WO2003061278A1 - Solid state imaging apparatus and drive method thereof - Google Patents

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WO2003061278A1
WO2003061278A1 PCT/JP2003/000375 JP0300375W WO03061278A1 WO 2003061278 A1 WO2003061278 A1 WO 2003061278A1 JP 0300375 W JP0300375 W JP 0300375W WO 03061278 A1 WO03061278 A1 WO 03061278A1
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signal
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floating diffusion
state imaging
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PCT/JP2003/000375
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Keiji Mabuchi
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Sony Corporation
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57Control of the dynamic range
    • H04N25/571Control of the dynamic range involving a non-linear response
    • H04N25/575Control of the dynamic range involving a non-linear response with a response composed of multiple slopes
    • HELECTRICITY
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    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Definitions

  • the present invention relates to a solid-state imaging device particularly applied to a CMOS type image sensor and a driving method thereof.
  • CM ⁇ S-type image sensor In the CM ⁇ S-type image sensor, a large number of pixels are arranged in a two-dimensional matrix on a semiconductor chip to form an imaging pixel section, and each pixel generates a signal charge corresponding to the amount of received light.
  • a gate comprising a photoelectric conversion element such as a photodiode and a plurality of MOS transistors for converting a signal charge generated by the photoelectric conversion element into an electric signal and reading out the signal at a predetermined timing. Circuit.
  • a signal processing circuit that performs signal processing such as CDS (Correlated Double Sampling) on the signal from each pixel around the imaging pixel section, and a signal processing circuit for each pixel.
  • a vertical Z horizontal scanner circuit for driving the gate circuit to read out the signals of each pixel in a predetermined order, and a shutter scanner circuit for cutting off the electronic shutter are provided.
  • FIG. 11 schematically showing the pixel arrangement of the imaging pixel unit 10
  • a large number of two-dimensional matrix is provided in the imaging pixel unit 10.
  • Pixels 12 are arranged, and an electronic shutter row 14 that resets the signal charge of each pixel 12 and a read selection row 16 that reads out pixel signals are selected with a predetermined number of rows. Are shifted sequentially in the direction of arrow A.
  • each pixel 12 of the electronic shutter row 14 an operation of discarding photoelectrons (charges) accumulated in the photodiode of each pixel 12 is performed.
  • the photoelectrons stored in the photodiode of each pixel 12 are converted into an electric signal and output to a signal processing circuit via an output signal line. The operation is performed.
  • the output signal of each pixel 12 is processed during the period from when each pixel 12 is reset in the electronic shutter row 14 to when the readout is selected in the selected row 16.
  • the signal has a level corresponding to the amount of photoelectrons accumulated in the photodiode.
  • the sensitivity can be adjusted by changing the photoelectron accumulation time.
  • a photodiode signal is read out a plurality of times in a selected row of image signal reading.
  • the floating diffusion (hereinafter, referred to as FD) part does not satisfy a sufficient potential.
  • FD floating diffusion
  • this method combines a plurality of pixel signals read out multiple times, a combining circuit is required at the subsequent stage, which increases the size of the circuit, the variation in the combining portion, and the combining provided for each pixel column. There is a problem that variation between circuits occurs. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to provide a solid-state imaging device capable of improving a dynamic range without increasing the size and complexity of a circuit and a driving method thereof.
  • the solid-state imaging device includes: an imaging pixel unit in which a plurality of pixels are arranged in a matrix; a vertical selection unit that vertically selects each horizontal pixel row of the imaging pixel unit; Pixel driving means for driving each pixel of the pixel row selected by the selection means via a pixel driving wiring, and signal processing means for inputting a signal of each pixel via an output signal line and performing predetermined signal processing And
  • Each pixel of the imaging pixel unit is configured to include a photoelectric conversion element and a signal charge accumulated by photoelectric conversion by the photoelectric conversion element.
  • Transfer means for transferring the potential of the floating diffusion section, reset means for resetting the potential of the floating diffusion section, and amplification means for outputting an output signal corresponding to the potential of the floating diffusion section.
  • the vertical selection means has a function of selecting at least two pixel rows of the imaging pixel section as a shutter row and a selection row and sequentially shifting the pixel rows, and the pixel driving means is selected by the vertical selection means.
  • the shutter row after resetting the floating diffusion section, the operation of transferring the signal charge of the photoelectric conversion element to the opening diffusion section was performed, and the selection was performed by the vertical selection means.
  • the signal charge of the photoelectric conversion element is reset without resetting the floating diffusion section or before resetting the floating diffusion section.
  • the signal processing means has a function of transferring the output signal to one junction unit and outputting the output signal after the transfer to the signal processing unit.
  • the driving method includes: an imaging pixel unit in which a plurality of pixels are arranged in a matrix; a vertical selection unit that vertically selects each horizontal pixel row of the imaging pixel unit; A pixel driving means for driving each pixel of the pixel row selected by the selection means via a pixel driving wiring; inputting a signal of each pixel via an output signal line to perform predetermined signal processing; A signal processing unit for performing the operation, wherein each pixel of the imaging pixel unit includes: a photoelectric conversion element; and a transfer unit configured to transfer a signal charge converted and accumulated by the photoelectric conversion element to a floating diffusion unit.
  • a method for driving a solid-state imaging device comprising: reset means for resetting the potential of the floating diffusion section; and amplifying means for outputting an output signal corresponding to the potential of the floating diffusion section. It is.
  • the vertical selection means selects at least two pixel rows of the imaging pixel section as a shutter row and a selected row, and shifts them sequentially.
  • the signal charges of the photoelectric conversion element are transferred to the floating diffusion section after resetting the floating diffusion section in the shutter row selected by the vertical selection means.
  • the photoelectric conversion is performed on the selected row selected by the vertical selection means without resetting the floating diffusion section, or before resetting the floating diffusion section.
  • the shutter row and the selected row are sequentially shifted by the vertical selection means.
  • the signal charges of the photoelectric conversion elements are reset after the resetting of the floating diffusion section. Transfer the signal charge of the photoelectric conversion element to the floating diffusion unit at least before the resetting of the floating diffusion unit in the selected row, and transfer to the floating diffusion unit. Therefore, it is possible to output a signal with 21 points that are sensitive in a long place and insensitive in a bright place.
  • the shutter row and the selected row are sequentially shifted by the vertical selection means, and the resetting of the floating diffusion section is performed in the shutdown row. Thereafter, the signal charges of the photoelectric conversion element are transferred to the opening diffusion section, and the signal charges of the photoelectric conversion element are floated at least in the selected row before resetting of the floating diffusion section.
  • the transfer to the Good Diffusion section has resulted in It can output a signal with 21 points that are sensitive and insensitive in bright places.
  • FIG. 1 is an overall configuration diagram of an example of a solid-state imaging device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram around a pixel of an example of the solid-state imaging device according to the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a relationship between an electronic shutter row of an example of the solid-state imaging device according to the present invention and a selected row for signal reading.
  • 4A to 4D are timing charts showing the operation related to the pixel shown in FIG.
  • FIGS. 5A to 5E are diagrams showing the transition of the potential between the photodiode and the opening diffusion section of another example of the solid-state imaging device according to the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing an output characteristic of another example of the device of the present invention.
  • FIG. 7 shows a relationship between an electronic shutter row of another example of the device of the present invention and a selected row for signal reading.
  • FIG. 8 is an overall configuration diagram of still another example of the device of the present invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of an example of an SZH ⁇ CDS (sample-hold 'correlated double sampling) circuit.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of another example of the SZH ⁇ CDS circuit.
  • Figure 11 shows the electronic shutter row and readout selection of a conventional solid-state imaging device. It is explanatory drawing of the relationship with a selection. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • An object of the present invention is to enable shooting in a wide dynamic range.
  • the present applicant has first made it possible to flexibly cope with various shooting conditions and always obtain a favorable image.
  • a solid-state imaging device and a driving method capable of performing imaging in a wide dynamic range have been proposed (for example, Japanese Patent Application No. 2000-201, Japanese Patent Application No. 2000-1276). No. 529, Japanese Patent Application No. 2001-2866457, hereinafter referred to as prior applications).
  • a solid-state imaging device includes a pixel section in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, a vertical selection unit that sequentially selects signals from these pixels, and a predetermined signal processing on signals from the pixels.
  • Signal processing means for performing the following.
  • the pixel unit includes a photoelectric conversion element that converts an optical signal into an electric signal, a transfer unit that transfers a signal from the photoelectric conversion element to the opening diffusion unit, and a reset unit that resets a potential of the floating diffusion unit. It comprises reset means for setting and amplifying means for amplifying a signal corresponding to the potential of the floating diffusion section. Then, a shutter operation in which signal processing is not performed by the signal processing unit and a selection operation in which signal processing is performed by the signal processing unit are performed. In the shutter operation, the potential of the floating diffusion unit is set to a reference potential, and then the photoelectric conversion is performed. The signal stored in the switching element is transferred to the floating diffusion section. During the selection operation after the shutter operation, the signal accumulated in the photoelectric conversion element is set to the floating level without setting the floating diffusion section to the reference potential or before the reference potential. Transfer to the Good Diffusion section.
  • the drive is performed in the order of FD reset-charge transfer in the shutter row, and the drive is performed in the order of charge transfer-CDS capture-FD reset-CDS capture in the selected row.
  • the solid-state imaging device is, specifically, a CMOS image sensor.
  • an overall configuration diagram of the solid-state imaging device 2 includes an imaging device on a semiconductor substrate (not shown).
  • the imaging pixel section 104 a large number of pixels are arranged in a matrix, and an electrical signal generated by each pixel detecting light is generated by a timing pulse from the timing generator 110. Based on V selection means 1 0
  • the imaging pixel Pixels 120 are composed of a photodiode 122 as a photoelectric conversion element, and an FD (floating diffusion) section for obtaining a potential change corresponding to the amount of transferred charges. 4, Connect photodiode 12 to FD section 124 when transfer pulse is supplied Transfer gate 126, FD section when reset pulse is supplied
  • the reset gate 128 includes an amplifying transistor 130 that outputs a voltage corresponding to the potential fluctuation of the FD.
  • Photodiode 122 has an anode connected to ground and a cathode connected to the source of an N-type MOS FET (insulated gate field effect transistor) that forms transfer gate 126. It is connected .
  • the drain of the MOS FET is connected to the FD section 124, and the transfer pulse 1332 is supplied to the gate from the V selection means 106.
  • the reset gate 128 is also composed of an N-type Mp SFET, its source is connected to the FD section 124, its drain is connected to the power supply Vdd, and its gate is reset pulse from the V selection means 106. 1 3 4 is supplied.
  • the gate of the N-type MOS FET constituting the ⁇ width transistor 130 is connected to the FD section 124, and the drain is connected to the power supply Vdd. ⁇ Between the width transistor 13 0 and the vertical signal line 13 6
  • a selection transistor 138 composed of an N-type MOS FET is interposed, and a selection pulse 140 is supplied to the gate from the V selection means 106 shown in FIG.
  • the source of the wide transistor 130 is connected to the drain of the selected transistor 138, and the source of the selected transistor 138 is connected to the vertical signal line 136.
  • the vertical signal line 136 is provided for each column of the pixels 120 arranged in a matrix, and all the sources of the selection transistors 138 of the pixels 120 belonging to the same column are provided. Connect to corresponding vertical signal line 1 3 6 Have been.
  • One end of the vertical signal line 13 6 is connected to a constant current source 114 in a constant current section 114 A arranged outside the imaging pixel section 104, and is vertically connected by the constant current source 114.
  • a constant current is flowing through signal line 1366.
  • the other end of the vertical signal line 1336 is connected to the S / H • CDS section 112 arranged outside the imaging pixel section 104 shown in FIG.
  • an S / H ⁇ CDS circuit 146 is provided for each vertical signal line 136.
  • the first and second sampling pulses 148, 150 are supplied from the timing generator 110 shown in FIG. 1 to each S / H CDS circuit 146. Based on these sampling pulses, the H ⁇ CDS circuit 146 uses the signal charge from the photo diode 122 output from the amplification transistor 130 to the vertical signal line 136, and the FD unit 122 4 and the voltage (offset voltage) obtained from the FD section 124 at reset, and outputs a voltage corresponding to the difference between the two voltages.
  • the first and second sampling pulses 148, 150 are supplied simultaneously to hold the photodetection voltage. , Only the second sampling pulse 150 is supplied.
  • the output signal of the CDS circuit 146 operates based on the timing signal from the timing generator 110, and the H selection shown in Fig. 1
  • the signals are sequentially selected by the means 108, output to the horizontal signal line 116, and output through the output section 118.
  • the output section 118 is composed of a width circuit, an AGC circuit, and A / D converters.
  • the imaging pixel unit 104 has a two-dimensional matrix shape. A large number of pixels 120 are arranged, and the first shutter row 210 and the second shutter row 220 that reset the signal charge of each pixel 120 and the selection of reading the pixel signal are performed. Rows 230 are selected at intervals of a predetermined number of rows and sequentially shifted in the direction of arrow A.
  • each pixel 1 is a pixel 1 of the first shutter row 210. Then, in each pixel 120 of the first shutter row 210, each pixel 1
  • a reset operation is performed to discard the photoelectrons accumulated in the photodiode 12 of 22.
  • the FD section 124 can be reset in addition to the photodiode 122.
  • a voltage is applied to the substrate to discharge the charge of the photodiode 122 to the substrate.
  • a charge discharging section can be provided separately from the FD section 124.
  • step 4 The reset operation of step 4 is performed, and then the photoelectrons accumulated in the photodiode 122 are transferred to the FD section 124 set to this reference potential o
  • each pixel 120 of the selected row 230 the photoelectrons accumulated in the photodiode 122 of each pixel 120 are returned to the state where they are not set to the reference potential again or before they are set to the reference potential.
  • the FD section 124 of each pixel 120 is reset and the signal is read out to the vertical signal line 136 at the same time.
  • Figures 4A, B, .C, and D show the reset R for the first shutter row, the second shutter row, the selected row, and other rows, respectively.
  • FIG. 4 a section in which a pixel is driven is taken out of one row period, and a period in which the pixel of t o is not driven is mostly occupied.
  • the pixel 1200 sets the potential of the vertical signal line 1336 to 0 N at t8, and the potential of the vertical signal line 1336 changes to the second shutter row 2. It follows the FD potential of 20. Then, t
  • the FD section 124 is reset, and at t11, the photoelectrons of the photodiode 122 are transferred to the FD section 124. As a result, new photoelectrons begin to be accumulated in the photodiodes 122. At t13, the selected transistor 1338 is turned off.
  • the pixel 12Q is driven during the period from t1 to t7.
  • pixel 120 is selected transistor at t 1
  • the potential of the vertical signal line 1336 follows the FD potential of the selected row 230 by setting 0N to 138.
  • the photoelectrons of photodiode 122 are transferred to FD section 124.
  • the FD section 124 is reset at t5.
  • the S / H ⁇ CDS circuit 146 takes in the potential of the vertical signal line 136 at t 4 and t 6 and holds the difference between these two potentials. Thereafter, at t7, the selection transistor 1338 is turned off. The output of the S / H ⁇ CDS circuit 146 is sequentially read out to the horizontal signal line 116 by the H selection means 108 and output through the output section 118.
  • FIG. 5 is a cross-sectional structure (FIG. 5A) from a photodiode constituting one pixel to a transfer gate section and a reset gate section, and a potential diagram thereof (FIGS. 5B to 5E).
  • Figure 5A shows a photo diode 12 2 consisting of a p + region and an n region, a FD portion 1 24 and a drain portion in the P we 11 region 16 2 formed on the Si substrate 16.
  • 16 shows a structure in which a transfer gate electrode 168 and a reset gate electrode 170 are arranged on an Si substrate 160 via a gate insulating film 166 via a gate insulating film 166. ing.
  • 5B, 5C, 5D and 5E are plotted on the abscissa at positions corresponding to the parts in FIG. 5A at the timings t11, t12, t2 and t3 shown in FIG. 4, respectively.
  • the potential is shown on the vertical axis. In the potential display, the downward direction is +.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing the output characteristics of the solid-state imaging device, in which the vertical axis indicates the amount of charge C FD in FD, and the horizontal axis indicates the amount of incident light. The operation of the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the potential transition diagrams of FIGS. 5B to 5E and the output characteristic diagram of FIG.
  • the interval between the first shutter row 210 and the second shutter row 220 is set to 400 rows, and the interval between the second shutter row 220 and the selected row 230 is set as the interval. 5 lines.
  • the photodiode 12 When the photoelectron accumulation starts at 22 and the selected row 230 arrives at pixel 120, as shown at time t2 (Fig. 5D), the photodiode 12 has 5 rows of signals. This is the potential where S 2 accumulates. Then, the signal S 2 is transferred to the FD section 124 at t 3 (FIG. 5E).
  • the signal S 2 Since the signal S 2 has a short accumulation period, the signal S 2 is a signal insensitive to the 80-fold light intensity compared to the signal S 1, and becomes a signal as shown by a curve b in FIG. 6 in relation to the incident light intensity. In this case, in the case of even stronger light, the signal S 2 overflows the photodiode 12 and includes the one that has flowed into the FD section 124, so that unlike the signal S 1, the signal S 2 The upper limit is not determined by saturation.
  • the sum of signal S 1 and signal S 2 is stored in FD section 124.
  • the electric charge of the FD section at the time of this photoelectron reading is shown, Is steep, and signals with small changes can be read out in large areas.
  • the upper limit level Lb of the curve c is determined by the saturation level of the FD section 124.
  • the signal S 1 is an optical signal from the previous selected row to the second shutter row.
  • the charge of the photodiode is transferred after resetting the FD section in the selected row, and
  • the photoelectrons from the previous selected row to the second shutter row were Since the sum of optical signals from the second shutter row to the selected row is detected, unlike the electronic shutter operation of FIG. 11, a wide dynamic range can be realized.
  • Various modifications can be made to the way of inserting.
  • the first shutter row and the second shutter row can have different periods.
  • the drive periods of the first shutter row and the second shutter row may be shifted, or the selection gate may be opened in the first shutter row during that period.
  • a CDS circuit is used. This is not essential when the fixed pattern noise, which is for canceling the fixed pattern noise due to the variation in the threshold value of the width transistor for each pixel, is small, is small.
  • the selected row only needs to read out the signal after the transfer pulse, and the reset pulse is not necessarily required.
  • circuit configuration and drive pulses in the second embodiment are the same as those described in the above-described embodiment (that is, the first embodiment) with reference to FIGS. 1, 2, and 4.
  • One difference between the second embodiment and the first embodiment is that the electronic shutter row (that is, the second shutter row) always selects the row immediately before the selected row.
  • 0 and the selected row 230 are continuous pixel rows.
  • the signal capture timing of the CDS circuit is different.
  • the signal capture of the CDS circuit is performed at timing t10 when the output of the second shutter row is output to the vertical signal line, and when the output of the selected row proceeds to the next row. Perform at the evening of t4 on the vertical signal line.
  • the CDS circuit outputs this difference.
  • the reset level of the FD section comes first in the CDS circuit, and then the level of the photoelectrons transferred to the FD enters. Therefore, this difference is the net increment of electrons transferred to the FD section, and there is no reset noise.
  • the level of the photoelectrons enters first, and the level obtained by resetting the level enters later, so that even if the difference is taken, the variation in reset (reset noise) is listed.
  • Second implementation In the example, the effect of such reset noise can be eliminated, and the image quality can be improved.
  • FIG. 8 is a configuration diagram showing another example of the solid-state imaging device according to the present invention.
  • the solid-state imaging device 34 shown in FIG. 8 is provided with a communication unit 54 for receiving an external signal for controlling the driving mode.
  • the S / H ⁇ CDS circuit 146 and the output section 1.18 are combined into a CDS / AGC section 260, and a signal combining section for combining the signals.
  • a bus line 264 or the like for outputting the synthesized signal as a digital output is shown, it is essentially the same as the solid-state imaging device 2 shown in FIG. Are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • FIG. 9 and FIG. 10 are circuit diagrams showing specific examples of the SZH ⁇ CDS circuit 146.
  • FIG. 9 shows a state where the S / H ⁇ CDS circuit 146 is connected to the pixel 120 shown in FIG.
  • the S / H ⁇ CDS circuit 146 includes transistors 356 and 358, capacitors (capacitors) 360 and 362, and a horizontal selection transistor 364.
  • the drain of the transistor 356 is connected to the vertical signal line 136, the source is connected to one end of the capacitor 360, and the gate of the transistor 356 is connected to the evening generator. 2nd than 1 1 0 Sampling pulse 150 is supplied.
  • the drain of the transistor 358 is connected to the bias voltage source Vb, the source is connected to the other end of the capacitor 360, and the gate is connected to the first from the timing generator 110. Sampling pulse 148 is supplied.
  • a capacitor 362 is connected between the other end of the capacitor 360 and the ground, and a drain of the horizontal selection transistor 364 is further connected to the other end of the capacitor 360. .
  • the source of the horizontal selection transistor 365 is connected to the horizontal signal line 116, and a selection pulse is supplied to the gate from the H selection means 108.
  • the S / H / CDS circuit 146 shown in FIG. 10 is composed of a differential amplifier circuit 355, transistors 356A and 356B, and capacitors, that is, capacitors 362A and 3B. 6 2 B and a horizontal selection transistor.
  • the drain of 6B is connected to the vertical signal line 1336.
  • the sources of the transistors 356 A and 356 B are connected to the input terminals of the differential amplifier circuit 355 and one ends of the capacitors 362 A and 362 B, respectively. Sampling pulse 1 4 from timing generator 110 for gates of 35 A and 365 B
  • the output terminal of the differential amplifier circuit 355 is connected to the drain of the horizontal selection transistor 364, and the source of the horizontal selection transistor 364 is connected to the horizontal signal line 116.
  • a selection pulse is supplied from the H selection means 108 to the cell.
  • S / H ⁇ CDS circuits are merely examples, and SZH ⁇ CDS circuits having other configurations can be used, and thus detailed description is omitted.
  • the present invention can be widely applied to solid-state imaging devices using such various S / H CDS circuits.
  • a solid-state imaging device with a wide dynamic range can be obtained by using a photodiode with a small saturation charge.
  • the shutter row and the selected row are sequentially shifted.
  • the photoelectric conversion element is turned off.
  • the signal charge is transferred to the floating diffusion section, and the signal charge of the photoelectric conversion element is transferred to the selected row at least before the resetting of the floating diffusion section. Since the signal is transferred to the light source, it is possible to output a signal with 21 points that is sensitive in dark places and insensitive in bright places. In addition, there is an effect that it is possible to perform shooting in a good wide dynamic range with a simple configuration having a single output.
  • the shutter row and the selected row are sequentially shifted, and in the shutter row, the signal of the photoelectric conversion element is reset after resetting of the floating diffusion section.
  • the charge is transferred to the floating diffusion section, and the signal charge of the photoelectric conversion element is transferred to the floating diffusion section at least in the selected row before resetting the floating diffusion section. Since a signal having a sensitive point in a long area and an insensitive 21 point in a bright area can be output, even when the saturation charge of the photoelectric conversion element is small, Also, there is an effect that a good wide dynamic range can be photographed with a simple configuration having one output system.

Description

明 細 書
固体撮像装置とその駆動方法
技術分野
本発明は、 特に C M 0 S型イメージセンサに適用される固体撮 像装置とその駆動方法に関する。 背景技術
C M〇 S型イメージセンサでは、 半導体チップ上に 2次元マ ト リ タス状に多数の画素を配置して撮像画素部を構成しており、 各 画素毎に受光量に応じた信号電荷を生成するフォ トダイォ—ド等 の光電変換素子と、 この光電変換素子によって生成された信号電 荷を電気信号に変換して所定のタイ ミ ングで読み出すための複数 の MO S トランジス夕で構成されるゲ一 ト回路とを有して成る。
そして、 その撮像画素部の周辺には、 各画素からの信号に対し て C D S (C o r r e l a t e d D o u b l e S a m 1 i n g : 相関二重サンプリ ング) 等の信号処理を行う信号処理回路 と、 各画素のゲ一 ト回路を駆動して各画素の信号を所定の順序で 読み出すための垂直 Z水平スキャナ回路や、 電子シャ ツ夕を切る ためのシャ ッタスキャナ回路が設けられている。
従来の C MO S型イメージセンサは、 図 1 1に模式的にその撮 像画素部 1 0の画素配列を示すように、 撮像画素部 1 0には 2次 元マ ト リ クス状に多数の画素 1 2が配置され、 各画素 1 2の信号 電荷をリセッ トする電子シャ ッタ行 1 4と、 画素信号の読み出し を行う読み出し選択行 1 6 とが所定の行数だけ間隔を開けて選択 され、 矢印 A方向に順次シフ トされる。
電子シャ ツタ行 1 4の各画素 1 2では、 各画素 1 2のフォ トダ ィオー ドに蓄積されている光電子 (電荷) を捨てる動作が行われ る o また、 読み出し選択行 1 6 の各画素 1 2では、 各画素 1 2 のフ ォ トダイォ— ドに蓄積されている光電子を電気信号に変換し、 出 力信号線を介して信号処理回路に出力する動作が行われる。
これにより.、 各画素 1 2 の出力信号は、 各画素 1 2が電子シャ ッタ行 1 4でリセッ トされてから、 選択行 1 6 ·で読み出しの選択 がなされるまでの期間に、 フォ トダイォ一 ドに蓄積された光電子 量に対応するレベルの信号となる。
したがって、 電子シャ ッタ行 1 4 と選択行 1 6 の間隔を、 変え ることによって、 光電子の蓄積時間を変えて感度を調節すること ができる。
これが従来の電子シャ ッタ機能である。
しかし、 このような方法では、 撮像画像に明るいところと暗い ところが共存するときに、 明るいところに合わせるようにシャ ッ 夕時間を調節するときは、 暗いところでの感度が不足し、 暗いと ころに合わせるようにシャ ツタ時間を調節するときは、 明るいと ころのフ ォ トダィォ一 ドが飽和して真っ白に飛んでしまうという 問題、 つま り、 ダイナミ ック レンジが狭いという問題点があつた そこで、 最近、 ダイナミ ック レンジを拡大する方法の 1つと し て、 例えば特開 2 0 0 1 - 1 7 7 7 7 5号公報に開示された方法 が提案された。
これは、 画像信号読み出しの選択行において、 フォ トダイォ一 ドの信号を複数回に分けて読み出すものである。
しかしながら、 この方法では、 近年の撮像素子における微細化 や、 低電圧化に伴うフォ トダイォ— ドの飽和電子数の減少により
、 1 回の転送においてフローティ ングディ フュージョ ン (以下 F Dという) 部で十分な電位を満たすことがなくなることから、 こ のような場合は、 複数回の読み出し動作を実行しても、 2回目以 降では十分な信号が得られず、 ダイナミ ックレンジを増加させる ことができない。
また、 この場合、 Γつの選択行で、 続けて 2回以上の読み出し 動作を行わなければならな.いので、 画素列シフ トの高速化が難し い。
また、 画素毎の固定パターンノィズを取るために、 リセッ ト時 の信号レベルと光電子蓄積時の信号レベルとの差を取る C D S処 理を行う場合は、 1つの選択行で 2つの画素信号の読み出しを行 うために、 2 回のリセッ ト動作と 2回の光電子蓄積動作とを行う こ とが必要となり、 リ セッ ト レベルと光電子蓄積レベルの合計 4 回の検出を行わなければならない。
また、 複数回に分けて読み出した複数の画素信号を合成する方 法であるため、 後段に合成回路が必要となり、 回路が大型化した り、 合成部分のばらつきや画素列ごとに設けられた合成回路同士 のばらつきが発生したりする問題がある。 発明の開示
本発明は、 回路の大型化、 複雑化を来すことなく、 ダイナミ ツ ク レンジの改善を図るこ とのできる固体撮像装置とその駆動方法 を提供するものである。
本発明による固体撮像装置は、 複数の画素がマ ト リ クス状に配 列された撮像画素部と、 撮像画素部の水平方向の各画素行を垂直 方向に'選択する垂直選択手段と、 垂直選択手段によつて選択され た画素行の各画素を画素駆動配線を介して駆動する画素駆動手段 と、 各画素の信号を出力信号線を介して入力し、 所定の信号処理 を行う信号処理手段とを有する。
撮像画素部の各画素は、 光電変換素子と、 光電変換素子が光電 変換して蓄積した信号電荷をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部 に転送する転送手段と、 フローティ ングディ フユ一ジョ ン部の電 位をリ セッ 卜する リセッ ト手段と、 フローティ ングディ フユ一ジ ョ ン部の電位に対応する出力信号を出力する増幅手段とを具備す る。
垂直選択手段は、 撮像画素部の少なく とも 2つの画素行をシャ ッタ行と選択行と して選択し、 順次シフ 卜させていく機能を備え 、 画素駆動手段は、 垂直選択手段によって選択されたシャ ツタ行 ではフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリ セッ 卜の後に、 光電 変換素子の信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送 する動作を行い、 垂直選択手段によって選択された選択行ではフ 口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ トをせずに、 または、 フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ ト前に、 光電変換素 子の信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送し、 こ の転送後の出力信号を前記信号処理手段に出力させる機能を有す る。
また、 本発明による駆動方法は、 複数の画素がマ ト リ タス状に 配列された撮像画素部と、 撮像画素部の水平方向の各画素行を垂 直方向に選択する垂直選択手段と、 垂直選択手段によつて選択さ れた画素行の各画素を画素駆動配線を介して駆動する画素駆動手 段と、.各画素の信号を出力信号線を介して入力し、 所定の信号処 理を行う信号処理手段とを有し、 撮像画素部の各画素が、 光電変 換素子と、 光電変換素子が変換して蓄積した信号電荷をフローテ ィ ングディ フユ一ジョ ン部に転送する転送手段と、 フローティ ン グディ フユ一ジョ ン部の電位をリセッ トする リセッ ト手段と、 フ ローテイ ングディ フユ一ジョ ン部の電位に対応する出力信号を出 力する増幅手段とを備えた固体撮像装置の駆動方法である。
そして、 その垂直選択手段では、 撮像画素部の少なく とも 2つ の画素行をシャ ツタ行と選択行として選択し、 順次シフ 卜させて いき、 画素駆動手段では、 垂直選択手段によって選択されたシャ ッタ行ではフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリ セッ 卜の後に 、 光電変換素子の信号電荷をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部 に転送する動作を行い、 垂直選択手段によつて選択された選択行 ではフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ 卜をせずに、 ま たは、 フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ ト前に、 光電 変換素子の信号電荷をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送 し、 この転送後の出力信号を前記信号処理手段に出力させる駆動 方法である。
このよう に、 垂直選択手段によってシャ ッタ行と選択行を順次 シフ 卜させていき、 シャ ッタ行ではフローティ ングディ フユ一ジ ヨ ン部のリ セッ トの後に光電変換素子の信号電荷をフ口一テイ ン グディ フユ一ジョ ン部に転送し、 選択行では少なく ともフローテ ィ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ 卜より も前に光電変換素子の 信号電荷をフローティ ングディ フュージョ ン部に転送するように したことから、 喑いところは敏感で明るいところは鈍感な二一ポ ィ ン トを持った信号を出力する ことができるものである。
したがって、 光電変換素子の飽和電荷量が小さい場合にも、 広 ダイナミ ッ ク レンジ化を図ることができ、 また、 出力を 1系統と した簡易な構成で良好な広ダイナミ ック レンジの撮影を行うこと ができる。
また、 固体撮像装置の駆動方法においても、 同様に、 垂直選択 手段によつてシャ ツタ行と選択行を順次シフ トさせていき、 シャ ッ夕行ではフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ トの後に 光電変換素子の信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に 転送し、 選択行では少なく ともフローティ ングディ フユ一ジョ ン 部のリセッ 卜より も前に光電変換素子の信号電荷をフローティ ン グディ フユ一ジョ ン部に転送するようにしたことから、 暗いとこ ろは敏感で明るいところは鈍感な二一ポイ ン トを持った信号を出 力することができる。
したがって、 光電変換素子の飽和電荷量が小さい場合にも、 広 ダイナミ ッ ク レンジ化を図ることができ、 また、 出力を 1系統と した簡易な構成で良好な広ダイナミ ック レンジの撮影を行うこと ができるものである。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明による固体撮像装置の一例の全体的構成図であ る。
図 2 は、 本発明による固体撮像装置の一例の画素周辺の回路図で める o
図 3 は、 本発明による固体撮像装置の一例の電子シャ ッタ行と 、 信号読み出しの選択行との関係を示す図である。
図 4 A〜 4 Dは、 図 2 に示す画素に係わる動作を示すタイ ミ ン グチヤ一 トである。
図 5 A〜 5 Eは、 本発明による固体撮像装置の他の一例のフォ トダィォ一 ドとフ口一ティ ングディ フージ ョ ン部とのポテンシャ ルの遷移を示す図である。
図 6 は、 本発明装置の他の一例の出力特性を示す説明図である 図 7 は、 本発明装置の他の一例の電子シャ ッタ行と、 信号読み 出しの選択行との関係を示す図である。
図 8 は、 本発明装置の更に他の一例の全体的構成図である。 図 9 は、 S Z H · C D S (サンプルホールド '相関 2重サンプ リ ング) 回路の一例の回路図である。
図 1 0 は、 S Z H · C D S回路の他の例の回路図である。
図 1 1 は、 従来の固体撮像装置の電子シャ ツタ行と読み出し選 択行との関係の説明図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の目的とするところは、 広ダイナミ ック レンジの撮影を 行う ことができるようにすることであるが、 本出願人は、 先に、 さまざまな撮影条件に柔軟に対応して常に良好な広ダイナミ ック レンジの撮影を行うことができる固体撮像装置および駆動方法を 提案している (例えば特願 2 0 0 1 - 2 0 1 6 0 1号、 特願 2 0 0 1— 2 7 6 5 2 9号、 特願 2 0 0 1 - 2 8 6 4 5 7号参照、 以 下、 これらを先行出願という) 。
しかし、 これらの提案に係る固体撮像装置では、 出力が 2系統 になり、 回路が大型化する。
本発明の更なる目的は、 出力を 1系統とした簡易な構成で良好 な広ダイナミ ッ ク レンジの撮影を行うことができる固体撮像装置 およびその駆動方法を提供することにある。
本発明による固体撮像装置は、 複数の画素がマ ト リ クス状に配 列された画素部と、 これら画素からの信号を順次選択する垂直選 択手段と、 画素からの信号に所定の信号処理を行う信号処理手段 とを有する。
画素部は、 光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、 光電 変換素子からの信号をフ口一ティ ングディ フユ -ジョ ン部に転送 する転送手段と、 フローティ ングディ フュージョ ン部の電位をリ セッ トする リ セッ ト手段と、 フローティ ングディ フュージョ ン部 の電位に対応する信号を増幅する増幅手段とを具備する。 そして 、 信号処理手段で信号処理しないシャ ツタ動作と、 信号処理部で 信号処理する選択動作とが行われ、 シャ ツタ動作時には、 フロー ティ ングディ フュージョ ン部の電位を基準電位にした後、 光電変 換素子に蓄積した信号をフローティ ングディ フユ—ジョ ン部に転 送するとともに、 シャ ッタ動作の後、 選択動作時には、 フローテ イ ングディ フュー'ジョ ン部を基準電位にすることなしに、 または 基準電位にする前に光電変換素子に蓄積した信号をフローティ,ン グディ フユ—ジョ ン部に転送する。
以下に本発明の実施の形態を例示するが、 これは、 好適な具体 例であり、 説明において、 技術的に好ましい種々の限定が付され ているが、 本発明の範囲は、 以下の説明において、 特に本発明を 限定する旨の記載がない限り、 これらの態様に限定されないもの とする。
この実施の形態では、 シャ ツタ行で F D リセッ ト—電荷転送の 順に駆動し、 選択行で電荷転送— C D S取り込み— F Dリセッ ト - C D S取り込みの順に駆動することで、 喑いところは敏感で明 るいところは鈍感な、 いわゆる二一ポイン トを持った 1系統の出 力による広ダイナミ ッ ク レンジ化を達成する ものである。
これにより、 C D S回路を 2組用意する必要が無く、 これまで の二一ボイ ン ト出力の技術が使えるようになる。
この実施の形態による固体撮像装置は、 具体的には C M O S型 イメ ージセンサであり、 図 1 にこの固体撮像装置 2 の全体的構成 図を示すように、 半導体基板 (図示せず) 上に、 撮像画素部 1 0 4、 垂直 (V ) 選択手段 1 0 6、 水平 (H ) 選択手段 1 0 8、 タ
' イ ミ ングジェネレータ 1 1 0 ( T G ) 、 S /' H · C D S部 1 1 2 、 定電流部 1 1 4 Aなどを含んでいる。
撮像画素部 1 0 4には、 多数の画素がマ ト リ クス状に配列され 、 各画素が光を検出して生成した電気信号が、 タイ ミ ングジエネ レ一タ 1 1 0からのタイ ミ ングパルスにもとづき V選択手段 1 0
6 および H選択手段 1 0 8 により順次選択され、 水平信号線 1 1 6から、 出力部 1 1 8を通じて出力される構成となっている。 図 2 に 1画素周辺の回路図を示すように、 撮像画素部 1 0 4を 構成する画素 1 2 0 は、 光電変換素子と してのフォ トダイォ一 ド 1 2 2、 転送される電荷量に応じた電位変動を得るための F D部 (フローティ ングディ フユ一ジョ ン部) 1 2 4、 転送パルスが供 給されたときフォ トダイオー ド 1 2 2 を F D部 1 2 4に接続する 転送ゲー ト 1 2 6、 リセッ トパルスが供給されたとき F D部 1 2
4を電源 Vddに接続する リ セッ トゲー ト 1 2 8、 F D.部 1 2 4の 電位変動に応じた電圧を出力する増幅トランジスタ 1 3 0を含ん で構成されている。
フォ トダイオー ド 1 2 2 は、 アノー ドがグラン ドに接続され、 カソ一 ドは、 転送ゲー ト 1 2 6 を構成する N型の MO S F E T ( 絶縁ゲ一 ト型電界効果トラ ンジスタ) のソースに接続されている 。 また、 この M O S F E Tの ドレイ ンは F D部 1 2 4に接続され 、 ゲ一 トには V選択手段 1 0 6 より転送パルス 1 3 2が供給され る。 リセッ トゲー ト 1 2 8 も N型の Mp S F E Tにより構成され 、 そのソースは F D部 1 2 4に、 ドレイ ンは電源 Vddにそれぞれ 接続され、 ゲー トには V選択手段 1 0 6 より リ セッ トパルス 1 3 4が供給される。
增幅トラ ンジスタ 1 3 0 を構成する N型の MO S F E Tのゲ一 トは F D部 1 2 4に接続され、 ドレイ ンは電源 Vddに接続されて いる。 增幅 トラ ンジスタ 1 3 0 と垂直信号線 1 3 6 との間には、
N型の M O S F E Tから成る選択トラ ンジスタ 1 3 8が介在し、 そのゲ一 卜には図 1で示した V選択手段 1 0 6から選択パルス 1 4 0が供給される。 そして、 增幅トランジスタ 1 3 0のソースは 選択トラ ンジスタ 1 3 8の ドレイ ンに接続され、 選択トラ ンジス 夕 1 3 8のソースは垂直信号線 1 3 6 に接続されている。
垂直信号線 1 3 6 は、 マ ト リ クス状に配列された画素 1 2 0の 各列ごとに設けられ、 同一の列に属する画素 1 2 0 の選択トラン ジス夕 1 3 8 のソースはすべて対応する垂直信号線 1 3 6に接続 されている。 垂直信号線 1 3 6 の一端は、 撮像画素部 1 0 4の外 に配置された定電流部 1 1 4 Aにおいて定電流源 1 1 4に接続さ れ、 この定電流源 1 1 4 により垂直信号線 1 3 6に一定の電流が 流されている。 垂直信号線 1 3 6の他端は、 図 1で示した撮像画 素部 1 0 4の外に配置された S / H · C D S部 1 1 2に接続され ている。
S / H . C D S部 1 1 2 には、 各垂直信号線 1 3 6 ごとに S / H · C D S回路 1 4 6が設けられている。 各 S / H · C D S回路 1 4 6 には、 図 1で示したタイ ミ ングジヱネレ一タ 1 1 0から第 1 および第 2のサンプリ ングパルス 1 4 8、 1 5 0が供給されて おり、 S / H · C D S回路 1 4 6 は、 これらのサンプリ ングパル スにもとづき、 増幅 トラ ンジスタ 1 3 0が垂直信号線 1 3 6に出 力した、 フォ トダイオー ド 1 2 2からの信号電荷により F D部 1 2 4から得られる電圧 (光検出電圧) 、 およびリセッ 卜時の F D 部 1 2 4から得られる電圧 (オフセッ 卜電圧) をそれぞれ保持す る とともに、 2つの電圧の差に対応する電圧を出力する。
なお、 S / H · C D S回路 1 4 6 にオフセッ ト電圧を保持させ る場合は、 第 1および第 2 のサンプリ ングパルス 1 4 8、 1 5 0 が同時に供給され、 光検出電圧を保持させる場合は、 第 2 のサン プリ ングパルス 1 5 0 のみが供給される。
各垂直信号線 1 3 6 ごとの S Z H ♦ C D S回路 1 4 6 の出力信 号は、 タイ ミ ングジヱネレ一夕 1 1 0からのタイ ミ ング信号にも とづいて動作する図 1で示した H選択手段 1 0 8により順次選択 されて水平信号線 1 1 6 に出力され、 出力部 1 1 8を通じて出力 される。 出力部 1 1 8 は詳しく は增幅回路、 A G C回路、 A , D 変換器などにより構成されている。
この実施.の形態の固体撮像装置では、 図 3にその画素列の選択 動作を示すように、 撮像画素部 1 0 4には 2次元マ ト リ クス状に 多数の画素 1 2 0が配置されており、 各画素 1 2 0の信号電荷を リ セッ 卜する第 1 シャ ツタ行 2 1 0 および第 2 シャ ツタ行 2 2 0 と画素信号の読み出しを行う選択行 2 3 0が所定の行数だけ間隔 を開けて選択され、 矢印 A方向に順次シフ 卜される。
そして、 第 1 シャ ツタ行 2 1 0 の各画素 1 2 0 では、 各画素 1
2 0 のフォ トダイオー ド 1 2 2 に蓄積されている光電子を捨てる リセッ ト動作を行う。
なお、 こ こでは光電変換素子のフオ トダイオー ド 1 2 2だけを リセッ 卜 しているが、 フォ トダイオー ド 1 2 2に加えて F D部 1 2 4をリセッ トするようにすることもできる。 F D部 1 2 4をリ セッ トする場合以外のフォ トダイオー ド 1 2 2のリセッ ト方法と しては、 基板に電圧を印加してフォ トダイオー ド 1 2 2 の電荷を 基板に排出させる。 もし く は、 F D部 1 2 4 とは別に電荷排出部 を設けることもできる。
また、 第 2 シャ ツタ行 2 2 0 の各画素 1 2 0では、 F D部 1 2
4のリセッ ト動作を行い、 その後、 この基準電位とされた F D部 1 2 4 に、 フォ トダイオー ド 1 2 2 に蓄積された光電子を転送す る o
また、 選択行 2 3 0 の各画素 1 2 0 では、 各画素 1 2 0 のフォ トダイオー ド 1 2 2 に蓄積されている光電子を、 再び基準電位と されない状態、 あるいは基準電位とされる前の状態の上述した F D部 1 2 4 に転送し、 この F D部 1 2 4に転送された光電子を增 幅 トランジスタ 1 3 0 および選択トランジスタ 1 3 8によつて垂 直信号線 1 3 6 に読み出す動作を行う。 この後、 各画素 1 2 0 の F D部 1 2 4をリ セッ ト し、 その信号を同時に垂直信号線 1 3 6 に読み出す動作を行う。
このとき、 シャ ツタ行 2 1 0、 2 2 0および選択行 2 3 0以外 の画素行では何も動作を行わないことになる。 次に、 このような動作を図 4に基づき説明する。
図 4 A, B, . C, および Dは、 それぞれ第 1 シャ ツタ行, 第 2 シャ ツタ行, 選択行, およびそれ以外の行についてのリセッ ト R
, 転送 T, 選択 Sの動作を示すものである。
図 4では、 1行期間のうち画素を駆動する区間を取り出して示 しており、 実際には t o の画素を駆動しない期間が大部分を占め るものである。
まず、 画素 1 2 0 に第 1 シャ ツタ行 2 1 0が来ると、 t 9 で F D部 1 2 4力 リ セッ 卜され、 t 11でフォ トダイオー ド 1 2 2 の光 電子が F D部 1 2 4に転送される。 よって、 ここでは一旦フォ ト ダイオー ド 1 2 2が空になるが、 ここからまたフォ トダイオー ド
1 2 2への光電子の蓄積が始まる。
次に、 第 2 シャ ツタ行 2 2 0が来ると、 画素 1 2 0 は、 t 8 で 選択トラ ンジスタ 1 3 8が 0 Nして垂直信号線 1 3 6 の電位が第 2 シャ ツタ行 2 2 0 の F D電位に追随するようになる。 次に、 t
9 で F D部 1 2 4をリセッ 卜 して、 t 11でフォ トダイオー ド 1 2 2 の光電子を F D部 1 2 4に転送する。 これにより、 フォ トダイ オー ド 1 2 2 には新たに光電子が蓄積され始める。 また、 t 13で 、 選択トラ ンジスタ 1 3 8を O F Fする。
次に、 選択行 2 3 0が来ると、 画素 1 2 Q は、 t 1 〜 t 7 の期 間に駆動される。 ここで画素 1 2 0 は、 t 1 で選択トラ ンジスタ
1 3 8が 0 Nして垂直信号線 1 3 6 の電位が選択行 2 3 0 の F D 電位に追随するようになる。 次に、 t 3 でフォ トダイオー ド 1 2 2 の光電子を F D部 1 2 4 に転送する。 そして、 t 5 で F D部 1 2 4をリ セッ トする。
S / H · C D S回路 1 4 6 は、 t 4 と t 6 の垂直信号線 1 3 6 の電位を取り込み、 この 2つの電位の差を保持する。 この後、 t 7 で、 選択トランジスタ 1 3 8を O F Fする。 S / H · C D S回路 1 4 6の出力は、 H選択手段 1 0 8によつ て順番に水平信号線 1 1 6 に読み出され、 出力部 1 1 8を通して 出力される。
このような動作で特徴となるのは以下の点である。
( 1 ) 第 2 シャ ツタ行 2 2 0 ではリ セッ トパルスの後に転送パ ルスが入る。
( 2 ) 選択行 2 3 0ではリセッ トパルスより前に転送パルスが 入る。
このような動作により、 2系統の出力を必要とせず、 1系統の 出力で信号処理を行う ことができる。 また、 フォ トダイオードの 飽和信号量が小さい場合においても、 広ダイナミ ック レンジ化を ■ 達成する こ とができる。
以下、 その理由を図 5および図 6 を参照して説明する。
図 5 は、 1画素を構成するフォ トダイオー ドから、 転送ゲー ト 部、 リセッ 卜ゲ一 卜部に渡る断面構造 (図 5 A ) と、 そのポテン シャル図 (図 5 B〜E ) である。
図 5 Aは、 S i基板 1 6 0に形成された P w e 1 1領域 1 6 2 に、 p +領域と n領域からなるフォ トダイオー ド 1 2 2 と、 F D 部 1 2 4 と ドレイ ン部 1 6 4 とが配置され、 S i基板 1 6 0上に ゲー ト絶縁膜 1 6 6を介して転送ゲ— 卜電極 1 6 8、 リセッ トゲ 一ト電極 1 7 0が配置された構造を示している。
図 5 B, C , D , Eは、 それぞれ図 4に示した各タイ ミ ング t 11, t 12, t 2, t 3 における図 5 Aの各部に対応する位置を横軸 に、 これら各部におけるポテンシャルを縦軸に示すものである。 ポテンシャル表示は、 下向きを +と したものである。
また、 図 6 は、 固体撮像装置における出力特性を示す説明図で あり、 縦軸は F Dにおける電荷量 C FD、 横軸は入射光量を示して いる 図 5 B〜 Eによるポテンシャル遷移図と、 図 6 の出力特性図を 参照して、 本発明の実施例の作用を詳細に説明する。
ここでは一例として、 第 1 シャ ツタ行 2 1 0から第 2 シャ ツ夕 行 2 2 0 までの間隔を 4 0 0行、 第 2 シャ ツタ行 2 2 0から選択 行 2 3 0 までの間隔を 5行とする。
まず、 画素 1 2 0に第 1 シャ ツタ行 2 1 0が来たとき、 フォ ト ダイォ一 ド 1 2 2がリセッ トされ、 ここから光電子の蓄積が開始 れる。
次いで、 画素 1 2 0 に第 2 シャ ツタ行 2 2 0が来たとき、 F D 部 1 2 4をリ セッ ト した後、 t 11 (図 5 B ) で 4 0 0行分のフォ トダイオー ド 1 2 2の信号 S 1 が F D部 1 2 4に転送される。 こ の信号 S 1 は、 蓄積時間が長いので、 図 6の曲線 aに示すように 、 光量に対して敏感であるが、 フォ トダイオー ド 1 2 2の飽和レ ベルで決まる値ですぐに飽和する信号である。
t 12 (図 5 C ) で、 転送ゲー トが閉まり、 フォ トダイオー ド 1
2 2 に光電子蓄積が始まり、 画素 1 2 0 に選択行 2 3 0が来たと きに、 t 2 の時点 (図 5 D ) で示すようにフォ トダイオー ド 1 2 2 には 5行分の信号 S 2 が溜まるポテンシャルとなる。 そして、 この信号 S 2 を t 3 (図 5 E ) で F D部 1 2 4に転送する。
この信号 S 2 は、 蓄積期間が短いので、 信号 S 1 より 8 0倍光 量に鈍感な信号であり、 入射光量との関係では図 6の曲線 bに示 すような信号となる。 この場合、 さ らに強い光では、 信号 S 2 は フォ トダイオー ド 1 2 2を溢れ、 F D部 1 2 4に流れ込んだもの も含むので、 信号 S 1 とは異なり、 フォ トダイオー ド 1 2 2の飽 和で上限が決まるわけではない。
また、 t 3 で、 信号 S 1 と信号 S 2 との和が F D部 1 2 4に溜 められる。 これを読み出すことで、 図 6の曲線じに、 この光電子 読み出し時の F D部の電荷を示すように、 光量の小さいところで は急で、 大きいところでは変化の小さい信号を読み出すことがで きる。 この曲線 cにおける上限のレベル L bは F D部 1 2 4の飽 禾ロレベルで決まる。
このようにして、 暗いところでは敏感で、 明るいところは鈍感 な特性を示すいわゆる二一ボイ ン ト N Pを有する信号を出力する こ とができ、 フォ トダイオー ド 1 2 2 の飽和レベルが小さい場合 にも、 広ダイナミ ック レンジ化を図ることができる。
なお、 以上のような実施例において、 第 1 シャ ツタ行を使わな いような構成とすることもできる。 その場合は、 信号 S 1 が前の 選択行から第 2 シャ ツタ行までの光信号になる。 これは図 1 1に 示す従来例の電子シャ ツタ動作に似ているが、 図 1 1に示す従来 例では、 選択行で F D部をリセッ 卜 した後にフォ トダイオー ドの 電荷を転送して、 電子シャ ッタ行から選択行までの光信号を検出 していたのに対し、 この例における第 1 シャ ッタ行を使わない場 合は、 前の選択行から第 2 シャ ツタ行までの光電子と、 第 2 シャ ッタ行から選択行までの光信号の和を検出するので、 図 1 1の電 子シャ ツタ動作と異なり、 広ダイナミ ック レンジ化を実現できる また、 駆動方法、 すなわち駆動パルスの入れ方については種々 'の変形が可能である。
例えば、 図 4 では、 第 1 シャ ツタ行と第 2 シャ ツタ行を同じ期 間に駆動した。 この方法では、 駆動時間の短縮ができ、 駆動パル ス作成、 各行への導入の設計が簡単になる。
しかし、 第 1 シャ ツタ行と第 2 シャ ツタ行を別の期間とするこ ともできる。 例えば、 第 1 シャ ツタ行と第 2 シャ ツタ行の駆動期 間をずらしたり、 第 1 シャ ツタ行も、 その期間で選択ゲー トを開 けるようにしても良い。
また、 その他にも上記と同じ結果を得るための駆動パルスの入 れ方は種々採用できるものである。
また、 この例では C D S回路を用いている。 これは、 画素毎の 增幅トラ ンジスタのしきい値のばらつきによる固定パターンノィ ズをキヤ ンセルするためのものである力、 固定パターンノイズが 小さい場合は必須ではない。
そこで、 この場合は、 選択行は転送パルスの後の信号のみを読 み出せばよ く 、 リ セッ トパルスは必ずしも必要ない。
次に、 本発明の第 2実施例について説明する。
この第 2実施例において回路構成および駆動パルスは、 上述し た実施例 (すなわち第 1実施例) の図 1、 図 2、 図 4で説明した と同様である。
そして、 この第 2実施例が第 1実施例と異なる 1つの点は、 電 子シャ ツタ行 (すなわち第 2 シャ ツタ行) が選択行の直前の行を 常に選択することである。
つまり、 図 7に示すように、 この例では、 第 2 シャツタ行 2 2
0 と選択行 2 3 0が連続する画素行となつている。
また、 C D S回路の信号取り込みタィ ミ ングが異なる。
図 4を参照して説明すると、 C D S回路の信号取り込みは、 第 2 シャ ツタ行の出力が垂直信号線に出ている t 10のタイ ミ ングと 、 次の行に進んで選択行の出力が垂直信号線に出ている t 4 の夕 イ ミ ングで行う。 C D S回路はこの差を出力する。
, このような動作では、 C D S回路には F D部のリセッ ト レベル が先に入り、 それから F Dに転送された光電子のレベルが入る。 したがって、 この差は F D部に転送された電子の純増分であり、 リセッ トノィズが無いものとなる。
つま り、 第 1実施例では、 先に光電子のレベルが入って、 それ をリセッ 卜 したレベルが後に入るので、 その差を取ってもリセッ 卜のばらつき (リセッ トノイズ) が載っていたが、 この第 2実施 例では、 このような リ セッ ト ノイズの影響をなく すことができ、 画質を向上することができる。
次に、 本発明の第 3実施例について説明する。
図 8 は本発明による固体撮像装置の他の例を示す構成図である o
図 8 に示す固体撮像装置 3 4 は、 その駆動モ一 ドを制御するた めの外部信号を受信する通信部 5 4を設けたものである。
このような通信部 5 4を用いて上述した第 1、 第 2実施例の動 作を実現する駆動モー ドを選択することが可能である。
なお、 図 8では、 S / H ♦ C D S回路 1 4 6や出力部 1 .1 8を まとめて C D S · A G C部 2 6 0 と し、 その信号を合成する信号 合成 · A / D部 2 6 2 、 その合成信号をデジタル出力として出力 するバスライ ン 2 6 4等を表しているが、 本質的には図 1 に示す 固体撮像装置 2 と同様であるため図 8において.、 図 1 と対応する 部分には同一符号を付して説明は省略する。
また、 上述した各実施例で説明した S / H · C D S回路 1 4 6 については、 従来より用いられている各種の形態のもの用いるこ とが可能である。
例えば、 図 9及び図 1 0 は S Z H · C D S回路 1 4 6 の具体例 を示す回路図である。
図 9 は図 2 に示す画素 1 2 0 に S / H · C D S回路 1 4 6が接 続された状態をを示している。 この S / H · C D S回路 1 4 6 は 、 トランジスタ 3 5 6、 3 5 8、 コンデンサ (キャパシタ) 3 6 0、 3 6 2、 ならびに水平選択トラ ンジスタ 3 6 4を含んで構成 されている。
トラ ンジスタ 3 5 6 の ドレイ ンは垂直信号線 1 3 6 に、 ソ一ス はコンデンサ 3 6 0の一端にそれぞれ接続されており、 トランジ ' スタ 3 5 6 のゲー トには夕イ ミ ングジェネレータ 1 1 0 より第 2 のサンプリ ングパルス 1 5 0が供給される。
また、 トラ ンジスタ 3 5 8 の ドレイ ンはバイァス電圧源 V bに 、 ソ一スはコンデンサ 3 6 0 の他端にそれぞれ接続されており、 ゲー トにはタイ ミ ングジェネ レータ 1 1 0 より第 1 のサンプリ ン グパルス 1 4 8が供給される。
コンデンサ 3 6 0の上記他端とグラン ドとの間にはコンデンサ 3 6 2が接続され、 コンデンサ 3 6 0 の上記他端にはさらに水平 選択トラ ンジスタ 3 6 4の ドレイ ンが接続されている。
水平選択トラ ンジスタ 3 6 4 のソースは水平信号線 1 1 6に接 続されており、 ゲー トには H選択手段 1 0 8 より選択パルスが供 給される。
一方、 図 1 0 に示す S /H · C D S回路 1 4 6 は、 差動増幅回 路 3 5 5、 トラ ンジスタ 3 5 6 A、 3 5 6 B、 コンデンサすなわ ちキャパシタ 3 6 2 A、 3 6 2 B、 ならびに水平選択トランジス 夕 3 6 4 を含んで構成されている。 トラ ンジスタ 3 5 6 A、 3 5
6 Bの ドレイ ンは垂直信号線 1 3 6 に接続されている。
また、 トランジスタ 3 5 6 A、 3 5 6 Bのソースは差動増幅回 路 3 5 5 の入力端子、 およびコ ンデンサ 3 6 2 A、 3 6 2 Bの一 端に接続されており、 トラ ンジスタ 3 5 6 A、 3 5 6 Bのゲー ト にはタイ ミ ングジェネレータ 1 1 0 よりサンプリ ングパルス 1 4
8. 1 5 0が供給される。
また、 差動増幅回路 3 5 5 の出力端子は、 水平選択トランジス 夕 3 6 4 の ドレイ ンに接続され、 水平選択トランジスタ 3 6 4 の ソースは水平信号線 1 1 6 に接続されており、 ゲー 卜には H選択 手段 1 0 8 より選択パルスが供給される。
なお、 これらの S /H · C D S回路は、 一例であり、 これ以外 の構成を有する S ZH · C D S回路を用いることも可能であるの で詳細な説明は省略する。 本発明では、 このような各種の S / H · C D S回路を用いた固 体撮像装置に広く適用できるものである。
以上のような本発明の各実施例によれば、 次のような効果を得 ることが可能である。
( 1 ) 飽和電荷量の小さなフォ トダイオー ドを用いて、 ダイナ ミ ック レンジの広い固体撮像装置を得ることができる。
( 2 ) 二一ポイ ン トを持った信号を出力し、 二一ポイ ン ト前後 の感度比はシャ ッタ行の位置から明確に計算できる。
( 3 ) 2つのシャ ツタ行の位置を調節することで、 二一ボイ ン ト前後の感度は独立に可変である。
( 4 ) 雑音の少ない埋め込みフオ トダイオー ドを用いることが できるので、 S Z Nの良い固体撮像装置を構成できる。
( 5 ) 画素に新たな構成要素を加えないでよいので、 画素が大 き く ならず、 小型化を維持できる。
( 6 ) 従来の電子シャ ッ夕より も読出し期間を多く取る必要が 無く、 高速駆動を実現できる。
( 7 ) 複数回の動作で読み出した信号を後段で合成する回路を 設ける必要は無く、 回路が大型化しない。 その分の回路のばらつ きに起因する固定パターンノィズも発生しない。
以上、 本発明の実施の形態について説明したが、 本発明はこれ らの実施の形態例に限定されるものではなく、 種々の変形が可能 ある。
たとえば、 上述した各実施の形態例では、 電子がキャ リアであ ると したが、 各ゲー トなどを構成する M O S F E Tとして P型の M 0 S F E Tを用い、 正孔をキヤ リァとした場合にも、 基本的な 動作は変わらず、 同様の作用効果が得られる。 また、 ここでは光 電変換素子と してフォ トダイオー ドを用いたが、 フォ トゲ一 卜な ど、 他の光電変換素子を用いることも無論可能である。 また、 上述の例では、 各画素列ごとに C D S回路を設けたが、 この代わりに、 転送後と リセッ 卜後の信号を両方出力して外部で C D S処理を行うようにしても良く、 C D S処理の方法は本発明 の本質に影響しないものである。
上述したように本発明の固体撮像装置によれば、 シャ ツタ行と 選択行を順次シフ 卜させていき、 シャ ツタ行ではフローティ ング ディ フユ一ジ ョ ン部のリセッ トの後に光電変換素子の信号電荷を フローティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送し、 選択行では少なく ともフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ 卜より も前に光 電変換素子の信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に転 送するようにしたことから、 暗いところは敏感で明るいところは 鈍感な二一ポイ ン トを持った信号を出力することができるので、 光電変換素子の飽和電荷量が小さい場合にも、 また、 出力を 1系 統と した簡易な構成で良好な広ダイナミ ック レンジの撮影を行う ことができる効果がある。
また、 本発明の固体撮像装置の駆動方法によれば、 シャ ツタ行 と選択行を順次シフ 卜させていき、 シャ ッタ行ではフローティ ン グディ フュージョ ン部のリセッ トの後に光電変換素子の信号電荷 をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送し、 選択行では少な く と もフローティ ングディ フュージョ ン部のリセッ 卜より も.前に 光電変換素子の信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に 転送するようにしたことから、 喑いところは敏感で明るいところ は鈍感な二一ポイ ン トを持った信号を出力することができるので 、 光電変換素子の飽和電荷量が小さい場合にも、 また、 出力を 1 系統とした簡易な構成で良好な広ダイナミ ック レンジの撮影を行 う ことができる効果がある。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 複数の画素と、 該画素を順次選択する垂直選択手段と、 上記 画素からの信号を順次選択する垂直選択手段と、 上記画素からの 信号に所定の信号処理を行う信号処理手段とを有し、
上記画素は、 光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、 該 光電変換素子からの信号をフローティ ングディ フユ—ジョ ン部に 転送する転送手段と、
上記フローティ ングディ フュージョ ン部の電位をリセッ 卜する リセッ ト手段と、
上記フローティ ングディ フュージョ ン部お電位に対応する信号 を増幅する増幅手段とを具備し、 . 上記信号処理手段で信号処理しないシャ ッタ動作と、 上記信号 処理部で信号処理する選択動作とが行われ、
上記シャ ッタ動作時には、 上記フ 口一ティ ングディ フ ユ —ジョ ン部の電位を基準電位にした後、 上記光電変換素子に蓄積した信 号を上記フ口一ティ ングディ フュージョ ン部に転送するとともに 上記シャ ッタ動作の後、 上記選択動作時には、 上記フ口—ティ ングディ フュージョ ン部を基準電位にすることなしに、 または基 準電位にする前に上記光電変換素子に蓄積した信号をフ口—ティ ングディ フュージョ ン部に転送することを特徵とする固体撮像装 置。
2 . 請求の範囲第 1項に記載の固体撮像装置において、
上記増幅手段に接続され、 上記増幅手段からの信号を信号線に 送出する選択手段を有することを特徵とする固体撮像装置。
3 . 請求の範囲第 1項に記載の固体撮像装置において、
上記信号処琿手段からの信号を水平信号線に供給する水平選択 手段を有することを特徵とする固体撮装置。
4 . 請求の範囲第 1項に記載の固体撮像装置において、
上記信号処理手段は、 少なく とも第 1および第 2のキャパシ夕 を有し、 該第 1および第 2 のキヤパシタに蓄えられた電荷の演算 を行うことを特徴とする固体撮装置。
5 . 請求の範囲第 1項に記載の固体撮像装置において、
上記信号処理手段は、 差動増幅回路を有し、 上記第 1 のキャパ シタは、 上記差動増幅回路の一方の入力に接続されるとともに、 上記第 2のキャパシタは、 上記差動増幅回路の他方の入力に接続 されていることを特徴とする固体撮像装置。
6 . 複数の画素がマ ト リ クス状に配列された撮像画素部と、 上記 撮像画素部の水平方向の各画素行を垂直方向に選択する垂直選択 手段と、 上記垂直選択手段によつて選択された画素行の各画素を 画素駆動配線を介して駆動する画素駆動手段と、 上記各画素の信 号を出力信号線を介して入力し、 所定の信号処理を行う信号処理 手段とを有し、
上記撮像画素部の各画素が、 光電変換素子と、 上記光電変換素 子が変換して蓄積した信号電荷をフ口一ティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送する転送手段と、 上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部の電位をリセッ 卜する リセッ ト手段と、 上記フローティ ング ディ フュージョ ン部の電位に対応する出力信号を出力する増幅手 段とを備え、
上記垂直選択手段は、 上記撮像画素部の少なく とも 2つの画素 行をシャ ツタ行と選択行と して選択し、 順次シフ 卜させていく機 能を備え、
上記画素駆動手段は、 上記垂直選択手段によって選択されたシ ャ ッタ行では上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリ セッ ト の後に、 上記光電変換素子の信号電荷をフ口—ティ ングディ フユ —ジョ ン部に転送する動作を行い、 上記垂直選択手段によつて選 択された選択行では上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリ セッ トをせずに、 または、 上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン 部のリセッ ト前に、 上記光電変換素子の信号電荷をフローティ ン グディ フユ一ジョ ン部に転送し、 この転送後の出力信号を上記信 号処理手段に出力させる機能を備えたことを特徵とする固体撮像
7 . 請求の範囲第 6項に記載の固体撮像装置において、 上記信号処理手段は相関 2重サンプリ ング (C D S ) 回路を有 し、 上記画素駆動手段は、 上記選択行で光電変換素子からフロー
10 ティ ングディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転送後にフローティ ン グディ フユ一ジョ ン部のリセッ 卜を行い、 上記相関 2重サンプリ ング回路は、 上記選択行における光電変換素子からフローティ ン グディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転送後の出力信号レベルとフ 口一ティ ングディ フュージ ョ ン部のリ セッ 卜後の出力信号レベル
15 との差を取ることを特徴とする固体撮像装置。
8 . 請求の範囲第 6項に記載の固体撮像装置において、 上記信号処理手段は相関 2重サンプリ ング回路を有し、 上記垂 直選択手段は、 連続する 2つの画素行をシャ ツタ行と選択行と し て選択し、 上記相関 2重サンプリ ング回路は、 上記シャ ッタ行に •20 おけるフローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ ト後の出力信 号レベルと、 このシャ ツタ行が次に選択行となつた際の光電変換 素子からフローティ ングディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転送後 の出力信号レベルとの差を取ることを特徴とする請求項 1記載の 固体撮像装置。
25 9 . 請求の範囲第 6項に記載の固体撮像装置において、
上記垂直選択手段は、 上記シャ ッタ行の前に先行するシャ ツ夕 行を選択して順次シフ 卜させていく機能を備え、 この先行するシ ャ ッタ行では上記光電変換素子のリセッ トを行うことを特徵とす る固体撮像装置。
1 0 . 複数の画孝がマ 卜 リ クス状に配列された撮像画素部と、 上 記撮像画素部の水平方向の各画素行を垂直方向に選択する垂直選 択手段と、 上記垂直選択手段によって選択された画素行の各画素 を画素駆動配線を介して駆動する画素駆動手段と、 上記各画素の 信号を出力信号線を介して入力し、 所定の信号処理を行う信号処 理手段とを有し、
上記撮像画素部の各画素が、 光電変換素子と、 上記光電変換素 子が変換して蓄積した信号電荷をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送する転送手段と、 上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部の電位をリセッ 卜する リセッ ト手段と、 上記フ口一ティ ング ディ フユ一ジョ ン部の電位に対応する出力信号を出力する増幅手 段とを備えた固体撮像装置の駆動方法であって、
上記垂直選択手段では、 上記撮像画素部の少なく とも 2つの画 素行をシャ ッタ行と選択行と して選択し、 順次シフ 卜させていき 上記画素駆動手段では、 上記垂直選択手段によつて選択された シャ ッ タ行では上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ トの後に、 上記光電変換素子の信号電荷をフローティ ングディ フ 一ジョ ン部に転送する動作を行い、 上記垂直選択手段によって 選択された選択行では上記フローテイ ングディ フユ一ジ ョ ン部の リセッ 卜をせずに、 または、 上記フローティ ングディ フユ一ジョ ン部のリセッ ト前に、 上記光電変換素子の信号電荷をフローティ ングディ フユ一ジョ ン部に転送し、 この転送後の出力信号を上記 信号処理手段に出力させるようにしたことを特徵とする固体撮像 装置の駆動方法。
1 1 . 請求の範囲第 1 0項に記載の固体撮像装置の駆動方法にお いて、 上記信号処理手段に相関 2重サンプリ ング回路を設け、 上記画 素駆動手段では、 上記選択行で光電変換素子からフローティ ング ディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転送後にフローティ ングディ フ ュ一ジョ ン部のリセッ トを行い、 上記相関 2重サンプリ ング回路 では、 上記選択行における光電変換素子からフローティ ングディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転送後の出力信号レベルとフローテ ィ ングディ フユ一ジョ ン部のリ セッ ト後の出力信号レベルとの差 を取ることを特徵とする固体撮像装置の駆動方法。
1 2 . 請求の範囲第 1 0項に記載の固体撮像装置の駆動方法にお いて、
上記信号処理手段に相関 2重サンプリ ング回路を設け、 上記垂 直選択手段では、 連続する 2つの画素行をシャ ツタ行と選択行と して選択し、 上記相関 2重サンプリ ング回路では、 上記シャ ッタ 行におけるフローティ ングディ フュージョ ン部のリセッ ト後の出 力信号レベルと、 このシャ ツタ行が次に選択行となつた際の光電 変換素子からフ口—ティ ングディ フユ一ジョ ン部への信号電荷転 送後の出力信号レベルとの差を取ることを特徴とする固体撮像装 置の駆動方法。
1 3 . 請求の範囲第 1 0項に記載の固体撮像装置の駆動方法にお いて、
上記垂直選択手段では、 上記シャ ッタ行の前に先行するシャ ッ タ行を選択して順次シフ 卜させていく機能を備え、 この先行する シャ ッタ行では上記光電変換素子のリセッ トを行う ことを特徴と する請求項 5記載の固体撮像装置の駆動方法。
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