JP2001312836A - 光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板 - Google Patents
光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 離型剤の添加量を必要以上に増やすこと
なく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基板の素
材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂からな
る光学式ディスク基板を提供する。 【解決手段】 粘度平均分子量が１０，０００〜１７，
０００であって、鉄分量が０．２ｐｐｍ以下、遊離トー
タルフェノール量が８０ｐｐｍ以下であり、かつ離型剤
を１００〜５００ｐｐｍ含有する光学式ディスク基板用
ポリカーボネート樹脂及び該樹脂からなる光学式ディス
ク基板である。
なく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基板の素
材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂からな
る光学式ディスク基板を提供する。 【解決手段】 粘度平均分子量が１０，０００〜１７，
０００であって、鉄分量が０．２ｐｐｍ以下、遊離トー
タルフェノール量が８０ｐｐｍ以下であり、かつ離型剤
を１００〜５００ｐｐｍ含有する光学式ディスク基板用
ポリカーボネート樹脂及び該樹脂からなる光学式ディス
ク基板である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学式ディスク基
板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板に関
し、さらに詳しくは、バリによる欠陥が少ない光学式デ
ィスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂及
び該樹脂からなる光学式ディスク基板に関する。
板用ポリカーボネート樹脂及び光学式ディスク基板に関
し、さらに詳しくは、バリによる欠陥が少ない光学式デ
ィスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂及
び該樹脂からなる光学式ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱
性、低吸水性が優れているため、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，
ＭＯ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ
−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光学式ディスクの基板に広く
使用されている。こうした光学式ディスク基板は、通
常、射出成形で、金型内に配設されたスタンパと呼ばれ
るニッケルの薄板にピットやグルーブといった信号が刻
印されている面が、成形されるポリカーボネート樹脂製
基板に転写され、製造する方法が採用される場合が多
い。
性、低吸水性が優れているため、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，
ＭＯ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ
−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光学式ディスクの基板に広く
使用されている。こうした光学式ディスク基板は、通
常、射出成形で、金型内に配設されたスタンパと呼ばれ
るニッケルの薄板にピットやグルーブといった信号が刻
印されている面が、成形されるポリカーボネート樹脂製
基板に転写され、製造する方法が採用される場合が多
い。
【０００３】近年における光学式ディスク基板の製造に
おいては、一つの工場において数十から百台を超える成
形機が導入されて省力化が図られ、更なる量産効果の向
上が追求されていると同時に品質の管理も徹底的に行わ
れている。しかしながら、その中でスタンパの交換や成
形機の成形条件の変更等がなく、かつポリカーボネート
樹脂の分子量、分子量分布、ガラス転移温度ほか流動性
を規定する因子が一定範囲内で安定しているにかかわら
ず、突発的にディスク基板センターホールのスプルーカ
ツト時に離型不良が発生し、その離型不良によってディ
スク基板外周部もしくは外周部の微細なバリが金型と擦
り落ちて発生したと考えられる樹脂屑混入により、ディ
スク基板の歩留まりが数％〜数十％程度低下する場合が
ある。この現象を一般にバリによる欠陥と呼び、これを
防ぐためには離型剤の添加量を増やすことにより解決で
きる。しかし、光学的性質の欠陥の発生、特に恒温恒湿
下での加速劣化試験においてポリカーボネート樹脂の偏
光白濁欠陥の発生が促進される傾向が見られ、光学的デ
ィスクとしての記録データ保存に対する信頼性も低下す
るために離型剤の添加量を必要以上に増やすことはでき
ない。
おいては、一つの工場において数十から百台を超える成
形機が導入されて省力化が図られ、更なる量産効果の向
上が追求されていると同時に品質の管理も徹底的に行わ
れている。しかしながら、その中でスタンパの交換や成
形機の成形条件の変更等がなく、かつポリカーボネート
樹脂の分子量、分子量分布、ガラス転移温度ほか流動性
を規定する因子が一定範囲内で安定しているにかかわら
ず、突発的にディスク基板センターホールのスプルーカ
ツト時に離型不良が発生し、その離型不良によってディ
スク基板外周部もしくは外周部の微細なバリが金型と擦
り落ちて発生したと考えられる樹脂屑混入により、ディ
スク基板の歩留まりが数％〜数十％程度低下する場合が
ある。この現象を一般にバリによる欠陥と呼び、これを
防ぐためには離型剤の添加量を増やすことにより解決で
きる。しかし、光学的性質の欠陥の発生、特に恒温恒湿
下での加速劣化試験においてポリカーボネート樹脂の偏
光白濁欠陥の発生が促進される傾向が見られ、光学的デ
ィスクとしての記録データ保存に対する信頼性も低下す
るために離型剤の添加量を必要以上に増やすことはでき
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記状況を
鑑みなされたもので、離型剤の添加量を必要以上に増や
すことなく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基
板の素材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂
からなる光学式ディスク基板を提供することを目的とす
るものである。
鑑みなされたもので、離型剤の添加量を必要以上に増や
すことなく、バリによる欠陥が少ない光学式ディスク基
板の素材として適したポリカーボネート樹脂及び該樹脂
からなる光学式ディスク基板を提供することを目的とす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々検討
を重ねた結果、ポリカーボネート樹脂中の鉄分量及び遊
離トータルフェノール量とバリによる欠陥発生に相関性
があることを見出し、これに基づいて本発明を完成させ
るに至った。
を重ねた結果、ポリカーボネート樹脂中の鉄分量及び遊
離トータルフェノール量とバリによる欠陥発生に相関性
があることを見出し、これに基づいて本発明を完成させ
るに至った。
【０００６】すなわち、本発明の要旨は下記の通りであ
る。 １．粘度平均分子量が１０，０００〜１７，０００であ
って、鉄分量が０．２ｐｐｍ以下、遊離トータルフェノ
ール量が８０ｐｐｍ以下であり、かつ離型剤を１００〜
５００ｐｐｍ含有することを特徴とする光学式ディスク
基板用ポリカーボネート樹脂。 ２．アセトン可溶分量が１２質量％以下である前記１記
載の光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂。 ３．離型剤を１５０〜３５０ｐｐｍ含有するものである
前記１又は２に記載の光学式ディスク基板用ポリカーボ
ネート樹脂。 ４．離型剤が多価アルコール脂肪酸エステルである前記
１〜３のいずれかに記載の光学式ディスク基板用ポリカ
ーボネート樹脂。 ５．前記１〜４のいずれかに記載の光学式ディスク基板
用ポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板。
る。 １．粘度平均分子量が１０，０００〜１７，０００であ
って、鉄分量が０．２ｐｐｍ以下、遊離トータルフェノ
ール量が８０ｐｐｍ以下であり、かつ離型剤を１００〜
５００ｐｐｍ含有することを特徴とする光学式ディスク
基板用ポリカーボネート樹脂。 ２．アセトン可溶分量が１２質量％以下である前記１記
載の光学式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂。 ３．離型剤を１５０〜３５０ｐｐｍ含有するものである
前記１又は２に記載の光学式ディスク基板用ポリカーボ
ネート樹脂。 ４．離型剤が多価アルコール脂肪酸エステルである前記
１〜３のいずれかに記載の光学式ディスク基板用ポリカ
ーボネート樹脂。 ５．前記１〜４のいずれかに記載の光学式ディスク基板
用ポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、本発明の光学式ディスク基板に使用される
ポリカーボネート樹脂について説明する。そのポリカー
ボネート樹脂としては、その化学構造や製造法について
は特に制限はなく種々のものを用いることができる。例
えば、二価フェノールとカーボネート前駆体との反応に
より製造される芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に用
いられる。製造方法については、溶液法、溶融法いずれ
も採用できる。
する。まず、本発明の光学式ディスク基板に使用される
ポリカーボネート樹脂について説明する。そのポリカー
ボネート樹脂としては、その化学構造や製造法について
は特に制限はなく種々のものを用いることができる。例
えば、二価フェノールとカーボネート前駆体との反応に
より製造される芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に用
いられる。製造方法については、溶液法、溶融法いずれ
も採用できる。
【０００８】上記の二価フェノールとしては、種々のも
のが用いられるが、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール
などが好適なものとして挙げられる。これら二価フェノ
ールの中でも、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、
特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
〔ビスフェノールＡ〕が好ましい。そして、これらの二
価フェノールは、それぞれ単独で用いてもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
のが用いられるが、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール
などが好適なものとして挙げられる。これら二価フェノ
ールの中でも、ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン、
特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
〔ビスフェノールＡ〕が好ましい。そして、これらの二
価フェノールは、それぞれ単独で用いてもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
【０００９】また、カーボネート前駆体としては、カル
ボニルハライド、カルボニルエステル、またはハロホル
メートなどを用いることができる。さらに具体的には、
ホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、ジフェ
ニルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネートなどである。
ボニルハライド、カルボニルエステル、またはハロホル
メートなどを用いることができる。さらに具体的には、
ホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、ジフェ
ニルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネートなどである。
【００１０】そして、このポリカーボネート樹脂の化学
構造は、その分子鎖が線状構造または環状構造もしくは
分岐構造を有しているものを用いることができる。この
うち、分岐構造を有するポリカーボネート樹脂として
は、分岐剤として、１，１，１−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス（４−ビ
ドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベ
ンゼン、フロログルシン、トリメリット酸、イサチンビ
ス（ｏ−クレゾール）などを用いて製造したものが好ま
しく用いられる。また、このポリカーボネート樹脂とし
て、テレフタル酸などの２官能性カルボン酸、またはそ
のエステル形成誘導体などのエステル前駆体を用いて製
造されたポリエステル−カーボネート樹脂を用いること
もできる。さらに、これら種々の化学構造を有するポリ
カーボネート樹脂の混合物を用いることもできる。
構造は、その分子鎖が線状構造または環状構造もしくは
分岐構造を有しているものを用いることができる。この
うち、分岐構造を有するポリカーボネート樹脂として
は、分岐剤として、１，１，１−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、α，α’，α”−トリス（４−ビ
ドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベ
ンゼン、フロログルシン、トリメリット酸、イサチンビ
ス（ｏ−クレゾール）などを用いて製造したものが好ま
しく用いられる。また、このポリカーボネート樹脂とし
て、テレフタル酸などの２官能性カルボン酸、またはそ
のエステル形成誘導体などのエステル前駆体を用いて製
造されたポリエステル−カーボネート樹脂を用いること
もできる。さらに、これら種々の化学構造を有するポリ
カーボネート樹脂の混合物を用いることもできる。
【００１１】また、これらポリカーボネート樹脂の粘度
平均分子量は、通常１０，０００〜３０，０００であ
る。この粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度
計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を
測定し、これより極限粘度［η］を求め、［η］＝１．
２３×１０-5Ｍｖ0.83の式により算出した値である。こ
のようなポリカーボネート樹脂の分子量の調節には、フ
ェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−オクチルフェノール、ｐ−クミルフェノールなど
が用いられる。
平均分子量は、通常１０，０００〜３０，０００であ
る。この粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度
計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を
測定し、これより極限粘度［η］を求め、［η］＝１．
２３×１０-5Ｍｖ0.83の式により算出した値である。こ
のようなポリカーボネート樹脂の分子量の調節には、フ
ェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−オクチルフェノール、ｐ−クミルフェノールなど
が用いられる。
【００１２】ポリカーボネート樹脂は、通常溶液法が採
用されるので溶液法で得られたとして説明する。上記の
方法で製造したポリカーボネート樹脂のフレークをアセ
トン、ジオキサン等の溶剤を使用して溶出処理を行い、
不純物、遊離トータルフェノールを溶出させる必要があ
る。その場合、後述するペレットの状態で、粘度平均分
子量を１０，０００〜１７，０００、鉄分量を０．２ｐ
ｐｍ以下、遊離トータルフェノール量を８０ｐｐｍ以下
となるように溶出処理を行えばよい。また、アセトン可
溶分量も１２質量％以下にした方が好ましい。溶出処理
後の乾燥させたポリカーボネート樹脂フレークに離型
剤、必要によりリン系酸化防止剤を２０〜１００ｐｐｍ
添加した後、押出し機でペレット化する。このペレット
中の離型剤が１００〜５００ｐｐｍ（好ましくは１５０
〜３５０ｐｐｍ）となるようにする必要がある。離型剤
が１００ｐｐｍ未満であると、離型不良によるバリによ
る欠陥の発生が増大し、５００ｐｐｍを超えると、光学
ディスクとしての偏光白濁欠陥が発生しやすくなり好ま
しくない。
用されるので溶液法で得られたとして説明する。上記の
方法で製造したポリカーボネート樹脂のフレークをアセ
トン、ジオキサン等の溶剤を使用して溶出処理を行い、
不純物、遊離トータルフェノールを溶出させる必要があ
る。その場合、後述するペレットの状態で、粘度平均分
子量を１０，０００〜１７，０００、鉄分量を０．２ｐ
ｐｍ以下、遊離トータルフェノール量を８０ｐｐｍ以下
となるように溶出処理を行えばよい。また、アセトン可
溶分量も１２質量％以下にした方が好ましい。溶出処理
後の乾燥させたポリカーボネート樹脂フレークに離型
剤、必要によりリン系酸化防止剤を２０〜１００ｐｐｍ
添加した後、押出し機でペレット化する。このペレット
中の離型剤が１００〜５００ｐｐｍ（好ましくは１５０
〜３５０ｐｐｍ）となるようにする必要がある。離型剤
が１００ｐｐｍ未満であると、離型不良によるバリによ
る欠陥の発生が増大し、５００ｐｐｍを超えると、光学
ディスクとしての偏光白濁欠陥が発生しやすくなり好ま
しくない。
【００１３】上記の離型剤としては、好ましくは、多価
アルコールの脂肪酸エステルが使用され、グリセリン，
トリメチルプロパン，ヘキサントリオール等の３価のア
ルコールや、ペンタエリスリトール，メソエリスリトー
ル，キシリトール，ソルビトール等の４価以上のアルコ
ールと、炭素数１０〜３０の脂肪酸との部分エステルが
挙げられる。脂肪酸としては、カプリン酸，ウンデカン
酸，ラウリン酸，トリデカン酸，ミリスチン酸，ペンタ
デカン酸，パルミチン酸，マルガリン酸，ステアリン
酸，ノナデカン酸，エイコサン酸，ベヘン酸等が挙げら
れる。具体的には、グリセリンモノステアレート，グリ
セリンモノパルミテート，グリセリンモノミリステー
ト，グリセリンモノラウレート等のグリセリンモノエス
テル、ペンタエリスリトールジステアレート，ペンタエ
リスリトールトリステアレート，ペンタエリスリトール
モノパルミテート，ペンタエリスリトールジパルミテー
ト，メソエリスリトールトリラウレート，キシリトール
ジステアレート，キシリトールトリステアレート，キシ
リトールテトラステアレート等が用いられる。これらの
エステルは単独でも、二種以上を併用することもでき
る。
アルコールの脂肪酸エステルが使用され、グリセリン，
トリメチルプロパン，ヘキサントリオール等の３価のア
ルコールや、ペンタエリスリトール，メソエリスリトー
ル，キシリトール，ソルビトール等の４価以上のアルコ
ールと、炭素数１０〜３０の脂肪酸との部分エステルが
挙げられる。脂肪酸としては、カプリン酸，ウンデカン
酸，ラウリン酸，トリデカン酸，ミリスチン酸，ペンタ
デカン酸，パルミチン酸，マルガリン酸，ステアリン
酸，ノナデカン酸，エイコサン酸，ベヘン酸等が挙げら
れる。具体的には、グリセリンモノステアレート，グリ
セリンモノパルミテート，グリセリンモノミリステー
ト，グリセリンモノラウレート等のグリセリンモノエス
テル、ペンタエリスリトールジステアレート，ペンタエ
リスリトールトリステアレート，ペンタエリスリトール
モノパルミテート，ペンタエリスリトールジパルミテー
ト，メソエリスリトールトリラウレート，キシリトール
ジステアレート，キシリトールトリステアレート，キシ
リトールテトラステアレート等が用いられる。これらの
エステルは単独でも、二種以上を併用することもでき
る。
【００１４】リン系酸化防止剤として、例えば、トリメ
チルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチ
ルホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニ
ルホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタ
デシルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジ
ホスファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイ
ト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト
などのトリアルキルホスファイト；トリシクロヘキシル
ホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト；
トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイ
ト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス
（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイトなどのトリアリールホスファイト；２−エチ
ルヘキシルジフェニルホスファイトなどのモノアルキル
ジアリールホスファイト；トリメチルホスフェート，ト
リエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリ
オクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリ
オクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリス
リチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホ
スフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホス
フェートなどのトリアルキルホスフェート；トリシクロ
ヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフ
ェート；トリフェニルホスフェート，トリクレジルホス
フェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２
−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリア
リールホスフェートなどが挙げられる。これらは単独で
も、二種以上を併用することもできる。
チルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチ
ルホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニ
ルホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタ
デシルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジ
ホスファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイ
ト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト
などのトリアルキルホスファイト；トリシクロヘキシル
ホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト；
トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイ
ト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス
（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェ
ニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホ
スファイトなどのトリアリールホスファイト；２−エチ
ルヘキシルジフェニルホスファイトなどのモノアルキル
ジアリールホスファイト；トリメチルホスフェート，ト
リエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリ
オクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリ
オクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリス
リチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホ
スフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホス
フェートなどのトリアルキルホスフェート；トリシクロ
ヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフ
ェート；トリフェニルホスフェート，トリクレジルホス
フェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２
−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリア
リールホスフェートなどが挙げられる。これらは単独で
も、二種以上を併用することもできる。
【００１５】上述したように、ポリカーボネート樹脂
は、ペレットの状態で、粘度平均分子量を１０，０００
〜１７，０００、鉄分量を０．２ｐｐｍ以下、遊離トー
タルフェノール量を８０ｐｐｍ以下とする必要がある。
残存鉄分量、遊離トータルフェノール量が多すぎると、
バリによる欠陥が多く発生する。また、アセトン可溶分
量も１２質量％以下の方がバリによる欠陥の発生防止の
点で好ましい。また、粘度平均分子量が１０，０００未
満であると、成形品の機械的強度が低下し、１７，００
０を超えると、成形時の流動性不足により成形品に歪み
が残り、光学的特性が低下し好ましくない。なお、鉄分
量、遊離トータルフェノール量、アセトン可溶分量の測
定法は下記のとおりである。
は、ペレットの状態で、粘度平均分子量を１０，０００
〜１７，０００、鉄分量を０．２ｐｐｍ以下、遊離トー
タルフェノール量を８０ｐｐｍ以下とする必要がある。
残存鉄分量、遊離トータルフェノール量が多すぎると、
バリによる欠陥が多く発生する。また、アセトン可溶分
量も１２質量％以下の方がバリによる欠陥の発生防止の
点で好ましい。また、粘度平均分子量が１０，０００未
満であると、成形品の機械的強度が低下し、１７，００
０を超えると、成形時の流動性不足により成形品に歪み
が残り、光学的特性が低下し好ましくない。なお、鉄分
量、遊離トータルフェノール量、アセトン可溶分量の測
定法は下記のとおりである。
【００１６】（１）鉄分量 試料を灰化した後、グラファイトファーネス原子吸光法
にて定量分析する。 （２）遊離トータルフェノール量 原料モノマーの二価フェノール、末端停止剤の一価フェ
ノール等のトータルのフェノール類の量であり、下記の
方法で分析する。 試料１０ｇを円筒濾紙に入れる。 平底フラスコにアセトン１２０ｃｃとガラス沸石を２
〜３個入れる。 ソックスレー抽出を行う。抽出時間は１回目のアセト
ンリフラックスが終了する時点より、ペレットの場合は
４時間である。 アセトン溶液をロータリーエバポレーターにセット
し、アセトンを留去し濃縮乾固する。 乾燥器で１０５℃で１時間乾燥させた後、室温になる
まで放冷する。 １０ｃｃの塩化メチレンを加えて内容物を溶解させ
る。 ０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液を５０ｃｃ加
え、スターラーで１５分間攪拌する。 静置分離し、水層（上層）の水酸化ナトリウム溶液を
約２５ｃｃ採取し、５Ａの濾紙で濾過する。 濾液のトータルフェノール量を分光光度計で測定す
る。
にて定量分析する。 （２）遊離トータルフェノール量 原料モノマーの二価フェノール、末端停止剤の一価フェ
ノール等のトータルのフェノール類の量であり、下記の
方法で分析する。 試料１０ｇを円筒濾紙に入れる。 平底フラスコにアセトン１２０ｃｃとガラス沸石を２
〜３個入れる。 ソックスレー抽出を行う。抽出時間は１回目のアセト
ンリフラックスが終了する時点より、ペレットの場合は
４時間である。 アセトン溶液をロータリーエバポレーターにセット
し、アセトンを留去し濃縮乾固する。 乾燥器で１０５℃で１時間乾燥させた後、室温になる
まで放冷する。 １０ｃｃの塩化メチレンを加えて内容物を溶解させ
る。 ０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液を５０ｃｃ加
え、スターラーで１５分間攪拌する。 静置分離し、水層（上層）の水酸化ナトリウム溶液を
約２５ｃｃ採取し、５Ａの濾紙で濾過する。 濾液のトータルフェノール量を分光光度計で測定す
る。
【００１７】（３）アセトン可溶分量 試料１ｇを塩化メチレン１０ｃｃに溶解させる。 アセトン２００ｃｃに入れ、ポリカーボネートを沈殿
させる。 ポリカーボネートを濾過して除く。 濾液を濃縮乾固させた後、重さを測定し、アセトン可
溶分量とする。 本発明の光学式ディスク基板は、上記ポリカーボネート
ペレットを射出成形法，圧縮成形法，押出成形法など任
意の方法で成形することにより得ることができる。なか
でも、スタンパを使用した射出成形法が好ましい。
させる。 ポリカーボネートを濾過して除く。 濾液を濃縮乾固させた後、重さを測定し、アセトン可
溶分量とする。 本発明の光学式ディスク基板は、上記ポリカーボネート
ペレットを射出成形法，圧縮成形法，押出成形法など任
意の方法で成形することにより得ることができる。なか
でも、スタンパを使用した射出成形法が好ましい。
【００１８】
【実施例】次に、実施例および比較例により、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によっ
て何ら限定されるものではない。 〔実施例１〕ビスフェノールＡとホスゲンを原料として
使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶分量が１４質
量％、遊離トータルフェノール量が１２０ｐｐｍである
フレーク状のポリカーボネート１００ｋｇにアセトン２
２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌して溶出処理を行
った。その後、アセトンを除去し、１２０℃、１．３〜
４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させた。得られたフ
レーク状のポリカーボネートの粘度平均分子量は１４，
９００であり、それに離型剤としてグリセリンモノステ
アレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止剤としてトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト４０
ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化した。そのペ
レットのアセトン可溶分量は８質量％、遊離トータルフ
ェノール量は７０ｐｐｍ、鉄分は０．１ｐｐｍであり、
グリセリンモノステアレート２８０ｐｐｍであった。こ
のペレットを射出成形機（住友重機械社製：ＤＩＳＫ
５）に供給し、下記の条件で径１３０ｍｍ、厚み１．２
ｍｍのディスク基板を６００枚製造した。 ・シリンダー温度：３２５℃ ・金型温度：９０℃（スタンパ側）／８５℃ ・スタンパー：ＣＤ−ＲＯＭ用 得られたディスク基板を傷欠陥検査機で検査した結果、
バリによる欠陥品は４．５％であった。ディスク基板を
９０℃９０％の恒温恒湿下で３００時間加速劣化させた
後、電気特性検査機を用いて測定したところ、ブロック
エラーレートが５であった。
さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によっ
て何ら限定されるものではない。 〔実施例１〕ビスフェノールＡとホスゲンを原料として
使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶分量が１４質
量％、遊離トータルフェノール量が１２０ｐｐｍである
フレーク状のポリカーボネート１００ｋｇにアセトン２
２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌して溶出処理を行
った。その後、アセトンを除去し、１２０℃、１．３〜
４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させた。得られたフ
レーク状のポリカーボネートの粘度平均分子量は１４，
９００であり、それに離型剤としてグリセリンモノステ
アレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止剤としてトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト４０
ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化した。そのペ
レットのアセトン可溶分量は８質量％、遊離トータルフ
ェノール量は７０ｐｐｍ、鉄分は０．１ｐｐｍであり、
グリセリンモノステアレート２８０ｐｐｍであった。こ
のペレットを射出成形機（住友重機械社製：ＤＩＳＫ
５）に供給し、下記の条件で径１３０ｍｍ、厚み１．２
ｍｍのディスク基板を６００枚製造した。 ・シリンダー温度：３２５℃ ・金型温度：９０℃（スタンパ側）／８５℃ ・スタンパー：ＣＤ−ＲＯＭ用 得られたディスク基板を傷欠陥検査機で検査した結果、
バリによる欠陥品は４．５％であった。ディスク基板を
９０℃９０％の恒温恒湿下で３００時間加速劣化させた
後、電気特性検査機を用いて測定したところ、ブロック
エラーレートが５であった。
【００１９】〔実施例２〕ビスフェノールＡとホスゲン
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１２質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍであるフレーク状のポリカーボネート１００ｋｇ
にアセトン２２５ｋｇを加えて６０℃で１時間攪拌して
溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１２０
℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させ
た。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平均
分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグリ
セリンモノステアレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止
剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホ
スファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット
化した。そのペレットのアセトン可溶分量は６質量％、
遊離トータルフェノール量は４０ｐｐｍ、残留鉄分は
０．１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレートは２
８０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１と同様に
ディスク基板を６００枚製造した。得られたディスク基
板を傷欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は
２．５％であった。
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１２質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍであるフレーク状のポリカーボネート１００ｋｇ
にアセトン２２５ｋｇを加えて６０℃で１時間攪拌して
溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１２０
℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させ
た。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平均
分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグリ
セリンモノステアレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止
剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホ
スファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット
化した。そのペレットのアセトン可溶分量は６質量％、
遊離トータルフェノール量は４０ｐｐｍ、残留鉄分は
０．１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレートは２
８０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１と同様に
ディスク基板を６００枚製造した。得られたディスク基
板を傷欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は
２．５％であった。
【００２０】〔比較例１〕ビスフェノールＡとホスゲン
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍである粘度平均分子量１４，９００のフレーク状
のポリカーボネートに離型剤としてグリセリンモノステ
アレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止剤としてトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト４０
ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化した。そのペ
レットのアセトン可溶分量は１３質量％、遊離トータル
フェノール量は９０ｐｐｍ、残留鉄分は０．１ｐｐｍで
あり、グリセリンモノステアレートは２８０ｐｐｍであ
った。このペレットを実施例１と同様にディスク基板を
６００枚製造した。得られたディスク基板を傷欠陥検査
機で検査した結果、バリによる欠陥品は１５％であっ
た。
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍである粘度平均分子量１４，９００のフレーク状
のポリカーボネートに離型剤としてグリセリンモノステ
アレート３００ｐｐｍ、リン系酸化防止剤としてトリス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト４０
ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化した。そのペ
レットのアセトン可溶分量は１３質量％、遊離トータル
フェノール量は９０ｐｐｍ、残留鉄分は０．１ｐｐｍで
あり、グリセリンモノステアレートは２８０ｐｐｍであ
った。このペレットを実施例１と同様にディスク基板を
６００枚製造した。得られたディスク基板を傷欠陥検査
機で検査した結果、バリによる欠陥品は１５％であっ
た。
【００２１】〔比較例２〕ビスフェノールＡとホスゲン
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍであるフレーク状のポリカーボネート１００ｋｇ
にアセトン２２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌して
溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１２０
℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させ
た。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平均
分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグリ
セリンモノステアレート５０ｐｐｍ、リン系酸化防止剤
としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化
した。そのペレットのアセトン可溶分量は８質量％、遊
離トータルフェノール量は８０ｐｐｍ、残留鉄分は０．
１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレートは４０ｐ
ｐｍであった。このペレットを実施例１と同様にディス
ク基板を６００枚製造した。得られたディスク基板を傷
欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は１１．
０％であった。
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍであるフレーク状のポリカーボネート１００ｋｇ
にアセトン２２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌して
溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１２０
℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥させ
た。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平均
分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグリ
セリンモノステアレート５０ｐｐｍ、リン系酸化防止剤
としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレット化
した。そのペレットのアセトン可溶分量は８質量％、遊
離トータルフェノール量は８０ｐｐｍ、残留鉄分は０．
１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレートは４０ｐ
ｐｍであった。このペレットを実施例１と同様にディス
ク基板を６００枚製造した。得られたディスク基板を傷
欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は１１．
０％であった。
【００２２】〔比較例３〕ビスフェノールＡとホスゲン
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍを含有するフレーク状のポリカーボネート１００
ｋｇにアセトン２２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌
して溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１
２０℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥さ
せた。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平
均分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグ
リセリンモノステアレート６００ｐｐｍ、リン系酸化防
止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ホスファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレッ
ト化した。そのペレットのアセトン可溶分量は８質量
％、遊離トータルフェノール量は８０ｐｐｍ、残留鉄分
は０．１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレート５
５０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１と同様に
ディスク基板を６００枚製造した。得られたディスク基
板を傷欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は
４．０％であったが、ディスク基板を９０℃９０％の恒
温恒湿下で３００時間加速劣化させた後、電気特性検査
機を用いて測定したところ、ブロックエラーレートが２
５であった。
を原料として使用し、溶液法で調製した、アセトン可溶
分量が１４質量％、遊離トータルフェノール量が１２０
ｐｐｍを含有するフレーク状のポリカーボネート１００
ｋｇにアセトン２２５ｋｇを加えて５０℃で１時間攪拌
して溶出処理を行った。その後、アセトンを除去し、１
２０℃、１．３〜４０ｈＰａの減圧下で２０時間乾燥さ
せた。得られたフレーク状のポリカーボネートの粘度平
均分子量は１４，９００であり、それに離型剤としてグ
リセリンモノステアレート６００ｐｐｍ、リン系酸化防
止剤としてトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ホスファイト４０ｐｐｍを添加した後、押出機でペレッ
ト化した。そのペレットのアセトン可溶分量は８質量
％、遊離トータルフェノール量は８０ｐｐｍ、残留鉄分
は０．１ｐｐｍであり、グリセリンモノステアレート５
５０ｐｐｍであった。このペレットを実施例１と同様に
ディスク基板を６００枚製造した。得られたディスク基
板を傷欠陥検査機で検査した結果、バリによる欠陥品は
４．０％であったが、ディスク基板を９０℃９０％の恒
温恒湿下で３００時間加速劣化させた後、電気特性検査
機を用いて測定したところ、ブロックエラーレートが２
５であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、離型剤の添加量を必要
以上に増やすことなく、バリによる欠陥が少ない光学式
ディスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂
組成物及び該樹脂組成物を成形してなる光学式ディスク
基板を提供することができる。
以上に増やすことなく、バリによる欠陥が少ない光学式
ディスク基板の素材として適したポリカーボネート樹脂
組成物及び該樹脂組成物を成形してなる光学式ディスク
基板を提供することができる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F071 AA50 AC05 AE22 AH12 BA01 BB05 BC01 BC03 4J002 CG001 EH046 FD166 GS02 4J029 AA09 AB01 AB05 AC01 AD01 AE03 AE04 BB04A BB05A BB09A BB10A BB12A BB13A BB15A BD09A BE05A BF14A BH02 DB09 DB10 DB11 DB12 DB13 HA01 HC01 HC02 HC04A HC05A JB193 JF563 KH05 KH08 5D029 KA07
Claims (5)
- 【請求項１】 粘度平均分子量が１０，０００〜１７，
０００であって、鉄分量が０．２ｐｐｍ以下、遊離トー
タルフェノール量が８０ｐｐｍ以下であり、かつ離型剤
を１００〜５００ｐｐｍ含有することを特徴とする光学
式ディスク基板用ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項２】 アセトン可溶分量が１２質量％以下であ
る請求項１記載の光学式ディスク基板用ポリカーボネー
ト樹脂。 - 【請求項３】 離型剤を１５０〜３５０ｐｐｍ含有する
ものである請求項１又は２に記載の光学式ディスク基板
用ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項４】 離型剤が多価アルコール脂肪酸エステル
である請求項１〜３のいずれかに記載の光学式ディスク
基板用ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の光学式
ディスク基板用ポリカーボネート樹脂からなる光学式デ
ィスク基板。
Priority Applications (14)
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| CNB018010946A CN100457826C (zh) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | 用作光盘底基的聚碳酸酯树脂及光盘底基 |
| DE60126036T DE60126036T3 (de) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | Polycarbonatharz für optisches plattensubstrat und optisches plattensubstrat |
| US09/926,828 US6716510B2 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | Polycarbonate resin for optical disk substrate and optical disk substrate |
| KR1020017016650A KR100743340B1 (ko) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | 광학 디스크 기판용 폴리카보네이트 수지 및 광학 디스크기판 |
| CN200810215092XA CN101358026B (zh) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | 用作光盘底基的聚碳酸酯树脂及光盘底基 |
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| EP01925978A EP1195409B2 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | Polycarbonate resin for optical disk substrate and optical disk substrate |
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| US10/756,410 US7067609B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-01-14 | Polycarbonate resin for optical disk substrate and optical disk substrate |
| US10/756,426 US20040143048A1 (en) | 2000-04-27 | 2004-01-14 | Polycarbonate resin for optical disk substrate and optical disk substrate |
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068863A1 (fr) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Resines de polycarbonate aromatique pour substrats de disques optiques |
| JP2009120736A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカーボネート樹脂溶液の分離方法 |
| CN106029734A (zh) * | 2014-02-28 | 2016-10-12 | 出光兴产株式会社 | 聚碳酸酯树脂及聚碳酸酯树脂组合物 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4880896A (en) * | 1987-05-30 | 1989-11-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Polycarbonate for disc substrate having low bisphenol content |
| US5215799A (en) * | 1989-01-25 | 1993-06-01 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Optical disk substrate and optical information-storage medium |
| JPH04331257A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-19 | Teijin Chem Ltd | 光学成形品用成形材料 |
| JP3103652B2 (ja) * | 1992-02-27 | 2000-10-30 | 日本ジーイープラスチックス株式会社 | 光学用ポリカーボネート組成物の製造方法 |
| AU753948B2 (en) * | 1997-12-12 | 2002-10-31 | General Electric Company | Static resistant polycarbonate compositions |
| JPH11342510A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-12-14 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形材料 |
-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127336A patent/JP4093703B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-26 CN CN2008102150915A patent/CN101358025B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-26 CN CN200810215092XA patent/CN101358026B/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068863A1 (fr) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Resines de polycarbonate aromatique pour substrats de disques optiques |
| US7122614B2 (en) | 2002-02-18 | 2006-10-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic polycarbonate resins for optical disk substrates |
| CN1325536C (zh) * | 2002-02-18 | 2007-07-11 | 出光兴产株式会社 | 用于光盘基质的芳香族聚碳酸酯树脂产物 |
| JP2009120736A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカーボネート樹脂溶液の分離方法 |
| CN106029734A (zh) * | 2014-02-28 | 2016-10-12 | 出光兴产株式会社 | 聚碳酸酯树脂及聚碳酸酯树脂组合物 |
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