WO2003086032A1 - Source de plasma ecr et dispositif a plasma ecr - Google Patents

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WO2003086032A1
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ecr
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plasma generation
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Seitaro Matsuo
Toshiyuki Nozaki
Fumio Tanaka
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Ntt Afty Corporation
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    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • the present invention relates to an ECR plasma source and an ECR plasma apparatus, and more particularly, to an ECR plasma source capable of generating a uniform plasma density in a substantially rectangular cross section and an ECR plasma apparatus using the same.
  • An ECR (Electr on Cyclotr on Res on anc e) plasma source can generate a high-density plasma uniformly in a plasma generation chamber. It is used as a plasma source for sputtering equipment and etching equipment for devices and LSIs.
  • An ECR plasma source is composed of a plasma generation chamber, a magnetic coil, and a microwave introduction unit.
  • conventional ECR sputtering equipment and etching equipment mainly process wafer-shaped circular samples that have been left still.
  • the ECR plasma sources provided in these devices consisted of a plasma generation chamber with a circular cross section in a plane perpendicular to the plasma flow, and a wound coil with a circular cross section in a plane perpendicular to the plasma flow. It consisted of a wired magnetic coil and a microwave introduction part having a structure to introduce a microphone mouth wave from a microphone mouth wave waveguide directly or by a branch coupling method (for example, Japanese Patent No. 1553959). Or Amanzawa et al., "High-quality thin film formation using ECR plasma", Journal of the Japan Society of Precision Engineering, Vo 1.66, No. 4, 511 (2001)).
  • a branch-coupling method is often used to prevent target particles from contaminating a microwave introduction window (usually a quartz plate is used). You.
  • FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining an example of the configuration of an etching apparatus having a conventional ECR plasma source having a circular cross section.
  • FIG. 5A is a top view, and FIG. It is sectional drawing in B-VB one.
  • plasma generated in the plasma generation chamber 70 is disposed in the sample chamber 11 via the plasma extraction opening 14.
  • the irradiated sample 100 is irradiated.
  • the plasma generated in the plasma generation chamber 70 generates a downward plasma flow from the plasma generation chamber 70 to the sample 100 as shown in FIG. 5B.
  • the plasma generation chamber 70 has a circular cross section in a plane perpendicular to the plasma flow in consideration of the shape of the sample 100 to be processed.
  • the magnetic coils 80 and 81 are wound in a circular shape in a plane perpendicular to the plasma flow, and are designed to generate a magnetic field satisfying the ECR condition at a predetermined position in the plasma generation chamber 70. ing.
  • Microwaves are introduced into the plasma generation chamber 70 from the microwave waveguide 90 via the microwave introduction window 91 (usually a quartz window is used), and the microwave oscillating electric field generates a magnetic field. It is said that electrons are accelerated efficiently.
  • FPD Fluorescence Panel Disp 1 ay
  • liquid crystal displays such as liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL (Electro Liminescence) displays
  • organic EL Electro Liminescence
  • the present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to provide an ECR plasma source capable of generating a uniform plasma density in a substantially rectangular cross section, and an ECR plasma using the same. It is to provide a device.
  • the present invention provides an ECR plasma source, which generates plasma using electron cyclotron resonance (ECR) using microwaves and extracts a plasma flow from an opening.
  • ECR electron cyclotron resonance
  • For generating a static magnetic field in the plasma generation chamber at least one magnetic field generation means wound with a magnetic coil for generating a static magnetic field in the plasma generation chamber, and a microphone mouth wave transmitted from the microphone mouth wave transmission means.
  • the magnetic coil of the magnetic field generating means is wound in a substantially rectangular shape in a plane perpendicular to the direction of the plasma flow.
  • the end is terminated so as to form a hollow waveguide forming a standing wave of the microphone mouth wave inside the microphone mouth wave introducing means, and at least one opening is provided inside the waveguide.
  • a plurality of aperture regions having portions are provided at intervals corresponding to the guide wavelength ⁇ g of the standing wave of microwaves, and microwaves having the same phase are introduced into the plasma generation chamber through the apertures.
  • a second invention is an ECR plasma source, comprising: a plasma generation chamber for generating plasma using electron cyclotron resonance (ECR) using an electron salomike mouth wave using microwaves and extracting a plasma flow from an opening.
  • ECR electron cyclotron resonance
  • a microwave introduction means for the plasma generation chamber and the plasma The opening of the plasma generation chamber has a substantially rectangular cross section perpendicular to the direction of the plasma flow generated in the plasma generation chamber, and the magnetic coil of the magnetic field generating means has a surface perpendicular to the direction of the plasma flow.
  • the microwave introduction means is provided with a terminal portion having no opening, and a distance of ⁇ ⁇ (h g Z 2) (n: an integer of 3 or more) from the terminal portion.
  • a microwave cavity resonator is formed between the microwave cavity resonator and an end having a first opening provided at a distance, and at least one second opening is provided inside the microwave cavity resonator;
  • a plurality of aperture regions are provided at intervals corresponding to the guide wavelength ⁇ g of the standing wave of microwaves, and microwaves having the same phase are introduced into the plasma chamber through the second aperture.
  • the microwave introducing means includes a microphone mouth wave branching means for branching and coupling the microphone mouth wave transmitted from the microphone mouth wave transmitting means. It is characterized by having.
  • the ECR plasma apparatus of the present invention includes the above-described ECR plasma source of the present invention.
  • the ECR plasma apparatus it is also possible to provide a sample moving means, and to irradiate a substantially rectangular area of the sample surface with plasma while moving the sample by the sample moving means.
  • FIGS. 1A and 1B are diagrams for explaining the configuration of an ECR plasma source according to a first embodiment of the present invention and an ECR plasma apparatus (etching apparatus or CVD apparatus) including the ECR plasma source.
  • 1A is a top view of the apparatus
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along IB—IB ′ in FIG. 1A,
  • FIGS. 2A and 2B illustrate another configuration example of the ECR plasma source according to the first embodiment of the present invention and an ECR plasma device (etching device or CVD device) including the ECR plasma source.
  • 2A is a top view of the device
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along IIB-IIB ′ in FIG. 2A
  • FIGS. 3A and 3B are views for explaining the configuration of an ECR plasma source according to a second embodiment of the present invention and a sputtering apparatus provided with the ECR plasma source.
  • FIG. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line IIIB-IIIB ′ in FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a top view for explaining a fourth configuration example of the ECR plasma source of the present invention
  • FIGS. 5A and 5B show a configuration of an etching apparatus including a conventional ECR plasma source having a circular cross section.
  • 5A is a top view
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 5A.
  • FIGS. 1A and 1B show an ECR plasma source according to a first embodiment of the present invention, and an ECR plasma device (etching device or CVD (Chemical Vapor Deposition) device) equipped with the ECR plasma source.
  • 1A is a top view of the device
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line IB-IB in FIG. 1A.
  • the ECR plasma source is composed of a plasma generation chamber 10, magnetic coils 20 and 21 of a magnetic generator, and a microwave introduction unit 30, and the plasma generated in the plasma generation chamber 10 is in the plasma generation chamber 10. Then, a plasma flow is generated toward the sample chamber 11 via the plasma extraction opening 14 and is irradiated to the sample 40 arranged in the sample chamber 11.
  • a sample moving mechanism (not shown) is provided to enable processing of the entire surface of a large sample such as an FPD. The sample moving mechanism moves the sample 40 inside the sample chamber 11 at a predetermined speed. By processing while moving in the direction of the arrow, the entire surface of the sample is processed.
  • the plasma generation chamber 10 is for generating plasma using the ECR and extracting a plasma flow from the plasma extraction opening 14 which is an opening thereof.
  • the plasma generation chamber 10 and the plasma extraction opening 14 are both
  • the cross-sectional shape perpendicular to the direction of the plasma flow generated in the plasma generation chamber 10 has a substantially rectangular shape, which makes it possible to form a substantially rectangular plasma flow irradiation region on the sample 40. .
  • the shape of “substantially rectangular” used throughout the present specification broadly means a shape similar to a rectangle in addition to the original rectangle.
  • the four corners are moderately rounded.
  • Shape, etc. The ratio of the length of the long side to the length of the short side constituting the contour of this shape is not particularly limited, and may include a shape in which the lengths of the four sides are equal. It goes without saying that this shape can be appropriately set according to the specifications of the apparatus determined from the size of the sample to be processed by the ECR plasma apparatus of the present invention, the processing content, and the like.
  • the magnetic coils 20 and 21 of the magnetic field generator for generating a static magnetic field in the plasma generation chamber 10 are wound in a substantially rectangular shape in a plane perpendicular to the direction of the plasma flow. A magnetic field that satisfies ECR conditions is generated at a predetermined position in the chamber 10.
  • Microwaves are introduced into the plasma generation chamber 10 from the microwave introduction part 30 through a microwave introduction window 36 made of a material such as quartz, thereby generating a magnetic field due to the oscillating electric field of the microwaves. It is said that the electrons inside are accelerated efficiently.
  • a microphone mouth wave generated by a microwave source (not shown) (using a magnetron tube or the like) is transmitted to the microwave introduction unit 30 via an isolator / matching device or the like.
  • the microphone mouth wave introducing section 30 constitutes a hollow waveguide that forms a standing wave of the microphone mouth wave therein, and the inside of the waveguide whose end face is the termination section 31 is:
  • a plurality of openings 34 are provided in series at intervals corresponding to the guide wavelength ⁇ g of the standing wave of the microphone mouth wave. Therefore, it has a structure to transmit microwaves with the same phase (in phase) into the plasma generation chamber 10.
  • the waveguide of the microwave introduction part 30 has a resonance unit 32 of length ⁇ gZ 2 without an opening 34 on the side surface and an opening 34 on the side surface in order from the terminal part 31.
  • the resonance units 33 of length ⁇ gZ 2 are alternately arranged, and have a length with an opening 34 on the side surface; standing waves formed in the resonance unit 33 of IgZ 2 are mutually separated. Since the phases are aligned, only this in-phase microwave is introduced into the plasma generation chamber 10 through the opening 34, the microwave transmission section 35, and the microwave introduction window 36, and An ECR plasma having a uniform plasma density can be generated at a predetermined position in the rectangular plasma generation chamber 10.
  • the total length of the waveguide forming the standing wave of the microphone mouthpiece introducing section 30 is 3.5 times that of, but depending on the size of the sample to be processed, It goes without saying that the entire length of the waveguide can be freely set.
  • the number of turns and the current value of the magnetic coils 20 and 21 may be designed. It goes without saying that coils can be used.
  • an etching gas such as SF 6 or CF 4 is supplied to the plasma generation chamber 10 from a gas inlet (not shown).
  • a gas inlet not shown.
  • the ECR plasma apparatus having the configuration shown in FIGS. 1A and 1B is implemented as a CVD apparatus, for example, SiH 4 , ⁇ 2 , N 2 by introducing a gas such as the plasma generating chamber 1 0, S i 0 2 (silicon oxide), S i 3 N 4 (silicon nitride), the deposition of such S i O x N y (silicon oxynitride) It can be performed uniformly.
  • the microwave introduction part 30 of the ECR plasma source shown in FIGS. 1A and 1B The end portion is terminated and a hollow waveguide that forms a standing wave of microwave is formed inside, but the configuration of the microphone mouth wave introducing section 30 is not limited to this.
  • a microwave cavity resonator may be configured.
  • the shape of the opening 34 need not be a slit, and any shape may be used as long as it can introduce microwaves in phase into the plasma generation chamber 10.
  • an opening region having a plurality of openings of an appropriate shape is provided in the guiding wavelength ⁇ It may be provided at intervals corresponding to g.
  • FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the configuration of an ECR plasma apparatus (etching apparatus or CVD apparatus) having an ECR plasma source having such a configuration
  • FIG. 2A is a top view of the apparatus
  • FIG. 2B is a sectional view taken along the line IIB-IIB ′ in FIG. 2A.
  • the basic configuration is the same as the ECR plasma apparatus shown in FIGS. 1A and 1B, except that the microwave introduction part 30 of the ECR plasma source is a microwave cavity resonator.
  • the microwave introduction part 30 shown in these figures is a terminal part 31 whose one end face is terminated by a metal plate or the like, and from this terminal part 31 ⁇ ⁇ ( ⁇ g / 2) (n: 3 or more) At the other end provided at a distance of (integer), an opening 38 of the cavity is provided by inserting a metal plate slit or the like, and these termination 31 and the opening of the cavity are provided.
  • a plurality of resonance units 3 2 connected in series with each other at a length of Ag / 2 from the terminal end 31 in the extension direction of the microwave introduction section 30 between the end provided with the section 38. , 33 i.e., the resonance unit 32 without the opening 34 on the side and the resonance unit 33 with the opening 33 on the side
  • the dotted line indicating the boundary between the resonance units 32 and 33 may be provided with a window for adjusting the susceptance, or may not be provided with a window. May be appropriately designed according to the specifications as an ECR plasma source or an ECR plasma device.
  • the opening 38 is shown by a dotted line.
  • the microwave cavity resonator is provided on the side surface (lower surface in Fig. 2B) of the in-phase part. Microwave mouth waves are transmitted into the plasma generation chamber 10 from the plurality of openings 34 that have been formed. In the configuration examples shown in FIGS. 2A and 2B, the total length of the cavity resonator is 3.5 times as large as.
  • the in-phase microwave is introduced into the plasma generation chamber 10 via the microwave transmission section 35 and the microwave introduction window 36. With such a configuration, ECR plasma having a uniform plasma density can be generated at a predetermined position in the substantially rectangular plasma generation chamber 10.
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining the configuration of an ECR plasma source according to a second embodiment of the present invention and a sputtering apparatus provided with the ECR plasma source, and FIG. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along a line IIIB-IIIB ′ in FIG. 3A.
  • the basic structure of this ECR plasma source is the same as that shown in FIGS. 2A and 2B, and is composed of a plasma generation chamber 10, magnetic coils 20 and 21, and a microwave introduction section 30.
  • the microphone mouthpiece introducing section 30 is provided with a microphone mouthpiece branching section 37 for branching and coupling the microphone mouthpiece transmitted from the microphone mouthpiece transmitting device.
  • the plasma generated in the plasma generation chamber 10 is accelerated along the lines of magnetic force and forms a plasma flow flowing toward the sample chamber 11 via the plasma extraction opening 14.
  • elements such as metals or semiconductors constituting the target 50 are sputtered and placed in the sample chamber 11. Deposited on sample 40.
  • a sample moving mechanism (not shown) is provided to enable processing of the entire surface of a large sample such as an FPD.
  • the sample moving mechanism moves the inside of the sample chamber 11 at a predetermined speed.
  • the entire sample is processed by sputtering while moving in the direction of the arrow. Deposition is performed on the surface.
  • the plasma generation chamber 10 is designed such that the cross-sectional shape in a plane perpendicular to the plasma flow is substantially rectangular, thereby forming a substantially rectangular plasma flow irradiation area on the sample 40. Is possible.
  • the magnetic coils 20 and 21 are wound in a substantially rectangular shape in a plane perpendicular to the plasma flow, and generate a magnetic field satisfying the ECR condition at a predetermined position in the plasma generation chamber 10.
  • a microphone mouth wave is introduced from a microwave introduction part 30 using a branch coupling method via a microphone mouth wave introduction window 36 made of a material such as quartz. It is said that electrons in a magnetic field are efficiently accelerated by the oscillating electric field of the microphone mouth wave.
  • the microphone mouth wave generated by a microwave source (using a magnet mouth tube or the like) not shown is connected to the microphone mouth via an isolator or a matching device.
  • the microwave transmitted to the wave branching section 37 is split by the microwave branching section 37 in two directions, left and right, and is introduced into the cavity resonators arranged on each side.
  • each cavity resonator passes the microphone in-phase wave from the side opening 34 through the microphone mouth wave transmission unit 35 and the microphone mouth wave introduction window 36. Then, it is introduced into the plasma generation chamber 10, and the microphone mouth waves from both sides are synthesized and propagated into the plasma generation chamber 10.
  • ECR plasma having a uniform plasma density can be generated at a predetermined position in the substantially rectangular plasma generation chamber 10.
  • the microwave introduction section 30 has its end face as a termination section 31, and from the termination section 31, ⁇ g, 2 (where ⁇ g is the guide wavelength)
  • a plurality of resonance units connected in series for each length of the microwave cavity resonator constitute a microphone cavity resonator, which is provided on the side (left or right side in Fig. 3B) of the in-phase part of these microwave resonators.
  • Microwaves are transmitted from the plurality of openings 34 into the plasma generation chamber 10.
  • the total length of each of the left and right cavity resonators is 3.5 times ⁇ g.
  • An opening 38 is provided at the end of each of the left and right cavity resonators by inserting a metal plate slit or the like, and a resonance unit without an opening 34 on the side surface is provided in order from the terminal 31.
  • the nits 32 and the resonance units 33 having openings 34 on the side face are alternately arranged.
  • three resonance units 33 each having an opening 34 on the side surface are provided, and the microwaves inside these resonance units 33 become in-phase standing waves. From 34, microwaves in phase are transmitted to the microwave transmission unit 35. Then, the microwaves transmitted through the left and right microwave transmission sections 35 are introduced into the plasma generation chamber 10 via the microwave introduction window 36 and synthesized. With such a configuration, an ECR plasma having a uniform plasma density can be generated at a predetermined position in the substantially rectangular plasma generation chamber 10.
  • the branch-coupled ECR plasma source shown in FIGS. 3A and 3B can be used in an etching apparatus or a CVD apparatus.
  • the total length of each of the left and right cavity resonators is 3.5 times ⁇ g, but the total length of the cavity resonator can be set freely according to the size of the sample to be processed. Needless to say, this is possible.
  • the ECR plasma source with the configuration shown in Fig. 4 is a branch-coupling type plasma source similar to the ECR plasma source provided in the sputtering apparatus shown in Figs. 3A and 3B, and the length of each of the left and right resonators is Is 5.5 times longer than g, and is approximately 1.6 times wider than the ECR plasma source provided in the sputtering system shown in Figs. 3A and 3B. Processing becomes possible.
  • the number of the resonance units having the length of ⁇ g Z 2 can be adjusted to form a substantially rectangular cross section having a desired size. it can.
  • the number of turns and the current value of the magnetic coils 20 and 21 may be designed in order to form a magnetic field satisfying the ECR condition at a predetermined position of the plasma generation chamber 10. It goes without saying that a plurality of magnetic coils can be used.
  • gases such as ⁇ 2 and N 2 are introduced into the plasma generation chamber 10 from a gas inlet (not shown), and Si, A by the target 5 0, such as one sputtering evening, S i 0 2, S i 3 N 4, a 1 2 0 3, AIN thin film forming of a sample, such as can be easily performed.
  • a thin film can be uniformly formed on the entire surface of a large sample.
  • the ECR plasma source is formed into a plasma generation chamber having a substantially rectangular cross section in a plane perpendicular to the plasma flow, and a substantially rectangular shape in a plane perpendicular to the plasma flow. It is composed of a wound magnetic coil and a waveguide cavity with a terminated end or a microwave cavity resonator composed of a plurality of resonance units terminated in series and connected in series. Alternatively, a plurality of apertures provided on the side of the in-phase portion of the microwave cavity resonator, and so on, transmit in-phase microwaves into the plasma generation chamber, so that a uniform plasma density is generated in a substantially rectangular cross section. It is possible to provide an ECR plasma source that can be obtained.
  • the microwave introduction section of the ECR plasma source is configured to branch and couple the microphone mouth wave transmitted from the microwave transmitter tube, so that the microphone mouth wave introduction window is not stained and the sputtering is performed without contamination. Processing can be executed.
  • the ECR plasma apparatus includes the above-described ECR plasma source as a plasma source, and further includes a sample moving mechanism for moving a large sample. It is possible to provide an RCR plasma apparatus that can easily perform processing such as sputtering and etching even for large samples.

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Description

明 細 書
E C Rプラズマ源および E C Rブラズマ装置 技術分野
本発明は、 ECRプラズマ源および EC Rプラズマ装置に関し、 より詳細には、 略矩形断面において一様なプラズマ密度を発生させ得る E C Rプラズマ源および それを用いた EC Rプラズマ装置に関する。 背景技術
ECR (E l e c t r on Cyc l o t r on Re s on anc e)プラス マ源は、プラズマ生成室中に高密度のプラズマを均一に発生させることができるた め、半導体レーザ、 S AW (Su r f ac e Ac ou s t i c Wave) デバ イス、 L S Iなどに対するスパッタリング装置やエッチング装置のプラズマ源とし て用いられている。
ECRプラズマ源は、 プラズマ生成室と、 磁気コイルと、 マイクロ波導入部とか ら構成されているが、従来の EC Rスパッタリング装置やエッチング装置では、主 として静置させたウェハー状の円形試料を処理対象としていたため、これらの装置 に備えられる E CRプラズマ源は、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円形のプ ラズマ生成室と、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円形の巻き線せられた磁気 コイルと、マイク口波をマイク口波導波管から直接あるいは分岐結合方式により導 入する構造のマイクロ波導入部とから構成されていた（例えば、 日本国特許第 15 53959号明細書、あるいは、天沢ら" ECRプラズマを用いた高品質薄膜形成", 精密工学会誌 Vo 1. 66， No. 4, 511 (2001) 参照）。
特に、 スパッタリング装置の場合は、 ターゲット粒子がマイクロ波導入窓（通常 は石英板が用いられる） を汚染するのを防ぐために、分岐結合方式がよく利用され る。
図 5 Aおよび図 5 Bは、円形断面を有する従来の E C Rプラズマ源を備えるエツ チング装置の構成例を説明するための図で、 図 5 Aは上面図、 図 5 Bは図 5 Aの V B-VB一における断面図である。
図 5 Aおよび図 5 Bで示した構成の従来の ECRプラズマ源を備えるエツチン グ装置では、 プラズマ生成室 70内で生成されたプラズマが、 プラズマ引出し開口 14を経由して試料室 11内に配置された試料 100に照射される。 この場合、 プ ラズマ生成室 70内で生成されたプラズマは、 図 5 Bに示すように、 プラズマ生成 室 70から試料 100へと向かう下向きのプラズマ流を生じる。
プラズマ生成室 70は、処理する試料 100の形状を考慮して、 このプラズマ流 に垂直な面内の断面形状が円形となる形状とされている。 また、磁気コイル 80、 81は、 プラズマ流に垂直な面内で円形に巻き線せられており、 プラズマ生成室 7 0内の所定の位置に EC R条件となる磁場を生成するように設計されている。ブラ ズマ生成室 70内には、 マイクロ波導波管 90からマイクロ波導入窓 91 (通常は 石英窓が利用される） を経由してマイクロ波が導入され、マイクロ波の振動電界に より磁場中の電子を効率的に加速することとされている。
近年開発が進んでいる液晶ディスプレイ、 プラズマディスプレイ、 有機 EL(E l e c t r o L i m i n e s c e n c e)ディスプレイなどの、 いわゆる FPD (F l a t P ane l D i s p 1 a y)装置では、例えば 50 c mX 60 c m 程度の大型の試料に対して、スパッタリングゃエッチングを施すことが要求されて いる。
しかしながら、 このような処理を、プラズマ生成室がプラズマ流に垂直な面内で 円形断面を有する従来の E CRプラズマ源で対応するためには、その直径を拡大す る必要が生じ、 その場合、 （1) プラズマ生成室や磁気コイルが大型化して EC R プラズマ源が非常に高価なものとなってしまうこと、 および、 （2) 円形断面を有 する E C Rプラズマ源では、略矩形の大型 F P D試料の均一なスパッ夕リングゃェ ツチングが困難であること、 などの問題があった。 発明の開示
本発明は、 このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、 略矩形断面において一様なプラズマ密度を生じさせることが可能な E C Rプラズ マ源およびそれを用いた E C Rプラズマ装置を提供することにある。
本発明は、 このような目的を達成するために、 第 1の発明は、 E C Rプラズマ源 であって、 マイクロ波による電子サイクロトロン共鳴（E C R) を用いてプラズマ を生成し開口部からプラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、当該ブラズマ 生成室内に静磁界を発生せしめるための磁気コイルを巻回された少なくとも 1つ の磁界発生手段と、マイク口波発信手段から伝送されたマイク口波を前記プラズマ 生成室内に導入するためのマイクロ波導入手段とを備え、前記プラズマ生成室およ び当該プラズマ生成室の開口部は、前記プラズマ生成室内で生成するブラズマ流の 方向に垂直な断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プ ラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形形状に巻回されており、前記マイク口波導入 手段は、当該マイク口波導入手段の内部にマイク口波の定在波を形成する中空の導 波管を構成するように端部が終端され、当該導波管の内部には、少なくとも 1つの 開口部を有する複数の開口領域がマイクロ波の定在波の管内波長 λ gに相当する 間隔で設けられ、当該開口部を介して同相のマイクロ波を前記プラズマ生成室内へ 導入させるようにしたことを特徴とする。 .'
また、 第 2の発明は、 E C Rプラズマ源であって、 マイクロ波による電子サロマ イク口波による電子サイクロトロン共鳴（E C R) を用いてプラズマを生成し開口 部からプラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、当該プラズマ生成室内に静 磁界を発生せしめるための磁気コイルを巻回された少なくとも 1つの磁界発生手 段と、マイク口波発信手段から伝送されたマイク口波を前記プラズマ生成室内に導 入するためのマイクロ波導入手段とを備え、前記プラズマ生成室および当該プラズ マ生成室の開口部は、前記プラズマ生成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な 断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プラズマ流の方 向に垂直な面内で略矩形形状に巻回されており、前記マイクロ波導入手段は、開口 部を有しない終端部と、 当該終端部から η · (久 g Z 2 ) ( n： 3以上の整数） の距 離に設けられた第 1の開口部を有する端部との間でマイクロ波空洞共振器を構成 しており、 当該マイクロ波空洞共振器の内部には、少なくとも 1つの第 2の開口部 を有する複数の開口領域がマイクロ波の定在波の管内波長 λ gに相当する間隔で 設けられ、当該第 2の開口部を介して同相のマイクロ波を前記プラズマ室内へ導入 させるようにしたことを特徴とする。
また、第 3の発明は、 上述の本発明の E C Rプラズマ源において、 前記マイクロ 波導入手段は、前記マイク口波発信手段から伝送されたマイク口波を分岐結合する ためのマイク口波分岐手段を備えていることを特徴とする。
さらに、本発明の E C Rプラズマ装置は、上述の本発明の E C Rプラズマ源を備 えていることを特徼とする。 なお、 このような E C Rプラズマ装置において、 さら に試料移動手段を備えるようにし、当該試料移動手段により試料を移動させながら 当該試料表面の略矩形領域にプラズマ照射するようにすることも可能である。 図面の簡単な説明
図 1 Aおよび図 1 Bは、本発明の第 1の実施形態にかかる E C Rプラズマ源、お よびこの E C Rプラズマ源を備える E C Rプラズマ装置（ェツチング装置あるいは C VD装置） の構成を説明するための図で、 図 1 Aは装置の上面図であり、 図 1 B は図 1 A中の I B— I B 'における断面図、
図 2 Aおよび図 2 Bは、本発明の第 1の実施形態にかかる E C Rプラズマ源、お よびこの E C Rプラズマ源を備える E C Rプラズマ装置（エツチング装置あるいは C VD装置）の他の構成例を説明するための図で、 図 2 Aは装置の上面図であり、 図 2 Bは図 2 A中の I I B— I I B 'における断面図、 図 3 Aおよび図 3 Bは、本発明の第 2の実施形態にかかる EC Rプラズマ源、お よびこの E C Rプラズマ源を備えるスパッタリング装置の構成を説明するための 図で、 図 3 Aはスパッタリング装置の上面図であり、図 3 Bは図 3 A中の I I I B - I I I B 'における断面図、
図 4は、 本発明の ECRプラズマ源の第 4の構成例を説明するための上面図、 図 5 Aおよび図 5 Bは、円形断面を有する従来の E C Rプラズマ源を備えるエツ チング装置の構成を説明するための図で、 図 5 Aは上面図、 図 5Bは図 5Aの VB -VB一における断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 図面を参照して、本発明の E C Rプラズマ源および E C プラズマ装置 について詳細に説明する。
[第 1の実施の形態]
図 1 Aおよび図 1 Bは、本発明の第 1の実施形態にかかる E CRプラズマ源、お よびこの E C Rプラズマ源を備える E C Rプラズマ装置（エツチング装置あるいは CVD (Chemi c a l Vapo r D e p o s i t i o n)装置） の構成を 説明するための図で、 図 1 Aは装置の上面図であり、 図 1 Bは図 1 A中の I B— I B一における断面図である。
ECRプラズマ源は、 プラズマ生成室 10と、磁気発生装置の磁気コイル 20、 21と、マイクロ波導入部 30とから構成されており、 プラズマ生成室 10で生成 されたプラズマは、 プラズマ生成室 10内で加1され、 プラズマ引出し開口 14を 経由して試料室 11へと向かうプラズマ流が生じ、試料室 11内に配置されている 試料 40へと照射される。本実施形態では、 FPDなどの大型試料全面の処理を可 能とするために、 図示していない試料移動機構を備え、試料 40は、 この試料移動 機構により試料室 1 1内を所定の速度で矢印方向に移動しながら処理されること で試料全面の処理が行われる。 プラズマ生成室 1 0は、 E C Rを用いてプラズマを生成しその開口部であるブラ ズマ引出し開口 1 4からプラズマ流を取り出すためのもので、プラズマ生成室 1 0 とプラズマ引出し開口 1 4は、共に、 プラズマ生成室 1 0内で生成するプラズマ流 の方向に垂直な断面形状が略矩形を有し、 これにより、試料 4 0上に略矩形のブラ ズマ流照射領域を形成することを可能としている。
なお、 本明細書全体を通じて用いられる 「略矩形」 という形状は、 本来の矩形の 他、 矩形に類似する形状を広く意味するものであり、 例えば、 その 4つの角が適度 な丸みを帯びて'いる形状等であってもよい。 また、 この形状の輪郭を構成する長辺 と短辺の長さの比についても特に制限はなく、 さらに、 4辺の長さを等しくした形 状をも含み得るものである。 この形状をいかなるものとするかは、本発明の E C R プラズマ装置により処理される試料の大きさや処理内容等から定められる装置の 仕様によって適宜設定可能であることは言うまでもない。
プラズマ生成室 1 0内に静磁界を発生せしめるための磁界発生装置の磁気コィ ル 2 0、 2 1は、 プラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形に巻き線せられており、 プラズマ生成室 1 0内の所定の位置に E C R条件となる磁場を生成する。
プラズマ生成室 1 0内には、マイクロ波導入部 3 0から、石英などの材料からな るマイクロ波導入窓 3 6を経由してマイクロ波が導入され、 これにより、マイクロ 波の振動電界により磁場中の電子を効率的に加速することとされている。なお、 こ のマイクロ波導入部 3 0へは、 図示していないマイクロ波源（マグネトロン管等を 利用）で発生させたマイク口波が、 アイソレータゃ整合器等を介して伝送されてい る。
マイク口波導入部 3 0は、その内部にマイク口波の定在波を形成する中空の導波 管を構成しており、その端面を終端部 3 1とする導波管の内部には、 この導波管の 伸長方向に、マイク口波の定在波の管内波長 λ gに相当する間隔で複数の開口部 3 4 (この図ではスリット状） が直列に設けられ、 この伝送部 3 5から、 プラズマ生 成室 1 0内へと位相の揃った （同相の） マイクロ波を伝送する構造となっている。 すなわち、 このマイクロ波導入部 3 0の導波管には、 終端部 3 1から順に、 側面 に開口部 3 4の無い長さ λ gZ 2の共振ュニット 3 2、側面に開口部 3 4の有る長 さ λ gZ 2の共振ユニット 3 3、が交互に配置されており、側面に開口部 3 4の有 る長さ； I gZ 2の共振ュニット 3 3内に形成されている定在波は互いに位相が揃 うこととなるため、 この同相のマイクロ波のみが、 開口部 3 4、 マイクロ波伝送部 3 5、マイクロ波導入窓 3 6を経由してプラズマ生成室 1 0内に導入され、略矩形 のプラズマ生成室 1 0内の所定の位置に、一様なプラズマ密度をもつ E C Rプラズ マを生成することができる。
ここで示した構成例では、マイク口波導入部 3 0の定在波を形成する導波管の全 長は の 3 . 5倍となっているが、処理する試料の大きさに応じて、 導波管の全 長を自由に設定可能であることは言うまでもない。 また、磁気コイル 2 0、 2 1は、 プラズマ生成室 1 0の所定の位置に E C R条件となる磁場を形成させるために、巻 き数、 電流値、 を設計すればよく、 単数または複数の磁気コイルを用いることがで きるのは言うまでもない。
図 1 Aおよび図 1 Bで示した構成の E C Rプラズマ装置を、エッチング装置とし て実施する場合では、 図示していないガス導入口から S F 6、 C F 4などのエッチ ングガスをプラズマ生成室 1 0に導入することにより、 S iなどの試料のエツチン グを容易に行うことができる。また、大型試料を所定の速度で移動させながらエツ チングを行なうことにより、大面積の試料全面を均一にエッチング処理することが 可能となる。
また、 図 1 Aおよび図 1 Bで示した構成の E C Rプラズマ装置を、 C VD装置と して実施する場合では、 図示していないガス導入口から、 例えば S i H 4、 〇2、 N 2などのガスをプラズマ生成室 1 0に導入することにより、 S i 02 (酸化珪素）、 S i 3 N4 (窒化珪素)、 S i OxN y (酸窒化珪素） などの成膜を均一に行なうこと が可能となる。
なお、図 1 Aおよび図 1 Bで示した E C Rプラズマ源のマイクロ波導入部 3 0は、 端部が終端されその内部にマイクロ波の定在波を形成する中空の導波管で構成す ることとしているが、マイク口波導入部 3 0の構成はこれに限定されるものではな く、 例えば、 マイクロ波空洞共振器を構成すること等としてもよい。
また、 開口部 3 4の形状もスリット状である必要はなく、 同相のマイクロ波をプ ラズマ生成室 1 0内へ導入し得る形状であれば良く適宜設計が可能である。
さらに、開口部 3 4をマイク口波の定在波の管内波長 λ g毎に設ける配置方法の 他、適当な形状の開口部を複数有する開口領域を、マイクロ波の定在波の管内波長 λ gに相当する間隔毎に設けることとしても良い。
図 2 Aおよび図 2 Bは、このような構成の E C Rプラズマ源を備える E C Rブラ ズマ装置（エッチング装置あるいは C VD装置） の構成を説明するための図で、 図 2 Aは装置の上面図であり、図 2 Bは図 2 A中の I I B— I I B 'における断面図 である。基本構成は図 1 Aおよび図 1 Bで示した E C Rプラズマ装置と同様である が、 E C Rプラズマ源のマイクロ波導入部 3 0をマイクロ波空洞共振器としている。 これらの図に示したマイクロ波導入部 3 0は、一方の端面を金属板等で終端した 終端部 3 1とし、 この終端部 3 1から η · (λ g / 2 ) ( n： 3以上の整数） の距離 に設けられた他方の端部には金属板スリッ卜等を挿入等することで空洞共振器の 開口部 3 8が設けられており、これら終端部 3 1と空洞共振器の開口部 3 8が設け られた端部との間に、マイクロ波導入部 3 0の伸長方向に、終端部 3 1から A g / 2の長さ毎に直列に接続された複数の共振ユニット 3 2、 3 3 (すなわち、 側面に 開口部 3 4の無い共振ュニッ卜 3 2と側面に開口部 3 3の有る共振ュニッ卜 3 3 ) を交互に設けることでマイク口波空洞共振器が構成されている。
図 2 Aにおいて、共振ュニット 3 2と共振ュニット 3 3との境界を示す点線部に は、サセプ夕ンスを調整するための窓を設ける場合と、特に窓を設けない場合とが あり、その構造は、 E C Rプラズマ源あるいは E C Rプラズマ装置としての仕様に 応じて適宜設計すれば良い。 なお、 図 2 Bには、 開口部 3 8を点線で示した。
そして、 このマイクロ波空洞共振器の同相部の側面 （図 2 Bでは下面） に設けら れた複数の開口部 3 4力 ^ら、プラズマ生成室 1 0内へとマイク口波を伝送する構造 となっている。 なお、 図 2 Aおよび図 2 Bで示した構成例では、 空洞共振器の全長 は の 3 . 5倍となっている。
この空洞共振器では、側面に開口部 3 4のある共振ユニット 3 3が 3つ設けられ ているが、 これらの内部のマイクロ波は同相の定在波となるから、側面の開口部 3 4からは同相のマイクロ波がマイクロ波伝送部 3 5、マイクロ波導入窓 3 6を経由 してプラズマ生成室 1 0に導入される。 このような構成により、略矩形のプラズマ 生成室 1 0内の所定の位置に、一様なプラズマ密度をもつ E C Rプラズマを生成す ることができる。
[第 2の実施の形態]
図 3 Aおよび図 3 Bは、本発明の第 2の実施形態にかかる E C Rプラズマ源、お よびこの E C Rプラズマ源を備えるスパッタリング装置の構成を説明するための 図で、 図 3 Aはスパッタリング装置の上面図であり、 図 3 Bは図 3 A中の I I I B - I I I B 'における断面図である。
この E C Rプラズマ源の基本構造は図 2 Aおよび図 2 Bで示したものと同様で あり、 プラズマ生成室 1 0と、 磁気コイル 2 0、 2 1と、 マイクロ波導入部 3 0と から構成されるが、マイク口波導入部 3 0にはマイク口波発信装置から伝送された マイク口波を分岐結合するためのマイク口波分岐部 3 7が備えられている。
プラズマ生成室 1 0で生成されたプラズマは、磁力線に沿って加速されプラズマ 引出し開口 1 4を経由して試料室 1 1へと向かうプラズマ流となる。プラズマ流の 周囲に配置した夕一ゲット 5 0に D Cまたは R F電力を印加することで、ターゲッ 卜 5 0を構成する金属あるいは半導体などの元素がスパッ夕され、試料室 1 1内に 配置されている試料 4 0に堆積する。
本実施形態では、 F P Dなどの大型試料全面の処理を可能とするために、 図示し ていない試料移動機構を備え、試料 4 0は、 この試料移動機構により試料室 1 1内 を所定の速度で矢印方向に移動しながらスパッタリング処理されることで試料全 面に堆積が行われる。
プラズマ生成室 1 0は、プラズマ流に垂直な面内での断面形状が略矩形となるよ うに設計されており、 これにより、試料 4 0上に略矩形のプラズマ流照射領域を形 成することを可能としている。 また、 磁気コイル 2 0、 2 1は、 プラズマ流に垂直 な面内で略矩形に巻き線せられており、プラズマ生成室 1 0内の所定の位置に E C R条件となる磁場を生成する。
プラズマ生成室 1 0内には、分岐結合方式を用いたマイクロ波導入部 3 0から、 石英などの材料からなるマイク口波導入窓 3 6を経由してマイク口波が導入され、 これにより、マイク口波の振動電界により磁場中の電子を効率的に加速することと されている。
図 3 Aおよび図 3 Bで示した構成例では、 図示していないマイクロ波源（マグネ ト口ン管等を利用）で発生させたマイク口波がアイソレー夕や整合器等を介してマ イク口波分岐部 3 7に伝送され、マイクロ波は、マイクロ波分岐部 3 7により左右 2方向に分岐されて各々の側に配置された空洞共振器へと導入される。
各空洞共振器は、 図 2 Aおよび図 2 Bでも説明したように、側面の開口部 3 4か ら同相のマイク口波がマイク口波伝送部 3 5、マイク口波導入窓 3 6を経由してプ ラズマ生成室 1 0に導入され、両側からのマイク口波が合成されてプラズマ生成室 1 0内に伝播する。このような構成により略矩形のプラズマ生成室 1 0内の所定の 位置に、 一様なプラズマ密度をもつ E C Rプラズマを生成することができる。 すなわち、 このマイクロ波導入部 3 0は、 その端面を終端部 3 1とし、 マイクロ 波導入部 3 0の左右各々の伸長方向に、終端部 3 1から λ g , 2 ( λ gは管内波長） の長さ毎に直列に接続された複数の共振ュニットによりマイク口波空洞共振器を 構成し、 これらのマイクロ波空洞共振器の同相部の側面（図 3 Bでは左面または右 面） に設けられた複数の開口部 3 4から、 プラズマ生成室 1 0内へとマイクロ波を 伝送する構造となっている。なお、 図 3 Aおよび図 3 Bで示した構成例では、 左右 の空洞共振器の各々の全長は λ gの 3 . 5倍となっている。 左右の各々の空洞共振器の端部には金属板スリット等が挿入されることで開口 部 3 8が設けられており、終端部 3 1カ ら順に、側面に開口部 3 4の無い共振ュニ ッ卜 3 2、 側面に開口部 3 4の有る共振ュニット 3 3、 が交互に配置されている。 この例では、側面に開口部 3 4のある共振ュニット 3 3が 3つずつ設けられてお り、 これらの共振ュニット 3 3内部のマイクロ波は同相の定在波となるから、側面 の開口部 3 4からは同相のマイクロ波がマイクロ波伝送部 3 5に伝送される。そし て、左右のマイクロ波伝送部 3 5を伝送するマイクロ波は、マイクロ波導入窓 3 6 を経由してプラズマ生成室 1 0に導入され合成される。 このような構成により、略 矩形のプラズマ生成室 1 0内の所定の位置に、一様なプラズマ密度をもつ E C Rプ ラズマを生成することができる。
このように、分岐結合方式とすることで、大型試料のスパッタリングにおいても マイクロ波導入窓の汚染を防ぐことが可能となる。 また、 図 3 Aおよび図 3 Bで示 した分岐結合方式の E C Rプラズマ源をエツチング装置あるいは C V D装置に用 いることも可能であるのは言うまでもない。
ここで示した構成例では、左右の空洞共振器の各々の全長は λ gの 3 . 5倍とな つているが、処理する試料の大きさに応じて、空洞共振器の全長を自由に設定可能 であることは言うまでもない。
例えば、 図 4に示す構成の E C Rプラズマ源は、図 3 Aおよび図 3 Bで示したス パッタリング装置に備える E C Rプラズマ源と同様の分岐結合方式のプラズマ源 であり、 左右各々の共振器長は久 gの 5 . 5倍の長さになっており、 図 3 Aおよび 図 3 Bで示したスパッタリング装置に備える E C Rプラズマ源に比較して約 1 . 6 倍の幅をもつ略矩形試料の処理が可能となる。 このように、略矩形断面の長辺が変 化しても λ g Z 2の長さをもつ共振ュニットの数を加減することにより、目的に応 じた大きさの略矩形断面を形成することができる。
また、 磁気コイル 2 0、 2 1は、 プラズマ生成室 1 0の所定の位置に E C R条件 となる磁場を形成させるために、 巻き数、 電流値、 を設計すればよく、 単数または 複数の磁気コイルを用いることができるのは言うまでもない。
このように、 図 3 Aおよび図 3 Bで示した構成のスパッタリング装置では、図示 していないガス導入口から〇2、 N 2などのガスをプラズマ生成室 1 0に導入し、 S i、 A 1などのターゲット 5 0をスパッ夕することにより、 S i 02、 S i 3 N4、 A 1 203、 A I Nなどの試料の薄膜形成を容易に行うことができる。 また、 大型 試料を所定の速度で移動させながらスパッタリングを行なうことにより、大面積の 試料全面を均一に薄膜形成することが可能となる。
以上、 説明したように、 本発明によれば、 E C Rプラズマ源を、 プラズマ流に垂 直な面内で略矩形断面を有するプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直な面内で略矩 形形状に巻き線せられた磁気コイルと、端部が終端された導波管または端部が終端 されて直列に接続された複数の共振ュニットからなるマイクロ波空洞共振器とで 構成し、この導波管またはマイクロ波空洞共振器の同相部側面に設けられた複数の 開口部力、ら、 プラズマ生成室内へ同相のマイクロ波を伝送することとしたので、略 矩形断面において一様なプラズマ密度を発生させ得る E C Rプラズマ源を提供す ることが可能となる。
また、 本発明によれば、 E C Rプラズマ源のマイクロ波導入部を、 マイクロ波発 信管から伝送されたマイク口波を分岐結合する構造としたので、マイク口波導入窓 が汚れることなくスパッタリング等の処理を実行することが可能となる。
さらに、 本発明によれば、 E C Rプラズマ装置に、 プラズマ源として上述の E C Rプラズマ源を備え、 さらに、大型試料を移動させるための試料移動機構を備える こととしたので、 F P Dのような略矩形形状の大型試料に対しても容易にスパッ夕 リングゃエッチング等の処理が可能な R C Rプラズマ装置を提供することが可能 となる。

Claims

請 求 の 範 囲
マイクロ波による電子サイクロトロン共鳴（E C R) を用いてプラズマを生 成し開口部からプラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、
当該プラズマ生成室内に静磁界を発生せしめるための磁気コイルを巻回さ れた少なくとも 1つの磁界発生手段と、
マイク口波発信手段から伝送されたマイク口波を前記プラズマ生成室内に 導入するためのマイク口波導入手段とを備え、
前記プラズマ生成室および当該プラズマ生成室の開口部は、前記プラズマ生 成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面形状が略矩形を有し、 前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略 矩形形状に巻回されており、
前記マイク口波導入手段は、当該マイク口波導入手段の内部にマイク口波の 定在波を形成する中空の導波管を構成するように端部が終端され、当該導波管 の内部には、少なくとも 1つの開口部を有する複数の開口領域がマイクロ波の 定在波の管内波長 L gに相当する間隔で設けられ、当該開口部を介して同相の マイクロ波を前記プラズマ生成室内へ導入させるようにしたことを特徴とす る E C Rプラズマ源。
マイクロ波による電子サイクロトロン共鳴（E C R) を用いてプラズマを生 成し開口部からプラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、
当該プラズマ生成室内に静磁界を発生せしめるための磁気コィルを卷回さ れた少なくとも 1つの磁界発生手段と、
マイク口波発信手段から伝送されたマイク口波を前記プラズマ生成室内に 導入するためのマイク口波導入手段とを備え、
前記プラズマ生成室および当該プラズマ生成室の開口部は、前記プラズマ生 成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面形状が略矩形を有し、 前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略 矩形形状に巻回されており、
前記マイク口波導入手段は、開口部を有しない終端部と、当該終端部から η -
( A g / 2 ) ( n： 3以上の整数） の距離に設けられた第 1の開口部を有する端 部との間でマイク口波空洞共振器を構成しており、当該マイク口波空洞共振器 の内部には、少なくとも 1つの第 2の開口部を有する複数の開口領域がマイク 口波の定在波の管内波長 λ gに相当する間隔で設けられ、当該第 2の開口部を 介して同相のマイクロ波を前記プラズマ室内へ導入させるようにしたことを 特徴とする E C Rプラズマ源。
3 . 前記マイク口波導入手段は、前記マイク口波発信手段から伝送されたマイク口 波を分岐結合するためのマイクロ波分岐手段を備えていることを特徴とする 請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の E C Rプラズマ源。
4. 請求の範囲第 1項に記載の E C Rプラズマ源を備えていることを特徴とする E C Rプラズマ装置。
5 . 試料移動手段を備え、 当該試料移動手段により試料を移動させながら当該試 料表面の略矩形領域にプラズマ照射することを特徴とする請求の範囲第 4項 に記載の E C Rプラズマ装置。
6 . 請求の範囲第 2項に記載の E C Rプラズマ源を備えていることを特徴とする
E C Rプラズマ装置。
7 . 試料移動手段を備え、 当該試料移動手段により試料を移動させながら当該試 料表面の略矩形領域にプラズマ照射することを特徴とする請求の範囲第 6項 に記載の E C Rプラズマ装置。
8 . 請求の範囲第 3項に記載の E C Rプラズマ源を備えていることを特徴とする
E C Rプラズマ装置。
9 . 試料移動手段を備え、 当該試料移動手段により試料を移動させながら当該試 料表面の略矩形領域にプラズマ照射することを特徴とする請求の範囲第 8項 に記載の E C Rプラズマ装置。
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