WO2005027145A1

WO2005027145A1 - 感放射線性樹脂組成物

Info

Publication number: WO2005027145A1
Application number: PCT/JP2004/012338
Authority: WO
Inventors: Yasuo Chikusa; Hideaki Tamakoshi
Original assignee: Nagase Chemtex Corporation
Priority date: 2003-09-11
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2005-03-24
Also published as: JPWO2005027145A1; KR101103241B1; TW200510929A; JP4621870B2; TWI350427B; KR20060133959A

Abstract

本発明によれば、ポリ（３，４−ジ置換チオフェン）とポリ陰イオンとの複合体であるポリチオフェン複合体の水分散体、および水溶性または水分散性の感放射線性樹脂を含む、ネガ型感放射線性樹脂組成物が提供される。

Description

明細書感放射線性樹脂組成物技術分野

本発明は、ポリ（3， 4ージ置換チオフヱン）およびポリ陰イオンにより構成される複合体と、感放射線性樹脂とを含むネガ型の感放射線性樹脂組成物、それを用いた導電性薄膜のパターン形成方法、ならびに該パターンを有する基板に関する。背景技術

透明導電膜は、液晶ディスプレイ、エレクト口ルミネッセンスディスプレィ、プラズマディスプレイ、エレクト口クロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極、ならびに電磁波シールド材などの基材のコ一ティングに用いられている。最も広く応用されている透明導電膜は、インジゥムースズの複合酸化物（I T O) の蒸着膜である。所定のパターンを有する I T O膜は、例えば、次のように基板上に形成される。まず、基板上にスパッタリングにより I T Oの膜を形成し、この表面に、感放射線性樹脂の塗膜を形成する。次いで、フォトマスクを介して光などの放射線の照射を行ない、樹脂を硬化させた後、現像を行ない、次いで露出した部分の I T O膜をエッチングにより溶解 ·除去し、最後に硬化させた樹脂を剥離することにより、所望のパターンを有する I T O膜が形成される。し力し、真空および高温を必要とするスパッタリングの装置が必要なこと、工程が煩雑であるなどの問題がある。そのため、ウエットプロセス（塗工法）による簡便なパターニング方法が望まれている。 " ゥエツトプロセスによるパターンの形成方法として、特表 2 0 0 2 - 5 0 0 4 0 8号公報には、スクリーン印刷法により導電性薄膜の前駆体組成物を含む塗布液組成物で直接パターンを描き、溶剤または分散媒を除去するだけで目的の機能性薄膜のパターンが形成できることが示されている。しかし、その解像度は必ずしも十分ではなく、適用できるコーティング用組成物の粘度にも制約がある。

特開 2 0 0 0— 2 0 8 2 5 4号公報には、インクジェットプリント装置によりポリチォフェンをパターニングする方法が示されているが、あらかじめポリチォフェン溶液の垂れを防止するための隔壁を形成する必要があり、さらには、その粘度およぴ表面張力にも制約がある。発明の開示

本発明の課題は、上記従来の課題を解決することにあり、その目的とするところは、簡易な方法により解像性に優れた導電性薄膜のパターンを形成することの可能なネガ型感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた導電性薄膜のパターン形成方法、およぴ該方法により得られる導電性薄膜のパターンを有する基板を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のポリチォフエン複合体の水分散体、およぴ特定の感放射線性樹脂を組合せることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、（a ) 下記一般式 ( 1 )

(式中、 R ¹および R ²はそれぞれ独立して、水素または炭素数 1〜4のアルキル基を表すか、あるいは一緒になつて任意に置換されてもよい炭素数 1〜 4のアルキレン基を表す）の反復単位からなる陽イオン形態のポリ（3， 4 -ジ置換チォフエン）とポリ陰イオンとの複合体であるポリチォフエン複合体の水分散体、および（b ) 水溶性または水分散性の感放射線性樹脂を含む。好適な実施 ϋ様においては、上記感放射線性樹脂のうちの第 1の樹脂は、硬化性エポキシ（メタ）アタリレートであり、該硬化性エポキシ（メタ）ァクリレートは、ポリヒドロキシ化合物とェピクロルヒドリンとを反応して得られるポリグリシジルエーテル化合物に、（メタ）アクリル酸を反応させて得られる樹脂である。

好適な実施態様においては、上記感放射線性樹脂のうちの第 2の樹脂は、下記一般式（2 )

(式中、 R ³は水素原子またはメチル基を表し、 R ⁴は水素原子または炭素原子数 1〜4のアルキル基を表す）で表される化合物と、分子内に水酸基を有する化合物とを強酸触媒の存在下で反応させて得られる樹脂である。

好適な実施態様においては、 '上記感放射線性樹脂のうちの第 3の樹脂は、以下の式（3— 1 ) で示される単位、 ( 3 - 1 I ) で示される単位、および

( 3 - 1 I I ) で示される単位を有し： -CH₂— C

(3-D

C一 O- CH,— CH,-0-— H

O

(式中、 R ⁵は、水素またはメチル基であり、分子内の複数の R ⁵は、その各々が同一であっても異なっていてもよく、 Pは 1 1 0の整数である）、

R⁶

CH,— C-

(3-Π)

C— 0 X

0

(式中、 R ⁶は、水素またはメチル基であり、 Xは、水素、アルカリ金属、およびアンモニゥム類からなる群より選択される基であり、分子内の複数の R ⁶または Xは、その各々が同一であっても異なっていてもよい）、

R⁷- h— C O R⁸

C ~~ Ό— CH₂— CH— CH₂-0 II .1— (3-m) 0 OH

(式中、 R ⁷および R ⁸は、それぞれ独立して水素またはメチル基であり、分子內の複数の R ⁷または R ⁸は、その各々が同一であっても異なっていてもよレヽ）；該感放射線性樹脂中に、該（ 3— I ) の単位が 2モル⁰/。〜 7 3モル⁰ /₀ の割合で、該（3— 1 I ) の単位が 8モル⁰/。〜 8 3モノレ％の割合で、そして、該（3— I I I ) の単位が 1 5モル⁰/。〜 8 0モル⁰ /₀の割合で含有される。好適な実施態様においては、上記感放射線性樹脂のうちの第 4の樹脂は、以下の式（4 )

(式中、 Y—は陰イオンを表す）で表される単位を有する。

好適な実施態様においては、上記樹脂組成物は、さらに光重合開始剤およぴ光増感剤の少なくとも一方を含有する。

本発明の導電性薄膜のパターンの形成方法は、上記樹脂組成物でなる塗布液を基板上に塗布することにより塗膜を形成する工程；該塗膜表面にフォトマスクを介して放射線を照射する工程；および照射後の塗膜を水を含む現像液で現像する工程を包含する。

本発明は、上記方法により形成された導電性薄膜のパターンを有する基板を包含する。

好適な実施態様においでは、上記導電性薄膜のパターンを有する基板は、ディスプレイの透明電極、トランジスタの電極、太陽電池の電極、配線材料、有機 E Lデバイス、有機半導体、または電磁波シールド材である。

従って、本発明により以下の目的が達成される：簡易な方法により解像性に優れた導電性薄膜のパターンを形成することの可能なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること、該組成物を用いた導電性薄膜のパターン形成方法を提供すること、および該方法により得られる導電性薄膜のパターンを有する基板を提供すること。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の樹脂組成物を用いて、導電性を有する薄膜のパターンを基板上に形成する工程を示す模式図である。発明を実施するための最良の形態

本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、（ a ) ポリチオフ工ン複合体の水分散体、および（b ) 水溶性または水分散性の感放射線性樹脂を含有する _c 以下に、これらについて順次説明を行なう。

I . ポリチオフン複合体

本発明の組成物に含有されるポリチォフェン複合体は、次の一般式（1 ) で示される反復単位を有する陽イオン肜態のポリ（3， 4ージ置換チォフエン）とポリ陰イオンとの複合体である：

(式中、 R ¹および R ²はそれぞれ独立して、水素または炭素数 1〜 4のアルキル基を表すか、あるいは一緒になつて任意に置換されてもよい炭素数 1〜

4のア^/キレン基を表す）。

上記 ( 1 ).式において、 R ¹および R ²の炭素数 1〜4のアルキル基としては、.好適にはメチル基、ェチル基、 n—プロピル基などが挙げられる。 R ¹ および R ²が一緒になって形成される炭素数 1〜4のアルキレン基としては、

1 , 2—アルキレン基、 1 , 3—アルキレン基などが挙げられ、好適にはメチレン基、 1， 2—エチレン基、 1， 3—プロピレン基が挙げられる。これらのうち、 1， 2—エチレン基が特に好適である。この炭素数 1〜4のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては、炭素数 1〜1 2のアルキル基、フエ-ル基などが挙げられる。置換された炭素数 1〜4のアルキレン基の具体例としては、 1， 2—シクロへキシレン基、 2， 3—ブチレン基などが挙げられる。このようなアルキレン基の代表例としては、 R ¹および R ²が一緒になつて形成される、炭素数 1〜1 2のアルキル基で置換された 1， 2 一アルキレン基が挙げられる。このような基は、ェテン、プロペン、へキセン、オタテン、デセン、ドデセン、スチレンなどの α—ォレフィン類を臭素化して得られる 1， 2—ジブ口モアルカン類から誘導される。

上記ポリ陰イオンを構成し得る化合物としては、ポリマー状カルボン酸類 (例えば、ポリアタリル酸、ポリメタクリル酸、およびポリマレイン酸）、ポリマー状スルホン酸類（例えば、ポリスチレンスルホン酸おょぴポリビニルスルホン酸）などが挙げられる。これらのカルボン酸類およびスルホン酸類はまた、ビニルカルボン酸またはビニルスルホン酸類と、他の重合可能なモノマー類（例えば、アタリレート類おょぴスチレンなど）との共重合体であっても良い。ポリ陰イオンを構成し得る化合物としては、ポリスチレンスルホン酸が特に好適である。上記ポリ陰イオンを構成し得る化合物の数平均分子量は、 1， 0 0 0から 2， 0 0 0， 0 0 0の範囲が好ましく、より好ましくは、 2， 0 0 0から 5 0 0 , 0 0 0の範囲であり、最も好ましくは、 1 0， 0 0 0から 2 0 0， 0 0 0の範囲である。

上記ポリチォフェン複合体の水分散体は、例えば、特許第 2 6 3 6 9 6 8 号に記載の方法によって製造することができる。'さらに好適には、ポリチォフヱン複合体の水分散体は、次の方法によつて製造され得る。

このポリチォフェン複合体の水分散体の製造方法は、以下の式（1 ' ) で表される 3， 4ージ置換チォフェンひ')

(式中、 R ¹および R ²は上記 ( 1 ) 式で定義したのと同様である）を、ポリ陰イオンの存在下で、ペルォキソ二硫酸を酸化剤として用いて水系溶媒中で重合させる工程；あるいは、該 3， 4—ジ置換チォフェンを、ポリ陰イオンの存在下で酸化剤を用いて、水溶性の無機酸および有機酸からなる群より選択される酸を添加し、反応溶液の p Hを低下させて、水系溶媒中で重合させる工程を含む。上記重合工程におけるポリ陰イオンの仕込量は、上記チオフヱン 1 0 0質量部に対して、 5 0から 3， 0 0 0質量部の範囲が好ましく、より好ましくは 1 0 0から 1 , 0 0 0質量部の範囲であり、最も好ましくは、 1 5 0から 5 0 0質量部の範囲である。

上記方法に用いられる溶媒は水系溶媒であり、特に好ましくは水である。メタノール、エタノール、 2 _プロパノール、 1ープロノノールなどのアルコール；アセトン、ァセトニトリルなどの水溶性の溶媒を水に添加して用いてもよい。

上記方法において、 3， 4ージ置換チオフヱンの重合反応を行う際の酸化剤としては、以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されない：ペルォキソニ硫酸、ペルォキソ二硫酸ナトリウム、ペルォキソ二硫酸力リウム、ぺルォキソニ硫酸アンモニゥム、無機酸化第二鉄塩、有機酸化第二鉄塩、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、ニクロム酸カリウム、過ホウ酸アルカリ塩、銅塩など。これらのうち、ペルォキソ二硫酸、ペルォキソ二硫酸ナトリウム、ぺ /レオキソニ硫酸カリウム、およびペルォキソ二硫酸アンモニゥムが最も好適である。'酸化剤の使用量は、上記 3， 4ージ置換チォフェン 1当量当たり、 1から 5当量の範囲が好ましく、より好ましくは、 2から 4当量の範囲である。

本発明の方法においては、重合時における該重合反応系の P Hが低いこと (好ましくは 1 . 5以下であること）が好ましい。そのため、上記の酸化剤の中で、ペルォキソ二硫酸を選択した場合には、これを反応系に加えるのみで、 p H調整せずに好適に使用することができる。その他の酸化剤を選択した場合には、酸を加えて p Hを調整する必要がある。反応液の p Hは、好ましくは 1 . 5以下であり、より好ましくは 1 . 0以下である。

上記酸としては、水溶性の無機酸および有機酸からなる群より選択される酸が使用される。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸などが挙げられる。有機酸としては、 p—トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルォロメタンスルホン酸などが挙げられる。

さらに、酸化剤として、必要に応じて触媒量の金属イオン、例えば、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、バナジウムイオンなどを添加しても良い。重合反応によりポリ（3， 4ージ置換チオフヱン）が生成する。このポリ ( 3， 4—ジ置換チオフヱン）は陽イオンの形態であり、反応系に存在するポリ陰イオンとともに複合体を形成していると考えられる。本明細書では、上記複合体を「ポリ（3， 4ージ置換チォフェン）とポリ陰イオンとの複合体」、「ポリチォフェン複合体」、あるいは単に「複合体」と記載する場合がある。

ポリチォフェン複合体のうち、ポリ（3， 4—エチレンジォキシチォフエン）とポリスチレンスルホン酸との複合体が好適である。特に、上記方法により製造したポリ（3， 4一エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体の水分散体を用いるのが最も好適である。

I I . 感放射線性樹脂本発明の組成物に含有される（b ) の水溶性または水分散性の感放射線性樹脂は、特に限定されないが、以下に示す樹脂（b. 1) 〜（b.4) の 4つのタイブの樹脂が好適である。

(II- 1) 樹脂（b. l)

この樹脂は、硬化性エポキシ（メタ）アタリレートであり、ポリヒドロキシ化合物とェピクロルヒドリンとを反応して得られるポリグリシジルエーテル化合物に、（メタ）アクリル酸を反応させて得られる。

上記ポリヒドロキシ化合物は、特に制限はないが、例えば、エチレングリコ一/レ、 1， 2—プロピレングリコー/レ、 1， 3—プロピレングリコ一ノレ、 1， 4一ブタンジォーノレ、グリセリン、トリメチローノレエタン、トリメチロールプロパン、ソルビトール、ソルビタン、ペンタエリスリトール、ジェチレングリコーノレ、トリエチレングリコーノレ、テトラエチレングリコー^^ ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールおよびこれらの混合物が挙げられる。

これらのポリヒドロキシ化合物とェピクロルヒドリンとからポリグリシジルエーテル化合物が得られ、これに（メタ）アクリル酸を反応させることにより、（メタ）アクリル酸に由来する不飽和結合を分子末端に有するポリマ一（硬化性エポキシ（メタ）アタリレート）が得られる。硬化性エポキシ (メタ）アタリレートの製造方法についての詳細は、特開 2 0 0 2— 1 9 4 0 5 2号公報に記載されている。

(II一 II) 樹脂 (b. 2)

この樹脂は、下記一般式（2 )

(式中、 R³は水素原子またはメチル基を表し、 R⁴は水素原子または炭素原子数 1〜4のアルキル基を表す）で表される化合物（（メタ）アクリルアミド誘導体）と、分子内に水酸基を有する化合物とを強酸触媒の存在下で反応させて得られる。

上記（メタ）アクリルアミド誘導体の具体例としては、 N—メチロール

(メタ) アクリルアミド、アルコキシ（炭素数 1〜4) メチル（メタ）ァクリルアミドなどが挙げられる。

上記の分子内に水酸基を持つ化合物としては、ペンタエリスリトール、トリス（2—ヒドロキシェチル）イソシァヌレートなどが挙げられる。強酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、' p—トルエンスルホン酸などが挙げられる。

(メタ）アクリルアミド誘導体と分子内に水酸基を有する化合物とから得られる樹脂は、特開 2002— 341529号公報に記載されている。

(II— III) 樹脂（b.3)

この樹脂は、以下の式（3— 1) で示される単位、 (3- I I) で示される単位、および（3— I I I) で示される単位を有する：

(3-D

(式中、 R⁵は、水素またはメチル基であり、分子内の複数の R⁵は、その各々が同一であっても異なっていてもよく、 pは 1 10の整数である）、

R⁶

-CH₂— C-

(3-Π)

C—— OX

〇

(式中、 R⁶は、水素またはメチル墓であり、 Xは、水素、アルカリ金属、およびアンモニゥム類からなる群より選択される基であり、分子内の複数の

R⁶または Xは、その各々が同一であっても異なっていてもよい）、

(式中、 R⁷および R⁸は、それぞれ独立して水素またはメチル基であり、分子内の複数の R⁷または R⁸は、その各々が同一であっても異なっていてもよい）。

この樹脂中には、上記（ 3— I ) の単位が 2モル％~ 73モル％の割合で、

(3— 1 I ) の単位が 8モル％〜 8 3モル⁰ /₀の割合で、そして、（ 3— I I I) の単位が 1 5モル％〜8 0モル⁰ /₀の割合で含有される。

この樹脂は、例えば、少なくとも（メタ）アタリノレ酸と、 2—ヒドロキシェチル（メタ）アタリレートおよびポリオキシエチレンモノ (メタ) アタリレートの少なくとも一方とを単位として含有する共重合体に、グリシジル (メタ）アタリレートを所定の割合で付加させることにより得られる。このような樹脂は特開 2001— 270919号公報に記载されている _c

(II - IV) 樹脂 (b.4)

この樹脂は、以下の式（4) で示される単位を有する ₍

上記式において、 Y—は陰イオンを示す。好適な Y—の例としては、塩化物イオン、臭素化物イオン、ヨウ化物イオン、低級アルコキシ硫酸イオン、 p 一トルエンスルホン酸イオンなどが挙げられる。このような樹脂は、例えば、特開平 8— 320553号公報に記載されている。

I I I. 感放射線性樹脂組成物

本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記（a) のポリチォフェン複合体の水分散体および（b) の水溶性または水分散性の感放射線性樹脂を含み、必要に応じて、（c) 光重合開始剤および光增感剤のうちの少なくとも一方、 (d) 重合性モノマー、（e) 溶媒、 (f ) 上記（b) 以外の水溶性ポリマー、 (g) 水溶性化合物、（h)中和剤、および (i) 添加剤を含む。

本発明の樹脂組成物中の、上記（_a) のポリチォフェン複合体と（b) の感放射線性組成物の含有割合は特に制限されないが、固形分の質量比で 5 ： 95-95 ： 5が好ましく、さらに好ましくは 25 ： 75〜75 ： 25の範囲である。上記複合体の含有量が過少であると十分な導電性が付与できず、逆に、感放射線性樹脂の量が過少であると、導電性は高くなるが、最終的に形成されるパターンの解像度が低下する。本発明の組成物は、水を必須成分として含有する。上記ポリチォフェン複合体の水分散体が水を含有するが、必要に応じてさらに水を組成物中に含有させることができる。

本発明の組成物中に含有され得る上記（ c )の光重合開始剤および光増感剤は特に限定されない。光重合開始剤または光增感剤としては、例えば、次の化合物が挙げられる：ベンゾフエノン、 4ーヒドロキシベンゾフエノン、ビスー N, N—ジメチノレアミノべンンゾフエノン、ビス一 N， N—ジェチ^/ァミノべンゾフエノン、 4ーメトキシー 4，ージメチルァミノべンゾフエノンなどのベンゾフエノン類；チォキサントン、 2， 4一ジェチルチオキサントン、イソプロピノレチォキサントン、クロ口チォキサントン、イソプロポキシクロ口チォキサントンなどのチォキサントン類；ェチルアントラキノン、ベンズアントラキノン、アミノアントラキノン、クロ口アントラキノン、アントラキノンー 2—スノレホン酸塩、アントラキノンー 2， 6—ジスルホン酸塩などのアントラキノン類；ァセトフエノン類；ベンゾィンメチルエーテル、ベンゾィンェチノレエーテノレ、ベンゾィンフエ二/レエーテノレなどのべンゾィンエーテル類； 2， 4， 6—トリハロメチルトリアジン類、 1ーヒドロキシシクロへキシノレフエニノレケトン、 2— ( o—クロ口フエ-ノレ）一 4， 5—ジフェニルイミダゾールニ量体、 2— （o—クロ口フエニル）一 4， 5—ジ（m —メトキシフエ-ル）イミダゾールニ量体、 2— （o—フノレオロフェニノレ）一 4， 5—ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体、 2 _ ( o—メトキシフエ二ル） - 4 , 5—ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体、 2— （p—メトキシフエニル）一 4， 5—ジフエニノレイミダゾールニ量体、 2， 4ージ（p—メトキシフエニル）一 5—フエ二ルイミダゾ一ルニ量体、 2— ( 2 , 4ージメトキシフエニル）一 4， 5—ジフエ二ルイミダゾ一ルニ量体などの、 2 , 4， 5—トリ了リ一ルイミダゾールニ量体類；ベンジルジメチルケタール、 2一べンジル 8

15 一 2—ジメチルアミノー 1一（4—モルホリノフエニル）一ブタン一 1ーォン、 2—メチル _ 1一 [ 4一（メチルチオ）フエニル]一 2—モルホリノー 1 一プロパノン、 2—ヒドロキシ一 2—メチノレー 1—フエ二/レープロパン一 1 —オン、 1一 [ 4一（2—ヒドロキシエトキシ）一フエ二ノレ]一 2—ヒドロキシー 2—メチル一 1一プロパン一 1一オン、フエナントレンキノン、 9， 1 0—フエナンスレンキノン、メチノレべンゾイン、ェチノレべンゾインなどベンゾイン類； 9一フエ-ルァクリジン、 1， 7—ビス（9， 9，一アタリジニル）ヘプタンなどのァクリジン誘導体；ビスァシルフォスフィンォキサイドなど。これらの化合物は、単独で、あるいは 2種以上組合せて用いられ得る。上記（d )の重合性モノマーは、樹脂組成物の感度、および最終的に基板上に形成される薄膜の耐熱性、耐水性、耐溶剤性、および耐擦傷性を向上させる目的で、該組成物中に含有される。このような重合性モノマーは特に制限はないが、例えば、次のモノマーが利用可能である：ポリエチレングリコール（メタ）アタリレート（エチレン基の数が 2〜1 4の化合物）、トリメチロールプロパンジ（メタ）アタリレート、トリメチロールプロパントリ

(メタ）アタリレート、トリメチロールプロパンエトキシ（メタ）アタリレート、トリメチロールプロパンプロポキシトリ（メタ）アタリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アタリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アタリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アタリレート（プロピレン基の数が 2〜1 4の化合物）、ジペンタエリスリトールべンタ（メタ）アタリレート、ジペンタエリスリトールへキサ（メタ）ァクリレート、ビスフエノール Aポリオキシエチレンジ（メタ）アタリレート、ビスフエノール Aジォキシエチレンジ（メタ）アタリレート、ビスフエノール Aトリオキシエチレンジ（メタ）ァクリレート、ビスフエノール Aデカオキシエチレンジ（メタ）アタリレート、多価カルボン酸（無水フタル酸など）と水酸基およびエチレン性不飽和基を有する化合物 ( β〜ヒドロキシェチル (メタ）アタリレートなど）とのエステル化物、（メタ）アクリル酸のアルキルエステル { (メタ）アクリル酸メチルエステル、（メタ）アクリル酸ェチルエステル、（メタ）アクリル酸プチルエステル、（メタ）アクリル酸 2 一ェチルへキシルエステルなど } 、エポキシ化合物の（メタ）アクリル酸付加物（エチレングリコーノレジグリシジノレエーテノレ、ジエチレングリコールジグリシジノレエーテル、トリエチレングリコー^/ジグリシジ^/エーテル、テトラエチレングリコ一/レジグリシジ /レエーテ/レ、ポリエチレングリコ一/レジグリシジノレエーテル、プロピレングリコ一/レジグリシジノレエーテノレ、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレンダリコールジグリシジエーテル、テトラプロピレンダリコー^/ジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールトリグリシジルェ一テル、グリセリントリグリシジルエーテルなど）、不飽和有機酸（マレイン酸など）およびそれらの無水物、アクリルアミド類（N—メチルアクリルアミド、 N—ェチルアクリルアミド、 N—イソプロピルアクリルアミド、 N —メチロールアクリルアミド、 N—メチルメタクリルアミド、 N—ェチルメタクリルアミド、 N—ィソプロピルメタクリルアミド、 N—メチロールメタクリルアミド、 N， N—ジメチルアクリルアミド、 N， N—ジェチルァクリルアミドなど）、スチレン類（スチレン、ヒドロキシスチレンなど）、 N— ビュルピロリドン、 N—ビュルホルムアミド、 N—ビュルァセトアミド、 N -ビュルィミダゾールなど。これらの化合物は、単独で、あるいは 2種以上組合せて用いられ得る。

上記（e )の溶媒としては、水以外の、水と混和する溶剤が挙げられる。そのような溶媒は、特に制限されない。溶媒としては、例えば、次の化合物が挙げられる：メタノール、エタノール、 2—プロパノール、 1一プロパノ一/レなどのァレコ一/レ類；エチレングリコーノレ、ジエチレングリコー/レ、トリエチレングリコー/レ、テトラエチレングリコーノレなどのエチレングリコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジェチルエーテル、ジエチレングリコーノレジメチノレエーテノレなどのグリコーノレエーテノレ類；エチレングリコーノレモノエチノレエーテ /レアセテート、ジェチレングリコーノレモノエチノレエ一テルァセテート、ジエチレングリコーノレモノプチノレエーテノレアセテートなどのグリコールエーテノレアセテート類；プロピレンダリコール、ジプロピレンダリコール、トリプロピレンダリコーノレなどのプロピレングリコ一ノレ類；プロピレングリコーノレモノメチノレエーテル、プロピレングリコーノレモノェチ/レエーテル、ジプロピレンダリコ一/レモノメチ/レエーテ /レ、ジプロピレンダリコーノレモノエチノレエ一テノレ、プロピレングリコー/レジメチノレエーテノレ、ジプロピレングリコースレジメチノレエーテノレ、プロピレンダリコーノレジェチノレエーテノレ、ジプロピレングリコーノレジェチノレエーテノレなどのプロピレングリコ一/レエ一テル類；プロピレンダリコールモノメチルエーテルァセテ一ト、プロピレングリコーノレモノエチノレエーテノレアセテート、ジプロピレンダリコーノレモノメチノレエーテノレアセテート、ジプロピレングリコーノレモノェチノレエーテ/レアセテートなどのプロピレングリコールエーテルァセテ一ト類； N—メチルホルムアミド； N—メチルピロリドン；ジメチルァセトアミド；ジメチルスルホキシド；アセトン；およびァセトニトリル。これらの化合物は、単独で、あるいは 2種以上組合せて用いられ得る。

上記（f )の（b ) 以外の水溶性ポリマーは、成膜性を向上させる目的で、組成物中に含有される。このような水溶性ポリマーは特に制限はなく、例えば、次の化合物が挙げられる：ポリビュルアルコール、変性ポリビニルアルコール（ポリビエルアルコール 'ポリアクリレートブロック共重合体、グラフト化ポリビエルアルコールなど）、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシェチノレセノレロース、ヒドロキシプロピノレセ 7レロース、ポリビュノレピロリドン、ビニルピロリドン一ビエルイミダゾ一ル共重合体、水溶性アルキド樹脂、（メタ）アタリル酸を含む共重合体の塩（ナトリゥム塩、了ミン塩など）、側鎖にエチレン性二重結合を有する水溶性ポリマーなど。

上記（g ) の水溶性化合物は、最終的に得られる薄膜の導電性を向上させる目的で、組成物中に含有される。このような水溶性化合物は、特に制限はなく、以下に挙げるような化合物が挙げられる： N—メチルピロリドン、 2 一ピロリドン、 N—ビニルピロリドンなどのピロリドン系化合物； N—メチルホルムアミド、 N， N—ジメチルホルムアミド、ジメチルァセトアミドなどのアミド基含有化合物；グリセロール、 1 , 3—ブタンジオール、ェチレングリコール、ジエチレングリコールモノェチルエーテルなどの多価アルコール類；ジメチルスルホキシドなど。

上記（ h )の中和剤は、ポリチォフエン複合体と感放射線性樹脂との相溶性を向上させる目的で含有される、塩基性の化合物である。このような中和剤としては、次の化合物が挙げられる：アンモニア、トリェチルァミン、 N, N—ジメチルァミノエタノール、 2—アミノー 2—メチルプロパノール、ジエタノールァミン、トリエタノールァミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリゥムなど。

上記 (i) の添加剤としては、重合禁止剤、可塑剤、消泡剤、界面活性剤、カツプリング剤などが挙げられ、いずれも当該分野で通常利用される化合物あるいは材料を用いることができる。

本発明により、導電性薄膜パターンを基板上に形成するには、例えば図 1

(A) に示すように、まず、上記本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物でなる塗布液を基板 1上に付与し、塗膜（感放射線性樹脂組成物層 2 ) を形成する。基板としては、無機材料でなる基板および有機材料でなる基板のいずれもが利用され得る。無機材料でなる基板としては、シリコンウェハー、ガラス板などがあり；有機材料でなる基板としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリェチレン、ポリプロピレン、これらのポリマーを構成するモノマーを重合単位として含有する共重合体、フヱノール樹脂、エポキシ樹脂、 AB S樹脂などの樹脂、あるいは、これらの樹脂のブレンドでなる基板（樹脂製のフィルム、シートなど）が挙げられる。

上記塗布液を基板上に付与するには、スピンコーティング、ロールコーテイング、ディップコーティング、スリットコーティング、ブレードコーティング、スプレーコーティングなどの方法が採用される。形成された塗膜は、通常、加熱し、乾燥させる。このようにして形成された感放射線性樹脂組成物層 2の膜厚は、特に限定されないが、 0 . 0 1〜1 . O /x mが好ましく、さらに好ましくは 0 . 0 5〜0 . 6 mの範囲である。膜厚が薄すぎると十分な導電性が付与できず、逆に、膜厚が厚すぎると導電性は高くなるが、透明性が低下し、パターンの解像度も低下する。

この樹脂組成物層表面に、目的とする導電性薄膜のパターンとは逆のパターンの遮光層を有するフォトマスク 3を載置し、これを介して放射線を照射する（図 1 (B ) ) 。ここで、「放射線」とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、 X線、電子線、分子線、 γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビームなどの総称である。照射前の感放射線性樹脂組成物は水系溶剤に可溶あるいは分散可能であるが、照射された部分（露光部分） 2 1は、硬化して該溶剤に不溶となる（図 1 (C) ) 。そのため、水系溶媒でなる現像液で現像することにより遮光部分（未露光部分） 2 2を溶解して除去し、目的とする導電性薄膜のパターン 2 0を形成することができる（図 1 (D) ) 。

上記現像液は、水を必須成分として含有し、必要に応じてその他の成分を含有する。例えば、現像性を向上する目的で、有機溶剤、有機ァミン、無機アルカリ、界面活性剤、消泡剤などが含有され、あるいは、導電性の向上を目的として、有機酸、無機酸などを含有させることもできる。現像方法は、スプレー式、パドル式、浸漬式などで行うことができる。必要に応じて、超音波の照射を併用することができる。

このように、本発明のネガ型の感放射線性樹脂組成物を用いると、所望のパターンを有する導電性薄膜を、ウエットプロセスにより、基板上に高精度で簡便に形成することが可能となる。従来、ウエットプロセスによる導電性薄膜のパターンの形成方法として、スクリーン印刷法、インクジェットプリンティングなどが知られているが、前者は塗布液の粘度調整が必要であることと、得られるパターンの解像度が低いという問題点があり、後者は塗布液の粘度および表面張力に制約があることと、予め塗液の垂れを防止のための隔壁を形成する必要があるという問題点がある。本発明により、このような問題が解決され、上述のように、簡便な方法で解像度のよい導電性薄膜のパターンが形成され得る。

この組成物により得られた導電性薄膜のパターンは、充分な解像度、導電性、および透明性を有している。従って、該パターンを有する基板は、ディスプレイの透明電極、トランジスタの電極、太陽電池の電極、配線材料、有機 E Lデバイス（パターンが正孔注入層として機能する）、有機半導体、電磁波シールド材などとして広く利用され得る。

(実施例）

以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されない。本実施例において「部」はすべて「質量部」を示す。

1 . 使用材料

本実施例においては、以下の材料を使用した。

1. 1 基板

P E Tフィルム（全光線透過率： 8 7 . 8 %) を用いた。

1. 2 ポリ（3 , 4—エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体の水分散体重量平均分子量が 7 5 0 0 0のポリスチレンスルホン酸 2 0 . 8部を含む 1， 8 8 7部の水溶液中に、 1質量％硫酸鉄 (III) 7溶液4 9部、 3， 4 一エチレンジォキシチォフェン 8 . 8部、および 1 0 . 9質量⁰ /₀のペルォキ ' ソニ硫酸水溶液 1 1 7部を加えた。この反応混合物を 1 8 °Cで、 2 3時間攪拌することにより、ポリ（3， 4一エチレンジォキシチオフヱン）とポリスチレンスルホン酸との複合体の水分散体を得た。これに、陽イオン交換樹脂 1 5 4部および陰イオン交換樹脂 2 3 2部を加えて、 2時間攪拌した後、ィオン交換樹脂をろ別した。このことにより、ポリ（3， 4—エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を 1 . 4質量％の割合で含有する、脱塩された水分散体を得た。

2 . 導電性薄膜のパターンの解像度

フォトマスクとして、凸版印刷（株）製の「TOPPAN—TEST— CHART— N01— P/NL7401」を使用した。 0 . 8 7 7〜5 0 . 0 0 0 μ mの 3 6段階のラインアンドスペースを基準とし、光学顕微鏡観察により、得られたパターンがどースの線幅まで解像しているかを評価した。

3 . 導電性薄膜のパターンの表面抵抗率と全光線透過率

各々の実施例 5〜8において、基板上の塗膜にフォトマスクを載置することなく露光を行ない、全面に導電性薄膜を有する基板を得た。この導電性薄膜について表面抵抗率および全光線透過率を測定し、これらを各々導電性薄膜のパターンの表面抵抗率および全光線透過率とした。上記表面抵抗率は、 J I S K 7 1 9 4に従い、三菱化学（株）製ロレスター G P (MC P— T 6 0 0 ) を用いて測定した。全光線透過率は、 J I S 7 1 5 0に従い、スガ試験機（株）製ヘイズコンピュータ HGM— 2 Bを用いて測定した。 (合成例 1) 樹脂（b.l) の合成

ポリグリシジルエーテルとして、グリセリンのエチレンォキサイド 3モル付加物にェピクロロヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル (エポキシ当量 149WPE、全塩素含量 0. 7質量％) を準備した。攪拌機と温度計を備えた反応器に、このポリグリシジルエーテル 250· 0 g、ァクリル酸 120. 8 g、触媒としてテトラメチルアンモニゥムクロライド 0. 6 g、およぴ重合禁止剤としてハイドロキノンモノメチルエーテル 0. 6 gを仕込み、 70~80°Cで 20時間攪拌することにより、感放射線性樹脂の粘稠溶液を得た。

(実施例 1 )

上記 1. 2項で調製したポリ（3， 4—エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を含有する、脱塩された水分散体 89. 6 g、 N—メチルホルムァミド 3. 6 g、合成例 1で得られた感放射線性樹脂の粘稠溶液 2. 7 g、チォキサントン 0. l g、および脱塩水 4. 0 gを混合することで、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布液を得た。

(合成例 2) 樹脂 (b.2) の合成

ペンタエリスリトール 68 g、 N—メチロールァクリルアミド 151. 5 g、およびハイド口キノンモノメチルエーテル 0. 25 gをフラスコに入れて加熱溶解した後、 P -トルエンスルホン酸 1 · 69 gを添加し、空気を送りながら 1. 5時間攪拌した。これに水を加え、アンモニア水で中和して、縮合生成物（40質量％水溶液）を得た。

(実施例 2)

上記 1. 2項で調製したポリ（3, 4—エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を含有する、脱塩された水分散体 85 g、 10質量⁰んアンモニア水 0. 9 g、 N—メチルホルムアミド 3. 5 g、合成例 2で得られた縮合生成物 0. 59 g、ポリビュルアルコールの 20 %水溶液 1. 38 g、ベンジルジメチルケタール 0. 01 7 g、メチルハイドロキノン 0. 00 l g、メタノール 0. 96 g、およびポリエチレングリコーノレジアタリレート 0. 05 gを混合することで、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布液を得た。

(合成例 3) 樹脂（b.3) の合成

2—ヒドロキシェチルァクリレート 43. 5 g、メタクリル酸 130. 5 g、およびジメチル 2， 2 ' —ァゾビス（2—メチルプロピオネート） 6. 8 gをプロピレンダリコール 87. 0 gに溶解させた後、窒素気流下で、 8 0°Cに保持したプロピレングリコール 457. 4 g中に 2時間かけて滴下した。そのまま 4時間熟成したのち、反応温度を 100 °Cまで上げ、 2時間熟成させて透明な粘稠性高分子溶液を得た。この高分子溶液を再度 80°Cまで冷却し、これにピリジン 13. O gと、プロピレングリコール 32. 0 gに溶解させた N— -トロソフエニルヒドロキシルァミン ·アンモニゥム塩 0. 6 gとをそれぞれ添加した後、グリシジルメタクリレート 1 16. O gを 3 0分かけて滴下し、 80°Cのまま 6時間保持して淡赤色の粘稠な高分子溶液を得た。

攪拌機を備えた反応容器に 1000mlの酢酸ェチルを入れ、これに上記粘稠な高分子溶液 100 gを滴下した。 1時間分散を行った後、ろ別、乾燥して、白色粉末を得た。この白色粉末 10. 74 g、 10%NaOH水溶液 0. 83 g、プロピレングリコール 17. 94 g、および脱塩水 30. 00 gを混合し、透明で粘稠な高分子溶液を得た。 (実施例 3)

上記 1. 2項で調製したポリ（3， 4一エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を含有する、脱塩された水分散体 87 g、 10質量⁰ /₀アンモニア水 0. 9 g、 N—メチルホルムアミド 3. 5 g、合成例 3で得られた透明な粘稠性高分子溶液 3. O g、脱塩水 2. 6 g、および 1一 [4一（2—ヒドロキシエトキシ）一フエ-ル]一 2—ヒドロキシー 2— メチル _ 1 _プロパン一 1一オン 0. 077 gを混合、溶解して、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布液を得た。 (実施例 4)

上記 1. 2項で調製したポリ（3， 4 _エチレンジォキシチォフェン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を含有する、脱塩された水分散体 66. 6 g、 N—メチルホルムアミド 2. 7 g、 SPP— H— 13 (東洋合成工業 (株）製ネガ型水溶性感放射線性樹脂、固形分 13. 4% ;樹脂（b.4) に包含される） 6. 5 g、プラスコート RY— 2 (互応化学工業（株）製界面活性剤） 0. 7 g、および脱塩水 23. 5 gを混合、溶解して、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布液を得た。

(実施例 5)

実施例 1で得られた塗布液を、 No. 8のワイヤーパーを用いて PETフイルム（基板）上に塗布し、 100°Cで 2分間乾燥させた。形成された塗膜上にフォトマスクを載置し、メタルハライドランプを装着したュニキュアシステム（TYPE： UVX-01212 S 1 CS 01 ：ゥシォ電機（株）製）を用い、該フォトマスクを介して 1， 50 Om J /cm²の露光量でコンタクト露光を行なった。次いで、この塗膜を有する基板を 23 °Cの水に 1 分間浸漬して、未露光部分（遮光部分）を溶解 '除去し、水洗することにより、導電性薄膜のパターンを形成した。

得られた導電性薄膜のパターンの解像度は、 50 μπΐであり、表面抵抗率は 1， 100 Ω /口、そして全光線透過率は 81. 0%であった。 (実施例 6)

実施例 2で得られた塗布液を、 No. 12のワイヤーバーを用いて PET フィルム（基板）上に塗布し、 60 °Cで 5分間乾燥させた。形成された塗膜上にフォトマスクを載置し、メタルハライドランプを装着したュニキュアシステム（TYPE ： UVX-01212 S 1 CS01 ：ゥシォ電機（株）製）を用い、該フォトマスクを介して 45m J/cm²の露光量でコンタクト露光を行なった。次いで、この塗膜を有する基板を 23 °Cの水系現像剤 (脱塩水 86. 7質量部、モノエタノールァミン 3. 3質量部、およびジェチレングリコールモノブチルエーテル 10. 0質量部の混合液）に 1分間浸漬した後、水シャワーにて、未露光部分を溶解 ·除去し、水洗することにより、導電性薄膜のパターンを形成した。

得られた導電性薄膜のパターンの解像度は、 15μπιであり、表面抵抗率は 580 Ω /口、そして全光線透過率は 75. 0%であった。

(実施例 7)

実施例 3で得られた塗布液を、 No. 12のワイヤーバーを用いて PET フィルム（基板）上に塗布し、 60°Cで 3分間乾燥させた。形成された塗膜上にフォトマスクを載置し、メタルハライドランプを装着したュニキュアシステム（TYPE： UVX-01212 S 1 CS 01 ：ゥシォ電機（株）製）を用い、該フォトマスクを介して 45m J/cm²の露光量でコンタクト露光を行なった。次いで、この塗膜を有する基板を 23 °Cの水系現像剤 (脱塩水 86. 7質量部、モノエタノールァミン 3. 3質量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテル 10. 0質量部、および 60質量⁰ /₀硝酸水 5. 0質量部の混合液）に 1分間浸漬した後、水シャワーにて、未露光部分を溶解'除去し、水洗することにより、導電性薄膜のパターンを形成した。

得られた導電性薄膜のパターンの解像度は、 Ι Ομπιであり、表面抵抗率は 580 ΩΖ口、そして全光線透過率は 75. 1%であった。

(実施例 8)

実施例 4で得られた塗布液を、 No. 8のワイヤーバーを用いて PETフイルム（基板）上に塗布し、 100°Cで 2分間乾燥させた。形成された塗膜上にフォトマスクを載置し、メタルハライドランプを装着したュ-キュアシステム（TYPE： UVX-01212 S 1 CS 01 ：ゥシォ電機（株）製）を用い、該フォトマスクを介して 50 Om jZcni²の露光量でコンタタト露光を行なった。次いで、この塗膜を有する基板を 23 °Cの水に 1分間浸漬して、未露光部分を溶解 ·除去し、水洗することにより、導電性薄膜のパターンを形成した。

得られた導電性薄膜のパターンの解像度は、 30 μ mであり、表面抵抗率は 1， 200 Ω/口、そして全光線透過率は 84. 3%であった。

(比較例 1 )

ペンタエリスリトールトリアタリレート 1. 0 g、 1一 [4— (2—ヒドロキシエトキシ）一フエ二ノレ ]ー 2—ヒドロキシー 2—メチルー 1一プロパンー 1一オン 0. 03 g、およびプラスコート RY— 2 (互応化学工業 (株）製界面活性剤） 0. 5 gを激しく提拌して混合した。この混合液を攪拌しながら、上記 1. 2項で調製したポリ（3， 4一エチレンジォキシチォフヱン）とポリスチレンスルホン酸との複合体を含有する、脱塩された水分散体 80. 0 gおよび N_メチルホルムアミド 3. O gを加えて混合し、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布液を得た。 (比較例 2)

比較例 1で得られた塗布液を、 No. 8のワイヤーパーを用いて PETフイルム（基板）上に塗布し、 100°Cで 2分間乾燥させた。形成された塗膜上にフォトマスクを載置し、メタルハライドランプを装着したュニキュアシステム（TYPE： UVX-01212 S 1 CS01 ：ゥシォ電機（株）製）を用い、該フォトマスクを介して 3， 00 Om j/cm²の露光量でコンタクト露光を行なった。次いで、この塗膜を有する基板を 23 °Cの水に 1 分間浸漬して、未露光部分を溶解 ·除去し、水洗することにより、導電性薄膜のパターンを形成した。

得られた導電性薄膜のパターンは、用いたフォトマスク最大パターンの 5 0 μηιでさえ解像できなかった。表面抵抗率は 1， 800 Ω /口、そして全光線透過率は 80. 0 %であつた。産業上の禾 lj用可能性

本発明によれば、所望のパターンを有する導電性薄膜を、基板上に高精度で簡便に形成することが可能なネガ型の感放射線性樹脂組成物が得られる。この組成物により得られた導電性薄膜のパターンは、充分な解像度、導電性、および透明性を有している。従って、該パターンを有する基板は、ディスプレイの透明電極、トランジスタの電極、太陽電池の電極、配線材料、有機 E Lデバイス、有機半導体、電磁波シールド材などとして広く利用され得る。

Claims

請求の範囲

1. (a) 下記一般式（1)

(式中、 R¹および R ²はそれぞれ独立して、水素または炭素数 1〜4のアルキル基を表すか、あるいは一緒になつて任意に置換されてもよい炭素数 1〜 4のアルキレン基を表す）の反復単位からなる陽イオン形態のポリ（3， 4 一ジ置換チオフェン）とポリ陰イオンとの複合体であるポリチオフヱン複合体の水分散体、および

(b) 水溶性または水分散性の感放射線性樹脂、

を含む、ネガ型感放射線性樹脂組成物。

2. 前記感放射線性樹脂が、硬化性エポキシ（メタ）アタリレートであり、該硬化性エポキシ（メタ）アタリレートが、ポリヒドロキシ化合物とェピクロルヒドリンとを反応して得られるポリグリシジルエーテ /レ化合物に、（メタ）アクリル酸を反応させて得られる樹脂である、請求項 1に記載の樹脂組成物。

3. 前記感放射線性樹脂が、下記一般式（2)

(式中、 R³は水素原子またはメチル基を表し、 R⁴は水素原子または炭素原子数 1〜4のアルキル基を表す）で表される化合物と、分子内に水酸基を有する化合物とを強酸触媒の存在下で反応させて得られる樹脂である、請求項 1に記載の樹脂糸且成物。

4. 前記感放射線性樹脂が、以下の式（3— 1) で示される単位、 (3- 1 I) で示される単位、および（'3— I I I) で示される単位を有し：

(式中、 R⁵は、水素またはメチル基であり、分子内の複数の R ⁵は、その各々が同一であっても異なっていてもよく、 pは 1〜10の整数である）、

(式中、 R⁶は、氷素またはメチル基であり、 Xは、水素、アルカリ金属、およびアンモニゥム類からなる群より選択される基であり、分子内の複数の

(式中、 R ⁷および R ⁸は、それぞれ独立して水素またはメチル基であり、分子內の複数の R ⁷または R ⁸は、その各々が同一であっても異なっていてもよい）、

該感放射線性樹脂中に、該（3— 1) の単位が 2モル⁰/。〜 73モル％の割合で、該（3— I I) の単位が 8モル％〜 83モル。/。の割合で、そして、該 (3-1 I I ) の単位が 15モル％〜 80モル％の割合で含有される、請求項 1に記載の樹脂組成物。

5. 前記感放射線性樹脂が、以下の式（4)

(式中、 Y一は陰イオンを表す）で表される単位を有する、請求項 1に記載の樹脂組成物。

6 . さらに光重合開始剤および光増感剤の少なくとも一方を含有する、請求項 1から 5のいずれかに記載の樹脂組成物。

7 . 請求項 1カゝら 6のいずれかに記載の樹脂組成物でなる塗布液を基板上に塗布することにより塗膜を形成する工程；該塗膜表面にフォトマスクを介して放射線を照射する工程；および照射後の塗膜を水を含む現像液で現像する工程を包含する、導電性薄膜のパターンの形成方法。

8 . 請求項 7に記載の方法により形成された導電性薄膜のパターンを有する

9 . ディスプレイの透明電極、トランジスタの電極、太陽電池の電極、配線材料、有機 E Lデバイス、有機半導体、または電磁波シールド材である、請求項 8に記載の導電性薄膜のパターンを有する基板。