップノレが生じ難レ、。
[0066] 図 5は、本発明の第 3の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模 式的平面図である。 [0067] 第 3の実施形態の弾性波フィルタ装置 41では、第 1の実施形態の同様と圧電基板 上に図示の電極構造を形成することにより、縦結合共振子型の第 1，第 2の弾性波フ ィルタ部を有する弾性表面波フィルタ装置が構成されている。
[0068] 本実施形態の弾性波フィルタ装置 41は、不平衡端子 3と、第 1，第 2の平衡端子 4, 5とを有し、不平衡端子 3に、第 1の実施形態と同様に、 1ポート型弾性波共振子 6が 接続されている。不平衡端子 3には、この 1ポート型弾性波共振子 6を介して、 3IDT 型の縦結合共振子型の第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部 47， 48が接続されている。
[0069] 第 1の弾性波フィルタ部 47は、弾性波伝搬方向に順に配置された第 1〜第 3の ID T5：!〜 53を有する。 IDT51 , 53は、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割する ことにより設けられた第 1 ,第 2の分割 IDT部 51a， 51b, 53a, 53bを有する。第 1の I DT51は、分割 IDT部 51a, 51bの各一端を共通接続している共通バスバー 51cを 有する。同様に、第 3の IDT53は、共通バスバー 53cを有する。第 2の IDT52の一端 力 1ポート型弾性波共振子 6を介して不平衡端子 3に接続されている。 IDT52の他 端は、グラウンド電位に接続されている。
[0070] 第 1の IDT51においては、第 1 ,第 2の分害 ijIDT部 51a, 51bは共通バスバー 51c により直列に接続されている。同様に、第 3の IDT53においても第 1 ,第 2分割 IDT 部 53a, 53bが共通バスバー 53cにより直列に接続されている。ここでは、弾性波伝 搬方向両側に位置する第 1分割 IDT部 51aの他端と、第 2分割 IDT部 53bの他端と が共通接続され、第 1の平衡端子 4に接続されている。また、相対的に内側に位置す る第 2分割 IDT部 51bの他端と、第 1分割 IDT部 53aの他端とが、グラウンド電位に接 続されている。
[0071] 第 2の弾性波フィルタ部 48においても、中央に位置している第 5の IDT55の一端が 1ポート型弾性波共振子 6を介して不平衡端子 3に接続されており、他端がグラウンド 電位に接続されている。そして、第 4の IDT54では、共通バスバー 54cにより第 1，第 2分割 IDT部 54a, 54bが直列に接続されている。分割 IDT部 54aの共通バスバー 5 4cに接続されている側とは反対側の端部と、 IDT56の第 2分割 IDT部 56bの共通バ スバー 56cに接続されている側とは反対側の端部とは共通接続され、第 2の平衡端 子 5に接続されている。また、第 2の弾性波フィルタ部 48において相対的に中央側に 位置している分割 IDT部である第 2分割 IDT部 54bの他端はグラウンド電位に接続さ れており、第 1分割 IDT部 56aの他端もグラウンド電位に接続されている。
[0072] 第 1の弾性波フィルタ部 47では、第 1〜第 3の IDT51〜53が設けられている部分 の弾性波伝搬方向の両側に反射器 57a, 57bが配置されている。同様に、第 2の弾 性波フィルタ部 48においても、反射器 58a， 58bが設けられている。
[0073] 本実施形態においても、不平衡端子 3から第 1の平衡端子 4への信号の位相と、不 平衡端子 3から第 2の平衡端子 5に流れる信号の位相とが 180度異なるように第 1〜 第 6の IDT51〜56が設けられている。より具体的には、第 2の IDT52に対し、第 5の I DT55の位相が反転されており、それによつて、平衡—不平衡変換機能が実現され ている。
[0074] また、上記のように、不平衡端子 3に並列に第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部 47， 48が 接続されており、各弾性波フィルタ部 47, 48力 弾性波伝搬方向両側に位置する第 1 ,第 3の IDT51 , 53及び第 4,第 6の IDT54, 56を、第 1 ,第 2分割 IDT部 51a, 51 b, 53a, 53b, 54a, 54b, 56a, 56bを直歹 ljに接続した構造を有するように形成して おり、第 1の IDT51の第 1分害 IJIDT部 51aと第 3の IDT53の第 2分害 IJIDT部 53bの各 他端を共通接続して第 1の平衡端子 4に、第 4の IDT54の第 1分割 IDT部 54aと第 6 の IDT56の第 2分割 IDT部 56bの各他端を共通接続して第 2の平衡端子 5に接続し ている。従って、不平衡端子 3側のインピーダンスを 50 Ωとしたとき、平衡端子 4, 5に おけるインピーダンスを 400〜 1200 Ωとすることが可能とされてレ、る。
[0075] また、本実施形態においても、第 1の弾性波フィルタ部 47及び第 2の弾性波フィル タ部 48それぞれにおいて対称性が高められているので、通過帯域内において、所 望でなレ、リップノレが生じ難レ、。なお、第 3の実施形態においても、 1ポート型弾性波共 振子 6は必ずしも設けられずともよい。また、 1ポート型弾性波共振子 6における反射 器 6b， 6cは設けられずともよい。
[0076] 図 6は、第 4の本実施形態に係る弾性波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平 面図である。第 4の実施形態の弾性波フィルタ装置 61は、第 3の実施形態の弾性波 フィルタ装置 41の変形例に相当する。従って、異なる部分のみを説明し、その他の 部分については第 3の実施形態の説明を援用することとする。 [0077] 第 4の実施形態の弾性波フィルタ装置 61では、第 1,第 2の弾性波フィルタ部 67, 6 8が、第 1,第 2の弾性波フィルタ部 47, 48の代わりに設けられている。
[0078] 第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部 67, 68は、それぞれ、 3IDT型の縦結合共振子型弹 性波フィルタ部である。第 1の弾性波フィルタ部 67は、弾性波伝搬方向に沿って配 置された第 1〜第 3の IDT7：!〜 73を有する。 IDT7：!〜 73が設けられている部分の 弾性波伝搬方向両側に反射器 77a, 77bが配置されている。
[0079] 本実施形態においても、第 1の IDT71と、第 3の IDT73とが、それぞれ、弾性波伝 搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2分割 IDT部 71a, 71b, 73 a, 73bを有する。本実施形態では、第 1の平衡端子 4に接続されている部分は、中 央に位置している第 2の IDT72に近い側の分割 IDT部である。すなわち、第 1の ID T71の第 2分割 IDT部 71bと、第 3の IDTの 73の第 1分割 IDT部 73aとが共通接続さ れて第 1の平衡端子 4に接続されている。そして、弾性波伝搬方向外側に位置してい る分割 IDT部、すなわち第 1の IDT部 71の第 1分割 IDT部 71aの他端がグラウンド電 位に、一端が共通バスバー 71cに接続されている。第 3の IDT73においても、同様 に、弾性波伝搬方向外側に位置している第 2分割 IDT部 73bの他端がグラウンド電 位に一端が共通バスバー 73cに接続されている。
[0080] 同様に、第 2の弾性波フィルタ部 68においても、第 1〜第 3の IDT74〜76と、反射 器 78a, 78bと力 S設けられており、第 4,第 6の IDT74, 76力 それぞれ、第 1,第 2の 分割 IDT部 74a, 74b, 76a, 76bを有する。そして、内側に位置している第 4の IDT 74の第 2分割 IDT部 74bと、第 6の IDT72の第 1分割 IDT部 76aの他端が共通接続 されて第 2の平衡端子 5に接続されており、各一端が共通バスバー 74c, 76cに接続 されている。そして、弾性波伝搬方向外側に位置している第 1分割 IDT部 74d及び 第 2分割 IDT部 76bの他端が、グラウンド電位に接続されており、各一端が共通バス ノ ー 74c， 76cこ接続されてレヽる。
[0081] 従って、本実施形態において、第 3の実施形態と同様に、第 1 ,第 2の弾性波フィル タ部 67, 68の各々において左右対称とされているため、通過帯域内において所望 でなレ、スパイク状リップノレが生じ難い。しかも、不平衡端子のインピーダンスを 50 Ωと した場合、平衡端子 4， 5側のインピーダンスを 400〜1200 Ωとすることが可能とされ ている。
[0082] なお、図 7の弾性波フィルタ装置 81は、第 3の実施形態の弾性波フィルタ装置 41の 変形例に相当する。弾性波フィルタ装置 81では、第 1〜第 3の IDT51〜53の弾性 波伝搬方向両側に、さらに、第 8,第 9の IDT82, 83が設けられていること、第 2の弾 性波フィルタ部において、第 4〜第 6の IDT54〜56の弾性波伝搬方向両側に、第 9 ,第 10の IDT84, 85が設けられていることを除いては、第 3の実施形態の弾性波フ ィルタ装置 41と同様に構成されている。ここでは、第 7，第 8の IDT82, 83の各一端 が第 2の IDT52の一端と共通接続されて、不平衡端子 3に接続されている。第 7，第 8の IDT82, 83の他端はグラウンド電位接続されている。同様に、第 2の弾性波フィ ルタ部側においても、第 9，第 10の IDT84, 85の各一端が第 5の IDT55の一端と共 通接続され、不平衡端子 3に接続されており、 IDT84, 85の他端がグラウンド電位に 接続されている。
[0083] このように、第 3の実施形態の弾性波フィルタ装置 41の第 1〜第 3の IDT51〜53及 び第 4〜第 6の IDT54〜56に、さらにそれぞれ、 2個の IDTを追加し、 5IDT型の縦 結合共振子型の弾性波フィルタ部により第 1 ,第 2の弾性波フィルタ部を設けてもよい
[0084] 図 8は、第 4の実施形態の弾性波フィルタ装置 61の変形例に相当する弾性波フィ ルタ装置を示す模式的平面図である。本実施形態の弾性波フィルタ装置 91では、図 7に示した弾性波フィルタ装置 81と同様に、第 1の弾性波フィルタ部において、第 7, 第 8の IDT92, 93が設けられており、第 2の弾性波フィルタ部において、第 9,第 10 の IDT94, 95が設けられている。第 7,第 8の IDT92, 93の一端が、第 2の IDT72 の一端と共通接続されて不平衡端子 3に接続されており、第 2の弾性波フィルタ部側 においても、第 9,第 10の IDT94, 95の一端が第 5の IDT75の一端と共通接続され て不平衡端子 3に接続されている。
[0085] このように、第 4の実施形態の弾性波フィルタ装置 61においても、第 1 ,第 2の弾性 波フィルタ部を 5IDT型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成してもよい。
[0086] なお、上記弾性表面波フィルタ装置に用いた圧電基板については、 40± 5° Y力 ット X伝搬 LiTaO基板にかぎらず、他の結晶方位の LiTaO基板を用いてもよぐま た 64° 〜72° Yカット X伝搬の LiNbO基板や、 41° Yカット X伝搬の LiNbO基板
3 3 などの様々な結晶方位の LiNbO基板などを用いてもょレ、。
3
[0087] また、上述してきた第 1〜第 4の実施形態及び各変形例では、圧電基板上に図示 の電極構造を形成してなる弾性表面波フィルタ装置につき説明したが、本発明は、 圧電体と、誘電体との界面に上述した電極構造を形成してなる、弾性境界波フィルタ 装置であってもよい。すなわち、本発明の弾性波フィルタ装置は、弾性表面波フィル タ装置だけでなぐ弾性境界波フィルタ装置にも適用することができ、弾性波とは、弾 性表面波だけでなぐ弾性境界波などの他の弾性波も含むものとする。
[0088] 本発明に係る弾性波フィルタ装置は、様々な帯域フィルタとして用いられるが、例え ば携帯電話機の RF段のデュプレクサとして好適に用いられる。図 9は、本発明の他 の実施形態としてのデュプレクサの電極構造を示す模式的平面図である。デュプレク サ 101は、アンテナ端子 102を有する。そして、アンテナ端子 102に、第 1の実施形 態の弾性波フィルタ装置 1が接続されている。すなわち、弾性波フィルタ装置 1の不 平衡端子がアンテナ端子 102に接続されている。
[0089] この弾性波フィルタ装置 1は、デュプレクサ 101において、受信側帯域フィルタとし て用いられる。そして、弾性波フィルタ装置 1の第 1，第 2の平衡端子 4, 5が、次段に 接続される平衡型ミキサー ICなどに接続される。
[0090] 他方、アンテナ端子 102には、送信側帯域フィルタ 103も接続されている。送信側 帯域フィルタ 103は、ラダー型回路構成を有する弾性波フィルタ装置であり、複数の 直列腕共振子 S 1〜S3及び並列腕共振子 P l， P2を有する。送信側帯域フィルタ 10 3は、一端が上記のようにアンテナ端子 102に接続されており、他端が送信端子 104 とされてレ、る。

Claims

請求の範囲
[1] 不平衡端子と、第 1，第 2の平衡端子とを有するバランス型弾性波フィルタ装置であ つて、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、第 2の IDTが、 弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部を有 する第 1の弾性波フィルタ部と、
前記弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 5の IDT 、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部 を有する第 2の弾性波フィルタ部とを備え、
前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 1，第 3の IDTの一端と、前 記第 2の弾性波フィルタ部の第 4，第 6の IDTの一端とが接続されており、
前記第 1〜第 3の IDT及び第 4〜第 6の IDTは、前記不平衡端子から第 1の平衡端 子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から第 2の平衡端子に伝送する信号 の位相とが 180度異なるように構成されており、
前記第 2の IDTは、第 1〜第 3分割 IDT部の各一端を共通接続している第 1の共通 バスバーを有し、第 2分割 IDT部の他端は第 1の平衡端子に接続されており、第 1， 第 3分割 IDT部の各他端はアース端子に接続されており、
前記第 5の IDTは、第 1〜第 3分割 IDT部の各一端を共通接続している第 2の共通 バスバーを有し、第 2分割 IDT部の他端は第 2の平衡端子に接続されており、第 1， 第 3分割 IDT部の各他端はアース端子に接続されている、弾性波フィルタ装置。
[2] 不平衡端子と、第 1，第 2の平衡端子とを有するバランス型弾性波フィルタ装置であ つて、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、第 2の IDTが、 弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部を有 する第 1の弾性波フィルタ部と、
前記弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 5の IDT 、弾性波伝搬方向に沿って 3分割することにより設けられた第 1〜第 3分割 IDT部 を有する第 2の弾性波フィルタ部とを備え、 前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 1，第 3の IDTの一端と、前 記第 2の弾性波フィルタ部の第 4，第 6の IDTの一端とが接続されており、
前記第 1〜第 3の IDT及び第 4〜第 6の IDTは、前記不平衡端子から第 1の平衡端 子に伝送する信号の位相と、前記不平衡端子から第 2の平衡端子に伝送する信号 の位相とが 180度異なるように構成されており、
前記第 2の IDTは、第 1〜第 3分割 IDT部を共通接続している第 1の共通バスバー を有し、前記第 2の IDTの前記第 1 ,第 3分割 IDT部の第 1の共通バスバーに接続さ れている側と反対側の端部が第 1の平衡端子に接続されており、第 2分割 IDT部の 第 1の共通バスバーに接続されている側と反対側の端部がアース端子に接続されて おり、
前記第 5の IDTは、第 1〜第 3分割 IDT部の各一端を共通接続している第 2の共通 バスバーを有し、前記第 5の IDTの第 1，第 3分割 IDT部の第 2の共通バスバーに接 続されている側と反対側の端部が第 2の平衡端子に接続されており、第 2分割 IDT部 の第 1の共通バスバーに接続されている側と反対側の端部がアース端子に接続され ている、弾性波フィルタ装置。
不平衡端子と、第 1，第 2の平衡端子とを有するバランス型弾性波フィルタ装置であ つて、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、第 1，第 3の ID Tが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2 分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 4，第 6の ID Tが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2 分割 IDT部を有する第 2の弾性波フィルタ部を備え、
前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 2の IDTの一端と、前記第 2 の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが接続されており、
前記第 1 ,第 3，第 4，第 6の IDTは、第 1，第 2分割 IDT部の各一端を共通接続して いる第 1〜第 4の共通バスバーを有し、
前記第 1の IDTの第 1分割 IDT部及び前記第 3の IDTの第 2分割 IDT部の各他端 が共通接続されて第 1の平衡端子に接続されており、前記第 4の IDTの第 1分割 ID T部及び第 6の IDTの第 2分割 IDT部の各他端が共通接続されて第 2の平衡端子に 接続されており、
第 1の IDTの第 2分害 ijIDT部、第 3の IDTの第 1分害 ijIDT部、第 4の IDTの第 2分割 IDT部、第 6の IDTの第 1分割 IDT部の各他端がアース端子に接続されており、 前記不平衡端子から前記第 1の平衡端子に伝送する信号の位相と、前記不平衡 端子から前記第 2の平衡端子に伝送する信号の位相とが 180度異なるように前記第 1〜第 6の IDTが構成されている、弾性波フィルタ装置。
不平衡端子と、第 1，第 2の平衡端子とを有するバランス型弾性波フィルタ装置であ つて、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 1〜第 3の IDTを有し、第 1，第 3の ID Tが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2 分割 IDT部を有する第 1の弾性波フィルタ部と、
弾性波伝搬方向に沿って順に配置された第 4〜第 6の IDTを有し、第 4，第 6の ID Tが、それぞれ、弾性波伝搬方向に沿って 2分割することにより設けられた第 1 ,第 2 分割 IDT部を有する第 2の弾性波フィルタ部を備え、
前記不平衡端子に、前記第 1の弾性波フィルタ部の第 2の IDTの一端と、前記第 2 の弾性波フィルタ部の第 5の IDTの一端とが接続されており、
前記第 1 ,第 3，第 4，第 6の IDTは、第 1，第 2分割 IDT部の各一端を共通接続して いる第 1〜第 4の共通バスバーを有し、
前記第 1の IDTの第 2分割 IDT部及び前記第 3の IDTの第 1分割 IDT部の各他端 が共通接続されて第 1の平衡端子に接続されており、前記第 4の IDTの第 2分割 ID T部及び第 6の IDTの第 1分割 IDT部の各他端が共通接続されて第 2の平衡端子に 接続されており、
第 1の IDTの第 1分害 IjIDT部、第 3の IDTの第 2分害 IjIDT部、第 4の IDTの第 1分割 IDT部、第 6の IDTの第 2分割 IDT部の各他端がアース端子に接続されており、 前記不平衡端子から前記第 1の平衡端子に伝送する信号の位相と、前記不平衡 端子から前記第 2の平衡端子に伝送する信号の位相とが 180度異なるように前記第 1〜第 6の IDTが構成されている、弾性波フィルタ装置。
[5] 前記第 1〜第 3の IDTが設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に設けられた 第 7,第 8の IDTと、前記第 4〜第 6の IDTが設けられている領域の弾性波伝搬方向 両側に設けられた第 9,第 10の IDTとをさらに備え、第 7，第 8の IDT及び第 9，第 10 の IDTの各一端が、前記不平衡信号端子に接続されている、請求項 3または 4に記 載の弾性波フィルタ装置。
[6] 請求項 1〜5に記載の弾性波フィルタ装置を受信側フィルタとして用レ、、ラダー型回 路構成のフィルタを送信側フィルタとして用いたことを特徴とする、デュプレクサ。
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