DE1283978B - Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand - Google Patents

Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand

Info

Publication number
DE1283978B
DE1283978B DET29965A DET0029965A DE1283978B DE 1283978 B DE1283978 B DE 1283978B DE T29965 A DET29965 A DE T29965A DE T0029965 A DET0029965 A DE T0029965A DE 1283978 B DE1283978 B DE 1283978B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
leg
component according
resistance
legs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET29965A
Other languages
English (en)
Inventor
Dahlberg
Dr Reinhard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET29965A priority Critical patent/DE1283978B/de
Priority to DE19651514911 priority patent/DE1514911C/de
Priority to DE19651514914 priority patent/DE1514914C/de
Priority to DE19651514913 priority patent/DE1514913C/de
Priority to GB54713/66A priority patent/GB1173919A/en
Priority to GB54711/66A priority patent/GB1173756A/en
Priority to US600105A priority patent/US3419767A/en
Priority to FR86704A priority patent/FR1504201A/fr
Priority to GB55258/66A priority patent/GB1173575A/en
Priority to US602407A priority patent/US3460008A/en
Priority to FR88530A priority patent/FR1505988A/fr
Priority to GB57728/66A priority patent/GB1175049A/en
Priority to US605340A priority patent/US3495141A/en
Priority to US605341A priority patent/US3504240A/en
Priority to FR89386A priority patent/FR1506947A/fr
Priority to FR89387A priority patent/FR1506948A/fr
Publication of DE1283978B publication Critical patent/DE1283978B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H01L27/0211—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique adapted for requirements of temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7391—Gated diode structures
    • H01L29/7392—Gated diode structures with PN junction gate, e.g. field controlled thyristors (FCTh), static induction thyristors (SITh)
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

1 2
Es ist bekannt, daß eine hochohmige Halbleiter- gegenüberliegenden Seite an der Widerstandsschicht oder Isolatorschicht zwischen zwei leitenden Elek- angebracht ist, eine Spannung angelegt, die nicht troden von Elektronen durchtunnelt werden kann, größer als die Durchbruchsspannung der Widerwenn die Dicke der Halbleiter- oder Isolatorschicht Standsschicht ist.
hinreichend klein ist. Eine hochohmige Halbleiter- 5 Die Dicke der durch die heißen Elektronen modu- oder Isolatorschicht stellt für Elektronen einen lierten Widerstandsschicht ist zweckmäßig größer oder Potentialberg dar, dessen Höhe durch die Austritts- gleich 102 Angström und kleiner als 105 Angström, arbeit der Elektronen in die Halbleiter- oder Isolator- Bei Verwendung von Halbleitermaterial als Material schicht gegeben ist. Ist die hochohmige Halbleiter- für die Widerstandsschicht soll der Bandabstand des oder Isolatorschicht in ihrer Dicke kleiner als etwa io Halbleitermaterials größer als 0,7 Elektronenvolt sein. 100 Angström, dann besteht für Elektronen, deren Als Isolatormaterialien für eine Isolatorschicht als thermische Energie kleiner als die Austrittsarbeit ist, , Widerstandsschicht eignen sich beispielsweise Oxyde, trotzdem eine endliche Wahrscheinlichkeit, den Po- Nitride, Halogenide, organische Isolatoren oder auch tentialberg zu überwinden, indem sie ihn durchtun- ein Vakuumspalt. Die n- bzw. p-Schenkel des Thermoneln. Da die Tunnelwahrscheinlichkeit für ein Elek- 15 elementes können beispielsweise aus n- bzw. p-leitentron exponentiell von der Dicke der Halbleiter- oder den Halbleitern bestehen. Als Thermoelement kön-Isolatorschicht abhängt, variiert sozusagen der spezi- nen auch metallische Thermopaare verwendet werden, fische Widerstand dünner isolierender oder halb- Das steuerbare elektronische Bauelement nach der leitender Schichten sehr stark mit der Dicke der Erfindung eignet sich beispielsweise als aktives Bau-Schicht. Legt man eine Spannung an den Tunnel- 30 element in integrierten Schaltungen oder Mikroschalwiderstand einer sehr dünnen, etwa 100 Angström tungen und zur Verstärkung sehr hoher Frequenzen, dicken Halbleiter- oder Isolatorschicht an, dann wird Da die Thermokraft bei den Temperaturen des flüsder Strom, der durch den Tunnelwiderstand fließt, im sigen Stickstoffs, Wasserstoffs oder Heliums zum Teil wesentlichen durch Elektronen gebildet, deren Ener- stark ansteigt, kann man das Bauelement nach der gie kleiner als ihre Austrittsarbeit in die Halbleiter- as Erfindung auch mit Vorteil bei diesen Temperaturen oder Isolatorschicht ist. Mit wachsender Dicke der benutzen.
Halbleiter- oder Isolatorschicht geht jedoch dieser Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungs-
Tunnelstrom sehr schnell zurück, und der dann noch beispielen erläutert.
fließende Strom wird schließlich nur von Elektronen Die Fig. 1 zeigt ein steuerbares elektronisches
erzeugt, deren thermische Energie größer als die Aus- 30 Festkörperbauelement nach der Erfindung. Dieses trittsarbeit ist, d. h. also von »heißen« Elektronen. besteht aus einem elektrischen Widerstand 1 aus Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleitermaterial oder Isolatormaterial, einem neues elektrisches Bauelement anzugeben, welches n-Schenkel 2 sowie den beiden p-Schenkeln 3 und 4. mit heißen Elektronen arbeitet und beispielsweise als Der Widerstand 1 ist als Schicht auf eine Kollektoraktives Bauelement verwendet werden kann. Zur 35 elektrode 5 aufgebracht.
Lösung der gestellten Aufgabe wird als neues elek- Als Materialien für den elektrischen Widerstand 1
trisches Bauelement ein elektronisches Festkörper- eignen sich z. B. SiO, Al2O3, BeO, SiC, Si, GaAs bauelement mit durch Ladungsträgerinjektion Steuer- usw. Der Widerstand kann beispielsweise auch aus barem elektrischem Widerstand vorgeschlagen, bei organischen Schichten oder aus einem Vakuumspalt dem auf eine aus halbleitendem oder im Normalfall 40 bestehen. Der n-Schenkel 2 des Thermoelementes der isolierendem Material bestehende elektrische Wider- F i g. 1 besteht aus einer Schicht aus n-leitendem Standsschicht eine elektrisch leitende Schicht thermoelektrischem Material, wie z. B. Wismut, als n-Schenkel eines Thermoelementes und auf diese η-Silizium, n-InSb usw. Die beiden p-Schenkel 3 Schicht zwei thermoelektrische p-Kontakte als züge- und 4 bestehen aus einem zweiten thermoelektrischen hörige p-Schenkel aufgebracht sind und daß die 45 Material, wie z.B. Antimon, p-Silizium, p-Ger-Dicke des η-Schenkels so dünn gewählt ist, daß maniumusw.
heiße Elektronen aus einem p-Schenkel durch den Wird nun zwischen den p-Schenkel 3 und den
n-Schenkel in die Widerstandsschicht gelangen und p-Schenkel 4 des Thermoelementes mit Hilfe der deren Widerstandswert beeinflussen. Spannungsquelle 6 eine Spannung angelegt, die kleiner
Das Wesen des Bauelementes nach der Erfindung 50 als die doppelte ■ Peltierspannung und vorzugsweise besteht somit darin, daß dessen elektrischer Wider- gleich der Peltierspannung zwischen dem p-Schenstand durch heiße Elektronen moduliert wird, die aus kel 4 und dem n-Schenkel 2 ist, so werden je nach einem thermoelektrischen Kontakt in die Wider- Vorzeichen dieser Spannung aus dem p-Schenkel 3 Standsschicht injiziert werden. Das steuerbare elektro- oder aus dem p-Schenkel 4 heiße Elektronen in den nische Bauelement nach der Erfindung hat gegenüber 55 n-Schenkel 2 und von diesem aus in die Widerstandsbekannten Halbleiteranordnungen bzw. Halbleiter- schicht 1 emittiert. Diese heißen Elektronen gelangen verstärkern den Vorteil, daß es nur mit Elektronen durch die etwa 102 bis 105 Angström dicke Widerarbeitet, also ein sogenanntes Majoritätsladungsträger- Standsschicht 1 zu der gegenüberliegenden Kollektor-Bauelement ist. Da die Ausgleichsvorgänge im Elek- elektrode 5, wenn über dem p-Schenkel 3 zwischen tronengas nur Zeiten von 10~13 bis 10~14 Sekunden 60 dem n-Schenkel 2 und der Kollektorelektrode 5 und benötigen, liegt die Grenzfrequenz des Bauelementes somit an der Widerstandsschicht 1 mit Hilfe der Spangemäß der Erfindung sehr hoch. nungsquelle 7 eine Spannung liegt, die nicht größer Die an die beiden p-Schenkel angelegte Spannung als die Durchbruchsspannung der Widerstandssoll kleiner als die doppelte Peltierspannung und schicht 1 ist. Diejenigen Elektronen, die aus dem vorzugsweise gleich der Peltierspannung des Thermo- 65 Thermokontakt durch die Widerstandsschicht hinelementes sein. Außer dieser Spannung wird an das durch zur Kollektorelektrode gelangen, leisten einen Bauelement zwischen den n-Schenkel über den einen Beitrag zum Strom, der zwischen dem n-Schenkel und p-Schenkel und die Kollektorelektrode, die auf der der Kollektorelektrode durch die Widerstandsschicht
fließt. Ist das Produkt der an der Widerstandsschicht 1 liegenden Spannung mal dem Strom durch diese Schicht, der von den heißen Elektronen herrührt, größer als das Produkt der zwischen dem p-Schenkel 3 und dem p-Schenkel 4 liegenden Spannung mal dem durch diese Spannung hervorgerufenen Gesamtstrom, dann stellt die Anordnung der F i g. 1 einen aktiven Vierpol dar.
Bei der Anordnung der F i g. 2 besteht die Kollektorelektrode nicht wie bei der Anordnung der F i g. 1 aus einer metallischen Schicht, sondern aus einem p-Halbleiter 5, auf den eine Isolierschicht 8, vorzugsweise eine Oxydschicht, aufgebracht ist. Wie in der Halbleiter-Planartechnik wird aus dieser Isolierschicht in der Mitte eine Öffnung herausgeätzt, in der die Widerstandsschicht 1 als Widerstand und eine n-Halbleiterschicht 2 als n-Schenkel eines Thermoelementes abgeschieden werden. Die beiden p-Schenkel 3 und 4 sind Metallschichten und bestehen z. B. aus Aluminium oder Chrom-Gold. Die beiden Metallschich- ao ten 3 und 4 stehen nicht unmittelbar in Berührung mit dem n-Schenkel 2 aus n-Halbleitermaterial, sondern sind von dem n-Halbleitermaterial durch Metallschichten (9 und 10) getrennt, die einen n+-Kontakt liefern und für eine nichtsperrende Verbindung as zwischen den p-Schenkeln und dem n-Schenkel sorgen. Die beiden p-Schenkel erstrecken sich seitlich auf die Isolierschicht 8.
Die F i g. 3 zeigt eine Mehrfachanordnung, die beispielsweise aus 35 der in der F i g. 2 dargestellten Einzelelemente besteht. Sämtliche Einzelelemente haben eine gemeinsame Kollektorelektrode 5, auf die 35 Widerstandsschichten und ebenso viele n-Schenkel aufgebracht sind. Da es sich um einen Aufriß handelt, sind nur die n-Schenkel 2 und nicht die darunter befindlichen Widerstandsschichten zu sehen. Auf jedem n-Schenkel 2 sind zwei thermoelektrische p-Schenkel 3 und 4 aufgebracht. Wie die F i g. 3 zeigt, sind sämtliche p-Schenkel der Einzelelemente miteinander in Reihe geschaltet. Die Mehrfachanordnung der F i g. 3 hat den Vorteil, daß die Spannung am Eingang dieser Anordnung höher sein kann als bei den Einzelelementen der F i g. 1 und 2.
Die F i g. 4 zeigt schließlich noch ein Bauelement nach der Erfindung, bei der die p-Schenkel 3 und 4 eine kammförmige Struktur haben und kammförmig ineinandergreifen. Unter der thermoelektrischen n-Schicht2 befindet sich die in der Draufsicht der F i g. 4 nicht sichtbare Widerstandsschicht 1.

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Elektronisches Festkörperbauelement mit durch Ladungsträgerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand, d a d u r c h gekennzeichnet, daß auf eine aus halbleitendem oder im Normalfall isolierendem Material bestehende elektrische Widerstandsschicht eine elektrisch leitende Schicht als n-Schenkel eines Thermoelementes und auf diese Schicht zwei thermoelektrische p-Kontakte als zugehörige p-Schenkel aufgebracht sind und daß die Dicke des n-Schenkels so dünn gewählt ist, daß heiße Elektronen aus einem p-Schenkel durch den n-Schenkel in die Widerstandsschicht gelangen und deren Widerstandswert beeinflussen.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der als Widerstand dienenden Halbleiter- oder Isolatorschicht größer oder gleich 102 Angström und kleiner als 103 Angström ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht aus einem Halbleitermaterial besteht, dessen Bandabstand größer als 0,7 Elektronenvolt ist.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Kollektorelektrode eine Isolierschicht, vorzugsweise eine Oxydschicht, mit einer Öffnung aufgebracht ist, in der sich die Widerstandsschicht und darüber die thermoelektrische η-Schicht befinden, und daß sich die auf der η-Schicht angeordneten p-Schenkel seitlich auf die Isolierschicht erstrecken.
5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die auf dem n-Schenkel befindlichen p-Schenkel kammförmig ausgebildet sind und kammförmig ineinandergreifen.
6. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von elektrisch in Reihe geschalteten Thermoelementen sich auf einer allen Thermoelementen gemeinsamen Widerstandsschicht befindet.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3 sowie 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich die auf der η-Schicht angeordneten p-Schenkel seitlich auf die Isolierschicht erstrecken.
8. Verfahren zum Betrieb des steuerbaren Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die an die beiden p-Schenkel angelegte Spannung kleiner als die doppelte Peltierspannung des Thermoelementes ist.
9. Verfahren zum Betrieb des steuerbaren Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 8 bei tiefen Temperaturen, wie z. B. bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs, Wasserstoffs oder Heliums.
10. Anwendung des elektronischen steuerbaren Bauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche in integrierten Schaltungen.
11. Verwendung des elektronischen steuerbaren Bauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Verstärkung von Mikrowellen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DET29965A 1965-12-08 1965-12-08 Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand Pending DE1283978B (de)

Priority Applications (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET29965A DE1283978B (de) 1965-12-08 1965-12-08 Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand
DE19651514911 DE1514911C (de) 1965-12-24 1965-12-24 Steuerbares Halbleiterbauelement
DE19651514914 DE1514914C (de) 1965-12-30 1965-12-30 Steuerbares Halbleiterbauelement
DE19651514913 DE1514913C (de) 1965-12-30 1965-12-30 Steuerbares Halbleiterbau element
GB54713/66A GB1173919A (en) 1965-12-08 1966-12-07 Semiconductor Device with a pn-Junction
GB54711/66A GB1173756A (en) 1965-12-08 1966-12-07 Controllable Electrical Resistor
US600105A US3419767A (en) 1965-12-08 1966-12-08 Controllable electrical resistance
FR86704A FR1504201A (fr) 1965-12-08 1966-12-08 Résistance électrique commandée
GB55258/66A GB1173575A (en) 1965-12-08 1966-12-09 Controllable Schottky Diode.
US602407A US3460008A (en) 1965-12-08 1966-12-16 Controllable tunnel diode
FR88530A FR1505988A (fr) 1965-12-08 1966-12-22 Diode tunnel commandée
GB57728/66A GB1175049A (en) 1965-12-08 1966-12-23 Controllable tunnel diode
US605340A US3495141A (en) 1965-12-08 1966-12-28 Controllable schottky diode
US605341A US3504240A (en) 1965-12-08 1966-12-28 Semiconductor device utilizing heat injection of majority carriers
FR89386A FR1506947A (fr) 1965-12-08 1966-12-29 Montage semi-conducteur avec une jonction pn
FR89387A FR1506948A (fr) 1965-12-08 1966-12-29 Diode de schottky commandée

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET29965A DE1283978B (de) 1965-12-08 1965-12-08 Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand
DET0030130 1965-12-27
DET0030180 1965-12-30
DET0030179 1965-12-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1283978B true DE1283978B (de) 1968-11-28

Family

ID=27437645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET29965A Pending DE1283978B (de) 1965-12-08 1965-12-08 Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand

Country Status (4)

Country Link
US (4) US3419767A (de)
DE (1) DE1283978B (de)
FR (4) FR1504201A (de)
GB (4) GB1173756A (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3713909A (en) * 1970-11-06 1973-01-30 North American Rockwell Method of producing a tunnel diode
US3699362A (en) * 1971-05-27 1972-10-17 Ibm Transistor logic circuit
DE2247962C3 (de) * 1972-09-29 1979-03-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thermoelementanordnung auf Halbleiterbasis
USRE29676E (en) * 1973-09-03 1978-06-20 Nippon Electric Company, Limited Matrix resistors for integrated circuit
US4238759A (en) * 1978-10-20 1980-12-09 University Of Delaware Monolithic Peltier temperature controlled junction
US4561006A (en) * 1982-07-06 1985-12-24 Sperry Corporation Integrated circuit package with integral heating circuit
US4754141A (en) * 1985-08-22 1988-06-28 High Technology Sensors, Inc. Modulated infrared source
CA2050843C (en) * 1990-09-18 1999-08-03 Kazuo Ohtsubo Noise eliminating element and electrical circuit having the same
WO1993008600A1 (en) * 1991-10-15 1993-04-29 Velox Computer Technology, Inc. Intrinsically controlled cooling container
US5356484A (en) * 1992-03-30 1994-10-18 Yater Joseph C Reversible thermoelectric converter
US5837929A (en) * 1994-07-05 1998-11-17 Mantron, Inc. Microelectronic thermoelectric device and systems incorporating such device
DE19945434A1 (de) * 1999-09-22 2001-04-05 Infineon Technologies Ag Selektive Kühlung von Teilflächen eines flächigen elektronischen Bauteils
DE102009000333A1 (de) * 2009-01-20 2010-07-22 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik Thermoelektrisches Halbleiterbauelement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1010576A (en) * 1963-05-31 1965-11-17 Sperry Rand Corp Signal translating device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE543675A (de) * 1954-12-15
BE552928A (de) * 1957-03-18
US3005937A (en) * 1958-08-21 1961-10-24 Rca Corp Semiconductor signal translating devices
US2975638A (en) * 1958-09-18 1961-03-21 Honeywell Regulator Co Electrical hygrometer device
NL269345A (de) * 1960-09-19
US3254278A (en) * 1960-11-14 1966-05-31 Hoffman Electronics Corp Tunnel diode device
BE622805A (de) * 1961-09-25
US3252013A (en) * 1963-01-18 1966-05-17 Varo Thermal oscillator utilizing rate of thermal flow
US3290127A (en) * 1964-03-30 1966-12-06 Bell Telephone Labor Inc Barrier diode with metal contact and method of making

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1010576A (en) * 1963-05-31 1965-11-17 Sperry Rand Corp Signal translating device

Also Published As

Publication number Publication date
DE1514911A1 (de) 1969-05-29
GB1175049A (en) 1969-12-23
DE1514914B2 (de) 1972-12-14
US3504240A (en) 1970-03-31
DE1514911B2 (de) 1972-08-17
GB1173919A (en) 1969-12-10
FR1504201A (fr) 1967-12-01
FR1506948A (fr) 1967-12-22
US3495141A (en) 1970-02-10
FR1505988A (fr) 1967-12-15
FR1506947A (fr) 1967-12-22
US3419767A (en) 1968-12-31
GB1173575A (en) 1969-12-10
DE1514913A1 (de) 1969-08-14
DE1514913B2 (de) 1972-11-30
DE1514914A1 (de) 1970-04-02
US3460008A (en) 1969-08-05
GB1173756A (en) 1969-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3258663A (en) Solid state device with gate electrode on thin insulative film
US3385731A (en) Method of fabricating thin film device having close spaced electrodes
DE961469C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern fuer elektrische UEbertragungsvorrichtungen
DE1283978B (de) Elektronisches Festkoerperbauelement mit durch Ladungstraegerinjektion steuerbarem elektrischem Widerstand
DE2143029B2 (de) Integrierte halbleiterschutzanordnung fuer zwei komplementaere isolierschicht-feldeffekttransistoren
DE2926741A1 (de) Feldeffekt-transistor
DE1838035U (de) Halbleitervorrichtung.
DE2436449A1 (de) Halbleiterbauelement mit schottkysperrschicht
DE1614389A1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
US2728034A (en) Semi-conductor devices with opposite conductivity zones
DE2235465C3 (de) Feldeffekttransistor-Speicherelement
US3430112A (en) Insulated gate field effect transistor with channel portions of different conductivity
DE1574651C3 (de) Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle
US3254276A (en) Solid-state translating device with barrier-layers formed by thin metal and semiconductor material
DE3528562C2 (de)
DE3232336A1 (de) Thermoelektrische halbleitereinrichtung
DE1208408B (de) Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
EP2181465B1 (de) Thermoelektrischer generator
DE2048020A1 (de) Halbleilergedachtnisvornchtung mit einem den Halbleiter berührenden Viel schichtisolator
US3321711A (en) Space charge limited conduction solid state electron device
DE2657511A1 (de) Monolithisch integrierbare speicherzelle
EP0022486A1 (de) Elektrolumineszierendes Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2401533A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2017172B2 (de) Halbleiteranordnung, die eine Passivierungsschicht an der Halbleiteroberfläche aufweist
DE2129181C3 (de) Verfahren zum Betrieb eines Feldeffekttransistors als Speicherelement