WO2006126455A1 - ポリシング装置 - Google Patents

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WO2006126455A1
WO2006126455A1 PCT/JP2006/310017 JP2006310017W WO2006126455A1 WO 2006126455 A1 WO2006126455 A1 WO 2006126455A1 JP 2006310017 W JP2006310017 W JP 2006310017W WO 2006126455 A1 WO2006126455 A1 WO 2006126455A1
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WO
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polishing
substrate
head
polishing apparatus
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/310017
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takashi Ujihara
Original Assignee
Tokki Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokki Corporation filed Critical Tokki Corporation
Publication of WO2006126455A1 publication Critical patent/WO2006126455A1/ja

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D13/00Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
    • B24D13/14Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by the front face
    • B24D13/145Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by the front face having a brush-like working surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus.
  • the surface of the substrate is extremely thinly polished by polishing and attached to the surface to remove unnecessary particles such as particles, dirt, organic residues, metal residues, 'oxide film' sputtering protrusions, etc. It is used for cleaning by removing the force, and can greatly enhance the cleanliness of the substrate, which is useful in the field of organic EL manufacturing, for example, where manufacturing in an extremely clean state is required.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-322305
  • the polishing material surface of a polishing apparatus for extremely thinly cutting the substrate surface of a conventional substrate cleaning apparatus has a surface shape in which a large number of fine projections having a trapezoidal cross-sectional shape are regularly arranged.
  • a flat ITO film is formed on the substrate, it is possible to perform good polishing.
  • an ITO film and a TFT element having a thickness of about 1 ⁇ m on the ITO film.
  • the TFT element is formed when one of the protrusions on the polishing surface contacts the top surface of the TFT element portion (convex portion).
  • the protrusions formed on the polishing surface may not reach the ITO film (bottom surface of the recess) between the portions, and there is a possibility that the ITO film that requires polishing cannot be polished well.
  • the present invention provides a substrate having a pattern shape or thin film formed on the substrate, and even if there is an uneven portion on the surface of the substrate, the ITO film or the like that is on the bottom surface of the recess is well polished. Regardless of the surface shape, it is possible to clean the substrate surface reliably, and the force is also applied to the substrate surface. It is an object of the present invention to provide a polishing apparatus excellent in practicality that can perform good polishing even if the pattern shape and thin film formed are made of a soft and low hardness material.
  • a polishing apparatus for polishing the surface of a substrate 1, comprising a polishing head P provided with a polishing material in which a plurality of bristle bodies 32 having a flexible structure, in which the barrels 31 are integrated, are formed on the base surface 33.
  • the polishing material provided in the polishing head P is brought into contact with the surface of the substrate 1, and the polishing material 31 or the substrate 1 is swung so that the abrasive grains 31 are integrally held together to bring the abrasive particles 31 together into the surface of the substrate 1.
  • the present invention relates to a polishing apparatus characterized in that the length and flexibility of the body 32 are set.
  • the polishing apparatus is a polishing apparatus for polishing the surface of the substrate 1 and is provided with a polishing material in which a plurality of flexible hair bodies 32, in which the bullets 31 are integrated, are formed on the base surface 33.
  • a contact mechanism capable of bringing the head P, the polishing material provided on the polishing head P, and the surface of the substrate 1 into contact with each other so that a large number of the hairs 32 formed on the polishing material bend along the surface of the substrate 1;
  • the length and flexibility of the hair 32 are set so that when contacting the surface of the substrate 1 having a portion, not only the top surface of the convex portion but also the bottom surface of the concave portion can be polished. Characterize Ru der pertaining to policing the system.
  • the ciliary body 32 of the polishing material has a thickness and length of 5-50 / ⁇ ⁇ and 30-300 ⁇ m, respectively. This relates to a polishing apparatus.
  • the ciliary body 32 of the polishing material has a thickness and length of 5-50 / ⁇ ⁇ and 30-300 ⁇ m, respectively.
  • This relates to a polishing apparatus. 4.
  • the present invention relates to the polishing apparatus according to claim 4, characterized in that it is a ceramic with a 31-force average particle diameter of 1.0 ⁇ m or less integrated with the polishing material.
  • the tape-like polishing material is stretched between the reels 12 in such a manner that the force of one reel 12 can be unwound and wound around the other reel 12, and the tape 12 is stretched between the reels 12.
  • a tape-like polishing material is brought into contact with or separated from the surface of the substrate 1 or a surface of the substrate 1 to be polished is brought into contact with and separated from the tape-like polishing material stretched between the reels 12.
  • the nozzle unit 5 attached to the high pressure jet cleaning unit 6 is floated on the surface of the substrate 1 by floating the workpiece 1 surface force that has been scraped by the jet jet and scraped by the polishing.
  • the polishing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the polishing apparatus is disposed at a position where it can be removed before adhering again.
  • the high-pressure jet cleaning section 6 includes a nozzle section 5 that can be disposed along the length direction of the polishing head P on which a tape-shaped polishing material is provided.
  • a nozzle nozzle having a plurality of nozzle forces so as to be able to clean a width region greater than the width or jetting jet nozzles having a predetermined shape that allows a width region greater than the width of the substrate to be cleaned is formed.
  • the polishing head P is disposed such that the length direction of the tape-shaped polishing material provided in the polishing head P is a direction intersecting the substrate transport direction. 7.
  • the transport unit 11 that transports the substrate 1 is configured to transport the substrate 1 while being inclined with respect to the horizontal. Polycine described Related to the device.
  • the polishing head P or the polishing material of the polishing head P reciprocates in the length direction, and the substrate 1 advances while reciprocating or circularly oscillating in the transport direction.
  • the polishing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the polishing material of the polishing head P and the substrate 1 are relatively moved in different directions. It is.
  • one or a plurality of the polishing heads P and the high-pressure jet cleaning unit 6 and the drying processing unit 8 are arranged in a line for transporting the substrate 1, and an integrated system configuration in which each processing can be performed in series.
  • the polishing apparatus according to claim 1, wherein the force is any one of claims 1 to 6.
  • the present invention is configured as described above, even if there is an uneven portion on the substrate surface, the ITO film or the like that is on the bottom surface of the recess is polished well so that the surface of the substrate can be reliably bonded regardless of the surface shape of the substrate. Polishing machine with excellent practicality that can perform good polishing even if a soft material or a low-hardness material pattern butterfly shape or thin film is formed on the substrate surface. It becomes.
  • the polishing of the glass substrate ITO film surface can be accurately performed, and the cleanliness can be increased to the limit.
  • the polishing of the glass substrate ITO film surface can be accurately performed, and the cleanliness can be increased to the limit.
  • it can be easily integrated in a clean room. It can be installed as.
  • the first stage is a polishing condition for cleaning particles
  • the second stage is a polishing condition for cleaning residues before the process
  • the third stage is a film-like dirt cleaning.
  • FIG. 1 is a schematic configuration explanatory diagram of a polishing head of Example 1.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram at the time of policing of Example 1.
  • FIG. 3 is a plan view illustrating a schematic configuration of Example 1.
  • FIG. 5 is a front view for explaining a schematic configuration of Example 1 (view A in FIG. 4).
  • FIG. 6 is an enlarged schematic explanatory sectional view of a polishing material.
  • FIG. 7 is a schematic configuration explanatory view of a polishing head of Example 2.
  • FIG. 8 is an explanatory plan view of a schematic configuration of Example 2.
  • FIG. 9 is a side view illustrating the schematic configuration of Example 2.
  • a polishing material provided on the polishing head P is brought into contact with the surface of the substrate 1, and the polishing material and the substrate 1 are relatively swung to scrape the surface of the substrate 1 very thinly by polishing.
  • a resinous hair 32 having flexibility provided on the base surface 33 of the polishing material is brought into contact with the surface of the substrate 1 so as to be bent, so that the resinous hair 32
  • the surface of the substrate 1 can be polished by the fine particles 31 coated on the substrate.
  • the resinous hair-like body 32 is flexibly bent, and the resinous hair-like body 32 is Even if it contacts the top surface of the electrode portion as an uneven portion, for example, the contacted resinous hair-like body 32 bends so that the other resinous hair-like body 32 can reach the bottom of the recess (for example, an ITO film). It is possible to polish not only the top surface of the convex portion but also the bottom surface of the concave portion, and the surface of the substrate 1 is flat regardless of whether the surface of the substrate 1 is flat or uneven. It is much more difficult to polish well.
  • Polishing of the surface of the substrate 1 with the pliant hair-like body 32 having a sufficient force is performed even if, for example, a soft thin film or the like is formed on the substrate 1, the fine abrasive grains 31 and Greasy The soft touch of the hair 32 can be performed without damaging the thin film.
  • the surface of the substrate 1 can be polished satisfactorily.
  • steps or a protective film when forming an organic EL, there are steps or a protective film.
  • the substrate can be cleaned immediately before the organic film is formed, and the organic film can be formed with very little dust on the substrate.
  • EL can be formed.
  • an ITO film such as a TFT substrate is approximately 1 ⁇ m lower than the TFT element part, and the film related to a 1 ⁇ m protrusion can be polished with respect to the substrate, or a soft film such as polyimide can be used as a protective film. It can be polished without damaging the protective film against the substrate using grease, or it can be made of soft grease such as polyimide on the coating like the organic EL passive substrate. It is possible to polish the ITO film without damaging the insulating film even on a substrate with a ⁇ m insulating film or a triangular cathode barrier with a height of about 2 ⁇ m, and without damaging the triangular shape. In other words, it is possible to polish a film such as a Cr film or an alloy film that is difficult to remove once adhered particles.
  • the present invention is able to clean the surface of the substrate reliably regardless of the surface shape of the substrate by satisfactorily polishing the ITO film or the like on the bottom surface of the recess even if there is an uneven portion on the surface of the substrate.
  • the polishing apparatus can be excellently polished and has excellent practicality.
  • the tape-shaped polishing material is stretched between the reels 12 so as to be unwound from one reel 12 and wound around the other reel 12, and is stretched between the reels 12.
  • the polishing head P is configured so that the surface of the substrate 1 is brought into contact with the surface of the substrate 1 and the surface of the substrate 1 can be extremely thinly polished by polishing, the tape-shaped polishing material Unused parts can be pulled out, and used parts can be taken up, so that a new configuration that can always be polished in a simple manner can be easily realized, and replacement is easy.
  • a tape-like polishing material or substrate 1 stretched between the reels 12 of the polishing head P is stretched between the substrate 1 or the reels 12 of the polishing head P.
  • the tape-like polishing material is provided so as to be able to contact and separate, the degree of contact between the polishing material and the surface of the substrate 1 can be easily adjusted.
  • the position where the high pressure jet cleaning unit 6 having the nozzle unit 5 for spraying a high pressure jet jet on the surface of the substrate 1 can be removed by the polishing and removed from the substrate 1 surface.
  • the surface of the substrate 1 (for example, an organic EL ITO film substrate, an IC wafer, a liquid crystal glass substrate, etc.) is extremely thin (0.5 ⁇ ! ⁇ 2 Onm) by polishing, Particles adhering to the surface ⁇ Dirt ⁇ Organic residue ⁇ Metal residue ⁇ Oxidized film • Unnecessary materials such as sputtering protrusions are also removed from the surface force, and the unnecessary material removed from the surface of the substrate 1 by this polishing.
  • the surface of the substrate 1 can be polished and cleaned by spraying a high-pressure jet jet onto the surface of the substrate 1 on which the workpiece is suspended. At this time, the substrate 1 is polished by the polishing material of the polishing head P. After polishing the surface, i.e., that in the resulting cut product cut very thin surface of the substrate 1 by policing can be removed blowing Ri by the high pressure jet stream.
  • This substrate 1 surface force can be reliably blown away.
  • the work of these contents is realized by arranging and integrating units such as a polishing head, high-pressure jet water jet, rotary brush cleaning, air knife drainer, clean hot air blow, etc. It can be installed in a clean room with a clean device. Also, for example, the liquid used for polishing uses only pure water and does not require waste liquid treatment, and adheres to the surface! / Scraping particles ⁇ Dirt ⁇ Organic residues ⁇ Metal residues 'Oxide film' A device that can completely remove unnecessary materials such as spattering protrusions and can raise the cleanliness of the substrate to the limit.
  • the polishing head P having the belt-like polishing surface 4 constituted by the tape-like polishing film 2 is configured to perform polishing by swinging relative to the substrate 1, That is, for example, the polishing film 2 unwound from one reel 12 is wound around the other reel 12, and the polishing film 2 stretched between the reels 12 is brought into contact with the surface of the substrate 1 so that the polishing head
  • the winding tape method is adopted in this way, so that the compactness of the entire apparatus becomes easy and this Polycinder Finorem 2 can be easily replaced for polishing.
  • the tension of the polishing film 2 can be easily adjusted, the polishing film 2 (polishing material) is reciprocated in the length direction, and the substrate 1 is moved back and forth or circularly in the traveling direction. By moving the substrate 1 while moving it, the polishing film 2 and the substrate 1 are moved relative to each other in a different direction, and the entire substrate 1 can be uniformly polished without unevenness, thereby achieving better polishing.
  • the period of the reciprocating motion of the polishing head P and the substrate 1 may be set to be the same or different.
  • polishing head P having the belt-shaped polishing material is brought into contact with the substrate 1 in the inclined state with respect to the transport direction of the substrate 1 and configured to perform polishing, specifically, the substrate If it is configured to convey 1 in a state inclined with respect to the horizontal, drainage will be good.
  • the first stage can polish the particles
  • the second stage can polish the residues from the previous process
  • the third stage can wash the membrane-like dirt.
  • each processing can be performed in series, and the squeezing force is immediately after polishing. Cleaning and drying can be performed, and extremely good cleaning can be performed.
  • the polishing head P of Example 1 is provided with a pair of reels 12 on a fixed plate 14 provided on a drive device 13 (air cylinder) for contact and separation movement, and this one reel 12 force is also a polishing film as a polishing material. 2 (Polishing tape 2) is unwound and wound on the other reel 12, and the polishing film 2 is stretched downward to form a polishing surface 4 in contact with the substrate 1 surface.
  • the polishing film 2 as shown in FIG. 6, a flexible hair body in which a base surface 33 (base film) is coated with abrasive grains 31 having a particle size of 1.0 m or less. It is preferable to adopt a structure in which 32 is formed on the base surface 33 in large numbers.
  • the average particle diameter is preferably 1. O / zm or less, and more preferably 0.5 m or less, and the thickness (diameter) and length are integrated.
  • the ceramics include silicon oxide, acid aluminum, cerium oxide, carbide, and nitride nitride.
  • L m scratching marks may be left on the substrate surface due to polishing, which is not preferable.
  • the average particle size is 50% weight cumulative This refers to the particle diameter. Specifically, it can be obtained by measuring with a laser diffraction particle size distribution meter or the like.
  • the ciliary body needs to be flexible and strong enough to withstand repeated bending, and to be able to be integrated with the gun barrel, Specifically, cellulose regenerated resin such as rayon, and general-purpose resin such as polyamide and polyester can be used.
  • the thickness (diameter) of the ciliary body is preferably 5 to 50 ⁇ m, but if it is smaller than 5 ⁇ m, it becomes difficult to integrate with the resin, and if it exceeds 50 m, the bending performance is poor. This is not preferable.
  • the length of the hair is preferably 30 to 300 / ⁇ ⁇ , but if it is shorter than 30 m, the coverage with respect to the irregularities on the substrate is insufficient, and if it is longer than 300 m, it is difficult to adjust the pressure when cutting. Therefore, it is not preferable.
  • the ciliary body and the barrel are integrated with each other as a polishing material. As a method for this, the coating of the barrel on the surface of the capillary body is uniformly kneaded with the barrel. You can use the means such as. It is sufficient if the barrel is fixed on the surface of the ciliary body during use and the substrate surface can be ground.
  • an ITO film 34 is formed on the glass substrate 1, and a TFT element portion 35 having a thickness of about 1 m is formed on the ITO film 34. Even for the TFT substrate, the ITO film 34 (bottom surface of the concave portion) which is not only the top surface (convex surface) of the FTF element portion 35 can be polished without fail.
  • a polishing plate 9 is disposed as a base 9 below the fixed plate 14, a cushioning material 10 is supported and abutted against the polishing plate 9, and a polishing polishing film 2 is stretched on the cushioning material 10.
  • the polishing surface 4 formed of the polishing film 2 is brought into press contact with the substrate 1, the base surface 33 is pressed with an appropriate strength so as not to contact the surface of the substrate 1. It is configured. That is, the resinous hair-like body 32 is slightly bent along the surface of the substrate 1 on the surface of the substrate 1, and the surface of the substrate 1 is polished by the fine barrels 31 existing in the trunk portion of the resinous-hair-like hair 32. Configure to get.
  • polishing surface 4 in Example 1 is a hypothesis formed by a greaved hair-like body 32 that is planted in large numbers on the base surface 32, not the base surface 32, and contacts the surface of the substrate 1. It is a concept.
  • a reciprocating mechanism 15 for reciprocating the base 9 to reciprocate the polishing film 2 (polishing surface 4) in the length direction is provided.
  • a tape fixing body 16 (toggle mechanism) for fixing the polishing film 2 (via the cushioning material 10) by pressing the right and left sides of the polishing film 2 wound around the base 9 is provided. , Press the tape fixing body 16 to prevent slippage between the polishing film 2 and the polishing plate 9 during polishing (adjusting the tension of the polishing film 2 by adjusting the pressure)
  • Tape fixing mechanism 16 is also provided, and it is configured so that extremely good polishing can be performed by adjusting each of them.
  • the polishing head P is pressed against the substrate 1 by the linear motion mechanism by the air cylinder 13 during polishing.
  • the pressing force can be set to the optimum condition by air pressure.
  • Example 1 two polishing heads P are arranged side by side in the substrate transport direction, and the high-pressure jet cleaning unit 6 is arranged in parallel before and after this, and the pressing force and reciprocating frequency of the polishing head P are arranged.
  • Each type of polishing film 2 is selected so that the first polishing is a rough polishing and the second polishing is a fine polishing.
  • the polishing head P is reciprocated in the longitudinal direction, and the base plate 1 is advanced while reciprocating or circularly oscillating the table 17 to which the substrate 1 is attached in the advancing direction.
  • the polishing film 2 and the substrate 1 By moving the polishing film 2 and the substrate 1 relative to each other in different directions, the entire substrate 1 can be uniformly polished without unevenness.
  • a high-pressure jet jet (high-pressure jet cleaning unit 6) that jets water or a cleaning liquid (polishing liquid) toward the polishing head P and close to the polishing head P is placed in parallel.
  • the high-pressure jet cleaning section 6 is a high-pressure jet jet jet pipe having a nozzle section 5 in the length direction, and the high-pressure jet cleaning section 6 is arranged in parallel with the polishing head P close to the belt-like shape. Immediately after polishing by the polishing surface 4, a high-pressure jet jet can be blown and washed.
  • the transport unit 11 that transports the substrate 1 is configured by an inclined transport guide that can transport the substrate 1 while holding the substrate 1 in an inclined state, and the substrate 1 tilts along the tilt guide.
  • it is configured to be conveyed in a predetermined direction. Specifically, it is configured such that it is vacuum chucked on an angled table 17 and transported while swinging, and each process is integrated. Configure the layer to be good.
  • the polishing head P and the high-pressure jet cleaning unit 6 are arranged in parallel in the transport direction (transport line), and further, a rotating brush is disposed as the cleaning unit 7, an air knife drainer and a clean hot air blow are disposed as the drying processing unit 8.
  • These devices are capable of consistent processing, and are compact and simple in configuration, realizing an extremely excellent polishing and cleaning / drying device.
  • polishing head P is provided in an inclined state with respect to the transport direction of the substrate 1, and the high-pressure jet cleaning unit 6 is also provided in an inclined state along this.
  • the polishing head P having the belt-like polishing surface 4 is in contact with the substrate 1 in the inclined state with respect to the transport direction of the substrate 1 to perform polishing.
  • the polishing liquid is spread over the entire polishing film 2 and the substrate 1 can be uniformly polished.
  • the polishing head P Since the substrate 1 is also transported in a state of being inclined with respect to the horizontal, the polishing head P is also tilted with the tilt of the substrate 1, and the polishing head P is transported in the transport direction of the substrate 1. Therefore, drainage is easier to spread, and polishing and cleaning are also better.
  • Example 1 the polishing liquid ejected from the high-pressure jet cleaning unit 6 is pure water only, so that the waste liquid treatment is performed, and good cleaning is performed even with pure water by the above configuration. I try to get it.
  • the remaining party is rotated by rotating the rotating brush. Remove the particles from the substrate 1, remove particles with a high-pressure jet, and then drain with an air knife as a draining treatment, and then dry to a degree with clean hot air blow or heating lamp without damage. In some cases, UV irradiation should be used.
  • Example 1 is installed in the talen room as an integrated device capable of performing a series of processes such as polishing, cleaning, vacuum heating drying, UV irradiation, static electricity removal, etc. with the polishing film 2.
  • a series of processes such as polishing, cleaning, vacuum heating drying, UV irradiation, static electricity removal, etc.
  • organic EL it can be connected to a vapor deposition machine that deposits an organic film. The force and the number of particles below 1.0 m can be very small.
  • the polishing head P of Example 2 is provided with a pair of reels 12 on the fixed plate 14 and a driving device 13 (air cylinder) for contact and separation movement.
  • a driving device 13 air cylinder
  • the polishing plate 9 is moved toward and away from the polishing plate 9, and the force of the one reel 12 is also a polishing film 2 as a polishing material (polishing tape 2).
  • the polishing film 2 is stretched down and stretched downward to form a polishing surface 4 that contacts the surface of the substrate 1.
  • the same components as those in Example 1 are denoted by the same reference numerals.
  • the polishing film 2 has a flexible hair 32 having a base surface 33 (base film) coated with abrasive grains 31 having a particle size of 1.0 ⁇ m or less. Specifically, it is preferable to use a large number of those formed on the base surface 33.
  • the average particle diameter is preferably 1. O / zm or less, more preferably 0.5 m or less Coated with a thick, diameter (diameter) and length, preferably 5-50 ⁇ m and 30-300 ⁇ m, more preferably 5-30 ⁇ m and 50-150 ⁇ m
  • the body 32 is a total of 25-50 ⁇ m. It is preferable to use a hair transplanted on a film.
  • an ITO film 34 is formed on the glass substrate 1, and a TFT element portion 35 having a thickness of about 1 m is formed on the ITO film 34.
  • the ITO film 34 (the bottom surface of the concave portion) which is not only the top surface (the top surface of the convex portion) of the TFT element portion 35 can be polished without fail.
  • the cushioning material 10 is supported and abutted against the polishing plate 9, and the polishing film 2 is stretched on the cushioning material 10, and the polishing surface 4 formed of the polishing film 2 is attached to the substrate 1.
  • the base surface 33 is configured to be pressed with an appropriate strength so as not to contact the surface of the substrate 1. That is, the resinous hair-like body 32 is slightly bent along the surface of the substrate 1 on the surface of the substrate 1, and the surface of the substrate 1 is made up by the minute barrels 31 existing around the trunk of the resinous hair-like body 32. Configure for policing.
  • the polishing surface 4 is a hypothesis formed by a cocoon hair-like body 32 that is planted on the base surface 32, not the base surface 32, and contacts the surface of the substrate 1. It is a concept.
  • the support body 21 of the second embodiment includes a base portion 21a, an arm portion 21b attached to the base portion 21a, and a support portion that supports the polishing plate 9 supported by the distal end portion of the arm portion 21b.
  • the arm portion 21b is configured to stretch the polishing film 2 by always urging the polishing plate 9 downward (via the support portion 21c) by an appropriate elastic member. Yes. Therefore, even if the substrate 1 has irregularities and undulations, it can be satisfactorily polished by the expansion and contraction of the appropriate elastic member, and this point force can also be satisfactorily polished.
  • the appropriate elastic member may be provided on the arm portion 2 lb so that the arm portion 2 lb can extend and retract, or provided on the base 21 a and the arm portion 21 b can be moved up and down by the expansion and contraction of the elastic member. May be configured to do!
  • Example 2 as a swinging mechanism for swinging the polishing head P relative to the substrate 1, the base 9 is moved back and forth to polish the polishing film 2 (polishing surface 4). ) Is provided with a reciprocating mechanism (not shown) that reciprocates in the length direction.
  • an adjusting mechanism 22 for adjusting the tensioning degree of the polishing film 2 wound around the substrate 9 is provided between the pair of reels 12 and both ends in the length direction of the cushion material 10. It is provided via the polishing film 2 and the adjusting mechanism 22 is moved and moved while the polishing film 2 is supported by the adjusting mechanism 22 so that the tensioning degree of the polishing film 2 can be adjusted and adjusted. Configure for good policing. Specifically, with the polishing film 2 held between a pair of guide rollers, the degree of tension of the polishing film 2 is adjusted by moving the pair of guide opening rollers together.
  • reference numeral 23 denotes a fixed roller.
  • the polishing head P is pressed against the substrate 1 by the linear motion mechanism by the air cylinder 13 during polishing.
  • the pressing force can be set to the optimum condition by air pressure.
  • Example 2 as shown in FIGS. 8 and 9, two polishing heads P are arranged side by side in the substrate transport direction, and the high-pressure jet cleaning section 6 is located at the upper and lower positions in the substrate transport direction.
  • the pressure of the polishing head P, the reciprocating frequency, and the type of the polishing film 2 are selected, respectively, so that the first polishing can be performed with rough polishing and the second polishing with fine polishing.
  • Other configurations such as a configuration in which the polishing head P is integrally provided or a configuration in which three or more bodies are provided may be used, and the high-pressure jet cleaning unit 6 may be positioned in the upper position in the substrate transport direction of the polishing head P. Or it is good also as a structure provided in either one of lower positions.
  • the polishing head P is reciprocated in the longitudinal direction, and the base plate 1 is advanced while the table 17 to which the substrate 1 is attached is reciprocated or circularly oscillated in the advancing direction.
  • the polishing film 2 and the substrate 1 By moving the polishing film 2 and the substrate 1 relative to each other in different directions, the entire substrate 1 can be uniformly polished without unevenness.
  • a high-pressure jet jet for jetting water or a cleaning liquid (polishing liquid) toward the position polished by the polishing head P is provided in parallel with the polishing head P.
  • the high-pressure jet cleaning section 6 is a long high-pressure jet jet jet pipe having a nozzle section 5 in the length direction, and the high-pressure jet cleaning section 6 is disposed in parallel with the polishing head P in proximity. Therefore, immediately after polishing by the belt-like polishing surface 4, a high-pressure jet jet can be blown and cleaned.
  • a plurality of nozzle portions 5 are arranged in the length direction. It is good also as a structure.
  • the high-pressure jet cleaning unit 6 uses the high-pressure jet jet blown from the nozzle unit 5 to remove the surface force of the substrate 1 by the polishing and before the workpiece floating on the surface of the substrate 1 adheres to the substrate 1 again. It is provided at a position where it can be removed. Specifically, it is provided near the polishing head P so as to remove the floating workpiece, but close to the polishing head P as long as the floating workpiece can be removed. For example, when the apparatus is integrated, the polishing head P and the high-pressure jet cleaning unit 6 are connected so that the polishing process and the high-pressure jet spraying process are performed with a slight time difference. It is also good as a configuration that is set a little apart!
  • the nozzle part 5 of the high-pressure jet cleaning part 6 is configured to blow a high-pressure jet jet on a part where the polishing head P and the surface of the substrate 1 are in contact with each other or in the vicinity thereof.
  • the polishing head P is set so as to face the side where the polishing head P and the surface of the substrate 1 are in contact.
  • the transport unit 11 that transports the substrate 1 is configured by an inclined transport guide that can transport the substrate 1 while maintaining the tilted state, and the substrate 1 tilts along the tilt guide.
  • it is configured to be conveyed in a predetermined direction. Specifically, it is configured such that it is vacuum chucked by an angled table 17 and is conveyed while being oscillated, so that each process is improved.
  • the force is such that the polishing head P and the substrate 1 can be satisfactorily polished by relatively moving them in different directions.
  • the polishing head P is orthogonal to its length direction.
  • any configuration is adopted. May be.
  • the polishing head P and the high-pressure jet cleaning unit 6 are juxtaposed in this transport direction (transport line), and an air knife 24 for removing moisture and a heating lamp 30 for drying the substrate are disposed as the drying processing unit 8.
  • This is a device that integrates them, and has a simple structure that can be removed from the comparator, realizing an extremely excellent polishing, cleaning and drying device.
  • polishing head P is provided in a state orthogonal to the conveyance direction of the substrate 1 and Along with this, a high-pressure jet cleaning unit 6 is also installed in an orthogonal state.
  • the polishing head P having the belt-like polishing surface 4 is brought into contact with the substrate 1 in the orthogonal state with respect to the transport direction of the substrate 1 to perform polishing.
  • the substrate 1 Since the substrate 1 is also transported in a state inclined with respect to the horizontal, the drainage is improved and the cleaning is further improved.
  • Example 2 the polishing liquid ejected from the high-pressure jet cleaning unit 6 is pure water only, so that the waste liquid treatment is performed, and good cleaning is performed even with pure water by the above configuration. I try to get it.
  • Example 2 was installed in the talin room as an integrated device capable of performing a series of processes such as polishing, cleaning, vacuum heating drying, UV irradiation, and static electricity removal with the polishing film 2.
  • a series of processes such as polishing, cleaning, vacuum heating drying, UV irradiation, and static electricity removal with the polishing film 2.
  • organic EL it can be connected to a vapor deposition machine that deposits an organic film. The force and the number of particles below 1.0 m can be very small.
  • the present invention is not limited to the first and second embodiments, and the specific configuration of each component can be designed as appropriate.

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Abstract

 基板表面に柔らかい材料や硬度の低い材料から成るパターン形状や薄膜が形成されていても良好なポリシングが可能な極めて実用性に秀れたポリシング装置を提供することである。基板(1)表面をポリシングするポリシング装置であって、砥粒(31)が一体化された柔軟性を有する毛状体(32)がベース面(33)に多数形成されたポリシング材が設けられるポリシングヘッドPを備え、このポリシングヘッドPに設けられるポリシング材を基板(1)表面に接触させた状態でポリシング材若しくは基板(1)を揺動せしめることで前記砥粒(31)が一体化された毛状体(32)により基板(1)表面を削り得るように構成し、前記ポリシング材を凹凸部を有する前記基板(1)表面に接触させた際、この凹凸部の凸部頂面だけでなく凹部底面をもポリシングし得るように、前記毛状体(32)の長さ及び柔軟性を設定したものである。

Description

明 細 書
ポリシング装置
技術分野
[0001] 本発明は、ポリシング装置に関するものである。
背景技術
[0002] ガラス基板に形成された ITO膜、 ICウェハーや液晶用ガラス基板等を洗浄するた めの基板洗浄装置として、例えば特開 2004— 322305号公報 (特許文献 1)に開示 されて!/ヽるようなものがある。
[0003] この基板洗浄装置は、前記基板の表面をポリシングにて極めて薄く削り、表面に付 着して 、るパーティクル ·汚れ ·有機物残渣 ·金属残渣 '酸化膜'スパッタリング突起等 の不要物を表面力 離脱させて洗浄するものであり、基板の清浄度を非常に高める ことができ、極めてクリーンな状態での製作が求められる例えば有機 EL製造の分野 において有用である。
[0004] 特許文献 1:特開 2004— 322305号公報
発明の開示
[0005] ところで、従来の基板洗浄装置の基板表面を極めて薄く削るためのポリシング装置 が有するポリシング材表面は、断面視台形状の微細な突起が規則的に多数並設さ れた表面形状を有しており、例えば、基板上に平坦な ITO膜のみが形成されている 場合には良好なポリシングが可能である力 例えば ITO膜と、この ITO膜上に、厚さ 1 μ m程度の TFT素子部とが形成され、表面に凹凸部 (段差)が存する基板をポリシン グする場合、前記ポリシング面の並設する一の突起が TFT素子部(凸部)の頂面と当 接するとこの TFT素子部間の ITO膜(凹部底面)まで前記ポリシング面に形成された 突起が到達できな 、ことがあり、ポリシングが必要である ITO膜を良好にポリシングで きない可能性がある。
[0006] 本発明は、上述のような現状に鑑み、基板上にパターン形状や薄膜が形成され、 基板表面に凹凸部があっても凹部底面にあたる ITO膜等を良好にポリシングして基 板の表面形状によらず確実に基板表面の清浄ィ匕を図れ、し力も、この基板表面に形 成されるパターン形状や薄膜が柔らか ヽ材料や硬度の低 、材料で形成されて ヽても 良好なポリシングが可能な極めて実用性に秀れたポリシング装置を提供するもので ある。
[0007] 添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
[0008] 基板 1表面をポリシングするポリシング装置であって、砲粒 31が一体化された柔軟 性を有する毛状体 32がベース面 33に多数形成されたポリシング材が設けられるポリ シングヘッド Pを備え、このポリシングヘッド Pに設けられるポリシング材を基板 1表面 に接触させた状態でポリシング材若しくは基板 1を揺動せしめることで前記砥粒 31が 一体ィ匕された毛状体 32により基板 1表面を削り得るように構成し、前記ポリシング材を 凹凸部を有する前記基板 1表面に接触させた際、この凹凸部の凸部頂面だけでなく 凹部底面をもポリシングし得るように、前記毛状体 32の長さ及び柔軟性を設定したこ とを特徴とするポリシング装置に係るものである。
[0009] また、基板 1表面をポリシングするポリシング装置であって、砲粒 31が一体化された 柔軟性を有する毛状体 32が、ベース面 33に多数形成されたポリシング材が設けられ るポリシングヘッド Pと、このポリシングヘッド Pに設けられるポリシング材と基板 1表面 とをポリシング材に形成された多数の毛状体 32が基板 1表面に沿って屈曲するように 接触させ得る接触機構と、このポリシング材の毛状体 32が基板 1表面に沿って屈曲 するように接触した状態でポリシング材若しくは基板 1を揺動せしめて基板 1表面を削 る揺動機構とを備え、前記ポリシング材を凹凸部を有する前記基板 1表面に接触させ た際、この凹凸部の凸部頂面だけでなく凹部底面をもポリシングし得るように、前記毛 状体 32の長さ及び柔軟性を設定したことを特徴とするポリシング装置に係るものであ る。
また、前記ポリシング材の毛状体 32力 太さおよび長さがそれぞれ、 5〜50 /ζ πιおよ び 30〜300 μ mの榭脂製であることを特徴とする請求項 1に記載のポリシング装置 に係るものである。
また、前記ポリシング材の毛状体 32力 太さおよび長さがそれぞれ、 5〜50 /ζ πιおよ び 30〜300 μ mの榭脂製であることを特徴とする請求項 2に記載のポリシング装置 に係るものである。 また、前記ポリシング材に一体ィ匕された砲粒 31力 平均粒子径が 1. 以下のセ ラミックスであることを特徴とする請求項 3に記載のポリシング装置に係るものである。
[0010] また、前記ポリシング材に一体ィ匕された砲粒 31力 平均粒子径が 1. 0 μ m以下の セラミックスであることを特徴とする請求項 4に記載のポリシング装置に係るものである
[0011] また、テープ状の前記ポリシング材を、一方のリール 12力も巻き出し他方のリール 12 へ巻き取り可能な状態でこのリール 12間に張設し、このリール 12間に張設される前記 テープ状のポリシング材を前記基板 1表面に、若しくは、前記基板 1のポリシングする 表面をリール 12間に張設される前記テープ状のポリシング材に接離自在に接触せし めて、前記基板 1表面をポリシングにより削り得るように前記ポリシングヘッド P並びに 基板 1を構成したことを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポリシング装 置に係るものである。
[0012] また、高圧ジェット洗浄部 6を設ける際に、それに付帯するノズル部 5を、そのジェッ ト噴流により前記ポリシングによって削られ基板 1表面力 離脱した削物を浮遊させて 、基板 1表面に再度付着する前に除去し得る位置に配設したことを特徴とする請求 項 1〜6のいずれ力 1項に記載のポリシング装置に係るものである。
[0013] また、前記高圧ジェット洗浄部 6は、テープ状のポリシング材を設けるポリシングへッ ド Pの長さ方向に沿って配設し得るノズル部 5が、それから噴出するジェット噴流が基 板の幅以上の幅域を洗浄可能となるように複数のノズル力 成るか若しくは噴出する ジェット噴流が基板の幅以上の幅域を洗浄可能とする所定形状の噴出孔を有するノ ズルカ 成る構成とし、このノズル部 5を前記ポリシングヘッド Pに沿って並設状態に て配設したことを特徴とする請求項 8に記載のポリシング装置に係るものである。
[0014] また、前記ポリシングヘッド Pは、このポリシングヘッド Pに設けられるテープ状のポリ シング材の長さ方向が基板搬送方向に対して交差する方向となるように配設し、当該 ポリシング材の基板 1表面に対する加圧力を自在に調整できる機構を有することを特 徴とする請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載のポリシング装置に係るものである。
[0015] また、前記基板 1を搬送する搬送部 11は、基板 1を水平に対して傾斜した状態で搬 送するように構成したことを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポリシン グ装置に係るものである。
[0016] また、前記ポリシングヘッド P若しくはポリシングヘッド Pの前記ポリシング材は長さ方 向に対し往復運動をし、前記基板 1は搬送方向に対し往復運動または円揺動運動を しながら進行して、ポリシングヘッド Pのポリシング材と基板 1とが相対的に異方向へ の運動をするように構成したことを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポ リシング装置に係るものである。
[0017] また、前記基板 1を搬送するラインに、一若しくは複数の前記ポリシングヘッド P並 びに前記高圧ジェット洗浄部 6並びに乾燥処理部 8を並べて各処理が一連に行える 一体ィ匕構成としたことを特徴とする請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載のポリシング 装置に係るものである。
[0018] 本発明は、上述のように構成したから、基板表面に凹凸部があっても凹部底面にあ たる ITO膜等を良好にポリシングして基板の表面形状によらず確実に基板表面の清 浄ィ匕を図れ、し力も、この基板表面に柔らかい材料や硬度の低い材料力 成るバタ ーン形状や薄膜が形成されていても良好なポリシングが可能な極めて実用性に秀れ たポリシング装置となる。
[0019] また、請求項 2〜7記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できるより実 用性に秀れた基板表面ポリシング '洗浄装置となる。
[0020] 請求項 8〜13記載の発明においては、ポリシングヘッドの近接位置に高圧ジェット 洗浄部に付帯するノズル部を配設することで、ポリシング直後にジェット洗浄でき、ポ リシングによって基板表面力 離脱した削物を再付着前に確実に除去できる極めて 画期的なものとなる。
[0021] 即ち、例えばガラス基板 ITO膜面のポリシングが精度良くでき、また、清浄度は極 限まで上がり、また例えば請求項 11記載の如く構成すれば、クリーンルーム内に容 易に一体ィ匕装置として設置できるものとなる。
[0022] また、ポリシングヘッドが複数の場合には、例えば一段目はパーティクルを洗浄でき るポリシング条件、二段目は工程前の残渣洗浄をできるポリシング条件、三段目は膜 的な汚れの洗浄ができるポリシング条件と 、うように、各々のポリシングヘッドに最適 なポリシング条件を設定することにより、一層良好な基板洗浄を実現できるものとなる 図面の簡単な説明
[0023] [図 1]実施例 1のポリシングヘッドの概略構成説明図である。
[図 2]実施例 1のポリシング時の説明図である。
[図 3]実施例 1の概略構成説明平面図である。
圆 4]実施例 1の概略構成説明側面図である。
[図 5]実施例 1の概略構成説明正面図(図 4の矢視 A図)である。
[図 6]ポリシング材の拡大概略説明断面図である。
[図 7]実施例 2のポリシングヘッドの概略構成説明図である。
[図 8]実施例 2の概略構成説明平面図である。
[図 9]実施例 2の概略構成説明側面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0024] 好適と考える本発明の実施形態 (発明をどのように実施する力 を、図面に基づい て本発明の作用を示して簡単に説明する。
[0025] ポリシングヘッド Pに設けたポリシング材を基板 1表面に接触させ、このポリシング材 と基板 1とを相対的に揺動せしめて基板 1表面をポリシングにより極めて薄く削る。こ の際、ポリシング材のベース面 33に多数設けた柔軟性を有する例えば榭脂製の毛状 体 32が、基板 1表面で屈曲するように接触させることで、この榭脂製毛状体 32にコー ティングされた微小な砲粒 31により基板 1表面をポリシングすることができる。
[0026] 従って、従来は良好にポリシングできな力つた凹凸部が存する基板 1表面であって も前記榭脂製毛状体 32が柔軟に屈曲して、この榭脂製毛状体 32が前記凹凸部とし ての例えば電極部頂面に接触しても、この接触した榭脂製毛状体 32が屈曲すること で、他の榭脂製毛状体 32が凹部底面 (例えば ITO膜)まで到達でき、前記凹凸部の 凸部頂面だけでなく凹部底面をもポリシングできることになり、基板 1の表面形状によ らず、基板 1表面が平坦であっても、また、凹凸があっても良好にポリシングを行うこと 力でさること〖こなる。
[0027] し力も、柔軟性を有する榭脂製毛状体 32による基板 1表面のポリシングは、例えば 基板 1上に柔らかい薄膜等が基板表面に形成されていても、微小な砥粒 31と榭脂製 毛状体 32の柔らかいタツチでこの薄膜等を傷つけることなく行えることになる。
[0028] 即ち、上述のように凹凸部があっても、また、柔らかい薄膜等があっても良好に基板 1表面をポリシングできるから、例えば有機 ELを形成する際、段差や保護膜が存在 する基板として完成された状態で有機膜を成膜する寸前に洗浄可能となり、有機膜 の成膜を基板に付着する塵埃等が極めて少ない状態で行えることになり、極めて欠 陥の少ない高品質の有機 ELを形成できることになる。
[0029] 例えば、 TFT基板のように ITO膜が TFT素子部より約 1 μ m低 、基板に対して、 1 μの出っ張りに関係なぐ ΙΤΟ膜をポリシングできたり、保護膜としてポリイミドなどの 柔らかい榭脂を使用している基板に対して、保護膜に傷を付けることなくポリシングで きたり、有機 ELのパッシブ基板のように ΙΤΟ膜の上にポリイミドなどのような柔らかい 榭脂から成る厚さ約 1 μ mの絶縁膜や、高さ約 2 μ mの三角形状の陰極隔壁が構成 された基板に対しても絶縁膜に傷つけることなぐまた、三角形状の形を崩すことなく I TO膜をポリシングできたり、 Cr膜や合金膜のように一度付着したパーティクルの除去 が困難である膜をポリシングできることになる。
[0030] 従って、本発明は、基板表面に凹凸部があっても凹部底面にあたる ITO膜等を良 好にポリシングして基板の表面形状によらず確実に基板表面の清浄ィ匕を図れ、しか も、この基板表面に柔らかい材料や硬度の低い材料力も成るパターン形状や薄膜が 形成されていても良好なポリシングが可能な極めて実用性に秀れたポリシング装置と なる。
[0031] また、例えば、テープ状の前記ポリシング材を、一方のリール 12から巻き出し他方の リール 12へ巻き取り可能な状態でこのリール 12間に張設し、このリール 12間に張設さ れる前記テープ状のポリシング材を前記基板 1表面に接触せしめて、前記基板 1表 面をポリシングにより極めて薄く削り得るように前記ポリシングヘッド Pを構成した場合 には、簡単にテープ状のポリシング材の未使用部分を引き出し、また、使用済み部分 を巻き取ることができ、常に新し 、部分でポリシングを行える構成を簡易に実現でき、 また、交換も容易となる。
[0032] また、例えば、前記ポリシングヘッド Pのリール 12間に張設されたテープ状のポリシ ング材若しくは基板 1を、基板 1若しくは前記ポリシングヘッド Pのリール 12間に張設さ れたテープ状のポリシング材に対して接離自在に設けた場合には、このポリシング材 と基板 1表面との接触度合 、を容易に調整できることになる。
[0033] また、例えば、前記基板 1表面に高圧ジェット噴流を吹き付けるノズル部 5を有する 高圧ジェット洗浄部 6を、前記ポリシングにより削られて基板 1表面カゝら離脱した削物 を除去し得る位置に設けた場合には、基板 1 (例えば有機 EL用 ITO膜基板, ICゥェ ハー,液晶用ガラス基板等の基板)の表面をポリシングにて極めて薄く(0. 5ηπ!〜 2 Onm)削り、表面に付着して ヽるパーティクル ·汚れ ·有機物残渣 ·金属残渣 ·酸ィ匕膜 •スパッタリング突起等の不要物を表面力も離脱させ、このポリシングにより削られ基 板 1表面から離脱した前記不要物(削物)が浮遊する基板 1表面に高圧ジェット噴流 を吹き付けることで、基板 1の表面のポリシング及び洗浄を行うことが可能となり、この 際、ポリシングヘッド Pのポリシング材により基板 1表面をポリシングした後、即ち、ポリ シングにより基板 1の表面を極めて薄く削ることで生じた削物を高圧ジェット噴流によ り吹き飛ばして除去することができる。
[0034] 具体的には、基板 1表面力も離脱してこの基板 1表面に浮遊している状態、つまり、 離脱した削物が基板 1表面に再度付着する前に、高圧ジェット噴流により前記削物を この基板 1表面力 確実に吹き飛ばして除去することができる。
[0035] 即ち、ポリシングによって削られた削物を直ちに基板 1表面力も吹き飛ばすことで、 この基板 1表面へのこの削物の再付着を阻止することができ、基板 1表面から離脱し た削物を確実に除去することが可能となる。言い換えれば、基板 1表面に付着し、単 に高圧ジェット噴流を吹き付けただけでは除去することができない表面に付着してい るパーティクル ·汚れ ·有機物残渣 ·金属残渣 '酸化膜'スパッタリング突起等の不要 物を、ポリシングによって削ることで基板 1表面力も離脱させて浮遊状態とすることで、 高圧ジェット噴流により容易に吹き飛ばすことができるから、この基板 1表面のパーテ イタル ·汚れ ·有機物残渣 ·金属残渣 ·酸ィ匕膜'スパッタリング突起等の不要物を確実 に除去できることになる。
[0036] 即ち、基板 1表面を極めて薄く削ることで表面の不要物を確実に基板 1表面力も離 脱させることができるポリシングと、浮遊する削物を基板 1表面に押し付けることなぐ 即ち、再度付着させるおそれなく水等の液体を介して吹き飛ばして除去することがで きる高圧ジェット噴流とを併用することで、これらを別々に使用した場合には決して得 ることができない極めて秀れた洗浄効果を得ることができる。
[0037] また、例えば更に水分を完全に除去し、静電気を除去しきれいな基板 1表面を形成 する。
[0038] これらの内容の仕事を例えばポリシングヘッド、高圧ジェット噴流水噴射、回転ブラ シ洗浄、エアーナイフ水切り、クリーン温風ブロー等のユニットを並べて一体化して設 置することにより実現し、小型シンプル、クリーンな装置でクリーンルームに設置でき、 また、例えばポリシングに使用する液は純水のみを使用し廃液処理のいらない、かつ 表面に付着して!/ヽるパーティクル ·汚れ ·有機物残渣 ·金属残渣 '酸化膜'スパッタリン グ突起等の不要物を完全に除去し、基板の清浄度を極限まで高めることができる装 置を構成できる。
[0039] また、例えば、テープ状のポリシングフィルム 2により構成した帯状のポリシング面 4 を有するポリシングヘッド Pが基板 1に対して相対的に揺動することによってポリシン グを行うように構成した場合、即ち、例えば一方のリール 12から巻き出したポリシング フィルム 2を他方のリール 12へ巻き取るように構成し、このリール 12間に張設したポリ シンダフイルム 2を基板 1表面に接触せしめ、このポリシングヘッド Pに対して基板 1を 移動することで基板 1表面をポリシングするように構成した場合には、このように巻き 取りテープ方式を採用するため、装置全体のコンパクトィ匕が容易となると共に、このポ リシングのためのポリシンダフイノレム 2の交換も容易に行える。
[0040] また、このポリシングフィルム 2のテンション調整も容易となり、またこのポリシングフィ ルム 2 (ポリシング材)を長さ方向に往復運動をさせ、かつ基板 1を進行方向に対し往 復運動または円揺動運動させながら基板 1を移動させることによりポリシングフィルム 2と基板 1を相対的に異方向への運動をさせ、基板 1全体をムラなく均一にポリシング し、より良好なポリシングが行える。
[0041] 尚、ポリシングヘッド Pと基板 1の往復運動の周期は同一に設定しても良いし、異な らせても良い。
[0042] また、この帯状のポリシング材を有するポリシングヘッド Pを基板 1の搬送方向に対 して傾斜状態にして接触し、ポリシングを行なうように構成すれば、具体的には、基板 1を水平に対して傾斜した状態に搬送するように構成すれば、排水が良好となる。
[0043] また、ポリシングヘッドが複数の場合は、例えば一段目はパーティクルを洗浄できる ポリシング条件、二段目は前工程の残渣を洗浄できるポリシング条件、三段目は膜的 な汚れの洗浄ができるポリシング条件と 、うように、各々のポリシングヘッドに最適な ポリシング条件を設定することにより、一層良好な洗浄ができることになる。
[0044] また、例えばポリシングヘッド Pとこれに近接させる高圧ジェット洗浄部 6並びに乾燥 処理部 8を基板 1の搬送ラインに並べて一体化することで、各処理が一連に行なえ、 し力もポリシング後直ちに洗浄 ·乾燥が行なえ極めて良好な洗浄が行なえることとなる 実施例 1
[0045] 本発明の具体的な実施例 1につ 、て図 1〜6に基づ 、て説明する。
[0046] 実施例 1のポリシングヘッド Pは、接離移動用の駆動装置 13 (エアシリンダー)に設 けた固定板 14に一対のリール 12を設け、この一方のリール 12力もポリシング材として のポリシングフィルム 2 (ポリシングテープ 2)を巻き出して他方のリール 12へ巻き取る ように構成してポリシングフィルム 2を下方に張設し、基板 1表面と接触するポリシング 面 4を形成している。
[0047] 従って、磨耗したら巻き取って行き、またリール 12毎交換できるため交換も簡単であ る。
[0048] また、ポリシングフィルム 2としては、図 6に図示したようにベース面 33 (ベースフィル ム)に、粒径 1. 0 m以下の砥粒 31がコーティングされた柔軟性を有する毛状体 32 がベース面 33に多数形成されたものを採用すると良い。具体的には、平均粒子径と して好ましくは 1. O /z m以下より好ましくは 0. 5 m以下のセラミックス性の砲粒が一 体化された、太さ(径)および長さがそれぞれ好ましくは 5〜50 μ mおよび 30〜300 μ mより好ましくは 5〜30 μ m及び 50〜150 μ mの榭脂製毛状体 32を 25〜50 μ m のベースフィルムに植毛したものを採用するのが好ましい。ここで前記セラミックスとは 、具体的には、酸化ケィ素、酸ィ匕アルミニウム、酸ィ匕セリウム、炭化ケィ素、窒化ケィ 素等が挙げられる。この場合、平均粒子径が: L mを超えると、ポリシングにより基板 表面に削傷跡を残すことがあり好ましくない。また、平均粒子径とは、 50%重量累積 粒子径をいい、具体的にはレーザー回折式粒度分布計等にて測定し知得できる。
[0049] 更に、前記毛状体は、屈曲の繰返しに耐えうる柔軟性と強さを備え、かつ、砲粒と の一体ィ匕が可能である必要性があることから、素材は榭脂が好適であり、具体的には 、レーヨン等のセルロース再生榭脂、ポリアミド、ポリエステル等の汎用の榭脂が利用 できる。この場合、毛状体の太さ(径)は 5〜50 μ mが好ましいが、 5 μ mより小さいと 榭脂との一体ィ匕が難しくなり、 50 mを超えると屈曲性能が悪ィ匕するために好ましく ない。また、毛状体の長さは 30〜300 /ζ πιが好ましいが、 30 mより短いと基板上の 凹凸に対するカバレージ性が不十分となり、 300 mより長いと削る際の圧力調整が 困難となるため好ましくない。前記毛状体と砲粒とは、ポリシング材として一体ィ匕され る力 その方法としては毛状体榭脂表面への砲粒のコーティングゃ榭脂へ砲粒を均 一に練り込み毛状体にするなどの手段が利用できる。使用時に砲粒が毛状体表面 にて固定され、基板表面の研削が可能な状況であれば良い。
[0050] このようなポリシング材を採用することで、例えばガラス基板 1の上に ITO膜 34が成 膜され、この ITO膜 34の上に厚さ 1 m程度の TFT素子部 35が形成された TFT基板 に対しても、 FTF素子部 35の頂面(凸部頂面)だけでなぐ前記 ITO膜 34 (凹部底面 )をも確実にポリシングできることになる。
[0051] また、この固定板 14の下方には基体 9としてポリシングプレート 9を配設し、このポリ シングプレート 9にクッション材 10を支承当接し、このクッション材 10にポリシングポリシ ングフィルム 2が張設されるように構成し、ポリシングフィルム 2で形成したポリシング面 4を基板 1に押圧接触せしめた際、前記ベース面 33までもが基板 1表面に接触しない ように適宜な強さで押圧せしめるように構成している。即ち、榭脂製毛状体 32が基板 1表面で基板 1表面に沿ってやや屈曲し、この榭脂製毛状体 32の胴部に存する前記 微小な砲粒 31により基板 1表面をポリシングし得るように構成して 、る。
[0052] 尚、実施例 1においてポリシング面 4とは、ベース面 32のことではなぐこのベース面 32に多数植毛され、基板 1表面に接触する榭脂製毛状体 32で形成される仮想的な 概念である。
[0053] また、この基体 9を往復移動させてポリシングフィルム 2 (ポリシング面 4)を長さ方向 に往復移動させる往復運動機構 15を設けて 、る。 [0054] また、この基体 9に巻き回したポリシングフィルム 2の左右を押圧して基体 9に(クッシ ヨン材 10を介して)ポリシングフィルム 2を固定するテープ固定体 16 (トグル機構)を設 け、このテープ固定体 16を押圧し、ポリシング中ポリシングフィルム 2とポリシングプレ ート 9との間のすべりが生じないようにする(押圧加減を調整することでポリシングフィ ルム 2のテンションを調整することもできる)テープ固定機構 16をも設け、夫々調整設 置することで極めて良好なポリシングが行なえるように構成して 、る。
[0055] また、ポリシングヘッド Pはポリシングの際前記エアシリンダー 13による直動機構にて ポリシング面を基板 1に押し付けられる。押し付け力はエア圧力で最適な条件に設定 できる。
[0056] また、実施例 1では、ポリシングヘッド Pを基板搬送方向に二体並設し、この前後及 びその間に高圧ジェット洗浄部 6を並設し、ポリシングヘッド Pの加圧力、往復振動数 、ポリシングフィルム 2の種類を各々選択し第 1ポリシングは粗ポリシング、第 2ポリシン グは精密ポリシングができるようにして 、る。
[0057] また、前述のように、ポリシングヘッド Pを長手方向に往復運動をさせ、かつ基板 1を 取り付けたテーブル 17を進行方向に対し往復運動または円揺動運動をさせながら基 板 1を進行移動させることによりポリシングフィルム 2と基板 1を相対的に異方向への 運動をさせることにより、基板 1全体をムラなく均一にポリシングできるようにしている。
[0058] また、このポリシングヘッド Pに近接させると共にポリシングヘッド Pによるポリシング した位置に向けて、水若しくは洗浄液 (ポリシング液)をジヱット噴出する高圧ジェット 噴流 (高圧ジェット洗浄部 6)を並設状態に配設して!/ヽる。
[0059] この高圧ジェット洗浄部 6は、長さ方向にノズル部 5を有する高圧ジェット噴流噴出 管とし、この高圧ジェット洗浄部 6をポリシングヘッド Pに近接させて並設配置すること で、帯状のポリシング面 4によりポリシングした直後に高圧ジェット噴流を吹きつけ洗 净することができるようにして ヽる。
[0060] また、実施例 1では、基板 1を搬送する搬送部 11は、基板 1を傾斜状態に保持しつ つ搬送できる傾斜搬送ガイドにより構成し、この傾斜ガイドに沿って基板 1は傾斜しつ つ、所定の一方向へ搬送されるように構成している。具体的には、角度をもったテー ブル 17に真空チャックされ、揺動運動しながら搬送されるように構成し、各処理が一 層良好となるように構成して 、る。
[0061] この搬送方向(搬送ライン)に前記ポリシングヘッド P、高圧ジェット洗浄部 6を並設 すると共に、更に洗浄部 7として回転ブラシ、乾燥処理部 8としてエアーナイフ水切り 、クリーン温風ブローを配設し、これらを一貫処理可能な装置とし、コンパクト化が図 れ簡易な構成にして、極めて秀れたポリシング並びに洗浄 '乾燥が行なえる装置を実 現している。
[0062] また、ポリシングヘッド Pは基板 1の搬送方向に対して傾斜状態に設けると共に、こ れに沿って高圧ジェット洗浄部 6も傾斜状態に設ける。
[0063] 即ち、帯状のポリシング面 4を有するポリシングヘッド Pを基板 1の搬送方向に対し て傾斜状態にして面接し、ポリシングを行なうように構成して 、る。
[0064] 直交状態でなぐ傾斜状態とすることで、ポリシング液がポリシングフィルム 2の全体 に行き渡り基板 1を均一にポリシングすることができることとなる。
[0065] 更に言えば、このポリシングヘッド Pに並設状態に高圧ジェット洗浄部 6を設けること で、ポリシング直後にジェット洗浄でき、し力もこの噴出する水若しくは洗浄液 (ポリシ ング液)力 ポリシングヘッド Pが搬送方向に対して傾斜しているため、ポリシングフィ ルム 2全体に均一に行き渡り易ぐ均一にポリシングを行える。
[0066] し力も、更に基板 1を水平に対して傾斜した状態に搬送するように構成したから、基 板 1の傾斜と共にポリシングヘッド Pも傾斜する上、このポリシングヘッド Pは基板 1の 搬送方向に対しても傾斜するから、一層行き渡り易ぐ排水も良好となり、ポリシング 並びに洗浄も一層良好となる。
[0067] また、実施例 1では、高圧ジェット洗浄部 6から噴出するポリシング液は純水のみと し、廃液処理が 、らな 、ようにすると共に前記構成により純水でも良好な洗浄が行な えるようにしている。
[0068] また、ポリシングヘッド Pに固定したポリシングフィルム 2によるポリシングの際に高圧 ジェット洗浄部 6の高圧ノズルからの水を当て、ポリシングフィルム 2の砲粒や基板 1か ら離脱したパーティクル等を直ぐ洗浄すると同時に、この水がポリシングフィルム 2へ のポリシング液供給を兼ねるようにしている。
[0069] また、ポリシング、高圧ジェット洗浄の後、回転ブラシを回転させ残っているパーティ クル等を基板 1から剥がし、更に高圧ジェット噴流でパーティクルを除去し、その後水 きり処理としてエアーナイフで水切りし、更にクリーン温風ブローあるいは加熱用ラン プにて基板損傷が無 、程度に乾燥し、場合によって UV照射するようにして 、る。
[0070] 以上のように実施例 1は、ポリシングフィルム 2によるポリシング、洗浄、真空加熱乾 燥更には UV照射、静電気除去等の処理が一連に行なえる一体ィ匕装置として、タリ ーンルーム内に設置可能な装置となり、有機 ELの場合は有機膜を蒸着する蒸着機 に連結可能となる。し力も、 1. 0 m以下のパーティクルも非常に少なくできる。
[0071] また、有機 EL素子を製作した場合は、ダークスポットが少なくなり、画素ショートも少 なくなり、ホール輸送層のコンタクト性も良好で、 I— L特性や、リーク電流等も向上し、 また素子の品質'信頼性も向上、ポリシング内製ィ匕によるコストダウン、少スペース生 産ライン等を実現でき、生産効果も向上する。
実施例 2
[0072] 本発明の具体的な実施例 2について図 7〜9に基づいて説明する。
[0073] 実施例 2のポリシングヘッド Pは、図 7に図示したように固定板 14に一対のリール 12 を設けると共に接離移動用の駆動装置 13 (エアシリンダー)を設け、この駆動装置 13 により基体 9としてのポリシングプレート 9を支承する支承体 21を駆動することでポリシ ングプレート 9を接離移動させるように構成し、前記一方のリール 12力もポリシング材 としてのポリシングフィルム 2 (ポリシングテープ 2)を巻き出して他方のリール 12へ巻き 取るように構成してポリシングフィルム 2を下方に張設し、基板 1表面と接触するポリシ ング面 4を形成している。尚、実施例 1と同一構成部分には同一符号を付した。
[0074] 従って、磨耗したら巻き取って行き、またリール 12毎交換できるため交換も簡単であ る。
[0075] また、ポリシングフィルム 2としては、実施例 1と同様、ベース面 33 (ベースフィルム) に、粒径 1. 0 μ m以下の砥粒 31がコーティングされた柔軟性を有する毛状体 32がべ ース面 33に多数形成されたものを採用すると良ぐ具体的には、平均粒子径として好 ましくは 1. O /z m以下より好ましくは 0. 5 m以下のセラミックス性の砲粒が一体ィ匕さ れた、太さ(径)および長さがそれぞれ好ましくは 5〜50 μ mおよび 30〜300 μ mより 好ましくは 5〜30 μ m及び 50〜150 μ mの榭脂製毛状体 32を、 25〜50 μ mのべ一 スフイルムに植毛したものを採用するのが好まし 、。
[0076] このようなポリシング材を採用することで、例えばガラス基板 1の上に ITO膜 34が成 膜され、この ITO膜 34の上に厚さ 1 m程度の TFT素子部 35が形成された TFT基板 に対しても、 TFT素子部 35の頂面(凸部頂面)だけでなぐ前記 ITO膜 34 (凹部底面 )をも確実にポリシングできることになる。
[0077] また、前記ポリシングプレート 9にクッション材 10を支承当接し、このクッション材 10に ポリシングフィルム 2が張設されるように構成し、ポリシングフィルム 2で形成したポリシ ング面 4を基板 1に押圧接触せしめた際、前記ベース面 33までもが基板 1表面に接触 しないように適宜な強さで押圧せしめるように構成している。即ち、榭脂製毛状体 32 が基板 1表面で基板 1表面に沿ってやや屈曲し、この榭脂製毛状体 32の胴部の周囲 に存する前記微小な砲粒 31により基板 1表面をポリシングし得るように構成して 、る。
[0078] 尚、実施例 2においてポリシング面 4とは、ベース面 32のことではなぐこのベース面 32に多数植毛され、基板 1表面に接触する榭脂製毛状体 32で形成される仮想的な 概念である。
[0079] また、実施例 2の前記支承体 21は、基部 21aと、この基部 21aに取り付けられるァー ム部 21bと、アーム部 21bの先端部により支承されポリシングプレート 9を支承する支 承部 21cとから成り、実施例 2においては適宜な弾性部材によりアーム部 21bが(支承 部 21cを介して)ポリシングプレート 9を常に下方に付勢してポリシングフィルム 2を張 設するように構成している。従って、基板 1に凹凸やうねりがあっても前記適宜な弾性 部材の伸縮により良好にポリシングすることができ、この点力もも良好にポリシングを 行える構成である。尚、前記適宜な弾性部材はアーム部 2 lbに設けてこのアーム部 2 lbが伸縮動作するように構成としても良いし、基部 21aに設けてこの弾性部材の伸縮 により前記アーム部 21bが上下動するように構成しても良!、。
[0080] また、実施例 2にお 、ては、ポリシングヘッド Pを基板 1に対して相対的に揺動させ る揺動機構として、この基体 9を往復移動させてポリシングフィルム 2 (ポリシング面 4) を長さ方向に往復移動させる往復運動機構 (図示省略)を設けて!/ヽる。
[0081] また、この基体 9に巻き回したポリシングフィルム 2の張設度合いを調整する調整機 構 22 (ガイドローラ)を一対のリール 12とクッション材 10の長さ方向両端部との間に夫 々ポリシングフィルム 2を介して設け、この調整機構 22にポリシングフィルム 2が支持さ れた状態でこの調整機構 22同志が接離移動することで、ポリシングフィルム 2の張設 度合 、を調整して極めて良好なポリシングが行えるように構成して 、る。具体的には 一対のガイドローラ間にポリシングフィルム 2を挾持した状態で、この一対のガイド口 ーラ同志を接離移動させることでポリシングフィルム 2の張設度合いを調整する。尚、 図中符号 23は固定ローラである。
[0082] また、ポリシングヘッド Pはポリシングの際前記エアシリンダー 13による直動機構にて ポリシング面 4を基板 1に押し付けられる。押し付け力はエア圧力で最適な条件に設 定できる。
[0083] また、実施例 2では、図 8, 9に図示したようにポリシングヘッド Pを基板搬送方向に 二体並設し、この基板搬送方向の上手位置及び下手位置に前記高圧ジェット洗浄 部 6を並設し、ポリシングヘッド Pの加圧力、往復振動数、ポリシングフィルム 2の種類 を各々選択し第 1ポリシングは粗ポリシング、第 2ポリシングは精密ポリシングができる ようにしている。尚、ポリシングヘッド Pを一体設けた構成としたり、三体以上設けた構 成とする等、他の構成としても良いし、また、高圧ジェット洗浄部 6をポリシングヘッド P の基板搬送方向の上手位置若しくは下手位置のいずれか一方に設けた構成として も良い。
[0084] また、前述のように、ポリシングヘッド Pを長手方向に往復運動をさせ、かつ基板 1を 取り付けたテーブル 17を進行方向に対し往復運動または円揺動運動をさせながら基 板 1を進行移動させることによりポリシングフィルム 2と基板 1を相対的に異方向への 運動をさせることにより、基板 1全体をムラなく均一にポリシングできるようにしている。
[0085] また、このポリシングヘッド Pに近接させると共にポリシングヘッド Pによってポリシン グした位置に向けて、水若しくは洗浄液 (ポリシング液)をジェット噴出する高圧ジエツ ト噴流 (高圧ジェット洗浄部 6)を並設状態に配設して!/ヽる。
[0086] この高圧ジェット洗浄部 6は、長さ方向にノズル部 5を有する長尺な高圧ジェット噴 流噴出管とし、この高圧ジェット洗浄部 6をポリシングヘッド Pに近接させて並設配置 することで、帯状のポリシング面 4によりポリシングした直後に高圧ジェット噴流を吹き つけ洗浄することができるようにしている。また、ノズル部 5を長さ方向に複数並設した 構成としても良い。
[0087] 高圧ジェット洗浄部 6は、このノズル部 5から吹き付けられる高圧ジェット噴流により、 前記ポリシングによって基板 1表面力 離脱してこの基板 1表面上を浮遊する削物が 基板 1に再度付着する前に除去し得る位置に設けている。具体的には、浮遊状態の 前記削物を除去し得るようにポリシングヘッド Pの近接位置に設けて 、るが、浮遊状 態の前記削物を除去し得る位置であればポリシングヘッド Pに近接している必要はな ぐ例えば装置を一体ィ匕する際、ポリシングを行う工程と高圧ジェット噴流を吹き付け る工程とをやや時間差をお 、て行うようにポリシングヘッド Pと高圧ジェット洗浄部 6と をやや離して設置した構成としても良!、。
[0088] また、高圧ジェット洗浄部 6のノズル部 5は、前記ポリシングヘッド Pと前記基板 1表 面との面接部位若しくはその近傍部位に高圧ジェット噴流を吹き付ける構成であり、 具体的には、前記ポリシングヘッド Pと前記基板 1表面との面接部位側を向くように設 定している。
[0089] また、実施例 2では、基板 1を搬送する搬送部 11は、基板 1を傾斜状態に保持しつ つ搬送できる傾斜搬送ガイドにより構成し、この傾斜ガイドに沿って基板 1は傾斜しつ つ、所定の一方向へ搬送されるように構成している。具体的には、角度をもったテー ブル 17に真空チャックされ、揺動運動しながら搬送されるように構成し、各処理が一 層良好となるように構成して 、る。
[0090] 尚、実施例 2はポリシングヘッド Pと基板 1を相対的に異方向への運動をさせること で良好にポリシングできるように構成している力 例えばポリシングヘッド Pをその長さ 方向と直交方向に揺動させ、基板 1をその搬送方向と直交方向に揺動させる構成等 、ポリシングフィルム 2と基板 1を相対的に異方向への運動をさせる構成であればどの ような構成を採用しても良い。
[0091] この搬送方向(搬送ライン)に前記ポリシングヘッド P、高圧ジェット洗浄部 6を並設 すると共に、乾燥処理部 8として水分除去用のエアーナイフ 24、基板乾燥用の加熱 用ランプ 30を配設し、これらを一体化した装置とし、コンパ外ィ匕が図れ簡易な構成に して、極めて秀れたポリシング並びに洗浄 ·乾燥が行なえる装置を実現して 、る。
[0092] また、ポリシングヘッド Pは基板 1の搬送方向に対して直交状態に設けると共に、こ れに沿って高圧ジ ット洗浄部 6も直交状態に設ける。
[0093] 即ち、帯状のポリシング面 4を有するポリシングヘッド Pを基板 1の搬送方向に対し て直交状態にして面接し、ポリシングを行なうように構成して 、る。
[0094] 直交状態とすることで、基板 1表面に均一にポリシングを行うことができ、効率良くポ リシングすることがでさることとなる。
[0095] 更に言えば、このポリシングヘッド Pに並設状態に高圧ジェット洗浄部 6を設けること で、ポリシング直後にジェット洗浄できる。
[0096] し力も、基板 1を水平に対して傾斜した状態に搬送するように構成したから、排水が 良好となり洗浄が一層良好となる。
[0097] また、実施例 2では、高圧ジェット洗浄部 6から噴出するポリシング液は純水のみと し、廃液処理が 、らな 、ようにすると共に前記構成により純水でも良好な洗浄が行な えるようにしている。
[0098] また、ポリシングヘッド Pに固定したポリシングフィルム 2によるポリシングの際に高圧 ジェット洗浄部 6の高圧ノズルからの水を当て、ポリシングフィルム 2の砲粒や基板 1か ら離脱したパーティクル等を直ぐ洗浄すると同時に、この水がポリシングフィルム 2へ のポリシング液供給を兼ねるようにしている。
[0099] また、ポリシング、高圧ジェット噴流洗浄の後、エアーナイフ 24で水分を除去し、更 に赤外線ランプ 30で乾燥し、場合によって UV照射するようにして 、る。
[0100] 以上のように実施例 2は、ポリシングフィルム 2によるポリシング、洗浄、真空加熱乾 燥更には UV照射、静電気除去等の処理が一連に行なえる一体ィ匕装置として、タリ ーンルーム内に設置可能な装置となり、有機 ELの場合は有機膜を蒸着する蒸着機 に連結可能となる。し力も、 1. 0 m以下のパーティクルも非常に少なくできる。
[0101] また、有機 EL素子を製作した場合は、ダークスポットが少なくなり、画素ショートも少 なくなり、ホール輸送層のコンタクト性も良好で、 I— L特性や、リーク電流等も向上し、 また素子の品質'信頼性も向上、ポリシング内製ィ匕によるコストダウン、少スペース生 産ライン等を実現でき、生産効果も向上する。
[0102] 尚、本発明は、実施例 1, 2に限られるものではなぐ各構成要件の具体的構成は 適宜設計し得るものである。

Claims

請求の範囲
[1] 基板表面をポリシングするポリシング装置であって、砲粒が一体化された柔軟性を 有する毛状体がベース面に多数形成されたポリシング材が設けられるポリシングへッ ドを備え、このポリシングヘッドに設けられるポリシング材を基板表面に接触させた状 態でポリシング材若しくは基板を揺動せしめることで前記砥粒が一体化された毛状体 により基板表面を削り得るように構成し、前記ポリシング材を凹凸部を有する前記基 板表面に接触させた際、この凹凸部の凸部頂面だけでなく凹部底面をもポリシングし 得るように、前記毛状体の長さ及び柔軟性を設定したことを特徴とするポリシング装 置。
[2] 基板表面をポリシングするポリシング装置であって、砲粒が一体化された柔軟性を 有する毛状体力 ベース面に多数形成されたポリシング材が設けられるポリシングへ ッドと、このポリシングヘッドに設けられるポリシング材と基板表面とをポリシング材に 形成された多数の毛状体が基板表面に沿って屈曲するように接触させ得る接触機構 と、このポリシング材の毛状体が基板表面に沿って屈曲するように接触した状態でポ リシング材若しくは基板を揺動せしめて基板表面を削る揺動機構とを備え、前記ポリ シング材を凹凸部を有する前記基板表面に接触させた際、この凹凸部の凸部頂面 だけでなく凹部底面をもポリシングし得るように、前記毛状体の長さ及び柔軟性を設 定したことを特徴とするポリシング装置。
[3] 前記ポリシング材の毛状体力 太さおよび長さがそれぞれ、 5〜50 μ mおよび 30〜3 00 μ mの榭脂製であることを特徴とする請求項 1に記載のポリシング装置。
[4] 前記ポリシング材の毛状体力 太さおよび長さがそれぞれ、 5〜50 μ mおよび 30〜 300 μ mの榭脂製であることを特徴とする請求項 2に記載のポリシング装置。
[5] 前記ポリシング材に一体ィ匕された砲粒力 平均粒子径が 1. 0 μ m以下のセラミック スであることを特徴とする請求項 3に記載のポリシング装置。
[6] 前記ポリシング材に一体ィ匕された砲粒力 平均粒子径が 1. 0 μ m以下のセラミック スであることを特徴とする請求項 4に記載のポリシング装置。
[7] テープ状の前記ポリシング材を、一方のリール力も巻き出し他方のリールへ巻き取り 可能な状態でこのリール間に張設し、このリール間に張設される前記テープ状のポリ シング材を前記基板表面に、若しくは、前記基板のポリシングする表面をリール間に 張設される前記テープ状のポリシング材に接離自在に接触せしめて、前記基板表面 をポリシングにより削り得るように前記ポリシングヘッド並びに基板を構成したことを特 徴とする請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載のポリシング装置。
[8] 高圧ジェット洗浄部を設ける際に、それに付帯するノズル部を、そのジェット噴流に より前記ポリシングによって削られ基板表面力も離脱した削物を浮遊させて、基板表 面に再度付着する前に除去し得る位置に配設したことを特徴とする請求項 1〜6のい ずれ力 1項に記載のポリシング装置。
[9] 前記高圧ジェット洗浄部は、テープ状のポリシング材を設けるポリシングヘッドの長 さ方向に沿って配設し得るノズル部力 それから噴出するジェット噴流が基板の幅以 上の幅域を洗浄可能となるように複数のノズル力 成る力若しくは噴出するジェット噴 流が基板の幅以上の幅域を洗浄可能とする所定形状の噴出孔を有するノズルから 成る構成とし、このノズル部を前記ポリシングヘッドに沿って並設状態にて配設したこ とを特徴とする請求項 8に記載のポリシング装置。
[10] 前記ポリシングヘッドは、このポリシングヘッドに設けられるテープ状のポリシング材 の長さ方向が基板搬送方向に対して交差する方向となるように配設し、当該ポリシン グ材の基板表面に対する加圧力を自在に調整できる機構を有することを特徴とする 請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポリシング装置。
[11] 前記基板を搬送する搬送部は、基板を水平に対して傾斜した状態で搬送するよう に構成したことを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポリシング装置。
[12] 前記ポリシングヘッド若しくはポリシングヘッドの前記ポリシング材は長さ方向に対し 往復運動をし、前記基板は搬送方向に対し往復運動または円揺動運動をしながら進 行して、ポリシングヘッドのポリシング材と基板とが相対的に異方向への運動をするよ うに構成したことを特徴とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載のポリシング装置。
[13] 前記基板を搬送するラインに、一若しくは複数の前記ポリシングヘッド並びに前記 高圧ジェット洗浄部並びに乾燥処理部を並べて各処理が一連に行える一体化構成 としたことを特徴とする請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載のポリシング装置。
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