WO2004069738A1 - マイクロリアクターおよびその製造方法 - Google Patents

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Hiroshi Yagi
Takeshi Kihara
Koichi Suzuki
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Dai Nippon Printing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a microreactor used in a reformer for hydrogen production, particularly to a microreactor for reforming a raw material such as methanol to obtain hydrogen gas, and a method for producing this microreactor.
  • a fuel cell In a fuel cell, hydrogen gas obtained by reforming a hydrocarbon-based fuel such as natural gas, gasoline, butane gas, or methanol is electrochemically reacted with oxygen in the air to extract electricity
  • a fuel cell generally includes a reformer that generates hydrogen gas by steam reforming a carbon-based fuel, and a fuel cell body that generates electricity.
  • a reformer for obtaining hydrogen gas by steam reforming using methanol or the like as a raw material steam reforming of the raw material is mainly performed by P and heat reaction using a Cu—Zn catalyst.
  • start-up and shut-down do not occur frequently, so that the reformer temperature hardly fluctuates.
  • the reformer rises quickly when starting from a stopped state (the time required to reach the steam reforming temperature of methanol). Short) is required.
  • the conventional microreactor has a problem that the heat utilization efficiency is poor, and the reformer rises slowly when started from a stopped state.
  • processing by a micro machine is required, and the manufacturing cost is high.
  • the space allowed for microreactors is severely limited, and there is a strong demand for further miniaturization.
  • microreactors for each step of hydrogen production are prepared, and these multiple microreactors are connected by piping and required. If the space is large and the restrictions on the space allowed for the microreactor are severe, such as in the case of fuel cells for mobile devices, this has seriously hindered miniaturization.
  • An object of the present invention is to provide a microreactor that enables a compact and highly efficient reformer for hydrogen production, and a production method capable of easily producing the microreactor.
  • the present invention relates to a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, comprising: a metal substrate having a fine groove on one surface; A heating element provided on the surface via an insulating film; a catalyst supported in the fine groove; and a material inlet and a gas outlet joined to the metal substrate so as to cover the fine groove. And a cover member.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, the method comprising: forming a fine groove on one surface of a metal substrate; Forming an insulating film made of a metal oxide film by heating, providing a heating element on the metal oxide film on the surface of the metal substrate where the fine groove is not formed, and supporting a catalyst in the fine groove. And a step of joining a cover member having a raw material inlet and a gas outlet formed to the metal substrate so as to cover the fine groove.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, the method comprising: forming a fine groove on one surface of a metal substrate; A step of providing an insulating film on the surface of the metal substrate; a step of providing a heating element on the insulating film; a step of supporting a catalyst in the fine groove; and a cover having a material inlet and a gas outlet formed therein. And bonding to the metal substrate so as to cover the microgrooves.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, comprising the steps of: forming a fine groove on one surface of a metal substrate; A step of forming an insulating film made of an oxide film, a step of supporting a catalyst in the fine groove, and a step of covering the cover member having a raw material inlet and a gas outlet formed with the metal substrate so as to cover the fine groove. And a step of providing a heating element on the metal oxide film on the metal substrate surface where the fine groove is not formed.
  • the present invention provides a method for producing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: forming a fine groove on one surface of a metal substrate; and supporting a catalyst in the fine groove. Bonding a cover member having a raw material inlet and a gas outlet to the metal substrate so as to cover the fine groove; insulating the metal substrate surface on which the fine groove is not formed; A step of providing a film; and a step of providing a heating element on the insulating film.
  • the metal substrate constituting the microreactor since the metal substrate constituting the microreactor has a higher thermal conductivity and a smaller heat capacity than a silicon substrate or a ceramic substrate, heat is efficiently transferred from the heating element to the supported catalyst, A reformer for hydrogen production that has a high start-up speed when starting from a stopped state and has a high use efficiency of electric power supplied to a heating element is possible.
  • the formation of the fine grooves in the metal substrate can be easily performed by an inexpensive processing method such as an etching process without the need for processing by a micro machine, so that the manufacturing cost of the microreactor can be reduced.
  • the present invention provides a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: a plurality of metal substrates each having a fine groove portion carrying a catalyst on one surface;
  • the metal substrates of each stage are provided with through holes for connecting the fine grooves of the metal substrates of the respective stages, and at least one metal substrate is insulated on a surface where the fine grooves are not formed.
  • a heating element provided via a film is provided, and a cover member having a gas exhaust port is connected to the metal substrate, which is located at the outermost stage of the multi-stage and has the fine groove portions exposed, and is provided. .
  • the present invention provides a method of manufacturing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: forming a fine groove on one surface of a plurality of metal substrates and a through hole having an opening at a predetermined position of the fine groove. Forming an insulating film made of a metal oxide film by anodizing the metal substrate; and forming a dielectric film made of a metal oxide film on the metal oxide film on a surface of the at least one metal substrate where the fine groove is not formed.
  • the plurality of metal substrates are stacked and joined in multiple stages such that the fine groove portions of each metal substrate are connected via the through holes, and the cover member provided with a gas discharge port is connected to the multi-stage Rank outside And bonding to the metal substrate where the fine groove portions are exposed.
  • the present invention provides a method of manufacturing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: forming a fine groove on one surface of a plurality of metal substrates and a through hole having an opening at a predetermined position of the fine groove. Forming; forming an insulating film on the metal substrate surface where the fine groove is not formed; providing a heating element on the insulating film of at least one of the metal substrates; Carrying a catalyst in the fine grooves of the substrate; stacking and joining the plurality of metal substrates in multiple stages so that the fine grooves of each metal substrate are entangled through the through holes; and And bonding the cover member formed with the metal substrate to the metal substrate having the fine grooves exposed at the outermost stage of the multi-stage.
  • the present invention provides a method for producing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, wherein a fine groove is formed on one surface of the plurality of metal substrates and an opening is formed at a predetermined position of the fine groove.
  • the present invention provides a method for manufacturing a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, wherein the plurality of metal substrates have fine grooves on one surface and openings at predetermined positions of the fine grooves.
  • the raw material can be mixed, vaporized, the reformed mixed gas, and the impurities can be removed in the fine grooves supporting the catalyst of the metal substrates stacked in multiple stages. Since high-purity hydrogen gas can be obtained from the outlet, a space-efficient hydrogen production reformer is possible compared to a case where a plurality of microreactors are connected by connecting pipes. In addition, since the metal substrate that constitutes the microreactor has higher thermal conductivity and smaller heat capacity than the silicon substrate or ceramic substrate, heat is transferred from the heating element to the supported catalyst with high efficiency, and the microreactor is started from a stopped state.
  • the present invention provides a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising a metal substrate having a fine groove portion on one surface, a metal cover member having a raw material inlet and a gas outlet. Joined together so as to cover the fine groove portion, a flow path composed of the fine groove portion and the metal cover member located inside the joined body, and an entire inner wall surface of the flow path And a catalyst supported on.
  • the present invention provides a microreactor for obtaining a hydrogen gas by reforming a raw material, wherein a set of fine grooves is provided on one surface and the patterns of the fine grooves are in plane symmetry with each other.
  • a bonded body formed by bonding a metal substrate so that the fine grooves face each other; a flow path formed by the fine grooves facing each other inside the bonded body; and a whole surface of an inner wall surface of the flow path.
  • a configuration was provided in which a supported catalyst, a raw material inlet located at one end of the flow path, and a gas outlet located at the other end of the flow path were provided.
  • the present invention provides a method for manufacturing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: a groove forming step of forming a fine groove on one surface of a metal substrate; Bonding a metal cover member having the following structure to the metal substrate so as to cover the fine groove portion, and forming a bonded body having a flow path; and forming a metal oxide film on an inner wall surface of the flow path.
  • the present invention provides a method for producing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: forming a groove on one surface of a set of metal substrates to form a fine groove in a plane-symmetric pattern.
  • a surface treatment step, and a catalyst supporting step of supporting a catalyst on the inner wall surface of the flow path via the metal oxide film are provided.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: a groove forming step of forming a fine groove on one surface of a metal substrate; A surface treatment step for forming an oxide film, and a metal cover attachment having a material inlet and a gas outlet are joined to the metal substrate so as to cover the fine grooves, thereby forming a joined body having a flow path. And a catalyst supporting step of supporting a catalyst on the inner wall surface of the flow path via the metal oxide film.
  • the present invention provides a method for producing a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising: forming a groove on one surface of a set of metal substrates to form a fine groove in a plane-symmetric pattern.
  • the structure includes a joining step, and a catalyst supporting step of supporting a catalyst on the inner wall surface of the flow path via the metal oxide film.
  • the catalyst is supported on the entire inner wall surface of the flow path, so that the reaction area is enlarged, the reaction efficiency is improved, and the space can be effectively used. Since the metal substrate that constitutes the metal has a higher thermal conductivity and smaller heat capacity than a silicon substrate or ceramic substrate, heat is transferred from the heating element to the supported catalyst with high efficiency, and the startup speed when starting from a stopped state is increased. A high-t ⁇ hydrogen production reformer that is fast and has a high efficiency in using the power input to the heating element is possible.
  • the catalyst is supported after the joined body having the reflow path is formed in the joining step, there is no risk of heat deactivation of the catalyst in the joining step.
  • a microreactor used for different reactions for example, for reforming methanol
  • Each microreactor for carbon oxide oxidation can be manufactured according to the application, and the manufacturing process can be simplified.
  • the formation of microgrooves on the metal substrate does not require micromachining, and can be easily performed by inexpensive processing methods such as etching.
  • a polishing process is not required, thus reducing microreactor manufacturing costs. Becomes possible.
  • the corners are not present on the inner wall surface of the flow channel, the variation in the amount supported in the catalyst supporting step is suppressed, and the catalyst can be uniformly supported.
  • the present invention provides a microreactor for reforming a raw material to obtain hydrogen gas, comprising a flow path therein, one end of the flow path forming an inlet, and the other end forming an inlet.
  • a plurality of unit flow path members forming a discharge port, and a connecting member that holds the unit flow path members in a multi-stage state, at least; a connection part where an inlet of the unit flow path member is located;
  • a plurality of connecting portions for closely contacting and holding the unit flow path member at a position where the discharge port is located, a raw material introduction port, and a gas discharge port; at least one of the unit flow path members is Catalyst in the flow path
  • a desired unit flow path member is a unit microreactor carrying a catalyst in the flow path, so that space is reduced.
  • the utilization efficiency is improved, and a microreactor for hydrogen production having desired performance and characteristics can be obtained by selecting the number of stages of the unit microreactor and the type of catalyst supported on the unit microreactor.
  • each unit channel member removable, only the unit microreactor in which the catalyst has been deactivated or deteriorated can be replaced, and the function of the entire microreactor can be maintained.
  • a unit microreactor supporting a catalyst according to the required function using a unit channel member (conjugate) having the same structure can be incorporated, and the manufacturing and running costs of the microreactor can be reduced.
  • a heating element in a desired unit microreactor, or by interposing a heat insulating gap or a heat insulating material between unit flow path members an optimum temperature can be obtained for each unit microreactor. It is possible to improve efficiency and use heat effectively.
  • FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view of the microreactor shown in FIG. 1 taken along the line 11--11.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a side of the metal substrate of the microreactor shown in FIG. 1 where a fine groove is formed.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 2, showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 5 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 6 is an enlarged longitudinal sectional view of the microreactor shown in FIG. 5 taken along the line II-II.
  • FIG. 7 is an enlarged vertical sectional view taken along the line Ill-Ill of the microreactor shown in FIG.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a state in which the heating element protective layer 7 has been peeled off in the microreactor 1 shown in FIG.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a fine groove portion forming surface side of the first-stage metal substrate of the microreactor shown in FIG.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the side of the second-stage metal substrate of the microreactor shown in FIG. 5 where the fine groove is formed.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 6, showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 13 is an enlarged vertical cross-sectional view taken along line AA of the microreactor shown in FIG. 'FIG. 14 is a perspective view showing the fine groove forming surface side of the metal substrate constituting the microreactor 1 shown in FIG.
  • FIG. 15 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 13 showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 16 is a perspective view showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 17 is an enlarged vertical sectional view of the microreactor shown in FIG. 16 taken along the line BB.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a fine groove portion forming surface side of a metal substrate constituting the microreactor shown in FIG.
  • FIG. 19 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 20 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 21 is an enlarged longitudinal sectional view of the microreactor shown in FIG. 20 taken along the line I-I.
  • FIG. 22 is a perspective view showing a state where constituent members of the microreactor shown in FIG. 20 are separated.
  • FIG. 23 is a perspective view for explaining an example of a channel in a unit channel member constituting the microreactor of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating a surface on which a connecting portion with a connecting portion is formed.
  • FIG. 25 is a sectional view of the connecting member shown in FIG. 24.
  • FIG. 25A is a sectional view taken along the line II-II
  • FIG. 25B is a sectional view taken along the line II-II.
  • FIG. 26 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 21 for explaining another example of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 27 is a longitudinal sectional view showing another example of the unit channel member (unit microreactor) constituting the microreactor of the present invention.
  • FIG. 28 is a process chart showing an example of a method for producing a unit microreactor.
  • FIG. 29 is a process chart showing another example of a method for producing a unit microreactor.
  • FIGS. 30A to 30D are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 31A to FIG. 31C are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 32A to 32D are process diagrams for explaining another embodiment of the method for manufacturing a microreactor of the present invention.
  • FIGS. 33A to 33C are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 34A to FIG. 34D are process diagrams for explaining an embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 35A to 35D are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 36A to FIG. 36D are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 37A to 37D are process diagrams for explaining an embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 38A to FIG. 38D are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 39A to FIG. 39D are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • 4OA to 40D are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 41A to FIG. 41C are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 42A to 42C are process diagrams for explaining one embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 43A to 43C are process diagrams illustrating another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 44A to 44C are process diagrams for explaining another embodiment of the method for manufacturing a microreactor of the present invention.
  • FIGS. 45A to 45C are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 46A to 46C are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 47A to 47C are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIGS. 48A to 48C are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention
  • FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view taken along line II-II of the microreactor shown in FIG.
  • a microreactor 1 of the present invention comprises a metal substrate 2 and a metal substrate 2.
  • a fine groove 3 formed on one surface 2a of the metal substrate 2; an insulating film 4 made of a metal oxide film formed on both sides 2a, 2b and a side surface 2c of the fine groove 3 and the metal substrate 2;
  • a heating element 5 provided on the surface 2 b of the substrate 2 via the insulating film 4, a catalyst C carried in the fine groove 3, and a cover joined to the metal substrate 2 so as to cover the fine groove 3
  • a member 8 is provided.
  • Electrodes 6 and 6 are formed on the heating element 5, and a heating element protection layer 7 having electrode openings 7 a and 7 a so that the electrodes 6 and 6 are exposed is provided so as to cover the heating element 5.
  • the cover (8) has a material inlet (8a) and a gas outlet (8b).
  • FIG. 3 is a perspective view showing the micro-reactor 1 shown in FIG.
  • the fine groove 3 is formed so as to leave the comb-shaped ribs 2A and 2B, and has a shape that is continuous from the end 3a to the end 3b.
  • the raw material inlet 8a of the cover member 8 is located at the end 3a, and the gas outlet 8b is located at the end 3b, so that the raw material inlet 8a is continuously connected to the gas outlet 8b.
  • a flow path is formed.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film 4) by anodic oxidation can be used as the metal substrate 2 constituting the microreactor 1 of the present invention.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film 4) by anodic oxidation
  • examples of such a metal include AI, Si, Ta, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, and Hf.
  • AI is particularly preferably used in terms of workability, properties such as heat capacity and thermal conductivity, and unit price.
  • the thickness of the metal substrate 2 can be appropriately set in consideration of the size of the microreactor 1, the properties of the metal used, such as heat capacity and thermal conductivity, and the size of the fine groove 3 to be formed. , 50 to 200 ⁇ ⁇ ⁇ 6 m.
  • the formation of a metal oxide film (insulating film 4) by anodic oxidation on such a metal substrate 2 is performed by immersing the metal substrate 2 in an anodizing solution, facing the cathode, and conducting electricity while the metal substrate 2 is connected to the anode of the external electrode. It can be done by doing.
  • the thickness of the metal oxide film (insulating film 4) can be set, for example, in a range of about 5 to 150 m.
  • the shape of the fine grooves 3 formed in the metal substrate 2 is not limited to the shape shown in FIG. 3, but the amount of the catalyst C supported in the fine grooves 3 is large, and the raw material is the catalyst. Any shape can be used so that the length of the flow path in contact with C becomes long.
  • Normally fine groove 3 Can be set within the range of about 100 to 100 m
  • the width can be set within the range of about 100 to 100 Atm
  • the flow path length can be set to 30 to 30
  • the range can be about O mm.
  • the insulating film 4 made of a metal oxide film is also formed inside the fine groove portion 3, the carrying amount of the catalyst C is increased and the stability is increased due to the surface structure of the metal oxide film having the fine pores.
  • the supported catalyst can be supported.
  • the catalyst C a known catalyst conventionally used for steam reforming can be used.
  • the heating element 5 constituting the microreactor 1 of the present invention is for supplying heat required for water vapor reforming of a raw material which is an endothermic reaction, and includes carbon paste, nichrome (Ni-Cr alloy). ), W (tungsten), Mo (molybdenum), and other materials can be used.
  • the heating element 5 has, for example, a thin wire having a width of about 10 to 20 Om drawn around the entire area of the metal substrate surface 2 b (insulating film 4) corresponding to the area where the fine groove 3 is formed. Such a shape can be adopted.
  • the heating element 5 is provided with electrodes 6 for conducting electricity.
  • the current-carrying electrodes 6, 6 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, and Pd-Ag.
  • the heating element protection layer 7 has electrode openings 7 a and 7 b for exposing the electrodes 6 and 6, and is provided so as to cover the heating element 5.
  • the heating element protection layer 7 can be formed of, for example, photosensitive polyimide, varnish-like polyimide, or the like.
  • the thickness of the heating element protection layer 7 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 2 to 25 tm.
  • the cover member 8 constituting the microreactor 1 of the present invention an AI alloy, a Cu alloy, a stainless steel material or the like can be used. Further, the thickness of the cover member 8 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 20 to 200 Atm.
  • the raw material inlet 8 a and the gas outlet 8 b provided in the cover 8 are provided so as to be located at both ends 3 a and 3 b of the flow path of the fine groove 3 formed in the metal substrate 2.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 2, showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • the microreactor 1 ′ of the present invention is composed of a metal substrate 2 ′ and this gold Fine groove 3 formed on one surface 2 ′ a of metal substrate 2 ′, insulating film 4 ′ formed on other surface 2 ′ b of metal substrate 2 ′, and surface 2 ′ b of metal substrate 2 ′
  • a heating element 5 provided thereon with an insulating film 4 ′ interposed therebetween, a catalyst C carried in the fine groove 3, and a cover member 8 joined to the metal substrate 2 ′ so as to cover the fine groove 3
  • Electrodes 6 and 6 are formed on the heating element 5, and a heating element protection layer 7 having electrode openings 7 a and 7 a for exposing the electrodes 6 and 6 is formed so as to cover the heating element 5.
  • the cover member 8 is provided with a raw material inlet 8a and a gas outlet 8b.
  • microreactor 1 ′ is different from the above-described microreactor 1 ′ except that the metal member 2 ′ and the insulating layer 4 ′ are different and that the metal oxide film (the insulating layer 4) is not formed in the fine groove 3. It is the same as microreactor 1, and the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the metal substrate 2 ′ constituting the microreactor 1 ′ of the present invention any one of an AI substrate, a CU substrate, a stainless steel substrate and the like can be used.
  • the thickness of the metal substrate 2 ′ can be appropriately set in consideration of the size of the microreactor 1 ′, the heat capacity of the metal used, characteristics such as thermal conductivity, the size of the fine groove 3 to be formed, and the like. However, for example, it can be set in a range of about 50 to 2000.
  • An insulating film formed on the b 'face 2' of the metal substrate 2 4 ' may be polyimide, and those formed with Ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like.
  • the thickness of the insulating film 4 ' can be appropriately set in consideration of the characteristics of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 1 to 30 Atm.
  • microreactors 1, 1 'of the present invention as described above use metal substrates 2, 2', which have higher thermal conductivity and lower heat capacity than silicon substrates and ceramic substrates. Heat is transferred to the supported catalyst C from 5 with high efficiency, and a reformer for hydrogen production that has a fast start-up when the engine is started from a stopped state and has a high efficiency of using the power supplied to the heating element can be realized.
  • FIG. 5 is a perspective view showing one embodiment of the microreactor of the present invention
  • FIG. 6 is an enlarged vertical sectional view taken along line II-II of the microreactor shown in FIG. 5
  • FIG. FIG. 2 is an enlarged vertical sectional view taken along line 1 1 1—1 1 1 of the microreactor. 5 to 7,
  • the microreactor 11 of the present invention has a two-stage structure in which a metal substrate 12 and a metal substrate 22 are joined.
  • the first-stage metal substrate 12 includes a fine groove portion 3 formed on one surface 12 a, a through hole 19 having an opening at a predetermined position of the fine groove portion 13, and a through hole 19 inside the through hole 19.
  • a heating element 15 provided via the film 14 and a catalyst C 1 supported in the fine groove 3 are provided. Electrodes 16 and 16 are formed in the heating element 15, and the electrode openings 17 a and 17 a for exposing the electrodes 16 and 16 are formed with the through holes 19.
  • a heating element protection layer 17 having an opening 17 b that exposes the opening is provided so as to cover the heating element 15.
  • the second-stage metal substrate 22 has a fine groove 23 formed on one surface 22 a, a through hole 29 having an opening at a predetermined position of the fine groove 23, and a through hole 29.
  • Insulating film 24 made of a metal oxide film formed inside and on side surface 22 c of metal substrate 22, Catalyst C 2 carried in fine groove 23, and fine groove 23
  • a cover member 28 joined to the surface 22 a so as to cover the surface.
  • the cover member 28 is provided with a gas outlet 28a.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a state in which the heating element protective layer 17 is separated from the microreactor 11 shown in FIG. As shown in FIG. 8, the heating element 15 is provided on the surface 12 b of the metal substrate 12 via the insulating layer 14. The opening 11b of the heating element protection layer 17 serves as a raw material introduction port. Note that a heating element 15 may be provided so as to surround the through hole 19.
  • FIG. 9 is a perspective view showing the surface of the first-stage metal substrate 12 of the microreactor 11 shown in FIG. 5 on which the fine grooves 13 are formed.
  • the fine groove portion 13 is formed so as to leave the comb-shaped ribs 12A and 12B, and has a shape extending from the end portion 13a to the end portion 13b.
  • the opening of the through hole 19 is exposed at the end 3 a of the fine groove 13.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the surface of the second-stage metal substrate 22 constituting the microreactor shown in FIG. 5 on which the fine grooves 23 are formed. As shown in FIG. 10, the microgrooves 23 are formed so as to leave the comb-shaped ribs 22 A and 22 B. 6
  • the shape is continuous up to 23 b.
  • the opening 23 of the through hole 29 is exposed at the end 23 a of the fine groove 23, and the other opening of the through hole 29 is formed in the two-stage laminated structure. Is located at the end 13 b of the fine groove 13.
  • the gas outlet 28 a of the cover member 28 is located at the end 23 of the fine groove 23.
  • the opening 17 b of the heating element protective layer 17, which is the raw material introduction port passes through the through hole 19 of the first-stage metal substrate 12.
  • microgroove 13 From part 13a, it flows through microgroove 13 and from end 13b, it flows through microgroove 23 from end 23a through through hole 29 of second-stage metal substrate 22.End A continuous flow path is formed from 23 b through the gas outlet 28 a to the outside.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film ⁇ 4, 24) by anodic oxidation can be used.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film ⁇ 4, 24) by anodic oxidation.
  • a metal include Al, Si, Ta, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, and Hf.
  • AI is particularly preferably used in view of workability, properties such as heat capacity and thermal conductivity, and unit price.
  • the thickness of the metal substrates 12 and 22 should be determined in consideration of the size of the microreactor 1 mm, the heat capacity and thermal conductivity of the metal used, and the size of the micro-grooves 13 and 23 to be formed.
  • a metal oxide film (insulating films 14, 24) on the metal substrates 12, 22 by anodic oxidation is performed by connecting the metal substrates 12, 22 to the anode of the external electrode. It can be carried out by immersing in an oxidizing solution, facing the cathode, and applying a current.
  • the thickness of the metal oxide film (insulating films 14 and 24) can be set, for example, in a range of about 5 to about 50 tm.
  • the fine grooves 13 and 23 formed on the metal substrates 12 and 22 are not limited to the shapes shown in FIGS. 9 and 10, but are carried in the fine grooves 13 and 23.
  • the catalyst C1 and C2 can be formed in any shape so that the amount of the catalysts C1 and C2 increases and the length of the flow path where the raw material contacts the catalysts C1 and C2 increases.
  • the depth of the fine grooves 13 and 23 can be set in the range of about 50 to 100 m, and the width can be set in the range of about 50 to 100 ⁇ m.
  • the length can range from about 30 to 40 Omm.
  • the insulating films 14 and 24 made of a metal oxide film are also provided inside the fine grooves 13 and 23. Since it is formed, the carrying amount of the catalysts C 1 and C 2 is increased and the stable carrying of the catalyst becomes possible due to the surface structure of the metal oxide film having the fine pores.
  • the catalysts C1 and C2 known catalysts conventionally used for steam reforming can be used.
  • the raw materials are mixed, the mixed raw materials are vaporized, and the mixed gas is reformed.
  • the holes 2 3 an impurity removal from the reforming gas, the catalyst C 1 as C u - Z n O / AI 2 0 3 , etc., the use of P t / AI 2 0 3 or the like as a catalyst C 2 it can.
  • the heating element 15 constituting the microreactor 11 of the present invention is for supplying heat required for steam reforming of a raw material which is an endothermic reaction, and is composed of carbon paste, nichrome (Ni—Cr alloy).
  • the heating element 15 is formed, for example, by forming a thin line having a width of about 10 to 20 Om on a metal substrate surface 12 b (insulating film 14) corresponding to a region where the fine groove portion 3 is formed. The entire surface can be formed so as to be routed so as not to block the through hole 19.
  • the heating element is provided on only one metal substrate as in the present embodiment, it is preferable to provide the heating element on a metal substrate that reforms the mixed gas.
  • Electrodes 16 and 16 for energization are formed on such a heating element 15.
  • the current-carrying electrodes 16 and 16 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, and Pd-Ag.
  • the heating element protective layer 17 has an electrode opening 17a for exposing the electrodes 16 and 16 and an opening 17 for exposing the opening of the through hole 19. b, and are disposed so as to cover the heating element 15.
  • the heating element protective layer 17 can be formed of, for example, photosensitive polyimide, varnish-like polyimide, or the like.
  • the thickness of the heating element protective layer 17 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 2 to 25 m.
  • an AI alloy, a Cu alloy, a stainless steel material or the like can be used for the cover member 28 constituting the microreactor 11 of the present invention.
  • the thickness of the cover member 28 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 20 to 400 tm.
  • the gas outlet 28 a of the cover member 28 is provided so as to be located at the end 23 b of the flow path of the fine groove 23 formed in the metal substrate 22. You.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 6, showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • the microreactor 11 1 ′ of the present invention has a two-stage structure in which a metal substrate 12 ′ and a metal substrate 22 ′ are joined, and the first-stage metal substrate 12 ′ has one surface.
  • Electrodes 16 and 16 are formed on the heating element 15, and the electrode openings 17 a and 17 a that expose the electrodes 16 and 16, and the openings of the through holes 19 described above.
  • a heating element protection layer 17 having an opening 17 b (not shown) through which the heating element is exposed is provided so as to cover the heating element 15.
  • the second-stage metal substrate 22 ′ has a fine groove 23 formed on one surface 22 ′ a, a through hole 29 (not shown) having an opening at a predetermined position of the fine groove 23, and a fine groove 23. 23, a catalyst C2 carried in the inside 23, and a cover member 28 joined to the surface 22'a so as to cover the fine groove 23.
  • the cover member 28 is provided with a gas outlet 28a.
  • Such a microreactor 1 1 ′ is different in that the metal members 12 ′ and 22 ′ and the insulating layers 14 ′ and 24 ′ are different from each other, and that the micro grooves 13, 23 and the through holes 19 and 29 have metal. It is the same as the above-described microreactor 11 except that the oxidizing film (the insulating layers 14 and 24) is not formed.
  • the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the metal substrates 12 'and 22' constituting the microreactor 11 'of the present invention any of an AI substrate, a Cu substrate, a stainless steel substrate and the like can be used.
  • the thickness of the metal substrates 12 'and 22' is determined in consideration of the size of the microreactor 11 ', the heat capacity and thermal conductivity of the metal used, and the size of the fine groove 13 to be formed. Can be set as appropriate, for example, it can be set within a range of about 50 to 200 m.
  • 'Surface 1 2 of' insulating film 1 4 formed in b metal substrate 1 2 ' for example, may be polyimide, and those formed by ceramics (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like .
  • the thickness of the insulating film 14 ' can be appropriately set in consideration of the characteristics of the material used and the like, and can be set, for example, in a range of about 1 to 30 m.
  • the microreactor 11, 11 ′ of the present invention as described above has fine grooves 13, 13, which carry the catalysts of the metal substrates 12, 22 and 12 ′, 22 ′ stacked in two stages.
  • step 2 a series of operations such as mixing of raw materials, vaporization, reforming of mixed gas, and removal of impurities can be performed, and high-purity hydrogen gas can be obtained from the gas outlet 28a of the cover material 28. Can be. For this reason, space efficiency is greatly improved as compared with a case where a plurality of microreactors are connected by a connection pipe.
  • metal substrates 12, 12 ′, 22, and 22 ′ are used. These have higher thermal conductivity and lower heat capacity than silicon substrates or ceramic substrates, so that the heating elements 15 Heat is transferred to the supported catalysts C 1 and C 2 with high efficiency, enabling a reformer for hydrogen production that has a fast start-up when starting from a stopped state and that has high efficiency in using the power input to the heating element. .
  • the microreactor may have a multi-stage structure of three or more stages.
  • the heating element is provided at least on a metal substrate that reforms the mixed gas.
  • FIG. 12 is a perspective view showing an embodiment of the microreactor of the present invention
  • FIG. 13 is an enlarged longitudinal sectional view taken along line AA of the microreactor shown in FIG.
  • the microreactor 101 of the present invention covers the metal substrate 102 in which the fine groove portion 103 is formed on one surface 102 a and the fine groove portion 103.
  • the joined body 115 composed of a metal cover member 104 joined to the surface 102 a of the metal substrate 102.
  • a flow passage 105 composed of a fine groove portion 103 and a metal cover member 104 is formed, and the entire inner wall surface of the flow passage 105 is formed.
  • the catalyst C is supported on the substrate via a metal oxide film 106.
  • the metal cover member 104 is provided with a raw material inlet 104 a and a gas outlet 104 b, which are located at each end of the flow path 105.
  • the metal oxide film 106 is an insulating film.
  • a heating element 107 is provided via a metal oxide film ⁇ 06 on the surface 102 b of the metal substrate 102, and the heating element 107 has electrodes 108, 108.
  • the heating element protection layer 109 having the electrode openings 109 a and 109 a so that the electrodes 108 and 108 are exposed is formed by the heating element 10. 7 is provided to cover.
  • FIG. 14 is a perspective view showing the surface of the metal substrate 102 of the microreactor 101 shown in FIG. 12 where the fine groove portion 103 is formed.
  • the fine groove portion 103 is formed so as to be folded back 180 degrees at each end of the comb-shaped ribs 102A and 102B, and from the end portion 103a.
  • the shape is meandering while meandering to the end 103 b.
  • the shape of the inner wall surface of the fine groove portion 03 in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the flow path 105 is substantially semicircular.
  • the turn-back of the flow path at each end of the comb-shaped ribs 102A and 102B has a rounded shape without corners.
  • the raw material inlet 104 a of the metal cover member 104 is located at the end 103 a of the fine groove 103, and the gas outlet 104 b is located at the end 1 of the fine groove 103. It is configured to be located at 0 3 b.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 106 by anodizing can be used as the metal substrate 102 constituting the microreactor 101.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 106 by anodizing
  • examples of such a metal include Al, Si, Ta, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, and Hf.
  • AI is particularly preferably used in terms of workability, properties such as heat capacity and thermal conductivity, and unit price.
  • the thickness of the metal substrate 102 is appropriately set in consideration of the size of the micro-mouth reactor 100 mm, the heat capacity and thermal conductivity of the metal to be used, the size of the fine groove portion 103 to be formed, and the like. For example, it can be set within a range of about 50 to 2000 m.
  • the fine groove portion 103 formed on the metal substrate 102 is not limited to the shape shown in FIG. 14, but the amount of the catalyst C carried in the fine groove portion 103 is large. And any shape can be used such that the length of the flow path where the raw material contacts the catalyst C is increased. In particular, there are no fine corners on the inner wall surface along the flow direction of the fluid in the flow path 105 (for example, where the direction of the flow path changes and the inner wall surface is bent).
  • the shape of the groove portion 03 is preferable.
  • the shape of the inner wall surface of the fine groove portion 103 in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the flow path 105 is preferably an arc shape, a semicircle shape, or a U-shape.
  • the depth of such a fine groove portion 103 can be set, for example, in the range of about 100 to 1 ⁇ ⁇ ⁇ , and the width can be set in the range of about 100 to 100,000 im.
  • the flow path length can be in a range of about 30 to 300 mm.
  • the metal oxide film 106 is formed on the inner wall surface of the flow path 105, Due to the surface structure of the metal oxide film having micropores, the amount of supported catalyst C increases, and the catalyst can be stably supported.
  • the catalyst C a known catalyst conventionally used for steam reforming can be used.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 106 by anodic oxidation can be used as the metal cover member 104 constituting the microreactor 101.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 106 by anodic oxidation
  • examples of such a metal include Al, Si, Ta, Nb, V, Bi, Y, W, Mo, Zr, and Hf.
  • AI is particularly preferably used in terms of workability, properties such as heat capacity and thermal conductivity, and unit price.
  • the thickness of the metal cover member 104 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 20 to 200 m.
  • the material inlet port 104a and the gas outlet port 104b of the metal cover member 104 are connected to the fine groove 1 formed in the metal substrate 102.
  • a metal oxide film (insulating film) 106 by anodizing on the joined body 115 formed by joining the metal substrate 102 and the metal cover member 104 is performed by connecting the joined body 115 to the external electrode. It can be done by immersing in an anodic oxidation solution, facing the cathode, and supplying electricity while connected to the anode.
  • the thickness of the metal oxide film (insulating film) 106 can be set, for example, in a range of about 5 to 150 Atm.
  • the heating element 107 constituting the microreactor 101 is for supplying heat necessary for water vapor reforming of the raw material, which is a P reaction and a thermal reaction, and includes carbon paste, nichrome (N
  • the heating element 107 is formed, for example, by forming a thin line having a width of about 10 to 20 ⁇ on an area on the metal substrate surface 102 b (metal oxide film 106) corresponding to an area where the fine groove portion 103 is formed. It can be shaped like a bow I around the entire surface.
  • Such a heating element 107 is provided with electrodes 108 and ⁇ 08 for energization.
  • the conductive electrodes 108 and 108 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, or Pd-Ag.
  • the heating element protection layer 109 has electrode openings 109 a and 109 a for exposing the electrodes 108 and 108, and is provided so as to cover the heating element 107.
  • the protective layer 109 can be formed of, for example, photosensitive polyimide, varnish-like polyimide, or the like.
  • the thickness of the heating element protective layer 109 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, but can be set, for example, in a range of about 2 to 25 Atm.
  • FIG. 15 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 13 showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • the microreactor 12 1 of the present invention includes a metal substrate 122 having a fine groove portion 123 formed on one surface 122 a, and a metal substrate covering the fine groove portion 123.
  • a joined body 135 comprising a metal cover member 124 joined to the surface 122a of the substrate 122.
  • a flow channel 125 composed of a fine groove portion 123 and a metal cover member 124, and an inner wall surface of the flow channel 125 is formed.
  • Catalyst C is supported on the entire surface via a metal oxide film 126.
  • the metal cover member 124 is provided with a raw material introduction port 124a and a gas discharge port 124b, which are located at each end of the flow path 125. Further, an insulating film 130 is formed on the surface of the joined body 135 (the surface 122 b of the metal substrate 122), and a heating element 127 is provided on the insulating film 130. Have been.
  • the heating element 1 27 has electrodes 128 and 128 formed therein, and a heating element having electrode openings 122 a and 127 a such that the electrodes 128 and 128 are exposed.
  • a protective layer 129 is provided so as to cover the heating element 127.
  • the metal substrate 122 constituting such a microreactor 122 should be made of a material such as Cu, stainless steel, Fe, AI, etc., which can form a metal oxide film by a bomite treatment. Can be.
  • the thickness of the metal substrate 122 is appropriately determined in consideration of the size of the microreactor 122, the heat capacity of the metal used, characteristics such as thermal conductivity, and the size of the fine groove portion 123 to be formed. Although it can be set, for example, it can be set within a range of about 50 to 200 m.
  • the fine groove portions 123 of the metal substrate 122 can be the same as the fine groove portions 103 of the above embodiment.
  • the metal cover member 124 constituting the microreactor 122 can be made of a material such as Cu, stainless steel, Fe, or AI that can form a metal oxide film by boehmite treatment.
  • the thickness of the metal cover member 124 is appropriately set in consideration of the material to be used. For example, it can be set in a range of about 20 to 200 tm.
  • the raw material inlet 1 2 4 a and the gas outlet 1 2 4 b of the metal cover member 1 2 4 are provided so as to be located at both ends of the fine groove 1 2 3 formed in the metal substrate 1 2 2. Has been.
  • the formation of the metal oxide film 126 on the flow path 125 of the bonded body 135 formed by bonding the metal substrate 122 and the metal cover member 124 is performed by, for example, alumina sol.
  • a suspension in which boehmite alumina is dispersed as described above a suspension whose viscosity has been sufficiently reduced is poured into a channel 125, and then dried to form a boehmite coating. It can be performed by immobilizing it on the inner surface of the flow path (push coat treatment).
  • the metal oxide film 126 formed by such a boehmite treatment is an aluminum oxide thin film, and the thickness can be set, for example, in a range of about 0.5 to 5.0 m. .
  • the thickness of the insulating film 130 can be appropriately set in consideration of the characteristics of the material to be used and the like, and can be set, for example, in a range of about 1 to 30 Atm.
  • the catalyst C, the heating element 1 27, the electrodes 1, 1, 2 8, and the heating element protection layer 1, which constitute the microreactor 121, respectively, comprise the catalyst C, the heating element 1 which constitutes the microreactor 101 07, the electrodes 108, 108, and the heating element protective layer 109, and the description is omitted here.
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surface of the flow channels 105 and 125, so that the reaction area is enlarged, and the high reaction Efficiency is obtained.
  • metal substrates 102 and 122 and metal cover members 104 and 124 are used. These have higher thermal conductivity and smaller heat capacity than silicon substrates and ceramic substrates. Heat is transferred from the heating elements 107 and 127 to the supported catalyst C with high efficiency, and the start-up from the stopped state is fast, and hydrogen is used with high efficiency in using the power input to the heating elements. Reformer becomes possible.
  • FIG. 16 is a perspective view showing another embodiment of the microreactor of the present invention
  • FIG. 17 is an enlarged longitudinal sectional view taken along line BB of the microreactor shown in FIG. Figure
  • the microreactor 14 1 of the present invention has a metal substrate 14 2 having a fine groove portion 14 3 formed on one surface 14 2 a, and a metal substrate 14 2 formed on one surface 14 4 a.
  • the metal substrate 144 on which the fine grooves 145 are formed has a joined body 155 joined such that the fine grooves 143 and the fine grooves 145 face each other. Inside the joined body 155, a flow path 146 composed of opposing fine grooves 143, 145 is formed, and the entire inner wall surface of the flow path 146 is formed.
  • the catalyst C is supported via the metal oxide film 147. Also, at one end face of the above-mentioned joined body 155, both ends of the flow path 146 are exposed, and constitute a material introduction port 146a and a gas discharge port 146b, respectively. ing.
  • the above-mentioned metal oxide film 144 is an insulating film. In addition to the inner wall surface of the flow path 146, the surface of the joined body 155 (the surface 144 of the metal substrate 144, the side 142, the side surface 142) c, and also on the surface 144b, side surface 144c) of the metal substrate 144.
  • a heating element 148 is provided via a metal oxide film 144 on the surface 144b of the metal substrate 144, and the heating element 148 has electrodes 144, 149
  • the heating element protection layer 150 having the electrode openings 150 a and 150 a so that the electrodes 144 and 149 are exposed is formed so as to cover the heating element 148.
  • FIG. 18 shows the micro-reactor 14 1 shown in FIG. 16 in which the fine groove portion 14 4 3 forming surface side of the metal substrate 14 2 and the metal substrate 14 4 forming fine groove portion 1 45 FIG.
  • the fine groove portion 144 is formed so as to be folded back 180 degrees at each end of the comb-shaped ribs 144 A and 142 B, and from the end 144 a.
  • the micro-grooves 1 4 5 are also formed so as to be folded 180 degrees at the tips of the comb-shaped ribs 1 4 4 A and 1 4 4 B, from the end 1 4 5 a to the end 1 4 5 b. It has a meandering and continuous shape.
  • the fine groove portions 144 and the fine groove portions 15 have a pattern shape that is symmetrical with respect to the joining surface of the metal substrates 142 and 144.
  • the end 1 4 3 a of the fine groove 1 4 3 is positioned on the end 1 4 5 a of the fine groove 1 4 5, and the fine groove 1 4 3 Is located on the end portion 144b of the fine groove portion 144, and the fine groove portion ⁇ 43 and the fine groove portion 145 are completely opposed to each other.
  • the flow path 1 46 composed of such fine groove portions 144 and 145 has a substantially circular inner wall surface in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid. Furthermore, the turn-back of the flow path 144 at each end of the comb-shaped ribs 144 A, 144 2 ribs 144, 144 B should be rounded without corners. Has become.
  • the end 1 of the fine groove 1 4 3 4 3a and the end of the fine groove 1 4 5 1 4 5a form the material inlet 1 4 6a
  • the end of the fine groove 1 4 3 1 4 3b and the end of the fine groove 1 4 5 1 4 5b is the gas outlet 1 4 6b.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 144 by anodic oxidation can be used for the metal substrates 144 and 144 constituting the microreactor 144.
  • a metal similar to the metal substrate 102 of the above-described embodiment can be used.
  • the thickness of the metal substrates 142, 144 is determined by the size of the microreactor 141, the heat capacity and thermal conductivity of the metal used, and the size of the microgrooves 144, 145 to be formed. It can be set as appropriate in consideration of the size and the like. For example, it can be set in the range of about 400 to 100.
  • the fine grooves 144, 145 formed in the metal substrates 144, 144 are not limited to the shapes shown in FIG. Any shape can be adopted so that the amount of the catalyst C supported in 5 becomes large and the length of the flow path where the raw material contacts the catalyst C becomes long. In particular, there are no corners on the inner wall surface along the flow direction of the fluid in the flow path 146 (for example, a part where the direction of the flow path changes and the inner wall surface is bent).
  • the shapes of the grooves 144 and 145 are preferable.
  • the shape of the inner wall surface of the fine groove portions 144 and 145 in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid is preferably an arc shape, a semicircular shape, or a U-shape.
  • the inner wall surface in the cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the flow path 146 is composed of a substantially circular shape.
  • the depth of the fine groove portions 144 and 145 is set in a range of about 100 to 100 Atm, and the width is set in a range of about 100 to 100 Atm.
  • the flow path length can be in the range of about 30 to 30 Omm.
  • the metal oxide film 147 is formed on the inner wall surface of the flow path 146, the carrying amount of the catalyst C is increased due to the surface structure of the metal oxide film having micropores. However, stable catalyst loading becomes possible.
  • the catalyst C a known catalyst conventionally used for steam reforming can be used.
  • the formation of the metal oxide film (insulating film) 147 by anodizing the metal substrate 144 2, which is formed by bonding the metal substrates 144 2, 144, to the bonded body 1 55 is performed by connecting the bonded body 1 55 to an external electrode. With the anode connected to It can be carried out by immersing in an anodic oxidation solution, facing the cathode, and energizing.
  • the thickness of the metal oxide film (insulating film) 147 can be set, for example, in a range of 5 to 50 m.
  • the catalyst C, the heating element 148, the electrodes 149, 149, and the heating element protective layer 150 constituting the microreactor 141 are respectively composed of the catalyst C and the heating element 1 constituting the microreactor 101. 07, the electrodes 108, 108, and the heating element protective layer 109, and the description is omitted here.
  • FIG. 19 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the microreactor of the present invention.
  • the microreactor 16 1 of the present invention includes a metal substrate 16 2 having a fine groove 16 3 formed on one surface 16 2 a and a fine groove 1
  • the metal substrate 164 on which the substrate 65 is formed has a joined body 175 in which the microgrooves 163 and the microgrooves 1665 are joined to face each other.
  • a flow path 166 composed of opposing microgrooves 163 and 165 is formed inside the joined body 175, and is formed on the entire inner wall surface of the flow path 166.
  • the catalyst C is supported via the metal oxide film 167. Also, at one end face of the above-mentioned joined body 1755, both ends of the flow path 1666 are exposed, and a raw material introduction port (not shown) and a gas discharge port (not shown) respectively. Is composed.
  • an insulating film 17 1 is formed on the surface of the bonded body 17 5 (the surface 16 2 b of the metal substrate 16 2), and a heating element 16 8 is formed on the insulating film 17 1. Is provided. Electrodes 169 and 169 are formed in the heating element 168, and the electrode openings 1 so that the electrodes 169 and 169 are exposed.
  • a heating element protection layer 170 having 70 a and 170 a is provided so as to cover the heating element 168.
  • the metal substrates 16 2 and 16 4 that constitute such a microreactor 16 use materials such as Cu, stainless steel, Fe, and AI that can form a metal oxide film by boehmite treatment. Can be.
  • the thickness of the metal substrates 16 2 and 16 4 depends on the size of the micro-reactor 16 1, the heat capacity and thermal conductivity of the metal used, and the size of the fine grooves 16 3 and 16 5 to be formed. Although it can be set as appropriate in consideration of the size and the like, for example, it can be set in a range of about 400 to 100 tm.
  • the fine grooves 16 3 and 16 5 of the metal substrates 16 2 and 16 4 correspond to the third embodiment described above. It can be the same as the fine groove portions 144, 145 of the state.
  • the formation of the metal oxide film 167 by the base metal treatment on the flow path 166 of the bonded body 175 formed by bonding the metal substrates 162 and 164 is performed in the second embodiment described above. This can be performed in the same manner as the boehmite treatment for the joined body 135.
  • the metal oxide film 167 formed by the boehmite treatment is an aluminum oxide thin film, and the thickness can be set, for example, in a range of about 0.5 to 5.0 ULm.
  • the insulating film 17 1 formed on the surface 16 2 b of the metal substrate 16 2 can be the same as the insulating film 130 of the above-described second embodiment.
  • the catalyst C, the heating element 168, the electrodes 169, 169, and the heating element protection layer 170, which constitute the microreactor 161 are respectively the microreactor of the first embodiment described above.
  • the structure can be the same as that of the catalyst C, the heating element 107, the electrodes 108, 108, and the heating element protective layer 109, which constitute 101, and the description is omitted here.
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surfaces of the flow channels 1 46 and 16 6, whereby the reaction area is enlarged, and high reaction efficiency is obtained. Rate is obtained.
  • metal substrates 142, 144 and metal substrates 162, 164 are used. These have higher thermal conductivity and smaller heat capacity than silicon substrates and ceramic substrates. Heat is transferred from the heating elements 148 and 168 to the supported catalyst C with high efficiency, and the hydrogen is produced quickly when starting from a stopped state and with high efficiency in using the power input to the heating elements. Reformer becomes possible.
  • the above-described embodiment of the microreactor is merely an example.
  • the positions of the raw material introduction port and the gas discharge port can be arbitrarily set by changing the shape of the fine groove.
  • FIG. 20 is a perspective view showing an embodiment of the microreactor of the present invention.
  • FIG. 21 is an enlarged longitudinal sectional view taken along the line I-I of the microreactor shown in FIG.
  • FIG. 20 is a perspective view showing a state where constituent members of the microreactor shown in FIG. 20 are separated from each other.
  • the microreactor 201 of the present invention has three unit flow path members 202 a, 202 b, and 202 c in a three-stage multi-stage state. It is connected and held by 204 and the fixing member 206.
  • each unit flow path member 200 a, 200 A gap 207 is provided between b and 202c.
  • the unit flow path members 202a, 202b, and 202c have a flow path therein, and one end of the flow path forms an inlet, and the other end forms a discharge port. Things. And three unit flow path members 202 a, 202 b, and 202. Among them, the unit channel members 202b and 202c are unit microreactors that carry a catalyst in the channel. That is, as shown in FIG.
  • each unit flow path member 202 a, 202 b, and 202 c is composed of a metal substrate 211 on which a fine groove portion 212 is formed and a fine
  • the metal substrate 2 13 on which the grooves 2 14 are formed is joined so that the fine grooves 2 12 and the fine grooves 2 14 face each other, and a metal oxide film (insulating layer) 2 16 is formed around the metal substrate.
  • It has the joined body 210 formed. Inside the joined body 210, it is constituted by opposing fine groove portions 212 and 214; »215 is formed.
  • catalysts C 1 and C 2 are respectively provided on the entire inner wall surface of the channel 215 via the metal oxide film 216. It is carried.
  • the inner wall surface of the flow path 215 in the joined body 210 has metal oxide. Although it has the film 2 16, it may not have this metal oxide film 2 6.
  • FIG. 23 is a perspective view for explaining the state of the flow path 215 taking the unit flow path member 202 a as an example.
  • the flow path 2 15 has a shape that is meandering from an end located at the protrusion 2 10 a to an end located at the protrusion 2 10 b.
  • the end of the flow path 2 15 located at the protruding portion 210 a forms the inlet port 203 a
  • the end of the flow path 2 15 located at the protruding portion 210 b corresponds to the discharge port. 2 0 3b.
  • the end of the flow path 2 15 located at the protruding portion 210 a is the inlet 2. 0 3a
  • the end of the channel 2 15 located at the protruding portion 210 b forms an outlet 203 b.
  • the end of the flow path 215 located at the protruding part 210 a forms an outlet 203 b and the protruding part 210 b
  • the end of the flow channel 2 15 located at the end forms an inlet 203 a. Therefore, from the first-stage unit flow path member to the third-stage unit flow path member (unit microphone port reactor), the inlet 210 a and the outlet 200 b on the protruding part 210 a side ,
  • the inlets 203a are arranged in this order, and on the side of the protrusion 210b, the outlets 203b, the inlets 203a, and the outlets 203b are arranged in this order.
  • a heating element 217 is provided on one surface of the joined body 210 constituting each unit flow path member 202a, 202b, 202c, and the heating element 217 has electrodes 218, 21
  • the heating element protection layer 219 is provided so as to cover the heating element 217 so that a part of the electrodes 218 and 218 is exposed.
  • FIG. 22 shows a state in which the heat generator protection layer 219 of the unit flow path member 202a is separated.
  • the heating element 217 and the electrodes 218, 218 are also provided in the unit flow path member 202a which is not the unit microreactor, but only in the unit flow path member which is the unit microreactor.
  • a heating element 217 and electrodes 218 and 218 may be provided.
  • the connecting member 204 holds the unit flow path members 202a, 202b, and 202c in a multi-stage state, and has a shape such that the block bodies 221a and 221b sandwich the block body 221c. 221.
  • 24 is a diagram showing a surface of the connecting member 204 on which the connecting portion is formed.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of the connecting member shown in FIG. 24.
  • FIG. 25A is a cross-sectional view taken along line II-II.
  • FIG. 25B is a cross-sectional view taken along line III-III. As shown in FIGS.
  • the unit flow path members 202a, 202b and 202c are provided with an inlet 203a and an outlet 203b.
  • a plurality of connecting portions 222 are provided for closely holding the protruding portions 210 a and 210 b of the located joined body 210.
  • a raw material inlet 223 is provided on the opposite side of the block body 221a, and a gas outlet 224 is provided on the opposite side of the block body 221b.
  • connection part 222 provided in the block body 221a is composed of a pair of an introduction connection part 222a connected to the raw material introduction port 223 and the internal flow path 226 and a connection part 222 connected to each other through the internal communication path 225a. It consists of a step transition connecting part 222d and 222e, which are arranged in a line.
  • connection part 222 provided in the block body 221 b includes a pair of step transition connection parts 222 b and 222 c interconnected by an internal communication passage 225 b, a gas discharge inlet 224 and an internal flow passage.
  • a discharge connection part 222 f connected by a road 227 is arranged in a line.
  • each unit flow path member 202a, 202b, 202c A packing 228 is provided for keeping the protruding portions 210 a and 210 b of the joined body 210 forming an airtight and liquid tight state.
  • the dimensions of each connector 222 are appropriately set according to the shapes of the protruding portions 210a and 210b of the unit channel member to be connected and held.
  • the above-mentioned connecting member 204 is tightly held by inserting the protruding portions 210 a and 210 b of the first-stage unit flow channel member 202 a into the introduction connecting portion 222 a and the step transition connecting portion 222 b, respectively. Then, insert the protruding part 210 b and protruding part 210 a of the second stage unit channel member (unit microreactor) 202 b into the step transition connecting parts 222 c and 222 d, respectively, and hold them tightly.
  • the projecting part 210a and the projecting part 2 ⁇ 0b of the third-stage unit flow channel member (unit microreactor) 202c are inserted into the step transition connecting part 222e and the discharge connecting part 222f, respectively, and held tightly.
  • the packing 228 is used to more reliably hold the unit flow path members 202 a, 202 b, and 202 c in close contact with the connecting member 204.
  • a 0 ring, silicon rubber, or the like is used. It can be made of a material having elasticity.
  • a silicone rubber or the like is provided around the protrusions 210a and 210b.
  • An auxiliary member having elasticity may be provided.
  • the fixing member 206 is for fixing the other end of each of the unit flow path members 202a, 202b, 202c held in the multi-stage state by the connecting member 204, and includes a frame body 231 and Partition members 232a and 232b for partitioning the inside of the frame 231 into three stages are provided.
  • the fixing member 206 inserts the ends of the unit flow path members 202a, 202b, 202c into the storage spaces 233a, 233b, 233c partitioned by the partition members 232a, 232b. By disposing them at a fixed position, they can be fixedly held in a multi-stage state.
  • the raw material introduced from the raw material introduction port 223 of the connecting member 204 passes through the internal flow passage 226, and the first stage unit flow passage member 202a from the introduction connecting portion 222a. Reach inlet 203a. Then, after the desired raw material mixing is performed in the flow path 215 of the unit flow path member 202a, the step transition is performed from the discharge port 203b through the step transition connecting portion 222b and the internal communication passage 225b. From the connecting part 222c, the second unit flow channel member (unit microreactor) reaches the inlet 203a of the 202b.
  • the stage transition connection portion 222d after passing through the channel 215 carrying the catalyst C1 of the unit microreactor 202b, the stage transition connection portion 222d from the discharge outlet 203b and the stage transition connection portion 222d via the internal communication passage 225a. It is sent to the part 222 e and reaches the inlet 203 a of the third-stage unit channel member (unit microreactor) 202 c. Then, after passing through the flow channel 2 15 carrying the catalyst C 2 of the unit microreactor 202 c, the discharge connection portion 222 f and the internal flow channel 222 from the discharge outlet 203 b To reach the gas outlet 2 2 4.
  • the heating elements 217 are provided in the respective unit channel members 202 a, 202 b, and 202 c, and a gap is provided between the unit channel members.
  • the presence of the 207 prevents unnecessary conduction of heat between the unit flow path members, and enables optimal temperature setting in the unit microreactors 202b and 202c, respectively. ing.
  • the unit microreactor having the heating element 2 17 is the only unit flow path member (unit microreactor) 202 b of the second stage, and
  • the second-stage unit flow path member 202 a ′ and the third-stage unit flow path member (unit microreactor) 202 c ′ may not include the heating element 217.
  • a gap 207 for heat insulation is provided between the first-stage unit flow path member 202 a 'and the second-stage unit flow path member (unit microreactor) 202 b,
  • a heat insulating material 208 is interposed between the unit flow path member (unit microreactor) 202 b and the third unit flow path member (unit microreactor) 202 c ′ It may be.
  • the heat insulating material 208 for example, glass wool, a ceramic substrate, or the like can be used.
  • the positional relationship between the raw material inlet port 222 and the gas outlet port 224 of the connecting member 204 is not limited to the illustrated example, and for example, the internal flow path 227 may be formed by bending.
  • the raw material inlet port 222 and the gas outlet port 222 may be arranged at the same height.
  • the above-described microreactor 201 has a three-stage structure in which two of the three unit flow path members are unit microreactors, but in the present invention, the number of unit flow path members is two or The number may be four or more, and the number of unit microreactors in the unit channel member is not particularly limited. Then, the number of the step transition connecting portions of the connecting member 4 is set according to the number of steps of the unit flow path member. That is, in the present invention, when n (n is an integer of 2 or more) unit flow path members are provided, among the connecting portions of the connecting members, the step transition connecting portions connected to each other by the internal communication passage are (n ⁇ 1) Can be assembled.
  • the first-stage unit flow path member is connected and held with the inlet at the inlet connection section and the discharge port at the step transition connection section, and the (n-1) -th unit flow path from the second step As for the members, the introduction port is The discharge port is connected to and held at the step transition connecting part connected by the internal communication passage, and the discharge port is connected to and held by another set of step transition connecting parts.
  • the microreactor of the present invention can be configured by holding and connecting the discharge portion to the step connection portion connected to the connection portion by the internal communication passage and the discharge port to the discharge connection portion.
  • each member constituting the above-described microreactor 201 will be described.
  • members constituting the unit flow path members 202a, 202b, 202c will be described.
  • a metal capable of forming a metal oxide film (insulating film) 2 6 by anodic oxidation can be used.
  • examples of such a metal include A, Si, Ta, Nb, V, Bi, Y, W, Mo, Zr, and Hf.
  • AI is particularly preferably used in terms of workability, properties such as heat capacity and thermal conductivity, and unit price.
  • the metal substrates 211 and 213 constituting the bonded body 210 a material such as Cu, stainless steel, Fe, or AI, which can form a metal oxide film 216 by a beating process is used. You can also.
  • the metal oxide film 216 existing around the metal substrates 211 and 213 may be similarly formed by a bomite process, or may be a screen using a paste containing an insulating material.
  • printing method such as printing, sputtering, polyimide by a vacuum deposition method such as vacuum deposition, ceramic (a l 2 0 3, S i 0 2) or the like may be formed.
  • the thickness of the metal substrates 21 1, 21 3 depends on the size of the unit flow path members 202 a, 202 b, 202 c, the heat capacity and the thermal conductivity of the metal used, the characteristics of the fine grooves 21 2, 21 4. It can be set appropriately in consideration of the size and the like, but can be set, for example, in a range of about 400 to 1,000 ⁇ m.
  • the shape of the fine grooves 212, 214 formed on the metal substrates 211, 213 is not limited to the illustrated shape, and the amount of the catalyst carried in the fine grooves 211, 214 increases. In addition, any shape can be used so that the length of the flow path where the raw material contacts the catalyst is increased.
  • the depth of the fine groove portions 21 2 and 21 4 can be set, for example, within a range of about 100 to 100 O ⁇ m, the width can be set within a range of about 100 to 1,000 tm, and the flow path length can be set. It can be in the range of about 30 to 30 Omm.
  • the metal oxide film 216 is formed on the inner wall surface of the flow channel 215, the amount of the catalysts C1 and C2 increases due to the surface structure of the metal oxide film having micropores. In both cases, stable catalyst loading becomes possible.
  • catalysts C1 and C2 known catalysts conventionally used for hydrogen production can be used.
  • raw materials are mixed and vaporized in the first-stage unit flow path member 202a, and the second-stage unit flow path member (unit microreactor) 202b is reformed in a mixed gas.
  • the channel noise Supplementary (unit microreactor one) 202 c is an impurity removal from the reforming gas, a catalyst C 1 Cu- Z nO / a 1 2 0 3 , etc., as a catalyst C2 and P tZ AI 2 0 3, etc. Can be used.
  • the heating element 217 is for supplying necessary heat to each unit flow path member (unit microreactor), and includes carbon paste, nichrome (Ni-Cr alloy), W (tungsten), A material such as Mo (molybdenum) can be used.
  • the heating element 217 may have a shape such that, for example, a thin wire having a width of about 10 to 200 tm is routed over the entire area of the bonded body 210 corresponding to the area where the fine groove is formed. it can.
  • the heating element 217 is provided with electrodes 218, 218 for energization.
  • the conductive electrodes 218, 218 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, or Pd-Ag.
  • the heating element protection layer 219 is provided so as to expose a part of the electrodes 218 and 218 and cover the heating element 217.
  • the heating element protective layer 219 can be formed of, for example, photosensitive polyimide, varnish-like polyimide, or the like.
  • the thickness of the heating element protective layer 219 can be appropriately set in consideration of the material to be used and the like, but can be set, for example, in a range of about 2 to 25 m.
  • the material of the connecting member 204 can be stainless steel, Al, Fe, Cu, or the like, and can be formed into a desired structure by machining, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the structural body 221 forming the connecting member 4 can be composed of six members divided by five dashed lines L1 to L5. Then, in the six members, grooves or through holes for forming the connecting portion 222, the internal communication passages 225a and 225b, the internal flow passages 226 and 227, etc. are formed on one surface in advance. Then, by connecting these six members by diffusion bonding in a predetermined order and integrating them, the connecting member 204 can be formed.
  • the packing 228 is made of an O-ring or a silicon rubber made of various known materials. One or the like can be used.
  • the material of the fixing member 206 may be the same as the material of the connecting member 204.
  • microreactor The embodiment of the microreactor described above is an example, and the present invention is not limited to these.
  • the structure of the unit flow path members 202 a, 202 b, and 202 c has a flow path capable of supporting a catalyst therein, and one end of the flow path is There is no particular limitation as long as it forms an inlet and the other end forms an outlet. Therefore, as shown in FIG. 27A, as a unit flow path member (unit microreactor) 202 b, a metal substrate 2442 having fine grooves 243 formed on one surface, and a fine groove 2 It may have a metal cover member 244 bonded to the metal substrate 242 so as to cover 43, and a bonded body 241 provided with a metal oxide film 246 around the metal cover member 244.
  • a flow channel 245 composed of a fine groove portion 243 and a metal cover partial material 244, and an inner wall surface of the flow channel 245 is formed.
  • the catalyst C1 is supported on the entire surface via the metal oxide film 246.
  • a fine groove portion 25 3 carrying the catalyst C 1 via the metal oxide film 256 is formed. Having a metal substrate 25 2 formed on the other side and a metal body 25 1 composed of a metal cover member 25 4 bonded to the metal substrate 25 2 so as to cover the fine grooves 25 3 May be.
  • a flow passage 255 composed of a fine groove portion 253 and a metal cover member 2554.
  • An oxide film (insulating film) 256 is formed inside the joined body 251.
  • a fine groove portion 212 is formed on one surface of the metal substrate 211, and a fine groove portion 214 is formed on one surface of the metal substrate 211 (FIG. 28A).
  • the fine grooves 2 12 and 2 14 can be formed by forming a resist having a predetermined opening pattern on the metal substrates 2 1 1 and 2 13, and using this resist as a mask by jet etching. It is possible to eliminate the need for processing by a roman machine.
  • the metal substrates 2 1 1 and 2 13 are joined so that the fine groove portions 2 12 and the fine groove portions 2 14 face each other to form a bonded body 210 (FIG. 28B).
  • the fine groove 2 1 2 And the fine groove portions 214 face each other to form a flow channel 215.
  • the bonding of the metal substrates 211 and 213 can be performed by, for example, diffusion bonding or brazing.
  • the bonded body 210 is anodically oxidized to form a metal oxide film (insulating film) 216 on the entire surface including the inner wall surface of the flow passage 215, thereby forming a unit flow passage member 202b ( ( Figure 28C).
  • the metal oxide film (insulating film) 2 16 can be formed by immersing the bonded body 2 10 in the anodic oxidizing solution, facing the cathode, and energizing it while connected to the anode of the external electrode. it can.
  • a metal material that cannot be anodized and can be subjected to boehmite treatment is used as the metal substrates 211 and 213, the metal oxide film 216 is formed by boehmite treatment. .
  • the catalyst C 1 is supported on the entire inner wall surface of the flow channel 2 15 of the unit flow channel member 202 b via a metal oxide film (insulating film) 2 16, and the unit microreactor 202 b ( Figure 28D).
  • the catalyst suspension is filled by flowing the catalyst suspension into the flow path 2 15 of the assembly 210. This can be performed by immersing the conjugate 210 in the liquid, and then removing the catalyst suspension from the flow channel 215 and drying.
  • the metal substrates 2 1 1, 2 13 are subjected to anodic oxidation to form a metal oxide film.
  • the metal substrates 211 and 213 may be bonded, and then the catalyst C1 may be carried on the metal oxide film.
  • a heating element is provided on the metal oxide film (insulating film) 216 on the metal substrate 211 side, and further, a current-carrying electrode is formed, and a heating element protection layer is formed on the heating element.
  • One microreactor unit 202 b can be obtained.
  • the heating element may be formed by screen printing using a paste containing the above-described material, forming a coating film using a paste containing the above-described material, and then etching. And a method in which a thin film is formed by a vacuum film forming method using the above-described materials, and then patterned by etching or the like.
  • the current-carrying electrode can be formed by screen printing using a paste containing the above-described conductive material, for example.
  • the heating element protective layer can be formed in a predetermined pattern by screen printing using a paste containing the above-described material, for example.
  • the catalyst C1 is supported to form the unit microreactor 202b, whereby the catalyst by heat in the bonding step is formed. There is no risk of deactivation of the catalyst, and the range of catalyst selection is widened.
  • a unit micro unit having a function required only by supporting a desired catalyst is provided. It can be a reactor.
  • the unit flow path member (unit microreactor one) 200 b provided with the above-mentioned joined body 2 41 is made of a metal cover member 2 44 instead of the metal substrate 2 13 in the above-described production example. By bonding to the metal substrate 211, a similar production can be performed.
  • a fine groove portion 253 is formed on one surface of the metal substrate 252 (FIG. 29A).
  • the formation of the fine grooves 53 can be performed in the same manner as the formation of the fine grooves 2 12 and 2 14 described above.
  • the metal substrate 255 is anodized to form a metal oxide film 256 on the entire surface including the inside of the fine groove portion 2553 (FIG. 29B).
  • a metal material that cannot be anodized and can be subjected to boehmite treatment is used as the metal substrate 255
  • the metal oxide film 256 is formed by boehmite treatment.
  • This catalyst loading can be performed by immersing the surface of the metal substrate 25 2 in which the fine grooves 25 3 are formed in a desired catalyst suspension and drying.
  • the side of the metal substrate 2.52 on which the fine groove portion 2553 is formed is polished to expose a surface to be a bonding surface with the metal cover member 254 (FIG. 29D).
  • the metal substrate 252 and the metal bar member 254 are joined to form a joined body 251 (FIG. 29E).
  • a flow path 255 is formed in the joined body 25 1.
  • a heating element is provided on the metal oxide film (insulating film) 256 of the metal substrate 252, an electrode for energization is formed, and a heating element protection layer is formed on the heating element, so that a unit current is applied.
  • Road member (unit microreactor) 202 b can be obtained.
  • microreactor described above is an example, and the present invention is not limited to these. It is not something to be done.
  • FIG. 30 and FIG. 31 are process diagrams for explaining an embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • the fine groove 3 is formed on one surface 2a of the metal substrate 2 (FIG. 30A).
  • the fine groove portion 3 forms a resist having a predetermined opening pattern on the surface 2a of the metal substrate 2, and uses the resist as a mask to leave the comb-like ribs 2A and 2B by wet etching. 2 can be formed by etching, eliminating the need for micromachining.
  • the material of the metal substrate 2 to be used is AI, Si, D a, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, Hf, which can be anodized in the next anodizing step. And the like.
  • the metal substrate 2 on which the fine groove 3 is formed is anodized to form a metal oxide film (insulating film 4) on the entire surface including the inside of the fine groove 3 (FIG. 30B).
  • the formation of the metal oxide film (insulating film 4) can be performed by immersing the metal substrate 2 in an anodic oxidizing solution, facing the cathode, and supplying electricity while the metal substrate 2 is connected to the anode of the external electrode.
  • a heating element 5 is provided on the metal oxide film (insulating film 4) on the surface 2b of the metal substrate 2 where the fine groove 3 is not formed, and further, electrodes 6 and 6 for energization are formed (FIG. 30).
  • the heat generating body 5 can be formed by using a material such as carbon paste, nichrome (Ni-Cr alloy), W, and Mo.
  • the heating element 5 may be formed by screen printing using a paste containing the above material, forming a coating film using a paste containing the above material, and then patterning by etching or the like. And a method in which a thin film is formed by a vacuum film forming method using the above-mentioned material, and then patterned by etching or the like.
  • the current-carrying electrodes 6 and 6 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, and Pd-Ag.
  • a paste containing the above-described conductive material can be used.
  • a heating element protection layer 7 is formed on the heating element 5 so that the electrodes 6 and 6 are exposed (FIG. 30D).
  • the heating element protective layer 7, polyimide, ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like material can be formed using, for example, subscription over screen printing using a pace Bok containing the material Accordingly, it is possible to form a pattern having the electrode openings 7a, 7a.
  • the catalyst C is supported in the fine groove 3 (FIG. 31A). The catalyst can be carried by immersing the surface 2a of the metal substrate 2 on which the fine grooves 3 are formed in a desired catalyst solution.
  • the metal substrate 2 is polished to expose the surface 2a of the metal substrate 2 (FIG. 31B).
  • the cover member 8 is joined to the metal substrate surface 2a to form the microreactor 1 of the present invention.
  • Cover II can be made of AI alloy, Cu alloy, stainless steel material or the like.
  • the joining of the cover member 8 to the metal substrate surface 2a can be performed by, for example, diffusion joining, brazing, or the like.
  • the material inlet 8 a and the gas outlet 8 b provided in the cover member 8 are aligned with both ends of the flow path of the fine groove 3 formed in the metal substrate 2. Align with.
  • the heating element 5, the electrodes 6, 6 and the heating element protection layer 7 may be formed after the metal substrate 2 and the cover member 8 are joined.
  • FIGS. 32 and 33 are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • a fine groove 3 is formed on one surface 2'a of a metal substrate 2 '(FIG. 32A).
  • a metal substrate 2 ′ any one of an AI substrate, a CU substrate, a stainless steel substrate and the like can be used.
  • the formation of the fine groove 3 can be performed in the same manner as the formation of the fine groove 3 in the metal substrate 2 described above.
  • an insulating film 4 ' is formed on the surface 2'b of the metal substrate 2' where the fine groove 3 is not formed (FIG. 32B).
  • the insulating film 4 ' for example, can be formed using a polyimide, ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like.
  • the insulating film 4 ′ is formed by, for example, a printing method such as screen printing using a paste containing the above insulating material, or a vacuum film forming method such as sputtering or vacuum evaporation using the above insulating material. Form a thin film by the method It can be performed by forming and curing.
  • a heating element 5 is provided on the insulating film 4 ′, and further, electrodes 6 for conducting electricity are formed (FIG. 32C).
  • the formation of the heating element 5 and the electrodes 6 and 6 can be performed in the same manner as in the method of manufacturing the microreactor 11 described above.
  • a heating element protection layer 7 is formed on the heating element 5 so that the electrodes 6 and 6 are exposed (FIG. 32D).
  • the formation of the heating element protection layer 7 can be performed in the same manner as in the method of manufacturing the microreactor 1 described above.
  • the catalyst C is carried in the fine groove 3 (FIG. 33A).
  • This catalyst loading can be performed by immersing the surface 2 ′ a of the metal substrate 2 ′ on which the fine grooves 3 are formed in a desired catalyst solution.
  • the metal substrate 2 ′ is polished to expose the metal substrate surface 2 ′ a (FIG. 33B).
  • the cover member 8 is joined to the metal substrate surface 2 ′ a to form the microreactor 1 of the present invention. 'Can be obtained (Fig. 33C).
  • the joining of the cover member 8 can be performed in the same manner as in the method of manufacturing the microreactor 1 described above.
  • microreactor manufacturing method of the present invention since a metal substrate is used, there is no need to perform micromachine processing for forming fine grooves, and the microreactor can be easily manufactured by an inexpensive processing method such as etching. Reactor manufacturing costs can be reduced.
  • the formation of the insulating film 4 ′, the heating element 5, the electrodes 6 and 6, and the heating element protection layer 7 may be performed after the bonding of the metal substrate 2 ′ and the cover member 8.
  • FIG. 34 to FIG. 38 are process diagrams for explaining an embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention using the microreactor 11 described above as an example. Each figure shows a cross-sectional shape at a position corresponding to FIGS.
  • the fine grooves 3 are formed on one surface 12a of the metal substrate 12, and the through holes 19 are formed (FIGS. 34A and 34B).
  • the fine groove 13 is formed by forming a resist having a predetermined opening pattern corresponding to the fine groove 13 on the surface 12 a of the metal substrate 12, and forming a through hole 19 on the surface 12 b of the metal substrate 12.
  • a resist having an opening pattern for forming a pattern is formed.
  • wet etch The metal substrate 12 is fetched from the surface 12a side so as to leave the comb-shaped ribs 12A and 12B by etching to form fine grooves 13 and simultaneously, the through holes 19 are formed by double-sided etching.
  • the material of the metal substrate 12 used is AI, Si, Ta, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, Hf, etc., which can be anodized in the next anodizing step. Can be mentioned.
  • the metal substrate 12 on which the fine groove portions 3 and the through holes 19 are formed is anodized, and a metal oxide film (insulating film 14) is formed on the entire surface including the inside of the fine grooves 13 and the inside of the through holes 19.
  • a metal oxide film (insulating film 14) is formed on the entire surface including the inside of the fine grooves 13 and the inside of the through holes 19.
  • the formation of the metal oxide film (insulating film 14) can be performed by immersing the metal substrate 12 in an anodic oxidizing solution, facing the cathode, and applying a current while the metal substrate 12 is connected to the anode of the external electrode.
  • a heating element 15 is provided on the metal oxide film (insulating film 14) on the surface 12 b of the metal substrate 12 where the fine groove portion 13 is not formed so as not to block the through hole 19, Further, electrodes 16 and 16 for energization are formed (FIGS. 35A and 35B).
  • the heating element 15 can be formed using materials such as carbon paste, nichrome (Ni-Cr alloy), W, and Mo.
  • the heating element 15 may be formed by screen printing using a paste containing the above-described material, forming a coating film using the paste containing the above-described material, and then etching or the like. And a method in which a thin film is formed by a vacuum film forming method using the above-mentioned material, and then patterned by etching or the like.
  • the current-carrying electrodes 16 and 16 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, or Pd-Ag. It can be formed by screen printing using a tool.
  • the heating element protective layer 17 is exposed so that the electrodes 16 and 16 and the through hole 9 are exposed.
  • the heating element protective layer 1 7, polyimide can be formed using a Ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) material such, for example, by using the pace Bok containing the material screen By printing, it can be formed in a pattern having the electrode openings 17a, 17a and the opening 17b.
  • the catalyst C1 is supported in the fine grooves 13 (FIGS. 36A and 36B).
  • the catalyst is supported on the surface 12 a of the metal substrate 12 on which the fine grooves 13 are formed by the desired catalyst solution. 4 Can be immersed in liquid.
  • the metal substrate 12 is polished to expose a surface 12a of the metal substrate 12 which is a bonding surface with the metal substrate 22 (FIGS. 36C and 36D).
  • a fine groove portion 23 is formed on one surface 22 a of the metal substrate 22, and a through hole 29 is formed (FIG. 37A, FIG. 37B ).
  • the metal substrate 22 on which the fine grooves 23 and the through holes 29 are formed is anodized to form a metal oxide film (insulating film 24) on the entire surface including the insides of the fine grooves 23 and the through holes 29. (Fig. 37C, Fig. 37D).
  • the catalyst C2 is supported in the fine groove 23 (FIGS. 38A and 38B).
  • the catalyst can be carried by immersing the surface 22 a of the metal substrate 22 on which the fine grooves 23 are formed in a desired catalyst solution.
  • both surfaces of the metal substrate 22 are polished, and the surface 22 a of the metal substrate 22 serving as a bonding surface with the cover member 28 and the metal substrate 22 serving as a bonding surface with the metal substrate 12 are formed.
  • the surface 22b is exposed (Fig. 38C, Fig. 38D).
  • the surface 12a of the metal substrate 12 and the surface 22b of the metal substrate 22 are joined together, and the cover member 28 is joined to the metal substrate surface 22a to thereby provide the present invention.
  • Microreactor 11 can be obtained.
  • the cover 28 can be made of AI alloy, Cu alloy, stainless steel material or the like.
  • the bonding between the metal substrate 12 and the metal substrate 22 and the bonding between the metal substrate 22 and the cover member 28 can be performed by, for example, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the through hole 29 of the metal substrate 22 coincides with the end 13 b of the flow path of the fine groove 13 formed on the metal substrate 12, and is provided on the cover member 28.
  • the gas outlets 28 a are aligned so that the gas outlets 28 a coincide with the ends 23 b of the channels of the fine grooves 23 formed in the metal substrate 22.
  • the following steps may be performed. First, the above-mentioned metal substrate 12, metal substrate 22 and force bar member 28 are joined. After that, the heating element ⁇ 5, the electrodes 16 and 16 and the heating element protection layer 17 may be formed on the metal oxide film (insulating film) 14 on the surface 12b of the metal substrate 12.
  • FIG. 39 and FIG. 40 show examples of the microreactor 11 ′ according to the present invention. It is a flowchart for explaining another embodiment of a chlorreactor manufacturing method.
  • a fine groove 13 and a through hole 19 are formed on one surface 12′a of the metal substrate 12 ′ (FIG. 39A).
  • the metal substrate 12 ' any of an AI substrate, a CU substrate, a stainless steel substrate, or the like can be used.
  • the formation of the fine grooves 13 and the through holes 19 can be performed in the same manner as the formation of the fine grooves 13 and the through holes 19 in the metal substrate 12 described above.
  • an insulating film 14 ' is formed on the surface 12'b of the metal substrate 12' on which the fine groove 13 is not formed so as not to block the through hole 19 (not shown) ( ( Figure 39B).
  • the insulating film 1 4 ' can be formed using a polyimide, ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like.
  • the insulating film 14 ' is formed by, for example, a printing method such as screen printing using a paste containing the above insulating material, or a vacuum forming method such as sputtering or vacuum evaporation using the above insulating material. This can be performed by forming a thin film by a film method and curing the thin film.
  • the heating element 15 is put on the insulating film ⁇ 4 ′, and further, the electrodes 16 and 16 for energization are formed (FIG. 39C).
  • the formation of the heating element 15 and the electrodes 16 and 16 can be performed in the same manner as in the above-described method of manufacturing the microport reactor 11.
  • the heating element protective layer 1 is so exposed that the electrodes 16 and 16 and the through holes 19 (not shown) are exposed.
  • heating element protective layer 17 is formed on the heating element 15 (FIG. 39D).
  • the formation of the heating element protective layer 17 can be performed in the same manner as in the method of manufacturing the microreactor 11 described above.
  • the catalyst C1 is supported in the fine grooves 13 (FIG. 40A).
  • the supporting of the catalyst can be performed by immersing the surface 12 ′ a of the metal substrate 12 ′ on which the fine grooves 13 are formed in a desired catalyst solution.
  • the metal substrate 12 ' is polished to expose the metal substrate surface 12'a to be joined to the metal substrate 22' (FIG. 40B).
  • a fine groove 23 is formed on one surface 22'a of the metal substrate 22', and a through hole 29 (not shown) is formed.
  • the catalyst C 2 is carried in the metal substrate 23, and the metal substrate 22 ′ is polished so that the surface 22 ′ a of the metal substrate 22 ′ serving as the bonding surface with the cover member 28 and the bonding surface between the metal substrate 12 ′ are formed.
  • Metal substrate 22 ′ is polished so that the surface 22 ′ a of the metal substrate 22 ′ serving as the bonding surface with the cover member 28 and the bonding surface between the metal substrate 12 ′ are formed.
  • microreactor manufacturing method of the present invention since a metal substrate is used, there is no need to perform micromachine processing for forming fine grooves, and the microreactor can be easily manufactured by an inexpensive processing method such as etching. Reactor manufacturing costs can be reduced.
  • the formation of the heating element ⁇ 5, the electrodes 16 and 16 and the heating element protection layer 17 on the insulating film 14 ′ is performed by the metal substrate 1 2 ′ and the metal substrate 22 ′. It may be performed after the cover member 28 and the cover member 28 are joined.
  • FIG. 41 and FIG. 42 are process diagrams for explaining an embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • a fine groove 103 is formed on one surface 102a of the metal substrate 102 (FIG. 41A).
  • the fine groove portion 103 forms a resist having a predetermined opening pattern on the surface 102 a of the metal substrate 102, and the comb-shaped rib 102 A by wet etching using the resist as a mask.
  • 102B can be formed by etching the metal substrate 102 so that processing by a micro machine can be eliminated.
  • the formed fine groove 103 preferably has an arc-shaped or semi-circular cross-section or a U-shape, and preferably has no corner on the wall surface along the flow direction of the fluid.
  • the material of the metal substrate 102 used is AI, Si, Ta, Nb, V, Bi, ⁇ , W, and Mo, which can form a metal oxide film by anodic oxidation in the next surface treatment step. , Zr, Hf and the like.
  • the metal cover member 4 is joined to the metal substrate surface 102 a and joined.
  • the body forms 115 (Fig. 41B).
  • the material of the metal cover member 104 is also AI, Si, D, a, Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, which can form a metal oxide film by anodic oxidation in the next surface treatment step. , Zr, Hf, etc. can be used.
  • the bonding of the metal cover member 104 to the metal substrate surface 102a can be performed by, for example, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the raw material introduction port 104 a and the gas discharge port 104 b provided in the metal cover member 104 are connected to the flow path of the fine groove portion 103 formed in the metal substrate 102. Align so that both ends are aligned. In the joined body 115 formed in this manner, the fine groove portion 103 is covered with the metal cover member 104 to form the flow passage 105.
  • the joined body 115 is anodized to form a metal oxide film (insulating film) 106 on the entire surface including the inner wall surface of the flow passage 105 (FIG. 41C).
  • the metal oxide film (insulating film) 106 is formed by immersing it in an anodic oxidizing solution, facing the cathode, and applying a current while the joined body 115 is connected to the anode of the external electrode. Can be.
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surface of the flow path 105 via the metal oxide film (insulating film) 106 (FIG. 42A).
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film (insulating film) 106 by, for example, filling the catalyst suspension by flowing it into the flow passage 105 of the joined body 115, or This can be performed by immersing the bonded body 1-5 in the liquid, and then removing the catalyst suspension from the flow path 105 and drying.
  • the cross-sectional shape of the fine groove portion 3 is an arc shape or a semicircular shape, or a U-shape, and there is no corner on the wall surface along the flow direction of the fluid, There is almost no corner in which the catalyst is easily deposited in the flow path 05, and uniform catalyst loading becomes possible.
  • vibration or rotation to the joined body 115 at the time of the above-mentioned drying, more uniform catalyst loading becomes possible.
  • a heating element 107 is provided on the metal oxide film (insulating film) 106 on the surface 102 b side of the metal substrate 102, and further, electrodes 108 and 108 for energization are formed.
  • the heating element 107 can be formed using materials such as carbon paste, nichrome (Ni—Cr alloy), W, and Mo.
  • the current-carrying electrodes 108 and 108 can be formed using conductive materials such as Au, Ag, Pd, and Pd-Ag. It can be formed by screen printing using the paste contained.
  • a heating element protection layer 109 is formed on the heating element 107 so that the electrodes 108 and 108 are exposed (FIG. 42C).
  • the heating element protective layer 1 0 9, polyimide, ceramic (AI 2 0 3, S i 0 2) or the like material can be formed using, for example, by using a pair 7 scan Bok containing the material screen It can be formed by a pattern having the electrode openings 109a and 109a by printing.
  • the following steps may be performed.
  • the metal substrate 102 on which the fine groove portions 103 have been formed is subjected to anodic oxidation to form a metal oxide film (insulating film) 106 on the entire surface.
  • the metal substrate 102 and the cover member 104 are bonded.
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film 106 which is the inner wall surface of the flow path 105.
  • FIGS. 43 and 44 are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • a fine groove 123 is formed on one surface 122 a of the metal substrate 122 (FIG. 43A).
  • a material capable of forming a metal oxide film by a bomite treatment in a later surface treatment step for example, Cu, stainless steel, Fe, AI, or the like can be used.
  • the formation of the fine groove portion 123 can be performed in the same manner as the formation of the fine groove portion 103 on the metal substrate 102 in the above embodiment.
  • the fine grooves 123 are formed.
  • a metal cover member 124 is bonded to the metal substrate surface 122 a to form a bonded body 135 (FIG. 43B).
  • Insulating film 1 3 0 [or, for example, can be formed using a polyimide, ceramic (A l 2 0 3, S i 0 2) or the like.
  • the formation of the insulating film 130 may be performed, for example, by including the insulating material described above.
  • the thin film can be formed by a printing method such as screen printing using a paste, or by forming a thin film by a vacuum film forming method such as sputtering or vacuum evaporation using the above-described insulating material and curing the thin film.
  • the insulating film 130 may be formed after the metal substrate 122 and the metal cover member 124 are joined.
  • the material of the metal cover member 124 a material capable of forming a metal oxide film by a bomite treatment in the next surface treatment step, for example, Cu, stainless steel, Fe, AI or the like may be used. it can.
  • the bonding of the metal cover member 124 to the metal substrate surface 122a can be performed by, for example, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the material inlet 1 24 a and the gas outlet 1 2 4 provided in the metal cover member 1 24 are connected to the flow path of the fine groove portion 1 2 3 formed in the metal substrate 1 2 2. Align to match both ends. In the joined body 135 formed in this way, the fine groove portion 123 is covered with the metal cover member 124 to form the flow passage 125.
  • a metal oxide film 126 is formed on the inner wall surface of the flow path 125 of the joined body 135 (FIG. 43C).
  • the formation of the metal oxide film 126 can be performed by a boehmite treatment.
  • a suspension in which boehmite alumina is dispersed, such as alumina sol, is used. It can be carried out by pouring the sufficiently reduced material into the flow channel 125, then drying it, and fixing the boehmite coating on the inner surface of the flow channel ( ⁇ coating process).
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surface of the flow channel 125 via the metal oxide film 126 (FIG. 44A).
  • the loading of the catalyst C on the metal oxide film 126 can be performed in the same manner as in the catalyst loading step in the above embodiment.
  • the cross-sectional shape of the fine groove portion 123 is an arc shape or a semicircular shape, or a U-shape, and if there is no corner on the wall surface along the flow direction of the fluid, the catalyst is Since there is almost no corner that easily accumulates in the flow path 125, uniform catalyst loading becomes possible. Further, by applying vibration or rotation to the joined body 135 during drying, it becomes possible to carry the catalyst more uniformly.
  • a heating element 127 is provided on the insulating film ⁇ 30 on the surface 122b side of the metal substrate 122, and further, electrodes 128 and 128 for energization are formed (FIG. 44).
  • a heating element protection layer 12 9 is formed on the heating element 127 so that the electrodes 128 and 128 are exposed (FIG. 42).
  • the material and forming method of the heating element 121, the electrodes 128, 128, and the heating element protection layer 129 can be the same as those in the above-described embodiment.
  • the following steps may be performed.
  • the metal substrate 122 on which the fine groove portions 123 are formed is anodized to form a metal oxide film (insulating film) 126 on the entire surface.
  • the metal oxide film 126 existing on the surface 122a to be a bonding surface is polished and removed.
  • the metal substrate 122 and the cover member 124 are joined.
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film 126 which is the inner wall surface of the channel 125.
  • an insulating film ⁇ 30 is formed on the surface 122 b of the metal substrate 122, and a heating element 127, electrodes 128, 128, and a heating element protection layer 129 are formed on the insulating film 130. I do.
  • FIGS. 45 and 46 are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • a fine groove 143 is formed on one surface 142 a of the metal substrate 142, and the fine groove 145 is formed on one surface 144 a of the metal substrate 144.
  • the microgrooves 143, 145 are formed by forming a resist having a predetermined opening pattern on the surfaces 142a, 144a of the metal substrates 142, 144, and performing wet etching using the resist as a mask.
  • the metal substrates 144 and 144 can be formed by etching so as to leave the comb-shaped ribs 142A and 142B and the ribs 144A and 144B, eliminating the need for micro-machine processing. it can.
  • the pattern shape of the fine groove 143 and the fine groove 145 to be formed is symmetrical with respect to the joining surface (142a, 144a) of the metal substrates 142 and 144.
  • the fine grooves 143 and 145 preferably have an arc-shaped or semi-circular cross section or a U-shape, and have no corners on the wall surface along the flow direction of the fluid (comb-like shape). It is preferable that the ribs 142A, 1428 and the ribs 1448, 144B have rounded portions at the end portions without corners.
  • the materials used for the metal substrates 142 and 144 are AI, Si, Ta, which can form a metal oxide film by anodic oxidation in the next surface treatment step.
  • Nb, V, Bi, ⁇ , W, Mo, Zr, Hf and the like can be mentioned.
  • the pair of metal substrates 142, 144 are placed on the surfaces 142a, 144a so that the fine grooves 144 and the fine grooves 144 face each other.
  • a joined body 155 FIG. 45B.
  • the micro-grooves 144 and the micro-grooves 144 are formed in a pattern symmetrical with respect to the joint surface (142 a, 144 a) of the metal substrates 144, 144. Due to the shape, the fine grooves 144 and the fine grooves 144 are completely opposed to each other by the joining of the metal substrates 142 and 144 to form the flow path 144.
  • the shape of the inner wall surface of the channel 146 in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid is substantially circular.
  • the bonding of the metal substrates 144 and 144 can be performed by, for example, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the joined body 155 is anodized to form a metal oxide film (insulating film) 147 on the entire surface including the inner wall surface of the flow path 146 (FIG. 45C).
  • the formation of the metal oxide film (insulating film) 147 can be performed by immersing the bonded body 155 in an anodic oxidizing solution, facing the cathode, and applying a current while the joined body 155 is connected to the anode of the external electrode. .
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surface of the flow path 146 via the metal oxide film (insulating film) 147 (FIG. 46A).
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film (insulating film) 147.
  • the catalyst suspension is filled by flowing the catalyst suspension into the flow path 146 of the joined body 155, or This can be performed by immersing the conjugate 155 in the liquid, and then removing the catalyst suspension from the channel 146 and drying.
  • the cross-sectional shape of the fine grooves 144, 145 is arc-shaped or semi-circular, or U-shaped, and the wall surface along the fluid flow direction is formed.
  • a heating element 148 is provided on the metal oxide film (insulating film) 144 on the surface 142b of the metal substrate 144, and further, electrodes 149 and 149 for energization are formed.
  • the heating element 148 can be formed using materials such as carbon paste, nichrome (Ni-Cr alloy), W, and Mo.
  • a method for forming the heating element 48 a method for forming the heating element by screen printing using a paste containing the above material, A method of forming a coating film using a paste and then patterning by etching or the like, a method of forming a thin film by a vacuum film forming method using the above materials, and then patterning by etching or the like can be cited. .
  • the current-carrying electrodes 149 and 149 can be formed using a conductive material such as Au, Ag, Pd, and Pd-Ag. It can be formed by screen printing using the paste contained.
  • a heating element protection layer 150 is formed on the heating element 148 so that the electrodes 149 and 149 are exposed (FIG. 46C).
  • the heating element protective layer 1 5 0, polyimide, ceramic (AI 2 0 3, S i 0 2) or the like material can be formed using, for example, by screen printing using a pace Bok containing the material It can be formed by a pattern having electrode openings 150a and 150a.
  • a metal oxide film (insulating film) 144 is formed on the entire surface by anodizing the metal bases 142 and 144 on which the fine grooves 144 and 145 are formed.
  • the metal oxide film 147 existing on the surfaces 142a and 144a to be the bonding surfaces is removed by polishing. After that, the metal substrate 144 and the metal substrate 144 are joined.
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film 47 which is the inner wall surface of the flow path 146.
  • FIGS. 47 and 48 are process diagrams for explaining another embodiment of the microreactor manufacturing method of the present invention.
  • a fine groove 163 is formed on one surface 162a of the metal substrate 162, and one surface 164a of the metal substrate 164 is formed.
  • a micro-groove 165 is formed on the substrate (FIG. 47A).
  • the formation of the fine grooves 16 3, 16 5 is performed in the same manner as the formation of the fine grooves 14 3, 14 5 on the metal substrates 14 2, 14 4 in the third embodiment described above. be able to.
  • the metal substrates 16 2 and 16 4 used are made of a material capable of forming a metal oxide film by base mite processing in a subsequent surface treatment step, for example, Cu, stainless steel, Fe, AI Etc. can be used.
  • the surface of the metal substrate 162 where the microgrooves 163 are not formed is After the insulating film 17 1 is formed on 16 2 b, a pair of metal substrates 16 2 and 16 4 are placed on the surface so that the fine groove 16 3 and the fine groove 1 65 face each other. Bonding is performed at 162a and 1664a to form a bonded body 175 (Fig. 47B).
  • Insulating film 1 7 can be formed using a polyimide, ceramic (AI 2 0 3, S i 0 2) or the like.
  • the insulating film 17 is formed by, for example, a printing method such as screen printing using a paste containing the above insulating material, or a vacuum film forming method such as sputtering or vacuum evaporation using the above insulating material. By forming a thin film and curing it.
  • the insulating film 17 1 may be formed after the metal substrates 16 2 and 16 4 are joined.
  • the metal substrates 16 2 and 16 4 can be joined by, for example, diffusion bonding, brazing, or the like.
  • the fine groove 16 3 and the fine groove 16 5 are formed in a pattern shape symmetrical with respect to the bonding surface (16 2 a, 16 4 a) of the metal substrates 16 2 and 16 4. Therefore, the micro-groove 16 3 and the micro-groove 16 5 completely face each other to form the flow path 16 6, and the shape of the inner wall surface in a cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the flow path 16 6 Has a substantially circular shape.
  • a metal oxide film 167 is formed on the inner wall surface of the flow path 166 of the joined body 175 (FIG. 47C).
  • This metal oxide film 167 can be formed by boehmite treatment.
  • a suspension in which boehmite alumina such as alumina sol is dispersed is used. It is performed by pouring the suspension whose viscosity has been sufficiently reduced into the flow path 166, then drying and fixing the boehmite coating on the inner surface of the flow path. it can.
  • the catalyst C is supported on the entire inner wall surface of the flow path 166 via the metal oxide film 167 (FIG. 48A).
  • the loading of the catalyst C on the metal oxide film 167 can be performed in the same manner as in the above-described catalyst loading step in the third embodiment.
  • the cross-sectional shape of the fine grooves 16 3 and 16 5 is an arc shape or a semi-circular shape, or a U-shape, and there is no corner on the wall surface along the flow direction of the fluid, A corner on which the catalyst is easily deposited does not exist in the flow path 166, and the catalyst can be uniformly supported.
  • a heating element 168 is provided on the insulating film 171 on the surface 162b side of the metal substrate 162, and further, electrodes 169, 169 for energization are formed (FIG. 48). B). Then, a heating element protection layer 170 is formed on the heating element 168 so that the electrodes 169 and 169 are exposed (FIG. 48C).
  • the material and the forming method of the heating element 168, the electrodes 169, 169, and the heating element protection layer 170 can be the same as those in the third embodiment.
  • a metal oxide film (insulating film) 1667 is formed on the entire surface of the metal substrate 162, 164 on which the fine groove portions 163, 165 are formed by anodizing.
  • the metal oxide film 167 existing on the surfaces 162a and 164a to be the bonding surfaces is polished and removed. After that, the metal substrate 162 and the metal substrate 164 are joined.
  • the catalyst C is supported on the metal oxide film 167 which is the inner wall surface of the flow path 166.
  • the catalyst is supported after the joined body having the reflow path is formed in the joining step, so that there is no risk of deactivation of the catalyst due to heat in the joining step.
  • the selection range of catalysts is wide, and furthermore, the bonding process is completed, a plurality of conjugates are prepared, and the desired catalyst is supported on these conjugates, so that microstructures used for different reactions can be used.
  • Reactors for example, microreactors for reforming methanol and oxidizing carbon monoxide can be manufactured, and the manufacturing process can be simplified.
  • microreactor manufacturing method is an example, and the present invention is not limited thereto.
  • a photosensitive resist material (OFPR manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied on both sides of the AI substrate by dipping (film thickness: 7 Atm (dry)).
  • AI board On the resist coating film on the side where the fine grooves are to be formed, a strip-shaped light-shielding section with a width of 1,500 m protrudes alternately from the left and right (projection length: 30 mm) at a pitch of 2000 jm.
  • the resist coating film was exposed to light through this photomask, and developed using a sodium hydrogencarbonate solution.
  • strip-shaped openings with a width of 500 ⁇ are arranged at a pitch of 2000 m on one surface of the AI substrate, and adjacent strip-shaped openings are alternately continued at the ends.
  • Such a resist pattern was formed.
  • the AI substrate was etched under the following conditions. In this etching, a fine groove was formed by half-etching from one surface of the AI substrate, and the time required for the etching was three minutes.
  • the AI substrate was connected to the anode of the external electrode, immersed in an anodizing solution (4% oxalic acid solution) to face the cathode, and energized under the following conditions to form an aluminum oxide thin film. It was formed as an insulating film. The thickness of the formed aluminum oxide thin film was measured by ellipsometry overnight, and was found to be about 30 m.
  • anodizing solution 4% oxalic acid solution
  • a heating element paste having the following composition was reprinted by screen printing on the aluminum oxide thin film of the AI substrate on which the fine grooves were not formed, and cured at 200 ° C. to form a heating element.
  • the formed heating element has a fine wire with a width of 1 O OAtm and a fine groove.
  • the shape was such that it was drawn on the AI substrate at a line interval of 100 m so as to cover the entire area (35 mm x 25 mm) corresponding to the area.
  • electrodes (0.5 mm ⁇ 0.5 mm) were formed at two predetermined locations on the heating element by screen printing.
  • a heating element protective layer (thickness: 20 tm) was screen-printed on the heating element using a protective layer paste having the following composition so that the two electrodes formed on the heating element were exposed. Formed.
  • the surface of the AI substrate on which the fine grooves are formed is immersed in a catalyst aqueous solution having the following composition (for 10 minutes), and then subjected to a dry reduction treatment at 250 ° C for 6 hours to carry the catalyst in the fine grooves. I held it.
  • an AI board with a thickness of 1 OOAtm is placed on the AI board surface as a cover member under the following conditions. Diffusion bonding.
  • This AI board is provided with two openings (raw material inlet and gas outlet, the dimensions of each opening are 0.6 mm X 0.6 mm), and each opening is formed on the AI board. The alignment was performed so as to coincide with both ends of the flow path of the formed fine groove.
  • a stainless steel substrate (SUS 304, 25 OmmX 25 Omm) with a thickness of 100 OAtm is prepared as a base material, and a photosensitive resist material (OFPR, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to both surfaces of the stainless steel substrate by a dip method. (Film thickness 7 Atm (when dry)).
  • a strip-shaped light-shielding part with a width of 1,500 m protruded alternately from the left and right at a pitch of 20 OAtm (protrusion length: 30 mm) on the resist coating film on the side of the stainless substrate on which the fine groove was formed.
  • a photomask having a shape is arranged, and a photomask having a circular opening with an opening diameter of 800 m is disposed on the other resist coating film, and the resist coating film is formed through these photomasks.
  • Exposure and development using a sodium bicarbonate solution As a result, on one surface of the stainless steel substrate, 500 im wide stripes: ⁇ dog openings ⁇ are arranged at a pitch of 2000 Atm, and adjacent stripe-shaped openings alternate at their ends.
  • a resist pattern was formed so as to be continuous.
  • a resist pattern having a circular opening with an opening diameter of 80 OAtm was formed. This circular opening was a position corresponding to a predetermined portion of the stripe-shaped opening on the opposite surface.
  • the stainless steel substrate was etched under the following conditions. In this etching, a fine groove is formed by half-etching from one surface of the stainless steel substrate, and a through-hole is formed by etching from the other surface, and the time required for the etching is 25 minutes. Was.
  • the resist pattern was removed using a sodium hydroxide solution and washed with water.
  • a strip-shaped fine groove with a width of 000000 m, a depth of 650 ⁇ , and a length of 30 mm is formed on one surface of the stainless steel substrate with a pitch of 2000 Atm.
  • Micro grooves (as shown in Fig. 9) were formed alternately (as shown in Fig. 9) (flow path length: 300 mm). Further, at the end of the continuous fine groove, as shown in FIG. 9, the opening of the formed through hole was located.
  • a polyimide precursor solution (Photonye, manufactured by Toray Industries, Inc.) as a coating liquid for an insulating film is screen-printed on the stainless substrate surface on which the fine grooves are not formed so that the through holes are not blocked.
  • a polyimide precursor solution (Photonye, manufactured by Toray Industries, Inc.) as a coating liquid for an insulating film is screen-printed on the stainless substrate surface on which the fine grooves are not formed so that the through holes are not blocked.
  • a heating element paste having the following composition was printed on the insulating film of the stainless steel substrate by screen printing, and cured at 200 ° C. to form a heating element.
  • the formed heating element is formed on the insulating film so that a thin wire with a width of 1 OO tm covers the entire area (35 mm x 25 mm) corresponding to the area where the fine groove is formed, and does not block the through hole.
  • the dog was drawn with a line spacing of 100 m;
  • electrodes (0.5 mm ⁇ 0.5 mm) were formed at two predetermined positions on the heating element by screen printing using an electrode paste having the following composition.
  • a heating element protection layer (thickness: 20 ⁇ m) was formed on the heating element by screen printing using the paste for the protection layer having the composition.
  • the surface of the stainless steel substrate on which the fine grooves are formed is immersed (10 minutes) in an aqueous catalyst solution having the following composition, and then subjected to a dry reduction treatment at 250 ° C for 6 hours to deposit the catalyst in the fine grooves. Supported.
  • a first-stage metal substrate was prepared.
  • the same stainless steel substrate as above was prepared, and a photosensitive resist coating film was formed on both surfaces of this stainless steel substrate in the same manner as above.
  • a strip-shaped light-shielding part with a width of 150 ⁇ m protrudes alternately from the left and right at a pitch of 200 ⁇ m on the resist coating film on the side of the stainless substrate on which the fine groove is formed. (Protrusion length 3 O mm).
  • a photomask having a circular opening with an opening diameter of 800 tm is disposed on the other resist coating film. The resist coating film was exposed to light through the substrate and developed using a sodium hydrogen carbonate solution.
  • strip-shaped openings having a width of 500 m are arranged at a pitch of 2000 im, and the adjacent strip-shaped openings are formed at the end portions.
  • a resist pattern was formed so as to be alternately continuous.
  • a resist pattern having a circular opening with an opening diameter of 800 tm was formed. This circular opening was a position corresponding to a predetermined portion of the stripe-shaped opening on the opposite surface.
  • a stainless steel base was used.
  • the plate was etched. In this etching, a fine groove was formed from one surface of the stainless steel substrate by harvesting, and a through hole was formed by etching from the other surface. The time required for the etching was 25 minutes. .
  • the resist pattern was removed using a sodium hydroxide solution and washed with water.
  • a strip-shaped fine groove with a width of 1 OOO tm, a depth of 6500 nm, and a length of 30 mm is formed on one surface of the stainless steel substrate with a pitch of 2000 Atm.
  • Fine grooves (as shown in FIG. 10) (along a flow path length of 300 mm) were formed alternately and continuously at the ends of adjacent fine grooves. Further, as shown in FIG. 10, the opening of the formed through-hole was located at the end of the fine groove where the fiber was formed.
  • the surface of the stainless steel substrate on which the fine grooves are formed is immersed ( ⁇ 0 minutes) in a catalyst aqueous solution having the following composition, and then subjected to a dry reduction treatment at 500 ° C. for 1 hour, so that the catalyst is placed in the fine grooves. Supported.
  • the surface on which the fine grooves were formed on the first-stage metal substrate and the surface opposite to the surface on which the fine grooves were formed were diffusion-bonded under the following conditions.
  • the through hole of the second stage metal substrate is connected to the end of the flow path of the fine groove formed in the first stage metal substrate (the end where the through hole is formed in the first stage metal substrate). (The end different from the part).
  • a 0.3 m-thick stainless steel plate is Was diffusion bonded to the surface on which the fine grooves were formed under the following conditions.
  • This stainless steel plate had one opening (gas outlet: the opening dimension was 0.6 mm X 0.6 mm), and this opening was formed in the second stage metal substrate. Positioning was performed so as to coincide with the end of the flow path of the fine groove (an end different from the end of the second-stage metal substrate where the through-hole is formed).
  • the portion where the above-mentioned stripe-shaped light-shielding portion protrudes from the base does not form an angle of 90 ° but has an R shape with a radius of 175 ⁇ .
  • the resist coating film was exposed through this photomask, and developed using a sodium hydrogencarbonate solution.
  • strip-shaped openings with a width of 500 m are arranged at a pitch of 2000 m on one surface of the AI substrate, and adjacent strip-shaped openings are alternately continuous at the ends.
  • the resulting resist pattern was formed.
  • the AI substrate was etched (for 3 minutes) under the following conditions.
  • the folded portion of the fine groove had a rounded shape without a corner, and had no corner on the inner wall surface along the flow direction of the fluid.
  • the shape of the inner wall surface in the cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the fine groove portion was substantially semicircular.
  • the above assembly is connected to the anode of the external electrode, immersed in an anodizing solution (4% oxalic acid solution) to face the cathode, and energized under the following conditions to include the inside of the flow channel
  • An oxide film was formed on the surface of the joined body to form an insulating film.
  • the thickness of the formed thin film of aluminum oxide was measured by an ellipsometer to be about 30 m.
  • a catalyst suspension having the following composition is filled in the flow path of the joined body and left to stand (for 15 minutes). Thereafter, the catalyst suspension is removed, and a dry reduction treatment is performed at 120 ° C for 3 hours. Thus, the catalyst was carried on the entire surface of the flow channel.
  • a heating element paste having the following composition was printed by screen printing on the aluminum oxide thin film of the AI substrate on which the fine grooves were not formed, and cured at 200 ° C. to form a heating element.
  • the shape of the formed heating element is such that a thin wire with a width of 100 im is drawn around the AI substrate at a line interval of 100 m on the AI substrate so as to cover the entire area (35 mm x 25 mm) corresponding to the area where the fine groove is formed.
  • electrodes (0.5 mm ⁇ 0.5 mm) were formed at two predetermined locations on the heating element by screen printing.
  • a heating element protective layer (thickness: 20 ⁇ ) was formed on the heating element by screen printing using a protective layer paste having the following composition so that the two electrodes formed on the heating element were exposed. did.
  • the portion where the above-mentioned stripe-shaped light-shielding portion protrudes from the base did not form an angle of 90 °, but formed an R shape with a radius of 1750 tm.
  • An AI substrate similar to the above was prepared, a photosensitive resist material was applied in the same manner, and a photomask was placed on the resist coating film on the side of the AI substrate on which a fine groove was to be formed. This photomask is plane-symmetric with the photomask described above with respect to the AI substrate surface.
  • the resist coating film was exposed to light through a photomask and developed using a sodium hydrogen carbonate solution.
  • strip-shaped peripheral portions having a width of 500 m are arranged at a pitch of 200 m, and adjacent stripe-shaped openings are formed at the end portions.
  • a resist pattern was formed so as to be alternately continuous.
  • the AI substrate was etched (for 3 minutes) under the following conditions.
  • one set of AI substrates has a stripe-shaped fine groove having a width of 100 Atm, a depth of 65 Atm, and a length of 30 mm on one surface thereof.
  • Micro grooves (flow path length) that are formed at the same pitch and that alternately continue at the ends of adjacent micro grooves (a shape that is meandering and continuous while being folded 180 degrees as shown in Fig. 18). 300 mm).
  • the folded portion of the fine groove had a rounded shape without a corner, and had no corner on the inner wall surface along the flow direction of the fluid.
  • the shape of the inner wall surface in the cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the fine groove was substantially semicircular.
  • the above-mentioned one set of AI substrates was diffusion-bonded under the following conditions so that the fine grooves faced each other to produce a bonded body.
  • the alignment was performed so that the microgrooves on one set of AI substrates completely faced each other.
  • a flow path having a raw material inlet and a gas outlet on one end surface of the joined body was formed in the joined body.
  • the above assembly is connected to the anode of the external electrode, immersed in an anodizing solution (4% oxalic acid solution) to face the cathode, and energized under the following conditions to include the inside of the flow channel
  • An aluminum oxide thin film was formed on the surface of the joined body to form an insulating film. The thickness of the formed thin film of aluminum oxide was measured by an ellipsometer and found to be about 30 m.
  • a catalyst suspension having the following composition was filled in the flow path of the joined body and left for 15 minutes. After that, the catalyst suspension was removed and subjected to a dry reduction treatment at 120 ° C for 3 hours. Thus, the catalyst was carried on the entire surface of the flow channel.
  • a SUS 304 substrate (25 OmmX 25 Omm) with a thickness of 1 000 m is prepared as a metal substrate, and a photosensitive resist material (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is provided on both sides of the SUS 304 substrate. OFPR) was applied by dipping (film thickness 7 m (dry)). Next, on the resist coating film on the side of the SUS 304 substrate on which the fine groove is to be formed, a strip-shaped light shield with a width of 1500 m protrudes alternately from the left and right at a pitch of 2000 m (protrusion length 30 mm). A photomask in the shape of a circle was arranged.
  • the portion where the above-mentioned stripe-shaped light-shielding portion protrudes from the base does not form an angle of 90 ° but has an R shape with a radius of 1750 Atm.
  • a SUS 304 substrate was prepared in the same manner as described above, a light-sensitive resist material was applied in the same manner, and a photomask was arranged on the resist coating film on the side of the SUS 304 substrate on which a fine groove was formed. This photomask was to be plane-symmetric with the above-mentioned photomask with respect to the SUS 304 substrate surface.
  • the resist coating film was exposed to light through a photomask, and developed using a sodium bicarbonate solution.
  • striped openings of 500 fim width are arranged at a pitch of 2000 m on one surface of each SUS 304 substrate, and adjacent striped openings are alternately arranged at the ends.
  • the SUS 304 substrate was etched (for 3 minutes) under the following conditions using the above resist pattern as a mask.
  • one set of SUS 304 substrates has stripe-shaped fine grooves with a width of 1 000 Atm, a depth of 650 nm and a length of 30 mm formed on one surface at a pitch of 2000 Atm.
  • microgrooves flow path length: 300 mm
  • shape that alternately continued a shape that continued to meander while turning 180 degrees as shown in Fig. 18
  • the folded portion of the fine groove had no corners and was round, and had no corners on the inner wall surface along the flow direction of the fluid.
  • the shape of the inner wall surface in the cross section perpendicular to the flow direction of the fluid in the microgroove was substantially semicircular.
  • a polyimide precursor solution (Photo Nice, manufactured by Toray Industries, Inc.) was screen-printed as a coating solution for an insulating film on the surface of one of the SUS 304 substrates constituting the above joined body, on which the fine grooves were not formed. It was printed and cured at 350 ° C to form a 2 2 thick insulating film.
  • a boehmite treatment was performed on the inner wall surface of the flow channel of the above-mentioned joined body under the following conditions to form an aluminum oxide thin film.
  • the thickness of the formed aluminum oxide thin film was measured by an ellipsometer and found to be about 5 m.
  • Alumina sol 520 (manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is used and has a viscosity of 15-20.
  • a boehmite membrane was fixed inside.
  • Example 3 a catalyst was carried on the entire surface of the flow path of the joined body in the same manner as in Example 4. Thereafter, a heating element, an electrode, and a heating element protection layer were formed on the insulating film formed on one of the SUS 304 substrates in the same manner as in Example 3.
  • a 100 OAtm thick AI substrate (25 OmmX 25 Omm) is prepared as a metal substrate, and a photosensitive resist material (OFPR, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to both sides of the AI substrate by a dip method. (Film thickness 7 ⁇ m (dry)).
  • a strip-shaped light mask with a width of 1500 m and a pitch of 2000 ⁇ m (length 3 Omm) was alternately extended from the left and right. .
  • the resist coating film was exposed through the photomask, and developed using a sodium hydrogen carbonate solution.
  • strip-shaped openings having a width of 500 Atm are arranged at a pitch of 2000 tm, and adjacent strip-shaped openings are alternately continuous at the ends.
  • a resist pattern was formed in a meandering pattern, with both ends facing in the same direction, and 5 mm longer than the other strip-shaped openings.
  • the AI substrate was etched (for 3 minutes) under the following conditions.
  • an AI plate having a thickness of 1 O OAtm was prepared as a metal cover member, and the AI plate was diffused and bonded to the AI substrate on which the fine groove was formed as described above so as to cover the fine groove under the following conditions.
  • a joined body having an outer shape as shown in FIG. 22 was formed.
  • the dimensions of this joint are 25mm x 35mm, thickness 1.4mm, and two protrusions in the same direction (Length: 5 mm, width: 5 mm) with a distance of 15 mm, and the inlet and outlet of the channel were located at the tip of this protruding portion.
  • a unit channel member was formed by forming an aluminum oxide thin film (insulating film) on the surface of the joined body including the inside of the channel.
  • the thickness of the formed aluminum film was measured by an ellipsometer and found to be about 30 Atm.
  • a paste for a heating element having the following composition was printed on the aluminum oxide thin film of one unit channel member by screen printing, and cured at 200 ° C. to form a heating element.
  • the formed heating element has a fine line with a width of 100 Atm and a line interval of 100 mm on the AI substrate so as to cover the entire area (35 mm x 25 mm) corresponding to the area where the fine groove is formed.
  • the shape was such that it was drawn at 0 m.
  • electrodes were formed by screen printing at two predetermined positions of the heating element so as to reach the side surfaces of the joined body.
  • a heating element protective layer (20 m thick) was formed on the heating element by screen printing.
  • a catalyst suspension having the following composition is filled in the flow path of another unit flow path member and left (15 minutes). After that, the catalyst suspension is removed and dried and reduced at 120 ° C for 3 hours. The catalyst C1 was carried on the entire surface of the flow channel.
  • a heating element, an electrode, and a heating element protection layer are formed on the aluminum thin film of the AI substrate in the same manner as the first-stage unit flow path member, and the second-stage unit flow path member ( Unit microphone-mouth reactor).
  • the catalyst suspension of the following composition is filled in the flow path of another unit flow path member and left (15 minutes). After that, the catalyst suspension is removed, and dried and reduced at 120 ° C for 3 hours. The catalyst C was carried on the entire surface of the flow channel.
  • a fixing member was prepared with three steps of storage space with a frontage of 25 mm x 1.41 mm at a pitch of 2 mm.
  • each unit flow path member Inserts the protruding parts of each unit flow path member (the second and third stages are unit microreactors) into the connecting member prepared as described above in order from the first stage to the third stage. Also, the end opposite to the connection end of each unit flow path member was fixed by a fixing member.
  • the surface of the AI substrate on which the fine grooves are formed is immersed (2 hours) in an aqueous catalyst solution having the following composition, and then subjected to a dry reduction treatment at 350 ° C for 1 hour to support the catalyst in the fine grooves.
  • an aqueous catalyst solution having the following composition having the following composition, and then subjected to a dry reduction treatment at 350 ° C for 1 hour to support the catalyst in the fine grooves.
  • an AI plate having a thickness of 1 OO tm was joined to the AI substrate surface by brazing under the following conditions.
  • This AI board is provided with two openings (raw material inlet and gas outlet, the dimensions of each opening are 0.6 mm X 0.6 mm), and each opening has a fine groove formed on the AI substrate. Was aligned so as to match both ends of the flow path.
  • Example 2 a heating element, an electrode, and a heating element protection layer were formed on the aluminum oxide thin film of the bonded AI substrate in the same manner as in Example 1.
  • a stripe-shaped fine groove having a width of 1,000 ⁇ m, a depth of 650 tm, and a length of 30 mm was formed on one surface of the stainless steel substrate. Are formed at a pitch of 2 000 m, and are alternately continuous at the ends of adjacent micro grooves.
  • Fine grooves (as shown in Fig. 9) (flow path length 300 mm) were formed. At the end of the continuous fine groove, as shown in FIG. 9, the opening of the formed through hole was located.
  • the surface of the stainless steel substrate on which the fine grooves were formed was immersed (2 hours) in an aqueous catalyst solution having the following composition, and then subjected to a dry reduction treatment at 350 ° C. for 1 hour to support the catalyst in the fine grooves. .
  • a first-stage metal substrate was prepared.
  • one side of the stainless steel substrate was provided with a width of 100 ⁇ m, a depth of 65 Stripe-shaped microgrooves are formed at a pitch of 2000 m, and the microgrooves (as shown in Fig. 10) are alternately continuous at the ends of adjacent microgrooves (as shown in Fig. 10). 0 mm). At the end of the continuous fine groove, as shown in FIG. 10, the opening of the formed through-hole was located.
  • the surface on which the fine grooves were formed on the first-stage metal substrate and the surface opposite to the surface on which the fine grooves were formed were diffusion-bonded under the same conditions as in Example 2.
  • a stainless steel plate having a thickness of 0.3 m was diffusion-bonded to the second grooved surface of the metal substrate surface under the same conditions as in Example 2.
  • the stainless steel plate has one opening (gas outlet: the dimension of the opening is 0.6 mm X 0.6 mm), and this opening is formed in the second stage metal substrate.
  • the alignment was performed so as to coincide with the end of the flow path of the fine groove (the end different from the end of the second-stage metal substrate where the through hole was formed).
  • a stripe-shaped fine groove having a width of 100 m, a depth of 650 tm, and a length of 30 mm was formed on one surface of the AI substrate.
  • a fine groove flowing in a meandering shape while turning 180 degrees as shown in Fig. 14 that alternates and continues at the ends of adjacent fine grooves
  • the path length was 300 mm).
  • the AI substrate was connected to the anode of an external electrode, and an aluminum oxide thin film was formed on the surface of the AI substrate including the fine grooves under the same conditions as in Example 3 to form an insulating film.
  • the bonding surface side (the side on which the fine grooves were formed) of the AI substrate was polished with alumina powder to remove the aluminum oxide thin film, thereby exposing the AI substrate.
  • an AI plate having a thickness of 1 OO tm was prepared as a metal cover member, and this AI plate was brazed on the AI substrate having the fine grooves formed with an oxidized aluminum thin film as described above so as to cover the fine grooves. Then, a joined body was produced by joining.
  • This AI board is provided with two openings (raw material inlet and gas outlet, the dimensions of each opening are 0.6 mm X 0.6 mm), and each opening is connected to the AI board. Positioning was performed so that the formed fine grooves coincided with both ends of the flow path. As a result, a flow path connecting the raw material inlet and the gas outlet was formed in the joined body.
  • the brazing conditions were the same as in Example 7.
  • Example 3 a catalyst suspension having the same composition as in Example 3 was filled in the flow path of the joined body, and the catalyst was supported on the entire surface of the flow path under the same conditions as in Example 3.
  • Example 3 a heating element, an electrode, and a heating element protective layer were formed in the same manner as in Example 3 on the aluminum oxide thin film of the AI substrate on which the fine groove was not formed.
  • each of the AI substrates was connected to the anode of an external electrode, and an aluminum oxide thin film was formed on the surface of the AI substrate including the fine grooves under the same conditions as in Example 4 to form an insulating film. Then each The aluminum oxide thin film present on the joint surface of the AI substrate was polished and removed using alumina powder, exposing the AI substrate.
  • the set of AI substrates described above was rejoined by brazing so that the fine grooves faced each other, thereby producing a joined body.
  • the alignment was performed so that the fine grooves of one set of AI substrates completely faced each other.
  • a flow path having a raw material inlet and a gas outlet on one end surface of the joined body was formed in the joined body.
  • the brazing conditions were the same as in Example 7.
  • Example 4 a catalyst suspension having the same composition as in Example 4 was filled in the flow channel of the joined body, and the catalyst was supported on the entire surface of the flow channel under the same conditions as in Example 4.
  • a heat-generating body, an electrode, and a heating-element protecting layer were formed in the same manner as in Example 3 on the aluminum oxide thin film of one AI substrate.
  • this set of SUS304 substrates was diffusion-bonded under the same conditions as in Example 5 so that the fine grooves of each other faced each other to produce a bonded body.
  • the positioning was performed so that the fine grooves of a pair of SUS304 substrates were completely opposed to each other.
  • a flow path having a raw material inlet and a gas outlet on one end surface of the joined body was formed in the joined body.
  • a catalyst was carried on the entire surface of the flow path of the joined body in the same manner as in Example 4.
  • an insulating film is formed on one of the SUS304 substrates in the same manner as in Example 5, and a heating element, an electrode, and a heating element protective layer are formed on this insulating film in the same manner as in Example 3. did.
  • this AI substrate was connected to the anode of the external electrode, and anodized under the same conditions as in Example 6 to form an aluminum oxide thin film (insulating film) on the surface of the AI substrate including the fine grooves.
  • the surface on which the fine grooves were formed was polished with alumina powder to remove the aluminum oxide thin film, exposing the AI substrate surface (bonding surface).
  • an AI plate having a thickness of 100 Atm was prepared as a metal cover member, and this AI plate was placed on the AI substrate on which the fine grooves were formed as described above so as to cover the fine grooves, in the same manner as in Example 6. Bonded by brazing under conditions.
  • three joined bodies having an outer shape as shown in FIG. 22 were produced, and were used as unit channel members.
  • the dimensions of this joint are 25 mm x 35 mm, 1.4 mm thick, with two protrusions (5 mm long, 5 mm wide) in the same direction, separated by a distance of 15 mm. However, the inlet and outlet of the flow channel were located at the tip of this protruding portion.
  • Example 6 Using the above three unit flow path members, as in Example 6, the unit flow path member for the first step, the unit flow path for the second step, and the unit flow path for the third step The microreactor of the present invention was manufactured. Industrial applicability

Abstract

マイクロリアクターの構成を、一方の面に微細溝部を備えた金属基板と、この金属基板の他の面に絶縁膜を介して設けられた発熱体と、微細溝部内に担持された触媒と、微細溝部を覆うように金属基板に接合された原料導入口とガス排出口を有するカバー部材と、を備えるものとする。このようなマイクロリアクターは、熱伝導率が高く熱容量が小さい金属基板を使用しているので、発熱体から担持触媒への熱の伝達効率が高いものとなり、また、金属基板の加工が容易で、製造が簡便となる。

Description

マイクロリアクターおよびその製造方法 技術分野
本発明は、 水素製造用改質器に使用するマイクロリアクター、 特にメタノール等の 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターと、 このマイクロリァクタ 一の製造方法に閲する。 明
背景技術
近年、 ±也球環境保護の観点で二酸化炭素等の地球温暖化ガスの発生がなく、 また、 エネルギー効率が高いことから、 水素を燃料とすることが注目されている。 特に、 燃 ネ斗電池は水素を直接電力に変換できることや、 発生する熱を利用するコジエネレーシ ョンシステムにおいて高いエネルギー変換効率が可能なことから注目されている。 こ れまで燃料電池は宇宙開発や海洋開発等の特殊な条件において採用されてきたが、 最 近では自動車や家庭用分散電源用途への開発が進んでおり、 また、 携帯機器用の燃料 電池も開発されている。
燃料電池の中で、 天然ガス、 ガソリン、 ブタンガス、 メタノール等の炭化水素系燃 料を改質して得られる水素ガスと、 空気中の酸素とを電気化学的に反応させて電気を 取リ出す燃料電池は、 一般に炭ィ 素系燃料を水蒸気改質して水素ガスを生成する改 質器と、 電気を発生させる燃料電池本体等で構成される。
メタノール等を原料として水蒸気改質により水素ガスを得るための改質器では、 主 に C u— Z n系触媒を使用し、 P及熱反応により原料の水蒸気改質が行われる。 産業用 の燃料電池では、 起動 '停止が頻繁に行われることがないため、 改質器の温度変動は 生じにくい。 しかし、 自動車用や携帯機器用の燃料電池では、 起動 -停止が頻繁に行 われるため、 停止状態から始動したときの改質器の立ち上がりが速い (メタノールの 水蒸気改質温度に達するまでの時間が短い) ことが要求される。
一方、 特に携帯機器用では、 燃料電池の小型化が必須であり、 改質器の小型化が 種々検討されている。 例えば、 シリコン基板やセラミックス基板にマイクロチャネル を形成し、 このマイクロチャネル内に触媒を担持したマイクロリアクターが開発され ている (特開 2 0 0 2— 2 5 2 0 1 4号公報) 。
しかしながら、 従来のマイクロリアクターは、 熱の利用効率が悪く、 停止状態から 始動したときの改質器の立ち上がり速度が遅いという問題があった。 また、 マイクロ マシーンによる加工等を必要とし、 製造コストが高いという問題もあった。 さらに、 携帯機器用の燃料電池では、 マイクロリアクターに許容されるスペースの制限が厳し く、 更なる小型化が強く要望されている。
また、 従来のマイクロリアクターは、 反応効率が低く、 より反応効率の高いマイク 口リアクターが要望されている。 さらに、 従来のマイクロリアクタ一では、 製造段階 で触媒が熱によリ失活するおそれがあり、 使用できる触媒が制限されたり、 製造工程 管理が難しいという問題もあった。
さらに、 従来のマイクロリアクターによる水素製造では、 水素製造の各工程 (混合、 改質、 C O除去) 用のマイクロリアクターを準備し、 これら複数のマイクロリアクタ 一を配管で接続したものであり、 必要とするスペースが大きくなリ、 携帯機器用の燃 料電池のように、 マイクロリアクターに許容されるスペースの制限が厳しい場合、 小 型化に重大な支障を来していた。
また、 使用中に 1つの工程用のマイクロリアクターにおいて触媒の失活ゃ劣化が生 じ、 その機能がなくなると、 正常に機能しているマイクロリアクタ一を含めて複数の マイクロリアクター全体を交換する必要があり、 ランニングコスト低減に支障を来す という問題があった。 発明の開示
そこで、 本発明は上記のような問題点を解消するためになされたものである。 その 目的は、 小型で高効率の水素製造用改質器を可能とするマイクロリアクターと、 この マイクロリアクターを簡便に製造することが可能な製造方法を提供することである。 このような目的を達成するために、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るため のマイクロリアクターにおいて、 一方の面に微細溝部を備えた金属基板と、 該金属基 板の他の面に絶縁膜を介して設けられた発熱体と、 前記微細溝部内に担持された触媒 と、 前記微細溝部を覆うように前記金属基板に接合され原料導入口とガス排出口を有 するカバー部材と、 を備えるような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、 前記金属基板を陽 極酸ィ匕して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 前記微細溝部が形成されて いない前記金属基板面の前記金属酸化膜上に発熱体を設ける工程と、 前記微細溝部内 に触媒を担持する工程と、 原料導入口とガス排出口が形成されたカバー部材を、 前記 微細溝部を覆うように前記金属基板に接合する工程と、 を有するような構成とした。 また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、 前記微細溝部が形 成されていない前記金属基板面上に絶縁膜を設ける工程と、 前記絶縁膜上に発熱体を 設ける工程と、 前記微細溝部内に触媒を担持する工程と、 原料導入口とガス排出口が 形成されたカバー咅附を、 前記微細溝部を覆うように前記金属基板に接合する工程と、 を有するような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、 前記金属基板を陽 極酸化して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 前記微細溝部内に触媒を担 持する工程と、 原料導入口とガス排出口が形成されたカバー部材を、 前記微細溝部を 覆うように前記金属基板に接合する工程と、 前記微細溝部が形成されていない前記金 属基板面の前記金属酸化膜上に発熱体を設ける工程と、 を有するような構成とした。 また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、 前記微細溝部内に 触媒を担持する工程と、 原料導入口とガス排出口が形成されたカバー部材を、 前記微 細溝部を覆うように前記金属基板に接合する工程と、 前記微細溝部が形成されていな い前記金属基板面上に絶縁膜を設ける工程と、 前記絶縁膜上に発熱体を設ける工程と、 を有するような構成とした。
上述の本発明によれば、 マイクロリアクターを構成する金属基板が、 シリコン基板 やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱容量が小さいので、 発熱体から担持 触媒へ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動したときの立ち上がり速度が速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利用効率の高い水素製造用改質器が可能となり、 また、 金属基板への微細溝部の形成は、 マイクロマシーンによる加工を必要とせず、 エッチ ング加工等の安価な加工方法によリ容易に行えるので、 マイクロリアクターの製造コ ス卜低減が可能となる。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおい て、 触媒を担持した微細溝部を一方の面に備えた複数の金属基板を、 前記微細溝部形 成面が同一方向となるように多段に積み重ね、 各段の金属基板の前記微細溝部を連絡 するための貫通孔を各金属基板に備え、 少なくとも 1個の金属基板は前記微細溝部が 形成されていない面に絶縁膜を介して設けられた発熱体を備え、 多段の最外部に位置 し前記微細溝部が露出している前記金属基板に、 ガス排出口を有するカバー部材を接 合して備えるような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口 をもつ貫通孔を形成する工程と、 前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶 縁膜を形成する工程と、 少なくとも 1個の前記金属基板の前記微細溝部が形成されて いない面の前記金属酸化膜上に発熱体を設ける工程と、 複数の前記金属基板の微細溝 部内に触媒を担持する工程と、 前記複数の金属基板を多段に積み重ねる際に接合され る部位の前記金属酸化膜を除去する工程と、 前記複数の金属基板を、 各金属基板の微 細溝部が前記貫通孔を介して連絡されるように多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス 排出口が形成されたカバー部材を、 多段の最外部に位置し前記微細溝部が露出してい る前記金属基板に接合する工程と、 を有するような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口 をもつ貫通孔を形成する工程と、 前記微細溝部が形成されていない前記金属基板面上 に絶縁膜を設ける工程と、 少なくとも 1個の前記金属基板の前記絶縁膜上に発熱体を 設ける工程と、 複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、 前記複数 の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して 絡されるように多段に 積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバー部材を、 多段の最外部に位 置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 を有するような構 成とした。 また、本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法にお t、て、 複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口 をもつ貫通孔を形成する工程と、 前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶 緣膜を形成する工程と、 複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、 前記複数の金属基板を多段に積み重ねる際に接合される部位の前記金属酸化膜を除去 する工程と、 前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝咅が前記貫通孔を介して連 絡されるように多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバー部材 を、 多段の最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程 と、 多段の最外部に位置する少なくとも一方の前記金属酸化膜上に発熱体を設けるェ 程と、 を有するような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法にお ゝて、 複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口 をもつ貫通孔を形成する工程と、 複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する 工程と、 前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して連絡さ れるように多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバ一部材を、 多段の最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 多段の最外部に位置する少なくとも一方の前記金属基板面上に絶縁膜を設け、 該絶縁 膜上に発熱体を設ける工程と、 を有するような構成とした。
上述の本発明によれば、 多段に積み重ねた各金属基板の触媒を担持した微細溝部で、 原料の混合、 気化、 混合気体の改質、 不純物除去を行うことができ、 カバ一部材のガ ス排出口から高純度の水素ガスを得ることができるため、 複数のマイクロリアクター を接続管で接続する場合に比べて、 スペース効率の高い水素製造用改質器が可能とな る。 また、 マイクロリアクターを構成する金属基板が、 シリコン基板やセラミックス 基板に比べて、 熱伝導率が高く熱容量が小さいので、 発熱体から担持触媒へ高効率で 熱が伝達され、 停止状態から始動したときの立ち上がり速度が速く、 かつ、 発熱体へ の投入電力の利用効率の高い水素製造用改質器が可能となる。 さらに、 金属基板への 微細溝部の形成は、 マイクロマシーンによる加工を必要とせず、 エッチング加工等の 安価な加工方法により容易に行えるので、 マイクロリアクターの製造コス卜低減が可 能となる。 また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおい て、 微細溝部を一方の面に備えた金属基板に、 原料導入口とガス排出口とを有する金 属カバー部材が前記微細溝部を覆うように接合されてなる接合体と、 該接合体の内部 に位置する前記微細溝部と前記金属カバ一部材とで構成された流路と、 該流路の内壁 面の全面に担持された触媒と、 を備えるような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおい て、 微細溝部を一方の面に備え、 かつ、 該微細溝部のパターンが相互に面対称関係に ある 1組の金属基板を、 前記微細溝部が対向するように接合してなる接合体と、 該接 合体の内部で対向している前記微細溝部で構成された流路と、 該流路の内壁面の全面 に担持された触媒と、 前記流路の一方の端部に位置する原料導入口と、 前記流路の他 方の端部に位置するガス排出口と、 を備えるような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する溝部形成工程と、 原料導入 口とガス排出口とを有する金属カバー部材を、 前記微細溝部を覆うように前記金属基 板に接合して、 流路を備えた接合体を形成する接合工程と、 前記流路の内壁面に金属 酸化膜を形成する表面処理工程と、 前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒 を担持する触媒担持工程と、 を有するような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 1組の金属基板の一方の面に、 面対称となるパターンで微細溝部を形 成する溝部形成工程と、 前記 1組の金属基板を前記微細溝部が対向するように接合し て、 流路を備えた接合体を形成する接合工程と、 前記流路の内壁面に金属酸化膜を形 成する表面処理工程と、 前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持する 触媒担持工程と、 を有するような構成とした。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 金属基板の一方の面に微細溝部を形成する溝部形成工程と、 前記微細 溝部の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程と、 原料導入口とガス排出口とを 有する金属カバーき附を、 前記微細溝部を覆うように前記金属基板に接合して、 流路 を備えた接合体を形成する接合工程と、 前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して 触媒を担持する触媒担持工程と、 を有するような構成とした。 また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造 方法において、 1組の金属基板の一方の面に、 面対称となるパターンで微細溝部を形 成する溝部形成工程と、 前記微細溝部の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程 と、 前記 1組の金属基板を前記微細溝部が対向するように接合して、 流路を備えた接 合体を形成する接合工程と、 前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持 する触媒担持工程と、 を有するような構成とした。
上述の本発明によれば、 触媒が流路の内壁面の全面に担持されたことにより反応面 積が拡大され、 反応効率が向上して、 スペースの有効利用が可能となり、 また、 マイ クロリアクターを構成する金属基板が、 シリコン基板やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱容量が小さいので、 発熱体から担持触媒へ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動したときの立ち上がり速度が速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利 用効率の高 tゝ水素製造用改質器が可能となる。
また、 接合工程によリ流路を備えた接合体が形成された後に触媒が担持されるので、 接合工程における触媒の熱失活のおそれがなぐ 触媒の選択幅が広くなリ、 さらに、 接合工程まで完了させて複数の接合体を準備しておき、 これらの接合体に所望の触媒 を担持させることにより、 異なった反応に使用されるマイクロリアクター、 例えば、 メタノ一ルの改質用、 一酸化炭素の酸化用の各マイクロリアクターを用途に応じて製 造することができ、 製造工程の簡素化が可能である。 また、 金属基板への微細溝部の 形成は、 マイクロマシーンによる加工を必要とせず、 エッチング加工等の安価な加工 方法により容易に行え、 さらに、 研磨工程も不要であるため、 マイクロリアクターの 製造コスト低減が可能となる。 また、 流路の内壁面に角部を存在させないようにした 場合、 触媒担持工程における担持量のバラツキが抑制され、 触媒を均一に担持させる ことができる。
また、 本発明は、 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおい て、 流路を内部に有し、 該流路の一方の端部が導入口をなし、 他方の端部が排出口を なす複数個の単位流路部材と、 該単位流路部材を多段状態で保持する連結部材とを少 なくとも備え、 前記連結部材は、 単位流路部材の導入口が位置する部位、 排出口が位 置する部位にて単位流路部材を密着させて保持するための複数の連結部と、 原料導入 口と、 ガス排出口とを有し、 少なくとも 1個の前記単位流路部材は流路内に触媒を担 持した単位マイクロリアクターであり、 前記連結部材の原料導入口から原料を導入し、 複数個の前記単位流路部材のうち、 前記単位マイクロリアクターにて所定の反応を行 い、 前記連結部材のガス排出口から所望の生成ガスを得るような構成とした。
上述の本発明によれば、 多段状態で連結保持している単位流路部材のうち、 所望の 単位流路部材が、 流路内に触媒を担持した単位マイクロリアクターとされているので、 スペースの利用効率が向上し、 また、 単位マイクロリアクターの段数、 単位マイクロ リアクターに担持する触媒種の選択により、 所望の性能、 特性を有する水素製造用の マイクロリアクタ一とすることができる。 さらに、 各単位流路部材を取り外し可能と することにより、 触媒の失活ゃ劣化が生じた単位マイクロリアクターのみを交換して、 マイクロリアクター全体としての機能を維持することができる。 また、 接合体を形成 した後に触媒を担持して単位マイクロリアクターとすることにより、 同一構造の単位 流路部材 (接合体) を使用し、 要求される機能に応じた触媒を担持した単位マイクロ リアクターを組み込むことが可能となり、 マイクロリアクターの製造コスト、 ラン二 ングコストが低減される。 また、 所望の単位マイクロリアクターに発熱体を備えたり、 単位流路部材間に断熱用の空隙や断熱材を介在させることにより、 単位マイクロリア クタ一毎に最適な温度とすることができ、 反応効率の向上と熱の有効利用が可能であ る。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図である。
図 2は、 図 1に示されるマイクロリアクターの 1 1— 1 1 線における拡大縦断面図で ある。
図 3は、 図 1に示されるマイクロリアクターの金属基板の微細溝部形成面側を示す 斜視図である。
図 4は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 2相当の縦断面図で ある。
図 5は、 本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図である。
図 6は、 図 5に示されるマイクロリアクターの I I一 I I 線における拡大縦断面図で る。 図 7は、 図 5に示されるマイクロリアクターの I l l— I l l 線における拡大縦断面図 である。
図 8は、 図 5に示されるマイクロリアクター 1において、 発熱体保護層 7を剥離し た状態を示す斜視図である。
図 9は、 図 5に示されるマイクロリアクターの 1段目の金属基板の微細溝部形成面 側を示す斜視図である。
図 1 0は、 図 5に示されるマイクロリアクターの 2段目の金属基板の微細溝部形成 面側を示す斜視図である。
図 1 1は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 6相当の縦断面図 である。
図 1 2は、 本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図である。
図 1 3は、 図 1 2に示されるマイクロリアクターの A— A線における拡大縦断面図 である。 ' 図 1 4は、 図 Ί 2に示されるマイクロリアクタ一を構成する金属基板の微細溝部形 成面側を示す斜視図である。
図 1 5は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 1 3相当の縦断面 図である。
図 1 6は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す斜視図である。 図 1 7は、 図 1 6に示されるマイクロリアクターの B—B線における拡大縦断面図 である。
図 1 8は、 図 1 6に示されるマイクロリアクターを構成する金属基板の微細溝部形 成面側を示す斜視図である。
図 1 9は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 1 7相当の縦断面 図である。
図 2 0は、 本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図である。
図 2 1は、 図 2 0に示されるマイクロリアクターの I 一 I線における拡大縦断面図 である。
図 2 2は、 図 2 0に示されるマイクロリアクターの構成部材を離間させた状態を示 す斜視図である。 図 2 3は、 本発明のマイクロリアクターを構成する単位流路部材内の流路の例を説 明するための斜視図である。
図 2 4は、 連結咅附の連結部が形成された面を示す図である。
図 2 5は、 図 2 4に示される連結部材の断面図であって、 図 2 5 Aは II—II線にお ける断面図、 図 2 5 Bは ΠΙ-ΙΠ線における断面図である。
図 2 6は、 本発明のマイクロリアクターの他の例を説明するための図 2 1相当の縦 断面図である。
図 2 7は、 本発明のマイクロリアクターを構成する単位流路部材 (単位マイクロリ アクター) の他の例を示す縦断面図である。
図 2 8は、 単位マイクロリアクターの作製方法の一例を示す工程図である。
図 2 9は、 単位マイクロリアクターの作製方法の他の例を示す工程図である。 図 3 0 A〜図 3 0 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 1 A〜図 3 1 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 2 A〜図 3 2 Dは、 本発明のマイクロリアクタ一製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 3 3 A〜図 3 3 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 3 4 A〜図 3 4 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 5 A〜図 3 5 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 6 A〜図 3 6 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 7 A〜図 3 7 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 8 A〜図 3 8 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。 図 3 9 A〜図 3 9 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 O A〜図 4 0 Dは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 1 A〜図 4 1 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 4 2 A〜図 4 2 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明 するための工程図である。
図 4 3 A〜図 4 3 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 4 A〜図 4 4 Cは、 本発明のマイクロリアクタ一製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 5 A〜図 4 5 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 6 A〜図 4 6 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 7 A〜図 4 7 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。
図 4 8 A〜図 4 8 Cは、 本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説 明するための工程図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
[マイクロリアクター]
まず、 本発明のマイクロリアクターについて説明する。
<マイクロリアクターの第 1の実施形態 >
図 1は本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図であり、 図 2は図 1 に示されるマイクロリアクターの I I一 I I 線における拡大縦断面図である。 図 1およ び図 2において、 本発明のマイクロリアクター 1は、 金属基板 2と、 この金属基板 2 の一方の面 2 aに形成された微細溝部 3と、 この微細溝部 3内部および金属基板 2の 両面 2 a, 2 bと側面 2 cに形成された金属酸化膜からなる絶縁膜 4と、 金属基板 2 の表面 2 b上に絶縁膜 4を介して設けられた発熱体 5と、 微細溝部 3内に担持された 触媒 Cと、 上記微細溝部 3を覆うように金属基板 2に接合されたカバー部材 8と、 を 備えている。 また、 発熱体 5には電極 6, 6が形成され、 この電極 6, 6が露出する ような電極開口部 7 a, 7 aを有する発熱体保護層 7が、 発熱体 5を覆うように設け られている。 また、 上記カバー咅附 8には、 原料導入口 8 aとガス排出口 8 bが設け られている。
図 3は、 図 1に示されるマイクロリアクター 1の金属基板 2の微細溝部 3形成面側 を示す斜視図である。 図 3に示されるように、 微細溝部 3は櫛状のリブ 2 A, 2 Bを 残すように形成され、 端部 3 aから端部 3 bまで連続する形状である。 そして、 カバ 一部材 8の原料導入口 8 aを端部 3 aに位置させ、 ガス排出口 8 bを端部 3 bに位置 させることにより、 原料導入口 8 aからガス排出口 8 bまで連続した流路が構成され る。
本発明のマイクロリアクター 1を構成する金属基板 2は、 陽極酸化により金属酸化 膜 (絶縁膜 4 ) を形成することができる金属を使用することができる。 このような金 属としては、 例えば、 A I、 S i、 T a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。 これらの金属の中で、 特に A Iが加工適性や、 熱容量、 熱 伝導率等の特性、 単価の点から好ましく使用される。 金属基板 2の厚みは、 マイクロ リアクター 1の大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝 部 3の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 5 0 ~ 2 0 0 θ Α6 m程度の範囲で設定することができる。
このような金属基板 2への陽極酸化による金属酸化膜 (絶縁膜 4 ) の形成は、 金属 基板 2を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸潰して陰極と対向させ 通電することにより行うことができる。 金属酸化膜 (絶縁膜 4 ) の厚みは、 例えば、 5〜 1 5 0 m程度の範囲で設定することができる。
金属基板 2に形成される微細溝部 3は、 図 3に示されるような形状に限定されるも のではなく、 微細溝部 3内に担持する触媒 Cの量が多くなリ、 かつ、 原料が触媒 Cと 接触する流路長が長くなるような任意の形状とすることができる。 通常、 微細溝部 3 の深さは 1 0 0〜 1 0 0 0 m程度の範囲内、 幅は 1 0 0〜 1 0 0 0 At m程度の範囲 内で設定することができ、 流路長は 3 0〜3 0 O mm程度の範囲とすることができる。 本発明では、 微細溝部 3内部にも金属酸化膜からなる絶縁膜 4が形成されているの で、 微細孔を有する金属酸化膜の表面構造により、 触媒 Cの担持量が増大するととも に、 安定した触媒担持が可能となる。
触媒 Cとしては、 従来から水蒸気改質に使用されている公知の触媒を使用すること ができる。
本発明のマイクロリアクター 1を構成する発熱体 5は、 吸熱反応である原料の水蒸 気改質に必要な熱を供給するためのものであり、 カーボンペース卜、 ニクロム (N i 一 C r合金) 、 W (タングステン) 、 M o (モリブデン) 等の材質を使用することが できる。 この発熱体 5は、 例えば、 幅 1 0〜2 0 O m程度の細線を、 微細溝部 3が 形成されている領域に相当する金属基板面 2 b (絶縁膜 4 ) 上の領域全面に引き回し たような形状とすることができる。
このような発熱体 5には、 通電用の電極 6, 6が形成されている。 通電用の電極 6, 6は、 A u、 A g、 P d、 P d— A g等の導電材料を用いて形成することができる。 発熱体保護層 7は、 上記の電極 6, 6を露出させるための電極開口部 7 a, 7 bを 有し、 発熱体 5を覆うように配設されている。 この発熱体保護層 7は、 例えば、 感性 ポリイミド、 ワニス状のポリイミド等により形成することができる。 また、 発熱体保 護層 7の厚みは、 使用する材料等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 2〜 2 5 t m程度の範囲で設定することができる。
本発明のマイクロリアクター 1を構成するカバー部材 8は、 A I合金、 C u合金、 ステンレス材料等を使用することができる。 また、 カバー部材 8の厚みは、 使用する 材料等を考慮して適宜設定することができ、 例えば、 2 0〜2 0 0 At m程度の範囲で 設定することができる。 カバー咅附 8が備える原料導入口 8 aとガス排出口 8 bは、 金属基板 2に形成された微細溝部 3の流路の両端部 3 a , 3 bに位置するように設け られている。
<マイクロリアクターの第 2の実施形態 >
図 4は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 2相当の縦断面図で ある。 図 4において、 本発明のマイクロリアクター 1 ' は、 金属基板 2 ' と、 この金 属基板 2 ' の一方の面 2 ' aに形成された微細溝部 3と、 金属基板 2 ' の他の面 2 ' bに形成された絶縁膜 4 ' と、 金属基板 2 ' の表面 2 ' b上に絶縁膜 4 ' を介して設 けられた発熱体 5と、 微細溝部 3内に担持された触媒 Cと、 上記微細溝部 3を覆うよ うに金属基板 2 ' に接合されたカバ一部材 8と、 を備えている。 また、 発熱体 5には 電極 6, 6が形成され、 この電極 6, 6が露出するような電極開口部 7 a, 7 aを有 する発熱体保護層 7が、 発熱体 5を覆うように設けられている。 また、 上記カバー部 材 8には、 原料導入口 8 aとガス排出口 8 bが設けられている。
このようなマイクロリアクター 1 ' は、 金属部材 2 ' 、 絶縁層 4 ' が異なる点、 お よび、 微細溝部 3内に金属酸化膜 (絶縁層 4 ) が形成されていない点を除いて、 上述 のマイクロリアクター 1と同様であり、 同じ構成部材には同じ部材番号を付し、 説明 は省略する。
本発明のマイクロリアクター 1 ' を構成する金属基板 2 ' は、 A I基板、 C U基板、 ステンレス基板等のいずれかを使用することができる。 また、 金属基板 2 ' の厚みは、 マイクロリアクター 1 ' の大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成 する微細溝部 3の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 5 0〜 2 0 0 0 程度の範囲で設定することができる。
金属基板 2 ' の面 2 ' bに形成された絶縁膜 4 ' は、 例えば、 ポリイミド、 セラミ ック (A l 203、 S i 02) 等により形成されたものとすることができる。 このような 絶縁膜 4 ' の厚みは、 使用する材料の特性等を考慮して適宜設定することができ、 例 えば、 1〜 3 0 At m程度の範囲で設定することができる。
上述のような本発明のマイクロリアクター 1, 1 ' は、 金属基板 2, 2 ' を使用し ており、 これらはシリコン基板やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱容量 が小さいので、 発熱体 5から担持触媒 Cへ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動 したときの立ち上がりが速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利用効率の高い水素製造 用改質器が可能となる。
<マイクロリアクターの第 3の実施形態 >
図 5は本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図であリ、 図 6は図 5 に示されるマイクロリアクターの I I一 I I 線における拡大縦断面図であり、 図 7は図 5に示されるマイクロリアクターの 1 1 1— 1 1 1線における拡大縦断面図でる。 図 5乃至図 7において、 本発明のマイクロリアクタ一 1 1は、 金属基板 1 2と金属 基板 2 2とが接合された 2段構造である。 1段目の金属基板 1 2は、 一方の面 1 2 a に形成された微細溝部 Ί 3と、 この微細溝部 1 3の所定箇所に開口をもつ貫通孔 1 9 と、 この貫通孔 1 9内部と微細溝部 1 3内部および金属基板 1 2の他方の面 1 2 bと 側面 1 2 cに形成された金属酸化膜からなる絶縁膜 1 4と、 金属基板 1 2の表面 1 2 b上に絶縁膜 1 4を介して設けられた発熱体 1 5と、 微細溝部 Ί 3内に担持された触 媒 C 1と、 を備えている。 また、 発熱体 1 5には電極 1 6, 1 6が形成され、 この電 極 1 6, 1 6が露出するような電極開口部 1 7 a, 1 7 aと、 上記の貫通孔 1 9の開 口が露出するような開口部 1 7 bを有する発熱体保護層 1 7が、 発熱体 1 5を覆うよ うに設けられている。
一方、 2段目の金属基板 2 2は一方の面 2 2 aに形成された微細溝部 2 3と、 この 微細溝部 2 3の所定箇所に開口をもつ貫通孔 2 9と、 この貫通孔 2 9内部と微細溝部 2 3内部および金属基板 2 2の側面 2 2 cに形成された金属酸化膜からなる絶縁膜 2 4と、 微細溝部 2 3内に担持された触媒 C 2と、 微細溝部 2 3を覆うように面 2 2 a に接合されたカバー部材 2 8を備えている。 このカバー部材 2 8には、 ガス排出口 2 8 aが設けられている。
図 8は、 図 5に示されるマイクロリアクター 1 1において、 発熱体保護層 1 7を剥 離した状態を示す斜視図である。 図 8に示されるように、 発熱体 1 5は金属基板 1 2 の表面 1 2 b上に絶縁層 1 4を介して設けられている。 そして、 発熱体保護層 1 7の 開口部 1 1 bが原料導入口となる。 尚、 貫通孔 1 9を囲むように発熱体 1 5を設けて もよい。
図 9は、 図 5に示されるマイクロリアクター 1 1を構成する 1段目の金属基板 1 2 の微細溝部 1 3形成面側を示す斜視図である。 図 9に示されるように、 微細溝部 1 3 は櫛状のリブ 1 2 A, 1 2 Bを残すように形成され、 端部 1 3 aから端部 1 3 bまで 続する形状である。 そして、 微細溝部 1 3に端部 Ί 3 aには、 貫通孔 1 9の開口が 露出している。
また、 図 1 0は、 図 5に示されるマイクロリアクタ一 Ί 1を構成する 2段目の金属 基板 2 2の微細溝部 2 3形成面側を示す斜視図である。 図 1 0に示されるように、 微 細溝部 2 3は櫛状のリブ 2 2 A, 2 2 Bを残すように形成され、 端部 2 3 aから端部 6
2 3 bまで連続する形状である。 そして、 微細溝部 2 3の端部 2 3 aには、 貫通孔 2 9の開口が露出しており、 この貫通孔 2 9の他方の開口は、 2段積層構造において上 記の金属基板 1 2の微細溝部 1 3の端部 1 3 bに位置している。 また、 マイクロリア クター1 1では、 カバー部材 2 8のガス排出口 2 8 aが微細溝部 2 3の端部 2 3 に 位置している。 これにより、 図 7に矢印 aで示されるように、 原料導入口である発熱 体保護層 1 7の開口部 1 7 bから 1段目の金属基板 1 2の貫通孔 1 9を経由して端部 1 3 aから微細溝部 1 3を流れ、 端部 1 3 bから 2段目の金属基板 2 2の貫通孔 2 9 を経由して端部 2 3 aから微細溝部 2 3を流れ、 端部 2 3 bからガス排出口 2 8 aを 通過して外部に至るまでの 続した流路が構成される。
本発明のマイクロリアクター 1 1を構成する金属基板 1 2, 2 2は、 陽極酸化によ リ金属酸化膜 (絶縁膜 Ί 4 , 2 4 ) を形成することができる金属を使用することがで きる。 このような金属としては、 例えば、 A l、 S i、 T a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。 これらの金属の中で、 特に A Iが加工 適性や、 熱容量、 熱伝導率等の特性、 単価の点から好ましく使用される。 金属基板 1 2, 2 2の厚みは、 マイクロリアクター 1 Ίの大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝 導率等の特性、 形成する微細溝部 1 3, 2 3の大きさ等を考慮して適宜設定すること ができるが、 例えば、 5 0 - 2 0 0 0 m程度の範囲で設定することができる。 このような金属基板 1 2, 2 2への陽極酸化による金属酸化膜 (絶縁膜 1 4, 2 4 ) の形成は、 金属基板 1 2, 2 2を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶 液に浸潰して陰極と対向させ通電することにより行うことができる。 金属酸化膜 (絶 縁膜 1 4, 2 4 ) の厚みは、 例えば、 5 ~〗 5 0 t m程度の範囲で設定することがで さる。
金属基板 1 2, 2 2に形成される微細溝部 1 3, 2 3は、 図 9、 図 1 0に示される ような形状に限定されるものではなく、 微細溝部 1 3, 2 3内に担持する触媒 C 1、 C 2の量が多くなリ、 かつ、 原料が触媒 C 1、 C 2と接触する流路長が長くなるよう な任意の形状とすることができる。 通常、 微細溝部 1 3, 2 3の深さは5 0〜1 0 0 0 m程度の範囲内、 幅は 5 0〜 1 0 0 0 μ m程度の範囲内で設定することができ、 流路長は 3 0〜4 0 O mm程度の範囲とすることができる。
本発明では、 微細溝部 1 3, 2 3内部にも金属酸化膜からなる絶縁膜 1 4 , 2 4が 形成されているので、 微細孔を有する金属酸化膜の表面構造により、 触媒 C 1、 C 2 の担持量が増大するとともに、 安定した触媒担持が可能となる。
触媒 C 1、 C 2としては、 従来から水蒸気改質に使用されている公知の触媒を使用 することができる。 例えば、 1段目の金属基板 1 2の微細孔部 1 3において原料の混 合と、 混合された原料の気化、 および、 混合気体の改質を行い、 2段目の金属基板 2 2の微細孔部 2 3において改質気体からの不純物除去を行う場合、 触媒 C 1として C u - Z n O/A I 203等、 触媒 C 2として P t /A I 203等を使用することができる。 本発明のマイクロリアクター 1 1を構成する発熱体 1 5は、 吸熱反応である原料の 水蒸気改質に必要な熱を供給するためのものであり、 カーボンペース卜、 ニクロム ( N i—C r合金) 、 W (タングステン) 、 M o (モリブデン) 等の材質を使用する ことができる。 この発熱体 1 5は、 例えば、 幅 1 0〜2 0 O m程度の細線を、 微細 溝部 Ί 3が形成されている領域に相当する金属基板面 1 2 b (絶縁膜 1 4 ) 上の領域 全面であって、 貫通孔 1 9を塞がないように引き回した形状とすることができる。 尚、 本実施形態のように発熱体を 1つの金属基板のみに設ける場合、 混合気体の改質を行 う金属基板に設けることが好ましい。
このような発熱体 1 5には、 通電用の電極 1 6, 1 6が形成されている。 通電用の 電極 1 6, 1 6は、 A u、 A g、 P d、 P d— A g等の導電材料を用いて形成するこ とができる。
発熱体保護層 1 7は、 上記の電極 1 6, 1 6を露出させるための電極開口部 1 7 a, 1 7 aと、 上記の貫通孔 1 9の開口を露出させるための開口部 1 7 bを有し、 発熱体 1 5を覆うように配設されている。 この発熱体保護層 1 7は、 例えば、 感光性ポリイ ミド、 ワニス状のポリイミド等により形成することができる。 また、 発熱体保護層 1 7の厚みは、 使用する材料等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 2〜 2 5 m程度の範囲で設定することができる。
本発明のマイクロリアクター 1 1を構成するカバー部材 2 8は、 A I合金、 C u合 金、 ステンレス材料等を使用することができる。 また、 カバー部材 2 8の厚みは、 使 用する材料等を考慮して適宜設定することができ、 例えば、 2 0〜4 0 0 t m程度の 範囲で設定することができる。 カバー部材 2 8が備えるガス排出口 2 8 aは、 金属基 板 2 2に形成された微細溝部 2 3の流路の端部 2 3 bに位置するように設けられてい る。
<マイクロリアクターの第 4の実施形態 >
図 1 1は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 6相当の縦断面図 である。 図 1 1において、 本発明のマイクロリアクター 1 1 ' は、 金属基板 1 2' と 金属基板 22' とが接合された 2段構造であり、 1段目の金属基板 1 2' は、 一方の 面 1 2' aに形成された微細溝部 1 3と、 この微細溝音 1 3の所定箇所に開口をもつ 貫通孔 1 9 (図示せず) と、 金属基板 1 の他の面 1 2 ' bに形成された絶縁膜 1
4' と、 金属基板 1 2' の表面 1 2' b上に絶縁膜 1 4' を介して設けられた発熱体 1 5と、 微細溝部 1 3内に担持された触媒 C 1と、 を備えている。 また、 発熱体 1 5 には電極 1 6, 1 6が形成され、 この電極 1 6, 1 6が露出するような電極開口部 1 7 a, 1 7 aと、 上記の貫通孔 1 9の開口が露出するような開口部 1 7 b (図示せ ず) を有する発熱体保護層 1 7が、 発熱体 1 5を覆うように設けられている。
一方、 2段目の金属基板 22 ' は一方の面 22 ' aに形成された微細溝部 23と、 この微細溝部 23の所定箇所に開口をもつ貫通孔 29 (図示せず) と、 微細溝き 23 内に担持された触媒 C2と、 微細溝部 23を覆うように面 22' aに接合されたカバ —部材 28を備えている。 カバー部材 28には、 ガス排出口 28 aが設けられている。 このようなマイクロリアクター 1 1 ' は、 金属部材 1 2' , 22' 、 絶縁層 1 4' , 24' が異なる点、 および、 微細溝部 1 3, 23内、 貫通孔 1 9, 29内に金属酸ィ匕 膜 (絶縁層 1 4, 24) が形成されていない点を除いて、 上述のマイクロリアクター 1 1と同様であり、 同じ構成部材には同じ部材番号を付し、 説明は省略する。
本発明のマイクロリアクター 1 1 'を構成する金属基板 1 2' , 22' は、 A I基 板、 Cu基板、 ステンレス基板等のいずれかを使用することができる。 また、 金属基 板 1 2' , 22' の厚みは、 マイクロリアクター 1 1 'の大きさ、 使用する金属の熱 容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝部 1 3の大きさ等を考慮して適宜設定する ことができるが、 例えば、 50~200 m程度の範囲で設定することができる。 金属基板 1 2' の面 1 2' bに形成された絶縁膜 1 4' は、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A l 203、 S i 02) 等により形成されたものとすることができる。 この ような絶縁膜 1 4' の厚みは、 使用する材料の特性等を考慮して適宜設定することが でき、 例えば、 1〜30; m程度の範囲で設定することができる。 9 上述のような本発明のマイクロリアクター 1 1, 1 1 ' は、 2段に積み重ねた各金 属基板 1 2, 2 2や 1 2 ' , 2 2 ' の触媒を担持した微細溝部 1 3, 2 3で、 原料の 混合、 気化、 混合気体の改質、 不純物除去の一連の操作を行うことができ、 カバ一部 材 2 8のガス排出口 2 8 aから高純度の水素ガスを得ることができる。 このため、 複 数のマイクロリアクターを接続管で接続する場合に比べて、 スペース効率が大幅に向 上する。 また、 金属基板 1 2, 1 2 ' , 2 2 , 2 2 ' を使用しており、 これらはシリ コン基板やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱容量が小さいので、 発熱体 1 5から担持触媒 C 1、 C 2へ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動したときの 立ち上がりが速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利用効率の高い水素製造用改質器が 可能となる。
尚、 上述のマイクロリアクターの実施形態は一例であり、 例えば、 3段以上の多段 構造としてもよく、 この場合、 発熱体は少なくとも混合気体の改質を行う金属基板に 設けることが好ましい。
<マイクロリアクターの第 5の実施形態 >
図 1 2は本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図であり、 図 1 3は 図 1 2に示されるマイクロリアクターの A— A線における拡大縦断面図である。 図 1 2および図 1 3において、 本発明のマイクロリアクター 1 0 1は、 一方の面 1 0 2 a に微細溝部 1 0 3が形成された金属基板 1 0 2と、 微細溝部 1 0 3を覆うように金属 基板 1 0 2の面 1 0 2 aに接合された金属カバ一部材 1 0 4とからなる接合体 1 1 5 を有している。 この接合体 1 1 5の内部には、 微細溝部 1 0 3と金属カバー部材 1 0 4とで構成された流路 1 0 5が形成されており、 この流路 1 0 5の内壁面の全面に金 属酸化膜 1 0 6を介して触媒 Cが担持されている。 また、 上記金属カバー部材 1 0 4 には、 原料導入口 1 0 4 aとガス排出口 1 0 4 bが設けられており、 これらは流路 Ί 0 5の各端部に位置している。 上記の金属酸化膜 1 0 6は絶縁膜であり、 流路 1 0 5 の内壁面の他に、 接合体 1 1 5の表面 (金属基板 1 0 2の表面 1 0 2 b、 側面 1 0 2 c、 および、 金属カバー部材 1 0 4の表面) にも形成されている。 そして、 金属基板 1 0 2の表面 1 0 2 b上の金属酸化膜 Ί 0 6を介して発熱体 1 0 7が設けられており、 発熱体 1 0 7には電極 1 0 8, 1 0 8が形成され、 この電極 1 0 8, 1 0 8が露出す るような電極開口部 1 0 9 a , 1 0 9 aを有する発熱体保護層 1 0 9が、 発熱体 1 0 7を覆うように設けられている。
図 1 4は、 図 1 2に示されるマイクロリアクタ一 1 0 1の金属基板 1 0 2の微細溝 部 1 0 3形成面側を示す斜視図である。 図 1 4に示されるように、 微細溝部 1 0 3は 櫛状のリブ 1 0 2 A, 1 0 2 Bの各先端部において 1 8 0度折り返すように形成され、 端部 1 0 3 aから端部 1 0 3 bまで蛇行しながら 镜する形状である。 また、 流路 1 0 5の流体の流れ方向に垂直な断面における微細溝部 Ί 0 3の内壁面の形状は略半円 形状である。 さらに、 櫛状のリブ 1 0 2 A, 1 0 2 Bの各先端部での流路の折り返し は角部のない丸みをもつものとなっている。 そして、 金属カバー部材 1 0 4の原料導 入口 1 0 4 aが微細溝部 1 0 3の端部 1 0 3 aに位置し、 ガス排出口 1 0 4 bが微細 溝部 1 0 3の端部 1 0 3 bに位置するように構成されている。
マイクロリアクター 1 0 1を構成する金属基板 1 0 2は、 陽極酸ィ匕により金属酸ィヒ 膜 (絶縁膜) 1 0 6を形成することができる金属を使用することができる。 このよう な金属としては、 例えば、 A l、 S i、 T a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。 これらの金属の中で、 特に A Iが加工適性や、 熱容量、 熱伝導率等の特性、 単価の点から好ましく使用される。 金属基板 1 0 2の厚みは、 マ イク口リアクター 1 0 Ίの大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成 する微細溝部 1 0 3の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 5 0〜2 0 0 0 m程度の範囲で設定することができる。
金属基板 Ί 0 2に形成される微細溝部 1 0 3は、 図 1 4に示されるような形状に限 定されるものではなく、 微細溝部 1 0 3内に担持する触媒 Cの量が多くなリ、 かつ、 原料が触媒 Cと接触する流路長が長くなるような任意の形状とすることができる。 特 に、 流路 1 0 5の流体の流れ方向に沿って内壁面に角部 (例えば、 流路の方向が変化 する個所で、 内壁面が折れ曲がつている部位) が存在しないような微細溝部〗 0 3の 形状が好ましい。 また、 流路 1 0 5の流体の流れ方向に垂直な断面における微細溝部 1 0 3の内壁面の形状は、 円弧形状ないし半円形状、 あるいは、 U字形状が好ましい。 このような微細溝部 1 0 3の深さは、 例えば、 1 0 0〜1 Ο Ο Ο ΠΊ程度の範囲内、 幅は 1 0 0〜 1 0 0 0 i m程度の範囲内で設定することができ、 流路長は 3 0〜3 0 0 mm程度の範囲とすることができる。
本実施形態では、 流路 1 0 5の内壁面に金属酸化膜 1 0 6が形成されているので、 微細孔を有する金属酸化膜の表面構造によリ、 触媒 Cの担持量が増大するとともに、 安定した触媒担持が可能となる。
触媒 Cとしては、 従来から水蒸気改質に使用されている公知の触媒を使用すること ができる。
マイクロリアクター 1 01を構成する金属カバー部材 1 04は、 陽極酸化によリ金 属酸化膜 (絶縁膜) 1 06を形成することができる金属を使用することができる。 こ のような金属としては、 例えば、 A l、 S i、 Ta、 N b、 V、 B i、 Y、 W、 Mo、 Z r、 H f等を挙げることできる。 これらの金属の中で、 特に A Iが加工適性や、 熱 容量、 熱伝導率等の特性、 単価の点から好ましく使用される。 また、 金属カバ一部材 1 04の厚みは、 使用する材料等を考慮して適宜設定することができ、 例えば、 20 〜200 m程度の範囲で設定することができる。 金属カバー部材 1 04が備える原 料導入口 1 04 aとガス排出口 1 04 bは、 金属基板 1 02に形成された微細溝部 1
03の両端部 1 03 a, 1 03 bに位置するように設けられている。
金属基板 1 02と金属カバー部材 1 04とが接合されてなる接合体 1 1 5への陽極 酸ィヒによる金属酸化膜 (絶縁膜) 1 06の形成は、 接合体 1 1 5を外部電極の陽極に 接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸漬して陰極と対向させ通電することによリ行うこ とができる。 金属酸化膜 (絶縁膜) 1 06厚みは、 例えば、 5〜1 50Atm程度の範 囲で設定することができる。
マイクロリアクター 1 01を構成する発熱体 1 07は、 P及熱反応である原料の水蒸 気改質等に必要な熱を供給するためのものであり、 カーボンペース卜、 ニクロム (N
1— C r合金) 、 W (タングステン) 、 Mo (モリブデン) 等の材質を使用すること ができる。 この発熱体 1 07は、 例えば、 幅 1 0〜20 Ομηι程度の細線を、 微細溝 部 1 03が形成されている領域に相当する金属基板面 1 02 b (金属酸化膜 1 06) 上の領域全面に弓 Iき回したような形状とすることができる。
このような発熱体 1 07には、 通電用の電極 1 08, Ί 08が形成されている。 通 電用の電極 1 08, 1 08は、 Au、 Ag、 Pd、 P d— A g等の導電材料を用いて 形成することができる。
発熱体保護層 1 09は、 上記の電極 1 08, 1 08を露出させるための電極開口部 1 09 a, 1 09 aを有し、 発熱体 1 07を覆うように配設されている。 この発熱体 保護層 1 0 9は、 例えば、 感光性ポリイミド、 ワニス状のポリイミド等により形成す ることができる。 また、 発熱体保護層 1 0 9の厚みは、 使用する材料等を考慮して適 宜設定することができるが、 例えば、 2〜 2 5 At m程度の範囲で設定することができ る。
<マイクロリアクターの第 6の実施形態 >
図 1 5は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 1 3相当の縦断面 図である。 図 1 5において、 本発明のマイクロリアクター 1 2 1は、 一方の面 1 2 2 aに微細溝部 1 2 3が形成された金属基板 1 2 2と、 この微細溝部 1 2 3を覆うよう に金属基板 1 2 2の面 1 2 2 aに接合された金属カバー部材 1 2 4とからなる接合体 1 3 5を有している。 この接合体 1 3 5の内部には、 微細溝部 1 2 3と金属カバー部 材 1 2 4とで構成された流路 1 2 5が形成されており、 この流路 1 2 5の内壁面の全 面に金属酸化膜 1 2 6を介して触媒 Cが担持されている。 上記の金属カバー部材 1 2 4には、 原料導入口 1 2 4 aとガス排出口 1 2 4 bが設けられており、 これらは流路 1 2 5の各端部に位置している。 また、 接合体 1 3 5の表面 (金属基板 1 2 2の表面 1 2 2 b ) には絶縁膜 1 3 0が形成されており、 この絶縁膜 1 3 0上に発熱体 1 2 7 が設けられている。 こ発熱体 1 2 7には電極 1 2 8, 1 2 8が形成され、 この電極 1 2 8 , 1 2 8が露出するような電極開口部 1 2 9 a, 1 2 9 aを有する発熱体保護層 1 2 9が、 発熱体 1 2 7を覆うように設けられている。
このようなマイクロリアクター 1 2 1を構成する金属基板 1 2 2は、 C u、 ステン レス、 F e、 A I等のベ一マイ卜処理により金属酸化膜の形成が可能な材料を使用す ることができる。 また、 金属基板 1 2 2の厚みは、 マイクロリアクター 1 2 1の大き さ、.使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝部 1 2 3の大きさ等 を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 5 0〜2 0 0 0 m程度の範囲で 設定することができる。
金属基板 1 2 2が有する微細溝部 1 2 3は、 上述の実施形態の微細溝部 1 0 3と同 様とすることができる。
マイクロリアクター 1 2 1を構成する金属カバー部材 1 2 4は、 C u、 ステンレス、 F e、 A I等のベーマイ卜処理により金属酸化膜の形成が可能な材料を使用すること ができる。 また、 金属カバー部材 1 2 4の厚みは、 使用する材料等を考慮して適宜設 定することができ、 例えば、 2 0〜2 0 0 t m程度の範囲で設定することができる。 金属カバ一部材 1 2 4が備える原料導入口 1 2 4 aとガス排出口 1 2 4 bは、 金属基 板 1 2 2に形成された微細溝部 1 2 3の両端部に位置するように設けられている。 金属基板 1 2 2と金属カバー部材 1 2 4とが接合されてなる接合体 1 3 5の流路 1 2 5へのべ一マイ卜処理による金属酸化膜 1 2 6の形成は、 例えば、 アルミナゾルの ようなベーマイ卜アルミナが分散されている状態の懸濁液を用い、 この懸濁液の粘度 を十分に低下させたものを流路 1 2 5内に流し込み、 その後、 乾燥させ、 ベーマイト 被膜を流路内面に固定化させること (ゥォッシュコート処理) により行うことができ る。 このようなべ一マイ卜処理により形成される金属酸化膜 1 2 6は、 酸化アルミ二 ゥ厶薄膜であり、 厚みは、 例えば、 0 . 5〜5 · 0 m程度の範囲で設定することが できる。
金属基板 1 2 2の面 1 2 2 bに形成された絶縁膜 1 3 0は、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A l 203、 S i 02) 等により形成されたものとすることができる。 この ような絶縁膜 1 3 0の厚みは、 使用する材料の特性等を考慮して適宜設定することが でき、 例えば、 1〜 3 0 At m程度の範囲で設定することができる。
マイクロリアクター 1 2 1を構成する触媒 C、 発熱体 1 2 7、 電極 1 2 8, 1 2 8、 発熱体保護層 1 2 9は、 それぞれマイクロリアクター 1 0 1を構成する触媒 C、 発熱 体 1 0 7、 電極 1 0 8 , 1 0 8、 発熱体保護層 1 0 9と同様とすることができ、 ここ での説明は省略する。
上述のような本発明のマイクロリアクター 1 0 1, 1 2 1は、 触媒 Cが流路 1 0 5, 1 2 5の内壁面の全面に担持されていることにより反応面積が拡大され、 高い反応効 率が得られる。 また、 金属基板 1 0 2, 1 2 2と金属カバー部材 1 0 4, 1 2 4を使 用しており、 これらはシリコン基板やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱 容量が小さいので、 発熱体 1 0 7, 1 2 7から担持触媒 Cへ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動したときの立ち上がりが速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利用効 率の高い水素製造用改質器が可能となる。
<マイクロリアクターの第 7の実施形態 >
図 1 6は本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す斜視図であり、 図 1 7 は図 1 6に示されるマイクロリアクターの B— B線における拡大縦断面図である。 図 1 6および図 1 7において、 本発明のマイクロリアクター 1 4 1は、 一方の面 1 4 2 aに微細溝部 1 4 3が形成された金属基板 1 4 2と、 一方の面 1 4 4 aに微細溝部 1 4 5が形成された金属基板 1 4 4とが、 微細溝部 1 4 3と微細溝部 1 4 5が対向する ように接合された接合体 1 5 5を有している。 この接合体 1 5 5の内部には、 対向す る微細溝部 1 4 3 , 1 4 5で構成された流路 1 4 6が形成されており、 この流路 1 4 6の内壁面の全面に金属酸化膜 1 4 7を介して触媒 Cが担持されている。 また、 上記 の接合体 1 5 5の一方の端面には、 流路 1 4 6の両端部が露出しており、 それぞれ原 料導入口 1 4 6 aとガス排出口 1 4 6 bを構成している。 上記の金属酸化膜 1 4 7は 絶縁膜であり、 流路 1 4 6の内壁面の他に、 接合体 1 5 5の表面 (金属基板 1 4 2の 表面 1 4 2 b、 側面 1 4 2 c、 および、 金属基板 1 4 4の表面 1 4 4 b , 側面 1 4 4 c ) にも形成されている。 そして、 金属基板 1 4 2の表面 1 4 2 b上の金属酸化膜 1 4 7を介して発熱体 1 4 8が設けられており、 発熱体 1 4 8には電極 1 4 9 , 1 4 9 が形成され、 この電極 1 4 9 , 1 4 9が露出するような電極開口部 1 5 0 a, 1 5 0 aを有する発熱体保護層 1 5 0が、 発熱体 1 4 8を覆うように設けられている。 図 1 8は、 図 1 6に示されるマイクロリアクター 1 4 1の金属基板 1 4 2の微細溝 部 1 4 3形成面側と、 金属基板 1 4 4の微細溝部 1 4 5形成面側とを示す斜視図であ る。 図 1 8に示されるように、 微細溝部 1 4 3は櫛状のリブ 1 4 2 A, 1 4 2 Bの各 先端部において 1 8 0度折り返すように形成され、 端部 1 4 3 aから端部 1 4 3 ま で蛇行して連続する形状である。 また、 微細溝部 1 4 5も櫛状のリブ 1 4 4 A, 1 4 4 Bの各先端部において 1 8 0度折り返すように形成され、 端部 1 4 5 aから端部 1 4 5 bまで蛇行して連続する形状である。 そして、 微細溝部 1 4 3と微細溝部 1 5 は、 金属基板 1 4 2, 1 4 4の接合面に対して対称関係にあるパターン形状である。 したがって、 金属基板 Ί 4 2, 1 4 4の接合により、 微細溝部 1 4 3の端部 1 4 3 a が微細溝部 1 4 5の端部 1 4 5 a上に位置し、 微細溝部 1 4 3の端部 1 4 3 bが微細 溝部 1 4 5の端部 1 4 5 b上に位置して、 微細溝部 Ί 4 3と微細溝部 1 4 5が完全に 対向している。 このような微細溝部 1 4 3, 1 4 5で構成される流路 1 4 6は、 その 流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状が略円形状である。 さらに、 櫛状 のリブ 1 4 2 A, 1 4 2 8ゃリブ1 4 4 , 1 4 4 Bの各先端部での流路 1 4 6の折 リ返しは角部のない丸みをもつものとなっている。 そして、 微細溝部 1 4 3の端部 1 4 3 aと微細溝部 1 4 5の端部 1 4 5 aが原料導入口 1 4 6 aをなし、 微細溝部 1 4 3の端部 1 4 3 bと微細溝部 1 4 5の端部 1 4 5 bがガス排出口 1 4 6 bをなしてい る。
マイクロリアクター 1 4 1を構成する金属基板 1 4 2 , 1 4 4は、 陽極酸ィ匕により 金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7を形成することができる金属を使用することができる。 このような金属としては、 上述の実施形態の金属基板 1 0 2と同様のものを使用する ことができる。 また、 金属基板 1 4 2, 1 4 4の厚みは、 マイクロリアクター 1 4 1 の大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝部 1 4 3, 1 4 5の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 4 0 0〜1 0 0 0 程度の範囲で設定することができる。
金属基板 1 4 2, 1 4 4に形成される微細溝部 1 4 3, 1 4 5は、 図 1 8に示され るような形状に限定されるものではなく、 微細溝部 1 4 3, 1 4 5内に担持する触媒 Cの量が多くなり、 かつ、 原料が触媒 Cと接触する流路長が長くなるような任意の形 状とすることができる。 特に、 流路 1 4 6の流体の流れ方向に沿って内壁面に角部 (例えば、 流路の方向が変化する個所で、 内壁面が折れ曲がつている部位) が存在し ないような微細溝部 1 4 3, 1 4 5の形状が好ましい。 また、 流体の流れ方向に垂直 な断面における微細溝部 1 4 3 , 1 4 5の内壁面の形状は、 円弧形状ないし半円形状、 あるいは、 U字形状が好ましく、 これにより、 微細溝部 1 4 3, 1 4 5で構成される 流路 1 4 6の流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状は略円形状となる。 このような微細溝部 1 4 3, 1 4 5の深さは、 例えば、 1 0 0〜 1 0 0 0 At m程度の 範囲内、 幅は 1 0 0〜1 0 0 程度の範囲内で設定することができ、 流路長は 3 0 ~ 3 0 O mm程度の範囲とすることができる。
本実施形態では、 流路 1 4 6の内壁面に金属酸化膜 1 4 7が形成されているので、 微細孔を有する金属酸化膜の表面構造によリ、 触媒 Cの担持量が増大するとともに、 安定した触媒担持が可能となる。
触媒 Cとしては、 従来から水蒸気改質に使用されている公知の触媒を使用すること ができる。
金属基板 1 4 2 , 1 4 4が接合されてなる接合体 1 5 5への陽極酸ィ匕による金属酸 ィ匕膜 (絶縁膜) 1 4 7の形成は、 接合体 1 5 5を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸漬して陰極と対向させ通電することによリ行うことができる。 金属 酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7の厚みは、 例えば、 5〜"! 5 0 m程度の範囲で設定するこ とがでさる。
マイクロリアクター 1 4 1を構成する触媒 C、 発熱体 1 4 8、 電極 1 4 9, 1 4 9、 発熱体保護層 1 5 0は、 それぞれマイクロリアクター 1 0 1を構成する触媒 C、 発熱 体 1 0 7、 電極 1 0 8, 1 0 8、 発熱体保護層 1 0 9と同様とすることができ、 ここ での説明は省略する。
<マイクロリアクターの第 8の実施形態 >
図 1 9は、 本発明のマイクロリアクターの他の実施形態を示す図 1 7相当の縦断面 図である。 図 1 9において、 本発明のマイクロリアクター 1 6 1は、 一方の面 1 6 2 aに微細溝部 1 6 3が形成された金属基板 1 6 2と、 一方の面 1 6 4 aに微細溝部 1
6 5が形成された金属基板 1 6 4とが、 微細溝部 1 6 3と微細溝部 1 6 5とを対向さ せるように接合された接合体 1 7 5を有している。 この接合体 1 7 5の内部には、 対 向する微細溝部 1 6 3 , 1 6 5で構成された流路 1 6 6が形成されており、 この流路 1 6 6の内壁面の全面に金属酸化膜 1 6 7を介して触媒 Cが担持されている。 また、 上記の接合体 1 7 5の一方の端面には、 流路 1 6 6の両端部が露出しており、 それぞ れ原料導入口 (図示せず) とガス排出口 (図示せず) を構成している。 また、 接合体 1 7 5の表面 (金属基板 1 6 2の表面 1 6 2 b ) には絶縁膜 1 7 1が形成されており、 この絶縁膜 1 7 1上には発熱体 1 6 8が設けられている。 この発熱体 1 6 8には電極 1 6 9, 1 6 9が形成され、 この電極 1 6 9, 1 6 9が露出するような電極開口部 1
7 0 a , 1 7 0 aを有する発熱体保護層 1 7 0が、 発熱体 1 6 8を覆うように設けら れている。
このようなマイクロリアクター 1 6 1を構成する金属基板 1 6 2, 1 6 4は、 C u、 ステンレス、 F e、 A I等のベーマイ卜処理により金属酸化膜の形成が可能な材料を 使用することができる。 また、 金属基板 1 6 2, 1 6 4の厚みは、 マイクロリアクタ 一 1 6 1の大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝部 1 6 3, 1 6 5の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 4 0 0〜 1 0 0 0 t m程度の範囲で設定することができる。
金属基板 1 6 2, 1 6 4が有する微細溝部 1 6 3, 1 6 5は、 上述の第 3の実施形 態の微細溝部 1 4 3, 1 4 5と同様とすることができる。
金属基板 1 6 2 , 1 6 4が接合されてなる接合体 1 7 5の流路 1 6 6へのべ一マイ 卜処理による金属酸化膜 1 6 7の形成は、 上述の第 2の実施形態の接合体 1 3 5に対 するベーマイ卜処理と同様に行うことができる。 このべ一マイ卜処理により形成され る金属酸化膜 1 6 7は、 酸化アルミニウム薄膜であり、 厚みは、 例えば、 0 . 5〜5 . 0 UL m程度の範囲で設定することができる。
また、 金属基板 1 6 2の面 1 6 2 bに形成された絶縁膜 1 7 1は、 上述の第 2の実 施形態の絶縁膜 1 3 0と同様とすることができる。
また、 マイクロリアクター 1 6 1を構成する触媒 C、 発熱体 1 6 8、 電極 1 6 9, 1 6 9、 発熱体保護層 1 7 0は、 それぞれ上述の第 1の実施形態のマイクロリァクタ - 1 0 1を構成する触媒 C、 発熱体 1 0 7、 電極 1 0 8, 1 0 8、 発熱体保護層 1 0 9と同様とすることができ、 ここでの説明は省略する。
上述のような本発明のマイクロリアクター 1 4 1, 1 6 1では、 触媒 Cが流路 1 4 6, 1 6 6の内壁面の全面に担持されたことにより反応面積が拡大され、 高い反応効 率が得られる。 また、 金属基板 1 4 2, 1 4 4、 および金属基板 1 6 2, 1 6 4を使 用しており、 これらはシリコン基板やセラミックス基板に比べて、 熱伝導率が高く熱 容量が小さいので、 発熱体 1 4 8, 1 6 8から担持触媒 Cへ高効率で熱が伝達され、 停止状態から始動したときの立ち上がりが速く、 かつ、 発熱体への投入電力の利用効 率の高い水素製造用改質器が可能となる。
尚、 上述のマイクロリアクターの実施形態は一例であり、 例えば、 原料導入口とガ ス排出口の位置は、 微細溝部の形状を変えることにより任意の位置にすることができ る。
<マイクロリアクターの第 9の実施形態 >
図 2 0は本発明のマイクロリアクターの一実施形態を示す斜視図であり、 図 2 1は 図 2 0に示されるマイクロリアクターの I一 I線における拡大縦断面図であり、 図 2 2は図 2 0に示されるマイクロリアクターの構成部材を離間させた状態を示す斜視図 である。 図 2 0〜図 2 2において、 本発明のマイクロリアクタ一 2 0 1は、 3個の単 位流路部材 2 0 2 a , 2 0 2 b, 2 0 2 cが 3段の多段状態で連結部材 2 0 4と固定 部材 2 0 6とで連結保持されたものである。 また、 各単位流路部材 2 0 2 a , 2 0 2 b, 2 0 2 c間には空隙 2 0 7が設けられている。
単位流路部材 2 0 2 a, 2 0 2 b , 2 0 2 cは流路を内部に有し、 この流路の一方 の端部が導入口をなし、 他方の端部が排出口をなすものである。 そして、 3個の単位 流路部材 2 0 2 a , 2 0 2 b, 2 0 2。のうち、 単位流路部材 2 0 2 b , 2 0 2 cは、 流路内に触媒を担持した単位マイクロリアクターである。 すなわち、 図 2 1に示され るように、 各単位流路部材 2 0 2 a, 2 0 2 b , 2 0 2 cは、 微細溝部 2 1 2が形成 された金属基板 2 1 1と、 微細溝部 2 1 4が形成された金属基板 2 1 3とが、 微細溝 部 2 1 2と微細溝部 2 1 4とが対向するように接合され、 周囲に金属酸化膜 (絶縁 層) 2 1 6が形成された接合体 2 1 0を有している。 この接合体 2 1 0の内部には、 対向する微細溝部 2 1 2 , 2 1 4で構成された; » 2 1 5が形成されている。 そして、 単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 b, 2 0 2 cでは、 流路 2 1 5の内 壁面の全面に金属酸化膜 2 1 6を介してそれぞれ触媒 C 1、 C 2が担持されている。 尚、 図示例では、 流路 2 1 5の内壁面に触媒を担持していない単位流路部材 2 0 2 a においても、 接合体 2 1 0内の流路 2 1 5の内壁面に金属酸化膜 2 1 6を有している が、 この金属酸化膜 2 Ί 6を有していなものであってもよい。
単位流路部材 2 0 2 a , 2 0 2 b, 2 0 2 cを構成する上記の接合体 2 1 0は、 図 2 2に示されるように、 同一方向に 1組の突出部 2 1 0 a , 2 1 0 bを有している。 図 2 3は単位流路部材 2 0 2 aを例とした流路 2 1 5の状態を説明するための斜視図 である。 図 2 3に示されるように、 流路 2 1 5は、 突出部 2 1 0 aに位置する端部か ら突出部 2 1 0 bに位置する端部まで蛇行して 続する形状である。 そして、 突出部 2 1 0 aに位置する流路 2 1 5の端部が導入口 2 0 3 aをなし、 突出部 2 1 0 bに位 置する流路 2 1 5の端部が排出口 2 0 3 bをなしている。 具体的には、 単位流路部材 2 0 2 a , 単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 cでは、 突出部 2 1 0 a に位置する流路 2 1 5の端部が導入口 2 0 3 aをなし、 突出部 2 1 0 bに位置する流 路 2 1 5の端部が排出口 2 0 3 bをなしている。 また、 単位流路部材 (単位マイクロ リアクター) 2 0 2 bでは、 突出部 2 1 0 aに位置する流路 2 1 5の端部が排出口 2 0 3 bをなし、 突出部 2 1 0 bに位置する流路 2 1 5の端部が導入口 2 0 3 aをなし ている。 したがって、 1段目の単位流路部材から 3段目の単位流路部材 (単位マイク 口リアクター) に向けて、 突出部 2 1 0 a側では導入口 2 0 3 a、 排出口 2 0 3 b、 導入口 203 aの順に配列され、 突出部 21 0 b側では排出口 203 b、 導入口 20 3 a、 排出口 203 bの順に配列されている。
また、 各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cを構成する接合体 21 0の一 方の面には発熱体 21 7が設けられており、 発熱体 21 7には電極 21 8, 21 8が 形成され、 この電極 21 8, 21 8の一部を露出させるように発熱体保護層 21 9が、 発熱体 21 7を覆うように設けられている。 図 22では、 単位流路部材 202 aの発 熱体保護層 21 9を離間させた状態を示している。 尚、 図示例では、 単位マイクロリ アクターではない単位流路部材 202 aにも発熱体 21 7、 電極 21 8, 21 8が設 けられているが、 単位マイクロリアクターである単位流路部材のみに発熱体 21 7、 電極 21 8, 21 8を設けるようにしてもよい。
連結部材 204は、 各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cを多段状態で保 持するものであり、 ブロック体 221 a, 221 bでブロック体 221 cを挟持する ような形状の構造体 221を有している。 図 24は、 連結部材 204の連結部が形成 された面を示す図であり、 図 25は図 24に示される連結部材の断面図であって、 図 25 Aは II— II線における断面図、 図 25 Bは III— III線における断面図である。 図 24および図 25に示されるように、 ブロック体 221 a, 221 bの一方の面には、 各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cを、 導入口 203 aや排出口 203 b が位置する接合体 21 0の突出部 21 0 a, 21 0 bにて密着させて保持するための 複数の連結部 222が設けられている。 また、 ブロック体 221 aの反対面には原料 導入口 223が、 ブロック体 221 bの反対面にはガス排出口 224が、 それぞれ設 けられている。
ブロック体 221 aに設けられている連結部 222は、 原料導入口 223と内部流 路 226にて接続された導入連結部 222 aと、 内部連通路 225 aで相互に接続さ れた 1組の段移行連結部 222 d, 222 eとからなり、 これらが一列に配列されて いる。 また、 ブロック体 221 bに設けられている連結部 222は、 内部連通路 22 5 bで相互に接続された 1組の段移行連結部 222 b, 222 cと、 ガス排出入口 2 24と内部流路 227にて接続された排出連結部 222 f とからなり、 これらが一列 に配列されている。 そして、 各連結部 222 (222 a, 222 b, 222 c, 22 2 d, 222 e, 222 f ) 内には、 各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 c を構成する接合体 21 0の突出部 21 0 a, 21 0 bを気密、 液密状態で密着保持す るためのパッキン 228が配設されている。 尚、 各連結体 222の寸法は、 連結保持 する単位流路部材の突出部 21 0 a, 21 0 bの形状に対応させて適宜設定する。 上記の連結部材 204は、 導入連結部 222 aと段移行連結部 222 bに 1段目の 単位流路部材 202 aの突出部 21 0 aと突出部 21 0 bをそれぞれ挿入して密着保 持し、 段移行連結部 222 cと 222 dに 2段目の単位流路部材 (単位マイクロリア クタ一) 202 bの突出部 21 0 bと突出部 21 0 aをそれぞれ挿入して密着保持し、 段移行連結部 222 eと排出連結部 222 f に 3段目の単位流路部材 (単位マイクロ リアクター) 202 cの突出部 21 0 aと突出部 2 Ί 0 bをそれぞれ挿入して密着保 持している。 尚、 上記のパッキン 228は、 連結部材 204による各単位流路部材 2 02 a, 202 b, 202 cの密着保持をより確実なものとするためのものであり、 例えば、 0リング、 シリコンラバー等の弾力性を有する材料からなるものとすること ができる。 また、 結部材 204による各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cの密着保持をより確実なものとするために、 突出部 21 0 aと突出部 21 0 bの周 囲にシリコンラバー等の弾力性を有する補助部材を設けてもよい。
固定部材 206は、 上記の連結部材 204によリ多段状態で保持された各単位流路 部材 202 a, 202 b, 202 cの他の端部を固定するものであり、 枠体 231と、 この枠体 231内を 3段に仕切るための仕切り部材 232 a, 232 bとを備えてい る。 この固定部材 206は、 仕切り部材 232 a, 232 bで仕切られた収納空間 2 33 a, 233 b, 233 cに、 各単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cの端 部を挿入するように配置することによって、 多段状態で固定保持することができる。 上述のようなマイクロリアクター 201では、 連結部材 204の原料導入口 223 から導入された原料は、 内部流路 226を通過して、 導入連結部 222 aから 1段目 の単位流路部材 202 aの導入口 203 aに達する。 そして、 単位流路部材 202 a の流路 21 5内で所望の原料混合が行われた後、 排出口 203 bから段移行連結部 2 22 b、 内咅連通路 225 bを経由して段移行連結部 222 cから 2段目の単位流路 部材 (単位マイクロリアクター) 202 bの導入口 203 aに達する。 そして、 単位 マイクロリアクター 202 bの触媒 C 1が担持された流路 21 5内を通過した後、 排 出口 203 bから段移行連結部 222 d、 内部連通路 225 aを経由して段移行連結 部 2 2 2 eへ送られ、 3段目の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 cの 導入口 2 0 3 aに達する。 そして、 単位マイクロリアクター 2 0 2 cの触媒 C 2が担 持された流路 2 1 5内を通過した後、 排出口 2 0 3 bから排出連結部 2 2 2 f、 内部 流路 2 2 7を通過してガス排出口 2 2 4に達する。
上述のマイクロリアクタ一 2 0 1では、 各単位流路咅材 2 0 2 a , 2 0 2 b , 2 0 2 cにそれぞれ発熱体 2 1 7が配設され、 各単位流路部材間には空隙 2 0 7が存在し ているので、 各単位流路部材間での熱の不要な伝導が防止され、 単位マイクロリアク ター 2 0 2 b、 2 0 2 cにおいてそれぞれ最適な温度設定が可能とされている。 また、 本発明では、 例えば、 図 2 6に示されるように、 発熱体 2 1 7を有する単位 マイクロリアクターを 2段目の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bの みとし、 1段目の単位流路部材 2 0 2 a ' と 3段目の単位流路部材 (単位マイクロリ アクター) 2 0 2 c ' は発熱体 2 1 7を備えないものであってもよい。 そして、 1段 目の単位流路部材 2 0 2 a ' と 2段目の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bとの間には断熱用の空隙 2 0 7を設け、 2段目の単位流路部材 (単位マイクロ リアクター) 2 0 2 bと 3段目の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 c ' との間には、 断熱材 2 0 8を介在させたものとしてもよい。 断熱材 2 0 8として は、 例えば、 ガラスウール、 セラミックス基板等を使用することができる。
また、 連結部材 2 0 4の原料導入口 2 2 3とガス排出口 2 2 4との位置関係は、 図 示例のものに限定されず、 例えば、 内部流路 2 2 7を曲げて形成することにより、 原 料導入口 2 2 3とガス排出口 2 2 4とを同じ高さに配設してもよい。
上述のマイクロリアクター 2 0 1は、 3個の単位流路部材のうち、 2個を単位マイ クロリアクターとした 3段構造であるが、 本発明では、 単位流路部材の個数は 2個、 あるいは 4個以上であってもよく、 また、 単位流路部材のうち単位マイクロリアクタ 一とする個数に特に制限はない。 そして、 単位流路部材の段数に応じて連結部材 4の 段移行連結部の数を設定する。 すなわち、 本発明では、 n ( nは 2以上の整数) 個の 単位流路部材を有する場合、 連結部材の連結部のうち、 相互に内部連通路で接続され た段移行連結部を (n— 1 ) 組み設けることができる。 そして、 1段目の単位流路部 材は、 導入口を導入連結部に、 排出口を段移行連結部に、 それぞれ連結保持し、 2段 目から (n— 1 ) 段目の単位流路部材については、 導入口を前段の段移行連結部と内 部連通路で接続された段移行連結部に、 排出口を別の組みの段移行連結部に、 それぞ れ連結保持し、 n段目の単位流路部材は、 導入口を前段の段移行連結部と内部連通路 で接続された段移行連結部に、 排出口を排出連結部に、 それぞれ連結保持することに より、 本発明のマイクロリアクターを構成することができる。
ここで、 上述のマイクロリアクター 201を構成する各部材について説明する。 まず、 単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cを構成する部材について説明す る。 接合体 21 0を構成する金属基板 21 1, 21 3は、 陽極酸化により金属酸化膜 (絶縁膜) 2 Ί 6を形成することができる金属を使用することができる。 このような 金属としては、 例えば、 Aし S i、 Ta、 Nb、 V、 B i、 Y、 W、 Mo、 Z r、 H f等を挙げることできる。 これらの金属の中で、 特に A Iが加工適性や、 熱容量、 熱伝導率等の特性、 単価の点から好ましく使用される。 また、 接合体 21 0を構成す る金属基板 21 1 , 21 3として、 Cu、 ステンレス、 F e、 A I等のベ,マイ卜処 理により金属酸化膜 21 6の形成が可能な材料を使用することもできる。 この場合、 金属基板 21 1 , 21 3の周囲に存在する金属酸化膜 21 6は、 同様にべ一マイ卜処 理により形成してもよく、 あるいは、 絶縁材料を含有するペーストを用いたスクリー ン印刷等の印刷法や、 スパッタリング、 真空蒸着等の真空成膜法によりポリイミド、 セラミック (A l203、 S i 02) 等を形成してもよい。
金属基板 21 1 , 21 3の厚みは、 単位流路部材 202 a, 202 b, 202 cの 大きさ、 使用する金属の熱容量、 熱伝導率等の特性、 形成する微細溝部 21 2, 21 4の大きさ等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 400〜1 000 μ m程度の範囲で設定することができる。
金属基板 21 1 , 21 3に形成される微細溝部 21 2, 21 4は、 図示された形状 に限定されるものではなく、 微細溝部 21 2, 21 4内に担持する触媒の量が多くな り、 かつ、 原料が触媒と接触する流路長が長くなるような任意の形状とすることがで きる。 微細溝部 21 2, 21 4の深さは、 例えば、 1 00~1 00 O^m程度の範囲 内、 幅は 1 00〜1 000 t m程度の範囲内で設定することができ、 流路長は 30〜 30 Omm程度の範囲とすることができる。
本実施形態では、 流路 21 5の内壁面に金属酸化膜 21 6が形成されているので、 微細孔を有する金属酸化膜の表面構造により、 触媒 C 1、 C 2の担持量が増大すると ともに、 安定した触媒担持が可能となる。
触媒 C 1、 C 2としては、 従来から水素製造に使用されている公知の触媒を使用す ることができる。 例えば、 1段目の単位流路部材 202 aにて原料の混合、 気化が行 われ、 2段目の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 202 bが混合気体の改質、 3段目の単位流路音附 (単位マイクロリアクタ一) 202 cが改質気体からの不純物 除去を行う場合、 触媒 C 1として Cu— Z nO/A 1203等、 触媒 C2として P tZ A I 203等を使用することができる。
発熱体 21 7は、 各単位流路部材 (単位マイクロリアクター) で必要な熱を供給す るためのものであり、 カーボンペース卜、 ニクロム (N i— C r合金) 、 W (タンダ ステン) 、 Mo (モリブデン) 等の材質を使用することができる。 この発熱体 21 7 は、 例えば、 幅 1 0〜200 tm程度の細線を、 微細溝部が形成されている領域に相 当する接合体 21 0上の領域全面に引き回したような形状とすることができる。
このような発熱体 21 7には、 通電用の電極 21 8, 21 8が形成されている。 通 電用の電極 21 8, 21 8は、 Au、 Ag、 Pd、 P d— A g等の導電材料を用いて 形成することができる。
発熱体保護層 21 9は、 上記の電極 21 8, 21 8の一部を露出させ、 発熱体 21 7を覆うように配設されている。 この発熱体保護層 21 9は、 例えば、 感光性ポリイ ミド、 ワニス状のポリイミド等により形成することができる。 また、 発熱体保護層 2 1 9の厚みは、 使用する材料等を考慮して適宜設定することができるが、 例えば、 2 〜 25 m程度の範囲で設定することができる。
また、 連結部材 204の材質は、 ステンレス、 A l、 Fe、 Cu等とすることがで き、 機械加工および拡散接合やロウ付け等を用いて所望の構造体形状とすることがで きる。 例えば、 連結部材 4をなす構造体 221を、 図 25 A, Bに示されるように、 5本の一点鎖線 L 1〜 L 5で分割した 6個の部材からなるものとすることができる。 そして、 6個の部材において、 予め一方の面に連結部 222、 内部連通路 225 a, 225 b, 内部流路 226, 227等を構成するための溝部や貫通孔を形成する。 そ して、 これらの 6個の部材を所定の順に拡散接合して一体化することにより、 連結部 材 204を形成することができる。
また、 パッキン 228は、 従来公知の種々の材質からなる Oリング、 シリコンラバ 一等を用いることができる。
また、 固定部材 2 0 6の材質は、 連結部材 2 0 4と同様のものを挙げることができ る。
尚、 上述のマイクロリアクターの実施形態は一例であり、 本発明はこれらに限定さ れるものではない。
例えば、 単位流路部材 2 0 2 a, 2 0 2 b, 2 0 2 cの構造は、 触媒を担持するこ とが可能な流路を内部に有し、 この流路の一方の端部が導入口をなし、 他方の端部が 排出口をなすものであれば、 特に制限はない。 したがって、 図 2 7 Aに示されるよう に、 単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bとして、 一方の面に微細溝部 2 4 3が形成された金属基板 2 4 2と、 微細溝部 2 4 3を覆うように金属基板 2 4 2 に接合された金属カバー部材 2 4 4と、 周囲に金属酸化膜 2 4 6を備えた接合体 2 4 1を有するものでもよい。 接合体 2 4 1の内部には、 微細溝部 2 4 3と金属カバ一部 材 2 4 4とで構成された流路 2 4 5が形成されており、 この流路 2 4 5の内壁面の全 面に金属酸化膜 2 4 6を介して触媒 C 1が担持されている。 また、 図 2 7 Bに示され るように、 単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bとして、 金属酸化膜 2 5 6を介して触媒 C 1が担持された微細溝部 2 5 3がー方の面に形成されている金属 基板 2 5 2と、 微細溝部 2 5 3を覆うように金属基板 2 5 2に接合された金属カバー 部材 2 5 4からなる接合体 2 5 1を有するものでもよい。 接合体 2 5 1の内部には、 微細溝部 2 5 3と金属カバー部材 2 5 4とで構成された流路 2 5 5が形成されており、 また、 金属基板 2 5 2の周囲には金属酸化膜 (絶縁膜) 2 5 6が形成されている。 次に、 上述の接合体 2 1 0を備えた単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bを例に、 図 2 8を参照しながら作製方法について説明する。
図 2 8において、 金属基板 2 1 1の一方の面に微細溝部 2 1 2を形成し、 金属基板 2 1 3の一方の面に微細溝部 2 1 4を形成する (図 2 8 A) 。 この微細溝部 2 1 2, 2 1 4は、 金属基板 2 1 1 , 2 1 3に所定の開口パターンを有するレジストを形成し、 このレジス卜をマスクとしてゥエツ卜エッチングにより形成することができ、 マイク ロマシーンによる加工を不要とすることができる。
次に、 金属基板 2 1 1, 2 1 3を、 微細溝部 2 1 2と微細溝部 2 1 4とが対向する ように接合して接合体 2 1 0を形成する (図 2 8 B ) 。 これにより、 微細溝部 2 1 2 と微細溝部 2 1 4が対向して流路 2 1 5が形成される。 上記の金属基板 2 1 1 , 2 1 3の接合は、 例えば、 拡散接合やロウ付け等により行うことができる。
次に、 接合体 2 1 0を陽極酸化して、 流路 2 1 5内壁面を含む全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 2 1 6を形成して単位流路部材 2 0 2 bとする (図 2 8 C) 。 この金属酸 化膜 (絶縁膜) 2 1 6の形成は、 接合体 2 1 0を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸漬して陰極と対向させ通電することにより行うことができる。 尚、 金属基板 2 1 1, 2 1 3として、 陽極酸化が不可能でベ一マイ卜処理が可能な金属材 料を用いた場合には、 ベーマイ卜処理により金属酸化膜 2 1 6を形成する。
次に、 単位流路部材 2 0 2 bの流路 2 1 5の内壁面の全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 2 1 6を介して触媒 C 1を担持させて単位マイクロリアクター 2 0 2 bとする (図 2 8 D) 。 金属酸化膜 (絶縁膜) 2 1 6上への触媒 C 1の担持は、 例えば、 触媒懸濁液 を接合体 2 1 0の流路 2 1 5内に流して充填し、 あるいは、 触媒懸濁液内に接合体 2 1 0を浸潰し、 その後、 触媒懸濁液を流路 2 1 5から抜いて乾燥することにより行う ことができる。
尚、 金属基板 2 1 1 , 2 1 3に微細溝部 2 1 2 , 2 1 4を形成した後、 金属基板 2 1 1、 2 1 3に陽極酸ィ匕を施して金属酸化膜を形成し、 次に、 接合面となる面に存在 する金属酸化膜を研磨除去した後、 金属基板 2 1 1 , 2 1 3を接合し、 次いで、 触媒 C 1を金属酸化膜に担持させてもよい。
次いで、 金属基板 2 1 1側の金属酸化膜 (絶縁膜) 2 1 6上に発熱体を設け、 さら に、 通電用の電極を形成し、 発熱体保護層を発熱体上に形成して、 単位マイクロリア クタ一 2 0 2 bを得ることができる。
発熱体の形成方法としては、 上述の材料を含有するペース卜を用いてスクリーン印 刷により形成する方法、 上述の材料を含有するペース卜を用いて塗布膜を形成し、 そ の後、 エッチング等によりパターニングする方法、 上述の材料を用いて真空成膜法に より薄膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方法等を挙げるこ とができる。 また、 通電用の電極は、 例えば、 上述の導電材料を含有するペース卜を 用いてスクリーン印刷により形成することができる。 また、 発熱体保護層は、 例えば、 上述の材料を含有するペース卜を用いてスクリーン印刷により所定のパターンで形成 することができる。 上記のように、 流路 2 1 5を備えた接合体 2 1 0が形成された後に触媒 C 1を担持 させて単位マイクロリアクター 2 0 2 bとすることにより、 接合工程における熱によ る触媒の失活のおそれがなく、 触媒の選択幅が広くなる。 また、 金属酸化膜 (絶縁 膜) 2 1 6を形成工程まで完了させた複数の単位流路部材を準備しておくことにより、 所望の触媒を担持させるだけで要求される機能を備えた単位マイクロリアクターとす ることができる。
尚、 上述の接合体 2 4 1を備えた単位流路部材 (単位マイクロリアクタ一) 2 0 2 bは、 上記の作製例において、 金属基板 2 1 3に代えて、 金属カバー部材 2 4 4を金 属基板 2 1 1に接合することにより、 同様に作製することができる。
次に、 上述の接合体 2 5 1を備えた単位流路部材 (単位マイクロリアクター) 2 0 2 bを例に、 図 2 9を参照しながら作製方法について説明する。
図 2 9において、 まず、 金属基板 2 5 2の一方の面に微細溝部 2 5 3を形成する (図 2 9 A) 。 この微細溝部 5 3の形成は、 上記の微細溝部 2 1 2 , 2 1 4の形成と 同様に行うことができる。
次に、 金属基板 2 5 2を陽極酸化して微細溝部 2 5 3内部を含む全面に金属酸化膜 2 5 6を形成する (図 2 9 B ) 。 尚、 金属基板 2 5 2として、 陽極酸化が不可能でベ 一マイ卜処理が可能な金属材料を用いた場合には、 ベーマイ卜処理により金属酸化膜 2 5 6を形成する。
次いで、 微細溝部 2 5 3内に触媒 C 1を担持させる (図 2 9 C) 。 この触媒担持は、 微細溝部 2 5 3が形成されている金属基板 2 5 2の面を所望の触媒懸濁液に浸漬し、 乾燥することによリ行うことができる。
次に、 金属基板 2.5 2の微細溝部 2 5 3形成面側を研磨して、 金属カバー部材 2 5 4との接合面となる面を露出させる (図 2 9 D) 。 その後、 金属基板 2 5 2と金属力 バー部材 2 5 4とを接合して接合体 2 5 1を形成する (図 2 9 E ) 。 この接合により、 接合体 2 5 1内には流路 2 5 5が形成される。
次いで、 金属基板 2 5 2の金属酸化膜 (絶縁膜) 2 5 6上に発熱体を設け、 さらに、 通電用の電極を形成し、 発熱体保護層を発熱体上に形成して、 単位流路部材 (単位マ イク口リアクター) 2 0 2 bを得ることができる。
尚、 上述のマイクロリアクターの実施形態は一例であり、 本発明はこれらに限定さ れるものではない。
[マイクロリアクターの製造方法]
次に、 本発明のマイクロリアクターの製造方法について説明する。
<製造方法の第 1の実施形態 >
図 3 0および図 3 1は本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明す るための工程図である。
図 3 0、 図 3 1では、 上述のマイクロリアクター 1を例にして説明する。 本発明の 製造方法では、 まず、 金属基板 2の一方の面 2 aに微細溝部 3を形成する (図 3 0 A) 。 この微細溝部 3は、 金属基板 2の面 2 aに所定の開口パターンを有するレジス 卜を形成し、 このレジス卜をマスクとしてウエットエッチングにより櫛状のリブ 2 A, 2 Bを残すように金属基板 2をエッチングして形成することができ、 マイクロマシー ンによる加工を不要とすることができる。 使用する金属基板 2の材質は、 次の陽極酸 ィ匕工程で陽極酸化が可能な A I、 S i、 丁 a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。
次に、 微細溝部 3を形成した金属基板 2を陽極酸ィ匕して、 微細溝部 3内部を含む全 面に金属酸化膜 (絶縁膜 4 ) を形成する (図 3 0 B ) 。 この金属酸化膜 (絶縁膜 4 ) の形成は、 金属基板 2を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸潰して 陰極と対向させ通電することによリ行うことができる。
次いで、 微細溝部 3が形成されていない金属基板 2の面 2 bの金属酸化膜 (絶縁膜 4 ) 上に発熱体 5を設け、 さらに、 通電用の電極 6, 6を形成する (図 3 0 C) 。 発 熱体 5は、 カーボンペース卜、 ニクロム (N i一 C r合金) 、 W、 M o等の材質を使 用して形成することができる。 発熱体 5の形成方法としては、 上記の材料を含有する ペース卜を用いてスクリーン印刷により形成する方法、 上記の材料を含有するペース 卜を用いて塗布膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方法、 上 記材料を用いて真空成膜法により薄膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパター ニングする方法等を挙げることができる。
また、 通電用の電極 6, 6は、 A u、 A g、 P d、 P d—A g等の導電材料を用い て形成することができ、 例えば、 上記の導電材料を含有するペース卜を用いてスクリ 一ン印刷によリ形成することができる。 次に、 電極 6, 6が露出するように発熱体保護層 7を発熱体 5上に形成する (図 3 0 D) 。 発熱体保護層 7は、 ポリイミド、 セラミック (A l 203、 S i 02) 等の材料 を用いて形成することができ、 例えば、 上記材料を含有するペース卜を用いてスクリ ーン印刷により電極開口部 7 a , 7 aを有するパターンで形成することができる。 次いで、 微細溝部 3内に触媒 Cを担持させる (図 3 1 A) 。 この触媒担持は、 金属 基板 2の微細溝部 3が形成されている面 2 aを、 所望の触媒溶液内に浸潰して行うこ とができる。
次に、 金属基板 2を研磨して金属基板 2の面 2 aを露出させ (図 3 1 B ) 、 その後、 カバ一部材 8を金属基板面 2 aに接合して本発明のマイクロリアクター 1を得ること ができる (図 3 1 C) 。 カバー咅附 8は、 A I合金、 C u合金、 ステンレス材料等を 使用することができる。 このカバー部材 8の金属基板面 2 aへの接合は、 例えば、 拡 散接合、 ロウ付け等により行うことができる。 尚、 この接^の際、 カバー部材 8に設 けられている原料導入口 8 aとガス排出口 8 bが、 金属基板 2に形成された微細溝部 3の流路の両端部に一致するように位置合わせをする。
また、 本発明の製造方法では、 発熱体 5、 電極 6, 6、 発熱体保護層 7の形成は、 金属基板 2とカバ一部材 8の接合後に行なってもよい。
<製造方法の第 2の実施形態 >
図 3 2および図 3 3は本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説明 するための工程図である。
図 3 2、 図 3 3では、 上述のマイクロリアクター 1 ' を例にして説明する。 本発明 の製造方法では、 まず、 金属基板 2 ' の一方の面 2 ' aに微細溝部 3を形成する (図 3 2 A) 。 金属基板 2 ' は、 A I基板、 C U基板、 ステンレス基板等のいずれかを使 用することができる。 この微細溝部 3の形成は、 上述の金属基板 2への微細溝部 3の 形成と同様にして行うことができる。
次に、 微細溝部 3が形成されていない金属基板 2 ' の面 2 ' b上に絶縁膜 4 ' を形 成する (図 3 2 B ) 。 この絶縁膜 4 ' は、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A l 2 03、 S i 02) 等を用いて形成することができる。 絶縁膜 4 ' の形成は、 例えば、 上 記の絶縁材料を含有するペース卜を用いたスクリーン印刷等の印刷法により、 あるい は、 上記絶縁材料を用いたスパッタリング、 真空蒸着等の真空成膜法により薄膜を形 成し、 硬化させることにより行うことができる。
次いで、 絶縁膜 4 ' 上に発熱体 5を設け、 さらに、 通電用の電極 6, 6を形成する (図 3 2 C) 。 このような発熱体 5、 電極 6, 6の形成は、 上述のマイクロリアクタ 一 1の製造方法と同様に行うことができる。
次に、 電極 6, 6が露出するように発熱体保護層 7を発熱体 5上に形成する (図 3 2 D) 。 この発熱体保護層 7の形成は、 上述のマイクロリアクター 1の製造方法と同 様に行うことができる。
次いで、 微細溝部 3内に触媒 Cを担持させる (図 3 3 A) 。 この触媒担持は、 金属 基板 2 ' の微細溝部 3が形成されている面 2 ' aを、 所望の触媒溶液内に浸潰して行 うことができる。
次に、 金属基板 2 ' を研磨して金属基板面 2 ' aを露出させ (図 3 3 B ) 、 その後、 カバ一部材 8を金属基板面 2 ' aに接合して本発明のマイクロリアクター 1 ' を得る ことができる (図 3 3 C) 。 このカバー部材 8の接合は、 上述のマイクロリアクター 1の製造方法と同様に行うことができる。
このような本発明のマイクロリアクター製造方法では、 金属基板を使用するので、 微細溝部の形成でマイクロマシーン加工を行う必要がなく、 エッチング加工等の安価 な加工方法により容易に行うことができ、 マイクロリアクターの製造コス卜低減が可 能となる。
また、 本発明の製造方法では、 絶縁膜 4 ' 、 発熱体 5、 電極 6, 6、 発熱体保護層 7の形成は、 金属基板 2 ' とカバー部材 8の接合後に行なってもよい。
ぐ製造方法の第 3の実施形態 >
図 3 4乃至図 3 8は、 上述のマイクロリアクター 1 1を例とした本発明のマイクロ リアクター製造方法の—実施形態を説明するための工程図である。 尚、 各図は図 6、 図 7に相当する位置での断面形状で示している。
本発明の製造方法では、 まず、 金属基板 1 2の一方の面 1 2 aに微細溝部 3を形成 するとともに、 貫通孔 1 9を形成する (図 3 4 A、 図 3 4 B ) 。 この微細溝部 1 3は、 金属基板 1 2の面 1 2 aに微細溝部 1 3に対応した所定の開口パターンを有するレジ ストを形成し、 金属基板 1 2の面 1 2 bに貫通孔 1 9を形成するための開口パターン を有するレジス卜を形成する。 そして、 このレジス卜をマスクとしてウエットエッチ ングにより櫛状のリブ 1 2 A, 1 2 Bを残すように面 1 2 a側から金属基板 1 2をハ 一フェッチングして微細溝部 1 3を形成し、 同時に両面エッチングによって貫通孔 1 9を形成することができる。 したがって、 マイクロマシーンによる加工は不要となる。 使用する金属基板 1 2の材質は、 次の陽極酸化工程で陽極酸化が可能な A I、 S i、 T a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。
次に、 微細溝部 Ί 3と貫通孔 1 9を形成した金属基板 1 2を陽極酸化して、 微細溝 部 1 3内部と貫通孔 1 9内部を含む全面に金属酸化膜 (絶縁膜 1 4 ) を形成する (図 3 4 C、 図 3 4 D) 。 この金属酸化膜 (絶縁膜 1 4 ) の形成は、 金属基板 1 2を外部 電極の陽極に接続した状態で、 陽極酸化溶液に浸潰して陰極と対向させ通電すること により行うことができる。
次いで、 微細溝部 1 3が形成されていない金属基板 1 2の面 1 2 bの金属酸化膜 (絶縁膜 1 4 ) 上に、 貫通孔 1 9を塞がないように発熱体 1 5を設け、 さらに、 通電 用の電極 1 6, 1 6を形成する (図 3 5 A、 図 3 5 B ) 。 発熱体 1 5は、 カーボンべ —スト、 ニクロム (N i一 C r合金) 、 W、 M o等の材質を使用して形成することが できる。 発熱体 1 5の形成方法としては、 上記の材料を含有するペース卜を用いてス クリーン印刷により形成する方法、 上記の材料を含有するペース卜を用いて塗布膜を 形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方法、 上記材料を用いて真空 成膜法により薄膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方法等を 挙げることができる。
また、 通電用の電極 1 6, 1 6は、 A u、 A g、 P d、 P d— A g等の導電材料を 用いて形成することができ、 例えば、 上記の導電材料を含有するペース卜を用いてス クリーン印刷により形成することができる。
次に、 電極 1 6, 1 6と貫通孔 Ί 9が露出するように発熱体保護層 1 7を発熱体 1
5上に形成する (図 3 5 C、 図 3 5 D) 。 発熱体保護層 1 7は、 ポリイミド、 セラミ ック (A l 203、 S i 02) 等の材料を用いて形成することができ、 例えば、 上記材料 を含有するペース卜を用いてスクリーン印刷により電極開口部 1 7 a, 1 7 aと開口 部 1 7 bを有するパターンで形成することができる。
次いで、 微細溝部 1 3内に触媒 C 1を担持させる (図 3 6 A、 図 3 6 B ) 。 この触 媒担持は、 金属基板 1 2の微細溝部 1 3が形成されている面 1 2 aを、 所望の触媒溶 4 液内に浸潰して行うことができる。
次に、 金属基板 1 2を研磨して、 金属基板 2 2との接合面となる金属基板 1 2の面 1 2 aを露出させる (図 3 6 C、 図 3 6 D) 。
一方、 上記の金属基板 1 2と同様に、 金属基板 2 2の一方の面 2 2 aに微細溝部 2 3を形成するとともに、 貫通孔 2 9を形成する (図 3 7 A、 図 3 7 B ) 。 次いで、 微 細溝部 2 3と貫通孔 2 9を形成した金属基板 2 2を陽極酸化して、 微細溝部 2 3内部 と貫通孔 2 9内部を含む全面に金属酸化膜 (絶縁膜 2 4 ) を形成する (図 3 7 C、 図 3 7 D) 。
次いで、 微細溝部 2 3内に触媒 C 2を担持させる (図 3 8 A、 図 3 8 B ) 。 この触 媒担持は、 金属基板 2 2の微細溝部 2 3が形成されている面 2 2 aを、 所望の触媒溶 液内に浸漬して行うことができる。
次に、 金属基板 2 2の両面を研磨して、 カバ一部材 2 8との接合面となる金属基板 2 2の面 2 2 aと、 金属基板 1 2との接合面となる金属基板 2 2の面 2 2 bを露出さ せる (図 3 8 C、 図 3 8 D) 。
次いで、 上述の金属基板 1 2の面 1 2 aと金属基板 2 2の面 2 2 bとを接合し、 さ らに、 カバー部材 2 8を金属基板面 2 2 aに接合して本発明のマイクロリアクター 1 1を得ることができる。 カバー咅附 2 8は、 A I合金、 C u合金、 ステンレス材料等 を使用することができる。 金属基板 1 2と金属基板 2 2の接合、 および、 金属基板 2 2とカバ一部材 2 8との接合は、 例えば、 拡散接合、 ロウ付け等により行うことがで きる。 尚、 この接合の際、 金属基板 2 2の貫通孔 2 9が金属基板 1 2に形成された微 細溝部 1 3の流路の端部 1 3 bに一致し、 カバー部材 2 8に設けられているガス排出 口 2 8 aが、 金属基板 2 2に形成された微細溝部 2 3の流路の端部 2 3 bに一致する ように位置合わせをする。
また、 本発明の製造方法では、 次のような工程としてもよい。 まず、 上述の金属基 板 1 2、金属基板 2 2、 力バー部材 2 8の接合を行なう。 その後、 金属基板 1 2の面 1 2 b上の金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4に、 発熱体 Ί 5、 電極 1 6, 1 6、 発熱体保護 層 1 7を形成してもよい。
<製造方法の第 4の実施形態 >
図 3 9および図 4 0は、 上述のマイクロリアクター 1 1 ' を例とした本発明のマイ クロリアクター製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
図 39および図 40において、 本発明の製造方法では、 まず、 金属基板 1 2' の一 方の面 1 2' aに微細溝部 1 3と貫通孔 1 9 (図示せず) を形成する (図 39A) 。 金属基板 1 2' は、 A I基板、 CU基板、 ステンレス基板等のいずれかを使用するこ とができる。 この微細溝き 1 3と貫通孔 1 9の形成は、 上述の金属基板 1 2への微細 溝部 1 3と貫通孔 1 9の形成と同様にして行うことができる。
次に、 微細溝部 1 3が形成されていない金属基板 1 2' の面 1 2' b上に、 貫通孔 1 9 (図示せず) を塞がないように絶縁膜 1 4' を形成する (図 39 B) 。 この絶縁 膜 1 4' は、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A l 203、 S i 02) 等を用いて形成 することができる。 絶縁膜 1 4' の形成は、 例えば、 上記の絶縁材料を含有するべ一 ストを用いたスクリーン印刷等の印刷法により、 あるいは、 上記絶縁材料を用いたス パッタリング、 真空蒸着等の真空成膜法により薄膜を形成し、 硬化させることにより 行うことができる。
次いで、 絶縁膜 Ί 4' 上に発熱体 1 5を言 Sけ、 さらに、 通電用の電極 1 6, 1 6を 形成する (図 39 C) 。 このような発熱体 1 5、 電極 1 6, 1 6の形成は、 上述のマ イク口リアクター 1 1の製造方法と同様に行うことができる。
次に、 電極 1 6, 1 6と貫通孔 1 9 (図示せず) が露出するように発熱体保護層 1
7を発熱体 1 5上に形成する (図 39 D) 。 この発熱体保護層 1 7の形成は、 上述の マイクロリアクター 1 1の製造方法と同様に行うことができる。
次いで、 微細溝部 1 3内に触媒 C1を担持させる (図 40A) 。 この触媒担持は、 金属基板 1 2' の微細溝部 1 3が形成されている面 1 2' aを、 所望の触媒溶液内に 浸潰して行うことができる。
次に、 金属基板 1 2' を研磨して、 金属基板 22' と接合される金属基板面 1 2' aを露出させる (図 40 B)。
一方、 上記の金属基板 1 2' と同様に、 金属基板 22' の一方の面 22' aに微細 溝部 23を形成するとともに、 貫通孔 29 (図示せず) を形成し、 次いで、 微細溝部
23内に触媒 C 2を担持させ、 金属基板 22' を研磨して、 カバー部材 28との接合 面となる金属基板 22' の面 22' aと、 金属基板 1 2' との接合面となる金属基板
22' の面 22 ' bを露出させる (図 40 C) 。 次いで、 上述の金属基板 1 2 ' の面 1 ' aと金属基板 2 2 ' の面 2 2 ' bとを接 合し、 さらに、 カバー部材 2 8を金属基板面 2 2 ' aに接合して本発明のマイクロリ アクター 1 1 ' を得ることができる (図 4 0 D) 。 この金属基板 1 2 ' と金属基板 2 2 ' との接合、 および、 金属基板 2 2 ' とカバー部材 2 8との接合は、 上述のマイク 口リアクター 1 1の製造方法と同様に行うことができる。
このような本発明のマイクロリアクター製造方法では、 金属基板を使用するので、 微細溝部の形成でマイクロマシーン加工を行う必要がなく、 エッチング加工等の安価 な加工方法により容易に行うことができ、 マイクロリアクターの製造コス卜低減が可 能となる。
また、 本発明の製造方法では、 絶縁膜 1 4 ' 上への発熱体 Ί 5、 電極 1 6, 1 6、 発熱体保護層 1 7の形成を、 金属基板 1 2 ' と金属基板 2 2 ' とカバー部材 2 8の接 合後に行なってもよい。
<製造方法の第 5の実施形態 >
図 4 1および図 4 2は本発明のマイクロリアクター製造方法の一実施形態を説明す るための工程図である。
図 4 1、 図 4 2では、 上述のマイクロリアクター 1 0 1を例にして説明する。 本発明の製造方法では、 まず、 溝部形成工程において、 金属基板 1 0 2の一方の面 1 0 2 aに微細溝部 1 0 3を形成する (図 4 1 A) 。 この微細溝部 1 0 3は、 金属基 板 1 0 2の面1 0 2 aに所定の開口パターンを有するレジス卜を形成し、 このレジス 卜をマスクとしてウエットエッチングにより櫛状のリブ 1 0 2 A, 1 0 2 Bを残すよ うに金属基板 1 0 2をエッチングして形成することができ、 マイクロマシーンによる 加工を不要とすることができる。 形成される微細溝部 1 0 3は、 断面が円弧形状ない し半円形状、 あるいは、 U字形状が好ましく、 また、 流体の流れ方向に沿った壁面に 角部が存在しないものが好ましい。 このような形状とすることにより、 後工程の触媒 担持工程において角部に触媒が堆積することが防止され、 均一な触媒担持が可能とな る。 使用する金属基板 1 0 2の材質は、 次の表面処理工程で陽極酸化により金属酸化 膜の形成が可能な A I、 S i、 T a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等 を挙げることできる。
次に、 接合工程において、 金属カバー部材 4を金属基板面 1 0 2 aに接合して接合 体 1 1 5を形成する (図 4 1 B ) 。 金属カバー部材 1 0 4の材質も、 次の表面処理ェ 程で陽極酸化により金属酸化膜の形成が可能な A I、 S i、 丁 a、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を使用することができる。 この金属カバー部材 1 0 4の 金属基板面 1 0 2 aへの接合は、 例えば、 拡散接合、 ロウ付け等により行うことがで きる。 この接合の際、 金属カバー部材 1 0 4に設けられている原料導入口 1 0 4 aと ガス排出口 1 0 4 bが、 金属基板 1 0 2に形成された微細溝部 1 0 3の流路の両端部 に一致するように位置合わせをする。 このように形成した接合体 1 1 5には、 微細溝 部 1 0 3が金属カバー部材 1 0 4で覆われて流路 1 0 5が形成されている。
次に、 表面処理工程において、 接合体 1 1 5を陽極酸ィヒして、 流路 1 0 5内壁面を 含む全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 0 6を形成する (図 4 1 C) 。 この金属酸化膜 (絶縁膜) 1 0 6の形成は、 接合体 1 1 5を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極 酸化溶液に浸漬して陰極と対向させ通電することによリ行うことができる。
次いで、 触媒担持工程において、 流路 1 0 5の内壁面の全面に金属酸化膜 (絶縁 膜) 1 0 6を介して触媒 Cを担持する (図 4 2 A) 。 金属酸化膜 (絶縁膜) 1 0 6上 への触媒 Cの担持は、 例えば、 触媒懸濁液を接合体 1 1 5の流路 1 0 5内に流して充 填し、 あるいは、 触媒懸濁液内に接合体 1 Ί 5を浸潰し、 その後、 触媒懸濁液を流路 1 0 5から抜いて乾燥することにより行うことができる。 この触媒担持工程では、 上 述のように、 微細溝部 3の断面形状が円弧形状ないし半円形状、 あるいは、 U字形状 であり、 流体の流れ方向に沿った壁面に角部が存在しない場合、 触媒が堆積し易い角 部が流路〗 0 5内にほとんど存在しないことになリ、 均一な触媒担持が可能となる。 尚、 上記の乾燥時に、 振動あるいは回転を接合体 1 1 5に与えることにより、 より均 一な触媒担持が可能となる。
次いで、 金属基板 1 0 2の面 1 0 2 b側の金属酸化膜 (絶縁膜) 1 0 6上に発熱体 1 0 7を設け、 さらに、 通電用の電極 1 0 8 , 1 0 8を形成する (図 4 2 B ) 。 発熱 体 1 0 7は、 カーボンペース卜、 ニクロム (N i—C r合金) 、 W、 M o等の材質を 使用して形成することができる。 発熱体 1 0 7の形成方法としては、 上記の材料を含 有するペース卜を用いてスクリーン印刷によリ形成する方法、 上記の材料を含有する ペース卜を用いて塗布膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方 法、 上記材料を用いて真空成膜法により薄膜を形成し、 その後、 エッチング等により パターニングする方法等を挙げることができる。
また、 通電用の電極 1 0 8, 1 0 8は、 A u、 A g、 P d、 P d— A g等の導電材 料を用いて形成することができ、 例えば、 上記の導電材料を含有するペース卜を用い てスクリーン印刷により形成することができる。
次いで、 電極 1 0 8 , 1 0 8が露出するように発熱体保護層 1 0 9を発熱体 1 0 7 上に形成する (図 4 2 C) 。 発熱体保護層 1 0 9は、 ポリイミド、 セラミック (A I 203、 S i 02) 等の材料を用いて形成することができ、 例えば、 上記材料を含有する ぺ 7ス卜を用いてスクリーン印刷により電極開口部 1 0 9 a, 1 0 9 aを有するパタ 一ンで形成することができる。
また、 本発明の製造方法では、 次のような工程としてもよい。 まず、 微細溝部 1 0 3を形成した金属基体 1 0 2に陽極酸化を施して全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 0 6 を形成する。 次に、 接合面となる面 1 0 2 aに存在する金属酸化膜 1 0 6を研磨して 除去した後、 金属基板 1 0 2とカバ一部材 1 0 4を接合する。 その後、 流路 1 0 5の 内壁面である金属酸化膜 1 0 6に触媒 Cを担持させる。
<製造方法の第 6の実施形態 >
図 4 3および図 4 4は本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説明 するための工程図である。
図 4 3、 図 4 4では、 上述のマイクロリアクター 1 2 1を例にして説明する。
本発明の製造方法では、 まず、 溝部形成工程において、 金属基板 1 2 2の一方の面 1 2 2 aに微細溝部 1 2 3を形成する (図 4 3 A) 。 使用する金属基板 1 2 2は、 後 工程の表面処理工程においてべ一マイ卜処理による金属酸化膜の形成が可能な材料、 例えば、 C u、 ステンレス、 F e、 A I等を使用することができる。 また、 微細溝部 1 2 3の形成は、 上述の実施形態における金属基板 1 0 2への微細溝部 1 0 3の形成 と同様にして行うことができる。
次に、 接合工程において、 微細溝部 1 2 3が形成されていない金属基板 1 2 2の面 1 2 2 b上に絶縁膜 1 3 0を形成した後、 微細溝部 1 2 3が形成されている金属基板 面 1 2 2 aに金属カバー部材 1 2 4を接合して接合体 1 3 5を形成する (図 4 3 B ) 。
絶縁膜 1 3 0【ま、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A l 203、 S i 02) 等を用い て形成することができる。 絶縁膜 1 3 0の形成は、 例えば、 上記の絶縁材料を含有す るペース卜を用いたスクリーン印刷等の印刷法により、 あるいは、 上記絶縁材料を用 いたスパッタリング、 真空蒸着等の真空成膜法により薄膜を形成し、 硬化させること により行うことができる。 尚、 絶縁膜 1 3 0の形成を金属基板 1 2 2と金属カバー部 材 1 2 4との接合後に行ってもよい。
金属カバー部材 1 2 4の材質は、 次の表面処理工程においてべ一マイ卜処理による 金属酸化膜の形成が可能な材料、 例えば、 C u、 ステンレス、 F e、 A I等を使用す ることができる。 この金属カバ一部材 1 2 4の金属基板面 1 2 2 aへの接合は、 例え ば、 拡散接合、 ロウ付け等により行うことができる。 この接合の際、 金属カバー部材 1 2 4に設けられている原料導入口 1 2 4 aとガス排出口 1 2 4 が、 金属基板 1 2 2に形成された微細溝部 1 2 3の流路の両端部に一致するように位置合わせをする。 このように形成した接合体 1 3 5には、 微細溝部 1 2 3が金属カバー部材 1 2 4で覆 われて流路 1 2 5が形成されている。
次に、 表面処理工程において、 接合体 1 3 5の流路 1 2 5の内壁面に金属酸化膜 1 2 6を形成する (図 4 3 C ) 。 この金属酸化膜 1 2 6の形成はべ一マイ卜処理により 行うことができ、 例えば、 アルミナゾルのようなベーマイ卜アルミナが分散されてい る状態の懸濁液を用い、 この懸濁液の粘度を十分に低下させたものを流路 1 2 5内に 流し込み、 その後、 乾燥させ、 ベーマイ卜被膜を流路内面に固定化させること (ゥ才 ッシュコー卜処理) により行うことができる。
次いで、 触媒担持工程において、 流路 1 2 5の内壁面の全面に金属酸化膜 1 2 6を 介して触媒 Cを担持する (図 4 4 A) 。 金属酸化膜 1 2 6上への触媒 Cの担持は、 上 述の実施形態における触媒担持工程と同様にして行うことができる。 本実施形態にお いても、 微細溝部 1 2 3の断面形状が円弧形状ないし半円形状、 あるいは、 U字形状 であり、 流体の流れ方向に沿った壁面に角部が存在しない場合、 触媒が堆積し易い角 部が流路 1 2 5内にほとんど存在しないことになり、 均一な触媒担持が可能となる。 また、 乾燥時に、 振動あるいは回転を接合体 1 3 5に与えることにより、 より均一な 触媒担持が可能となる。
次いで、 金属基板 1 2 2の面 1 2 2 b側の絶縁膜 Ί 3 0上に発熱体 1 2 7を設け、 さらに、 通電用の電極 1 2 8, 1 2 8を形成する (図 4 4 B ) 。 その後、 電極 1 2 8, 1 2 8が露出するように発熱体保護層 1 2 9を発熱体 1 2 7上に形成する (図 4 2 C) 。 発熱体 1 21、 電極 1 28, 1 28、 発熱体保護層 1 29の材質、 形成方法は、 上述の実施形態と同様とすることができる。
また、 本発明の製造方法では、 次のような工程としてもよい。 まず、 微細溝部 1 2 3を形成した金属基体 1 22に陽極酸化を施して全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 26 を形成する。 次に、 接合面となる面 1 22 aに存在する金属酸化膜 1 26を研磨して 除去する。 その後、 金属基板 1 22とカバー部材 1 24を接合する。 次いで、 流路 1 25の内壁面である金属酸化膜 1 26に触媒 Cを担持させる。 そして、 金属基板 1 2 2の面 1 22 b上に絶縁膜 Ί 30を形成し、 この絶縁膜 1 30上に、 発熱体 1 27、 電極 1 28, 1 28、 発熱体保護層 1 29を形成する。
<製造方法の第 7の実施形態 >
図 45および図 46は本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説明 するための工程図である。
図 45、 図 46では、 上述のマイクロリアクター Ί 41を例にして説明する。
本発明の製造方法では、 まず、 溝部形成工程において、 金属基板 1 42の一方の面 1 42 aに微細溝部 1 43を形成し、 金属基板 1 44の一方の面 1 44 aに微細溝部 1 45を形成する (図 45 A) 。 この微細溝咅 1 43, 1 45は、 金属基板 1 42, 1 44の面 1 42 a, 1 44 aに所定の開口パターンを有するレジス卜を形成し、 こ のレジス卜をマスクとしてウエットエッチングにより櫛状のリブ 1 42A, 1 42 B、 リブ 1 44 A, 1 44 Bを残すように金属基板 1 42, 1 44をエッチングして形成 することができ、 マイクロマシーンによる加工を不要とすることができる。
金属基板 1 42, 1 44は、 形成される微細溝部 1 43と微細溝部 1 45のパター ン形状が、 金属基板 1 42, 1 44の接合面 (1 42 a, 1 44 a) に対して対称関 係にある 1組の金属基板をなす。 また、 微細溝部 1 43, 1 45は、 断面が円弧形状 ないし半円形状、 あるいは、 U字形状が好ましく、 また、 流体の流れ方向に沿った壁 面に角部が存在しないもの (櫛状のリブ 1 42 A, 1 428ゃリブ1 44八, 1 44 Bの各先端部での折り返し部位は角部がなく丸みをもつもの) が好ましい。 このよう な形状とすることによリ、 後工程の触媒担持工程において角部に触媒が堆積すること が防止され、 均一な触媒担持が可能となる。 使用する金属基板 1 42, 1 44の材質 は、 次の表面処理工程で陽極酸化により金属酸化膜の形成が可能な A I、 S i、 Ta、 N b、 V、 B i、 丫、 W、 M o、 Z r、 H f等を挙げることできる。
次に、 接合工程において、 1組の金属基板 1 4 2, 1 4 4を、 微細溝部 1 4 3と微 細溝部 1 4 5とが対向するように、 面 1 4 2 a, 1 4 4 aで接合して接合体 1 5 5を 形成する (図 4 5 B ) 。
上記のように、 微細溝部 1 4 3と微細溝部 1 4 5は、 金属基板 1 4 2, 1 4 4の接 合面 (1 4 2 a, 1 4 4 a ) に対して対称関係にあるパターン形状であるため、 金属 基板 1 4 2, 1 4 4の接合によリ、 微細溝部 1 4 3と微細溝部 1 4 5が完全に対向し て流路 1 4 6が形成される。 この流路 1 4 6の流体の流れ方向に垂直な断面における 内壁面の形状は略円形状である。 上記の金属基板 1 4 2, 1 4 4の接合は、 例えば、 拡散接合、 ロウ付け等により行うことができる。
次に、 表面処理工程において、 接合体 1 5 5を陽極酸化して、 流路 1 4 6内壁面を 含む全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7を形成する (図 4 5 C ) 。 この金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7の形成は、 接合体 1 5 5を外部電極の陽極に接続した状態で、 陽極 酸化溶液に浸漬して陰極と対向させ通電することにより行うことができる。
次いで、 触媒担持工程において、 流路 1 4 6の内壁面の全面に金属酸化膜 (絶縁 膜) 1 4 7を介して触媒 Cを担持する (図 4 6 A) 。 金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7上 への触媒 Cの担持は、 例えば、 触媒懸濁液を接合体 1 5 5の流路 1 4 6内に流して充 填し、 あるいは、 触媒懸濁液内に接合体 1 5 5を浸潰し、 その後、 触媒懸濁液を流路 1 4 6から抜いて乾燥することにより行うことができる。 この触媒担持工程では、 上 述のように、 微細溝部 1 4 3, 1 4 5の断面形状が円弧形状ないし半円形状、 あるい は、 U字形状であり、 流体の流れ方向に沿った壁面に角部が存在しない場合、 触媒が 堆積し易い角部が流路 1 4 6内に存在しないことになり、 均一な触媒担持が可能とな る。 尚、 上記の乾燥時に、 振動あるいは回転を接合体 1 5 5に与えることにより、 よ リ均一な触媒担持が可能となる。
次いで、 金属基板 1 4 2の面 1 4 2 b側の金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7上に発熱体 1 4 8を設け、 さらに、 通電用の電極 Ί 4 9, 1 4 9を形成する (図 4 6 B ) 。 発熱 体 1 4 8は、 カーボンペースト、 ニクロム (N i一 C r合金) 、 W、 M o等の材質を 使用して形成することができる。 発熱体 Ί 4 8の形成方法としては、 上記の材料を含 有するペース卜を用いてスクリーン印刷により形成する方法、 上記の材料を含有する ペース卜を用いて塗布膜を形成し、 その後、 エッチング等によりパターニングする方 法、 上記材料を用いて真空成膜法により薄膜を形成し、 その後、 エッチング等により パターニングする方法等を挙げることができる。
また、 通電用の電極 1 4 9, 1 4 9は、 A u、 A g、 P d、 P d— A g等の導電材 料を用いて形成することができ、 例えば、 上記の導電材料を含有するペース卜を用い てスクリ一ン印刷によリ形成することができる。
次いで、 電極 1 4 9, 1 4 9が露出するように発熱体保護層 1 5 0を発熱体 1 4 8 上に形成する (図 4 6 C) 。 発熱体保護層 1 5 0は、 ポリイミド、 セラミック (A I 203、 S i 02) 等の材料を用いて形成することができ、 例えば、 上記材料を含有する ペース卜を用いてスクリーン印刷により電極開口部 1 5 0 a, 1 5 0 aを有するパ夕 一ンで形成することができる。
また、 本発明の製造方法では、 次のような工程としてもよい。 まず、 微細溝部 1 4 3, 1 4 5を形成した金属基体 1 4 2 , 1 4 4に陽極酸化を施して全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 4 7を形成する。 次に、 接合面となる面 1 4 2 a, 1 4 4 aに存在する 金属酸化膜 1 4 7を研磨して除去する。 その後、 金属基板 1 4 2と金属基板 1 4 4を 接合する。 次いで、 流路 1 4 6の内壁面である金属酸化膜 Ί 4 7に触媒 Cを担持させ る。
<製造方法の第 8の実施形態 >
図 4 7および図 4 8は本発明のマイクロリアクター製造方法の他の実施形態を説明 するための工程図である。
図 4 7、 図 4 8では、 上述のマイクロリアクター 1 6 1を例にして説明する。
本発明の製造方法では、 まず、 溝部形成工程において、 金属基板 1 6 2の一方の面 1 6 2 aに微細溝部 1 6 3を形成し、 金属基板 1 6 4の一方の面 1 6 4 aに微細溝部 1 6 5を形成する (図 4 7 A) 。 この微細溝部 1 6 3 , 1 6 5の形成は、 上述の第 3 の実施形態における金属基板 1 4 2, 1 4 4への微細溝部 1 4 3, 1 4 5の形成と同 様にして行うことができる。 また、 使用する金属基板 1 6 2, 1 6 4は、 後工程の表 面処理工程においてべ一マイ卜処理による金属酸化膜の形成が可能な材料、 例えば、 C u、 ステンレス、 F e、 A I等を使用することができる。
次に、 接合工程において、 微細溝部 1 6 3が形成されていない金属基板 1 6 2の面 1 6 2 b上に絶縁膜 1 7 1を形成した後、 1組の金属基板 1 6 2, 1 6 4を、 微細溝 部 1 6 3と微細溝部 1 6 5とが対向するように、 面 1 6 2 a, 1 6 4 aで接合して接 合体 1 7 5を形成する (図 4 7 B ) 。
絶縁膜 1 7 1は、 例えば、 ポリイミド、 セラミック (A I 203、 S i 02) 等を用い て形成することができる。 絶縁膜 1 7〗の形成は、 例えば、 上記の絶縁材料を含有す るペース卜を用いたスクリーン印刷等の印刷法により、 あるいは、 上記絶縁材料を用 いたスパッタリング、 真空蒸着等の真空成膜法により薄膜を形成し、 硬化させること により行うことができる。 尚、 絶縁膜 1 7 1の形成は、 金属基板 1 6 2, 1 6 4の接 合後に行ってもよい。
上記の金属基板 1 6 2 , 1 6 4の接合は、 例えば、 拡散接合、 ロウ付け等により行 うことができる。 この接合において、 微細溝部 1 6 3と微細溝部 1 6 5は、 金属基板 1 6 2, 1 6 4の接合面 ( 1 6 2 a , 1 6 4 a ) に対して対称関係にあるパターン形 状であるため、 微細溝部 1 6 3と微細溝部 1 6 5が完全に対向して流路 1 6 6が形成 され、 この流路 1 6 6の流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状は略円形 状となる。
次に、 表面処理工程において、 接合体 1 7 5の流路 1 6 6の内壁面に金属酸化膜 1 6 7を形成する (図 4 7 C) 。 この金属酸化膜 1 6 7の形成は、 ベーマイ卜処理によ り行うことができ、 例えば、 アルミナゾルのようなベ一マイ卜アルミナが分散されて t、る状態の懸濁液を用い、 この懸濁液の粘度を十分に低下させたものを流路 1 6 6内 に流し込み、 その後、 乾燥させ、 ベ一マイ卜被膜を流路内面に固定化させること (ゥ 才ッシュコート処理) により行うことができる。
次いで、 触媒担持工程において、 流路 1 6 6の内壁面の全面に金属酸化膜 1 6 7を 介して触媒 Cを担持する (図 4 8 A) 。 金属酸化膜 1 6 7上への触媒 Cの担持は、 上 述の第 3の実施形態における触媒担持工程と同様にして行うことができる。 本実施形 態でも、 微細溝部 1 6 3, 1 6 5の断面形状が円弧形状ないし半円形状、 あるいは、 U字形状であり、 流体の流れ方向に沿った壁面に角部が存在しない場合、 触媒が堆積 し易い角部が流路 1 6 6内に存在しないことになリ、 均一な触媒担持が可能となる。 また、 車乞燥時に、 振動あるいは回転を接合体 1 7 5に与えることにより、 より均一な 触媒担持が可能となる。 次いで、 金属基板 1 6 2の面 1 6 2 b側の絶縁膜 1 7 1上に発熱体 1 6 8を設け、 さらに、 通電用の電極 1 6 9, 1 6 9を形成する (図 4 8 B ) 。 その後、 電極 1 6 9, 1 6 9が露出するように発熱体保護層 1 7 0を発熱体 1 6 8上に形成する (図 4 8 C) 。 発熱体 1 6 8、 電極 1 6 9, 1 6 9、 発熱体保護層 1 7 0の材質、 形成方法は、 上述の第 3の実施形態と同様とすることができる。
また、 本発明の製造方法では、 次のような工程としてもよい。 まず、 微細溝部 1 6 3, 1 6 5を形成した金属基体 1 6 2, 1 6 4に陽極酸ィ匕を施して全面に金属酸化膜 (絶縁膜) 1 6 7を形成する。 次に、 接合面となる面 1 6 2 a, 1 6 4 aに存在する 金属酸化膜 1 6 7を研磨して除去する。 その後、 金属基板 1 6 2と金属基板 1 6 4を 接合する。 次いで、 流路 1 6 6の内壁面である金属酸化膜 1 6 7に触媒 Cを担持させ る。
このような本発明のマイクロリアクタ一製造方法では、 接合工程によリ流路を備え た接合体が形成された後に触媒が担持されるので、 接合工程における熱による触媒の 失活のおそれがなく、 触媒の選択幅が広くなリ、 さらに、 接合工程まで完了させて複 数の接合体を準備しておき、 これらの接合体に所望の触媒を担持させることにより、 異なった反応に使用されるマイクロリアクター、 例えば、 メタノールの改質用、 一酸 化炭素の酸化用の各マイクロリアクターを製造することができ、 製造工程の簡素化が 可能である。 また、 金属基板を使用するので、 微細溝部の形成でマイクロマシーン加 ェを行う必要がなく、 エッチング加工等の安価な加工方法によリ容易に行うことがで き、 さらに、 研磨工程も不要であるため、 マイクロリアクターの製造コスト低減が可 能となる。 また、 流路の内壁面に角部を存在させないようにした場合、 触媒担持工程 における担持量のバラツキが抑制され、 触媒を均一に担持させることができる。
尚、 上述のマイクロリアクター製造方法の実施形態は一例であり、 本発明はこれら に限定されるものではない。
次に、 より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
(実施例 1 )
基材として厚み 1 0 0 0 At mの A I基板 ( 2 5 O mm X 2 5 0
mm) を準備し、 この A I基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 O F P R ) をディップ法により塗布 (膜厚 7 At m (乾燥時) ) した。 次に、 A I基板 の微細溝部を形成する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 500 mのス卜ライプ状の遮光 部がピッチ 2000 j mで左右から交互に突出 (突出長 30 mm) した形状のフ才卜 マスクを配し、 このフォトマスクを介してレジス卜塗布膜を露光し、 炭酸水素ナ卜リ ゥ厶溶液を使用して現像した。 これにより、 A I基板の一方の面には、 幅 500 μηη のス卜ライプ状の開口部がピッチ 2000 mで配列され、 隣接するス卜ライプ状の 開口部が、 その端部において交互に 続するようなレジス卜パターンが形成された。 次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件で A I基板をエツチン グした。 このエッチングは、 A I基板の一方の面からハーフエッチングにより微細溝 部を形成するものであリ、 ェツチングに要した時間は 3分間であつた。
(エッチング条件)
•温度 : 20°C
•エッチング液 (HC I ) 濃度: 200 g/L
(35%HC Iを純水中に 200 g溶解して 1 しとする) 上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜パタ ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 A I基板の一方の面に、 幅 1 000A6m、 深 さ 650A m、 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2000 mのピッチで形 成され、 隣接する微細溝の端部において交互に 镜するような (図 3に示されるよう な) 微細溝部 (流路長 300mm) が形成された。
次に、 上記の A I基板を外部電極の陽極に接続し、 陽極酸化溶液 (4%シユウ酸溶 液) に浸漬して陰極と対向させ、 下記の条件で通電することにより、 酸化アルミニゥ ム薄膜を形成して絶縁膜とした。 尚、 形成した酸化アルミニウム薄膜の厚みをエリプ ソメ一夕一で測定した結果、 約 30 mであつた。
(陽極酸化の条件)
•浴温 : 25°C
——電圧 : 25 V (DC)
•電流密度 : 1 00 AZm2
次いで、 微細溝部が形成されていない A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に下記組 成の発熱体用ペース卜をスクリーン印刷によリ印刷し、 200 °Cで硬化させて発熱体 を形成した。 形成した発熱体は、 幅 1 O OAtmの細線を、 微細溝部が形成されている 領域に相当する領域 (35mmX 25mm) 全面を覆うように A I基板上に線間隔 1 00 mで引き回したような形状とした。
(発熱体用ペース卜の組成)
'カーボン粉末 … 20重量部
'微粉末シリカ … 25重量部
•キシレンフエノール樹脂 … 36重量部
•プチルカルビ卜ール … 1 9重量部
また、 下記組成の電極用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体の所定の 2ケ所に電極 (0. 5mmX 0. 5mm) を形成した。
(電極用ペース卜の組成)
'銀めつき銅粉末 … 90重量部
•フエノール樹脂 … 6. 5重量部
■プチルカルビ卜一ル … 3. 5重量部
次に、 発熱体上に形成された 2個の電極を露出するように、 下記組成の保護層用べ —ストを用いて、 スクリーン印刷により発熱体保護層 (厚み 20 tm) を発熱体上に 形成した。
(保護層用ペース卜の組成)
•樹脂分濃度 … 30重量部
•シリカフィラー … 1 0重量部
·ラクトン系溶剤 (ペン夕 1—4—ラクトン) … 60重量部
次いで、 A I基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (1 0分 間) し、 その後、 250°C、 6時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒を担 持させた。
(触媒水溶液の組成)
· A I 41. 2重量%
• C u … 2. 6重量%
■ Z n … 2. 8重量%
次に、 A I基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉にょリ硏磨して A I面を露出させ た。 次いで、 カバー部材として、 厚み 1 OOAtmの A I板を A I基板面に下記の条件 で拡散接合した。 この A I板には、 2ケ所の開口部 (原料導入口とガス排出口、 各開 口部の寸法は 0. 6mmX0. 6 mm) が設けられておリ、 各開口部が A I基板に形 成された微細溝部の流路の両端部に一致するように位置合わせをした。
(拡散接合条件)
·雰囲気 :真空中
•接合温度 : 300°C
•接合時間 : 8時間
これによリ、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 2)
[1段目の金属基板の作製]
基材として厚み 1 00 OAtmのステンレス基板 (SUS 304、 25 OmmX 25 Omm) を準備し、 このステンレス基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 OF PR) をディップ法により塗布 (膜厚 7 At m (乾燥時) ) した。 次に、 ステンレス基板の微細溝部を形成する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 500 mのス卜 ライプ状の遮光部がピッチ 20 O OAtmで左右から交互に突出 (突出長 30mm) し た形状のフ才卜マスクを配し、 また、 他方のレジス卜塗膜上に開口径 800 mの円 形開口を有するフォ卜マスクを配し、 これらのフォ卜マスクを介してレジス卜塗布膜 を露光し、 炭酸水素ナトリウム溶液を使用して現像した。 これにより、 ステンレス基 板の一方の面には、 幅 500 imのス卜ライ:^犬の開口咅がピッチ 2000 At mで配 列され、 隣接するストライプ状の開口部が、 その端部において交互に連続するような レジス卜パターンが形成された。 また、 ステンレス基板の他方の面には、 開口径 80 OAtmの円形開口を有するレジス卜パターンが形成された。 この円形開口は、 反対面 のストライプ状開口部の所定部位に対応する位置であった。
次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件でステンレス基板をェ ッテングした。 このエッチングは、 ステンレス基板の一方の面からハーフエッチング によリ微細溝部を形成し、 他方の面からのエッチングによリ貫通孔を形成するもので あり、 エッチングに要した時間は 25分間であった。
(エッチング条件)
■温度 : 80°C •エッチング液(塩化第二鉄溶液) 比重 : 45ポーメ (° B'e)
上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜パタ ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 ステンレス基板の一方の面に、 幅 Ί 000 m、 深さ 650 μιη、 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2000 Atmのピッ チで形成され、 隣接する微細溝の端部において交互に 続するような (図 9に示され るような) 微細溝部(流路長 300 mm) が形成された。 また、 この連続する微細溝 部の端部には、 図 9に示されるように、 形成された貫通孔の開口が位置するものであ つた。
次に、 微細溝部が形成されていないステンレス基板面に、 絶縁膜用塗布液としてポ リイミド前駆体溶液 (東レ (株) 製フォ卜ニース) をスクリーン印刷により上記の貫 通孔を塞がないように印刷し、 350°Cで硬化させて厚み 20 mの絶縁膜を形成し た。
次いで、 ステンレス基板の絶縁膜上に下記組成の発熱体用ペース卜をスクリーン印 刷により印刷し、 200°Cで硬化させて発熱体を形成した。 形成した発熱体は、 幅 1 O O tmの細線を、 微細溝部が形成されている領域に相当する領域 (35mmX25 mm) 全面を覆うように、 かつ、 貫通孔を塞がないように、 絶縁膜上に線間隔 1 00 mで引き回した形;!犬とした。
(発熱体用ペース卜の組成)
'カーボン粉末 … 20重量部
'微粉末シリカ … 25重量部
•キシレンフエノール樹脂 … 36重量部
•プチルカルビ卜一ル … 1 9重量き P
また、 下記組成の電極用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体の所定の 2ケ所に電極 (0. 5mmX0. 5mm) を形成した。
(電極用ペース卜の組成)
'銀めつき銅粉末 … 90重量咅
•フエノール樹脂 … 6. 5重量部
•プチルカルビトール … 3. 5重量部
次に、 発熱体上に形成された 2個の電極と、 貫通孔の開口を露出するように、 下記 組成の保護層用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体保護層 (厚み 2 0 μ m) を発熱体上に形成した。
(保護層用ペース卜の組成)
•樹脂分濃度 … 3 0重量咅
·シリカフィラー … 1 0重量部
'ラクトン系溶剤 (ペン夕 1一 4—ラクトン) … 6 0重量部
次いで、 ステンレス基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (1 0分間) し、 その後、 2 5 0 °C、 6時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒 を担持させた。
(触媒水溶液の組成)
• A I 4 1 . 2重量%
• C u … 2. 6重量%
• Z n … 2. 8重量%
次に、 ステンレス基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉により研磨してステンレス 基板面を露出させた。 これにより、 1段目の金属基板を準備した。
[ 2段目の金属基板の作製]
一方、 上記と同じステンレス基板を準備し、 このステンレス基板の両面に上記と同 様に感光性のレジス卜塗布膜を形成した。 次に、 ステンレス基板の微細溝部を形成す る側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 5 0 0 μ mのス卜ライプ状の遮光部がピッチ 2 0 0 0 μ ηιで左右から交互に突出 (突出長 3 O mm) した形状のフォトマスクを配し、 また、 他方のレジス卜塗膜上に開口径 8 0 0 t mの円形開口を有するフォ卜マスクを配し、 これらのフォ卜マスクを介してレジス卜塗布膜を露光し、 炭酸水素ナトリウム溶液を 使用して現像した。 これにより、 ステンレス基板の一方の面には、 幅 5 0 0 mのス 卜ライプ状の開口部がピッチ 2 0 0 0 i mで配列され、 隣接するス卜ライプ状の開口 部が、 その端部において交互に連続するようなレジス卜パターンが形成された。 また、 ステンレス基板の他方の面には、 開口径 8 0 0 t mの円形開口を有するレジス卜パタ ーンが形成された。 この円形開口は、 反対面のストライプ状開口部の所定部位に対応 する位置であった。
次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 上記と同様の条件でステンレス基 板をエッチングした。 このエッチングは、 ステンレス基板の一方の面からハーフェツ チングにより微細溝部を形成し、 他方の面からのエッチングによリ貫通孔を形成する ものであり、 エッチングに要した時間は 2 5分間であった。
上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナトリゥ厶溶液を用いてレジス卜パ夕 ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 ステンレス基板の一方の面に、 幅 1 O O O t m、 深さ 6 5 0 ii m、 長さ 3 0 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2 0 0 0 At mのピッ チで形成され、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような (図 1 0に示さ れるような) 微細溝部(流路長 3 0 0 mm) が形成された。 また、 この纖する微細 溝部の端部には、 図 1 0に示されるように、 形成された貫通孔の開口が位置するもの であった。
次いで、 ステンレス基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (Ί 0分間) し、 その後、 5 0 0 °C、 1時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒 を担持させた。
(触媒水溶液の組成)
- P t ·■· 0 . 4重量%
• F e ■■· 0 . 2重量%
'モルデナイト [Na8 (A I 8S i4。096) · 24H20] … 9 . 4重量%
次に、 ステンレス基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉により研磨してステンレス 基板面を露出させた。 これにより、 2段目の金属基板を準備した。
[接合工程]
上記の 1段目の金属基板の微細溝部形成面と、 2段目の微細溝部形成面の反対面と を下記の条件で拡散接合した。 この接合の際、 2段目の金属基板の貫通孔が、 1段目 の金属基板に形成された微細溝部の流路の端部(1段目の金属基板における貫通孔が 形成されている端部とは異なる端部) に一致するように位置合わせを行った。
(拡散接合条件)
•雰囲気 :真空中
•接合温度 : 1 0 0 0 °C
'接合時間 : 1 2時間
次いで、 カバー部材として、 厚み 0 . 3 mのステンレス板を 2段目の金属基板面 の微細溝部形成面に下記の条件で拡散接合した。 このステンレス板には、 1ケ所の開 口部(ガス排出口:開口部の寸法は 0. 6mmX0. 6mm) が設けられておリ、 こ の開口部が 2段目の金属基板に形成された微細溝部の流路の端部 ( 2段目の金属基板 における貫通孔が形成されている端部とは異なる端部) に一致するように位置合わせ をラつた。
(拡散接合条件)
-雰囲気 :真空中
•接合温度 : 1 00 o°c
'接合時間 : 1 2時間
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 3)
金属基板として厚み 1 00 O imの A I基板 (25 OmmX 25 Omm) を準備し、 この A I基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 OF PR) をディ ップ法により塗布 (膜厚 7 m (乾燥時) ) した。 次に、 A I基板の微細溝部を形成 する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 500 μ mのス卜ライプ状の遮光部がピッチ 200 0 mで左右から交互に突出 (突出長 30 mm) した形状のフォトマスクを配した。 尚、 このフォトマスクにおいて、 上記のストライプ状の遮光部が基部から突出する部 位は、 90° の角度をなすものではなく、 半径 1 75 Ομιηの R形状をなすものとし た。 次いで、 このフォトマスクを介してレジス卜塗布膜を露光し、 炭酸水素ナ卜リウ 厶溶液を使用して現像した。 これにより、 A I基板の一方の面には、 幅 500 mの ス卜ライプ状の開口部がピッチ 2000 mで配列され、 隣接するス卜ライプ状の開 口部が、 その端部において交互に連続するようなレジス卜パターンが形成された。 次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件で A I基板をエツチン グ (3分間) した。
(エッチング条件)
,温度 : 20°C
'エッチング液 (HC I ) 濃度: 200 g/L
(35%HC Iを純水中に 200 g溶解して 1 しとする) 上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜パ夕 ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 A I基板の一方の面に、 幅 1 000 m、 深 さ 650 tm、 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2000 ^mのピッチで形 成され、 隣接する微細溝の端部において交互に纖するような形状 (図 14に示され るような 1 80度折り返しながら蛇行して連続する形状) の微細溝部 (流路長 300 mm) が形成された。 この微細溝部の折り返し部位は、 角部のない丸みを有するもの であり、 流体の流れ方向に沿って内壁面に角部が存在しないものであった。 また、 微 細溝部の流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状は略半円形状であつた。 次いで、 金属カバ一部材として厚み 1 00 tmの A I板を準備し、 この A I板を、 上記のように微細溝部を形成した A I基板に、 微細溝部を覆うように下記の条件で拡 散接合して接合体を作製した。 この A I板には、 2ケ所の開口部(原料導入口とガス 排出口、 各開口部の寸法は 0. 6mmX0. 6mm) が設けられており、 各開口部が A I基板に形成された微細溝部の流路の両端部に一致するように位置合わせをした。 これによリ、 原料導入口とガス排出口とを結ぶ流路が接合体内に形成された。
(拡散接合条件)
·雰囲気 :真空中
'接合温度 : 300°C
■接合時間 : 8時間
次に、 上記の接合体を外部電極の陽極に接続し、 陽極酸化溶液 (4%シユウ酸溶 液) に浸潰して陰極と対向させ、 下記の条件で通電することにより、 流路内部を含む 接合体表面に酸ィ匕アルミニウム薄膜を形成して絶縁膜とした。 尚、 形成した酸ィ匕アル ミニゥ厶薄膜の厚みをエリプソメーターで測定した結果、 約 30 mであった。
(陽極酸化の条件)
-浴温 : 25 °C
,電圧 : 25 V (DC)
■電流密度 : 1 00 A/m2
次いで、 接合体の流路内に下記組成の触媒懸濁液を充填して放置 (1 5分間) し、 その後、 触媒懸濁液を抜き、 1 20°C、 3時間の乾燥還元処理を施して、 流路内全面 に触媒を担持させた。
(触媒懸濁液の組成) ■ A I 41. 2重量%
• C u ■■· 2. 6重量%
• Z n ·■■ 2. 8重量%
次いで、 微細溝部が形成されていない A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に下記組 成の発熱体用ペース卜をスクリーン印刷により印刷し、 200°Cで硬化させて発熱体 を形成した。 形成した発熱体は、 幅 1 00 imの細線を、 微細溝部が形成されている 領域に相当する領域 (35mmX 25mm) 全面を覆うように A I基板上に線間隔 1 00 mで引き回したような形状とした。
(発熱体用ペース卜の組成)
'カーボン粉末 … 20重量部
-微粉末シリカ … 25重量音
'キシレンフエノール樹脂 … 36重量部
•ブチルカルビ! ^一ル … 1 9重量部
また、 下記組成の電極用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体の所定の 2ケ所に電極 (0. 5mmX 0. 5mm) を形成した。
(電極用ペース卜の組成)
■銀めっき銅粉末 … 90重量部
•フエノール樹脂 … 6. 5重量部
•プチルカルビトール … 3. 5重量部
次に、 発熱体上に形成された 2個の電極を露出するように、 下記組成の保護層用べ 一ストを用いて、 スクリーン印刷により発熱体保護層 (厚み 20μηι) を発熱体上に 形成した。
(保護層用ペース卜の組成)
• ^ί脂分濃度 … 30重量部
'シリカフィラー … 1 0重量部
'ラク卜ン系溶剤 (ペン夕 1一 4ーラク卜ン) … 60重量部
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 4)
金属基板として厚み 1 000 mの A I基板 (25 OmmX 25 Omm) を準備し、 6 この A I基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 O F P R ) をディ ップ法により塗布 (膜厚 7 t m (乾燥時) ) した。 次に、 A I基板の微細溝部を形成 する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 5 0 0 t mのス卜ライプ状の遮光部がピッチ 2 0 0 0 Ai mで左右から交互に突出 (突出長 3 0 mm) した形状のフォトマスクを配した。 尚、 このフォトマスクにおいて、 上記のストライプ状の遮光部が基部から突出する部 位は、 9 0 ° の角度をなすものではなく、 半径 1 7 5 0 t mの R形状をなすものとし た。 上記と同様の A I基板を準備し、 同様に感光性レジス卜材料を塗布し、 A I基板 の微細溝部を形成する側のレジス卜塗膜上に、 フォトマスクを配した。 このフォトマ スクは、 A I基板面に対して、 上記のフォトマスクと面対称となるものとした。
次いで、 上記の 1組の金属基板について、 それぞれフォ卜マスクを介してレジス卜 塗布膜を露光し、 炭酸水素ナトリウム溶液を使用して現像した。 これにより、 各 A I 基板の一方の面には、 幅 5 0 0 mのス卜ライプ状の閛ロ部がピッチ 2 0 0 0 mで 配列され、 隣接するストライプ状の開口部が、 その端部において交互に連続するよう なレジス卜パターンが形成された。
次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件で A I基板をエツチン グ (3分間) した。
(エッチング条件)
•;皿/ス 0し
•エッチング液 ( H C I ) 濃度: 2 0 0 g / L
( 3 5 % H C Iを純水中に 2 0 0 g溶解して 1 しとする) 上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜パ夕 —ンを除去し、 水洗した。 これにより、 1組の A I基板は、 その一方の面に、 幅 1 0 0 0 At m、 深さ 6 5 0 At m、 長さ 3 0 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2 0 0 0 のピッチで形成され、 隣接する微細溝の端部において交互に 続するような形状 (図 1 8に示されるような 1 8 0度折り返しながら蛇行して連続する形状) の微細溝部 (流路長 3 0 0 mm) が形成された。 この微細溝部の折り返し部位は、 角部のない丸 みを有するものであり、 流体の流れ方向に沿って内壁面に角部が存在しないものであ つた。 また、 微細溝部の流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状は略半円 形状であった。 次いで、 上記の 1組の A I基板を、 互いの微細溝部が対向するように下記の条件で 拡散接合して接合体を作製した。 この接合では、 1組の A I基板の微細溝部どうしが 完全に対向するように位置合わせをした。 これにより、 接合体の一端面に原料導入口 とガス排出口とが存在する流路が接合体内に形成された。
(拡散接合条件)
•雰囲気 :真空中
•接合温度 : 300°C
•接合時間 : 8時間
次に、 上記の接合体を外部電極の陽極に接続し、 陽極酸化溶液 (4%シユウ酸溶 液) に浸潰して陰極と対向させ、 下記の条件で通電することにより、 流路内部を含む 接合体表面に酸化アルミニウム薄膜を形成して絶縁膜とした。 尚、 形成した酸ィ匕アル ミニゥ厶薄膜の厚みをエリプソメーターで測定した結果、 約 30 mであった。
(陽極酸化の条件)
•浴温 : 25°C
·電圧 : 25 V (DC)
•電流密度 : 1 00 A/m2
次いで、 接合体の流路内に下記組成の触媒懸濁液を充填して放置 (1 5分間) し、 その後、 触媒懸濁液を抜き、 1 20°C、 3時間の乾燥還元処理を施して、 流路内全面 に触媒を担持させた。
(触媒懸濁液の組成)
• A 1 41. 2重量%
• C u … 2. 6重量%
- Z n … 2. 8重量%
次いで、 一方の A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に、 実施例 3と同様にして、 発 熱体、 電極、 発熱体保護層を形成した。
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 5)
金属基板として厚み 1 000 mの S U S 304基板 (25 OmmX 25 Omm) を準備し、 この S U S 304基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 OF P R) をディップ法により塗布 (膜厚 7 m (乾燥時) ) した。 次に、 SUS 304基板の微細溝部を形成する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 500 mのス卜ライ プ状の遮光咅がピッチ 2000 mで左右から交互に突出 (突出長 30 mm) した形 状のフォトマスクを配した。 尚、 このフォトマスクにおいて、 上記のストライプ状の 遮光部が基部から突出する部位は、 90° の角度をなすものではなく、 半径 1 750 At mの R形状をなすものとした。 上記と同様の SUS 304基板を準備し、 同様に感 光性レジス卜材料を塗布し、 S U S 304基板の微細溝部を形成する側のレジス卜塗 膜上に、 フォトマスクを配した。 このフォトマスクは、 SUS 304基板面に対して、 上記のフ才卜マスクと面対称となるものとした。
次いで、 上記の 1組の金属基板 (SUS 304基板) について、 それぞれフォ卜マ スクを介してレジス卜塗布膜を露光し、 炭酸水素ナ卜リゥ厶溶液を使用して現像した。 これにより、 各 S U S 304基板の一方の面には、 幅 500 fimのス卜ライプ状の開 口部がピッチ 2000 mで配列され、 隣接するス卜ライプ状の開口部が、 その端部 において交互に連続するようなレジストパターンが形成された。
次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件で S US 304基板を エッチング (3分間) した。
(エッチング条件) '
•温度 : 80°C
•エッチング液 (塩化第二鉄溶液) 比重濃度: 45ボーメ (° B'e) 上記のエッチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜パ夕 ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 1組の S U S 304基板は、 その一方の面に、 幅 1 000 Atm、 深さ 650 nm, 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 200 0 Atmのピッチで形成され、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような形 状 (図 1 8に示されるような 1 80度折り返しながら蛇行して 続する形状) の微細 溝部 (流路長 300mm) が形成された。 この微細溝部の折り返し部位は、 角部のな 0、丸みを有するものであり、 流体の流れ方向に沿つて内壁面に角部が存在しないもの であった。 また、 微細溝部の流体の流れ方向に垂直な断面における内壁面の形状は略 半円形状であった。
次いで、 この S U S 304基板ともう一方の S U S 304基板とからなる 1組の S U S 304基板を、 互いの微細溝部が対向するように下記の条件で拡散接合して接合 体を作製した。 この接合では、 1組の S U S 304基板の微細溝部どうしが完全に対 向するように位置合わせをした。 これにより、 接合体の一端面に原料導入口とガス排 出口とが存在する流路が接合体内に形成された。
(拡散接合条件)
•雰囲気 :真空中
•接合温度 : 1 000°C
■接合時間 : Ί 2時間
次に、 上記の接合体を構成する一方の S U S 3 04基板の微細溝部が形成されてい ない面に、 絶縁膜用塗布液としてポリイミド前駆体溶液 (東レ (株) 製フォトニー ス) をスクリーン印刷により印刷し、 3 50°Cで硬化させて厚み 2 Ο ΠΊの絶縁膜を 形成した。
次いで、 上記の接合体の流路内壁面に、 下記の条件でベーマイ卜処理を施して、 酸 化アルミニウム薄膜を形成した。 尚、 形成した酸化アルミニウム薄膜の厚みをエリプ ソメーターで測定した結果、 約 5 mであった。
(ベーマイ卜処理の条件)
アルミナゾル 52 0 (日産化学 (株) 製) を使用し、 粘度が 1 5〜20
mPa■ sであるアルミナゾル懸濁液を調製し、 このアルミナゾル懸濁
液を接合体の流路内に流し込み、 1 20°C、 3時間の乾燥を施し、 流路
内部にベ一マイト膜を固定した。
次いで、 接合体の流路内全面に、 実施例 4と同様にして触媒を担持させた。 その後、 一方の S U S 304基板に形成した絶縁膜上に、 実施例 3と同様にして、 発熱体、 電 極、 発熱体保護層を形成した。
これによリ、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 6 )
[接合体の作製]
金属基板として厚み 1 00 OAtmの A I基板 (2 5 OmmX 2 5 Omm) を準備し、 この A I基板の両面に感光性レジス卜材料 (東京応化工業 (株) 製 O F P R) をディ ップ法により塗布 (膜厚 7^m (乾燥時) ) した。 次に、 A I基板の微細溝部を形成 する側のレジス卜塗膜上に、 幅 1 500 mのス卜ライプ状の遮光部がピッチ 200 0 μ mで左右から交互に延びている (長さ 3 Omm) 形状のフォ卜マスクを配した。 次いで、 このフォトマスクを介してレジスト塗布膜を露光し、 炭酸水素ナトリウム溶 液を使用して現像した。 これにより、 A I基板の一方の面には、 幅 500 Atmのス卜 ライプ状の開口部がピッチ 2000 tmで配列され、 隣接するス卜ライプ状の開口部 が、 その端部において交互に連続した蛇行したパターンで、 かつ、 両端部が同一方向 を向き、 他のス卜ライプ状の開口部よりも 5 mm長いようなレジス卜パターンが形成 された。
次に、 上記のレジス卜パターンをマスクとして、 下記の条件で A I基板をエツチン グ (3分間) した。
(エッチング条件)
,温度 : 20°C
•エッチング液(HC I ) 濃度: 200 g/L
(35%HC Iを純水中に 200 g溶解して 1 しとする) 上記のェツチング処理が終了した後、 水酸化ナ卜リゥ厶溶液を用いてレジス卜バタ ーンを除去し、 水洗した。 これにより、 A I基板の一方の面に、 幅 1 000 tm、 深 さ 650 m、 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2000 mのピッチで形 成され、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような形状 (図 23に示され るような 1 80度折り返しながら蛇行して連続する形状) の微細溝部 (流路長 300 mm) が形成された。
次いで、 金属カバー部材として厚み 1 O OAtmの A I板を準備し、 この A I板を、 上記のように微細溝部を形成した A I基板に、 微細溝部を覆うように下記の条件で拡 散接合した。
(拡散接合条件)
■雰囲気 :真空中
'接合温度 : 300°C
'接合時間 : 8時間
これにより、 図 22に示されるような外形形状をもつ接合体を形成した。 この接合 体の寸法は、 25mmX35mm、 厚み 1. 4mmであり、 同一方向に 2つの突出部 (長さ 5 mm、 幅 5 mm) を 1 5 mmの距離を隔てて有し、 この突出部の先端には流 路の導入口と排出口とが位置するものであった。
このような接合体を 3個作製し、 各接合体を外部電極の陽極に接続し、 陽極酸化溶 液 (4 %シユウ酸溶液) に浸潰して陰極と対向させ、 下記の条件で通電することによ リ、 流路内部を含む接合体表面に酸化アルミニウム薄膜 (絶縁膜) を形成した単位流 路部材とした。 尚、 形成した酸ィ匕アルミニウム薄膜の厚みをエリプソメーターで測定 した結果、 約 3 0 At mであった。
(陽極酸化の条件)
•浴温 : 2 5 °C
'電圧 : 2 5 V (D C)
•電流密度 : 1 0 0 AZm2
Π段目用の単位流路部材]
1個の単位流路部材の酸ィ匕アルミニウム薄膜上に下記組成の発熱体用ペース卜をス クリーン印刷により印刷し、 2 0 0 °Cで硬化させて発熱体を形成した。 形成した発熱 体は、 幅 1 0 0 At mの細線を、 微細溝部が形成されている領域に相当する領域 ( 3 5 mm X 2 5 mm) 全面を覆うように A I基板上に線間隔 1 0 0 mで引き回したよう な形状とした。
(発熱体用ペース卜の組成)
•カーボン粉末 … 2 0重量部
'微粉末シリカ … 2 5重量部
•キシレンフエノール樹脂 … 3 6重量部
■ブチルカルビ! ^一ル … 1 9重量部
また、 下記組成の電極用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体の所定の 2ケ所に、 接合体の側面に達するように電極を形成した。
(電極用ペース卜の組成)
•銀めっき銅粉末 … 9 0重量部
-フエノール樹脂 … 6. 5重量部
■プチルカルビ卜ール … 3. 5重量部
次に、 発熱体上に形成された 2個の電極の端部を露出するように、 下記組成の保護 層用ペース卜を用いて、 スクリーン印刷により発熱体保護層 (厚み 20 m) を発熱 体上に形成した。
(保護層用ペース卜の組成)
'樹脂分濃度 … 30重量部
·シリカフィラー … 1 0重量部
•ラクトン系溶剤 (ペンタ 1一 4ーラクトン) … 60重量部
これによリ、 1段目の単位流路部材とした。
[2段目用の単位流路部材 (単位マイクロリアクタ一) ]
別の単位流路部材の流路内に下記組成の触媒懸濁液を充填して放置 (1 5分間) し、 その後、 触媒懸濁液を抜き、 1 20°C、 3時間の乾燥還元処理を施して、 流路内全面 に触媒 C 1を担持させた。
觀懸濁液の組成)
• A I 41. 2重量%
• C u ■■· 2. 6重量%
· Z n … 2. 8重量%
次いで、 A I基板の酸ィヒアルミニゥ厶薄膜上に、 上記の 1段目の単位流路部材と同 様に、 発熱体、 電極、 発熱体保護層を形成して、 2段目の単位流路部材 (単位マイク 口リアクター) を作製した。
[3段目用の単位流路部材 (単位マイクロリアクター) ]
別の単位流路部材の流路内に下記組成の触媒懸濁液を充填して放置 (1 5分間) し、 その後、 触媒懸濁液を抜き、 1 20°C、 3時間の乾燥還元処理を施して、 流路内全面 に触媒 C を担持させた。
(触媒懸濁液の組成)
• P t … 0.
· F e ■·■ 0,
■モルデナィ卜 (Na8(AI8Si4。Oss) · 24H20) … 9.
次いで、 A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に、 上記の 1段目の単位流路部材と同 様に、 発熱体、 電極、 発熱体保護層を形成して、 3段目の単位流路部材 (単位マイク 口リアクター) を作製した。 [連結部材の作製]
平坦面 (3 OmmX 2 Omm) を有するステンレス板材を 6個準備し、 各ステンレ ス基板の一方の平坦面に連結部、 内部連通路、 内部流路等を構成するための所定の溝 部や貫通孔を機械加工により形成した。 これら 6個のステンレス基板を所定の積層順 序で拡散接合して一体化することにより、 3 OmmX 2 OmmX 1 2mmの連結部材 を作製した。 この連結部材は、 3 OmmX 1 2 mmの面に 6個の連結部(幅 5. 1 m m、 高さ 1. 41 mm、 深さ 5 mm) を有し、 その反対面に原料導入口とガス排出口 とを有し、 内部に内部連通路と内部流路を備えた、 図 24、 図 25に示されるような 構造 (構造体の外形は長方体であり図 24、 図 25とは異なる) であった。 この連結 部材では、 1列に配列された各 3個の連結部のピッチ (単位流路部材の多段ピッチに 相当) は 2 mmであり、 各配列の距離 (単位流路部材の導入口と排出口の距離に相 当) は 2 Ommであった。 尚、 各連結部にはシリコンラバ一製のパッキンを装着した。
[固定部材の作製]
ステンレス材を用いて、 間口が 25mmX 1. 41 mmである収納空間を、 2mm ピッチで 3段備えた固定部材を作製した。
[マイクロリアクターの作製]
上述のように作製した連結部材に、 Ί段目用から 3段目用の順となるように各単位 流路部材 (2段目、 3段目は単位マイクロリアクター) の突出部を挿入して連結し、 また、 固定部材によリ各単位流路部材の連結端部と反対側の端部を固定した。
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 7)
実施例 1と同様にして、 A I基板に微細溝部を形成した。
次に、 この A I基板に、 実施例 1と同様にして、 陽極酸化によリ酸ィ匕アルミニウム 薄膜を形成した。
次いで、 A I基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (2時間) し、 その後、 350°C、 1時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒を担持さ せた。
(触媒水溶液の組成)
• A I 41. 2重量% • Cu ■■■ 2. 6重量%
' Z n 2. 8重量%
次に、 A I基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉により研磨して A I面を露出させ た。 次いで、 カバー部材として、 厚み 1 O O tmの A I板を A I基板面に下記の条件 でロウ付けにより接合した。 この A I板には、 2ケ所の開口部 (原料導入口とガス排 出口、 各開口部の寸法は 0. 6mmX0. 6mm) が設けられており、 各開口部が A I基板に形成された微細溝部の流路の両端部に一致するように位置合わせをした。
(ロウ付け接合条件)
ロウ材料 アルミ 4004 (古河スカイ (株) 製)
雰囲気 真空中
ロウ付け温度 600°C
ロウ付け時間 3分間
次いで、 接合した A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に、 実施例 1 と同 様にして、 発熱体、 電極、 発熱体保護層を形成した。
これによリ、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 8)
[1段目の金属基板の作製]
実施例 2の [1段目の金属基板の作製] と同様にして、 ステンレス基板の一方の面 に、 幅 1 000 ^m、 深さ 650 t m、 長さ 30 mmのス卜ライプ形状の微細溝を 2 000 mのピッチで形成し、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような
(図 9に示されるような) 微細溝部 (流路長 300 mm) を形成した。 この連続する 微細溝部の端部には、 図 9に示されるように、 形成された貫通孔の開口が位置するも のであった。
次いで、 ステンレス基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (2 時間) し、 その後、 350°C、 1時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒を 担持させた。
(触媒水溶液の組成)
• A I 41. 2重量%
■ C u … 2. 6重量% • Z n ■■■ 2. 8重量%
次に、 ステンレス基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉によリ研磨してステンレス 基板面を露出させた。 これにより、 1段目の金属基板を準備した。
[ 2段目の金属基板の作製]
実施例 2の [ 2段目の金属基板の作製] と同様にして、 ステンレス基板の一方の面 に、 幅 1 0 0 0 μ m、 深さ 6 5 0 ;ti m、 長さ 3 0 mmのス卜ライプ形状の微細溝を 2 0 0 0 mのピッチで形成し、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような (図 1 0に示されるような) 微細溝部 (流路長 3 0 0 mm) を形成した。 この連続す る微細溝部の端部には、 図 1 0に示されるように、 形成された貫通孔の開口が位置す るものであった。
次いで、 ステンレス基板の微細溝部形成面側を下記組成の触媒水溶液内に浸漬 (1 0分間) し、 その後、 5 0 0 °C、 1時間の乾燥還元処理を施して、 微細溝部内に触媒 を担持させた。
(触媒水溶液の組成)
- P t ■·■ 0. 4重量%
• F e … 0. 2重量%
'モルデナイト [Na8(AI8Si4。096) · 24Η20] … 9 . 4重量%
次に、 ステンレス基板の微細溝部形成面側をアルミナ粉によリ研磨してステンレス 基板面を露出させた。 これにより、 2段目の金属基板を準備した。
[接合工程]
上記の 1段目の金属基板の微細溝部形成面と、 2段目の微細溝部形成面の反対面と を、 実施例 2と同じ条件で拡散接合した。
次いで、 カバ一部材として、 厚み 0. 3 mのステンレス板を 2段目の金属基板面 の微細溝部形成面に、 実施例 2と同じ条件で拡散接合した。 このステンレス板には、 1ケ所の開口部 (ガス排出口:開口部の寸法は 0. 6 mm X 0. 6 mm) が設けられ ており、 この開口部が 2段目の金属基板に形成された微細溝部の流路の端部(2段目 の金属基板における貫通孔が形成されている端部とは異なる端部) に一致するように 位置合わせを行った。
次に、 1段目の金属基板面に、 実施例 2と同様にして、 絶縁膜、 発熱体、 電極、 発 熱体保護層を形成した。
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 9 )
まず、 実施例 3と同様にして、 A I基板の一方の面に、 幅 1 0 0 0 m、 深さ 6 5 0 t m、 長さ 3 0 mmのス卜ライプ形状の微細溝を 2 0 0 0 At mのピッチで形成し、 隣接する微細溝の端部において交互に連続するような形状 (図 1 4に示されるような 1 8 0度折り返しながら蛇行して連続する形状) の微細溝部 (流路長 3 0 0 mm) を 形成した。
次に、 上記の A I基板を外部電極の陽極に接続し、 実施例 3と同じ条件で微細溝部 を含む A I基板表面に酸ィ匕アルミニウム薄膜を形成して絶縁膜とした。 次いで、 A I 基板の接合面側 (微細溝部形成面側) を、 アルミナ粉で研磨して酸ィ匕アルミニウム薄 膜を除去し、 A I基板を露出させた。
次いで、 金属カバ一部材として厚み 1 O O t mの A I板を準備し、 この A I板を、 上記のように微細溝部に酸ィ匕アルミニウム薄膜を形成した A I基板に、 微細溝部を覆 うようにロウ付けにより接合して接合体を作製した。 この A I板には、 2ケ所の開口 部 (原料導入口とガス排出口、 各開口部の寸法は 0. 6 mm X 0. 6 mm) が設けら れており、 各開口部が A I基板に形成された微細溝部の流路の両端部に一致するよう に位置合わせをした。 これにより、 原料導入口とガス排出口とを結ぶ流路が接合体内 に形成された。 尚、 ロウ付けの条件は、 実施例 7と同じ条件とした。
次いで、 接合体の流路内に、 実施例 3と同じ組成の触媒懸濁液を充填し、 実施例 3 と同じ条件で、 流路内全面に触媒を担持させた。
次いで、 微細溝部が形成されていない A I基板の酸化アルミニウム薄膜上に、 実施 例 3と同様にして、発熱体、 電極、 発熱体保護層を形成した。
これによリ、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 1 0 )
まず、 実施例 4と同様にして、 面対称である微細溝部を備えた 1組の A I基板を作 製した。
次に、 上記の各 A I基板を外部電極の陽極に接続し、 実施例 4と同じ条件で微細溝 部を含む A I基板表面に酸ィ匕アルミニウム薄膜を形成して絶縁膜とした。 次いで、 各 A I基板の接合面に存在する酸化アルミニウム薄膜を、 アルミナ粉を用いて研磨して 除去し、 A I基板を露出させた。
次いで、 上記の 1組の A I基板を、 互いの微細溝部が対向するようにロウ付けによ リ接合して接合体を作製した。 この接合では、 1組の A I基板の微細溝部どうしが完 全に対向するように位置合わせをした。 これにより、 接合体の一端面に原料導入口と ガス排出口とが存在する流路が接合体内に形成された。 尚、 ロウ付けの条件は、 実施 例 7と同じ条件とした。
次いで、 接合体の流路内に、 実施例 4と同じ組成の触媒懸濁液を充填し、 実施例 4 と同じ条件で、 流路内全面に触媒を担持させた。
次いで、 一方の A I基板の酸ィ匕アルミニウム薄膜上に、 実施例 3と同様にして、 発 熱体、 電極、 発熱体保護層を形成した。
これによリ、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 1 1 )
まず、 実施例 5と同様にして、 面対称である微細溝部を備えた 1組の S U S 3 0 4 基板を作製した。
次いで、 上記の各 S U S 3 0 4基板の微細溝部を形成した面に、 実施例 5と同じ条 件でベーマイ卜処理を施して、 酸ィヒアルミニゥ厶薄膜を形成した。 次いで、 各 S U S 3 0 4基板の接合面に存在する酸化アルミニウム薄膜を、 アルミナ粉を用いて研磨し て除去し、 S U S 3 0 4基板を露出させた。
次いで、 この 1組の S U S 3 0 4基板を、 互 t、の微細溝部が対向するように、 実施 例 5と同様の条件で拡散接合して接合体を作製した。 この接合では、 1組の S U S 3 0 4基板の微細溝部どうしが完全に対向するように位置合わせをした。 これにより、 接合体の一端面に原料導入口とガス排出口とが存在する流路が接合体内に形成された。 次いで、 接合体の流路内全面に、 実施例 4と同様にして触媒を担持させた。 その後、 一方の S U S 3 0 4基板上に、 実施例 5と同様にして絶縁膜を形成し、 この絶縁膜上 に、 実施例 3と同様にして、 発熱体、 電極、 発熱体保護層を形成した。
これにより、 本発明のマイクロリアクターを得ることができた。
(実施例 1 2 )
[接合体の作製] まず、 実施例 6の [接合体の作製] と同様にして、 幅 Ί O O O t m、 深さ 6 5 0 μ m、 長さ 3 0 mmのス卜ライプ形状の微細溝が 2 0 0 0 のピッチで形成された A I基板を作製した。
次に、 この A I基板を外部電極の陽極に接続し、 実施例 6と同じ条件で陽極酸ィ匕を 施して、 微細溝部を含む A I基板表面に酸化アルミニウム薄膜 (絶縁膜) を形成した。 次いで、 微細溝部が形成されている面をアルミナ粉で研磨して酸ィ匕アルミニウム薄膜 を除去し、 A I基板面 (接合面) を露出させた。
次いで、 金属カバー部材として厚み 1 0 0 At mの A I板を準備し、 この A I板を、 上記のように微細溝部を形成した A I基板に、 微細溝部を覆うように、 実施例 6と同 じ条件でロウ付けにより接合した。 これにより、 図 2 2に示されるような外形形状を もつ接合体を 3個作製し、 単位流路部材とした。 この接合体の寸法は、 2 5 mm X 3 5 mm、 厚み 1 . 4 mmであり、 同一方向に 2つの突出部 (長さ 5 mm、 幅 5 mm) を 1 5 mmの距離を隔てて有し、 この突出部の先端には流路の導入口と排出口とが位 置するものであった。
上記の 3個の単位流路部材を用いて、 実施例 6と同様に、. 1段面用の単位流路部材、 2段面用の単位流路部材、 3段面用の単位流路部材を作製し、 本発明のマイクロリア クタ一を作製した。 産業上の利用可能性
本発明は、 メタノールの改質、 一酸化炭素の酸化等の反応からなる水素製造の用途 に利用することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおいて、 一方の面に微細溝部を備えた金属基板と、 該金属基板の他の面に絶縁膜を介して設 けられた発熱体と、 前記微細溝部内に担持された触媒と、 前記微細溝部を覆うように 前記金属基板に接合され原料導入口とガス排出口を有するカバー部材と、 を備えるこ とを特徴とする。
2. 請求項 1に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板は A I基板、 C u基板、 ステンレス基板のいずれかである。
3. 請求項 1に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記絶縁膜は前記金属基 板を陽極酸化して形成した金属酸化膜である。
4. 請求項 3に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記微細溝部内にも前記 金属酸化膜を有している。
5. 請求項 4に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板は A I基板 である。
6. 請求項 1に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記発熱体の電極のみが 露出するように前記発熱体を覆った発熱体保護層を備える。
7. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法にお いて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、
前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 前記微細溝部が形成されて 、ない前記金属基板面の前記金属酸化膜上に発熱体を設 ける工程と、 前記微細溝部内に触媒を担持する工程と、
原料導入口とガス排出口が形成されたカバ一部材を、 前記微細溝部を覆うように前 記金属基板に接合する工程と、 を有することを特徴とする。
8. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法にお いて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、
前記微細溝部が形成されていない前記金属基板面上に絶縁膜を設ける工程と、 前記絶縁膜上に発熱体を設ける工程と、
前記微細溝部内に触媒を担持する工程と、
原料導入口とガス排出口が形成されたカバ一部材を、 前記微細溝部を覆うように前 記金属基板に接合する工程と、 を有することを特徴とする。
9 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおいて、 触媒を担持した微細溝部を一方の面に備えた複数の金属基板を、 前記微細溝部形成 面が同一方向となるように多段に積み重ね、 各段の金属基板の前記微細溝部を連絡す るための貫通孔を各金属基板に備え、 少なくとも 1個の金属基板は前記微細溝部が形 成されていな tゝ面に絶縁膜を介して設けられた発熱体を備え、 多段の最外部に位置し 前記微細溝部が露出している前記金属基板に、 ガス排出口を有するカバー部材を接合 して備えることを特徴とする。
1 0. 請求項 9に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板は A I基 板、 C u基板、 ステンレス基板のいずれかである。
1 1 . 請求項 9に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記絶縁膜は前記金属 基板を陽極酸ィ匕して形成した金属酸化膜である。
1 2. 請求項 1 1に記載のマイクロリアクタ一において、 前記微細溝部内にも 前記金属酸化膜を有している。
1 3 . 請求項 1 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板は A I 基板である。
1 4 . 請求項 9に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記発熱体は多段の最 外部に位置する金属基板に設けられておリ、 前記発熱体の電極および該金属基板の貫 通孔の開口を露出するように前記発熱体を覆った発熱体保護層を備える。
1 5 . 請求項 9に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板が 2個か らなる 2段積み重ね構造であり、 1段目では原料の混合と、 混合された原料の気化と、 混合気体の改質が行われ、 2段目では改質された気体からの不純物の除去が行われる。
1 6 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口をもつ貫通孔 を形成する工程と、
前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 少なくとも 1個の前記金属基板の前記微細溝部が形成されていない面の前記金属酸 化膜上に発熱体を設ける工程と、
複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、
前記複数の金属基板を多段に積み重ねる際に接合される部位の前記金属酸化膜を除 去する工程と、
前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して連絡されるよ うに多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバ一部材を、 多段の 最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 を有す ることを特徴とする。
1 7 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、 複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口をもつ貫通孔 を形成する工程と、
前記微細溝部が形成されていない前記金属基板面上に絶縁膜を設ける工程と、 少なくとも 1個の前記金属基板の前記絶縁膜上に発熱体を設ける工程と、 複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、
前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して連絡されるよ うに多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバ一部材を、 多段の 最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 を有す ることを特徴とする。
1 8. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおいて、 微細溝部を一方の面に備えた金属基板に、 原料導入口とガス排出口とを有する金属 カバ一部材が前記微細溝部を覆うように接合されてなる接合体と、 該接合体の内部に 位置する前記微細溝部と前記金属カバー部材とで構成された流路と、 該流路の内壁面 の全面に担持された触媒と、 を備えることを特徴とする。
1 9. 請求項 1 8に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記流路は流体の流 れ方向に沿って内壁面に角部が存在しないものとする。
2 0. 請求項 1 8に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記流路は内壁面に 金属酸化膜を介して触媒を担持している。
2 1 . 請求項 2 0に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属酸化膜は前 記金属基板および前記金属カバー部材の陽極酸化によリ形成されたものである。
2 2. 請求項 2 0に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属酸化膜はべ 一マイ卜処理により形成されたものである。
2 3 . 請求項 1 8に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属基板は、 前 i己微細溝部形成面の反対側の面に絶縁膜を介して発熱体を備える
2 4 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおいて、 微細溝部を一方の面に備え、 かつ、 該微細溝部のパターンが相互に面対称関係にあ る 且の金属基板を、 前記微細溝部が対向するように接合してなる接合体と、 該接合 体の内部で対向している前記微細溝部で構成された流路と、 該流路の内壁面の全面に 担持された触媒と、 前記流路の一方の端部に位置する原料導入口と、 前記流路の他方 の端部に位置するガス排出口と、 を備えることを特徴とする。
2 5 . 請求項 2 4に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記流路は流体の流 れ方向に沿って内壁面に角部が存在せず、 流路の流れ方向に垂直な断面における内壁 面形状はほぼ円形状あるいは楕円形状である。
2 6 . 請求項 2 4に記載のマイクロリアクタ一において、 前記流路は内壁面に 金属酸化膜を介して触媒を担持している。
2 7 . 請求項 2 6に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属酸化膜は前 記金属基板の陽極酸化によリ形成されたものである。
2 8 . 請求項 2 6に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記金属酸化膜はべ 一マイ卜処理により形成されたものである。
2 9 . 請求項 2 4に記載のマイクロリアクターにおいて、 少なくとも一方の前 記金属基板は、 前記微細溝部形成面の反対側の面に絶縁膜を介して発熱体を備える。
3 0 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する溝部形成工程と、
原料導入口とガス排出口とを有する金属カバー部材を、 前記微細溝部を覆うように 前記金属基板に接合して、 流路を備えた接合体を形成する接合工程と、
前記流路の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程と、
前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持する触媒担持工程と、 を有 することを特徴とする。
3 1 . 請求項 3 0に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記表面 処理工程では前記金属基板および前記金属カバー部材の陽極酸ィ匕により前記金属酸化 膜を形成する。
3 2. 請求項 3 0に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記表面 処理工程ではべ一マイ卜処理によリ前記金属酸化膜を形成する。
3 3 . 請求項 3 0に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記溝部 形成工程では、 断面が U字形状あるいは半円形状となり、 かつ、 流れ方向に沿った壁 面に角部が存在しないように微細溝部を金属基板に形成する。
3 4. 請求項 3 0に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記触媒 担持工程では、 前記接合体の流路内に触媒懸濁液を充填した後、 該触媒懸濁液を抜い て流路内を乾燥する。
3 5. 請求項 3 4に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記触媒 担持工程の乾燥時に、 振動あるいは回転を前記接合体に与える。
3 6 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
1組の金属基板の一方の面に、 面対称となるパターンで微細溝部を形成する溝部形 成工程と、
前記 1組の金属基板を前記微細溝部が対向するように接合して、 流路を備えた接合 体を形成する接合工程と、 前記流路の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程と、
前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持する触媒担持工程と、 を有 することを特徴とする。
3 7 . 請求項 3 6に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記表面 処理工程では前記金属基板の陽極酸ィ匕によリ前記金属酸化膜を形成する。
3 8. 請求項 3 6に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記表面 処理工程ではべ一マイ卜処理によリ前記金属酸化膜を形成する。
3 9 . 請求項 3 6に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記溝部 形成工程では、 断面が U字形状あるいは半円形状となり、 かつ、 流れ方向に沿った壁 面に角部が存在しないように微細溝部を金属基板に形成する。
4 0. 請求項 3 6に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記触媒 担持工程では、 前記接合体の流路内に触媒懸濁液を充填した後、 該触媒懸濁液を抜い て流路内を乾燥する。
4 1 . 請求項 4 0に記載のマイクロリアクターの製造方法において、 前記触媒 担持工程の乾燥時に、 振動あるいは回転を前記接合体に与える。
4 2. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターにおいて、 流路を内部に有し、 該流路の一方の端部が導入口をなし、 他方の端部が排出口をな す複数個の単位流路部材と、 該単位流路部材を多段状態で保持する連結部材とを少な くとも備え、
前記連結部材は、 単位流路部材の導入口が位置する部位、 排出口が位置する部位に て単位流路部材を密着させて保持するための複数の連結部と、 原料導入口と、 ガス排 出口とを有し、
少なくとも Ί個の前記単位流路部材は流路内に触媒を担持した単位マイクロリアク ターであり、
前記連結部材の原料導入口から原料を導入し、 複数個の前記単位流路部材のうち、 前記単位マイクロリアクターにて所定の反応を行い、 前記連結部材のガス排出口から 所望の生成ガスを得ることを特徴とする。
4 3. 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、
n ( nは 2以上の整数) 個の単位流路部材を有し、
前記連結部は、 前記原料導入口に接続された導入連結部と、 前記ガス排出口に接続 された排出連結部と、 相互に内部連通路で接続された (n— 1 ) 組みの段移行連結部 とからなり、
1段目の単位流路部材は、 導入口を前記導入連結部に、 排出口を前記段移行連結部 に、 それぞれ連結保持され、
2段目から (n _ 1 ) 段目の単位流路部材は、 導入口を前段の段移行連結部と内部 連通路で接続された段移行連結部に、 排出口を別の組みの段移行連結部に、 それぞれ 連結保持され、
n段目の単位流路部材は、 導入口を前段の段移行連結部と内部連通路で接続された 段移行連結部に、 排出口を前記排出連結部に、 それぞれ連結保持されている。
4 4. 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記単位流路部材は 取り外し可能である。
4 5. 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記単位マイクロリ アクターは、 単位流路部材の流路内壁面に金属酸化膜を介して触媒を担持している。
4 6 . 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 各単位流路部材は同 一構造であり、 単位マイクロリアクターとして、 流路内に担持する触媒種が異なる複 数の単位マイクロリアクターを備える。
4 7 . 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 発熱体を備えた単位 マイクロリアクターを有する。
4 8 . 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 所望の隣接する段の 単位流路部材間に断熱用の空隙および/または断熱材が介在する。
4 9 . 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 連結部材により多段 状態で保持された複数の単位流路部材の他の端部は、 固定部材で固定されている。
5 0 . 請求項 4 2に記載のマイクロリアクターにおいて、 単位流路部材は、 流 路を構成するための微細溝部が形成された 1組の金属基板を前記微細溝部どうしが対 向するように接合した接合体、 あるいは、 流路を構成するための微細溝部が形成され た金属基板面に金属カバー部材を接合した接合体を有する。
5 1 . 請求項 5 0に記載のマイクロリアクターにおいて、 前記単位マイクロリ アクターは、 前記接合体を形成した後、 流路内に触媒を担持したものである。
5 2 . 請求項 5 0に記載のマイクロリアクタ一において、 前記単位マイクロリ アクターは、 接合前の微細溝部内に触媒を担持したものである。
5 3 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、
前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 前記微細溝部内に触媒を担持する工程と、
原料導入口とガス排出口が形成されたカバ一部材を、 前記微細溝部を覆うように前 記金属基板に接合する工程と、
前記微細溝部が形成されていない前記金属基板面の前記金属酸化膜上に発熱体を設 ける工程と、 を有することを特徴とする。
5 4. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する工程と、
前記微細溝部内に触媒を担持する工程と、
原料導入口とガス排出口が形成されたカバー部材を、 前記微細溝部を覆うように前 記金属基板に接合する工程と、
前記微細溝部が形成されていない前記金属基板面上に絶縁膜を設ける工程と、 前記絶縁膜上に発熱体を設ける工程と、 を有することを特徴とする。
5 5 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口をもつ貫通孔 を形成する工程と、
前記金属基板を陽極酸化して金属酸化膜からなる絶縁膜を形成する工程と、 複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、
前記複数の金属基板を多段に積み重ねる際に接合される部位の前記金属酸化膜を除 去する工程と、
前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して連絡されるよ うに多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバー部材を、 多段の 最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 多段の最外部に位置する少なくとも一方の前記金属酸化膜上に発熱体を設ける工程 と、 を有することを特徴とする。
5 6 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
複数の金属基板の一方の面に微細溝部と該微細溝部の所定位置に開口をもつ貫通孔 を形成する工程と、
複数の前記金属基板の微細溝部内に触媒を担持する工程と、
前記複数の金属基板を、 各金属基板の微細溝部が前記貫通孔を介して連絡されるよ うに多段に積み重ねて接合し、 かつ、 ガス排出口が形成されたカバー部材を、 多段の 最外部に位置し前記微細溝部が露出している前記金属基板に接合する工程と、 多段の最外部に位置する少なくとも一方の前記金属基板面上に絶縁膜を設け、 該絶 縁膜上に発熱体を設ける工程と、 を有することを特徴とする。
5 7 . 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
金属基板の一方の面に微細溝部を形成する溝部形成工程と、
前記微細溝部の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程と、
原料導入口とガス排出口とを有する金属カバー部材を、 前記微細溝部を覆うように 前記金属基板に接合して、 流路を備えた接合体を形成する接合工程と、
前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持する触媒担持工程と、 を有 することを特徴とする。
5 8. 原料を改質して水素ガスを得るためのマイクロリアクターの製造方法に おいて、
1組の金属基板の一方の面に、 面対称となるパターンで微細溝部を形成する溝部形 成工程と、
前記微細溝部の内壁面に金属酸化膜を形成する表面処理工程と、
前記 1組の金属基板を前記微細溝部が対向するように接合して、 流路を備えた接合 体を形成する接合工程と、
前記流路の内壁面に前記金属酸化膜を介して触媒を担持する触媒担持工程と、 を有 することを特徴とする。
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