WO2005013351A1 - ダイボンダにおけるワーク認識方法およびダイボンダ - Google Patents

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WO2005013351A1
WO2005013351A1 PCT/JP2003/009763 JP0309763W WO2005013351A1 WO 2005013351 A1 WO2005013351 A1 WO 2005013351A1 JP 0309763 W JP0309763 W JP 0309763W WO 2005013351 A1 WO2005013351 A1 WO 2005013351A1
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work
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die bonder
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Kouji Miki
Jun Mitsudo
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Nec Machinery Corporation
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    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • the present invention relates to a method for recognizing a work in a die bonder and a die bonder using the method. For example, a bonding material is applied to a substrate having a large number of bonding areas (islands) to form a semiconductor chip.
  • the present invention relates to a work recognition method and a die bonder in a die bonder suitable for a die bonder to be bonded.
  • a semiconductor device bonds a back surface of a semiconductor chip (die) to a board such as a lead frame or a printed board through a bonding material such as soft solder, hard solder, silver paste, or resin. ).
  • a loader 120, a transfer device 130, and an unloader 140 are arranged, and a transfer device 150 for one substrate 150 from the loader 120.
  • the substrate 150 is transported in a predetermined direction on the rail 1 3 1 of the transport device 130, and the bonding area 150 of the substrate 150 is transferred at the bonding material application position PS during the transport.
  • the semiconductor chip (die) 170 is bonded through the bonding material 160 at the bonding position PB, and is accommodated in a magazine or the like with the unloader 140 at the bonding position PB. ing.
  • a first image recognition device 180 is disposed above the bonding material application position PS, and a second image recognition device 190 is disposed above the bonding position PB.
  • the image recognition of the bonding material application state by the first image recognition device 180 is performed by the image recognition device, and the image recognition of the bonding state of the semiconductor chip by the second image recognition device 190 is performed by the monitor 210. Ibonda has been proposed. .
  • an image recognition device is arranged above the pickup position of the semiconductor chip, and the image recognition device recognizes the image of the semiconductor chip to be picked up and picks up the semiconductor chip.
  • a camera using an image sensor of about 1.3 million pixels called a megapixel camera instead of a camera having a general resolution (about 300,000 pixels) is used.
  • CCD cameras a CCD camera
  • a CCD camera Has a low resolution of about 300,000 pixels, so that, for example, all the bonding areas 151 in each row in the width direction on a substrate 150 such as a lead frame or printed circuit board can be image-recognized with high accuracy.
  • a moving mechanism for moving the supporting members of the CCD cameras 180 and 190 in the width direction of the substrate 150 is indispensable, and the supporting mechanism of the camera becomes complicated and large, and becomes expensive. Because the CCD camera 180 and 190 need to move in the width direction, and because the image shakes due to the vibration caused by the movement of the support member need to wait for image recognition to stop, the image It takes a long time to recognize and process, and cannot speed up the die bonder There was a problem. Alternatively, a vibration prevention mechanism is required to prevent vibration, and the die bonder becomes more expensive.
  • the present invention provides a work recognition method and a work recognition method for a die bonder that can perform image recognition in a shorter time and with higher accuracy in a bonding area of a work such as a lead frame or a printed circuit board. It is an object of the present invention to provide a die bonder using the method. Means for Solving the Problems
  • the work recognizing method according to the present invention is arranged such that an image recognizing means is arranged above a transfer path of a work having a large number of bonding areas in a die bonder.
  • a high-performance camera is fixedly arranged as the image recognizing means, and all the bonding areas in at least one row in the width direction of the workpiece are collectively image-recognized.
  • the above-mentioned “high-performance camera” refers to a camera capable of dynamically and programmable imaging using only a part of the sensor light receiving element.
  • the number of pixels does not matter here because the necessary conditions vary depending on the target work. In other words, the total number of poisons is not a problem, and it is sufficient that the entire area of one row of the work can be imaged at a sufficient resolution at the same time. Does not. However, considering the function that can collectively capture the entire area of at least one row of the work from the required usage purpose, it must be a high-resolution camera.
  • all the bonding areas in at least one row in the width direction of the workpiece are collectively image-recognized
  • the work recognition method of the present invention is preferably arranged such that after the images of at least one row of all the bonding regions in the width direction of the work are collectively captured by the high-performance camera, In both of the embodiments, the image taken in a lump is processed using an idle time until the image of all the bonding regions in one row is recognized.
  • the high-performance camera collectively captures at least one row of all bonding regions in the width direction of the substrate, and then all of at least one row in the width direction of the substrate.
  • the present invention is characterized in that the state of each bonding area is inspected by dividing and enlarging the collectively picked-up image by utilizing the idle time until the bonding area is collectively image-recognized.
  • the die bonder of the present invention collectively performs image recognition on all bonding regions in at least one row in the width direction of the work above the bonding material application position in the work conveyance path having a large number of bonding regions.
  • the first high-performance camera is fixedly arranged, and the second high-performance camera that recognizes all the bonding areas in at least one row in the width direction of the workpiece at a position above the bonding position in the workpiece transfer path It is characterized by being fixedly arranged.
  • the die bonder of the present invention by the first high-performance camera, collectively performs image recognition of a bonding material application state in all bonding regions in at least one row in a width direction of the work, and a defective bonding material application region. Is stored, and the semiconductor chip is bonded by skipping the defective bonding material application region at the next bonding position. Effects of the Invention According to the above-described work recognition method, it is possible to collectively perform image recognition of all bonding regions in at least one row in the width direction of a work such as a lead frame or a printed circuit board.
  • the state before and / or after the application of the bonding material in all bonding areas in at least one row in the width direction is collectively image-recognized. You can.
  • image recognition of the state before bonding and / or the state after bonding of the semiconductor chip in all bonding regions in at least one row in the width direction is performed collectively. Can be. Therefore, using a conventional CCD camera, for example, at the bonding material application position in the work transport path, only a part of the entire bonding area in the nth column of the work before the bonding material is applied is applied.
  • the CCD camera After the image recognition of the state after application and the state after application, the CCD camera is moved in the width direction of the work to sequentially recognize the state before application of the bonding material and the state after application in the other bonding areas in the same nth column.
  • the time required for image recognition is significantly reduced as compared with the case of using a computer.
  • the CCD camera is moved in the blank width direction, and the state before bonding and the state after bonding of the semiconductor chip in the other bonding area of the same n-th column are sequentially compared with those for image recognition.
  • the time required for image recognition is significantly reduced.
  • the work recognition method of the present invention after collectively capturing images of all the bonding areas in at least one row in the width direction of the work, all the bonding areas in the next row in the width direction of the work are imaged.
  • the collectively captured images are processed using the idle time generated before the recognition, so that the time required for image capturing and image processing is greatly reduced, and the speed of the die bonder can be increased. .
  • the work recognition method of the present invention after images of all the bonding areas in at least one row in the width direction of the work are collectively taken, then all the bonding areas in at least one row in the width direction of the work are obtained. Utilizing the idle time that occurs until the area is image-recognized, the collectively captured image is divided and enlarged to inspect the state of the bonding area of the workpiece, so that inspection with a more accurate image is performed. Can be performed, and the inspection accuracy of the die bonder can be improved.
  • the state before and / or after the application of the bonding material in at least one row of the bonding area in the width direction of the workpiece is collectively performed by the first high-performance camera.
  • the second high-performance camera it is possible to collectively image the state before bonding and the state after Z or bonding of the semiconductor chip in at least one row of bonding areas in the width direction of the workpiece.
  • the bonding area is at the correct position before applying the bonding material on the front side of the work transfer path, and if the bonding area is displaced from the correct position Can automatically adjust the position of the bonding area by automatically adjusting the work driving means on the transport path based on the inspection result.
  • the application state of the bonding material for example, the presence or absence of the bonding material, the application position, the application amount, and the like are inspected, and if any, the application state of the bonding material is defective, the inspection is performed. Based on the results, it is possible to automatically correct the application conditions of the bonding material, store the defective position in a storage device, and use the stored information in the next semiconductor chip bonding process. .
  • the bonding area before bonding the semiconductor chip, it is possible to inspect whether the bonding area is at the correct position on the front side of the work transfer path, and if the bonding position is deviated from the correct position.
  • the position of the bonding area can be corrected by automatically adjusting the work driving means on the transport path based on the inspection result.
  • the bonding state of the semiconductor chip for example, the presence or absence of the die, the die position, the die chipping, the state of the bonding material protruding, and the like, are image-recognized. If so, the bonding conditions can be automatically corrected, the defective position can be stored in a storage device, and the stored information can be used in the next process.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a die bonder employing the work recognition method of the present invention.
  • FIG. 2 is a left longitudinal sectional view of the die bonder of FIG.
  • Fig. 3 is an enlarged front view showing the arrangement of the first and second high-performance cameras in the die bonder of Fig. 1.
  • FIG. 4A is a plan view of an example of a substrate used in the die bonder of FIG.
  • FIG. 4 (B) is a front view of the substrate of FIG. 4 (A).
  • FIG. 5A is a schematic front sectional view of an example of the loader in the die bonder of FIG.
  • FIG. 5B is a schematic front view of a different example of the loader in the die bonder of FIG.
  • FIG. 6 is a schematic enlarged side sectional view of a bonding material applying device in the die bonder of FIG.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of the operation of the bonding head in the die bonder of FIG.
  • FIG. 8 (A) to 8 (C) are schematic longitudinal sectional views of a manufacturing process of a semiconductor chip assembly arranged at a pickup position of a semiconductor chip in the die bonder of FIG.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view of the unbinder in the die bonder of FIG.
  • FIG. 10 is a front view showing the arrangement of the upper and lower belts and burries of the transfer device in the die bonder of FIG.
  • FIG. 11 (A) is a rear view of a driving pulley portion of the transfer device in the die bonder of FIG. 1.
  • FIG. 11 (B) is a right side view of the drive pulley portion of FIG. 11 (A).
  • FIG. 12 (A) is a schematic front view of a vertical drive pulley, a vertical driven pulley, and an upper feed pulley portion of the transfer device in the die bonder of FIG.
  • FIG. 12 (B) is a schematic plan view of the upper feed pulley portion of FIG. 12 (A).
  • FIG. 12 (C) is an enlarged side sectional view of a portion A in FIG.
  • FIG. 12 (D) is an enlarged sectional side view of a portion B in FIG.
  • FIG. 13 is a schematic perspective view for explaining the work recognition method of the present invention.
  • Fig. 14 (A) shows the upper and lower pelts and vertical feeder when a board with a small thickness is supplied.
  • -It is an enlarged front view of ri.
  • Fig. 14 (B) shows the upper and lower belts and upper and lower feed rollers when a board with a large thickness is supplied.
  • FIG. 15A is a schematic front view of a conventional die bonder.
  • FIG. 15 (B) is a schematic plan view of the die bonder of FIG. 15 (A).
  • FIG. 16 is a schematic perspective view illustrating a conventional image recognition method of a die bonder. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • an embodiment of a die bonder adopting a work recognition method of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • the die bonder 10 includes a loader 20 that supplies a substrate 1 having a large number of bonding areas such as a lead frame and a printed circuit board, which are examples of a work, and a transfer device 70 that transports the substrate 1.
  • the bonding material application device 30 that applies the bonding material to the substrate 1 at the front side bonding material application position PS in the middle of the conveyance device 70, and the front bonding position PB in the middle of the conveyance device 70
  • a bonding head 40 for bonding a semiconductor chip (die) to the substrate 1 on which the bonding material is applied; an unloader 50 for receiving the substrate 1 on which the semiconductor chip is bonded;
  • a high-performance camera for example, a CMOS camera 100, a monitor 101 thereof, and a second high-performance camera, for example, a CMOS camera, which is fixed above the bonding head 40.
  • La 110, and a the motor two evening 111 are examples of the bonding head 40.
  • illuminating means 103 and 113 in which a large number of light emitting diodes are arranged in a matrix are arranged, and a first CMOS camera 100 and a second CMOS camera 100 are arranged.
  • the illuminating means 103 and 113 may be singly illuminated from one direction, but as shown in FIG. 3, when illuminating from a plurality of directions by a plurality of illuminating means, shadows due to unevenness of the subject are not formed, Even clearer image recognition can be performed.
  • FIG. 3 when illuminating from a plurality of directions by a plurality of illuminating means, shadows due to unevenness of the subject are not formed, Even clearer image recognition can be performed.
  • the bonding material application device 30 at the bonding material application position PS is not shown, and only one illuminating means 103 is shown. However, as with the bonding position PB, a plurality of illuminating means 103 are used. It may be arranged.
  • the substrate 1 has a length dimension L, a width dimension W, and a thickness dimension. Is rectangular and flat, and has a large number of semiconductor chip bonding areas 2 in the vertical and horizontal directions, and at least at one end in the width direction, along the length direction, no gripping area 2 Has three.
  • the gripping region 3 does not require a feed claw hole as in the conventional feed claw method, but a substrate having a conventional feed claw hole can be used without any problem.
  • the loader 20 stores a large number of substrates 1 and supplies them one by one to the transfer device 70.
  • a magazine 22 in which the substrates 1 are stored horizontally at a predetermined pitch in the vertical direction is placed, and the magazine 22 is intermittently lowered (or raised) one pitch at a time by an elevator 21.
  • a method of sequentially feeding the substrate 1 below (or above) the magazine 22 by the pressing portion 24 of 23 may be used.
  • FIG. 5 (B) a large number of substrates 1 are stacked, and one or a plurality of suction heads 25 adsorb one by one from the upper substrate 1 and transport them. It may be of the type that supplies it to the device 70.
  • the transfer device 70 hold and transfer the holding area 3 of the substrate 1 in FIG. 4. The detailed configuration and operation will be described later.
  • the bonding material application device 30 accommodates the bonding material 33 in a syringe 32 attached to a mounting member 31 and uses a compressed gas (air, nitrogen) 34
  • a predetermined amount of the bonding material 33 is discharged from 35 and applied to the substrate 1 by a predetermined amount. It can be moved intermittently in the width direction (X direction) of the substrate 1 by an X-axis drive module (not shown).
  • the bonding material 33 is sequentially applied to the bonding regions 2 arranged in a line along the width direction of the substrate 1.
  • the bonding material 33 may be simultaneously supplied to the plurality of bonding regions 2 in the width direction.
  • a bonding head 40 to be described later sequentially bonds the semiconductor chip to each bonding area 2 arranged in the width direction of the substrate 1, a single nozzle is sufficient for practical use. .
  • the mounting member 31 to which the syringe 32 is mounted may be configured to be movable in the direction of movement 1 by a Y-axis drive motor (not shown).
  • a Y-axis drive motor not shown.
  • the first C When observing the state of the bonding area 2 before applying the bonding material and the application state of the bonding material 33 in the bonding area 2 after applying the bonding material with the MOS camera 100, the mounting member 31 is moved in the Y direction. It is possible to make the image easier to recognize.
  • the bonding head 40 of the semiconductor chip picks up the semiconductor chips 65 one by one from the semiconductor chip peak position P1 by using the vacuum attraction force to form a bonding position P2. Are sequentially bonded to the bonding area 2 of the substrate 1 on which the bonding material 33 is applied.
  • the aggregate 60 is arranged.
  • the semiconductor chip assembly 60 has a semiconductor chip 63 attached to an adhesive sheet 62 attached to a wafer ring 61, and FIG. ),
  • the semiconductor wafer 63 is cut lengthwise and crosswise by a dicer 64 to divide it into individual semiconductor chips 65, and then, as shown in FIG.
  • the semiconductor chips 6 5, 65 are separated from each other by putting down on the fixing ring 6 6, depressing the wafer ring 6 1, and stretching the adhesive sheet 6 2, and separating the adhesive sheets 6 2 The bonding force between the semiconductor chip 65 and the semiconductor chip 65 is reduced.
  • the unloader 50 mounts a magazine 52 which can horizontally accommodate a large number of substrates 1 at a predetermined pitch in a vertical direction on an elevator 51, and The whole board 51 is lowered (or raised) one pitch at a time by one pitch, and the bonded substrates 1 are accommodated in the magazine 52 one by one from below (or above).
  • the transfer device 70 includes a lower timing pelt (hereinafter referred to as a lower belt) 71 and an upper timing pelt (hereinafter referred to as an upper belt) 72 vertically. They are arranged facing each other.
  • the lower pelt 71 is horizontally supported by a driving pulley 73, a driven pulley 74, and a number of feed pulleys 75, 76 fixed at a predetermined height, and is supported in the horizontal direction in the direction of the arrow shown in FIG. 2 side moves from left end to right end).
  • the upper belt 72 is horizontally supported by a driving pulley ⁇ 7, a driven pulley 78, and a number of feed pulleys 79, 80.
  • the upper belt 72 is in the direction indicated by the arrow (the lower belt 71 side is from the left end to the right end). Go to) It has become. ..
  • pulleys 73A and 77A are fixed to the other ends of the rotation shafts of the drive pulleys 73 and 77, respectively.
  • a timing belt 84 is stretched over the pulley 82 attached to the rotating shaft of the first drive motor 81 and the tension pulley 83 so that the drive pulleys 73 and 77 are rotated synchronously and in opposite directions. Has become. ..
  • the drive pulley 73 of the lower belt 71, the driven pulley 74 and the drive pulleys 77 and 78 of the upper pelt 72, and the pulley 82 and the tension pulley 83 attached to the drive motor 81 are all flanges. It is for a timing belt having irregularities on its peripheral surface that match the irregularities formed on the inner peripheral surfaces of the upper and lower belts 71, 72.
  • the feed pulleys 75 and 76 of the lower belt 71 and the feed pulleys 79 and 80 of the upper belt 72 For use with timing belts that have unevenness that fits in.
  • the feed pulleys 76 and 80 (shown by B in FIG. 10) have no unevenness on the peripheral surface that matches the unevenness of the upper and lower pelts 71 and 72. It is just for support.
  • FIG. 12 (D) is an enlarged view of a portion B in FIG. 12 (B), the feed pulley 76 on the lower pelt 71 side and the feed pulley 80 on the upper belt 72 side , Without tsuba.
  • cost reduction is achieved by using inexpensive feed pulleys 76 and 80 without flanges and unevenness and alternately disposing expensive feed pulleys 75 and 79 with flanges and unevenness. .
  • the shafts 79 & and 80a of the feed pulleys 79 and 80 of the upper pelt 72 are slightly different from the shafts 75a and 76a of the feed pulleys 75 and 76 of the lower pelt 71, as shown in FIG. It is mounted eccentrically on the da 20 side.
  • each feed The unloader 50 side of the pulleys 79, 80 is constantly urged obliquely downward by a pulling lever # 85.
  • the upper pelt 72 is constantly pressed toward the lower pelt 71 by the elastic force of the tension spring 85 acting on each of the feed pulleys 79 and 80.
  • the substrate 1 can be gripped by the upper and lower belts 71, 72, and when a force opposing the elastic force of the tension spring 85 acts, the feed pulleys 79, 80 of the upper belt 72 move the shafts 79a, 80. It rotates counterclockwise around a, whereby the unloader 50 side of the feed pulleys 79, 80 is configured to be able to move upward by piles on the elastic force of the bow [85].
  • a substrate 1 having a thickness t of tl (> t) is supplied between the upper and lower belts 71 and 72
  • the unloader 50 side of the feed pulleys 79 and 80 is subjected to the elastic force of the tension spring 85.
  • the upper belt 72 rises, and the thick substrate 1 can be reliably gripped by the upper and lower belts 71, 72.
  • the return portion 71a of the lower pelt 71 is provided with a guide roll 86 fixedly arranged and a tension roll 87 that can be moved up and down.
  • the return portion 72a of the upper belt 72 has an appropriate number.
  • a tension roll 88 is provided, and a moderate tension is applied to the upper and lower belts 71 and 72 respectively.
  • the direction changing rolls 89, 90, and 90 are provided so as not to hinder the movement of the bonding head 40.
  • a portion 93 whose height is reduced by 91 and 92 is provided. That is, the pickup position P1 at which the semiconductor chip 65 is picked up from the semiconductor chip assembly 60 is disposed in front of the upper and lower belts 71 and 72 (downward in the figure), as shown in FIG. Since the substrate 1 on which the semiconductor chip 65 is to be bonded is located beyond the upper and lower belts 71 and 72 (upper side in the figure), the bonding head 40 is located on the front side of the semiconductor chip near the upper and lower belts 71 and 72. It is necessary to reciprocate between the pickup position P1 and the substrate 1 on the other side of the upper and lower belts 71 and 72.
  • the bonding head 40 will The horizontal section is moved up and down, and the upper side.Because it is necessary to climb over the return section 72a of the belt 72 and a large vertical movement of the bonding head 40 is required, the bonding head 40 Not only is the drive mechanism large and expensive, but the bonding speed is inevitably reduced.
  • the bonding head 40 moves up and down greatly through the lowered portion 93.
  • the transfer device 70 includes a table 94 disposed along the moving direction of the substrate 1 on the opposite side of the upper and lower pelts 71 and 72. Substrate 1 is transported above.
  • the currently available resolutions of the first and second CMOS cameras 100 and 110 are about 4.11 million pixels (2,047 x 2,008), and the readout time corresponding to all pixels within the field of view of the CCD camera is about 12 ms ec, approximately 13 times the resolution of a conventional CCD camera (approximately 300,000 pixels (640 x 480)), and approximately 1/3 of the 33 ms ec for all pixels in the field of view of the CCD camera It has high performance and high-speed image recognition.
  • the drive motor 81 of the transfer device 70 is driven so that the upper and lower belts 71 and 72 are intermittently moved by one pitch of the bonding area 2 of the substrate 1 in synchronization with the direction of the arrow in FIG. Keep it. Then, when one substrate 1 is supplied from the loader 20 to the transfer device # 0 with the gripping region 3 on the near side (the upper and lower pelts 71 and 72 sides), the upper and lower belts 71 and 72 of the transfer device 70 The gripping area 3 at one end of the substrate 1 is gripped from above and below, and is intermittently transported from the left end to the right end in FIG. At this time, the bonding material application device 30 is retracted to the bonding area of the first row of the substrate 1, that is, a position outside the bonding material application area.
  • the bonding area 2 in the first row of the substrate 1 is the bonding material application position PS, that is, the first CM.
  • PS bonding material application position
  • it pauses at that position and, as shown in Fig.13, at least collectively recognizes all bonding areas 2 in the first row, Check if it is located at the location. If the bonding area 2 is not located at the proper position, the transport device 70 is operated based on the detection output, and the bonding area 2 is automatically corrected to the proper position. Alternatively, based on this deviation amount, the application position of the bonding material described below is automatically corrected.
  • the bonding material applying device 30 descends, applies the bonding material 33 to the first bonding area 2 in the first row of the substrate 1, and moves up. You. Then, the mounting member 31 is moved horizontally by one pitch in the X direction and lowered by the X-direction driving mode (not shown), and the bonding material is transferred to the second bonding area 2 in the first row of the substrate 1. 3 Apply 3 and raise. Hereinafter, similarly, the bonding material 33 is sequentially applied to the third to n-th bonding regions 2 in the first column of the substrate 1 and the bonding region 33 is raised.
  • the bonding material 33 is applied to all the bonding areas 2 in the first row of the substrate 1, at least the bonding area 2 in the first row is obtained by the first CMOS camera 100.
  • the application condition of the bonding material 3 3 is adjusted, and the bonding area 2 in the defective application state is determined. It is stored in a storage device and is used for bonding a semiconductor chip in the next process.
  • the bonding material 3 3 is applied to at least the entire bonding area 2 in the first row and the applied state is image-recognized, the substrate 1 is moved by one pitch by the movement of the upper and lower belts 7 1 and 7 2. It is conveyed intermittently.
  • the positions before the application of the bonding material in all the bonding areas 2 of the second and third columns of the substrate 1 are image-recognized, and the bonding material 3 3 is sequentially applied to the bonding area 2 Then, the state of application of the bonding material in all bonding areas 2 is image-recognized.
  • the CMOS camera 100 used in the present invention has a high function, as shown in FIG. 13, not only the entire bonding area 2 in the first row of the substrate 1 but also the Since all bonding areas 2 up to several rows in the second and subsequent rows can be simultaneously image-recognized, the state before and / or after the bonding material is applied will be the entire bonding area in the field of view. Two Can be collectively image-recognized. Therefore, an empty time occurs after the image recognition of the bonding regions 2 for several rows at a time, and the image can be processed using the empty time. Alternatively, a more accurate inspection can be performed by dividing and enlarging the image of one or a plurality of bonding areas 2 in the bonding area 2 that has been actively image-recognized. ⁇
  • the substrate 1 to which the bonding material 3 3 has been applied is intermittently transported toward the right in FIG. 10 by the upper and lower belts 7 1 and 7 2, and the bonding area 2 in the first row comes to the bonding position PB Then, the second CMOS camera 110 performs image recognition of at least the entire bonding area 2 to which the bonding material 33 in the first row has been applied. Therefore, the application state of the bonding material before the bonding of the semiconductor chip can be inspected again by the image recognition using the second CMOS imager 110.
  • the bonding material application state is defective in the first column by the inspection of the bonding material application state and / or the inspection by the first CMOS camera 100,
  • the semiconductor chip is bonded by bonding head 40 while skipping bonding region 2 where the material application state is defective.
  • the bonding head 40 picks up the semiconductor chips 65 one by one from the semiconductor chip assembly 60 at the pickup position P1, and the bonding position P2 Then, bonding is performed to the substrate 1 sequentially through the bonding material 33 applied to the bonding area 2 of the anti-reflection coating 1.
  • the bonding head 40 is located between the pickup position P 1 of the semiconductor chip 65 and the substrate 1. To and from the bonding position P2 without significantly moving up and down, so that the bonding head 40 drive mechanism can be made compact and inexpensive, and the bonding speed can be improved. be able to.
  • the substrate 1 is intermittently transported by one pitch, and thereafter, the bonding in the second and third columns is performed.
  • Semiconductor chips 65 are sequentially bonded to the bonding region 2.
  • the bonding state of the semiconductor chip 65 is image-recognized by the second CMOS camera 110 in such a manner that all the bonding regions 2 in at least one row of 1 are combined.
  • the bonding area 2 determined to be defective by the image recognition is stored in a storage device, and can be used so as to be skipped at the time of characteristic selection in a later process. Further, the recognized bonding state can be fed back to the subsequent bonding operation.
  • the substrate 1 to which the semiconductor chip 65 is bonded is intermittently transported to the right, and the rightmost unloader 50 is moved up (or down) one pitch at a time by an elevator 51. At the same time, they are sequentially stored in the magazine 52.
  • the CMOS camera 110 used in the present invention has a high function, as shown in FIG. 13, not only the entire bonding area 2 in the first row of the substrate 1 but also the second Since all the bonding areas 2 up to several rows after the first row can be simultaneously image-recognized, the state of the semiconductor chip before and / or after bonding is determined by checking all the bonding areas 2 in the field of view. Images can be recognized collectively. Therefore, an empty time occurs after the image recognition of the bonding area 2 for several rows at a time, so that the image can be processed using this empty time, and the bonding area where the image recognition has been actively performed can be performed.
  • the single or multiple images in 2 can be divided and enlarged, and a higher-precision inspection can be performed with the enlarged image of single or multiple bonding regions 2.
  • the transfer device 70 when the thickness dimension t of the substrate 1 changes due to the type change of the substrate 1 will be described.
  • the shafts 79a and 80a of the upper pulleys 79 and 80 on the upper belt ⁇ 2 are eccentric to the loader 20 side as described above. Since the unloader 50 side of the feed pulleys 79, 80 is urged toward the lower belt 71 by a tension spring 85, as shown in FIG.
  • a substrate 1a with a thickness of t1 (> t) is supplied, as shown in Fig. 14 (B)
  • the feed pulleys 79 and 80 on the upper belt 72 rotate counterclockwise around the shafts 79a and 80a, but the shafts 75 of the feed pulleys 79 and 80 are rotated.
  • 76a are mounted eccentrically on the loader 20 side, so that the unloader 50 side of the feed pulleys 79, 80 is piled up by the elastic force of the tension spring 85, and rises.
  • the upper belt 72 is raised, so that the gripping area 3 of the substrate 1a having the thickness t1 (> t) of the upper and lower belts 71, 72 can be reliably gripped and transported.
  • the unloader 50 side of the feed ports 79 and 80 resists the elastic force of the tension spring 85 in response to the variation in the thickness dimension of the substrate 1.
  • the upper belt 72 rises, so that it is possible to automatically respond without using an adapter or adjusting the mounting position of the feed rolls 79, 80.
  • the diameter of the feed rolls 79, 80 of the upper belt 72 and the eccentricity of the shafts 79a, 80a are determined by the variation range of the thickness of the substrate conveyed by the conveyer 70. It is necessary to set it appropriately in advance according to.
  • the shafts 79a, 80a of the upper rolls 72, 80 and the feed rolls 79, 80 are connected to the lower rolls 71, 7 of the feed rolls 75, 7, 6 on the shaft 75a. , 76a so as to be eccentrically mounted on the loader 20 side, and to urge the unloader 50 side of the feed rolls 79, 80 toward the lower belt 72 by the tension spring 85.
  • the shafts 79a and 80a of the feed rolls 79 and 80 are attached so that they can be raised and lowered, and the shafts 79a and 80a are pulled toward the lower belt 71 by a tension spring or compressed. The spring may be pressed toward the lower belt 71.
  • the upper pelts 72 are constituted by one timing belt, and In the turn part 72a, a portion 93 with a reduced height is provided in the moving path of the bonding head.However, the upper belt 72 is divided into two parts by the bonding head moving path, and synchronized. You may make it move.
  • the case where the CMOS camera is used as the first high-performance camera 100 and the second high-performance camera 110 has been described. Any camera that can collectively recognize images can be used. Further, in the above embodiment, the case where the first high-performance camera 100 and the second high-performance camera 110 are provided with the monitors 101 and 111 respectively has been described. The monitor may be used to simultaneously display the image of the first advanced camera 100 and the image of the second advanced camera 110 on the shared monitor screen. Alternatively, the image of the first high-function camera 100 and the image of the second high-function camera 110 may be displayed on the shared monitor screen while being temporally switched.
  • the substrate 1, the loader 20, the bonding material applying device 30, the bonding head 40, the unloader 50, the transfer device 70, the unloader 50, and the like may have a configuration other than that shown in the embodiment.
  • No. INDUSTRIAL APPLICABILITY The peak recognition method and die bonder of the present invention are particularly useful for a die recognition method for a semiconductor chip die bonder and a die bonder.
  • the present invention can also be applied to a work recognition method in an electronic component die bonder and a die bonder.

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Abstract

課題：　ダイボンダにおける画像認識を高速化、高精度化する。解決手段：　搬送装置（７０）の搬送路途中の手前側にある接合材塗布位置（ＰＳ）の上方に、第１の高機能カメラ（１００）を固定配置するとともに、搬送装置（７０）の搬送路途中の前方側にある半導体チップのボンディング位置（ＰＢ）の上方に、第２の高機能カメラ（１１０）を固定配置して、第１の高機能カメラ（１００）で、基板の少なくとも幅方向における１列の全ボンディング領域２の接合材塗布状態を一括して画像認識するとともに、第２の高機能カメラ（１１０）で、基板１の少なくとも幅方向における１列の全ボンディング領域（２）の半導体チップボンディング状態を一括して画像認識する。

Description

ダイボンダにおけるワーク認識方法およびダイボンダ 技 術 分 野 本発明はダイボンダにおけるワーク認識方法およびその方法を用いたダイボンダに関し、 例えば、 多数のボンディング領域 （アイランド） を有する基板に接合材を塗布し、 半導体 チップをボンディングするダイボンダに好適なダイボンダにおけるワーク認識方法および ダイボンダに関するものである。 背 景 技 術 半導体装置は、一般に、半導体チップ（ダイ）の裏面を、軟ろう，硬ろう，銀ペースト， 樹脂などの接合材を介して、リードフレームやプリント基板などの基板にボンディング (接 合） して製造している。
このような半導体チヅプ（ダイ） を基板にボンディングするダイボンダにおいては、 図
1 5 (A) (B ) に示すように、 ローダ 1 2 0と、 搬送装置 1 3 0と、 アンローダ 1 4 0 とを配置し、 ローダ 1 2 0から基板 1 5 0を 1枚ずつ搬送装置 1 3 0に供給し、 搬送装置 1 3 0のレール 1 3 1上で基板 1 5 0を所定の方向に搬送し、 搬送途中の接合材塗布位置 P Sで基板 1 5 0のボンディング領域 1 5 1に接合材 1 6 0を塗布し、 ボンディング位置 P Bで前記接合材 1 6 0を介して半導体チップ（ダイ） 1 7 0をボンディングし、 アン口 —ダ 1 4 0でマガジンなどに収容するようにしている。
そして、前記接合材塗布位置 P Sの上方に第 1の画像認識装置 1 8 0を配置すると共に、 前記ボンディング位置 P Bの上方に第 2の画像認識装置 1 9 0を配置して、 モニタ 2 0 0 で第 1の画像認識装置 1 8 0による接合材塗布状態を画像認識し、 モニタ 2 1 0で第 2の 画像認識装置 1 9 0による半導体チップのボンディング状態を画像認識するよう fcしたダ ィボンダが提案されている。 .
また、 ダイボンダにおいて、 半導体チップをピックアップする場合に、 同様に、 半導体 チヅプのピックァヅプ位置の上方に画像認識装置を配置して、 画像認識装置でピックァヅ プしょうとする半導体チヅプを画像認識して、ピックアップするようにしている（例えば、 日本特許第 2 9 0 0 8 7 4号， 日本特許第 3 4 1 8 9 2 9号参照。 ） 。
このような画像認識装置としては、 従来、 一般的な解像度 （約 3 0万画素） のカメラか らメガピクセルカメラと呼称される約 1 3 0万画素程度の撮像素子を使用したカメラが用 いられてきた。 以下、 これらを総称して C C Dカメラという。 発 明 の 閧 示 発明が解決しょうとする課題 ところが、 例えば、 図 1 5に示すダイボンダにおいて、 第 1， 第 2の画像認識装置 1 8 0 , 1 9 0として、 C C Dカメラを用いると、 C C Dカメラは約 3 0万画素程度と低解像 度であるため、 例えば、 リードフレームやプリント基板などの基板 1 5 0における幅方向 の各列の全ボンディング領域 1 5 1を同時に高精度で画像認識することができず、 図 1 6 に示すように、 各列における全ボンディング領域 1 5 1中の一部のボンディング領域 1 5 1のみを画像認識して、 その画像認識に基づく処理が終了すると、 図示するように、 C C Dカメラ 1 8 0 , 1 9 0を基板 1 5 0の幅方向に移動させて、 その列における他のボンデ イング領域 1 5 1の画像認識を行って、 その画像認識に基づく処理を行うという動作を繰 り返して行っていた。
したがって、 C C Dカメラ 1 8 0， 1 9 0の支持部材を基板 1 5 0の幅方向に移動させ る移動機構が不可欠となり、 カメラの支持機構が複雑化および大型化し、 高価になるのみ ならず、 C C Dカメラ 1 8 0 , 1 9 0の幅方向への移動時間のため、 また、 支持部材の移 動に伴って生じる振動による画像の揺れが収まるまでの画像認識の待ち時間が必要なため、 画像認識および処理に長時間を必要とし、 ダイボンダを高速化することができないという 問題点があった。 あるいは、 振動を防止するためには振動防止機構が必要になって、 さら に、 ダイボンダが高価になるという問題点があった。
また、 撮像領域上空を往復動作する機構部によって撮像視野が遮蔽されていないタイミ ングを見計らって撮像する必要があり、 この撮像タイミングを確保することにより、 ダイ ボンダを高速化することができないという問題点もある。
そこで、 本発明は、 例えば、 リ一ドフレームやプリント基板などのワークにおけるボン デイング領域を、 より短時間で、 かつ、 高精度で画像認識を行うことができるダイボンダ におけるワーク認識方法およびこのワーク認識方法を用いたダイボンダを提供することを 目的とするものである。 ： 課題を解決するための手段 本発明のワーク認識方法は、 上記の課題を解決するために、 ダイボンダにおける多数の ボンディング領域を有するワークの搬送路の上方に画像認識手段を配置してワークのボン デイング領域を画像認識する方法において、 前記画像認識手段として、 高機能カメラを固 定配置して、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画像認識 するようにしたことを特徴としている。
ここで、 上記の 「高機能カメラ」 とは、 センサ受光素子の一部のみを使用しての撮像が ダイナミックに、また、プログラマブルに可能なカメラのことである。画素数については、 対象とするワークによって必要条件が変わるため、 ここでは問わない。 すなわち、 総画毒 数そのものが問題ではなく、 あくまでも、 ワークの 1列分の全領域を一括して十分な解像 度で撮像可能であればよく、ワークの長さ方向の画素数は、余り問題とならない。ただし、 ワークの少なくとも 1列分の全領域を一括して撮像可能な機能を要求される使用目的から 考えるに、 高解像度カメラにならざるを得ない。
また、 上記の 「ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画像 認識するようにした」 なる用語は、 ワークにおける 1列のみの全ボンディング領域を一括 して画像認識する場合のみならず、 ワークにおけるある列とこの列に隣接する単一または 複数の列の全ボンディング領域とを一括して画像認識する場合をも含むことを意味するも のである。
また、 本発明のワークの認識方法は、 前記高機能カメラにより、 ワークの幅方向の少な くとも 1列の全ボンディング領域の画像を一括して撮像した後、 次にワークの幅方向の少 なくとも 1列の全ボンディング領域を画像認識するまでの空き時間を利用して、 前記一括 して撮像した画像を処理するようにしたことを特徴としている。
また、 本発明のワークの認識方法は、 前記高機能カメラにより基板の幅方向の少なくと も 1列の全ボンディング領域を一括して撮像した後、 次に基板の幅方向の少なくとも 1列 の全ボンディング領域を一括して画像認識するまでの空き時間を利用して、 前記一括して 撮像した画像を分割拡大して個々のボンディング領域の状態を検査することを特徴として いる。
また、 本発明のダイボンダは、 多数のボンディング領域を有するワークの搬送路におけ る接合材塗布位置の上方に、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一 括して画像認識する第 1の高機能カメラを固定配置するとともに、 ワークの搬送路におけ るボンディング位置の上方にワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一 括して画像認識する第 2の高機能カメラを固定配置したことを特徴としている。
また、 本発明のダイボンダは、 前記第 1の高機能カメラにより、 ワークの幅方向の少な くとも 1列の全ボンディング領域の接合材塗布状態を一括して画像認識を行い、 不良接合 材塗布領域を記憶させて、 次のボンディング位置でこの不良接合材塗布領域をスキップし て半導体チップをボンディングするようにしたことを特徴としている。 発 明 の 効 果 上記のワークの認識方法によれば、 リードフレームやプリント基板などのワークにおけ る幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画像認識することができ、 例 えば、 ワークの搬送路の接合材塗布位置では、 幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング 領域における接合材塗布前の状態および/または塗布後の状態を一括して画像認識するこ とができる。 また、 例えば、 ワークの搬送路における半導体チップのボンディング位置で は、 幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域における半導体チップのボンディング 前の状態および/またはボンディング後の状態を一括して画像認識することができる。 したがって、 従来の C C Dカメラを用いて、 例えば、 ワークの搬送路における接合材塗 布位置で、 ワークの第 n列目における全ボンディング領域中の一部のボンディング領域の みの接合材塗布前の状態および塗布後の状態を画像認識した後に、 C C Dカメラをワーク の幅方向に移動させて、 順次、 同じ第 n列目の他のボンディング領域における接合材塗布 前の状態および塗布後の状態を画像認識するものに比較して、 画像認識に要する時間が格 段に短縮される。 . '
あるいは、 ワークの搬送路における半導体チップのボンディング位置で、 ワークの第 n 列目における全ボンディング領域中の一部のボンディング領域における半導体チヅプのボ ンディング前の状態およびボンディング後の状態を画像認識した後、 C C Dカメラをヮ一 クの幅方向に移動させて、 順次、 同じ第 n列目の他のボンディング領域における半導体チ ヅプのボンディング前の状態およびボンディング後の状態を画像認識するものに比較して、 画像認識に要する時間が格段に短縮される。
また、 本発明のワークの認識方法によれば、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボン ディング領域の画像を一括して撮像した後、 ワークの幅方向の次列における全ボンディン グ領域を画像認識するまでに発生する空き時間を利用して、 前記一括して撮像した画像を 処理するようにしたので、 画像撮像および画像処理に要する時間を大幅に短縮して、 ダイ ボンダの高速化が図れる。
また、 本発明のワークの認識方法によれば、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボン ディング領域の画像を一括して撮像した後、 次にワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボ ンディング領域を画像認識するまでに発生する空き時間を利用して、 前記一括して撮像し た画像を分割拡大してワークのボンディング領域の状態を検査するようにしたので、 より 高精度の画像による検査を行うことができ、 ダイボンダの検査の高精度化が図れる。
また、 本発明のダイボンダによれば、 第 1の高機能カメラでワークの幅方向の少なくと も 1列の全ボンディング領域における接合材の塗布前および/または塗布後の状態を一括 して撮像でき、 第 2の高機能カメラでワークの幅方.向の少なくとも 1列の全ボンディング 領域における半導体チップのボンディング前および Zまたはボンディング後の状態を一括 して撮像することができる。
したがって、 ワークの搬送路の手前側で、 接合材の塗布前に、 ボンディング領域が正規 の位置になっているどうか検査することができ、 万一、 ボンディング領域が正規の位置か らずれている場合は、その検査結果に基づき搬送路のワーク駆動手段を自動的に調整して、 ボンディング領域の位置を自動で修正することができる。 また、 接合材の塗布後に、 接合 材の塗布状態、 例えば、 接合材の有無、 塗布位置、 塗布量などを検査して、 万一、 接合材 の塗布状態が不良のものがあれば、 その検査結果に基づき接合材の塗布条件の自動での修 正を行ったり、 その不良位置を記憶装置に記憶して、 次の半導体チヅプのボンディングェ 程で、 その記憶情報を活用したりすることができる。
さらに、 ワークの搬送路の前方側で、 半導体チップのボンディング前に、 ボンディング 領域が正規の位置になっているかどうか検査することができ、 万一、 ボンディング位置が 正規の位置からずれている場合は、 その検査結果に基づき搬送路のワーク駆動手段を自動 的に調整して、 ボンディング領域の位置を修正することができる。 また、 半導体チップの ボンディング後に、 半導体チヅプのボンディング状態、 例えば、 ダイの有無、 ダイ位置、 ダイ欠け、 接合材の食み出し状態などを画像認識し、 万一、 ボンディング状態が不良のも のがあれば、 ボンディング条件の自動での修正を行ったり、 その不良位置を記憶装置に記 憶し、 次工程でその記憶情報を活用したりすることができる。
また、 本発明のダイボンダによれば、 接合材の塗布状態が不良のボンディング領域をス キヅプして半導体チヅプをボンディングするので、 良品の半導体チヅプを無駄にすること が防止されて、 コスト低減を図ることができる。 また、 その接合材の塗布状態が不良のポ ンディング領域をスキップすることにより、無駄なボンディング時間を無くすことができ、 スループットが向上する。 図 面 の 簡 単 な 説 明 図 1は本発明のワークの認識方法を採用したダイボンダの概略平面図である。 図 2は図 1のダイボンダにおける左側縦断面図である。
図 3は図 1のダイボンダにおける第 1， 第 2の高機能カメラの配設状態を示す拡大正面 図である。
図 4 (A) は図 1のダイボンダに使用する基板の一例の平面図である。
図 4 (B ) は図 4 (A) の基板の正面図である。
図 5 (A) は図 1のダイボンダにおけるローダの一例の概略正断面図である。
図 5 (B ) は図 1のダイボンダにおけるローダの異なる例の概略正面図である。
図 6は図 1のダイボンダにおける接合材塗布装置の概略拡大側断面図である。
図 7は図 1のダイボンダにおけるボンディングへッドの動作説明図である。
図 8 (A) 〜図 8 ( C) は図 1のダイボンダにおける半導体チップのピックアップ位置 に配置する半導体チヅプ集合体の製造工程の概略縦断面図である。
図 9は図 1のダイボンダにおけるアン口ーダの概略正断面図である。
図 1 0は図 1のダイボンダにおける搬送装置の上下ベルトおよびブーリの配置状態を示 す正面図である。
図 1 1 (A) は図 1のダイボンダにおける搬送装置の駆動プーリ部分の背面図である。 図 1 1 (B ) は図 1 1 (A) の駆動プーリ部分の右側面図である。
図 1 2 (A)は図 1のダイボンダにおける搬送装置の上下駆動プーリ、上下従動プーリ、 上側送りプ一リ部分の概略正面図である。
図 1 2 (B ) は図 1 2 (A) の上側送りプ一リ部分の概略平面図である。
図 1 2 ( C) は図 1 2 (B ) の矢視 A部分の拡大側断面図である。
図 1 2 (D ) は図 1 2 (B ) の矢視 B部分の拡大側断面図である。
図 1 3は本発明のワーク認識方法について説明する概略斜視図である。
図 1 4 (A) は厚さ寸法が小さい基板が供給された場合の上下ペルトおよび上下送りプ
—リの拡大正面図である。
図 1 4 (B ) は厚さ寸法が大きい基板が供給された場合の上下ベルトおよび上下送りプ
—リの拡大正面図である。 図 15 (A) は従来のダイボンダの概略正面図である。
図 15 (B) は図 15 (A) のダイボンダの概略平面図である。
図 16は従来のダイボンダの画像認識方法について説明する概略斜視図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明のワークの認識方法を採用したダイボンダの実施形態について、 図面を参 照して説明する。
このダイボンダ 10は、 図 1〜図 3に示すように、 ワークの一例であるリードフレーム やプリント基板などの多数のボンディング領域を有する基板 1を供給するローダ 20と、 基板 1を搬送する搬送装置 70と、 搬送装置 70の中途部における手前側の接合材塗布位 置 P Sで基板 1に接合材を塗布する接合材塗布装置 30と、 搬送装置 70の中途部におけ る前方側のボンディング位置 P Bで接合材が塗布された基板 1に半導体チップ（ダイ） を ボンディングするボンディングへヅド 40と、 半導体チップをボンディングした基板 1を 受け取るアンローダ 50と、 接合材塗布装置 30の上方に配置固定された第 1の高機能力 メラ、 例えば CMOSカメラ 100と、 そのモニタ 101と、 前記ボンディングへッド 4 0の上方に配置固定された第 2の高機能カメラ、 例えば CMOSカメラ 110と、 そのモ 二夕 111とを備えている。
前記接合材塗布位置 PSおよびボンディング位置 PBには、 例えば、 多数の発光ダイォ —ドを行列状に並置した照明手段 103， 113が配設されて、 第 1の CMOSカメラ 1 00と、 第 2の CMOSカメラ 110とにより、 明瞭な画像認識が行えるようになつてい る。 照明手段 103, 113は単一で 1方向からの照明でもよいが、 図 3に示すように、 複数個の照明手段により複数方向からの照明を行うと、 被写体の凹凸による影ができなく て、 より一層明瞭な画像認識が行える。 なお、 図 3では、 接合材塗布位置 PSにおける接 合材塗布装置 30は図示を省略し、 1個の照明手段 103のみ示しているが、 ボンディン グ位置 PBと同様に複数個の照明手段 103を配置してもよい。
前記基板 1は、 図 4 (A) (B) に示すように、 長さ寸法が L， 幅寸法が W,厚さ寸法 が tの矩形状、 かつ平板状で、 縦横に多数の半導体チップのボンディング領域 2を有して いるとともに、 幅方向の少なくとも一端部に長さ方向に沿って、 ボンディング領域 2の無 い把持領域 3を有している。 なお、 この把持領域 3には、 従来の送り爪方式のような送り 爪用孔は不要であるが、 従来の送り爪用孔が形成されている基板でも、 何ら支障なく使用 することができる。
前記ローダ 2 0は、 基板 1を多数ストックしておき、 1枚ずつ搬送装置 7 0に供給する もので、 例えば、 図 5 (A) に示すように、 エレべ一夕 2 1に、 多数の基板 1を上下方向 に所定ピッチで水平状に収容したマガジン 2 2を載置して、 エレべ一夕 2 1によりマガジ ン 2 2を 1ピヅチずつ間欠的に下降 （または上昇） させて、 プッシャ 2 3の押圧部 2 4に よりマガジン 2 2の下方 （または上方） の基板 1から順次送り出す方式のものでもよい。 また、 図 5 (B ) に示すように、 多数の基板 1を積層しておいて、 1個または複数個の吸 着へッド 2 5により上方の基板 1から 1枚ずつ吸着して、 搬送装置 7 0に供給する方式の ものでもよい。
前記搬送装置 7 0は、 図 4の基板 1の把持領域 3を把持して搬送するものが望ましく、 詳細な構成と動作については、 後で説明する。
前記接合材塗布装置 3 0は、 例えば、 図 6に示すように、 取付部材 3 1に取り付けたシ リンジ 3 2内に接合材 3 3を収容し、 圧縮気体 （エア、 窒素） 3 4によってノズル 3 5か ら接合材 3 3を所定量ずつ吐出して基板 1に塗布するようにしたもので、 X軸駆動モ一夕 (図示省略） によって基板 1の幅方向 （X方向） に間欠移動可能に構成して、 基板 1の幅 方向に沿って一列状に配置されているボンディング領域 2に、 順次、 接合材 3 3を塗布す るようにしたものである。
なお、 必要に応じて、 幅方向の複数のボンディング領域 2に同時に、 接合材 3 3を供給 するようにしてもよい。 ただし、 後述するボンディングへヅド 4 0が、 基板 1の幅方向に 並んだ各ボンディング領域 2に、順次、半導体チヅプをボンディングするので、実用上は、 単一のノズルを有するもので十分である。
なお、 シリンジ 3 2を取り付けた取付部材 3 1は、 Y軸駆動モー夕 （図示省略） によつ て ¾反 1の進行方向に移動可能に構成してもよい。 このようにすると、 例えば、 第 1の C M O Sカメラ 1 0 0で、 接合材塗布前のボンディング領域 2の状態や、 接合材塗布後のポ ンデイング領域 2における接合材 3 3の塗布状態を観察する場合に、 取付部材 3 1を Y方 向に移動退避させて、 画像を認識し易くすることができる。
前記半導体チヅプのボンディングヘッド 4 0は、 真空吸着力を利用して、 図 7に示すよ うに、 半導体チヅプのピヅクァヅプ位置 P 1から半導体チヅプ 6 5を 1個ずつピックァヅ プして、 ボンディング位置 P 2にある基板 1の接合材 3 3が塗布されたボンディング領域 2に、 順次ボンディングするものである。
前記半導体チップ 6 5のピックアップ位置 P 1には、例えば、図 8 ( C )に示すような、 ゥエーハリング 6 1に貼着された粘着シート 6 2に多数の半導体チヅプ 6 5が接合された 半導体チップ集合体 6 0が配置されている。 この半導体チップ集合体 6 0は、 図 8 (A) に示すように、 ゥェ一ハリング 6 1に貼着された粘着シート 6 2に半導体ゥヱ一ハ 6 3を 貼り付け、 図 8 (B ) に示すように、 ダイサ 6 4によって半導体ゥェ一ハ 6 3を縦横に切 断して個々の半導体チップ 6 5に分割したのち、 図 8 ( C ) に示すように、 粘着シート 6 2を固定リング 6 6の上に載せて、 ゥェ一ハリング 6 1を押し下げて粘着シート 6 2を引 き伸ばすことによって、 個々の半導体チップ 6 5 , 6 5を離間させるとともに、 粘着シ一 ト 6 2と半導体チップ 6 5との接合力を低下させたものである。
前記アンローダ 5 0は、 例えば、 図 9に示すように、 エレべ一夕 5 1に、 多数の基板 1 を上下方向に所定ピッチで水平状に収容可能なマガジン 5 2を載置して、 エレべ一夕 5 1 を 1ピッチずつ下降 （または上昇） させてマガジン 5 2内にボンディングを終了した基板 1を下方 （または上方） から 1枚ずつ収容していくものである。
前記搬送装置 7 0は、 図 1 0に示すように、 下側のタイミングペルト （以下、 下側ベル トという） 7 1と、 上側のタイミングペルト （以下、 上側ベルトという） 7 2とを上下に 対向させて配置している。 下側ペルト 7 1は、 所定の高さ位置に配置固定した駆動プーリ 7 3 , 従動プーリ 7 4および多数の送りプーリ 7 5， 7 6により水平状態に支持されて、 図示矢印方向 (上側ベルト 7 2側が左端から右端） に移動するようになっている。 上側べ ルト 7 2は、 駆動プーリ Ί 7 , 従動プーリ 7 8および多数の送りプーリ 7 9 , 8 0によつ て水平状態に支持されて、 図示矢印方向 （下側ベルト 7 1側が左端から右端） に移動する ようになっている。 ..
図 11 (A) (B)に示すように、前記駆動プーリ 73， 77の回転軸の他方端部には、 プーリ 73 A, 77 Aが固定されており、 このプーリ 73A, 77 Aに、 単一の駆動モ一 夕 81の回転軸に取り付けられたプーリ 82と、 テンションプーリ 83とともにタイミン グベルト 84を掛け渡して、 駆動プーリ 73， 77を同期して、 かつ逆方向に回転駆動す るようになっている。..
前記下側ベルト 71の駆動プ一リ 73 , 従動プーリ 74および上側ペルト 72の駆動プ —リ 77， 78、 さらに、 駆動モ一夕 81に取り付けられたプーリ 82およびテンション プーリ 83は、 いずれも鍔付きで、 かつ、 周面に上下ベルト 71， 72の内周面に形成さ れている凹凸に嚙み合う凹凸を有するタイミングベルト用のものである。
なお、下側ベルト 71の送りプーリ 75 , 76および上側ベルト 72の送りプーリ 79， 80の内、 送りプーリ 75， 79 (図 10の Aで示す） は、 周面に上下ペルト 71， 72 の凹凸に嚙み合う凹凸を有するタイミングベルト用のものであり、 送りプーリ 76， 80 (図 10の Bで示す） は周面に上下ペルト 71， 72の凹凸に嚙み合う凹凸を有していな い、 単なる支持用のものである。
また、 図 12 (B)およびこの図 12 (B)における矢視 A部分を拡大した図 12 (C) から明らかなように、 前記下側ベルト 71側の送りプーリ 75および上側ベルト 72側の 送りプーリ 79は、 鍔付きのもので、 上下ベルト 71, 72が脱落しないようになってい る ο
一方、 図 12 (B) における矢視 B部分を拡大した図 12 (D)から明らかなように、 前記下側ペルト 71側の送りプ一リ 76および上側ベルト 72側の送りプ一リ 80は、 鍔 無しのものである。 このように、 送りプーリ 76および 80に、 鍔および凹凸が無い安価 なものを使用して、 鍔および凹凸を有する高価な送りプーリ 75, 79と交互に配置する ことによって、 コスト低減を図っている。
また、 前記上側ペルト 72の送りプーリ 79， 80の軸79&， 80 aは、 図 10に示 すように、 下側ペルト 71の送りプーリ 75， 76の軸 75a， 76aに対して、 若干口 —ダ 20側に偏心して取り付けられている。 しかも、 図 12 (A) に示すように、 各送り プーリ 79 , 80のアンローダ 50側は、 引張りば ¾85によって、 常時、 斜め下方に向 かって付勢されている。 このため、 上側ペルト 72は、 各送りプーリ 79， 80に作用し ている引張りばね 85の弾性力により、 常時、 下側ペルト 71に向かって押し付けられて いる。
したがって、 上下ベルト 71, 72で基板 1を把持できるようになっているとともに、 前記引張りばね 85の弾性力に抗する力が作用すると、上側ベルト 72の送りプーリ 79 , 80が軸 79 a, 80 aを中心にして反時計方向に回動し、それによつて送りプーリ 79, 80のアンローダ 50側が、 弓 [張りばね 85の弾性力に杭して上昇動作可能に構成されて いる。 このような構成に基づいて、 上下ベルト 71, 72間に厚さ寸法 tが t l (>t) の基板 1が供給されると、 送りプーリ 79， 80のアンローダ 50側が、 引張りばね 85 の弾性力に抗して上昇することによって、 上側ベルト 72が上昇して、 厚い基板 1を上下 ベルト 71， 72で確実に把持可能になっている。
なお、下側ペルト 71のリターン部分 71 aには、固定配置されたガイドロール 86と、 昇降可能なテンシヨンロール 87とが設けられており、 上側ベルト 72のリターン部分 7 2aには、 適当数のテンションロール 88が設けられており、 それそれ上下ベルト 71, 72に適度のテンションを作用させている。
さらに、 前記上側ベルト 72のリターン部分 72 aにおける、 ボンディングへヅド 40 の移動経路には、図 10に示すようにボンディングへッド 40の移動を妨げないように、 方向変換ロール 89， 90， 91, 92によって高さを低下した部分 93が設けられてい る。 すなわち、 前記半導体チップ集合体 60から半導体チヅプ 65をピックァヅプするピ ックアップ位置 P1は、 図 12 (B) に示すように、 上下ベルト 71, 72の手前 （図示 下方）側に配置されており、 一方、 半導体チヅプ 65をボンディングする基板 1は、 上下 ベルト 71， 72の向こう （図示上方） 側に位置しているので、 ボンディングへヅド 40 は、 上下ベルト 71, 72の手前側にある半導体チヅプのピックアップ位置 P 1と、 上下 ベルト 71， 72の向こう側にある基板 1との間を往復しなければならない。
したがって、 もし、 上側ベルト 72のリタ一ン部分 72 aが、 低下した部分 93の両側 のように高いままであると、 ボンディングヘッド 40は、 この高い上側ベルト 72のリタ ーン部分 72 aを上昇 水平移動 下降して、 上側.ベルト 72のリターン部分 72 aを乗 り越えなければならず、 ボンディングへッド 40の大きな上下動作が必要になるために、 ボンディングヘッド 40の駆動機構が大型、 かつ高価になるのみならず、 ボンディング速 度が低下することが避けられない。
これに対して、 図 10に示すように、 上側ベルト 72のリターン部分 72 aに低下した 部分 93を設けておけば、 ボンディングヘッド 40は、 この低下した部分 93を通って大 きく上下動作することなく、 上下ペルト 71, 72の手前側の半導体チップピックアップ 位置 P 1と、 上下ベルト 71， 72の向こう側のボンディング位置 P 2にある基板 1のボ ンディング領域 2との間を高速で往復することができ、 ボンディング速度を向上すること ができる。
なお、 搬送装置 70は、 図 1および図 2から明らかなように、 上下ペルト 71， 72の 向こう側に、 基板 1の移動方向に沿って配設された台 94を備えており、 この台 94上を 基板 1が搬送されるようになっている。
前記第 1， 第 2の CMOSカメラ 100, 110は、 現時点で入手可能な解像度は約 4 11万画素 （2， 047 x 2, 008) 、 C CDカメラの視野内の全画素相当読出時間は 約 12ms e cであり、 従来の C CDカメラの解像度の約 30万画素 （640 x480) に対して約 13倍、 CCDカメラの視野内の全画素読出時間 33ms e cに対して約 1/ 3にも達する、 高機能で、 かつ、 高速画像認識が可能なものである。
次に、 上記のワークの認識方法を採用したダイボンダ 10の動作について説明する。 まず、 搬送装置 70の駆動モータ 81を駆動して、 上下ベルト 71, 72を図 10の矢 印方向に同期して、 基板 1のボンディング領域 2の 1ピッチ分ずつ、 間欠的に移動させる ようにしておく。 そして、 ローダ 20から 1枚の基板 1が、 その把持領域 3を手前側 （上 下ペルト 71 , 72側） にして搬送装置 Ί 0に供給されると、 搬送装置 70の上下ベルト 71, 72は、 この基板 1の一端部の把持領域 3を上下から把持して、 図 1の左端から右 端に向かって、 間欠的に搬送する。 このとき、 接合材塗布装置 30は、 基板 1の第 1列目 のボンディング領域、 すなわち、 接合材塗布領域から外れた位置に退避している。
基板 1の第 1列目のボンディング領域 2が接合材塗布位置 PS， すなわち、 第 1の CM O Sカメラ 1◦ 0の下方位置に来ると、 その位置で一時停止し、 図 1 3に示すように、 少 なくとも第 1列目の全ボンディング領域 2を一括して画像認識して、 正規の位置に位置し ているかどうか検査する。 万一、 ボンディング領域 2が正規の位置に位置していない場合 は、 その検出出力によって搬送装置 7 0を作動させて、 ボンディング領域 2を正規の位置 に自動修正する。 または、 このずれ量をもとに、 次に述べる接合材の塗布位置を自動で補 正する。
ボンディング領域 2が正規の位置に位置していると、 接合材塗布装置 3 0が下降して、 基板 1の第 1列目における第 1番目のボンディング領域 2に接合材 3 3を塗布し、 上昇す る。 すると、 X方向駆動モー夕 （図示省略） によって、 取付部材 3 1が X方向に 1ピッチ 分だけ水平移動して下降し、 基板 1の第 1列目における第 2番目のボンディング領域 2に 接合材 3 3を塗布し、 上昇する。 以下、 同様に、 基板 1の第 1列目における第 3番目から 第 n番目のボンディング領域 2に、 順次、 接合材 3 3を塗布し、 上昇する。
このようにして、 基板 1の第 1列目の全ボンディング領域 2に接合材 3 3を塗布し終わ ると、 第 1の C MO Sカメラ 1 0 0によって、 少なくとも第 1列目のボンディング領域 2 の接合材塗布状態を一括して画像認識して、 万一、 塗布状態が不良のボンディング領域 2 があると、 接合材 3 3の塗布条件を調整したり、 その不良塗布状態のボンディング領域 2 を記憶装置に記憶させて、 次工程の半導体チップのボンディング時に活用したりする。 このようにして、 少なくとも第 1列目の全ボンディング領域 2に接合材 3 3が塗布され 塗布状態が画像認識されると、 上下ベルト 7 1 , 7 2の移動によって、 基板 1が 1ピッチ 分だけ間欠的に搬送される。 以下、 前記同様にして、 基板 1の第 2列目、 第 3列目、 …の 全ボンディング領域 2の接合材塗布前の位置が.画像認識され、 ボンディング領域 2に順次 接合材 3 3が塗布され、 ついで、 全ボンディング領域 2の接合材塗布状態が画像認識され る
なお、 前述のように、 本発明に用いる CM O Sカメラ 1 0 0は、 高機能を有するので、 図 1 3に示すように、 基板 1の第 1列目の全ボンディング領域 2のみならず、 第 2列目以 降の数列目までの全ボンディング領域 2をも同時に一括して画像認識することができるの で、 接合材塗布前および/または接合材塗布後の状態は、 視野内の全ボンディング領域 2 を一括して画像認識することができる。 したがって.、 数列分のボンディング領域 2を一括 して画像認識した後に空き時間が発生するので、 この空き時間を利用して、 画像を処理す ることができる。 あるいは、 ー活して画像認識したボンディング領域 2の中の単一または 複数のボンディング領域 2の画像を分割拡大して、 より高精度の検査を実施することがで さる ο
接合材 3 3が塗布された基板 1は、 上下ベルト 7 1 , 7 2によって、 図 1 0の右方に向 かって間欠的に搬送され、 第 1列目のボンディング領域 2がボンディング位置 P Bに来る と、 第 2の CM O Sカメラ 1 1 0によって、 少なくとも第 1列目の接合材 3 3が塗布され た全ボンディング領域 2がー括して画像認識される。 したがって、 この第 2の CM O S力 メラ 1 1 0によって、 再度、 半導体チヅプのボンディング前の接合材塗布状態が画像認識 により検査可能である。
万一、 この接合材塗布状態の検査により、 および/または前記第 1の CMO Sカメラ 1 0 0による検査により第 1列目に接合材塗布状態が不良のボンディング領域 2があると、 これらの接合材塗布状態が不良のボンディング領域 2をスキップしてボンディングへヅ ド 4 0により、 半導体チップをボンディングする。
このボンディング位置 P Bでは、図 7に示すように、ボンディングへヅド 4 0によって、 ピックアップ位置 P 1で半導体チヅプ集合体 6 0から半導体チップ 6 5を 1個ずつピック アツヅプして、 ボンディング位置 P 2で ¾反 1のボンディング領域 2に塗布されている接 合材 3 3を介して、 順次、 基板 1にボンディングされる。
このとき、 前述のように、 上側ペルト 7 2のリターン部分 7 2 aに低下した部分 9 3を 設けてあるので、 ボンディングへヅド 4 0は、 半導体チップ 6 5のピックアップ位置 P 1 と基板 1のボンディング位置 P 2との間を、 大きく上下動作することなく往復移動するこ とができ、 ボンディングへヅド 4 0の駆動機構を小型、 かつ、 安価にできるのみならず、 ボンディング速度を向上することができる。
基板 1の第 1列目のボンディング領域 2に半導体チヅプ 6 5のボンディングが終了する と、 基板 1が 1ピッチ分だけ間欠的に搬送されて、 以下、 第 2列目、 第 3列目のボンディ ング領域 2に、 順次、 半導体チヅプ 6 5がボンディングされる。 半導体チップ 6 5のボンディング状態は、 第 2 ©.C M O Sカメラ 1 1 0によって、 1の少なくとも 1列の全ボンディング領域 2がー括して画像認識される。 この画像認識に よって不良と判断されたボンディング領域 2は、 記憶装置に記憶されて、 後工程の特性選 別時などでスキップするように活用できる。 また、 認識されたボンディング状態を、 以降 のボンディング動作にフィードバックすることができる。
半導体チヅプ 6 5がボンディングされた基板 1は、右方に向かって間欠的に搬送されて、 右端のアンローダ 5 0で、 エレべ一夕 5 1の 1ピッチずつの上昇動作 （または下降動作） に合わせて、 順次、 マガジン 5 2内に収容される。
なお、 前述のように、 本発明に用いる C M O Sカメラ 1 1 0は、 高機能を有するので、 図 1 3に示すように、 基板 1の第 1列目の全ボンディング領域 2のみならず、 第 2列目以 降の数列目までの全ボンディング領域 2をも同時に一括して画像認識することができるの で、 半導体チヅプのボンディング前および/またはボンディング後の状態は、 視野内の全 ボンディング領域 2を一括して画像認識することができる。 したがって、 数列分のボンデ ィング領域 2を一括して画像認識した後に空き時間が発生するので、 この空き時間を利用 して、 画像を処理することができるし、 ー活して画像認識したボンディング領域 2の中の 単一または複数の画像を分割拡大して、 単一または複数のボンディング領域 2の拡大され た画像により、 より高精度の検査を実施することができる。
次に、 基板 1の品種切替えによって、 基板 1の厚さ寸法 tが変動した場合の搬送装置 7 0の動作について説明する。 まず、 厚さ寸法が tの基板 1が供給された場合、 前述のよう に、 上側ベルト Ί 2側の送りプーリ 7 9 , 8 0の軸 7 9 a , 8 0 aがローダ 2 0側に偏心 して取り付けられており、 かつ、 送りプーリ 7 9 , 8 0のアンローダ 5 0側が引張りばね 8 5によって、 下側ベルト 7 1に向かって付勢されているので、 図 1 4 (A) に示すよう に、 送りプーリ 7 9， 8 0のアンローダ 5 0側が引張りばね 8 5の弾性力に杭して若干上 昇することによって、 上側ベルト 7 2が上昇し、 しかも、 上側ペルト 7 2は、 常時、 引張 りばね 8 5の弾性力で下側ベルト 7 1に向かって付勢されているので、 上下ベルト 7 1 , 7 2で確実に厚さ寸法 tの基板 1の把持領域 3を把持して搬送することができる。
次に、 厚さ寸法が t 1 ( > t ) の基板 1 aが供給された場合、 図 1 4 (B ) に示すよう に、 上側ベルト 7 2側の送りプーリ 7 9， 8 0は、 .軸 7 9 a , 8 0 aを中心にして反時計 方向に回動するが、 送りプーリ 7 9 , 8 0の軸7 5 ， 7 6 aは、 ローダ 2 0側に偏心し て取り付けられているために、 送りプーリ 7 9 , 8 0のアンローダ 5 0側が、 引張りばね 8 5の弾性力に杭して上昇することによって、 上側ベルト 7 2が上昇して、 上下ベルト 7 1 , 7 2で厚さ寸法が t 1 ( > t ) の基板 1 aの把持領域 3を確実に把持して、 搬送する ことができる。
このように、 上記の搬送装置 7 0では、 基板 1の厚さ寸法の変動に対応して、 送り口一 ル 7 9 , 8 0のアンローダ 5 0側が引張りばね 8 5の弾性力に抗して上昇して、 上側ベル ト 7 2が上昇する結果、 アダプタを用いたり 送りロール 7 9， 8 0の取付位置を調整し たりすることなく、 自動的に対応可能である。 このため、 上側ベルト 7 2の送りロール 7 9 , 8 0の直径寸法や軸 7 9 a， 8 0 aの偏心寸法は、 この搬送装置 7 0を搬送される基 板の厚さ寸法の変動範囲に応じて、 予め適当に設定しておく必要がある。
また、基板 1の品種切替えによって、長さ寸法 L 1 (≠L )の基板 l b (図示省略）や、 幅寸法 W l (≠W) の基板 l c (図示省略） が供給されても、 前述のように、 上下ベルト 7 1， 7 2は、 基板 1 b , 1 cの一端部の把持領域 3を把持するので、 基板 1 b， 1 cの 長さ寸法 L 1や幅寸法 W 1には全く関係なく、 基板 l b , 1 cの把持領域 3を確実に把持 して、 円滑に間欠的に搬送することができる。
なお、 上記の実施形態は、 本発明の特定の形態について説明したもので、 本発明はこの 実施形態に限定されるものではなく、 各種の変形が可能である。
例えば、 上記実施形態では、 上側ペルト 7 2側の送りロール 7 9 , 8 0の軸 7 9 a， 8 0 aを下側ベルト 7 1側の送りロール 7 5 , 7, 6の軸 7 5 a , 7 6 aに対してローダ 2 0 側に偏心して取り付け、 かつ、 送りロール 7 9， 8 0のアンローダ 5 0側を、 引張りばね 8 5で下側ベルト 7 2に向かって付勢するようにしたが、 送りロール 7 9， 8 0の軸 7 9 a， 8 0 aそのものを昇降可能に取り付けて、 軸 7 9 a， 8 0 aを引張りばねで下ベルト 7 1に向かって引っ張るか、 圧縮ばねで下ベルト 7 1に向かって押圧するようにしてもよ い。
また、 上記実施形態では、 上側ペルト 7 2を 1本のタイミングベルトで構成し、 そのリ ターン部分 7 2 aにおけるボンディングへヅドの移動経路に、 高さが低下した部分 9 3を 設けるようにしたが、 上側ベルト 7 2を、 ボンディングヘッドの移動経路部分で 2分割し て、 同期して移動するようにしてもよい。
また、 上記実施形態では、 第 1の高機能カメラ 1 0 0および第 2の高機能カメラ 1 1 0 に、 CM O Sカメラを用いる場合について説明したが、 ワークの少なくとも 1列分の全領 域を一括して画像認識が可能なカメラであれば、 任意のカメラを用いることができる。 また、 上記実施形態では、 第 1の高機能カメラ 1 0 0および第 2の高機能カメラ 1 1 0 に、 それそれモニタ 1 0 1 , 1 1 1を設ける場合について説明したが、 単一の共用モニタ を用いて、 第 1の高機能カメラ 1 0 0の画像ど、 第 2の高機能カメラ 1 1 0の画像とを、 共用モニタ画面に同時に併示するようにしてもよい。 あるいは、 第 1の高機能カメラ 1 0 0の画像と、 第 2の高機能カメラ 1 1 0の画像とを、 共用モニタ画面において時間的に切 替えて表示するようにしてもよい。
また、 基板 1 , ローダ 2 0 , 接合材塗布装置 3 0， ボンディングヘッド 4 0， アン口一 ダ 5 0， 搬送装置 7 0 , アンローダ 5 0などは、 実施形態に示す以外の構成のものでも良 い。 産 業 上 の 利 用 分 野 本発明のヮ一ク認識方法およびダイボンダは、 半導体チップのダイボンダにおけるヮ一 ク認識方法およぴダイポンダに特に有用であるが、 チップ抵抗器ゃチップコンデンサなど の各種電子部品のダイボンダにおけるワーク認識方法およびダイボンダとしても適用する ことができる。

Claims

請 .求 の 範 囲
1 . ダイボンダにおける多数のボンディング領域を有するワークの搬送路の上方に画像認 識手段を配置してワークのボンディング領域を画像認識する方法において、
前記画像認識手段として、 高機能カメラを固定配置して、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画像認識するようにしたことを特徴とするダイボン ダにおけるワーク認識方法。
2 . 前記高機能カメラにより、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域の 画像を一括して撮像した後、 次にワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域 を画像認識するまでの空き時間を利用して、 前記一括して撮像した画像を処理するように したことを特徴とする請求項 1に記載のダイボンダにおけるワーク認識方法。
3 . 前記高機能カメラにより基板の幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括 して撮像した後、 次に基板の幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画 像認識するまでの空き時間を利用して、 前記一括して撮像した画像を分割拡大して個々の ボンディング領域の状態を検査することを特徴とする請求項 1に記載のダイボンダにおけ るワーク認識方法。
4 . 多数のボンディング領域を有するワークの搬送路における接合材塗布位置の上方に、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング領域を一括して画像認識する第 1の高 機能カメラを固定配置するとともに、
ワークの搬送路におけるボンディング位置の上方にワークの幅方向の少なくとも 1列の 全ボンディング領域を一括して画像認識する第 2の高機能力メラを固定配置したことを特 徴とするダイボンダ。
5 . 前記第 1の高機能カメラにより、 ワークの幅方向の少なくとも 1列の全ボンディング 領域の接合材塗布状態を一括して画像認識を行い、 不良接合材塗布領域を記憶させて、 次 のボンディング位置でこの不良接合材塗布領域をスキップして半導体チヅプをボンディン グするようにしたことを特徴とする請求項 4に記載のダイボンダ。
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