JP2006337601A - 描画装置及び描画方法 - Google Patents

Abstract

【課題】走査速度を調整することなく、描画画像の解像度の等方化を容易に実現し、しかも、生産性に影響を与えることなく画像品質を向上させることのできる描画装置及び描画方法を提供する。
【解決手段】ＤＭＤ３６による矢印Ｘ方向の描画幅Ｌ、矢印ｘ方向のマイクロミラー４０の素子数Ｎｘ、ＤＭＤ３６の移動速度ｖ、描画データのＤＭＤ３６に対する転送レートΔＮｄ／Δｔを用いて、
ΔＸ＝Ｌ／（Ｎｘ・Ｎｙ）
ΔＹ＝ｖ・（Ｎｘ・Ｎｙ）／（ΔＮｄ／Δｔ）
の関係を満たすように、矢印ｙ方向に配列されるマイクロミラー４０の描画に使用する素子数Ｎｙを設定する。
【選択図】図７

Description

本発明は、描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動する描画ヘッドを備え、描画データに基づいて描画面に描画を行う描画装置及び描画方法に関する。

従来から、描画装置の一例として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の空間光変調素子を利用し、画像データに応じて変調された光ビームで画像露光を行う露光装置が種々提案されている。ＤＭＤは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に二次元状に配列したミラーデバイスであり、このＤＭＤを備えた露光ヘッドを露光面に沿った走査方向に相対移動させることで、所望の範囲に対する画像露光が行われる。

一般に、ＤＭＤのマイクロミラーは、各行の並び方向と各列の並び方向とが直交するように配列されている。このようなＤＭＤを、走査方向に対して傾斜させて配置することで、走査線の間隔が密になり、解像度を上げることができる。

例えば、特許文献１には、複数の光弁を備えたサブ領域（空間光変調素子）へと光を導く照明システムにおいて、サブ領域を、走査線上への投影に対して傾斜させることで、解像度を高めることができる点が記載されている。この方法によれば、走査方向と直交する方向の解像度を高めることができる。また、走査方向の解像度は、通常、走査速度と空間光変調素子の変調速度によって決定されるため、走査速度を遅くするか、若しくは、空間光変調素子の変調速度を速めることで解像度を高めることが可能である。

特表２００１−５００６２８号公報

しかしながら、走査速度は、露光装置の生産性を左右するため、調整できる範囲には限度がある。また、空間光変調素子の変調速度は、露光装置を構成する制御回路及び描画に使用する描画素子数によって決まっている。

本発明は、前記の不具合を解消するためになされたもので、走査速度を調整することなく、描画画像の解像度の等方化を容易に実現し、しかも、生産性に影響を与えることなく画像品質を向上させることのできる描画装置及び描画方法を提供することを目的とする。

前記の課題を解決するため、本発明は、描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動する描画ヘッドを備え、描画データに基づいて前記描画面に描画を行う描画装置であって、
前記描画ヘッドは、複数の描画素子が二次元状に配列して構成され、前記描画面の前記走査方向に対し所定の傾斜角度で傾斜した複数の描画画素からなる二次元状の描画画素群を描画する描画素子群を備え、前記走査方向の解像度をΔＹ、前記走査方向と直交する方向の解像度をΔＸとして、
０．８≦ΔＸ／ΔＹ≦１．２
となるように、前記走査方向と近接する方向に配列される描画に使用する前記描画素子の素子数Ｎｙが設定されることを特徴とする。

また、本発明は、複数の描画素子が二次元状に配列された描画ヘッドを描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動し、描画データに基づいて前記描画面に描画を行う描画方法であって、
前記走査方向の解像度をΔＹ、前記走査方向と直交する方向の解像度をΔＸとして、
０．８≦ΔＸ／ΔＹ≦１．２
となるように、前記走査方向と近接する方向に配列される描画に使用する前記描画素子の素子数Ｎｙを設定し、前記描画面の前記走査方向に対して所定の傾斜角度で傾斜した複数の描画画素からなる二次元状の描画画素群を描画することを特徴とする。

この場合、前記素子数Ｎｙは、前記走査方向と直交する方向に対する前記描画画素群による描画幅をＬ、前記走査方向と直交する方向と近接する方向に配列される前記描画素子の素子数をＮｘ、前記描画素子群の前記描画面に対する相対移動速度をｖ、前記描画データの前記描画ヘッドに対する転送レートをΔＮｄ／Δｔとして、
ΔＸ＝Ｌ／（Ｎｘ・Ｎｙ）
ΔＹ＝ｖ・（Ｎｘ・Ｎｙ）／（ΔＮｄ／Δｔ）
の関係に基づいて設定することができる。

本発明の描画装置及び描画方法によれば、描画素子群を構成する描画素子の走査方向と近接する方向に配列される素子数を調整することにより、走査方向及びそれと直交する方向に対する画像の解像度を極めて容易に調整することができる。

また、描画ヘッドの描画面に対する相対移動速度や、描画データの描画ヘッドに対する転送レートを調整する必要がないため、生産性に影響を与えることがなく、また、描画処理装置を高いスペックで構成する必要もない。

図１は、本発明の実施形態に係る描画装置であるフラットベッドタイプの露光記録装置１０を示す。露光記録装置１０は、複数の脚部１２によって支持された変形の極めて小さい定盤１４を備え、この定盤１４上には、２本のガイドレール１６を介して露光ステージ１８が矢印Ｙ方向に往復移動可能に設置される。なお、露光ステージ１８には、感光材料が塗布された矩形状の基板Ｆが吸着保持される。

定盤１４の中央部には、ガイドレール１６を跨ぐようにして門型のコラム２０が設置される。このコラム２０の一方の側部には、基板Ｆの所定位置に形成されたアラインメントマーク６０ａ〜６０ｄを含む画像を撮像するカメラ２２ａ、２２ｂが固定され、コラム２０の他方の側部には、基板Ｆに対して画像を露光記録する複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊ（描画ヘッド）が位置決め保持されたスキャナ２６が固定される。ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂには、ロッドレンズ６２ａ、６２ｂを介してストロボ６４ａ、６４ｂが装着される。ストロボ６４ａ、６４ｂは、基板Ｆを感光することのない赤外光からなる照明光をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂの撮像域に照射する。

露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、基板Ｆの移動方向（矢印Ｙ方向）と直交する方向に２列で千鳥状に配列される。図２は、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの構成を示す。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊには、例えば、光源ユニット２８を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームＬＢが合波され光ファイバ３０を介して導入される。レーザビームＬＢが導入された光ファイバ３０の出射端には、ロッドレンズ３２、反射ミラー３４、及びデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）３６が順に配列される。

ここで、ＤＭＤ３６は、図３に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）３８の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー４０（描画素子）を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー４０の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。ＳＲＡＭセル３８に描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号の状態に応じて各マイクロミラー４０が対角線を中心とする所定方向に傾斜し、その傾斜状態に従って描画画素のオンオフ状態が実現される。

オン状態のマイクロミラー４０によって反射されたレーザビームＬＢの射出方向には、拡大光学系である第１結像光学レンズ４４、４６、ＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー４８、ズーム光学系である第２結像光学レンズ５０、５２が順に配列される。なお、マイクロレンズアレー４８の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームＬＢを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー５４、５６が配設される。

各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに組み込まれるＤＭＤ３６は、図４及び図５に示すように、高い解像度を実現すべく、走査方向（矢印Ｙ方向）に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、ＤＭＤ３６を基板Ｆの走査方向に対して傾斜させることにより、ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の走査方向と直交する方向（矢印Ｘ方向）に対する間隔を狭くし、これによって、矢印Ｘ方向に記録される画像の解像度を高くすることができる。矢印Ｙ方向の解像度は、後述するように、矢印Ｙ方向に近接する方向に配列されるマイクロミラー４０の素子数によって調整される。なお、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊにより一度に露光される範囲である露光エリア５８ａ〜５８ｊは、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊ間の継ぎ目が生じることのないよう、矢印Ｘ方向に重畳するように設定される。

図６は、露光記録装置１０の制御回路の要部構成ブロック図である。露光記録装置１０を制御する制御ユニット４２は、エンコーダ６６により検出した露光ステージ１８の位置データに基づいて同期信号を生成する同期信号生成部６８と、生成された同期信号に基づいて露光ステージ１８を走査方向に移動させる露光ステージ駆動部７０と、基板Ｆに描画される画像の描画データを記憶する描画データ記憶部７２と、同期信号及び描画データに基づいてＤＭＤ３６のＳＲＡＭセル３８を変調制御し、マイクロミラー４０を駆動するＤＭＤ変調部７４とを備える。

本実施形態の露光記録装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、その動作について説明する。

露光ステージ１８に基板Ｆを吸着保持させた後、制御ユニット４２は、露光ステージ駆動部７０を制御し、露光ステージ１８を定盤１４のガイドレール１６に沿ってスキャナ２６側に移動させ、基板Ｆに形成されたアラインメントマーク６０ａ〜６０ｄを含む画像をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂにより撮像する。制御ユニット４２は、エンコーダ６６により検出した露光ステージ１８の位置データと、撮像されたアラインメントマーク６０ａ〜６０ｄの位置データとから、基板Ｆの露光ステージ１８に対する位置補正データを算出する。

次いで、制御ユニット４２は、露光ステージ１８をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂ側である走査方向（矢印Ｙ方向）に移動させ、スキャナ２６による基板Ｆに対する画像の露光記録を開始する。

すなわち、光源ユニット２８から出力されたレーザビームＬＢは、光ファイバ３０を介して各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに導入される。導入されたレーザビームＬＢは、ロッドレンズ３２から反射ミラー３４を介してＤＭＤ３６に入射する。

一方、描画データ記憶部７２から読み出され、位置補正データによって描画位置が補正された描画データは、ＤＭＤ変調部７４に供給される。ＤＭＤ変調部７４は、エンコーダ６６によって検出した露光ステージ１８の位置データに従って同期信号生成部６８から供給される同期信号に基づき、描画データをＤＭＤ３６に供給する。ＤＭＤ３６は、供給された描画データに従って各マイクロミラー４０を駆動する。

ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームＬＢは、第１結像光学レンズ４４、４６によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー５４、マイクロレンズアレー４８及びマイクロアパーチャアレー５６を介して所定の径に調整され、次いで、第２結像光学レンズ５０、５２により所定の倍率に調整されて基板Ｆに導かれる。

この場合、露光ステージ１８は、定盤１４に沿って移動し、基板Ｆには、露光ステージ１８の移動方向（矢印Ｙ方向）と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊにより所望の二次元画像が描画される。

ところで、前記のようにして基板Ｆ上に二次元画像を描画する際、走査方向（矢印Ｙ方向）の解像度と、それに直交する方向（矢印Ｘ方向）の解像度とが異なっていると、描画される画像の粗密が方向によって異なるため、画像に方向性が生じて画像品質が損なわれてしまう。

本実施形態では、描画に用いるマイクロミラー４０の素子数を適切に調整することにより、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向の解像度を容易に等方化することができる。そこで、図７に基づき、その調整方法について説明する。

図７は、複数のマイクロミラー４０により構成されるＤＭＤ３６と、各マイクロミラー４０によって基板Ｆに形成される描画点７６との関係説明図である。

ＤＭＤ３６は、描画される画像の矢印Ｘ方向に対する解像度を高めるため、基板Ｆに対して所定角度傾斜して設定されている。この場合、基板Ｆの走査方向である矢印Ｙ方向と近接する方向に配列されるマイクロミラー４０の配列方向をｙ方向とし、基板Ｆの矢印Ｘ方向と近接する方向に配列されるマイクロミラー４０の配列方向をｘ方向とし、矢印Ｘ方向に対する矢印ｙ方向の傾斜角度θをＤＭＤ３６の傾斜角度と定義する。この場合、傾斜角度θは、９０゜に近い値に設定される。

矢印ｘ方向に配列されるマイクロミラー４０の素子数をＮｘ、矢印ｙ方向に配列されるマイクロミラー４０の素子数をＮｙとし、これらの複数のマイクロミラー４０によって基板Ｆの矢印Ｘ方向に１本の走査線を構成する複数の描画点７６が形成されるものとした場合、矢印Ｘ方向に記録される描画点７６の平均的な間隔である解像度ΔＸは、１つのＤＭＤ３６による基板Ｆの矢印Ｘ方向に対する描画幅をＬとして、
ΔＸ＝Ｌ／（Ｎｘ・Ｎｙ） …（１）
である。

また、ＤＭＤ変調部７４により変調されてＤＭＤ３６に転送される描画データのデータ数ΔＮｄの単位時間Δｔ当たりの転送数である転送レートをΔＮｄ／Δｔとし、基板Ｆの矢印Ｙ方向への移動速度をｖとした場合、矢印Ｙ方向に記録される描画点７６の間隔である解像度ΔＹは、
ΔＹ＝ｖ・（Ｎｘ・Ｎｙ）／（ΔＮｄ／Δｔ） …（２）
である。

この場合、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に形成される画像が厳密に等方的であるためには、ΔＸ＝ΔＹとして、（１）、（２）式から、
Ｎｙ²＝Ｌ・（ΔＮｄ／Δｔ）／（ｖ・Ｎｘ²） …（３）
となることが必要である。

具体的には、例えば、Ｎｘ＝１０００個、ΔＮｄ／Δｔ＝２Ｇｂｐｓ、ｖ＝７０ｍｍ／ｓ、Ｌ＝６５ｍｍとすると、等方解像度を得るためには、（３）式から、Ｎｙ＝４３個である。この場合、ＤＭＤ３６で使用されるマイクロミラー４０の範囲は、ｘ方向対ｙ方向のアスペクト比が１０００：４３≒２３：１となり、矢印ｘ方向に長尺な範囲となる。

ここで、（３）式において、描画幅Ｌと、描画幅Ｌを決定するマイクロミラー４０の矢印ｘ方向に対する素子数Ｎｘとは、基板Ｆの矢印Ｘ方向に描画する画像の幅に依存し、描画データの転送レートΔＮｄ／Δｔは、制御ユニット４２を構成するＤＭＤ変調部７４の特性に依存する。また、基板Ｆの移動速度ｖは、露光記録装置１０の生産性に依存する。これらのパラメータは、通常、露光記録装置１０の設計段階で固定されている。従って、基板Ｆに記録される画像の解像度を容易に調整することのできるパラメータは、マイクロミラー４０の矢印ｙ方向に対する素子数Ｎｙとなる。

そこで、素子数Ｎｙを（３）式に基づいて設定し、この素子数Ｎｙに従って矢印ｙ方向に配列される駆動対象とするマイクロミラー４０を選択することにより、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向の解像度ΔＸ及びΔＹが等方となる画像を基板Ｆに形成することができる。なお、素子数Ｎｙは、基板Ｆに記録される画像の誤差の影響、許容範囲等を考慮して、
０．８≦ΔＸ／ΔＹ≦１．２ …（４）
となる条件に基づき、（１）、（２）式から設定すると好適である。

以上のようにして、描画に使用するマイクロミラー４０の矢印ｙ方向の素子数Ｎｙが決まると、この素子数Ｎｙに従ってＤＭＤ３６の傾斜角度θも決定される。この場合、傾斜角度θは、マイクロミラー４０の矢印ｙ方向の間隔をＰｍ、矢印ｘ方向の間隔をＰｓ、複数のマイクロミラー４０により基板Ｆの略同一位置に重ねて露光する露光回数をｎとして、
tanθ＝Ｎｙ・Ｐｍ／（ｎ・Ｐｓ） …（５）
となる。 上述した実施形態では、反射型空間光変調素子の１つであるＤＭＤ３６を用いた場合について説明したが、反射型空間光変調素子に限定されるものではなく、透過型空間光変調素子を使用することもできる。例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ：Ｓｐａｃｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）や液晶光シャッタ（ＦＬＣ）等の液晶シャッターアレイ等、ＭＥＭＳタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、制御回路を集積化した微細システムの総称であり、ＭＥＭＳタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ：Ｇｒａｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ）を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。

また、上述した実施形態では、半導体レーザを光源として説明したが、固体レーザ、紫外ＬＤ、赤外ＬＤ、ＬＥＤ、ランプ等を用いることもできる。さらに、複数の発光点が二次元状に配列された光源（例えば、ＬＤアレイ、有機ＥＬアレイ等）を使用することもできる。

上述した実施形態では、フラットベッドタイプの露光記録装置１０を例に挙げたが、感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。

また、上述した露光記録装置１０は、例えば、プリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ：Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）の露光、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程におけるカラーフィルタの形成、ＴＦＴの製造工程におけるＤＦＲの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造工程におけるＤＦＲの露光等の用途に好適に用いることができる。なお、感光材料が基板上に塗布されたものを本発明の対象としてもよい。

また、上述した露光記録装置１０には、露光により直接情報が記録されるフォトンモード感光材料、露光により発生した熱で情報が記録されるヒートモード感光材料のいずれも使用することができる。フォトンモード感光材料を使用する場合、レーザ光源としてＧａＮ系半導体レーザ、波長変換固体レーザ等が使用され、ヒートモード感光材料を使用する場合、レーザ光源としてＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ（赤外レーザ）、固体レーザが使用される。

また、本発明では、露光装置に限らず、例えば、インクジェット記録ヘッドに同様の構成を採用することが可能である。すなわち、一般にインクジェット記録ヘッドでは、記録媒体（例えば、記録用紙やＯＨＰシート等）に対向するノズル面に、インク滴を吐出するノズルが形成されているが、インクジェット記録ヘッドのなかには、このノズルを格子状に複数配置し、ヘッド自体を走査方向に対して傾斜させて、高解像度で画像を記録可能なものがある。このような二次元配列が採用されたインクジェット記録ヘッドにおいて、各インクジェット記録ヘッドを構成する複数のノズルのパラメータを調整することで、画像上でのジャギーの発生を抑制することができる。

本実施形態の露光記録装置の外観斜視図である。 本実施形態の露光記録装置における露光ヘッドの概略構成図である。 本実施形態の露光記録装置における露光ヘッドに使用されるデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。 本実施形態の露光記録装置における露光ヘッドと、露光ステージに位置決めされたシートフイルムとの関係説明図である。 本実施形態の露光記録装置における露光ヘッドと、シートフイルム上の露光エリアとの関係説明図である。 本実施形態の露光記録装置の制御回路ブロック図である。 本実施形態の露光記録装置における露光ヘッドに使用されるＤＭＤと、ＤＭＤによって基板に形成される描画点との関係説明図である。

符号の説明

１０…露光記録装置 １８…露光ステージ
２４ａ〜２４ｊ…露光ヘッド ２６…スキャナ
２８…光源ユニット ３６…ＤＭＤ
３８…ＳＲＡＭセル ４０…マイクロミラー
４２…制御ユニット ７４…ＤＭＤ変調部
Ｆ…基板

Claims (6)

1. 描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動する描画ヘッドを備え、描画データに基づいて前記描画面に描画を行う描画装置であって、
   前記描画ヘッドは、複数の描画素子が二次元状に配列して構成され、前記描画面の前記走査方向に対し所定の傾斜角度で傾斜した複数の描画画素からなる二次元状の描画画素群を描画する描画素子群を備え、前記走査方向の解像度をΔＹ、前記走査方向と直交する方向の解像度をΔＸとして、
   ０．８≦ΔＸ／ΔＹ≦１．２
   となるように、前記走査方向と近接する方向に配列される描画に使用する前記描画素子の素子数Ｎｙが設定されることを特徴とする描画装置。
2. 請求項１記載の描画装置において、
   前記素子数Ｎｙは、前記走査方向と直交する方向に対する前記描画画素群による描画幅をＬ、前記走査方向と直交する方向と近接する方向に配列される前記描画素子の素子数をＮｘ、前記描画素子群の前記描画面に対する相対移動速度をｖ、前記描画データの前記描画ヘッドに対する転送レートをΔＮｄ／Δｔとして、
   ΔＸ＝Ｌ／（Ｎｘ・Ｎｙ）
   ΔＹ＝ｖ・（Ｎｘ・Ｎｙ）／（ΔＮｄ／Δｔ）
   の関係に基づいて設定されることを特徴とする描画装置。
3. 請求項１又は２記載の描画装置において、
   前記描画素子群は、前記描画データに従い、入射した照明光を変調して前記描画面に導く空間光変調素子からなることを特徴とする描画装置。
4. 請求項３記載の描画装置において、
   前記空間光変調素子は、前記照明光を反射する反射面の角度が前記描画データに従って変更可能な多数のマイクロミラーを二次元的に配列して構成されるマイクロミラーデバイスからなることを特徴とする描画装置。
5. 複数の描画素子が二次元状に配列された描画ヘッドを描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動し、描画データに基づいて前記描画面に描画を行う描画方法であって、
   前記走査方向の解像度をΔＹ、前記走査方向と直交する方向の解像度をΔＸとして、
   ０．８≦ΔＸ／ΔＹ≦１．２
   となるように、前記走査方向と近接する方向に配列される描画に使用する前記描画素子の素子数Ｎｙを設定し、前記描画面の前記走査方向に対して所定の傾斜角度で傾斜した複数の描画画素からなる二次元状の描画画素群を描画することを特徴とする描画方法。
6. 請求項５記載の描画方法において、
   前記素子数Ｎｙは、前記走査方向と直交する方向に対する前記描画画素群による描画幅をＬ、前記走査方向と直交する方向と近接する方向に配列される前記描画素子の素子数をＮｘ、前記描画素子群の前記描画面に対する相対移動速度をｖ、前記描画データの前記描画ヘッドに対する転送レートをΔＮｄ／Δｔとして、
   ΔＸ＝Ｌ／（Ｎｘ・Ｎｙ）
   ΔＹ＝ｖ・（Ｎｘ・Ｎｙ）／（ΔＮｄ／Δｔ）
   の関係に基づいて設定されることを特徴とする描画方法。

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