WO2003092059A1 - Sonde de type a fenetre, dispositif de surveillance a plasma et dispositif de traitement a plasma - Google Patents

Sonde de type a fenetre, dispositif de surveillance a plasma et dispositif de traitement a plasma Download PDF

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Mitsuo Yasaka
Original Assignee
Japan Science And Technology Corporation
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge

Definitions

  • the present invention relates to a window type probe, a plasma chamber, and a plasma apparatus, and more particularly to a plasma in a plasma apparatus using a high frequency or high frequency plasma leak on a substrate.
  • Windows that have difficulties in the configuration to easily detect, invert, and elaborately detect probes, plasma
  • plasma processing is widely used for plasma CVD, atshing, etching, sputtering or surface coating, for example, using a plasma on a WOT substrate.
  • the power of the RF power source changes the current and the plasma impedance.
  • a detector is inserted into the original line.
  • an object of the present invention is to directly and simply detect the state of plasma generated by application of a high frequency or high voltage. Disclosure of the invention
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the present invention, and means for solving the problems in the present invention will be described with reference to FIG.
  • the conductive probe 5 provided with an opening at least at the surface facing the plasma in the window probe and the opening of the self-conductive support 5 are described. It has at least a dielectric member 1 having a probe electrode 2 on one surface.
  • window probe Since such a window probe is only provided on the side wall of the process chamber, there is no need to insert the probe inside the process chamber.Therefore, the presence of the window probe does not affect the state of the plasma. Without giving, it is possible to monitor the plasma with a simple configuration. .
  • a potential called a potential is applied to the surface of the dielectric attachment 1 facing the plasma due to the plasma 3 ⁇ 4g in the process chamber 1, and the plasma is monitored by monitoring the 3 ⁇ 4fj at this location. Can be monitored.
  • the probe 2 is shielded with the “I shield” 4 through the thread 3.
  • the rinsing sound attachment 1 is made of optically transparent glass.
  • the dielectric sound to be viewed 1 may be opaque, but it is preferable to use a transparent glass for the sharp, so that it is possible to optically observe the inside of the process chamber. .
  • the probe electrode 2 is made of an optically transparent conductive material.
  • ⁇ S may be composed of an electrically transparent conductive material.
  • the present invention is characterized in that in any one of the above (1) to (4), the conductive support 5 has an opening provided as a viewing window.
  • the viewing port provided in the process chamber that is, the viewing window can be used as well, and the device configuration can be hidden.
  • the window probe according to any one of (1) to (5) is used, and the voltage at the output terminal of the window probe is: It is assumed that it is equipped with ⁇ word ten times.
  • a voltage measuring unit for measuring a voltage is provided at an output end of the key probe, and the plasma is monitored by the voltage. Just do it.
  • the voltage measuring unit uses analog / digital conversion of the voltage It shall be provided with at least a data section for deriving the average, the average voltage, the average amplitude, etc. by using the fiber section and the voltage section to comfortably observe the state of the plasma.
  • a process monitor for detecting the stability of the plasma by detecting the non-change of the periodic change of the voltage detected by the voltage gradual measurement unit in the above (6) It is a bell that has a mechanism.
  • the plasma 4 during the plasma process can be precisely monitored.
  • an abnormal monitoring mechanism for detecting an abnormal discharge of the plasma by a change in the current detected by the light measuring section.
  • the difference in plasma detected by the measurement unit causes a difference in plasma!
  • the difference in plasma detected by the measurement unit causes a difference in plasma!
  • the plasma processing apparatus is provided with the above-described plasma monitoring device in any one of the above (6) to (8).
  • the conductive support sound attached to the opening portion is a flange portion forming a viewing window of the JS container, and the dielectric material attached to the dielectric member is attached to the dielectric member.
  • the dielectric material attached to the dielectric member is attached to the dielectric member. Is a transparent glass plate that seals the flange.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of the basic configuration of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a plasma analyzer with a window probe according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a window probe used in the first difficulty mode of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of a detection waveform of a window probe in an RF discharge.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of the detection waveform of the window probe of which the input power is Ml at.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of detection of a window probe of i3 ⁇ 4 which immediately cuts off the RF wonder due to a device abnormality at RF3 ⁇ 4W.
  • FIG. 7 shows the detection by the window probe in the first difficulty mode of the present invention.
  • FIG. 136 is an explanatory diagram of ⁇ ⁇ .
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a plasma display device with an abnormality detection device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram of detection of a window-type probe at the time of abnormal discharge due to DC haze in the second difficult mode of the present invention.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of the detection of the window J probe at the time of abnormal frosting due to RF competition in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus with a different observation device according to a third difficult embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram of an abnormal release method according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a window probe according to the fourth embodiment of the present invention. Best mode to make invention
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a plasma reactor with a probe intersecting a window in the first embodiment of the present invention.
  • This plasma processing apparatus mounts a process chamber 11 having a gas inlet 12, an exhaust port 13, and a probe mounting part 14, and a Si wafer 16 disposed in the process chamber 1.
  • Bottom ⁇ ⁇ 15 to be placed and inlet gas tT ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ It is composed of a high-frequency power supply 19 that applies RF power of 13.56 MHz through an impedance 8 that is formed and a wiring 20 that performs the above 17.
  • the profile attaching section 14 is composed of a flange attached to a normal viewport.
  • a window probe 30 is attached to the flange attached, and the window intersecting probe 30 is attached to the window attached probe.
  • the detection output is connected to a digital oscilloscope 40 via a coaxial cable.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a window probe according to the first difficult embodiment of the present invention.
  • the window probe 30 is a glass plate such as an optically transparent copearl glass used for a normal viewport. 1. Polyester that covers the surface of the probe 3 ⁇ 432 and probe 3 ⁇ 4 @ 32 made of ITO etc. provided outside the plasma of the glass plate 31! It is composed of a transparent transparent film 33 of I ⁇ , an I T0 shield 34 that selectively shields the probe electrode 32, and an impedance dance ⁇ 135.
  • the probe arm 32 has a peripheral opening so that it does not electrically connect with the probe mounting portion 14, and has an I ⁇ 0 shield 34 and a transparent shield.
  • a small opening is provided in the rim 3 3, through which the probe 3 2 is connected to the impedance 35 by a coaxial cable ⁇
  • the probe mounting portion 14 is configured to be sealed in a vacuum by using an O-ring, grease, and the like, like a normal viewport.
  • the contact between the probe 32 and the coaxial cable uses, for example, a spring pin, and the I-shield 34 and the probe! (The same applies to the concubine touch with P14.)
  • the window probe 30 can also function as a viewing window of the process chamber of the plasma analyzer. It is a revolutionary and great advantage. Next, the principle of plasma monitoring using this window probe will be described. Again, see Figure 2
  • the plasma 21 When a reaction gas is introduced into the process chamber 11 from the gas inlet 12 and RF power is applied between the upper part 17 and the lower part 15 under a certain pressure, the plasma 21 Is generated, but ions and electrons are spread to the wall side of the process chamber 11 due to the density gradient of the generated plasma. Since the current densities of the ions and electrons that are scattered are dependent on the density of the plasma main body, an end product is installed in a part of the process chamber 11. Depending on the amount of ions or electrons flowing through the sheath formed near the surface of the paper, the potential, called the awake position, becomes more diffuse and the potential, called the awake position, becomes more diffuse. In the present invention, it is induced on the surface of the glass plate 31.
  • the «position is lower than the plasma potential by the sheath potential, and the high-period ⁇ ⁇ shows a potential change synchronized with the plasma excitation period. Shows a constant potential.
  • the plasma 21 is upset due to some reason; if ⁇ has an older brother, for example, in the vineyard, or in the gas pressure.
  • the plasma 21 has a plasma 22
  • the 4 fibers change and the ions diffuse to the wall of the process chamber in response to the change of the elder brother?
  • the position of the glass plate 31 which is a dielectric material formed in the process chamber 11 also changes to i3 ⁇ 4t.
  • the wall voltage ⁇ is not constant, but fluctuates in synchronization with the plasma fluctuation.
  • lightning synchronized with the plasma excitation period fluctuates, and the distortion of 3 ⁇ 4 ⁇ , In other words, the peak value changes.
  • the plasma changes suddenly and changes to mass or ⁇ ⁇ electrons or 3 ⁇ 4.
  • the wall potential changes to the negative side.
  • the potential change corresponding to the change in plasma is generated by electrostatic induction in the probe 32 provided on one side of the glass plate 31 described in the process chamber 111 which is not opposed to the plasma. Will be done.
  • the probe electrode 3 2 In order for the electrode to swing completely parallel to the plasma potential, not only the excitation period but also the impedance of the probe electrode 32, which is a harmonic component, must be large.
  • the ⁇ probe 30 of the present invention makes the area of the glass plate 31 facing the plasmas 21 and 22 sufficiently large.
  • the impedance of the probe 3 composed of ITO does not need to be known exactly, and the probe voltage takes the maximum value when the impedance is silent, so that the probe position takes the maximum value. Adjust the dance dance as follows.
  • FIG. 4 (a) shows the voltage output from the window probe 30 when the plasma is supplied stably by supplying power from the high-frequency power supply 18 to the process chamber 11.
  • the horizontal axis represents time (seconds)
  • the vertical axis represents voltage
  • 56M Hz to Bunsun ⁇ to 1 cycle 73 nanosecond, returned ⁇ Ri in (73ns 7. 3x 10_ 8 s )
  • a stable voltage is obtained and the plasma amplitude and amplitude can be measured.
  • Fig. 4 (b) it is observed in the ⁇ ⁇ of the unstable ⁇ plasma. As shown in the figure, the voltage is distorted, and the peak value (peak value) changes every period. It is determined that the root is ij.
  • Fig. 5 is an explanatory diagram of the detection waveform of the probe with the input power fluctuating due to the RF discharge, and the detection ⁇ also changes gradually according to the input power. ].
  • the peak value at the detection ⁇ is also proportional to the RF input power, and the detection ⁇ by this window probe Are they changing in cycles?
  • the swelling state and peak values reflect the characteristics of the plasma.
  • Figure 6 is an explanatory diagram of the detection of a window probe in which the RF field was immediately cut off due to a device error in the RF chamber. Since the RF champion was cut off immediately, the mass or electron rapidly diffused. Since the wall potential changes to the minus side, the detected value is ⁇ 5 on the plus side.
  • the window probe 30 of the present invention can capture a significant change in the ion current or the electron current that is diffused according to the change in the plasma state. In this way, it is possible to detect it easily.
  • the window probe detects the plasma in advance in a stable state. This is used as the 3 ⁇ 4 ⁇ wave data.
  • ⁇ f av is calculated by taking an arbitrary number of periods for the wave at an arbitrary time or number, and averaging it as one period ⁇ . (T), V av . (PP), and Vavo (m) for each.
  • V av (m) and Vav (pp) V av . (M) and V avo (pp) as » and each as m and p
  • Probe detection by these ⁇ , m, p? States of size »and ⁇ » can be detected.
  • these values a, m, and p are set in advance to the input power of the plasma, and when the plasma input device detects the probe while the plasma input is in progress. Any time ⁇ , or every cycle, seeking therebetween flat area ⁇ f av (t), and the acid with Matoiha form of f av (0), saying ⁇ that I ⁇ is predetermined It is determined in the data section whether it is larger or smaller, and larger or smaller than a predetermined value; a warning is issued to the plasma device in the case of if ⁇ .
  • the distortion rate, or Vav (PP) (m) In addition to the input of the plasma power, a warning was given that the plasma was unstable ⁇ M because the plasma may have fluctuated due to a problem with the gas ass, true. I do.
  • V av (pp) when V av (pp) is simply out of the range, the impedance of the plasma 21 and the high-frequency power supply 19 may not be sufficient, or the input power of the high-frequency power supply 19 may be misaligned. If the value is smaller than the predetermined value, it means that 3 ⁇ 4 ⁇ with the plasma cannot be obtained. Therefore, a warning is issued and a control signal is issued to take ⁇ ⁇ with the plasma against the plasma surprise. Output.
  • Jt ⁇ in which Vav (P P) is larger than the value obtained by 1 in advance can be judged to be a deviation of the input power applied to the high-frequency power supply 19, and a warning of a mistake is transmitted.
  • the first of this invention In the case of the window type probe of the form (1), even if the plasma treatment is performed for a period of time and the thread color layer is deposited, there is no problem as long as the thread color edge layer that has been dimensionally mounted does not become thicker. Because it works without cost, the applicability to the picture of the place of the word and the place of the ⁇ g g ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ g g ⁇ ⁇ .
  • FIGS. 8 to 10 a description will be given of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, which includes the above-described key probe and detects fluctuations, abnormalities, and the like of plasma. .
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a plasma apparatus with an abnormal viewing device according to the second difficult form of the present invention. This is the same as in the case of (1), except that the detection system uses a plasma supervisor 50 instead of the digital oscilloscope 40, so that the description of the same is omitted.
  • Razuma Watching Device 50 is a window.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram of a detection waveform of a window probe at the time of abnormal discharge in DC discharge according to the second embodiment, and detects abnormal discharge by measuring fluctuations of a plasma generation power supply voltage and current. In addition, the detection of an arc monitor that is performed is also shown.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of a detection waveform of a window probe at the time of abnormal emission due to RF consideration according to the second embodiment, and an ultrasonic sensor that detects ultrasonic waves at the time of occurrence of abnormal discharge by RF plasma. Also shows the detection ⁇ .
  • the present inventor has proposed that when abnormal discharge 24 occurs in plasma, ultrasonic waves (AE: acoustic emission) are generated by the plasma, and the generated AE causes the plasma; Utilizing the propagation, an AE sensor is attached to the outer wall of the plasma The location of the AE is determined by detecting the AE that has occurred. (If necessary, refer to Ki-ji No. 200—0-890.
  • the detection ⁇ by the window probe shown in the upper row shows that, as in the case of the abnormal discharge caused by the DC plasma shown in Fig. 9, the trace was well traced to each furnace in the abnormal request 24, and changed negatively and rapidly. Since the wall potential has changed to the minus side, it is clear that the number of parasites has increased and the plasma has turned into a dragon.
  • this window probe detects? ⁇ is the detection waveform from which the RF component has been removed.
  • the detection ⁇ by the ultrasonic sensor shown in the lower part is based on the relationship between the position of the abnormality ⁇ and the propagation of the ultrasonic wave on the wall of the process chamber 111, and the detection of the window probe in the upper part ⁇ It can be confirmed that the ultrasonic wave associated with the abnormality was detected after the change in.
  • Window probe 30 detection? ⁇ is input via the A / D conversion sound ⁇ 51, and the ⁇ data is input to the filter-mulli part 53, and the RF component of 13.56 MHz is passed through the mouth-pass filter. Cut and release abnormally. »Food extraction!
  • the detection! ⁇ F (t) is differentiated, and the value is j8.
  • the magnitude of the anomaly can be determined from the peak value V (P P).
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus with an abnormal observation device according to the third embodiment of the present invention. It is the same as the Plasma M device.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram of an abnormal discharge detection method according to the third embodiment of the present invention.
  • the occurrence of an abnormal discharge is determined by the following method based on the detection ⁇ of the window probe 30 shown in FIG. At the age at which it is determined that wm2 4 has occurred
  • the occurrence of the abnormality 24 caused by the AE sensor 25 to 27 can be reduced.
  • the AE sensor since the occurrence of abnormal discharge is confirmed based on the detection ⁇ of the translation probe 30 and then the position specifying operation by the AE sensor is performed, the AE sensor is not wasted.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a window probe according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the ⁇ probe has the same suspension configuration as the window probe 30 shown in FIG.
  • a glass plate 31 made of a transparent glass such as a glass used for a normal viewport; a probe 32 made of IT or the like provided outside the process chamber of the glass plate 31; Probe garage 3 2 Polyester! ⁇ Transparent covering film that completely covers the surface of the probe 2 3, I TO shield 3 4 provided on top of it to shield the probe mm 2, and impedance It consists of l 3 5.
  • an optically transparent deposition-resistant glass plate 36 is provided closer to the plasma generation region than the glass plate 31. Accordingly, the glass constituting the window probe is provided. The generation of dirt on the surface of the plate 31 can be prevented.
  • the peripheral part is opened so that the probe 3 2 does not electrically connect to the probe attaching section 14, and the ITO shield 34 and the transparent thread A small opening is provided in the membrane 33, and the probe 32 is connected to the impedance transformer 35 by a coaxial cable through the small opening.
  • the probe attaching section 14 is configured to be sealed in a vacuum by using an O-ring, grease, or the like, as in a normal viewport. Since the window of the window probe and the protective glass plate 36 are all made of transparent sound, this window probe also functions as a peep window of the process chamber of the plasma and M equipment. There are significant and significant advantages that can be achieved.
  • the detection sensitivity is reduced.
  • a parallel flat plate plasma rinse apparatus is described as an example of a plasma flat panel apparatus, but the configuration of the plasma display apparatus is such a parallel flat plate type plasma;
  • the present invention is not limited to the M apparatus, but is applied to plasma processing apparatuses having various structures.
  • the window probe is provided at one location on the outer wall of the process chamber.
  • the window probe may be provided at a location where the process chamber is rinsed.
  • the description has been made on the assumption that the window probe is attached to the process chamber by providing an attachment portion, but it may be attached to an existing plasma processing apparatus.
  • the target plasma ⁇ 3 device already has a viewing window.
  • a conductive sheet such as an optically transparent IT sheet
  • the window probe can be easily constructed.
  • the device that measures the probe potential is a device that can measure a high voltage, for example, a digital oscilloscope having an input impedance of 50 ⁇ . It is not limited to a sampling oscilloscope, Any device that can measure can be used.
  • the dielectric material for inducing the wall potential in the window probe is a flaky glass plate, but is not necessarily a fiber-like glass plate.
  • a glass plate is used as a clasp to induce position in the window probe, but the glass plate is not necessarily required to be a glass plate, and may be a dielectric. Alternatively, other dielectric screens such as sapphire fiber may be used.
  • the entire structure is made up of a transparent lining in order to have a window g, except for the window probe, but not all of it is made up of a transparent sound.
  • the probe I may be formed of A1 or Au.
  • a window probe it is not always necessary for a window probe to have the function of a viewing window, and at least one of the window intercepting probes may be formed with an opaque sound.
  • the probe of the window probe does not necessarily have to be a spread electrode in a plane shape, and it goes without saying that even if the knitted dog is attached to a glass plate, it functions as a probe.
  • the window probe and the plasma observation apparatus of the present invention changes in the state of the positive and negative electrodes can be confirmed by measuring the average potential of the wall potential and the potential of the potential. It is also possible to easily detect abnormalities in the ⁇ , and in particular, the window probe can function as a viewing window, and the status of the plasma display device can be automatically known, Stop or bra It is suitable for plasma processing equipment that can prevent defective products by controlling the gap.

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Description

明 細 書 窓 プローブ、プラズマ翻装置、及び、プラズマ郷里装置 技術分野
本発明は窓型プロ一ブ、 プラズマ慰1¾置、及び、 プラズマ姆里装置に関 するものであり、特に、 基体に高周波、或いは高 «Εによるプラズマ 漏を用いて麵するプラズマ麵装置におけるプラズマの麵を簡単に、 翻に、精戯く検出するための構成に難のある窓 プロ一ブ、 プラズマ
,及び、プラズマ処理装置に関するものである。 背景技術
現在、半 本製造分野において、 プラズマ C VD、 アツシング、 エツチン グ、 スパッタリング或いは表面麵等を目的として、 WOT基体にプラズマ «を用いて姆里するブラズマ 去が広く用いられている。
そのプラズマ処置を施すプラズマ矩理工程において、高霞王または高周波 電源の高周波寝を印加する際に、発生したプラズマの安定性、藤厕生の不 良により w¾基体に設けた電子素子特性の麵を引き起こす問題カ^る。
この様な問題に対処するためにブラズマの:^ ¾生、安定 f生の確忍を白勺確に 検出することが求められている。
現在、 この様な要請に応えるために様々な研究がなされており、異常 においてはプラズマの発光 3虽度の変ィ匕、電源の電圧'電流の変化、 プラズマ •インピーダンスの変化、或いは、高調波の変化を検出することにより、プ ラス、マの再 i t生、安定性つまり変動の廳忍においては、 ガス圧の変動、発光 スぺクトルの変化を検出することによりプラズマの ¾SJの検出か みられて いる。
また、 R F電源の電 いは電流の変ィ¾いはプラズマ ·ィンピ一ダンス の変化をモニターするため、 原ラインに検出器を挿入することが行われて いる。
しかしながら、 _h¾Eの ロ¾では、プラズマ特性へ与える景^ «、及び、 SLMf生や簡ィ更 f生において問題があり、 また、 コストもかかり、 これらを!^ するための余分なスペースを必要とするという問題もあつた。
したがって、本発明は、高周波或いは高電圧の印加によって発生させたプ ラズマの ^え態を直接、簡便に検出することを目的とする。 発明の開示
図 1は、本発明の 1¾的構成図であり、 この図 iを参照して本発明におけ る課題を解決するための手段を説明する。
図 1参照
( 1 )本発明は、窓 プローブにおいて、 プラズマに対向する面の少なく とも"^に開口部か設けられた導電性支 材 5と、 11己導電性支 附5 の開口部に言 ¾された片側表面にプローブ電極 2を有する誘電体部材 1とを ノ少なくとも有することをキ とする。
この様な窓 プローブは、 プロセスチャンバ一の側壁に設けるだけである ので、プロセスチャンバ一の内部にプローブを挿入言 する必要がなく、 し たがって、窓型プローブの存在がプラズマの状態に影響を与えることがなく 、簡単な構成によってプラズマ « ^をモニタすることができる。 .
即ち、 プロセスチャンバ一内に ¾gされたプラズマに起因して、 プラズマ に対向する誘電体き附 1の表面に 位と呼ばれる電位か されるため、 この ϋ¾位の ¾fjをモニタすることによって、プラズマ をモニタするこ とができる。 なお、検出電位を安定化するために、プロ一ブ爾亟 2を糸觸 咅附 3を介して «Iシールド咅附 4でシールドすることか望ましい。
( 2 ) また、本発明は、上記（1 ) において、 プローブ鬮:亟 2に、 インピ 一ダンス ^手段 6を妾続したことを とする。 この様に、 プローブ爾亟 2から TOを検出するために〖Λ圧測定系との間 に、増幅器、 インピーダンス^^、或いは、抵購のインピーダンス齢 手段 6を接続する必要がある。
( 3 ) また、本発明は、上記（ 1 ) または （ ) において、濯体音附 1 が、光学的に透明なガラスからなることを,とする。
観位が される誘電体音附 1は、不透明でも良いが、 勺に透明な ガラスを用いることか望ましく、 それによつて、 プロセスチャンバ一内部の 等を光学的に観測することが可肯になる。
( 4 ) また、本発明は、上記（3 ) において、プローブ電極 2が、光学的 に透明な導電性物質からなることを とする。
位の検出感度を高めるためにプローブ霞亟 2の面積を大きくした には、 この プローブを介してプロセスチャンバ一内部の^:等を光^ S勺 に観測するためには、 プローブ翻 2も光学的に透明な導電性物質で構成す る ある。
( 5 ) また、本発明は、上記（ 1 )乃至（4 ) のいずれかにおいて、導電 性支擬附 5【こ設けた開口部が、 のぞき窓の機能を有することを ¾とする ο
このように、 のぞき窓の機能を持たせることによって、プロセスチャンバ 一に設けられているビューポート、即ち、 のぞき窓と兼用することができ、 装置構成を身素 ί匕することができる。
( 6 ) また、本発明は、プラズマ 見装置において、上記（ 1 )乃至（ 5 ) のいずれかに言 Ξ¾の窓湮プローブを用い、 この窓 プローブの出力端に、 を言十彻]する電圧^^言十彻倍 Ρを具備してなることを とする。
この様に、上記の窓 プロ一ブを用いてプラズマ慰見装置を構成する には、鍵プローブの出力端に、電圧娜を計測する電圧漸尉測部を設け 、電圧 によってプラズマ^^を 見すれば良い。
なお、電圧概 十測部は、電圧灘をアナログ 7デジタル麵する A/D 纖部及び電圧娜を擁して平^ w^、平均電圧、平均振幅等を導出して プラズマの状態を慰見するデータ 部とを少なくとも備えたものとする。
( 7 ) また、本発明は、上記（6 ) において、電圧漸計測部により検出 した電圧»の周期的な^^の変化の不"^ »を検出してプラズマの安定性 を検出するプロセスモニタ機構を有することを鐘とする。
この様に、電圧 の周期的な^^の変化の不^ を検出することによ つて、プラズマプロセス中のプラズマ 4»、を精 くモニタすることができ る。
( 8 ) また、本発明は、上記（6 ) において、輕漸計測部により検出 した の変化によりブラズマの異常放電を検出する異常 ί«モニ夕機 構を有することを,とする。
この様に、 計測部により検出した の変化によりプラズマ の異！ ¾Wを検出することによって、プラズマプロセス中に突発する異常放 電をモニタすることができる。
( 9 ) また、本発明は、プラズマ処理装置において、上記（6 )乃至（8 ) のいずれかに言 のプラズマ監ネ藤置を備えたことを穩とする。
この様に、 ブラズマ «I装置に上記のブラズマ 見装置を備えることによ つて、 Klf生の高レヽプラズマ ί¾Μを ί亍うことが可能になる。
( 1 0 ) また、本発明は、上記（9 ) において、開口部か Έ殳けられた導電 性支持音附 5が、 JS 器ののぞき窓を構成するフランジ部であり、誘電体 咅附 1がフランジ部を密閉する透明ガラス板であることを 1敷とする。
この様に、 のブラズマ姆里装置にブラズマ 置を取り付ける際に は、 のぞき窓、即ち、 ビューポートを構成するフランジ部を禾 (J用すれば良く 、それによつて、プローブを取り付けるための特別のスペースは不要になる ので、装置ネ冓成を簡素 ί匕することができる。 図面の簡単な説明 図 1は、本発明の原理的構成の説明図である。
図 2は、本発明の第 1の雞の形態の窓 プロ一ブ付きプラズマ姆里装置 の概略的構成図である。
図 3は、本発明の第 1の難の形態に用いる窓型プローブの概略的構成図 である。
図 4は、 RF放電における窓型プロ一ブの検出波形の説明図である。 図 5は、 で入力電力が Mlしている の窓 プローブの検出波 形の説明図である。
図 6は、 R F¾Wでの装置異常により R F驚原を即断した i¾の窓 プロ ーブの検出^^の説明図である。
図 7は、本発明の第 1の難の形態における窓 プローブによる検出？颇 の^ ϋの説明図である。
図 8は、本発明の第 2の の形態の異常 見装置付きプラズマ « 装置の概略的構成図である。
図 9は、本発明の第 2の難の形態における D C霞での異常放電時の窓 型プロ一ブの検出^^の説明図である。
図 1 0は、本発明の第 2の の形態における R F放黨での異常放霜時の 窓 J£プローブの検出、 の説明図である。
図 1 1は、本発明の第 3の難の形態の異 f¾¾ ^見装置付きプラズマ処 理装置の概略的構成図である。
図 1 2は、本発明の第 3の実施の形態における異常放 出方法の説明図 である。
図 1 3は、本発明の第 4の^ feの形態の窓 プローブの概略的構成図であ る。 発明を »するための最良の形態
ここで、 図 2乃至図 7を参照して、本発明の第 1の難 feの形態の窓 プロ —ブ付きプラズマ麵装 m¾び検出信 去を説明する。 図 2は本発明の第 1の戴 feの形態の窓邀プロ一ブ付きプラズマ^ ί里装置の 概略的構成図である。
このプラズマ処里装置は、 ガス導入口 1 2、排気口 1 3、及び、 プローブ 取付け部 1 4を有するプロセスチャンバ一 1 1、プロセスチャンバ一内に配 置された、 S iウェハ 1 6を載置する下咅 1 5及び導入ガスを口戴 tTる シャワーへッドを兼ねる上き |¾亟1 7とを対向させた平行：平ネ ¾電極、下部 m 1 5にプロッキングコンデンサ等から冓成されィンピーダンス ¾ ^をと る 8を介して 1 3 . 5 6 MH zの R F電力を印加する高周波蔔原 1 9、及び、上咅 l 7を^する ί¾¾配線 2 0から構成される。
また、プロ一フ 付け部 1 4は、通常のビューポートを構成するフランジ 咅附からなるものであり、 このフランジ咅附に窓 プロ—ブ 3 0を取付け、 この窓邀プロ一ブ 3 0からの検出出力は同軸ケーブルを介してデジタルオシ ロスコープ 4 0に接続されている。
なお、 このデジタルオシロスコープ 4 0の入力インピ一ダンスは、例えば 、 5 0オームとする。 図 3は、本発明の第 1の難の形態の窓 プローブの概略的構成図であり 、 この窓 プローブ 3 0は、通常のビューポートに用いられる光学的に透明 なコパールガラス等のガラス板 3 1、 このガラス板 3 1のプラズマに対して 外側に設けられた I T O等からなるプロ一ブ ¾ 3 2、 プロ一ブ¾@ 3 2の 表面を 縁被覆するポリエステ！^の透明糸觸膜 3 3、 その上に設けられプ ローブ電極 3 2を «的にシールドする I T 0シールド 3 4、及び、 ィンピ —ダンス^^ 13 5によって構成される。
Figure imgf000007_0001
プローブ爾亟 3 2はプローブ取付け部 1 4と電気的に矢豆铬しな いように、周辺部が^!口されており、 また、 I Τ 0シールド 3 4及び透明絶 縁膜 3 3に〖ぉ敖小開口部か設けられており、 この微小開口部を通してプロ一 ブ爵亟 3 2は同軸ケーブルによってインピーダンス 3 5に接続される ο
また、 このプローブ取付け部 1 4は、通常のビューポートと同様に、 0— リング及びグリ一ス等を用いることによつて真空に密閉する構成となってい る。
なお、 この 、 プロ一ブ 亟3 2と同軸ケーブルとの間の接触には、例 えば、 スプリングピンを使用しており、 また、 I Τ〇シールド 3 4とプロ一 ブ！ (付け音 P 1 4との間の ί妾触も同様にして ί亍ぅ。
この様に、窓 プロ一ブ 3 0の窓部を全て透明咅附で構成しているので、 この窓 プローブ 3 0は、 プラズマ姆里装置のプロセスチャンバ一ののぞき 窓としても機能させることができる画期的で大きな利点があるものである。 次に、 この窓 プローブによるプラズマ のモニタ原理を説明する。 再び、 図 2参照
ガス導入口 1 2より反応ガスをプロセスチャンバ一 1 1内に導入し、一定 の の下で RF電力を上部 亟 1 7と下部 mf亟 1 5との間に印加すると電 極間にプラズマ 2 1が生成するが、生成されたプラズマからはその密度勾配 がある為にイオンと電子がプロセスチャンバ一 1 1の壁側へ拡 iCtる。 この ί£散するィォン及び電子の電流密度はブラズマ本体の密度に依存して いるためプロセスチャンバ一 1 1の一部に終緣物を設置した 、 プラズマ 本体が持つ電位であるブラズマ電位とブラズマ本体より拡散して、紙禄物の 表面近傍に形成されたシース （s h e a t h) を通ってくるイオン いは 電子流の量に応じ、均衡がとれる様に醒位と呼ばれる電位が終椽物表面、 したがって、本発明においてはガラス板 3 1の表面に誘起される。
このガラス板 3 1の表面に,された «位はシース電位分だけブラズマ 電位より低く、高周 の^ ·には、 プラズマの励起周 «に同期した電 位変化を示し、 また、 直^ Mでは一定な電位を示す。 しかし、 プラズマ 2 1力可らかの原因により 、動揺する; If^には、例 えば、葡原の麵、 ガス圧の麵するような 兄が発生した 、そのブラ ズマ 2 1はプラズマ 2 2のように 4纖が変化し、その 兄変化に応じてプロ セスチャンバ一 1 1の壁部へ拡散するイオン？ い〖«子流も敏惑に変化す る為に、 プロセスチャンバ一 1 1に された誘電体であるガラス板 3 1に ,される ϋ¾位も i¾tに変化することになる。
そのため、 D C放電では、壁電 ^^は一定ではなくプラズマの変動に同 期して麵した赚になり、 R F放電の では、 プラズマの励起周赚に 同期した雷 が変動し、 ¾ ^の歪、或いば波高値等が変化する。
また、異常漏の発生等の様に幾的な変化が生じた では、 プラズマ が急激に変化し、質量か圣ぃ電子か ¾ に するので、電子流が急激に減 少するために種位も毎爐且つ急激にプラス側に変化し、一方、逆に増加す る場合には、壁電位はマイナス側に変化する。
したがって、 位が変化すると、プロセスチャンバ一 1 1に言 ®された ガラス板 3 1のプラズマに対向しない片面に設けたプロ一ブ 亟 3 2に静電 誘導によりプラズマの変化に応じた電位変化が^される。
この誘導電位を計測して、その電位隨を麵することで、 位の波高 値、歪の^^等のプラズマの 兄変化を検出でき、それを指標にすることに よって、 フ。ラズマの安定 '性、 ¾ ^性、 rn ^確言忍を に， 且つ簡 便に ί亍うことか可倉 となる。
但し、窓疆プローブ 3 0のガラス板 3 1の表面に讓される疆位は、 ガ ラス板 3 1の周りにできるシースのィンピーダンスとプローブ自体のィンピ —ダンスにより決まるため、 プローブ電極 3 2がプラズマ電位と完全に平行 に振れるためには、励起周赚だけではなく高調誠分に るプロ一ブ電 極 3 2のィンピ一ダンスも大きくなければならない。
即ち、 シースのインピーダンスを小さく、窓 プローブ自体のインピーダ ンスを大きくする必要がある。 シースのインピーダンスを小さくするには、単にガラス板 31の表面積を 大きくすることが考えられ、本発明の^ プローブ 30はガラス板 3 1のプ ラズマ 2 1 , 22に対向する面積は十分に大きくする。
なお、 I TOから構成されるプローブ爾 3 のィンピ一ダンスは正確に 分からなくても良く、 ィンピ一ダンスが無默の時プローブ電圧は最大値を とるので、 プローブの ¾位が最大値をとるようにィンピ一ダンスを調整す れば良い。
次に、 図 4乃至図 6を参照して本発明の窓 プローブを用いて測定した電 圧娜を説明する。
図 4 (a)参照
図 4 (a) は、プロセスチャンバ一 1 1に高周?皮電源 18より電力を供糸合 し安定してプラズマを^^した時の、窓 プローブ 30から出力される電圧 娜である。
図において、横軸は時間〔秒〕 、縦軸は電圧であり、周赚 13. 56M Hzに文寸応して 1周期 73ナノ秒、 (73ns = 7. 3x 10_8s) で喿り返 す安定した電圧 が得られており、 ブラズマの 级び振幅を測定す ることができる。
図 4 (b)参照
図 4 (b ) は、不安定な^^のプラズマの ϋ に観測される であ り、図に示すようにこの電圧娜には歪があり、波高値（ピーク値） も一周 期毎に «していることが根 ij定される。
図 5参照
図 5は、 RF放電で入力電力が変動している ϋ^·の プローブの検出波 形の説明図であり、入力電力の麵に応じて検出^^も緩やかに変化してい ること力 見彻]される。
Figure imgf000010_0001
検出^^における波高値も RF入力電力に比例していることが 確認され、 この窓 プローブによる検出^^は、高周波電源 19の周赚の 周期で変化していて、？膨の歪の状態、 ピーク値等がプラズマの特性を反映 している。
図 6参照
図 6は、 RF羅での装置異常により RF壩原を即断した の窓 プロ —ブの検出 の説明図であり、 RF蔔原が即断されたため、質量か圣ぃ電 子が急激に拡散して壁電位がマイナス側に変化するために検出娜はプラス 側に^ 5している。
このように、本発明の窓 プロ一ブ 30は、 プラズマ状態の変化の ¾ ^兄に 応じて拡散するィォン流或いは電子流の な変化を捕らえることができる ので、プラズマ状態の変化を確実、且つ、翻に感舰く検出することがで きる。
次に、 図 7を参照、して本発明の第 1の実施の形態における窓型プローブに よる検出 f«の^ ^去を説明する。
図 7 (a)参照
図 7 ( a ) に示すように、窓 プローブ 30で検出した電圧娜 f (t) のうち、任意の時間或いは任意の数 (n)の周期分の f i ( t ) から平 均値 Vav (m)、振幅 Vav (pp)， 平均化した av (t)を求める。
Figure imgf000011_0001
平均ィ匕した^^ f av (t)は、
Figure imgf000011_0002
から求める。
図 7 (b)参照
次に、 この平均化した?勝 f av (t)【こ基づいて平均値 Vav (m)及び振 幅 Vav (PP) を求める。
この平均値 Vav (Π1)、振幅 Vav (PP) 、及び、平均 ί匕した ( t)の安定なプラズマ状態における値に财るひずみ率を指標として用いて 行うために、 とする ¾ ^を像とするプラズマ^ ί里装置の所定の姆里 条件で、窓 プローブで予めプラズマが安定した状態における検出 デ一 タとして取得しておき、 これを ¾φ波データとする。
この デ一夕に対して、 波の任意の時間或レ、は任意の数に周期分 をとり、 1周期^^として平均化した^^ f av。 （t) 、 Vav。 （PP) 、 及び、 Vavo (m) をそれぞれに求める。
更に、 それらの値はブラズマを «するための入力電力に応じて変化する ので、入力電力に応じたィ繊を求めておき、 これらを言 刀期値として記憶 しておく。
ここで、検出する検出!^を f (t) とすると 波に対してプラズマ処 理中のプロ一フ 1®^がどの禾 I ^ひずんでレ、るかを示" Τί旨標としてのひずみ率 aは、 ，
Q!= f av ( t) /f avO ( t )
と表されるので、 これにより、高調？ «分がどの禾！^あり、？離が歪んでい るかが分かる。
また、 同様に、 Vav (m)、 Vav (pp) に関しても、 Vav。 （m)、 V avo (pp) を »として、それぞれのィ を m, pとして
m=Vav (m) ZVav。 ノ ，
P=Vav (p p ) /Vav。 （PP)
と^する。
これらの ί α、 m、 pによって、 プロ一ブ検出？ の大きさの »と ί»の状態を検出することができる。
即ち、 これらのィ敏 a、 m、 pをプラズマの入力電力每に予め ΐ¾¾してお き、 それとプラズマ麵装置がプラズマ麵中に、 プローブ検出？颇を任意 の時間、或いは周期分毎に、 その間の平域颇 f av (t) を求めて、纏波 形の f av (0) と 酸して、そのィ纖 が予め定めた言妮値より大きいか 、小さいか否かをデータ «部において判定し、予め定めた値より大きい或 いは小さい； if^に、プラズマ装置に対して警艮を発する。
例えば、 ひずみ率 、或いは、 Vav (PP)か殳定内であっても、 Vav (m) か の 、 プラズマパワーの入力の問 外に、 ガス驢、真 との絡みの問題でプラズマが揺らいでいることが考えられるので、プラ ズマの不安定^ Mであることの警告を発信する。
また、単に Vav (p p ) が 値から外れている齢には、プラズマ 2 1 と高周波電源 1 9のインピーダンスの が取れていないか、又は、高周波 電源 1 9の入力パヮ一識のずれが考えられ、予め した値より小さい場 合には、 プラズマとの ¾^が取れてないことになるので、警告を発信すると ともに、 プラズマ驚原に対してプラズマとの ¾ ^を取るように制御信号を出 力する。
一方、 Vav (P P ) が予め 1¾¾した値より大きい Jt^は、高周波電源 1 9 にタ Tる入力パワー言 のずれと判断できるので、言 ミスの警告を発信す る。
この本発明の第 1の！ ¾の形態の窓型プロ一ブにおいては、 プラズマ処理 を 期間^して、糸色緣層がデポジットされる にも、 ί寸着した糸色縁層が ネ敏耑に厚くならないかぎり、何ら問題なく動作するので、 コスト、言耀場所 の画にぉレ、て^ g現場のプラスマ姆蝶置への適用性は;^優れて 、る。 次に、 図 8乃至図 1 0を参照して、上記の鍵プローブを備えて、 プラズ マの変動及び異¾«等を検出する本発明の第 2の の形態のプラズマ処 理装置を説明する。
図 8参照
図 8は、本発明の第 2の難の形態の異常放觀見装置付きブラズマ麵 装置の概略的構成図であり、 »的構成 記の第 1の！ ¾の幵態と同様で あるが、検出系においてデジタルオシロスコープ 4 0の代わりにプラズマ監 職置 5 0を用いたものであるので、 同 分については説明〖¾略する。
このフ。ラズマ 見装置 5 0は、ノ窓 フ。ローブ 3 0と、 A/D«§P 5 1、 デ—夕姆里音 5 2、 フィルタ一麵音 5 3、及び、異常放 «I食出部 5 4等か ら構成されている。 .のデータ麵吉 β 52により、上記の第 1の難の形態において説明した
、検出赚に基づいて平埒娜 fav (i：)、平均電圧 Vav (m)、平均振田
Vav (PP) 、及び、 ^i C , m， pを求める。
通常のプロセス腿については、上記の第 1の難の形態と同様であるの で、 ここでは、 図 9及び図 1 0を参照して異¾« ^出について説明する 図 9参照
図 9は、第 2の実施の形態における D C放電での異常放電時の窓型プロ一 ブの検出波形の説明図であり、 プラズマ生成用電源電圧、電流の変動を計測 して異常放電を検出するアークモニタ一の検出^^も合わせて示している。
±殳に示したアークモニタ一の電灘出、娜は、異常 ¾Wの発生に^ 5し て急激に増加している。
一方、下段に示した窓 プローブの検出？ は、立ち上がり鋭く一瞬ブラ ス側に変化していてその後マイナスからプラスに変化しながら 4辣している が、 これは異常放電が発生した瞬間は瞬刳簾になり拡 icTる電子流が急激 に増加したため、一瞬、 M位が図 6に示した電源断時とは にマイナス に変化した後、灞原の制御により]:曜勺緩やかに変化しながら輔したもの と思われる。
この窓 プローブの検出？ は、 アークモニタ一より^^の立ち上がりが 早く毎憾に、感^^く応答していることが理解される。
図 10参照
図 10は、第 2の実施の形態における RF 慮での異常放霄時の窓型プロ —ブの検出波形の説明図であり、 R Fブラズマで異常放電発生時の超音波を 検出する超音波センサによる検出^^を合わせて示している。
なお、異常 について、本発明者は、 プラズマ麵中に異常放電 24が 発生すると、 によって超音波 (AE： Ac ous t i c Emi s s i on)が発生し、発生した A Eがプラズマ; Μ装置の夕歷を伝播することを 利用して、 プラズマ処理装置の外壁に AEセンサを取り付けて異常放電によ つて発生した A Eを検出することにより 発生位置を特定することを している （必要ならば、キ寺願 2 0 0 0— 8 9 8 4 0号参 。
上段に示した窓 プロ一ブによる検出^^は、 図 9に示した D Cプラズマ での異常放電発生時と同様に、異常願 2 4に毎爐に良く跡してマイナス 健こ急激に変化しているので、壁電位がマィナス側に変化していることから 拡頻子量が増加してプラズマが隨刳龍になっていることがわかる。
なお、 この窓 プローブにおける検出？颇は、 R F成分を除去した検出波 形である。
一方、下段に示した超音波センサによる検出^^は、異常 «の¾ ^位置 と超音波のプロセスチャンバ一 1 1の壁面を 般する伝 の関係から上 段の窓 プロ一ブの検出^^の変化に遅れて、異常 に伴う超音波検出さ れているのが確認できる。
次に、異常放電を検出する雄を簡単に説明する。
窓理プローブ 3 0の検出？颇は、 A/D変換音 β 5 1を介して入力され、そ の ^データをフィル夕―姆里部 5 3にて、 口一パスフィル夕一により 1 3 . 5 6 MH zの RF成分をカツ卜し、異常放 »食出咅! 55 4において、異¾¾ 電の信号を検出する。
次いで、検出信号に対して、娜の変 i ftを求めるため、検出!^ f ( t ) を微分し、 その値を j8とすると
β = ά ΐ ( t ) /d t
と表される。
この βを慰見することにより ^^の変化状態を検出することができる。 図 1 0及び図 6に示したように、異常觸、或いは、電原の隨亭がある場 合、麵位に急激な変化があるので、異常放雕出部 5 4において、 j8の値 がプラス或いはマイナスかに変化する。
そこで、 f ( t ) の値が、 あるしきい値を超えて、 iSの値が予め求めてい た設定値より大きくなつた it合に異常を検出して、 その 値が、マイナスの に異常 と判断して、ブラズマ ¾装置に対して »gを発する。
また、電子流の変化は異常顯の藤と関係があるため、その?麵の波高 値 V (P P ) から、異常 の規模を することも可能である。
次に、 図 1 1を参照して、異常羅の位置を確認する手段も合わせて用い た本発明の第 3の実 ½の形態を説明する。
図 1 1参照
図 1 1は、本発明の第 3の実施の形態の異常 ^見装置付きプラズマ処 理装置の概略的構成図であり、 »的な装置構成は図 8に示した第 2の難 の幵態のブラズマ^ M装置と同様である。
この第 3の！ ¾の幵態においては、 さらに、 3個 i:の AEセンサ 2 5〜 2 7をプロセスチャンバ一 1 1の外壁面に取り付けたものであり、 それによ つて、異常放電の発生した位置を特定するものである （必要ならば、特願 2 0 0 1 - 3 7 0 6 1 0号参照）。
なお、 この こは、 3つの AEセンサを示している。
図 1 2参照
図 1 2は、本発明の第 3の の形態における異常放電検出方法の説明図 であり、 まず、 ±殳に示す窓 プローブ 3 0の検出^^により、 の方法 により異常羅の発生を判断し、 wm2 4が発生したと判断した齢に
、 AEセンサ 2 5〜2 7による異常 2 4の発生ィ立置の特^作をス夕一 卜させる。
次いで、 3つの AEセンサ 2 5〜2 7からの 3つの検出^^から、異常放 電 2 4が発生した場所と各 A Eセンサ 2 5〜2 7を势也した場所との足隱の 差に起因する遅麟間 Τ。 , Τ ι , Τ2 を求め、 この遅麟間 Τ。 ， L , T 2 から地震の震源也の特定の原理と同様の原理によつて異常 ¾S 2 4の発 生ィ立置を特定する。
この齢に、異常願の半啶を窓 プローブ 3 0の検出娜によって行つ てレヽるので、 ββΐを A Εセンサで検出して誤って異常 の発生と判断 することがなくなる。
また、翻プローブ 3 0の検出^^に基づいて異常放電の発生を確認した のち、 AEセンサによる位置特定動作を介しているので、 AEセンサを無駄 にィ输させることがなくなる。
次に、 図 1 3を参照して、本発明の第 4の難の形態の窓湮プロ一ブを説 明する。
図 1 3参照
図 1 3は、本発明の第 4の実施の形態の窓型プローブの概略的構成図であ り、 この^ プローブは、図 3に示した窓 プローブ 3 0と縣的構成は同 様であり、通常のビューポートに用いられる光 勺に透明なコパ一ルガラス 等のガラス板 3 1、 このガラス板 3 1のプロセスチャンバ一に対して外側に 設けられた I T〇等からなるプローブ 亟 3 2、プローブ霸亟 3 2の表面を 絶緣被覆するポリエステ !^の透明総縁膜 3 3、 その上に設けられプローブ mm 2を «的にシ一ルドする I TOシールド 3 4、及び、 ィンピ一ダン ス對 l 3 5によって構成される。
この第 4の! ¾の形態においては、 ガラス板 3 1よりプラズマの発生領域 寄りに光学的に透明な防着ガラス板 3 6を設けたものであり、 それによつて 、窓 プローブを構成するガラス板 3 1の表面の汚れの発生を防止すること ができる。
この; If^も、 プロ一ブ爾亟 3 2はプローブ 付け部 1 4と電気的に^!各し ないように、周辺部が 口されており、 また、 I TOシールド 3 4及び透明 糸緣膜 3 3に〖观小開口部か設けられており、 この微小開口部を通してプロ ーブ秦 3 2は同軸ケーブルによってインピーダンス変 3 5に接続され る。
また、 このプロ一ブ诹付け部 1 4は、通常のビューポートと同様に、 0— リング及びグリ一ス等を用いることによつて真空に密閉する構成となってい る。 しの i ^も、窓 プローブの窓部及び防着ガラス板 3 6を全て透明音附で 構成しているので、 この窓 プローブは、プラズマ; M装置のプロセスチヤ ンバ一ののぞき窓としても機能させることができる画期的で大きな利点があ るものである。
ブラズマ麵による JS¾»による汚染が発生しても、 防着ガラス板 3 6を交換するだけで良いので、窓 プローブのガラス板 3 1側については、 交換， 洗浄ィ乍業等を必要としない。
但し、 防着ガラス板 3 6を設けることによって検出感度は^低下する。
i:、本発明の各難の形態を説明してきたが、本発明は各難の形態に 言 ¾された構成 ·条件に限られるものではなく、各種の変更か可能である。 例えば、上記の各雞の形態においては、 プラズマ麵装置として平行平 板電濯のプラズマ麵装置を例として説明しているが、 プラズマ姆蝶置 の構成はこの様な平行平板 亟型のブラズマ； M装置に限られるものではな く、各種の構造のブラズマ処理装置に適用されるものである。
また、上記の各難の形態においては、窓 プローブをプロセスチャンバ 一の外壁の一箇所に設置しているが、プロセスチャンバ一のタ濯の; ΙϋΓ@所 に しても良いものである。
また、上記の各難の形態においては、窓^ プローブをプロセスチャンバ 一に取付け部を設けて取り付けることを前提に説明しているが、既設のブラ ズマ処理装置に取り付けても良いものである。
即ち、対象となるプラズマ^ 3装置に既にのぞき窓がある 、 のぞき窓 のガラスの^ m側表面に戴亟として光学的に透明な I T〇シ一ト等の導電性 シ一トを貼ることで、簡単に窓 プローブを構成することができる。
また、上記の難の形態においては、 プローブ電位を測定するのは、高周 圧を測定できる装置であり、例えば、入力インピーダンスが 5 0 Ωのデ ジタルオシロスコープであるが、 デジタルオシロスコ一プに限られるもので はなく、サンプリングオシロスコープ、周 ¾アナライザ一^周?皮電圧を 測定できる装置であれば差し支えない。
また、上記の各難の形態においては、窓 プローブにおける壁電位を誘 起させる誘電体は ¾反状のガラス板であるが、必ずしも纖反状のガラスであ る はない。
また、上記の各雞の形態においては、窓湮プロ一ブにおいて 位を誘 起するき附としてガラス板を用いているが、必ずしもガラス板である必要は なく、誘電体であれば良く、例えば、サファイア纖反等の他の誘電体簾を 用いても良いものである。
また、上言己の各 の幵態、においては、 ,窓型プローブにのぞき,窓の機倉 gを 持たせるために全体を透明咅附で構成しているが、必ずしも全てを透明音附 で構成する i はなく、例えば、 プローブ «I亟を A 1や Auで形成しても良 いものである。
その には、プロ一ブ爵亟を小さな円盤 ¾W亟とする或いは円 ί屬犬の電 極とすることによって、 のぞき窓の機能を持たせることができる。
また、窓 プローブにのぞき窓の機能を持たせることは必ずしも必頌では なく、 その ί¾·には、窓邀プローブの少なくとも を不透明音附で形成し ても良いものである。
また、窓 プロ一ブのプロ一ブ爾亟は必ずしも面状に広がつた電極である 必 はなく、編犬の ¾1亟をガラス板に貼り付けてもプローブとして機能する とは言うまでもない。 の利用可能性
h^ベたように、本発明の窓 プロ一ブとプラズマ 見装置により、プ ラス、マの状態変化を壁電位の平均電位、電位の の測定により確認す ることができ、 また、異^¾ ^の異常等の検出も簡便に ί亍うことが可能に なり、特に、窓 プローブをのぞき窓としても機能させることができ、ブラ ズマ麵装置の状態を自動的に知ることができ、 自動的に停止したり、ブラ ズマを制御したりすることにより不良品の作りこみ防止が可能なブラズマ処 理装置に適している。

Claims

5冃 求 の
1 · プラズマに対向する面の少なくとも"^に開口部が設けられた導電性支 持咅附と、 己導電性支撤附の開口部に設置された片側表面にプロ一ブ電 極を有する誘電体音附とを少なくとも有することをキ纖とする窓型プローブ o
2 . 上記プロ一ブ爾亟に、 インピーダンス齡手段を接続したことを碰と する請求項 1 ΐΗ¾の窓 プローブ。
3 . 上記誘電体咅附が、光学的に透明なガラスからなることを とする請 求項 1言 の翻プローブ。
4. 上記プロ一ブ靨亟が、光学的に透明な導電性物質からなることを難と する請求項 3言 3¾の窓 プローブ。
5 . 上記導電性支キ雜材に設けた開口部が、 のぞき窓の機能を有することを 體とする請求項 1言 ¾の窓湮プローブ。
6 . 請求項 1言 ¾の窓型プローブを用いたプラズマ慰見装置において、 1 己 窓 プローブの出力端に、 ¾¾钐を計測する電圧 則部を具備してな ることを«とするプラズマ 装置。
7. 上記電圧漸計測部により検出した電圧娜の周期的な？颇の変化の不 を検出してプラズマの安定性を検出するプロセスモニタ機構を有する ことをキ糧とする請求項 6言 HIIのプラズマ監ネ藤置。
8. 上記電圧概計測部により検出した miH^の変化によりブラズマの異 常 を検出する異常 モニタ機構を有することを髓とする請求項 6記 載のプラズマ^ ¾置。
9. 請求項 6言 ¾のブラズマ慰見装置を備えたことを とするブラズマ処
1 0. 上記開口部か設けられた導電性支#^材が、 器ののぞき窓を構 成するフランジ部であり、上記誘電体き附がフランジ部を密閉する透明ガラ ス板であることを纖とする請求項 9言 のプラズマ^ a装置。
PCT/JP2003/004016 2002-04-24 2003-03-28 Sonde de type a fenetre, dispositif de surveillance a plasma et dispositif de traitement a plasma WO2003092059A1 (fr)

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EP03747203A EP1531490A4 (en) 2002-04-24 2003-03-28 WINDOW TYPE PROBE, PLASMA MONITORING DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE
US10/512,141 US20050194094A1 (en) 2002-04-24 2003-03-28 Window type probe, plasma monitoring device, and plasma processing device
KR1020047016922A KR100582013B1 (ko) 2002-04-24 2003-03-28 윈도우 타입 프로브, 플라즈마 감시장치, 및, 플라즈마처리장치

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WO (1) WO2003092059A1 (ja)

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7960670B2 (en) 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
JP2005277397A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US7292045B2 (en) * 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
JP4673601B2 (ja) * 2004-10-27 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7334477B1 (en) * 2004-12-22 2008-02-26 Lam Research Corporation Apparatus and methods for the detection of an arc in a plasma processing system
JP5094002B2 (ja) 2005-09-06 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法
JP2008115460A (ja) * 2006-10-12 2008-05-22 Canon Inc 半導体素子の形成方法及び光起電力素子の形成方法
JP4997925B2 (ja) 2006-11-08 2012-08-15 日新電機株式会社 シリコンドット形成方法及び装置並びにシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置
JP4882916B2 (ja) * 2007-08-21 2012-02-22 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置におけるプラズマ放電状態監視方法
JP5012317B2 (ja) * 2007-08-21 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ放電状態監視装置
JP5012316B2 (ja) * 2007-08-21 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US8585862B2 (en) 2007-08-21 2013-11-19 Panasonic Corporation Plasma processing device and plasma discharge state monitoring device
DE112008001663T5 (de) 2007-08-21 2010-07-22 Panasonic Corp., Kadoma Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Überwachen des Plasmaentladungszustands in einer Plasmaverarbeitungsvorrichtung
JP5012318B2 (ja) * 2007-08-21 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP4882917B2 (ja) * 2007-08-21 2012-02-22 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP4983575B2 (ja) * 2007-11-30 2012-07-25 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20090308734A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Schneider Automation Inc. Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
JP5012701B2 (ja) * 2008-07-02 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法
TWI511622B (zh) * 2008-07-07 2015-12-01 Lam Res Corp 用來偵測電漿處理腔室中之原位電弧事件的被動電容耦合靜電探針裝置
KR101606736B1 (ko) * 2008-07-07 2016-03-28 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 불안정성을 검출하기 위한 패시브 용량성-결합된 정전식 (ｃｃｅ) 프로브 장치
JP5353265B2 (ja) * 2009-01-26 2013-11-27 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP5353266B2 (ja) 2009-01-26 2013-11-27 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP5942213B2 (ja) * 2009-01-26 2016-06-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置
US8466697B2 (en) * 2009-04-28 2013-06-18 Lam Research Corporation Arrangements for detecting discontinuity of flexible connections for current flow and methods thereof
JP5136514B2 (ja) * 2009-05-26 2013-02-06 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101042985B1 (ko) * 2009-10-15 2011-06-21 주식회사 포스코아이씨티 전압 기준값 변동을 이용한 스파크 제어 장치 및 방법
KR101105803B1 (ko) * 2009-11-30 2012-01-17 주식회사 포스코아이씨티 스파크 제한 제어 장치 및 방법
KR101105802B1 (ko) * 2009-11-30 2012-01-17 주식회사 포스코아이씨티 가변 기울기를 이용한 스파크 제한 제어 장치 및 방법
US8889021B2 (en) * 2010-01-21 2014-11-18 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing device and method for plasma chamber
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
CN102856149A (zh) * 2011-06-27 2013-01-02 东京毅力科创株式会社 异常检测装置和异常检测方法
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
KR20140137172A (ko) * 2013-05-22 2014-12-02 최대규 자기 관리 기능을 갖는 원격 플라즈마 시스템 및 이의 자기 관리 방법
DE102013110722A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Plasma-ionengestütztes Beschichtungsverfahren und Plasmasonde
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
KR102417178B1 (ko) * 2015-09-03 2022-07-05 삼성전자주식회사 마이크로파 탐침, 그 탐침을 구비한 플라즈마 모니터링 시스템, 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
KR102439682B1 (ko) 2017-01-18 2022-09-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고속 이미징에 의한 플라즈마 파라미터들 및 스큐 특성화
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
KR102111206B1 (ko) * 2017-09-05 2020-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 프로브 장치 및 플라즈마 처리 장치
JP7026578B2 (ja) * 2017-09-05 2022-02-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマプローブ装置及びプラズマ処理装置
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7175238B2 (ja) * 2019-05-13 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 電界センサ、表面波プラズマ源、および表面波プラズマ処理装置
JP7440746B2 (ja) 2020-01-15 2024-02-29 日新電機株式会社 プラズマ源及びプラズマ処理装置
JP2021118045A (ja) * 2020-01-22 2021-08-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ観測システム及びプラズマ観測方法
CN117837273A (zh) 2021-08-31 2024-04-05 京瓷株式会社 耐等离子层叠体、其制造方法和等离子处理装置
WO2023043235A1 (ko) * 2021-09-17 2023-03-23 주식회사 플라즈맵 플라즈마 표면 처리를 위한 장치
KR102570106B1 (ko) * 2021-09-17 2023-08-24 주식회사 플라즈맵 플라즈마 표면 처리를 위한 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0364897A (ja) * 1989-08-02 1991-03-20 Mitsui Toatsu Chem Inc プラズマパラメーターの測定方法
JPH03185825A (ja) * 1989-12-15 1991-08-13 Hitachi Ltd 半導体ウェハ処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US5173443A (en) * 1987-02-13 1992-12-22 Northrop Corporation Method of manufacture of optically transparent electrically conductive semiconductor windows
US5339039A (en) * 1992-09-29 1994-08-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Langmuir probe system for radio frequency excited plasma processing system
JP3045444B2 (ja) * 1993-10-20 2000-05-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびその制御方法
US5576629A (en) * 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
FR2738984B1 (fr) * 1995-09-19 1997-11-21 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma
JPH09139377A (ja) * 1995-11-13 1997-05-27 Fujitsu Ltd ドライエッチングの終点検出方法及び装置
US5942889A (en) * 1997-06-20 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage
US6356097B1 (en) * 1997-06-20 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage
JP3497091B2 (ja) * 1998-07-23 2004-02-16 名古屋大学長 プラズマ生成用高周波パワーの制御方法、およびプラズマ発生装置
JP4162773B2 (ja) * 1998-08-31 2008-10-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および検出窓
JP4619468B2 (ja) * 1999-03-25 2011-01-26 株式会社東芝 プラズマ処理方法、プラズマ処理装置およびプラズマモニタリング装置
US6409896B2 (en) * 1999-12-01 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor wafer process monitoring
JP2001203097A (ja) * 2000-01-17 2001-07-27 Canon Inc プラズマ密度計測装置および方法並びにこれを利用したプラズマ処理装置および方法
JP4633881B2 (ja) * 2000-02-21 2011-02-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
JP3631212B2 (ja) * 2002-02-14 2005-03-23 ファブソリューション株式会社 異常放電検出装置及び方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0364897A (ja) * 1989-08-02 1991-03-20 Mitsui Toatsu Chem Inc プラズマパラメーターの測定方法
JPH03185825A (ja) * 1989-12-15 1991-08-13 Hitachi Ltd 半導体ウェハ処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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