WO2001022490A1 - Selektive kühlung von teilflächen eines flächigen elektronischen bauteils - Google Patents

Selektive kühlung von teilflächen eines flächigen elektronischen bauteils Download PDF

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cooled
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Matthias SCHÖBINGER
Jenö Tihanyi
Helmut Wurzer
Michael PLATZÖDER
Wilhelm Schmid
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Definitions

  • the invention relates to a device and a method for cooling a flat electronic component and a flat electronic component with a cooling device.
  • Cooling devices are used in microelectronics for cooling integrated circuits with increasingly high computing power.
  • DE 4 336 354 discloses such a cooling device which, when used in a housing, is used for cooling the entire surface of an integrated semiconductor circuit.
  • Integrated circuits with high computing power require a sufficient supply voltage so that the computing operations carried out in the respective sub-areas run sufficiently quickly even in the event of temperature fluctuations.
  • a high supply voltage is favorable.
  • the disadvantageous effects of higher current flows in integrated circuits are increased power consumption, which is more complex
  • a device for cooling a flat electronic component according to the invention has at least two cooling elements for selective cooling only of partial surfaces of the component.
  • the starting point of this invention is the observation that only a few subareas of an electronic component really need the applied supply voltage; many areas - such as memory fields of integrated circuits - manage with lower voltages. Nevertheless, the entire component is operated with a comparatively high voltage and the additionally generated heat loss is dissipated by cooling elements over the entire surface.
  • cooling elements are provided according to the invention, which only selectively cool partial areas of the component. These patches are usually the areas that tight due to the applied voltage or the packing of circuit elements' n be heated most. For the other areas of the component, on the other hand, which can be operated with a lower voltage or, for example, generate less heat due to the lower packing density, no cooling is required.
  • the cooling device according to the invention thus has cooling elements for cooling the particularly speed-critical circuit blocks.
  • a preferred embodiment provides that several cooling elements are arranged in one plane. This arrangement can be brought into direct contact with an integrated semiconductor circuit; the arrangement of the cooling elements within the plane corresponds to the arrangement of particularly critical areas on the chip surface.
  • the cooling elements are preferably Peltier elements, since they require little space and are electrical and therefore quick to close taxes are.
  • a Pelier element that is prestressed in the reverse direction extracts heat from its surroundings and is therefore attached as close as possible to the electronic component.
  • Peltier transitions that are prestressed in the forward direction and then generate heat are arranged further away; their heat is dissipated to the outside.
  • the legs of a Peltier element expediently consist of a material of high electrical and low thermal conductivity.
  • the Peltier elements can have contacts between different metals or also between p- and n-semiconductors, doped silicon being suitable for integrating the cooling element into the circuit or at least into the same silicon substrate.
  • the cooling elements can also have additional substances such as bismuth telluride in combination with p- and n-doped legs.
  • cooling elements can be controlled in a parameter-dependent manner and, in particular, individually differently.
  • the individual cooling capacities can, for. B. the ambient temperature or the current heat development of individual switching areas of the chip.
  • the cooling device described above can be combined with a flat electronic component which is only operated with comparatively high voltage in some areas and can therefore only be cooled there.
  • the cooling elements can be arranged above or below the component or can be integrated therein as a component thereof.
  • any flat electronic component can be used the cooling device according to the invention can be combined;
  • integrated circuits (ICs) are particularly suitable for this purpose, which mostly have differently strong heat-generating scarf units, ie have switching elements or switching groups.
  • the most heavily used switching units or the subareas of the circuit relevant for the computing power are selectively cooled.
  • the selective cooling of individual switching units is supported by thermal insulation arranged on the side or above. Galvanic isolation of the circuit and the cooling device is appropriate in order to prevent unintended influences of the processes in the circuit on the control of the cooling device. Si0 2 layers with a thermal conductivity of 0.014 W / cmK are particularly suitable for thermal and electrical insulation.
  • the cooling device which is electrically isolated from the circuit, can be connected to the back of a substrate by simple adhesive techniques; elaborate electronic connections are not necessary.
  • Other embodiments provide that the circuit or the substrate have alignment marks for the arrangement of the cooling elements, which can be read through the substrate, for example with the aid of infrared rays, and that the cooling elements can be controlled depending on the computing power of the switching units.
  • the type of control of the selective cooling of individual subareas, for example the power-determining or particularly stressed circuit units, according to the method according to the invention can depend on the parameters already described or other parameters; in particular, different partial areas can be cooled to different degrees. Further embodiments of the invention result from application of the knowledge and skills of the person skilled in the art.
  • the E rfindung is apparent in the following explained in more detail by figures. Show it:
  • FIG. 1 shows a schematic illustration of the invention
  • FIGS. 3a to 3c show a second embodiment of the invention.
  • a cooling plate 3 according to the invention is provided below an integrated circuit 1, which has a plurality of blocks 2 to be cooled.
  • the cooling plate has several Peltier in the surface facing the circuit.
  • the size of the Pelier elements and their position within the area correspond to the size or position of the blocks 2.
  • FIG. 2a A first exemplary embodiment of the invention is shown in FIG. 2a in a cross-sectional view and in FIGS. 2b and 2c as a top view of the horizontal sectional planes A and B.
  • FIG. 2a three Peltier elements are provided below a block 2 of the circuit 1 to be cooled, each of which has adjoining regions of positively and negatively doped silicon. These areas have legs pointing downwards, via which they are connected to lines 5 and 6 running in plane B. These lines supply the Peltier elements with the voltage V P applied in the reverse direction.
  • FIG. 2b shows a plan view of the arrangement of the p- and n-type silicon strips just below the chip at the level of the section plane A.
  • the lines for the voltage supply below this are shown in FIG. 2c shown.
  • the webs 5 connect the regions of positively doped silicon to the potential -V P , whereas the negatively doped regions are positively biased by the webs 6.
  • These pn cooling elements, biased in the reverse direction, are connected in parallel here.
  • FIGS. 3a to 3c A second embodiment of the invention is shown in FIGS. 3a to 3c and differs from the first only in the way in which the three Peltier elements are connected in level B.
  • the conductive regions 7 which can be seen in FIGS. 3a and 3c connect the outer Peltier -Elements with the voltage applied and neighboring Peltier elements with each other; the Peltier elements are connected in series.
  • the existing power supplies and the desired control options for individual cooling elements will determine how they are interconnected. For reasons of clarity only, series and parallel connections are shown in the figures.
  • the composition of the doped layers of the Peltier elements can be optimized by installing many generation centers in the space charge zones in order to increase the cooling capacity.
  • a galvanic separating layer made of SiO 2 can be provided between the cooling elements and the substrate to be cooled, and good heat dissipation must be ensured below the Peltier elements.
  • the blocks to be cooled can be circuit units such. B.
  • the temperatures of the blocks to be cooled can be regulated so that constant block-specific parameters, such as block-specific specific temperatures or computing power can be achieved.
  • the regulation can also be aimed at ensuring a constant frequency of a monitor oscillator or a temporal signal sequence.
  • the ratio of the clock period and delay time that arises in a critical gate chain can be used as a controlled variable.
  • Parameters can be queried on the chip and passed on to the Peltier cooling units.
  • parameters which describe the current requirement for computing power can be used as control variables, for example the bandwidth of the frequency spectrum of incoming signals or quality parameters which can be defined by the user.
  • the specifically chosen embodiment of the invention depends on the respective application example.

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Abstract

Es wird eine Vorrichtung zur Kühlung eines integrierten Schaltkreises eines elektronischen, vorzugsweise mobilen Geräts vorgeschlagen, wobei die Vorrichtung zur Kühlung ein Kühlelement aufweist; der integrierte Schaltkreis Bereiche mit unterschiedlich starkem Leistungsverbrauch umfaßt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, daß sie mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung jeweils eines Teilbereichs des integrierten Schaltkreises aufweist. Die Temperatur stark beanspruchter oder geschwindigkeitsbestimmender Bereiche eines Schaltkreises wird so gezielt beeinflußt. Verschiedene Kühlelemente können je nach einzuhaltender Temperatur oder momentaner Rechenleistung des zu kühlenden Bereichs gesteuert werden.

Description

Selektive Kühlung von Teilflächen eines flächigen elektronischen Bauteils
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Kühlung eines flächigen elektronischen Bauteils sowie ein flächiges elektronisches Bauteil mit einer Kühlvorrichtung.
Kühlvorrichtungen werden in der Mikroelektronik zur Kühlung integrierter Schaltkreise mit zunehmend hoher Rechenleistung eingesetzt. DE 4 336 354 offenbart eine solche Kühlvorrichtung, die in einem Gehäuse eingesetzt zur ganzflächigen Kühlung eines integrierten Halbleiterschaltkreises dient.
Integrierte Schaltkreise hoher Rechenleistung erfordern eine ausreichende VersorgungsSpannung, damit die in den jeweiligen Teilbereichen durchgeführten Rechenoperationen auch bei Temperaturschwankungen aufreichend schnell ablaufen. Insoweit ist eine hohe VersorgungsSpannung günstig. Nachteilige Auswirkungen höherer Stromflusse in integrierten Schaltkreisen sind jedoch ein erhöhter Stromverbrauch, eine aufwendigere
Technologie bei der Chipherstellung und vor allem eine höhere Verlustleistung durch Joule 'sehe Wärme. Letztere führt zu einer Temperaturerhöhung des integrierten Schaltkreises und in Folge zu geringerer Ladungsträgerbeweglichkeit sowie zu ver- ringerter Schaltzeit. Der mit höherer Versorgungsspannung betriebene Schaltkreis muß daher um so stärker gekühlt werden, um den wärmebedingten Verlust an Schaltgeschwindigkeit zu kompensieren.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kühlvorrichtung und einen damit versehenen Schaltkreis bereitzustellen, die bei gleicher Technologie der Chipherstellung kleinere Schaltzeiten ermöglichen bzw. schon mit einfacheren Technologien die herkömmlich erzielbaren Schaltzeiten erreichen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Ansprüche 1, 10 und 24 gelöst. Gemäß Anspruch 1 weist eine Vorrichtung zur Kühlung eines flächigen elektronischen Bauteils erfindungsgemäß mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung le- diglich von Teilflächen des Bauteils auf. Ausgangspunkt dieser Erfindung ist die Beobachtung, daß nur wenige Teilbereiche eines elektronischen Bauteils die anliegende Versorgungs- Spannung wirklich benötigen; viele Bereiche - etwa Speicherfelder integrierter Schaltkreise -kommen mit niedrigerer Spannung aus. Dennoch wird das gesamte Bauteil mit vergleichsweise hoher Spannung betrieben und die zusätzlich erzeugte Verlustwärme durch ganzflächige Kühlelemente abgeführt .
Demgegenüber sind erfindungsgemäß zwei oder mehr Kühlelemente vorgesehen, die lediglich Teilflächen des Bauteils selektiv kühlen. Diese Teilflächen sind in der Regel diejenigen Bereiche, die aufgrund der anliegenden Spannung oder der Packungs- dichte von Schaltelemente'n am stärksten erwärmt werden. Für die anderen Bereiche des Bauteils hingegen, die mit niedrigerer Spannung betrieben werden können oder zum Beispiel aufgrund geringerer Packungsdichte weniger Wärme erzeugen, ist keine Kühlung erforderlich. Die erfindungsgemäße Kühlvorrichtung weist also Kühlelemente zur Kühlung der besonders ge- schwindigkeitskritischen Schaltungsblöcke auf.
Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß mehrere Kühlelemente in einer Ebene angeordnet sind. Diese Anordnung kann in direkten Kontakt mit einer integrierten Halbleiterschal- tung gebracht werden; die Anordnung der Kühlelemente innerhalb der Ebene entspricht der Anordnung besonders wärmekritischer Bereiche auf der Chipfläche.
Die Kühlelemente sind vorzugsweise Peltier-Elemente, da sie wenig Raum benötigen und elektrisch und somit schnell zu steuern sind. Ein in Sperrichtung vorgespanntes Pel- tier-Element entzieht seiner Umgebung Wärme und wird daher möglichst dicht am elektronischen Bauteil angebracht. In Durchlaßrichtung vorgespannte und dann wärmeerzeugende Pel- tier-Übergänge werden weiter entfernt angeordnet; ihre Wärme wird nach außen abgeführt. Um einen Wärmerückfluß von einem wärmeerzeugenden zu einem kühlenden Peltier-Übergang zu verhindern, bestehen die Schenkel eines Peltier-Elements zweckmäßiger Weise aus einem Material hoher elektrischer und ge- ringer thermischer Leitfähigkeit.
Die Peltier-Elemente können weiteren Ausführungsformen gemäß Kontakte zwischen verschiedenen Metallen oder auch zwischen p- und n-Halbleitern aufweisen, wobei sich dotiertes Silizium anbietet, um das Kühlelement in den Schaltkreis oder zumindest in dasselbe Siliziumsubstrat zu integrieren. Die Kühlelemente können auch zusätzliche Stoffe wie etwa Wismuttellu- rid in Kombination mit p- und n-dotierten Schenkeln aufweisen.
Weitere Ausführungsformen sehen vor, daß die Kühlelemente parameterabhängig und insbesondere individuell verschieden steuerbar sind. Die einzelnen Kühlleistungen können z. B. der Umgebungstemperatur oder der momentanen Wärmeentwicklung ein- zelner Schaltbereiche des Chips angepaßt werden.
Die obenstehend beschriebene Kühlvorrichtung kann erfindungs- gemäß mit einem flächigen elektronischen Bauteil kombiniert werden, das nur noch in Teilbereichen mit vergleichsweise ho- her Spannung betrieben wird und daher lediglich dort zu kühlen ist.
Die Kühlelemente können ober- bzw. unterhalb des Bauteils angeordnet oder als dessen Bestandteil darin integriert sein. Grundsätzlich kann jedes flächige elektronische Bauteil mit der erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung kombiniert werden; besonders eignen sich dazu jedoch integrierte Schaltkreise (ICs) , die meist unterschiedlich stark wärmeerzeugende Schal einheiten, d.h. Schaltelemente oder Schaltgruppen auf- weisen. Zweckmäßigerweise werden gerade die am stärksten beanspruchten Schalteinheiten oder die für die Rechenleistung maßgeblichen Teilflächen des Schaltkreises selektiv gekühlt.
Die selektive Kühlung einzelner Schalteinheiten wird durch seitlich oder darüber angeordnete thermische Isolierungen unterstützt . Eine galvanische Trennung von Schaltkreis und Kühlvorrichtung bietet sich an, um unbeabsichtigte Einflüsse der Vorgänge im Schaltkreis auf die Steuerung der Kühlvorrichtung zu verhindern. Zur thermischen und zur elektrischen Isolierung sind Si02-Schichten mit einer Wärmeleitfähigkeit von 0,014 W/cmK besonders geeignet. Die von dem Schaltkreis galvanisch getrennte Kühlvorrichtung kann durch einfache Klebetechniken mit der Rückseite eines Substrats verbunden werden; aufwendige elektronische Verbindungen sind nicht nötig. Andere Ausfuhrungsformen sehen vor, daß der Schaltkreis oder das Substrat Justiermarken zur Anordnung der Kühlelemente aufweisen, die z.B. mit Hilfe von Infrarotstrahlen durch das Substrat hindurch gelesen werden können, und daß die Kühlelemente je nach Rechenleistung der Schalteinheiten steuerbar sind.
Die Art der Steuerung der selektiven Kühlung einzelner Teilflächen, z.B. der leistungsbestimmenden oder besonders beanspruchten Schaltungseinheiten, nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kann von den bereits beschriebenen oder weiteren Parametern abhängen; insbesondere können verschiedene Teilflächen unterschiedlich stark gekühlt werden. Weitere Ausführungsarten der Erfindung ergeben sich bei Anwendung der Kenntnisse und Fähigkeiten des Fachmanns. Die Erfindung wird nachstehend anhand von Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung der Erfin- düng,
Figuren 2a bis 2c eine erste und
Figuren 3a bis 3c eine zweite Ausführungsform der Erfin- düng.
Gemäß Figur 1 ist unterhalb eines integrierten Schaltkreises 1, der mehrere zu kühlende Blöcke 2 aufweist, eine erfindungsgemäße Kühlplatte 3 vorgesehen. Die Kühlplatte weist in der dem Schaltkreis zugewandten Fläche mehrere Peltier-
Elemente 4 zur Kühlung der Blöcke 2 auf. Die Größe der Pel- tier-Elemente und ihre Lage innerhalb der Fläche entsprechen der Größe bzw. der Lage der Blöcke 2.
Ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Figur 2a in Querschnittansicht und in den Figuren 2b und 2c als Draufsicht auf die horizontalen Schnittebenen A und B dargestellt. In Figur 2a sind unterhalb eines zu kühlenden Blocks 2 des Schaltkreises 1 drei Peltier-Elemente vorgesehen, die jeweils aneinandergrenzende Bereiche positiv und negativ dotiertem Siliciums aufweisen. Diese Bereiche besitzen nach unten weisende Schenkel, über die sie mit in der Ebene B verlaufenden Leitungen 5 und 6 verbunden sind. Diese Leitungen versorgen die Peltier-Elemente mit der in Sperrichtung angelegten Span- nung VP.
Figur 2b zeigt eine Draufsicht auf die Anordnung der p- und n-leitenden Siliziumstreifen dicht unterhalb des Chips in Höhe der Schnittebene A. Die aus dieser Perspektive darunter liegenden Leitungen zur Spannungsversorgung sind in Figur 2c dargestellt. Die Stege 5 verbinden die Bereiche positiv dotierten Siliziums mit dem Potential -VP, während demgegenüber die negativ dotierten Bereiche durch die Stege 6 positiv vorgespannt sind. Diese in Sperrichtung vorgespannten pn-Kühlelemente sind hier parallel geschaltet.
Eine zweite Ausfuhrungsform der Erfindung ist in den Figuren 3a bis 3c dargestellt und unterscheidet sich von der ersten nur durch die Art der Verschaltung der drei Peltier-Elemente in der Ebene B. Die in den Figuren 3a und 3c erkennbaren leitenden Bereiche 7 verbinden die äußeren Peltier-Elemente mit der an liegenden Spannung und benachbarte Peltier-Elemente untereinander; die Peltier-Elemente sind in Serie geschaltet. In der Praxis werden die vorhandenen Spannungsversorgungen und die gewünschten Ansteuermöglichkeiten einzelner Kühlelemente bestimmen, in welcher Weise diese miteinander verschaltet werden. Lediglich aus Gründen der Klarheit sind in den Figuren reine Serien- und Parallelschaltungen abgebildet.
Auch hinsichtlich sonstiger Merkmale sind die beschriebenen
Figuren nur schematisch. Es kann beispielsweise die Zusammensetzung der dotierten Schichten der Peltier-Elemente optimiert werden, indem in den Raumladungszonen viele Generationszentren eingebaut werden, um die Kühlleistung zu steigern. Zwischen den Kühlelementen und dem zu kühlenden Substrat kann eine galvanische Trennschicht aus Si02 vorgesehen sein, und unterhalb der Peltier-Elemente ist eine gute Wärmeabfuhr sicherzustellen.
Die zu kühlenden Blöcke können Schaltungseinheiten wie z. B.
Multiplizierer oder andere arithmetisch-logische Einheiten sein oder auch einzelne Gatter oder Bauelemente, etwa Transistoren am Ausgang einer Treiberstufe. Die Temperaturen der zu kühlenden Blöcke können im einfachsten Fall so geregelt wer- den, daß konstante blockspezifische Parameter, etwa blockspe- zifische Temperaturen oder Rechenleistungen erreicht werden. Die Regelung kann auch auf die Gewährleistung einer konstanten Frequenz eines Monitoroszillators oder einer zeitlichen Signalabfolge ausgerichtet sein. Für solche Zwecke läßt sich das in einer kritischen Gatterkette entstehende Verhältnis von Taktperiode und Verzögerungszeit als Regelgröße nutzen. Kenngrößen können auf dem Chip abgefragt und an die Peltier- Kühleinheiten weitergegeben werden. Ferner sind Kenngrößen, die die momentane Anforderung an die Rechenleistung beschrei- ben, als Regelgrößen verwendbar, beispielsweise die Bandbreite des Frequenzspektrums eintreffender Signale oder vom Be- ' nutzer definierbare Qualitätsparameter. Die konkret gewählte Ausfuhrungsform der Erfindung richtet sich nach dem jeweiligen Anwendungsbeispiel .

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zur Kühlung eines integrierten Schaltkreises eines elektronischen, vorzugsweise mobilen Geräts, wobei die Vorrichtung zur Kühlung ein Kühlelement aufweist der integrierte Schaltkreis Bereiche mit unterschiedlich starkem Leistungsverbrauch umfaßt, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Vorrichtung mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung jeweils eines Teilbereichs des integrierten Schaltkreises aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente in einer Ebene angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente Peltier-Elemente sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Peltier-Elemente Metall-Metall-Kontakte aufweisen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Peltier-Elemente Kontakte von p- und n-Halbleitern aufweisen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die p- und n-Halbleiter Siliziumhalbleiter sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente zusätzliche Stoffe wie etwa Bismut- tellurid (Bi2Te3) im Kontakt mit p- und n-Halbleitern aufweisen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente parameterabhängig steuer- bar sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Kühlelemente individuell steuerbar sind.
10. Flächiges elektronisches Bauteil mit einer Kühlvorrich- tung nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
11. Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente ober- und/oder unterhalb des flächigen Bauteils und parallel dazu angeordnet sind.
12. Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlelemente Bestandteil des flächigen Bauteils sind.
13. Bauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch ge- kennzeichnet, daß das flächige Bauteil ein integrierter
Schaltkreis ist .
14. Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zu kühlenden Teilflächen stark beanspruchte Schalteinheiten, d.h. Schaltelemente oder Schaltgruppen des integrierten Schaltkreises aufweisen.
15. Bauteil nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinheiten der zu kühlenden Teilflächen für die Rechen- leistung des Schaltkreises bestimmend sind.
16. Bauteil nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß seitlich und/oder oberhalb der Schalteinheiten eine thermische Isolierung vorgesehen ist.
17. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis und die Kühlvorrichtung voneinander galvanisch getrennt sind.
18. Bauteil nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch eine thermische und/oder elektrische Isolierung aus Si02.
19. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlvorrichtung mit der Rückseite eines Substrats verklebt ist.
20. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis oder das Substrat Justiermarken zur Anordnung der Kühlelemente aufweisen.
21. Bauteil nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Kühlelemente je nach Rechenleistung der
Schalteinheiten steuerbar sind.
22. Verfahren zur Kühlung eines flächigen elektronischen Bauteils und insbesondere eines integrierten Schaltkreises, da- durch gekennzeichnet, daß lediglich ein oder mehrere Teilflächen des Bauteils selektiv gekühlt werden.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß mit leistungsbestimmenden, z.B. besonders beanspruchten Schaltungseinheiten versehene Teilflächen gekühlt werden.
24. Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilflächen parameterabhängig gekühlt werden.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß verschiedene Teilflächen unterschiedlich stark gekühlt werden.
PCT/DE2000/003128 1999-09-22 2000-09-10 Selektive kühlung von teilflächen eines flächigen elektronischen bauteils WO2001022490A1 (de)

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