KR20080015936A - 무전해 팔라듐 도금액 - Google Patents
무전해 팔라듐 도금액 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080015936A KR20080015936A KR1020087000890A KR20087000890A KR20080015936A KR 20080015936 A KR20080015936 A KR 20080015936A KR 1020087000890 A KR1020087000890 A KR 1020087000890A KR 20087000890 A KR20087000890 A KR 20087000890A KR 20080015936 A KR20080015936 A KR 20080015936A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plating
- acid
- compound
- electroless
- palladium
- Prior art date
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 10
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010277 boron hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 2
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEPKDRAICDFPEY-UHFFFAOYSA-L palladium(2+);dinitrite Chemical compound [Pd+2].[O-]N=O.[O-]N=O AEPKDRAICDFPEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHSOHGDJTZDDIF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-aminoethylamino)ethane-1,1-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCC(O)O ZHSOHGDJTZDDIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical class [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002648 azanetriyl group Chemical group *N(*)* 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000380 bismuth sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019838 diammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000388 diammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- ZUJIHUXXWRPGPY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfite Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O ZUJIHUXXWRPGPY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 1
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
욕안정성이 높고, 내식성, 땜납 접합성, 와이어 본딩성이 뛰어난 피막을 얻을 수 있는 무전해 팔라듐 도금액을 제공한다.
수용성 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아, 아민 화합물, 아미노카르본산 화합물, 카르본산 중 적어도 어느 하나와, 안정제로서 비스무스 또는 비스무스 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액. 환원제로서 차아인산, 아인산, 포름산, 초산, 히드라진, 수소화붕소화합물, 아민보란화합물, 및 그들 염 중 적어도 어느 하나를 더 함유하는 것이 바람직하다.
Description
본 발명은, 전자 부품 등의 도금에 이용되는 무전해 팔라듐 도금액, 도금물 및 도금 방법에 관한 것이다.
무전해 니켈/금도금액은, 베이스 금속의 내식성이나 땜납 접합성, 와이어 본딩성을 향상시킬 목적으로 주로 사용되고 있다. 특히 반도체 범프나 반도체를 탑재하는 패키지 기판, 휴대 전화용 기판 등에 많이 이용되고 있다.
근래, 전자기기의 고성능화에 따라서, 신뢰성 향상을 위해서 내식성, 땜납 접합성의 향상이 더 요구되고 있으며, 무전해 니켈도금과 무전해 금도금의 사이에 무전해 팔라듐 도금을 삽입하는 것이 유효하다고 여겨지고 있다. 무전해 팔라듐 도금액으로서는, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2에 기재된 도금액을 들 수 있다. 이들 무전해 팔라듐 도금액은 욕안정제로서 유황 화합물을 함유하고 있기 때문에, 팔라듐 피막중에 유황이 약간 공석(共析)되지만, 이 유황이 편석(偏析)함으로써, 내식성이나 땜납 접합성 저하의 원인이 되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 제3204035호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특공평8-28561호 공보
[발명이 해결하고자 하는 과제]
상기 실정에 비추어, 본 발명은, 욕안정성이 높고, 내식성, 땜납 접합성, 와이어 본딩성이 뛰어난 피막을 얻을 수 있는 무전해 팔라듐 도금액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 욕안정제로서 유황 화합물 대신에 비스무스(bismuth) 또는 비스무스 화합물을 이용함으로써, 유황 화합물을 이용했을 경우와 동일한 정도로 욕안정성이 높고, 내식성, 땜납 접합성, 와이어 본딩성이 더욱 뛰어난 피막을 얻을 수 있는 무전해 팔라듐 도금액이 되는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은 이하의 구성으로 이루어진다.
(1) 수용성 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아, 아민 화합물, 아미노카르본산화합물, 카르본산 중 적어도 어느 하나와, 안정제로서 비스무스 또는 비스무스 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액.
(2) 환원제로서 차아인산, 아인산, 포름산, 초산, 히드라진, 수소화붕소화합물, 아민보란화합물, 및 그들 염 중 적어도 어느 하나를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 무전해 팔라듐 도금액.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 무전해 팔라듐 도금액을 사용하여 성막한 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금물.
(4) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 무전해 팔라듐 도금액을 사용하는 무전해 도금에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 도금 방법.
[발명의 효과]
본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 안정성이 높고, 내식성, 땜납 접합성, 와이어 본딩성이 뛰어난 피막을 얻을 수 있다. 따라서, 프린트 배선판 등의 베이스 니켈 도금을 실시한 후에, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액을 이용하여 도금함으로써, 내식성이나 땜납 접합성이 향상된다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하에 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 수용성 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아, 아민화합물, 아미노카르본산화합물, 카르본산 중 적어도 어느 하나와, 안정제로서 비스무스 또는 비스무스 화합물을 함유하는 수용액이다.
수용성 팔라듐 화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 염화 팔라듐(palladium chloride), 디클로로테트라암민팔라듐(dichlorotetraa㎜ine palladium) 등의 염화암민팔라듐(chloroa㎜ine palladium), 암민팔라듐(a㎜ine palladium), 황산팔라듐(palladium sulfate), 아질산팔라듐(palladium nitrite), 초산팔라듐염(palladium acetate) 등을 이용할 수 있다. 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 이들 수용성 팔라듐 화합물을, 도금액중, 0.01∼100g/L, 바람직하게는 0.1∼20g/L함유한다. 수용성 팔라듐 화합물의 농도가 0.01g/L 미만이면, 도금 속도가 현저하게 저하하고, 100g/L를 넘어도 효과가 포화하여 장점이 없다.
착화제의 아민화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 벤질아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 헥사메틸렌테트라민 등을 이용할 수 있다.
아미노카르본산화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 에틸렌디아민4초산, 히드록시에틸에틸렌디아민3초산, 디히드록시에틸에틸렌디아민2초산, 프로판디아민4초산, 디에틸렌트리아민5초산, 트리에틸렌테트라민6초산, 글리신, 글리실글리신, 글리실글리실글리신, 디히드록시에틸글리신, 이미노2초산, 히드록시에틸이미노2초산, 니트릴로3초산, 니트릴로3프로피온산, 또는 그들 알칼리 금속염, 알칼리토류 금속염, 암모늄염 등을 이용할 수 있다.
카르본산으로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 포름산, 초산, 프로피온산, 구연산, 말론산, 말산, 옥살산, 호박산(succinic acid), 주석산 (tartaric acid), 유산, 낙산(butanoic acid) 등을 이용할 수 있다.
착화제로서는, 암모니아, 아민 화합물, 아미노카르본산 화합물, 카르본산 중의 어느 것이나 이용할 수 있지만, 아민 화합물 및 아미노카르본산 화합물이 바람직하다.
착화제는, 도금액중 0.01∼200g/L, 바람직하게는 0.1∼100g/L 함유한다. 착화제의 농도가 0.01g/L 미만이면 착화력이 약하고, 200g/L를 넘어도 효과가 포화하여 장점이 없다.
안정제로서는 비스무스 또는 비스무스 화합물을 이용한다. 비스무스 화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 산화 비스무스, 황산 비스무스, 아황산 비스무스, 질산 비스무스, 염화 비스무스, 초산 비스무스 등을 이용할 수 있다. 안정제는, 도금액중, 0.1∼1000㎎/L, 바람직하게는 1∼100㎎/L 함유한다. 안정제의 농도가 0.1㎎/L 미만이면 욕의 안정성이 저하하고, 1000㎎/L를 넘으면 도금 속도가 저하한다.
본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 환원제로서 차아인산, 아인산, 포름산, 초산, 히드라진, 수소화붕소화합물(boron hydride compound), 아민보란화합물 (amine borane compound), 및 그들 염 중 적어도 어느 하나를 더 함유하는 것이 바람직하다. 수소화붕소 화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 수소화붕소암모늄 등을, 아민보란화합물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 디메틸아민보란, 디에틸아민보란 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 산의 염으로서는, 알칼리 금속염, 알칼리토류 금속염, 암모늄염 등을 들 수 있다.
환원제로서는, 아인산, 차아인산, 및 그들 염이 바람직하다.
이들 환원제는 도금액중, 0.01∼200g/L, 바람직하게는 0.1∼100g/L 함유한다. 환원제의 농도가 0.01g/L 미만이면 도금 속도가 저하하고, 200g/L를 넘어도 효과가 포화하거나 액분해가 일어나 장점이 없다.
또한, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 필요에 따라서, pH완충제를 첨가해도 좋다. pH완충제로서는 인산계 화합물이 특히 바람직하다.
인산계 화합물로서는, 인산, 피로인산, 또는 그들 알칼리 금속염, 알칼리토류 금속염, 암모늄염, 인산2수소알칼리 금속염, 인산2수소알칼리토류 금속염, 인산2수소암모늄, 인산수소2알칼리 금속염, 인산수소2알칼리토류 금속염, 인산수소2암모늄 등을 들 수 있다. 도금액 중의 인산계 화합물의 농도는, 0.01∼200g/L가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼100g/L이다.
본 발명의 금도금액의 pH는 pH완충제로서 상기의 화합물을 이용하여 pH4∼10로 조정하는 것이 바람직하고, pH5∼9로 조정하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 금도금액은, 욕 온도 10∼95℃에서 사용하는 것이 바람직하고, 25∼70℃가 보다 바람직하다.
도금액의 pH, 및 욕 온도가 상기 범위 외의 경우, 도금 속도가 늦거나, 욕분해를 일으키기 쉬운 등의 문제가 있다.
도금 방법으로서는, 본 발명의 도금액 중에 피도금물을 침지하면 좋다.
피도금물로서는, 반도체 범프(semiconductor bump)나 반도체를 탑재하는 패키지 기판, 프린트 배선 기판 등의 전자 부품을 들 수 있고, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 이러한 본딩용 도금으로서, 특히 무전해니켈 도금과 무전해 금도금 사이에 삽입하는 무전해 팔라듐 도금에 적합하게 이용할 수 있다.
이하의 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더 설명한다.
실시예 1∼5, 비교예 1∼3
무전해 팔라듐 도금액으로서 표 1에 나타내는 각 조성의 도금액을 제조하였 다. 피도금재로서 레지스트(resist) 개구부 0.48㎜Ø의 패드를 500개 가진 BGA용 프린트 배선판을 이용하여 이하의 프로세스로 도금을 실시했다.
알칼리 탈지(닛코 메탈 플레이팅 제품, KG-510)
(45℃, pH 12.0, 2분)
→소프트 에칭(황산+과황산 Na계, 25℃, 45초)
→황산 세정(3%, 25℃, 2분)
→프리딥핑(predipping)(염산계, 25℃, 30초)
→액티베이터(닛코 메탈 플레이팅 제품, KG-522)
(염화물계, Pd농도:50㎎/L, 25℃, pH<1.0, 2분)
→황산 세정(3%, 25℃, 10초)
→무전해 니켈 도금(도금액:닛코 메탈 플레이팅 제품, KG-530)
(88℃, pH4.5, 25분, P함유율7%)
→무전해 팔라듐 도금(표 1에 기재된 도금액, 도금 조건)
→무전해 금도금(도금액:닛코 메탈 플레이팅 제품, KG-545)
(Au농도:2.0g/L, 88℃, pH 5.0, 10분)
(프리딥핑→액티베이터의 사이 이외는 모두 1분의 세정 공정이 들어간다)
얻어진 도금물에 대하여 이하와 같이 평가하였다.
내식성:
기판에 소정의 도금을 실시한 후, 20vol%의 질산 수용액에 10분간 침지한 후, 세정, 건조했다. 그 후, 전체 패드의 금도금의 외관을 광학 현미경 50배로 관 찰하였다. 500 패드중, 변색이 1% 미만은 ○, 1% 이상 10% 미만은 △, 10% 이상은 ×로 하였다.
땜납 접합 강도:
기판에 소정의 도금 처리를 실시한 후, 기판을 165℃×24시간 열처리했다. 그 후, 0.48㎜Ø의 패드 20개에 플럭스(flux)를 도포하고, 0.6㎜Ø의 Sn-4.0Ag-0.5Cu 땜납 볼을 탑재하여, 리플로우로(reflow oven)에서, 피크 온도 250℃로 리플로우했다. 데이지사(Dage Arcteck Co., Ltd.) 제품 본드 테스터(Bond Tester) 4000을 이용하여 가열 풀법(heat and pull method)으로 접합 강도를 측정하였다.
욕 수명:
기판에 실제로 팔라듐 도금을 실시하는 턴시험(turn test)을 실시했다. 팔라듐 농도가 2g/L의 도금액의 경우, 2g/L분의 팔라듐이 기판에 석출하는 만큼의 도금을 실시하는 것을 1MTO라고 한다. 통상, 무전해 팔라듐 도금액은 3∼5MTO 정도로 욕을 갱신하므로, 5MTO 이상의 욕안정성이 있으면, 안정성이 높다고 할 수 있다. 따라서, 턴 시험은 5MTO까지 실시하여, 욕분해나 피막 특성의 저하가 없는지를 조사하였다. 다만, 턴 시험중의 팔라듐 농도가 10% 정도 감소할 때마다 팔라듐 보충을 실시하였다.
평가 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1-1]
[표 1-2]
표 1의 결과로부터, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액은, 내식성, 땜납 접합성이 뛰어난 것을 알 수 있다. 또한, 종래의 유황 화합물을 안정제로서 이용한 도금액과 동일한 정도로 안정성이 뛰어난 것을 알 수 있다.
Claims (4)
- 수용성 팔라듐 화합물과, 착화제로서 암모니아, 아민 화합물, 아미노카르본산화합물, 카르본산 중 적어도 어느 하나와, 안정제로서 비스무스 또는 비스무스 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액.
- 제 1 항에 있어서, 환원제로서 차아인산, 아인산, 포름산, 초산, 히드라진, 수소화붕소화합물, 아민보란화합물, 및 그들 염 중 적어도 어느 하나를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 무전해 팔라듐 도금액을 사용하여 성막한 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 무전해 팔라듐 도금액을 사용하는 무전해 도금에 의해 성막하는 것을 특징으로 하는 도금 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005209696 | 2005-07-20 | ||
| JPJP-P-2005-00209696 | 2005-07-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080015936A true KR20080015936A (ko) | 2008-02-20 |
Family
ID=37668642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087000890A KR20080015936A (ko) | 2005-07-20 | 2006-07-07 | 무전해 팔라듐 도금액 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7704307B2 (ko) |
| JP (1) | JP4596553B2 (ko) |
| KR (1) | KR20080015936A (ko) |
| CN (1) | CN101228293B (ko) |
| HK (1) | HK1120572A1 (ko) |
| TW (1) | TWI324640B (ko) |
| WO (1) | WO2007010760A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010065851A3 (en) * | 2008-12-05 | 2010-09-16 | Omg Americas, Inc. | Electroless palladium plating solution and method of use |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4844716B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-12-28 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき浴 |
| JP2008184679A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解パラジウムめっき用活性化組成物 |
| US7981202B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-07-19 | Kojima Chemicals Co., Ltd. | Electroless pure palladium plating solution |
| JP4117016B1 (ja) | 2007-08-15 | 2008-07-09 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
| JP4511623B1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-07-28 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
| CN101709462B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-01-11 | 长沙理工大学 | 一种化学镀钯液 |
| JP2012241260A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Kanto Gakuin | 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品 |
| EP2581470B1 (en) | 2011-10-12 | 2016-09-28 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroless palladium plating bath composition |
| KR20130055956A (ko) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 삼성전기주식회사 | 무전해 팔라듐 도금액 |
| JP6061369B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2017-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板およびその製造方法、ならびにはんだ付き配線基板の製造方法 |
| US8936672B1 (en) | 2012-06-22 | 2015-01-20 | Accu-Labs, Inc. | Polishing and electroless nickel compositions, kits, and methods |
| CN104218248B (zh) * | 2013-05-31 | 2017-04-19 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种双功能负极及其作为全钒液流储能电池负极的应用 |
| US20150024123A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Catalysts for electroless metallization containing iminodiacetic acid and derivatives |
| CN104498918A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 广东致卓精密金属科技有限公司 | 一种用于化学镀镍钯金工艺中间层的化学镀钯液 |
| CN104911570A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-16 | 上海应用技术学院 | 一种在铜表面进行化学镀钯的镀液及其制备方法 |
| US9603258B2 (en) | 2015-08-05 | 2017-03-21 | Uyemura International Corporation | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom |
| JP7185999B2 (ja) | 2017-10-06 | 2022-12-08 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
| JP7149061B2 (ja) | 2017-10-06 | 2022-10-06 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
| CN108118182A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-05 | 安徽晋源铜业有限公司 | 一种集成电路封装用镀钯铜线的加工方法 |
| CN111712589B (zh) * | 2018-02-20 | 2022-10-04 | 上村工业株式会社 | 化学镀钯液和钯镀膜 |
| JP7407644B2 (ja) * | 2020-04-03 | 2024-01-04 | 上村工業株式会社 | パラジウムめっき液及びめっき方法 |
| EP3960898A1 (en) * | 2020-08-31 | 2022-03-02 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Compostion for depositing a palladium coating on a substrate |
| EP4215642A1 (en) | 2022-01-25 | 2023-07-26 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | Compostion for depositing a palladium coating on an activated copper-coated substrate |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615737A (en) * | 1969-08-04 | 1971-10-26 | Photocircuits Corp | Electroless copper deposition |
| US4143186A (en) * | 1976-09-20 | 1979-03-06 | Amp Incorporated | Process for electroless copper deposition from an acidic bath |
| DE3790128C2 (de) * | 1986-03-04 | 1995-07-27 | Ishihara Chemical Co Ltd | Wässrige Lösung zur stromlosen Beschichtung auf Palladium-Basis |
| JPH0539580A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Okuno Seiyaku Kogyo Kk | 無電解パラジウムめつき液 |
| JP3115095B2 (ja) * | 1992-04-20 | 2000-12-04 | ディップソール株式会社 | 無電解メッキ液及びそれを使用するメッキ方法 |
| JP3035763B2 (ja) | 1993-08-30 | 2000-04-24 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解パラジウムめっき液 |
| JP3412266B2 (ja) | 1994-07-20 | 2003-06-03 | 日本精工株式会社 | リニアガイド装置のインナーシール付ボール保持器 |
| JP3204035B2 (ja) | 1995-03-30 | 2001-09-04 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき液及びめっき方法 |
| JP2000129454A (ja) | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解パラジウムめっき液 |
| JP3437980B2 (ja) | 2000-04-10 | 2003-08-18 | 有限会社関東学院大学表面工学研究所 | 無電解パラジウム−ニッケルめっき浴およびこれを用いるめっき方法ならびにこの方法により得られるめっき製品 |
| US20060251910A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | Lancsek Thomas S | Composite electroless plating |
-
2006
- 2006-07-07 KR KR1020087000890A patent/KR20080015936A/ko active Search and Examination
- 2006-07-07 WO PCT/JP2006/313565 patent/WO2007010760A1/ja active Application Filing
- 2006-07-07 CN CN200680026398XA patent/CN101228293B/zh active Active
- 2006-07-07 JP JP2007525944A patent/JP4596553B2/ja active Active
- 2006-07-07 US US11/988,353 patent/US7704307B2/en active Active
- 2006-07-19 TW TW095126322A patent/TWI324640B/zh active
-
2008
- 2008-11-07 HK HK08112251.1A patent/HK1120572A1/xx unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010065851A3 (en) * | 2008-12-05 | 2010-09-16 | Omg Americas, Inc. | Electroless palladium plating solution and method of use |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007010760A1 (ja) | 2007-01-25 |
| CN101228293B (zh) | 2010-12-08 |
| JP4596553B2 (ja) | 2010-12-08 |
| US20090081369A1 (en) | 2009-03-26 |
| JPWO2007010760A1 (ja) | 2009-01-29 |
| CN101228293A (zh) | 2008-07-23 |
| TWI324640B (en) | 2010-05-11 |
| US7704307B2 (en) | 2010-04-27 |
| HK1120572A1 (en) | 2009-04-03 |
| TW200710281A (en) | 2007-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080015936A (ko) | 무전해 팔라듐 도금액 | |
| US8124174B2 (en) | Electroless gold plating method and electronic parts | |
| CN106399983B (zh) | 无氰化学镀金浴及化学镀金方法 | |
| KR101444687B1 (ko) | 무전해 금도금액 | |
| JP2007009305A (ja) | 無電解パラジウムめっき液及びそれを用いて形成された３層めっき被膜端子 | |
| US11946144B2 (en) | Electroless palladium plating solution | |
| TWI415971B (zh) | 無電解金覆層液及無電解金覆層方法 | |
| JP4638818B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JP7149061B2 (ja) | 無電解パラジウムめっき液 | |
| JP2010196121A (ja) | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 | |
| JPH0711448A (ja) | 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液 | |
| JPH06101054A (ja) | 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20100430 Effective date: 20110430 |