WO2007111174A1

WO2007111174A1 - 描画状態調整方法及び装置

Info

Publication number: WO2007111174A1
Application number: PCT/JP2007/055447
Authority: WO
Inventors: Naoto Kinjo; Katsuto Sumi; Ryo Kitano
Original assignee: Fujifilm Corporation
Priority date: 2006-03-27
Filing date: 2007-03-16
Publication date: 2007-10-04
Also published as: KR20080114754A; KR101414538B1; US20100259736A1; JP2007264023A; JP4948867B2

Abstract

　ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の描画面におけるミラー像のＸ座標を算出し（ステップＳ１）、Ｘ座標の最大値が所定の閾値以下となるＤＭＤ３６の傾斜角度の第１安全域を算出し（ステップＳ３）、次いで、第１安全域内においてシミュレーションを行い（ステップＳ４）、傾斜角度の第２安全域を算出し（ステップＳ５）、この第２安全域内で所望の傾斜角度を設定して調整を行う（ステップＳ８）。

Description

明細書

描画状態調整方法及び装置

技術分野

[0001] 本発明は、二次元状に配列された複数の描画要素を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置における描画状態調整方法及び装置に関する。

背景技術

[0002] 描画装置の一例として、デジタル.マイクロミラー.デバイス（DMD)等の空間光変調素子を利用し、画像データに応じて変調された光ビームにより記録媒体に画像を露光する露光装置が種々提案されている。 DMDは、画像データに基づく制御信号に応じて反射面の角度が変化する多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に二次元状に配列したミラーデバイスであり、この DMDを備えた露光ヘッドを記録媒体の走査方向に相対移動させることで、二次元画像を露光記録することができる。

[0003] ここで、記録媒体に記録される画像の解像性を向上させるため、多数のマイクロミラ一が二次元状に配列された DMDを走査方向に対して傾斜させて配置し、近接するマイクロミラーにより記録媒体上に形成される露光点を一部重なるようにした露光装置が提案されている（特表 2001— 500628号公報参照)。このように、複数の露光点を記録媒体上で重ね合わせて多重露光することにより、例えば、各マイクロミラーに対応して設けられたマイクロレンズ等の光学系や、マイクロミラー自体の欠陥、あるいは、各マイクロミラーによって反射されて記録媒体に導かれる光ビームの光量むらに起因する画質劣化を抑制することが可能となる。

発明の開示

[0004] ところで、 DMDを用いて画像パターンを記録する場合、記録される画像パターンの走査方向と直交する方向に対する線幅が記録位置によって変動する問題がある。すなわち、記録される画像パターンの線幅は、走査方向と直交する方向に配列される露光点の間隔と、 DMDによる画像パターンの記録位置とに依存する。このような変動があると、露光記録された画像パターンの画像品質が低下してしまう。 [0005] 同様の問題は、 DMDを用いた露光装置に限られるものではなぐ例えば、インク滴を記録媒体の描画面に吐出して画像を記録するインクジェットプリンタ等においても生じる。

[0006] 本発明の一般的な目的は、二次元状に配列された複数の描画要素を用いて画像記録媒体に画像パターンを描画する際、画像パターンに生じる線幅変動を確実に低減させることのできる描画状態調整方法及び装置を提供することにある。

図面の簡単な説明

[0007] [図 1]本実施形態の露光装置の外観斜視図である。

[図 2]本実施形態の露光装置における露光ステージの平面図である。

[図 3]本実施形態の露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。

[図 4]本実施形態の露光装置における露光ヘッドに使用されるデジタル ·マイクロミラ一 ·デバイス (DMD)の構成を示す部分拡大図である。

[図 5]図 4に示す DMDを構成するマイクロミラーがオン状態に設定されている場合の説明図である。

[図 6]図 4に示す DMDを構成するマイクロミラーがオフ状態に設定されている場合の説明図である。

[図 7]本実施形態の露光装置における露光ヘッドと、露光ステージに位置決めされた基板との関係説明図である。

[図 8]本実施形態の露光装置における露光ヘッドと、基板上の露光エリアとの関係説明図である。

[図 9]図 4に示す DMDを構成するマイクロミラーの配置状態の説明図である。

[図 10]本実施形態の露光装置の制御回路のブロック図である。

[図 11]本実施形態の露光装置における描画状態を調整する処理フローチャートである。

[図 12]本実施形態の露光装置において、走査方向に延在する直線を記録したときに生じる線幅ばらつきの説明図である。

[図 13]本実施形態の露光装置における DMDの傾斜角度と線幅ばらつきとの関係を示す特性概念図である。 [図 14]シミュレーションにより線幅ばらつきを求めるための画像データの説明図である

[図 15]他の実施形態に係る制御回路のブロック図である。

[図 16]本実施形態の露光装置における DMDの基板上でのミラー像の配置説明図である。

[図 17]本実施形態の露光装置における DMDによって基板上に記録される描画点の配置説明図である。

[図 18]本実施形態の露光装置における DMDミラー像の基板に対する光学倍率と、隣接するミラー像によって記録される描画点位置のずれ量との関係説明図である。

[図 19]本実施形態の露光装置における DMDミラー像の基板に対する光学倍率と、隣接して記録される描画点位置のずれ量との関係説明図である。

[図 20]本実施形態の露光装置における露光ヘッドによる記録ピッチの調整方法の説明図である。

[図 21]記録する直線パターンが走査方向に対して傾斜している場合における調整方法の説明図である。

[図 22]記録する直線パターンが走査方向に対して傾斜して、る場合における調整方法の説明図である。

[図 23]本実施形態の露光装置において調整されたパラメータの評価方法の説明図である。

[図 24]本実施形態の露光装置において調整されたパラメータの評価方法の説明図である。

発明を実施するための最良の形態

[0008] 図 1は、本発明の描画状態調整方法及び装置が適用される描画装置であるフラットベッドタイプの露光装置 10を示す。露光装置 10は、複数の脚部 12によって支持された変形の極めて小さい定盤 14を備え、この定盤 14上には、 2本のガイドレール 16を介して露光ステージ 18が矢印方向に往復移動可能に設置される。なお、露光ステージ 18には、感光材料が塗布された基板 Fが吸着保持される。

[0009] 定盤 14の中央部には、ガイドレール 16を跨ぐようにして門型のコラム 20が設置される。このコラム 20の一方の側部には、露光ステージ 18に対する基板 Fの装着位置を検出する CCDカメラ 22a、 22bが固定され、他方の側部には、基板 Fに対して画像を露光記録する複数の露光ヘッド 24a〜24jが位置決め保持されたスキャナ 26が固定される。露光ヘッド 24a〜24jは、基板 Fの走査方向（露光ステージ 18の移動方向）と直交する方向に 2列で千鳥状に配列される。 CCDカメラ 22a、 22bには、ロッドレンズ 62a、 62bを介してストロボ 64a、 64b力 S装着される。ストロボ 64a、 64bは、基板 Fを感光することのない赤外光力もなる照明光を CCDカメラ 22a、 22bの撮像域に照射する

[0010] 定盤 14の一方の端部には、露光ステージ 18の移動方向と直交する方向に延在するガイドテーブル 66が装着されており、このガイドテーブル 66には、露光ヘッド 24a 〜24jから出力されたレーザビーム Lの光量を検出するフォトセンサ 68が X方向に移動可能に配設される。

[0011] また、定盤 14の他方の端部には、図 2に示すように、ガイドテーブル 67に沿って X 方向に移動可能な状態でフォトセンサ 69が配設される。フォトセンサ 69の上部には、複数のスリット 71が X方向に配列して形成されたスリット板 73が配設される。スリット 7 1は、露光ステージ 18の移動方向（Y方向）に対して 45°の角度で傾斜する 2つのスリット片 75a、 75bを有する V字形状に形成される。この場合、各スリット片 75a、 75bを通過したレーザビーム Lをフォトセンサ 69により検出して、各露光ヘッド 24a〜24jに組み込まれる各空間光変調素子の傾斜角度を算出することができる。なお、露光へッド 24a〜24jは、前記傾斜角度の調整のため、レーザビーム Lの光軸を中心として回転可能に構成される。

[0012] 図 3は、各露光ヘッド 24a〜24jの構成を示す。露光ヘッド 24a〜24jには、例えば、光源ユニット 28を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビーム Lが合波され光ファイバ 30を介して導入される。レーザビーム Lが導入された光ファイバ 30 の出射端には、ロッドレンズ 32、反射ミラー 34、及びデジタル 'マイクロミラー'デバィス (DMD) 36 (空間光変調素子)が順に配列される。

[0013] ここで、 DMD36は、図 4に示すように、 SRAMセル (メモリセル） 38の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー 40を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイク口ミラー 40の表面には、アルミニウム等の反射率の高、材料が蒸着されて、る。 SRAMセル 38に描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号の状態に応じて、図 5及び図 6に示すように、各マイクロミラー 40が対角線を中心とする所定方向に傾斜する。図 5は、マイクロミラー 40がオン状態の方向に傾斜した場合を示し、図 6は、マイクロミラー 40がオフ状態の方向に傾斜した場合を示す。従って、制御ユニット 42から供給される描画データに基づく変調信号に従って DMD36の各マイク口ミラー 40の傾きを制御することにより、描画データに応じてレーザビーム Lを選択的に基板 Fに導き、所望の画像パターンを描画することができる。

[0014] オン状態のマイクロミラー 40によって反射されたレーザビーム Lの射出方向には、拡大光学系である第 1結像光学レンズ 44、 46、 DMD36の各マイクロミラー 40に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー 48、倍率調整光学系である第 2 結像光学レンズ 50、 52が順に配列される。第 2結像光学レンズ 50、 52は、光学倍率を調整するため矢印方向に移動可能に構成される。なお、マイクロレンズアレー 48の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビーム Lを所定の径に調整するためのマイク口アパーチャアレー 54、 56が配設される。

[0015] 各露光ヘッド 24a〜24jに組み込まれる DMD36は、図 7及び図 8に示すように、高い解像度を実現すベぐ基板 Fの移動方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、図 9に示すように、 DMD36を走査方向（Y方向）に対して傾斜させることにより、 DMD36を構成するマイクロミラー 40の走査方向と直交する方向（X方向）に対する間隔 ΔΧが狭くなり、これによつて、 X方向に対する解像度を高くすることができる。

[0016] ここで、図 9に示すように、走査方向（Y方向）の同一の走査線 57上、あるいは、走查線 57の近傍には、複数のマイクロミラー 40 (図 9では、 2個又は 3個）が配置されており、基板 Fには、これらの複数のマイクロミラー 40によって略同一位置に導かれたレ一ザビーム Lにより画像パターンが多重露光される。これにより、例えば、各マイクロミラー 40に対応して設けられたマイクロレンズアレー 48やマイクロミラー 40自体の欠陥、あるいは、マイクロミラー 40によって基板 Fに導かれるレーザビーム Lの光量むら等に起因する画質劣化を抑制することができる。また、露光ヘッド 24a〜24jは、継ぎ目が生じることのないよう、露光エリア 58a〜58jが走査方向と直交する方向に重畳するように設定される（図 8参照)。

[0017] 図 10は、露光装置 10の処理回路の要部構成ブロック図である。処理回路は、基板 Fに対して所望の画像を露光するために、図 9に示す Y方向に対する DMD36の適切な傾斜角度 Θと、ズーム光学系である第 2結像光学レンズ 50、 52の適切な光学倍率 ι8とを演算する演算部 76を備える。なお、演算部 76は、傾斜角度 Θ及び光学倍率 βを演算する際に露光装置 10に接続される外部演算装置に組み込んで構成してもよい。また、処理回路は、演算部 76によって算出された傾斜角度 Θに従って露光ヘッド 24a〜24jを回転させ、 DMD36を傾斜角度 Θに調整する傾斜角度調整部 77 と、演算部 76によって算出された光学倍率 j8に従ってズーム光学系を構成する第 2 結像光学レンズ 50、 52を変位させて光学倍率を調整する光学倍率調整部 79とを備える。

[0018] 演算部 76は、 DMD36を構成する各マイクロミラー 40を基板 Fに射影したミラー像の中心の X方向の座標である X座標を算出する X座標算出部 78と、 DMD36の各ミラー像の X座標を昇順にソートし、隣り合う X座標間の距離の最大値を傾斜角度 Θ毎に算出する最大値算出部 80とを備える。

[0019] 演算部 76は、最大値算出部 80により算出された最大値を、基板 Fに記録される画像パターンの X方向に対する線幅ばらつき範囲の許容上限値と比較し、許容できる傾斜角度 Θの第 1安全域を算出する傾斜角度第 1安全域算出部 82と、第 1安全域の範囲でシミュレーションを行、、基板 Fに記録される画像の X方向の線幅ばらつき範囲を前記許容上限値と比較し、許容できる傾斜角度 Θの第 2安全域を算出する傾斜角度第 2安全域算出部 84と、各マイクロミラー 40からスリット板 73を介して導かれるレーザビーム Lをフォトセンサ 69で検出するとともに、露光ステージ 18の Y方向の位置情報をエンコーダ 81で検出することで、図 9の y方向に配列される複数のマイク口ミラー 40の列である各スヮス Siの傾斜角度 Θ iを算出し、前記傾斜角度 Θ iの振れ幅を許容する範囲内とする傾斜角度 Θを設定する傾斜角度設定部 86とを備える。設定された傾斜角度 Θは、傾斜角度調整部 77に供給される。

[0020] 演算部 76は、傾斜角度設定部 86で設定された傾斜角度 Θにおいて、同一のスヮス Siを構成する隣り合うマイクロミラー 40により基板 Fに記録される各描画点の Y方向の描画位置関係によって生じる画像パターンの Υ方向のずれであるジャギーが極大となる光学倍率 β tlを算出し、前記光学倍率 β tlの前後を回避した許容できる光学倍率の第 1安全域を算出する光学倍率第 1安全域算出部 88と、傾斜角度設定部 86 で設定された傾斜角度 Θ及び前記第 1安全域の範囲において、異なるスヮス Siのマイク口ミラー 40により基板 Fに多重露光される各描画点の Y方向の描画位置関係によつて生じる画像の Y方向のジャギーが極大となる光学倍率 β t2を算出し、前記光学倍率 β t2の前後を回避した許容できる光学倍率の第 2安全域を算出する光学倍率第 2安全域算出部 90と、第 2安全域内で光学倍率 j8を設定する光学倍率設定部 91 とを備える。設定された第 2安全域内の光学倍率 j8は、光学倍率調整部 79に供給される。

[0021] 本実施形態の露光装置 10は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、露光装置 10の調整方法につき、図 11に示すフローチャートに従って説明する。

[0022] 複数のマイクロミラー 40を用いて Y方向に延在する直線を基板 Fに記録する場合、 X方向における直線の記録位置によって X方向の線幅にばらつきが生じる。例えば、図 12に示すように、 X方向の線幅が同一である画像データ Dを用いて画像パターンを記録する場合、 DMD36のマイクロミラー 40の位置に対する画像パターンの X方向の記録位置が異なると、黒丸で示すように、画パターン G1は、マイクロミラー 40の基板 F上でのミラー像 P1〜P3に従って形成されるのに対して、画像パターン G2は、画像パターン G1とは異なる個数のミラー像 P2、 P3に従って形成されるため、画像パターン Gl、 G2の線幅にばらつきが生じてしまう。このような線幅のばらつきを許容範囲内とするためには、 DMD36の傾斜角度 Θを調整して、ミラー像 P1〜P3の X方向に対する間隔を調整する必要がある。

[0023] そこで、先ず、 X座標算出部 78において、 DMD36上でのマイクロミラー 40の X方向の間隔 dxと、 y方向の間隔 dyと、マイクロミラー 40と基板 F上でのミラー像との間の設計上の比率である光学倍率 j8 0とを用いて、全てのマイクロミラー 40のミラー像の中心を X軸上に射影した X座標 X(i, k, θ )を DMD36の傾斜角度 Θ毎に算出する（ステップ Sl)。なお、 X座標 X(i, k, 0 )は、図 9に示す X方向のマイクロミラー 40の位置を i、 y方向のマイクロミラー 40の位置を kとした場合における傾斜角度 Θでの X軸上の座標を表す。

[0024] 次いで、最大値算出部 80において、傾斜角度 Θ別に X座標 X(i, k, θ )を昇順にソートし、隣り合う X座標 X(i, k, θ )間の距離の最大値 ΔΧ— max ( 0 )を DMD36 の傾斜角度 Θ毎に算出する (ステップ S2)。なお、最大値 ΔΧ— max ( Θ )は、極めて少ない演算量で求めることができる。図 13の破線で示すグラフは、傾斜角度 Θを横軸、最大値 ΔΧ— max ( Θ )を縦軸としてプロットした特性概念図である。この場合、傾斜角度 Θに応じて最大値 ΔΧ— max ( Θ )が極大、極小を繰り返し、且つ、特定域で極大値が増大するパターンが出現する。

[0025] 次に、傾斜角度第 1安全域算出部 82において、算出された最大値 ΔΧ— max ( Θ )を、基板 Fに記録される画像の X方向に対する線幅ばらつき範囲の許容上限値である閾値 TH— LWVと比較し、閾値 TH— LWV以下となる許容できる傾斜角度 Θの第 1安全域 Rl ( Θ )を算出する (ステップ S3)。なお、第 1安全域 Rl ( Θ )は、最大値 ΔΧ _max( Θ )の変化が小さぐ傾斜角度 Θが連続する所定の範囲で ΔΧ— max ( Θ ) ≤TH_LWVの条件を満たす範囲とする。

[0026] 第 1安全域 R1 ( Θ )を設定した後、傾斜角度第 2安全域算出部 84において、第 1安全域 R1 ( 0 )の範囲でシミュレーションを行い、線幅ばらつき範囲 LWV( Θ )を算出する（ステップ S4)。例えば、各マイクロミラー 40から基板 Fに導かれるレーザビーム L のパワー分布をガウス分布で仮定し、図 14に示すように、 Y方向に平行で X方向の異なる位置に一定幅力もなる複数の直線 92を記録する画像データと、 X方向に平行な 1本の直線 94を記録する画像データとを設定する。次いで、直線 94が所定の線幅となるようにパワー累積値に対する閾値を設定し、画像データに基づいて各直線 92 を記録するときのレーザビーム Lのパワー累積分布を傾斜角度 Θ毎に計算し、パヮ一累積分布を前記閾値と比較することで各直線 92の線幅 LW(X)を求める。そして、その線幅 LW(X)の最大値と最小値との差データ力線幅ばらつき範囲 LWV( 0 )を算出する。なお、複数の直線 92の画像データを設定して線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )を算出する代わりに、 1本の直線 92の画像データと DMD36の各マイクロミラー 40 との位置関係を X方向の微少量ずつずらせながら線幅 LW(X)を求め、それから各線幅ばらつき範囲 LWV( 0 )を算出するようにしてもよい。

[0027] 図 13の実線で示すグラフは、傾斜角度 Θを横軸、線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )を縦軸としてプロットしたシミュレーション結果の特性概念図である。線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )は、レーザビーム Lのパワー分布をガウス分布として設定しているため、最大値 AX_max ( 0 )の特性よりも大きい値となる。この場合、最大値 AX_max ( Θ ) が閾値 TH— LWV以下となる第 1安全域 R1 ( 0 )の範囲で線幅ばらつき範囲 LWV ( 0 )を算出するため、シミュレーションに要する時間を短縮することができる。

[0028] そして、線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )と閾値 TH— LWVとを比較し、閾値 TH— LW V以下となる許容できる傾斜角度 Θの第 2安全域 R2 ( Θ )を算出する (ステップ S5)。なお、第 2安全域 R2 ( Θ )は、第 1安全域 Rl ( Θ )の場合と同様、線幅ばらつき範囲 L WV ( Θ )の変化が小さぐ傾斜角度 Θが連続する所定の範囲で LWV ( Θ )≤TH_ LWVの条件を満たす範囲とする。

[0029] ここで、 DMD36の y方向に配列される複数のマイクロミラー 40の列である各スヮス Siの傾斜角度 Θ i (図 9参照）は、 DMD36の製造上の誤差や露光ヘッド 24a〜24jを構成する光学系の影響により、スヮス Si毎に異なる場合がある。

[0030] そこで、露光ステージ 18に配設されたスリット板 73を露光ヘッド 24a〜24jの下部まで移動させた後、 DMD36を構成する各マイクロミラー 40を介してスリット板 73にレーザビーム Lを導き、スリット板 73に形成された各スリット片 75a、 75bを通過したレーザビーム Lをフォトセンサ 69によって検出する。そして、フォトセンサ 69の X方向の位置情報と、エンコーダ 81から得られる露光ステージ 18の Y方向の位置情報とに基づき、スヮス Siを構成する複数のマイクロミラー 40の位置を算出し、その位置力各スヮス Siの傾斜角度 Θ iを算出し、この傾斜角度 Θ iの最大値と最小値との差を、 DMD36 を構成するスヮス Siの傾斜角度 Θ iの振れ幅 Δ Θとして算出する (ステップ S6)。

[0031] 次いで、傾斜角度設定部 86において、傾斜角度第 2安全域算出部 84で求めた第 2安全域 R2 ( Θ )から、振れ幅 Δ Θの範囲を許容する傾斜角度 Θを選択して設定する（ステップ S7)。このようにして傾斜角度 Θを設定することにより、 DMD36の全範囲における線幅ばらつき範囲 LWV( 0 )を許容範囲内として、 Y方向に延在する画像パターンの X方向に対する線幅のばらつきを許容範囲内とすることができる。 [0032] なお、傾斜角度 Θは、ステップ S4のシミュレーションで算出した線幅ばらつき範囲 L WV ( Θ )の変動が小さい範囲力選択することが望ましい。また、前記線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )が小さい程大きくなる重み付け係数を線幅ばらつき範囲 LWV( Θ )に割り付け、前記重み付け係数の大きい範囲から傾斜角度 Θを優先的に選択するようにしてもよい。

[0033] また、図 13に示すように、第 2安全域 R2 ( Θ )が複数域ある場合、傾斜角度 Θが大きぐ多重露光における多重度が大きくなる第 2安全域 R2 ( Θ )を優先して設定することが望ましい。

[0034] さらに、図 15に示すように、ステップ S4のシミュレーションで算出した線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ ) (図 13の実線で示す関係）を線幅ばらつき範囲テーブルとして線幅ばらつき範囲テーブル記憶部 100に記憶させておき、例えば、メンテナンス等を行う際、所望の閾値 TH—LWVに従って前記線幅ばらつき範囲テーブル記憶部 100から読み出した線幅ばらつき範囲 LWV ( 0 )の第 2安全域 R2 ( 0 )の範囲内において、計測した傾斜角度 Θを適切な傾斜角度 Θに変更するようにしてもよい。

[0035] 一方、図 9は、走査線 57上に 2個又は 3個のマイクロミラー 40が配設される多重度 2 又は 3の状態を示している。この場合、複数のマイクロミラー 40が同一の走査線 57上に配列され、隣接する走査線 57間にマイクロミラー 40が配置されない状態になると、走査線 57間の間隙の影響で線幅ばらつき範囲 LWV ( 0 )が大きくなつてしまう。

[0036] そこで、線幅ばらつき範囲 LWV ( Θ )を小さくするため、多重露光による各描画点が走査線 57間に均等に配置されるように傾斜角度 Θを設定する。

[0037] 図 16は、図 9の（i, k)の位置にあるマイクロミラー 40を基板 F上に射影したミラー像 P (i, k)の配置関係を示す。また、図 17は、露光装置 10により Y方向に記録ピッチ Δ Yで基板 Fに描画される描画点の配置関係を示す。なお、グループ JOは、多重度 N のミラー像 P (i, 0)、 P (i— 1, K)、 P (i— 2, 2·Κ)ゝ · ··、 P (i— Ν+ 1, (Ν—1) ·Κ)によって記録される描画点である。また、グループ J1は、隣接するミラー像 P (i, 1)、 P (i - 1, K+ l)、P (i— 2, 2·Κ+ 1)、…ゝ P (i— N+ l, (Ν— 1) ·Κ+ 1)によって記録される描画点である。なお、説明の便宜上、ミラー像 P (i, k)によって記録される描画点を P (i, k)として示している。 [0038] この場合、多重露光の多重度を Nとして、ミラー像 P (i, 0)を通り Y方向に平行な直線 LO上に酉己列される N個のミラー像 P (i, 0)、 P (i— 1, K)、 P (i— 2, 2·Κ)、…ゝ P (i -N+ l, (N— 1) ·Κ)の X座標の位置を、直線 LOと、ミラー像 P (i, 1)を通り直線 LO に平行な直線 L1との間に均等に配置すれば、直線 LO、 L1間の間隙による線幅ばらつき範囲 LWV( 0 )を小さくすることができる。すなわち、直線 LO、 L1間を qZN分割 (q： 1を含み、 Nと共通の公約数を持たなヽ N未満の整数)した位置に各ミラー像 P (i , k)が配置されるように傾斜角度 Θを設定すればよい。

[0039] 傾斜角度調整部 77は、以上のようにして設定された傾斜角度 Θとなるように、露光ヘッド 24a〜24jを回転させて調整する（ステップ S8)。

[0040] ところで、複数のマイクロミラー 40を用いて多重露光を行う場合、例えば、図 17に示すように、各グループ JO、 J1を構成する描画点が X方向に一列に配列されて、ると、この描画点の配列方向に沿った直線、あるいは、配列方向に対して僅かに傾斜した直線を描画するとき、描画点の配列方向と直交する方向に分断された直線パターン 96a、 96bが形成されるおそれがある。また、グループ JO及びグループ J 1が X方向に一列に配列されている場合には、グループ J0、J1内の描画点が一列に配列されているときよりも長い周期で分断された直線が形成されるおそれがある。このように、描画点が X方向に配列されると、記録しょうとする画像パターンが Y方向に分断されたジャギーが発生してしまう。

[0041] 本実施例では、基板 Fに対するマイクロミラー 40の光学倍率 βを調整することにより、グループ J0、J1内の描画点の Υ方向の配置を調整し、これによつて前記の課題を解決することができる。

[0042] そこで、光学倍率 βの調整に際して、先ず、グループ J0の描画点とグループ J 1の描画点とが X方向に配列されるときの条件を求める。これは、同一のスヮス Si上で隣り合うマイクロミラー 40によって基板 Fに記録される描画点が X方向に配列されるときの条件であり、図 17では、ミラー像 P (i, 0)による描画点とミラー像 P (i, 1)による描画点とが X方向に配列される場合に相当する。

[0043] ミラー像 P (i, 0)、 P (i, 1)間の基板 F上でのスヮス列方向（ミラー像 P (i, 0)、 P (i, 1 )を結ぶ直線の方向）距離を wy、光学倍率を j8 tl、マイクロミラー 40のスヮス列方向の距離を dyとすると、ミラー像 P (i, 0)、 P (i, 1)間の Y方向の距離 TYO (図 16参照）は、

TYO=wy-cos Θ = jS tl -dycos θ (1)

である。また、露光装置 10による各描画点の Υ方向の記録ピッチを ΔΥ、 Ηを整数とすると、ミラー像 P (i, 0)、P (i, 1)による描画点が X方向に配列される条件は、

ΤΥ0=Η· ΔΥ (2)

である。従って、（1)、（2)式から、光学倍率 j8 tlが、

であるとき、ミラー像 P (i, 0)、P (i, 1)による描画点が X方向に配列される。

[0044] そこで、光学倍率第 1安全域算出部 88は、傾斜角度設定部 86で設定された傾斜角度 0を (3)式に代入して光学倍率 13 tlを算出し、この光学倍率 13 tlの前後の所定範囲の光学倍率 a 1を除、た許容できる光学倍率 βの第 1安全域 Q1 ( )8 )を算出する（ステップ S 9)。

[0045] 図 18は、長周期の光学倍率 j8と、 Υ方向の直線のずれ量 LER( |8 )との関係をプロットした後述するシミュレーション結果の特性概念図である（ β tl_Cl、 β tl_C2、 β tl_C3は、異なる光学倍率 13 tlを表す。 )。この場合、第 1安全域 Q1 ( |8 )は、ずれ量 LER ( |8 )が許容上限値である閾値 TH—LER以下となる範囲に設定される。

[0046] 次に、グループ J0、 J1を構成する隣接する描画点、例えば、ミラー像 P (i, 0)による描画点とミラー像 P (i— 1, K)による描画点とが X方向に配列されるときの条件を求める。

[0047] 図 16に示すように、ミラー像 P (i, 0)及びミラー像 P (i—1, K)を結ぶ直線は、 X方向の線幅ばらつき範囲 LWV ( 0 )を小さくするため、 Y方向に所定量傾斜して設定されている。この直線の傾き量 tKを、

tK = (wx/wy) · ( 1 /tan θ ) (4)

と定義する。なお、 wxは、ミラー像 P (i, 0)、 P (i— 1, 0)間の基板 F上でのスヮス行方向（ミラー像 P (i, 0)、P (i— 1, 0)を結ぶ直線の方向）の距離である。 K0=INT(tK) (INT :tKの整数部分)として、傾斜角度 Θを複数の角度分類に分ける。この場合、例えば、多重度 N = 8とすると、角度分類は、次の 3ケースとすることができる。 [0048] くケース 1〉

(K0 + 2/3)≤tK< (KO+1)ならば、 K=K0+1、 stp=l

<ケース 2>

(KO+l/3)≤tK< (KO + 2Z3)ならば、 K=stp'KO+l、

stp = 2

<ケース 3>

KO≤tK< (KO + 1Z3)ならば、 K=KO、 stp=l

なお、角度分類は、上記の 3ケースに限られるものではなぐ多重度 N及びシミュレーシヨンの結果に応じて最適な角度分類とする。また、角度分類は、 X方向に連続的に配列される描画点の数が増える（多重度が大となる程増える）と、その分、ずれ量 L ER(J3)が大きくなつてしまうため、描画点の数に応じて適宜設定することが望ましい。さらに、描画点数を調整するため、 DMD36を構成するマイクロミラー 40の y方向の全行数を Ynumとして、描画に有効なマイクロミラー 40の行数 Validを、

Valid = Ynum - INT ( Ynum - tK · N) (5)

とし、図 9の斜線部分に示すように、それ以外のマイクロミラー 40を常時オフ状態に設定することが望ましい。

[0049] ミラー像 P(i, 0)、 P(i— 1, K)の基板 F上における Y方向の距離 TY (図 16参照）は、光学倍率を j8t2として、

TY= j8t2- (K-dycos Θ +dx-stp-sin θ ) (6)

である。また、 Μを整数として、ミラー像 P(i, 0)、 P(i— 1, K)による描画点が X方向に配列される条件は、

ΤΥ= ΔΥ-Μ (7)

である。従って、（6)、（7)式から、光学倍率 j8t2が、

ΔΥ-Μ/ (K-dycos Θ +dx-stp-sin θ )

(8)

であるとき、ミラー像 P(i, 0)、 P(i— 1, K)による描画点が X方向に配列される。ここで、傾斜角度 Θは、時計回り方向を正としている（図 16では、 Θ >0)。

[0050] そこで、光学倍率第 2安全域算出部 90は、傾斜角度設定部 86で設定された傾斜角度 Θから、該当する角度分類のケースを選択して、 Κ及び stpの値を決定した後、（ 8)式に傾斜角度 Θを代入して光学倍率 β t2を算出する。そして、この光学倍率 β t 2の前後の所定範囲の光学倍率 ± α 2を除いた許容できる光学倍率 |8の第 2安全域 Q2Wを算出する (ステップ S 10)。

[0051] 図 19は、第 1安全域 Q1 ( β )における短周期の光学倍率 βと、 Υ方向の直線のずれ量 LER ( |8 )との関係をプロットした後述するシミュレーション結果の特性概念図である（j8 t2— Cl、 j8 t2— C2、 j8 t2— C3は、異なる光学倍率 j8 t2を表す。）。この場合、第 2安全域 Q2 ( |8 )は、ずれ量 LER( |8 )が許容上限値である閾値 TH_LER以下となる範囲に設定される。

[0052] 次いで、光学倍率設定部 91において、光学倍率第 2安全域算出部 90で求めた第 2安全域 Q2 ( |8 )内で光学倍率を設定する (ステップ Sl l)。この場合、光学倍率 βは、露光装置 10の設置精度や露光装置 10間のばらつきを考慮し、第 2安全域 Q2 ( j8 )内の中間値となるように設定することが望ましい。また、図 17に示す各グループ J 0、 J1内において、 Y方向に描画点の位置がばらけるよう、例えば、

TY= ΔΥ-Μ + q· ΔΥ/Ν' (9)

の関係を満足する光学倍率 ι8を設定することが望ましい。なお、（9)式において、 q は、 1を含み、 mod(N' , q)≠0でない N' 未満の整数、 N' は、 X方向に配列されるグループ JO、 J1内の描画点の数であり、前述した <ケース 1 >又はくケース 3 >では、 N' =N (多重度）、 <ケース 2>では、 N' =N/2である。

[0053] このようにして光学倍率 j8を設定することにより、ずれ量 LER( |8 )を許容範囲内として、 X方向に延在する画像パターンの Y方向に対するずれであるジャギーを許容範囲内とすることができる。

[0054] また、光学倍率 βは、傾斜角度設定部 86で設定された傾斜角度 Θ、あるいは、傾斜角度第 2安全域算出部 84で算出された第 2安全域 R2 ( Θ )内の傾斜角度 Θに従い、ステップ S4の場合と略同様にして、シミュレーションにより求めることもできる。

[0055] 例えば、レーザビーム Lのパワー分布をガウス分布で仮定し、 X方向に平行な直線を形成する画像データに基づいて基板 F上にこの直線を描画するときのレーザビーム Lのパワー累積分布を光学倍率 j8毎に計算し、パワー累積分布を所定の閾値と比較して直線の Y方向の記録位置を求め、その記録位置のずれ量 LER ( |8 )を算出する。図 18及び図 19は、このシミュレーションによる結果を示す。この処理は、傾斜角度設定部 86で設定された傾斜角度 Θ、あるいは、傾斜角度第 2安全域算出部 84で算出された第 2安全域 R2 ( 0 )内の傾斜角度 Θ毎に行う。そして、ずれ量 LER ( ) が所定の閾値 TH— LER以下となる光学倍率 βを決定する。

[0056] なお、光学倍率 βは、露光装置 10の精度やばらつきを考慮し、第 2安全域 Q2 ( β )内の中間値として設定することが望ましい。また、光学倍率 )8は、第 2安全域 Q2 ( j8 )内でのずれ量 LER ( |8 )の変化が最も小さくなる値として設定してもよい。

[0057] さらに、図 15に示すように、シミュレーションで算出したずれ量 LER ( j8 ) (図 19に示す関係）を傾斜角度 Θ毎にずれ量テーブルとしてずれ量テーブル記憶部 102に記憶させておき、例えば、メンテナンス等を行う際、所望の閾値 TH— LER及び傾斜角度 Θに従って前記ずれ量テーブル記憶部 102から読み出したずれ量 LER ( |8 )の第 2安全域 Q2 ( β )の範囲内にお、て、適切な光学倍率 βを設定するようにしてもよ!ヽ

[0058] 光学倍率調整部 79は、以上のようにして設定された光学倍率 |8に基づき、第 2結像光学レンズ 50、 52を変位させ、光学倍率 j8の調整を行う（ステップ S12)。

[0059] なお、光学倍率 βを調整する代わりに、ある!/、は、光学倍率 βの調整と合わせて、記録ピッチ Δ Υを調整して描画点の位置を Υ方向にばらけさせることにより、 X方向に延在する直線のずれ量が小さくなるようにすることもできる。

[0060] すなわち、（7)式の条件が成立する記録ピッチ Δ Υのとき、図 17に示すように、描画点が X方向に横並びの状態となってずれ量 LER ( |8 )が大きくなつてしまう。そこで、図 20に示すように、ステップ S10で算出した光学倍率 |8 t2の前後の光学倍率士 oc 2に対応して、記録ピッチ Δ Υの前後に所定範囲士 t aを設定し、この所定範囲士 t aを除く範囲として記録ピッチ Δ Υの安全域を設定する。

[0061] 記録ピッチ Δ Υが所定範囲士 t o;内にあるときの条件は、ミラー像 P (i, 0)、 P (i—1 , Κ)間に記録する描画点の記録ステップ数を Μとして、

-t a≤ (TY- A Y- M)≤t a (t a≥0) (10)

である。設定可能な記録ステップ数 Mの最小ステップ数 MOが固定されて、るものとすると、 M = MOとしたときの（10)式の条件を除外した記録ピッチ Δ Yを設定することにより、グループ JO又 ¾J( 内の描画点が所定範囲士 to;を除く範囲に描画されることなり、これによつて、 X方向に延在する直線の Y方向に対するずれ量の増大を抑制することができる。

[0062] また、図 20に示すミラー像 P(i, 0)、 P(i— 1, K)、 ···、 P(i— N+1, (N— 1) ·Κ)により形成される描画点がグループ JO内で Y方向に均等にばらけるためには、

ΔΥ=ΤΥ/(Μ0-ρ/Ν ) (11)

として記録ピッチ ΔΥを設定すればよい。（11)式において、 ρは、 1を含み、 mod(N ' , )≠0でなぃ?^' 未満の整数、 N' は、 X方向に配列されるグループ J0内の描画点の数であり、前述した <ケース 1>又はくケース 3 >では、 N' =N (多重度）、 <ケース 2>では、 N' =NZ2となる。

[0063] なお、記録ピッチ ΔΥは、基板 Fの生産性に影響を与えるパラメータであり、大きく変更することができない場合がある。このような場合には、記録ピッチ ΔΥを調整する代わりに、（10)式に基づいて記録ステップ数 Mを増減させるようにしてもよい。記録ピッチ ΔΥ又は記録ステップ数 Mの調整は、 DMD36に供給される画像データのリセットタイミング、あるいは、露光ステージ 18の送り速度によって調整することができる。

[0064] さらに、光学倍率 β、記録ピッチ Δ Υ、あるいは、記録ステップ数 Μを調整する代わりに、傾斜角度第 2安全域算出部 84で算出した第 2安全域 R2( Θ )内の傾斜角度 Θ を (8)式の条件が成立しない範囲で微調整することにより、 X方向に延在する直線のずれ量を小さくすることもできる。

[0065] なお、直線パターン 96a、 96bが X方向に平行であるときの Y方向のずれ量が小さくなるように調整する場合について説明した力例えば、図 21及び図 22に示すように、直線パターン 98が X方向に傾斜角度 φ (≠0)で傾斜している場合には、第 1安全域 Q 1 ( ι8 )及び第 2安全域 Q2 ( β )を次のようにして調整することが望ま、。

[0066] すなわち、ミラー像 P(i, 0)及び P(i, 1)に基づいて記録される描画点同士を結ぶ直線が直線パターン 98と同一方向に配列されるときの条件は、光学倍率を j81として、図 16及び図 21から、（3)式を導いた場合と略同様にして、

AY-H/(dv (cos0 +sin0 ·tanφ)) (12) となる。ここで、傾斜角度 φは、時計回り方向を正としている（図 21では、 φく 0)。なお、 Ηは、ミラー像 P (i, 0)及び P (i, 1)の Y方向の距離を d— pYOとして、

wy-cos Θ +d_pY0=H- ΔΥ (13)

の関係を満たす整数である。

[0067] (12)式の関係力得られる光学倍率 |8 1の前後の所定範囲を除いた光学倍率の範囲を第 1安全域 Ql ( ι8 )として設定することにより、ミラー像 P (i, 0)及び P (i, 1) による描画点が傾斜角度 φの直線パターン 98と略同一方向に傾斜している際に発生する Y方向のジャギーを抑制することができる。

[0068] また、ミラー像 P (i, 0)及び P (i— 1, K)に基づいて記録される描画点同士を結ぶ直線が直線パターン 98と同一方向に配列されるときの条件は、光学倍率を j8 2として、図 16及び図 22から、（8)式を導いた場合と略同様にして、

β 2= AY-M/ (K-dycos Θ +dx- stp - sin 0

+ (K · dy · sin θ— dx · stp · cos Θ ) · tan φ )

(14)

となる。なお、 Mは、ミラー像 P (i, 0)及び P (i— 1, K)の Y方向の距離を d— pYとして

TY+d— ρΥ=Μ· ΔΥ (15)

の関係を満たす整数であり、 stpは、前述した傾斜角度 Θの角度分類、例えば、多重度 N = 8とした場合における <ケース 1 >〜 <ケース 3 >で定義される数である。

[0069] (14)式の関係力得られる光学倍率 |8 2の前後の所定範囲を除いた光学倍率 |8 の範囲を第 2安全域 Q2 ( |8 )として設定することにより、ミラー像 P (i, 0)及び P (i—1, K)による描画点が傾斜角度 φの直線パターン 98と略同一方向に傾斜している際に発生する Y方向のジャギーを抑制することができる。

[0070] なお、描画すべき直線パターン 98の傾斜角度 φに応じて描画点の位置を調整するため、光学倍率 j8の調整に代えて、記録ピッチ ΔΥ、記録ステップ数 Μ、又は、傾斜角度 Θを直線パターン 98の傾斜角度 φに応じて調整するようにしてもよい。

[0071] ここで、以上のようにして光学倍率 β、記録ピッチ Δ Υ、記録ステップ数 Μ、又は、傾斜角度 Θのパラメータを最適に設定するための評価方法の一例を説明する。 [0072] 例えば、図 23に示すように、記録したい直線パターン 98の延在する方向のサイズを tl、延在する方向と直交する方向のサイズを t2とし、直線パターン 98をサイズ t2の方向に対して複数のブロック B 1〜Bsに分割し、各ブロック B 1〜Bs内の描画点（黒丸で示す）の個数 cnt (Bl)〜cnt (Bs)をカウントする。そして、カウント値の最大値を m ax (cnt (Bl) , · ··, cnt (Bs) )、最 /Jヽ値を min (cnt (Bl) , · ··, cut (Bs) )として、描画点の偏在度 Dを、

D=max(cnt (Bl) , · ··, cnt (Bs) )— mirucnt (Bl)，…， cnt (Bs) )

(16)

として算出することにより、パラメータの評価を行う。この場合、図 23の配置では偏在度 D=4、図 24の配置では偏在度 D = 0であり、図 24の配置となるようにパラメータを設定することが望ま U、と判断することができる。

[0073] また、基板 Fに描画される直線パターン 98傾斜角度 φは、必ずしも一定方向のみであるとは限らず、複数の傾斜角度 φ力もなる直線パターン 98が混在している場合がある。その場合、例えば、各直線パターン 98の各傾斜角度 φに対して算出された各第 2安全域 Q2 ( β )の共通となる範囲力も光学倍率 β等のパラメータを設定する。また、共通の範囲を見出すことができない場合には、直線パターン 98毎に算出した偏在度 Dの最大値が所定値以下となるように、光学倍率 β等のパラメータを設定する

[0074] 以上のようにして、傾斜角度 Θ、光学倍率 β、あるいは、記録ピッチ ΔΥ又は記録ステップ数 Μを調整した後、基板 Fに対する所望の画像の露光処理が行われる。なお、記録ピッチ ΔΥ又は記録ステップ数 Μは、制御ユニット 42において調整することができる。

[0075] そこで、露光ステージ 18に基板 Fを吸着保持させた後、制御ユニット 42は、露光ステージ 18を駆動し、露光ステージ 18を定盤 14のガイドレール 16に沿って一方の方向に移動させる。露光ステージ 18がコラム 20間を通過する際、 CCDカメラ 22a、 22b が基板の所定位置に形成されてヽるアラインメントマークを読み取る。制御ユニット 4 2は、読み取ったアラインメントマークの位置データに基づき、基板 Fの位置補正データを算出する。 [0076] 位置補正データが算出された後、制御ユニット 42は、露光ステージ 18を他方の方向に移動させ、スキャナ 26により基板 Fに対する画像の露光記録を開始する。

[0077] すなわち、光源ユニット 28から出力されたレーザビーム Lは、光ファイバ 30を介して各露光ヘッド 24a〜24jに導入される。導入されたレーザビーム Lは、ロッドレンズ 32 力も反射ミラー 34を介して DMD36に入射する。

[0078] DMD36を構成する各マイクロミラー 40は、描画データに従いオンオフ制御される。図 4及び図 5に示すように、 DMD36を構成する各マイクロミラー 40により所望の方向に選択的に反射されたレーザビーム Lは、第 1結像光学レンズ 44、 46によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー 54、マイクロレンズアレー 48及びマイクロァパ一チヤアレー 56を介して所定の径に調整され、次いで、第 2結像光学レンズ 50、 52 により所定の倍率に調整されて基板 Fに導かれる。

[0079] この場合、露光ステージ 18は、定盤 14に沿って移動し、基板 Fには、露光ステージ 18の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド 24a〜24jにより所望の二次元画像が描画される。

[0080] なお、反射型空間光変調素子である DMD36に代えて、 LCD等の透過型空間光変調素子を使用することもできる。また、 MEMS (Micro Electro Mechanical S ystems)タイプの空間光変調素子、あるいは、電気光学効果により透過光を変調する光学素子 (PLZT素子)や液晶光シャツタ (FLC)等の液晶シャッターアレイ等、 ME MSタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、 MEMSとは、 IC 製造プロセスを基盤としたマイクロマシユング技術によるマイクロサイズのセンサ、ァクチユエータ、制御回路を集積ィヒした微細システムの総称であり、 MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力、電磁力等を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、グレーティングライトバルブ（GLV: Gratin g Light Valve)を複数ならベて二次元状に構成したものを用いることもできる。光源としては、上記したレーザの他にランプ等も使用可能である。

[0081] また、上述した実施形態では、半導体レーザを光源として説明したが、固体レーザ、紫外 LD、赤外 LD等を用いることもできる。さらに、空間光変調素子の代わりとして、複数の発光点が二次元状に配列された光源 (例えば、 LDアレイ、 LEDアレイ等）を使用することちできる。

[0082] 上述した実施形態では、フラットベッドタイプの露光装置 10を例に挙げた力感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。

[0083] また、上述した露光装置 10は、例えば、プリント配線基板（PWB: Printed Wiring

Board)の製造工程におけるドライ 'フィルム'レジスト（DFR: Dry Film Resist) や液状レジストの露光、液晶表示装置 (LCD)の製造工程におけるカラーフィルタの形成、 TFTの製造工程における DFRの露光、プラズマ 'ディスプレイ 'パネル（PDP) の製造工程における DFRの露光等の用途に好適に用いることができる。なお、感光材料が基板上に塗布されたものを本発明の対象としてもよい。

[0084] また、上述した露光装置 10には、露光による光で直接情報が記録されるフォトンモード感光材料、露光により発生した熱で情報が記録されるヒートモード感光材料のいずれも使用することができる。フオトンモード感光材料を使用する場合、レーザ光源として GaN系半導体レーザ、波長変換固体レーザ等が使用され、ヒートモード感光材料を使用する場合、レーザ光源として赤外半導体レーザ、固体レーザが使用される。

[0085] また、本発明では、露光装置に限らず、例えば、インクジェット記録ヘッドに同様の構成を採用することが可能である。すなわち、一般にインクジェット記録ヘッドでは、記録媒体 (例えば、記録用紙や OHPシート等）に対向するノズル面に、インク滴を吐出するノズルが形成されている力インクジェット記録ヘッドのなかには、このノズルを格子状に複数配置し、ヘッド自体を走査方向に対して傾斜させて、高解像度で画像を記録可能なものがある。このような二次元配列が採用されたインクジェット記録へッドにお、て、各インクジェット記録ヘッドを構成する複数のノズルのパラメータを調整することで、画像上でのジャギーの発生を抑制することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 二次元状に配列された複数の描画要素 (40)を描画面 (F)に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素 (40)を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置における描画状態調整方法であって、

前記描画要素 (40)による前記描画面上 (F)における描画点の前記走査方向と直交する方向に対する間隔を求め、前記間隔を描画パターンの許容変動幅以下とすベぐ前記走査方向に対する前記描画要素 (40)の配列方向（ Θ )を調整することを特徴とする描画状態調整方法。

[2] 請求項 1記載の方法において、

前記間隔を描画パターンの許容変動幅以下とする前記配列方向の安全域を設定した後、前記安全域内で前記描画パターンのシミュレーションを行い、前記間隔が前記許容変動幅以下となるように前記配列方向（ Θ )を調整することを特徴とする描画状態調整方法。

[3] 請求項 1又は 2記載の方法において、

前記走査方向と直交する方向の各位置における前記描画要素 (40)の各配列方向 ( Θ )が、前記間隔を描画パターンの許容変動幅以下とする安全域に含まれるように調整することを特徴とする描画状態調整方法。

[4] 請求項 1記載の方法において、

前記配列方向（ Θ )の候補が複数ある場合、前記走査方向から最も離れた前記配列方向（ Θ )を優先的に選択することを特徴とする描画状態調整方法。

[5] 請求項 1記載の方法において、

前記走査方向と直交する方向に対する間隔が均等となるように前記配列方向（ Θ ) を調整することを特徴とする描画状態調整方法。

[6] 二次元状に配列された複数の描画要素 (40)を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素 (40)を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置における描画状態調整方法であって、

前記描画要素 (40)による前記描画面 (F)上における描画点の前記走査方向と直交する方向に対する間隔と、前記描画要素 (40)の前記走査方向に対する配列方向 ( 0 )との関係をテーブル（100)として備え、前記テーブル（100)から前記間隔に応じた前記配列方向（ Θ )を選択して調整することを特徴とする描画状態調整方法。

[7] 二次元状に配列された複数の描画要素 (40)を描画面 (F)に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素 (40)を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置における描画状態調整装置であって、

前記描画要素 (40)による前記描画面 (F)上における描画点の前記走査方向と直交する方向に対する間隔を求め、前記間隔を描画パターンの許容変動幅以下とすベく、前記走査方向に対する前記描画要素 (40)の配列方向を調整する配列方向調整手段 (77)を備えることを特徴とする描画状態調整装置。

[8] 請求項 7記載の装置において、

前記配列方向調整手段（77)は、描画パターンのシミュレーションを行うことで前記間隔を算出するシミュレーション手段 (86)を備えることを特徴とする描画状態調整装置。

[9] 二次元状に配列された複数の描画要素 (40)を描画面 (F)に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素 (40)を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置における描画状態調整装置であって、

前記描画要素 (40)による前記描画面 (F)上における描画点の前記走査方向と直交する方向に対する間隔と、前記描画要素 (40)の前記走査方向に対する配列方向 ( Θ )との関係をテーブルとして記憶するテーブル記憶手段（100)と、

前記テーブルから前記間隔に応じた前記配列方向（ Θ )を選択して調整する配列方向調整手段 (77)と、

を備えることを特徴とする描画状態調整装置。