WO2005010899A1 - コイル部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

　インピーダンス値調整用絶縁層の厚みを適宜変化させることにより、インピーダンス値の調整を容易に実現できるコモンモードチョークコイルを実現する。 　第１の磁性基板１の主面上にインピーダンス値調整用絶縁層２を全面に成膜し、更にその上層よりコイルパターンと絶縁層とを交互に成膜し、前記インピーダンス値調整用絶縁層２以外の各絶縁層の前記コイルパターンに囲まれる中央領域と前記コイルパターン外周領域との一方又は両方の絶縁層部分を除去し、最上層の絶縁層１０上及び絶縁層除去部に磁粉含有の樹脂を設け、接着層１２を介して第２の磁性基板１３を接着した構成である。

Description

明 細 書

コイル部品及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、コモンモードチョークコイル及びその製造方法並びにコモンモードチヨ ークコイルアレイに係り、とくに平衡伝送方式で問題となっている電磁妨害の原因とな るコモンモード電流の抑制に使用されるフィルタ及びその製造方法に関する。 背景技術

[0002] 従来、チップ型のコモンモードチョークコイルとしては、積層タイプが知られている。

この部品はフェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンが形成されて第 1 コイルを形成する第 1コイル用磁性シートと、同様な第 2コイル用磁性シートを交互に 積層した構造である。

[0003] また、薄膜工法を使用したものとして、特開平 8— 203737号公報 (以下、特許文献 1という）に示されたコモンモードチョークコイルが知られている。この部品は磁性基板 上に薄膜工法で引き出し電極を形成し、その後順次、絶縁層、第 1コイル導体、絶縁 層、第 2コイル導体、絶縁層を薄膜工法を用いて形成し、その上面より磁性基板で挟 み込んだ構造である。

[0004] また、薄膜工法によるコモンモードチョークコイルでは、特開平 11— 54326号公報（ 以下、特許文献 2という）のように、コイル相互間の磁気結合度の改善及びコモンイン ピーダンスの増加のために上記薄膜工法の絶縁層の中央部及び外周部をエツチン グ (現像)し、上側の磁性基板を、絶縁性材料に磁粉を混ぜた樹脂で接着し閉磁路 構造を形成するものもある。

[0005] また、薄膜工法によるコモンモードチョークコイルでは、特開 2003— 133135号公 報 (以下、特許文献 3という）のように、第 1の磁性体基板上に配設された、絶縁層とコ ィルパターンを積み重ねることにより、絶縁体中にコイルが配設された構造を有する 積層体の、コイルパターンが配設されていない部分に、上面側から第 1の磁性体基 板にまで到達する少なくとも 1つの凹部を形成し、積層体を覆うように配設される磁性 層の一部を、凹部に入り込ませるとともに、第 2の（上側の）磁性体基板を非磁性の接 着層を介して磁性層に接合する構造を形成するものもある。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] 上記の特許文献 1、特許文献 2、特許文献 3の薄膜工法によるコモンモードチョーク コイルでは、インピーダンス（とくにコモンインピーダンス）を所定の値とするためには、 導体の巻き数や長さを調整することや磁性材料の透磁率を調整する必要がある。

[0007] しかし、導体卷き数の調整は外部電極の取り出し位置の関係で制約があり困難な 場合がある。また、導体長さでの調整もチップ形状との関係で困難な場合が発生する 。また、磁性材の透磁率に関しては微調節はきわめて困難である。

[0008] このため、インピーダンス値を調整するためには各条件をそれぞれ変更し検討する 必要が生じ、時間的及びコスト的にも負担が大きい。

[0009] この対策として、本発明では、磁性基板上にインピーダンス値調整用絶縁層を形成 し、この絶縁層の厚さのみを調整することによりインピーダンスの調整を可能とする。 また、このインピーダンス値調整用絶縁層は薄膜形成工法を用いることにより、ばら つきの小さレ、精度のょレ、インピーダンス値が得られる。

[0010] 本発明は、上記の点に鑑み、インピーダンス値調整用絶縁層の厚みを適宜変化さ せることにより、インピーダンス値の調整を容易に実現できるコモンモードチョークコィ ル及びその製造方法並びにコモンモードチョークコイルアレイを提供することを目的 とする。

[0011] 本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする 課題を解決するための手段

[0012] 上記目的を達成するために、本願請求項 1の発明に係るコイル部品は、第 1の磁性 基板の主面上の全面に成膜されたインピーダンス値調整用絶縁層と、前記インピー ダンス値調整用絶縁層上に交互に成膜されたコイルパターン及び絶縁層と、前記コ ィルパターンに囲まれる中央領域と前記コイルパターンの外周領域との一方又は両 方の前記絶縁層部分を除去して形成され、前記インピーダンス値調整用絶縁層が露 出する絶縁層除去部と、最上層の前記絶縁層上及び前記絶縁層除去部に設けられ た磁粉含有の樹脂と、前記磁粉含有の樹脂上に形成された接着層を介して接着さ れた第 2の磁性基板とを有することを特徴としている。

[0013] 本願請求項 2の発明に係るコイル部品は、請求項 1において、前記インピーダンス 値調整用絶縁層の厚みは、 1ミクロンから 20ミクロンであることを特徴としている。

[0014] 本願請求項 3の発明に係るコイル部品は、請求項 1又は 2において、前記インピー ダンス値調整用絶縁層は、ポリイミドからなることを特徴としている。

[0015] 本願請求項 4の発明に係るコイル部品は、請求項 1、 2又は 3記載の前記コイルパタ ーンが複数個形成されてレ、ることを特徴としてレ、る。

[0016] 本願請求項 5の発明に係るコイル部品の製造方法は、第 1の磁性基板の主面上に インピーダンス値調整用絶縁層を全面に成膜する第 1の成膜工程と、前記インピー ダンス値調整用絶縁層上にコイルパターンと絶縁層とを交互に成膜する第 2の成膜 工程と、前記インピーダンス値調整用絶縁層以外の各絶縁層の前記コイルパターン に囲まれる中央領域と前記コイルパターン外周領域との一方又は両方の絶縁層部 分を除去するエッチング工程と、最上層の絶縁層上に磁粉含有の樹脂を塗布すると ともに前記絶縁層の除去部にも前記磁粉含有の樹脂を埋め込み塗布する塗布工程 と、前記磁粉含有の樹脂の硬化後に当該磁粉含有の樹脂面を研磨し平坦化する研 磨工程と、前記磁粉含有の樹脂の平坦化された面に接着剤を介して第 2の磁性基 板を接着する接着工程とを備えることを特徴としてレ、る。

発明を実施するための最良の形態

[0017] 〔第 1の実施の形態〕

以下、本発明に係るコイル部品及びその製造方法の第 1の実施の形態を図面に従 つて説明する。

[0018] 図 1及び図 2は本発明の第 1の実施の形態であって、図 1はチップ型コモンモード チョークコイルを構成する場合の分解斜視図、図 2は製造工程を示す説明図である。 実際の作製時は複数個の部品を同時に基板上で作製するが、本実施の形態では 1 素子分で説明する。

[0019] これらの図に示す様に、チップ型コモンモードチョークコイルは、第 1磁性基板 1の 主面上に、インピーダンス値調整用絶縁層 2、第 1引き出し電極層 3、絶縁層 4、第 1 コイル導体層（スパイラル状コイル導体パターン） 5、絶縁層 6、第 2コイル導体層（ス パイラル状コイル導体パターン） 7、絶縁層 8、第 2引出し電極層 9、絶縁層 10、磁性 層 11、接着層 12そして第 2磁性基板 13の順で積層一体化して構成されてレ、る。

[0020] このとき、インピーダンス値調整用絶縁層 2は前記第 1磁性基板 1の主面の全面に 形成する。また、第 1引出し電極層 3と第 1コイル導体層 5、第 2引出し電極層 9と第 2 コイル導体層 7はそれぞれスルーホールを介して電気的に接続されている。また、各 引き出し電極層の一端と各コイル導体層の一端はそれぞれ外部電極 (チップ外周表 面に形成される）に接続される。

[0021] 前記磁性層 11は磁粉含有の樹脂を塗布し硬化したものであり、硬化後研磨するこ とにより表面の凹凸を削減し、平坦化した面に接着層 12を介して第 2磁性基板 13を 接着一体化する。

[0022] 前記磁性基板 1、 13は焼結フェライト、複合フェライト等であり、インピーダンス値調 整用絶縁層 2、その他の絶縁層 4、 6、 8、 10はポリイミド榭脂、エポキシ樹脂等の絶 縁性に優れ、加工性の良い材料であり、磁性層 11を構成する磁粉含有の樹脂はェ ポキシ樹脂等にフェライト等の磁粉を混入したものである。

[0023] 上記チップ型コモンモードチョークコイルの製造手順は以下の通りである。但し、引 き出し電極層 3、 9やスパイラル状コイル導体パターンである第 1及び第 2コイル導体 層 5、 7を真空成膜法 (蒸着、スパッタ等)やめつきで形成する場合である。

[0024] 磁性基板 1の主面全面上に絶縁樹脂等からなるインピーダンス値調整用絶縁層 2 を 1ミクロン一 20ミクロンの膜厚で形成する。形成方法としては、スピンコート法、ディ ップ法、スプレー法、印刷法、あるいは薄膜形成工法が採用される。とくに、薄膜形 成工法を用いることによりインピーダンス値調整用絶縁層として、ばらつきの小さい精 度のよいものが成膜でき、ばらつきの小さい高精度のインピーダンス値が得られる。な お、インピーダンス値調整用絶縁層 2の膜厚を 1ミクロン未満とすることは成膜が難し くなるとともにインピーダンス値（とくにコモンインピーダンス値）の調整効果が薄れるき らいがある。また、前記膜厚を 20ミクロンよりも大きくすることは、インピーダンス値の 低下量が必要以上に増大する問題がある。

[0025] インピーダンス値調整用絶縁層 2上に真空成膜法もしくはめっき工法を使用し、金 属を成膜する。使用金属は導電性、加工性より Cu、 A1等が好ましい。その後パター ンを形成し引き出し電極層 3が作成される。パターンユング工法はフォトリソグラフィー を用いたエッチング法、フォトリソグラフィーを用いたアディティブ法（めっき）等により 行う。

[0026] 次に、ポリイミド等の絶縁樹脂からなる絶縁層 4を形成する工法はインピーダンス値 調整用絶縁層 2と同様であるが、その後コイル導体パターン中央、外周領域をエッチ ング（現像）し除去する。この時、同時に引き出し電極層 3とコイル導体層 5とを接続す るためのコンタクトホールを形成する。

[0027] 次に、スパイラル状コイル導体パターンである第 1コイル導体層 5を形成する。工法 は引出し電極層 3と同様である。

[0028] 次に、絶縁樹脂からなる絶縁層 6を形成する。工法は絶縁層 4と同様である。以下 同様にして、スパイラル状コイル導体パターンである第 2コイル導体層 7、絶縁層 8 ( 絶縁樹脂）、引出し電極層 9、絶縁層 10 (絶縁樹脂）を順次形成する。なお、絶縁層 4、 6、 8、 10はポリイミド等の同材質の絶縁樹脂とすることが好都合である。また、イン ピーダンス値調整用絶縁層 2と絶縁層 4、 6、 8、 10とは別材質であってもよい。

[0029] このように第 1磁性基板 1上にインピーダンス値調整用絶縁層 2とスパイラル状コィ ル導体パターンを含む導体層とを交互に成膜する成膜工程、及び各絶縁層の前記 コイル導体パターンに囲まれる中央領域及び前記コイル導体パターン外周領域の絶 縁層部分を除去するエッチング工程とを行うことで、図 2Aのように、第 1磁性基板 1上 にコイル導体パターンを内蔵した積層体 20が得られ、この積層体 20の中央領域及 び外周領域にインピーダンス値調整用絶縁層 2を残し、その他の絶縁層を除去した 樹脂除去部 21 (凹部)及び樹脂除去部 22 (切り欠き部）が形成されることになる。

[0030] 次に、絶縁層 10上面（図 2の積層体 20上面）より、図 2Bの塗布工程にて磁粉含有 の樹脂 (硬化して磁性層となる） 11を印刷し (樹脂除去部 21、 22内にも坦め込み塗 布し）、その後硬化を行う。

[0031] 次に、図 2Bの凹凸のある状態から図 2Cのようにある高さまで磁粉含有の樹脂 11の 上面を研磨して、平坦化工程を行う（凹凸部を軽減させる）。

[0032] 次に、図 2Cの接着工程において、硬化後の磁粉含有の樹脂の上面全面を研磨、 平坦ィ匕した磁性層 11上に接着剤を塗布して接着層 12を設け、第 2磁性基板 13を貼 り付ける。

[0033] 上記は 1素子分図での説明であるが、実際は複数個同時に基板上で作製される。

この基板上で作製されたものを 1素子形状のチップに切断後、チップ外面に外部電 極を形成し、コモンモードチョークコイルが完成する。

[0034] この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。

[0035] (1)磁性基板 1上にインピーダンス値調整用絶縁層 2を形成することで、インピーダン ス値（とくにコモンインピーダンス値）の微妙な調整が可能となる。

[0036] (2)また、前記インピーダンス値調整用絶縁層 2の厚みは薄膜形成工法を使用する ことにより、厚さ精度良く形成が可能となり、インピーダンスのばらつきの小さい部品が 作成可能となる。

[0037] 〔第 2の実施の形態〕

図 3は本発明の第 2の実施の形態であって、コモンモードチョークコイルアレイを作 製した例を示す。この場合、前記実施の形態のコモンモードチョークコイルの構成を 第 1磁性基板 1上に 2個並べて形成している。前記実施の形態と同一又は相当部分 に同一符号を付して説明を省略する。

[0038] なお、上記実施の形態では、インピーダンス値調整用絶縁層 2以外の各絶縁層の コイルパターンに囲まれる中央領域と前記コイルパターン外周領域の両方の絶縁層 部分を除去して磁粉含有の樹脂で埋まる樹脂除去部を形成したが、前記インピーダ ンス値調整用絶縁層 2以外の各絶縁層のコイルパターンに囲まれる中央領域又は前 記コイルパターン外周領域のいずれか一方の絶縁層部分を除去して磁粉含有の樹 脂で埋まる樹脂除去部を形成する構成としてもよレ、。

[0039] 以上第 1及び第 2の実施の形態について説明してきたが、本実施の形態はこれに 限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なこと は当業者には自明であろう。

[0040] 以上説明したように、第 1及び第 2の実施の形態によれば、インピーダンス値調整用 絶縁層の厚みを適宜変化させることにより、インピーダンス値の微調整を容易に実現 できる。 [0041] 〔第 3の実施の形態〕

本発明の第 3の実施の形態は、コモンモードチョークコイルやトランスの主要部品等 として用いられるコイル部品及びその製造方法に関する。

[0042] パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の小型化に伴い、電子機器の 内部回路に実装されるコイルやコンデンサ等の電子部品には小型化及び部品厚の 薄型化 (低背化）が求められている。

[0043] し力 ながら、フヱライトコアに銅線等を卷回した卷線型のコイルは構造上の制約か ら小型化が困難であるという問題を有している。そこで、小型化、低背化の可能なチ ップ型のコイル部品の研究開発が進められている。チップ型のコイル部品として、フエ ライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性シートを積層 した積層型のコイル部品や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体 とを交互に形成した薄膜型のコイル部品が知られている。

[0044] 特許文献 2には、薄膜型のコイル部品としてのコモンモードチョークコイルが開示さ れている。図 12は、 2個のコモンモードチョークコイルが集積されたコモンモードチヨ ークコイルアレイ 91を示している。図 12Aは、コモンモードチョークアレイ 91の外観の 斜視図を示し、図 12Bは、図 12Aに破線で示す仮想線 A— A'の切断面を示している 。図 12A及び図 12Bに示すように、コモンモードチョークコイルアレイ 91は、対向配 置されたフェライト基板 (磁性基板） 93、 95間に、ポリイミド樹脂で形成された絶縁膜 103a, 103b, 103cと、スパイラル状に形成された金属薄膜のコイル導体 105、 107 とを薄膜形成技術で順次形成した構造を有してレ、る。コモンモードチョークコイルァレ ィ 91の一方のチョークコイルには、フェライト基板 93、 95の側面を横切って、コイル 導体 105、 107の端子咅 こ接続される 4つの電極端子 99 (99a、 99b、 99c、 99d)力 S 形成されている。同様に他方のチョークコイルには、フェライト基板 93、 95の側面を 横切って、コイル導体 (不図示）の端子部に接続される 4つの電極端子 101が形成さ れている。

[0045] スパイラル状のコイル導体 105、 107の内周側には、絶縁膜 103a、 103b, 103cを 開口して磁性基板 93を露出させた開口部 111が形成されている。同様に、コイル導 体 105、 107の外周側には、絶縁膜 103a、 103b, 103cを開口して磁性基板 93を 露出させた開口部 113が形成されている。コイル導体 105とコイル導体 107との相互 間の磁気結合度を改善すると共にコモンインピーダンスを増加させてインピーダンス 特性を向上させるために、開口部 111、 113及び絶縁膜 103c上には絶縁性材料に 磁粉を混合した磁性材料の磁性層 115が形成されてレ、る。磁性層 115は接着能力 を有しており、磁性基板 95を接着固定している。磁性層 115の接着強度は十分でな レ、ので磁性基板 95と磁性層 115との間に接着剤を塗布してコイル部品の強度を向 上させたコモンモードチョークコイルも知られてレ、る（特許文献 3参照）。

[0046] 電極端子 99aと電極端子 99cはコイル導体 105の両端子（不図示）にそれぞれ接 続され、電極端子 99bと電極端子 99dはコイル導体 107の両端子（不図示）にそれぞ れ接続されている。電極端子 99aと電極端子 99bとは、コモンモードチョークコイルァ レイ 91の一側面で隣り合って配置されている。電極端子 99cと電極端子 99dとは、コ モンモードチョークコイルアレイ 91の他側面で隣り合って配置されている。電極端子 99a、 99c「 及び電極端子 99b、 99d 【こ電流を流してコィノレ導体 105、 107【こ通電 することにより、コイル導体 105、 107の中心軸を含む断面において、磁性基板 93、 開口部 111の磁性層 115、磁性基板 95及び開口部 113の磁性層 115を通る閉磁路 Mが形成される。

[0047] また、図示は省略したが特開平 7-22242号公報には、磁性基板上にコイル導体 を直接形成すると、磁性基板の絶縁性が小さレ、場合にはインピーダンス特性が劣化 してしまうので、磁性基板とコイル導体との間に Al O (アルミナ）等の絶縁抵抗の高

2 3

レ、絶縁層を形成した薄膜型コイル部品が開示されてレ、る。

[0048] ところで、コモンモードチョークコイルアレイ 91を小型化するには、電極端子 99及び 電極端子 101の間隔を狭くする必要がある。さらに、電極端子 99a及び電極端子 99 bの間隔 dと、電極端子 99c及び電極端子 99dの間隔 d (図示せず)も狭くする必要が ある。例えば、 IC (Integrated Circuit)部品の入出力端子のピッチに一致させるた め、電極端子 99a、 99bや電極端子 99c、 99dのピッチは 500 μ m程度になる。電極 端子 99a、 99bや電極端子 99c、 99dは狭ピッチであるにもかかわらず、各電極端子 間には 100Μ Ω以上の絶縁抵抗が求められている。

[0049] 電極端子 99、 101は、コモンモードチョークコイルアレイ 91の側面に形成された Ni (ニッケル）の電極膜 (不図示）上に Sn (錫）、 Ni、 Cu (銅）をバレルメツキで形成した 多層構造になっている。通常バレルメツキでは、低抵抗の表面にのみ分極が起こりメ ツキ膜が形成されるが、表面に微細な凹凸が存在すると、メツキ液が凹部に入り込み

、局所的なメツキ液の濃度差により表面電位が変化するため、凹部に選択的にメツキ 膜が形成されること力ある。図 12のようなコモンモードチョークコイルアレイ 91では、 電極膜 (不図示）以外の表面は、絶縁抵抗が大きいため、電極膜上のみにメツキ膜が 形成されるようになっているが、当該電極膜は磁性基板 93、 95を横切って形成され ているため、磁性基板 93と磁性層 115との間や、磁性層 115と磁性基板 95との間に 隙間があると、隙間からもメツキ膜が成長してしまう。

[0050] 図 13は、磁性基板 93と磁性層 115 (図示せず）との間にメツキ膜が形成された状態 のコモンモードチョークコイルアレイ 91の斜視図である。磁性基板 93と磁性層 115と の間にメツキ膜が形成されると図 13のように、電極端子 99、 101や電極端子 99a、 9 9b、あるいは電極端子 99c、 99dのそれぞれの間隔が短くなつて、端子間抵抗が低 下する。特に、磁性基板 93が表面に空隙を有し、磁性層 115がポリイミド樹脂などの 樹脂材料にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトの場合、磁性基板 93と磁性層 115との密着性が低ぐそのため磁性基板 93と磁性層 115との間にメツキ膜が成長し て、このような端子間抵抗の低下が生じやすい。例えば、電極端子 99a、 99bの間隔 dがメツキ膜の形成で間隔 d' ( = d/2)になると、電極端子間の抵抗値は約 1Z2に なる。こうなると、電極端子 99a、 99b間の絶縁破壊が起こり易くなつて、コモンモード チョークコイルアレイ 91の信頼性が著しく低下してしまう。さらに磁性基板 93と磁性層 115との間にメツキ膜の形成が進行すると、最悪の場合には電極端子 99a、 99b同士 が短絡してしまう。

[0051] また、磁性基板 93上にコイル導体 105を直接形成し、磁性基板 95上にコイル導体

107を直接形成すると、磁性基板 93、 95表面の絶縁抵抗が低ぐコイル導体 105、 1 07が狭ピッチの場合、コイル導体 105間に磁性基板 93表面を介して電流が流れ、 同様に、コイル導体 107間に磁性基板 95表面を介して電流が流れ、インピーダンス 特性の劣化の主要因となる。またさらに、磁性基板 93、 95上に狭ピッチのコイル導体 105、 107をフレームメツキ法で形成する場合、フェライトの磁性基板 93、 95表面は 空隙が多いので、空隙に入り込んだ電極層の除去が困難であり、磁性基板 93、 95 上に残留した電極層が磁性基板 93、 95表面の絶縁抵抗を低くさせ、さらに、インピ 一ダンス特性が劣化する。そのため、コモンモードチョークコイルアレイ 91は、磁性基 板 93、 95とコィノレ導体 105、 107との間に絶縁膜 103a、 103cを酉己置して絶縁十生を 確保している。しかし、絶縁膜 103a、 103cは一般的に樹脂材料を塗布することで形 成されている。このため、空隙のある磁性基板 93、 95表面の絶縁性を十分に確保し 、コモンモードチョークコイルアレイ 91のインピーダンス特性を十分に向上させるため には、絶縁膜 103a、 103cを厚くする必要があり、コモンモードチョークコイルアレイ 9 1が厚くなり低背化の阻害要因となる。

[0052] 本実施の形態の目的は、電極端子同士が短絡する不良の発生が少なぐインピー ダンス特性の劣化が少なく信頼性の高い小型 ·低背のコイル部品を提供することにあ る。

また、本実施の形態の目的は、電極端子同士が短絡する不良の発生が少なぐィ ンピーダンス特性の劣化が少なく信頼性の高い小型.低背のコイル部品を製造でき るコイル部品の製造方法を提供することにある。

[0053] 上記目的は、磁性材料で形成された第 1の磁性基板と、前記第 1の磁性基板上に 形成された第 1の絶縁層と、前記第 1の絶縁層上に形成された第 2の絶縁層と、前記 第 2の絶縁層中に埋め込まれ、スパイラル状に形成された導電性のコイル導体と、前 記コイル導体の内周側及び外周側に形成され、前記第 1の絶縁層が露出する開口 部と、少なくとも前記開口部を坦め込んで形成された磁性層と、前記磁性層上に固 着され、磁性材料で形成された第 2の磁性基板と、前記コイル導体の端子部に接続 され、前記第 1及び第 2の磁性基板の側面を横切って配置された電極端子とを有す ることを特徴とするコイル部品によって達成される。

[0054] 上記本実施の形態のコイル部品であって、前記磁性層と前記第 2の磁性基板との 間にさらに第 3の絶縁層が形成されていることを特徴とする。

[0055] 上記本実施の形態のコイル部品であって、前記第 1の絶縁層は、前記電極端子の 近傍に形成されていることを特徴とする。

[0056] 上記本実施の形態のコイル部品であって、前記第 1の絶縁層は、 Al Oで形成され ていることを特徴とする。

[0057] 上記本実施の形態のコイル部品であって、前記コイル導体は絶縁膜を挟んで複数 層形成されてレ、ることを特徴とする。

[0058] また、上記目的は、磁性材料で形成された第 1の磁性基板上に第 1の絶縁層を形 成し、前記第 1の絶縁層上に第 2の絶縁層の一部となる絶縁膜を形成し、前記絶縁 膜上にスパイラル状に導電性のコイル導体を形成し、前記コイル導体上にさらに第 2 の絶縁層の一部となる絶縁膜を形成し、前記コイル導体の内周側及び外周側に第 1 の絶縁層が露出する開口部を形成し、少なくとも前記開口部を埋め込む磁性層を形 成し、前記磁性層上に磁性材料で形成された第 2の磁性基板を固着し、前記コイル 導体の端子部に接続され、前記第 1及び第 2の磁性基板の側面を横切って対置され る電極端子を形成することを特徴とするコイル部品の製造方法によって達成される。

[0059] 上記本実施の形態のコイル部品の製造方法であって、前記磁性層と前記第 2の磁 性基板との間にさらに第 3の絶縁層を形成することを特徴とする。

[0060] 上記本実施の形態のコイル部品の製造方法であって、スパッタリング法で前記第 1 の絶縁層を形成することを特徴とする。

[0061] 上記本実施の形態のコイル部品の製造方法であって、前記コイル導体をフレームメ ツキ法で形成することを特徴とする。

[0062] 本実施の形態によれば、電極端子同士が短絡する不良の発生が少なぐインピー ダンス特性の劣化が少なく信頼性の高い小型 '低背のコイル部品を製造できる。

[0063] 本実施の形態によるコイル部品及びその製造方法について図 4乃至図 11を用いて 説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害 の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードチョークコイルを例にとって説 明する。図 4は、図 11Eに示すコモンモードチョークコイルアレイ 63の一方のコモンモ ードチョークコイルを図 11Eの仮想線 A— A 'で切断した断面を示している。図 4に示 すように、本実施の形態のコモンモードチョークコイルは、磁性材料の第 1の磁性基 板 32上に第 1の絶縁層 33が形成されている点に特徴を有している。第 1の絶縁層 3 3上には、絶縁膜 35a、 35b,導電性のコイル導体 37、絶縁膜 35c、コイル導体 39、 及び絶縁膜 35d、 35eがこの順に積層されている。コイル導体 37とコイル導体 39とは 、絶縁月莫 35cを挟んで対面してレヽる。また、コィノレ導体 37、 39ίま、絶縁膜 35a一 35e 力 なる第 2の絶縁層 35中に埋め込まれている。コイル導体 37、 39の内周側には第 2の絶縁層 35を除去して第 1の絶縁層 33が露出する開口部 34が形成されている。コ ィル導体 37、 39の外周側には第 2の絶縁層 35を除去して第 1の絶縁層 33が露出す る開口部 36が形成されている。また、開口部 34、 36を埋め込んで磁性層 41が形成 され、磁性層 41上には磁性材料で形成された第 2の磁性基板 45が固着されている。

[0064] 第 1及び第 2の磁性基板 32、 45は磁性材料として例えばフェライトで形成されてい る。第 1の絶縁層 33は、高い表面抵抗が得られるように絶縁材料として例えば Al O

(アルミナ）で形成されている。第 1の絶縁層 33上の第 2の絶縁層 35の絶縁膜 35a、 35b、 35c、 35d、 35eは、それぞれポリイミド樹脂を塗布して所定形状にパターニン グして形成されている。

[0065] コィノレ導体 37は、絶縁膜 35b上でスパイラル状にパターニングされて形成されてい る。コイル導体 37を覆って絶縁膜 35b上に絶縁膜 35cが形成されている。絶縁膜 35 c上には、コイル導体 37とほぼ同様のスパイラル状にパターエングされたコイル導体 39が形成されている。

[0066] コイル導体 39を覆って絶縁膜 35c上にポリイミド榭脂の絶縁膜 35dが形成されてい る。絶縁膜 35d上には、ポリイミド樹脂の絶縁膜 35eが形成されている。なお、絶縁膜 35a上にはコイル導体 37と電極端子（不図示）とを接続するリード端子及びリード線（ 共に不図示）が形成されている。同様に、絶縁膜 35d上にはコイル導体 39と他の電 極端子（不図示）とを接続する他のリード端子及びリード線 (共に不図示）が形成され ている。

[0067] 磁性層 41は、開口部 34、 36を埋め込むと共に第 2の絶縁層 35を覆って形成され ている。磁性層 41は、ポリイミド樹脂にフヱライトの磁粉を混入した複合フヱライトで形 成されている。さらに、磁性層 41上には接着層 43が形成され、フヱライトの第 2の磁 性基板 45が接着されている。

[0068] 次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイルの動作について説明する。コ ィル導体 37、 39に通電することにより、コイル導体 37、 39の中心軸を含む断面にお いて、第 1の磁性基板 32、第 1の絶縁層 33、開口部 36の磁性層 41、接着層 43、第 2の磁性基板 45、接着層 43、開口部 34の磁性層 41、及び第 1の絶縁層 33をこの順 に通る磁路 Mが形成される。第 1の絶縁層 33及び接着層 43は非磁性であるがいず れも数 x m程度の薄膜なので、この部分で磁力線の漏洩は殆ど発生せず、磁路 M はほぼ閉磁路と看做すことができる。従って、コモンモードチョークコイルは良好な磁 気結合度及びインピーダンス特性を有する。また、コイル導体 39は絶縁膜 35cを介し てコイル導体 37に近接して対面配置されているため、コモンモードチョークコイルの 磁気結合度及びインピーダンス特性は一層向上する。

[0069] 次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法について図 5乃 至図 11を用いて説明する。以下、 2つのコモンモードチョークコイルが集積されたコ モンモードチョークコイルアレイ 63を例にとって説明する。なお、図 5、図 6、図 9及び 図 10A—図 10Cにおいて、下段はウェハ 47を示し、上段はウェハ 47内の実際には 切断分離されていない個々のチップの斜視図を示す。なお、図 4に示したコモンモー ドチョークコイルの構成要素と同一の作用 ·機能を奏する構成要素には同一の符号 を付してその説明は省略する。

[0070] まず、図 5Aに示すように、最終的に第 1の磁性基板 32になるウェハ 47を準備する 。次に、図 5Bに示すように、スパッタリング法を用いてウェハ 47上に Al Oの第 1の絶 縁層 33を成膜する。第 1の絶縁層 33は A1〇に限られず、 SiO (シリコン酸化膜)や

A1N (アルミニウム窒化膜)等の絶縁抵抗の高い材料であればよい。また、第 1の絶 縁層 33は、ウェハ 47の空隙に影響されずに緻密であることが好ましぐそのために は、上記材料をスパッタリング法により 0.： m— 10 z m程度の厚さで形成すること が好ましい。

[0071] 次に、図 5Cに示すように、第 1の絶縁層 33上にポリイミド樹脂を塗布してパター二 ングし、開口部 34、 36が開口された絶縁膜 35aを形成する。次に、図 5Dに示すよう に、絶縁膜 35a上に Cu (銅)層（不図示）を成膜してパターニングし、素子基板周囲 に位置するリード端子 49 (49a、 49b、 49c、 49d)及びリード端子 49 ' (49a'、 49b'、 49c'、 49d' )を形成する。同時に、リード端子 49aに接続されたリード線 50とリード端 子 49a'に接続されたリード線 50'とを形成する。

[0072] 次に、図 5Eに示すように、絶縁膜 35a上にポリイミド樹脂を塗布してパター二： 、リード端子 49、 49 '、リード線 50、 50'のリード端子 49、 49 'と反対側の端子、及び 開口部 34、 36を露出させた開口を有する絶縁膜 35bを形成する。

[0073] 次に、図 6に示すように、銅層（不図示）を成膜してスパイラル状にパターユングした コイル導体 37、 37'を絶縁膜 35b上に形成する。コイル導体 37の一端子は絶縁膜 3 5bを開口して露出しているリード端子 49c上に形成され、他端子はリード線 50のリー ド端子 49aと反対側の端子上に形成される。同様に、コイル導体 37'の一端子は絶 縁膜 35bを開口して露出しているリード端子 49c'上に形成され、他端子はリード線 5 0'のリード端子 49a'と反対側の端子上に形成される。これにより、コイル導体 37及 びリード線 50を介してリード端子 49aとリード端子 49cとが電気的に接続される。同様 に、コイル導体 37'及びリード線 50'を介してリード端子 49a'とリード端子 49c'とが 電気的に接続される。また、残りのリード端子 49b、 49b'、 49d、 49d'上にも銅の端 子パターンを形成する。

[0074] コイル導体 37、 37'はフレームメツキ法を用いて形成される。フレームメツキ法につ いて図 7及び図 8を用いて説明する。フレームメツキ法は、レジストをパターユングして 形成した型（以下レジストフレームと称する）を用いてメツキ膜をパターユングする方法 である。図 7及び図 8は、図 6に示す仮想直線 A— A'でウェハ 47の表面に直交して 切断した切断面であって、コイル導体 37の製造工程を示している。図 5A—図 5Eの 製造工程を経て、ウェハ 47上には第 1の絶縁層 33、絶縁膜 35a、 35bがこの順に形 成されている。図 7Aに示すように、絶縁膜 35b上にスパッタリング法や蒸着法を用い て電極層 69を成膜する。電極層 69の下層に絶縁膜 35bとの密着性を高めるための 、例えば Cr (クロム)膜や Ti (チタン)膜等で接着層を形成してもよい。電極層 69は、 導電性のある材料であれば問題ないが、できればメツキされる金属材料と同一材料 を用いることが望ましい。

[0075] 次に、図 7Bに示すように、全面にレジストを塗布してレジスト層 71を形成し、必要に 応じてレジスト層 71のプリベータ処理を行う。次いで、コイル導体 37のパターンが描 画されたマスク 73を介して露光光を照射して、レジスト層 71を露光する。

[0076] 次に、必要に応じて熱処理後、アルカリ現像液で現像する。アルカリ現像液として は、例えば、所定濃度のテトラメチルアンモニゥムハイド口オキサイド (TMAH)が用 レ、られる。次に、現像工程から引き続いて洗浄工程に移る。レジスト層 71中の現像液 を洗浄液で洗浄し、レジスト層 71の現像溶解反応を停止させて、図 7Cに示すように 、所定形状にパターユングされたレジストフレーム 74が形成される。洗浄液としては、 例えば純水が用いられる。

[0077] 洗浄が終了すると、洗浄液を振り切って乾燥させる。必要であればウェハ 47を加熱 して洗浄液を乾燥させてもよい。次に、ウェハ 47をメツキ槽中のメツキ液に浸漬して、 レジストフレーム 74を型にしてメツキ処理を行レ、、レジストフレーム 74間にメツキ膜 77 を形成する（図 8A参照）。次いで、必要に応じて水洗し乾燥させてからレジストフレー ム 74を有機溶剤を用いて絶縁膜 35bから剥離する（図 8B参照）。次いで、メツキ膜 7 7をマスクにして電極層 69をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエツチン グ (RIE)等）やウエットエッチングにより除去する。こうして、コイル導体 37が形成され る（図 8C参照）。

[0078] フレームメツキ法によりコイル導体 37が形成されたら、次に、図 9Aに示すように、コ ィル導体 37、 37'を覆って絶縁膜 35b上にポリイミド樹脂を塗布してパターエングし、 リード端子 49、 49 '及び開口部 34、 36が露出する開口を有する絶縁膜 35cを形成 する。次に、図 9Bに示すように、銅層を成膜してからフレームメツキ法を用いて、スパ ィラル状にパターニングしたコイル導体 39、 39 'を絶縁膜 35c上に形成する。コィノレ 導体 39の一端子は絶縁膜 35cを開口して露出してレ、るリード端子 49d上に形成され る。同様に、コイル導体 39 'の一端子は絶縁膜 35cを開口して露出しているリード端 子 49d'上に形成される。コイル導体 39、 39'は、図 7及び図 8を用いて説明したコィ ル導体 37、 37'の製造方法と同様のフレームメツキ法で形成されているのでその説 明は省略する。

[0079] 次に、図 9Cに示すように、コイル導体 39、 39 'を覆って絶縁膜 35c上にポリイミド樹 脂を塗布してパターユングし、リード端子 49、 49'、コィノレ導体 39、 39'の他端子、及 び開口部 34、 36が露出する開口を有する絶縁膜 35dを形成する。

[0080] 次に、図 9Dに示すように、絶縁膜 35d上に銅層（不図示）を成膜し、リード端子 49b とコイル導体 39とを接続するリード線 51と、リード端子 49b'とコイル導体 39'とを接続 するリード線 51 'とを形成する。これにより、コイル導体 39及びリード線 51を介してリ ード端子 49bとリード端子 49dとは電気的に接続される。同様に、コイル導体 39'及 びリード線 51 'を介してリード端子 49b'とリード端子 49d'とは電気的に接続される。 また、残りのリード端子 49a、 49a，、 49c、 49c'上にも銅の端子パターンを形成する

[0081] 次に、図 9Eに示すように、リード線 51、 51 'を覆って絶縁膜 35d上にポリイミド樹脂 を塗布してパターユングし、リード端子 49、 49'及び開口部 34、 36が露出する開口 を有する絶縁膜 35eを形成する。

[0082] 次に、スクリーン印刷法を用レ、、図 10Aに示すように、リード端子 49、 49 'に銀ぺー スト 53を印刷する。次いで、図 10Bに示すように、ポリイミド樹脂にフェライトの磁粉を 混入した複合フェライトの磁性層 41を絶縁膜 35e上に形成する。これにより、磁性層 41は開口部 34、 36を坦め込んで第 1の絶縁層 33表面に達する。

[0083] 次に、図 10Cに示すように、磁性層 41上に接着剤を塗布して接着層 43を形成する 。次いで、図 10Dに示すように、最終的に第 2の磁性基板 45になる上蓋用磁性板 55 を接着層 43に固着する。次に、図 10Eに示すように、ウェハ 47を切断して複数のコ モンモードチョークコイルアレイ 63がー列に配置されたバー部材 57を形成する。

[0084] 次に、図 11Aに示すように、バー部材 57の各コモンモードチョークコイルアレイ 63 の上面に第 1及び第 2の基板 32、 45を識別するためのマーク 59を印刷する。次に、 図 11Bに示すように、バー部材 57の側面に配置されているリード端子 49、 49 'の位 置に、第 1の磁性基板 32の基板面にほぼ直角且つ第 1の磁性基板 32と第 2の磁性 基板 45とを横切って Niの電極膜 61をスパッタリング法で形成する。

[0085] 次に、図 11Cに示すように、バー部材 57を個々のコモンモードチョークコイルアレイ

63に切断分離する。次に、図 11Dに示すように、バレルメツキで電極膜 61表面に Sn (錫）、 Ni、 Cuの合金導電材料を成膜し、 Niと合金導電材料との 2層構造の電極端 子 65を形成する。

[0086] その後、図 11Eに示すように、製造したコモンモードチョークコイルアレイ 63をリー ノレ 67上に仮止めし、次いで不図示のテープでリーノレ 67及びコモンモードチョークコ ィルアレイ 63を覆って製造が終了する。

[0087] 本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ 63は、第 1の磁性基板 32上に絶 縁抵抗の高い第 1の絶縁層 33が成膜されているので、第 1の磁性基板 32表面の絶 縁抵抗を高くすることができる。このため、電極端子 65を形成する際に、第 1の絶縁 層 33と磁性層 41との間のメツキ膜の形成を防止することができる。従って、電極端子 65間の絶縁抵抗を保証値 100M Ω以上に維持することができ、コモンモードチョー クコイルアレイ 63の信頼性が向上する。

[0088] また、本実施の形態では、第 2の磁性基板 45は第 1の磁性基板 32とほぼ同じ厚さ を有しているが、第 2の磁性基板 45の厚さを相対的に薄くしてもよい。こうすることに より、コモンモードチョークコイルアレイ 63を低背化することができる。第 1の磁性基板 32においても基板厚を薄くすればコモンモードチョークコイルアレイ 63を低背化でき る力 ウェハ 47の機械的強度が弱くなり、製造時にウェハ 47が割れてしまう可能性 がある。このため、製造歩留まりを向上させる観点からも、基板厚を薄くした第 1の磁 性基板 32上に第 1の絶縁層 33を形成することが望ましい。スパッタリング法で第 1の 磁性基板 32上に成膜した Al O (第 1の絶縁層 33)は、第 1の磁性基板 32となるフエ ライト基板よりもはるかに機械的強度が高いため、ウェハ 47の機械的強度を高くする ことができるので、製造時の基板割れを防止できる。このため、ウェハ 47の大口径化 が可能となり、第 1の磁性基板 32が薄くても部品強度の高いコモンモードチョークコィ ルアレイ 63を大量に製造できる。なお、 A1〇に代えて第 1の絶縁層 33に Si〇や Al

Nを用レ、ても、 Si〇や A1Nは第 1の磁性基板 32よりはるかに機械的強度が高いため

、同様の効果を奏する。

[0089] さらに、本実施の形態では、第 1の絶縁層 33を薄くすることができるので、第 1の絶 縁層 33が開口部 34、 36などに配置されても磁性層 41と第 1の磁性基板 32との磁気 結合を阻害することがないため、第 1の絶縁層 33を第 1の磁性基板 32の全面に形成 してもインピーダンス特性の劣化が起こらなレ、。従って、第 1の絶縁層 33を第 1の磁 性基板 32上の全面に形成できるため、第 1の絶縁層 33のパターユングの工程が省 略できる。

[0090] また、第 1の絶縁層 33は第 1の磁性基板 32表面の空隙を塞ぐように成膜され、成 膜された第 1の絶縁層 33は非常に平坦な表面状態を有している。このため、第 1の 絶縁層 33上に成膜される絶縁膜 35aが無くても十分な平坦性と表面絶縁性が得ら れるため、コイル導体 37、 37'を直接第 1の絶縁層 33上に微細加工することが可能 となる。従って、第 1の磁性基板 32とコイル導体 37、 37'との距離を従来のコモンモ ードチョークコイルアレイより短くできるので、コモンモードチョークコイルアレイ 63の 小型化 ·低背化を図ることができる。

また、第 1の絶縁層 33は非常に平坦な表面状態を有しているため、第 1の絶縁層 3 3と複合フェライトからなる磁性層 41との密着性が向上し、電極端子のバレルメツキ時 にメツキ液の浸入を防ぎ、電極端子間の短絡不良を防止できる。

[0091] さらに、本実施の形態では、絶縁膜 35a上にリード端子 49、 49 'やリード線 50等を 形成しているが、第 1の絶縁層 33上に直接リード端子 49等を成膜すれば従来の製 造工程を増加させることなぐ信頼性の高い小型'低背のコモンモードチョークコィノレ アレイ 63を製造することができる。

[0092] 本発明は、上記第 3の実施の形態に限らず種々の変形が可能である。

上記第 3の実施の形態では、第 1の絶縁層 33は第 1の磁性基板 32上にのみ成膜 しているが、本発明はこれに限られない。例えば、第 1の磁性基板 32との対向面に第 1の磁性基板 32と同様に第 3の絶縁層を成膜した第 2の磁性基板 45を用いてももち ろんよい。この場合、第 2の磁性基板 45の接着性が向上するため、接着層 43を使わ ず、複合フェライトを用いて磁性層 41に直接接着することも可能である。

[0093] また、上記第 3の実施の形態では、第 1の絶縁層 33は第 1の磁性基板 32上の全面 に成膜されているが、本発明はこれに限られない。例えば、第 1の絶縁層 33を電極 膜 61及び電極端子 65近傍のみに成膜するようにしてももちろんよい。この場合も、電 極膜 61及び電極端子 65を形成する際に、電極端子同士が短絡する不良の発生を 防止することができる。従って、電極端子 65間の絶縁抵抗を保証値 100Μ Ω以上に 維持することができ、コモンモードチョークコイルアレイ 63の信頼性を向上させること ができる。

[0094] また、上記第 3の実施の形態では、コモンモードチョークコイルアレイ 63を例に説明 したが、本発明はこれに限られない。例えば、上記第 3の実施の形態のコイル部品を トランス等の主要部品として用いることができる。

図面の簡単な説明 [図 1]本発明の第 1の実施の形態であってコモンモードチョークコイルを構成する場合 の分解斜視図である。

[図 2]前記実施の形態の場合の製造工程を示す説明図である。

[図 3]本発明の第 2の実施の形態であってコモンモードチョークコイルアレイを構成す る場合の分解斜視図である。

[図 4]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルを第 1の磁性基板 32の成膜面に直交して切断した切断面の概略の構成を示す図である。

[図 5]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63の製造ェ 程を示す図である。

[図 6]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63の製造ェ 程のうちの一工程を示し、コイル導体 37、 37'を絶縁膜 35b上に形成した状態を示 す図である。

[図 7]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63のコイル 導体 37の製造工程を示し、図 6に示す仮想直線 A— A'をウェハ 47の成膜面に直交 して切断した切断面を示す図である。

[図 8]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63のコイル 導体 37の製造工程を示し、図 6に示す仮想直線 A— A'をウェハ 47の成膜面に直交 して切断した切断面を示す図である。

[図 9]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63の製造ェ 程を示す図である。

[図 10]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63の製造 工程を示す図である。

[図 11]本発明の第 3の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ 63の製造 工程を示す図である。

[図 12]従来の 2個のコモンモードチョークコイルが集積されたコモンモードチョークコ ィルアレイ 91を示す図である。図 12Aは、コモンモードチョークアレイ 91の外観の斜 視図を示し、図 12Bは、図 12Aに破線で示す仮想線 A-A'の切断面を示す図である [図 13]従来のコモンモードチョークコイルアレイ 91の磁性基板 93と磁性層 115との間 にメツキ膜が形成された状態の斜視図である。

符号の説明

1、 13、 93、 95 磁性基板

2 インピーダンス値調整用絶縁層

4、 6、 8、 10 絶縁層

3、 9 引き出し電極層

5、 7 コイル導体層

11、 41、 115 磁性層

12、 43 接着層

20 積層体

21、 22 樹脂除去部

32 第 1の磁性基板

45 第 2の磁性基板

33 第 1の絶縁層

34、 36、 111、 113 開口部

35 第 2の絶縁層

35a, 35b, 35c, 35d、 35e、 103a, 103b, 103c 絶縁膜

37、 37 '、 39、 39 '、 105、 107 コィノレ導体

7 ウエノヽ

9、 49a、 49b、 49c、 49d、 49 '、 49a '、 49b '、 49c'、 49d' リード端子

50、 50 '、 51、 51 ' リード線

53 銀ペースト

55 上蓋用磁性板

57 バー部材

59 マーク

61 電極膜

63、 91 コモンモードチョークコィノレアレイ 99、 99a、 99b、 99c、 99d、 101 電極端子 リーノレ

電極層

レジスト層

マスク

レジストフレーム

メツキ膜

Claims

請求の範囲

[1] 第 1の磁性基板の主面上の全面に成膜されたインピーダンス値調整用絶縁層と、 前記インピーダンス値調整用絶縁層上に交互に成膜されたコイルパターン及び絶 縁層と、

前記コイルパターンに囲まれる中央領域と前記コイルパターンの外周領域との一方 又は両方の前記絶縁層部分を除去して形成され、前記インピーダンス値調整用絶縁 層が露出する絶縁層除去部と、

最上層の前記絶縁層上及び前記絶縁層除去部に設けられた磁粉含有の樹脂と、 前記磁粉含有の樹脂上に形成された接着層を介して接着された第 2の磁性基板と を有することを特徴とするコイル部品。

[2] 請求項 1記載のコイル部品であって、

前記インピーダンス値調整用絶縁層の厚みは、 1ミクロンから 20ミクロンであることを 特徴とするコイル部品。

[3] 請求項 1又は 2に記載のコイル部品であって、

前記インピーダンス値調整用絶縁層は、ポリイミドからなることを特徴とするコイル部

P

PPo

[4] 請求項 1、 2又は 3のいずれか 1項に記載のコイル部品であって、

前記コイルパターンが複数個形成されていることを特徴とするコイル部品。

[5] 第 1の磁性基板の主面上にインピーダンス値調整用絶縁層を全面に成膜する第 1 の成膜工程と、

前記インピーダンス値調整用絶縁層上にコイルパターンと絶縁層とを交互に成膜 する第 2の成膜工程と、

前記インピーダンス値調整用絶縁層以外の各絶縁層の前記コイルパターンに囲ま れる中央領域と前記コイルパターン外周領域との一方又は両方の絶縁層部分を除 去するエッチング工程と、

最上層の絶縁層上に磁粉含有の樹脂を塗布するとともに前記絶縁層の除去部にも 前記磁粉含有の樹脂を埋め込み塗布する塗布工程と、

前記磁粉含有の樹脂の硬化後に当該磁粉含有の樹脂面を研磨し平坦化する研磨 工程と、

前記磁粉含有の樹脂の平坦化された面に接着剤を介して第 2の磁性基板を接着 する接着工程と

を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。

[6] 磁性材料で形成された第 1の磁性基板と、

前記第 1の磁性基板上に形成された第 1の絶縁層と、

前記第 1の絶縁層上に形成された第 2の絶縁層と、

前記第 2の絶縁層中に埋め込まれ、スパイラル状に形成された導電性のコイル導 体と、

前記コイル導体の内周側及び外周側に形成され、前記第 1の絶縁層が露出する開 口部と、

少なくとも前記開口部を埋め込んで形成された磁性層と、

前記磁性層上に固着され、磁性材料で形成された第 2の磁性基板と、 前記コイル導体の端子部に接続され、前記第 1及び第 2の磁性基板の側面を横切 つて配置された電極端子と

を有することを特徴とするコイル部品。

[7] 請求項 6記載のコイル部品であって、

前記磁性層と前記第 2の磁性基板との間にさらに第 3の絶縁層が形成されているこ と

を特徴とするコイル部品。

[8] 請求項 6又は 7に記載のコイル部品であって、

前記第 1の絶縁層は、前記電極端子の近傍に形成されていること

を特徴とするコイル部品。

[9] 請求項 6乃至 8のいずれか 1項に記載のコイル部品であって、

前記第 1の絶縁層は、 Al Oで形成されていること

2 3

を特徴とするコイル部品。

[10] 請求項 6乃至 9のいずれか 1項に記載のコイル部品であって、

前記コイル導体は絶縁膜を挟んで複数層形成されていること を特徴とするコイル部品。

[11] 磁性材料で形成された第 1の磁性基板上に第 1の絶縁層を形成し、

前記第 1の絶縁層上に第 2の絶縁層の一部となる絶縁膜を形成し、

前記絶縁膜上にスパイラル状に導電性のコイル導体を形成し、

前記コイル導体上にさらに第 2の絶縁層の一部となる絶縁膜を形成し、 前記コイル導体の内周側及び外周側に第 1の絶縁層が露出する開口部を形成し、 少なくとも前記開口部を埋め込む磁性層を形成し、

前記磁性層上に磁性材料で形成された第 2の磁性基板を固着し、

前記コイル導体の端子部に接続され、前記第 1及び第 2の磁性基板の側面を横切 つて対置される電極端子を形成すること

を特徴とするコイル部品の製造方法。

[12] 請求項 11記載のコイル部品の製造方法であって、

前記磁性層と前記第 2の磁性基板との間にさらに第 3の絶縁層を形成すること を特徴とするコイル部品の製造方法。

[13] 請求項 11又は 12に記載のコイル部品の製造方法であって、

スパッタリング法で前記第 1の絶縁層を形成すること

を特徴とするコイル部品の製造方法。

[14] 請求項 11乃至 13のいずれか 1項に記載のコイル部品の製造方法であって、

前記コイル導体をフレームメツキ法で形成すること

を特徴とするコイル部品の製造方法。