WO2002065573B1 - Cellule d'electrolyse solide et procede de production de cette derniere - Google Patents

Cellule d'electrolyse solide et procede de production de cette derniere

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Claims

補正書の請求の範囲 [ 2 0 0 2年 8月 1 4日 （1 4 . 0 8 . 0 2 ) 国際事務局受理： 出願当初の請求の範囲 2は取り下げられた；出願当初の請求の範囲 1は補正された； 他の請求の範囲は変更なし。 （4頁） ]
1 . (補正後） 表面に凹部を有する、 金属基板、 半導体基板、 ガラス 基板、 セラミックス基板おょぴ樹脂基板のいずれかと、
第 1活物質層、 固体電解質層および第 2活物質層を有する 1または複 数の発電要素とを備え、
前記発電要素が前記凹部に配設され、 前記凹部の深さが、 積層された 前記発電要素の全膜厚の 0 . 3倍以上 1倍以下であることを特徴とする 固体電解質電池。
2 . (削除）
3 . (補正なし） 発電要素が上部金属集電体膜を有し、 前記上部金属 集電体膜に電流取り出し端子部がもうけられている請求項 1記載の固体 電解質電池。
4 . (補正なし） 発電要素が上部金属集電体膜を有し、 前記上部金属 集電体膜が絶縁膜で被覆されている請求項 1記載の固体電解質電池。
5 . (補正なし） 凹部の側壁部が絶縁層で被覆されている請求項 1記 載の固体電解質電池。
6 . (補正なし） 発電要素が下部および上部金属集電体膜からなる電 流取り出し端子部を有し、 前記電流取り出し端子部上に金属バンプを形 成した請求項 1記載の固体電解質電池。
7 . (補正なし） 金属基板、 半導体基板、 ガラス基板、 セラミ ックス 基板および樹脂基板のいずれかの基板の所定位置に、 所定の形状と深さ を有する凹部を形成する凹部形成工程と、 その凹部上に発電要素を順次 積層する積層工程とを含む固体電解質電池の製造方法。
8 . (補正なし） 凹部形成工程は、 基板が金属基板であり、 この金属 基板の所定位置に所定形状と深さを有する凹部を機械加工で削るか、 あ
23 補正きれた用紙 (条約第 19条) るいはフォ トリ ソ法によって凹部となる部分以外をフォ トレジス トで被 覆した後、 ドライエッチング法あるいはゥエツ トエッチング法で所定の 深さまで金属基板をエッチングした後、 フォ トレジス トを除去して前記 凹部を形成し、
積層工程は、 前記基板上に蒸着法、 スパッタ リ ング法あるいは C V D 法のいずれかの成膜法で絶縁膜を作製し、 凹部底面および電流取り出し 窓となる部分以外の絶縁膜上をフォ トレジス トで被覆した後、 ドライエ ツチング法あるいはゥエツ トエッチング法で凹部底面および電流取り出 し窓上の絶縁膜を除去し、 その後、 この絶縁膜上のフォ トレジス トを除 去し絶縁層を形成し、 その上に蒸着法あるいはスパッタリング法のいず れかの成膜方法とフォ トレジス ト被覆後にドライエッチング法によるパ ターン形成法で凹部上に発電要素の第 1活物質層、 固体電解質層、 第 2 活物質層を形成し、 さらに蒸着法、 スパッタ リ ング法あるいは C V D法 のいずれかの成膜方法で金属膜を作製し、 フォ トレジス ト被覆と ドライ エッチングによつて前記第 2活物質層上に上部金属集電体膜を形成する 請求項 7記載の固体電解質電池の製造方法。
9 . (補正なし） 凹部形成工程は、 基板が半導体基板、 ガラス基板、 セラミ ックス基板および樹脂基板のいずれかであり、 これら基板の所定 位置に所定形状と深さを有する凹部を機械加工で削るか、 あるいはフォ トリ ソ法によって凹部となる部分以外をフォ トレジス トで被覆した後、 ドライエッチング法あるいはゥエツ トエツチング法で所定の深さまで金 属基板をエッチングした後、 フォ トレジス トを除去して前記凹部を形成 し、
積層工程は、 前記基板上に蒸着法、 スパッタ リ ング法あるいは C V D 法のいずれかの成膜法で金属膜を形成し、 この金属膜上の凹部底面およ び電流取り出し端子となる部分にフォ トレジス トを被覆した後、 ドライ
24 補正きれた用紙 (条約第 19条) ェツチング法あるいはゥエツ トエッチング法で不要部分を除去し電流取 り出し端子部がつながった下部金属集電体膜を作製し、 その後フォ トレ ジス トを除去し、 次にこの下部金属集電体膜上に発電要素の第 1活物質 層、 固体電解質層、 およぴ第 2活物質層を蒸着法あるいはスパッタリン グ法のいずれかの方法で成膜してフォトレジスト被覆と ドライエツチン グ法によって形成し、 さらに、 その上に蒸着法、 スパッタリング法ある いは C V D法のいずれかの成膜法で金属膜を作製し、 フォトレジス ト被 覆と ドライエッチング法によって上部金属集電体膜を形成する請求項 7 記載の固体電解質電池の製造方法。
1 0 . (補正なし） 凹部形成工程は、 基板が半導体基板あるいは樹脂 基板であり、 これら基板の所定位置に所定形状と深さを有する凹部を機 械加工で削るか、 あるいはフォトリソ法によって凹部となる部分以外を フォ トレジス トで被覆した後、 ドライエッチング法あるいはゥエツ トェ ッチング法で所定の深さまで基板をエツチングした後、 フォ ト レジス ト を除去して前記凹部を形成し、
積層工程は、 前記基板上に蒸着法、 スパッタリング法あるいは C V D 法のいずれかの成膜法で絶縁膜を基板全面に形成し、 その後、 前記基板 上に蒸着法、 スパッタリング法あるいは C V D法のいずれかの成膜法で 金属膜を形成し、 この金属膜上の凹部底面および電流取り出し端子とな る部分にフォトレジストを被覆した後、 ドライエッチング法あるいはゥ エツ トエッチング法で不要部分を除去し凹部底面に電流取り出し端子部 がつながった下部金属集電体膜を作製し、 次にこの下部金属集電体膜上 に発電要素の第 1活物質層、 固体電解質層、 および第 2活物質層を蒸着 法あるいはスパッタリング法のいずれかの方法で成膜してフォ トレジス ト被覆と ドライエッチング法によって形成し、 さらにその上に蒸着法、 スパッタリング法あるいは C V D法のいずれかの成膜法で金属膜を作製
25 補正きれた用紙 (条約第 19条) し、 フォ トレジスト被覆と ドライエッチング法によって上部金属集電体 膜を形成する請求項 7記載の固体電解質電池の製造方法。
1 1 . (補正なし） 基板上に絶縁層を作製する際、 凹部底面おょぴ電 流取り出し端子部に金属薄板あるいは樹脂フィルムを張り付けた後、 絶 縁膜を蒸着法、 スパッタリング法あるいは C V D法のうちのいずれかの 成膜法で形成し、 その後、 金属薄板あるいは樹脂フィルムを除去するこ とで絶縁層を形成する請求項 8記載の固体電解質電池の製造方法。
1 2 . (補正なし） 凹部側壁上の下部金属集電体につながった電流取 り出し端子部の上に樹脂を塗布すること、 あるいはセラミックス絶縁膜 を蒸着法、 スパッタ リ ング法あるいは C V D法のいずれかで成膜し、 そ の後パターニング形成することで被覆する請求項 9または請求項 1 0記 載の固体電解質電池の製造方法。
1 3 . (補正なし） 複数の層を同一チャンバ一内で連続して作製する 請求項 1 2、 請求項 9または請求項 1 0記載の固体電解質電池の製造方 法。
1 4 . (補正なし） 各層のパターン形成を、 必要な部分に窓の開いた 金属マスクを基板上にかぶせて、 成膜して行う請求項 8、 請求項 9また は請求項 1 0記載の固体電解質電池の製造方法。
26 補正きれた用紙 (条約第 19条)

条約 1 9条に基づく説明書

請求の範囲第 1項は、 同第 2項の内容が限定された。 同第 2項は削除 された。

引用例には、 請求の範囲第 1項の構成が記載されていない。

本発明は、 凹部の形成が実現容易であり、 かつ、 電池の表面段差が減 少し、 信頼性の高い固定電解質電池を提供することができる。

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