WO2005111259A1 - 有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置 - Google Patents

有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置 Download PDF

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organic
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Toshio Negishi
Tatsuhiko Koshida
Koji Hane
Toshimitsu Nakamura
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Ulvac, Inc.
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources

Definitions

  • the present invention relates to an organic material evaporation source for forming an organic compound evaporation film on a substrate when manufacturing an organic EL device or the like, and an organic evaporation apparatus using the same.
  • Fig. 7 is a schematic configuration diagram of an organic vapor deposition apparatus for producing a conventional organic EL element.
  • an evaporation source 103 is provided below a vacuum chamber 102, and a substrate 104 which is a film formation target is provided above the evaporation source 103. Have been.
  • vapor of an organic material evaporated from the evaporation source 103 is deposited on the substrate 104 via the mask 105 to form an organic thin film of a predetermined pattern.
  • Patent Document 1 JP-A-10-168560
  • the present invention has been made in order to solve such problems of the conventional technology, and an object thereof is to provide an organic film capable of forming a film having a uniform film thickness distribution on a large substrate.
  • An object of the present invention is to provide a material evaporation source and an organic evaporation apparatus using the same.
  • Another object of the present invention is to provide an evaporation source for an organic material capable of accurately and responsively controlling a heating temperature and an evaporation rate during evaporation, and an organic evaporation apparatus using the same. Is to do.
  • the present invention provides a container main body for containing a predetermined organic material having a heating section that also has a high-frequency induction coil force, and for allowing vapor of the organic material to pass therethrough.
  • a lid having an evaporating port, wherein the amount of vapor of the organic material emitted from the evaporating port is configured to increase in a divergent manner with respect to a two-dimensional position with respect to a predetermined reference position, It is an evaporation source for organic materials.
  • a plurality of evaporating ports are provided in the lid portion, and the plurality of evaporating ports are arranged in a divergent shape.
  • the evaporation port of the lid portion is configured such that a total opening area increases in accordance with a distance of the reference position force.
  • the evaporating ports of the lid are arranged along a plurality of concentric arcs centered on the reference position.
  • the lid is formed in a divergent shape.
  • the container body is formed in a divergent shape.
  • the present invention further includes a vacuum chamber in which the organic material evaporation source is disposed, and in the vacuum chamber, a film formation target is relatively positioned around a predetermined rotation center axis with respect to the organic material evaporation source.
  • An organic vapor deposition apparatus which is configured to rotate, and wherein the organic material evaporation source is disposed such that a reference position of the evaporation port is located near the rotation center axis.
  • the evaporation source for organic material of the present invention is configured such that the amount of vapor of the organic material emitted from the evaporation rocker increases divergently with respect to a two-dimensional position with respect to a predetermined reference position.
  • the evaporation source for organic material By arranging the evaporation source for organic material such that the reference position of the evaporation port is located near the rotation center axis of the film formation target, the evaporation source is separated from the vicinity of the rotation center axis of the film formation target.
  • a large amount of vapor of the organic material can be vapor-deposited at the part where the film is formed, whereby the film thickness distribution on the object to be film-formed can be made uniform.
  • the evaporation source for organic materials of the present invention has a heating section composed of a high-frequency induction coil in the main body of the container, it is compared with a case where a Knudsen cell is used as the evaporation source, for example. Thus, it is possible to accurately and responsively control the heating temperature and the evaporation rate at the time of vapor deposition.
  • a plurality of evaporation ports are provided in the lid, and the plurality of evaporation ports are arranged in a divergent shape.
  • the amount of vapor of the organic material released from the evaporation loca can be configured to increase in a divergent manner with respect to a two-dimensional position with respect to the reference position, whereby the film thickness distribution on the film formation target can be made uniform.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of an embodiment of an organic vapor deposition apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of an evaporation source in the organic vapor deposition apparatus.
  • FIG. 3 is a plan view showing a configuration of an evaporation source in the organic vapor deposition apparatus.
  • FIG. 4 is a perspective view showing an external configuration of a dopant evaporation source of an organic evaporation apparatus.
  • FIG. 5 is a graph showing the results of the example
  • FIG. 6 is a graph showing the results of a comparative example
  • FIG. 7 Schematic configuration diagram of an organic vapor deposition apparatus for producing a conventional organic EL element
  • Vacuum vapor deposition device 2 ... Vacuum tank 3 . Evaporation unit 4 ; Substrate holder 5 ... Substrate (target for film formation) 30 ... Evaporation source 31 . Host evaporation source 32 . Dopant evaporation source O ... BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the organic vapor deposition apparatus according to the present embodiment
  • FIG. 4 is a plan view showing a configuration of an evaporation source in the organic vapor deposition apparatus
  • FIG. 4 is a perspective view showing an external configuration of a dopant evaporation source in the organic vapor deposition apparatus.
  • the organic vapor deposition apparatus 1 of the present embodiment has a vacuum chamber 2 connected to a vacuum exhaust system (not shown), and an evaporating unit 3 described below is provided below the vacuum chamber 2. It is provided.
  • a shutter (not shown) for controlling the vapor evaporated from the evaporator 3 is provided near the upper part of the evaporator 3.
  • a substrate holder 4 is provided in the upper part of the vacuum chamber 2, and a substrate (film formation target) 5 on which a deposition film is to be formed is fixed to the substrate holder 4. Then, a mask 6 is provided near the lower part of the substrate 5.
  • the board 5 is configured to rotate in the horizontal direction by driving a motor (not shown).
  • the substrate 5 rotates around a rotation center axis O located at the center thereof.
  • the evaporating section 3 is composed of a plurality of evaporation sources 30.
  • each evaporation source 30 is a host evaporation source for evaporating the host material.
  • the dopant evaporation source 32 has a dopant evaporation source 32 for evaporating a dopant material.
  • the dopant evaporation source 32 is arranged on both sides of the host evaporation source 31.
  • the host evaporation source 31 has a divergent shape (a shape gradually expanding in one predetermined direction), for example, a fan-shaped evaporation container 31a.
  • the evaporation container 31a of the host evaporation source 31 is made of, for example, graphite, and a predetermined common organic evaporation material is accommodated in a common space therein.
  • the evaporation container 31a is covered with a fan-shaped lid 31b, like the evaporation container 31a.
  • a predetermined coil 50 is wound around the evaporation vessel 3 la in the host evaporation source 31, and an AC voltage having a predetermined frequency is applied to the coil 50 from an AC power supply 51 provided outside the vacuum chamber 2. It is configured to do.
  • a cooling pipe (not shown) for circulating a coolant such as a gas is arranged around the evaporating vessel 31a, so that the evaporating vessel 31a is brought to a predetermined temperature. Can be controlled.
  • the cover 31b of the host evaporation source 31 is provided with a plurality of evaporation ports 31c described below.
  • each of the evaporation ports 31c is formed in a circular shape having the same size, and is arranged in a divergent shape so as to correspond to the shape of the lid 31b.
  • each of the host evaporation sources 31 is disposed with its tapered tip directed toward the position of the rotation center axis O of the substrate 5 described above.
  • the evaporation ports 31c of the lid 31b are arranged along a plurality of concentric circles 33 around the rotation center axis O of the substrate 5.
  • the rotation center axis O force also increases the number of the evaporation ports 31c toward the outside so that the total opening area of the evaporation ports 31c increases according to the distance from the rotation center axis O of the substrate 5. Is configured.
  • the amount of the vapor of the organic material discharged from the evaporation port 31c increases in a divergent manner with respect to the two-dimensional position with respect to the rotation center axis O of the substrate 5.
  • the diameter of the evaporation port 31c is not particularly limited, but from the viewpoint of securing the film thickness uniformity, the diameter is lmn! It is preferable that the distance is set to be about 8 mm.
  • the pitch between the evaporation ports 31c is 3mn! It is preferable to set it to 10 mm.
  • the central angle of the sector of the evaporation container 31a and the lid 31b is preferably 30 ° to 60 ° from the viewpoint of keeping the concentration and the film thickness of the co-deposition of the dopant and the host constant.
  • the basic configuration of the dopant evaporation source 32 is the same as that of the host evaporation source 31,
  • a predetermined coil 50 is wound around the evaporation vessel 31a of the dopant evaporation source 32, and an AC voltage of a predetermined frequency is applied to the coil 50 from the AC power supply 51. Is configured.
  • the lid 32b of the dopant evaporation source 32 is provided with a plurality of evaporation ports 32c.
  • Each evaporating port 32c is formed in a circular shape having the same size, and is arranged in a divergent shape so as to correspond to the shape of the lid 32b.
  • each of the dopant evaporation sources 32 is disposed with its tapered tip directed toward the position of the rotation center axis O of the substrate 5 described above.
  • the evaporation ports 32c of the lid 32b are arranged along a plurality of concentric circles 33 centered on the rotation center axis O of the substrate 5.
  • the number of the evaporating ports 32c increases toward the outside so that the total opening area of the evaporating ports 32c increases in accordance with the distance from the rotation center axis O of the substrate 5 to the outside. Is configured.
  • each dopant evaporation source 32 spreads in a two-dimensional position with respect to the mass force S of the vapor of the organic material discharged from the evaporation port 32c and the rotation center axis O of the substrate 5.
  • the diameter of the evaporation port 32c is not particularly limited, but from the viewpoint of ensuring the film thickness uniformity, the diameter is lmn! It is preferable that the distance is set to be about 2 mm.
  • the pitch between the evaporation ports 32c is 2mn! From the viewpoint of ensuring the film thickness uniformity. It is preferable to set it to 5 mm.
  • the central angle of the sector of the evaporation container 32a and the lid 32b is preferably 1 ° to 30 ° from the viewpoint of the concentration distribution of the dopant.
  • the amount of the vapor of the organic material released from the evaporation ports 31 c and 32 c of the host evaporation source 31 and the dopant evaporation source 32 depends on the rotation center axis O of the substrate 5.
  • the reference is configured to increase in a divergent manner with respect to the two-dimensional position.As a result, a large amount of organic material vapor can be deposited at a position away from the vicinity of the rotation center axis O of the substrate 5, whereby the substrate 5 5 can make the film thickness distribution uniform.
  • the vapor deposition material is heated by the high-frequency induction coil 50, the vapor deposition material is more effective at the time of vapor deposition than when, for example, a Knudsen cell is used as the vapor source.
  • the heating temperature and the evaporation rate can be controlled accurately and with good responsiveness.
  • the number, arrangement, and the shape, arrangement, and size of the evaporation ports of the evaporation sources described in the above-described embodiment are merely examples, and the shape of the evaporation ports may be changed without departing from the scope of the present invention. It can be appropriately changed, such as a slit shape.
  • the embodiment shown in FIG. 5 can control the heating temperature and the evaporation rate more accurately and responsively than the comparative example shown in FIG. As a result,
  • the organic material evaporation source and the organic vapor deposition apparatus of the present invention can be used as means for forming a vapor deposition film of an organic compound on a substrate when manufacturing an organic EL device or the like.

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Abstract

　本発明は、大型基板に対して均一な膜厚分布の成膜が可能になるとともに、蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供するものである。 　本発明の蒸発源は、高周波誘導コイル５０からなる加熱部を有し所定の有機材料を収容するための容器本体部３１ａと、当該有機材料の蒸気を通過させるための蒸発口３１ｃを有する蓋部３１ｂとを備える。蓋部３１ｂの蒸発口３１ｃから放出される有機材料の蒸気の量が、所定の基準位置を基準として二次元的位置に関して末広がり状に増加するように構成されている。

Description

明 細 書
有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置
技術分野
[0001] 本発明は、例えば、有機 EL素子等を製造する際に、基板上に有機化合物の蒸着 膜を形成するための有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置に関する。 背景技術
[0002] 図 7は、従来の有機 EL素子を作成するための有機蒸着装置の概略構成図である。
図 7に示すように、この有機蒸着装置 101にあっては、真空槽 102の下部に蒸発源 103が配設されるとともに、この蒸発源 103の上方に成膜対象物である基板 104が 配置されている。
[0003] そして、蒸発源 103から蒸発される有機材料の蒸気を、マスク 105を介して基板 10 4に蒸着させることによって所定パターンの有機薄膜を形成するようになっている。
[0004] ところで、近年、有機 EL素子の技術分野においては、大型基板に対応する量産化 技術が求められているが、従来の蒸発源では、均一な膜厚分布を得ることが困難で あるという問題がある。
[0005] また、従来の蒸発源では、加熱温度及び蒸発速度の制御を正確に行うことが困難 であるとともに、制御の応答性の十分ではな 、と 、う問題もある。
特許文献 1 :特開平 10— 168560号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目 的とするところは、大型基板に対して均一な膜厚分布の成膜が可能な有機材料用蒸 発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供することにある。
[0007] また、本発明の他の目的は、蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正 確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着 装置を提供することにある。
課題を解決するための手段 [0008] 上記目的を達成するためになされた本発明は、高周波誘導コイル力もなる加熱部 を有し所定の有機材料を収容するための容器本体部と、当該有機材料の蒸気を通 過させるための蒸発口を有する蓋部とを備え、前記蒸発口から放出される有機材料 の蒸気の量が、所定の基準位置を基準として二次元的位置に関して末広がり状に増 加するように構成されて 、る有機材料用蒸発源である。
本発明は、前記発明において、前記蓋部に複数の蒸発口が設けられ、当該複数の 蒸発口が末広がり状に配置されて 、るものである。
本発明は、前記発明において、前記蓋部の蒸発口が、前記基準位置力 の距離に 応じて総開口面積が大きくなるように構成されて ヽるものである。
本発明は、前記発明において、前記蓋部の蒸発口が、前記基準位置を中心とする 複数の同心円弧に沿って配列されているものである。
本発明は、前記発明において、前記蓋部が、末広がり形状に形成されているもので ある。
本発明は、前記発明において、前記容器本体部が、末広がり形状に形成されてい るものである。
また、本発明は、前記有機材料用蒸発源が配置された真空槽を備え、前記真空槽 内において成膜対象物が前記有機材料用蒸発源に対し所定の回転中心軸を中心 として相対的に回転するように構成され、前記有機材料用蒸発源が、その蒸発口の 基準位置が前記回転中心軸の近傍に位置するように配置されている有機蒸着装置 である。
[0009] 本発明の有機材料用蒸発源は、蒸発ロカゝら放出される有機材料の蒸気の量が、 所定の基準位置を基準として二次元的位置に関して末広がり状に増加するように構 成されており、この有機材料用蒸発源を、その蒸発口の基準位置が成膜対象物の回 転中心軸の近傍に位置するように配置することによって、成膜対象物の回転中心軸 近傍から離れた部位にぉ ヽて有機材料の蒸気を多く蒸着させることができ、これによ り成膜対象物上における膜厚分布を均一にすることが可能になる。
[0010] また、本発明の有機材料用蒸発源は、容器本体部に高周波誘導コイルからなる加 熱部を有していることから、蒸発源として例えばクヌーセンセルを用いた場合に比べ て蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが 可會 になる。
[0011] 本発明の有機材料用蒸発源においては、蓋部に複数の蒸発口を設け当該複数の 蒸発口を末広がり状に配置すること、蓋部の蒸発口を、基準位置からの距離に応じ て総開口面積が大きくなるように構成すること、蓋部の蒸発口を、基準位置を中心と する複数の同心円弧に沿って配列することによって、蒸発ロカ 放出される有機材 料の蒸気の量を、当該基準位置を基準として二次元的位置に関して末広がり状に増 加するように構成することができ、これにより成膜対象物上における膜厚分布を均一 にすることが可能になる。
発明の効果
[0012] 本発明によれば、大型基板に対して均一な膜厚分布の成膜が可能になるとともに、 蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可 會 になる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明に係る有機蒸着装置の実施の形態の構成を示す断面図
[図 2]同有機蒸着装置における蒸発源の構成を示す平面図
[図 3]同有機蒸着装置における蒸発源の構成を示す平面図
[図 4]有機蒸着装置のドーパント蒸発源の外観構成を示す斜視図
[図 5]実施例による結果を示すグラフ
[図 6]比較例による結果を示すグラフ
[図 7]従来の有機 EL素子を作成するための有機蒸着装置の概略構成図
符号の説明
[0014] 1…真空蒸着装置 2…真空槽 3…蒸発部 4…基板ホルダー 5…基板 (成膜対 象物） 30…蒸発源 31· ··ホスト蒸発源 32· ··ドーパント蒸発源 O…回転中心軸 発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図 1は、本実施の形態の有機蒸着装置の構成を示す断面図、図 2及び図 3は、同 有機蒸着装置における蒸発源の構成を示す平面図、図 4は、同有機蒸着装置のド 一パント蒸発源の外観構成を示す斜視図である。
[0016] 図 1に示すように、本実施の形態の有機蒸着装置 1は、図示しない真空排気系に 接続された真空槽 2を有し、この真空槽 2の下方に後述する蒸発部 3が配設されてい る。
[0017] ここで、蒸発部 3の上方近傍には、蒸発部 3から蒸発する蒸気を制御するための図 示しな 、シャッターが設けられて 、る。
[0018] また、真空槽 2内の上部には、基板ホルダー 4が設けられ、この基板ホルダー 4に、 蒸着膜を形成すべき基板 (成膜対象物） 5が固定されている。そして、基板 5の下方 近傍にはマスク 6が設けられて 、る。
[0019] 本実施の形態の場合、図示しないモータの駆動によって基板 5が水平方向に回転 するように構成されている。
[0020] この場合、基板 5は、その中央部に位置する回転中心軸 Oを中心として回転するよ うになつている。
[0021] 一方、蒸発部 3は、複数の蒸発源 30から構成されている。
本実施の形態の場合、各蒸発源 30は、ホスト材料を蒸発させるためのホスト蒸発源
31と、ドーパント材料を蒸発させるためのドーパント蒸発源 32とを有し、例えば、ホス ト蒸発源 31の両側部にドーパント蒸発源 32が配置されるようになっている。
[0022] まず、ホスト蒸発源 31について説明すると、ホスト蒸発源 31は、末広がり形状 (所定 の一方向に向かって次第に広がっていく形状）、例えば扇形形状の蒸発容器 31aを 有している。
[0023] ここで、ホスト蒸発源 31の蒸発容器 31aは、例えばグラフアイトからなるもので、その 内部の共通する空間には、所定の有機系の蒸発材料が収容される。
[0024] この蒸発容器 31aは、蒸発容器 31aと同様に扇形形状の蓋部 31bによって覆われ るようになっている。
[0025] ホスト蒸発源 31は、蒸発容器 3 laの周囲に所定のコイル 50が巻き付けられ、真空 槽 2の外部に設けられた交流電源 51からこのコイル 50に対して所定周波数の交流 電圧を印加するように構成されて ヽる。 [0026] なお、本実施の形態においては、例えば蒸発容器 31aの周囲に例えばガス等の冷 媒を循環させるための冷却パイプ（図示せず)を配置することにより蒸発容器 31aを 所定の温度に制御することができる。
[0027] ホスト蒸発源 31の蓋部 31bには、以下に説明する複数の蒸発口 31cが設けられて いる。
[0028] 本実施の形態の場合は、各蒸発口 31cは同一の大きさの円形形状に形成され、蓋 部 31bの形状に対応するように末広がり状に配置されて!ヽる。
[0029] 図 3に示すように、各ホスト蒸発源 31は、その先細状の先端部を上述した基板 5の 回転中心軸 Oの位置に向けて配設されて 、る。
[0030] そして、蓋部 31bの蒸発口 31c力 この基板 5の回転中心軸 Oを中心とする複数の 同心円 33に沿って配列されている。
[0031] この場合、基板 5の回転中心軸 Oからの距離に応じて蒸発口 31cの総開口面積が 大きくなるように、回転中心軸 O力も外側に向かって蒸発口 31cの数が多くなるように 構成されている。
[0032] このような構成により、蒸発口 31cから放出される有機材料の蒸気の量が、基板 5の 回転中心軸 Oを基準として二次元的位置に関して末広がり状に増加するようになつ ている。
[0033] なお、本発明の場合、蒸発口 31cの径は特に限定されることはないが、膜厚均一性 確保の観点からは、その直径が lmn！〜 8mmとなるように構成することが好ましい。
[0034] また、蒸発口 31c間のピッチは、膜厚均一性確保の観点から、 3mn！〜 10mmとす ることが好ましい。
[0035] さらに、蒸発容器 31a及び蓋部 31bの扇形の中心角については、ドーパントとホスト の共蒸着の濃度及び膜厚を一定にする観点から、 30° 〜60° とすることが好ましい
[0036] 他方、ドーパント蒸発源 32の基本構成は、ホスト蒸発源 31と同様であり、蒸発容器
32aと蓋部 32bと力 構成されて 、る。
[0037] そして、ドーパント蒸発源 32の蒸発容器 31aの周囲に所定のコイル 50が巻き付け られ、交流電源 51からこのコイル 50に対して所定周波数の交流電圧を印加するよう に構成されている。
[0038] また、ドーパント蒸発源 32の蓋部 32bには、複数の蒸発口 32cが設けられている。
各蒸発口 32cは同一の大きさの円形形状に形成され、蓋部 32bの形状に対応するよ うに末広がり状に配置されて 、る。
[0039] さらに、各ドーパント蒸発源 32は、その先細状の先端部を上述した基板 5の回転中 心軸 Oの位置に向けて配設されて 、る。
[0040] そして、蓋部 32bの蒸発口 32cが、この基板 5の回転中心軸 Oを中心とする複数の 同心円 33に沿って配列されている。
[0041] この場合、基板 5の回転中心軸 Oからの距離に応じて蒸発口 32cの総開口面積が 大きくなるように、回転中心軸 O力も外側に向かって蒸発口 32cの数が多くなるように 構成されている。
[0042] このような構成により、各ドーパント蒸発源 32は、蒸発口 32cから放出される有機材 料の蒸気の量力 S、基板 5の回転中心軸 Oを基準として二次元的位置に関して末広が り状に増加するようになって!/、る。
[0043] なお、本発明の場合、蒸発口 32cの径は特に限定されることはないが、膜厚均一性 確保の観点からは、その直径が lmn！〜 2mmとなるように構成することが好ましい。
[0044] また、蒸発口 32c間のピッチは、膜厚均一性確保の観点から、 2mn！〜 5mmとする ことが好ましい。
[0045] さらに、蒸発容器 32a及び蓋部 32bの扇形の中心角については、ドーパントの濃度 分布の観点から、 1° 〜30° とすることが好ましい。
[0046] 以上述べたように本実施の形態においては、ホスト蒸発源 31及びドーパント蒸発 源 32の蒸発口 31c、 32cから放出される有機材料の蒸気の量が、基板 5の回転中心 軸 Oを基準として二次元的位置に関して末広がり状に増加するように構成されており 、その結果、基板 5の回転中心軸 O近傍から離れた部位において有機材料の蒸気を 多く蒸着させることができ、これにより基板 5上における膜厚分布を均一にすることが できる。
[0047] また、本実施の形態にお!ヽては、高周波誘導コイル 50によって蒸着材料を加熱す ることから、蒸発源として例えばクヌーセンセルを用いた場合に比べて蒸着時におけ る加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことができる。
[0048] なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなぐ種々の変更を行うことができ る。
例えば、上述の実施の形態に示した蒸発源の数、配置や蒸発源の蒸発口の形状、 配置、大きさ等は一例であり、本発明の範囲を逸脱しない限り、例えば蒸発口の形状 をスリット状にするなど、適宜変更が可能である。
実施例
[0049] 実施例として上記蒸発源と、比較例としてクヌーセンセルを用い、同一の条件で蒸 着を行った。その結果を図 5及び図 6に示す。
[0050] 図 5及び図 6から明らかなように、図 5に示す実施例は、図 6に示す比較例に比べて 加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことができ、その結果、約
1Z2の時間でプロセスを終了することができた。
産業上の利用可能性
[0051] 本発明の有機材料用蒸発源及び有機蒸着装置は、有機 EL素子等を製造する際 に、基板上に有機化合物の蒸着膜を形成する手段として利用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 有機材料用蒸発源であって、
高周波誘導コイルからなる加熱部を有し所定の有機材料を収容するための容器本 体部と、
当該有機材料の蒸気を通過させるための蒸発口を有する蓋部とを備え、 前記蒸発口力 放出される有機材料の蒸気の量が、所定の基準位置を基準として 二次元的位置に関して末広がり状に増加するように構成されている有機材料用蒸発 源。
[2] 前記蓋部に複数の蒸発口が設けられ、当該複数の蒸発口が末広がり状に配置さ れて ヽる請求項 1記載の有機材料用蒸発源。
[3] 前記蓋部の蒸発口が、前記基準位置からの距離に応じて総開口面積が大きくなる ように構成されて!ヽる請求項 1記載の有機材料用蒸発源。
[4] 前記蓋部の蒸発口が、前記基準位置を中心とする複数の同心円弧に沿って配列 されていることを特徴とする請求項 1記載の有機材料用蒸発源。
[5] 前記蓋部が、末広がり形状に形成されている請求項 1記載の有機材料用蒸発源。
[6] 前記容器本体部が、末広がり形状に形成されて！ヽる請求項 1記載の有機材料用蒸 発源。
[7] 有機蒸着装置であって、
真空槽と、
前記真空槽内に配置され、高周波誘導コイルからなる加熱部を有し所定の有機材 料を収容するための容器本体部と、当該有機材料の蒸気を通過させるための蒸発 口を有する蓋部とを備え、前記蒸発ロカも放出される有機材料の蒸気の量が、所定 の基準位置を基準として二次元的位置に関して末広がり状に増加するように構成さ れて ヽる有機材料用蒸発源とを備え、
前記真空槽内において成膜対象物が前記有機材料用蒸発源に対し所定の回転 中心軸を中心として相対的に回転するように構成され、
前記有機材料用蒸発源が、その蒸発口の基準位置が前記回転中心軸の近傍に位 置するように配置されて 、る有機蒸着装置。
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