WO2007086568A1

WO2007086568A1 - 樹脂フィルム、接着シート、配線基板および電子装置

Info

Publication number: WO2007086568A1
Application number: PCT/JP2007/051420
Authority: WO
Inventors: Tadashi Nagasawa; Masaharu Shirai; Kenji Kume; Yutaka Tsukada
Original assignee: Kyocera Corporation
Priority date: 2006-01-30
Filing date: 2007-01-29
Publication date: 2007-08-02
Also published as: JP4903723B2; JPWO2007086568A1; US8129623B2; US20090314526A1

Abstract

　本発明は、他の部材との密着性が強い樹脂フィルム、ならびに接着剤層と樹脂フィルムとの密着性が強い接着シート、配線基板および電子装置に関する。樹脂フィルム１は、フィラ９および樹脂材料を含んで構成され、先端部１０ａにフィラ９を含む複数の突出部１０を有している。この突出部１０は、シート部１６の少なくとも一方表面に形成される。

Description

樹脂フィルム、接着シート、配線基板および電子装置

技術分野

[0001] 本発明は、絶縁性を有する榭脂フィルムおよびこれを用いた配線基板、接着シート

、ならびに電子装置に関する。

背景技術

[0002] 多層配線基板に実装される半導体素子の処理速度の高速化に伴って、半導体素子を構成する絶縁材料の誘電率を低くすることが求められてヽる。低誘電率の材料は、電気信号の伝播速度が速ぐ且つ半導体素子内の信号遅延が少なくなるので、半導体素子の処理速度を高速化することができる。このような低誘電率の材料の誘電率を更に下げるために、材料中に気泡を含有する技術がある。この技術では、絶縁性材料に気泡を含有すると誘電率は低下するが、気泡が原因で材料の強度が 3 分の 1以下に低下する。このように材料の強度が低下すると、多層配線基板と半導体素子との熱膨張率の差によって半導体素子が損傷するという問題がある。

また、半導体素子の IZO (input/output)数が増加する一方で、半導体素子の高密度化で半導体素子自身は小形ィ匕が進んでいる。このような半導体素子の小形化に伴って、半導体素子と多層配線基板とを接続するバンプの小形ィ匕が進んでいる。バンプが小形になるとバンプによる電極の接続強度が低下し、バンプが破壊して歩留まりが低下するという問題がある。バンプを破壊する応力の原因は、半導体素子と多層配線基板との熱膨張率のミスマッチに起因している。したがって、多層配線基板には、半導体素子と同等の熱膨張率を有することが求められている。

このような課題を解決するために、従来の技術の多層配線基板は、絶縁性を有するコア基板に、導電層と絶縁層とが設けられて構成される。コア基板には、導電層と絶縁層とが交互に積層される積層体が厚み方向の一表面部に設けられる。積層体は、厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、この貫通孔に銅をめつきしてビアホールが形成される。したがって、厚み方向に隣接する導電層は、ビアホールを介して電気的に接続される。絶縁層は、榭脂フィルムと接着剤層とから構成され、多層配線基板の熱膨張率が小さくなるように構成される。また絶縁層を薄く製造することができるので、多層配線基板の熱膨張量を小さくすることができる。これによつて、多層配線基板は、半導体素子との熱膨張率のミスマッチによる不具合を解消することができる（たとえば特開 2005— 101269号公報参照）。

前述の従来の技術の多層配線基板では、絶縁層が榭脂フィルムと接着剤層とを交互に積層して構成される力榭脂フィルムの表面部が滑らかであるので、接着剤層との密着性が弱い。したがって、榭脂フィルムと接着剤層とが剥離するおそれがある。榭脂フィルムと接着剤層が剥離すると、隣接する導電層との絶縁性が低下するおそれがある。

発明の開示

[0003] 本発明の目的は、他の部材との密着性が強ヽ榭脂フィルム、ならびに接着剤層と榭脂フィルムとの密着性が強ヽ接着シート、配線基板および電子装置を提供することである。

本発明の榭脂フィルムは、フイラと、榭脂材料とを含んで構成され、先端部にフイラを含んだ複数の突出部を表面に有する。このような榭脂フィルムは、接着シートの絶縁層および配線基板の絶縁層に適用可能である。また、榭脂フィルムを組み込んだ配線基板と、半導体素子とで構成される電子装置にも適用可能である。

本発明によれば、榭脂フィルムと他の部材との密着強度を向上させることができる。したがって、榭脂フィルムを接着シートの絶縁層および配線基板の絶縁層に用いた場合、これらの信頼性を向上させることができる。さらに前記配線基板を有する電子装置の信頼性を向上させることが可能である。

図面の簡単な説明

[0004] 本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。

図 1は、本発明の第 1実施形態にカゝかる榭脂フィルム 1を拡大して示す斜視図である。

図 2は、榭脂フィルム 1を拡大して示す断面図である。

図 3は、榭脂フィルム 1が用いられる多層配線基板 2を示す断面図である。図 4は、導電層 6を備える榭脂フィルム 1を拡大して示す断面図である。

図 5は、多層配線基板 2の一部構成を拡大して示す断面図である。

図 6は、 1つの突出部 10を拡大して示す断面図である。

図 7は、第 2実施形態の榭脂フィルム 1 Aを拡大して示す断面図である。

図 8は、第 3実施形態の多層配線基板 2Aの一部構成を拡大して示す断面図である。

図 9Aは、図 8に示す多層配線基板 2Aの製造方法を説明するための断面図である図 9Bは、図 8に示す多層配線基板 2Aの製造方法を説明するための断面図である図 9Cは、図 8に示す多層配線基板 2Aの製造方法を説明するための断面図である図 9Dは、図 8に示す多層配線基板 2Aの製造方法を説明するための断面図である発明を実施するための最良の形態

(第 1実施形態）

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について説明する。図 1は、本発明の第 1実施形態にカゝかる榭脂フィルム 1を拡大して示す斜視図である。図 2 は、榭脂フィルム 1を拡大して示す断面図である。図 3は、榭脂フィルム 1が用いられる電子装置 15を示す断面図である。図 4は、導電層 6を備える榭脂フィルム 1を拡大して示す断面図である。図 5は、多層配線基板 2の榭脂フィルム 1に関連する構成を拡大して示す断面図である。図 6は、榭脂フィルム 1が有する突出部 10を拡大して示す断面図である。

電子装置 15は、図 3に示すように、電子素子である半導体素子 13と、多層配線基板 2と、半導体素子と多層配線基板 2とを電気的に接続する導電性接合材 14と、を含んで構成される。多層配線基板 2は、コア基板 3、絶縁層 4、接着剤層 5、導電層⁶ および電極パッド 12を含む。多層配線基板 2は、コア基板 3上に導電層 6と絶縁層 4 とが接着剤層 5を介して厚み方向に交互に複数、積層されて構成される。図 3に例証されるように、コア基板 3は、略平板状に形成されており、その一主面 3a に導電層 6および絶縁層 4が接着剤層 5を介して交互に積層される。すなわち、コア基板 3は、導電層 6、絶縁層 4および接着剤層 5を支持する支持部材として機能する。コア基板 3は、絶縁性を有し、たとえば酸ィ匕アルミニウム焼結体およびムライト質焼結体などの酸ィ匕物系セラミックス、一主面 3aに酸ィ匕物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体および炭化珪素質焼結体などの非酸化物系セラミックス、または、ガラス繊維から成る基材に榭脂を含浸させた繊維基板等によって実現される。

導電層 6は、電気信号を伝達するための伝達路としての機能を有する。導電層 6は、たとえば銅および/または金等、一種もしくは複数の導電材料力成る。導電層 6 は、複数層により構成されていても良い。例えば、導電層 6がスパッタ層または無電解めつき層から成る第 1導電層と、電気めつき層からなる第 2導電層とを積層した構造を有している場合、導電層 6は、次のような方法により形成される。すなわち、コア基板 3および Zまたは絶縁層 4上に、スパッタリングまたは無電解めつき法を用いて、第 1導電層を形成する。次に、第 1導電層を電極として、電気めつき法によって第 2導電層を第 1導電層上に形成し、これによつて導電層 6が形成される。

絶縁層 4は、その厚み方向に隣接する導電層 6同士が接触することを防止する機能を有する。導電層 6は、コア基板 3または絶縁層 4に積層される。また導電層 6上には、接着剤層 5を介して絶縁層 4が積層される。導電層 6は、配線パターンを構成するので、コア基板 3の一主面 3aまたは絶縁層 4上の全域にわたって積層されず、部分的に設けられる。このように、所望の導電層 6の数に応じて、絶縁層 4および導電層 6が交互に積層される。絶縁層 4および接着剤層 5には、これらの層 4, 5を厚み方向に貫通する貫通孔 8が形成される。貫通孔 8の内部には、貫通導体 7が埋設される o異なる平面に配置される複数の導電層 6は、貫通導体 7によって電気的に接続されている。

電極パッド 12は、多層配線基板 2に搭載される電子素子、たとえば半導体素子 13 と多層配線基板 2との間で電気信号を伝達するための伝達路としての機能を有する。電極パッド 12は、複数層の絶縁層 4のうち、最表面側に位置する絶縁層 4上に設けられ、貫通導体 7と電気的に接続される。これによつて電極パッド 12は、導電層 6と電気的に接続される。電極パッド 12は、たとえば銅および Zまたは金等の導電材料から成る。電極パッド 12は、例えば、導電層 6と同様の構成によって実現される。

絶縁層 4は、フイラ 9を含み、シート状に形成された榭脂フィルム 1から成る。榭脂フイルム 1は、その厚みが 3 m以上 50 m以下程度となるように構成される。接着剤層 5は、コア基板 3と絶縁層 4との間、もしくは厚み方向に隣り合う絶縁層 4間に介在される。接着剤層 5は、たとえばエポキシ榭脂から成る。接着剤層 5は、絶縁層 4上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤を配置し、これを乾燥させること〖こよって設けられる。接着剤層 5は、厚みが 3 m以上 20 m以下程度となるように構成される。接着剤層 5は、コア基板 3および導電層 6に積層した状態で、加熱プレス装置を用いて加熱加圧することによって、コア基板 3および導電層 6に接着する。

絶縁層 4と接着剤層 5との材質の組み合わせは、絶縁層 4と接着剤層 5との接着性が良好であり、かつ耐熱性が高くなるように選択される。これによつて多層配線基板 2 をプリント基板などに実装する場合、半田接合の際に印加される熱に対する耐久性が良好なものとなる。また絶縁層 4と接着剤層 5との材質の組み合わせは、絶縁層 4と接着剤層 5との熱膨張係数の差が小さくなるように選択される。これによつて熱膨張係数の差によって発生する熱応力を低くすることができ、導電層 6と貫通導体 7との界面における剥離を生じる応力を小さくすることができる。また、多層配線基板 2の全体の反りを低減することができ、その表面に実装される電子素子、たとえば半導体素子 13が有する端子の狭ピッチ化にもさらに良好に対応することができる多層配線基板 2 を実現することができる。

絶縁層 4を構成する榭脂フィルム 1中に含まれるフイラ 9は、熱膨張係数の調整、および機械的強度の向上のために含有される。フイラ 9は、たとえば無機フイラであって、セラミックス力も成る。無機フイラに用いられるセラミックは、たとえばシリカ（二酸ィ匕珪素）、酸ィ匕アルミニウム、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、および Zまたはチタン酸カルシウム、など力も成る。本実施形態では、フイラ 9としてシリ力が用いられる。

フイラ 9の粒子形状は、略球状、針状および Zまたはフレーク状、種々の形状などがあり、充填性の観点からは略球状が好ましい。シリカ粒子の直径は、たとえば 20η m以上 500nm以下程度である。フイラ 9の粒子の直径は、榭脂フィルム 1の厚みの 1 0分の 1よりも小さ、ことが望まし、。

図 1および図 2に示すように、本実施形態における榭脂フィルム 1は、略平坦な一主面 laおよび他主面 lbを有するシート部 16と、該シート部 16の一主面 laおよび他主面 lbから突出する複数の突出部 10と、を有する。シート部 16は、榭脂材料にフイラを含んだ構成を有している。突出部 10は、図 6に示すように、シート部 16を構成する榭脂材料と同じ榭脂材料から成り、シート部 16に接続される柱状部 10bと、該柱状部 10bに接続され、略球状のフイラ粒子 9を含んだ先端部 10aと、を有している。すなわち、少なくとも 1つの突出部 10は、その突出方向の先端部 10aに略球状のフイラ粒子 9を有し、該フイラ粒子 9の表面 9aが露出している。また、図 6に示すように、少なくとも 1つの突出部 10の高さ hiは、先端部 10aのフイラ粒子 9の直径 D1よりも大きく構成される。

また各突出部 10の突出方向の高さ hiは一定ではなぐ個々にばらついている。各突出部 10の高さ hiは、当該突出部 10が有するフイラ粒子 9の直径 D1の 1倍以上 3 倍以下となるように設定することが好ましい。この場合、突出部 10の折損を良好に防止しつつ、密着強度を高くすることができる。

榭脂フィルム 1を多層配線基板 2に用いる際、榭脂フィルム 1の突出部 10を接着剤層 5に対して密着させてもよいし、導電層 6に対して密着させても良い。後者の場合、図 4に示すように、各突出部 10が導電層 6中に埋入させて設けることが好ましい。また、シート部 16の両主面 la, lbの一方に導電層 6を、他方に接着剤層 5を、それぞれ密着させるようにしても良い。この場合、榭脂フィルム 1の突出部 10を導電層 6および接着剤層 5の双方に埋入させて積層体を構成し、該積層体をコア基板 3に貼着すること〖こよって、多層配線基板が製造される。なお、上述した如ぐ榭脂フィルム 1は、多層配線基板にぉヽては絶縁層 4として機能する。

シート部 16の両主面 la, lbの一方に導電層 6を、他方に接着剤層 5を、それぞれ密着させて構成された多層配線基板については、図 5に示すように、絶縁層 4の各突出部 10が接着剤層 5および導電層 6中に埋入された状態となっている。すなわち、接着剤層 5および導電層 6が突出部 10の柱状部 10bおよび先端部 10aを被覆している。

各突出部 10は、前述したように、榭脂からなる柱状部 10bと、柱状部 10bに接続され、フイラ粒子 9を含む先端部 10aと、を有している。フイラ粒子 9は、柱状部 10bと接続される部分 9bを除く残余の表面 9aが略露出している。また、少なくとも 1つの突出部 10は、柱状部 1 Obの最小幅 D2 (榭脂フィルム 1の厚み方向と直交する方向の幅）は、当該突出部 10のフイラ粒子 9の直径 D1より小さい。柱状部 10bの最小幅 D2は、たとえば、フイラ粒子 9の直径 D1の 0. 5倍以上 0. 95倍以下となるように設定される。このように粒子 9の直径 D1と柱状部 10bの最小幅 D2とが設定されるので、フイラ粒子 9が柱状部 10bに対して大きすぎて、フイラ粒子 9が柱状部 10bから離脱することがなぐ絶縁層 4を導電層 6および/または接着剤層 5に対して強固に被着させることができる。また突出部 10の高さ hiは、柱状部 10bの高さ h2の 2〜20倍程度に設定することが好ましい。このように突出寸法 hiを設定することによって、突出部 10の折損を良好に防止しつつ、絶縁層 4と導電層 6および Zまたは接着剤層 5との密着強度が小さくなることを防ぐことができる。また、突出部 10の幅 (絶縁層 4の厚み方向と直交する方向の幅）の最大となる領域は、先端部 10aに位置していることが好ましい。この場合、突出部 10によるアンカー効果をより高めることができる。

このような各突出部 10の形成方法に関して説明する。たとえば表面が平面状を成し、フイラ粒子 9を含んだ榭脂シートを、エッチング方向を制御可能なドライエッチングまたはプラズマエッチングを用いてエッチングする。具体的には、榭脂シートの表面をドライエッチングする。榭脂シートに含まれるフイラ粒子 9は、シリカ等の樹脂よりも硬い材料により形成されているので、ドライエッチングではほとんど溶解しない。これによって、フイラ粒子 9の直下領域はエッチングされずに、フイラ粒子 9を先端部 10a に有する突出部 10が形成される。したがって、ドライエッチングのエッチング量、および、シリカ 9の量および密度によって、突出部 10の形状、数および Zまたは密度を調節することができる。一般的には、エッチング量が大きくなるに従って、突出部 10の高さ hiが大きくなる。またフイラ粒子 9の含有密度が大きくなるに従って、突出部 10の密度が大きくなる。また粒子 9の直径 D1が大きくなるに従って、柱状部 10aの最小幅 D2が大きくなる。このようなドライエッチングのエッチング量は、エッチング時間およびエッチングレートによって決定される。また、突出部 10の単位面積あたり（平方 mmあたり）の数は、例えば、 100, 000個以上、 100, 000, 000個以下に設定される。このようにフイラ 9の含有量を調節することによって、接着剤層 5および導電層 6と絶縁層 4との密着強度を調節できる。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板 2に用いられる榭脂フィルム 1は、フイラ 9を含む樹脂から成り、シート部 16の一主面 laから突出する複数の突出部 10 を有する。各突出部 10は、その先端部 10aに前記樹脂よりも硬さが高いフイラ粒子 9 を含んで形成される。その結果、各突出部 10の先端部 10aが硬くなり、榭脂フィルム 1と接着剤層 5に積層する場合に各突出部 10を大きく損傷させることなぐ接着剤層 5に各突出部 10を埋入させることができる。したがって、榭脂フィルム 1と接着剤層 5との密着強度を高くすることができる。なお、硬さ測定は、マイクロビッカース硬度計で行う。この硬度測定は四角錐形に加工したダイヤモンド圧子の先端を所定の圧力で被測定材料の表面に圧入し、生じた圧痕の面積で、使用した圧力を割って算出する方法である。榭脂が薄い場合、またはフイラが微細な場合には、マイクロビッカース硬度計の変わりにマイクロインデンテーション法を用いることができる。マイクロインデンテーシヨン法は、マイクロビッカース法と同様に、所定の形状にカ卩ェされたダイヤモンド圧子を微小な圧力で被測定物に圧入して圧痕を生じさせる方法である。一定の圧力で圧痕を生じさせ、生じた圧痕の面積が小さ、方がより硬、材料であると判別できる。

また本実施形態では、各突出部 10に含まれるフイラ粒子 9は、シート部 16の一主面 laから突出して配設されるので、各突出部 10に含まれるフイラ 9とシート部 16の一主面 laとは離間している。したがって、突出部 10の高さ hiを大きくすることができるので、榭脂フィルム 1を接着剤層 5に積層する場合、接着剤層 5に各突出部 10をより深く埋入させることができる。したがって、榭脂フィルム 1と接着剤層 5との密着強度をより高くすることがでさる。

さらに本実施形態では、図 5に示すように、突出部 10は、突出方向の柱状部 10bの最小幅よりも先端部 10aの最大幅が大きく設定されるので、榭脂フィルム 1を接着剤層 5に積層する場合、各突出部 10の先端部 10aが高いアンカー効果を奏する。したがって、榭脂フィルム 1と接着剤層 5との密着強度をより高くすることができる。

さらに本実施形態では、図 2に示すように、各突出部 10は、その高さ hiが互いに異なる。榭脂フィルム 1の突出部 10の形成面に、接着剤層 5を塗布して設ける場合、突出部 10の高さが均一に揃っていると、隣り合う突出部 10同士が互いに接触もしくは干渉して柱状部 10b付近に気泡などが残留する現象が生じることがある。しかしながら、突出部 10の高さ hiを互いに異ならせることによって、各突出部 10が互いに干渉すること抑えて、榭脂フィルム 1に対する接着剤層 5の前駆体の濡れ性を向上することができる。したがって、接着剤層 5の前駆体を塗布後に、該前駆体に気泡が残留することを防ぐことができる。これによつて接着剤層 5を、榭脂フィルム 1に好適に塗布して積層することができる。

さらに本実施形態では、フイラ 9は、シリカから成る粒子を含む。シリカは、熱膨張率が比較的小さいので、榭脂フィルム 1の熱膨張係数を小さくすることができる。したがつて、榭脂フィルム 1に接着剤層 5を積層した場合、熱膨張に起因して、榭脂フィルム 1および接着剤層 5を損傷することを防ぐことができる。

さらに本実施形態では、多層配線基板 2は、コア基板 3の一主面 3aに複数の導電層 6と絶縁層 4とを積層した構造を有している。絶縁層 4は、榭脂フィルム 1から成るので、絶縁層 4と接着剤層 5とを突出部 10によって容易に密着することができる。したがつて、絶縁層 4が接着剤層 5から離脱することを良好に防止することができる。

さらに本実施形態では、図 5に示すように、突出部 10は、接着剤層 5中に埋入され積層されるので、絶縁層 4と接着剤層 5との密着強度を高くすることができる。仮に突出部 10が榭脂フィルム 1に無い場合では、絶縁層 4と接着剤層 5との密着強度をそれほど高めることができない。これに対して、本実施形態においては、突出部 10が榭脂フィルム 1に存在するため、突出部 10を接着剤層 5中に埋入させることによって、絶縁層 4と接着剤層 5とを強固に密着させることができる。

さらに本実施形態では、突出部 10は、シート部 16の両主面 la, lbに設けられるので、シート部 16の両主面 la, lbに他の部材、（本実施形態では、他の部材とは、シート部 16の一主面 laに配置される導電層 6と、他主面 lbに配置される接着剤層 5と、を示す)を積層する場合、積層する他の部材のそれぞれとの密着強度を高くすることができる。これによつてシート部 16の一主面 laだけでなぐ他主面 lbも有効に用いることがでさる。

さらに本実施形態では、導電層 6は、複数層で形成されていても良い。導電層 6を複数層で構成する場合、導電層 6は、スパッタ層または無電解めつき層と、電気めつき層と含む。榭脂フィルム 1の表面に、スパッタ層または無電解めつき層を形成し、スパッタ層または無電解めつき層に基づいて、電気めつき層を形成することによって、導電層 6を実現することができる。これによつて榭脂から成る榭脂フィルム 1の表面に導電層 6を形成することができる。

さらに本実施形態では、導電層 6は、突出部 10の先端部 10aおよび柱状部 10bを被覆するように設けられる。これによつて突出部 10の全体が導電層 6に良好に覆われる。したがって、突出部 10によるアンカー効果によって、導電層 6と榭脂フィルム 1 とを強固に密着することができる。

さらに本実施形態では、電極パッド 12の直下において、突出部 10が導電層 6中に埋入された状態で配されている。一方、電極パッド 12は、半導体素子 13の端子と導電性接合材 14を介して接続される。この半導体素子 13を電極パッド 12に接続する際、または接続された状態に電極パッド 12に応力が作用する。それ故、通常、電極パッド 12の直下に位置する絶縁層 4は前記応力によって剥離し易い。しかしながら、本実施形態においては、この電極パッド 12の直下にて突出部 10が導電層 6中に埋入されるので、絶縁層 4と導電層および絶縁層 4と接着剤層 5が強固に密着している。したがって、電極パッド 12に大きな応力が作用しても、絶縁層 4と導電層 6および絶縁層 4と接着剤層 5が離脱することを可及的に防止することができる。なお、電極パッド 12に作用する応力の発生原因は半導体素子 13の接続方法によって異なる。例えば、半導体素子 13をフリップチップ接続によって電極パッド 12に接続する場合、配線基板と半導体素子 13との熱膨張率の差によって生じる熱応力が電極パッド 12〖こ作用する。また、ワイヤボンディングによって半導体素子 13を電極パッド 12に接続する場合には、ワイヤをパッドに密着させるための超音波振動およびボンディング装置の加圧力によって、フリップチップ接続の場合よりも大きな応力が電極パッド 12に印加される。さらに本実施形態では、榭脂フィルム 1をコア基板に貼着する際、接着剤層 5中に突出部 10を埋入させた状態で、榭脂フィルム 1を、接着剤層 5を介してコア基板 3に貼着させる。したがって、榭脂フィルム 1と接着剤層 5とを突出部 10のアンカー効果によって強固に密着させることができる。また榭脂フィルム 1とコア基板 3とは接着剤層 5 を介して貼着されるので、コア基板 3に対して榭脂フィルム 1を強固に密着させた多層配線基板 2を実現することができる。

さらに本実施形態では、電子装置 15は、半導体素子 13が有する端子と電極パッド 12とが導電性接合材 14を介して接合される。これによつて導電層 6と榭脂フィルム 1 とが強固に接続された電子装置 15を実現することができる。

(第 2実施形態）

図 7は、第 2実施形態の榭脂フィルム 1 Aを拡大して示す断面図である。前述の実施形態では、榭脂フィルム 1の両主面に突出部 10を備えていた力これに限ることはなぐたとえば図 7に示すように榭脂フィルム 1Aの他主面 lbを平面と成るように構成してもよい。これによつて榭脂フィルム 1Aの一主面 laにのみ突出部 10を形成すればよいので、榭脂フィルム 1 Aの製造工程を簡単ィ匕することができる。また榭脂フィルム 1 Aの他主面に積層される接着剤層 5または導電層 6と、榭脂フィルム 1 Aとの密着力を向上することができる。

(第 3実施形態）

図 8は、第 3実施形態にカゝかる多層配線基板 2Aの一部構成を拡大して示す断面図である。本実施形態では、絶縁層 4を貫通する貫通孔 8の内面に突出部 10が設けられている。

本実施形態の多層配線基板 2Aの製造方法は、例えば、

(1)まずコア基板 3の一主面 3aに無電解めつきおよび電気めつきなどによって導電層 6が形成される。

(2)次に、コア基板 3の一主面 3aおよび導電層 6上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤層 5が形成される。

(3)次に、図 9Aに示すように、接着剤層 5上に、一主面にのみ突出部 10を有する第 2実施形態に力かる榭脂フィルム 1Aが貼着される。榭脂フィルム 1Aは、その突出部 10を接着剤層 5に接するように配置されて！ヽる。

(4)次に、図 9Bに示すように、榭脂フィルム 1Aおよび接着剤層 5を貫通する貫通孔 8が、たとえばレーザカ卩ェによって導電層 6に達するまで形成される。貫通孔 8の内面は、その直径がコア基板 3に向力つて小さくなるように傾斜している。

(5)次に、図 9Cに示すように、榭脂フィルム 1Aの他主面および貫通孔 8の内面を、厚み方向に沿ってドライエッチングする。これによつて突出部 10力榭脂フィルム 1A の他主面および貫通孔 8の内面の双方に形成され、榭脂フィルム 1 Aが絶縁層 4となる。貫通孔 8の内面は、貫通孔 8の直径が貫通孔 8の深さ方向に向力つて小さくなるように傾斜しているため、ドライエッチングされやすぐ突出部 10を形成し易い。また、貫通孔 8より導電層 6が露出しているため、導電層 6の表面に付着した油脂および榭脂の残渣、ならびに製造時に付着した有機繊維等の異物がドライエッチングによって良好に除去され、導電層 6と後に形成される貫通導体 7の接続不良を抑制し、歩留まり向上に寄与することができる。

(6)次に、図 9Dに示すように、電気めつきによって貫通孔 8内に貫通導体 7を、絶縁層 4上に導電層 6がそれぞれ設けられる。

(7)次に、絶縁層 4上および導電層 6上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤層 5が形成される。

以後、（3)〜（7)の工程の全てもしくは一部を繰り返すことによって、多層配線基板 2Aを製造することができる。

このように本実施形態では、絶縁層 4の両主面に突出部 10を有するだけでなぐ貫通孔 8の内面にも形成される。これによつて貫通孔 8の内部に形成される貫通導体 7 に突出部 10を埋入させて設けることができ、絶縁層 4と貫通導体 7との密着強度を高くすることができる。したがって、貫通導体 7が絶縁層 4から不所望に剥離することを可及的に防止することができ、貫通導体 7の接続信頼性を向上することができる。本実施形態では、貫通孔 8の内面に形成される突出部 10は、突出方向が絶縁層 4 の厚み方向と略同一方向であるが、このような方向に限ることはなぐ厚み方向に交差する方向（例えば、絶縁層 4の厚み方向に垂直な幅方向または長さ方向）に突出するように設けてもょ、し、貫通孔 8の内面に対して垂直な方向に突出するように設けてもよい。このように突出部 10は、エッチング方向を制御することによって製造可能である。

(他の実施形態）

前述の各実施形態では、コア基板 3の一主面 3aに榭脂フィルム 1が積層されて多層配線基板 2が実現されている力これに限ることはなぐコア基板 3の一主面のみならず他主面にも榭脂フィルム 1を複数積層して多層配線基板 2を実現しても良い。このようにコア基板 3の両主面を用いる場合、コア基板 3を厚み方向に貫通し、コア基板 3の両主面側に設けられる導電層同士を電気的に接続するコア貫通導体をコア基板 3に形成してもよい。

また、前述の各実施形態では、多層配線基板 2がコア基板 3を有している力コア基板 3が存在しな、コアレスの多層配線基板 2を形成しても良、。

さらに、前述の各実施形態では、榭脂フィルム 1を多層配線基板に適用した例について説明したが、多層ではない単層の配線基板に適用しても構わない。また、榭脂フイルム 1をシート状の接着剤層 5に突出部 10を埋入させるように接着し、榭脂フィルム 1と接着剤層 5とで接着シートを構成しても構わない。

本発明は、その精神または主要な特徴力逸脱することなぐ他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。

Claims

請求の範囲

[I] 榭脂フィルムであって、

フイラと、榭脂材料とを含んで構成され、先端部にフイラを含んだ複数の突出部を表面に有する榭脂フィルム。

[2] 複数の前記突出部は、その突出方向の寸法が互いに異なる請求項 1に記載の榭脂フィルム。

[3] 前記フイラは、シリカから成る粒子を含む請求項 1に記載の榭脂フィルム。

[4] 前記突出部は、その突出方向と直交する方向の幅が最大となる領域が前記先端部に位置して、る請求項 1に記載の榭脂フィルム。

[5] 前記突出部を構成する前記フイラおよび前記榭脂材料を含んで構成されたシート部を更に備え、前記突出部は、前記シート部の少なくとも一方主面に設けられる請求項 1に記載の榭脂フィルム。

[6] 前記突出部は、前記シート部の両主面にそれぞれ設けられる請求項 5に記載の榭脂フィルム。

[7] 前記突出部は、その先端部と前記シート部とを接続する柱状部を有し、前記先端部の幅が前記柱状部の幅よりも大きい請求項 5に記載の榭脂フィルム。

[8] 導電層と、請求項 1に記載の榭脂フィルムにより構成され、前記突出部が前記導電層に埋入された絶縁層と、を備えた配線基板。

[9] 導電層と、該導電層上に配置される接着剤層と、請求項 1に記載の榭脂フィルムにより構成され、前記接着剤層上に配置される絶縁層と、

を含む配線基板。

[10] 前記絶縁層の前記突出部は前記接着剤層中に埋入される請求項 9に記載の配線基板。

[II] 前記導電層に電気的に接続される電極パッドを更に備え、該電極パッドの直下に、前記突出部が位置している請求項 8に記載の配線基板。

[12] 請求項 1に記載の榭脂フィルムにより構成される絶縁層と、該絶縁層の両主面側に配置される一対の導電層と、該導電層同士を電気的に接続し、前記絶縁層に設けられる貫通孔内に配置される貫通導体と、を備え、前記絶縁層の前記突出部は、前記貫通孔の内面に更に設けられ、該貫通孔内の前記突出部は前記貫通導体内に埋入されている配線基板。

[13] 前記絶縁層、前記導体層および前記接着剤層を支持する基体を更に備え、

前記絶縁層は、その突出部を前記接着剤層中に埋入させた状態で該接着剤層を介して前記基体に貼着される請求項 9に記載の配線基板。

[14] 請求項 11に記載の配線基板と、該配線基板の前記電極パッドに電気的に接続され、前記配線基板上に搭載される電子素子と、を備えた電子装置。

[15] 前記電子素子が有する端子と前記電極パッドとが導電性接合材を介して接合される請求項 14に記載の電子装置。

[16] 請求項 1に記載の榭脂フィルムと、該榭脂フィルムの前記突出部の形成面に形成され、前記突出部が埋入される接着剤層と、を備えた接着シート。