JP3061613B2

JP3061613B2 - 電子部品実装用フィルムキャリアテ―プおよびその製造方法

Info

Publication number: JP3061613B2
Application number: JP11056839A
Authority: JP
Inventors: 辺浩介渡; 村裕和河; 澤行弘小
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 1998-05-11
Filing date: 1999-03-04
Publication date: 2000-07-10
Anticipated expiration: 2019-03-04
Also published as: TW486766B; JP2000036521A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ）およびこのテープを製
造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、スズメ
ッキを行う際に、メッキ液によって銅箔が浸食されるこ
とがないフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape Automa
tedBonding)テープ）およびこのテープを製造する方法
に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。

【０００３】このような電子機器の小型化に伴いＴＡＢ
テープが使用されている。このＴＡＢテープは次のよう
にして製造されている。例えば、ポリイミドフィルムな
どの基材フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔表面にフォ
トレジストを塗布して、このフォトレジストの形成しよ
うとする配線パターン以外の部分を露光して露光された
フォトレジストを除去する。次いで、フォトレジストが
除去された部分の銅箔をエッチングにより除去し、さら
にフォトレジストを除去することにより配線パターンが
形成される。こうして配線パターンが形成されたＴＡＢ
テープに、インナーリードやハンダボール端子などの接
続部分を除いて回路の保護層となるソルダーレジストを
塗布する。このようにしてソルダーレジストを塗布した
後、露出する部分である接続部分にスズメッキ層を形成
する。

【０００４】しかしながら、このようにしてソルダーレ
ジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズメッキを行うと
ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソル
ダーレジストの下面にメッキ液が浸入し、局部電池を形
成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図２に示す
ように、基材１０上に接着剤層１２を介して銅箔３０を
貼着して常法に従って配線パターン３０を形成した後、
ソルダーレジスト２０を塗布し、乾燥硬化させ、これに
スズメッキ層３１を形成するする際にメッキ液がソルダ
ーレジスト２０の端部２１からソルダーレジスト２０の
下面に浸入しこの部分で局部電池が形成され、この部分
の銅箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図２
にはこのえぐれた部分（えぐれ部）は、３５で示されて
いる。こうしてえぐれ部３５が形成されたＴＡＢテープ
に曲げ応力がかかると、えぐれ部３５に応力が集中し
て、最悪の場合、リード破断に至る。

【０００５】このようなソルダーレジスト３０の端部か
らの液の浸入を防止することに関して、特開平６-３４
２９６９号公報には、「樹脂を基材とするフィルム上に
導電パターンを形成したフレキシブル回路基板におい
て、回路保護の目的で塗布されるソルダーレジストをパ
ターンにメッキした後に塗布した事を特徴とするフレキ
シブル回路基板、および、その製造方法。」が開示され
ている。

【０００６】上記公報に記載の発明によれば、ソルダー
レジストをメッキ後に塗布し、加熱硬化させているの
で、メッキ液がソルダーレジストの下面に浸入するとい
ったことは生じ得ず、また、ソルダーレジストの硬化の
際の加熱によって、スズメッキ層も加熱処理されること
から、ウィスカーの発生を防止するための加熱工程を改
めて行う必要がなくなると記載されている。

【０００７】ところが、実際の工程上では、メッキ工程
とソルダーレジストの加熱硬化工程とを連続して実施す
ることは困難であり、メッキ工程を経て得られたテープ
には、相当の時間を経た後、ソルダーレジストを塗布さ
れ、さらにソルダーレジストが加熱硬化される。ウィス
カーの成長を抑制するためには、メッキした直後にこの
メッキ層を加熱処理することが必要であり、時間の経過
と共にウィスカーが成長する。また、ソルダーレジスト
の加熱硬化の際の温度条件とウィスカーの成長を抑制す
る温度条件とは必ずしも一致するものではなく、いずれ
か一方の条件に合わせて加熱を行うと、他方の作用効果
が充分に得られないという問題がある。さらに、このよ
うな加熱処理によるウィスカーの成長の制御は、短期間
であれば有用性が高いが、長期間（例えば２〜３ヶ月）
にわたる場合には、そのウィスカー防止効果が減失す
る。

【０００８】ところで、ウィスカーの成長を抑制する方
法として、上記のように、スズメッキを行った後、スズ
メッキ層を加熱（アニール処理）してスズメッキ層中に
銅を拡散する方法は既に知られている。この方法によれ
ば、短期間であればウィスカーの発生をある程度防止す
ることができるが、この方法では、長期間（例えば２〜
３ヶ月）にわたって完全にウィスカーの成長を防止する
ことはできないという問題がある。

【０００９】こうしたウィスカーの成長を制御する方法
として、特開平５-３３１８７号公報には、「銅又は銅
合金の微細パターン上にスズメッキを施すに際し、まず
厚さ０.１５μｍ以上のスズメッキを施し、次いで加熱
処理して該純スズ層をすべて銅素地とのＣｕ−Ｓｎ拡散
層とし、その上にスズメッキを施し、純スズメッキ厚を
０.１５〜０.８μｍとすることを特徴とするスズメッキ
ホイスカーの抑制方法。」が開示されている。すなわ
ち、この公報に記載の発明は、スズメッキ層を形成し、
このスズメッキ層を加熱処理してこのスズメッキ層に銅
を拡散させた後、再度メッキ（フラッシュメッキ）し
て、銅が拡散されたスズメッキ層表面に純スズメッキ層
を形成してウィスカーの形成を防止するものである。

【００１０】しかしながら、この公報では、配線パター
ン上にソルダーレジストを塗布して硬化させた後にスズ
メッキを行い、さらに加熱処理してこのスズメッキ層に
銅を拡散させた後、この銅が拡散されたスズメッキ層の
表面に再度スズメッキ層を形成している。従って、この
公報に記載の発明では、ウィスカーの形成は制御される
が、ソルダーレジストを塗布して硬化させた後メッキし
ていることから、従来のメッキと同様にソルダーレジス
トの下面にメッキ液が浸入してえぐれ部３５が形成され
るという問題は依然として存在する。

【００１１】

【発明の目的】本発明は、無電解メッキによっても配線
パターンにえぐれ部が形成されることがなく、しかも長
期間にわたってウィスカーの成長を抑制することができ
るキャリアテープおよびこれを製造する方法を提供する
ことを目的としている。

【００１２】

【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔をエ
ッチングして所望の配線パターンが形成された電子部品
実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターン
全体にスズメッキすることにより銅が拡散したスズメッ
キ層(a)が形成されており、該配線パターンの端子部分
を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる
保護層が形成されていると共に、該端子部分には銅が拡
散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を含有しな
いスズメッキ層(b)が形成されていることを特徴として
いる。

【００１３】上記本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成し、配線パタ
ーン全体にスズメッキを施し、その後に加熱することに
より銅が拡散するスズメッキ層(a)を形成し、次いで、
該配線パターンの端子部分を除く所定の部分にソルダー
レジストを塗布して加熱硬化させ、該ソルダーレジスト
が硬化した後、配線パターンの端子部分に再びスズメッ
キを行って実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)を
形成することにより製造することができる。

【００１４】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、ソルダーレジストが塗布される銅箔からなる
配線パターンの表面にスズメッキ層(a)が形成されてお
り、このスズメッキ層(a)は、加熱により、配線パター
ンからの銅が拡散し、スズ−銅拡散層となる。このよう
にしてスズメッキ層(a)を形成した後、このスズメッキ
層(a)の表面に電極の接合部を除いて所望の位置にソル
ダーレジストを塗布し、このソルダーレジストを乾燥硬
化させる。こうしてソルダーレジストを硬化させた後、
再びスズメッキにより、スズメッキ層(a)の表面に実質
的に銅を含有しないスズメッキ層(b)を形成する。

【００１５】このようにして形成されるキャリアテープ
は、１回目のスズメッキをする際には、ソルダーレジス
トは存在していないので、局部電池の形成によって銅に
えぐれ部が形成されることがなく、また、２回目のスズ
メッキの際には、ソルダーレジストの下面にメッキ液が
浸入したとしても、銅の表面はスズ−銅拡散層が形成さ
れ、銅箔がメッキ液と接触することはないので、銅を電
極とする局部電池が形成されることはなく、従って、図
２に示すようなえぐれ部３５が形成されることがない。

【００１６】さらに、１回目のスズメッキを行った後、
ソルダーレジストの硬化物からなる保護層を形成し、次
いで、２回目のスズメッキを行うことにより、ウィスカ
ーの成長を抑えウィスカーによる短絡を防止できる。

【００１７】図２に示すようなえぐれ部３５が形成され
るメカニズムについてその全容が解明されているわけで
はないが、本発明者は以下に記載するような局部電池の
形成によってこのえぐれ部３５が形成されると考えてい
る。図３は、局部電池の形成によりえぐれ部３５が生ず
るメカニズムを模式的に示す図である。

【００１８】まず、メッキ液がソルダーレジスト端部か
らソルダーレジストの下面に浸入し始めると、ソルダー
レジストに残留する収縮力（内部応力）によって、レジ
ストが浮き上がり、メッキ液の液だまりが形成される。

【００１９】このメッキ液には、スズが、ホウフッ化ス
ズなどの形態で含有されており、このスズと銅金属との
間で電気化学的な置換反応が進行し始め、置換した銅イ
オンが液だまりに滞留する。

【００２０】この滞留した陽性の銅イオンを電気的に中
和するためにメッキ層中の陰イオン（例えばホウフッ化
イオン）が移動する。

【００２１】ソルダーレジスト端部では陰イオンの移動
により陽性のスズイオンが残り、銅イオンが溶出部から
電子を受け取って金属スズが析出する。

【００２２】銅イオンの溶出、陰イオンの移動、電子の
移動、スズの析出が連鎖的に起こることにより、銅溶出
部を陽極とし、スズ析出部を陰極とする局部電池が形成
される。

【００２３】上記のようなメカニズムによりソルダーレ
ジストの下面の銅箔からなる配線パターンが部分的に溶
出してえぐれ部を形成するものと考えられる。

【００２４】

【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープについて図面を参照しながらその
製造方法に沿って具体的に説明する。なお、以下に示す
図面において共通の部材には共通の付番を付してある。

【００２５】図１は、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの断面を模式的に示す断面図である。

【００２６】本発明び電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１には、絶縁フィルム１０と、この表面に、例え
ば接着剤層１２により貼着された電解銅箔からなる配線
パターン３０がこの順序で積層されてなる。そして、こ
の配線パターン３０は、その表面を保護するようにソル
ダーレジスト２０からなる層（硬化物）が塗設されてい
る。

【００２７】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープを構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィ
ルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッチ
ングする際に酸などと接触することからこうした薬品に
侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加
熱によっても変質しないような耐熱性を有している。こ
のような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。

【００２８】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。

【００２９】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール、スプロケットホール、アウターリードの切断
穴などがパンチングにより形成されている。

【００３０】配線パターン３０は、上記のような所定の
穴が形成された絶縁フィルム１０に、絶縁性の接着剤を
塗布して接着剤層１２を形成し、この接着剤層１２で銅
箔を接着し、この銅箔をエッチングすることにより形成
される。ここで銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔のい
ずれをも使用することができるが、昨今のファインピッ
チ化に対応可能な電解銅箔を使用することが好ましい。

【００３１】また、上記のような絶縁フィルムに銅箔を
貼着する際には、接着剤を用いることなく貼着すること
もできるが、通常は、接着剤を使用する。ここで使用さ
れる接着剤には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等
の特性が必要になる。このような特性を有する接着剤の
例としては、エポキシ系接着剤およびフェノール系接着
剤を挙げることができる。このような接着剤は、ウレタ
ン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂など
で変性されていてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム
変性されていてもよい。このような接着剤は加熱硬化性
である。このような接着剤層の厚さは、通常は８〜２３
μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。このよ
うな接着剤からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０
の表面に塗布して設けても良いし、また電解銅箔の表面
に塗布して設けても良い。ここで使用される電解銅箔と
してはＴＡＢテープに製造に通常使用されている厚さの
銅箔を使用することができるが、ファインピッチのＴＡ
Ｂテープを製造するためには、銅箔として通常は６〜２
５μmの範囲内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内にあ
る銅箔を使用することが望ましい。このような薄い電解
銅箔を使用することにより、狭ピッチ幅のインナーリー
ドを形成することが容易になる。

【００３２】このように絶縁フィルムの表面に銅箔を貼
着した後、この銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付け硬
化させ、硬化していない部分のフォトレジストを除去す
る。また逆に、露光することにより、特定媒体に溶解可
能となるフォトレジストを使用することもできる。

【００３３】こうして硬化したフォトレジストによって
所望の配線パターンが形成された絶縁フィルムと銅箔と
の積層体をエッチングして、硬化したフォトレジストの
存在しない部分の銅箔を溶解除去して絶縁フィルムの表
面に銅箔の配線パターンを形成する。

【００３４】こうしてエッチングにより配線パターンを
形成した後、硬化したフォトレジストを、例えばアルカ
リ溶液などで除去する。

【００３５】本発明では上記のようにして配線パターン
を形成した後、この配線パターンの形成された絶縁フィ
ルムをメッキ槽に移して、配線パターンの表面にスズメ
ッキ層(a)３１を形成する。本発明において、スズメッ
キ層は、無電解スズメッキや電気スズメッキ等の方法に
よって形成される。こうして形成された当初のスズメッ
キ層(a)３１は、通常は実質的にスズから形成されてい
るが、このスズメッキ層(a)３１の特性を損なわない範
囲内で他の金属が含有されていても良い。

【００３６】スズメッキ層(a)３１の厚さは、０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上であれば、ソルダー
レジストを塗布した後のメッキ工程において、仮にソル
ダーレジストの下面からメッキ液が浸入した場合であっ
ても、銅箔からなる配線パターンに局部電池が形成され
ることがなく、銅箔からなる配線パターンを有効に保護
することができる。

【００３７】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターン面を除き、配線パターンの全
面に形成される。

【００３８】スズメッキ層(a)３１の厚さが０.５μｍよ
り厚いとスズメッキ層(b)３３と合計した厚さが０.６μ
ｍを超える厚いスズメッキ層では、インナーリードとチ
ップとを接続する際にメッキダレを生じ短絡させること
がある。このことから、スズメッキ層(a)３１の厚さ
は、通常は０.０１μｍ以上、好ましくは０.１μｍ以
上、特に好ましくは０.３〜０.５μｍの範囲内にある。

【００３９】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターンを除き配線パターンの全面に
形成される。

【００４０】このようにして形成されたスズメッキ層
(a)３１に銅を拡散させることにより、ウィスカーの形
成を防止できる。スズメッキ層(a)３１に銅を拡散させ
る方法としては、このスズメッキ(a)３１を配線パター
ンと共に加熱する方法を挙げることができる。この際、
加熱温度は、通常は７０〜２００℃、好ましくは１００
〜１５０℃であり、加熱時間はスズメッキの厚さにもよ
るが、通常は３０秒〜１２０分、好ましくは３０分〜６
０分である。このように加熱することにより、形成当初
はスズからなり実質的に他の金属を含有していなかった
スズメッキ層(a)３１に銅が拡散して、この層(a)が、ス
ズ−銅拡散層となる。

【００４１】なお、このスズ−銅拡散層を形成するため
の加熱は、必ずしもここで行うことは必要ではなく、次
のソルダーレジストを塗布した後、ソルダーレジスト２
０の硬化のための加熱までの時間が短い場合には、ソル
ダーレジスト２０を硬化させる際に加熱してもよい。こ
の場合におけるスズメッキ層(a)３１は、銅が拡散し得
るスズメッキ層(a)３１である。

【００４２】このように銅が拡散したスズメッキ層(a)
３１あるいは銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１の上
にソルダーレジスト２０を塗布する。このソルダーレジ
スト２０としては、高い耐熱性を有する熱硬化性樹脂を
使用することが好ましく、通常はエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂が使用さ
れるが、紫外線感光型のソルダーレジストを使用するこ
ともできる。このようなソルダーレジストは、上記形成
した銅が拡散した（あるいは拡散し得る）スズメッキ層
(a)３１および絶縁フィルム１０に対して良好な接着性
を示す。このようなソルダーレジストは、例えばスクリ
ーン印刷技術を利用して、スズメッキ層(a)の表面に塗
布される。ただし、配線パターン３０の電気的接合部お
よびその近傍は、このようなソルダーレジスト２０は塗
布されない。このソルダーレジスト２０の塗布厚さは、
通常は５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍの範
囲内にある。このような厚さにソルダーレジストを塗布
することにより、物理的に配線パターンを保護すると共
に、配線パターン間の電気的な絶縁性をより確実なもの
とすることができる。

【００４３】こうしてソルダーレジストを塗布した後、
加熱硬化性樹脂の場合、このソルダーレジストを加熱し
て硬化させる。このソルダーレジストの硬化のための加
熱温度は、用いるソルダーレジストの種類によっても異
なるが、通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜
１６０℃であり、また、加熱時間は通常は４０分〜１８
０分、好ましくは６０分〜１２０分である。また、ソル
ダーレジスト中のボイド防止等のために、加熱温度を段
階的に上昇させる加熱工程（ステップキュア）によって
加熱してもよい。また、こうした乾燥の際には、真空乾
燥法、赤外線乾燥法等を採用することができる。上記の
ように乾燥の際の加熱により、ソルダーレジスト２０が
充分に硬化すると同時に、スズメッキ層(a)３１もまた
加熱され、銅の拡散がさらに進行する。

【００４４】そして、上記ソルダーレジストを塗布する
前に加熱処理を行わなかった場合には、このソルダーレ
ジストを硬化させる際の加熱条件を、ソルダーレジスト
を硬化させるのに好適な条件にしてソルダーレジストを
硬化させた後、さらに、銅の拡散を促進させるための加
熱処理も連続して行うこともできる。

【００４５】上記のようにしてソルダーレジスト２０を
塗布して硬化させた後、本発明ではソルダーレジスト２
０が塗布されていない部分の配線パターン表面に再びス
ズメッキを施す。

【００４６】このスズメッキ層(b)３３は実質的にスズ
以外の金属成分を含有しておらず、この点において上記
のスズメッキ層(a)３１とは異なる。

【００４７】こうして形成されるスズメッキ層(b)３３
の厚さは、通常は０.１〜０.５μｍ、好ましくは０.１
〜０.３μｍの範囲内にある。無電解メッキ法によりこ
うした薄層のスズメッキ層(b)３３を形成することを本
発明では特にフラッシュメッキと記載することがある。
このスズメッキ層(b)３３の厚さを上記範囲内にするこ
とにより、確実なボンディングが可能となると共に、メ
ッキダレを生ずることがなく、短絡が生じにくい。

【００４８】なお、ソルダーレジストが、紫外線感光型
のフォトソルダーレジストである場合には、スクリーン
印刷技術を利用してスズメッキ層(a)の表面にソルダー
レジストを塗布した後、仮乾燥を行い、被覆する部分と
メッキする部分のパターンに露光して現像を行い、さら
にスズメッキ層(a)とフォトソルダーレジストとの密着
性を向上させるために加熱する。この際、加熱温度は、
通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１６０℃
であり、加熱時間は通常４０分〜１２０分、好ましくは
６０〜９０分である。

【００４９】スズメッキ層(b)３３は、上記銅が拡散し
たスズメッキ層(a)の表面であって、ソルダーレジスト
２０によって被覆されていない表面に形成される。すな
わち、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ
における配線パターンのソルダーレジストが塗布されて
いない部分、殊にリード部分には、銅箔からなる配線パ
ターン３０の表面に、銅が拡散したスズメッキ層(a)３
１が形成され、さらにこの銅が拡散したスズメッキ層
(a)３１の表面には、実質的に銅を含有しないスズメッ
キ層(b)３３が形成されている。

【００５０】上記銅からなる配線パターンの一表面に形
成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さ[(a)+(b)]
は、通常は、０.０２〜０.６μｍの範囲、好ましくは
０.２〜０.６μｍの範囲内、特に好ましくは０.４〜０.
５μｍの範囲内にある。

【００５１】上記のようにフラッシュメッキにより薄層
のスズメッキ層(b)３３を形成することにより、配線パ
ターンからのウィスカーの成長をほぼ完全に防止するこ
とができる。また、このスズメッキ層(b)３３は、実質
的にスズからなり、例えば金バンプ電極を有するデバイ
スを実装する際には、このスズと金とが共晶化合物を形
成してバンプ電極と配線パターン３０（リード）とが、
強固に、かつ確実に接合される。

【００５２】しかも、このフラッシュメッキによりスズ
メッキ層(b)を形成する際に、ソルダーレジストは、銅
が拡散したスズメッキ層(a)と強固に接合しており、ス
ズメッキ層(a)３１とソルダーレジスト２０とが強固に
接着しているので、ソルダーレジスト２０の下面と、ス
ズメッキ層(a)の上面との間にメッキ液等が浸入するこ
とがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入し
たとしても、配線パターン３０の表面は、スズメッキ層
(a)３１で被覆されており銅は露出していないので、浸
入したメッキ液による局部電池が形成されることはな
く、従って、本発明によれば、従来のＴＡＢテープにお
けるスズメッキの際のえぐれ部（孔蝕）３５などが生ず
ることがなく、リード破断などが生じにくい。

【００５３】また、このようにフラッシュメッキによっ
てスズメッキ層(b)３３を形成することにより、スズの
ウィスカーの生成をほぼ恒久的に防止することが可能に
なる。

【００５４】なお、このスズメッキ層(b)３３には、ス
ズメッキ層(a)３１とは異なり、加熱処理する必要はな
い。また、配線パターンの上には、スズメッキ層(a)３
１が形成され、このスズメッキ層(a)３１には銅が拡散
しているので、短期間であれば、このスズメッキ層(a)
３１によりウィスカーの成長は制御され、その後のソル
ダーレジストの塗布およびフラッシュメッキによるスズ
メッキ層(b)３３の形成までにある程度の時間があって
もＴＡＢテープの性能が低下することがない。従って、
本発明によれば、製造工程の管理が容易になる。

【００５５】こうして形成された銅が拡散したスズメッ
キ層(a)と実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)とか
らなる本発明におけるメッキ層と、従来のスズメッキ層
とは、Ｘ線回折法、ＡＥＳ分析法等を利用することによ
り区別することができる。例えば、Ｘ線回折により、層
中におけるＣｕ₃ＳｎとＣｕ₆Ｓｎ₅とのＸ線回折強度を
測定すると、本発明のメッキ層では通常は１：０.３〜
０.５であるのに対して、従来のメッキ層では１：１〜
１.５の範囲内にある。また、ＡＥＳ分析によれば、本
発明におけるメッキ層の表面近傍では、純スズ層である
のに対して、従来のメッキ層では、銅が表面付近まで拡
散していることが確認することができる。

【００５６】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、好適には上記の方法により形成されるもので
あり、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔をエッチ
ングして所望の配線パターンが形成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープであり、この配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散したスズ
メッキ層(a)が形成されており、この配線パターンの端
子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体か
らなる保護層が形成されていると共に、この端子部分に
は銅が拡散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)が形成されているが、さら
に、その特性を損なわない範囲内で種々改変することが
できる。

【００５７】例えば、銅箔としては、銅箔だけでなく、
銅合金箔を用いることができるし、また、スズメッキ
は、純スズメッキであることが好ましいが、これらのス
ズメッキ層には、その特性を損なわない範囲内で他の金
属が含有されていてもよい。

【００５８】

【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープによれば、配線パターンからのウィスカーの成
長をほぼ完全に防止することができると共に、バンプ電
極と配線パターンとが、強固に、かつ確実に接合され
る。さらに、本発明によれば、ソルダーレジストの下面
と、スズメッキ層(a)のとの間にメッキ液等が浸入する
ことがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入
したとしても、配線パターンの表面は、スズメッキ層
(a)で被覆されており銅は露出していないので、従来の
ＴＡＢテープにおけるスズメッキの際のえぐれ部（孔
蝕）３５などが生ずることがなく、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープリードは破断などが生じに
くい。

【００５９】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープでは、ウィスカーが成長しにくい。

【００６０】そして、本発明の製造方法によれば、製造
中にウィスカーが成長することがないので、製造工程の
管理が容易になる。

【００６１】

【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定される
ものではない

【００６２】

【実施例１】ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅
箔からなる配線パターンを形成した。このキャリアテー
プの配線パターンの全面に厚さ０.４μｍのスズメッキ
層を形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次い
で、この配線パターンのリード部分を残してソルダーレ
ジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒
間露光し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加
熱してソルダーレジストを完全に硬化させた。

【００６３】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.２μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキし、１２０℃で６０分間加熱処理した。

【００６４】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキの潜り込み現象も見られなかっ
た。

【００６５】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は見られなかった。

【００６６】

【実施例２】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンの全面に厚さ０.４μｍのスズメッ
キ層を形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次い
で、この配線パターンのリード部分を残してソルダーレ
ジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒
間露光し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加
熱してソルダーレジストを完全に硬化させた。

【００６７】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.２μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキ層を形成した。

【００６８】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキの潜り込み現象も見られなかっ
た。

【００６９】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。

【００７０】

【実施例３】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンに厚さ０.２μｍのスズメッキ層を
形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次いで、こ
の配線パターンのリード部分を残してソルダーレジスト
を塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒間露光
し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加熱して
ソルダーレジストを完全に硬化させた。

【００７１】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.４μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキした後、１２５℃で６０秒間加熱処理した。

【００７２】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。

【００７３】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。

【００７４】

【実施例４】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンに厚さ０.２μｍのスズメッキ層を
形成した。次いで、この配線パターンのリード部分を残
してソルダーレジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱
し、さらに８秒間露光し、４０秒間現像した後、１５０
℃で６０分間加熱してソルダーレジストを完全に硬化さ
せた。

【００７５】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.４μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキした後、１２５℃で６０秒間加熱処理した。

【００７６】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。

【００７７】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。

【００７８】

【実施例５〜１０】実施例１と同様にして形成したキャ
リアテープの配線パターンに下記表１に記載の条件で表
１記載の厚さのスズメッキ層(a)を形成し、１２５℃で
６０分間加熱処理した。次いで、実施例１と同様にし
て、配線パターンのリード部分を残してソルダーレジス
トを塗布し硬化させた。

【００７９】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、露出しているリード部分にスズメッキ層(b)を形成
した。こうしてスズメッキ層(b)を形成した後、ケイ光
Ｘ線を用いて、スズメッキ層(a)とスズメッキ層(b)との
合計の厚さを測定し、結果を表１に示す。

【００８０】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したがウィスカーの成
長は見られなかった。また、リード部分にえぐれ部は形
成されていなかった。さらに、ソルダーレジストの下面
へのメッキの潜り込み現象も見られなかった。

【００８１】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにおけるリード部分の断面の例を示す断面図
である。

【図２】図２は、従来のＴＡＢテープにおける電子部品
実装用電子部品実装用フィルムキャリアテープにおける
リード部分の断面の例を示す断面図である。

【図３】図３は、えぐれ部が形成されるメカニズムを説
明するための図である。

【符号の説明】

１０・・・絶縁フィルム１２・・・接着剤層２０・・・ソルダーレジスト３０・・・配線パターン（銅箔）３１・・・銅が拡散したスズメッキ層(a) ３３・・・実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 311

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンが形成された電子部
品実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パター
ンのほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散した
スズメッキ層(a)が形成されており、該配線パターンの
端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体
からなる保護層が形成されていると共に、該端子部分に
は銅が拡散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)が形成されていることを特
徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項２】上記銅が拡散したスズメッキ層(a)の平
均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にあることを特
徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ。
【請求項３】上記銅が拡散したスズメッキ層(a)の平
均厚さが、０.１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴
とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ。
【請求項４】上記実質的に銅を含有しないスズメッキ
層(b)平均厚さが、０.１〜０.５μｍの範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープ。
【請求項５】上記銅からなる配線パターンの一表面に
形成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅
を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.０
２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第１項または第２項記載の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ。
【請求項６】上記銅からなる配線パターンの一表面に
形成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅
を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.２
〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第
１項または第３項記載の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ。
【請求項７】絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成し、配線パタ
ーン全体に銅が拡散するスズメッキ層(a)を形成した
後、次いで、該配線パターンの端子部分を除く所定の部
分にソルダーレジストを塗布して硬化させ、該ソルダー
レジストが硬化した後、配線パターンの端子部分に再び
スズメッキを行って実質的に銅を含有しないスズメッキ
層(b)を形成することを特徴とする電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープの製造方法。
【請求項８】上記配線パターン全体に銅が拡散するス
ズメッキ層(a)を、無電解スズメッキにより形成した
後、ソルダーレジストを塗布する前に、８０〜１５０℃
に配線パターンを加熱することを特徴とする請求項第７
項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造
方法。
【請求項９】上記スズメッキ層(a)の平均厚さが０.０
１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。
【請求項１０】上記スズメッキ層(a)の平均厚さが０.
１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。
【請求項１１】上記実質的に銅を含有しないスズメッ
キ層(b)の平均厚さが、０．１〜０．５μｍの範囲内に
あることを特徴とする請求項第７項記載の電子部品実装
用フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１２】上記銅からなる配線パターンの一表面
に形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と実質的に
銅を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.
０２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求
項第７項または第９項に記載の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法。
【請求項１３】上記銅からなる配線パターンの一表面
に形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と実質的に
銅を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.
２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項または第１０項に記載の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法。