DE19945434A1 - Selektive Kühlung von Teilflächen eines flächigen elektronischen Bauteils - Google Patents
Selektive Kühlung von Teilflächen eines flächigen elektronischen BauteilsInfo
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Abstract
Es wird eine Vorrichtung zur Kühlung eines integrierten Schaltkreises eines elektronischen, vorzugsweise mobilen Geräts beschrieben, wobei die Vorrichtung zur Kühlung ein Kühlelement aufweist, der integrierte Schaltkreis Bereiche mit unterschiedlich starkem Leistungsverbrauch umfaßt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, daß sie mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung jeweils eines Teilbereichs des integrierten Schaltkreises aufweist. Die Temperatur stark beanspruchter oder geschwindigkeitsbestimmender Bereich eines Schaltkreises wird so gezielt beeinflußt. Verschiedene Kühlelemente können je nach einzuhaltender Temepratur oder momentaner Rechenleistung des zu kühlenden Bereichs gesteuert werden.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur
Kühlung eines flächigen elektronischen Bauteils sowie ein
flächiges elektronisches Bauteil mit einer Kühlvorrichtung.
Kühlvorrichtungen werden in der Mikroelektronik zur Kühlung
integrierter Schaltkreise mit zunehmend hoher Rechenleistung
eingesetzt. DE 43 36 354 offenbart eine solche Kühlvorrich
tung, die in einem Gehäuse eingesetzt zur ganzflächigen Küh
lung eines integrierten Halbleiterschaltkreises dient.
Integrierte Schaltkreise hoher Rechenleistung erfordern eine
ausreichende Versorgungsspannung, damit die in den jeweiligen
Teilbereichen durchgeführten Rechenoperationen auch bei Tem
peraturschwankungen aufreichend schnell ablaufen. Insoweit
ist eine hohe Versorgungsspannung günstig. Nachteilige Aus
wirkungen höherer Stromflüsse in integrierten Schaltkreisen
sind jedoch ein erhöhter Stromverbrauch, eine aufwendigere
Technologie bei der Chipherstellung und vor allem eine höhere
Verlustleistung durch Joule'sche Wärme. Letztere führt zu ei
ner Temperaturerhöhung des integrierten Schaltkreises und in
Folge zu geringerer Ladungsträgerbeweglichkeit sowie zu ver
ringerter Schaltzeit. Der mit höherer Versorgungsspannung be
triebene Schaltkreis muß daher um so stärker gekühlt werden,
um den wärmebedingten Verlust an Schaltgeschwindigkeit zu
kompensieren.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kühlvor
richtung und einen damit versehenen Schaltkreis bereitzustel
len, die bei gleicher Technologie der Chipherstellung kleine
re Schaltzeiten ermöglichen bzw. schon mit einfacheren Tech
nologien die herkömmlich erzielbaren Schaltzeiten erreichen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Ansprüche 1, 10
und 24 gelöst. Gemäß Anspruch 1 weist eine Vorrichtung zur
Kühlung eines flächigen elektronischen Bauteils erfindungsge
mäß mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung le
diglich von Teilflächen des Bauteils auf. Ausgangspunkt die
ser Erfindung ist die Beobachtung, daß nur wenige Teilberei
che eines elektronischen Bauteils die anliegende Versorgungs
spannung wirklich benötigen; viele Bereiche - etwa Speicher
felder integrierter Schaltkreise -kommen mit niedrigerer
Spannung aus. Dennoch wird das gesamte Bauteil mit ver
gleichsweise hoher Spannung betrieben und die zusätzlich er
zeugte Verlustwärme durch ganzflächige Kühlelemente abge
führt.
Demgegenüber sind erfindungsgemäß zwei oder mehr Kühlelemente
vorgesehen, die lediglich Teilflächen des Bauteils selektiv
kühlen. Diese Teilflächen sind in der Regel diejenigen Berei
che, die aufgrund der anliegenden Spannung oder der Packungs
dichte von Schaltelementen am stärksten erwärmt werden. Für
die anderen Bereiche des Bauteils hingegen, die mit niedrige
rer Spannung betrieben werden können oder zum Beispiel auf
grund geringerer Packungsdichte weniger Wärme erzeugen, ist
keine Kühlung erforderlich. Die erfindungsgemäße Kühlvorrich
tung weist also Kühlelemente zur Kühlung der besonders ge
schwindigkeitskritischen Schaltungsblöcke auf.
Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß mehrere Kühle
lemente in einer Ebene angeordnet sind. Diese Anordnung kann
in direkten Kontakt mit einer integrierten Halbleiterschal
tung gebracht werden; die Anordnung der Kühlelemente inner
halb der Ebene entspricht der Anordnung besonders wärmekriti
scher Bereiche auf der Chipfläche.
Die Kühlelemente sind vorzugsweise Peltier-Elemente, da sie
wenig Raum benötigen und elektrisch und somit schnell zu
steuern sind. Ein in Sperrichtung vorgespanntes Pel
tier-Element entzieht seiner Umgebung Wärme und wird daher
möglichst dicht am elektronischen Bauteil angebracht. In
Durchlaßrichtung vorgespannte und dann wärmeerzeugende Pel
tier-Übergänge werden weiter entfernt angeordnet; ihre Wärme
wird nach außen abgeführt. Um einen Wärmerückfluß von einem
wärmeerzeugenden zu einem kühlenden Peltier-Übergang zu ver
hindern, bestehen die Schenkel eines Peltier-Elements zweck
mäßiger Weise aus einem Material hoher elektrischer und ge
ringer thermischer Leitfähigkeit.
Die Peltier-Elemente können weiteren Ausführungsformen gemäß
Kontakte zwischen verschiedenen Metallen oder auch zwischen
p- und n-Halbleitern aufweisen, wobei sich dotiertes Silizium
anbietet, um das Kühlelement in den Schaltkreis oder zumin
dest in dasselbe Siliziumsubstrat zu integrieren. Die Kühle
lemente können auch zusätzliche Stoffe wie etwa Wismuttellu
rid in Kombination mit p- und n-dotierten Schenkeln aufwei
sen.
Weitere Ausführungsformen sehen vor, daß die Kühlelemente pa
rameterabhängig und insbesondere individuell verschieden
steuerbar sind. Die einzelnen Kühlleistungen können z. B. der
Umgebungstemperatur oder der momentanen Wärmeentwicklung ein
zelner Schaltbereiche des Chips angepaßt werden.
Die obenstehend beschriebene Kühlvorrichtung kann erfindungs
gemäß mit einem flächigen elektronischen Bauteil kombiniert
werden, das nur noch in Teilbereichen mit vergleichsweise ho
her Spannung betrieben wird und daher lediglich dort zu küh
len ist.
Die Kühlelemente können ober- bzw. unterhalb des Bauteils an
geordnet oder als dessen Bestandteil darin integriert sein.
Grundsätzlich kann jedes flächige elektronische Bauteil mit
der erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung kombiniert werden; be
sonders eignen sich dazu jedoch integrierte Schaltkreise
(ICs), die meist unterschiedlich stark wärmeerzeugende
Schalteinheiten, d. h. Schaltelemente oder Schaltgruppen auf
weisen. Zweckmäßigerweise werden gerade die am stärksten be
anspruchten Schalteinheiten oder die für die Rechenleistung
maßgeblichen Teilflächen des Schaltkreises selektiv gekühlt.
Die selektive Kühlung einzelner Schalteinheiten wird durch
seitlich oder darüber angeordnete thermische Isolierungen un
terstützt. Eine galvanische Trennung von Schaltkreis und
Kühlvorrichtung bietet sich an, um unbeabsichtigte Einflüsse
der Vorgänge im Schaltkreis auf die Steuerung der Kühlvor
richtung zu verhindern. Zur thermischen und zur elektrischen
Isolierung sind SiO2-Schichten mit einer Wärmeleitfähigkeit
von 0,014 W/cmK besonders geeignet. Die von dem Schaltkreis
galvanisch getrennte Kühlvorrichtung kann durch einfache Kle
betechniken mit der Rückseite eines Substrats verbunden wer
den; aufwendige elektronische Verbindungen sind nicht nötig.
Andere Ausführungsformen sehen vor, daß der Schaltkreis oder
das Substrat Justiermarken zur Anordnung der Kühlelemente
aufweisen, die z. B. mit Hilfe von Infrarotstrahlen durch das
Substrat hindurch gelesen werden können, und daß die Kühlele
mente je nach Rechenleistung der Schalteinheiten steuerbar
sind.
Die Art der Steuerung der selektiven Kühlung einzelner
Teilflächen, z. B. der leistungsbestimmenden oder besonders
beanspruchten Schaltungseinheiten, nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren kann von den bereits beschriebenen oder weiteren
Parametern abhängen; insbesondere können verschiedene
Teilflächen unterschiedlich stark gekühlt werden. Weitere
Ausführungsarten der Erfindung ergeben sich bei Anwendung der
Kenntnisse und Fähigkeiten des Fachmanns.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Figuren näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung der Erfin
dung,
Fig. 2a bis 2c eine erste und
Fig. 3a bis 3c eine zweite Ausführungsform der Erfin
dung.
Gemäß Fig. 1 ist unterhalb eines integrierten Schaltkreises
1, der mehrere zu kühlende Blöcke 2 aufweist, eine erfin
dungsgemäße Kühlplatte 3 vorgesehen. Die Kühlplatte weist in
der dem Schaltkreis zugewandten Fläche mehrere Peltier-
Elemente 4 zur Kühlung der Blöcke 2 auf. Die Größe der Pel
tier-Elemente und ihre Lage innerhalb der Fläche entsprechen
der Größe bzw. der Lage der Blöcke 2.
Ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 2a
in Querschnittansicht und in den Fig. 2b und 2c als Drauf
sicht auf die horizontalen Schnittebenen A und B dargestellt.
In Fig. 2a sind unterhalb eines zu kühlenden Blocks 2 des
Schaltkreises 1 drei Peltier-Elemente vorgesehen, die jeweils
aneinandergrenzende Bereiche positiv und negativ dotiertem
Siliciums aufweisen. Diese Bereiche besitzen nach unten wei
sende Schenkel, über die sie mit in der Ebene B verlaufenden
Leitungen 5 und 6 verbunden sind. Diese Leitungen versorgen
die Peltier-Elemente mit der in Sperrichtung angelegten Span
nung VP.
Fig. 2b zeigt eine Draufsicht auf die Anordnung der p- und
n-leitenden Siliziumstreifen dicht unterhalb des Chips in Hö
he der Schnittebene A. Die aus dieser Perspektive darunter
liegenden Leitungen zur Spannungsversorgung sind in Fig. 2c
dargestellt. Die Stege 5 verbinden die Bereiche positiv do
tierten Siliziums mit dem Potential -VP, während demgegenüber
die negativ dotierten Bereiche durch die Stege 6 positiv vor
gespannt sind. Diese in Sperrichtung vorgespannten
pn-Kühlelemente sind hier parallel geschaltet.
Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in den Fig.
3a bis 3c dargestellt und unterscheidet sich von der ersten
nur durch die Art der Verschaltung der drei Peltier-Elemente
in der Ebene B. Die in den Fig. 3a und 3c erkennbaren lei
tenden Bereiche 7 verbinden die äußeren Peltier-Elemente mit
der an liegenden Spannung und benachbarte Peltier-Elemente
untereinander; die Peltier-Elemente sind in Serie geschaltet.
In der Praxis werden die vorhandenen Spannungsversorgungen
und die gewünschten Ansteuermöglichkeiten einzelner Kühlele
mente bestimmen, in welcher Weise diese miteinander verschal
tet werden. Lediglich aus Gründen der Klarheit sind in den
Figuren reine Serien- und Parallelschaltungen abgebildet.
Auch hinsichtlich sonstiger Merkmale sind die beschriebenen
Figuren nur schematisch. Es kann beispielsweise die Zusammen
setzung der dotierten Schichten der Peltier-Elemente opti
miert werden, indem in den Raumladungszonen viele Generati
onszentren eingebaut werden, um die Kühlleistung zu steigern.
Zwischen den Kühlelementen und dem zu kühlenden Substrat kann
eine galvanische Trennschicht aus SiO2 vorgesehen sein, und
unterhalb der Peltier-Elemente ist eine gute Wärmeabfuhr si
cherzustellen.
Die zu kühlenden Blöcke können Schaltungseinheiten wie z. B.
Multiplizierer oder andere arithmetisch-logische Einheiten
sein oder auch einzelne Gatter oder Bauelemente, etwa Transi
storen am Ausgang einer Treiberstufe. Die Temperaturen der zu
kühlenden Blöcke können im einfachsten Fall so geregelt wer
den, daß konstante blockspezifische Parameter, etwa blockspe
zifische Temperaturen oder Rechenleistungen erreicht werden.
Die Regelung kann auch auf die Gewährleistung einer konstan
ten Frequenz eines Monitoroszillators oder einer zeitlichen
Signalabfolge ausgerichtet sein. Für solche Zwecke läßt sich
das in einer kritischen Gatterkette entstehende Verhältnis
von Taktperiode und Verzögerungszeit als Regelgröße nutzen.
Kenngrößen können auf dem Chip abgefragt und an die Peltier-
Kühleinheiten weitergegeben werden. Ferner sind Kenngrößen,
die die momentane Anforderung an die Rechenleistung beschrei
ben, als Regelgrößen verwendbar, beispielsweise die Bandbrei
te des Frequenzspektrums eintreffender Signale oder vom Be
nutzer definierbare Qualitätsparameter. Die konkret gewählte
Ausführungsform der Erfindung richtet sich nach dem jeweili
gen Anwendungsbeispiel.
Claims (25)
1. Vorrichtung zur Kühlung eines integrierten Schaltkreises
eines elektronischen, vorzugsweise mobilen Geräts, wobei die
Vorrichtung zur Kühlung ein Kühlelement aufweist der inte
grierte Schaltkreis Bereiche mit unterschiedlich starkem Lei
stungsverbrauch umfaßt,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung
mindestens zwei Kühlelemente zur selektiven Kühlung jeweils
eines Teilbereichs des integrierten Schaltkreises aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kühlelemente in einer Ebene angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Kühlelemente Peltier-Elemente sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Peltier-Elemente Metall-Metall-Kontakte aufweisen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Peltier-Elemente Kontakte von p- und n-Halbleitern auf
weisen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die p- und n-Halbleiter Siliziumhalbleiter sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeich
net, daß die Kühlelemente zusätzliche Stoffe wie etwa Bismut
tellurid (Bi2Te3) im Kontakt mit p- und n-Halbleitern aufwei
sen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Kühlelemente parameterabhängig steuer
bar sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
mehrere Kühlelemente individuell steuerbar sind.
10. Flächiges elektronisches Bauteil mit einer Kühlvorrich
tung nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
11. Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kühlelemente ober- und/oder unterhalb des flächigen Bauteils
und parallel dazu angeordnet sind.
12. Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kühlelemente Bestandteil des flächigen Bauteils sind.
13. Bauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß das flächige Bauteil ein integrierter
Schaltkreis ist.
14. Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
zu kühlenden Teilflächen stark beanspruchte Schalteinheiten,
d. h. Schaltelemente oder Schaltgruppen des integrierten
Schaltkreises aufweisen.
15. Bauteil nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schalteinheiten der zu kühlenden Teilflächen für die Rechen
leistung des Schaltkreises bestimmend sind.
16. Bauteil nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet,
daß seitlich und/oder oberhalb der Schalteinheiten eine ther
mische Isolierung vorgesehen ist.
17. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Schaltkreis und die Kühlvorrichtung
voneinander galvanisch getrennt sind.
18. Bauteil nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch eine ther
mische und/oder elektrische Isolierung aus SiO2.
19. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Kühlvorrichtung mit der Rückseite eines
Substrats verklebt ist.
20. Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Schaltkreis oder das Substrat Justier
marken zur Anordnung der Kühlelemente aufweisen.
21. Bauteil nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Kühlelemente je nach Rechenleistung der
Schalteinheiten steuerbar sind.
22. Verfahren zur Kühlung eines flächigen elektronischen Bau
teils und insbesondere eines integrierten Schaltkreises, da
durch gekennzeichnet, daß lediglich ein oder mehrere Teilflä
chen des Bauteils selektiv gekühlt werden.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß
mit leistungsbestimmenden, z. B. besonders beanspruchten
Schaltungseinheiten versehene Teilflächen gekühlt werden.
24. Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeich
net, daß die Teilflächen parameterabhängig gekühlt werden.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch ge
kennzeichnet, daß verschiedene Teilflächen unterschiedlich
stark gekühlt werden.
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