WO2005064036A1 - 銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体 - Google Patents

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Takeo Okabe
Hirohito Miyashita
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Nikko Materials Co., Ltd.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Definitions

  • the present invention relates to a copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly with the properties required for a magnetron sputtering target.
  • sputtering has been used to form thin films of semiconductor devices and various electronic devices.
  • charged particles are directed to a target, the particle impact force is used to strike the particles from the target, and the target material is also formed on a substrate such as a wafer.
  • the target used in this sputtering deposition method usually has a flat or disk-like plate-like force Generally, this target is bonded to a backing plate.
  • a cooling plate (cooling plate) having the same good thermal conductivity is further combined to absorb the heat of the target.
  • a copper alloy backing plate with a 0.2% proof stress of 200 MPa or more a copper alloy backing plate with a 0.2% proof stress of 200 MPa or more.
  • the total content of components containing Cu-0.21 wt% Cr and selected also from Al, Mg, S, K, Ca, Fe, Ni, As, Ag, Sb, Bi force is lwt% or less Copper alloys are introduced (see, for example, Patent Document 3).
  • Patent Document 6 describes that the eddy current generated by the rotation of the magnet in the magnetron sputtering affects to reduce the film uniformity, and the specific resistance is 3. ⁇ ⁇ 'cm or more. It has been shown to use an aluminum alloy or copper alloy with a strength of 150 MPa or more.
  • the industrial aluminum alloy of 4.9 ⁇ 'cm, 182 MPa in the example, 7.2 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ . ⁇ ⁇ (24% ⁇ 03), 320MPa brass, as a comparative example, 75MPa A1-0.5Cu, 2.1 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ . A ⁇ - ⁇ (82% ⁇ 03), 465 MPa Cu-Cr backing plate is described.
  • Patent Document 1 US Patent No. 5269899
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-330929
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-236665
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-134170
  • Patent document 5 Unexamined-Japanese-Patent No. 10-195649
  • Patent Document 6 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2001-329362
  • Patent Document 7 Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-180975
  • Patent Document 7 Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-180975
  • a specific example is a fine copper wiring (for example, 90, 65 nm wiring rule) formed by a damascene process.
  • a tantalum film such as tantalum or nitride nitride in the wiring groove
  • copper as a seed layer is formed.
  • Sputtering of a copper alloy film is performed.
  • the brass backing plate listed in the example of Patent Document 6 can not provide sufficient film formability.
  • the Cu-Cr plating plate mentioned in the comparative example due to the problem of the magnet rotation due to the eddy current, there is a problem that sufficient formability can not be obtained.
  • the present invention provides a copper or copper alloy sputtering plate, and a copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate combination in which eddy current resistance characteristics and other characteristics required for a magnetron sputtering target are well balanced.
  • the task is to provide a solid.
  • the present invention is a first invention.
  • Copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly used for magnetron sputtering, wherein the copper alloy backing plate contains Be: 0.2-0.5 wt% Low beryllium copper alloy or Ni: 2-4 wt%
  • the copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly characterized in that it is a Cu-Ni-Si alloy or a Cu-Ni-Si alloy containing 3% by weight of SiO.3-0.9 wt%.
  • Cu—Ni—Si based alloy backing plate Ni: 2—4 wt%, SiO. 3—0.9 wt%, Cr: 0. 1-9. 9 wt% or Mg: 0.1—0.9 wt% Containing Cu— Ni— Si system
  • the copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly according to l characterized in that it is gold.
  • Copper or copper alloy target / copper alloy backing plate assembly characterized by having 2% caustic resistance 400-850 MPa.
  • the copper alloy backing plate of the present invention is extremely effective for copper and copper alloy (copper-based alloy) sputtering targets having similar thermal expansion coefficients with less warpage after diffusion bonding.
  • a copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly can be obtained in which the eddy current resistance characteristics and the characteristics required for other magnetron sputtering targets are well balanced. Furthermore, it has the excellent effect that the sputter film has a good formability.
  • a copper or copper alloy target for use in magnetron sputtering according to the present invention Z copper alloy
  • a copper alloy backing plate constituting a backing plate assembly is a low beryllium copper alloy containing Be: 0.2-0.5 wt% or Ni: It is a Cu-Ni-Si alloy or a Cu-Ni-Si alloy containing 2 to 4 wt% and SiO. 3 to 0.9 wt%.
  • As a Cu-Ni-Si alloy The Ni:.. 2- 4wt 0/ 0, SiO 3-0 9wt%, Cr:. 0. 1-0 9wt 0/0 Moshiku ⁇ or Mg: containing 0. 1-0 9wt% Cu-. Ni-Si based alloy is desirable.
  • the copper alloy backing plate of the copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly used for magnetron sputtering of the present invention has a conductivity of 35 to 60% (IACS), 0.2% corrosion resistance 400 — It is desirable to have 850 MPa. Note that IACS is based on 100% conductivity of standard soft copper (1. 7241 ⁇ ⁇ ⁇ cm).
  • the copper alloy backing plate material as long as it has the above-described conductivity and resistance to carbon dioxide, it is possible to use a copper alloy material to which additional components other than these are added.
  • the copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly of the present invention be tightly bonded by diffusion bonding.
  • bonding of the target Z backing plate is optimal by diffusion bonding.
  • low melting brazing materials such as indium
  • the heat generation during sputtering causes peeling of the joints. I will.
  • high melting point brazing materials such as silver brazes alter the structure-controlled target.
  • diffusion bonding must be performed under temperature conditions without degrading the backing plate material whose conductivity and strength are optimally controlled! /.
  • the deterioration of the backing plate material may cause the reaction at the bonding interface to form a fractured portion and reduce the bonding strength.
  • the upper temperature limit at bonding is 450 ° C. That is, the diffusion bonding temperature is 175-450 ° C. It is desirable to do in the range of Within this range, the brittle reaction between the copper and copper alloy (copper-based alloy) sputtering target and the copper alloy backing plate does not occur, and there is almost no contamination of the target due to diffusion from the knocking plate. is there.
  • Example 1 3 The targets and sputtering conditions shown in Example 1 3 and Comparative Example 1 1 are as follows.
  • Target Z backing plate bonding diffusion bonding 450 ° C.
  • Table 1 shows a list (No.) of types (numbers) of copper materials or alloys used in Example 1 3 and Comparative Example 1 1 1 and specific copper or copper alloy component compositions thereof.
  • C18000 and C18150 indicate the numbers of CDA (Copper Development Association). Others, C7025 (four-digit number), etc. «Indicates the number of JIS standard.
  • Table 2 shows the number of rotations of the magnet, fluctuation in rotation, uniformity and evaluation. Further, the conductivity and the resistance to 0.2% of Examples 1-3 and Comparative Examples 1-11 are shown in Table 3.
  • Example 1-3 the magnet rotational speed, the rotational fluctuation, and the uniformity were all good, and the overall evaluation was excellent or good.
  • Comparative Examples 1-11 can not be comprehensively evaluated with poor uniformity etc. except that ordinary beryllium copper and a Cu-Cr based copper alloy are acceptable as comprehensively evaluation.
  • the brass of Comparative Example 2 has low conductivity, so the magnet with low eddy current has good rotation and little fluctuation, but with low thermal conductivity, the heat of the target is high, and large distortion occurs in the target and backing. Act between the plates. As a result, the formability deteriorates. Moreover, since the strength as a backing plate is also low, this distortion can not be suppressed. Further, in the phosphor bronze or aluminum bronze of Comparative Examples 5 and 6, although the magnetic field in which the eddy current is lower is formed well, the heat dissipation of the target is too poor, and the strength of the backing plate is sufficient. Even if it is, the sputtering rate is too high, and the variation of the formality is so large throughout the life that it is not suitable.
  • Table 3 shows the relationship between the conductivity and the 0.2% proof stress, but all of the copper alloy backing plates of the present invention are in the good range.
  • inventive copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly is superior to that of the prior art.
  • Type of copper or copper alloy (No.) Component composition of copper or copper alloy
  • Example 1 Low beryllium copper (C 17530) Cu-2. 1 ⁇ 4 ⁇ 4 (Ni + Co)-0.33 ⁇ 4 Be
  • Example 2 (C 7025) Cu to 33 ⁇ 4 Ni-0.653 ⁇ 4 Si -0.15% g
  • Example 3 (C18000) Cu-33 ⁇ 4 ⁇ 4 Ni-0.653 ⁇ 4 Si-0.153 ⁇ 4 Cr Comparative Example 1 Beryllium Copper (C1720) Cu- 0.23 ⁇ 4 (Ni + Co) -l. 93 ⁇ 4Be Comparative Example 2 Brass (C2600) Cu-30 % Zn Comparative Example 3 Oxygen-Free Copper ( ⁇ 020) 99.96% or More Cu Comparative Example 4 Chromium Copper
  • C18000 and C18150 indicate the number of CDA (Copper Development Association).
  • C7025 (four-digit number) indicates the number of JIS standard.
  • the copper alloy backing plate is extremely effective because it has less warpage after diffusion bonding than copper and copper alloy (copper-based alloy) sputtering targets having similar thermal expansion coefficients.
  • copper or copper alloy target Z copper alloy backing plate assembly in which the eddy current resistance characteristics and the characteristics required for other magnetron sputtering targets are well balanced.
  • it has the excellent effect that the sputter film formability is also good. Therefore, it is particularly useful for high power sputtering of more than 30 kW.

Abstract

【課題】　銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。 【解決手段】　マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５～６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００～８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。

Description

明 細 書
銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体
技術分野
[0001] 本発明は、マグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性を備えた銅又は 銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体に関する。
背景技術
[0002] 近年、半導体装置や各種電子機器等の薄膜の形成に、スパッタリングが使用され ている。このスパッタリング法は周知のように、荷電粒子をターゲットに向けて照射し、 その粒子衝撃力によりターゲットから粒子を叩き出して、これをターゲットに対向させ た、例えばウェハ等の基板にターゲット材料力も構成される物質を中心成分とする薄 膜を形成する成膜方法である。
このスパッタリング成膜法に使用されるターゲットは通常、平板状又は円盤状の板 状を呈している力 一般にこのターゲットはバッキングプレートに結合されている。
[0003] ターゲットはスパッタリング中に荷電粒子の大量の衝撃を受けるので、ターゲットの 温度が徐々に上昇してくる。
このため、ターゲットを冷却させる必要があり、多くはターゲットの裏面にアルミ-ゥ ム合金、ステンレス鋼、無酸素銅等の、熱伝導性の良い材料 (バッキングプレート）を はんだ付け、拡散接合、圧着、アンカー効果を利用した接合等の手段により接合して 、ターゲットーバッキングプレート組立体を形成する。
そして、このバッキングプレートを外部からの冷却手段を通じて冷却するために、同 様に熱伝導性の良いクーリングプレート (冷却板)をさらに結合させて、ターゲットの熱 を吸収するようにしている。
最近、スパッタリングがハイパワー化しており、高強度、高熱伝導性、高電気伝導性 を持つ銅合金がバッキングプレート材として広く使用されるようになってきた。またター ゲットとバッキングプレートの接合は、拡散接合法等により強固に接合されるケースが 増えてきている。
[0004] 従来技術を、次に紹介する。 スパッタリングターゲットを、ベリリウム銅合金製バッキングプレートに嚙み合わせて 接合する例（例えば、特許文献 1参照）、アルミニウム合金ターゲット ZCu— l %Crバ ッキングプレート拡散接合する例がある（例えば、特許文献 2参照)。
また、 0. 2%耐力が 200MPa以上の銅合金バッキングプレート。例えば、 Cu— 0. 7 一 1. 2wt%Cr含有し、 Al、 Mg、 S、 K、 Ca、 Fe、 Ni、 As、 Ag, Sb, Bi力も選択され る成分の合計含有量が lwt%以下の銅合金が紹介されている（例えば、特許文献 3 参照)。
マグネトロンスパッタリングにおける渦電流に関しては、引用文献 4一 6などを挙げる ことができる。
特に、特許文献 6には、マグネトロンスパッタリングにおいてマグネットの回転により 発生する渦電流が影響して膜のュ-フォーミティを低下させることが記載されていて 、比抵抗が 3. Ο μ Ω ' cm以上、強度 150MPa以上のアルミニウム合金または銅合金 を使用することが示されて 、る。
この中で、実施例には 4. 9 μ Ω ' cm、 182MPaの工業用アルミニウム合金、 7. 2 μ Ω ·。πι (24%ΙΑ03)、 320MPaの黄銅、比較例として、 75MPaの A1— 0. 5Cu、 2 . 1 μ Ω ·。πι (82%ΙΑ03)、 465MPaの Cu— Crバッキングプレートが記載されてい る。
また、特許文献 7に ίま、 Cuの純度力 99. 70/0で、 100— 3000重量 ppm (0. 01— 0 . 3wt%)の副元素を添加して、ターゲットとの熱圧着を防止するというバッキング材 が提案されている。この場合の添加元素は極少量で、熱伝導性を重視したバッキン グプレート材として提案されて！、る。
特許文献 1：米国特許第 5269899号
特許文献 2：特開平 10— 330929号公報
特許文献 3：特開平 11—236665号公報
特許文献 4：特開平 3—134170号公報
特許文献 5 :特開平 10- 195649号公報
特許文献 6：特開 2001— 329362号公報
特許文献 7：特開平 1-180975号公報 [0006] しかし、上記のような従来型のバッキングプレートには問題がある。
具体的な例として、ダマシンプロセスによって形成される微細銅配線 (例えば 90、 6 5nm配線ルール）が挙げられる。このプロセスでは、配線溝にタンタルゃ窒化タンタ ルなどのノ リヤー膜を形成した後、シード層としての銅ある!/ヽは銅合金膜をスパッタ 成膜することが行なわれる力 このような微細なシード層を形成するためには、よりノヽ ィパワースパッタによってスパッタ粒子のイオン化率を向上させて、成膜をコントロー ノレしなければならない。
例えば、特許文献 6の実施例に挙げられている黄銅バッキングプレートでは、十分 な膜のュ-フォーミティが得られない。また、比較例に挙げられている Cu— Crバツキ ングプレートでは、渦電流によるマグネット回転問題によって、十分なュ-フォーミテ ィが得られな ヽと ヽぅ問題があった。
上記特許文献に記載のバッキングプレートはいずれも適合せず、問題がある。詳し V、説明につ 、ては、後述する実施例と比較例に基づ!/、て説明する。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明は、銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他 のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた 銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題と する。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、
1)マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキング プレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが Be : 0. 2—0. 5wt%含有する 低ベリリウム銅合金又は Ni: 2— 4wt%、 SiO. 3—0. 9wt%を含有する Cu - Ni - Si 合金若しくは Cu— Ni— Si系合金であることを特徴とする銅又は銅合金ターゲット Z銅 合金バッキングプレート組立体。
2) Cu— Ni— Si系合金バッキングプレートにおいて、 Ni: 2— 4wt%、 SiO. 3—0. 9wt %、Cr: 0. 1—0. 9wt%若しくは Mg : 0. 1—0. 9wt%を含有する Cu— Ni— Si系合 金であることを特徴とする l記載の銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレ ート組立体。
3)マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキング プレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが導電率 35— 60% (IACS)、 0
. 2%耐カ 400— 850MPaを備えて ヽることを特徴とする銅又は銅合金ターゲット/ 銅合金バッキングプレート組立体。
4)マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキング プレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが導電率 35— 60% (IACS)、 0
. 2%耐カ 400— 850MPaを備えていることを特徴とする 1又は 2記載の銅又は銅合 金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体。
5)拡散接合された銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体でで あることを特徴とする 1一 4のいずれかに記載の銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バ ッキングプレート組立体。
6)拡散接合温度が 175— 450° Cであることを特徴とする請求項 5記載の銅又は銅 合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体。
を提供するものである。
発明の効果
[0009] 本発明の銅合金バッキングプレートは、熱膨張係率が同程度である銅、銅合金 (銅 基合金)スパッタリングターゲットに対して拡散接合後の反りが少なく極めて有効であ る。また、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされ る特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレー ト組立体を得ることができる。さらに、スパッタ膜のュ-フォーミティも良好であるという 優れた効果を有する。
発明を実施するための最良の形態
[ooio] 本発明のマグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅合金 バッキングプレート組立体を構成する銅合金バッキングプレートは、 Be : 0. 2—0. 5 wt%含有する低ベリリウム銅合金又は Ni: 2— 4wt%、 SiO. 3-0. 9wt%を含有す る Cu— Ni— Si合金若しくは Cu— Ni— Si系合金である。 Cu— Ni— Si系合金としては、特 に Ni: 2— 4wt0/0、 SiO. 3—0. 9wt%, Cr: 0. 1—0. 9wt0/0若しく ίま Mg : 0. 1—0. 9wt%を含有する Cu— Ni— Si系合金が望まし 、。
[0011] また、本発明のマグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅 合金バッキングプレート組立体の銅合金バッキングプレートは、導電率 35— 60% (I ACS) , 0. 2%耐カ 400— 850MPaを備えていることが望ましい。なお、 IACSは、 標準軟銅（1. 7241 ^ Ω · cm)の導電率を 100%としたものである。
上記 Be : 0. 2-0. 5wt%含有する低ベリリウム銅合金又は Ni: 2— 4wt%、 SiO. 3 一 0. 9wt%を含有する Cu— Ni— Si合金若しくは Cu— Ni— Si系合金は、いずれもこの 条件を満足するバッキングプレート材である。銅合金製バッキングプレート材としては 、上記導電率及び耐カを備えていれば、これら以外の副成分を添加した銅合金材を 使用することちできる。
一般に、高比抵抗で高強度の銅合金が有効であると考えられる。しかし、比抵抗の 高いものは（導電率の低 1、ものは）渦電流を低減できるが、相対的に導電性と比例関 係にある熱伝導性が低下してしまうので、導電率（％IACS) 35— 60%が適しており 、強度的には 0. 2%耐カ 400— 850MPaの銅合金バッキングプレートが最も適して いる。
[0012] 本発明の銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体は拡散接合 により緊密に結合するのが望ましい。特に、特に 30kWを超えるようなハイパワースパ ッタでは、ターゲット Zバッキングプレートの接合は、拡散接合によるのが最適である インジウムなどの低融点ろう材ではスパッタリング中の発熱によって接合部が剥離し てしまう。また銀ろうなどの高融点ろう材では、組織制御されたターゲットを変質させて しまうからである。
[0013] また、導電率と強度を最適に制御したバッキングプレート材を変質させな 、温度条 件で拡散接合を行わなければならな！/、。
拡散接合中や、拡散接合後のバッキングプレート材の変質は、接合界面での反応に よって脆ィ匕部を形成して接合強度を低下させてしまう可能性がある。
接合時の上限温度は 450° Cである。すなわち、拡散接合温度は 175— 450° C の範囲で行うことが望ましい。この範囲であれば、銅、銅合金 (銅基合金)スパッタリン グターゲットと銅合金バッキングプレート間で脆ィ匕反応が起こることはなぐノ ッキング プレートからの拡散によるターゲットの汚染もほとんどないからである。
実施例
[0014] 以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例 であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含ま れる他の態様または変形を包含するものである。
[0015] (実施例 1 3及び比較例 1 11)
実施例 1 3及び比較例 1 11に示すターゲット及びスパッタリング条件は、次の通 りである。
ターゲット：高純度銅（6N)、直径： φ 350πιπι、厚さ： 12mm
ターゲット Zバッキングプレート接合:拡散接合 450° C
合計厚さ： 17mm
スパッタパワー： 30kW
[0016] 実施例 1 3及び比較例 1 11に用いた銅材又は合金の種類 (番号)及びその具体 的な銅又は銅合金の成分組成の一覧を、表 1に示す。なお、表 1において、 C18000 、 C18150は、 CDA (銅開発協会）の番号を示す。その他、 C7025 (4桁の数字番号)等 «JIS規格の番号を示す。また、マグネット回転数、回転変動、ュ-フォーミティ及び 評価を、表 2に示す。また、実施例 1 - 3及び比較例 1 - 11の導電率及び 0. 2%耐カ を、表 3に示す。
表 2に示すように、実施例 1-3については、マグネット回転数、回転変動、ュニフォ ーミティがいずれも良好であり、総合評価は優又は良である。これに対し、比較例 1— 11は、通常のベリリウム銅と Cu— Cr系銅合金が総合評価として可である以外は、ュ ニフォーミティ等が悪ぐ総合評価は不可である。
例えば、比較例 2の黄銅は、導電率が低いので渦電流が低ぐマグネットは良く回り 変動は少ないが、熱伝導率が低いので、ターゲットの熱が高くなり、大きな歪みがタ 一ゲットとバッキングプレート間に作用する。この結果、ュ-フォーミティが悪くなる。ま たバッキングプレートとしての強度も低いので、この歪みを押さえ込むこともできない。 [0017] また、比較例 5及び 6のりん青銅やアルミ青銅では、より渦電流が低ぐ磁場は良好 に形成されるが、ターゲットの熱発散が悪すぎて、たとえバッキングプレートの強度が 十分であっても、スパッタ速度が高くなり過ぎて、ライフを通じてュ-フォーミティ変化 が大きくて、適していない。
さらに、比較例 10の Cu— 0. 3wt%Ni及び比較例 11の Cu— 0. 2wt%Ni— 0. lwt %Siは、微量元素を添加してバッキングプレートとターゲットとの熱圧着を防止すると ともに、高熱伝導性を維持しょうとしたものである力 スパッタ中期から後期にかけて ュ-フォーミティが著しく悪くなるという結果になった。
また、表 3に導電率と 0. 2%耐力の関係を示すが、本発明の銅合金バッキングプレ ートはいずれも良好な範囲に入っている。
このように、本発明の銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体 は、従来のそれに比べ優れていることが分かる。
[0018] [表 1]
銅又は銅合金の種類 （番号） 銅又は銅合金の成分組成 実施例 1 低ベリリウム銅（C17530) Cu - 2. l¾(Ni+Co)-0.3¾Be 実施例 2 (C7025) Cu~3¾Ni-0.65¾Si-0.15% g 実施例 3 (C18000) Cu-3¾Ni-0.65¾Si-0.15¾Cr 比較例 1 ベリリゥム銅（C1720) Cu- 0.2¾(Ni+Co)-l.9¾Be 比較例 2 黄銅 （C2600) Cu-30%Zn 比較例 3 無酸素銅（Π020) 99.96%以上 Cu 比較例 4 クロム銅
比較例 5 りん青銅 (C5191) Cu-6¾Sn-0.1¾P 比較例 6 アルミ青銅 (C6161) Cu-9¾Al-4¾Fe-l.5¾(Ni†Mn) 比較例 7 Cu-Fe系銅合金 Cu- 2.3¾Fe 比較例 8 Cu- Zr系銅合金 Cu- 0. l¾Zr 比較例 9 Cu-Cr- Zr系銅合金（C18150) Cu"1.5¾Cr-0.15¾Zr 比較例 10 Cu-Ni系銅合金 Cu-0.3 t¾Ni
1
比較例 11 Cu - Ni_Si系銅合金 Cu-0.2 t¾Ni-0. lwt¾Si
C18000, C18150は、 CDA (銅開発協会) の番号を示す。
その他， C7025 (4桁の数字番号） 等は J I S規格の番号を示す。
◎優、 〇良、 △可、 X不可
Figure imgf000010_0001
]
導電率 0 . 2 %耐カ
( % I A C S ) (M P a )
実施例 1 3 8 7 9 0
実施例 2 5 2 5 4 0
実施例 3 4 5 5 6 0
比較例 1 2 5 1 1 0 0
比較例 2 2 4 2 8 0
比較例 3 1 0 1 6 0
比較例 4 8 2 4 5 0
比較例 5 1 8 4 8 0
比較例 6 1 4 6 1 0
比較例 7 7 0 3 7 0
比較例 8 9 5 3 1 0
比較例 9 8 5 3 8 0
比較例 10 8 8 1 6 0
比較例 11 6 8 2 5 0
産業上の利用可能性
銅合金バッキングプレートは、熱膨張係率が同程度である銅、銅合金 (銅基合金） スパッタリングターゲットに対して拡散接合後の反りが少なく極めて有効である。また、 耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性を ノ《ランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体 を得ることができる。さらに、スパッタ膜のュ-フォーミティも良好であるという優れた効 果を有する。したがって、 30kWを超えるようなハイパワースパッタに、特に有用であ る。

Claims

請求の範囲
[1] マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット Z銅合金パッキング プレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが Be: 0. 2-0. 5wt%含有する 低ベリリウム銅合金又は Ni: 2— 4wt%、 SiO. 3-0. 9wt%を含有する Cu_Ni_Si 合金若しくは Cu— Ni— Si系合金であることを特徴とする銅又は銅合金ターゲット Z銅 合金パッキングプレート組立体。
[2] Cu—Ni— Si系合金バッキングプレートにおいて、 Ni: 2—4wt%、 SiO. 3—0. 9wt %、Cr:0. 1-0. 9wt%若しくは Mg: 0. 1-0. 9wt%を含有する Cu— Ni—Si系合 金であることを特徴とする請求項 1記載の銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキン グプレート組立体。
[3] マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキング プレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが導電率 35 60% (IACS)、 0 . 2%耐カ 400 850MPaを備えて！/、ることを特徴とする銅又は銅合金ターゲット Z 銅合金バッキングプレート組立体。
[4] マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲットノ銅合金バッキング プレート組立体であって、銅合金パッキングプレートが導電率 35— 60% (IACS)、 0 . 2%耐カ 400 850MPaを備えてレ、ることを特徴とする請求項 1又は 2記載の銅又 は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体。
[5] 拡散接合された銅又は銅合金ターゲット Z銅合金バッキングプレート組立体である ことを特徴とする請求項 1一 4のいずれかに記載の銅又は銅合金ターゲット 銅合金 パッキングプレート組立体。
[6] 拡散接合温度力 S 175— 450° Cであることを特徴とする請求項 5記載の銅又は銅 合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007084928A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Hitachi Cable Ltd 銅合金製バッキングプレートおよび該銅合金の製造方法
WO2008001547A1 (fr) 2006-06-29 2008-01-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support
WO2015068625A1 (ja) * 2013-11-06 2015-05-14 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体
US20180202039A1 (en) * 2015-07-17 2018-07-19 Honeywell International Inc. Heat treatment methods for metal and metal alloy preparation
JP2019060016A (ja) * 2017-08-18 2019-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 物理的気相堆積処理システムのターゲットの冷却

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003052161A1 (fr) * 2001-12-19 2003-06-26 Nikko Materials Company, Limited Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique
US9896745B2 (en) * 2002-01-30 2018-02-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target
JP4794802B2 (ja) 2002-11-21 2011-10-19 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線
JP4223511B2 (ja) * 2003-03-17 2009-02-12 日鉱金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに半導体素子配線
US7605481B2 (en) * 2003-10-24 2009-10-20 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Nickel alloy sputtering target and nickel alloy thin film
CN102230158B (zh) * 2004-11-17 2014-04-30 Jx日矿日石金属株式会社 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置
JP2010502841A (ja) * 2006-09-08 2010-01-28 トーソー エスエムディー，インク． 非常に小さな結晶粒径と高エレクトロマイグレーション抵抗とを有する銅スパッタリングターゲットおよびそれを製造する方法
CN101473059B (zh) * 2006-10-03 2013-03-20 Jx日矿日石金属株式会社 Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线
EP2119808B1 (en) 2007-02-09 2014-09-17 JX Nippon Mining & Metals Corporation Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same
JP5676429B2 (ja) * 2008-04-21 2015-02-25 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド Ｄｃマグネトロンスパッタリングシステムの設計および使用
WO2010038641A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法
EP2330231B1 (en) * 2008-09-30 2017-02-22 JX Nippon Mining & Metals Corporation Process for manufacturing a high-purity copper- or a high-purity copper alloy sputtering target
WO2011062002A1 (ja) 2009-11-20 2011-05-26 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体及びその製造方法
KR101031293B1 (ko) 2010-06-16 2011-04-29 이구산업 주식회사 고온에서도 우수한 강도, 전기전도도를 갖는 전기, 전자부품용 고기능성 동합금 및 그 제조방법
JP5694360B2 (ja) 2010-10-27 2015-04-01 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
JP5329726B2 (ja) 2011-09-14 2013-10-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
US9704695B2 (en) 2011-09-30 2017-07-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target and manufacturing method therefor
CN104066868B (zh) 2012-01-23 2016-09-28 吉坤日矿日石金属株式会社 高纯度铜锰合金溅射靶
CN104066869B (zh) 2012-01-25 2016-10-05 吉坤日矿日石金属株式会社 高纯度铜铬合金溅射靶
FR3009428B1 (fr) * 2013-08-05 2015-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice avec collage temporaire via des couches metalliques
US9761420B2 (en) * 2013-12-13 2017-09-12 Praxair S.T. Technology, Inc. Diffusion bonded high purity copper sputtering target assemblies
US20170287685A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Honeywell International Inc. Sputtering target assembly having a graded interlayer and methods of making
JP6271798B2 (ja) * 2016-07-13 2018-01-31 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
US11244815B2 (en) 2017-04-20 2022-02-08 Honeywell International Inc. Profiled sputtering target and method of making the same
JP6854306B2 (ja) 2019-02-12 2021-04-07 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01180975A (ja) * 1988-01-12 1989-07-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリング用バッキングプレート
JPH0379734A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Sumitomo Kinzoku Kozan Shindo Hanbai Kk バッキングプレート用銅合金
JPH11236665A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JP2001329362A (ja) * 2000-05-17 2001-11-27 Nikko Materials Co Ltd バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2126386A (en) * 1937-10-12 1938-08-09 Mallory & Co Inc P R Copper-silver-beryllium-magnesium alloy
US3301717A (en) * 1964-09-22 1967-01-31 Beryllium Corp Process for producing beryllium copper base alloys and products
JPH0196374A (ja) 1987-10-05 1989-04-14 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリング用クラッドターゲット材
JPH01180976A (ja) * 1988-01-12 1989-07-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリング用バッキングプレート
JP2766527B2 (ja) 1989-10-20 1998-06-18 東京エレクトロン株式会社 スパッタ装置及びスパッタ方法
US5269899A (en) * 1992-04-29 1993-12-14 Tosoh Smd, Inc. Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus
JP3794719B2 (ja) * 1994-03-31 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法
JP3896422B2 (ja) * 1996-10-08 2007-03-22 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 バッキングプレート用銅合金およびその製造方法
JPH10195649A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Sony Corp マグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法
JPH10330929A (ja) 1997-05-28 1998-12-15 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JP3667056B2 (ja) 1997-10-27 2005-07-06 京都機械工具株式会社 クリップ取り外し工具
US6579431B1 (en) * 1998-01-14 2003-06-17 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers
US6521108B1 (en) * 1998-12-29 2003-02-18 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same
US6858102B1 (en) * 2000-11-15 2005-02-22 Honeywell International Inc. Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets
US6774339B1 (en) * 1999-11-09 2004-08-10 Tosoh Smd, Inc. Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin
US6619537B1 (en) * 2000-06-12 2003-09-16 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers
JP3905295B2 (ja) * 2000-10-02 2007-04-18 日鉱金属株式会社 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法
EP1312695B1 (en) * 2000-11-17 2009-07-29 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target producing few particles, backing plate provided with the target, and a method of producing the target
WO2002047865A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Tosoh Smd, Inc. Friction fit target assembly for high power sputtering operation
US9896745B2 (en) * 2002-01-30 2018-02-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target
MXPA05002640A (es) * 2002-09-13 2005-07-19 Olin Corp Aleacion a base de cobre que endurece por envejecimiento y proceso.
JP4794802B2 (ja) * 2002-11-21 2011-10-19 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線
JP4223511B2 (ja) * 2003-03-17 2009-02-12 日鉱金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに半導体素子配線
WO2005007920A2 (en) 2003-07-14 2005-01-27 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same
JP4970034B2 (ja) 2003-08-11 2012-07-04 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド ターゲット／バッキングプレート構造物、及びターゲット／バッキングプレート構造物の形成法
US20050051606A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-10 Rene Perrot Method of manufacturing an extended life sputter target assembly and product thereof
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01180975A (ja) * 1988-01-12 1989-07-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリング用バッキングプレート
JPH0379734A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Sumitomo Kinzoku Kozan Shindo Hanbai Kk バッキングプレート用銅合金
JPH11236665A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JP2001329362A (ja) * 2000-05-17 2001-11-27 Nikko Materials Co Ltd バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KOSHIBA Y. ET AL: "Mitsubishi material's high performance oxygen free copper and high performance alloys", SECOND INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING MATERIALS FOR PROPERTIES, 2000, pages 101 - 104, XP002986928 *
See also references of EP1715077A4 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007084928A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Hitachi Cable Ltd 銅合金製バッキングプレートおよび該銅合金の製造方法
WO2008001547A1 (fr) 2006-06-29 2008-01-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support
JP4879986B2 (ja) * 2006-06-29 2012-02-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット／バッキングプレート接合体
WO2015068625A1 (ja) * 2013-11-06 2015-05-14 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体
JP5897767B2 (ja) * 2013-11-06 2016-03-30 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体
US20180202039A1 (en) * 2015-07-17 2018-07-19 Honeywell International Inc. Heat treatment methods for metal and metal alloy preparation
JP2018529019A (ja) * 2015-07-17 2018-10-04 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． 金属及び金属合金の作製のための熱処理方法
JP2019060016A (ja) * 2017-08-18 2019-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 物理的気相堆積処理システムのターゲットの冷却
US11515132B2 (en) 2017-08-18 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition processing systems target cooling
JP7426773B2 (ja) 2017-08-18 2024-02-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 物理的気相堆積処理システムのターゲットの冷却

Also Published As

Publication number Publication date
US20070051624A1 (en) 2007-03-08
TW200521257A (en) 2005-07-01
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US9472383B2 (en) 2016-10-18
EP2626444A3 (en) 2013-10-16
JP4331727B2 (ja) 2009-09-16
EP2626444A2 (en) 2013-08-14
EP1715077A4 (en) 2010-09-29
KR20060126723A (ko) 2006-12-08
EP1715077A1 (en) 2006-10-25

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