WO2003068863A1

WO2003068863A1 - Resines de polycarbonate aromatique pour substrats de disques optiques

Info

Publication number: WO2003068863A1
Application number: PCT/JP2003/001544
Authority: WO
Inventors: Munehiro Chosa
Original assignee: Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.
Priority date: 2002-02-18
Filing date: 2003-02-14
Publication date: 2003-08-21
Also published as: US7122614B2; EP1477527A1; TWI255822B; EP1477527A4; CN1325536C; ATE420919T1; ES2316724T3; EP1477527B1; TW200303325A; DE60325832D1; JP2003238791A; CN1633470A; US20050165204A1; JP3992508B2

Description

明細書光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂技術分野

本発明は、光ビームの集光により情報の記録、再生又は記録再生、消去等を行う高密度の光記録媒体に用いられる芳香族ポリ力 —ボネート樹脂に関するものであり、更に詳しくは、本発明は、成形性、物性に優れたコンパクトディスク（音楽用 C D、 C D— R O M、 C D— R及び C D— RW) 、 MO、 MD及びデジタルバーサタィノレディスク（D V D— R OM、 D V D - R , D V D— R W及び D V D— R AM) 等の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂に関するものである。背景技術

光ディスク基板としては、芳香族ポリカーボネート樹脂、ァクリル樹脂、エポキシ樹脂及びガラス等が用いられるが、射出成形によって微細な成形が容易で、大量生産に適すること等から樹脂が主として用いられている。

更に、光ディスク基板の耐衝擊性等の強度、更には透明性、耐熱性、低吸水性等の点から芳香族ポリカーボネート樹脂が用いられている。

ところで、芳香族ポリカーボネート樹脂ペレツトの溶融押出し成形時に光ディスク基板周囲に発生したバリは、離型時に金型と擦れて浮遊塵となり光ディスク基板表面に付着したり、金型に付着して次回の光ディスク基板の成形時に基板内に混入し、成形工程後の傷欠陥検査で異物又は光学的欠陥として検出され、光ディスク基板の歩留りを下げる原因となる。

バリの発生を抑制し、円滑な離型を実現するため、離型剤を芳香族ポリカーボネート樹脂に配合することは公知である。

例えば、特開平 1 0 — 6 0 1 0 5 号公報には、炭素数 1 4 〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを 0 . 0 6 〜 0 . 1 質量％含有する光デイスク基板用芳香族ポリカーボネートが開示されている。

発明の開示

炭素数 1 4 ~ 3 0 の脂肪酸モノグリセリドの添加量が 0 . 0 6 質量％以上の場合、光ディスク基板の金型離型性が良好になることは当然である。

しかしながら、光ディスクは記録媒体として長期間、データを保存し続ける必要がある。

本発明者らの、 9 0 °C、湿度 9 0 %の恒温恒湿条件下における光ディスクを加速劣化させてその信頼性を確認したデータでは、炭素数 1 4〜 3 0の脂肪酸モノダリセリドの添加量が 0 . 0 5質量部を越えると、芳香族ポリカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥が促進される傾向はないが、樹脂の分子量が低下する傾向が認められており、情報記録の信頼性の低下につながることが判明した。

従って、炭素数 1 4 ~ 3 0 の脂肪酸モノグリセリドの添加量は極力減らし、必要以上に添加すべきではない。

—方、離型剤が少なすぎると、光ディスク基板表面に霧がかかつた様な離型斑（クラウド）が発生し、極端な場合は信号そのものにノイズとして悪影響を与えたり、金型よりの離型不良によるバリが発生し、バリが光ディスク基板表面に付着したり基板内部に混入したりして光学欠陥を増加させる。

従って、円滑な光ディスク基板の離型性と光ディスクの信頼性 (例えば、信号の読み取りエラー等）確保の両立を考慮すると、炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドの添加量には一定の許容範囲があることが判明した。

又、芳香族ポリカーボネート樹脂を押出機により溶融押出し成形するペレットの製造方法において、離型剤として用いる炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドが変性し、脂肪酸モノダリセリドのカーボネート、脂肪酸ジグリセリド及び脂肪酸トリグリセリドが生成し、光ディスク基板の成形時の離型性が低下することも判明した。

更に、この炭素数 1 4 〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドの変性を防止するには、芳香族ポリカーボネート樹脂への水の添加が有効であることを見出した。

しかしながら、添加する水質によっては、押出し成形されたぺレツトを用いて得た光ディスク基板を 9 0 °C、湿度 9 0 %の恒温恒湿条件下における加速劣化させてその信頼性を確認したデータでは芳香族ポリカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発生が促進されることも判明した。

本発明は、上記の状況下でなされたもので、成形時の歩留りが良く、且つ信頼性の高い光ディスク基板を得るためのポリカーボネート樹脂を提供することを目的とするものである。

本発明者ら、上記の目的を達成するべく鋭意努力検討した結果、芳香族ポリカーボネート樹脂に対し、炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを特定範囲量添加するとともに、特定の電気伝導率の水を添加して、該樹脂の含水量を特定範囲に調節しながら、押出し成形すると、上記問題点が一挙に解決することを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、 ( 1 ) 芳香族ポリカーボネート樹脂 1 0 0質量部に対し、炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを 0 . 0 1 5〜 0. 0 5質量部添加するとともに、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ S/ c m以下の水を添加して、該樹脂の含水量を 0. 0 5〜 0. 3質量％に調節しながら、押出し成形し、冷却、切断してペレット化してなる粘度平均分子量（M v ) 力 S 0 0 0〜 2 0， 0 0 0である光デイスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、

( 2 ) 溶融押出しされた芳香族ポリカーボネート樹脂の冷却を、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 / SZ c m以下の水を用いて行なう上記 1 に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、

( 3 ) 芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の 3 0モル％以上が p —クミノレフエノキシ基及び/又は p _ t e r t ーォクチルフエノキシ基である上記 1 に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹月旨、

( 4 ) 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（M v ) が、 1 1 ， 0 0 0〜 1 8， 0 0 0 である上記；！〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、

( 5 ) 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（ M V ) が、 1 2， 0 0 0〜 1 6， 0 0 0 である上記： L 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、

( 6 ) 月旨肪酸モノグリセリドの添加量力 S 0 . 0 2〜 0. 0 4質量部である上記 1〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂、

( 7 ) 脂肪酸モノグリセリドがステアリン酸モノグリセリドである上記 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂及び

( 8 ) 芳香族ポリカーボネート樹脂の含水量が 0. 0 5〜 0. 2質量％である上記 1〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂

に関するものである。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、末端基の 3 0 モル％以上が！）一タミルフエノキシ基及び Z又は P — t e r t —ォクチルフエノキシ基でぁリ、粘度平均分子量（M v ) が 1 0 ， 0 0 0〜 2 0， 0 0 0、好ましくは 1 1 ， 0 0 0〜 1 8 , 0 0 0 、更に好ましくは 1 2， 0 0 0〜 1 6 ， 0 0 0 のものを用いることが好ましい。

芳香族ポリカーボネート樹脂の基本構造としては、特に制限はなく種々のものが挙げられる。

通常、 2価フエノールとカーボネート前駆体との反応により製造される芳香族ポリカーボネートを用いることができる。

即ち、 2価フエノールとホスゲン等のカーボネート前駆体とを溶液法により反応させ、又は 2価フエノールとジフエニルカーボネ一ト等とをエステル交換法により反応させて製造されたものを使用することができる。

2価フエノールとしては、様々なものが挙げられるが、特に、 2 2 — ビス（ 4 ーヒドロキシフエ二ノレ）プロノ、。ン〔ビスフエノーノレ A〕、ビス（ 4 — ヒドロキシフエ二ノレ）メタン、 1 , 1 _ ビス（ 4 ーヒドロキシフエ二ノレ）ェタン、 2， 2 — ビス（ 4— ヒドロキシ一 3 ， 5 —ジメチルフエニル）プロノ、。ン、 4 , 4 ' —ジヒドロキシジフエ二ノレ、ビス（ 4 — ヒドロキシフエ二,レ）シクロアノレカン、ビス ( 4 ーヒドロキシフエニル）ォキシド、ビス（ 4 — ヒドロキシフエ二ノレ）スノレフィド、ビス（ 4 ーヒドロキシフエ二ノレ）スノレホン、ビス ( 4 ーヒドロキシフエニル）スノレホキシド、ビス（ 4 ーヒドロキシフエ二ノレ）エーテノレ及びビス（ 4 ーヒドロキシフエニル）ケトン等が挙げられる。

この他の 2価フエノールとしては、ノ、イドロキノン、レゾノレシン及ぴカテコール等が挙げられる。

これらの 2価フエノールは、それぞれ単独で用いてもよいし、 2種以上を混合して用いてもよい。

特に、好ましレ、 2価フエノールとしては、ビス（ヒドロキシフエニル）ァノレカン系、特にビスフエノール A又はビスフエノーノレ Aを主原料としたものである。

又、カーボネート前駆体としては、力ノレボニルハライド、カルボエルエステノレ、又はハロホノレメート、具体的にはホスゲン、 2価フエノーノレのジノヽ口ホーメート、ジフエ -ノレカーボネート、ジメチルカーボネート及びジェチルカーボネート等が挙げられる。

尚、ポリカーボネート樹脂は、分岐構造を有していてもよく、分岐剤としては、 1 ， 1 ， 1 — トリス（ 4 — ヒドロキシフエニル）ェタン、 α， a ' ， a " ートリス（ 4 — ビドロキシフエ二ノレ）ー 1 ， 3， 5 — トリイソプロピルベンゼン、フロログリシン、トリメリット酸及びィサチンビス（ o —クレゾール）等がある。

又、本発明に用いる芳香族ポリカーボネート樹脂としては、ポリカーボネート部とポリオルガノシロキサン部を有する共重合体、又はこの共重合体を含有する芳香族ポリカーボネート樹脂であってもよい。

又、テレフタル酸等の 2 官能性カルボン酸、又はそのエステル形成誘導体等のエステル前駆体の存在下でポリカーボネートの重合を行うことによって得られるポリエステル一ポリカーボネート樹脂であってもよい。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、特定の末端基と粘度平均分子量（M v ) を有するものが好ましい。

芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の調整方法としては、通常、ポリカーボネート樹脂の製造時に、末端停止剤として各種フエノール類を用いて行うことができる。

ここで、フエノール類としては、フエノーノレ、ジメチルフエノ一ノレ、 ρ — t e r t —ブチノレフエノーノレ、 2 , 6 —ジメチノレ一 4 _ t e r t ーブチノレフエノーノレ、 p — t e r t —オタチノレフエノーノレ及び p —クミルフエノール等が用いることができる。

従って、芳香族ポリカーボネート樹脂としては、末端停止剤が反応した末端基、 2価フエノールとしてのビスフエノール A末端を有することになる。

本発明では、これら全末端基の 3 0 モル。 /₀以上、好ましくは 7 0 モル ⁰ /₀以上、より好ましくは 9 0 モル。 /₀以上が、 p —クミノレフエノール及び/又は p — t e r t ーォクチルフエノールが反応した p 一クミノレフエノキシ基及び/又は p — t e r t ーォォクチルフエノキシ基であることが好ましい。

従って、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、 p —クミルフヱノキシ基を有する芳香族ポリカーボネート樹脂、 P — t e r t - ォクチルフエノキシ基を有する芳香族ポリカーボネート樹脂、又は他のフエノキシ基類を有する芳香族ポリカーボネート樹脂との混合物であって、芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端基の内、 p —クミルフエノキシ基及び/又は p — t e r t —ォクチルフエノキシ基が 3 0 モル％以上になるように選定することが好ましい。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、例えば、主鎖が一般式（ I )

(式中、 R ¹又は R ²は、それぞれハロゲン原子、炭素数 1 〜 6 のアルキル基又はフエニル基を示し、それらは互いに同一でも異なつていてもよく、 Zは単結合，炭素数 1 〜 2 0 のアルキレン基若しくはアルキリデン基、炭素数 5〜 2 0 のシク口アルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，一 0—，一 S ―，一 S O— , S O ² - , 又は一 C O—を示し、 p及び qは、それぞれ 0〜 4 の整数、 nは繰り返し数を示す。）

で表される構造を有するとともに、一般式（II)

(式中、 R ³は、ハロゲン原子、炭素数 1 〜 2 0 のアルキル基又は炭素数 6 〜 2 0 のァリール基を示し、 r は 0〜 5 の整数を示す。）で表される末端基又は水酸基を有し、且つその末端基の少なくとも 3 0モル％が、式（III) 及び Z又は式（IV)

で表されるものが好ましい。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記一般式（ I ) において、 R ¹又は R ²は、それぞれハロゲン原子、炭素数 1 〜 6 のァルキル基又はフエニル基であることが好ましい。

ここで、ノヽロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，ヨウ素原子が挙げられ、炭素数 1 〜 6 のアルキル基としては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、例えば、メチル基，ェチル基 _n —プロピル基，イソプロピル基， n —ブチル基，イソプチル基， t e r t —ブチル基，アミル基，イソアミル基，へキシル基，イソへキシル基及びシク口へキシル基等が挙げられる。

この R ¹又は R ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。

又、 R ¹又は R ²がそれぞれ複数ある場合は、複数の R ¹又は R ² は同一でも異なっていてもよい。 ρ及び q は、それぞれ 0 ~ 4 の整数である。

そして、 Z は単結合，炭素数 1 〜 2 0 のアルキレン基若しくはァノレキリデン基、炭素数 5 〜 2 0 のシク口アルキレン基若しくはシク口アルキリデン基， — o —，一 s—， - s o - , s o ² - , 又は—

C O —を示し、 p及び q は、それぞれ 0〜 4 の整数、 n は繰り返し数を示す。

ここで、炭素数 1 〜 2 0 のアルキレン基若しくはアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンチレン基，へキシレン基，ェチリデン基及びイソプロピリデン基等が挙げられる。

又、炭素数 4〜 2 0 のシク口アルキレン基若しくはシク口アルキリデン基としては、例えば、シクロペンチレン基，シクロへキシレン基及びシク口へキシリデン基等が挙げられる。

n は、芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が 1 0 ， 0 0 0〜 2 0， 0 0 0 の範囲にあるような数である。

更に、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記一般式 ( I I ) で示される末端基又は水酸基を有するものであり、一般式 ( I I ) において、 R ³はハロゲン原子，炭素数 1 〜 2 0 のアルキル基及び炭素数 6〜 2 0のァリール基であることが好ましい。

ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素及びヨウ素原子が挙げられ、炭素数 1 〜 2 0 のアルキル基としては、直鎖状，分岐状環状のいずれであってもよく、例えば、メチル基，ェチル基， n — プロピル基，イソプロピル基， n _ブチル基，イソブチル基， s e c —ブチノレ基， t e r t —ブチノレ基，ペンチル基，へキシノレ基，ォクチル基，デシル基，ドデシル基，シクロペンチル基及びシクロへキシル基等が挙げられる。

一方、炭素数 6 〜 2 0 のァリール基としては、芳香環上に置換基を有しないものでもよく、低級アルキル基等の適当な置換基を有するものであってもよい。

例えば、フエ二ル基，トリル基，キシリル基，ナフチル基及びメチルナフチル基等が挙げられる。：

r は 0 〜 5 の整数を示し、 R ³が複数ある場合は、複数の R ³ は同一でも異なっていてもよい。

又、この一般式（ II) で表わされる末端基は一種含まれていてもよく、 2種以上含まれていてもよい。

即ち、前記一般式（III) 及び/又は（IV) で表される p —クミルフエノキシ基及び/又は p — t e r t —ォクチルフエノキシ基は全末端基に対して 3 0モル％以上であることが好ましい。

又、他の末端基としては、 P — t e r t 一ブチルフエノキシ基及び Z又はフエノキシ基が好ましく、少量の水酸基が含まれていてもよい。

更に、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、その粘度平均分子量（M v ) が、 1 0， 0 0 0〜 2 0， 0 0 0、好ましくは 1 1， 0 0 0〜 1 8 , 0 0 0、より好ましくは 1 2， 0 0 0〜 1 6 , 0 0 0 を満足するものが適している。

ここで粘度平均分子量（M v ) が、 1 0， 0 0 0未満であると強度、特に耐衝擊性が不十分となり、 0. 6 mmと薄い基板の成形が困難となるとともに、基板自体の強度も実用上不十分となることがある。

又、 2 0， 0 0 0 を越えると耐衝撃強度は十分となるが、薄い基板の成形、微小凹凸であるスタンパーの転写性が低下するとともに、基板の複屈折等の光学的性質が低下し、光ディスク基板としての性能を満足することが困難となることがある。

ここで、本発明における芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（M v ) は、塩化メチレン 1 0 0 c c に芳香族ポリ力一ボネート樹脂約 0. 7 g を 2 0 °Cで溶解した溶液をウベローデ粘度計を用いて測定した比粘度（ _SP) を次式に挿入して求めたものである ( η _{s p} ) / C = [ 77 ] + 0 . 4 5 X [ 77 ] ² C

[ η ] = 1 . 2 3 X 1 0 — ⁵ M。 ' ^{8 3}

(伹し、 [ η ] は極限粘度、 Cはポリマー濃度である。）このため、耐衝擊性等の機械的物性と成形性 · 光学的特性等の物性と相反する要求を共に満足することが必要となる。

従って、耐衝撃性等の基板特性が満足される範囲で、粘度平均分子量（M v ) の低い芳香族ポリカーボネート樹脂の選択が好ましい

ここにおいて、本発明で用いることができる特定末端基を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、一般的に用いられるフエノキシ基又は ρ — t e r t —ブチノレフエノキシ基のポリカーボネートに比較して、粘度平均分子量即ち溶融粘度と実用物性としての落錘衝撃強度の関係において、かなり低い粘度平均分子量においても十分な落錘衝撃強度を保持するものである。

又、後記の離型剤及びその添加量と相まって、光学特性に優れた光ディスク基板を高サイクルで成形することを可能にするものでめる。

本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂としては、全末端基中に占める水酸基基の割合が 1 モル％以下、好ましくは 0 . 3 モル％以下であることが好ましい。

又、芳香族ポリカーボネート樹脂中の塩素やナトリウム又は微粒子不純物（塩化メチレン不溶成分）等は可能な限り洗浄、濾過、遠心分離等の精製 ■ 除去手段、溶融混練脱気工程等により低減したものが好ましい。

又、芳香族ポリカーボネート樹脂としては、アセトン溶媒でのソックスレー抽出成分である低分子量成分が、通常 1 0質量％以下であることが好ましい。本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂には、炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを特定範囲で添加する必要力 ^sある。

ここで、炭素数 1 4 〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドとしては、炭素数が 1 4〜 3 0 の脂肪酸とグリセリンのモノエステル化合物であり、例えば、パルミチン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノグリセリド、ァラキン酸モノグリセリド、ベヘン酸モノグリセリド及びモンタン酸モノダリセリド等が挙げられ、これらの混合物を用いることもできる。

脂肪酸モノグリセリドとしては、離型性効果の点より、ステアリン酸モノグリセリド及びべヘン酸モノダリセリドが好ましく、特に、ステアリン酸モノグリセリドが好ましい。

これらの、脂肪酸モノグリセリドとしては、ナトリウム、塩素等の不純物の含有量が低いものの使用が、芳香族ポリカーボネート樹脂が、記録媒体として用いられる場合の長期安定性、特に高温高湿度下での安定性の見地から好ましい。

例えば、ナトリウム含有量が、質量として 3 O p p m以下、特に 2 0 p p m以下であることが好ましい。

この脂肪酸モノグリセリドの添加量は、 0 . 0 1 5 〜 0 . 0 5質量部、好ましくは 0 . 0 2 0 〜 0 . 0 4質量部の範囲である。

ここで、脂肪酸モノグリセリドの添加量が 0 . 0 1 5 質量部未満であると、光ディスク基板の離型性が劣り、光ディスク基板表面に離型斑が発生し易い。

又、 0 . 0 5 質量部を越えると、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量が低下する傾向があり、情報記録の信頼性の低下につながる。

又、本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂には、特定の品質の水を特定量含水させて、押出し成形する必要がある。

水の品質としては、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ c m 以下の水である。

電気伝導率が 1 z S/ c mを超えると、芳香族ポリカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発生が促進され、光ディスクの情報記録の信頼性低下につながる

芳香族ポリカーボネート樹脂に対する電気伝導率が 1 / SZ c m 以下の水の添加量としては、 0 . 0 5〜 0 . 3質量％、好ましくは 0 . 0 5〜 0 . 2質量⁰ /₀である。

添加量が 0 . 0 5 質量。 /₀未満では、離型剤として用いる炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドが変性し、脂肪酸モノグリセリドのカーボネート、脂肪酸ジグリセリド及び脂肪酸トリグリセリドが生成し、光ディスク基板の成形時の離型性が低下し易い。

添加量が 0 . 3 質量％を超えると、ポリカーボネート樹脂が加氷分解を起したり、成形性の悪化（押出し樹脂量の低下）につながる場合がある。

更に、溶融押出しされた芳香族ポリカーボネート樹脂の冷却を、 2 5 °Cで測定した電気伝導率 l\u SZ c m以下の水を用いると、光ディスク基板にクレーズ等の発生がなく、品質が更に向上する。

又、本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂には本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により各種安定剤、着色剤等を含有することができる。

安定剤としては、亜リン酸エステル、リン酸エステル等のリン系安定剤が好ましく用いられる。

亜リン酸エステルとしては、例えば、トリフエ -ルホスフアイト、トリスノニノレフエ二ノレホスファイト、トリス（ 2， 4 —ジ一 t e r t —ブチノレフエニル）ホスフアイト、トリノ二ノレホスァアイト . トリデシルホスフアイト、トリオクチルホスフアイト、トリオクタデシノレホスフアイト、ジステアリノレペンタエリスリトーノレジホスフアイト、トリシクロへキシノレホスファイト、モノプチ/レジフエ二ノレホスフアイト、モノォクチノレジフエニノレホスフアイト、ビス（ 2 . 6 —ジ一 t e r t —ブチノレー 4 ーメチノレフエ二ノレ）ペンタエリスリトールジホスフアイト、 2 , 2 — メチレンビス ( 4， 6 —ジ一 t e r t 一ブチルフエニル）ォクチルホスファイト及びテトラキス ( 2 4 ージ一 t e r t —ブチノレフ.ェニノレ）一 4， 4 ージフエ二レンホスフォナイト等の亜リン酸のトリエステル、ジエステル及びモノエステル等が挙げられる。

中でも、トリスノニノレフエ二ノレホスファイト、トリス（ 2， 4 — ジー t e r t 一ブチルフエ二ノレ）ホスフアイト及びジステアリノレペンタエリスリトールジホスファト等が好ましい。

リン酸エステルとしては、トリメチルホスフェート、トリェチルホスフェート、トリブチノレホスフェート、トリオクチノレホスフエ一ト、トリフエ二ノレホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノエノレフエ二ノレ）ホスフェート及び 2 —ェチノレフエニノレジフエニルホスフエ一ト等が挙げられる。

これらリン系安定剤は単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせてもちいてもよい。

これらリン系安定剤の含有量は、リン原子に換算して、 0 . 0 0 1〜 0 . 0 2質量⁰/。の範囲が適当である。

ここで、含有量が 0 . 0 0 1 質量。/。未満では安定化効果である樹脂安定性への寄与が少なく、又、 0 . 0 2質量％を越えると、光ディスク基板の長期における劣化の原因となる場合がある。

従って、これらリン系安定剤の含有量は、ペレットの製造時、光ディスク基板の成形時の熱安定性を確保するための最低限度の添加量とすることが好ましい。

本発明の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂は、芳香族ポリカーボネート樹脂に、炭素数 1 4〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを特定量添加し、必要により他の添加剤成分を加えるとともに

2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ S/ c m以下の水を添加して、該樹脂の含水量を 0 . 0 5〜 0 . 3質量％に調節しながら、溶融混練することにより、まず樹脂ペレットを製造する。

ついで、これを成形原料として、溶融押出し成形により、光デイスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂を成形するものである。この場合、金型に超音波を作用させることもできる。

成形条件としては、樹脂温度は 3 4 0 〜 4 0 0 °C、好ましくは 3 5 0 〜 3 9 0 °C、金型温度は 8 0〜： L 4 0 °C、好ましくは 9 0〜 1

3 0 °Cである。

これらの温度条件で、直径 1 2 O m m、厚み 0 . 6 m mの金型キヤビティにスタンパーを有する成形金型に溶融樹脂を射出することにより成形される。

成形サイクルは、通常 3 〜 1 0 秒、好ましくは 3 〜 9 秒である実施例

[芳香族ポリカーボネート樹脂の製造例]

P C — A ： 5 質量⁰ /₀水酸化ナトリゥム水溶液 4 0 0 リットルにビスフエノール A 6 0 k g を溶解し、ビスフエノール Aの水酸化ナトリゥム水溶液を調製した。

この室温のビスフノール Aの水酸化ナトリゥム水溶液を、 1 3 8 リットル Z時間の流量で、又、塩化メチレンを 6 9 リットル/ 時間の流量で、径 1 O m m、長さ 1 O mの管型反応器にオリフィス板を通して導入し、これにホスゲンを並流して 1 0 . 7 k g /時間の流量で吹き込み、 3時間連続的に反応させた。

尚、反応液の排出温度を 2 5 °C、排出液の p Hは 1 0 〜： L 1 になるように調整した。得られた反応液を静置し、水相を分離除去し塩化メチレン相（ 2 2 0 リットル）を採取し、ポリカーボネートォリゴマーを得た。

このオリゴマー 1 0 リットノレに、 p —クミノレフエノーノレ 1 6 6 . 7 g を溶解させ、これに、水酸化ナトリウム水溶液（ N a O H _: 7 5 g , 水： 1 . 0 リットル）とトリエチルァミン 1 . 1 7 ミリリツトルを加え、 3 0 0 r p mで常温で 3 0分攪拌した。

ついで、塩化メチレン 8 リットル及びビスフエノール Aの水酸化ナトリウム水溶液（ビスフエノール A ： 6 0 7 g , N a O H ： 3 2 0 g , 水： 5 リットル）を加え、 5 0 0 r p mで常温にて 1 時間攪拌した。

その後、塩化メチレン 5 リットル及び水 5 リットノレをカ卩え、 5 0 0 r p mで室温にて 1 0分間攪拌した。攪拌停止後、静置分離し有機相を得た。

この有機相を 0 . 0 3規定の水酸化ナトリゥム水溶液 5 リットルでアルカリ洗浄、 0. 2規定の塩酸 5 リットルで酸洗浄及び水 5 リットルで水洗（二回）を順次行った。塩化メチレンを留去し、乾燥してフレーク状の芳香族ポリカーボネート樹脂（A) を得た。

尚、 N M R測定により末端基の略 1 0 0 モル ⁰ /₀が、 p — クミノレフエノキシ基であった。

P C— B ：前記 P C— Aの製造において、 p —クミノレフエノール 1 6 6 . 7 g の代わりに、 p — t e r t —ォクチノレフエノーノレ 1 6 2 - 0 g を用いた以外は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂（ B ) を得た。

末端基の略 1 0 0 モル ⁰ /₀力 ρ — t e r t ーォクチルフエノキシ基であった。

P C — C ：前記 P C — Aの製造において、 p — タミルフエノール 1 6 6 . 7 g の代わりに、 p — t e r t —ブチゾレフエノーノレ 1 1 8 0 g を用いた以外は、同様な方法により芳香族ポリカーボネート樹脂（ C ) を得た。

末端基の略 1 0 0 モル％が、 p — t e r t —ブチルフエノキシ基であった。

以下、本発明を実施例及び比較例により、詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例 1 、 4、比較例 1 〜 3

芳香族ポリカーボネート樹脂 P C — Aに、 0 . 0 2 8質量部のステアリン酸モノグリセリド（ S Mと略称することがある。）、 0 . 0 0 4質量⁰ /oのトリス（ 2， 4 —ジー t e r t —ブチノレフェェノレ）ホスフアイト及び 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 0 . 9 /i S/ c m の水を所定量加えブレンドし、 2 5 5 °Cで二軸押出成形機にて溶融混練し、光ディスク基板を成形するための芳香族ポリカーボネート樹脂ぺレツトを得た。

このペレットを用いて、成形金型〔直径： 1 2 0 m m、厚み：

0 . 6 m m、ピット深さ： 1 4 0 n mの D V D — R O M用スタンパ一〕を用い、樹脂温度： 3 7 0 °C、金型温度： 1 0 0 °C、成形サイクル： 5 . 3秒の条件で光ディスク基板を成形した。実験条件を表 1 — 1 に示す、

成形した芳香族ポリカーボネート樹脂光ディスク基板を、下記により評価した結果を表 1 一 2 に示す。

1 . 芳香族ポリカーボネート樹脂ペレツト中のステアリン酸モノグリセリド（ S M) の残存量

水を添加しなレヽと、ステアリン酸モノグリセリドからステアロイルォキシエチレンカーボネート、ステアリン酸ジグリセリド及びステアリン酸トリグリセリド等の変性体が生成することが確認された

2 . 離型性：成形状況を目視観察した。

〇：全く問題なく離型。 △ ：やや問題がある。 X ：問題あり尚、ここでやや問題があるとは、光ディスク基板又はスプルーの離型不良によりロボットが金型から光ディスク基板の取り出しに失敗し成形機が停止することを指す。

3 . 耐湿熱性

光ディスク基板を温度： 9 0 °C、湿度： 9 0 %の恒温恒湿条件下で、 1 , 0 0 0時間加速劣化試験した後の、粘度平均分子量を測定して評価した。

第 1 — 2表より、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 0 . 9 S / _C mの水の添加量が特定範囲において、離型剤であるステアリン酸モノグリセリドが変性せず、離型性が優れている。

又、耐湿熱性にも優れ、芳香族ポリカーボネート樹脂が加水分解しないため、情報記録の信頼性にも優れていることが明らかである。

実施例 2

芳香族ポリカーボネート樹脂 P C — Aの代わりに、芳香族ポリカーボネート樹脂 P C — Bを用いた以外は、実施例 1 と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレツトを得、このペレツトを用いて光ディスク基板を成形した。

実験条件を表 1 一 1 、評価した結果を表 1 — 2 に示す。

実施例 3

芳香族ポリカーボネート樹脂 P C — Aの代わりに、芳香族ポリカーボネート樹脂 P C — Cを用いた以外は、実施例 1 と同様にして芳香族ポリカーボネート樹脂ペレツトを得、このペレツトを用いて光ディスク基板を成形した。

実験条件を表 1 一 1 、評価した結果を表 1 一 2 に示す。

実施例 5 、比較例 4〜 7

芳香族ポリカーボネート榭脂として、 P C— Aを用い、ステアリン酸モノダリセリドは添加しないで光ディスク基板を成形する樹脂ペレツトを実施例 1 に準じて得た。

このペレツト 1 0 0 g に対し、 2 5, °Cでの電気伝導率を変えた水を 1 ミリリットル添加し、プレス成形（プレス温度 2 3 0 °C、プレス圧力最大 1 0 0 k g / c m ² ) し、得られた光ディスク基板 (約 1 0 0 πιπι φ 、 0 . 5 mm厚）を、 T A B A I — E S P E C社製恒温恒湿槽を用い、 9 0 °C、 9 0 % R Hなる条件下にて 1 0 0 時間加速劣化試験を行なった。

試験終了後、光ディスク基板を光学偏光顕微鏡を用いて、芳香族ポリカーボネート樹脂の加水分解による偏光白濁欠陥の発生個数を観察した。

その評価結果を表 2 に示す。

表 2 より、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ S/ c m以下の水を用いる必要があることが分かる。

表 1 —

表 1 — 2

へ。レット中の SM残存量成形性耐湿熱性

SM SM変性体処理前分処理後分

離型性歩留り厶 Mv Pm Pm 子量（Mv) 子量（Mv) 実施例 1 250 0 〇 99 14200 14200 0 実施例 2 210 0 〇 97 14200 14100 100 実施例 3 220 0 〇 98 14200 14200 0 実施例 4 220 微量〇 98 14000 13900 100 比較例 1 40 140 X 84 14200 14000 200 比較例 2 50 110 X 93 14200 14000 200 比較例 3 30 120 X 96 ' 14200 13900 300 表 2

産業上の利用の可能性

本発明によれば、光ディスク基板の長期データ保存に対する信頼性が向上する。

更に、溶融押出し成形条件幅が拡大するため、成形サイクルが向上し、成形における歩留り改善による生産効率も向上し、コスト低減を図ることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 芳香族ポリカーボネート樹脂 1 0 0質量部に対し、炭素数 1 4 〜 3 0 の脂肪酸モノグリセリドを 0. 0 1 5 〜 0 . 0 5質量部添加するとともに、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ S/ c m以下の水を添加して、該樹脂の含水量を 0. 0 5 〜 0 . 3質量。 /₀に調節しながら、押出し成形し、冷却、切断してペレツト化してなる粘度平均分子量（M v ) 力 S 1 0 , 0 0 0〜 2 0 , 0 0 0である光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

2 . 溶融押出しされた芳香族ポリカーボネート樹脂の冷却を、 2 5 °Cで測定した電気伝導率が 1 μ SZ c m以下の水を用いて行なう請求項 1 に記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

3 . 芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基の 3 0モル％以上が p — クミルフエノキシ基及び/又は p - t e r t —ォクチルフエノキシ基である請求項 1 に記載の光ディスク基 fe用芳香族ポリカーボネート樹脂。

4. 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（M v ) が、 1 1 ， 0 0 0 〜 1 8 ， 0 0 0である請求項 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

5 . 芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（M v ) が、 1 2， 0 0 0〜 1 6 , 0 0 0である請求項 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

6. 脂肪酸モノグリセリドの添加量が 0 . 0 2 〜 0. 0 4質量部である請求項 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

7. 脂肪酸モノグリセリドがステアリン酸モノグリセリドである全求項 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。

8 . 芳香族ポリカーボネート樹脂の含水量が 0 . 0 5 〜 0 . 2 質量％である請求項 1 〜 3 のいずれかに記載の光ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂。