WO2004107825A1 - プラズマ源及びプラズマ処理装置

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　ガスを供給すべきチャンバ２と、チャンバ２のガス流出側に配置された、ガス通過が可能な複数の電極孔を有するホローカソード電極部材４とから、プラズマ源１を構成する。このようなプラズマ源１においては、ホローカソード電極部材４の電極孔３の内部で、マイクロカソードプラズマ放電が可能である。

請求の範囲

[1] ガスを供給すべきチャンバと、

このチャンバのガス流出側に配置されて、ガス通過が可能な複数の電極孔を有するホロ一力ソード電極部材と

を少なくとも含み、

前記ホロ一力ソード電極部材の電極孔内で、マイクロ力ソードプラズマ放電が行われる

ことを特徴とするプラズマ源。

[2] 前記ホロ一力ソード電極は、複数の有孔導体部材の対を備え、

前記有孔導体部材の対に対応した位置で前記マイクロ力ソードプラズマ放電が行われるものである請求項 1に記載のプラズマ源。

[3] 前記ホロ一力ソード電極に対応するアノード電極を備え、このアノード電極力プラズマ貫通のための孔を有する請求項 1記載のプラズマ源。

[4] 前記電極は、 3段以上の多段電極力も構成されたものである請求項 1に記載のブラズマ源。

[5] 前記電極は、三次元電極である請求項 1に記載のプラズマ源。

[6] 前記三次元電極は、個々の電極エレメントを独立的に制御可能な電極である請求項 5に記載のプラズマ源。

[7] 前記電極に印加すべき電位が経時的に変化可能である請求項 1に記載のプラズマ源。

[8] 処理チャンバと、

この処理チャンバ内の所定位置に基材を配置するための基材保持手段と、前記基材にプラズマ，荷電粒子，又はラジカルの少なくとも 1つを選択的に照射するためのプラズマ源と

から構成され、

前記プラズマ源は、

ガスを供給すべきチャンバと、

このチャンバのガス流出側に配置されてガス通過が可能な複数の電極孔を有するホロ一力ソード電極部材と

を少なくとも含み、

ことを特徴とするプラズマ処理装置。

[9] 前記基材が、電子デバイス用基材、光デバイス用基材、又はバイオデバイス用基材である請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[10] 前記プラズマ源が、大気圧プラズマ源である請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[11] 前記処理チャンバ内に、ガスが供給される請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[12] 前記処理チャンバ内に、大気圧プラズマ又は減圧プラズマが生成するように構成されて、る請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[13] 前記ホロ一力ソード電極に印加すべき電圧を変化させて、イオン、電子及びラジカルカもなる群力も選択される 1種以上の活性種を、前記基材上に照射することを可能とした請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[14] 前記処理チャンバ内の所定位置に基材を配置するための基材保持手段と、

コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と

を備え、

前記プラズマ源により、前記基材に、プラズマ、中性ラジカル及び正 ·負イオンの少なくとも 1つが照射され、

前記プラズマ、中性ラジカル及び正 ·負イオンの少なくとも 1つが前記基材上に照射されてヽる状態で、前記基材の上に前記コーティング材料よりなるコーティング層が形成される

ことを特徴とする請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[15] 前記プラズマ源が、スリットと、このスリットにマイクロ波を導入するためのマイクロ波供給手段とを含むプラズマ源である請求項 14に記載のプラズマ処理装置。

[16] 前記コーティング層は、スピンコーティングにより形成される請求項 14に記載のブラズマ処理装置。

[17] 前記プラズマ、中性ラジカル及び正'負イオンの少なくとも 1つが前記基材上に照射されてヽる状態で、前記基材の上に前記コーティング材料が供給されることで前記コ一ティング層が形成される

ことを特徴とする請求項 14に記載のプラズマ処理装置。

[18] プラズマ源のプラズマ照射口と、前記プラズマにより処理すべき基材との間の距離力 5mm以下である請求項 14に記載のプラズマ処理装置。

[19] 前記処理チャンバ内の所定位置に基材を配置するための基材保持手段と、

カーボンナノチューブ形成材料を供給するためのカーボンナノチューブ形成材料供給手段と

を備え、

前記プラズマ、中性ラジカル及び正 ·負イオンの少なくとも 1つが前記基材上に照射されてヽる状態で、前記基材の上にカーボンナノチューブ形成層が形成されることを特徴とする請求項 8に記載のプラズマ処理装置。

[20] 前記プラズマ、中性ラジカル及び正'負イオンの少なくとも 1つが前記基材上に照射されて、る状態で、前記基材の上に前記カーボンナノチューブ形成材料が供給されることで前記カーボンナノチューブ形成層が形成される

ことを特徴とする請求項 19に記載のプラズマ処理装置。