WO2007010760A1 - 無電解パラジウムめっき液 - Google Patents

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Akihiro Aiba
Hirofumi Takahashi
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents

Definitions

  • the present invention relates to an electroless palladium plating solution, a plated article, and a plating method used for plating on electronic parts and the like.
  • Electroless nickel Z plating solution is mainly used for the purpose of improving the corrosion resistance, solder jointability, and wire bonding property of the base metal. In particular, it is often used for semiconductor bumps, package substrates on which semiconductors are mounted, and substrates for mobile phones.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3204035
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication No. 8-28561
  • an object of the present invention is to provide an electroless palladium plating solution capable of obtaining a coating having excellent bath resistance, corrosion resistance, solder jointability, and wire bonding properties.
  • the present invention has the following configuration.
  • An electroless palladium comprising a water-soluble palladium compound, ammonia, an amine compound, an aminocarboxylic acid compound, or a carboxylic acid as a complexing agent, and bismuth or a bismuth compound as a stabilizer.
  • Plating solution a water-soluble palladium compound, ammonia, an amine compound, an aminocarboxylic acid compound, or a carboxylic acid as a complexing agent, and bismuth or a bismuth compound as a stabilizer.
  • a plating method characterized by forming a film by electroless plating using the electroless palladium plating solution described in (1) or (2).
  • the electroless palladium plating solution of the present invention can provide a highly stable coating with excellent corrosion resistance, solder jointability, and wire bonding properties. Therefore, after performing the base nickel plating of a printed wiring board or the like, plating with the electroless palladium plating solution of the present invention improves the corrosion resistance and solder jointability.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention is an aqueous solution containing a water-soluble palladium compound, one of ammonia, an amine compound, an aminocarboxylic acid compound, and a carboxylic acid as a complexing agent, and bismuth or a bismuth compound as a stabilizer.
  • the water-soluble palladium compound is not particularly limited, and for example, palladium chloride such as palladium chloride and dichlorotetraammine palladium, palladium ammine, palladium sulfate, palladium nitrite, palladium acetate and the like can be used. it can.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention contains these water-soluble palladium compounds in the plating solution from 0.01 to: LOOgZL, preferably from 0.1 to 20 gZL. Water-soluble palladiumation If the concentration of the compound is less than 0. OlgZL, the plating speed will be significantly reduced, and if it exceeds lOOgZL, the effect will be saturated and there will be no merit.
  • the amine compound of the complexing agent is not particularly limited. , Diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, hexamethylenetetramine and the like can be used.
  • the aminocarboxylic acid compound is not particularly limited.
  • ethylenediaminetetraacetic acid hydroxyethylethylenediamintriacetic acid, dihydroxyethylethylenediamindiacetic acid, propanediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaamine.
  • Acetic acid triethylenetetramine hexaacetic acid, glycine, glycylglycine, glycylglycylglycine, dihydroxyethyldaricin, iminoniacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, nitrite triacetic acid, nitrite tripropionic acid, or their alkali metals Salts, alkaline earth metal salts, ammonium salts and the like can be used.
  • the carboxylic acid is not particularly limited, and for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, succinic acid, malonic acid, malic acid, oxalic acid, succinic acid, tartaric acid, lactic acid, butyric acid and the like can be used. Monkey.
  • the complexing agent ammonia, an amine compound, an aminocarboxylic acid compound, a force capable of using a V deviation of the carboxylic acid, an amine compound and an aminocarboxylic acid compound are preferable.
  • bismuth or a bismuth compound is used as the stabilizer.
  • the bismuth compound include, but are not limited to, bismuth oxide, bismuth sulfate, bismuth sulfite, bismuth nitrate, bismuth chloride, and bismuth acetate.
  • the stabilizer contains 0.1 to L000mgZL, preferably 1 to LOOmgZL in the solution. If the stabilizer concentration is less than 0. lmgZL, the stability of the bath will decrease, and if it exceeds lOOOmgZL, the setting speed Decreases.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention further includes, as a reducing agent, any one of hypophosphorous acid, phosphorous acid, formic acid, acetic acid, hydrazine, a borohydride compound, an ammine borane compound, and a salt thereof. It is preferable to contain.
  • the borohydride compound are not particularly limited, for example, sodium borohydride, potassium borohydride, boron borohydride, etc.
  • the ammine borane compound is not particularly limited. Dimethylamine borane, jetylamine borane and the like can be used.
  • the acid salt include alkali metal salts, alkaline earth metal salts, and ammonium salts.
  • phosphorous acid, hypophosphorous acid, and salts thereof are preferable.
  • These reducing agents contain 0.01 to 200 gZL, preferably 0.1 to 100 gZL, in the fitting solution. If the concentration of the reducing agent is less than 0. OlgZL, the plating rate will decrease, and even if it exceeds 200 gZL, the effect will be saturated or liquid decomposition will occur and there will be no merit.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention may be added with a pH buffering agent, if necessary.
  • a pH buffer is a phosphate compound.
  • Examples of phosphoric acid compounds include phosphoric acid, pyrophosphoric acid, or alkali metal salts thereof, alkali earth metal salts, ammonium salts, alkali metal dihydrogen phosphates, dihydrogen phosphates Examples thereof include metal salts, ammonium dihydrogen phosphate, dialkali metal hydrogen phosphate, hydrogen alkaline earth metal phosphates, and hydrogen ammonium diphosphate.
  • the concentration of the phosphoric acid compound in the plating solution is preferably 0.01 to 200 gZL, more preferably 0.1 to LOOgZL.
  • the gold plating solution of the present invention is preferably used at a bath temperature of 10 to 95 ° C, more preferably 25 to 70 ° C.
  • an object to be covered may be immersed in the plating solution of the present invention.
  • the objects to be covered include electronic parts such as semiconductor bumps, package substrates on which semiconductors are mounted, and printed wiring boards.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention is particularly suitable for electroless plating. It can be suitably used for electroless palladium plating that is inserted between nickel plating and electroless gold plating.
  • a plating solution having each composition shown in Table 1 was constructed.
  • Electroless nickel plating (plating solution: made by Nikko Metal Plating, KG-530)
  • the substrate was heat-treated at 165 ° C. for 24 hours. Thereafter, flux was applied to 20 0.48 mm ⁇ pads, and 0.6 ⁇ Sn— 4.
  • OAg— 0.5 Cu solder balls were mounted and reflowed at a peak temperature of 250 ° C. in a reflow oven. Bond strength was measured by a heated pull method using a bond tester 4000 made by Daisy.
  • a turn test was performed in which the substrate was actually plated with palladium.
  • 2MZL of plating is deposited on the substrate as 1MTO.
  • the electroless palladium plating solution renews the bath at about 3-5MTO, so if it has a bath stability of 5MTO or more, it can be said that the stability is high. Therefore, the turn test was conducted up to 5MTO, and it was examined whether there was any deterioration in bath decomposition or film properties.
  • palladium was replenished every time the palladium concentration during the turn test decreased by about 10%.
  • Table 1 shows the evaluation results.
  • the electroless palladium plating solution of the present invention is excellent in corrosion resistance and solder jointability. It can also be seen that it is as stable as a plating solution using a conventional sulfur compound as a stabilizer.

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Abstract

　浴安定性が高く、耐食性、はんだ接合性、ワイヤーボンディング性に優れる被膜が得られる無電解パラジウムめっき液を提供する。 　水溶性パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア、アミン化合物、アミノカルボン酸化合物、カルボン酸のいずれかと、安定剤としてビスマスまたはビスマス化合物を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液。更に還元剤として、次亜リン酸、亜リン酸、ギ酸、酢酸、ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、アミンボラン化合物、およびそれらの塩のいずれかを含有することが好ましい。

Description

明 細 書
無電解パラジウムめっき液
技術分野
[0001] 本発明は、電子部品等へのめっきに用いられる無電解パラジウムめっき液、めっき 物及びめつき方法に関する。
背景技術
[0002] 無電解ニッケル Z金めつき液は、下地金属の耐食性やはんだ接合性、ワイヤーボ ンデイング性を向上させる目的で主に使用されている。特に半導体バンプや半導体 を搭載するパッケージ基板、携帯電話用基板等に多く用いられている。
[0003] 近年、電子機器の高性能化に伴 ヽ、信頼性向上のために更なる耐食性、はんだ接 合性の向上が要求されており、無電解ニッケルめっきと無電解金めつきの間に無電 解パラジウムめっきを挿入することが有効であるとされて 、る。無電解パラジウムめつ き液としては、特許文献 1、特許文献 2記載のめっき液が挙げられる。これらの無電解 ノラジウムめっき液は浴安定剤として硫黄ィ匕合物を含有しているため、パラジウム被 膜中に硫黄が若干共祈するが、この硫黄が偏析することにより、耐食性やはんだ接 合性低下の原因となっている。
特許文献 1：特許第 3204035号公報
特許文献 2：特公平 8 - 28561号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 上記実情に鑑み、本発明は、浴安定性が高ぐ耐食性、はんだ接合性、ワイヤーボ ンデイング性に優れる被膜が得られる無電解パラジウムめっき液を提供することを目 的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、浴安定剤とし て硫黄ィ匕合物に代えてビスマスまたはビスマス化合物を用いることにより、硫黄ィ匕合 物を用いた場合と同程度に浴安定性が高ぐ耐食性、はんだ接合性、ワイヤーボン デイング性が更に優れた被膜が得られる無電解パラジウムめっき液となることを見出 した。
即ち、本発明は以下の構成よりなる。
[0006] (1)水溶性パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア、ァミン化合物、ァミノカルボ ン酸化合物、カルボン酸のいずれかと、安定剤としてビスマスまたはビスマス化合物 を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液。
(2)更に還元剤として次亜リン酸、亜リン酸、ギ酸、酢酸、ヒドラジン、水素化ホウ素化 合物、ァミンボランィ匕合物、およびそれらの塩のいずれかを含有することを特徴とする 前記（1)記載の無電解パラジウムめっき液。
(3)前記（1)又は（2)記載の無電解パラジウムめっき液を使用して成膜したことを特 徴とするパラジウムめっき物。
(4)前記（1)又は（2)記載の無電解パラジウムめっき液を使用して無電解めつきによ り成膜することを特徴とするめつき方法。
発明の効果
[0007] 本発明の無電解パラジウムめっき液は、安定性が高ぐ耐食性、はんだ接合性、ヮ ィヤーボンディング性に優れる被膜が得られる。したがって、プリント配線板等の下地 ニッケルめっきを行った後に、本発明の無電解パラジウムめっき液を用いてめっきす ることにより、耐食性やはんだ接合性が向上する。
発明を実施するための最良の形態
[0008] 以下に本発明の無電解パラジウムめっき液について詳細に説明する。
本発明の無電解パラジウムめっき液は、水溶性パラジウム化合物と、錯化剤として アンモニア、ァミン化合物、アミノカルボン酸化合物、カルボン酸のいずれかと、安定 剤としてビスマスまたはビスマス化合物を含有する水溶液である。
[0009] 水溶性パラジウム化合物としては、特に限定されるものではなぐ例えば塩化パラジ ゥム、ジクロロテトラアンミンパラジウム等の塩化アンミンパラジウム、アンミンパラジゥ ム、硫酸パラジウム、亜硝酸パラジウム、酢酸パラジウム塩等を用いることができる。 本発明の無電解パラジウムめっき液は、これらの水溶性パラジウム化合物を、めっき 液中、 0. 01〜： LOOgZL、好ましくは 0. l〜20gZL含有する。水溶性パラジウム化 合物の濃度が 0. OlgZL未満であると、めっき速度が著しく低下し、 lOOgZLを超え ても効果が飽和しメリットがな 、。
[0010] 錯化剤のアミンィ匕合物としては、特に限定されるものではなぐ例えばメチルァミン、 ジメチルァミン、トリメチルァミン、ェチルァミン、ジェチルァミン、トリエチルァミン、ベ ンジノレアミン、メチレンジァミン、エチレンジァミン、テトラメチレンジァミン、ジエチレン トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、へキサメチレンテトラミン等 を用いることができる。
[0011] アミノカルボン酸ィ匕合物としては、特に限定されるものではなぐ例えばエチレンジ アミン四酢酸、ヒドロキシェチルエチレンジァミン三酢酸、ジヒドロキシェチルエチレン ジァミン二酢酸、プロパンジァミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテ トラミン六酢酸、グリシン、グリシルグリシン、グリシルグリシルグリシン、ジヒドロキシェ チルダリシン、イミノニ酢酸、ヒドロキシェチルイミノ二酢酸、二トリ口三酢酸、二トリ口三 プロピオン酸、またはそれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモ-ゥム塩 等を用いることができる。
[0012] カルボン酸としては、特に限定されるものではなぐ例えばギ酸、酢酸、プロピオン 酸、クェン酸、マロン酸、リンゴ酸、シユウ酸、コハク酸、酒石酸、乳酸、酪酸等を用い ることがでさる。
[0013] 錯ィ匕剤としては、アンモニア、ァミン化合物、アミノカルボン酸化合物、カルボン酸の Vヽずれも用いることができる力 アミンィ匕合物及びアミノカルボン酸ィ匕合物が好ま ヽ 錯化剤は、めっき液中 0. 01〜200g/L、好ましくは 0. 1〜： LOOg/L含有する。錯 ィ匕剤の濃度が 0. OlgZL未満であると錯ィ匕力が弱ぐ 200gZLを超えても効果が飽 和しメリットがない。
[0014] 安定剤としてはビスマスまたはビスマス化合物を用いる。ビスマス化合物としては、 特に限定されるものではなぐ例えば酸ィ匕ビスマス、硫酸ビスマス、亜硫酸ビスマス、 硝酸ビスマス、塩化ビスマス、酢酸ビスマス等を用いることができる。安定剤は、めつ き液中、 0. 1〜： L000mgZL、好ましくは 1〜： LOOmgZL含有する。安定剤の濃度が 0. lmgZL未満であると浴の安定性が低下し、 lOOOmgZLを超えるとめつき速度 が低下する。
[0015] 本発明の無電解パラジウムめっき液は、更に還元剤として、次亜リン酸、亜リン酸、 ギ酸、酢酸、ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、ァミンボランィ匕合物、およびそれらの 塩のいずれかを含有することが好ましい。水素化ホウ素化合物としては、特に限定さ れるものではなぐ例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ 素アンモ-ゥム等を、ァミンボラン化合物としては、特に限定されるものではなぐ例え ばジメチルァミンボラン、ジェチルァミンボラン等を用いることができる。また、前記酸 の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモ-ゥム塩等が挙げられる 還元剤としては、亜リン酸、次亜リン酸、及びそれらの塩が好ましい。
[0016] これらの還元剤はめつき液中、 0. 01〜200gZL、好ましくは 0. l〜100gZL含有 する。還元剤の濃度が 0. OlgZL未満であるとめっき速度が低下し、 200gZLを超 えても効果が飽和したり、液分解が起こりメリットがない。
[0017] 更に、本発明の無電解パラジウムめっき液は、必要に応じて、 pH緩衝剤を添カロし ても良 、。 pH緩衝剤としてはリン酸系化合物が特に好ま 、。
リン酸系化合物としては、リン酸、ピロリン酸、またはそれらのアルカリ金属塩、アル カリ土類金属塩、アンモ-ゥム塩、リン酸二水素アルカリ金属塩、リン酸二水素アル力 リ土類金属塩、リン酸二水素アンモニゥム、リン酸水素二アルカリ金属塩、リン酸水素 二アルカリ土類金属塩、リン酸水素二アンモ-ゥム等が挙げられる。めっき液中のリン 酸系化合物の濃度は、 0. 01〜200gZLが好ましぐより好ましくは 0. 1〜： LOOgZL である。
[0018] 本発明の金めつき液の pHは pH緩衝剤として上記の化合物を用い、 pH4〜10に 調整することが好ましぐ pH5〜9に調整することがより好ましい。
また、本発明の金めつき液は、浴温 10〜95°Cで使用するのが好ましぐ 25〜70°C 力 り好ましい。
めっき液の pH、及び浴温が上記範囲外の場合、めっき速度が遅力つたり、浴分解 を起し易い等の問題がある。
[0019] めっき方法としては、本発明のめっき液中に被めつき物を浸漬すればよい。 被めつき物としては、半導体バンプや半導体を搭載するパッケージ基板、プリント配 線基板等の電子部品が挙げられ、本発明の無電解パラジウムめっき液は、これらの ボンディング用めつきとして、特に無電解ニッケルめっきと無電解金めつきの間に揷 入する無電解パラジウムめっきに好適に用いることができる。
実施例
[0020] 以下に示す実施例及び比較例により本発明を更に説明する。
実施例 1〜5、比較例 1〜3
無電解パラジウムめっき液として表 1に示す各組成のめっき液を建浴した。被めつき 材として、レジスト開口部 0. 48mm φのパッドを 500個有する BGA用プリント配線板 を用い以下のプロセスでめつきを行った。
アルカリ脱脂 (日鉱メタルプレーティング製、 KG— 510)
(45。C、 pH12. 0、 2min)
→ソフトエッチング（硫酸 +過硫酸 Na系、 25°C、 45s)
→硫酸洗浄（3%、 25°C、 2min)
→プレディップ（塩酸系、 25°C、 30s)
→ァクチベータ一（日鉱メタルプレーティング製、 KG— 522)
(塩化物系、 Pd濃度： 50mgZL、 25°C、 ρΗ< 1. 0、 2min) →硫酸洗浄（3%、 25°C、 10s)
→無電解ニッケルめっき（めっき液：日鉱メタルプレーティング製、 KG— 530)
(88。C、 pH4. 5、 25min、 P含有率 7%)
→無電解パラジウムめっき (表 1記載のめっき液、めっき条件）
→無電解金めつき（めっき液：日鉱メタルプレーティング製、 KG— 545)
(Au濃度： 2. OgZL、 88。C、 pH5. 0、 lOmin)
(プレディップ→ァクチベータ一の間以外は全て lminの水洗工程が入る）
[0021] 得られためっき物にっ 、て以下のように評価した。
耐食性：
基板に所定のめっきを行った後、 20vol%の硝酸水溶液に lOmin浸漬した後、水 洗、乾燥した。その後、全パッドの金めつきの外観を光学顕微鏡 50倍で観察した。 5 00パッド中、変色が 1%未満は〇、 1%以上 10%未満は△、 10%以上は Xとした。
[0022] はんだ接合強度：
基板に所定のめっき処理を行った後、基板を 165°C X 24h熱処理した。その後、 0 . 48mm φのパッド 20個にフラックスを塗布し、 0. 6πιπι φの Sn— 4. OAg— 0. 5Cu はんだボールを搭載し、リフロー炉でピーク温度 250°Cでリフローした。デイジ社製ボ ンドテスター 4000を用い、加熱プル法で接合強度を測定した。
[0023] 浴寿命：
基板に実際にパラジウムめっきを行うターン試験を実施した。建浴パラジウム濃度 が 2gZLのめつき液の場合、 2gZL分のパラジウムが基板に析出する分のめっきを 行うことを 1MTOと言う。通常、無電解パラジウムめっき液は 3〜5MTO程度で浴を 更新するので、 5MTO以上の浴安定性があれば、安定性が高いと言える。従って、 ターン試験は 5MTOまで行い、浴分解や被膜特性の低下がないかを調べた。ただし 、ターン試験中のパラジウム濃度が 10%程度減少毎にパラジウム補充を実施した。
[0024] 評価結果を表 1に示す。
[表 1-1]
Figure imgf000008_0001
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
0025 表 1の結果より、本発明の無電解パラジウムめっき液は、耐食性、はんだ接合性に 優れていることがわかる。また、従来の硫黄ィ匕合物を安定剤として用いためっき液と 同程度に安定性に優れることが分かる。

Claims

請求の範囲
[1] 水溶性パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア、アミンィ匕合物、アミノカルボン 酸化合物、カルボン酸のいずれかと、安定剤としてビスマスまたはビスマス化合物を 含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液。
[2] 更に還元剤として次亜リン酸、亜リン酸、ギ酸、酢酸、ヒドラジン、水素化ホウ素化合 物、ァミンボランィ匕合物、およびそれらの塩のいずれかを含有することを特徴とする請 求の範囲第 1項記載の無電解パラジウムめっき液。
[3] 請求の範囲第 1項又は第 2項記載の無電解パラジウムめっき液を使用して成膜した ことを特徴とするパラジウムめっき物。
[4] 請求の範囲第 1項又は第 2項記載の無電解パラジウムめっき液を使用して無電解 めっきにより成膜することを特徴とするめつき方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008184679A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Okuno Chem Ind Co Ltd 無電解パラジウムめっき用活性化組成物
KR101023306B1 (ko) 2007-08-15 2011-03-18 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 무전해 팔라듐 도금액
JP4885954B2 (ja) * 2007-02-28 2012-02-29 小島化学薬品株式会社 無電解純パラジウムめっき液
JP2012511105A (ja) * 2008-12-05 2012-05-17 オーエムジー、アメリカズ、インク 無電解パラジウムめっき液及び使用法
JP2012241260A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Kanto Gakuin 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品
JP2013108170A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 無電解パラジウムめっき液
WO2013115256A1 (ja) * 2012-01-30 2013-08-08 凸版印刷株式会社 配線基板および配線基板の製造方法
JP2015020167A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． イミノ二酢酸および誘導体を含む無電解金属化のための触媒

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4844716B2 (ja) * 2005-09-27 2011-12-28 上村工業株式会社 無電解パラジウムめっき浴
JP4511623B1 (ja) * 2009-05-08 2010-07-28 小島化学薬品株式会社 無電解パラジウムめっき液
CN101709462B (zh) * 2009-12-23 2012-01-11 长沙理工大学 一种化学镀钯液
EP2581470B1 (en) * 2011-10-12 2016-09-28 ATOTECH Deutschland GmbH Electroless palladium plating bath composition
US8936672B1 (en) 2012-06-22 2015-01-20 Accu-Labs, Inc. Polishing and electroless nickel compositions, kits, and methods
CN104218248B (zh) * 2013-05-31 2017-04-19 中国科学院大连化学物理研究所 一种双功能负极及其作为全钒液流储能电池负极的应用
CN104498918A (zh) * 2014-11-28 2015-04-08 广东致卓精密金属科技有限公司 一种用于化学镀镍钯金工艺中间层的化学镀钯液
CN104911570A (zh) * 2015-05-14 2015-09-16 上海应用技术学院 一种在铜表面进行化学镀钯的镀液及其制备方法
US9603258B2 (en) 2015-08-05 2017-03-21 Uyemura International Corporation Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom
JP7149061B2 (ja) 2017-10-06 2022-10-06 上村工業株式会社 無電解パラジウムめっき液
JP7185999B2 (ja) 2017-10-06 2022-12-08 上村工業株式会社 無電解パラジウムめっき液
CN108118182A (zh) * 2017-12-30 2018-06-05 安徽晋源铜业有限公司 一种集成电路封装用镀钯铜线的加工方法
EP3757250A4 (en) * 2018-02-20 2021-11-17 C. Uyemura & Co., Ltd. AUTOCATALYTIC VENEER SOLUTION WITH PALLADIUM AND PALLADIUM COATING
JP7407644B2 (ja) * 2020-04-03 2024-01-04 上村工業株式会社 パラジウムめっき液及びめっき方法
EP3960898A1 (en) 2020-08-31 2022-03-02 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Compostion for depositing a palladium coating on a substrate
EP4215642A1 (en) 2022-01-25 2023-07-26 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Compostion for depositing a palladium coating on an activated copper-coated substrate
CN117966140B (zh) * 2024-01-31 2024-07-05 珠海斯美特电子材料有限公司 一种化学镀钯溶液及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0539580A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 無電解パラジウムめつき液
JPH0762549A (ja) * 1993-08-30 1995-03-07 Kojima Kagaku Yakuhin Kk 無電解パラジウムめっき液
JP2000129454A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Hitachi Chem Co Ltd 無電解パラジウムめっき液
JP2001295061A (ja) * 2000-04-10 2001-10-26 Hideo Honma 無電解パラジウム−ニッケルめっき浴およびこれを用いるめっき方法ならびにこの方法により得られるめっき製品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615737A (en) * 1969-08-04 1971-10-26 Photocircuits Corp Electroless copper deposition
US4143186A (en) * 1976-09-20 1979-03-06 Amp Incorporated Process for electroless copper deposition from an acidic bath
DE3790128C2 (de) * 1986-03-04 1995-07-27 Ishihara Chemical Co Ltd Wässrige Lösung zur stromlosen Beschichtung auf Palladium-Basis
JP3115095B2 (ja) * 1992-04-20 2000-12-04 ディップソール株式会社 無電解メッキ液及びそれを使用するメッキ方法
JP3412266B2 (ja) 1994-07-20 2003-06-03 日本精工株式会社 リニアガイド装置のインナーシール付ボール保持器
JP3204035B2 (ja) 1995-03-30 2001-09-04 上村工業株式会社 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法
US20060251910A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 Lancsek Thomas S Composite electroless plating

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0539580A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Okuno Seiyaku Kogyo Kk 無電解パラジウムめつき液
JPH0762549A (ja) * 1993-08-30 1995-03-07 Kojima Kagaku Yakuhin Kk 無電解パラジウムめっき液
JP2000129454A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Hitachi Chem Co Ltd 無電解パラジウムめっき液
JP2001295061A (ja) * 2000-04-10 2001-10-26 Hideo Honma 無電解パラジウム−ニッケルめっき浴およびこれを用いるめっき方法ならびにこの方法により得られるめっき製品

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008184679A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Okuno Chem Ind Co Ltd 無電解パラジウムめっき用活性化組成物
JP4885954B2 (ja) * 2007-02-28 2012-02-29 小島化学薬品株式会社 無電解純パラジウムめっき液
KR101023306B1 (ko) 2007-08-15 2011-03-18 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 무전해 팔라듐 도금액
JP2012511105A (ja) * 2008-12-05 2012-05-17 オーエムジー、アメリカズ、インク 無電解パラジウムめっき液及び使用法
JP2012241260A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Kanto Gakuin 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品
JP2013108170A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 無電解パラジウムめっき液
WO2013115256A1 (ja) * 2012-01-30 2013-08-08 凸版印刷株式会社 配線基板および配線基板の製造方法
JP2013155410A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
US9572252B2 (en) 2012-01-30 2017-02-14 Toppan Printing Co., Ltd. Wiring substrate and method of manufacturing wiring substrate
JP2015020167A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． イミノ二酢酸および誘導体を含む無電解金属化のための触媒

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Publication number Publication date
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