WO2007048393A2 - Halbleiterbauelement mit ladungskompensationsstruktur und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents

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Frank Pfirsch
Hans-Joachim Schulze
Helmut Strack
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    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

Definitions

  • the invention relates to a semiconductor device with charge compensation structure and method for producing the same.
  • the semiconductor component has a drift path between two electrodes in a semiconductor body.
  • the drift path has drift zones of a first conductivity type, which provide a current path between the electrodes in the drift path.
  • the drift path has charge compensation zones of a complementary conductivity type, which narrow the current path of the drift path.
  • Such a semiconductor device with charge compensation structure and associated manufacturing method is known from DE 101-32-136-Cl.
  • the charge-current configuration of this semiconductor device has in cross-section a plurality of stacked, complementary conductive regions which, by alternating successive epitaxial steps with selective ion implantation, comprise a stacked plurality of confined dopant sources for the dopant complementary conductivity type result. Vertical and lateral diffusion of the sources form contiguous charge compensation zones of the complementary conductivity type in the drift path of the semiconductor device.
  • Such a charge compensation structure has the disadvantage that the impurity sources are to be applied in a planar manner by corresponding ion implantation masks, and thus not arbitrarily in terms of manufacturing technology in terms of their lateral extent can be downsized. In addition, this lateral extent is increased after the selective ion implantation by the subsequent diffusion. The semiconductor body material required for such a charge compensation structure is no longer available for the current path of the drift path.
  • the lateral boundaries of the cross section of the known charge compensation structure due to the photolithographic implantation masks, require minimum sizes in the micrometer range and tolerances significantly in the sub-micron range.
  • a further disadvantage is that a multiplicity of epitaxy steps, alignment steps, photolithographic masking steps and ion implantation steps, and finally at least one diffusion step are required for producing such charge compensation zones, which leads to a cost-intensive production method for such semiconductor components.
  • a high-voltage-resistant vertically conductive semiconductor component which has a plurality of deep trenches or holes in a lightly doped drift path.
  • the trench structures are also filled by a semiconductive polysilicon body, but the complementarily conductive wall doping is no longer arranged in the bottom region of the trench structure, so that the polycrystalline, semiconducting silicon in the bottom region is in contact with the material of the drift path.
  • the polycrystalline silicon provides a high-impedance current path between the two electrodes, with which the influence of the field distribution in the
  • US Pat. No. 6,495,294 B1 discloses a method for producing a semiconductor substrate which has an epitaxial film in a trench structure.
  • a first epitaxial layer of a first conductivity type is applied to a monocrystalline semiconductor wafer and a trench structure is etched into the epitaxial layer.
  • the trench structure is then filled with semiconducting monocrystalline material of a conductivity type complementary to the first conductivity type to form charge compensation zones.
  • an amorphous non-crystalline complementary doped layer is deposited in the trench structure. the, which is then annealed to a monocrystalline complementarily doped seed layer.
  • a complementarily doped monocrystalline filling of the trench structure is grown on the monocrystalline seed layer.
  • a compensation zone of precisely defined width is available, which occupies a considerable portion of a drift path of a semiconductor component and thus disadvantageously restricts and reduces the epitaxial material of the first conduction type for the formation of current paths in drift zones.
  • a semiconductor component with charge compensation structure and a method for its production wherein the semiconductor component has a drift path between two electrodes in a semiconductor body.
  • the drift path includes drift zones of a first conductivity type that provide a current path between the electrodes in the drift path.
  • the charge compensation zones have a complementary conductivity type and narrow the current path of the drift path.
  • a first type of drift zone has a monocrystalline semiconductor material grown on a monocrystalline substrate.
  • a second type of drift zone comprises a monocrystalline semiconductor material in a trench structure having complementary doped walls, the complementarily doped walls forming the charge compensation zones.
  • This semiconductor device has the advantage that the current path within the drift path between the electrodes is significantly increased, since the volume of the trench structure, which is filled with monocrystalline semiconductor material, now also contributes to the current conduction between the electrodes through the second drift zone type. This is advantageously the
  • On-resistance of the semiconductor device reduces without the barrier properties of the semiconductor device with charge compensation structure are " impaired " .
  • Ratio v between the width b ⁇ of the charge compensation zones transverse to the current path and the width b D of the drift zones transverse to the current path b ⁇ / b D v ⁇ 0.1.
  • charge compensation zones thus only require widths of ⁇ 1 ⁇ m.
  • the width of the charge compensation zones in the walls of the trench structure is set to less than 500 nanometers.
  • the width of the charge compensation zones can be defined by the penetration depth of a dopant of the complementary conductivity type into the drift zone material of the first drift zone type.
  • the penetration depth in wall regions of epitaxial with monocrystalline semiconductor material defined trench structures filled up with the first conductivity type. These monocrystalline filled trench structures extend in the current path direction.
  • the penetration depth can be achieved by a diffusion source, which occupies the walls of the trench structure and is introduced by a diffusion process up to the defined penetration depth.
  • the width of the charge compensation zones is defined by an epitaxial growth thickness of a monocrystalline semiconductor material layer of the complementary conductivity type.
  • the monocrystalline semiconductor material layer is grown on wall regions of the trench structure and extends in the current path direction.
  • an epitaxially grown monokri--crystalline semiconductor material layer an abrupt pn over-'s transition defined in the wall areas of grave structure, but benstrüktur by a subsequent epitaxial filling of graphite "with" mö ⁇ ökriställinem "half 'lertermaterial protrude due to diffusion processes on the original growth thickness can.
  • An advantage of such a charge compensation zone is that it can be adjusted relatively accurately by the growth thickness, with the impurity concentration and the width of the growth thickness being adapted to the requirements of emptying the charge carriers of the adjacent drift zones of the first and second drift zone types in the blocking operation of the semiconductor device.
  • This has the advantage that the impurity concentration and thus the conductivity of the drift zones of the first and second conductivity type can be significantly increased in accordance with the doping and width of the charge compensation zones, whereby the on-resistance of such semiconductor components is reduced.
  • the charge compensation zones and the drift zones of the drift path between the electrodes are preferably arranged next to one another in strips.
  • This advantageous embodiment of the invention makes it possible for the second drift zone type to be filled with monocrystalline semiconductor material to ensure a straight-line current path between the two electrodes.
  • the strip-shaped geometry of the walls of this trench structure advantageously results in elongate charge compensation zones in the walls of the walls
  • the semiconductor body has a highly doped substrate of the first or the complementary conductivity type, on which a weakly to medium-doped epitaxial layer of the first conductivity type with the drift path is arranged.
  • the conductivity type of the substrate depends on the type of semiconductor component to be produced.
  • the heavily doped substrate has the same conductivity type as the epitaxial layer, while for bipolar semiconductor devices, the heavily doped substrate forms a complementary conductivity type to the conductivity type of the epitaxial layer.
  • the charge compensation zones extend with respect to their depth from an upper side of the semiconductor body to an upper side of the substrate.
  • the charge compensation zones extend with respect to their depth from the upper side of the semiconductor body to an upper side of the base epitaxial layer.
  • the thickness of the base epitaxial layer is provided in such a way that the free charge carriers are completely or at least partially removed when a blocking voltage is applied by the forming pn junction.
  • the advantage of such a base epitaxial layer is that the transition from the highly doped substrate to the lightly doped pedestal epitaxial layer allows the high concentration of impurities on the substrate to be reduced to the low concentration of doping in the drift zones or pedestal epitaxial layer.
  • such a pedestal epitaxial layer has the advantage of increasing the avalanche strength.
  • the semiconductor component has a proton-implanted layer in the region of the drift path transverse to the current direction. This causes additional donor doping in the implanted areas.
  • This has the advantage that, with this proton-implanted layer, the dielectric strength of the pn junction is reduced locally and by the choice of the implantation parameters, so that a higher avalanche resistance can be achieved by this additional buried doping, which is achieved by an adequate proton implantation can be adjusted.
  • the proton implantation can be introduced here particularly advantageously only in the cell field of the drift path, if at the same time a corresponding one thick polyimide protects the edge area from such a proton implantation. This automatically gives the edge region a higher blocking capability than the drift path of the semiconductor component.
  • a linear accelerator is preferably used for generating n-doped regions in a semiconductor component, wherein in particular also a generation of n-doped regions in compensation structures of the semiconductor component is provided.
  • the first and / or the second drift zone type comprises a monocrystalline semiconductor material of the first power type with substitutionally and / or interstitially arranged impurity atoms, which reduces the diffusion coefficient of the complementary doped impurity cells.
  • the second drift zone type has an epitaxially grown monocrystalline semiconductor material of the first conductivity type in the trench structure provided with complementarily doped walls, wherein with the growth of the epitaxy a substitutionally and / or interstitially arranged carbon concentration [C] with [ C] ⁇ 1 x 10 20 cm "3 is incorporated into the epitaxial layer.
  • a carbon concentration which is introduced with the growth of the monocrystalline semiconductor material in the grave structure has the advantage that a diffusion of impurities of the complementary conduction type from the grave walls and in the second drift zone is hindered type, since the diffusion constant of the complementary impurities in the monocrystalline Halbleiterma- material structure is significantly reduced by such a carbon concentration.
  • this carbon concentration constitutes a diffusion barrier and significantly slows down the diffusion compensation zone propagating through this newly growing material when the trench structure is filled with monocrystalline, moderately doped semiconductor material. This is especially true when the complementary conductivity type is doped with substitution-part boron acceptors.
  • the carbon concentration in the growing single crystal semiconductor material reduces the out-diffusion of boron, which is a lateral boron diffusion from the grave walls out is reduced in the growing semiconducting silicon material by the carbon concentration, which as a result enables a reduction "of the" DufchlässwiderStands.
  • the same diffusion-inhibiting effect can be achieved instead of carbon even with a small proportion of germanium, since germanium also counteracts outdiffusion of boron in silicon.
  • germanium when using germanium to prevent lateral diffusion, it must be taken into account that the breakdown field strength of SiGe is likewise reduced given the same free path of the charge carriers because of the smaller band gap.
  • the second drift zone type comprises a monocrystalline semiconductor material of the first conductivity type in the complementarily doped one
  • the filling of the trench structure can be terminated prematurely, and the missing completion filling can be completed by an insulating material, wherein the risk of cavitation is less in suchcardiolar pasllept.
  • voids do not affect the electrical properties of the semiconductor device in the case of SiO 2 termination fillings.
  • the blocking capability of the semiconductor device remains guaranteed, despite voids in the material of the insulating end filling.
  • the complementarily doped walls of the trench structure to the filling-in monocrystalline semiconductor material of the second drift zone type and / or in the boundary to the first drift zone type contains a diffusion-inhibiting monocrystalline layer with Si x Ge y C z , where x> y and x> z, and preferably the layer of Sio, Geo 86, o7 Co, o7.
  • a monocrystalline layer of this composition deposited on the trench walls of the trench structure has the advantage that it significantly impedes outdiffusion of the complementary impurities.
  • germanium in the silicon lattice is larger and thus causes a local expansion of the lattice, while carbon is smaller compared to silicon and causes a local lattice compression, the overall result is a nearly balanced state, so that the monocrystalline growth with correspondingly low amounts of germanium and carbon, too - sometimes when they are in balance, relatively undisturbed.
  • these local lattices cause distortions that hinder the outdiffusion of other substitutional dopants. Consequently, this trench structure coating also ensures that the complementary dopant remains primarily in the trench walls and hardly contaminates or repopulates the monocrystalline semiconductor material of the second drift zone type.
  • germanium and carbon are preferably arranged substitutionally on silicon crystal lattice sites.
  • a relatively insurmountable diffusion barrier is cubic SiC. This can be applied to the complementarily doped walls of the trench structure as a diffusion-inhibiting crystalline layer.
  • cubic SiC does not hinder a monocrystalline growth by the bottom area of the grave structure, especially as this coating can be "the” "Whyhstedde” the '"Graben Design- DELIMI-t.
  • cubic SiC can at the complementary inside be introduced conductive layer.
  • the semiconductor component preferably has an edge structure with at least one edge trench as edge termination. Of the edge trench, at least one complementarily doped edge compensation zone of a trench wall is along the edge of the trench wall
  • the adjoining trench has monocrystalline semiconductor material grown toward the edge of the semiconductor component.
  • This semiconductor material in turn has an edge contour which forms a curved contour by etching the epitaxial layer grown in the edge trench.
  • This curved contour extends from the top of the semiconductor body preferably into the substrate in the region of the monocrystalline semiconductor material.
  • An edge passivation layer is arranged on the semiconductor layer with such a contour.
  • Such an edge structure can, in principle, be realized within the scope of the production of the drift path, wherein only the above-described etching in the edge region and the edge passivation layer are additionally added.
  • the deposition and structuring of the edge passivation layer can in turn be matched to the application of a corresponding passivation layer to the semiconductor components. Thus, there are only small additional costs and production risks for the production of such edge structure.
  • the blocking resistance in the drift path for increasing the avalanche resistance is slightly limited by means of a proton implantation, and the edge compensation zone is protected from such a proton implantation by a suitably prepared mask, can the full theoretical blocking voltage in the edge region be maintained to be obtained.
  • the edge passivation layer preferably has an SiO 2 , a Si 3 N 4 , a DLC (diamond-like carbon), a thermally grown oxide and / or a SiC.
  • Decisive for the material of the edge passivation layer is its specific blocking capability, in order to ensure that no shorts and / or leakage currents are possible across the edge structure of the semiconductor component when blocking voltages are applied.
  • Such an edge structure is also advantageous if the semiconductor device has no charge compensation zones in the drift path. In that case, the edge structure is with an edge trench having an edge contour passivation edge compensation zone that may be floating.
  • a method for the production of semiconductor components has the following method steps. First, a heavily doped semiconductor wafer of a first or a complementary conductivity type having a plurality of semiconductor device positions arranged in rows and columns as a substrate for a semiconductor body is provided. An epitaxial layer of the first conductivity type is then grown on this semiconductor wafer as the starting material for a first drift zone type. Trench structures are introduced into the grown epitaxial layer in the semiconductor device positions of the semiconductor wafer. Subsequently, the trench structure walls are doped by means of a dopant layer of a complementary conductivity type for charge compensation zones. Thereafter, an anisotropic free etching of the bottom region of the G-rRNA structure and the tops of the first drift zone types occurs.
  • a first type of drift zone comprises monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate and a second drift zone type comprises monocrystalline semiconductor material in one Trench structure with complementary doped walls, wherein the complementary doped walls represent the charge compensation zones of the semiconductor device.
  • the semiconductor wafer After the completion of the drift paths in the semiconductor device positions, the semiconductor wafer is followed by the production of top side structures and rear side structures in and / or on the semiconductor body for the completion of the semiconductor components. Subsequently, the semiconductor wafer can be separated into individual semiconductor components.
  • This method has the advantage that, in particular for vertical semiconductor components, no sequential deposition of a plurality of epitaxial layers is required. Furthermore, with this method it is possible to dispense with the production of implantation masks and the subsequent photolithographies and implantations for the charge compensation cells of conventional semiconductor components. "'AUSS-addition -has that-- - ⁇ - method has the advantage that the grown epitaxial layer is used optimally, since even the trenches of the grave structure can be used for the drift path as a second drift zone type This is not provided in all previous methods. still feasible.
  • the method has the advantage that only a limited area of the trench walls is used for the formation of charge compensation zones.
  • charge compensation zones in the trench walls can be limited to single-cell charge compensation columns become, with which an additional area for the drift distance is available.
  • the photoresist tolerances of the masking trench structure photoresist technique have an effect when using a
  • Strip layouts do not depend on the degree of compensation.
  • a deviation of the paint or trench etching measure merely leads to a compensation zone having a slightly greater distance to the left-hand neighbor than to the right-hand neighbor. This may have a slight influence on the output and the feedback capacitance of the semiconductor device, but not on the carrier compensation.
  • photolithography does not have a limiting effect the reduction of the structure sizes, in particular on the reduction of the width of the charge compensation zones.
  • a limitation results from the area requirement of the drift section itself.
  • the shape of the trench or its width variation into the depth hardly has any effect on the degree of compensation.
  • a lightly doped pedestal epitaxial layer of the first conductivity type is grown prior to growing an epitaxial layer of the first conductivity type on the semiconductor wafer.
  • This variant of the method has the advantage that the base epitaxy increases the avalanche resistance. Since the trench depth acts directly on the charge compensation in the epitaxial epitaxy area, it is advantageous to closely control the depth variations of the trench etch to ensure that in each case the pedestal epitaxy is achieved in the trench structure etch. This can be achieved by an interferometric in-situ measurement of the trench depth, or by appropriate auxiliary layers, eg. B. be made possible for the endpoint control of the etching.
  • the base epitaxy is dispensed with, then a subsequent trench etching can take place into the highly doped substrate.
  • the proportion of the complementarily conducting region of the charge compensation zones which is then located in the substrate is insignificant for the charge compensation.
  • Significant is only the proportion of the charge compensation zones, which is embedded in the epitaxial layer and is predetermined by the epitaxial layer thickness. Variations in the trench depth in this case have a negligible influence on the charge carrier compensation.
  • a small increase in on-resistance is possible because the second drift zone type then reaches into the highly doped n-type region of the substrate.
  • e-ine is patterned on the base epitaxial layer.
  • This auxiliary layer applied epitaxially in areas of the trenches to be etched.
  • This auxiliary layer allows an etch stop or an etching end point control, and preferably includes Si x Ge y with x> y, or Si x Ge y C z to x> y and x> z. Since both germanium and carbon are preferably substitutionally incorporated into the silicon lattice, they do not significantly interfere with the epitaxial growth of a monocrystalline semiconductor region on the semiconductor wafer.
  • the auxiliary layers when etched into the grown epitaxial layer, form an etch stop or an end mark in which the etching of the trenches may slow down in a wet etching process.
  • a dry etching process in a plasma when the trench depth is reached, the sputtered germanium and carbon ions in the plasma can be detected in the plasma. and a corresponding etch stop of the dry etching process can be initiated.
  • the composition of the structured auxiliary layer of Si x Ge y C z with preferably 0.86 ⁇ x ⁇ 1, y ⁇ 0.07 and z ⁇ 0.07 is advantageous since such low concentrations of germanium and / or carbon monocrystalline Only slightly influence growth.
  • a further aspect of providing an auxiliary layer is to apply a patterned auxiliary layer in areas of the trenches to be etched, which preferably comprises a semiconductor oxide or a semiconductor nitride layer, before the growth of an epitaxial layer of the first conductivity type on the semiconductor wafer or the base epitaxial layer, wherein the structure of the auxiliary layer In the regions of the trenches to be etched, a fine structure such that " lateral monocrystalline overgrowth of the fine structure is made possible."
  • the detection of oxygen or nitrogen during dry etching in a plasma can be used for etching stop or etching. be used as a signal for the depth control of dry etching.
  • an etching mask is photolithographically applied to the semiconductor wafer with stripe-shaped patterns in the region of the drift path in the semiconductor component positions.
  • the trench structure is now introduced into the monocrystalline epitaxial layer by means of an anisotropic etching.
  • the anisotropic etching ensures that the trench structure has relatively perpendicular, rectilinear sidewalls.
  • the anisotropic etch can be performed by anisotropic reactive ion etch.
  • reactive ion etching ions are used which not only atomize only the semiconductor material in the region of the trench structure, but at the same time achieve a higher etching rate in a preferred direction by means of a chemical reaction with the epitaxial material.
  • a directed plasma etching is also possible in which the material of the trench structure is merely atomized.
  • this dry etching process is that the etching can be carried out with endpoint detection.
  • the trench etch is preferably set for a flank angle of 90 degrees.
  • a flank angle of 90 degrees.
  • barrel-shaped or bulbous cross-sections of the trenches can form. These bulbous trenches remain Even after the isotropic growth of the complementary semiconductor material on the trench walls obtained and cause that the following anisotropic etching can remove virtually no complementary conductive semiconductor material from the trench walls or 5 the nearly vertical edges.
  • the flank angle does not control the compensation charge on the vertical flanks, but primarily the accuracy of the grown or diffused layer thickness in the vertical flanks. This is a clear advantage over previously known methods for producing charge compensation zones in drift paths.
  • a structured endpoint control layer Prior to the application of the etching mask, a structured endpoint control layer can be used to increase process safety
  • This endpoint control layer is applied to the monocrystalline epitaxial layer in the regions.
  • the endpoint control layer may preferably, exactly
  • auxiliary layer 20 such as the above-mentioned auxiliary layer, of a semiconductor oxide and / or a semiconductor nitride and / or a Si x Ge y C z - layer with x> y and x> z, preferably with Sio, Geo 86, 07 Co, 07 are applied wherein this endpoint control layer covers only the tops of the first diffusion zone type.
  • the method can be safer if, after the introduction of the trench structure and before the doping of the trench walls, the surfaces of the trench structure are chemically cleaned.
  • the surfaces of the semiconductor are chemically cleaned.
  • first an epitaxial layer is deposited on the semiconductor substrate with a weak doping of the first conductivity type.
  • This weak doping of the mesen can after the introduction of the trench structure z. B. lead by doping from the gas phase to increase the concentration of the first conductivity type in the mesen to a predetermined value.
  • a relatively highly doped, complementary conducting, monocrystalline layer can be epitaxially grown on the semiconductor wafer.
  • the entire semiconductor wafer is coated with a correspondingly thin, relatively relatively highly doped layer, so that subsequently both the bottom region of the trenches and the top side region of the mesenes must be freed from this highly doped, complementary conductive layer.
  • both the auxiliary layers, as they were applied directly to the substrate, as well as the endpoint control layers on the mesenes are advantageous, since with their support a very accurate and precise development Distance of the epitaxially grown, complementarily highly doped layer in the bottom area, as well as in the upper side of the mesen can be removed.
  • Variations in anisotropic etching back of the complementary relatively highly doped layer in the bottom region have a negligible influence on the charge compensation and on the forward resistance, because the thickness of the complementary conductive layer to be etched is of the order of, for example, 500 nm thickness. Accordingly, expected depth fluctuations in the range of 50 to 100 nm in comparison to the drift path length, which is for example 40 microns and corresponds to the trench structure depth, no longer significant.
  • a highly doped, complementary conducting monocrystalline layer for doping the trench structure walls to charge compensation zones is grown onto the trench structure with a thickness " d between " 100 nm ⁇ d ⁇ 1000 nm, preferably 200 nm ⁇ d ⁇ 600 nm the concentration of impurities in the trench structure walls are adjusted, as well as the intended thicknesses for the charge compensation zones are met.
  • An alternative possibility for the epitaxial deposition of charge compensation zones on the trench structure walls is the doping of the trench structure walls to charge compensation zones by means of a doped glass layer deposited as a diffusion pre-emption on the faces of the trench structure, and after the diffusion pre-deposition step the glass layer is completely removed.
  • isotropic, silicon-selective etching methods can be used, while for removal of the doped ones Bottom layer of the trench structure and the doped top of the mesen anisotropic etching process can be used to clearly get the charge compensation zones in the trench walls as far as possible.
  • auxiliary layers are applied on the surfaces of the trench structure which in structure and composition correspond to the materials already discussed in detail above as auxiliary layers or simply an n-doped Si. Represent protective layer.
  • the special feature of the auxiliary layers is that they do not hinder monocrystalline growth in the trenches for a second type of drift cell.
  • a further variant of attaching a diffusion-inhibiting layer on top of the trench structure consists of an amorphous silicon or a silicon carbide, Preferably, a cubic silicon carbide or a silicon germanium on the surfaces of the trench structure in a thickness 10 nm ⁇ d ⁇ 300 nm, preferably 50 nm ⁇ d ⁇ 150 nm deposit or below the complementary conductive layer 5 introduce.
  • the amorphous silicon which can be deposited isotropically at temperatures below 350 0 C on the trench structure walls, has the advantage that it is already at 700 0 C, before the temperature required to monocrystalline silicon from the gas phase in the Growing 10 structures, itself in the crystalline form of silicon passes.
  • trench structure walls useful to prevent out-diffusion of introduced into the wall structure impurities.
  • it makes sense to free both the bottom of the trench structure and the tops of the mesen from this material by an anisotropic dry etching process.
  • Trench structure walls are etched so that they have a slope, so that the width of the trench structure at the top of the semiconductor wafer is greater than in the bottom region of the Grave structure.
  • This trapezoidal cross-section of the trench structure has the advantage that when the monocrystalline medium-doped semiconductor material for the second drift zone type is grown, premature closure of the top side of the trench structure is prevented.
  • the trench walls (14, 15) are etched to have a curvature such that the width at the top (18) of the semiconductor body (4) is approximately is equal to the width in the bottom region (30) of the trench structure (13) and the trench structure is thereby undercut in approximately barrel-shaped. Therefore, the monocrystalline growth is advantageously stopped before the trench width of the upper side is closed, so that the barrel-shaped center region remains accessible for further process steps.
  • the trench walls (14, 15) are etched to have a slope so that the width of the trench structure (13) at the upper side (18) of the semiconductor body (4) is smaller than in the bottom region (30) of the trench structure (13).
  • the monocrystalline growth can be stopped, and the wider bottom region of the trench structure remains accessible for further process steps.
  • the first epitaxy or for growing a middle doped epitaxial layer of the first conductivity type in the trench structure as a starting material cm "3 or a similarly acting element is doped for a second drift region type, the epitaxial material with carbon to a concentration [C] [C] ⁇ 1 x 10 20th
  • the epitaxial layer itself which fills the grave structure, acts as a diffusion-inhibiting layer against outdiffusion of impurities from the complementary highly doped trench walls.
  • the trench structure can be filled with intrinsic polysilicon.
  • a component is realized which enables a high-resistance connection between the source and the drain region, so that the advantages mentioned above are fully realized.
  • a semiconductor wafer with an extremely uneven top surface is present.
  • the upper side is not advantageous for further processing into a semiconductor component.
  • a flattening step of the upper side of the semiconductor wafer is now carried out to form a semiconductor body with a flattened upper side and with a rear side.
  • a leveling photoresist layer is preferably first applied to the uneven upper side.
  • care is taken that the selectivity factor is almost 1 compared to the semiconductor material of the drift cell types in conjunction with the selected etching or removal methods. This means that the removal during leveling of the leveled upper side from a photoresist layer can proceed completely uniformly and evenly in the removal of the uneven semiconductor material.
  • the upper side of the semiconductor wafer after flattening the upper side of the semiconductor wafer, it is provided with a z. B. in the edge area masked proton implantation acted upon by the flattened top.
  • This proton implantation can also be performed from the backside of the semiconductor wafer.
  • annealing of the semiconductor wafer is carried out at temperatures T with 350 ° C. ⁇ T ⁇ 500 ° C.
  • This proton implantation provides the advantage, in particular in the drift path region of the two drift cell types, that the avalanche resistance of the entire semiconductor component is improved.
  • the proton implantation can be done not only immediately after leveling, but also later in the manufacturing process.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a semiconductor component according to a first embodiment of the invention
  • FIGS. 2 to 12 show schematic diagrams of individual process steps in the production of the semiconductor component according to FIG.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through a highly doped substrate after application of a base epitaxial layer and an epitaxial layer for a first drift zone type
  • Figure, 3_ illustrates a schematic cross-section through a heavily doped substrate after application of a pedestal epitaxial layer and a patterned auxiliary layer;
  • FIG. 4 shows a schematic cross section through the highly doped substrate according to FIG. 2, after introduction of a trench structure into the epitaxial layer;
  • FIG. 5 shows a schematic cross section through the highly doped substrate according to FIG. 4 after growing a complementary relatively highly doped monocrystalline epitaxial layer on the upper sides of the trench structure
  • FIG. 6 shows a diagram for the production of a second drift zone type from monocrystalline semiconductor material in a trench structure with complementarily doped trench structure walls which form charge compensation zones, with three variants for producing complementarily doped trench structure walls;
  • FIG. 7 shows a schematic cross section through the substrate according to FIG. 5 after free etching of the bottom region of the trench structure and the upper side of the first drift zone types in the form of a mirror;
  • FIG. 8 shows a schematic cross section through the substrate according to FIG. 7 after growth of a monocrystalline semiconductor material in the trench structures for a second drift zone type
  • FIG. 9 shows a schematic cross section through the substrate according to FIG. 8, after leveling the upper side of the semiconductor body by means of a photoresist layer;
  • FIG. 10 shows a schematic cross section through the substrate according to FIG. 9 after etching back the upper side of the semiconductor body
  • Figure 11 shows a schematic cross section through the
  • FIG. 12 shows a schematic cross section through a semiconductor component according to FIG. 1;
  • FIGS. 13 to 20 show schematic diagrams of individual method steps in the production of a semiconductor component of a second embodiment of the invention;
  • FIG. 13 shows a schematic cross section through a highly doped substrate after application of an epitaxial layer for a first type of drift cell
  • Figure 14 shows a schematic cross section through the
  • Figure 15 shows a schematic cross section through the
  • Figure 16 shows a schematic cross section through the
  • Figure 17 shows a schematic cross section through the
  • the substrate of Figure 16 after growing a monocrystalline semiconductor material in the trench structure for a second drift zone type;
  • Figure 18 shows a schematic cross section through the
  • FIG. 19 shows a schematic cross section through a semiconductor component according to a second embodiment of the invention.
  • FIGS. 20 to 26 show schematic cross sections through the edge region of a semiconductor component during the production of an edge structure
  • Figure 20 shows a schematic cross section through the
  • FIG. 21 shows a schematic cross section through the edge region according to FIG. 20, after introduction of a
  • Fig. 22 shows a -scher ⁇ atxschen- cross section through. Edge region according to FIG. 21, after introduction of a complementary conductive layer and a diffusion-inhibiting layer on the trench walls;
  • Figure 23 shows a schematic cross section through the
  • FIG. 24 shows a schematic cross section through the edge region according to FIG. 23, after etching back the
  • Figure 25 shows a schematic cross section through the
  • FIG. 26 shows a schematic cross section through an alternative edge structure.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a semiconductor component 1 according to a first embodiment of the invention.
  • the semiconductor component 1 has a drift path 5 between two electrodes 6 and 7.
  • the drift path 5 between the electrodes 6 and 7 provides a current path between the electrodes 6 and 7 with a first conductivity type n.
  • the drift path 5 has charge compensation zones 11 of a complementary one
  • Conduction type p which narrow the current path of the drift path 5.
  • two alternately arranged drift zone types .9 and .10 are arranged, wherein .a.first drift zone type 9 has monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate 12 and the second
  • Drift zone type 10 comprises monocrystalline semiconductor material in a trench structure 13 with complementarily doped trench structure walls 14 and 15, the complementarily doped walls 14 and 15 having the charge compensation zones 11.
  • the semiconductor device 1 shown here is, for example, a vertical field effect power transistor.
  • the drift path 5 according to the invention with charge compensation structure 3 in the walls 14 and 15 of the trenches filled with monocrystalline semiconductor material can also be used for lateral high-voltage field-effect transistors.
  • the drift path according to the invention can also be equipped bipolar power transistors.
  • the drift path, not shown in FIG. 1 is constructed on a heavily doped substrate of the same conductivity type as the drift zones, but the highly doped substrate is doped in a complementary manner to the drift zones.
  • Bipolar isolated gate bipolar transistors IGBT or PN ⁇ N + diodes, as well as Schottky diodes, may also have this drift path structure with charge compensation zones 11 in trench structure walls 14 and 15.
  • the trench structure 13 does not extend as far as the highly doped substrate 12, but instead a weakly doped epitaxial epitaxial layer is arranged between the highly doped substrate 12 and the drift path 5.
  • a base epitaxial layer serves to improve the avalanche resistance.
  • body layers 39 of complementary conductivity are arranged near the upper side 18 of the semiconductor body 4, which are flooded with charge carriers when a turn-on potential is applied to a gate electrode 8, and the current path between them Source electrode 6 and the drain electrode 7 in the drift zones 9 and 10 through.
  • On-resistance also carries the small cross-sectional area and thus the low volume fraction, the inventive Charge compensation structure 3 in comparison to the throughput volumes of drift zone types 9 and 10.
  • FIGS. 2 to 12 show schematic diagrams of individual method steps in the production of the semiconductor component 1 according to FIG. 1.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through a highly doped substrate 12 after application of a base epitaxial layer 20 to the substrate top 19 and after application of a further middle doped epitaxial layer 17 to the upper side 21 of the lightly doped pedestal epitaxial layer 20.
  • Both the highly doped substrate 12 and FIG also the weakly doped base epitaxial layer 20 and the middle-doped epitaxial layer 17 for producing a power semiconductor device 1 of the first embodiment of the invention, the same first conductivity type.
  • the successor constricting Figuren- expand / -can the first-Dri-ftzonentyp from the medium-doped epitaxial layer 17 by introducing a grave structure can be constructed.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through a highly doped substrate 12 after application of a base epitaxial layer 20 and a structured auxiliary layer 32.
  • This auxiliary layer 32 is applied to the upper side 21 of the base epitaxial layer 20 before the application of the middle doped epitaxial layer 17 in order to produce a trench structure Provide control layer.
  • elements are introduced into the control layer or into the auxiliary layer, which are detectable in a dry etching process of the trench structure in the released material.
  • As auxiliary layers it is also possible to deposit materials on the upper side 21 of the base epitaxial layer which serve as the monocrystalline layer. stalline growth of the middle-doped epitaxial layer 17 do not disturb and represent a ⁇ tzstopp Anlagen in which slows down the etching process significantly.
  • Such an auxiliary layer 32 may comprise monocrystalline material having Si x Ge y C z , where x> y and x> z, and preferably a composition of Si 0 , Geo 86, 07 Co, 07 is provided.
  • Other control or etch stop layers can have oxides or nitrides of the semiconductor material in a finely structured form, that is to say that the fine structure of such an auxiliary layer 32 permits a lateral, monocrystalline overgrowth of the finely structured auxiliary layer 32.
  • auxiliary layer 32 having the face-centered cubic SiC clusters which bring as end point control layer and / or etch stop layer for the inputs "" der-- Serve trench structure -gronnen-. - -.
  • FIG. 4 shows a schematic cross section through the heavily doped substrate 12 according to FIG. 2 after introduction of a trench structure 13.
  • the auxiliary layer shown in FIG. 3 has been removed in the bottom area 30 during the introduction of the trench structure 13.
  • mesa structures, also called “mesences" 35 remain with an upper side 34.
  • the first drift zone type 9 with a medium-high doping of the first conductivity type n on the substrate 12 is completed.
  • the complementarily doped charge compensation zones on trench structure walls 14 and 15 are now to be fabricated.
  • FIG. 5 shows a schematic cross section through the highly doped substrate 12 according to FIG.
  • This thin epitaxial layer 36 with a thickness d between 100 nm ⁇ d ⁇ 1000 nm, preferably 200 nm ⁇ d ⁇ 600 nm can be applied to a semiconductor wafer in the region of the drift path 5 to be formed for a multiplicity of semiconductor components 1, since all the surfaces of this structure are formed by monocrystalline semiconductor material.
  • the thickness d is 500 nm. This thickness d also defines the width b k of the charge compensation zones 11 applied to the trench structure walls 14 and 15. In this embodiment, the height h of the mesenes 35 corresponds to FIG Trench depth t of the trench structure 13.
  • the walls 1 ⁇ 4 and 15 of the trench structure -13 which are shown here in a straight line, can also open obliquely upward, so that the trench structure 13 widens in the area of the top 34 of the mesen 35
  • the cross-section of the trenches may also be barrel-shaped, these different embodiments of the wall contour of the walls 14 and 15 are in part related to the different etching techniques Preferably, an anisotropic etching is performed through a corresponding etch mask.
  • FIG. 6 shows a diagram for the production of a second drift zone type from monocrystalline semiconductor material in a trench structure with complementarily doped trench structure walls, which form charge compensation zones, with three variants for producing complementarily doped trench structures. tur paragraphn. These three variants are designated with the numbers 1, 2 and 3.
  • the first variant 1 is a growth of a complementary conducting epitaxial layer on the surfaces of the resulting trench structure after trench structure etching, as already shown in FIG.
  • the second variant consists in providing borosilicate glass deposits on the trench structure. After the deposition of a borosilicate glass, a thermal pre-emptying is performed, which can also be performed as RTP pre-emption (rapid thermal processing), which is sufficient to allow a sufficient number of boron atoms with high concentration penetrate into the trench structure walls. Subsequently, the borosilicate glass is removed by borosilicate glass etching.
  • a third variant consists first of Boratomlagen or; -Bor-hal-t ⁇ ge- compounds --- deposit in -Moleküllagen-, which are also subjected to a thermal pre-assignment. Subsequently, an etching back is carried out in order to leave only the high concentration of boron atoms which has penetrated during the thermal pre-loading in the trench structure walls. The resulting thickness or width of the charge compensation zones in the trench structure walls is defined by the penetration depth of the boron into the monocrystalline semiconductor material of the first drift zone type.
  • the highly doped layer of complementary conductive material is limited to the trench structure walls by etching the trench bottom as well as by etching back the tops of the mesenes.
  • a diffusion-inhibiting layer is deposited on the structure walls.
  • the diffusion-inhibiting layer may comprise a material as discussed above for the auxiliary layers.
  • Such a so-called cap layer has the advantage that it impedes the outdiffusion of impurities from the wall area, but does not "impair the formation and growth of monocrystalline silicon material from the bottom of the trench.
  • Step in the diagram shown in Figure 6, namely the growth of an n-epitaxial layer in the trench structure provides the second drift zone type, which together with the first drift zone type provides a drift path now minus the extremely narrow compensation zones completely for the current path in semiconductor devices is available.
  • FIG. 7 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG. 5, after free etching of the bottom region 30 of the trench structure 13 and the top side 34 of the mesa-shaped first drift zone type 9.
  • the dashed line 40 on the trench walls 14 and 15 in FIG. 7 shows the above-mentioned different ones Wall coatings, etchbacks and diffusion-inhibiting designs of the wall structure for the insertion
  • the trench walls 14 and 15 of the trench structure 13 may be chemically cleaned, or oxidized, and then etched or reduced prior to introducing a monocrystalline semiconductor material fill, and finally, the trench walls for monocrystalline deposition to smooth by a hydrogen annealing step.
  • FIG. 8 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG. 7 after growing a monocrystalline semiconductor material in the trench structures 13 for a second drift zone type 10.
  • the tops of the menses 35 of the first drift zone type 9 are overgrown by monocrystalline material, so that there is a relatively rugged top 18 for the semiconductor body 4. This uneven and rugged top 18 is leveled with subsequent steps.
  • FIG. 9 shows a schematic cross-section through the substrate 12 according to FIG. 8 after leveling the upper side 18 of the semiconductor body 4 by means of a photoresist layer 37.
  • Photoresist layers can be applied to a semiconductor wafer with an uneven surface 18, and unevennesses are initially caused due to their viscous properties level. Upon curing of the photoresist layer, such photoresists may achieve selectivity to the semiconductor material of FIG. 1 such that the backscattering step removes the leveling photoresist and semiconductor material in the same manner.
  • a photoresist layer 37 other materials, for example spin-on-glass, can also be used as the planarizing layers.
  • FIG. 10 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG.
  • top side structures and rear side structures in and / or on the semiconductor body can be introduced into corresponding semiconductor device positions of a semiconductor wafer to complete the semiconductor device.
  • FIG. 11 shows a schematic cross section through the substrate 12 after etching back the top side 18 with a variant of the structure of the semiconductor body 4.
  • this variant of the semiconductor body 4 no base epitaxial layer is provided on the top side 19 of the heavily doped substrate 12.
  • FIG. 12 shows a schematic cross section through a semiconductor component 1 according to FIG. 1.
  • Components with the same functions as in FIG. 1 are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.
  • a difference to FIG. 1 is merely the dashed lines 40 in the regions of the second drift zone types 10, which are the particular ren production variants of the second drift zone type 10 indicate.
  • FIGS. 13 to 20 show schematic diagrams of individual process steps in the production of a semiconductor component, a second embodiment of the invention.
  • FIG. 13 shows a schematic cross section through a heavily doped substrate 12 after application of an epitaxial layer 17 for a first type of drift cell.
  • the semiconductor device of the second embodiment fabricated with such an epitaxial layer 17 directly on the heavily doped semiconductor substrate 12 differs from the semiconductor device of the first embodiment in that no pedestal epitaxial layer is provided. Consequently, if the pedestal epitaxial layer is omitted, as in the second embodiment of the invention, the trench etch may result in the highly doped subs. T-r-a-t in -e-r. The share of. Complementarily doped regions for the charge compensation zones, which are then located in the substrate, are insignificant for charge compensation.
  • FIG 14 shows a schematic cross-section through the sub ⁇ strat 12 according to Figure 13, after introduction of a grave structure 13 and applying a highly doped complementarily conducting layer 36 for charge compensation zones 11 structure walls in the trench 14 and 15.
  • the different variants of such complementary conductive Layer 36 have already been discussed in detail above in the manufacture of the first embodiment, which is therefore not repeated here.
  • FIG. 15 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG. 14 after application of a diffusion-inhibiting layer 23 in the trench structure 13. However, before this diffusion-inhibiting layer 23 is applied, both the bottom region of the trench structure 13 and the O The upper side 34 of the Mesen 35 has been freed from the complementary and highly conductive layer 36.
  • the diffusion-inhibiting layer 23 may remain on the top surfaces 34 and selectively removed in the bottom region 30 by an anisotropic etch to ensure that monocrystalline material is available for growing the second drift zone type as a seed surface .
  • a monocrystalline grown Si x Ge y C z is used as the diffusion-inhibiting layer 23, wherein x> y and x> z, and the composition preferably consists of Sio, 86 Ge 0 , 07 Co, 07.
  • the larger germanium atom in the silicon lattice for a local expansion and the carbon atom for a local compression so that with a balanced number of germanium and carbon atoms in the silicon lattice, the lattice distortions cancel and a monocrystalline growth of silicon in the trench structures 13 does not hinder.
  • FIG. 16 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG. 15, after application of an end point control layer 33 on the upper sides 34 of the mesenes 35 and after exposing the trench bottom 30.
  • This is a prerequisite for a reliable monocrystalline growth of a drift zone of a second Driftzonentyps created, especially since the bottom region 30 is completely free of diffusion-inhibiting layers.
  • the mesen 35 of the first drift zone type 9 is reached by the end point control layer 33 on the top side 34, that after filling of the trench structure 13, etching back of the surface 18 of the semiconductor body 4 is signaled by the end point control layer 33.
  • FIG. 17 shows a schematic cross-section through the substra-t 12 according to FIG. 16, after growth of a monocrystalline semiconductor material in the trench structures 13 for a second drift zone type 10.
  • a monocrystalline semiconductor material in the trench structures 13 for a second drift zone type 10.
  • Components having the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately.
  • the special feature of this monocrystalline growth from the bottom region 30 of the trench structure 13 is that the side walls have a diffusion-inhibiting layer 23, which in its
  • Basic structure is also monocrystalline, but as substitutional atoms carbon and germanium in an amount up to 0.07, that is, up to 7 atoms of germanium and 7 atoms of carbon on 86 atoms of silicon form the lattice.
  • the lattice distortions caused by these atoms of different size with respect to the silicon atoms cancel one another out to the extent that the monocrystalline Line growth from the bottom portion 30 of the trench from the side edges is not significantly affected.
  • the bottom region 30 is completely exposed by a diffusion-inhibiting coating by anisotropic etching.
  • other materials for the diffusion-inhibiting coating 23 such as an amorphous-silicon cap layer or a silicon carbide layer, may also be deposited as a diffusion-inhibiting layer on the trench structure walls, but these diffusion-inhibiting layers may increase lattice dislocations and other crystal defects in the monocrystalline one Cause semiconductor material 22 in the trench structure 13.
  • the use of different materials for the endpoint control layer is less critical, especially since the semiconducting material forming above is etched back to the endpoint control layer 33 and also beyond this in a next process step. Since the upper side 18 of the semiconductor body 4 is relatively uneven after filling the trenches with monocrystalline semiconductor material and does not appear to be suitable for applying the required upper side structures for the various semiconductor device types, the upper side 18 is first leveled with a corresponding varnish layer or planarization layer and then, as already mentioned above, then etched back uniformly, as FIG. 18 shows.
  • FIG. 18 shows a schematic cross section through the substrate 12 according to FIG. 17, after back etching of the top side 18 of the semiconductor body 4. After etching back the surface 18 of the semiconductor body 4, diffusion zones of the first and second diffusion zones are now alternately arranged next to one another. nent types 9 and 10, respectively, wherein the diffusive zone type diffuser zone 9 is different in that the walls 14 and 15, which form the junction compensation zones, additionally have a diffusion-inhibiting layer 23 which does not possess the diffusion zone type 9.
  • FIG. 19 shows a schematic cross section through a semiconductor component 2, a second embodiment of the invention.
  • further top structures and rear side structures were incorporated in and / or on the semiconductor body 4 for completion, the second embodiment of the invention being different from the first embodiment of the invention according to FIG. 1 in that also the gate structure for the gate electrode G is realized in a trench structure, wherein the trench depth for the gate structure is only slightly larger than the penetration depth of the weakly complementary conductive body zone 39th
  • FIGS. 20 to 26 show schematic cross sections through the edge region 38 of a semiconductor component when producing an edge structure 24.
  • Sketching is an edge termination for a component according to FIG. 1.
  • edge termination can also be implemented for components according to FIG.
  • FIG. 20 shows a schematic cross section through the edge region 38 of the semiconductor component 1 with substrate 12, with base epitaxial layer 19 and epitaxial layer 17 into which the trench structure is to be introduced.
  • This edge 27 is provided with an edge trench 25.
  • FIG. 21 shows a schematic cross section through the edge region 38 according to FIG. 20, after introducing a trench structure 13 with an edge trench 25.
  • the trench 25 becomes as selective as the trench structure 13 up to the bottom region 30 on the upper side 21 of the base epitaxial layer 20 Etching introduced.
  • the formation of a special edge structure for such components requires no special manufacturing steps.
  • Figure 22 shows a schematic cross section through the
  • a complementary conductive layer 16 in the trench walls 14 and 15 and a diffusion-inhibiting layer 23 on the trench walls 14 and 15.
  • FIG. 23 shows a schematic cross-section through the edge region 38 of FIG. 22, after the trench structure has been filled with monocrystalline semiconductor material 22 for a second drift zone type 10 and at the same time filled up with the edge trench 25. Since the back etching can be carried out quite wet-chemically and isotropically, it is possible to carry out the back-etching step to use to achieve a curved edge contour in the filled edge trench 25.
  • FIG. 24 shows a schematic cross section through the edge region 38 according to FIG. 23, after etching back the upper side 18 of the semiconductor body 4 and exposing an edge contour 28 in the edge trench 25.
  • a further etching step which is not required at the same time as the Ben Modelliseren is feasible, since the Sockelepitaxie Mrs 20 must be removed for the edge structure 24.
  • an edge contour 28 is available which, in cooperation with the edge compensation zone 26, which may be floating, is prepared such that the edge contour 28 can now be passivated.
  • FIG. 25 shows a schematic cross section through the edge region 38 according to FIG. 24 after application of an edge passivation layer 29.
  • This edge passivation layer 29 now ensures that no leakage currents in the edge region influence the properties of the semiconductor component.
  • This edge passivation layer 29 may comprise a semiconductor oxide, a semiconductor nitride, a diamond-like carbon, a silicon carbide, or if such passivation layers also have to take place on the semiconductor component, these can be used to form the edge passivation layer as well.
  • polyimide layers if required for the semiconductor device, can also be used for this passivation.
  • FIG. 26 shows a schematic cross section through an alternative edge structure 24. This differs from the edge structure according to FIG. 25 in that no base epitaxial layer is provided. In addition, this edge structure 24 is also suitable for lateral high-voltage semiconductor elements that do not necessarily work according to the compensation principle.
  • a deep trench is created in the edge region, which preferably extends approximately as deep or slightly deeper than the space charge zone later. Subsequently, a complementary conductive doping is introduced at the trench surface, which can be generated either by implantation or indiffusion, or by epitaxial growth. Thereafter, a layer of the first conductivity type is epitaxially deposited via this complementarily doped layer.
  • this doping can also take place via an implantation or pre-assignment with subsequent infiltration.
  • the complementary conductive region should be electrically connected to a low potential, such as the source potential.
  • the doping of the epitaxial layer grown in the edge trench is selected analogously to a compensation component and is thus significantly higher than the doping of the drift zone or the base zone in the active component region.
  • the dimensioning and structuring of the epitaxial layer also apply to the edge region; in particular, there must be a sufficiently good composition of complementary layers provided with first conductivity types in the edge, with the breakdown charge of the respective n in the lateral direction -leading and p-conductive areas should not be exceeded.
  • Increasing the concentration of the first conductivity type in the edge region reduces the sensitivity to surface charges, and thus there are less requirements for passivation.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit Ladungskompensationsstruktur (3) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) einen Halbleiterkörper (4) auf, der eine Driftstrecke (5) zwischen zwei Elektroden (6, 7) besitzt. Die Driftstrecke (5) weist Driftzonen eines ersten Leitungstyps auf, die einen Strompfad zwischen den Elektroden (6, 7) in der Driftstrecke bereitstellen, während Ladungskompensationszonen (11) eines komplementären Leitungstyps den Strompfad der Driftstrecke (5) einengen. Dazu weist die Driftstrecke (5) zwei alternierend angeordnete, epitaxial aufgewachsene Diffusionszonentypen (9, 10) auf, wobei der erste Driftzonentyp (9) auf einem monokristallinen Substrat (12) monokristallines Halbleitermaterial aufweist und ein zweiter Driftzonentyp (10) monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur (13) besitzt, mit komplementär dotierten Wänden (14, 15), wobei die komplementär dotierten Wände (14, 15) die Ladungskompensationszonen (11) bilden.

Description

Beschreibung
Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterbauelement weist in einem Halbleiterkörper eine Driftstrecke zwischen zwei Elektroden auf. Dabei besitzt die Driftstrecke Driftzonen eines ersten Leitungstyps, die einen Strompfad zwischen den Elektroden in der Driftstrecke bereitstellen. Außerdem weist die Driftstrecke Ladungskompen- sationszonen eines komplementären Leitungstyps auf, die den Strompfad der Driftstrecke einengen.
Ein derartiges Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur sowie zugehörigem Herstellungsverfahren ist aus der DE 101- 32- -136- Cl- bekannt . -Die Ladun-gskompe-nsationsstr-uktur dieses Halbleiterbauelements weist im Querschnitt eine Mehr- zahl von aufeinander gestapelten, komplementär leitenden Bereichen auf, die durch einen Wechsel von aufeinander folgenden Epitaxieschritten mit selektiver Ionenimplantation, eine aufeinander gestapelte Mehrzahl von begrenzten Quellen eines Dotierstoffes für den komplementären Leitungstyp ergeben. Durch vertikale und laterale Diffusion der Quellen bilden sich zusammenhängende Ladungskompensationszonen des komplementären Leitungstyps in der Driftstrecke des Halbleiterbauelements .
Eine derartige Ladungskompensationsstruktur hat den Nachteil, dass die Störstellenquellen flächig durch entsprechende Ionenimplantationsmasken aufzubringen sind, und damit fertigungstechnisch in ihrer lateralen Erstreckung nicht beliebig verkleinert werden können. Hinzu kommt, dass diese laterale Erstreckung nach der selektiven Ionenimplantation durch die anschließende Diffusion noch vergrößert wird. Das für eine derartige Ladungskompensationsstruktur benötigte Halbleiter- körpermaterial steht für den Strompfad der Driftstrecke nicht mehr zur Verfügung. Die lateralen Grenzen des Querschnitts der bekannten Ladungskompensationsstruktur erfordern aufgrund der photolithographischen Implantationsmasken Mindestgrößen, die im Mikrometerbereich liegen und Toleranzen deutlich im Sub-Mikrometerbereich. Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass für das Herstellen derartiger Ladungskompensationszonen eine Mehrzahl von Epitaxieschritten, Justageschritten, photolithographischen Maskierungsschritten und Ionenimplantationsschritten, sowie schließlich mindestens ein Diffusionsschritt erforderlich sind, was zu einem kostenintensiven Fertigungsverfahren für derartige Halbleiterbauelemente führt.
Ein alternatives laterales" Hälblei~terbauelement~~ist aus der- Patentschrift DE 198 28 191 Cl bekannt, bei dem anstelle von diffundierten Ladungskompensationszonen in die Epitaxieschicht der Driftstrecke eine Grabenstruktur eingebracht wird. Anschließend werden in die Wände und in den Boden der Grabenstruktur Ladungskompensationszonen mit komplementärem Leitungstyp eindiffundiert, wobei als Quellmaterial des Do- tierstoffes für den komplementären Leitungstyp die Grabenstruktur entweder mit einem hochdotierten Polysilizium aufgefüllt wird, oder in die Grabenstruktur ein Dotierglas auf den Seitenwänden und dem Boden aufgebracht wird. Zwar wird mit diesem Verfahren zumindest in den Randbereichen die Breite der aktiven Kompensationszone vermindert, jedoch steht das Volumen der Grabenstruktur nicht für den Strompfad zwischen den beiden Elektroden des Halbleiterbauelements zur Verfügung, so dass auch hier ein erheblicher Anteil der Epita- xiefläche für das Einbringen der Ladungskompensationsstruktur in der Driftstrecke geopfert werden muss.
Aus der Druckschrift US 6,608,350 B2 ist ferner ein hochspan- nungsfestes vertikal leitendes Halbleiterbauelement bekannt, das eine Vielzahl von tiefen Gräben oder Löchern in einer schwachdotierten Driftstrecke aufweist. In einem Ausführungsbeispiel sind auch hier die Grabenstrukturen von einem halbleitenden Polysiliziumkörper gefüllt, jedoch ist die komple- mentär leitende Wanddotierung nicht mehr im Bodenbereich der Grabenstruktur angeordnet, so dass das polykristalline, halbleitende Silizium im Bodenbereich im Kontakt mit dem Material der Driftstrecke steht. Somit liefert das polykristalline Silizium einen hochohmigen Strompfad zwischen den beiden Elekt- roden, womit die Beeinflussung der Feldverteilung in den
Driftzonen, die von den Ladungskompensationszonen der komplementär leitenden Wände der Grabenstruktur ausgeht, verstärkt wird. Dennoch stellt diese "L'ösϋrig "einen Nachteil -für die-- - •- Halbleiterbauelemente dar, weil wiederum das Volumen der Gra- benstruktur keinen Beitrag zum Strompfad der Driftzonen liefert.
Schließlich ist aus der Druckschrift US 6,495,294 Bl ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubtrats bekannt, das einen epitaxialen Film in einer Grabenstruktur aufweist. Dazu wird eine erste Epitaxieschicht eines ersten Leitungstyps auf einem monokristallinen Halbleiterwafer aufgebracht und eine Grabenstruktur in die Epitaxieschicht eingeätzt. In zwei Stufen wird dann die Grabenstruktur mit halbleitendem monokri- stallinem Material eines zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps zu Ladungskompensationszonen aufgefüllt. In einer ersten Stufe wird eine amorphe nicht kristalline komplementär dotierte Schicht in der Grabenstruktur abgeschie- den, die anschließend zu einer monokristallinen komplementär dotierten Keimschicht getempert wird. Danach wird in einer zweiten Stufe auf der monokristallinen Keimschicht eine komplementär dotierte monokristalline Füllung der Grabenstruktur aufgewachsen. Mit dieser monokristallinen Auffüllung der Grabenstruktur steht eine in ihrer Breite exakt definierte Kompensationszone zur Verfügung, die einen erheblichen Anteil einer Driftstrecke eines Halbleiterbauelements einnimmt und somit nachteilig das Epitaxiematerial des ersten Leitungstyps für die Ausbildung von Strompfaden in Driftzonen einengt und vermindert .
Es besteht daher ein Bedürfnis, ein Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem einerseits die Mehrzahl von aufgewachsenen Epitaxieschichten vermindert ist, und andererseits das Volumen von Grabenstrukturen für die Strompfade der Driftstrecken in einem Halbleiterbauelement nutzbar ist. Schließlich ist es Ziel der Erfindung in dem" fialbleiterbaueleme'nty LadungskOm— pensationszonen bereitzustellen, die in ihrer Ausdehnung auf ein Minimum reduziert sind.
Dies wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche erzielt. Zahlreiche Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
In einer ersten Ausführungsform wird ein Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und ein Verfahren zu seiner Herstellung geschaffen, wobei das Halbleiterbauelement in einem Halbleiterkörper eine Driftstrecke zwischen zwei Elek- troden aufweist. Die Driftstrecke umfasst Driftzonen eines ersten Leitungstyps, die einen Strompfad zwischen den Elektroden in der Driftstrecke bereitstellen. Die Ladungskompen- sationszonen weisen einen komplementären Leitungstyp auf und engen den Strompfad der Driftstrecke ein. Dazu weisen die Driftzonen zwei alternierend angeordnete epitaxial aufgewachsene Driftzonentypen des ersten Leitungstyps auf. Ein erster Driftzonentyp besitzt ein monokristallines Halbleitermaterial, das auf einem monokristallinen Substrat aufgewachsen ist. Ein zweiter Driftzonentyp weist ein monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur auf, die komplementär dotierte Wände besitzt, wobei die komplementär dotierten Wände die Ladungskompensationszonen bilden.
Dieses Halbleiterbauelement hat den Vorteil, dass der Strompfad innerhalb der Driftstrecke zwischen den Elektroden deutlich vergrößert ist, da nun durch den zweiten Driftzonentyp auch das Volumen der Grabenstruktur, die mit monokristallinem Halbleitermaterial gefüllt ist, zur Stromführung zwischen den Elektroden beiträgt. Damit wird in vorteilhafter Weise der
Durchlasswiderstand des Halbleiterbauelements vermindert, ohne dass die Sperreigenschaften des Halbleiterbauelements mit Ladungskompensatioήsstruktur" beeinträchtigt" sind.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das
Verhältnis v zwischen der Breite bκ der Ladungskompensationszonen quer zu dem Strompfad und der Breite bD der Driftzonen quer zu dem Strompfad bκ/bD = v ≤ 0,1. Bei einer Driftzonenbreite von 10 μm erfordern somit Ladungskompensationszonen nur Breiten von ≤ 1 μm. Vorzugsweise wird die Breite der Ladungskompensationszonen in den Wänden der Grabenstruktur auf kleiner 500 Nanometer eingestellt.
Die Breite der Ladungskompensationszonen kann durch die Ein- dringtiefe eines Dotierstoffes des komplementären Leitungstyps in das Driftzonenmaterial des ersten Driftzonentyps definiert werden. Dadurch ist die Eindringtiefe in Wandbereichen von epitaxial mit monokristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps aufgefüllten Grabenstrukturen definiert. Diese monokristallin aufgefüllten Grabenstrukturen erstrecken sich in Strompfadrichtung. Die Eindringtiefe kann durch eine Diffusionsquelle, welche die Wände der Graben- Struktur belegt und durch einen Diffusionsvorgang bis zu der definierten Eindringtiefe eingebracht ist, erreicht werden.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Breite der Ladungskompensationszonen durch eine epi- taxiale Aufwachsdicke einer monokristallinen Halbleitermaterialschicht des komplementären Leitungstyps definiert. Dabei ist die monokristalline Halbleitermaterialschicht auf Wandbereichen der Grabenstruktur aufgewachsen und erstreckt sich in Strompfadrichtung. In einer epitaxial aufgewachsenen monokri- stallinen Halbleitermaterialschicht ist ein abrupter pn-Über- gang in den Wandbereichen der Grabenstruktur definiert, der jedoch durch eine nachfolgende epitaxiale Auffüllung der Gra- benstrüktur "mit "möήökriställinem "Halb'lertermaterial aufgrund von Diffusionsvorgängen über die ursprüngliche Aufwachsdicke hinausragen kann.
Ein Vorteil einer derartigen Ladungskompensationszone liegt darin, dass sie relativ genau durch die Aufwachsdicke eingestellt werden kann, wobei die Störstellenkonzentration und die Breite der Aufwachsdicke an die Erfordernisse des Ausräumens der Ladungsträger der angrenzenden Driftzonen des ersten und des zweiten Driftzonentyps im Sperrbetrieb des Halbleiterbauelements angepasst ist. Dies hat den Vorteil, dass die Störstellenkonzentration und damit die Leitfähigkeit der Driftzonen des ersten und zweiten Leitungstyps entsprechend der Dotierung und Breite der Ladungskompensationszonen deutlich erhöht werden kann, womit der Durchlasswiderstand derartiger Halbleiterbauelemente vermindert wird. Vorzugsweise sind die Ladungskompensationszonen und die Driftzonen der Driftstrecke zwischen den Elektroden streifenförmig nebeneinander angeordnet. Diese vorteilhafte Ausfüh- rungsform der Erfindung ermöglicht, dass der mit monokristallinem Halbleitermaterial aufzufüllende zweite Driftzonentyp einen gradlinigen Strompfad zwischen den beiden Elektroden gewährleistet. Durch die streifenförmige Geometrie der Wände dieser Grabenstruktur ergeben sich in vorteilhafter Weise langgestreckte Ladungskompensationszonen in den Wänden der
Grabenstruktur. Andererseits ist es auch möglich, durch entsprechende Ätzmasken die Randstrukturen der Grabenwände in ihrer Längserstreckung zu unterbrechen und somit floatende und voneinander durch pn-Übergänge getrennte Ladungskompensa- tionssäulen bereitzustellen. Dieses erfordert lediglich einen weiteren Strukturierungsprozess der bereits komplementär dotierten Wände der Grabenstrukturen.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der Halbleiterkörper ein hochdotiertes Substrat des ersten oder des komplementären Leitungstyps auf, auf dem eine schwach- bis mitteldotierte Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps mit der Driftstrecke angeordnet ist. Dabei hängt der Leitungstyp des Substrats von dem Typ des herzustellenden HaIb- leiterbauelements ab. Für unipolare Halbleiterbauelemente weist das hochdotierte Substrat den gleichen Leitungstyp auf wie die Epitaxieschicht auf, während für bipolare Halbleiterbauelemente das hochdotierte Substrat einen komplementären Leitungstyp zu dem Leitungstyp der Epitaxieschicht bildet. Bei einem derartigen Halbleiterkörper erstrecken sich die Ladungskompensationszonen in Bezug auf ihre Tiefe von einer O- berseite des Halbleiterköpers bis zu einer Oberseite des Substrats . Wird jedoch in dem Halbleiterkörper zwischen der Driftstrecke und dem Substrat eine nicht strukturierte, schwachdotierte Sockelepitaxieschicht des ersten Leitungstyps angeordnet, dann erstrecken sich die Ladungskompensationszonen in Bezug auf ihre Tiefe von der Oberseite des Halbleiterkörpers bis zu einer Oberseite der Sockelepitaxieschicht. Dabei ist die Dicke der Sockelepitaxieschicht derart vorgesehen, dass die freien Ladungsträger bei Anliegen einer Sperrspannung durch den sich ausbildenden pn-Übergang vollständig oder zumindest teilweise ausgeräumt werden. Der Vorteil einer derartigen Sockelepitaxieschicht liegt einerseits darin, dass der Übergang von dem hochdotierten Substrat zu der schwachdotierten Sockelepitaxieschicht ein Abklingen von der hohen Konzentration an Störstellen des Substrats auf die geringe Konzentration der Dotierung in den Driftzonen bzw. der Sockelepitaxieschicht ermöglicht. Darüber hinaus hat eine solche Sockelepitaxie- Schicht .den.„Vorteil, dass.~die- Avalanche-Festigkeit erhöht wird.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleiterbauelement im Bereich der Driftstrecke quer zur Stromrichtung eine protonenimplantierte Schicht auf. Diese verursacht in den implantierten Bereichen eine zusätz- liehe Donatordotierung. Das hat den Vorteil, dass mit dieser protonenimplantierten Schicht die Spannungsfestigkeit des pn- Übergangs lokal und durch die Wahl der Implantationsparameter gezielt herabgesetzt wird, so dass eine höhere Avalanche- festigkeit durch diese zusätzliche vergrabene Dotierung er- zielt werden kann, was durch eine adäquate Protonenimplantation eingestellt werden kann. Besonders vorteilhaft lässt sich hier die Protonenimplantation nur im Zellenfeld der Driftstrecke einbringen, wenn gleichzeitig eine entsprechend dicke Polyimidschicht den Randbereich vor einer derartigen Protonenimplantation schützt. Automatisch erhält dann dadurch der Randbereich eine höhere Sperrfähigkeit als die Driftstrecke des Halbleiterbauelements.
Für eine Protonenimplantation wird vorzugsweise ein Linearbeschleuniger zum Erzeugen von n-dotierten Bereichen in einem Halbleiterbauelement verwendet, wobei insbesondere auch ein Erzeugen von n-dotierten Bereichen in Kompensationsstrukturen des Halbleiterbauelements vorgesehen ist.
Weiterhin ist es vorgesehen, dass der erste und/oder der zweite Driftzonentyp ein monokristallines Halbleitermaterial des ersten Leistungstyps mit substitutionell und/oder inter- stitiell angeordneten Fremdatomen aufweist, welche den Diffusionskoeffizienten der komplementär-dotierten Störzellen herabsetzt. Dieses hat den Vorteil, dass die komplementär- leitenden- Störstellen der auf -die Wandbereic-he der -Gräben - aufgebrachten Kompensationszonen, an einer Ausbreitung bzw. Diffusion in die benachbarten Driftzonentypen behindert wird.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der zweite Driftzonentyp ein epitaxial gewachsenes monokristallines Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps in der mit komplementär dotierten Wänden versehenen Grabenstruktur auf, wobei mit dem Aufwachsen der Epitaxie eine substitutionell und/oder interstitiell angeordnete Kohlenstoffkon- zentration [C] mit [C] ≤ 1 x 1020 cm"3 in die Epitaxieschicht eingebaut ist. Eine derartige Kohlenstoffkonzentration, die mit dem Aufwachsen des monokristallinen Halbleitermaterials in die Grabenstruktur eingebracht wird, hat den Vorteil, dass eine Ausdiffusion von Störstellen des komplementären Leitungstyps aus den Grabenwänden und in den zweiten Driftzonen- typ hinein behindert wird, da die Diffusionskonstante der komplementären Störstellen im monokristallinen Halbleiterma- terialgefüge durch eine derartige Kohlenstoffkonzentration deutlich vermindert wird. Praktisch stellt diese Kohlenstoff- konzentration eine Diffusionsbarriere dar und verlangsamt deutlich, dass sich beim Auffüllen der Grabenstruktur mit monokristallinem mitteldotiertem Halbleitermaterial die La- dungskompensationszone in dieses neu wachsende Material hinein durch Diffusion ausbreitet. Dieses gilt besonders, wenn der komplementäre Leitungstyp mit substitutioneil angeordneten Bor-Akzeptoren dotiert ist.
Die Kohlenstoffkonzentration in dem aufwachsenden monokristallinen Halbleitermaterial reduziert die Ausdiffusion des Bors, womit eine laterale Bordiffusion aus den Grabenwänden heraus in das wachsende halbleitende Siliziummaterial durch die Kohlenstoffkonzentration vermindert wird, was im Ergebnis eine Verminderung" des "DufchlässwiderStands ermöglicht . -Der- — gleiche diffusionshemmende Effekt kann anstelle von Kohlen- stoff auch mit einem geringen Anteil an Germanium erreicht werden, da auch Germanium einer Ausdiffusion von Bor in Silizium entgegenwirkt. Allerdings muss beim Einsatz von Germanium zur Verhinderung der lateralen Diffusion berücksichtigt werden, dass die Durchbruchfeldstärke von SiGe bei gleicher freier Weglänge der Ladungsträger wegen des geringeren Bandabstands ebenfalls reduziert ist.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der zweite Driftzonentyp ein monokristallines Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps in der mit komplementär dotierten
Wänden versehenen Grabenstruktur auf, wobei die Grabenstruktur nicht vollständig aufgefüllt ist und im oberen Bereich der Gräben eine Abschlussfüllung mit einem Isolationsmateri- al, vorzugsweise mit SiO2 aufweist. Eine derartige Struktur hat vor allem verfahrenstechnische Vorteile, da die Mo- nokristallinität im oberen Bereich der Grabenstruktur durch vorzeitiges Zuwachsen der Grabenstrukturöffnung zu Hohlräumen im auffüllenden monokristallinen Material führen kann.
Um dieses zu vermeiden, kann das Auffüllen der Grabenstruktur vorzeitig beendet werden, und die fehlende Abschlussauffüllung kann durch ein Isolationsmaterial vollendet werden, wo- bei die Gefahr der Hohlraumbildung bei derartigen Abschlussfüllungen geringer ist. Ferner beeinträchtigen Hohlräume bei Siθ2~Abschlussfüllungen nicht die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelements. Insbesondere die Sperrfähigkeit des Halbleiterbauelements bleibt gewährleistet, trotz Lunkern im Material der isolierenden Abschlussfüllung.
Weiterhin ist es vorgesehen, dass die komplementär dotierten Wände .der..Grabenstruktur zu dem .auffüllenden- monok-r-istalli-ne-n Halbleitermaterial des zweiten Driftzonentyps hin und/oder in der Grenze zum ersten Driftzonentyp eine diffusionshemmende monokristalline Schicht mit SixGeyCz aufweist, wobei x > y und x > z ist, und vorzugsweise die Schicht aus Sio,86 Geo,o7 Co,o7 besteht. Eine auf den Grabenwänden der Grabenstruktur abgeschiedene monokristalline Schicht dieser Zusammensetzung hat den Vorteil, dass sie deutlich eine Ausdiffusion der komplementären Störstellen behindert.
Da Germanium im Siliziumgitter größer ist und somit eine lokale Expansion des Gitters hervorruft, während Kohlenstoff gegenüber Silizium kleiner ist und eine lokale Gitterkompression hervorruft, ergibt sich insgesamt ein nahezu ausgeglichener Zustand, so dass das monokristalline Wachstum bei entsprechend geringen Anteilen an Germanium und Kohlenstoff, zu- mal wenn diese im Gleichgewicht stehen, relativ ungestört ist. Jedoch bewirken diese lokalen Gitter Verzerrungen, dass die Ausdiffusion von anderen substitutionellen Dotierstoffen behindert wird. Folglich sorgt auch diese Beschichtung der Grabenstruktur dafür, dass der komplementäre Dotierstoff hauptsächlich in den Grabenwänden verbleibt und kaum das monokristallin wachsende Halbleitermaterial des zweiten Driftzonentyps verunreinigt oder umdotiert. Um eine derartige Wirkung zu entfalten, sind Germanium und Kohlenstoff bevorzugt auf Siliziumkristallgitterplätzen substitutionell angeordnet.
Eine relativ unüberwindliche Diffusionsbarriere stellt kubisches SiC dar. Dieses kann auf die komplementär dotierten Wände der Grabenstruktur als diffusionshemmende kristalline Schicht aufgebracht sein. Dabei wird davon ausgegangen, dass das kubische SiC ein monokristallines Wachstum vom Bodenbereich der Grabenstruktur aus nicht behindert, zumal diese Beschichtung auf"die""Seitehwähde "der' "Grabenstruktur- begrenz-t werden kann. Ebenso kann kubisches SiC an der Innenseite der komplementär leitenden Schicht eingebracht sein.
Vorzugsweise weist das Halbleiterbauelement eine Randstruktur mit mindestens einem Randgraben als Randabschluss auf. Von dem Randgraben ist mindestens eine komplementär dotierte Randkompensationszone einer Grabenwand entlang dem Rand des
Halbleiterbauelements vorgesehen, die floatend sein kann. Dazu weist der angrenzende Graben zum Rand des Halbleiterbauelements hin monokristallin gewachsenes Halbleitermaterial auf. Dieses Halbleitermaterial weist seinerseits eine Rand- kontur auf, die durch Ätzung der im Randgraben aufgewachsenen Epitaxieschicht eine gekrümmte Kontur bildet. Diese gekrümmte Kontur erstreckt sich von der Oberseite des Halbleiterkörpers vorzugsweise bis in das Substrat im Bereich des monokristallinen Halbleitermaterials hinein.
Auf der Halbleiterschicht mit einer derartigen Kontur ist ei- ne Randpassivierungsschicht angeordnet. Eine derartige Randstruktur kann im Prinzip im Rahmen der Herstellung der Driftstrecke realisiert werden, wobei lediglich die oben beschrie- bene Ätzung im Randbereich und die Randpassivierungsschicht zusätzlich hinzukommen. Die Abscheidung und Strukturierung der Randpassivierungsschicht kann wiederum mit dem Aufbringen einer entsprechenden Passivierungsschicht auf das Halbleiterbauelemente abgestimmt werden. Somit ergeben sich für die Herstellung einer derartigen Randstruktur nur geringe zusätzliche Kosten und Fertigungsrisiken. Lediglich wenn, wie oben erwähnt, die Sperrfestigkeit in der Driftstrecke zur Erhöhung der Avalanchefestigkeit mittels einer Protonenimplantation geringfügig eingeschränkt wird, und die Randkompensationszone .durch—eine entsprechend vorbereitete Maskierung vor einer derartigen Protonenimplantation geschützt wird, kann die vol- Ie theoretische Sperrspannung im Randbereich aufrecht erhalten werden.
Vorzugsweise weist die Randpassivierungsschicht ein SiO2, ein Si3N4, ein DLC (diamand like carbon) , ein thermisch aufge- wachsenes Oxid und/oder ein SiC auf. Entscheidend für das Material der Randpassivierungsschicht ist seine spezifische Sperrfähigkeit, um sicherzustellen, dass beim Anliegen von Sperrspannungen keine Kurzschlüsse und/oder Kriechströme über die Randstruktur des Halbleiterbauelements möglich sind. Eine derartige Randstruktur ist auch von Vorteil, wenn das Halbleiterbauelement keine Ladungskompensationszonen in der Driftstrecke aufweist. In dem Fall wird die Randstruktur mit einem Randgraben ausgestattet, der eine Randkompensationszone mit Randkonturpassivierung aufweist, die floatend sein kann.
Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein hochdotierter Halbleiterwafer eines ersten oder eines komplementären Leitungstyps mit einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneter Halbleiterbauelementpositionen als Substrat für einen Halbleiterkörper bereitgestellt. Auf die- sen Halbleiterwafer wird dann eine Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps als Ausgangsmaterial für einen ersten Driftzonentyp aufgewachsen. In diese aufgewachsene Epitaxieschicht werden Grabenstrukturen in den Halbleiterbauelementpositionen des Halbleiterwafers eingebracht. Anschließend werden die Grabenstrukturwände mittels einer Dotierstoffschicht eines komplementären Leitungstyps für Ladungskompensationszonen dotiert. Danach erfolgt ein anisotropes Freiätzen des Bodenbereichs der G-rabe-nst-ruktur -und der Oberseiten der ersten- • ■ - - Driftzonentypen .
Nach dem anisotropen Freiätzen folgt ein Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps in der Grabenstruktur als Ausgangsmaterial für einen zweiten Driftzonentyp. Da bei diesem Aufwachsen auch auf der Obersei- te der Mesastrukturen zwischen den Grabenstrukturen eine Epitaxieschicht aufwächst, folgt nun ein Einebnen der Oberseite des Halbleiterwafers bis zu den aufgewachsenen Driftzonentypen zu einem Halbleiterkörper mit eingeebneter Oberseite und mit einer Driftstrecke, die zwei alternierend angeordnete Driftzonentypen des ersten Leitungstyps aufweist. Ein erster Driftzonentyp weist auf einem monokristallinen Substrat monokristallines Halbleitermaterial auf und ein zweiter Driftzonentyp umfasst monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur mit komplementär dotierten Wänden, wobei die komplementär dotierten Wände die Ladungskompensationszonen des Halbleiterbauelements darstellen.
Nach der Fertigstellung der Driftstrecken in den Halbleiterbauelementpositionen folgt auf dem Halbleiterwafer das Herstellen von Oberseitenstrukturen und Rückseitenstrukturen in und/oder auf dem Halbleiterkörper zur Fertigstellung der Halbleiterbauelemente. Anschließend kann der Halbleiterwafer in einzelne Halbleiterbauelemente aufgetrennt werden.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass insbesondere für vertikale Halbleiterbauelemente kein aufeinander Abscheiden von einer Mehrzahl von Epitaxieschichten erforderlich ist. Ferner kann mit diesem Verfahren auf das Herstellen von Implantationsmasken und die nachfolgenden Photolithographien und Implantationen für die Ladungskompensationszellen üblicher Haϊbleiterbauelemente verzichtet werden."' Auß-erdem -hat das-- - ■ - Verfahren den Vorteil, dass die aufgewachsene Epitaxieschicht optimal genutzt wird, da selbst die Gräben der Grabenstruktur für die Driftstrecke als zweiter Driftzonentyp eingesetzt werden können. Das ist bei allen bisherigen Verfahren weder vorgesehen, noch durchführbar.
Schließlich hat das Verfahren den Vorteil, dass lediglich ein begrenzter Bereich der Grabenwände für die Ausbildung von Ladungskompensationszonen eingesetzt wird. Durch entsprechende zusätzliche Strukturierungsmaßnahmen können sogar für vertikale Halbleiterbauelemente mit dem anisotropen Freiätzen des Bodenbereichs der Grabenstruktur oder durch einen zusätzlichen Ätzschritt Ladungskompensationszonen in den Grabenwänden auf einzelfloatende Ladungskompensationssäulen beschränkt werden, womit eine zusätzliche Fläche für die Driftstrecke zur Verfügung steht.
Ina Vergleich zu dem Herstellungsverfahren, wie es aus der Pa- tentschrift DE 101 32 136 Cl bekannt ist, können mit diesem Verfahren sehr dünne Ladungskompensationszonen realisiert werden, was zu einem besseren Durchlasswiderstand bei gleicher Spannungsfestigkeit führt. In den Ladungskompensationszonen wird die nötige Kompensationsladung bereitgehalten, al- so maximal die doppelte Durchbruchsladung in lateraler Richtung, damit die Ladung im Sperrfall vollständig ausgeräumt werden kann. Da die Kompensationszonen nicht ausdiffundiert werden müssen, wie das in der Patentschrift DE 101 32 136 Cl erforderlich ist, um eine durchgehende Kompensationssäule zu bilden, können sehr schmal ausgeführte Ladungskompensations- zonenstreifen und/oder Ladungskompensationszonensäulen hergestellt werden. Im Vergleich zum heutigen CoolMOS stehen also . höhere Flächenanteile- durch- den ersten-und zweiten Drif-tzel- lentyp für den Stromtransport zur Verfügung, was bei gleicher Dotierung in den Driftzellentypen bereits zu einem reduzierten Produkt aus Durchlasswiderstand x Querschnittsfläche (R0n x A) der Driftzellen führt.
Außerdem wirken sich die Photolack-Toleranzen der maskieren- den Grabenstruktur-Photolacktechnik bei Verwendung eines
Streifenlayouts nicht auf den Kompensationsgrad aus. Eine Abweichung des Lack- bzw. Graben-Ätzmaßes führt lediglich dazu, dass eine Kompensationszone zum linken Nachbarn einen etwas größeren Abstand aufweist als zum rechten Nachbarn. Das kann ' einen leichten Einfluss auf die Ausgangs- und die Rückwirkungskapazität des Halbleiterbauelementes haben, doch nicht auf die Ladungsträgerkompensation. Somit wirkt sich in vorteilhafter Weise die Photolithographie nicht begrenzend auf die Reduktion der Strukturgrößen, insbesondere auf die Reduktion der Breite der Ladungskompensationszonen aus. Eine Limitierung ergibt sich durch den Flächenbedarf der Driftstrecke selbst. Ebenfalls hat die Form des Grabens bzw. seine Brei- tenvariation in die Tiefe kaum Auswirkung auf den Kompensationsgrad.
Ein weiterer vorteilhafter Aspekt in Bezug auf die Toleranzen ergibt sich bei Betrachtung der Dicken- und Dotierungsschwan- kungen der Epitaxieabscheidung. Bei dem Epitaxiewachstum für herkömmliche Ladungskompensations-Halbleiterbauelemente muss mit Schwankungen von +/- 10% der abgeschiedenen Dosis (Dicke x Dotierstoffkonzentration) gerechnet werden, was bedeutet, dass dies über einen genügend kleinen Abstand der Ladungskom- pensationszonen oder entsprechend eine niedrigere Maximaldotierung vorzuhalten ist.
■ In einem-bevorzugten -Durchfü-h-rungsbeispiel- des - Verfahrens -- wird vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht des ersten Lei- tungstyps auf dem Halbleiterwafer eine schwachdotierte Sockelepitaxieschicht des ersten Leitungstyps aufgewachsen. Diese Verfahrensvariante hat den Vorteil, dass durch die Sockelepitaxie die Avalanche-Festigkeit erhöht wird. Da die Grabentiefe unmittelbar auf die Ladungskompensation im Bereich der So- ckelepitaxie einwirkt, ist es von Vorteil, Tiefenschwankungen der Grabenätzung genau zu kontrollieren, um sicherzustellen, das in jedem Fall die Sockelepitaxie bei der Grabenstrukturätzung erreicht wird. Dieses kann fertigungstechnisch durch eine interferometrische in-situ-Messung der Grabentiefe er- folgen, oder durch entsprechende Hilfsschichten, z. B. für die Endpunktkontrolle der Ätzung ermöglicht werden. Wird auf die Sockelepitaxie verzichtet, so kann eine nachfolgende Grabenätzung bis in das hochdotierte Substrat hinein erfolgen. Der Anteil des komplementär leitenden Gebietes der Ladungskompensationszonen, welcher sich in dem Substrat dann befindet, ist für die Ladungskompensation unerheblich. Bedeutsam ist lediglich der Anteil der Ladungskompensationszonen, welcher in der Epitaxieschicht eingebettet liegt und durch die Epitaxieschichtdicke vorgegeben ist. Schwankungen der Grabentiefe haben in diesem Fall einen vernachlässigbaren Einfluss auf die Ladungsträgerkompensation. Jedoch ist eine geringe Erhöhung im Durchlasswiderstand möglich, da der zweite Driftzonentyp dann in das hochdotierte n-Gebiet des Substrats reicht.
In einer weiteren bevorzugen Durchführung des Verfahrens wird vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps für den ersten Diffusionszonentyp auf dem Halbleiterwa- f-er bzw.- -auf der- Sockelepitaxieschicht e-ine strukturierte -
Hilfsschicht in Bereichen der zu ätzenden Gräben epitaxial aufgebracht. Diese Hilfsschicht ermöglicht einen Ätzstopp o- der eine Ätz-Endpunktkontrolle und weist vorzugsweise SixGey mit x > y oder SixGeyCz mit x > y und x > z auf. Da sowohl Germanium als auch Kohlenstoff vorzugsweise substitutionell in das Siliziumgitter eingebaut werden, stören sie nicht we- sentlich das epitaxiale Wachstum eines monokristallinen Halbleiterbereichs auf dem Halbleiterwafer .
Die Hilfsschichten bilden jedoch beim Ätzen in die aufgewachsene Epitaxieschicht einen Ätzstopp oder eine Endmarkierung, bei der sich das Ätzen der Gräben bei einem Nassätzprozess verlangsamen kann. Bei einem Trockenätzprozess in einem Plasma können beim Erreichen der Grabentiefe die auftretenden zerstäubten Germanium- und Kohlenstoffionen im Plasma detek- tiert werden, und ein entsprechender Ätzstopp des Trockenätzverfahrens kann veranlasst werden. Somit ist es bei dieser Verfahrensvariante möglich, eine sehr präzise Grabentiefe zu erreichen. Dazu ist die Zusammensetzung der strukturierten Hilfsschicht aus SixGeyCz mit vorzugsweise 0,86 ≤ x ≤ 1, y ≤ 0,07 und z ≤ 0,07 von Vorteil, da derart niedrige Konzentrationen von Germanium und/oder Kohlenstoff das monokristalline Wachstum nur geringfügig beeinflussen.
Ein weiterer Aspekt zur Bereitstellung einer Hilfsschicht besteht darin, vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps auf den Halbleiterwafer bzw. die Sockelepitaxieschicht eine strukturierte Hilfsschicht in Bereichen der zu ätzenden Gräben aufzubringen, die vorzugsweise ein Halbleiteroxid oder eine Halbleiternitridschicht aufweist, wobei die Struktur der Hilfsschicht in den Bereichen der zu ätzenden Gräben in einer derartigen Feinstruktur aufgebracht wird, dass" ein laterales monokristall-ines- Überwachsen der - Feinstruktur ermöglicht wird. Auch hier kann dann der Nach- weis von Sauerstoff oder Stickstoff beim Trockenätzen in einem Plasma zum Ätzstopp bzw. als Signal für die Tiefenkontrolle der Trockenätzung herangezogen werden.
Mit einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird vorgesehen, dass zum Einbringen der Grabenstruktur in die E- pitaxieschicht des ersten Leitungstyps eine Ätzmaske auf den Halbleiterwafer mit streifenförmigen Mustern im Bereich der Driftstrecke in den Halbleiterbauelementpositionen photolithographisch aufgebracht wird. Nach dem Aufbringen der Ätz- maske wird nun in die monokristallin gewachsene Epitaxieschicht die Grabenstruktur mittels einer anisotropen Ätzung eingebracht. Die anisotrope Ätzung sorgt dafür, dass die Grabenstruktur relativ senkrechte, geradlinige Seitenwände auf- DE2006/001879
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weist. In manchen Fällen ergeben sich auch tonnenförmige oder konische oder tief hinterschnittene Konturen für den Grabenquerschnitt, wobei diese Konturen die Einbringung und die Wirkungsweise der Ladungskompensationszonen in den Grabenwän- den nicht beeinträchtigen.
Die anisotrope Ätzung kann mit Hilfe einer anisotropen reaktiven Ionenätzung durchgeführt werden. Bei der reaktiven Ionenätzung werden Ionen eingesetzt, die nicht allein nur das Halbleitermaterial im Bereich der Grabenstruktur zerstäuben, sondern gleichzeitig durch eine chemische Reaktion mit dem Epitaxiematerial eine höhere Ätzrate in einer bevorzugten Richtung erreichen. Anstelle einer reaktiven Ionenätzung ist auch eine gerichtete Plasmaätzung möglich, bei der das Mate- rial der Grabenstruktur lediglich zerstäubt wird. Von besonderem Vorteil ist bei diesem Trockenätzverfahren, dass die Ätzung mit Endpunktdetektion durchgeführt werden kann. Diese Endpunktdeteiction ist durch 'die"oben "erwähnten" Hllfsschichten möglich, weil beim Ätzen in Reaktionsgas dann die freigesetz- ten Ionen der Hilfsschicht auftreten, so dass ein Ätzstopp fertigungstechnisch ausgelöst werden kann. Nach diesem selektiven Ätzen wird die Maske entfernt, sodass nun auf der Oberseite des Halbleiterwafers der erste Driftzonentyp vorliegt, der in Form von Mesastrukturen, die auch "Mesen" genannt wer- den, zwischen den eingebrachten Gräben vorliegt.
Für die Grabenätzung sind keine extrem hohen Aspektverhältnisse erforderlich, so dass das Verfahren über eine Reduktion der Grabenstrukturbreite eine weitere Möglichkeit der Minia- turisierung eröffnet. Die Grabenätzung wird vorzugsweise für einen Flankenwinkel von 90 Grad eingestellt. Es ist jedoch bekannt, dass sich tonnenförmige oder bauchige Querschnitte der Gräben ausbilden können. Diese bauchigen Gräben bleiben auch nach dem isotropen Aufwachsen des komplementären Halbleitermaterials auf die Grabenwände erhalten und bewirken, dass die folgende anisotrope Ätzung so gut wie kein komplementär leitendes Halbleitermaterial von den Grabenwänden bzw. 5 den nahezu vertikalen Flanken entfernen kann. Demnach kontrolliert nicht der Flankenwinkel die Kompensationsladung an den vertikalen Flanken, sondern hauptsächlich die Genauigkeit der aufgewachsenen oder eindiffundierten Schichtdicke in den vertikalen Flanken. Dieses ist ein deutlicher Vorteil gegen- 10 über bisher bekannten Verfahren zum Herstellen von Ladungs- kompensationszonen in Driftstrecken.
Vor dem Aufbringen der Ätzmaske kann zur Erhöhung der Verfahrenssicherheit, eine strukturierte Endpunktkontrollschicht
15 für die Rückätzung nach Epi-Auffüllung der geätzten Gräben aufgebracht werden. Diese Endpunktkontrollschicht wird auf die monokristalline Epitaxieschicht in den Bereichen aufge-
' "" ""bracht, die^in Form -von Mesen-na-ch -dem -Grabenätzen- -stehen - - bleiben. Die Endpunktkontrollschicht kann vorzugsweise, genau
20 so wie die oben erwähnte Hilfsschicht, aus einem Halbleiteroxid und/oder einem Halbleiternitrid und/oder einer SixGeyCz- Schicht mit x > y und x > z, vorzugsweise mit Sio,86 Geo,o7 Co,07 aufgebracht werden, wobei diese Endpunktkontrollschicht nur die Oberseiten des ersten Diffusionszonentyps bedeckt.
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Außerdem kann das Verfahren dadurch sicherer werden, wenn nach dem Einbringen der Grabenstruktur und vor dem Dotieren der Grabenwände die Oberflächen der Grabenstruktur chemisch gereinigt werden. Dazu können die Oberflächen des Halbleiter-
30 wafers auch oxidiert werden und anschließend die Oxidschicht durch entsprechende Nassätzungen weggeätzt werden. Schließlich ist es auch möglich, einen Wasserstoff-Temperschritt durchzuführen, der die Grabenwände vorteilhafterweise glättet.
Bei einer weiteren Variante des Verfahrens wird zunächst eine Epitaxieschicht auf dem Halbleitersubstrat mit einer schwachen Dotierung des ersten Leitungstyps abgeschieden. Diese schwache Dotierung der Mesen kann nach dem Einbringen der Grabenstruktur z. B. durch Dotierung aus der Gasphase zur Erhöhung der Konzentration des ersten Leitungstyps in den Mesen auf einen vorgegebenen Wert führen. Dieses hat den Vorteil, dass unabhängig von einzelnen Leistungshalbleitertypen eine einheitlich schwachdotierte Epitaxieschicht auf entsprechend einheitlich hochdotierten Wafern vorgegeben werden kann, und die eigentliche mittelhohe Konzentration in den ersten Diffu- sionszonentypen erst nach Einbringen der Gräben endgültig eingestellt und angepasst wird. Dieses vermindert auch die Kosten der Lagerhaltung und vereinfacht die Bevorratung von entsprechenden Haϊbleiterwafersubstffaten mit bereits aufgebrachter schwachdotierter Epitaxieschicht.
Vorzugsweise kann zum Dotieren der Grabenstrukturwände mittels einer DotierstoffSchicht zu Ladungskompensationszonen eine relativ hochdotierte, komplementär leitende, monokristalline Schicht epitaxial auf dem Halbleiterwafer aufgewach- sen werden. In diesem Fall ist der gesamte Halbleiterwafer mit einer entsprechend dünnen komplementär relativ hochdotierten Schicht belegt, so dass anschließend sowohl der Bodenbereich der Gräben, als auch der Oberseitenbereich der Mesen von dieser hochdotierten, komplementär leitenden Schicht befreit werden müssen. Dazu sind sowohl die Hilfsschichten, wie sie unmittelbar auf das Substrat aufgebracht wurden, als auch die Endpunktkontrollschichten auf den Mesen von Vorteil, da mit deren Unterstützung eine sehr genaue und präzise Ent- fernung der epitaktisch aufgewachsenen, komplementär hochdotierten Schicht im Bodenbereich, als auch im Oberseitenbereich der Mesen entfernt werden kann.
Schwankungen bei einer anisotropen Rückätzung der komplementär relativ hochdotierten Schicht im Bodenbereich haben einen vernachlässigbaren Einfluss auf die Ladungskompensation und auf den Durchlasswiderstand, weil die Dicke der zu ätzenden komplementär leitenden Schicht in der Größenordnung von bei- spielsweise 500 nm Dicke liegt. Demnach fallen zu erwartende Tiefenschwankungen im Bereich von 50 bis 100 nm im Vergleich zur Driftstreckenlänge, die bei beispielsweise 40 μm liegt und der Grabenstrukturtiefe entspricht, nicht mehr ins Gewicht .
Eine hochdotierte, komplementär leitende monokristalline Schicht zum Dotieren der Grabenstrukturwände zu Ladungskom- pensationszonen wird mit einer Dicke "d zwischen "" 100 nm ≤ d ≤ 1000 nm, vorzugsweise 200 nm < d ≤ 600 nm auf die Grabenstruktur aufgewachsen. Damit können relativ präzise sowohl die Konzentration der Störstellen in den Grabenstrukturwänden eingestellt werden, als auch die vorgesehenen Dicken für die Ladungskompensationszonen eingehalten werden.
Eine alternative Möglichkeit zu der epitaktischen Abscheidung von Ladungskompensationszonen auf den Grabenstrukturwänden ist das Dotieren der Grabenstrukturwände zu Ladungskompensationszonen mit Hilfe einer dotierten Glasschicht, die als eine Diffusionsvorbelegung auf die Flächen der Grabenstruktur abgeschieden wird, und nach dem Diffusionsvorbelegungsschritt wird die Glasschicht vollständig entfernt. Zum Entfernen der Glasschicht können isotrope, zu Silizium selektive Ätzverfah- ren eingesetzt werden, während zum Entfernen der dotierten Bodenschicht der Grabenstruktur sowie der dotierten Oberseite der Mesen anisotrope Ätzverfahren eingesetzt werden, um deutlich die Ladungskompensationszonen in den Grabenwänden wei- testgehend zu erhalten.
Neben der Möglichkeit der Abscheidung von Glasschichten zur Herstellung von Ladungskompensationszonen in den Grabenstrukturwänden besteht auch die Möglichkeit einer Dotierung der Grabenstrukturwände aus der Gasphase mit anschließender Nach- diffusion. Schließlich ist es möglich, zur Herstellung von Ladungskompensationszonen eine Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition) des Dotierstoffs auf den Flächen der Grabenstruktur mit anschließender teilweiser oder vollständiger Eindiffusion der abgeschiedenen Atomlagen in die Wände durch- zuführen.
Mit weiteren bevorzugten Varianten des Verfahrens kann ge- wahrl.eis.tet. werden.,., dass- -beim- epitaxia-len Abscheiden von monokristallinem Halbleitermaterial in den Gräben eine Ausdif- fusion der eingebrachten Dotierstoffe aus den Grabenwänden behindert wird. Dazu ist es vorgesehen, nach dem Dotieren der Grabenstrukturwände zu Ladungskompensationszonen diffusions- hemmende, monokristalline Hilfsschichten auf den Flächen der Grabenstruktur aufzubringen, die in Aufbau und Zusammenset- zung den als Hilfsschichten oben bereits im Detail diskutierten Materialien entsprechen oder einfach eine n-dotierte Si- Schutzschicht darstellen. Das besondere der Hilfsschichten ist es, dass sie das monokristalline Wachstum in den Gräben für einen zweiten Driftzellentyp nicht behindern.
Eine darüber hinaus gehende Variante, eine diffusionshemmende Schicht auf der Oberseite der Grabenstruktur anzubringen, besteht darin, ein amorphes Silizium oder ein Siliziumkarbid, vorzugsweise ein kubisches Siliziumcarbid oder ein Siliziumgermanium auf den Flächen der Grabenstruktur in einer Dicke 10 nm ≤ d ≤ 300 nm, vorzugsweise 50 nm ≤ d ≤ 150 nm abzuscheiden oder unterhalb der komplementär leitenden Schicht 5 einzubringen. Das amorphe Silizium, das bereits bei Temperaturen unter 350 0C auf den Grabenstrukturwänden isotrop abgeschieden werden kann, hat den Vorteil, dass es bereits bei 700 0C, also noch vor der Temperatur, die erforderlich ist, um monokristallines Silizium aus der Gasphase in den Graben- 10 Strukturen aufzuwachsen, selber in die kristalline Form des Siliziums übergeht.
Dabei wird davon ausgegangen, dass aufgrund dieser minimalen Dicke zwischen 10 nm ≤ d ≤ 300 nm die amorphe Siliziumschicht
15 vollständig und einheitlich in eine monokristalline Siliziumschicht umgewandelt wird, die dann als Keimschicht für das Aufwachsen von monokristallinem Halbleitermaterial in der
- - - Gr-abenst-rukt-ur für -den zweiten -Dr-iftzellentyp -zur Verfügung steht. Diese diffusionshemmende Schicht ist lediglich für die
20 Grabenstrukturwände von Nutzen, um ein Ausdiffundieren der in die Wandstruktur eingebrachten Störstellen zu verhindern. Somit ist es sinnvoll, sowohl den Boden der Grabenstruktur, als auch die Oberseiten der Mesen von diesem Material durch ein anisotropes Trockenätzverfahren zu befreien. Die möglichen
25 anisotropen Trockenätzverfahren wurden bereits oben ausführlich diskutiert und werden hier nicht erneut erörtert.
In einem bevorzugten Durchführungsbeispiel des Verfahrens werden vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxie-
30 schicht des ersten Leitungstyps in der Grabenstruktur die
Grabenstrukturwände derart geätzt, dass sie eine Schräge aufweisen, so dass die Breite der Grabenstruktur an der Oberseite des Halbleiterwafers größer ist, als im Bodenbereich der Grabenstruktur. Dieser trapezförmige Querschnitt der Grabenstruktur hat den Vorteil, dass beim Aufwachsen des monokristallinen mitteldotierten Halbleitermaterials für den zweiten Driftzonentyp ein vorzeitiger Verschluss der Oberseite der Grabenstruktur verhindert wird.
Weiterhin werden vorzugsweise vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur die Grabenwände (14, 15) derart geätzt, dass sie eine Wölbung aufweisen, so dass die Breite an der Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) ungefähr gleich zu der Breite im Bodenbereich (30) der Grabenstruktur (13) ist und die Grabenstruktur dabei in etwa tonnenförmig hinterschnitten ist. Daher wird in vorteilhafter Weise das monokri- stalline Wachstum gestoppt, bevor die Grabenbreite der Oberseite geschlossen ist, so dass der tonnenförmige Mittenbereich für weitere Prozessschritte zugänglich bleibt.
Darüber hinaus werden vorzugsweise vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (22) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur (13) die Grabenwände (14, 15) derart geätzt, dass sie eine Schräge aufweisen, so dass die Breite der Grabenstruktur (13) an der Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) kleiner als im Bodenbereich (30) der Grabenstruktur (13) wird. Diese Verfahrensvariante hat den
Vorteil, dass vor dem Zuwachsen der Grabenstruktur an der O- berseite das monokristalline Wachstum gestoppt werden kann, und der breitere Bodenbereich der Grabenstruktur für weitere Prozessschritte zugänglich bleibt.
Schließlich ist es vorgesehen, dass die erste Epitaxie oder zum Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps in der Grabenstruktur als Ausgangsmaterial für einen zweiten Driftzonentyp das Epitaxiematerial mit Kohlenstoff bis zu einer Konzentration [C] mit [C] ≤ 1 x 1020 cm" 3 oder einem gleichwirkenden Element dotiert wird. Mit dieser Verfahrensvariante wird erreicht, dass die Epitaxieschicht selbst, welche die Grabenstruktur auffüllt, als diffusions- hemmende Schicht gegen eine Ausdiffusion von Störstellen aus den komplementär hochdotierten Grabenwänden wirkt.
Schließlich ist es vorgesehen, in einem Verfahrensbeispiel beim Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht des ersten Leitungstyps in der Grabenstruktur als Ausgangsmaterial für einen zweiten Driftzonentyp die Grabenstruktur nicht vollständig mit Epitaxiematerial zu befüllen und eine Oxidauffüllung als Abschluss der Grabenstruktur vorzusehen. Das hat den Vorteil, dass der kritische Abschluss des Auffüllens der Grabenstruktur von einem Oxidmaterial abhängt, wobei Hohlräume, die bei dieser Oxidauffüllung entstehen, sich we- niger- kritisch auf- die Eigenschaften des- Leistungshalbleiterbauteils auswirken, als wenn im oberen Grabenstrukturbereich Lunker oder Hohlräume in dem monokristallinen Halbleitermaterial auftreten. Dabei hat es sich bewährt, diese Verfahrensvariante vorzugsweise für Grabenstrukturen mit tonnenförmigem und/oder sich zur Grabentiefe hin vergrößerndem Querschnitt der Gräben einzusetzen.
Alternativ kann die Grabenstruktur mit eigenleitendem Polysi- lizium aufgefüllt sein. In diesem Fall wird ein Bauelement verwirklicht, das eine hochohmige Verbindung zwischen dem Source- und dem Draingebiet ermöglicht, so dass die oben er- wähnten Vorteile voll zur Geltung kommen.
Nach dem Auffüllen der Grabenstruktur liegt ein Halbleiterwa- fer mit einer extrem unebenen Oberseite vor. Diese Unebenheit der Oberseite ist jedoch für die Weiterverarbeitung zu einem Halbleiterbauelement nicht von Vorteil. Vielmehr wird nun ein Einebnungsschritt der Oberseite des Halbleiterwafers zu einem Halbleiterkörper mit eingeebneter Oberseite und mit einer Rückseite durchgeführt. Dazu wird vorzugsweise zunächst eine nivellierende Photolackschicht auf die unebene Oberseite aufgebracht. Bei der Auswahl des Materials der Photolackschicht wird darauf geachtet, dass der Selektivitätsfaktor gegenüber dem Halbleitermaterial der Driftzellentypen in Verbindung mit den gewählten Ätz- bzw. Abtragverfahren nahezu 1 ist. Das heißt, dass der Abtrag beim Einebnen der nivellierten Oberseite aus einer Photolackschicht vollkommen gleichförmig und gleichmäßig in den Abtrag des unebenen Halbleitermaterials übergehen kann. Dabei wird beim Einebnen der Oberseite des Halbleiterwafers bis zu den aufgewachsenen Driftzonentypen, sowohl das Photolackmaterial, als auch das Epitaxiematerial entsprechend rückgeätzt. Ein alternatives Verfahren wäre CMP .(chemical-.mechanical- polishing)-. -- • _ ._ _ . _.
In einem weiteren bevorzugten Durchführungsbeispiel des Verfahrens, wird nach dem Einebnen der Oberseite des Halbleiterwafers dieser mit einer z. B. im Randbereich maskierten Protonenimplantation von der eingeebneten Oberseite aus beaufschlagt. Diese Protonenimplantation kann auch von der Rück- seite des Halbleiterwafers aus durchgeführt werden. Nach dem Einbringen der Protonenimplantation wird ein Ausheilen des Halbleiterwafers bei Temperaturen T mit 350 0C < T < 500 0C durchgeführt. Diese Protonenimplantation liefert insbesondere im Driftstreckenbereich der beiden Driftzellentypen den Vor- teil, dass die Avalanchefestigkeit des gesamten Halbleiterbauelements verbessert wird. Die Protonenimplantation kann dabei nicht nur unmittelbar nach dem Einebnen, sondern auch später im Herstellprozess erfolgen. Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert .
Figur 1 zeigt einen schematisehen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement, gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Figuren 2 bis 12 zeigen Prinzipskizzen zu einzelnen Verfah- rensschritten, bei der Herstellung des Halbleiterbauelements, gemäß Figur 1/
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hochdotiertes Substrat nach Aufbringen einer Sockelepitaxieschicht und einer Epitaxieschicht für einen ersten Driftzonentyp;
,Figur,3_ . z.eigt einen schematischen Querschnitt dur-ch ein hochdotiertes Substrat nach Aufbringen einer Sockelepitaxieschicht und einer strukturierten Hilfs- schicht ;
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das hochdotierte Substrat gemäß Figur 2, nach Einbringen einer Grabenstruktur in die Epitaxieschicht;
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das hochdotierte Substrat gemäß Figur 4, nach Aufwachsen einer komplementär relativ hochdotierten monokristallinen Epitaxieschicht auf den Oberseiten der Grabenstruktur; Figur 6 zeigt ein Schema für die Herstellung eines zweiten Driftzonentyps aus monokristallinen Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur mit komplementär dotierten Grabenstrukturwänden, die Ladungskompensa- tionszonen bilden, mit drei Varianten zur Herstellung von komplementär dotierten Grabenstrukturwänden;
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat gemäß Figur 5, nach Freiätzen des Bodenbereichs der Grabenstruktur und der Oberseite der me- saförmigen ersten Driftzonentypen;
Figur 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat gemäß Figur 7, nach Aufwachsen eines monokristallinen Halbleitermaterials in den Grabenstrukturen für einen zweiten Driftzonentyp;
Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat gemäß Figur 8, nach Nivellieren der Oberseite des Halbleiterkörpers mittels einer Photolackschicht;
Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat gemäß Figur 9, nach Rückätzen der Oberseite des Halbleiterkörpers;
Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
Substrat mit einer Variante des Halbleiterkörpers und Rückätzen der Oberseite;
Figur 12 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß Figur 1; Figuren 13 bis 20 zeigen Prinzipskizzen zu einzelnen Verfahrensschritten, bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Figur 13 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hochdotiertes Substrat nach Aufbringen einer Epitaxieschicht für einen ersten Driftzellentyp;
Figur 14 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
Substrat gemäß Figur 13, nach Einbringen einer Grabenstruktur und Aufbringen einer hochdotierten, komplementär leitenden Schicht in den Grabenstrukturwänden für Ladungskompensationszonen;
Figur 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
_Substrat gemäß Figur 1.4, nach -Aufbringen, einer dif- fusionshemmenden Schicht in der Grabenstruktur;
Figur 16 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
Substrat gemäß Figur 15, nach Aufbringen einer Endpunktkontrollschicht auf den Oberseiten der Mesen und Freilegen des Grabenbodens;
Figur 17 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
Substrat gemäß Figur 16, nach Aufwachsen eines monokristallinen Halbleitermaterials in der Grabenstruktur für einen zweiten Driftzonentyp;
Figur 18 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das
Substrat gemäß Figur 17, nach Rückätzen der Oberseite des Halbleiterkörpers; Figur 19 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Figuren 20 bis 26 zeigen schematische Querschnitte durch den Randbereich eines Halbleiterbauelements beim Herstellen einer Randstruktur;
Figur 20 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den
Randbereich des Halbleiterbauelements mit Substrat, Sockelepitaxieschicht und Epitaxieschicht;
Figur 21 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich gemäß Figur 20, nach Einbringen einer
Grabenstruktur mit einem Randgraben;
Fig.ur 22 zeigt einen -scherαatxschen- .Querschnitt .durch- den . Randbereich gemäß Figur 21, nach Einbringen einer komplementär leitenden Schicht und einer diffusi- onshemmenden Schicht auf den Grabenwänden;
Figur 23 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den
Randbereich der Figur 22, nach Auffüllen der Gra- benstruktur mit monokristallinem Halbleitermaterial für einen zweiten Driftzonentyp und für eine Randstruktur;
Figur 24 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich gemäß Figur 23, nach Rückätzung der
Oberseite des Halbleiterkörpers und Freilegen einer Randkontur; Figur 25 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den
Randbereich gemäß Figur 24, nach Aufbringen einer Randpassivierungsschicht;
Figur 26 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine alternative Randstruktur.
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Halbleiterbauelement 1 weist in einem Halbleiterkörper 4 eine Driftstrecke 5 zwischen zwei Elektroden 6 und 7 auf. Die Driftstrecke 5 zwischen den Elektroden 6 und 7 stellt mit einem ersten Leitungstyp n einen Strompfad zwischen den Elektroden 6 und 7 bereit. Ferner weist die Drift- strecke 5 Ladungskompensationszonen 11 eines komplementären
Leitungstyps p auf, die den Strompfad der Driftstrecke 5 einengen. In der Driftstrecke 5 sind zwei alternierend angeordnete _Driftzonentypen .9 und .10 angeordnet, wobei..ein .erster -- Driftzonentyp 9 auf einem monokristallinen Substrat 12 mono- kristallines Halbleitermaterial aufweist und der zweite
Driftzonentyp 10 weist monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur 13 mit komplementär dotierten Grabenstrukturwänden 14 und 15 auf, wobei die komplementär dotierten Wände 14 und 15 die Ladungskompensationszonen 11 aufwei- sen.
Das hier dargestellte Halbleiterbauelement 1 ist beispielsweise ein vertikaler Feldeffektleistungstransistor . Die erfindungsgemäße Driftstrecke 5 mit Ladungskompensationsstruk- tur 3 in den Wänden 14 und 15 der mit monokristallinem Halbleitermaterial aufgefüllten Gräben kann jedoch auch für laterale Hochspannungsfeldeffekttransistoren eingesetzt werden. Mit einer derartigen erfindungsgemäßen Driftstrecke können auch bipolare Leistungstransistoren ausgestattet sein. In diesem Fall ist die Driftstrecke, nicht wie in Figur 1 gezeigt, auf einem hochdotierten Substrat gleichen Leitungstyps wie die Driftzonen aufgebaut, sondern das hochdotierte Sub- strat ist komplementär leitend zu den Driftzonen dotiert.
Auch bipolare IGBT-Transistoren (Isolated Gate Bipolar Transistors) oder PN~N+~Dioden, sowie Schottky-Dioden können diese Driftstreckenstruktur mit Ladungskompensationszonen 11 in Grabenstrukturwänden 14 und 15 aufweisen.
Bei der in Figur 1 gezeigten Ausführungsform der Erfindung reicht die Grabenstruktur 13 nicht bis an das hochdotierte Substrat 12 heran, sondern es ist zwischen dem hochdotierten Substrat 12 und der Driftstrecke 5 eine schwachdotierte So- ckelepitaxieschicht angeordnet. Eine derartige Sockelepitaxieschicht dient dazu, die Avalanchefestigkeit zu verbessern. Bei diesem Halbleiterbauelement 1 mit vertikaler Driftstrecke 5 sind in Oberseitennähe--der Oberseite 18 -des Halbleiterkör-- - pers 4, komplementär leitende Bodyzonen 39 angeordnet, die beim Anlegen eines Durchschaltpotentials an eine Gateelektrode 8 mit Ladungsträgern überschwemmt werden, und den Strompfad zwischen der Source-Elektrode 6 und der Drain-Elektrode 7 in den Driftzonen 9 und 10 durchschalten.
Dabei wird durch die äußerst schmalen in den Grabenstrukturwänden 14 und 15 angeordneten Ladungskompensationszonen 11 der Ladungskompensationsstruktur 3 eine erhöhte Störstellenkonzentration in den Driftzonen 9 und 10 zugelassen, welche den Durchlasswiderstand im Durchschaltbetrieb des Halbleiter- bauelements 1 deutlich verringert. Zu einem verminderten
Durchlasswiderstand trägt auch die geringe Querschnittsfläche und damit der geringe Volumenanteil, den die erfindungsgemäße Ladungskompensationsstruktur 3 im Vergleich zu den Durch- schaltvolumina der Driftzonentypen 9 und 10 darstellt, bei.
Die Figuren 2 bis 12 zeigen Prinzipskizzen zu einzelnen Ver- fahrensschritten bei der Herstellung des Halbleiterbauelements 1 gemäß Figur 1.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hochdotiertes Substrat 12 nach Aufbringen einer Sockelepitaxie- schicht 20 auf die Substratoberseite 19 und nach Aufbringen einer weiteren mitteldotierten Epitaxieschicht 17 auf die O- berseite 21 der schwachdotierten Sockelepitaxieschicht 20. Dabei weisen sowohl das hochdotierte Substrat 12, als auch die schwachdotierte Sockelepitaxieschicht 20 und die mittel- dotierte Epitaxieschicht 17 zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauteils 1 der ersten Ausführungsform der Erfindung, den gleichen ersten Leitungstyp auf. Wie die nachfol- genden Figuren- zeigen/ -kann-der erste Dri-ftzonentyp aus der mitteldotierten Epitaxieschicht 17 durch Einbringen einer Grabenstruktur konstruiert werden.
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hochdotiertes Substrat 12 nach Aufbringen einer Sockelepitaxieschicht 20 und einer strukturierten Hilfsschicht 32. Diese Hilfsschicht 32 wird noch vor dem Aufbringen der mitteldotierten Epitaxieschicht 17 auf die Oberseite 21 der Sockelepitaxieschicht 20 aufgebracht, um für das Ätzen einer Grabenstruktur eine Kontrollschicht vorzusehen. Dazu werden in die Kontrollschicht bzw. in die Hilfsschicht Elemente einge- bracht, die bei einem Trockenätzverfahren der Grabenstruktur in dem freigesetzten Material nachweisbar sind. Als Hilfs- schichten können auch Materialien auf der Oberseite 21 der Sockelepitaxieschicht abgeschieden werden, die das monokri- stalline Wachstum der mitteldotierten Epitaxieschicht 17 nicht weiter stören und eine Ätzstoppschicht darstellen, in der sich der Ätzvorgang deutlich verlangsamt.
Eine derartige Hilfsschicht 32 kann monokristallines Material aufweisen, das SixGeyCz aufweist, wobei x > y und x > z ist, und vorzugsweise eine Zusammensetzung aus Si0,86 Geo,o7 Co,07 vorgesehen ist. Andere Kontroll- oder Ätzstoppschichten können Oxide oder Nitride des Halbleitermaterials in fein struk- turierter Form aufweisen, das heißt, dass die Feinstruktur einer derartigen Hilfsschicht 32 ein laterales, monokristallines Überwachsen der fein strukturierten Hilfsschicht 32 zu- lässt. Schließlich besteht auch die Möglichkeit, durch selektive Kohlenstoffimplantation in die Oberseite 21 der Sockele- pitaxieschicht 20, eine Hilfsschicht 32 zu erzeugen, die kubisch flächenzentrierte SiC-Cluster aufweist, welche als Endpunktkontrollschicht und/oder Ätzstoppschicht für das Ein- " " bringen der--Grabenstruktur dienen -können-. - - .
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das hochdotierte Substrat 12 gemäß Figur 2, nach Einbringen einer Grabenstruktur 13. Dabei ist die in Figur 3 gezeigte Hilfsschicht im Bodenbereich 30 beim Einbringen der Grabenstruktur 13 gleich mit entfernt worden. Von der in Figur 2 bzw. Figur 3 gezeigten mittelhochdotierten Epitaxieschicht 17 des ersten Leitungstyps n bleiben nach dem Einbringen der Grabenstruktur 13 Mesastrukturen, auch "Mesen" 35 genannt, mit einer Oberseite 34 übrig. Damit ist der erste Driftzonentyp 9 mit einer mittelhohen Dotierung des ersten Leitungstyps n auf dem Sub- strat 12 fertiggestellt. Als nächstes sind nun die komplementär dotierten Ladungskompensationszonen auf den Grabenstrukturwänden 14 und 15 herzustellen. Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das hochdotierte Substrat 12 gemäß Figur 4, nach Aufwachsen einer komplementär hochdotierten, monokristallinen Epitaxieschicht 36 auf den Oberseiten der Grabenstruktur 13, sowie auf der Oberseite 34 der Mesen 35. Diese dünne Epitaxieschicht 36 mit einer Dicke d zwischen 100 nm ≤ d ≤ 1000 nm, vorzugsweise 200 nm < d ≤ 600 nm kann im Bereich der zu bildenden Driftstrecke 5 für eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen 1 auf einem Halbleiterwafer aufgebracht werden, zumal sämtliche O- berflächen dieser Struktur von monokristallinem Halbleitermaterial gebildet werden.
In der Ausführungsform, wie sie in Figur 5 gezeigt wird, ist die Dicke d 500 nm. Diese Dicke d definiert auch die Breite bκ der auf den Grabenstrukturwänden 14 und 15 aufgebrachten Ladungskompensationszonen 11. In diesem Ausführungsbeispiel entspricht die Höhe h der Mesen 35 der Grabentiefe t der Gra- benstfüktur 13. "Die Wände 1~4 und 15 der Grabenstruktur -13, - die hier geradlinig gezeigt sind, können sich auch schräg nach oben öffnen, so dass die Grabenstruktur 13 im Bereich der Oberseite 34 der Mesen 35 breiter ist, als im Bodenbereich 30. Der Querschnitt der Gräben kann auch tonnenförmig ausgebildet sein; diese unterschiedlichen Ausführungsformen der Wandkontur der Wände 14 und 15 hängen teilweise mit den unterschiedlichen Ätztechniken zusammen. Vorzugsweise wird ein anisotropes Ätzen durch eine entsprechende Ätzmaske hindurch ausgeführt.
Figur 6 zeigt ein Schema für die Herstellung eines zweiten Driftzonentyps aus monokristallinem Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur mit komplementär dotierten Grabenstrukturwänden, die Ladungskompensationszonen bilden, mit drei Varianten zur Herstellung von komplementär dotierten Grabenstruk- turwänden. Diese drei Varianten sind mit den Ziffern 1, 2 und 3 bezeichnet.
Die erste Variante 1 ist ein Aufwachsen einer komplementär leitenden Epitaxieschicht auf die Oberflächen der entstandenen Grabenstruktur nach der Grabenstrukturätzung, wie es bereits in Figur 5 gezeigt ist. Die zweite Variante besteht darin, auf der Grabenstruktur Borsilikatglasabscheidungen vorzusehen. Nach der Abscheidung eines Borsilikatglases wird eine thermische Vorbelegung durchgeführt, die auch als RTP- Vorbelegung ausgeführt werden kann (Rapid Thermal Processing) , was ausreicht, um eine ausreichende Anzahl von Boratomen mit hoher Konzentration in die Grabenstrukturwände eindringen zu lassen. Anschließend wird das Borsilikatglas durch eine Borsilikatglasätzung entfernt.
Eine dritte Variante besteht darin, zunächst Boratomlagen bzw; --Bor—hal-tϊge- Verbindungen---in -Moleküllagen abzuscheiden-, die ebenfalls einer thermischen Vorbelegung unterworfen wer- den. Anschließend wird eine Rückätzung durchgeführt, um lediglich die bei der thermischen Vorbelegung eingedrungene hohe Konzentration an Boratomen in den Grabenstrukturwänden zu belassen. Die dabei entstehende Dicke bzw. Breite der La- dungskompensationszonen in den Grabenstrukturwänden wird durch die Eindringtiefe des Bors in das monokristalline Halbleitermaterial des ersten Driftzonentyps definiert.
Nach dem Einbringen bzw. dem Aufwachsen von Material mit komplementärem Leitungstyp wird durch Ätzen des Grabenbodens so- wie durch Rückätzen der Oberseiten der Mesen die hochdotierte Schicht aus komplementär leitendem Material auf die Grabenstrukturwände begrenzt. Um zu verhindern, dass beim Auffüllen der Grabenstruktur mit monokristallinem Halbleitermaterial dieses Halbleitermaterial durch Ausdiffusion von komplementären Störstellen aus den Grabenwänden verunreinigt oder dotiert wird, wird in einem weiteren, in Figur β gezeigtem Fertigungsschritt, eine diffusionshemmende Schicht auf den Strukturwänden abgeschieden.
Die diffusionshemmende Schicht kann ein Material aufweisen, wie es bereits oben für die Hilfsschichten erörtert wurde. Außerdem ist es möglich, eine amorphe Siliziumschicht auf den Grabenwänden abzuscheiden, die auch unterhalb der Temperaturen der epitaktischen Abscheidung von monokristallinem Halbleitermaterial sich selbst bei etwa 700 0C in kristallines Material umwandelt, und somit die monokristalline Information überträgt. Ein derartiger, sogenannter Cap-Layer hat den Vor- teil, dass er die Ausdiffusion von Störstellen aus dem Wandbereich behindert, jedoch die Ausbildung und das Aufwachsen von monokristallinem Siliziummaterial von dem Boden der Gra- benstrüktür "ausgehend nicht beeinträchtigt-. Dieser-JLetzte - . Schritt in dem in Figur 6 gezeigten Diagramm, nämlich das Aufwachsen einer n-Epitaxieschicht in der Grabenstruktur liefert den zweiten Driftzonentyp, der zusammen mit dem ersten Driftzonentyp eine Driftstrecke zur Verfügung stellt, die nun abzüglich der äußerst schmalen Kompensationszonen vollständig für den Strompfad in Halbleiterbauelementen zur Verfügung steht.
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat 12 gemäß Figur 5, nach Freiätzen des Bodenbereichs 30 der Grabenstruktur 13 und der Oberseite 34 des mesaförmigen ersten Driftzonentyps 9. Die gestrichelte Linie 40 an den Grabenwänden 14 und 15 in Figur 7 zeigt die oben erwähnten unterschiedlichen Wandbeschichtungen, Rückätzungen und diffu- sionshemmenden Ausführungen der Wandstruktur für das Einbrin- gen des zweiten Driftzonentyps in die Grabenstrukturen 13. Zusätzlich können die Grabenwände 14 und 15 der Grabenstruktur 13 vor dem Einbringen einer monokristallinen Halbleitermaterialfüllung chemisch gereinigt werden, oder oxidiert und anschließend geätzt oder reduziert werden, und schließlich ist es möglich, die Grabenwände für eine monokristalline Abscheidung durch einen Wasserstoff-Temperschritt zu glätten.
Figur 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 12 gemäß Figur 7, nach Aufwachsen eines monokristallinen Halbleitermaterials in den Grabenstrukturen 13 für einen zweiten Driftzonentyp 10. Dabei werden auch die Oberseiten der Mesen 35 des ersten Driftzonentyps 9 von monokristallinem Material überwachsen, so dass sich eine relativ zerklüftete Oberseite 18 für den Halbleiterkörper 4 ergibt. Diese unebene und zerklüftete Oberseite 18 wird mit nachfolgenden Verfahrensschritten eingeebnet.
Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 12 gemäß Figur 8, nach einem Nivellieren der Oberseite 18 des Halbleiterkörpers 4 mittels einer Photolackschicht 37. Photolackschichten können auf einen Halbleiterwafer mit unebener Oberfläche 18 aufgebracht werden, und dabei aufgrund ihrer zähviskosen Eigenschaften Unebenheiten zunächst eineb- nen. Nach dem Aushärten der Photolackschicht können derartige Photolacke eine Selektivität zum Halbleitermaterial von 1 erreichen, so dass beim Rückätzschritt der nivellierende Photolack und das Halbleitermaterial in gleicher Weise abgetragen werden. Anstelle einer Photolackschicht 37 können als pla- narisierende Schichten auch andere Materialien, beispielsweise spin-on-glas verwendet werden. Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat 12 gemäß Figur 9, nach Rückätzen der Oberseite 18 des Halbleiterkörpers 4. Aufgrund der in Figur 9 gezeigten nivellierten Photolackschicht entsteht nun auch eine rückgeätzte Oberseite 18 des Halbleiterkörpers 4, die vollständig eingeebnet ist. Nach dem Einebnen können nun Oberseitenstrukturen und Rückseitenstrukturen in und/oder auf dem Halbleiterkörper zur Fertigstellung des Halbleiterbauelements in entsprechende Halbleiterbauelementpositionen eines Halbleiterwafers einge- bracht werden.
Figur 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat 12 nach dem Rückätzen der Oberseite 18 mit einer Variante des Aufbaus des Halbleiterkörpers 4. Bei dieser Variante des Halbleiterkörpers 4 ist auf der Oberseite 19 des hochdotierten Substrats 12 keine Sockelepitaxieschicht vorgesehen. Das hat den Vorteil, dass ein Epitaxieschritt bei der Ferti- gung. eingespart werden kann.., Dieses._kann für ..einige Halblei- . terbauelementtypen von Vorteil sein, zumindest in Bezug auf die Kosten der Herstellung. Bei einem groben Vergleich des
Fertigungsaufwands für ein Halbleiterbauelement zwischen dem erfindungsgemäßen Verfahren und der Herstellung eines "Cool- MOS" für eine Sperrspannung von etwa 600 V wird das Aufbringen von Epitaxieschichten stark reduziert, insbesondere wird die Anzahl der Photoebenen deutlich vermindert, die einen erheblichen Fertigungs- und Zeitaufwand erfordern.
Figur 12 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, gemäß Figur 1. Komponenten mit glei- chen Funktionen wie in Figur 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Ein Unterschied zu Figur 1 sind lediglich die gestrichelten Linien 40 in den Bereichen der zweiten Driftzonentypen 10, welche die besonde- ren Herstellungsvarianten des zweiten Driftzonentyps 10 andeuten.
Figuren 13 bis 20 zeigen Prinzipskizzen zu einzelnen Verfah- rensschritten, bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Figur 13 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hochdotiertes Substrat 12 nach Aufbringen einer Epitaxie- schicht 17 für einen ersten Driftzellentyp. Das mit einer derartigen Epitaxieschicht 17 unmittelbar auf dem hochdotierten Halbleitersubstrat 12 hergestellten Halbleiterbauelement der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauelement der ersten Ausführungsform dadurch, dass keine Sockelepitaxieschicht vorgesehen ist. Wird folglich auf die Sockelepitaxieschicht, wie in der zweiten Ausführungsform der Erfindung, verzichtet, so kann die Grabenätzung bis in ■das ■ hochdotierte- -Subs-t-r-a-t hinei-n -e-r-fol-gen. Der Anteil der. komplementär dotierten Gebiete für die Ladungskompensations- zonen, welcher sich dann im Substrat befindet, ist für die Ladungskompensation unerheblich.
Relevant für die Ladungskompensation ist lediglich der Teil der Ladungskompensationszone, welcher sich in dem Driftstre- ckengebiet befindet, was durch die Schichtdicke W der Epitaxieschicht 17 vorgegeben ist. Schwankungen der sich dann ergebenden Grabentiefe bei der nachfolgenden Grabenätzung haben in diesem Fall keinen Einfluss auf die Ladungskompensation, jedoch wird die Verbesserung des Durchlasswiderstandes bei starken Tiefenschwankungen geringer ausfallen, da jede zweite Driftzone der Driftstrecke mit Hilfe des zweiten Driftzonentyps realisiert ist und dann bis ins Substrat reicht. Figur 14 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub¬ strat 12 gemäß Figur 13, nach Einbringen einer Grabenstruktur 13 und Aufbringen einer hochdotierten, komplementär leitenden Schicht 36 für Ladungskompensationszonen 11 in den Graben- strukturwänden 14 und 15. Die verschiedenen Varianten eine derartige, komplementär leitende Schicht 36 zu erzeugen, wurden bereits oben bei der Herstellung der ersten Ausführungsform im Detail erörtert, was deshalb hier nicht wiederholt wird.
Figur 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Substrat 12 gemäß Figur 14, nach Aufbringen einer diffusionshem- menden Schicht 23 in der Grabenstruktur 13. Bevor jedoch diese diffusionshemmende Schicht 23 aufgebracht wird, sind so- wohl der Bodenbereich der Grabenstruktur 13, als auch die O- berseite 34 der Mesen 35 von der komplementär und hoch leitenden Schicht 36 befreit worden.
Je nachdem, aus welchem Material die diffusionshemmende Schicht 23 aufgebaut ist, kann diese auf den Oberseiten 34 stehen bleiben, und wird im Bodenbereich 30 selektiv durch eine anisotrope Ätzung entfernt, um sicherzustellen, dass monokristallines Material zum Aufwachsen des zweiten Driftzonentyps als Keimfläche zur Verfügung steht. In dieser Ausfüh- rungsform der Erfindung wird als diffusionshemmende Schicht 23 ein monokristallin aufgewachsenes SixGeyCz eingesetzt, wobei x > y und x > z ist, und die Zusammensetzung vorzugsweise aus Sio,86 Ge0,07 Co, 07 besteht. Dabei sorgt das größere Germaniumatom im Siliziumgitter für eine lokale Expansion und das Kohlenstoffatom für eine lokale Kompression, so dass bei ausgeglichener Anzahl von Germanium- und Kohlenstoffatomen im Siliziumgitter sich die Gitterverzerrungen aufheben und ein monokristallines Wachstum von Silizium in den Grabenstrukturen 13 nicht behindern.
Figur 16 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 12 gemäß Figur 15, nach Aufbringen einer Endpunktkon- trollschicht 33 auf den Oberseiten 34 der Mesen 35 und nach Freilegen des Grabenbodens 30. Damit ist eine Voraussetzung für ein sicheres monokristallines Wachstum einer Driftzone eines zweiten Driftzonentyps geschaffen, zumal der Bodenbe- reich 30 völlig frei von diffusionshemmenden Schichten ist. Gleichzeitig wird durch die Endpunktkontrollschicht 33 auf der Oberseite 34 der Mesen 35 des ersten Driftzonentyps 9 erreicht, dass nach dem Auffüllen der Grabenstruktur 13 ein Rückätzen der Oberfläche 18 des Halbleiterkörpers 4 durch die Endpunktkontrollschicht 33 signalisiert wird.
Figur 17 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- -stra-t 12 gemäß - Figur- 16-, nach- Aufwachsen -eines mono-kri-s-tall-i-- nen Halbleitermaterials in den Grabenstrukturen 13 für einen zweiten Driftzonentyp 10. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Das besondere bei diesem monokristallinen Wachstum vom Bodenbereich 30 der Grabenstruktur 13 aus liegt darin, dass die Seitenwände eine diffusionshemmende Schicht 23 aufweisen, die in ihrer
Grundstruktur ebenfalls monokristallin aufgebaut ist, jedoch als substitutioneile Atome Kohlenstoff und Germanium in einem Anteil bis zu 0,07, das heißt, bis zu 7 Atome Germanium und 7 Atome Kohlenstoff auf 86 Atome Silizium bilden das Gitter.
Wie oben bereits erwähnt, heben sich die durch diese Atome unterschiedlicher Größe gegenüber den Siliziumatomen verursachten Gitterverzerrungen soweit auf, dass das monokristal- line Wachstum vom Bodenbereich 30 des Grabens aus von den Seitenrändern nicht wesentlich beeinträchtigt wird. Dazu ist es jedoch auch hilfreich, wie hier geschehen, dass der Bodenbereich 30 völlig von einer diffusionshemmenden Beschichtung durch anisotropes Ätzen freigelegt wird. Es können jedoch auch andere Materialien für die diffusionshemmende Beschichtung 23, wie ein Cap-Layer aus amorphem Silizium oder eine Schicht aus Siliziumkarbid, als diffusionshemmende Schicht auf den Grabenstrukturwänden abgeschieden werden, jedoch kön- nen diese diffusionshemmenden Schichten Gitterversetzungen und andere Kristalldefekte in dem monokristallin aufwachsenden Halbleitermaterial 22 in der Grabenstruktur 13 verursachen.
Der Einsatz unterschiedlicher Materialien für die Endpunktkontrollschicht ist weniger kritisch, zumal das darüber sich bildende Halbleitermaterial bis zur Endpunktkontrollschicht 33 und auch darüber hinaus in- einem nächsten- Verfahrens-- — schritt zurückgeätzt wird. Da die Oberseite 18 des Halblei- terkörpers 4 relativ uneben nach dem Auffüllen der Gräben mit monokristallinem Halbleitermaterial ist und für das Aufbringen der erforderlichen Oberseitenstrukturen für die verschiedenen Halbleiterbauelementtypen nicht geeignet erscheint, wird zunächst die Oberseite 18 mit einer entsprechenden Lack- schicht bzw. Planarisierungsschicht nivelliert und anschließend, wie oben bereits erwähnt dann gleichmäßig zurückgeätzt, wie es die Figur 18 zeigt.
Figur 18 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Sub- strat 12 gemäß Figur 17, nach Rückätzen der Oberseite 18 des Halbleiterkörpers 4. Nach dem Rückätzen der Oberfläche 18 des Halbleiterkörpers 4 liegen nun alternierend nebeneinander angeordnet Diffusionszonen des ersten und zweiten Diffusionszo- nentyps 9 bzw. 10, wobei sich der Diffusionszonentyp 9 vom Diffusionszonentyp 10 dadurch unterscheidet, dass die Ia- dungskompensationszonenbildenden Wände 14 und 15 zusätzlich eine diffusionshemmende Schicht 23 aufweisen, die der Diffu- sionszonentyp 9 nicht besitzt.
Figur 19 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 2, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Dazu wurden weitere Oberseitenstrukturen und Rück- Seitenstrukturen in und/oder auf dem Halbleiterkörper 4 zur Fertigstellung eingebracht, wobei die zweite Ausführungsform der Erfindung sich von der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Figur 1 dadurch unterscheidet, dass auch die Gate- Struktur für die Gate-Elektrode G in einer Grabenstruktur verwirklicht wird, wobei die Grabentiefe für die Gate- Struktur lediglich geringfügig größer ist, als die Eindringtiefe der schwach komplementär leitenden Bodyzone 39.
Die Figuren 20 bis 26 zeigen schematische Querschnitte durch den Randbereich 38 eines Halbleiterbauelements beim Herstellen einer Randstruktur 24. Skizziert ist ein Randabschluss für ein Bauelement nach Figur 1. Selbstverständlich kann ein solcher Randabschluss auch für Bauelemente nach Figur 19 realisiert werden.
Figur 20 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich 38 des Halbleiterbauelements 1 mit Substrat 12, mit Sockelepitaxieschicht 19 und Epitaxieschicht 17, in welche die Grabenstruktur eingebracht werden soll. Dieses ent- spricht den Darstellungen in den Figuren 2 und 13 und stellt nun den Rand 27 des Halbleiterbauelements dar. Dieser Rand 27 wird mit einem Randgraben 25 versehen. Figur 21 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich 38 gemäß Figur 20, nach Einbringen einer Grabenstruktur 13 mit einem Randgraben 25. Der Randgraben 25 wird genau so, wie die Grabenstruktur 13 bis zu dem Bodenbereich 30 auf der Oberseite 21 der Sockelepitaxieschicht 20 durch selektives anisotropes Ätzen eingebracht. Insofern benötigt die Ausbildung einer speziellen Randstruktur für derartige Bauteile keine Sonderfertigungsschritte.
Figur 22 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den
Randbereich 38 gemäß Figur 21, nach Einbringen einer komplementär leitenden Schicht 16 in die Grabenwände 14 und 15, und einer diffusionshemmenden Schicht 23 auf die Grabenwände 14 und 15. Somit ist sichergestellt, dass ein Ausdiffundieren der komplementär leitenden Grabenwände 14 und 15 in das monokristallin wachsende Material in der Grabenstruktur 13 und in dem Randgraben 25 behindert wird.
Figur 23 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich 38 der Figur 22, nach Auffüllen der Grabenstruktur mit monokristallinem Halbleitermaterial 22 für einen zweiten Driftzonentyp 10 und gleichzeitigem Auffüllen des Randgrabens 25. Da das Rückätzen durchaus nasschemisch und isotrop erfolgen kann, ist es möglich, den Rückätzschritt zu nutzen, um eine gekrümmte Randkontur im aufgefüllten Randgraben 25 zu erreichen.
Figur 24 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich 38 gemäß Figur 23, nach Rückätzung der Oberseite 18 des Halbleiterkörpers 4 und Freilegen einer Randkontur 28 im Randgraben 25. Um sicherzustellen, dass die Randkontur 24 bis in das hochdotierte Substrat 12 reicht, ist ein weiterer Ätzschritt erforderlich, der nicht gleichzeitig mit dem Gra- benstrukturätzen durchführbar ist, da die Sockelepitaxieschicht 20 für die Randstruktur 24 entfernt werden muss. Nach diesem zusätzlichen Ätzschritt bis auf die Oberseite 19 des hochdotierten Substrats 12 steht eine Randkontur 28 zur Ver- fügung, die in Zusammenwirken mit der Randkompensationszone 26, die floatend sein kann, derart vorbereitet ist, dass die Randkontur 28 nun passiviert werden kann.
Figur 25 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Randbereich 38 gemäß Figur 24, nach Aufbringen einer Randpas- sivierungsschicht 29. Diese Randpassivierungsschicht 29 sorgt nun dafür, dass keine Kriechströme im Randbereich die Eigenschaften des Halbleiterbauelements beeinflussen. Diese Randpassivierungsschicht 29 kann ein Halbleiteroxid, ein Halblei- ternitrid, ein diamantartiger Kohlenstoff, ein Siliziumkarbid aufweisen, oder falls derartige Passivierungsschichten auch auf dem Halbleiterbauelement erfolgen müssen, können diese herangezogen werden,, um auch die ..Randpassivierungsschicht - zu - bilden. So können auch Polyimidschichten, falls sie für das Halbleiterbauelement erforderlich werden, für diese Passivie- rung eingesetzt werden.
Figur 26 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine alternative Randstruktur 24. Diese unterscheidet sich von der Randstruktur gemäß Figur 25 dadurch, dass keine Sockelepitaxieschicht vorgesehen ist. Außerdem eignet sich diese Randstruktur 24 auch für laterale Hochspannungshalbleiterelemente, die nicht unbedingt nach dem Kompensationsprinzip arbeiten. Bei diesen wird im Randbereich, wie Figur 26 zeigt, ein tiefer Graben erzeugt, der vorzugsweise etwa so tief oder etwas tiefer reicht, als später die Raumladungszone . Anschließend wird eine komplementär leitende Dotierung an der Grabenoberfläche eingebracht, die entweder über Implantation oder Eindiffusion, oder durch epitaktisches Aufwachsen erzeugt werden kann. Danach wird über diese komplementär do- tierte Schicht eine Schicht des ersten Leitungstyps epitaktisch abgeschieden. Alternativ kann diese Dotierung auch über eine Implantation oder Vorbelegung mit anschließender Eindif- fusion erfolgen. Dazu sollte das komplementär leitende Gebiet elektrisch mit einem niedrigen Potential, wie dem Source- Potential verbunden werden. Die Dotierung der im Randgraben aufgewachsenen Epitaxieschicht ist analog zu einem Kompensationsbauelement gewählt und liegt somit deutlich höher, als die Dotierung der Drift- bzw. der Basiszone im aktiven Bauelementbereich .
Die Dimensionierungen und Strukturierung der Epitaxieschicht gelten auch für den Randbereich, insbesondere muss eine hinreichend, gute Komp.ensa.tion von komplementär -und -mit ersten- Leitungstypen versehenen Schichten im Rand gegeben sein, wo- bei in lateraler Richtung die Durchbruchsladung der jeweiligen n-leitenden und p-leitenden Gebiete nicht überschritten werden sollte. Durch eine erhöhte Konzentration des ersten Leitungstyps in dem Randbereich wird die Sensitivität gegen Oberflächenladungen reduziert, und somit existieren mindere Anforderungen an die Passivierung. Andererseits kann durch den Verzicht einer Protonenimplantation im Randbereich dafür gesorgt werden, dass der Überspannungsschutz im Randbereich gegenüber der Sperrspannungsgröße im Driftstreckenbereich verbessert ist. Bezugszeichenliste
1 Halbleiterbauelement (1. Ausführungsform)
2 Halbleiterbauelement (2. Ausführungsform) 3 Ladungskompensationsstruktur
4 Halbleiterkörper
5 Driftstrecke
6 Source-Elektrode
7 Drain-Elektrode 8 Gate-Elektrode
9 Driftzone, 1. Driftzonentyp
10 Driftzone, 2. Driftzonentyp
11 Ladungskompensationszone
12 monokristallines Substrat 13 Grabenstruktur
14 Wand der Grabenstruktur
15 Wand der Grabenstruktur 16 .„komplementär leitende- Schicht auf Grabenstrukturwänden
17 mitteldotierte Epitaxieschicht 18 Oberseite des Halbleiterkörpers
19 Oberseite des Substrats
20 Sockelepitaxieschicht
21 Oberseite der Sockelepitaxieschicht
22 aufgefülltes monokristallines Halbleitermaterial 23 diffusionshemmende Schicht
24 Randstruktur
25 Randgraben
26 Randkompensationszone
27 Rand des Halbleiterbauelements 28 Randkontur
29 Randpassivierungsschicht
30 Bodenbereich der Grabenstruktur
31 Rückseite des Halbleiterkörpers 32 strukturierte Hilfsschicht
33 Endpunktkontrollschicht
34 Oberseite der Mesen
35 Mesen 36 hochdotierte monokristalline Epitaxieschicht auf Grabenstrukturwand
37 nivellierende Photolackschicht
38 Randbereich
39 p-leitende Bodyzone 40 gestrichelte Linie
D Drain-Elektrode
G Gate-Elektrode
S Source-Elektrode h Höhe der Mesen t Grabentiefe
W Schichtdicke der Epitaxie

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur, wobei das Halbleiterbauelement (3) in einem Halbleiter- körper (4) eine Driftstrecke (5) zwischen zwei Elektroden (6, 7) aufweist, und die Driftstrecke (5) Driftzonen (9, 10) eines ersten Leitungstyps (n) aufweist, die einen Strompfad zwischen den Elektroden (6, 7) in der Driftstrecke (5) bereitstellen, und Ladungskompensati- onszonen (11) eines komplementären Leitungstyps (p) aufweist, die den Strompfad der Driftstrecke (5) einengen, wobei die Driftzonen (9, 10) zwei alternierend angeordnete epitaxial aufgewachsene Driftzonentypen des ersten Leitungstyps (n) aufweisen, einen ersten Driftzonentyp (9), der auf einem monokristallinen Substrat (12) monokristallines Halbleitermaterial aufweist und einen zweiten Driftzonentyp (10), der monokristallines Halbleiter- mat.er.iaj...in...einer. Grabenstruktur (13)- mit- -komplementär- - dotierten Wänden (14, 15) aufweist, wobei die komplemen- tär dotierten Wände (14, 15) die Ladungskompensationszo- nen (11) bilden.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis V zwischen der Breite bκ der Ladungskom- pensationszonen (11) quer zu dem Strompfad und der Breite bD der Driftzonen (9, 10) quer zu dem Strompfad bκ/bD = v ≤ 0, 1 ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite (bκ) der Ladungskompensationszonen (11) durch die Eindringtiefe eines Dotierstoffes des komplementären Leitungstyps (10) in Driftzonenmaterial des ersten Driftzonentyps (n) definiert ist, wobei die Eindringtiefe in Wandbereichen (14, 15) von epitaxial mit monokristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps (p) aufgefüllten Grabenstrukturen (13) , die sich in Strompfadrichtung erstrecken, angeordnet ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite (bκ) der Ladungskompensationszonen (11) durch eine epitaxiale Aufwachsdicke einer monokristallinen Halbleitermaterialschicht des komplementären Leitungstyps (p) definiert ist, die auf Wandbereichen (14, 15) von epitaxial mit monokristallinem Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps (n) aufgefüllten Grabenstrukturen (13) , die sich in Strompfadrichtung erstrecken, angeordnet ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungskompensationszonen (11) und die Driftzonen (9, 10) streifenförmig nebeneinander zwischen den Elektroden (6, 7) angeordnet sind.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils eine streifenförmige Driftzone (9, 10) von zwei streifenförmigen Ladungskompensationszonen (11) in Strompfadrichtung in ihrer Breite (bD) quer zum Strompfad begrenzt sind.
7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, , dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (4) ein hochdotiertes Substrat (12) des ersten (n) oder des komplementären (p) Leitungstyps aufweist, auf dem eine schwach bis mitteldotierte Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) mit der Driftstrecke (5) angeordnet ist.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Ladungskompensationszonen (11) in ihrer Tiefe (t) von einer Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) bis zu einer Oberseite (19) des Substrats (12) erstre- cken.
9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, _._ .... .. . . dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (4) zwischen der Driftstrecke (5) und dem Substrat (12) eine nicht strukturierte schwachdotierte Sockelepitaxieschicht (20) des ersten Leitungstyps (n) aufweist.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Ladungskompensationszonen (11) in ihrer Tiefe (t) von einer Oberseite (18) des Halbleiterköpers (4) bis zu einer Oberseite (21) der Sockelepitaxieschicht (20) erstrecken.
11. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement (1) im Bereich der Driftstrecke (5) quer zur Stromrichtung eine mittels Protonenimplantation dotierte Schicht des ersten Leitungstyps auf- weist, die höher dotiert ist, als die umgebenden Driftzonen (9, 10) und im Bereich der Ladungskompensationszo- nen (11) eine verminderte Netto-Konzentration der substitutioneilen Störstellen des komplementären Leitungstyps (p) aufweist.
12. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und/oder der zweite Driftzonentyp (9, 10) ein monokristallines Halbleitermaterial (22) des ersten Leitungstyps (4) aufweisen, in dem substitutioneil und/oder interstitiell Fremdatome angeordnet sind, welche den niffusionskoeffizi.en.ten der ..komplementär (p)- - - dotierenden Störstellen herabsetzen.
13. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Driftzonentyp (10) ein monokristallines HaIb- leitermaterial (22) des ersten Leitungstyps (n) in der mit komplementär dotierten Wänden (14, 15) versehenen Grabenstruktur (13) eine substitutioneil und/oder interstitiell angeordnete Kohlenstoffkonzentration [C] bis zu [C] ≤ 1 x 1020 cm"3 aufweist.
14 . Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s der zweite Driftzonentyp (10) ein monokristallines HaIb- leitermaterial des ersten Leitungstyps (n) in der mit komplementär dotierten Wänden (14, 15) versehenen Grabenstruktur (13) aufweist, wobei die Grabenstruktur (13) nicht vollständig aufgefüllt ist und in dem oberen Bereich der Gräben (13) eine Abschlussfüllung eines Isolationsmaterials, vorzugsweise eine Siθ2-Abschlussfüllung aufweist ..
15. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die komplementär dotierten Wände (14, 15) der Grabenstruktur (13) zu dem auffüllenden monokristallinen HaIb- leitermaterial (22) des zweiten Driftzonentyps (10) hin eine diffusionshemmende monokristalline Schicht (23) mit SiκGeyCz aufweist, wobei x > y und x > z ist, vorzugswei- s.e mit. Sio,86-Geo-, 07 Co,o7 • ■ • - -
16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass Germanium und Kohlenstoff auf Siliziumkristallgitterplätzen substitutionell angeordnet sind.
17. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den komplementär dotierten Wänden (14, 15) der Grabenstruktur (13) und dem auffüllenden monokristalli- nen Halbleitermaterial (22) des zweiten Driftzonentyps
(10) hin eine diffusionshemmende Schicht (23) vorgesehen ist, wobei diese diffusionshemmende Schicht (23) in den komplementär dotierten Wänden (14, 15) und/oder in dem auffüllenden Halbleitermaterial (22) angeordnet ist.
18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, wobei als diffu- sionshemmende Schicht (23) amorphes Silizium oder SiIi- ziumcarbid, insbesondere kubisches Siliziumcarbid, oder Siliziumgermanium vorgesehen ist.
19. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement eine Randstruktur (24) mit mindestens einem Randgraben (25) als Randabschluss aufweist .
20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Randstruktur (24) .mindestens eine komplementär- do-- tierte Randkompensationszone (26) einer Grabenwand (14) des Randgrabens (25) entlang dem Rand (27) des Halbleiterbauelements (1) aufweist, wobei der angrenzende Graben (25) zum Rand (27) des Halbleiterbauelement (1) hin monokristallin gewachsenes Halbleitermaterial (22) aufweist, wobei die komplementär dotierte Randkompensati- onszone floatend sein kann.
21. Halbleiterbauelement nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Randstruktur (24) eine Randkontur (28) zum Rand (27) des Halbleiterbauelements (1) hin aufweist, die durch isotrope und/oder anisotrope Ätzung der im Randgraben (25) aufgewachsenen Epitaxieschicht (22) eine gekrümmte Kontur aufweist, die sich von der Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) vorzugsweise bis in das Substrat (12) im Bereich des monokristallinen Halbleitermaterials (22) erstreckt, wobei auf der Halbleiterschicht eine
Randpassivierungsschicht (29) angeordnet ist, die der Randkontur (24) angepasst ist.
22. Halbleiterbauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Randpassivierungsschicht (29) ein Halbleiteroxid, ein Halbleiternitrid, ein DLC, ein thermisch gewachsenes Oxid und/oder ein Siliziumkarbid aufweist.
23. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 19 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein Halbleiterbauelement ohne Ladungskompensationszone in einer Driftstrecke die Randstruktur (24) mit Randgraben (25) , Randkompensationszone, die floatend sein kann, . (26) .und. Randkonturpassi-vierung (29)- aufweist - -- -
24. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen (1), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:
Bereitstellen eines hochdotierten Halbleiterwafers eines ersten (n) oder eines komplementären (p) Lei- tungstyps mit einer Vielzahl in Zeilen und Spalten angeordneter Halbleiterbauelementpositionen als Substrat (12) eines Halbleiterkörpers (4); Aufwachsen einer Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) auf den Halbleiterwafer als Aus- gangsmaterial für einen ersten Driftzonentyp (9);
Einbringen einer Grabenstruktur (13) in den Halbleiterbauelementpositionen; Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) mittels einer Dotierstoffschicht eines komplementären Leitungstyps (p) für Ladungskompensationszonen (11) ; anisotropes Freiätzen des Bodenbereichs (30) der Grabenstruktur (13) und der Oberseiten (18) der ersten Driftzonentypen (9);
Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (22) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur (13) als Ausgangsmaterial für einen zwei- ten Driftzonentyp (10) .
25. Verfahren nach Anspruch 24 mit folgenden zusätzlichen Schritten:
Einebnen der Oberseite (18) des Halbleiterwafers bis zu den aufgewachsenen Driftzonentypen (9, 10) zu einem Halbleiterkörper (4) mit eingeebneter O- berseite (18 ) ;
Herstellen von OberseitenstruJcturen und Rücksei-ten- strukturen in und/oder auf dem Halbleiterkörper (4) zur Fertigstellung der Halbleiterbauelemente (1) in den Halbleiterbauelementpositionen des Halbleiterwafers;
Auftrennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterbauelemente (1).
26. Verfahren nach Anspruch 24 oder Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) auf den Halbleiterwafer eine schwachdo- tierte Sockelepitaxieschicht (21) des ersten Leitungstyps (n) aufgewachsen wird.
27. Verfahren nach Anspruch 24 oder Anspruch 25 oder Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) auf den Halbleiterwafer bzw. auf die
Sockelepitaxieschicht (21) eine Hilfsschicht (32) in Bereichen der zu ätzenden Gräben (13) epitaxial eingebracht wird, die einen Ätzstopp ermöglicht und vorzugsweise SixGey mit x > y oder SixGeyCz mit x > y und x > z aufweist.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet , das s eine Zusammensetzung der Hilfsschicht (32) mit 0,86 < x < 1, y < 0,07 und z < 0,07 eingehalten wird.
29. Verfahren nach Anspruch 24 oder Anspruch 25 oder Anspruch 26, . - - - - - dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) auf den Halbleiterwafer bzw. auf die Sockelepitaxieschicht (21) eine strukturierte Hilfsschicht (32) in Bereichen der zu ätzenden Gräben (13) aufgebracht wird, die einen Ätzstopp ermöglicht und vor- zugsweise ein Halbleiteroxid oder Halbleiternitrid aufweist, wobei die Struktur der Hilfsschicht in den Bereichen der zu ätzenden Gräben (13) in einer derartige Feinstruktur aufgebracht wird, dass ein laterales monokristallines Überwachsen der Feinstruktur ermöglicht wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einbringen der Grabenstruktur (13) in die Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) eine Ätzmaske auf den Halbleiterwafer mit streifenförmigen Mustern im Bereich der Driftstrecke (5) in den Halbleiterbauele- mentpositionen photolithographisch aufgebracht wird.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einbringen der Grabenstruktur (13) eine anisotrope und/oder isotrope Ätzung der Grabenstruktur (13) erfolgt .
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einbringen der Grabenstruktur (13) eine anisotrope reaktive lonenätzung durchgeführt wird.
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis -32, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einbringen der Grabenstruktur (13) eine gerichtete Plasmaätzung durchgeführt wird.
34. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einbringen der Grabenstruktur (13) eine gerichtete Plasmaätzung mit Endpunktdetektion durchgeführt wird.
35. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass die photolithographische Maske entfernt wird, und die
Oberseite des Halbleiterwafers einen ersten Driftzonentyp (9) mit den hergestellten Mesen (35) zwischen den Gräben (13) bildet.
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der Ätzmaske eine strukturierte End- punktkontrollschicht (33) vorzugsweise aus einem Halbleiteroxid und/oder einem Halbleiternitrid und/oder eine SixGeyCz-Schicht mit x > y und x > z, vorzugsweise mit Sio, 86 Geo,o7 Co, o7. aufgebracht wird, welche die Oberseiten der ersten Diffusionszonentypen (9) bedeckt.
37. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 36, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Einbringen der Grabenstruktur (13) und vor dem Dotieren der Grabenwände (14, 15) die Oberflächen der Grabenstruktur (13) chemisch gereinigt werden.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 37,
_ . . dadurch g.e k..e n n -z e-i ch-n e-t , --da-s-s - - -- -- • -- - nach dem Einbringen der Grabenstruktur (13) und vor dem Dotieren der Grabenwände (14, 15) die Oberfläche des Halbleiterwafers oxidiert und anschließend die Oxidschicht weggeätzt wird.
39. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 38, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Einbringen der Grabenstruktur (13) und vor dem Dotieren der Grabenwände (14, 15) diese mittels eines Wasserstoff-Temperschrittes geglättet werden.
40 . Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 39 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s nach dem Einbringen der Grabenstruktur (13) und vor dem Dotieren der Grabenwände (14, 15) mit einem komplementä- ren Leitungstyps (p) eine Dotierung der Mesen (35) aus der Gasphase zur Anpassung und Erhöhung der Konzentration des ersten Leitungstyps (n) in den Mesen (35) erfolgt.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass zum Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu La- dungskompensationszonen (11) eine relativ hochdotierte, komplementär leitende monokristalline Schicht (36) epi- taxial auf dem Halbleiterwafer aufgewachsen wird.
42. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass eine relativ hochdotierte komplementär leitende monokristalline Schicht (36) zum Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu Ladungskompensationszonen (11) mit ei- ner Dicke- d zwischen 100 -nm ≤- d ≤ -1000 ran, vorzugsweise
200 nm ≤ d ≤ 600 nm aufgewachsen wird.
43. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass zum Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu La- dungskompensationszonen (11) eine dotierte Glasschicht auf dem Flächen der Grabenstruktur (13) abgeschieden wird, und nach einem Diffusionsschritt die Glasschicht entfernt wird.
44. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass zum Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu La- dungskompensationszonen (11) eine Vordotierung aus der Gasphase mit anschließender Nachdiffusion erfolgt.
45. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass zum Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu La- dungskompensationszonen (11) eine Atomlagenabscheidung auf den Flächen der Grabenstruktur (13) mit anschließender Eindiffusion in die Wände erfolgt.
46. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu Ladungskompensationszonen (11) diffusionshemmende monokristalline Hilfsschichten (23) auf den Flächen der Grabenstruktur (13) aufgebracht werden, die in Aufbau und Zusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 24 bis 27 vorgesehen werden.
,..
47.. -Verfahren- nach einem der- -Ansprüche 24 bi-s 46, ----- dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Dotieren der Grabenstrukturwände (14, 15) zu Ladungskompensationszonen (11) eine diffusionshemmende Schicht (23) auf den Flächen der Grabenstruktur in einer Dicke 10 nπi ≤ d ≤ 300 nm, vorzugsweise 50 nm < d ≤ 150 nm abgeschieden wird.
48. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 47, dadurch gekennzeichnet, dass zum anisotropen Freiätzen des Bodenbereichs (30) der Grabenstruktur (13) und/oder der Oberseiten (34) der Me- sen (35) der ersten Driftzonentypen (9) ein Trockenätzverfahren gemäß einem der Ansprüche 28 bis 31 eingesetzt wird.
49. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (22) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur (13) die Grabenwände (14, 15) derart geätzt werden, dass sie eine Schräge aufweisen, so dass die Breite an der Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) ungefähr gleich zu der Breite im Bodenbereich (30) der Grabenstruktur (13) ist und die Grabenstruktur dabei in etwa tonnenför- mig hinterschnitten ist.
50. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (22) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur
(13) die Grabenwände (14, 15) derart geätzt werden, dass sie eine Schräge aufweisen, so dass die Breite der Gra- ~~ benstrüktur" "("13)" an "der Oberseite- -(18) -des --Halbleiterkörpers (4) kleiner als im Bodenbereich (30) der Graben- struktur (13) wird.
51. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (22) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur
(13) die Grabenwände (14, 15) derart geätzt werden, dass sie eine Schräge aufweisen, so dass die Breite der Grabenstruktur (13) an der Oberseite (18) des Halbleiterkörpers (4) größer als im Bodenbereich (30) der Graben- struktur (13) wird.
52. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 51, dadurch gekennzeichnet, dass β β
zum Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht (17) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur (13) als Ausgangsmaterial für einen zweiten Driftzonentyp (10) das Epitaxiematerial mit Kohlenstoff bis zu ei- 5 ner Konzentration [C] von [C] ≤ 1 x 1020 cm"3 dotiert wird.
53. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 52, dadurch gekennzeichnet, dass beim Aufwachsen einer mitteldotierten Epitaxieschicht 0 (17) des ersten Leitungstyps (n) in der Grabenstruktur (13) als Ausgangsmaterial für einen zweiten Driftzonentyp (10) die Grabenstruktur (13) nicht vollständig mit Epitaxiematerial (17) gefüllt wird und eine Oxidauffüllung als Abschluss der Grabendstruktur (13) vorgesehen 5 wird.
54. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 53,
— - - - d-a-d-u- r c-h - g-e k e-n n z-e -i-c-h-n-e tr- - ■ d a s s - - - - --- - - - die Grabenstruktur (13) mit eigenleitendem Polysilizium 0 aufgefüllt wird.
55. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 54, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einebnen der Oberseite (19) des Halbleiters zu ei- 5 nem Halbleiterkörper (4) mit eingeebneter Oberseite
(18) ein chemical mechanical polishing-Verfahren (CMP) verwendet wird.
56. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 50, 0 dadurch gekennzeichnet, dass zum Einebnen der Oberseite (19) des Halbleiters zu einem Halbleiterkörper (4) mit eingeebneter Oberseite (18) und Rückseite (31) zunächst eine nivellierende Photolack- Schicht (37) oder eine Spin-on-Glass-Schicht auf die unebene Oberseite (18) aufgebracht wird, deren Atzselekti- vitätsfaktor gegenüber dem Halbleitermaterial der Driftzellentypen in Verbindung mit den gewählten Ätz- bzw. Abtragverfahren nahezu 1 ist.
57. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 56, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einebnen der Oberseite (18) des Halbleiterwafers bis zu den aufgewachsenen Driftzonentypen (9, 10) die aufgebrachte eingeebnete Photolackschicht (37) ) oder Spin- on-Glass-Schicht und das Epitaxiematerial rückgeätzt werden.
58. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 57, dadurch gekennzeichnet, dass eine Protonenimplantation von der Oberseite (18) und/oder" von. der Rücks'eite" (31") des Ha-lblei-te-rwafe-r-s-aus unter Ausheilung des Halbleiterwafers bei Temperaturen T mit 350 0C ≤ T ≤ 500 0C durchgeführt wird.
59. Verwendung eines Protonenbeschleunigers, insbesondere eines Linearbeschleunigers, zum Erzeugen von n-dotierten Bereichen in Halbleiterbau- elementen.
60. Verwendung nach Anspruch 58, zum Erzeugen von n-dotierten Bereichen in Kompensationsstrukturen in Halbleiterbauelementen.
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