JPH0762549A - 無電解パラジウムめっき液 - Google Patents
無電解パラジウムめっき液Info
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- JPH0762549A JPH0762549A JP23587193A JP23587193A JPH0762549A JP H0762549 A JPH0762549 A JP H0762549A JP 23587193 A JP23587193 A JP 23587193A JP 23587193 A JP23587193 A JP 23587193A JP H0762549 A JPH0762549 A JP H0762549A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 適度な析出速度を有し、かつ、安定性に優
れ、クラックの殆ど生じないハンダ付け性及びボンディ
ング性等に優れた高純度のパラジウムめっき皮膜を得る
ことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。 【構成】 （ａ）パラジウム化合物０．０００１〜０．
５モル／ｌ、（ｂ）アンモニア及びアミン化合物の少な
くとも１種０．０００５〜８モル／ｌ、（ｃ）脂肪族モ
ノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボ
ン酸及びその水溶塩から選ばれた少なくとも１種０．０
０５〜５モル／ｌを含んでなる無電解パラジウムめっき
液。
れ、クラックの殆ど生じないハンダ付け性及びボンディ
ング性等に優れた高純度のパラジウムめっき皮膜を得る
ことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。 【構成】 （ａ）パラジウム化合物０．０００１〜０．
５モル／ｌ、（ｂ）アンモニア及びアミン化合物の少な
くとも１種０．０００５〜８モル／ｌ、（ｃ）脂肪族モ
ノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボ
ン酸及びその水溶塩から選ばれた少なくとも１種０．０
０５〜５モル／ｌを含んでなる無電解パラジウムめっき
液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無電解パラジウムめっ
き液に関する。
き液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より電子部品の電気接点部分には、
耐食性を有し、電気的特性の優れた貴金属による表面被
覆を施すことが有効とされている。現在、工業的に多く
採用されている貴金属による表面被覆方法は、貴金属め
っき方法であるが、この方法では、電気的に孤立してい
る部分への表面被覆は不可能である。一方、無電解めっ
き方法によると、電気的に孤立している部分でも表面被
覆が可能であるため、従来、電気的に孤立している部分
への貴金属表面被覆は、無電解金めっきが行なわれてい
る。しかしながら、金の市場価格は著しく高いため、金
の代替として他の貴金属による表面被覆が検討され、特
にパラジウムは、白金族の中でも最も安価であるため、
接点材料に限らず、新しい機能性材料として広い範囲で
の工業的利用がなされている。
耐食性を有し、電気的特性の優れた貴金属による表面被
覆を施すことが有効とされている。現在、工業的に多く
採用されている貴金属による表面被覆方法は、貴金属め
っき方法であるが、この方法では、電気的に孤立してい
る部分への表面被覆は不可能である。一方、無電解めっ
き方法によると、電気的に孤立している部分でも表面被
覆が可能であるため、従来、電気的に孤立している部分
への貴金属表面被覆は、無電解金めっきが行なわれてい
る。しかしながら、金の市場価格は著しく高いため、金
の代替として他の貴金属による表面被覆が検討され、特
にパラジウムは、白金族の中でも最も安価であるため、
接点材料に限らず、新しい機能性材料として広い範囲で
の工業的利用がなされている。
【０００３】従来、使用されている無電解パラジウムめ
っき液としては、例えば、２価のパラジウム塩、エチレ
ンジアミン四酢酸、エチレンジアミン及び次亜リン酸ナ
トリウムからなる無電解パラジウムめっき液（特公昭４
６−２６７６４号公報）。パラジウム化合物、アンモニ
ア及びアミン化合物の少なくとも１種、２価の硫黄を含
有する有機化合物、並びに次亜リン酸化合物及び水素化
ホウ素化合物の少なくとも１種を必須成分として含有す
る無電解パラジウムめっき液（特開昭６２−１２４２８
０号公報）等がある。
っき液としては、例えば、２価のパラジウム塩、エチレ
ンジアミン四酢酸、エチレンジアミン及び次亜リン酸ナ
トリウムからなる無電解パラジウムめっき液（特公昭４
６−２６７６４号公報）。パラジウム化合物、アンモニ
ア及びアミン化合物の少なくとも１種、２価の硫黄を含
有する有機化合物、並びに次亜リン酸化合物及び水素化
ホウ素化合物の少なくとも１種を必須成分として含有す
る無電解パラジウムめっき液（特開昭６２−１２４２８
０号公報）等がある。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】上記の特公昭４６−２６７６
４号の無電解パラジウムめっき液は、貯蔵安定性が悪
く、短時間で分解するという欠陥を有していた。また、
このめっき液から得られためっき皮膜はいずれもクラッ
クが多く、ハンダ付け性もよくないため、電子部品への
適用には難点があった。また、特開昭６２−１２４２８
０号で開示された無電解パラジウムめっき液は、還元剤
成分である次亜リン酸化合物やホウ素化合物に由来する
リン、ホウ素がめっき皮膜中に混入するため、純粋なパ
ラジウムめっき皮膜と比べて硬さ等に著しいバラツキが
生ずる欠陥があった。
４号の無電解パラジウムめっき液は、貯蔵安定性が悪
く、短時間で分解するという欠陥を有していた。また、
このめっき液から得られためっき皮膜はいずれもクラッ
クが多く、ハンダ付け性もよくないため、電子部品への
適用には難点があった。また、特開昭６２−１２４２８
０号で開示された無電解パラジウムめっき液は、還元剤
成分である次亜リン酸化合物やホウ素化合物に由来する
リン、ホウ素がめっき皮膜中に混入するため、純粋なパ
ラジウムめっき皮膜と比べて硬さ等に著しいバラツキが
生ずる欠陥があった。
【０００５】本発明者らは、上記した現状に鑑みて、工
業的規模においても実用可能であって、しかも純度の高
いパラジウム皮膜を形成し得る無電解パラジウムめっき
液を得るべく鋭意研究を重ねた結果、無電解パラジウム
めっき液の還元剤としてギ酸及びギ酸化合物等の脂肪族
カルボン酸およびその水溶性塩を使用し、安定剤として
アンモニア及びアミン化合物の少なくとも１種を使用し
て構成した無電解パラジウムめっき液は、適度な析出速
度を有し、安定性に優れ、得られためっき皮膜はクラッ
クの殆どないハンダ付け性の良好なものであり、しかも
めっき皮膜は、還元剤に由来する不純物の殆どない高純
度のパラジウム皮膜であることを知見して本発明に到達
した。
業的規模においても実用可能であって、しかも純度の高
いパラジウム皮膜を形成し得る無電解パラジウムめっき
液を得るべく鋭意研究を重ねた結果、無電解パラジウム
めっき液の還元剤としてギ酸及びギ酸化合物等の脂肪族
カルボン酸およびその水溶性塩を使用し、安定剤として
アンモニア及びアミン化合物の少なくとも１種を使用し
て構成した無電解パラジウムめっき液は、適度な析出速
度を有し、安定性に優れ、得られためっき皮膜はクラッ
クの殆どないハンダ付け性の良好なものであり、しかも
めっき皮膜は、還元剤に由来する不純物の殆どない高純
度のパラジウム皮膜であることを知見して本発明に到達
した。
【０００６】
【発明を解決するための手段】すなわち、本発明は
（ａ）パラジウム化合物０．０００１〜０．５モル／
ｌ、（ｂ）アンモニア及びアミン化合物の少なくとも１
種０．０００５〜８モル／ｌ、（ｃ）脂肪族モノカルボ
ン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸及び
その水溶塩から選ばれた少なくとも１種０．００５〜５
モル／ｌを含んで成ることを特徴とする無電解パラジウ
ムめっき液である。
（ａ）パラジウム化合物０．０００１〜０．５モル／
ｌ、（ｂ）アンモニア及びアミン化合物の少なくとも１
種０．０００５〜８モル／ｌ、（ｃ）脂肪族モノカルボ
ン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸及び
その水溶塩から選ばれた少なくとも１種０．００５〜５
モル／ｌを含んで成ることを特徴とする無電解パラジウ
ムめっき液である。
【０００７】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明で使用するパラジウム化合物とは、塩化パラジウム、
塩化パラジウムナトリウム、塩化パラジウムカリウム、
塩化パラジウムアンモニウム、硫酸パラジウム、酢酸パ
ラジウム等の水溶性パラジウム化合物である。上記無電
解パラジウムめっき液中のパラジウム化合物の使用濃度
は、０．０００１〜０．５モル／ｌの範囲が好ましい。
０．０００１モル／ｌ以下の濃度では、めっき皮膜析出
速度が遅くなるので好ましくなく、また、０．５モル／
ｌ以上では、析出速度がより向上することはないので、
実用的ではない。
明で使用するパラジウム化合物とは、塩化パラジウム、
塩化パラジウムナトリウム、塩化パラジウムカリウム、
塩化パラジウムアンモニウム、硫酸パラジウム、酢酸パ
ラジウム等の水溶性パラジウム化合物である。上記無電
解パラジウムめっき液中のパラジウム化合物の使用濃度
は、０．０００１〜０．５モル／ｌの範囲が好ましい。
０．０００１モル／ｌ以下の濃度では、めっき皮膜析出
速度が遅くなるので好ましくなく、また、０．５モル／
ｌ以上では、析出速度がより向上することはないので、
実用的ではない。
【０００８】本発明のめっき液では、液の安定性を維持
するために、アンモニア及びアミン化合物の少なくとも
１種が用いられる。アンモニア及びアミン化合物は、め
っき液中のパラジウムと錯体を形成してこれらの成分を
液中に安定に保持する作用をなし、液の安定化に寄与す
る。上記のアンモニア及びアミン化合物の濃度は、０．
０００５〜８モル／ｌ、好ましくは０．０１〜５モル／
ｌである。アンモニアを単独で用いる場合には、めっき
液の安定性向上のために０．０５モル／ｌ以上の濃度と
するのがより好ましい。アンモニア及びアミン化合物の
濃度が高いほど液の安定性は良好になるが、上記した濃
度を上回ると不経済であり、特にアンモニアを用いる場
合には、臭気等により作業環境が悪くなるので好ましく
ない。また、上記濃度を下回る場合には、めっき液の安
定性が低下してパラジウムの錯体が分解し易くなるので
好ましくない。
するために、アンモニア及びアミン化合物の少なくとも
１種が用いられる。アンモニア及びアミン化合物は、め
っき液中のパラジウムと錯体を形成してこれらの成分を
液中に安定に保持する作用をなし、液の安定化に寄与す
る。上記のアンモニア及びアミン化合物の濃度は、０．
０００５〜８モル／ｌ、好ましくは０．０１〜５モル／
ｌである。アンモニアを単独で用いる場合には、めっき
液の安定性向上のために０．０５モル／ｌ以上の濃度と
するのがより好ましい。アンモニア及びアミン化合物の
濃度が高いほど液の安定性は良好になるが、上記した濃
度を上回ると不経済であり、特にアンモニアを用いる場
合には、臭気等により作業環境が悪くなるので好ましく
ない。また、上記濃度を下回る場合には、めっき液の安
定性が低下してパラジウムの錯体が分解し易くなるので
好ましくない。
【０００９】本発明で用いる上記のアミン化合物として
は、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルア
ミン、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン等のモ
ノアミン類、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のジ
アミン類、ジエチレントリアミン、ペンタエチレンヘキ
サミン等のポリアミン類、その他アミノ酸類として、ア
チレンジアミン四酢酸及びそのナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩、ニトリロ三酢酸及びそのナトリウ
ム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、グリシン、イミノ
ジ酢酸等が挙げられる。本発明では、上記したアンモニ
ア及びアミン化合物の少なくとも１種を使用すればよい
が、アンモニアを単独で使用した場合、めっきが析出開
始するまでの時間が長くなることがある。この場合、錯
化剤として、アミン化合物を添加することにより、時間
を短縮することができる。上記のアミン化合物を添加し
ためっき液では、めっき皮膜の厚付けを行なった場合の
めっき皮膜の外観が特に良好になる。
は、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルア
ミン、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン等のモ
ノアミン類、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テ
トラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のジ
アミン類、ジエチレントリアミン、ペンタエチレンヘキ
サミン等のポリアミン類、その他アミノ酸類として、ア
チレンジアミン四酢酸及びそのナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩、ニトリロ三酢酸及びそのナトリウ
ム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、グリシン、イミノ
ジ酢酸等が挙げられる。本発明では、上記したアンモニ
ア及びアミン化合物の少なくとも１種を使用すればよい
が、アンモニアを単独で使用した場合、めっきが析出開
始するまでの時間が長くなることがある。この場合、錯
化剤として、アミン化合物を添加することにより、時間
を短縮することができる。上記のアミン化合物を添加し
ためっき液では、めっき皮膜の厚付けを行なった場合の
めっき皮膜の外観が特に良好になる。
【００１０】次に本発明で使用される脂肪族モノカルボ
ン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸及び
その水溶性塩とは、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、
しゅう酸、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、ク
エン酸及びこれらカルボン酸のナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩等が挙げられる。上記のカルボン酸
及びその水溶性塩は、１種又は２種以上使用することが
できる。また、めっき液中におけるこれらのカルボン酸
及びその水溶性塩の使用濃度は、０．００５〜５モル／
ｌ、好ましくは、０．０１〜１モル／ｌである。０．０
０５モル／ｌ以下の濃度では、めっき皮膜が十分に形成
されず、また、５モル／ｌ以上の濃度では、析出速度は
平衡状態となりそれ以上向上することはないため実用的
でない。
ン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸及び
その水溶性塩とは、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、
しゅう酸、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、ク
エン酸及びこれらカルボン酸のナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩等が挙げられる。上記のカルボン酸
及びその水溶性塩は、１種又は２種以上使用することが
できる。また、めっき液中におけるこれらのカルボン酸
及びその水溶性塩の使用濃度は、０．００５〜５モル／
ｌ、好ましくは、０．０１〜１モル／ｌである。０．０
０５モル／ｌ以下の濃度では、めっき皮膜が十分に形成
されず、また、５モル／ｌ以上の濃度では、析出速度は
平衡状態となりそれ以上向上することはないため実用的
でない。
【００１１】本発明のめっき液は、ｐＨ３〜１０の範囲
で用いられる。このｐＨ範囲において良好なめっき皮膜
を形成することができる。めっき液のｐＨ調整は、塩
酸、硫酸等の酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
のアルカリ性物質でなされる。
で用いられる。このｐＨ範囲において良好なめっき皮膜
を形成することができる。めっき液のｐＨ調整は、塩
酸、硫酸等の酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
のアルカリ性物質でなされる。
【００１２】本発明のめっき液は、２０〜９０℃という
広い範囲の温度においてめっきが可能であり、特に４０
〜８０℃の液温度のときに平滑で光沢のある良好なめっ
き皮膜が得られる。また、液温度が高いほどめっき皮膜
の析出速度が早くなる傾向にあり、上記した温度範囲内
で適宜温度を設定することにより任意の析出速度とする
ことができる。さらにまた、本発明のめっき液では、め
っき皮膜の析出速度は、めっき液の温度のほかに、パラ
ジウム濃度にも依存することから、パラジウム濃度を適
宜設定することに依ってもめっき皮膜の析出速度を調整
できるので、めっき皮膜の膜厚のコントロールが容易で
ある。
広い範囲の温度においてめっきが可能であり、特に４０
〜８０℃の液温度のときに平滑で光沢のある良好なめっ
き皮膜が得られる。また、液温度が高いほどめっき皮膜
の析出速度が早くなる傾向にあり、上記した温度範囲内
で適宜温度を設定することにより任意の析出速度とする
ことができる。さらにまた、本発明のめっき液では、め
っき皮膜の析出速度は、めっき液の温度のほかに、パラ
ジウム濃度にも依存することから、パラジウム濃度を適
宜設定することに依ってもめっき皮膜の析出速度を調整
できるので、めっき皮膜の膜厚のコントロールが容易で
ある。
【００１３】本発明のめっき液によりめっき皮膜を形成
するのには、上記した温度範囲内のめっき液中に、パラ
ジウム皮膜の還元析出に対して触媒性のある基質を浸漬
すればよい。上記の触媒性のある基質としては、例え
ば、鉄、ニッケル、コバルト、金、銀、銅、白金、パラ
ジウム及びこれらの合金等が挙げられる。また、樹脂、
ガラス、セラミックス等の触媒性のない基質であって
も、センシタイジング−アクチベーター法等の公知の方
法で触媒性を付与することによって、上記の方法と同様
にめっき液中に浸漬してめっき皮膜を形成することがで
きる。本発明の無電解パラジウムめっき液によるパラジ
ウム皮膜の析出は、自己触媒的に進行する。そのため有
孔度が小さく、しかも密着性の優れた皮膜が得られる。
するのには、上記した温度範囲内のめっき液中に、パラ
ジウム皮膜の還元析出に対して触媒性のある基質を浸漬
すればよい。上記の触媒性のある基質としては、例え
ば、鉄、ニッケル、コバルト、金、銀、銅、白金、パラ
ジウム及びこれらの合金等が挙げられる。また、樹脂、
ガラス、セラミックス等の触媒性のない基質であって
も、センシタイジング−アクチベーター法等の公知の方
法で触媒性を付与することによって、上記の方法と同様
にめっき液中に浸漬してめっき皮膜を形成することがで
きる。本発明の無電解パラジウムめっき液によるパラジ
ウム皮膜の析出は、自己触媒的に進行する。そのため有
孔度が小さく、しかも密着性の優れた皮膜が得られる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の無電解パラジウムめっき液は、
液の保存安定性が極めて良好であり、低温で析出が可能
であるため、作業性が良く作業環境も良好である。ま
た、析出速度は、パラジウム濃度と液温度に依存するた
め、めっき膜厚のコントロールが容易である。そしてめ
っき皮膜へのリン、ホウ素等の混入がないため、触媒活
性の良好な高純度パラジウムが得られる。本発明のめっ
き液によって得られためっき皮膜は、クラックが非常に
少なく、ハンダ付け性、ワイヤーボンディング性に優れ
ている。本発明のめっき液は、上記した様に優れた特性
を有するため、高い信頼性が要求される各種電子部品の
めっき材料として、その実用価値大である。
液の保存安定性が極めて良好であり、低温で析出が可能
であるため、作業性が良く作業環境も良好である。ま
た、析出速度は、パラジウム濃度と液温度に依存するた
め、めっき膜厚のコントロールが容易である。そしてめ
っき皮膜へのリン、ホウ素等の混入がないため、触媒活
性の良好な高純度パラジウムが得られる。本発明のめっ
き液によって得られためっき皮膜は、クラックが非常に
少なく、ハンダ付け性、ワイヤーボンディング性に優れ
ている。本発明のめっき液は、上記した様に優れた特性
を有するため、高い信頼性が要求される各種電子部品の
めっき材料として、その実用価値大である。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１６】実施例１ めっき液の組成 塩化パラジウム・・・・・・・・・・・・・・・０．０２モル／ｌ エチレンジアミン・・・・・・・・・・・・・・０．０８モル／ｌ ギ酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・０．１５モル／ｌ 上記のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリウムによりｐＨ
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を６０分間浸漬した結果、膜
厚１．１μｍのパラジウムめっきが得られた。
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を６０分間浸漬した結果、膜
厚１．１μｍのパラジウムめっきが得られた。
【００１７】実施例２ めっき液の組成 塩化パラジウム・・・・・・・・・・・・・・・０．０２モル／ｌ エチレンジアミン・・・・・・・・・・・・・・０．０８モル／ｌ ギ酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・０．１５モル／ｌ クエン酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．０５モル／ｌ 上記のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリウムによりｐＨ
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を６０分間浸漬した結果、膜
厚２．４μｍのパラジウムめっきが得られた。上記の実
施例１及び実施例２の結果から、クエン酸添加により更
にパラジウムの析出量が増加していることが判明した。
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を６０分間浸漬した結果、膜
厚２．４μｍのパラジウムめっきが得られた。上記の実
施例１及び実施例２の結果から、クエン酸添加により更
にパラジウムの析出量が増加していることが判明した。
【００１８】実施例３ 実施例２と同一組成のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリ
ウムによりｐＨ６．０に調整し、液温度を５５℃、６１
℃、７０℃及び８０℃の４通りで、予め無電解ニッケル
めっきを施した銅板を１０分間浸漬した結果、膜厚が
０．１μｍ、０．２μｍ、０．４μｍ及び０．６μｍの
パラジウムめっきが得られた。
ウムによりｐＨ６．０に調整し、液温度を５５℃、６１
℃、７０℃及び８０℃の４通りで、予め無電解ニッケル
めっきを施した銅板を１０分間浸漬した結果、膜厚が
０．１μｍ、０．２μｍ、０．４μｍ及び０．６μｍの
パラジウムめっきが得られた。
【００１９】実施例４ 実施例２と同一組成のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリ
ウムによりｐＨ６．０に調整し、液温度７０℃におい
て、予め無電解ニッケルめっきを施した銅板を１０分
間、２０分間、３０分間及び６０分間浸漬した結果、膜
厚０．３μｍ、０．６μｍ、１．１μｍ及び２．３μｍ
のパラジウムめっきが得られた。その結果を図１に示
す。この図１からみて浸漬時間とめっき厚は比例関係に
あり、析出も自己触媒的に進行し、しかも析出速度の安
定性が極めて良好であることがわかる。更にこのめっき
液を９０℃に加熱したが、めっき液の分解が生じること
がなく、室温で１年間密閉保存した場合にもめっき液の
分解は生じなかった。
ウムによりｐＨ６．０に調整し、液温度７０℃におい
て、予め無電解ニッケルめっきを施した銅板を１０分
間、２０分間、３０分間及び６０分間浸漬した結果、膜
厚０．３μｍ、０．６μｍ、１．１μｍ及び２．３μｍ
のパラジウムめっきが得られた。その結果を図１に示
す。この図１からみて浸漬時間とめっき厚は比例関係に
あり、析出も自己触媒的に進行し、しかも析出速度の安
定性が極めて良好であることがわかる。更にこのめっき
液を９０℃に加熱したが、めっき液の分解が生じること
がなく、室温で１年間密閉保存した場合にもめっき液の
分解は生じなかった。
【００２０】
【図１】
【００２１】実施例５ めっき液の組成 塩化パラジウム・・・・・・・・・・・・・・・０．０４モル／ｌ エチレンジアミン・・・・・・・・・・・・・・０．０８モル／ｌ ギ酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・０．３０モル／ｌ 酒石酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．０５モル／ｌ 上記のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリウムによりｐＨ
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を８時間浸漬し、厚付けした
パラジウムめっきの断面硬度を測定した結果、ビッカー
ス硬度で１７０Ｈｖであった。また、大気中で３００
℃、２時間加熱後の断面硬度もビッカース硬度１７０Ｈ
ｖであった。
６．０に調整し、液温度７０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を８時間浸漬し、厚付けした
パラジウムめっきの断面硬度を測定した結果、ビッカー
ス硬度で１７０Ｈｖであった。また、大気中で３００
℃、２時間加熱後の断面硬度もビッカース硬度１７０Ｈ
ｖであった。
【００２２】実施例６ めっき液の組成 塩化パラジウムアンモニウム・・・・・・・・・０．０２モル／ｌ エチレンジアミン四酢酸・・・・・・・・・・・０．０３モル／ｌ ギ酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・０．１５モル／ｌ アンモニア水（２８％）・・・・・・・・・・・０．０５モル／ｌ 上記のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリウムによりｐＨ
６．０に調整し、液温度６０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を２０分間浸漬した結果、膜
厚０．２μｍのパラジウムめっきが得られた。
６．０に調整し、液温度６０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を２０分間浸漬した結果、膜
厚０．２μｍのパラジウムめっきが得られた。
【００２３】比較例 めっき液の組成 塩化パラジウム・・・・・・・・・・・・・・・０．０１モル／ｌ エチレンジアミン・・・・・・・・・・・・・・０．０３モル／ｌ チオジグリコール酸・・・・・・・・・・・・・・・２０ｍｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・０．０６モル／ｌ 上記のめっき液を塩酸及び水酸化ナトリウムによりｐＨ
８．０に調整し、液温度５０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を２４時間浸漬し、厚付けし
たパラジウムめっきの断面硬度を測定した結果、ビッカ
ース硬度で４５０Ｈｖであった。また、大気中で３００
℃、２時間加熱後の断面硬度もビッカース硬度７００Ｈ
ｖに上昇した。上記実施例５と比較例から、本発明のめ
っき液からえられるパラジウム皮膜は加熱処理を行なっ
ても、硬度の変化はなく、安定性に優れていることがわ
かる。
８．０に調整し、液温度５０℃において、予め無電解ニ
ッケルめっきを施した銅板を２４時間浸漬し、厚付けし
たパラジウムめっきの断面硬度を測定した結果、ビッカ
ース硬度で４５０Ｈｖであった。また、大気中で３００
℃、２時間加熱後の断面硬度もビッカース硬度７００Ｈ
ｖに上昇した。上記実施例５と比較例から、本発明のめ
っき液からえられるパラジウム皮膜は加熱処理を行なっ
ても、硬度の変化はなく、安定性に優れていることがわ
かる。
【図１】実施例４のめっき液を用いた場合の、めっき時
間と析出しためっき皮膜との関係を示す図。
間と析出しためっき皮膜との関係を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）パラジウム化合物０．０００１〜
０．５モル／ｌ、（ｂ）アンモニア及びアミン化合物の
少なくとも１種０．０００５〜８モル／ｌ、（ｃ）脂肪
族モノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族ポリカ
ルボン酸及びその水溶塩から選ばれた少なくとも１種
０．００５〜５モル／ｌを含んで成ることを特徴とする
無電解パラジウムめっき液。 - 【請求項２】 （ｃ）成分がギ酸ナトリウム又はクエン
酸である請求項１記載の無電解パラジウムめっき液。
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|---|---|---|---|
| JP5235871A JP3035763B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 無電解パラジウムめっき液 |
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| JPH0762549A true JPH0762549A (ja) | 1995-03-07 |
| JP3035763B2 JP3035763B2 (ja) | 2000-04-24 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007010760A1 (ja) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 無電解パラジウムめっき液 |
| JP2008177261A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 多層めっき皮膜及びプリント配線板 |
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| CN103898490A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-02 | 深圳市荣伟业电子有限公司 | 高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法 |
| JP2017538866A (ja) * | 2014-12-17 | 2017-12-28 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | パラジウム無電解めっき用のめっき浴組成物およびパラジウムの無電解めっき方法 |
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-
1993
- 1993-08-30 JP JP5235871A patent/JP3035763B2/ja not_active Expired - Fee Related
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